EP4073842A1 - Capteur d'images pour correction du bruit electronique d'un capteur - Google Patents

Capteur d'images pour correction du bruit electronique d'un capteur

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Publication number
EP4073842A1
EP4073842A1 EP20820168.1A EP20820168A EP4073842A1 EP 4073842 A1 EP4073842 A1 EP 4073842A1 EP 20820168 A EP20820168 A EP 20820168A EP 4073842 A1 EP4073842 A1 EP 4073842A1
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
pixels
electrode
pixel
image sensor
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
EP20820168.1A
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Benjamin BOUTHINON
Pierre Muller
Noémie BALLOT
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Isorg SA
Original Assignee
Isorg SA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Isorg SA filed Critical Isorg SA
Publication of EP4073842A1 publication Critical patent/EP4073842A1/fr
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/10—Integrated devices
    • H10F39/12—Image sensors
    • H10F39/191—Photoconductor image sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/80—Constructional details of image sensors
    • H10F39/802—Geometry or disposition of elements in pixels, e.g. address-lines or gate electrodes
    • H10F39/8023—Disposition of the elements in pixels, e.g. smaller elements in the centre of the imager compared to larger elements at the periphery
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic radiation-sensitive element covered by group H10K30/00
    • H10K39/30—Devices controlled by radiation
    • H10K39/32—Organic image sensors

Definitions

  • the present description relates to an image acquisition system.
  • An image acquisition system generally comprises an image sensor and an optical system interposed between the sensitive part of the image sensor and the object to be imaged and which makes it possible to form a clear image of the object to be imaged on the sensitive part of the image sensor.
  • the image sensor generally comprising a matrix of photodetectors capable of generating a signal proportional to the intensity of light received.
  • One embodiment overcomes all or part of the drawbacks of image acquisition systems.
  • One embodiment provides an image sensor comprising first pixels and second pixels distinct from the first pixels in which the first and second pixels comprise a first electrode, an active layer and a second electrode electrically connected to a track conductive, the first electrode of the second pixels being dissociated from the first electrode of the first pixels.
  • One embodiment provides an image sensor comprising first pixels and second pixels distinct from the first pixels, in which the first pixels comprise a first electrode, an active layer and a second electrode electrically connected to a conductive track, the second pixels not comprising at least no first electrode.
  • One embodiment provides for an image sensor comprising first pixels and second pixels distinct from the first pixels.
  • each second pixel is made up of one or more elements selected, in a lower number, from the elements constituting the first pixels.
  • each second pixel comprises an electrically insulating zone between a first electrode and a second electrode.
  • a first electrode of the second pixels is dissociated from a first electrode of the first pixels.
  • the first pixels comprise the following elements: a first electrode; an active layer; a second electrode; and a conductive via connecting the second electrode to a conductive track.
  • each second pixel comprises the same elements as the first pixels.
  • the insulating zone is located between the first electrode and the active layer. [0015] According to one embodiment, the insulating zone is located between the second electrode and the active layer.
  • the second pixels do not include a first electrode.
  • the second pixels do not include an active layer.
  • the second pixels do not include a conductor via.
  • the first pixels and the second pixels are juxtaposed and organized in rows and columns.
  • the second pixels are organized in columns which are adjacent and located on one of the edges of the sensor, or distributed over two edges of the sensor.
  • One embodiment provides a method of manufacturing an image sensor, comprising the following steps: forming the second electrode on one face of a stack; forming the active layer on the lower electrodes, on said face side; and forming the first electrode on the active layer, next to said face, so as to form the first pixels.
  • the method further comprises a step of removing all or part of the first electrode, or of the first electrode and of the active layer, so as to form the second pixels.
  • the formation of the second pixels comprises only part of said steps, so as to obtain a sensor.
  • the method further comprises a step of depositing the insulating zone, so as to form the second pixels.
  • Figure 1 illustrates by a sectional view, partial and schematic, an embodiment of an image acquisition system
  • FIG. 2 illustrates by a top view, partial and schematic, an embodiment of an image sensor
  • Figure 3 illustrates by a top view, partial and schematic, another embodiment of an image sensor
  • FIG. 4 partially and schematically represents a usual pixel of an image sensor and its reading circuit
  • FIG. 5 illustrates, in a partial and schematic sectional view, an example of a usual pixel of an image sensor
  • FIG. 6 illustrates, by views (A) and (B) respectively from above and in section, partial and schematic, an example of an image sensor
  • Figure 7 illustrates by a sectional view, partial and schematic, an embodiment of a pixel of the image sensor of Figure 6;
  • Figure 8 illustrates by a sectional view, partial and schematic, another embodiment of a pixel of the image sensor of Figure 6;
  • FIG. 9 illustrates, in a partial and schematic sectional view, yet another embodiment of a pixel of an image sensor
  • FIG. 10 illustrates by a sectional view, partial and schematic, yet another embodiment of a pixel of an image sensor
  • FIG. 11 illustrates by a sectional view, partial and schematic, yet another embodiment of a pixel of an image sensor
  • FIG. 12 illustrates, by views (A) and (B) respectively from above and in section, partial and schematic, another example of an image sensor
  • FIG. 13 illustrates by a sectional view, partial and schematic, an embodiment of a pixel of the image sensor of FIG. 12.
  • visible light is called electromagnetic radiation whose wavelength is between 400 nm and 700 nm and infrared radiation is called electromagnetic radiation whose wavelength is between 700 nm and 1 mm.
  • infrared radiation one distinguishes in particular near infrared radiation, the wavelength of which is between 700 nm and 1.7 ⁇ m.
  • Figure 1 illustrates by a sectional view, partial and schematic, an embodiment of an image acquisition system.
  • the acquisition system 1 comprises from top to bottom: a light source 11 which emits radiation 13; an object 15; an optical filter 17; and an image sensor 19, for example a complementary Metal Oxide semiconductor CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) sensor or a sensor based on thin film transistors (TFT, Thin Film Transistor), which can be coupled to inorganic photodiodes (crystalline silicon for a CMOS sensor or amorphous silicon for a TFT sensor) or organic.
  • CMOS Complementary Metal Oxide Semiconductor
  • TFT Thin Film Transistor
  • the image acquisition system 1 further comprises circuits, not shown, for processing the signals supplied by the image sensor 19 comprising, for example, a microprocessor.
  • the light source 11 is illustrated above the object 15. It can however, as a variant, be located between the object 15 and the optical filter 17.
  • the radiation 13 is, for example, in the visible range and / or in the infrared range. It may be radiation of a single wavelength or radiation of several wavelengths (or range of wavelengths).
  • the photodiodes of the image sensor 19 generally form a pixelated network. Each photodiode defines, for example, a pixel of the image sensor 19. Within the array, the photodiodes are, for example, aligned in rows and in columns.
  • the term "pixel” is used to denote a part of the structure of the image sensor 19 comprising at least one pixel selection transistor and all or part of the elements which make up a photodiode. Some of the pixels of the array are generally used as a reference in order to detect and record only the noise of the sensor 19 and of its electronics. The noise is then deduced from the signals picked up by the other pixels of the sensor 19 in order to correct them.
  • the expression “useful” pixel is used to designate a pixel comprising, among other things, a photodiode (two electrodes and an active layer) which provides a useful signal of the captured image.
  • the expression “reference” pixel is used to designate a pixel, distinct from a useful pixel. More precisely, a reference pixel supplies a signal representative of the noise of the sensor 19.
  • Figure 2 illustrates by a top view, partial and schematic, an embodiment of an image sensor 19.
  • FIG. 2 illustrates an example of distribution of useful pixels 21 or first pixels and of reference pixels 23 or second pixels within an image sensor 19.
  • the pixels 21 and 23 are preferably aligned in rows and columns.
  • the pixels 21 and 23 are, for example, organized in approximately 2,500 lines and approximately 1300 columns for an imager having a resolution of 500 dots per inch, (dpi, dots per inch) or a pixel pitch of 50.8 ⁇ m.
  • the resolution of the imager can, for example, vary between 254 dpi (ie a pixel pitch of 100 ⁇ m) and 1000 dpi (ie a pixel pitch of 25 ⁇ m).
  • the pixels 21 and 23 are organized in the network so that at least one reference pixel 23 is present by line.
  • the reference pixels 23 are all aligned in the same columns. For example, between about 4 columns and about 64 columns include only reference 23 pixels. Preferably, between about 16 columns and about 32 columns include only 23 reference pixels.
  • the reference pixel columns 23 are all juxtaposed and located on one of the edges of the sensor 19 (to the left of the sensor 19 in the orientation of Figure 2).
  • FIG. 3 illustrates by a top view, partial and schematic, another embodiment of an image sensor 19.
  • the embodiment illustrated in Figure 3 is substantially identical to the embodiment illustrated in Figure 2 with the difference that the reference pixel columns 23 are located on two opposite edges of the sensor 19. Preferably, the same number of reference pixel columns 23 is in each edge of sensor 19.
  • the noise is detected by a set of photodiodes of the reference pixels 23.
  • the electronic noise detected by photodiodes of the reference pixels 23 of the same row is averaged.
  • the average noise is then used to correct the useful signals detected by the photodiodes of the useful pixels 21 of the same line.
  • FIG. 4 partially and schematically represents a usual pixel of an image sensor and its reading circuit.
  • FIG. 4 represents an electric diagram showing an example of a useful pixel 21 of an image sensor 19 and its reading electronics.
  • Each useful pixel 21 comprises a photodiode 211 connected by its cathode 211c to a node 212 of a conductive track 213 via a metal-oxide semiconductor transistor (MOS, Metal Oxide Semiconductor) 214.
  • MOS Metal Oxide Semiconductor
  • the conductive track 213 is generally connected, preferably connected, to all the transistors 214 of the pixels of a same column.
  • An anode 211a of the photodiode 211 is connected to a node for applying a bias potential Vbias.
  • the gate of the MOS transistor 214 is connected, preferably connected, to a conductive track 215.
  • the conductive track 215 is generally connected, preferably connected, to all the gates of the transistors 214 of the pixels 21 of the same line
  • the gate of the transistor MOS 214 is intended to receive a TFT_SEL line selection signal.
  • the electrical diagram illustrated in Figure 4 comprises, for each column, an operational amplifier 216 whose inverting input (-) is connected to the conductive track 213, whose non-inverting input (+) is connected to a source of a reference potential Vref and the output of which provides a potential VS.
  • the output of amplifier 216 is connected to its inverting input (-) via a parallel association of a capacitor 217 and a switch 218.
  • the switches 214 and 218 are on in order to discharge the capacitor 217 and the photodiode 211.
  • the transistor 214 is blocked, the potential Vbias is set on a reverse bias voltage and charges are accumulated in the photodiode 211 in proportion to the intensity of the light received.
  • the transistor 214 is turned on and the charges of the photodiode 211 are transferred to the sense amplifier (the switch 218 being open), more precisely to the integration capacitor 217.
  • the noise of the sensor and of its electronics corresponds to all the noises emitted by the tracks 213 and 215 and the read circuit comprising the amplifier 216, the capacitor 217 and the switch 218.
  • the electrical circuit of a reference pixel 23 is different from the electrical circuit illustrated in FIG. 4 because the pixel 23 does not provide a signal having a component related to the exposure under light, so that the main component of the signal is that of noise.
  • FIG. 5 illustrates, in a partial and schematic sectional view, an example of a usual pixel of an image sensor.
  • FIG. 5 represents a useful pixel 21 of an image sensor 19.
  • the upper face of a structure or of a layer is considered, in the orientation of FIG. 5, as being a front face and the lower face of the structure or of the layer. , in the orientation of Figure 5, as a rear face.
  • Each useful pixel 21 comprises a first stack 30 in which is formed a photodetector, for example an organic photodiode, also called OPD (acronym for Organic PhotoDiode).
  • a photodetector for example an organic photodiode, also called OPD (acronym for Organic PhotoDiode).
  • the stack 30 comprises the following elements: a lower electrode 31 (second electrode); a first active layer 33, in contact with the electrode 31, in which an active region of the photodiode is formed; and an upper electrode (first electrode) 35 in contact with the layer 33.
  • the stack 30 further comprises a metal layer 32, under the electrode 31.
  • the layer 32 is, for example, composed of two sublayers (not shown)
  • a first sublayer of the layer 32 is, for example, made of a metal oxide such as indium tin oxide (ITO, Indium Tin Oxide) making it possible to have a desired output work for the electrode 31.
  • a second sub- layer of layer 32 forms, for example, a radiation barrier for channel 45 of transistor 214 ( Figure 4).
  • the second sub-layer is, for example, of a metal, preferably of molybdenum (Mo).
  • the material of the layer 45 may not be sensitive to the light to which the image sensor is exposed, the stack 30 then does not include a metal layer 32 and the electrode 31 is transparent.
  • Each useful pixel 21 further comprises, under the metal layer 32, from bottom to top: a support or substrate 37 which may have a monolayer or multilayer structure; and a second stack 39 in which the selection transistor (214, FIG. 4) is formed.
  • the stack 39 comprises: a first track 41, electrically conductive, resting on the support 37, the track 41 forming the gate conductor of the transistor; a second layer 43 of a dielectric material covering the support 37 and the track 41, forming, among other things, the gate insulator of the transistor (214, FIG. 4); an active region 45; two second electrically conductive tracks 47 extending on the surface of the dielectric layer 43 forming the drain and source contacts of the transistor with the active region 45.
  • One of the tracks 47 is connected to the lower electrode 31 by the intermediary of a via conductor 53 for resuming contact.
  • the other of the tracks 47 is electrically connected to the track 213 (FIG. 4), for example, by means of an electrically conductive via (not shown); a third layer 49 of a dielectric material; and a fourth layer 51 of a resin covering the layer 49, the electrode 31 resting on the layer 51.
  • the lower electrode 31 corresponds to an electron injecting layer (EIL, Electron Injecting Layer).
  • the upper electrode 35 corresponds to an injecting layer of holes (HIL, Hole Injecting Layer).
  • the output work of the electrodes 31 and 35 is suitable for blocking, collecting or injecting holes and / or electrons depending on whether this interface layer acts as a cathode 31 or an anode 35. More precisely, when the interface layer acts as an anode, it corresponds to a layer injecting holes and blocking electrons. When the interface layer acts as a cathode, it corresponds to an electron injecting and hole blocking layer.
  • the cathode 31 is, for example, made of a material of a first type of conductivity n.
  • the anode 35 is, for example, made of a material of a second type of conductivity p, different from the first type of conductivity.
  • the anode is, for example, a mixture of poly (3,4-ethylenedioxythiophene) and sodium poly (styrene sulfonate) (PEDOT: PSS).
  • the substrate 37 can be a rigid substrate or a flexible substrate.
  • the substrate 37 can have a single-layer structure or correspond to a stack of at least two layers.
  • An example of a rigid substrate comprises a silicon, germanium or glass substrate.
  • the substrate 37 is a flexible film.
  • An example of a flexible substrate comprises a film of PEN (polyethylene naphthalate), PET (polyethylene terephthalate), PI (polyimide), TAC (cellulose triacetate), COP (cycloolefin copolymer), PEEK (polyetheretherketone) or a combination of these. films like PI film protected by PET film on the back side.
  • the substrate 37 can comprise an inorganic layer, for example of glass, covered with an organic layer, for example of PEN, PET, PI, TAC, COP.
  • the thickness of the substrate 37 can be between 5 ⁇ m and 1500 ⁇ m.
  • the substrate 37 may have a thickness of 10 ⁇ m to 500 ⁇ m, preferably between 20 ⁇ m and 300 ⁇ m, in particular of the order of 75 ⁇ m, and exhibit a flexible behavior, that is to say say that the substrate 37 can, under the action of an external force, be deformed, in particular bend, without breaking or tearing.
  • the conductive tracks 41 and 47 can comprise or be made of a metallic material, for example silver (Ag), aluminum (Al), gold (Au), copper (Cu), nickel ( Ni), titanium (Ti), chromium (Cr) and molybdenum (Mo).
  • the conductive tracks 41 and 47 can have a single-layer or multi-layer structure.
  • the layer 39 may be of an inorganic material, for example of silicon oxide (S1O2) or of a silicon nitride (SiN), or can be an insulating organic layer, for example of organic resin.
  • the layer 33 in which the photodiodes are formed can comprise small molecules, oligomers or polymers. They can be organic or inorganic materials.
  • Layer 33 may comprise an ambipolar semiconductor material, or a mixture of an n-type semiconductor material and a p-type semiconductor material, for example in the form of superimposed layers or an intimate mixture at the nanoscale of so as to form a heterojunction in volume.
  • the thickness of the layer 33 may be between 50 nm and 2 mpi, for example of the order of 500 nm.
  • Examples of p-type semiconductor polymers suitable for making the layer 33 are poly (3-hexylthiophene) (P3HT), poly [N-9'-heptadecanyl-2,7-carbazole-alt-5 , 5- (4,7-di-2-thienyl-2 ', l', 3'-benzothiadiazole)] (PCDTBT), poly [(4,8-bis- (2-ethylhexyloxy) -benzo [1, 2-b; 4,5-b '] dithiophene) -2,6-diyl- alt- (4- (2-ethylhexanoyl) -thieno [3,4-b] thiophene)) - 2,6-diyl] ( PBDTTT-C), poly [2-methoxy-5- (2-ethyl-hexyloxy) -1,4-phenylene-vinylene] (MEH-PPV) or poly [2,6- (4,4-bis-
  • n-type semiconductor materials suitable for making layer 33 are fullerenes, in particular C60, [6,6] -phenyl-C 6i- methylbutanoate ([60] PCBM), Methyl [6,6] -phenyl-C7i-butanoate
  • the active region 45 may be in polycrystalline silicon, in particular polycrystalline silicon deposited at low temperature (LTPS, acronym for Low Temperature Polycrystalline Silicon), in amorphous silicon (aSi), in oxide zinc-gallium-indium (IGZO), polymer, or include small molecules used in a known manner for the production of organic thin-film transistors (OTFT, acronym for Organic Thin Film Transistor).
  • LTPS Low Temperature Polycrystalline Silicon
  • aSi amorphous silicon
  • IGZO oxide zinc-gallium-indium
  • OTFT organic thin-film transistors
  • the manufacturing process, on the scale of an image sensor 19, of the useful pixels 21 comprises, for example, the following successive steps: formation of the second electrodes 31 (cathodes) on the surface of the stack 39 and forming the vias 53 connecting the electrodes 31 and some of the tracks 47 through the layer 51 and the layer 49; deposition of the first active layer 33 on the surface of the electrodes 31 and on the surface of the layer 51; and depositing the first electrode 35 (anode) on the surface of the layer 33.
  • the electrodes 31 can, according to the embodiment illustrated in FIG. 5, be located.
  • a pixel 21 thus comprises an electrode 31 which is deposited locally.
  • the set of pixels 21 can share the same electrode 31 which is then deposited full plate.
  • the remainder of the description takes as an example a structure in which the electrodes 31 are located.
  • the embodiments described however adapt without difficulty to a structure in which all the pixels 21 and 23 share the same electrode 31.
  • the materials constituting the electrode 31 are then chosen to have negligible conductivity laterally in order to avoid losses. short circuits between pixels 21.
  • the electrode 31 is, for example, made of zinc oxide (ZnO), of polyethylene imine (PEI) or of ethoxylated polyethylene imine (PEIE).
  • the method of manufacturing useful pixels 21 further comprises, manufacturing the stack 39 comprising, for example, the following successive steps: forming the first tracks 41 on the substrate 37; deposition of the second layer 43, in which are formed, in trenches, the second tracks 47 and the active zones 45; deposition of the third layer 49, on the surface of the layer 43, of the zone 45 and of the tracks 47; and depositing the fourth layer 51 on the surface of the layer 49.
  • the process for forming at least some layers of pixel 21 may correspond to a so-called additive process, for example by direct printing of the material making up the organic layers at the desired locations, in particular in the form of sol-gel. , for example by inkjet printing, heliography, screen printing, flexography, spray coating (in English spray coating) or depositing of drops (in English drop-casting).
  • the process for forming the layers of pixel 21 may correspond to a so-called subtractive process, in which the material composing the organic layers is deposited on the entire structure (full plate) and in which the unused portions are then removed, for example by photolithography or laser ablation.
  • the layers may in particular be processes of the spin coating, spray coating, heliography, slot-die coating, blade coating, flexography or screen printing type.
  • the layers are metallic, the metal is, for example, deposited by evaporation or by sputtering on the entire support, and the metal layers are delimited by etching.
  • the layers of pixel 21 can be produced by printing techniques.
  • the materials of these layers described above can be deposited in liquid form, for example in the form of conductive and semiconductor inks using inkjet printers.
  • the term “materials in liquid form” is understood here also to mean gel materials which can be deposited by printing techniques.
  • Annealing steps are optionally provided between the depositions of the different layers, but the annealing temperatures may not exceed 150 ° C., and the deposition and any annealing may be carried out at atmospheric pressure.
  • FIG. 6 illustrates, by views (A) and (B) respectively from above and in section, partial and schematic, an example of an image sensor.
  • the view (A) of FIG. 6 represents an example of the architecture of an image sensor and the view (B) of FIG. 6 is a schematic view along the section plane BB of the view (A).
  • FIG. 6 represents a diagram comprising useful pixels 21 and reference pixels 23.
  • the reference pixels 23 in the example of FIG. 6 comprise an anode 35 (hatched in view (A)) deposited full plate, an active layer 33 (view (B)) and a cathode 31 forming photodiodes 231 of the reference pixels 23.
  • each pixel 21, 23 comprises a cathode 31 (the area of which is substantially equal to the area of the photodiode 211, 213 with which it is associated).
  • the cathodes 31 rest, for example, on a stack 34 comprising the substrate 37 (FIG. 5) and the stack 39 (FIG. 5).
  • All the pixels 21 and 23 share the same anode 35, so that all the photodiodes 211 and 213 are biased by the anode 35 with the same potential Vbias.
  • FIG. 7 illustrates, in a partial and schematic sectional view, an embodiment of a pixel of the image sensor of FIG. 6.
  • FIG. 7 represents a reference pixel 23 substantially identical to the useful pixel 21 represented in FIG. 5, with the difference that it comprises a fifth layer or zone 55 between the layer 33 and the anode 35.
  • the pixel 23 illustrated in FIG. 7 can be integrated into an image sensor 19 as represented in FIG. 6.
  • Layer 55 is electrically insulating.
  • the layer 55 is, for example, of an inorganic material, for example, of silicon oxide or of silicon nitride, or an insulating organic layer, for example, of organic resin.
  • the layer 55 is, for example, deposited over the entire surface of the pixels 23.
  • the thickness of the layer 55 is, for example, between 10 nm and 10 ⁇ m, preferably between 10 nm and 500 nm.
  • the layer 55 is deposited locally and is divided into parts of layer 55.
  • the parts of layer 55 are located opposite the cathodes 31 of the reference pixels 23 so that each part of the layer 55 is associated with a single pixel 23.
  • Each part of the layer 55 is located in the vertical alignment of a pixel 23 and has an area substantially equal to the area of the cathode 31 of said pixel 23.
  • the method for producing pixel 23 illustrated in FIG. 7 comprises all the steps of the method for producing pixel 21 illustrated in FIG. 5.
  • the method for producing pixel 23 illustrated in FIG. 7 further comprises an additional step of depositing the full plate layer 55, for example, by spin coating or by centrifugation (spin coating) and photolithography (and an etching step if necessary) in order to remove locally, the layer 55 facing the useful pixels 21.
  • the layer 55 is kept only facing the reference pixels 23. This additional step is carried out prior to the deposition of the electrode 35.
  • the layer 55 may, as a variant, be deposited locally facing the pixels 23, for example, by screen printing, by inkjet or by a vaporization deposition process.
  • the pixel illustrated in FIG. 7 is a reference pixel
  • FIG. 8 illustrates, in a partial and schematic sectional view, another embodiment of a pixel of the image sensor of FIG. 6.
  • FIG. 8 represents a reference pixel 23 substantially identical to the reference pixel 23 represented in FIG. 7, with the difference that the third layer 55 is located between the lower electrode
  • the layer 55 covers the upper face of each electrode 31 of the pixels 23 and, where appropriate, the side edges of the electrodes 31 and the layer 51 between the electrodes 31.
  • the pixel illustrated in FIG. 8 is a reference pixel 23 because the photodiode does not generate a polarization electric field.
  • FIG. 9 illustrates, in a partial and schematic sectional view, another embodiment of a pixel of an image sensor.
  • FIG. 9 represents a reference pixel 23 substantially identical to the useful pixel 21 represented in FIG. 5, with the difference that the lower electrode 31 is not connected to any track 47 by the via (53, figure 5).
  • the photodiode 231 (FIG. 6) is in open circuit.
  • the active layer 33 generates charges which recombine in the active layer 33 and are therefore not collected by the read circuit.
  • the pixel 23 illustrated in FIG. 9 is a reference pixel because, compared to a pixel 21 such as illustrated in FIG. 4, the connection between the transistor 214 and the photodiode 211 is cut. The photodiode therefore does not supply a signal to the read circuit.
  • FIG. 10 illustrates, in a partial and schematic sectional view, another embodiment of a pixel of an image sensor. More particularly, FIG. 10 represents a reference pixel 23 substantially identical to the useful pixel 21 represented in FIG. 5, with the difference that it does not include an upper electrode or anode 35.
  • the method for producing pixel 23 illustrated in FIG. 10 comprises all the steps of the method for producing pixel 21 illustrated in FIG. 5 and an additional step of local removal of the electrode. 35 (figure 5).
  • the electrode 35 is etched opposite the electrode 31 on a surface greater than or equal to the surface of said electrode 31.
  • the electrode 35 is, for example, locally etched by a method of photolithography. On the scale of the image sensor 19, where useful pixels 21 and reference pixels 23 are juxtaposed, the electrode 35 is removed locally, at the location of the photodiodes of the reference pixels 23.
  • the method for producing pixel 23 illustrated in FIG. 10 comprises part of the steps of the method for producing pixel 21.
  • the method for producing pixel 23 does not include the step of depositing the electrode 35.
  • the electrode 35 is deposited locally at the locations of the useful pixels 21.
  • the pixel illustrated in FIG. 10 is a reference pixel 23 because it does not include an active photodiode.
  • FIG. 11 illustrates, in a partial and schematic sectional view, another embodiment of a pixel of an image sensor.
  • FIG. 11 represents a reference pixel 23 substantially identical to the useful pixel. 21 shown in FIG. 5 with the difference that it does not include either an upper electrode 35 or an active layer 33.
  • the method for producing pixel 23 illustrated in FIG. 11 comprises all the steps of the method for producing pixel 21 and an additional step of local removal of the electrode 35 and of the layer 33.
  • the electrode 35 and the layer 33 are etched opposite the electrode 31 on a surface greater than or equal to the surface of said electrode 31.
  • the electrode 35 and the layer 33 are, for example, locally etched by a photolithography process.
  • the electrode 35 and the layer 33 are removed locally, at the location of the photodiodes of the reference pixels 23.
  • the method for producing pixel 23 illustrated in FIG. 11 comprises part of the steps of the method for producing pixel 21 illustrated in FIG. 5.
  • the method for producing pixel 23 does not include, neither the step of depositing the electrode 35, nor the step of depositing the layer 33.
  • the electrode 35 and the layer 33 are deposited locally at the locations of the useful pixels 21.
  • the pixel illustrated in FIG. 11 is a reference pixel 23 because it does not include an active photodiode.
  • the reference pixels 23 thus consist of one or more selected elements, in a smaller number among the constituent elements of the usual pixels 21. That is to say that the pixels 23 comprise a first electrode 35 (lower electrode) and / or an active layer 45 and / or a second electrode 31 (upper electrode) and / or a conductive vias 53.
  • FIG. 12 illustrates, by views (A) and (B) respectively from above and in section, partial and schematic, another example of an image sensor.
  • the view (A) of FIG. 12 represents an example of the architecture of an image sensor and the view (B) of FIG. 12 is a schematic view along the section plane BB of the image. view (A).
  • the architecture of the sensor illustrated in FIG. 12 differs from the architecture of the sensor illustrated in FIG. 6 by the fact that the anode 35 of the photodiodes 211 and 213 is not common to the pixels 21 and 23. Indeed, a first anode 35 is common for all the useful pixels 21 and a second anode 35 ', separate from the anode 35, is common to the reference pixels 23. The first anode 35 and the second anode 35' are structurally identical but not are not connected.
  • the bias potential Vbias, applied to the anode 35 may not be applied to the anode 35'.
  • the anode of the photodiodes 231 is then floating.
  • the photodiodes 231 are then in open circuit and do not integrate any charges.
  • FIG. 13 illustrates, in a partial and schematic sectional view, an embodiment of a pixel of the image sensor of FIG. 12.
  • FIG. 13 represents a reference pixel 23 substantially identical to the useful pixel 21 represented in FIG. 5, with the difference that the upper electrode 35 'is not connected to the upper electrode 35 of the pixel. neighbor, preferably, of the useful pixel 21 neighbor.
  • the pixel 23 illustrated in FIG. 13 can be integrated into an image sensor 19 as represented in FIG. 12.
  • the method for producing pixel 23 illustrated in FIG. 13 comprises all the steps of the method for producing pixel 21 illustrated in FIG. 5 and an additional step of removing part of the upper electrode 35 on the edges. of this one.
  • An advantage of the embodiments described is that they make it possible to correct the noise induced by the image sensor and its electronics.
  • Another advantage of the embodiments described is that the image sensors formed are compatible with the usual optical filters.

Landscapes

  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

La présente description concerne un capteur d'images comprenant des premiers pixels et des deuxièmes pixels (23) distincts des premiers pixels.

Description

DESCRIPTION
Capteur d'images pour correction du bruit électronique d'un capteur
La présente demande de brevet revendique la priorité de la demande de brevet français FR19/14199 qui sera considérée comme faisant partie intégrante de la présente description.
Domaine technique
[0001] La présente description concerne un système d'acquisition d'images.
Technique antérieure
[0002] Un système d'acquisition d'images comprend généralement un capteur d'images et un système optique interposé entre la partie sensible du capteur d'images et l'objet à imager et qui permet de former une image nette de l'objet à imager sur la partie sensible du capteur d'images.
[0003] Le capteur d'images comprenant généralement une matrice de photodétecteurs capables de générer un signal proportionnel à l'intensité de lumière reçue.
Résumé de l'invention
[0004] Il existe un besoin d'amélioration des systèmes d'acquisition d'images.
[0005] Un mode de réalisation pallie tout ou partie des inconvénients des systèmes d'acquisition d'images.
[0006] Un mode de réalisation prévoit un capteur d'images comprenant des premiers pixels et des deuxièmes pixels distincts des premiers pixels dans lequel les premiers et les deuxièmes pixels comprennent une première électrode, une couche active et une deuxième électrode reliée électriquement à une piste conductrice, la première électrode des deuxièmes pixels étant dissociée de la première électrode des premiers pixels . [0007] Un mode de réalisation prévoit un capteur d'images comprenant des premiers pixels et des deuxièmes pixels distincts des premiers pixels, dans lequel les premiers pixels comprennent une première électrode, une couche active et une deuxième électrode reliée électriquement à une piste conductrice, les deuxièmes pixels ne comprenant, au moins pas de première électrode.
[0008] Un mode de réalisation prévoit un capteur d'images comprenant des premiers pixels et des deuxièmes pixels distincts des premiers pixels.
[0009] Selon un mode de réalisation, chaque deuxième pixel est constitué d'un ou plusieurs éléments sélectionnés, en nombre inférieur, parmi des éléments constitutifs des premiers pixels.
[0010] Selon un mode de réalisation, chaque deuxième pixel comporte une zone isolante électriquement entre une première électrode et une deuxième électrode.
[0011] Selon un mode de réalisation, une première électrode des deuxièmes pixels est dissociée d'une première électrode des premiers pixels.
[0012] Selon un mode de réalisation, les premiers pixels comprennent les éléments suivants : une première électrode ; une couche active ; une deuxième électrode ; et un via conducteur reliant la deuxième électrode à une piste conductrice.
[0013] Selon un mode de réalisation, chaque deuxième pixel comprend les mêmes éléments que les premiers pixels.
[0014] Selon un mode de réalisation, la zone isolante est située entre la première électrode et la couche active. [0015] Selon un mode de réalisation, la zone isolante est située entre la deuxième électrode et la couche active.
[0016] Selon un mode de réalisation, les deuxièmes pixels ne comprennent pas de première électrode.
[0017] Selon un mode de réalisation, les deuxièmes pixels ne comprennent pas de couche active.
[0018] Selon un mode de réalisation, les deuxièmes pixels ne comprennent pas de via conducteur.
[0019] Selon un mode de réalisation, les premiers pixels et les deuxièmes pixels sont juxtaposés et organisés en lignes et en colonnes.
[0020] Selon un mode de réalisation, les deuxièmes pixels sont organisés en colonnes qui sont adjacentes et situées sur un des bords du capteur, ou réparties sur deux bords du capteur .
[0021] Un mode de réalisation prévoit un procédé de fabrication d'un capteur d'images, comportant les étapes suivantes : former la deuxième électrode sur une face d'un empilement ; former la couche active sur les électrodes inférieures, coté ladite face ; et former la première électrode sur la couche active, coté ladite face, de sorte à former les premiers pixels.
[0022] Selon un mode de réalisation, le procédé comprend, en outre, une étape de retrait de tout ou partie de la première électrode, ou de la première électrode et de la couche active, de sorte à former les deuxièmes pixels. [0023] Selon un mode de réalisation, la formation des deuxièmes pixels ne comprend qu'une partie desdites étapes, de sorte à obtenir un capteur.
[0024] Selon un mode de réalisation, le procédé comprend, en outre, une étape de dépôt de la zone isolante, de sorte à former les deuxièmes pixels.
Brève description des dessins
[0025] Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles :
[0026] la figure 1 illustre par une vue en coupe, partielle et schématique, un mode de réalisation d'un système d'acquisition d'images ;
[0027] la figure 2 illustre par une vue de dessus, partielle et schématique, un mode de réalisation d'un capteur d'images ;
[0028] la figure 3 illustre par une vue de dessus, partielle et schématique, un autre mode de réalisation d'un capteur d'images ;
[0029] la figure 4 représente, de façon partielle et schématique, un pixel usuel d'un capteur d'images et son circuit de lecture ;
[0030] la figure 5 illustre par une vue en coupe, partielle et schématique, un exemple de pixel usuel d'un capteur d'images ;
[0031] la figure 6 illustre, par des vues (A) et (B) respectivement de dessus et en coupe, partielles et schématiques, un exemple de capteur d'images ;
[0032] la figure 7 illustre par une vue en coupe, partielle et schématique, un mode de réalisation d'un pixel du capteur d'images de la figure 6 ; [0033] la figure 8 illustre par une vue en coupe, partielle et schématique, un autre mode de réalisation d'un pixel du capteur d'images de la figure 6 ;
[0034] la figure 9 illustre par une vue en coupe, partielle et schématique, encore un autre mode de réalisation d'un pixel d'un capteur d'images ;
[0035] la figure 10 illustre par une vue en coupe, partielle et schématique, encore un autre mode de réalisation d'un pixel d'un capteur d'images ;
[0036] la figure 11 illustre par une vue en coupe, partielle et schématique, encore un autre mode de réalisation d'un pixel d'un capteur d'images ;
[0037] la figure 12 illustre, par des vues (A) et (B) respectivement de dessus et en coupe, partielles et schématiques, un autre exemple de capteur d'images ; et
[0038] la figure 13 illustre par une vue en coupe, partielle et schématique, un mode de réalisation d'un pixel du capteur d'images de la figure 12.
Description des modes de réalisation
[0039] De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures. En particulier, les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différents modes de réalisation peuvent présenter les mêmes références et peuvent disposer de propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques.
[0040] Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. En particulier, la réalisation du filtre optique et des autres éléments que le capteur d'images n'a pas été détaillée, les modes de réalisation et les modes de mise en oeuvre décrits étant compatibles avec les réalisations usuelles du filtre et de ces autres éléments.
[0041] Sauf précision contraire, lorsque l'on fait référence à deux éléments connectés entre eux, cela signifie directement connectés sans éléments intermédiaires autres que des conducteurs, et lorsque l'on fait référence à deux éléments reliés (en anglais "coupled") entre eux, cela signifie que ces deux éléments peuvent être connectés ou être reliés par l'intermédiaire d'un ou plusieurs autres éléments.
[0042] Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "avant", "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", etc., il est fait référence sauf précision contraire à l'orientation des figures.
[0043] Sauf précision contraire, les expressions "environ", "approximativement", "sensiblement", et "de l'ordre de" signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près.
[0044] Dans la suite de la description, on appelle lumière visible un rayonnement électromagnétique dont la longueur d'onde est comprise entre 400 nm et 700 nm et on appelle rayonnement infrarouge un rayonnement électromagnétique dont la longueur d'onde est comprise entre 700 nm et 1 mm. Dans le rayonnement infrarouge, on distingue notamment le rayonnement infrarouge proche dont la longueur d'onde est comprise entre 700 nm et 1,7 pm .
[0045] La figure 1 illustre par une vue en coupe, partielle et schématique, un mode de réalisation d'un système d'acquisition d'images.
[0046] Le système d'acquisition 1 comprend de haut en bas : une source lumineuse 11 qui émet un rayonnement 13 ; un objet 15 ; un filtre optique 17 ; et un capteur d'images 19, par exemple un capteur Métal-Oxyde semiconducteur complémentaire CMOS (Complementary Métal Oxide Semiconductor) ou un capteur à base de transistors en couches minces (TFT, Thin Film Transistor), qui peut être couplé à des photodiodes inorganiques (silicium cristallin pour un capteur CMOS ou silicium amorphe pour un capteur TFT) ou organiques.
[0047] Le système d'acquisition d'images 1 comprend, en outre, des circuits non représentés de traitement des signaux fournis par le capteur d'images 19 comprenant, par exemple, un microprocesseur .
[0048] La source lumineuse 11 est illustrée au dessus de l'objet 15. Elle peut toutefois, en variante, être située entre l'objet 15 et le filtre optique 17.
[0049] Le rayonnement 13 est, par exemple, dans le domaine du visible et/ou dans le domaine de l'infrarouge. Il peut s'agir d'un rayonnement d'une unique longueur d'onde ou d'un rayonnement de plusieurs longueurs d'onde (ou plage de longueurs d'onde).
[0050] Les photodiodes du capteur d'images 19 forment, généralement, un réseau pixelisé. Chaque photodiode définit, par exemple, un pixel du capteur d'images 19. Au sein du réseau, les photodiodes sont, par exemple, alignées en lignes (en anglais "row") et en colonnes.
[0051] Dans la présente description, on utilise le terme "pixel" pour désigner une partie de la structure du capteur d'images 19 comprenant au moins un transistor de sélection du pixel et tout ou partie des éléments qui composent une photodiode . [0052] Certains des pixels du réseau sont généralement utilisés comme référence afin de détecter et enregistrer uniquement le bruit du capteur 19 et de son électronique. Le bruit est ensuite déduit des signaux captés par les autres pixels du capteur 19 pour les corriger.
[0053] Dans la suite de la description, on utilise l'expression pixel "utile" pour désigner un pixel comprenant entre autres une photodiode (deux électrodes et une couche active) qui fournit un signal utile de l'image captée. On utilise l'expression pixel "de référence" pour désigner un pixel, distinct d'un pixel utile. Plus précisément, un pixel de référence fournit un signal représentatif du bruit du capteur 19.
[0054] La figure 2 illustre par une vue de dessus, partielle et schématique, un mode de réalisation d'un capteur d'images 19.
[0055] Plus particulièrement, la figure 2 illustre un exemple de distribution de pixels utiles 21 ou premiers pixels et de pixels de référence 23 ou deuxièmes pixels au sein d'un capteur d'images 19.
[0056] Les pixels 21 et 23 sont, de préférence, alignés en lignes et colonnes. Pour un capteur d'images 19 pouvant s'adapter, par exemple, sur un téléphone portable ayant un écran de 6 pouces (6 inches) soit environ 15 cm, les pixels 21 et 23 sont, par exemple, organisés en environ 2500 lignes et environ 1300 colonnes pour un imageur ayant une résolution de 500 points par pouce, (dpi, dots per inch) soit un pas de pixel de 50,8 pm. La résolution de 1'imageur peut, par exemple, varier entre 254 dpi (soit un pas de pixel de 100 pm) et 1000 dpi (soit un pas de pixel de 25 pm).
[0057] Les pixels 21 et 23 sont organisés dans le réseau de sorte qu'au moins un pixel de référence 23 soit présent par ligne. Les pixels de référence 23 sont tous alignés dans des mêmes colonnes. Par exemple, entre environ 4 colonnes et environ 64 colonnes comprennent uniquement des pixels de référence 23. De préférence, entre environ 16 colonnes et environ 32 colonnes comprennent uniquement des pixels de référence 23.
[0058] Dans le mode de réalisation illustré en figure 2, les colonnes de pixels de référence 23 sont toutes juxtaposées et situées sur un des bords du capteur 19 (à gauche du capteur 19 dans l'orientation de la figure 2).
[0059] La figure 3 illustre par une vue de dessus, partielle et schématique, un autre mode de réalisation d'un capteur d'images 19.
[0060] Le mode de réalisation illustré en figure 3 est sensiblement identique au mode de réalisation illustré en figure 2 à la différence près que les colonnes de pixels de référence 23 sont situées sur deux bords opposés du capteur 19. De préférence, un même nombre de colonnes de pixels de référence 23 se trouve dans chaque bord du capteur 19.
[0061] Dans les modes de réalisation des figures 2 et 3, le bruit est détecté par un ensemble de photodiodes des pixels de référence 23. Le bruit électronique détecté par des photodiodes des pixels de référence 23 d'une même ligne est moyenné. Le bruit moyen est ensuite utilisé pour corriger les signaux utiles détectés par les photodiodes des pixels utiles 21 de la même ligne.
[0062] La figure 4 représente, de façon partielle et schématique, un pixel usuel d'un capteur d'images et son circuit de lecture.
[0063] Plus particulièrement, la figure 4 représente un schéma électrique représentant un exemple de pixel utile 21 d'un capteur d'images 19 et son électronique de lecture. [0064] Chaque pixel utile 21 comprend une photodiode 211 reliée par sa cathode 211c à un noeud 212 d'une piste conductrice 213 par l'intermédiaire d'un transistor semiconducteur métal-oxyde (MOS, Métal Oxide Semiconductor) 214. La piste conductrice 213 est généralement reliée, de préférence connectée, à tous les transistors 214 des pixels d'une même colonne.
[0065] Une anode 211a de la photodiode 211 est reliée à un noeud d'application d'un potentiel Vbias de polarisation. La grille du transistor MOS 214 est reliée, de préférence connectée, à une piste conductrice 215. La piste conductrice 215 est généralement reliée, de préférence connectée, à toutes les grilles des transistors 214 des pixels 21 d'une même ligne La grille du transistor MOS 214 est destinée à recevoir un signal TFT_SEL de sélection de ligne.
[0066] Le schéma électrique illustré en figure 4 comprend, pour chaque colonne, un amplificateur opérationnel 216 dont l'entrée inverseuse (-) est reliée à la piste conductrice 213, dont l'entrée non-inverseuse (+) est reliée à une source d'un potentiel de référence Vref et dont la sortie fournit un potentiel VS. La sortie de l'amplificateur 216 est reliée à son entrée inverseuse (-) par l'intermédiaire d'une association en parallèle d'un condensateur 217 et d'un interrupteur 218.
[0067] Lors d'une phase d'initialisation, les interrupteurs 214 et 218 sont passants afin de décharger le condensateur 217 et la photodiode 211. Lors d'une phase d'intégration, le transistor 214 est bloqué, le potentiel Vbias est réglé sur une tension de polarisation inverse et des charges sont accumulées dans la photodiode 211 proportionnellement à l'intensité de la lumière reçue. Dans une phase de lecture, le transistor 214 est rendu passant et les charges de la photodiode 211 sont transférées à l'amplificateur de lecture (l'interrupteur 218 étant ouvert), plus précisément au condensateur d'intégration 217.
[0068] Le bruit du capteur et de son électronique correspond à l'ensemble des bruits émis par les pistes 213 et 215 et le circuit de lecture comprenant l'amplificateur 216, le condensateur 217 et l'interrupteur 218.
[0069] Afin de détecter ce bruit, le circuit électrique d'un pixel de référence 23 est différent du circuit électrique illustré en figure 4 car le pixel 23 ne fournit pas de signal ayant une composante liée à l'exposition sous lumière, de sorte que la composante principale du signal soit celle du bruit .
[0070] La figure 5 illustre par une vue en coupe, partielle et schématique, un exemple de pixel usuel d'un capteur d'images .
[0071] Plus particulièrement, la figure 5 représente un pixel utile 21 d'un capteur d'images 19.
[0072] Dans la suite de la description, on considère la face supérieure d'une structure ou d'une couche, dans l'orientation de la figure 5, comme étant une face avant et la face inférieure de la structure ou de la couche, dans l'orientation de la figure 5, comme étant une face arrière.
[0073] Chaque pixel utile 21 comprend un premier empilement 30 dans lequel est formé un photodétecteur, par exemple une photodiode organique, également appelée OPD (sigle anglais pour Organic PhotoDiode).
[0074] L'empilement 30 comprend les éléments suivants : une électrode inférieure 31 (deuxième électrode) ; une première couche 33 active, au contact de l'électrode 31, dans laquelle est formée une région active de la photodiode ; et une électrode supérieure (première électrode) 35 au contact de la couche 33.
[0075] Par exemple, l'empilement 30, comprend, en outre, une couche métallique 32, sous l'électrode 31. La couche 32 est, par exemple, composée de deux sous-couches (non représentées) Une première sous-couche de la couche 32 est, par exemple, en un oxyde métallique comme l'oxyde d'indium et d'étain (ITO, Indium Tin Oxide) permettant d'avoir un travail de sortie souhaité pour l'électrode 31. Une deuxième sous-couche de la couche 32 forme, par exemple, une barrière aux rayonnements pour le canal 45 du transistor 214 (figure 4). La deuxième sous-couche est, par exemple, en un métal, de préférence en molybdène (Mo).
[0076] Le matériau de la couche 45 peut ne pas être sensible à la lumière à laquelle est exposé le capteur d'images, l'empilement 30 ne comprend alors pas de couche métallique 32 et l'électrode 31 est transparente.
[0077] Chaque pixel utile 21 comprend, en outre, sous la couche métallique 32, de bas en haut : un support ou substrat 37 qui peut avoir une structure monocouche ou multicouches ; et un deuxième empilement 39 dans lequel est formé le transistor de sélection (214, figure 4).
[0078] Par exemple, l'empilement 39 comprend : une première piste 41, conductrice électriquement, reposant sur le support 37, la piste 41 formant le conducteur de grille du transistor ; une deuxième couche 43 d'un matériau diélectrique recouvrant le support 37 et la piste 41, formant, entre autres, l'isolant de grille du transistor (214, figure 4) ; une région active 45 ; deux deuxièmes pistes conductrices électriquement 47 s'étendant à la surface de la couche diélectrique 43 formant les contacts de drain et de source du transistor avec la région active 45. L'une des pistes 47 est reliée à l'électrode inférieure 31 par l'intermédiaire d'un via conducteur 53 de reprise de contact. L'autre des pistes 47 est reliée électriquement à la piste 213 (figure 4), par exemple, par l'intermédiaire d'un via conducteur électriquement (non représenté) ; une troisième couche 49 d'un matériau diélectrique ; et une quatrième couche 51 d'une résine recouvrant la couche 49, l'électrode 31 reposant sur la couche 51.
[0079] L'électrode inférieure 31 correspond à une couche injectrice d'électrons (EIL, Electron Injecting Layer). L'électrode supérieure 35 correspond à une couche injectrice de trous (HIL, Hole Injecting Layer). Le travail de sortie des électrodes 31 et 35 est adapté à bloquer, collecter ou injecter des trous et/ou des électrons suivant que cette couche d'interface joue le rôle d'une cathode 31 ou d'une anode 35. Plus précisément, lorsque la couche d'interface joue le rôle d'anode, elle correspond à une couche injectrice de trous et bloqueuse d'électrons. Lorsque la couche d'interface joue le rôle de cathode, elle correspond à une couche injectrice d'électrons et bloqueuse de trous.
[0080] La cathode 31 est, par exemple, en un matériau d'un premier type de conductivité n. L'anode 35 est, par exemple, en un matériau d'un deuxième type de conductivité p, différent du premier type de conductivité. L'anode est, par exemple en un mélange du poly (3,4-éthylènedioxythiophène) et du poly(styrène sulfonate) de sodium (PEDOT:PSS). [0081] Le substrat 37 peut être un substrat rigide ou un substrat flexible. Le substrat 37 peut avoir une structure monocouche ou correspondre à un empilement d'au moins deux couches. Un exemple de substrat rigide comprend un substrat en silicium, en germanium ou en verre. De préférence, le substrat 37 est un film flexible. Un exemple de substrat flexible comprend un film en PEN (polyéthylène naphtalate), PET (polyéthylène téréphtalate), PI (polyimide), TAC (triacétate de cellulose), COP (copolymère cyclo-oléfine), PEEK (polyétheréthercétone) ou une combinaison de ces films comme un film de PI protégé par un film de PET en face arrière. Le substrat 37 peut comprendre une couche inorganique, par exemple en verre, recouverte d'une couche organique, par exemple en PEN, PET, PI, TAC, COP. L'épaisseur du substrat 37 peut être comprise entre 5 pm et 1500 pm. Selon un mode de réalisation, le substrat 37 peut avoir une épaisseur de 10 pm à 500 pm, de préférence entre 20 pm et 300 pm, notamment de l'ordre de 75 pm, et présenter un comportement flexible, c'est-à-dire que le substrat 37 peut, sous l'action d'une force extérieure, se déformer, notamment se plier, sans se casser ou se déchirer.
[0082] Les pistes conductrices 41 et 47 peuvent comprendre ou être en un matériau métallique, par exemple l'argent (Ag), l'aluminium (Al), l'or (Au), le cuivre (Cu), le nickel (Ni), le titane (Ti), le chrome (Cr) et le molybdène (Mo). Les pistes conductrices 41 et 47 peuvent avoir une structure monocouche ou multicouche.
[0083] Chaque couche isolante 43, 49 et 51 de l'empilement
39 peut être en un matériau inorganique, par exemple en oxyde de silicium (S1O2) ou un nitrure de silicium (SiN), ou peut être une couche organique isolante, par exemple en résine organique . [0084] La couche 33 dans laquelle sont formées les photodiodes peut comprendre des petites molécules, des oligomères ou des polymères. Il peut s'agir de matériaux organiques ou inorganiques. La couche 33 peut comprendre un matériau semiconducteur ambipolaire, ou un mélange d'un matériau semiconducteur de type n et d'un matériau semiconducteur de type p, par exemple sous forme de couches superposées ou d'un mélange intime à l'échelle nanométrique de façon à former une hétérojonction en volume. L'épaisseur de la couche 33 peut être comprise entre 50 nm et 2 mpi, par exemple de l'ordre de 500 nm.
[0085] Des exemples de polymères semiconducteurs de type p adaptés à la réalisation de la couche 33 sont le poly(3- hexylthiophène ) (P3HT), le poly[N-9'-heptadécanyl-2,7- carbazole-alt-5,5- (4,7-di-2-thiényl-2',l',3'- benzothiadiazole) ] (PCDTBT), le poly[(4,8-bis-(2- éthylhexyloxy)-benzo [1,2-b;4,5-b'] dithiophène)-2,6-diyl- alt- (4-(2-éthylhexanoyl)-thiéno[3,4-b] thiophène))-2,6-diyl] (PBDTTT-C), le poly[2-méthoxy-5-(2-éthyl-hexyloxy)-1,4- phénylène-vinylène ] (MEH-PPV) ou le poly[2,6-(4,4-bis-(2- éthylhexyl)-4H-cyclopenta [2,1-b;3,4-b ]dithiophène)-alt- 4,7 (2,1,3-benzothiadiazole)] (PCPDTBT).
[0086] Des exemples de matériaux semiconducteurs de type n adaptés à la réalisation de la couche 33 sont les fullerènes, notamment le C60, le [6,6]-phényl-C6i-butanoate de méthyle ([60]PCBM), le [6,6]-phényl-C7i-butanoate de méthyle
([70]PCBM), le pérylène diimide, l'oxyde de zinc (ZnO) ou des nanocristaux permettant la formation de boîtes quantiques (en anglais quantum dots).
[0087] La région active 45 peut être en silicium polycristallin, notamment du silicium polycristallin déposé à basse température (LTPS, sigle anglais pour Low Température Polycristalline Silicon), en silicium amorphe (aSi), en oxyde de zinc-gallium-indium (IGZO), en polymère, ou comprendre des petites molécules utilisées de façon connue pour la réalisation de transistors organiques en couches minces (OTFT, sigle anglais pour Organic Thin Film Transistor).
[0088] Le procédé de fabrication, à l'échelle d'un capteur d'images 19, des pixels utiles 21 comprend, par exemple, les étapes successives suivantes : formation des deuxièmes électrodes 31 (cathodes) en surface de l'empilement 39 et formation des vias 53 reliant les électrodes 31 et certaines des pistes 47 à travers la couche 51 et la couche 49 ; dépôt de la première couche active 33 à la surface des électrodes 31 et à la surface de la couche 51 ; et dépôt de la première électrode 35 (anode) à la surface de la couche 33.
[0089] Les électrodes 31 peuvent, selon le mode de réalisation illustré en figure 5, être localisées. Un pixel 21 comprend ainsi une électrode 31 qui est déposée localement.
[0090] L'ensemble des pixels 21 peut partager une même électrode 31 qui est alors déposée pleine plaque. La suite de la description prend pour exemple une structure dans laquelle les électrodes 31 sont localisées. Les modes de réalisation décrit s'adaptent toutefois sans difficulté à une structure dans laquelle tous les pixels 21 et 23 partagent la même électrode 31. Les matériaux constitutifs de l'électrode 31 sont alors choisis pour avoir une conductivité négligeable latéralement afin d'éviter des courts circuits entre pixels 21. L'électrode 31 est, par exemple, en oxyde de zinc (ZnO), en polyéthylène imine (PEI) ou en polyéthylène imine éthoxylé (PEIE). [0091] Le procédé de fabrication des pixels utiles 21 comprend en outre, la fabrication de l'empilement 39 comprenant, par exemple, les étapes successives suivantes : formation des premières pistes 41 sur le substrat 37 ; dépôt de la deuxième couche 43, dans laquelle sont formées, dans des tranchées, les deuxièmes pistes 47 et les zones actives 45 ; dépôt de la troisième couche 49, à la surface de la couche 43, de la zone 45 et des pistes 47 ; et dépôt de la quatrième couche 51 à la surface de la couche 49.
[0092] Selon les matériaux considérés, le procédé de formation d'au moins certaines couches du pixel 21 peut correspondre à un procédé dit additif, par exemple par impression directe du matériau composant les couches organiques aux emplacements souhaités notamment sous forme de sol-gel, par exemple par impression par jet d'encre, héliographie, sérigraphie, flexographie, revêtement par pulvérisation (en anglais spray coating) ou dépôt de gouttes (en anglais drop-casting). Selon les matériaux considérés, le procédé de formation des couches du pixel 21 peut correspondre à un procédé dit soustractif, dans lequel le matériau composant les couches organiques est déposé sur la totalité de la structure (pleine plaque) et dans lequel les portions non utilisées sont ensuite retirées, par exemple par photolithographie ou ablation laser. Il peut s'agir notamment de procédés du type dépôt à la tournette, revêtement par pulvérisation, héliographie, revêtement par filière (en anglais slot-die coating), revêtement à la lame (en anglais blade-coating), flexographie ou sérigraphie. Lorsque les couches sont métalliques, le métal est, par exemple, déposé par évaporation ou par pulvérisation cathodique sur l'ensemble du support, et les couches métalliques sont délimitées par gravure.
[0093] De façon avantageuse, au moins certaines des couches du pixel 21 peuvent être réalisées par des techniques d'impression. Les matériaux de ces couches décrites précédemment peuvent être déposés sous forme liquide, par exemple sous forme d'encres conductrices et semiconductrices à l'aide d'imprimantes à jet d'encre. Par matériaux sous forme liquide, on entend ici également des matériaux en gel déposables par des techniques d'impression. Des étapes de recuit sont éventuellement prévues entre les dépôts des différentes couches, mais les températures de recuit peuvent ne pas dépasser 150°C, et le dépôt et les éventuels recuits peuvent être réalisés à la pression atmosphérique.
[0094] La figure 6 illustre, par des vues (A) et (B) respectivement de dessus et en coupe, partielles et schématiques, un exemple de capteur d'images.
[0095] Plus particulièrement, la vue (A) de la figure 6 représente un exemple d'architecture d'un capteur d'images et la vue (B) de la figure 6 est une vue schématique selon le plan de coupe BB de la vue (A).
[0096] La figure 6 représente un schéma comprenant des pixels utiles 21 et des pixels de référence 23. Les pixels de référence 23 dans l'exemple de la figure 6 comprennent une anode 35 (hachurée en vue (A)) déposée pleine plaque, une couche active 33 (vue (B)) et une cathode 31 formant des photodiodes 231 des pixels de référence 23.
[0097] Les photodiodes 211, 231 d'une même ligne sont reliées, par leurs cathodes 31 et le conducteur de ligne 215, au circuit de lecture (figure 4). Chaque conducteur de colonne 213 relie les grilles des transistors des pixels 21 et 23 d'une même colonne. [0098] Dans l'exemple représenté en figure 6 vue (B), chaque pixel 21, 23 comprend une cathode 31 (dont la surface est sensiblement égale à la surface de la photodiode 211, 213 à laquelle elle est associée). Les cathodes 31 reposent, par exemple, sur un empilement 34 comportant le substrat 37 (figure 5) et l'empilement 39 (figure 5).
[0099] Tous les pixels 21 et 23 partagent une même anode 35, si bien que toutes les photodiodes 211 et 213 sont polarisées par l'anode 35 avec le même potentiel Vbias.
[0100] La figure 7 illustre par une vue en coupe, partielle et schématique, un mode de réalisation d'un pixel du capteur d'images de la figure 6.
[0101] Plus particulièrement, la figure 7 représente un pixel de référence 23 sensiblement identique au pixel utile 21 représenté en figure 5, à la différence près qu'il comprend une cinquième couche ou zone 55 entre la couche 33 et l'anode 35. Le pixel 23 illustré en figure 7 peut s'intégrer dans un capteur d'images 19 comme représenté en figure 6.
[0102] La couche 55 est isolante électriquement. La couche 55 est, par exemple, en un matériau inorganique, par exemple, en oxyde de silicium ou en nitrure de silicium, ou une couche organique isolante, par exemple, en résine organique.
[0103] Selon le mode de réalisation illustré en figure 7, la couche 55 est, par exemple, déposée sur l'ensemble de la surface des pixels 23. L'épaisseur de la couche 55 est, par exemple, comprise entre 10 nm et 10 pm, de préférence comprise entre 10 nm et 500 nm.
[0104] En variante, la couche 55 est déposée localement et est divisée en parties de couche 55. Les parties de couche 55 sont situées en vis-à-vis des cathodes 31 des pixels de référence 23 de sorte que chaque partie de la couche 55 soit associée à un seul pixel 23. Chaque partie de la couche 55 est située dans l'alignement vertical d'un pixel 23 et a une surface sensiblement égale à la surface de la cathode 31 dudit pixel 23.
[0105] Selon un mode de mise en oeuvre, le procédé de réalisation du pixel 23 illustré en figure 7 comprend l'ensemble des étapes du procédé de réalisation du pixel 21 illustré en figure 5. Le procédé de réalisation du pixel 23 illustré en figure 7 comprend, en outre, une étape supplémentaire de dépôt de la couche 55 pleine plaque, par exemple, par un dépôt à la tournette ou par centrifugation (spin coating) et de photolithographie (et une étape de gravure le cas échéant) afin de retirer localement la couche 55 en vis-à-vis des pixels utiles 21. La couche 55 est conservée uniquement en vis-à-vis des pixels de référence 23. Cette étape supplémentaire est réalisée préalablement au dépôt de l'électrode 35.
[0106] La couche 55 peut, en variante, être déposée localement en vis-à-vis des pixels 23, par exemple, par sérigraphie, par jet d'encre ou par un procédé de dépôt par vaporisation .
[0107] Le pixel illustré en figure 7 est un pixel de référence
23 car la photodiode (231, figure 6) n'est pas polarisée du fait de l'absence de champ électrique dans la couche active 33.
[0108] La figure 8 illustre par une vue en coupe, partielle et schématique, un autre mode de réalisation d'un pixel du capteur d'images de la figure 6.
[0109] Plus particulièrement, la figure 8 représente un pixel de référence 23 sensiblement identique au pixel de référence 23 représenté en figure 7, à la différence près que la troisième couche 55 est située entre l'électrode inférieure
31 et la couche 33. [0110] La couche 55 recouvre la face supérieure de chaque électrode 31 des pixels 23 et, le cas échéant, des bords latéraux des électrodes 31 et la couche 51 entre les électrodes 31.
[0111] La variante de réalisation mentionnant, en figure 7, la division de la couche 55 en parties de couche 55 peut également s'appliquer au mode de réalisation illustré en figure 8.
[0112] Le pixel illustré en figure 8 est un pixel de référence 23 car la photodiode ne génère pas de champ électrique de polarisation .
[0113] La figure 9 illustre par une vue en coupe, partielle et schématique, un autre mode de réalisation d'un pixel d'un capteur d'images.
[0114] Plus particulièrement, la figure 9 représente un pixel de référence 23 sensiblement identique au pixel utile 21 représenté en figure 5, à la différence près que l'électrode inférieure 31 n'est reliée à aucune piste 47 par le via (53, figure 5).
[0115] En l'absence de via, la photodiode 231 (figure 6) est en circuit ouvert. La couche active 33 génère des charges qui se recombinent dans la couche active 33 et ne sont donc pas collectées par le circuit de lecture.
[0116] Le pixel 23 illustré en figure 9 est un pixel de référence car, par rapport à un pixel 21 tel qu'illustré en figure 4, la liaison entre le transistor 214 et la photodiode 211 est coupée. La photodiode ne fournit donc pas de signal au circuit de lecture.
[0117] La figure 10 illustre par une vue en coupe, partielle et schématique, un autre mode de réalisation d'un pixel d'un capteur d'images. [0118] Plus particulièrement, la figure 10 représente un pixel de référence 23 sensiblement identique au pixel utile 21 représenté en figure 5, à la différence près qu'il ne comprend pas d'électrode supérieure ou anode 35.
[0119] Selon un mode de mise en oeuvre, le procédé de réalisation du pixel 23 illustré en figure 10 comprend l'ensemble des étapes du procédé de réalisation du pixel 21 illustré en figure 5 et une étape supplémentaire de retrait local de l'électrode 35 (figure 5). De préférence, on vient graver l'électrode 35 en vis-à-vis de l'électrode 31 sur une surface supérieure ou égale à la surface de ladite électrode 31. L'électrode 35 est, par exemple, gravée localement par un procédé de photolithographie. A l'échelle du capteur d'images 19, où sont juxtaposés des pixels utiles 21 et des pixels de référence 23, l'électrode 35 est retirée localement, à l'emplacement des photodiodes des pixels de référence 23.
[0120] Selon un autre mode de mise en oeuvre, le procédé de réalisation du pixel 23 illustré en figure 10 comprend une partie des étapes du procédé de réalisation du pixel 21.Ainsi, le procédé de réalisation du pixel 23 ne comprend pas l'étape de dépôt de l'électrode 35. A l'échelle du capteur d'images 19, où sont juxtaposés des pixels utiles 21 et des pixels de référence 23, l'électrode 35 est déposée localement aux emplacements des pixels utiles 21.
[0121] Le pixel illustré en figure 10 est un pixel de référence 23 car il ne comprend pas de photodiode active.
[0122] La figure 11 illustre par une vue en coupe, partielle et schématique, un autre mode de réalisation d'un pixel d'un capteur d'images.
[0123] Plus particulièrement, la figure 11 représente un pixel de référence 23 sensiblement identique au pixel utile 21 représenté en figure 5 à la différence près qu'il ne comprend ni d'électrode supérieure 35 ni de couche active 33.
[0124] Selon un mode de mise en oeuvre, le procédé de réalisation du pixel 23 illustré en figure 11 comprend l'ensemble des étapes du procédé de réalisation du pixel 21 et une étape supplémentaire de retrait local de l'électrode 35 et de la couche 33. De préférence, on vient graver l'électrode 35 et la couche 33 en vis-à-vis de l'électrode 31 sur une surface supérieure ou égale à la surface de ladite électrode 31. L'électrode 35 et la couche 33 sont, par exemple, gravées localement par un procédé de photolithographie. A l'échelle du capteur d'images 19, où sont juxtaposés des pixels utiles 21 et des pixels de référence 23, l'électrode 35 et la couche 33 sont retirées localement, à l'emplacement des photodiodes des pixels de référence 23.
[0125] Selon un autre mode de mise en oeuvre, le procédé de réalisation du pixel 23 illustré en figure 11 comprend une partie des étapes du procédé de réalisation du pixel 21 illustré en figure 5. Le procédé de réalisation du pixel 23 ne comprend, ni l'étape de dépôt de l'électrode 35, ni l'étape de dépôt de la couche 33. A l'échelle du capteur d'images 19, où sont juxtaposés des pixels utiles 21 et des pixels de référence 23, l'électrode 35 et la couche 33 sont déposées localement aux emplacements des pixels utiles 21.
[0126] Le pixel illustré en figure 11 est un pixel de référence 23 car il ne comprend pas de photodiode active.
[0127] Dans les modes de réalisation illustrés en figures 9 à 11, les pixels de référence 23 sont ainsi constitués d'un ou plusieurs éléments sélectionnés, en nombre inférieur parmi les éléments constitutifs des pixels usuels 21. C'est-à-dire que les pixels 23 comprennent une première électrode 35 (électrode inférieure) et/ou une couche active 45 et/ou une deuxième électrode 31 (électrode supérieure) et/ou un vias conducteur 53.
[0128] La figure 12 illustre, par des vues (A) et (B) respectivement de dessus et en coupe, partielles et schématiques, un autre exemple de capteur d'images.
[0129] Plus particulièrement, la vue (A) de la figure 12 représente un exemple d'architecture d'un capteur d'images et la vue (B) de la figure 12 est une vue schématique selon le plan de coupe BB de la vue (A).
[0130] L'architecture du capteur illustré figure 12 diffère de l'architecture du capteur illustré en figure 6 par le fait que l'anode 35 des photodiodes 211 et 213 n'est pas commune aux pixels 21 et 23. En effet, une première anode 35 est commune pour l'ensemble des pixels utiles 21 et une deuxième anode 35', dissociée de l'anode 35, est commune aux pixels de référence 23. La première anode 35 et la deuxième anode 35' sont identiques structurellement mais ne sont pas reliées.
[0131] Ainsi, étant donné que les anodes 35 et 35' sont séparées électriquement, le potentiel de polarisation Vbias, appliqué à l'anode 35, peut ne pas être appliqué à l'anode 35'. L'anode des photodiodes 231 est alors flottante. Les photodiodes 231 sont alors en circuit ouvert et n'intègre pas de charges.
[0132] La figure 13 illustre par une vue en coupe, partielle et schématique, un mode de réalisation d'un pixel du capteur d'images de la figure 12.
[0133] Plus particulièrement, la figure 13 représente un pixel de référence 23 sensiblement identique au pixel utile 21 représenté en figure 5, à la différence près que l'électrode supérieure 35' n'est pas reliée à l'électrode supérieure 35 du pixel voisin, de préférence, du pixel utile 21 voisin. Le pixel 23 illustré en figure 13 peut s'intégrer dans un capteur d'images 19 comme représenté en figure 12.
[0134] Le procédé de réalisation du pixel 23 illustré en figure 13 comprend l'ensemble des étapes du procédé de réalisation du pixel 21 illustré en figure 5 et une étape supplémentaire de retrait d'une partie de l'électrode supérieure 35 sur les bords de celle ci.
[0135] Un avantage des modes de réalisation décrits est qu'ils permettent de corriger le bruit induit par le capteur d'images et son électronique.
[0136] Un autre avantage des modes de réalisation décrits est que les capteurs d'images formés sont compatibles avec les filtres optiques usuels.
[0137] Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. L'homme de l'art comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d'autres variantes apparaîtront à l'homme de l'art. En particulier, au sein d'un même capteur peuvent être combinés des pixels de référence réalisés selon les différents modes de réalisations illustrés Les modes de réalisations décrits ne se limitent pas aux exemples de dimensions et de matériaux mentionnées ci-dessus.
[0138] Enfin, la mise en oeuvre pratique des modes de réalisation et variantes décrits est à la portée de l'homme du métier à partir des indications fonctionnelles données ci- dessus .

Claims

REVENDICATIONS
1. Capteur d'images (19) comprenant des premiers pixels (21) et des deuxièmes pixels (23) distincts des premiers pixels dans lequel les premiers et les deuxièmes pixels comprennent une première électrode (35, 35'), une couche active (33) et une deuxième électrode (31) reliée électriquement à une piste conductrice (47), la première électrode (35') des deuxièmes pixels étant dissociée de la première électrode (35) des premiers pixels.
2. Capteur d'images (19) comprenant des premiers pixels (21) et des deuxièmes pixels (23) distincts des premiers pixels, dans lequel les premiers pixels comprennent une première électrode (35), une couche active (33) et une deuxième électrode (31) reliée électriquement à une piste conductrice (47), les deuxièmes pixels ne comprenant, au moins pas de première électrode.
3. Capteur d'images selon la revendication 2, dans lequel chaque deuxième pixel (23) est constitué d'un ou plusieurs éléments sélectionnés, en nombre inférieur, parmi des éléments constitutifs des premiers pixels (21).
4.Capteur d'images selon la revendication 2 ou 3, dans lequel les deuxièmes pixels (23) ne comprennent pas de couche active (33).
5.Capteur d'images selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel, dans les premiers pixels (21), la deuxième électrode (31) est reliée à la piste conductrice (47) par un via conducteur (53).
6.Capteur d'images selon la revendication 5 dans son rattachement à l'une quelconque des revendications 2 à 4, dans lequel, dans les deuxièmes pixels (23), la deuxième électrode (31) n'est pas reliée à la piste conductrice (47) par un via conducteur (53).
7.Capteur d'images selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel les premiers pixels (21) et les deuxièmes pixels (23) sont juxtaposés et organisés en lignes et en colonnes.
8.Capteur d'images selon la revendication 7, dans lequel les deuxièmes pixels (23) sont organisés en colonnes qui sont adjacentes et situées sur un des bords du capteur (19), ou réparties sur deux bords du capteur (19).
9. Procédé de fabrication d'un capteur d'images selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, comportant les étapes suivantes : former la deuxième électrode (31) sur une face d'un empilement (39) ; former la couche active (33) sur les électrodes inférieures (31), coté ladite face ; et former la première électrode (35) sur la couche active (33), coté ladite face, de sorte à former les premiers pixels (21).
10. Procédé selon la revendication 9, dans son rattachement à la revendication 2, comprenant, en outre, une étape de retrait tout ou partie de la première électrode (35) ou de la première électrode (35) et de la couche active (33), de sorte à former les deuxièmes pixels (23).
11. Procédé selon la revendication 9, dans lequel la formation des deuxièmes pixels (23) ne comprend qu'une partie desdites étapes, de sorte à obtenir un capteur (19) selon la revendication 2.
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