EP3977578A1 - Überstromschutzvorrichtung für ein gleichstromnetz - Google Patents

Überstromschutzvorrichtung für ein gleichstromnetz

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EP3977578A1
EP3977578A1 EP20754635.9A EP20754635A EP3977578A1 EP 3977578 A1 EP3977578 A1 EP 3977578A1 EP 20754635 A EP20754635 A EP 20754635A EP 3977578 A1 EP3977578 A1 EP 3977578A1
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
current
semiconductor switching
overcurrent
controllable semiconductor
protection device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
EP20754635.9A
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Tobias Andersch
Stefan Langen
Wolfgang Feil
Peter Kaluza
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens Energy Global GmbH and Co KG
Original Assignee
Siemens Energy Global GmbH and Co KG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Energy Global GmbH and Co KG filed Critical Siemens Energy Global GmbH and Co KG
Publication of EP3977578A1 publication Critical patent/EP3977578A1/de
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
    • H02H3/00—Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal electric working condition with or without subsequent reconnection ; integrated protection
    • H02H3/08—Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal electric working condition with or without subsequent reconnection ; integrated protection responsive to excess current
    • H02H3/087—Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal electric working condition with or without subsequent reconnection ; integrated protection responsive to excess current for DC applications
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
    • H02H3/00—Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal electric working condition with or without subsequent reconnection ; integrated protection
    • H02H3/20—Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal electric working condition with or without subsequent reconnection ; integrated protection responsive to excess voltage
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
    • H02H7/00—Emergency protective circuit arrangements specially adapted for specific types of electric machines or apparatus or for sectionalised protection of cable or line systems, and effecting automatic switching in the event of an undesired change from normal working conditions
    • H02H7/26—Sectionalised protection of cable or line systems, e.g. for disconnecting a section on which a short-circuit, earth fault, or arc discharge has occured
    • H02H7/268—Sectionalised protection of cable or line systems, e.g. for disconnecting a section on which a short-circuit, earth fault, or arc discharge has occured for DC systems
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K2217/00—Indexing scheme related to electronic switching or gating, i.e. not by contact-making or -breaking covered by H03K17/00
    • H03K2217/0027—Measuring means of, e.g. currents through or voltages across the switch

Definitions

  • Overcurrent protection device for a direct current network
  • the invention relates to an overcurrent protection device for a direct current network.
  • the invention relates to an overcurrent protection device for protecting in one
  • Direct current network arranged consumers.
  • the invention also relates to a direct current network.
  • the invention also relates to a method for protecting against an overcurrent in a load path of a direct current network.
  • Load arrangements that are supplied from a direct current network are used in particular in industrial environments.
  • the supply of load arrangements from direct current networks offers the advantage of being able to react flexibly and robustly to fluctuating network quality and energy supply through intelligent network control and integrated storage.
  • regenerative energy producers such as battery storage and / or photovoltaic systems can easily be integrated
  • DC network are integrated. Conversion losses from alternating to direct voltage can be avoided. The possibility of buffering braking energy, e.g. from drives operated in generator mode, results in energy savings.
  • protective devices in hybrid technology which implement a current flow interruption by means of semiconductor switching elements, but the current flow is implemented via mechanical contacts.
  • the semiconductor switching elements of such hybrid overcurrent protection devices must be matched to the behavior of the mechanical switching elements and therefore need a complex controller to switch off an overcurrent or short-circuit current.
  • Mechanical switching elements also need more time to switch off such currents
  • an overcurrent protection device for a direct current network that is structurally and / or functionally improved and in particular enables faster and earlier detection of an overcurrent.
  • a method for protection against an overcurrent in a load path of a direct current network is indicated. This object is achieved by an overcurrent protection device for a direct current network according to the features of claims 1 and a direct current network which includes an overcurrent protection device designed according to the invention.
  • An overcurrent protection device for a direct current network is proposed.
  • the overcurrent protection device is used, for example, to protect a consumer located in the direct current network.
  • a consumer can in particular be one or more capacitive and / or inductive consumers.
  • Capacitive loads are, for example, inverters that generate a three-phase or at least one alternating voltage for a load, e.g. a motor, from the voltage provided by the direct current network.
  • the overcurrent protection device comprises a controllable semiconductor switching arrangement which is arranged in a load path of the direct current network.
  • the load path connects, for example, a supply potential that is applied to a supply terminal or rail with the consumer mentioned.
  • the overcurrent protection device further comprises a control unit with a driver circuit for controlling the controllable semiconductor switching arrangement and with an overcurrent monitoring unit which is designed to cause the driver circuit to switch off the controllable semiconductor switching arrangement when a voltage signal is applied to an overcurrent monitoring input exceeds a specified voltage limit.
  • the control of the controllable semiconductor switching arrangement by the driver circuit comprises a conductive or blocking final switching of the respective semiconductor switching elements of the semiconductor switching arrangement.
  • Power electronic components such as MOSFETs (Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor), IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistor) and the like are used as semiconductor switching elements.
  • Such power electronic components can be of the n- or p-channel type or npn or pnp type.
  • the semiconductor material can be based on silicon (Si) or SiC (silicon carbide) or the like. If the semiconductor switching arrangement comprises more than one controllable semiconductor switching element, then two of the controllable semiconductor switching elements in the load path are expediently connected to one another in an antiserial manner.
  • a so-called desaturation monitoring connection of the control unit is used as the overcurrent monitoring input.
  • This is also known as the so-called DESAT input, which, depending on the design of the overcurrent monitoring unit, causes the controllable semiconductor switching arrangement to be blocked at a predetermined voltage limit value.
  • a typical specified voltage limit is e.g. 9 V (with 1200 V components) or greater.
  • the overcurrent protection device comprises a current measuring device which is arranged in the load path and which detects the level of the current flowing through the controllable semiconductor switching arrangement and a current which represents the current variable
  • the current measuring device can be designed to output a voltage or a current as a current variable signal.
  • the current measuring device can include a shunt in the load path, for example.
  • the current measuring device can, for example, be a Hall sensor, a GMR sensor (GMR: Giant Magneto Resistance, ie a sensor that evaluates a magnetic field), a sigma delta Transducer or an AMR sensor (AMR: Anistrop Magneto Resistiv; supplier, for example, Sensitec GmbH, DE).
  • the overcurrent protection device comprises an evaluation circuit which is designed to generate a current-proportional voltage signal from the current signal supplied to it, which is fed to the overcurrent monitoring unit at its overcurrent monitoring input as the voltage signal. Furthermore, the evaluation circuit is designed to generate the current variable voltage signal in such a way that it has a value greater than the specified voltage limit value when the level of the current flowing through the controllable semiconductor switching arrangement exceeds a predefined current limit value at which a blocking switch controllable semiconductor switching arrangement is to be caused by the control unit, exceeds.
  • the evaluation circuit "translates" a value of the current magnitude signal that exceeds the current limit value into a current magnitude voltage signal which, depending on the design of the overcurrent monitoring unit, reaches a voltage level that is sufficient to exceed the specified voltage limit value and thereby the blocking of the controllable semiconductor switching arrangement to cause.
  • the proposed overcurrent protection device makes it possible, in contrast to the known solutions, to trigger the overcurrent protection device when the rated current is exceeded significantly less.
  • a release is understood to mean blocking the controllable semiconductor switching arrangement at the instigation of the overcurrent monitoring unit.
  • the evaluation circuit thus serves in an advantageous manner for processing the current variable signal so that it can be fed to the overcurrent monitoring unit at its overcurrent monitoring input. If the specified current limit value is exceeded, the evaluation circuit generates the current variable voltage signal such that it corresponds to a value greater than the predetermined voltage limit value, which leads to the overcurrent protection device being triggered.
  • the proposed overcurrent protection device thus uses a desaturation monitoring signal path which is present in many control units and which is intended to switch off the semiconductor switching arrangement in the event of large overcurrents, e.g. 4 to 6 times the rated current.
  • the combination of current measuring device and evaluation circuit makes it possible to bring the semiconductor switching arrangement into the blocking state even with smaller overcurrents.
  • the current measuring device and the evaluation circuit are designed to emulate a desaturated semiconductor switching element of the semiconductor switching arrangement.
  • the current limit value at which the current variable voltage signal generating the trip is generated is expediently variably adjustable.
  • the current limit value I g can be variably set between the limits
  • the evaluation circuit can comprise a microcontroller on which a program for evaluating the current variable signal and for generating the current variable voltage signal is executed.
  • the evaluation circuit can be implemented in software who is executed by the microcontroller.
  • the evaluation circuit can additionally or alternatively be designed as a transistor stage which generates the current variable voltage signal.
  • the evaluation circuit can be designed as an amplifier which generates the current variable voltage signal from the current variable information.
  • the evaluation circuit can be designed to delay the output of the current variable voltage signal as a function of the current variable signal. For example, if the nominal current is exceeded slightly (e.g. twice the nominal current), the current variable voltage signal can be generated after a period of time ti since the overcurrent was detected, whereas if the nominal current is exceeded (e.g. if the nominal current is exceeded 4 times) a The current variable voltage signal is generated after a period of time t2 since the occurrence of the overcurrent, with t2 being less than ti.
  • there can be any gradation for different current value signals which are e.g. stored in a table or described by an equation.
  • the semiconductor switching arrangement can comprise only a single controllable semiconductor switching element.
  • the semiconductor switching arrangement can also comprise a plurality of controllable semiconductor switching elements, in particular a configuration with two semiconductor switching elements connected back-to-back in series is provided.
  • a direct current network with an overcurrent protection device as described herein is proposed.
  • the direct current network has the same advantages as those described above in connection with the overcurrent protection device according to the invention.
  • a method for protecting against an overcurrent in a load path of a direct current network comprises the following steps: detecting the level of a current flowing through a controllable semiconductor switching arrangement arranged in the load path; This detection step is preferably carried out by a current measuring device arranged in the load path. Providing a current variable signal representing the current variable. They generate a current variable voltage signal from the current variable signal in such a way that it has a value greater than a predetermined voltage limit value when the level of the current flowing through the controllable semiconductor switching arrangement exceeds a predefined current limit value at which a blocking of the controllable semiconductor switching arrangement ver should be started, exceeds; this generation step is preferably performed by an evaluation circuit.
  • the outlined task is also achieved by a computer program product according to the invention.
  • the computer program product can be executed in a control unit.
  • the computer program product can be stored as software or firmware in a memory and can be implemented by a computer.
  • the computer program product can also be designed at least partially as a hard-wired circuit, for example as an ASIC.
  • the computer program product is designed to receive and evaluate a voltage signal and to generate commands to a driver circuit of the control unit.
  • the computer program product is designed to carry out at least one embodiment of the method outlined to protect against an overcurrent in a load path of a
  • the computer program product can combine all the sub-functions of the process, that is, be monolithic. Alternatively, the computer program product can also be segmented and each of the sub-functions can be distributed over segments that are executed on separate hardware. For example, part of the method can be carried out in the evaluation circuit and another part of the method in the control unit, such as a PLC or a computer cloud.
  • FIG. 1 shows a schematic representation of a first, general design variant of an overcurrent protection device according to the invention
  • FIG. 2 shows a schematic representation of a second design variant of an over-current protection device according to the invention
  • FIG. 3 shows a schematic representation of a third design variant of an over-current protection device according to the invention.
  • Fig. 4 is a schematic representation of a fourth design variant from an over current protection device according to the invention.
  • FIGS 1 to 4 show schematic representations of an overcurrent protection device 1 for the protection of a consumer arranged in a direct current network and not shown in the figures.
  • the direct current network (DC network), which is also not shown in detail, provides a direct voltage to a supply terminal or rail.
  • the DC voltage can be provided by a battery, for example. It can also be any other energy source or a combination of several energy sources, at the terminals of which a direct voltage is provided.
  • Such energy sources can, for example, be a photovoltaic system and / or a battery storage system, but also a
  • Rectifier that generates the DC voltage by rectifying an AC voltage generated by an AC voltage source.
  • the overcurrent protection device 1 comprises a semiconductor switching arrangement 10 arranged in the load path 2.
  • the controllable semiconductor switching arrangement 10 comprises at least one controllable semiconductor switching element 11, 12 (as shown in FIGS. 2 to 4).
  • Power electronic components such as MOSFETs or IGBTs, are particularly suitable as controllable semiconductor switching elements 11, 12.
  • the power electronic component (s) can be of the n- or p-channel type or of the npn or pnp type.
  • the semiconductor material can be based on silicon (Si) or gallium nitride (GaN) or the like.
  • the controllable semiconductor switching element (s) 11, 12 of the semiconductor switching arrangement 10 is controlled by a control unit 20.
  • the control unit 20 comprises a driver circuit 21, which provides a control signal for the semiconductor switching arrangement 10 at a signal output 21S which a respective controllable semiconductor switching element 11, 12 can be switched on or off.
  • the controllable semiconductor Switching elements 11, 12 controlled by a common control signal of the driver circuit 21. It is clear to a person skilled in the art that each of the controllable semiconductor switching elements 11, 12 could also be controlled by different control signals that are generated by different driver circuits.
  • the control unit 20 further comprises an overcurrent monitoring unit 22.
  • the overcurrent monitoring unit 22 is coupled to an overcurrent monitoring input 22S of the control unit 20. At this the overcurrent monitoring unit 22 receives a voltage signal S 3 , and when the voltage signal exceeds a predetermined voltage limit value, a control signal S 4 is generated for the driver circuit 21 in order to switch the switching elements of the semiconductor switching arrangement 10 to a blocking state.
  • the overcurrent monitoring input 22S is a desaturation monitoring pin (DESAT pin) present in typical control units 20, which generates the control signal S 4 in the case of large overcurrents I in the load path 2 by means of the overcurrent monitoring unit 22 which is usually also present.
  • Large overcurrents are typically 4 to 6 times the nominal current I nom / flowing through the load path 2, which result in principle.
  • the voltage signal s s represents a voltage dropping across one of the semiconductor switching elements of the semiconductor switching arrangement 10.
  • the voltage drop across the load path of the semiconductor switching element voltage threshold voltage reaches the predetermined tension or exceeds the needs through the semiconductor switching device 10 the current I flowing Minim least 4 times the rated current Irated have.
  • the overcurrent protection device 1 in the load path 2 a current measuring device 30 before.
  • the current measuring device 30 is arranged in series with the semiconductor switching arrangement 10.
  • the current measuring device 30 detects the level of the current I flowing through the semiconductor switching arrangement 10 and provides a current variable signal Si representing the current variable.
  • the current quantity signal
  • 5 1 represents either a voltage or a voltage, depending on the configuration of the current measuring device 30
  • the current variable signal Si is fed to an evaluation circuit 40.
  • the evaluation circuit 40 generates the current variable voltage signal
  • the predefined current limit value is selected in such a way that, when it is exceeded, the controllable semiconductor switching arrangement 10 is blocked by the control unit 20 in that the overcurrent monitoring unit 22 detects that the predetermined voltage limit value has been exceeded and outputs the control signal S 4 for the driver circuit 21, whereby the driver circuit switches the semiconductor switching arrangement 10 in a blocking manner.
  • the basic principle of the overcurrent protection device 1 thus provides for the current quantity signal Si generated by the current measuring device 30 to be processed by the evaluation circuit 40 in such a way that a (DC) signal is present at the overcurrent monitoring input 22S, which leads to the switching off of the semiconductor switching arrangement 10.
  • the current measurement Direction 30 and the evaluation circuit 40 thus emulate a desaturated semiconductor switching element of the semiconductor switching arrangement and can thereby generate a voltage as the voltage signal S3 that becomes active when the condition for an overload and / or a short circuit is met.
  • FIGS 2 to 4 show various embodiments of the method described above.
  • the semiconductor switching arrangement 10 comprises a first and a second semiconductor switching element 11 and 12, which are connected to one another in an antiserial manner.
  • the first and second semiconductor switching elements 11, 12 are, for example, IGBTs. Corresponding freewheeling diodes are not shown for the sake of clarity.
  • Control connections IIS, 12S of the first and second semiconductor switching elements 11, 12 receive a common control signal from the signal output 21S of the driver circuit 21 of the control unit 20.
  • the current measuring device 30, here in the form of a shunt 31, is in series between the first and second semiconductor Switching element 11, 12 arranged. In this case, respective emitter connections 11E, 12E of the first and second semiconductor switching elements 11, 12 are connected to respective connections of the shunt 31.
  • Collector connections 11C, 12C are arranged in the load path on the side facing away from shunt 31.
  • the evaluation circuit 40 is designed as stronger operations. Due to its design, the current measuring device 30 in the form of the shunt 31 provides a voltage as a current variable signal Si, which voltage is detected at the inputs of the amplifier 42. The amplifier 42 then generates the current variable voltage signal S 2 , which is fed to the current monitoring unit 22 as the voltage signal S 3 .
  • the current measuring device 30 in the form of the shunt 31 is provided between the first and second semiconductor switching elements 11, 12 in the present exemplary embodiment, this is not absolutely necessary. It is only important that the current measuring device 30 is arranged in series with the elements of the semiconductor switching arrangement in the load path 2.
  • FIG. 3 shows a modification of the exemplary embodiment described in FIG. 2, in which the current variable voltage signal S 2 is fed to a microcontroller 41, which then generates the voltage signal S 3 and makes it available at the overcurrent monitoring input 22S.
  • the microcontroller 41 it is possible, for example, to process the current variable voltage signal S 2 , for example by filtering, and to make further adjustments, for example with regard to a signal propagation time. For example, a delay in the voltage signal S 3 as a function of the level of the overcurrent in the load path 2 can be provided.
  • FIG. 4 shows a further exemplary embodiment in which, for example, a Hall sensor, a GMR sensor or a sigma-delta converter is used as the current measuring device 30, a current then being output as the current variable signal si.
  • the use of Hall sensors or GMR sensors as a current measuring device has the advantage that there is a galvanic separation from the measuring point.
  • the function of the evaluation circuit 40 is performed by software running on a microcontroller 41 realized.
  • the evaluation circuit 40 takes the signal processing of the

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  • Emergency Protection Circuit Devices (AREA)

Abstract

Eine Überstromschutzvorrichtung in einem Lastpfad (2) eines Gleichstromnetzes umfasst eine steuerbare Halbleiter-Schaltanordnung (10) sowie eine Steuereinheit (20) mit einer Treiberschaltung (21) und mit einer Überstromüberwachungseinheit (22), die dazu ausgebildet ist, die Treiberschaltung (21) zum Sperrendschalten der steuerbaren Halbleiter-Schaltanordnung (10) zu veranlassen, wenn ein an einem Überstromüberwachungseingang (22S) anliegendes Spannungssignal (s3) einen vorgegebenen Spannungsgrenzwert überschreitet. Eine in dem Lastpfad (2) angeordnete Strommesseinrichtung (30) erfasst die Höhe des durch die steuerbare Halbleiter-Schaltanordnung (10) fließenden Stroms und stellt ein die Stromgröße repräsentierendes Stromgrößensignal (s1) bereit. Eine Auswerteschaltung (40) erzeugt aus dem ihr zugeführten Stromgrößensignal (s1) ein Stromgrößen-Spannungssignal (s2), das der Überstromüberwachungseinheit (22) an ihrem Überstromüberwachungseingang (22S) als das Spannungssignal (S3) zugeführt wird. Das Stromgrößen-Spannungssignal (S2) wird derart erzeugt, dass dieses einen Wert größerals den vorgegebenen Spannungsgrenzwert aufweist, wenn die Höhe des durch die steuerbare Halbleiter- Schaltanordnung (10) fließenden Stroms einen vordefinierten Stromgrenzwert, bei dem ein Sperrendschalten der steuerbaren Halbleiter-Schaltanordnung (10) durch die Steuereinheit (20) veranlasst werden soll, überschreitet.

Description

Beschreibung
Überstromschutzvorrichtung für ein Gleichstromnetz
Die Erfindung betrifft eine Überstromschutzvorrichtung für ein Gleichstromnetz. Insbesondere betrifft die Erfindung eine Überstromschutzvorrichtung für den Schutz von in einem
Gleichstromnetz angeordneten Verbrauchern. Ferner betrifft die Erfindung ein Gleichstromnetz. Ferner betrifft die Erfin dung ein Verfahren zum Schutz vor einem Überstrom in einem Lastpfad eines Gleichstromnetzes.
Lastanordnungen, die aus einem Gleichstromnetz (DC-Netz) ver sorgt werden, kommen insbesondere im industriellen Umfeld zum Einsatz. Die Versorgung von Lastanordnungen aus Gleichstrom netzen bietet den Vorteil, durch intelligente Netzsteuerung und integrierte Speicher flexibel und robust auf schwankende Netzqualität und Energieangebote reagieren zu können. Insbe sondere können regenerative Energieerzeuger wie z.B. Batte riespeicher und/oder Photovoltaikanlagen leicht in ein
Gleichstromnetz eingebunden werden. Wandlungsverluste von Wechsel- in Gleichspannung können dabei vermieden werden. Durch die Möglichkeit, Bremsenergie, z.B. von generatorisch betriebenen Antrieben, puffern zu können, ergeben sich Ener gieeinsparungen .
In derartigen Gleichstromnetzen ist es erforderlich, den in einem Lastpfad fließenden Strom überwachen zu können. Ferner soll die Möglichkeit bestehen, beim Auftreten eines zu hohen Stromes über eine in dem Lastpfad angeordnete Schaltanordnung den Strom in dem Lastpfad abschalten zu können. Diese Art der Überwachung ist insbesondere für Überlastfälle und Kurz schlussströme erforderlich.
Es ist bekannt, als Schaltelemente z.B. mechanische Leitungs- schutzschalter oder Leistungsschaltelemente, welche Gleich ströme schalten können, zu benutzen. Ferner sind Schutzvorrichtungen bekannt, die ausschließlich mittels Halbleiter-Schaltelementen Gleichströme schalten. Die Halbleiter benötigen eine Ansteuerung, die eine schnelle Um ladung der Kapazitäten des Schalters ermöglicht, wodurch die Ansteuerung eine hohe Komplexität aufweist.
Ferner sind Schutzvorrichtungen in Hybridtechnologie bekannt, die mittels Halbleiter-Schaltelementen eine Stromflussunter brechung realisieren, wobei die Stromführung jedoch über me chanische Kontakte realisiert wird. Die Halbleiter-Schaltele mente solcher hybriden Überstromschutzvorrichtungen müssen dabei auf das Verhalten der mechanischen Schaltelemente abge stimmt sein und brauchen daher eine aufwändige Steuerung zum Abschalten eines Überstroms oder Kurzschlussstroms. Weiter benötigen mechanische Schaltelemente mehr Zeit, um solche Ströme abzuschalten
Grundsätzlich besteht bei allen genannten Varianten von Über stromschutzvorrichtungen jedoch das Problem, dass die Erken nung von Überströmen erst bei sehr hohen Überströmen möglich ist, so dass die Zeitdauer bis zur Aktivierung der Überstrom schutzvorrichtung durch ein Sperrendschalten der darin ver wendeten Schaltelemente verhältnismäßig lang ist. Auch wenn dies nicht unmittelbar zu einer Zerstörung von Komponenten der Überstromschutzvorrichtung führen muss, resultiert dies in einer hohen Belastung der Komponenten der Überstromschutz vorrichtung .
Es ist Aufgabe der Erfindung, eine Überstromschutzvorrichtung für ein Gleichstromnetz anzugeben, das baulich und/oder funk tional verbessert ist und insbesondere eine schnellere und frühere Erkennung eines Überstroms ermöglicht. Es ist außer dem Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren zum Schutz vor einem Überstrom in einem Lastpfad eines Gleichstromnetzes anzuge ben . Diese Aufgabe wird gelöst durch eine Überstromschutzvorrich tung für ein Gleichstromnetz gemäß den Merkmalen des Anspru ches 1 sowie ein Gleichstromnetz, das eine erfindungsgemäß ausgebildete Überstromschutzvorrichtung umfasst.
Vorteilhafte Ausgestaltungen sind in den abhängigen Ansprü chen angegeben. Dabei können die in den abhängigen Vorrich tungsansprüchen angebenen weiteren Merkmale in analoger Weise auf das erfindungsgemäße Verfahren übertragen werden.
Es wird eine Überstromschutzvorrichtung für ein Gleichstrom netz vorgeschlagen. Die Überstromschutzvorrichtung dient z.B. für den Schutz eines in dem Gleichstromnetz angeordneten Ver brauchers. Bei einem solchen Verbraucher kann es sich insbe sondere um einen oder mehrere kapazitive und/oder induktive Verbraucher handeln. Kapazitive Verbraucher sind beispiels weise Wechselrichter, welche aus der vom Gleichstromnetz be- reitgestellten Spannung eine Dreh- oder wenigstens eine Wech selspannung für eine Last, z.B. einen Motor, erzeugen.
Die Überstromschutzvorrichtung umfasst eine steuerbare Halb- leiter-Schaltanordnung, die in einem Lastpfad des Gleich stromnetzes angeordnet ist. Der Lastpfad verbindet beispiels weise ein Versorgungspotential, das an einer Versorgungsklem me oder -schiene anliegt, mit dem erwähnten Verbraucher.
Die Überstromschutzvorrichtung umfasst weiter eine Steuerein heit mit einer Treiberschaltung zur Ansteuerung der steuerba ren Halbleiter-Schaltanordnung und mit einer Überstromüberwa chungseinheit, die dazu ausgebildet ist, die Treiberschaltung zum Sperrendschalten der steuerbaren Halbleiter-Schaltanord nung zu veranlassen, wenn ein an einem Überstromüberwachungs eingang anliegendes Spannungssignal einen vorgegebenen Span nungsgrenzwert überschreitet.
Die Ansteuerung der steuerbaren Halbleiterschaltanordnung durch die Treiberschaltung umfasst ein Leitend- bzw. Sper- rendschalten jeweiliger Halbleiter-Schaltelemente der Halb- leiter-Schaltanordnung . Als Halbleiter-Schaltelemente werden insbesondere leistungselektronische Bauelemente wie z.B. MOS- FETs (Metal Oxid Silicon Field Effect Transistor), IGBTs (In- sulated Gate Bipolar Transistor) und dergleichen eingesetzt. Derartige leistungselektronische Bauelemente können vom n- oder p-Kanal-Typ bzw. npn- oder pnp-Typ sein. Das Halbleiter material kann auf Silizium (Si) oder SiC (Siliziumcarbid) o- der Ähnlichem basieren. Umfasst die Halbleiter- Schaltanordnung mehr als ein steuerbares Halbleiter-Schalt element, so sind in dem Lastpfad zwei der steuerbaren Halb- leiter-Schaltelemente zweckmäßigerweise antiseriell miteinan der verschaltet.
Als Überstromüberwachungseingang wird insbesondere ein sog. Entsättigungsüberwachungs-Anschluss der Steuereinheit ge nutzt. Dieser ist auch als sog. DESAT-Eingang bekannt, der je nach Ausgestaltung der Überstromüberwachungseinheit bei einem vorgegebenen Spannungsgrenzwert das Sperrendschalten der steuerbaren Halbleiter-Schaltanordnung veranlasst. Ein typi scher vorgegebener Spannungsgrenzwert beträgt z.B. 9 V (bei 1200 V-Bauelementen) oder größer.
Ferner umfasst die Überstromschutzvorrichtung eine in dem Lastpfad angeordnete Strommesseinrichtung, die die Höhe des durch die steuerbare Halbleiter-Schaltanordnung fließenden Stroms erfasst und ein die Stromgröße repräsentierendes
Stromgrößensignal bereitstellt . Gemäß zweckmäßigen Ausgestal tungen kann die Strommesseinrichtung dazu ausgebildet sein, als Stromgrößensignal eine Spannung oder einen Strom auszuge ben. Im ersten Fall kann die Strommesseinrichtung z.B. im Lastpfad einen Shunt umfassen. Ist die Strommesseinrichtung dazu ausgebildet, als das Stromgrößensignal einen Strom aus zugeben, so kann die Strommesseinrichtung z.B. einen Hall- Sensor, einen GMR-Sensor (GMR: Giant Magneto Resistance, d.h. einen ein Magnetfeld auswertenden Sensor) , einen Sigma-Delta- Wandler oder einen AMR-Sensor (AMR: Anistrop Magneto Re- sistiv; Anbieter z.B. Firma Sensitec GmbH, DE) umfassen.
Schließlich umfasst die Überstromschutzvorrichtung eine Aus werteschaltung, die dazu ausgebildet ist, aus dem ihr zuge führten Stromgrößensignal ein zum Strom proportionales Strom- größen-Spannungssignal zu erzeugen, das der Überstromüberwa chungseinheit an ihrem Überstromüberwachungseingang als das Spannungssignal zugeführt wird. Ferner ist die Auswerteschal tung dazu ausgebildet, das Stromgrößen-Spannungssignal derart zu erzeugen, dass dieses einen Wert größer als den vorgege benen Spannungsgrenzwert aufweist, wenn die Höhe des durch die steuerbare Halbleiter-Schaltanordnung fließenden Stroms einen vordefinierten Stromgrenzwert, bei dem ein Sperrend schalten der steuerbaren Halbleiter-Schaltanordnung durch die Steuereinheit veranlasst werden soll, überschreitet.
Die Auswerteschaltung „übersetzt" damit einen den Stromgrenz wert übersteigenden Wert des Stromgrößensignals in ein Strom größen-Spannungssignal, das entsprechend der Ausbildung der Überstromüberwachungseinheit einen Spannungspegel erreicht, der ausreichend ist, den vorgegebenen Spannungsgrenzwert zu überschreiten und dadurch das Sperrendschalten der steuerba ren Halbleiter-Schaltanordnung zu veranlassen.
Durch die vorgeschlagene Überstromschutzvorrichtung ist es, im Gegensatz zu den bekannten Lösungen, möglich, die Über stromschutzvorrichtung bereits bei wesentlich geringeren Überschreitungen des Nennstroms auszulösen. Unter einer Aus lösung wird hierbei ein Sperrendschalten der steuerbaren Halbleiter-Schaltanordnung auf Veranlassung der Überstrom überwachungseinheit verstanden.
Die Auswerteschaltung dient damit in vorteilhafter Weise zur Aufbereitung des Stromgrößensignals, so dass dieses der Über stromüberwachungseinheit an ihrem Überstromüberwachungsein gang zugeführt werden kann. Wenn der vorgegebene Stromgrenz- wert überschritten ist, erzeugt die Auswerteschaltung das Stromgrößen-Spannungssignal derart, dass dieses einem Wert größer als dem vorgegebenen Spannungsgrenzwert entspricht, was zu einem Auslösen der Überstromschutzvorrichtung führt.
Die vorgeschlagene Überstromschutzvorrichtung nutzt damit ei ne in vielen Steuereinheiten vorhandene Entsättigungsüberwa- chungs-Signalstrecke, die dafür vorgesehen ist, die Halblei- ter-Schaltanordnung bei großen Überströmen, die z.B. das 4- bis 6-fache des Nennstromes betragen, abzuschalten. Die Kom bination aus Strommesseinrichtung und Auswerteschaltung er möglicht es, die Halbleiter-Schaltanordnung bereits bei klei neren Überströmen in den sperrenden Zustand zu bringen.
Ermöglicht wird dies dadurch, dass die Strommesseinrichtung und die Auswerteschaltung dazu ausgebildet sind, ein entsät- tigtes Halbleiter-Schaltelement der Halbleiter-Schaltanord nung zu emulieren.
Der Stromgrenzwert, bei dem das die Auslösung erzeugende Stromgrößen-Spannungssignal erzeugt wird, ist zweckmäßiger weise variabel einstellbar. Der Stromgrenzwert Ig ist dabei variabel einstellbar zwischen den Grenzen
Inenn < Ig < x * Inenn · Mit anderen Worten kann der Stromgrenz wert zwischen dem Nennstrom Inenn und dem x-fachen (z.B. x =
5) des Nennstroms (als äußerste Grenze) gewählt werden.
In einer zweckmäßigen Ausgestaltung kann die Auswerteschal tung einen Mikrocontroller umfassen, auf dem ein Programm zur Auswertung des Stromgrößensignals und zur Erzeugung des Stromgrößen-Spannungssignals ausgeführt wird. Mit anderen Worten kann die Auswerteschaltung in Software realisiert wer den, welche durch den Mikrocontroller ausgeführt wird.
Die Auswerteschaltung kann zusätzlich oder alternativ als Transistorstufe ausgebildet sein, die das Stromgrößen-Span nungssignal erzeugt. In der einfachsten Ausgestaltung kann die Auswerteschaltung als Verstärker ausgebildet sein, wel cher aus der Stromgrößeninformation das Stromgrößen- Spannungssignal erzeugt.
Gemäß einer weiteren zweckmäßigen Ausgestaltung kann die Aus werteschaltung dazu ausgebildet sein, die Ausgabe des Strom- größen-Spannungssignals in Abhängigkeit des Stromgrößensig nals zu verzögern. Beispielsweise kann bei einer geringen Überschreitung des Nennstroms (z.B. dem 2-fachen Nennstrom) das Stromgrößen-Spannungssignal nach einer Zeitspanne ti seit dem Erfassen des Überstroms erzeugt werden, wohingegen bei einer größeren Überschreitung des Nennstroms (z.B. der 4- fachen Überschreitung des Nennstroms) eine Erzeugung das Stromgrößen-Spannungssignal nach einer Zeitspanne t2 seit dem Auftreten des Überstroms erfolgt, wobei t2 kleiner als ti ist. Abhängig von der Ausgestaltung der Auswerteschaltung kann hierbei eine beliebige Abstufung für unterschiedliche Stromgrößensignale erfolgen, welche z.B. in einer Tabelle hinterlegt sind oder durch eine Gleichung beschrieben sind.
In einer einfacheren Ausgestaltung kann die Halbleiter- Schaltanordnung lediglich ein einziges steuerbares Halblei- ter-Schaltelement umfassen. Wie bereits beschrieben, kann die Halbleiter-Schaltanordnung auch mehrere steuerbare Halblei- ter-Schaltelemente umfassen, wobei insbesondere eine Ausge staltung mit zwei antiseriell miteinander verschalteten Halb- leiter-Schaltelementen vorgesehen ist.
Gemäß einem weiteren Aspekt wird ein Gleichstromnetz mit ei ner wie hierin beschriebenen Überstromschutzvorrichtung vor geschlagen. Das Gleichstromnetz weist die gleichen Vorteile auf, wie diese vorstehend in Verbindung mit der erfindungsge mäßen Überstromschutzvorrichtung beschrieben wurden.
Gemäß einem weiteren Aspekt wird ein Verfahren zum Schutz vor einem Überstrom in einem Lastpfad eines Gleichstromnetzes vorgeschlagen. Das Verfahren umfasst folgende Schritte: Er- fassen der Höhe eines durch eine in dem Lastpfad angeordnete steuerbare Halbleiter-Schaltanordnung fließenden Stroms; die ser Erfassungschritt erfolgt vorzugsweise durch eine in dem Lastpfad angeordnete Strommesseinrichtung. Bereitstellen ei nes die Stromgröße repräsentierendes Stromgrößensignals. Er zeugen eines Stromgrößen-Spannungssignals aus dem Stromgrö ßensignal derart, dass dieses einen Wert größer als einen vorgegebenen Spannungsgrenzwert aufweist, wenn die Höhe des durch die steuerbare Halbleiter-Schaltanordnung fließenden Stroms einen vordefinierten Stromgrenzwert, bei dem ein Sper rendschalten der steuerbaren Halbleiter-Schaltanordnung ver anlasst werden soll, überschreitet; dieser Erzeugungsschritt erfolgt vorzugsweise durch eine Auswerteschaltung. Zuführen des Stromgrößen-Spannungssignals einem Überstromüberwachungs eingang einer Überstromüberwachungseinheit einer zur Ansteue rung der steuerbaren Halbleiter-Schaltanordnung vorgesehenen Steuereinheit als Spannungssignal. Und Veranlassen, vorzugs weise einer Treiberschaltung der Steuereinheit, die steuerba re Halbleiter-Schaltanordnung sperrend zu schalten, wenn das an dem Überstromüberwachungseingang anliegende Spannungssig nal den vorgegebenen Spannungsgrenzwert überschreitet; dieser Veranlassungsschritt erfolgt vorzugsweise durch die Über- strom-überwachungseinheit der Steuereinheit.
Die skizzierte Aufgabenstellung wird auch durch ein erfin dungsgemäßes Computerprogrammprodukt gelöst. Das Computerpro grammprodukt ist in einer Steuereinheit ausführbar ausgebil det. Das Computerprogrammprodukt kann als Software oder Firm ware in einem Speicher speicherbar und durch ein Rechenwerk ausführbar ausgebildet sein. Alternativ oder ergänzend kann das Computerprogrammprodukt auch zumindest teilweise als festverdrahtete Schaltung ausgebildet sein, beispielsweise als ASIC. Das Computerprogrammprodukt ist dazu ausgebildet, ein Spannungssignal zu empfangen, auszuwerten und Befehle an eine Treiberschaltung der Steuereinheit zu erzeugen. Erfin dungsgemäß ist das Computerprogrammprodukt dazu ausgebildet, mindestens eine Ausführungsform des skizzierten Verfahrens zum Schutz vor einem Überstrom in einem Lastpfad eines
Gleichstromnetzes umzusetzen und durchzuführen. Dabei kann das Computerprogrammprodukt sämtliche Teilfunktionen des Ver fahrens in sich vereinigen, also monolithisch ausgebildet sein. Alternativ kann das Computerprogrammprodukt auch seg mentiert ausgebildet sein und jeweils Teilfunktionen auf Seg mente verteilen, die auf separater Hardware ausgeführt wer den. Beispielsweise kann ein Teil des Verfahrens in der Aus werteschaltung durchgeführt werden und ein anderer Teil des Verfahrens in der Steuereinheit, wie beispielsweise einer SPS oder einer Computer-Cloud .
Die Erfindung wird nachfolgend näher anhand von Ausführungs beispielen in der Zeichnung beschrieben. Es zeigen:
Fig. 1 eine schematische Darstellung einer ersten, allge meinen Ausgestaltungsvariante einer erfindungsgemä ßen Überstromschutzvorrichtung;
Fig. 2 eine schematische Darstellung einer zweiten Ausge staltungsvariante einer erfindungsgemäßen Über stromschutzvorrichtung;
Fig. 3 eine schematische Darstellung einer dritten Ausge staltungsvariante einer erfindungsgemäßen Über stromschutzvorrichtung; und
Fig. 4 eine schematische Darstellung einer vierten Ausge staltungsvariante einer erfindungsgemäßen Über stromschutzvorrichtung .
Die Figuren 1 bis 4 zeigen schematische Darstellungen einer Überstromschutzvorrichtung 1 für den Schutz eines in einem Gleichstromnetz angeordneten und in den Figuren jeweils nicht dargestellten Verbrauchers. Das im Detail ebenfalls nicht dargestellte Gleichstromnetz (DC-Netz) stellt an einer Ver sorgungsklemme oder -schiene eine Gleichspannung bereit. Die Gleichspannung kann beispielsweise von einer Batterie bereit gestellt werden. Es kann sich auch um eine andere beliebige Energiequelle oder eine Kombination mehrerer Energiequellen handeln, an deren Klemmen eine Gleichspannung bereitgestellt wird. Solche Energiequellen können z.B. eine Photovoltaikan lage und/oder ein Batteriespeicher sein, aber auch ein
Gleichrichter, der die Gleichspannung durch Gleichrichtung einer von einer Wechselspannungsquelle erzeugten Wechselspan nung erzeugt.
Da weder die Ausgestaltung des Gleichspannungsnetzes noch der Verbraucher im Detail für das Verständnis der Erfindung von Bedeutung ist, ist in den Figuren 1 bis 4 lediglich ein Last pfad 2 dargestellt, der die Versorgungsklemme oder -schiene und den oder die Verbraucher über die Überstromschutzvorrich tung 1 verbindet.
Die Überstromschutzvorrichtung 1 umfasst eine im Lastpfad 2 angeordnete Halbleiter-Schaltanordnung 10. Die steuerbare Halbleiter-Schaltanordnung 10 umfasst zumindest ein steuerba res Halbleiter-Schaltelement 11, 12 (wie in den Figuren 2 bis 4 gezeigt) . Als steuerbare Halbleiter-Schaltelemente 11, 12 kommen insbesondere leistungselektronische Bauelemente, wie z.B. MOSFETs oder IGBTs, in Betracht. Das oder die leistungs elektronischen Bauelemente können vom n- oder p-Kanal-Typ bzw. vom npn- oder pnp-Typ sein. Das Halbleitermaterial kann auf Silizium (Si) oder Galliumnitrid (GaN) oder ähnlichem ba sieren .
Eine Ansteuerung des oder der steuerbaren Halbleiter-Schalt elemente 11, 12 der Halbleiter-Schaltanordnung 10 erfolgt durch eine Steuereinheit 20. Die Steuereinheit 20 umfasst ei ne Treiberschaltung 21, welche an einem Signalausgang 21S ein Ansteuersignal für die Halbleiter-Schaltanordnung 10 bereit stellt, mit dem ein jeweiliges steuerbares Halbleiter-Schalt element 11, 12 leitend- oder sperrend geschaltet werden kann. In den Figuren 1 bis 4 werden die steuerbaren Halbleiter- Schaltelemente 11, 12 durch ein gemeinsames Ansteuersignal der Treiberschaltung 21 angesteuert. Dem Fachmann ist klar, dass jedes der steuerbaren Halbleiter-Schaltelemente 11, 12 auch durch unterschiedliche Ansteuersignale angesteuert wer den könnte, die von unterschiedlichen Treiberschaltungen er zeugt werden.
Die Steuereinheit 20 umfasst ferner eine Überstromüberwa chungseinheit 22. Die Überstromüberwachungseinheit 22 ist mit einem Überstromüberwachungseingang 22S der Steuereinheit 20 gekoppelt. An diesem empfängt die Überstromüberwachungsein heit 22 ein Spannungssignal S3, wobei dann, wenn das Span nungssignal einen vorgegebenen Spannungsgrenzwert überschrei tet, ein Steuersignal S4 für die Treiberschaltung 21 erzeugt wird, um die Schaltelemente der Halbleiter-Schaltanordnung 10 sperrend zu schalten.
Der Überstromüberwachungseingang 22S ist ein bei typischen Steuereinheiten 20 vorhandener Entsättigungsüberwachungs-Pin (DESAT-Pin) , der mittels der üblicherweise ebenfalls vorhan denen Überstromüberwachungseinheit 22 bei großen Überströmen I in dem Lastpfad 2 das Steuersignal S4 erzeugt. Große Über ströme sind typischerweise das 4- bis 6-fache des durch den Lastpfad 2 fließenden Nennstroms Inenn/ die sich prinzip bedingt ergeben.
Bei herkömmlichen Überstromschutzvorrichtungen repräsentiert das Spannungssignal ss eine über einem der Halbleiter- Schaltelemente der Halbleiter-Schaltanordnung 10 abfallende Spannung. Damit die über der Laststrecke des Halbleiter- Schaltelements abfallende Spannung den vorgegebenen Span nungsgrenzwert erreicht bzw. überschreitet, muss der durch die Halbleiter-Schaltanordnung 10 fließende Strom I mindes tens das 4-fache des Nennstroms Inenn aufweisen.
Um diesen prinzipbedingten Nachteil zu umgehen, sieht die er findungsgemäße Überstromschutzvorrichtung 1 in dem Lastpfad 2 eine Strommesseinrichtung 30 vor. Mit anderen Worten ist die Strommesseinrichtung 30 in Serie zu der Halbleiter- Schaltanordnung 10 angeordnet. Die Strommesseinrichtung 30 erfasst die Höhe des durch die Halbleiter-Schaltanordnung 10 fließenden Stromes I und stellt ein die Stromgröße repräsen tierendes Stromgrößensignal Si bereit. Das Stromgrößensignal
51 repräsentiert in Abhängigkeit der Ausgestaltung der Strom messeinrichtung 30 entweder einen Spannungs- oder einen
Stromwert .
Das Stromgrößensignal Si wird einer Auswerteschaltung 40 zu geführt. Die Auswerteschaltung 40 ist dazu ausgebildet, aus dem ihr zugeführten Stromgrößensignal Si ein Stromgrößen- Spannungssignal S2 zu erzeugen, welches der Überstromüberwa chungseinheit 22 an ihrem Überstromüberwachungseingang 22S als das Spannungssignal S3 zugeführt wird, d.h. S2 = S3. Die Auswerteschaltung 40 erzeugt das Stromgrößen-Spannungssignal
52 dabei derart, dass dieses einen Wert größer als den vorge gebenen Spannungsgrenzwert (der Überstromüberwachungseinheit 22) aufweist, wenn die Höhe des durch die steuerbare Halblei- ter-Schaltanordnung 10 fließenden Stroms I einen vordefinier ten Stromgrenzwert, der variabel einstellbar ist, überschrei tet. Der vordefinierte Stromgrenzwert wird derart gewählt, dass bei dessen Überschreiten ein Sperrendschalten der steu erbaren Halbleiter-Schaltanordnung 10 durch die Steuereinheit 20 veranlasst wird, indem die Überstromüberwachungseinheit 22 das Überschreiten des vorgegebenen Spannungsgrenzwerts fest stellt und das Steuersignal S4 für die Treiberschaltung 21 ausgibt, wodurch die Treiberschaltung die Halbleiter- Schaltanordnung 10 sperrend schaltet.
Das grundlegende Prinzip der Überstromschutzvorrichtung 1 sieht somit vor, das durch die Strommesseinrichtung 30 er zeugte Stromgrößensignal Si durch die Auswerteschaltung 40 derart aufzubereiten, dass an dem Überstromüberwachungsein gang 22S ein (DC-) Signal anliegt, das zum Sperrendschalten der Halbleiter-Schaltanordnung 10 führt. Die Strommessein- richtung 30 und die Auswerteschaltung 40 emulieren somit ein entsättigtes Halbleiter-Schaltelement der Halbleiter-Schalt anordnung und können dadurch als das Spannungssignal S3 eine Spannung erzeugen, die aktiv wird, wenn die Bedingung für ei ne Überlast und/oder einen Kurzschluss erfüllt ist.
Dadurch ist es möglich, die Halbleiter-Schaltanordnung 10 auch schon bei kleineren Überströmen, z.B. dem 1,2-, 1,5- o- der 2-fachen des Nenn-Stromes in den sperrenden Zustand zu bringen .
Dadurch, dass die Signalführung galvanisch nicht getrennt sein muss, ergibt sich eine schnelle Reaktionsgeschwindigkeit und ein kostengünstiger Aufbau der Überstromschutzvorrich tung .
Die Figuren 2 bis 4 zeigen nachfolgend verschiedene Ausfüh rungsformen des vorstehend beschriebenen Verfahrens.
In Fig. 2 umfasst die Halbleiter-Schaltanordnung 10 ein ers tes und ein zweites Halbleiter-Schaltelement 11 und 12, die antiseriell miteinander verschaltet sind. Das erste und das zweite Halbleiter-Schaltelement 11, 12 sind beispielsweise IGBTs. Entsprechende Freilauf-Dioden sind der Übersichtlich keit halber nicht dargestellt. Steueranschlüsse IIS, 12S des ersten und zweiten Halbleiter-Schaltelements 11, 12 empfangen ein gemeinsames Ansteuersignal vom Signalausgang 21S der Treiberschaltung 21 der Steuereinheit 20. Die Strommessein richtung 30, hier in Gestalt eines Shunts 31, ist seriell zwischen dem ersten und dem zweiten Halbleiter-Schaltelement 11, 12 angeordnet. Dabei sind jeweilige Emitteranschlüsse 11E, 12E des ersten und zweiten Halbleiter-Schaltelements 11, 12 mit jeweiligen Anschlüssen des Shunts 31 verbunden. Kol lektoranschlüsse 11C, 12C sind in dem Lastpfad auf der vom Shunt 31 abgewandten Seite angeordnet. Beispielhaft ist die Auswerteschaltung 40 als Operationsver stärker ausgebildet. Bauartbedingt stellt die Strommessein richtung 30 in Gestalt des Shunts 31 als Stromgrößensignal Si eine Spannung bereit, die an den Eingängen des Verstärkers 42 erfasst wird. Der Verstärker 42 erzeugt dann das Stromgrößen- Spannungssignal S2, das als das Spannungssignal S3 der Über stromüberwachungseinheit 22 zugeführt wird.
Obwohl die Strommesseinrichtung 30 in Gestalt des Shunts 31 im vorliegenden Ausführungsbeispiel zwischen dem ersten und dem zweiten Halbleiter-Schaltelement 11, 12 vorgesehen ist, ist dies nicht zwingend erforderlich. Es ist lediglich von Bedeutung, dass die Strommesseinrichtung 30 in Serie zu den Elementen der Halbleiter-Schaltanordnung in dem Lastpfad 2 angeordnet ist.
Fig. 3 zeigt eine Abwandlung des in Fig. 2 beschriebenen Aus führungsbeispiels, bei der das Stromgrößen-Spannungssignal S2 einem Mikrocontroller 41 zugeführt wird, welcher dann das Spannungssignal S3 erzeugt und am Überstromüberwachungsein gang 22S bereitstellt . Mit Hilfe des Mikrocontrollers 41 ist es beispielsweise möglich, das Stromgrößen-Spannungssignal S2, z.B. durch eine Filterung, aufzubereiten und weitere An passungen, z.B. im Hinblick auf eine Signallaufzeit, vorzu nehmen. Beispielsweise kann eine Verzögerung des Spannungs signals S3 in Abhängigkeit der Höhe des Überstroms in dem Lastpfad 2 vorgesehen werden.
Fig. 4 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel, in dem als Strommesseinrichtung 30 beispielsweise ein Hall-Sensor, ein GMR-Sensor oder ein Sigma-Delta-Wandler verwendet wird, wobei dann als Stromgrößensignal si ein Strom ausgegeben wird. Die Verwendung von Hall-Sensoren oder GMR-Sensoren als Strommess einrichtung weist den Vorteil auf, dass eine galvanische Trennung zur Messstelle erfolgt. In dem in Fig. 4 gezeigten Ausführungsbeispiel ist die Funktion der Auswerteschaltung 40 durch eine auf einem Mikrocontroller 41 ablaufende Software realisiert. Der Mikrocontroller 41 stellt an seinem Ausgang das Stromgrößen-Spannungssignal S2 als das Spannungssignal S3 bereit (d.h. S2 = S3) . Die Auswerteschaltung 40 nimmt die Signalaufbereitung des
Stromgrößensignals Si vor, das nach der Auslösebedingung den Überstromüberwachungseingang 22S mit dem entsprechenden Stromgrößen-Spannungssignal S3 triggert, um damit das Sper rendschalten des oder der Schaltelemente der Halbleiter- Schaltanordnung 10 einzuleiten.

Claims

Patentansprüche
1. Überstromschutzvorrichtung für ein Gleichstromnetz, umfas send :
eine steuerbare Halbleiter-Schaltanordnung (10), die in einem Lastpfad (2) des Gleichstromnetzes angeordnet ist; eine Steuereinheit (20) mit einer Treiberschaltung (21) zur Ansteuerung der steuerbaren Halbleiter-Schaltan ordnung (10) und mit einer Überstromüberwachungseinheit (22), die dazu ausgebildet ist, die Treiberschaltung (21) zum Sperrendschalten der steuerbaren Halbleiter- Schaltanordnung (10) zu veranlassen, wenn ein an einem Überstromüberwachungseingang (22S) anliegendes Span nungssignal (S3) einen vorgegebenen Spannungsgrenzwert überschreitet ;
eine in dem Lastpfad (2) angeordnete Strommesseinrich tung (30), die die Höhe des durch die steuerbare Halb- leiter-Schaltanordnung (10) fließenden Stroms erfasst und ein die Stromgröße repräsentierendes Stromgrößensig nal (si) bereitstellt;
eine Auswerteschaltung (40), die dazu ausgebildet ist, aus dem ihr zugeführten Stromgrößensignal (si) ein
Stromgrößen-Spannungssignal (S2) zu erzeugen, das der Überstromüberwachungseinheit (22) an ihrem Überstrom überwachungseingang (22S) als das Spannungssignal (S3) zugeführt wird, und
wobei die Auswerteschaltung (40) ferner dazu ausgebildet ist, das Stromgrößen-Spannungssignal (S2) derart zu er zeugen, dass dieses einen Wert größer als den vorgegebe nen Spannungsgrenzwert aufweist, wenn die Höhe des durch die steuerbare Halbleiter-Schaltanordnung (10) fließen den Stroms einen vordefinierten Stromgrenzwert, bei dem ein Sperrendschalten der steuerbaren Halbleiter-Schalt anordnung (10) durch die Steuereinheit (20) veranlasst werden soll, überschreitet.
2. Überstromschutzvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch ge kennzeichnet, dass die Strommesseinrichtung (30) dazu ausge bildet ist, als das Stromgrößensignal (si) eine Spannung aus zugeben .
3. Überstromschutzvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch ge kennzeichnet, dass die Strommesseinrichtung (30) dazu ausge bildet ist, als das Stromgrößensignal (si) einen Strom auszu geben .
4. Überstromschutzvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Strommesseinrich tung (30) und die Auswerteschaltung (40) zusammen dazu ausge bildet sind, ein entsättigtes Halbleiter-Schaltelement der Halbleiter-Schaltanordnung (10) zu emulieren.
5. Überstromschutzvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Stromgrenzwert variabel einstellbar ist.
6. Überstromschutzvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Stromgrenzwert Ig gemäß Inenn < Ig < x * Inenn gewählt wird, wobei Inenn ein durch den Lastpfad (2) fließender Nennstrom ist und 1 < x < 8 gilt.
7. Überstromschutzvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Auswerteschaltung
(40) einen Mikrocontroller (41) umfasst, auf dem ein Programm zur Auswertung des Stromgrößensignals (si) und zur Erzeugung des Stromgrößen-Spannungssignals (S2) ausgeführt wird.
8. Überstromschutzvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Auswerteschaltung
(40) als Operationsverstärker (42) ausgebildet ist, der das Stromgrößen-Spannungssignals (S2) erzeugt.
9. Überstromschutzvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Auswerteschaltung
(40) dazu ausgebildet ist, die Ausgabe des Stromgrößen- Spannungssignals (S2) in Abhängigkeit des Stromgrößensignals (si) zu verzögern, ggf. einstellbar zu verzögern.
10. Überstromschutzvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Halbleiter- Schaltanordnung (10) ein einziges steuerbares Halbleiter- Schaltelement (11 oder 12) oder zwei antiseriell miteinander verschaltete steuerbare Halbleiter-Schaltelemente (11, 12) umfasst .
11. Gleichstromnetz, umfassend eine Überstromschutzvorrich tung (1) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche.
12. Verfahren zum Schutze vor einem Überstrom in einem Last pfad (2) eines Gleichstromnetzes, umfassend folgende Schrit te :
Erfassen der Höhe eines durch eine in dem Lastpfad (2) ange ordnete steuerbare Halbleiter-Schaltanordnung (10) fließenden Stroms ;
Bereitstellen eines die Stromgröße repräsentierendes Strom größensignals (si);
Erzeugen eines Stromgrößen-Spannungssignals (S2) aus dem Stromgrößensignal (si) derart, dass dieses einen Wert größer als einen vorgegebenen Spannungsgrenzwert aufweist, wenn die Höhe des durch die steuerbare Halbleiter-Schaltanordnung (10) fließenden Stroms einen vordefinierten Stromgrenzwert, bei dem ein Sperrendschalten der steuerbaren Halbleiter-Schalt anordnung (10) veranlasst werden soll, überschreitet;
Zuführen des Stromgrößen-Spannungssignals (S2) einem Über stromüberwachungseingang (22S) einer Überstromüberwachungs einheit (22) einer zur Ansteuerung der steuerbaren Halblei- ter-Schaltanordnung (10) vorgesehenen Steuereinheit (20) als Spannungssignal (S3) ; und Veranlassen, durch die Überstromüberwachungseinheit (22) der Steuereinheit (20), einer Treiberschaltung (21) der Steuer einheit (20), die steuerbare Halbleiter-Schaltanordnung (10) sperrend zu schalten, wenn das an dem Überstromüberwachungs- eingang (22S) anliegende Spannungssignal (S3) den vorgegebe nen Spannungsgrenzwert überschreitet.
13. Computerprogrammprodukt, das in einer Steuereinheit (20) ausführbar ist, dadurch gekennzeichnet, dass das Computerpro- grammprodukt zur Durchführung eines Verfahrens nach Anspruch 12 ausgebildet ist.
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