EP4688703A1 - Piece revetue comprenant un revetement d'accrochage dope au bore - Google Patents

Piece revetue comprenant un revetement d'accrochage dope au bore

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EP4688703A1
EP4688703A1 EP24723586.4A EP24723586A EP4688703A1 EP 4688703 A1 EP4688703 A1 EP 4688703A1 EP 24723586 A EP24723586 A EP 24723586A EP 4688703 A1 EP4688703 A1 EP 4688703A1
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EP
European Patent Office
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coating
bonding coating
bonding
boron
silicon
Prior art date
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Pending
Application number
EP24723586.4A
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German (de)
English (en)
Inventor
Eric Bouillon
Benjamin COSSOU
Simon ARNAL
Axel LE DOZE
Georges CHOLLON
Guillaume COUEGNAT
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Centre National de la Recherche Scientifique CNRS
Universite de Bordeaux
Safran Ceramics SA
Original Assignee
Centre National de la Recherche Scientifique CNRS
Universite de Bordeaux
Safran Ceramics SA
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Filing date
Publication date
Application filed by Centre National de la Recherche Scientifique CNRS, Universite de Bordeaux, Safran Ceramics SA filed Critical Centre National de la Recherche Scientifique CNRS
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Pending legal-status Critical Current

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    • C04B41/009—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone characterised by the material treated
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    • F05D2300/603—Composites; e.g. fibre-reinforced
    • F05D2300/6033—Ceramic matrix composites [CMC]

Definitions

  • This disclosure relates to the field of coatings and more particularly to that of processes for forming coatings by chemical vapor deposition (or CVD), in particular for protecting ceramic-based substrates from aggressive environments.
  • CVD chemical vapor deposition
  • Ceramic matrix composite materials and in particular those based on carbide (generally called SiC/SiC) have been proposed for numerous applications, and in particular for the production of gas turbine parts, such as blades and nozzles. Indeed, thanks to their heat resistance properties, these materials make it possible to reduce or even eliminate the cooling conventionally used in metal turbine parts based on nickel and/or cobalt, while allowing an increase in operating temperatures.
  • SiC/SiC CMCs may be subject to oxidation resulting in the formation of silicon oxide, and the volatilization of this silicon oxide under the effect of water vapor.
  • a protective coating is recommended on ceramic matrix composite parts.
  • thermomechanical and chemical environment to which the protective coating could be subjected it should preferably have a coefficient of expansion compatible with that of the substrate, low permeability to corrosive species (which includes both both low molecular diffusion directly linked to the physical parameter of hermeticity and low ionic diffusion of superoxide and hydroxide ions, intrinsic characteristics of rare earth silicates) and thermomechanical stability at temperatures above 800 °C, such as those prevailing in a gas turbine.
  • the protective coating may typically comprise a barrier coating or environmental barrier coating (EBC), for example based on rare earth silicate and, between the substrate and the barrier coating, a bond coating, for example based on silicon, to ensure the adhesion of the barrier coating to the substrate.
  • EBC environmental barrier coating
  • the oxidation of the silicon in the bond coating may also form an intermediate layer of silica, called thermal growth oxide (TGO), between the bond coating and the barrier coating.
  • TGO thermal growth oxide
  • thermally grown oxide intermediate layer may contribute to protecting silicon carbide-containing substrates from corrosion, it may also have induced thermomechanical effects, such as the generation of mechanical stresses between the bonding coating and the barrier coating.
  • the present disclosure relates to a coated ceramic composite part having a silicon carbide substrate, a bonding coating covering the substrate, a barrier coating covering the bonding coating, wherein the bonding coating comprises boron-doped silicon.
  • the boron-doped bonding coating creeps more significantly at medium temperature (between 800°C and 1000°C), compared to known bonding coatings. Consequently, the boron doping allows the bonding coating to better relax stresses, in particular when the silicon of the bonding coating oxidizes to form a thermal growth oxide. Consequently, such a bonding coating is less likely to degrade by a “dome cracking” type phenomenon. In other words, the present coating allows the relaxation of local stresses which can appear at the interface between the barrier coating and the bonding coating, by creep of the bonding coating.
  • the boron-doped bonding coating flows less significantly at high temperatures (greater than 1000°C, compared to known bonding coatings). Consequently, such a bonding coating is less likely to degrade by a “centrifigation” type phenomenon.
  • the boron-doped bonding coating is more resistant to the failure modes of "dome cracking" and "centrifugation".
  • the coated part has better robustness than the coated parts known at the operating temperatures of a turbomachine. Under these circumstances, the service life of the coated part is increased.
  • the doping rate of the doped silicon of the bonding coating is between 0.05% and 0.5 atomic%.
  • the doping rate of the doped silicon of the bonding coating is between 0.1% and 0.2 atomic%.
  • a boron doping provided in the above ranges makes it possible to obtain better properties for the bonding coating.
  • these preferential doping ranges guarantee a good compromise of properties for the bonding coating.
  • the bonding coating then has sufficient creep at around 800 ° C and a low creep above 1000 ° C.
  • the bonding coating is deposited on the substrate by a chemical vapor deposition method.
  • CVD chemical vapor deposition
  • the barrier coating is deposited on the bonding coating by electrophoresis.
  • the bonding coating comprises alternating first intermediate layers and second intermediate layers, the first intermediate layers comprising boron-doped silicon and the second intermediate layers being pure silicon or silicon carbide. [0022] Such a multi-layer bonding coating can further reduce the creep of the bonding coating at high temperature. Therefore, the corrosion resistance of the coated part is improved.
  • Figure 1 schematically represents a composite part coated according to a first embodiment of the invention.
  • Figure 2A shows a comparison of creep curves at 800°C for different parts with different bonding coatings.
  • Figure 2B shows a comparison of creep curves at 1000°C for different parts with different bonding coatings.
  • FIG. 3 Figure 3 schematically represents a detailed view of the bonding coating of a composite part coated according to a second embodiment of the invention.
  • Figure 1 schematically represents a composite part 10 coated according to a first embodiment of the invention.
  • the part 10 comprises a substrate 105, typically made of silicon carbide, a bonding coating 103 at least partially covering the substrate and a barrier coating 101 at least partially covering the bonding coating 103.
  • the bonding coating 103 is obtained using a chemical vapor deposition (CVD) process.
  • CVD chemical vapor deposition
  • the substrate 105 is introduced into a suitable reactor.
  • the chemical vapor deposition is carried out by introducing a mixture of precursors into the reactor according to the following table.
  • the sccm unit designates a flow rate expressed in “standard cubic centimeters per minute”, which measures a flow rate of a fluid in cubic centimeters per minute, flowing under standard temperature and pressure conditions.
  • the deposition on the substrate is carried out in the reactor at a pressure of 5 kPa and at a temperature of 101 1 °C.
  • a boron-doped silicon bonding coating 103 is thus obtained. Under the present conditions, the doping rate is 0.14 atomic %.
  • the flow rate of BCI 3 can be adjusted to modify this doping rate. The greater the flow rate of BCI 3 , the higher the doping rate of the bonding coating 103.
  • the thickness of the bonding coating 103 is between 2 ⁇ m and 30 ⁇ m, preferably between 2 ⁇ m and 10 ⁇ m.
  • the doping rate had an impact on the surface roughness of the silicon thus doped. Indeed, the higher the doping rate, the greater the surface roughness.
  • the barrier coating 101 is a rare earth silicate.
  • the barrier coating is RE 2 Si 2 O 7 .
  • the barrier coating 101 can be deposited on the bonding coating 103 by thermal spraying.
  • Other deposition methods can be envisaged, such as for example physical vapor deposition (PVD), in particular electron beam physical vapor deposition (eb-PVD), or electrophoresis.
  • PVD physical vapor deposition
  • eb-PVD electron beam physical vapor deposition
  • electrophoresis electrophoresis.
  • Figure 2A shows a comparison of creep curves at 800°C for different parts having different bonding coatings.
  • Figure 2B shows a comparison of creep curves at 1000°C for different parts having different bonding coatings. The references of the curves are noted in the following table.
  • M1, M2, M3 and M4 designate test bonding coatings comprising pure silicon having different microstructures. These names are consistent with the other names: in other words, M4 and M4_0.14%B have the same microstructure for silicon.
  • VPS designates a bonding coating according to the prior art.
  • Figure 3 schematically represents a detailed view of the bonding coating 103 of a composite part coated according to a second embodiment of the invention.
  • the bonding coating 103 comprises an alternation of first intermediate layers 1031 and second intermediate layers 1032.
  • the first intermediate layers 1031 comprise boron-doped silicon.
  • the first intermediate layers 1031 can be obtained by the CVD method described above.
  • the second intermediate layers 1032 are made of pure silicon or silicon carbide, and can be obtained by a CVD process.
  • the alternation of the first and second intermediate layers 1031, 1032 can be obtained by a single CVD deposition.

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Abstract

Pièce composite céramique revêtue présentant un substrat en carbure de silicium, un revêtement d'accrochage recouvrant le substrat, un revêtement barrière recouvrant le revêtement d'accrochage, dans laquelle le revêtement d'accrochage comprend du silicium dopé au bore.

Description

Description
Titre de l'invention : Pièce revêtue comprenant un revêtement d'accrochage dopé au bore
Domaine Technique
[0001] Cette divulgation concerne le domaine des revêtements et plus particulièrement celui des procédés pour former des revêtements par dépôt chimique en phase vapeur (ou CVD, de l’anglais Chemical Vapor Deposition), notamment pour protéger d’environnements agressifs les substrats à base céramique.
Technique antérieure
[0002] Les matériaux composites à matrice céramique (CMC), et en particulier ceux à base carbure (généralement dénommés SiC/SiC) ont été proposés pour des nombreuses applications, et notamment pour la réalisation de pièces de turbines à gaz, telles que les aubes et les distributeurs. En effet, grâce à leurs propriétés de résistance à la chaleur, ces matériaux permettent de diminuer voire éliminer le refroidissement classiquement utilisé dans des pièces de turbine métalliques à base de nickel et/ou cobalt, tout en autorisant un accroissement des températures de fonctionnement.
[0003] Cependant, dans l’environnement corrosif d’une turbine, les CMC SiC/SiC peuvent être soumis à oxydation donnant lieu à la formation d’oxyde de silicium, et la volatilisation de cet oxyde de silicium sous l’effet de la vapeur d’eau. Ainsi, pour des applications à des températures supérieures à 1000 °C, dans un environnement riche en oxygène et vapeur d’eau, l’application d’un revêtement de protection est préconisé sur les pièces en composite à matrice céramique.
[0004] A cause de l’environnement thermomécanique et chimique particulièrement agressif auquel le revêtement de protection pourrait être soumis, celui-ci devrait présenter de préférence un coefficient de dilatation compatible avec celui du substrat, une faible perméabilité aux espèces corrosives (ce qui comprend à la fois une faible diffusion moléculaire liée directement au paramètre physique d’herméticité et une faible diffusion ionique des ions superoxyde et hydroxyde, caractéristiques intrinsèques des silicates de terres rares) et une stabilité thermomécanique à des températures supérieures à 800 °C, comme par exemple celles régnant dans une turbine à gaz.
[0005] Pour cela, le revêtement de protection peut comprendre typiquement un revêtement barrière ou revêtement barrière environnementale (en anglais : « Environmental Barrier Coating » ou EBC), par exemple à base de silicate de terre rare et, entre le substrat et le revêtement barrière, un revêtement d’accrochage (en anglais : « bond coating >>), par exemple à base de silicium, pour assurer l’adhésion du revêtement barrière au substrat. L’oxydation du silicium du revêtement d’accrochage peut par ailleurs former une couche intermédiaire de silice, nommée oxyde de croissance thermique (en anglais : « Thermal Growth Oxide » ou TGO), entre le revêtement d’accrochage et le revêtement barrière.
[0006] En outre, quoique la formation de la couche intermédiaire d’oxyde de croissance thermique peut contribuer à protéger de la corrosion les substrats contenant du carbure de silicium, elle peut aussi avoir des effets thermomécaniques induits, comme par exemple la génération de contraintes mécaniques entre le revêtement d’accrochage et le revêtement barrière.
[0007] Ces contraintes peuvent apparaître selon plusieurs causes. A température moyenne (comprise entre 800 °C et 1000 °C), le silicwm s’oxyde pour former de la silice. Cette transformation allotropique du silicium s’accompagne d’un accroissement volumique, la silice présentant un volume molaire environ 1 ,2 fois supérieur au volume molaire du silicium. En conséquence, en s’oxydant, le revêtement d’accrochage gagne en épaisseur et applique des contraintes sur le revêtement barrière. A partir d’une épaisseur critique, les contraintes mécaniques peuvent donner lieu à une fissuration en dôme (en anglais : « dome cracking >>), aboutissant, à terme, à l’écaillage partiel ou total du revêtement barrière et donc à la perte de la fonction anti-corrosion.
[0008] Par ailleurs, à haute températures (supérieures à 1000 °C), l’EBC tend à fluer. Pour des pièces en rotation, les forces centrifuges peuvent induire des déformations très importantes de l’EBC ainsi fluée. On parle alors de centrifugation de l’EBC. Dans de telles circonstances, l’EBC peut perdre partiellement son revêtement, perdant ainsi sa fonction anti-corrosion.
[0009] Il existe donc un besoin d’amélioration des EBC, dépourvues, au moins en partie, des inconvénients précités.
Exposé de l’invention
[0010] Le présent exposé concerne une pièce composite céramique revêtue présentant un substrat en carbure de silicium, un revêtement d’accrochage recouvrant le substrat, un revêtement barrière recouvrant le revêtement d’accrochage, dans laquelle le revêtement d’accrochage comprend du silicium dopé au bore.
[0011 ] Le revêtement d’accrochage dopé au bore flue de manière plus importante à température moyenne (comprise entre 800 °C et 1000 ° (}, comparé aux revêtements d’accrochage connus. Par conséquent, le dopage au bore permet au revêtement d’accrochage de mieux relaxer des contraintes, notamment lorsque le silicium du revêtement d’accrochage s’oxyde pour former un oxyde de croissance thermique. Par conséquent, un tel revêtement d’accrochage est moins susceptible de se dégrader par un phénomène de type « dome cracking ». En d’autres termes, le présent revêtement permet la relaxation de contraintes locales qui peuvent apparaître à l’interface entre le revêtement barrière et le revêtement d’accrochage, par un fluage du revêtement d’accrochage.
[0012] Par ailleurs, le revêtement d’accrochage dopé au bore flue de manière moins importante à haute température (supérieure à 1000°Q, comparé aux revêtements d’accrochages connus. Par conséquent, un tel revêtement d’accrochage est moins susceptible de se dégrader par un phénomène de type « centrifigation >>.
[0013] On comprend que le revêtement d’accrochage dopé au bore est plus résistant aux modes de ruine que sont le « dome cracking >> et la « centrifugation >>. Ainsi, la pièce revêtue présente une meilleure robustesse que les pièces revêtues connues aux températures de fonctionnement d’une turbomachine. Dans ces circonstances, la durée de vie de la pièce revêtue est augmentée.
[0014] Dans certains modes de réalisation, le taux de dopage du silicium dopé du revêtement d’accrochage est compris entre 0,05% et 0,5% atomique.
[0015] Dans certains modes de réalisation, le taux de dopage du silicium dopé du revêtement d’accrochage est compris entre 0,1 % et 0,2% atomique.
[0016] Un dopage au bore prévu dans les plages ci-dessus permet d’obtenir de meilleures propriétés pour le revêtement d’accrochage. En particulier, ces plages préférentielles de dopages garantissent un bon compromis de propriétés pour le revêtement d’accrochage. En effet, le revêtement d’accrochage présente alors un fluage suffisant aux alentours de 800 ° C et un f I uaçp faible au-delà de 1000 ° C.
[0017] Dans certains modes de réalisation, le revêtement d’accrochage est déposé sur le substrat par une méthode de dépôt chimique en phase vapeur.
[0018] L’utilisation d’une méthode CVD facilite la maîtrise du dopage du revêtement d’accrochage. Par ailleurs, cette méthode est facilement industrialisable. En effet, cette méthode est adaptée aux géométries complexes et est donc plus favorable à l’industrialisation, particulièrement pour les pièces complexes qui ne peuvent pas être obtenues par des méthodes plus simples.
[0019] Dans certains modes de réalisation, le revêtement barrière est déposé sur le revêtement d’accrochage par électrophorèse.
[0020] L’utilisation d’une telle méthode permet d’obtenir un bon compromis entre coût, facilité de mise en oeuvre et propriétés du revêtement barrière formé. De plus, le procédé par électrophorèse permet d’obtenir des revêtements à forte hermiticité. D’autres méthodes peuvent être envisagées, comme par exemple la projection thermique ou le dépôt vapeur en phase physique.
[0021 ] Dans certains modes de réalisation, le revêtement d’accrochage comprend une alternance de premières couches intermédiaires et de deuxièmes couches intermédiaires, les premières couches intermédiaires comprenant du silicium dopé au bore et les deuxièmes couches intermédiaires étant en silicium pur ou en carbure de silicium. [0022] Un tel revêtement d’accrochage multicouche permet de diminuer d’avantage le fluage du revêtement d’accrochage à haute température. Par conséquent, la résistance à la corrosion de la pièce revêtue est améliorée.
[0023] Les caractéristiques et avantages précités, ainsi que d'autres, apparaîtront à la lecture de la description détaillée qui suit, d'exemples de réalisation du dispositif et du procédé proposés. Cette description détaillée fait référence aux dessins annexés.
Brève description des dessins
[0024] Les dessins annexés sont schématiques et visent avant tout à illustrer les principes de l’exposé.
[0025] [Fig. 1 ] La figure 1 représente schématiquement une pièce composite revêtue selon un premier mode de réalisation de l’invention.
[0026] [Fig. 2A] La figure 2A représente une comparaison des courbes de fluage à 800 °C pour différentes pièces présentant différents revêtements d’accrochage.
[0027] [Fig. 2B] La figure 2B représente une comparaison des courbes de fluage à 1000 °C pour différentes pièces présentant différents revêtements d’accrochage.
[0028] [Fig. 3] La figure 3 représente schématiquement une vue détaillée du revêtement d’accrochage d’une pièce composite revêtue selon un deuxième mode de réalisation de l’invention.
Description des modes de réalisation
[0029] Afin de rendre plus concret l’exposé, un exemple de dispositif est décrit en détail ci-après, en référence aux dessins annexés. Il est rappelé que l'invention ne se limite pas à ces exemples.
[0030] La figure 1 représente schématiquement une pièce 10 composite revêtue selon un premier mode de réalisation de l’invention. La pièce 10 comprend un substrat 105, typiquement en carbure de silicium, un revêtement d’accrochage 103 recouvrant au moins en partie le substrat et un revêtement barrière 101 recouvrant au moins en partie le revêtement d’accrochage 103.
[0031 ] Selon un exemple de réalisation, le revêtement d’accrochage 103 est obtenu selon un procédé de dépôt chimique en phase vapeur (ou CVD, de l’anglais Chemical vapor deposition).
[0032] Le substrat 105 est introduit dans un réacteur approprié. Le dépôt chimique en phase vapeur est opéré par l’introduction d’un mélange de précurseurs dans le réacteur selon le tableau suivant.
[0033] [Table 1 ]
[0034] Il est rappelé que l’unité sccm désigne un débit exprimé en « standard centimètre cube par minute >>, qui mesure un débit d’un fluide en centimètre cubes par minute, s’écoulant dans des conditions standards de températures et de pression.
[0035] Le dépôt sur le substrat s’effectue dans le réacteur à une pression de 5kPa et à une température de 101 1 °C.
[0036] Un revêtement d’accrochage 103 en silicium dopé au bore est ainsi obtenu. Dans les présentes conditions, le taux de dopage est de 0,14% atomique. Le débit de BCI3 peut être ajusté pour modifier ce taux de dopage. Plus le débit de BCI3 est grand, plus le taux de dopage du revêtement d’accrochage 103 est fort.
[0037] Ainsi, en faisant varier le débit de BCI3 entre 0,5 et 3 sccm, il est possible de faire varier le taux de dopage du revêtement d’accrochage 103 entre 0,05% et 0,5% atomique.
[0038] L’épaisseur du revêtement d’accrochage 103 est comprise entre 2 pm et 30 pm, préférentiellement entre 2 pm et 10 pm.
[0039] Par ailleurs, sans vouloir se lier à une quelconque théorie, les inventeurs ont constaté que le taux de dopage avait une incidence sur la rugosité de surface du silicium ainsi dopé. En effet, plus le taux de dopage est grand, plus la rugosité de surface est importante.
[0040] Le revêtement barrière 101 est un silicate de terre rare. Dans le présent exemple, le revêtement barrière est RE2Si2O7. Le revêtement barrière 101 peut être déposé sur le revêtement d’accroche 103 par projection thermique. D’autres méthodes de dépôt peuvent être envisagées, comme par exemple le dépôt physique en phase vapeur (PVD, de l’anglais physical vapor deposition) notamment le dépôt physique en phase vapeur par faisceau d’électron (de l’anglais eb-PVD), ou l’électrophorèse.
[0041] La figure 2A représente une comparaison des courbes de fluage à 800 °C pour différentes pièces présentant différents revêtements d’accrochage. La figure 2B représente une comparaison des courbes de fluage à 1000 °C pour différentes pièces présentant différents revêtements d’accrochage. Les références des courbes sont notées dans le tableau suivant.
[0042] [Table 2]
[0043] Les différentes appellations M1 , M2, M3 et M4 désignent des revêtements d’accrochage test comprenant silicium pur présentant des microstructures différentes. Ces appellations sont consistantes avec les autres appellations : en d’autres termes, M4 et M4_0,14%B présentent la même microstructure pour le silicium. VPS désigne un revêtement d’accrochage selon l’art antérieur.
[0044] On constate sur la figure 2A que, à 800 °C, bs revêtements d’accrochages contenant du bore fluent plus que la référence VPS. A l’inverse, on constate que ; à 1000 ° C, ces revêtements d’accrochage contenant du bore fluent moins que la référence VPS.
[0045] L’utilisation d’un revêtement d’accroche dopé au bore présente donc un double avantage par rapport au revêtement connu, puisque ses propriétés de fluage à 800 °C permettent de limiter le phénomène cé « dome cracking » tandis que ses propriétés de résistance au fluage à 1000 °C permettent de limiter le phénomène de centrifugation.
[0046] La figure 3 représente schématiquement une vue détaillée du revêtement d’accrochage 103 d’une pièce composite revêtue selon un deuxième mode de réalisation de l’invention.
[0047] Dans ce mode de réalisation, le revêtement d’accrochage 103 comprend une alternance de premières couches intermédiaires 1031 et de deuxièmes couches intermédiaires 1032. Les premières couches intermédiaires 1031 comprennent du silicium dopé au bore. Les premières couches intermédiaires 1031 peuvent être obtenues par le procédé CVD décrit précédemment.
[0048] Les deuxièmes couches intermédiaires 1032 sont en silicium pur ou en carbure de silicium, et peuvent être obtenues par un procédé CVD. Avantageusement, l’alternance des premières et deuxièmes couches intermédiaires 1031 , 1032 peut être obtenue par un unique dépôt CVD.
[0049] Bien que la présente invention ait été décrite en se référant à des exemples de réalisation spécifiques, il est évident que des modifications et des changements peuvent être effectués sur ces exemples sans sortir de la portée générale de l'invention telle que définie par les revendications. En particulier, des caractéristiques individuelles des différents modes de réalisation illustrés/mentionnés peuvent être combinées dans des modes de réalisation additionnels. Par conséquent, la description et les dessins doivent être considérés dans un sens illustratif plutôt que restrictif.
[0050] Il est également évident que toutes les caractéristiques décrites en référence à un procédé sont transposables, seules ou en combinaison, à un dispositif, et inversement, toutes les caractéristiques décrites en référence à un dispositif sont transposables, seules ou en combinaison, à un procédé.

Claims

Revendications
[Revendication 1] Pièce composite céramique revêtue présentant un substrat en carbure de silicium, un revêtement d'accrochage recouvrant le substrat, un revêtement barrière recouvrant le revêtement d'accrochage, dans laquelle le revêtement d'accrochage comprend du silicium dopé au bore.
[Revendication 2] Pièce selon la revendication 1, dans laquelle le taux de dopage du silicium dopé du revêtement d'accrochage est compris entre 0,05% et 0,5% atomique.
[Revendication 3] Pièce selon la revendication 2, dans laquelle le taux de dopage du silicium dopé du revêtement d'accrochage est compris entre 0,1% et 0,2% atomique.
[Revendication 4] Pièce selon l'une des revendications 1 à 3, dans laquelle le revêtement d'accrochage est déposé sur le substrat par une méthode de dépôt chimique en phase vapeur.
[Revendication 5] Pièce selon l'une des revendications 1 à 4, dans laquelle le revêtement barrière est déposé sur le revêtement d'accrochage par électrophorèse.
[Revendication 6] Pièce selon l'une des revendications 1 à 5, dans laquelle le revêtement d'accrochage comprend une alternance de premières couches intermédiaires et de deuxièmes couches intermédiaires, les premières couches intermédiaires comprenant du silicium dopé au bore et les deuxièmes couches intermédiaires étant en silicium pur ou en carbure de silicium.
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