EP3384278A1 - Method and system for generating a theoretical intensity profile of a single-crystal material with known crystal orientation - Google Patents

Method and system for generating a theoretical intensity profile of a single-crystal material with known crystal orientation

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EP3384278A1
EP3384278A1 EP16806017.6A EP16806017A EP3384278A1 EP 3384278 A1 EP3384278 A1 EP 3384278A1 EP 16806017 A EP16806017 A EP 16806017A EP 3384278 A1 EP3384278 A1 EP 3384278A1
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EP
European Patent Office
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projection
atom
theoretical
atoms
intensity
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EP16806017.6A
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EP3384278B1 (en
Inventor
Cyril LANGLOIS
Thierry DOUILLARD
Sébastien DUBAIL
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Centre National de la Recherche Scientifique CNRS
Universite Claude Bernard Lyon 1 UCBL
Institut National des Sciences Appliquees de Lyon
Original Assignee
Centre National de la Recherche Scientifique CNRS
Universite Claude Bernard Lyon 1 UCBL
Institut National des Sciences Appliquees de Lyon
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Publication date
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Publication of EP3384278B1 publication Critical patent/EP3384278B1/en
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    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
    • G01N23/225—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
    • G01N2223/30—Accessories, mechanical or electrical features
    • G01N2223/305—Accessories, mechanical or electrical features computer simulations
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
    • G01N2223/60—Specific applications or type of materials
    • G01N2223/605—Specific applications or type of materials phases

Definitions

  • the present invention relates to the general technical field of the characterization of a sample in polycrystalline material.
  • These materials are, for example, ceramics, metals, etc.
  • a polycrystalline material is a solid material consisting of a plurality of small crystals - called "grains" - of varying crystal sizes and orientations, as opposed to a monocrystalline material consisting of a single crystal and an amorphous material. without long-range order.
  • the anisotropy of polycrystalline materials has multiple impacts on their characteristics, in particular on their mechanical properties (resistance to cracking, breaking, etc.) or on their electrical properties.
  • WO20151 13898 describes a method for mapping the crystalline orientations of a sample made of polycrystalline material, the method comprising:
  • each intensity profile representing the intensity associated with the point considered as a function of the geometry of the lighting, determining a crystalline orientation for each considered point of the material by comparing the intensity profile associated with said point under consideration with theoretical signatures of known crystalline orientation intensities profiles contained in a database.
  • This method - based on the comparison of an intensity profile estimated with theoretical signatures - is very efficient. It allows a characterization of the crystalline orientations of a polycrystalline sample which is simple, fast and inexpensive to implement.
  • a first method consists of experimentally measuring the intensity of a crystal whose orientation is known for different acquisition geometries.
  • this method is very time consuming.
  • the document XP055266074 describes a method in which theoretical signatures are calculated for each point of a sample using an experimental profile, information on the Euler angles at the point in question (obtained by EBSD) and information on the crystal system (ie cubic, orthorhombic, hexagonal, etc.) of the sample (see XP055266074, page 67, right column, paragraph 2).
  • Another method is to estimate the theoretical signatures from three-dimensional modeling (3D).
  • 3D three-dimensional modeling
  • This method includes the following steps:
  • step ii) projection of the atoms of the crystal in a plane and calculation of the total intensity of the projection (in practice, the atoms represented by spheres of white color are projected in a plane of black color and the total intensity of the projection is deduced from the amount of black in the plane), iii) repetition of step ii) for different angular orientations of the cube.
  • An object of the present invention is to provide a method of calculating theoretical signatures to overcome at least one of the disadvantages of the aforementioned method.
  • the invention proposes a method for creating a theoretical signature of a sample of crystalline material, the theoretical signature corresponding to a curve of theoretical backscattered intensities as a function of acquisition geometries. the method comprising the following steps:
  • the three-dimensional structure can be spherical
  • the method may furthermore comprise a step of defining an interaction level for each atom, said step consisting in allocating to each atom a coefficient representative of a theoretical contribution of the atom to the backscattered intensity,
  • the definition step may consist in assigning a gray level value to each atom of the structure according to:
  • the definition step may consist, for a given atom of the structure, of assigning a gray level value to each atom as a function of the distance between said given atom, the attributed gray level value being calculated from a decay function of the following form:
  • the step of calculating the projection may comprise the assignment to each pixel of the projection image:
  • the step of estimating the intensity may comprise the application of a polynomial function to the gray level values of the pixels of the projection image
  • the step of estimating the intensity comprises the substeps consisting of:
  • the modeling step comprises the substeps consisting of: o produce an elementary atomic pattern composed of atoms, in particular from a three-dimensional modeling software,
  • the substep of forming a three-dimensional structure comprises the selection of skeletal atoms contained in a selection volume, the selection volume having for example a central symmetry of revolution.
  • the invention also relates to a computer program product comprising programming code instructions for performing the steps of the method described above when said program is run on a computer.
  • FIGS. 1a, 1b and 1c illustrate the projections in a plane of a crystal according to three different orientations
  • FIG. 2 illustrates an example of a method for generating theoretical signatures
  • FIG. 3a, 3b, 4a, 4b illustrate sectional views of a cubic crystal structure for different orientations relative to a projection plane.
  • FIG. 5 is a grayscale image showing a projection in a plane of projection of the atoms of a crystalline structure.
  • the purpose of the method described below is to allow the creation of theoretical signatures obtained by calculation using a three-dimensional modeling.
  • a theoretical signature is a curve representing a theoretical intensity as a function of an acquisition geometry for a known crystallographic orientation material.
  • the theoretical signatures can be used to determine the crystalline orientation of each grain of a polycrystalline material sample by comparing said theoretical signatures with a measured intensity profile.
  • An intensity profile associated with a point of the sample is a curve representing the intensity measured by a detector p as a function of an acquisition geometry. Such an intensity profile is obtained by acquiring a series of images of the sample using an acquisition device for different acquisition geometries.
  • the acquisition geometry corresponds for each image to the relative position of the sample with respect to an acquisition device used to measure the intensity of the sample.
  • the purpose of the method according to the invention is to generate a theoretical signature
  • the acquisition of a series of images is implemented in an acquisition device adapted to:
  • the acquisition device is for example a scanning electron microscope or focused ion probe.
  • the principle of acquiring an image using the acquisition device is as follows.
  • the source generates a primary beam of charged particles that hits the surface of a sample. Accordingly, a signal (e.g., secondary and backscattered charged particles) is emitted from the surface of the sample and the respective trajectories of the signal particles follow in the opposite direction the original direction of the primary beam, which is perpendicular to the surface. of the sample (known as the axial direction) and with diverging angles to it.
  • a signal e.g., secondary and backscattered charged particles
  • Said particles are collected by the detector, placed above the sample.
  • the detector generates a signal from the collected particles. This signal is processed to create a pixel of an image of the material.
  • Each image is obtained for an acquisition geometry (ie relative position of the source and detector relative to the sample) respectively.
  • This image is representative of the intensities measured by the detector during the interaction of the charged particle beam with the atoms of the sample. These measured intensities vary according to the orientation of the crystal mesh with respect to the beam, the material and the experimental conditions (acquisition geometry in particular).
  • Processing The processing of the series of images is implemented in a processing device adapted to calculate a profile of intensities at each point of the surface of the material from the series of images.
  • Each acquired image is composed of pixels whose gray levels - between 0 and 255 - are representative of electronic intensities received by the detector.
  • Each pixel is representative of the intensity of a corresponding point of the sample, this intensity depending on the crystalline orientation at the point considered and the angle that defines the acquisition geometry (ie positions of the source and the detector compared to the sample).
  • the intensity of the same point of the sample varies in the images of the series of images.
  • the homologous pixels of the different images are grouped, and their values are plotted in a graph representing the intensity of the point of the sample as a function of the acquisition geometry.
  • the method can comprise the following main phases:
  • a three-dimensional modeling phase at the atomic level of a sample of the material a phase of positioning the three-dimensional model with respect to a plane perpendicular to the charged particle beam, said plane - hereinafter referred to as the "projection plane" - representing the position of the detector in the acquisition device,
  • a phase 10 of the method consists in modeling the atomic skeleton of the polycrystalline material for which it is desired to generate a theoretical signature.
  • the method described in document XP055266074 does not include a modeling step to calculate theoretical signatures.
  • the theoretical signatures are calculated using experimental profiles. Modeling the atomic skeleton of the polycrystalline material for which it is desired to generate a theoretical signature makes it possible to limit the costs and time associated with the generation of the theoretical signatures.
  • an elementary atomic pattern composed of atoms 24 - or "crystalline mesh" - is produced using a three-dimensional modeling software. Each atom 24 is represented by a sphere, the sizes and positions of the different atoms 24 being determined so as to respect theoretical and experimental data relating to the crystallography of the material.
  • the elementary pattern is then periodically repeated a plurality of times in the three dimensions of space to form a three-dimensional crystalline skeleton representative of the material for which it is desired to generate the theoretical signature.
  • the crystalline skeletons thus obtained may have different shapes, such as parallelepiped, cubic, hexagonal, etc.
  • a modeling step may consist in selecting the skeleton atoms contained in a selection volume having a central symmetry of revolution such as a sphere. This makes it possible to standardize the analysis depth of the considered material. More precisely, this makes it possible to make the depth of analysis of the material independent of the acquisition geometry.
  • the analysis depth ie the distance between the projection plane 21 and the atom 24 of the material farthest from said plane in a projection direction 23
  • the analysis depth remains approximately constant regardless of the geometry of the projection. 'acquisition.
  • FIG. 3a a first acquisition geometry
  • FIG. 3b a second acquisition geometry corresponding to a rotation of the skeleton by an angle of 45 ° with respect to the first acquisition geometry.
  • the depth of analysis is constant over the entire projection.
  • the depth of analysis varies between the center and the periphery of the cubic crystalline skeleton.
  • the modeling phase may comprise a step of forming a crystalline structure of interest from the crystalline skeleton, the structure comprising at least one crystalline mesh and being contained in a volume having a symmetry of revolution so that the distance between a center of the structure and the atoms 24 disposed at the periphery of the structure is substantially constant.
  • spherical atomic structure is understood to mean a structure in which the distance between:
  • the depth remains approximately the same from one acquisition geometry to the other (see FIGS. 4a and 4b).
  • phases of the process ie phases of positioning, definition of a level of interaction, projection and estimation
  • phases of positioning, definition of a level of interaction, projection and estimation are iterated for different positions of the crystal structure with respect to the projection 21.
  • the positioning phase consists of arranging the three-dimensional structure modeled with respect to the projection plane 21 according to the desired acquisition geometry. This classic phase in itself will not be described in more detail later.
  • Another phase of the process consists, for each atom 24 of the structure, in defining a level of theoretical interaction between said atom 24 and the charged particle beam, this level of interaction depending on the position of the atom 24 relative to to the projection plane (and thus the positioning of the structure).
  • This phase makes it possible to limit the risks of saturation during the subsequent projection phase of the structure on the projection plane 21.
  • the saturation phenomenon can be explained in the following manner with reference to FIGS. 1a to 1c.
  • the inventors propose to define for each atom 24 of the three-dimensional structure a level of interaction which is a decreasing function of the distance of the atom from the projection plane 21.
  • this function represents the probability of interaction of the charged particle beam emitted by the source with the atom 24 considered.
  • the atoms 24 closest to the projection plane 21 are considered to interact strongly with the charged particle beam, and producing a high intensity.
  • the atoms 24 close to the projection plane 21 (and therefore corresponding to atoms 24 of the material near the source and the detector) are considered as producing a large amount of secondary charged and spent retrodiff particles.
  • the atoms 24 at depth i.e. very far from the projection plane 21 corresponding to the plane containing the detector
  • N (d) the intensity level of an atom at the distance d from the projection plane, a and ⁇ depending on the material and the experimental protocol.
  • gray level In practice for a given atom 24, the definition of its theoretical interaction level results in the attribution of a gray level "N" to the atom.
  • This gray level can be calculated by using the aforementioned decay function or by using a correspondence table or by implementing any type of correspondence known to those skilled in the art.
  • gray level "255" (corresponding to white) can be attributed to the atoms 24 of the structure contained in a volume between the projection plane 21 and the first plane,
  • gray level "127" (corresponding to gray) can be attributed to the atoms 24 of the structure contained in a volume comprised between the first and second planes,
  • gray level "0" (corresponding to black) can be attributed to the other atoms 24 of the structure (i.e. atoms located beyond the second plane relative to the projection plane).
  • Another phase of the process consists of projecting the atoms 24 of the structure into the projection plane 21.
  • the projection plane 21 corresponds to the plane in which the detector is contained.
  • the latter form discs each having a level of intensity calculated as a function of the distance of the sphere to the projection plane 21 during the phase of defining the levels of projection. interaction.
  • This level of interaction can be visualized in the form of a gray level, the strongest interaction being represented in white (value 255) and the weakest in black (0) if the pixels of the projection plane 21 are assumed to be 0 (black).
  • the deep-seated atoms 24 of the structure ie the atoms 24 furthest away from the projection plane 21
  • the projection is thus performed by displaying only the part of the atom 24 which is not masked by one or more atoms 24 located between it and the projection plane 21 in the projection direction 23.
  • all the atoms 24 can be projected on the projection plane of the atom 24 from the farthest to the nearest of the projection plane, the value attributed to each pixel of the projection plane being systematically replaced by the value associated with the projection. atom 24 closest to the projection plane in the direction of projection 23. 3.4. Evaluation
  • the projection can be visualized in the form of a grayscale image, the atoms 24 having a strong interaction with the beam being in white and those having a weaker interaction of darker color.
  • FIG. 5 illustrates such an image.
  • Each visible portion of the projected of each atom 24 contributes up to its level of interaction and the visible surface projected at the final theoretical intensity. This can be interpreted graphically as a function of the total "brightness" of the projection displayed as a grayscale image.
  • the final intensity is calculated as a function of the sum of the values of all the pixels of the image. More precisely, the final intensity is for example calculated using a polynomial function, such as the square of the average of the values.
  • the intensity thus calculated for a given acquisition geometry is plotted in a graph representing the theoretical intensity as a function of the acquisition geometry.
  • the projected spherical model forms a disc whose outer edge is formed of a relatively small thickness of atoms 24. This is not a problem because the thickness of the sample is of the same distribution whatever the geometry of studied acquisition.
  • the unitary element of paving it is possible to calculate the projection of one (or more) mesh (s) forming a tiling of the space in the final image; this consists in retaining as zone of analysis only the convex envelope of the projection of this (or these) mesh (s); in the case of TiN, it is the projected cube; this projection represents an approximation of a block on the projection plane and is sufficient to deduce a theoretical intensity of good quality; the cost of calculating the convex envelope is less than the savings made on the analysis surface, the optimization is therefore profitable.
  • the method of generating theoretical signatures can be implemented in a processing system including:
  • input means - such as a keyboard or a mouse - to enable a user to position the atoms 24 of a crystalline mesh during the modeling phase
  • display means such as a screen, for displaying the projection images or the theoretical signature
  • Processing means - such as a processor or a computer or a microcontroller or any other programmable circuit - to estimate the theoretical signatures.
  • the processing system is for example a computer (s), a microcomputer (s), or other devices known to those skilled in the art such as a workstation.
  • the processing means are preferably coupled to one (or more) memory (s) which can be integrated or separate from the processing means.
  • the memory can be a ROM / RAM memory, a USB key, a memory of a central server. This memory can be used to store programming code instructions for performing the steps of the method of generating theoretical signatures.
  • the method comprises in particular the following phases:
  • the method according to the invention takes physical phenomena into account in order to overcome the calculation errors of the prior methods.
  • the method according to the invention takes into account the fact that the depth of penetration of the charged particle beam is limited to a maximum thickness of the analyzed material.
  • the method makes it possible to overcome the effects of undesirable edges related to the rotation of the structure.
  • the risks of cumulation of contributions between atoms 24 at different depths are avoided.
  • the method described above has been evaluated on titanium nitride and iron samples of cubic crystalline structure, but can be generalized to other crystalline structures.
  • the method described above can be used to generate theoretical signatures for any type of polycrystalline material such as a metal or a ceramic.
  • the method can be used to determine the theoretical signatures of a monocrystalline material.

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Abstract

The invention relates to a method for creating a theoretical signature of a crystalline material sample, the theoretical signature corresponding to a curve of theoretical backscattered intensities as a function of acquisition geometries, characterised in that the method comprises the following steps: modelling (10) a three-dimensional atomic structure of the sample, the structure comprising at least one crystal lattice and being contained in a volume having a symmetry of rotation such that the distance between a centre of the structure and the atoms (24) arranged at the periphery of the structure is substantially constant; then, for each acquisition geometry: positioning (20) the structure according to the desired acquisition geometry by moving the spherical structure relative to the projection plane; calculating (30) the projection of the atoms (24) of the structure in the projection plane in order to obtain a projection image; estimating (40) the backscattered intensity from the projection image; and generating the theoretical signature from a plurality of estimated theoretical backscattered intensities.

Description

PROCEDE ET SYSTEME POUR LA GENERATION D'UN PROFIL D'INTENSITES THEORIQUE D'UN MATERIAU MONOCRISTALLIN D'ORIENTATION  METHOD AND SYSTEM FOR THE GENERATION OF A THEORETICAL INTENSITY PROFILE OF A MONOCRYSTALLINE ORIENTATION MATERIAL
CRISTALLINE CONNUE DOMAINE TECHNIQUE  CRYSTALLINE KNOWN TECHNICAL FIELD
La présente invention concerne le domaine technique général de la caractérisation d'un échantillon en matériau poly-cristallin. Ces matériaux sont par exemple des céramiques, des métaux, etc. The present invention relates to the general technical field of the characterization of a sample in polycrystalline material. These materials are, for example, ceramics, metals, etc.
PRESENTATION DE L'ART ANTERIEUR PRESENTATION OF THE PRIOR ART
Un matériau poly-cristallin est un matériau solide constitué d'une pluralité de petits cristaux - appelés « grains » - de tailles et d'orientations cristallines variées, par opposition à un matériau monocristallin constitué d'un seul et unique cristal et un matériau amorphe sans ordre à longue distance. A polycrystalline material is a solid material consisting of a plurality of small crystals - called "grains" - of varying crystal sizes and orientations, as opposed to a monocrystalline material consisting of a single crystal and an amorphous material. without long-range order.
La plupart des matériaux (dans le domaine de la microélectronique, des nouvelles énergies, des alliages, des céramiques, des minéraux) se composent de cristaux de taille, de forme et de structure différentes.  Most materials (in the field of microelectronics, new energies, alloys, ceramics, minerals) consist of crystals of different size, shape and structure.
L'anisotropie des matériaux poly-cristallins a de multiples impacts sur leurs caractéristiques, notamment sur leurs propriétés mécaniques (résistance à la fissuration, à la rupture, etc.) ou encore sur leurs propriétés électriques.  The anisotropy of polycrystalline materials has multiple impacts on their characteristics, in particular on their mechanical properties (resistance to cracking, breaking, etc.) or on their electrical properties.
La connaissance de l'orientation cristalline des grains composant un matériau poly-cristallin est donc très importante.  Knowledge of the crystalline orientation of the grains composing a polycrystalline material is therefore very important.
Le document WO20151 13898 décrit un procédé de cartographie des orientations cristallines d'un échantillon en matériau poly-cristallin, le procédé comprenant :  The document WO20151 13898 describes a method for mapping the crystalline orientations of a sample made of polycrystalline material, the method comprising:
- la réception d'une série d'images de l'échantillon acquises par un dispositif d'acquisition, les images étant acquises pour des géométries d'éclairage de l'échantillon différentes, chaque image incluant des pixels représentant des intensités de points de l'échantillon pour une géométrie d'éclairage respective, the reception of a series of images of the sample acquired by an acquisition device, the images being acquired for different illumination geometries of the sample, each image including pixels representing intensities of points of the sample; sample for a respective lighting geometry,
- l'estimation d'au moins un profil d'intensités pour au moins un point considéré du matériau à partir de la série d'images, chaque profil d'intensités représentant l'intensité associée au point considéré en fonction de la géométrie d'éclairage, - la détermination d'une orientation cristalline pour chaque point considéré du matériau en comparant le profil d'intensités associé audit point considéré à des signatures théoriques de profils d'intensités d'orientations cristallines connues contenus dans une base de données. estimating at least one intensity profile for at least one considered point of the material from the series of images, each intensity profile representing the intensity associated with the point considered as a function of the geometry of the lighting, determining a crystalline orientation for each considered point of the material by comparing the intensity profile associated with said point under consideration with theoretical signatures of known crystalline orientation intensities profiles contained in a database.
Ce procédé - basé sur la comparaison d'un profil d'intensités estimé à des signatures théoriques - est très efficace. Il permet une caractérisation des orientations cristallines d'un échantillon poly-cristallin qui est simple, rapide et peu coûteuse à mettre en œuvre.  This method - based on the comparison of an intensity profile estimated with theoretical signatures - is very efficient. It allows a characterization of the crystalline orientations of a polycrystalline sample which is simple, fast and inexpensive to implement.
On connaît différentes méthodes d'obtention des signatures théoriques contenues dans la base de données.  Various methods are known for obtaining the theoretical signatures contained in the database.
Une première méthode consiste à mesurer expérimentalement l'intensité d'un cristal dont on connaît l'orientation pour différentes géométries d'acquisition. Toutefois, cette méthode est très coûteuse en temps. Par exemple le document XP055266074, décrit une méthode dans laquelle des signatures théoriques sont calculées pour chaque point d'un échantillon en utilisant un profil expérimental, une information sur les angles d'Euler au point considéré (obtenus par EBSD) et une information sur le système cristallin (i.e. cubique, orthorhombique, hexagonal, etc.) de l'échantillon (cf. XP055266074, page 67, colonne de droite, paragraphe 2).  A first method consists of experimentally measuring the intensity of a crystal whose orientation is known for different acquisition geometries. However, this method is very time consuming. For example, the document XP055266074 describes a method in which theoretical signatures are calculated for each point of a sample using an experimental profile, information on the Euler angles at the point in question (obtained by EBSD) and information on the crystal system (ie cubic, orthorhombic, hexagonal, etc.) of the sample (see XP055266074, page 67, right column, paragraph 2).
Une autre méthode consiste à estimer les signatures théoriques à partir de modélisation en trois dimensions (3D). Par exemple, le document XP055176507 décrit une méthode permettant de générer les signatures théoriques par le calcul.  Another method is to estimate the theoretical signatures from three-dimensional modeling (3D). For example, the document XP055176507 describes a method for generating the theoretical signatures by the calculation.
Cette méthode comprend les étapes suivantes :  This method includes the following steps:
i) création dans un logiciel de modélisation 3D, d'un volume composé de mailles élémentaires, chaque maille incluant des atomes constituant la structure d'un cristal pour lequel on souhaite calculer une signature théorique,  i) creation in a 3D modeling software of a volume composed of elementary cells, each mesh including atoms constituting the structure of a crystal for which it is desired to calculate a theoretical signature,
ii) projection des atomes du cristal dans un plan et calcul de l'intensité totale de la projection (en pratique, les atomes représentés par des sphères de couleur blanche sont projetés dans un plan de couleur noir et l'intensité totale de la projection est déduite de la quantité de noir dans le plan), iii) répétition de l'étape ii) pour différentes orientations angulaires du cube.  ii) projection of the atoms of the crystal in a plane and calculation of the total intensity of the projection (in practice, the atoms represented by spheres of white color are projected in a plane of black color and the total intensity of the projection is deduced from the amount of black in the plane), iii) repetition of step ii) for different angular orientations of the cube.
Pour certaines orientations (cf. figure 1 a), il est aisé de distinguer les alignements d'atomes en analysant leurs projections 1 1 dans le plan de projection 21 . Toutefois, un inconvénient de cette méthode est qu'elle peut induire des ambiguïtés. Notamment et comme illustré aux figures 1 b et 1 c, les intensités calculées à partir de projections 12, 13 de deux orientations très différentes peuvent s'avérer presque identiques. Par ailleurs pour certaines orientations, les profils d'intensités calculés par cette méthode peuvent présenter de nombreux artefacts par rapport aux profils d'intensités expérimentaux pour le même cristal selon les mêmes orientations. For some orientations (see Figure 1 a), it is easy to distinguish the alignments of atoms by analyzing their projections 1 1 in the projection plane 21. However, a disadvantage of this method is that it can induce ambiguities. In particular, and as illustrated in FIGS. 1b and 1c, the intensities calculated from projections 12, 13 of two very different orientations can be almost identical. Moreover, for some orientations, the intensity profiles calculated by this method may have numerous artifacts with respect to experimental intensity profiles for the same crystal according to the same orientations.
Il peut alors s'avérer difficile de définir l'orientation du cristal par comparaison d'un profil d'intensités mesuré expérimentalement à un profil d'intensités calculé.  It may then be difficult to define the orientation of the crystal by comparing an intensity profile measured experimentally to a calculated intensity profile.
Un but de la présente invention est de proposer un procédé de calcul de signatures théoriques permettant de pallier au moins l'un des inconvénients de la méthode précitée.  An object of the present invention is to provide a method of calculating theoretical signatures to overcome at least one of the disadvantages of the aforementioned method.
RESUME DE L'INVENTION A cet effet, l'invention propose un procédé de création d'une signature théorique d'un échantillon de matériau cristallin, la signature théorique correspondant à une courbe d'intensités rétrodiffusées théoriques en fonction de géométries d'acquisition, le procédé comprenant les étapes suivantes : SUMMARY OF THE INVENTION To this end, the invention proposes a method for creating a theoretical signature of a sample of crystalline material, the theoretical signature corresponding to a curve of theoretical backscattered intensities as a function of acquisition geometries. the method comprising the following steps:
- Modélisation d'une structure tridimensionnelle atomique de l'échantillon, la structure comprenant au moins une maille cristalline et étant contenue dans un volume présentant une symétrie de révolution de sorte que la distance entre un centre de la structure et les atomes disposés à la périphérie de la structure est sensiblement constante,  - Modeling a three-dimensional atomic structure of the sample, the structure comprising at least one crystalline mesh and being contained in a volume having a symmetry of revolution so that the distance between a center of the structure and the atoms arranged at the periphery of the structure is substantially constant,
- Puis pour chaque géométrie d'acquisition :  - Then for each acquisition geometry:
o Positionnement de la structure selon la géométrie d'acquisition désirée en déplaçant la structure sphérique par rapport à un plan de projection, o Calcul de la projection des atomes de la structure dans le plan de projection pour obtenir une image de projection,  o Positioning of the structure according to the desired acquisition geometry by moving the spherical structure with respect to a projection plane, o Calculation of the projection of the atoms of the structure in the projection plane to obtain a projection image,
o Estimation de l'intensité rétrodiffusée à partir de l'image de projection, - Génération de la signature théorique à partir d'une pluralité d'intensités rétrodiffusées théoriques estimées.  o Estimation of the backscattered intensity from the projection image, - Generation of the theoretical signature from a plurality of estimated theoretical backscattered intensities.
Des aspects préférés mais non limitatifs du système selon l'invention sont les suivants : - la structure tridimensionnelle peut être sphérique, Preferred but non-limiting aspects of the system according to the invention are the following: the three-dimensional structure can be spherical,
- le procédé peut comprendre en outre une étape de définition d'un niveau d'interaction pour chaque atome, ladite étape consistant à allouer à chaque atome un coefficient représentatif d'une contribution théorique de l'atome à l'intensité rétrodiffusée,  the method may furthermore comprise a step of defining an interaction level for each atom, said step consisting in allocating to each atom a coefficient representative of a theoretical contribution of the atom to the backscattered intensity,
- l'étape de définition peut consister à attribuer une valeur de niveau de gris à chaque atome de la structure en fonction :  the definition step may consist in assigning a gray level value to each atom of the structure according to:
o de la distance entre ledit atome donné et le plan de projection et/ou o du nombre d'atomes situés entre ledit atome donné et le plan de projection,  o the distance between said given atom and the projection plane and / or o the number of atoms located between said given atom and the projection plane,
- l'étape de définition peut consister, pour un atome donné de la structure, à attribuer une valeur de niveau de gris à chaque atome en fonction de la distance entre ledit atome donné, la valeur de niveau de gris attribuée étant calculé à partir d'une fonction de décroissance de la forme suivante :  the definition step may consist, for a given atom of the structure, of assigning a gray level value to each atom as a function of the distance between said given atom, the attributed gray level value being calculated from a decay function of the following form:
N(d) = a. d?  N (d) = a. d?
Avec :  With:
o N(d) : le niveau de gris à attribuer à l'atome  o N (d): the level of gray to be attributed to the atom
o d : la distance entre l'atome et le plan de projection,  o d: the distance between the atom and the projection plane,
o a et β des coefficients fixes  o a and β fixed coefficients
- l'étape de calcul de la projection peut comprendre l'attribution à chaque pixel de l'image de projection :  the step of calculating the projection may comprise the assignment to each pixel of the projection image:
o de la valeur 0 si aucun atome n'est traversé par la direction de projection,  o value 0 if no atom is crossed by the projection direction,
o de la valeur associée à l'atome le plus proche du plan de projection si au moins un atome est traversé par la direction de projection, o of the value associated with the atom closest to the projection plane if at least one atom is crossed by the projection direction,
- l'étape d'estimation de l'intensité peut comprendre l'application d'une fonction polynomiale aux valeurs de niveau de gris des pixels de l'image de projection,the step of estimating the intensity may comprise the application of a polynomial function to the gray level values of the pixels of the projection image,
- l'étape d'estimation de l'intensité comprend les sous-étapes consistant à : the step of estimating the intensity comprises the substeps consisting of:
o sélectionner une région de l'image de projection,  o select a region of the projection image,
o sommer les valeurs niveau de gris des pixels de la région sélectionnée, et  o sum the gray level values of the pixels of the selected region, and
o diviser la somme obtenue par le nombre de pixels de la région sélectionnée.  o divide the sum obtained by the number of pixels of the selected region.
- l'étape de modélisation comprend les sous-étapes consistant à : o produire un motif atomique élémentaire composé d'atomes, notamment à partir d'un logiciel de modélisation tridimensionnel, the modeling step comprises the substeps consisting of: o produce an elementary atomic pattern composed of atoms, in particular from a three-dimensional modeling software,
o répéter le motif atomique (notamment une pluralité de fois) selon au moins une (notamment chacune) des trois dimensions de l'espace pour générer un squelette cristallin tridimensionnel,  o repeating the atomic pattern (in particular a plurality of times) in at least one (in particular each) of the three dimensions of the space to generate a three-dimensional crystalline skeleton,
o former une structure tridimensionnelle atomique à partir du squelette cristallin tridimensionnel ;  o forming a three-dimensional atomic structure from the three-dimensional crystalline skeleton;
- la sous-étape consistant à former une structure tridimensionnelle comprend la sélection d'atomes du squelette contenus dans un volume de sélection, le volume de sélection présentant par exemple une symétrie centrale de révolution.  the substep of forming a three-dimensional structure comprises the selection of skeletal atoms contained in a selection volume, the selection volume having for example a central symmetry of revolution.
L'invention concerne également un produit programme d'ordinateur comprenant des instructions de code de programmation destinées à exécuter les étapes du procédé décrit ci-dessus lorsque ledit programme est exécuté sur un ordinateur.  The invention also relates to a computer program product comprising programming code instructions for performing the steps of the method described above when said program is run on a computer.
BREVE DESCRIPTION DES FIGURES BRIEF DESCRIPTION OF THE FIGURES
D'autres caractéristiques, buts et avantages de la présente invention ressortiront encore de la description qui suit, laquelle est purement illustrative et non limitative et doit être lue en regard des dessins annexés sur lesquels : Other features, objects and advantages of the present invention will become apparent from the description which follows, which is purely illustrative and nonlimiting and should be read with reference to the accompanying drawings in which:
- les figures 1 a, 1 b, et 1 c illustrent les projections dans un plan d'un cristal selon trois orientations différentes,  FIGS. 1a, 1b and 1c illustrate the projections in a plane of a crystal according to three different orientations,
- la figure 2 illustre un exemple de procédé de génération de signatures théoriques  FIG. 2 illustrates an example of a method for generating theoretical signatures
- les figures 3a, 3b, 4a, 4b illustrent des vues en coupes d'une structure cristalline cubique pour différentes orientations par rapport à un plan de projection.  - Figures 3a, 3b, 4a, 4b illustrate sectional views of a cubic crystal structure for different orientations relative to a projection plane.
- la figure 5 est une image en niveaux de gris représentant une projection dans un plan de projection des atomes d'une structure cristalline.  FIG. 5 is a grayscale image showing a projection in a plane of projection of the atoms of a crystalline structure.
DESCRIPTION DETAILLE On va maintenant décrire plus en détail un procédé et un système de génération de signatures théoriques pour la cartographie des orientations cristallines d'un échantillon de matériau poly-cristallin en référence aux figures. Dans ces différentes figures, les éléments équivalents portent les mêmes références numériques. DETAILED DESCRIPTION A method and a system for generating theoretical signatures for mapping crystalline orientations of a sample of polycrystalline material will now be described in greater detail with reference to the figures. In these different figures, the equivalent elements bear the same numerical references.
1. Généralités 1. General
L'objectif du procédé décrit ci-après est de permettre la création de signatures théoriques obtenues par le calcul en utilisant une modélisation tridimensionnelle. The purpose of the method described below is to allow the creation of theoretical signatures obtained by calculation using a three-dimensional modeling.
Une signature théorique est une courbe représentant une intensité théorique en fonction d'une géométrie d'acquisition pour un matériau d'orientation cristallographique connue.  A theoretical signature is a curve representing a theoretical intensity as a function of an acquisition geometry for a known crystallographic orientation material.
Les signatures théoriques peuvent être utilisées pour déterminer l'orientation cristalline de chaque grain d'un échantillon en matériau poly-cristallin, par comparaison desdites signatures théoriques avec un profil d'intensités mesurées.  The theoretical signatures can be used to determine the crystalline orientation of each grain of a polycrystalline material sample by comparing said theoretical signatures with a measured intensity profile.
Un profil d'intensités associé à un point de l'échantillon est une courbe représentant l'intensité mesurée par un détecteur p en fonction d'une géométrie d'acquisition. Un tel profil d'intensités est obtenu en acquérant une série d'images de l'échantillon à l'aide d'un dispositif d'acquisition pour différentes géométries d'acquisition.  An intensity profile associated with a point of the sample is a curve representing the intensity measured by a detector p as a function of an acquisition geometry. Such an intensity profile is obtained by acquiring a series of images of the sample using an acquisition device for different acquisition geometries.
La géométrie d'acquisition correspond pour chaque image à la position relative de l'échantillon par rapport a un dispositif d'acquisition utilisée pour mesurer l'intensité de l'échantillon.  The acquisition geometry corresponds for each image to the relative position of the sample with respect to an acquisition device used to measure the intensity of the sample.
La finalité du procédé selon l'invention est de générer une signature théorique The purpose of the method according to the invention is to generate a theoretical signature
(ou profil théorique) pour un matériau donné et une orientation cristalline donnée tel que le produirait sa mesure expérimentale. (or theoretical profile) for a given material and a given crystalline orientation as produced by its experimental measurement.
Pour comprendre les différentes caractéristiques du procédé de création de signatures théoriques, on va brièvement rappeler les étapes de mesure expérimentale d'un profil d'intensités d'un point de la surface d'un matériau à analyser.  To understand the various characteristics of the method of creating theoretical signatures, the steps of experimental measurement of a profile of intensities of a point on the surface of a material to be analyzed will briefly be recalled.
En effet, les choix techniques effectués dans le cadre du procédé de création de signatures théoriques sont directement en relation avec les phénomènes physiques régissant l'acquisition et le traitement de données expérimentales. 2. Bref rappel des principes relatifs à la mesure expérimentale de profils d'intensité Un procédé de mesure expérimentale du profil d'intensités d'un échantillon poly-cristallin comprend deux étapes principales : Indeed, the technical choices made as part of the process of creating theoretical signatures are directly related to the physical phenomena governing the acquisition and processing of experimental data. 2. A brief reminder of the principles relating to the experimental measurement of intensity profiles An experimental measurement method of the intensity profile of a polycrystalline sample comprises two main stages:
- l'acquisition d'une série d'images de l'échantillon pour différentes géométries d'acquisition, et  acquiring a series of images of the sample for different acquisition geometries, and
- le traitement des images acquises pour en déduire un profil d'intensités en chaque point de l'échantillon.  the processing of the acquired images to deduce a profile of intensities at each point of the sample.
2.1. Acquisition 2.1. Acquisition
L'acquisition d'une série d'images est mise en œuvre dans un dispositif d'acquisition adapté pour : The acquisition of a series of images is implemented in an acquisition device adapted to:
- émettre un faisceau de particules chargées à partir d'une source, et pour - emit a charged particle beam from a source, and for
- collecter un signal en provenance de l'échantillon sur un détecteur. - collect a signal from the sample on a detector.
Le dispositif d'acquisition est par exemple un microscope électronique à balayage ou à sonde ionique focalisée. Le principe d'acquisition d'une image à l'aide du dispositif d'acquisition est le suivant.  The acquisition device is for example a scanning electron microscope or focused ion probe. The principle of acquiring an image using the acquisition device is as follows.
La source génère un faisceau primaire de particules chargées qui percute la surface d'un échantillon. En conséquence, un signal (par exemple des particules chargées secondaires et rétrodiffusées) est émis par la surface de l'échantillon et les trajectoires respectives des particules constituant le signal suivent en sens inverse la direction originale du faisceau primaire, qui est perpendiculaire à la surface de l'échantillon (connue sous le nom de direction axiale) et avec des angles divergeant par rapport à celle-ci.  The source generates a primary beam of charged particles that hits the surface of a sample. Accordingly, a signal (e.g., secondary and backscattered charged particles) is emitted from the surface of the sample and the respective trajectories of the signal particles follow in the opposite direction the original direction of the primary beam, which is perpendicular to the surface. of the sample (known as the axial direction) and with diverging angles to it.
Lesdites particules sont collectées par le détecteur, placé au-dessus de l'échantillon. Le détecteur génère un signal à partir des particules collectées. Ce signal est traité pour créer un pixel d'une image du matériau.  Said particles are collected by the detector, placed above the sample. The detector generates a signal from the collected particles. This signal is processed to create a pixel of an image of the material.
Chaque image est obtenue pour une géométrie d'acquisition (i.e. position relative de la source et du détecteur par rapport à l'échantillon) respective. Cette image est représentative des intensités mesurées par le détecteur lors de l'interaction du faisceau de particules chargées avec les atomes de l'échantillon. Ces intensités mesurées varient en fonction de l'orientation de la maille cristalline par rapport au faisceau, du matériau et des conditions expérimentales (géométrie d'acquisition notamment). Each image is obtained for an acquisition geometry (ie relative position of the source and detector relative to the sample) respectively. This image is representative of the intensities measured by the detector during the interaction of the charged particle beam with the atoms of the sample. These measured intensities vary according to the orientation of the crystal mesh with respect to the beam, the material and the experimental conditions (acquisition geometry in particular).
Pour obtenir une série d'images, on réitère les opérations décrites ci-dessus pour différentes géométries d'acquisition.  To obtain a series of images, the operations described above are repeated for different acquisition geometries.
2.2. Traitement Le traitement de la série d'images est mis en œuvre dans un dispositif de traitement adapté pour calculer un profil d'intensités en chaque point de la surface du matériau à partir de la série d'images. 2.2. Processing The processing of the series of images is implemented in a processing device adapted to calculate a profile of intensities at each point of the surface of the material from the series of images.
Chaque image acquise est composée de pixels dont les niveaux de gris - compris entre 0 et 255 - sont représentatifs d'intensités électroniques reçues par le détecteur.  Each acquired image is composed of pixels whose gray levels - between 0 and 255 - are representative of electronic intensities received by the detector.
Chaque pixel est représentatif de l'intensité d'un point correspondant de l'échantillon, cette intensité dépendant de l'orientation cristalline au point considéré et de l'angle qui définit la géométrie d'acquisition (i.e. positions de la source et du détecteur par rapport à l'échantillon).  Each pixel is representative of the intensity of a corresponding point of the sample, this intensity depending on the crystalline orientation at the point considered and the angle that defines the acquisition geometry (ie positions of the source and the detector compared to the sample).
Ainsi, l'intensité d'un même point de l'échantillon varie dans les images de la série d'images.  Thus, the intensity of the same point of the sample varies in the images of the series of images.
Pour chaque point de l'échantillon, les pixels homologues des différentes images sont regroupés, et leurs valeurs sont reportées dans un graphique représentant l'intensité du point de l'échantillon en fonction de la géométrie d'acquisition.  For each point of the sample, the homologous pixels of the different images are grouped, and their values are plotted in a graph representing the intensity of the point of the sample as a function of the acquisition geometry.
3. Procédé 3. Process
On va maintenant décrire plus en détail un exemple de procédé de génération de signatures théoriques. Le procédé peut comprendre les phases principales suivantes : An example of a method for generating theoretical signatures will now be described in greater detail. The method can comprise the following main phases:
- une phase de modélisation 10 tridimensionnelle au niveau atomique d'un échantillon du matériau, - une phase de positionnement 20 du modèle tridimensionnel par rapport à un plan perpendiculaire au faisceau de particules chargées, ledit plan - appelé dans la suite « plan de projection » - représentant la position du détecteur dans le dispositif d'acquisition, a three-dimensional modeling phase at the atomic level of a sample of the material, a phase of positioning the three-dimensional model with respect to a plane perpendicular to the charged particle beam, said plane - hereinafter referred to as the "projection plane" - representing the position of the detector in the acquisition device,
- une phase de définition 30 pour chaque atome 24 du modèle tridimensionnel d'un niveau d'interaction théorique avec le faisceau de particules chargées en fonction de la modélisation,  a definition phase 30 for each atom 24 of the three-dimensional model of a level of theoretical interaction with the charged particle beam according to the modeling,
- une phase de projection orthogonale 40 du modèle tridimensionnel sur un plan de projection en tenant compte des niveaux d'interaction et de la visibilité des atomes du modèle,  an orthogonal projection phase 40 of the three-dimensional model on a projection plane taking into account the interaction levels and the visibility of the atoms of the model,
- une phase d'évaluation 50 de l'intensité théorique par analyse de la projection orthogonale produite.  an evaluation phase 50 of the theoretical intensity by analysis of the orthogonal projection produced.
3.1. Modélisation tridimensionnelle 3.1. Three-dimensional modeling
Une phase 10 du procédé consiste à modéliser le squelette atomique du matériau poly-cristallin pour lequel on souhaite générer une signature théorique. Contrairement au procédé selon la présente invention, la méthode décrite dans le document XP055266074 ne comprend pas d'étape de modélisation pour calculer des signatures théoriques. En effet dans XP055266074, les signatures théoriques sont calculées en utilisant des profils expérimentaux. Le fait de modéliser le squelette atomique du matériau poly-cristallin pour lequel on souhaite générer une signature théorique permet de limiter les coûts et temps associés à la génération des signatures théoriques. Dans une première étape, un motif atomique élémentaire composé d'atomes 24 - ou « maille cristalline » - est produit à l'aide d'un logiciel de modélisation tridimensionnel. Chaque atome 24 est représenté par une sphère, les tailles et positions des différents atomes 24 étant déterminées de sorte à respecter des données théoriques et expérimentales relatives à la cristallographie du matériau. A phase 10 of the method consists in modeling the atomic skeleton of the polycrystalline material for which it is desired to generate a theoretical signature. Unlike the method according to the present invention, the method described in document XP055266074 does not include a modeling step to calculate theoretical signatures. Indeed in XP055266074, the theoretical signatures are calculated using experimental profiles. Modeling the atomic skeleton of the polycrystalline material for which it is desired to generate a theoretical signature makes it possible to limit the costs and time associated with the generation of the theoretical signatures. In a first step, an elementary atomic pattern composed of atoms 24 - or "crystalline mesh" - is produced using a three-dimensional modeling software. Each atom 24 is represented by a sphere, the sizes and positions of the different atoms 24 being determined so as to respect theoretical and experimental data relating to the crystallography of the material.
Le motif élémentaire est ensuite répété périodiquement une pluralité de fois dans les trois dimensions de l'espace pour former un squelette cristallin tridimensionnel représentatif du matériau pour lequel on souhaite générer la signature théorique. Les squelettes cristallins ainsi obtenus peuvent présenter différentes formes, telles qu'une forme parallélépipédique, cubique, hexagonale, etc. Avantageusement, une étape de la modélisation peut consister à sélectionner les atomes 24 du squelette contenus dans un volume de sélection présentant une symétrie centrale de révolution tel qu'une sphère. Ceci permet de normaliser la profondeur d'analyse du matériau considéré. Plus précisément, ceci permet de rendre la profondeur d'analyse du matériau indépendante de la géométrie d'acquisition. The elementary pattern is then periodically repeated a plurality of times in the three dimensions of space to form a three-dimensional crystalline skeleton representative of the material for which it is desired to generate the theoretical signature. The crystalline skeletons thus obtained may have different shapes, such as parallelepiped, cubic, hexagonal, etc. Advantageously, a modeling step may consist in selecting the skeleton atoms contained in a selection volume having a central symmetry of revolution such as a sphere. This makes it possible to standardize the analysis depth of the considered material. More precisely, this makes it possible to make the depth of analysis of the material independent of the acquisition geometry.
En effet, afin de construire une signature théorique des intensités d'un matériau cristallin d'orientation cristalline connue, il est nécessaire de déterminer le niveau d'intensité théorique de chaque atome 24 pour différentes géométries d'acquisition.  In fact, in order to construct a theoretical signature of the intensities of a crystalline material of known crystalline orientation, it is necessary to determine the theoretical intensity level of each atom 24 for different acquisition geometries.
Pour ce faire, il est préférable que la profondeur d'analyse (i.e. distance entre le plan de projection 21 et l'atome 24 du matériau le plus éloigné dudit plan selon une direction de projection 23) reste approximativement constante quelle que soit la géométrie d'acquisition.  To do this, it is preferable that the analysis depth (ie the distance between the projection plane 21 and the atom 24 of the material farthest from said plane in a projection direction 23) remains approximately constant regardless of the geometry of the projection. 'acquisition.
Ce n'est pas le cas lorsque le squelette est par exemple cubique. En effet, lors d'une rotation d'un squelette cristallin cubique, la profondeur d'analyse considérée change. Ceci est illustré à la figure 3 où un même squelette cristallin cubique est représenté pour :  This is not the case when the skeleton is for example cubic. Indeed, during a rotation of a cubic crystalline skeleton, the depth of analysis considered changes. This is illustrated in FIG. 3, where a same cubic crystalline skeleton is represented for:
- une première géométrie d'acquisition (figure 3a) et  a first acquisition geometry (FIG. 3a) and
- une deuxième géométrie d'acquisition (figure 3b) correspondant à une rotation du squelette d'un angle de 45° par rapport à la première géométrie d'acquisition.  a second acquisition geometry (FIG. 3b) corresponding to a rotation of the skeleton by an angle of 45 ° with respect to the first acquisition geometry.
Dans le cas de la figure 3a, la profondeur d'analyse est constante sur toute la projection. Dans le cas de la figure 3b, la profondeur d'analyse varie entre le centre et la périphérie du squelette cristallin cubique.  In the case of Figure 3a, the depth of analysis is constant over the entire projection. In the case of Figure 3b, the depth of analysis varies between the center and the periphery of the cubic crystalline skeleton.
Le fait que la profondeur d'analyse soit différente entre les première et deuxième géométries d'acquisition introduit une instabilité mathématique dans l'estimation de l'intensité pour chacune de ces géométries d'acquisition.  The fact that the analysis depth is different between the first and second acquisition geometries introduces a mathematical instability into the intensity estimation for each of these acquisition geometries.
Pour rendre la profondeur d'analyse indépendante de la géométrie d'acquisition de la structure cristalline, les inventeurs proposent de ne considérer (lors des phases suivantes du procédé) que les atomes 24 contenus dans une sphère 22 inscrite dans le squelette cristallin, comme illustré aux figures 4a et 4b.  To make the analysis depth independent of the acquisition geometry of the crystalline structure, the inventors propose to consider (in the following phases of the process) only the atoms 24 contained in a sphere 22 inscribed in the crystalline skeleton, as illustrated. Figures 4a and 4b.
C'est pourquoi la phase de modélisation peut comprendre une étape consistant à former une structure cristalline d'intérêt à partir du squelette cristallin, la structure comprenant au moins une maille cristalline et étant contenue dans un volume présentant une symétrie de révolution de sorte que la distance entre un centre de la structure et les atomes 24 disposés à la périphérie de la structure est sensiblement constante. This is why the modeling phase may comprise a step of forming a crystalline structure of interest from the crystalline skeleton, the structure comprising at least one crystalline mesh and being contained in a volume having a symmetry of revolution so that the distance between a center of the structure and the atoms 24 disposed at the periphery of the structure is substantially constant.
On obtient ainsi une structure atomique tridimensionnelle sphérique. On entend, dans le cadre de la présente invention, par structure atomique « sphérique », une structure dans laquelle la distance entre :  A spherical three-dimensional atomic structure is thus obtained. In the context of the present invention, the term "spherical" atomic structure is understood to mean a structure in which the distance between:
- la paroi de la plus petite sphère dans laquelle ladite structure est inscrite, et the wall of the smallest sphere in which said structure is inscribed, and
- chaque atome 24 de la périphérie de la structure each atom 24 of the periphery of the structure
est inférieure à deux fois la distance entre deux atomes adjacents de la structure. is less than twice the distance between two adjacent atoms of the structure.
Ainsi, quelle que soit la géométrie d'acquisition choisie, la profondeur reste approximativement la même d'une géométrie d'acquisition à l'autre (cf. figures 4a et 4b).  Thus, whatever the acquisition geometry chosen, the depth remains approximately the same from one acquisition geometry to the other (see FIGS. 4a and 4b).
Une fois la phase de modélisation terminée, les phases suivantes du procédé (i.e. phases de positionnement, de définition d'un niveau d'interaction, de projection et d'estimation) sont itérées pour différentes positions de la structure cristalline par rapport au plan de projection 21 .  Once the modeling phase is complete, the following phases of the process (ie phases of positioning, definition of a level of interaction, projection and estimation) are iterated for different positions of the crystal structure with respect to the projection 21.
La phase de positionnement consiste à agencer la structure tridimensionnelle modélisée par rapport au plan de projection 21 selon la géométrie d'acquisition désirée. Cette phase classique en elle-même ne sera pas décrite plus en détails dans la suite.  The positioning phase consists of arranging the three-dimensional structure modeled with respect to the projection plane 21 according to the desired acquisition geometry. This classic phase in itself will not be described in more detail later.
3.2. Niveaux d'interaction 3.2. Levels of interaction
Une autre phase du procédé consiste, pour chaque atome 24 de la structure, à définir un niveau d'interaction théorique entre ledit atome 24 et le faisceau de particules chargées, ce niveau d'interaction dépendant de la position de l'atome 24 par rapport au plan de projection (et donc du positionnement de la structure). Another phase of the process consists, for each atom 24 of the structure, in defining a level of theoretical interaction between said atom 24 and the charged particle beam, this level of interaction depending on the position of the atom 24 relative to to the projection plane (and thus the positioning of the structure).
Cette phase permet de limiter les risques de saturation lors de la phase ultérieure de projection de la structure sur le plan de projection 21 .  This phase makes it possible to limit the risks of saturation during the subsequent projection phase of the structure on the projection plane 21.
Le phénomène de saturation peut être expliqué de la façon suivante en référence aux figures 1 a à 1 c.  The saturation phenomenon can be explained in the following manner with reference to FIGS. 1a to 1c.
Pour certaines géométries d'acquisition telles qu'illustrées à la figure 1 a, il est aisé de distinguer les alignements d'atomes 24 en analysant la projection de la structure cristalline sphérique sur le plan de projection 21 . En revanche, lorsque les atomes 24 ne présentent pas d'alignement marqué, l'analyse devient plus difficile. En effet, la projection de la structure selon deux géométries d'acquisition très différentes mais ne présentant pas d'alignement marqués peut être presque identique car totalement saturée, notamment au centre de la structure où la profondeur d'analyse est la plus grande (cf. figures 1 b et 1 c). For some acquisition geometries as illustrated in FIG. 1a, it is easy to distinguish the alignments of atoms 24 by analyzing the projection of the spherical crystalline structure on the projection plane 21. On the other hand, when the atoms 24 do not show marked alignment, the analysis becomes more difficult. Indeed, the projection of the structure according to two very different acquisition geometries but not showing marked alignment can be almost identical because it is completely saturated, notably in the center of the structure where the depth of analysis is greatest (cf. Figures 1b and 1c).
Or, le niveau d'intensité constaté expérimentalement serait lui bien différent pour ces deux géométries d'acquisition. Ce phénomène est d'autant plus marqué que le nombre d'atomes 24 dans la structure augmente. Dans le cas limite d'un très grand nombre d'atomes 24, la projection serait totalement saturée dès le moindre défaut d'alignement.  However, the level of intensity found experimentally would be very different for these two acquisition geometries. This phenomenon is all the more marked as the number of atoms 24 in the structure increases. In the limit case of a very large number of atoms 24, the projection would be totally saturated at the slightest misalignment.
Cela est contre-intuitif et problématique car une modélisation d'un plus grand nombre d'atomes 24 devrait accroître la précision du modèle théorique et non la dégrader.  This is counterintuitive and problematic because modeling a larger number of atoms 24 should increase the accuracy of the theoretical model and not degrade it.
Afin d'éviter ce phénomène de saturation, les inventeurs proposent de définir pour chaque atome 24 de la structure tridimensionnel un niveau d'interaction qui est une fonction décroissante de la distance de l'atome au plan de projection 21 .  In order to avoid this saturation phenomenon, the inventors propose to define for each atom 24 of the three-dimensional structure a level of interaction which is a decreasing function of the distance of the atom from the projection plane 21.
D'un point de vue physique, cette fonction représente la probabilité d'interaction du faisceau de particules chargées émis par la source avec l'atome 24 considéré. Ainsi, les atomes 24 les plus proches du plan de projection 21 sont considérés comme interagissant fortement avec le faisceau de particules chargées, et produisant une forte intensité. En d'autres termes, dans le cas d'un faisceau d'ions par exemple, les atomes 24 proches du plan de projection 21 (et correspondant donc à des atomes 24 du matériau proche de la source et du détecteur) sont considérés comme produisant une grande quantité de particules chargées secondaires et rétrodiff usées. A contrario, les atomes 24 en profondeur (i.e. très éloignés du plan de projection 21 correspondant au plan contenant le détecteur) sont considérés comme interagissant faiblement avec le faisceau et produisant donc moins d'électrons. Ceci est conforme à ce qui est constaté expérimentalement.  From a physical point of view, this function represents the probability of interaction of the charged particle beam emitted by the source with the atom 24 considered. Thus, the atoms 24 closest to the projection plane 21 are considered to interact strongly with the charged particle beam, and producing a high intensity. In other words, in the case of an ion beam for example, the atoms 24 close to the projection plane 21 (and therefore corresponding to atoms 24 of the material near the source and the detector) are considered as producing a large amount of secondary charged and spent retrodiff particles. On the other hand, the atoms 24 at depth (i.e. very far from the projection plane 21 corresponding to the plane containing the detector) are considered as interacting weakly with the beam and thus producing fewer electrons. This is consistent with what is found experimentally.
La fonction de décroissance peut être de la forme suivante : N(d) = a. dP  The decay function can be of the following form: N (d) = a. dP
avec N(d) le niveau d'intensité d'un atome à la distance d du plan de projection, a et β dépendants du matériau et du protocole expérimental. Ainsi, même en présence d'un échantillon modélisé avec un très grand nombre d'atomes 24, les atomes 24 les plus en profondeur (i.e. les atomes 24 les plus éloignés du plan de projection 21 représentatifs des atomes les plus éloignés de la source et du détecteur) joueront un rôle faible et ne satureront pas la projection. with N (d) the intensity level of an atom at the distance d from the projection plane, a and β depending on the material and the experimental protocol. Thus, even in the presence of a sample modeled with a very large number of atoms 24, the deepest atoms 24 (ie the atoms 24 furthest from the projection plane 21 representative of the atoms furthest from the source and detector) will play a weak role and will not saturate the projection.
En pratique pour un atome 24 donné, la définition de son niveau d'interaction théorique se traduit par l'attribution d'un niveau de gris « N » à l'atome. Ce niveau de gris peut être calculé en utilisant la fonction de décroissance précitée ou en utilisant une table de correspondance ou en mettant en œuvre tout type de correspondance connue de l'homme du métier.  In practice for a given atom 24, the definition of its theoretical interaction level results in the attribution of a gray level "N" to the atom. This gray level can be calculated by using the aforementioned decay function or by using a correspondence table or by implementing any type of correspondence known to those skilled in the art.
Par exemple si l'on considère des premier et deuxième plans parallèles au plan de projection 21 et positionnés à des distances successives croissantes du plan de projection 21 de sorte que le premier plan soit plus proche du plan de projection 21 que le deuxième plan, alors :  For example if we consider first and second planes parallel to the projection plane 21 and positioned at increasing successive distances from the projection plane 21 so that the first plane is closer to the projection plane 21 than the second plane, then :
- la valeur de niveau de gris « 255 » (correspondant au blanc) peut être attribuée aux atomes 24 de la structure contenus dans un volume compris entre le plan de projection 21 et le premier plan,  the value of gray level "255" (corresponding to white) can be attributed to the atoms 24 of the structure contained in a volume between the projection plane 21 and the first plane,
- la valeur de niveau de gris « 127 » (correspondant au gris) peut être attribuée aux atomes 24 de la structure contenus dans un volume compris entre les premiers et deuxième plans,  the value of gray level "127" (corresponding to gray) can be attributed to the atoms 24 of the structure contained in a volume comprised between the first and second planes,
- la valeur de niveau de gris « 0 » (correspondant au noir) peut être attribuée aux autres atomes 24 de la structure (i.e. atomes situés au-delà du deuxième plan relativement au plan de projection).  the value of gray level "0" (corresponding to black) can be attributed to the other atoms 24 of the structure (i.e. atoms located beyond the second plane relative to the projection plane).
3.3. Projection 3.3. Projection
Une autre phase du procédé consiste à projeter les atomes 24 de la structure dans le plan de projection 21 . Le plan de projection 21 correspond au plan dans lequel est contenu le détecteur. Another phase of the process consists of projecting the atoms 24 of the structure into the projection plane 21. The projection plane 21 corresponds to the plane in which the detector is contained.
Lors de la projection des sphères sur le plan de projection 21 , celles-ci forment des disques ayant chacun un niveau d'intensité calculé en fonction de la distance de la sphère au plan de projection 21 lors de la phase de définition des niveaux d'interaction. Ce niveau d'interaction peut être visualisé sous la forme d'un niveau de gris, l'interaction la plus forte étant représentée en blanc (valeur 255) et la moins forte en noir (0) si les pixels du plan de projection 21 sont supposés initialisés à 0 (noir). During the projection of the spheres on the projection plane 21, the latter form discs each having a level of intensity calculated as a function of the distance of the sphere to the projection plane 21 during the phase of defining the levels of projection. interaction. This level of interaction can be visualized in the form of a gray level, the strongest interaction being represented in white (value 255) and the weakest in black (0) if the pixels of the projection plane 21 are assumed to be 0 (black).
Cependant, les atomes 24 de la structure localisés en profondeur (i.e. les atomes 24 les plus éloignés du plan de projection 21 ) n'interagissent avec le faisceau que si ce dernier n'a pas déjà interagi avec un atome 24 situé au-dessus de lui par rapport au plan de projection 21 . Il est donc préférable de gérer la « visibilité » des atomes par le faisceau lors de la projection.  However, the deep-seated atoms 24 of the structure (ie the atoms 24 furthest away from the projection plane 21) interact with the beam only if the beam has not already interacted with an atom 24 situated above the beam. him in relation to the projection plan 21. It is therefore preferable to manage the "visibility" of the atoms by the beam during the projection.
Pour chaque atome 24, la projection est donc réalisée en n'affichant que la partie de l'atome 24 qui n'est pas masquée par un ou plusieurs atomes 24 situés entre elle et le plan de projection 21 selon la direction de projection 23.  For each atom 24, the projection is thus performed by displaying only the part of the atom 24 which is not masked by one or more atoms 24 located between it and the projection plane 21 in the projection direction 23.
Différentes techniques de projection peuvent être employées pour tenir compte de ce critère de projection.  Different projection techniques can be used to accommodate this projection criterion.
Par exemple, tous les atomes 24 peuvent être projetés sur le plan de projection de l'atome 24 du plus éloignés au plus proche du plan de projection, la valeur attribuée à chaque pixel du plan de projection étant systématiquement remplacée par la valeur associée à l'atome 24 le plus proche du plan de projection selon la direction de projection 23. 3.4. Evaluation  For example, all the atoms 24 can be projected on the projection plane of the atom 24 from the farthest to the nearest of the projection plane, the value attributed to each pixel of the projection plane being systematically replaced by the value associated with the projection. atom 24 closest to the projection plane in the direction of projection 23. 3.4. Evaluation
La projection peut être visualisée sous la forme d'une image en niveaux de gris, les atomes 24 ayant une interaction forte avec le faisceau étant en blanc et ceux ayant une interaction plus faible de couleur plus sombre. On a illustré à la figure 5 une telle image. The projection can be visualized in the form of a grayscale image, the atoms 24 having a strong interaction with the beam being in white and those having a weaker interaction of darker color. FIG. 5 illustrates such an image.
Chaque portion visible du projeté de chaque atome 24 contribue à hauteur de son niveau d'interaction et de la surface visible projetée à l'intensité théorique finale. Cela peut s'interpréter graphiquement comme une fonction de la « luminosité » totale de la projection visualisée sous la forme d'une image en niveaux de gris.  Each visible portion of the projected of each atom 24 contributes up to its level of interaction and the visible surface projected at the final theoretical intensity. This can be interpreted graphically as a function of the total "brightness" of the projection displayed as a grayscale image.
On calcule l'intensité finale en fonction de la somme des valeurs de l'ensemble des pixels de l'image. Plus précisément, l'intensité finale est par exemple calculée en utilisant une fonction polynomiale, telle que le carré de la moyenne des valeurs. L'intensité ainsi calculé pour une géométrie d'acquisition donnée est reportée dans un graphique représentant l'intensité théorique en fonction de la géométrie d'acquisition. Pour obtenir une signature théorique, on réitère les phases de définition des niveaux d'interaction théorique avec le faisceau de particules chargées, de projection, et d'évaluation pour une pluralité de géométhes d'acquisition différentes. Cela se traduit par une modification de la position du plan de projection par rapport à la modélisation mise en œuvre lors de l'étape de modélisation. The final intensity is calculated as a function of the sum of the values of all the pixels of the image. More precisely, the final intensity is for example calculated using a polynomial function, such as the square of the average of the values. The intensity thus calculated for a given acquisition geometry is plotted in a graph representing the theoretical intensity as a function of the acquisition geometry. To obtain a theoretical signature, the phases of definition of the levels of theoretical interaction with the beam of charged, projection, and evaluation particles for a plurality of different acquisition geometheses are reiterated. This results in a modification of the position of the projection plane compared to the modeling implemented during the modeling step.
3.5. Améliorations à la phase d'évaluation 3.5. Improvements to the evaluation phase
Le projeté du modèle sphérique forme un disque dont le bord extérieur est formé d'une épaisseur assez faible d'atomes 24. Cela ne pose pas de problème car l'épaisseur de l'échantillon est de même répartition quelle que soit la géométrie d'acquisition étudiée. The projected spherical model forms a disc whose outer edge is formed of a relatively small thickness of atoms 24. This is not a problem because the thickness of the sample is of the same distribution whatever the geometry of studied acquisition.
Il est cependant possible de n'exploiter qu'une partie de l'image de projection (obtenue lors de la phase de projection dans le plan de projection) le tout en conservant une bonne approximation de l'intensité attendue et ce afin de limiter la charge de calcul lors de l'implémentation informatique de la méthode.  However, it is possible to exploit only a part of the projection image (obtained during the projection phase in the projection plane) while keeping a good approximation of the expected intensity and this in order to limit the computing load during the computer implementation of the method.
Dans cette optique, trois méthodes de réduction exposées ci-après ont été étudiées :  With this in mind, three reduction methods described below have been studied:
- le carré inscrit : l'évaluation des contributions ne se fait que pour les éléments de projection situés dans un carré inscrit dans le disque de projection ; les résultats obtenus sont très proches étant donnée la faible pertinence des projetés en bordure de disque et permettent une économie de traitement significative ;  - the inscribed square: the evaluation of the contributions is only done for the projection elements located in a square inscribed in the projection disk; the results obtained are very close given the low relevance of the projected disk edge and allow significant savings in processing;
- l'élément unitaire de pavage : il est possible de calculer la projection d'une (ou plusieurs) maille(s) formant un pavage de l'espace dans l'image finale ; cela consiste à ne retenir comme zone d'analyse que l'enveloppe convexe de la projection de cette (ou ces) maille(s) ; dans le cas du TiN, il s'agit du projeté d'un cube ; cette projection représente une approximation d'un pavé sur le plan de projection et suffit à déduire une intensité théorique de bonne qualité ; le coût de calcul de l'enveloppe convexe est moindre que l'économie réalisée en surface d'analyse, l'optimisation est donc rentable.  - The unitary element of paving: it is possible to calculate the projection of one (or more) mesh (s) forming a tiling of the space in the final image; this consists in retaining as zone of analysis only the convex envelope of the projection of this (or these) mesh (s); in the case of TiN, it is the projected cube; this projection represents an approximation of a block on the projection plane and is sufficient to deduce a theoretical intensity of good quality; the cost of calculating the convex envelope is less than the savings made on the analysis surface, the optimization is therefore profitable.
- Approximation du pavé unitaire : plutôt que de réduire l'espace d'analyse à un pavé unitaire, on peut la réduire au carré dans lequel s'inscrit le pavé unitaire ; cette réduction ne dégrade que faiblement la qualité des intensités estimées et permet de s'affranchir du calcul de l'enveloppe convexe de projection. - Approximation of the unit block: rather than reducing the analysis space to a unitary block, it can be reduced to the square in which the unit block is inscribed; this reduction degrades only slightly the quality of the estimated intensities and makes it possible to overcome the calculation of the convex hull of projection.
Afin de limiter les temps de traitement, on remarque qu'il est possible d'exclure du calcul de projection les atomes 24 dont le projeté du centre de trouve à plus d'un rayon atomique de distance de la zone analysée sur le plan de projection, Ce qui permet d'emblée de ne pas se préoccuper des disques et des chevauchements des atomes 24 qui n'auront pas d'incidence sur le résultat.  In order to limit the processing times, it is noted that it is possible to exclude from the projection calculation the atoms 24 whose projected center is more than one atomic radius away from the analyzed zone on the projection plane. This allows from the start not to worry about the discs and overlaps of the atoms 24 that will not affect the result.
4. Système pour la mise en œuyre du procédé de génération de signatures théoriques 4. System for implementing the method for generating theoretical signatures
Le procédé de génération de signatures théoriques peut être mis en œuvre dans un système de traitement incluant : The method of generating theoretical signatures can be implemented in a processing system including:
- des moyens de saisie - tels qu'un clavier ou une souris - pour permettre à un utilisateur le positionnement des atomes 24 d'une maille cristalline lors de la phase de modélisation,  input means - such as a keyboard or a mouse - to enable a user to position the atoms 24 of a crystalline mesh during the modeling phase,
- des moyens d'affichage - tels qu'un écran - pour permettre la visualisation des images de projection ou de la signature théorique, et  display means, such as a screen, for displaying the projection images or the theoretical signature, and
- des moyens de traitement - tels qu'un processeur ou un calculateur ou un microcontrôleur ou tout autre circuit programmable - pour estimer les signatures théoriques.  - Processing means - such as a processor or a computer or a microcontroller or any other programmable circuit - to estimate the theoretical signatures.
Le système de traitement est par exemple un/des ordinateur(s), un/des micro- ordinateurs), ou d'autres dispositifs connus de l'homme du métier tels qu'une station de travail.  The processing system is for example a computer (s), a microcomputer (s), or other devices known to those skilled in the art such as a workstation.
Les moyens de traitement sont de préférence couplés à une (ou plusieurs) mémoire(s) qui peu(ven)t être intégrée(s) au ou séparée(s) des moyens de traitement. La mémoire peut être une mémoire ROM/RAM, une clé USB, une mémoire d'un serveur central. Cette mémoire peut permettre de stocker des instructions de code de programmation destinées à exécuter les étapes du procédé de génération de signatures théoriques.  The processing means are preferably coupled to one (or more) memory (s) which can be integrated or separate from the processing means. The memory can be a ROM / RAM memory, a USB key, a memory of a central server. This memory can be used to store programming code instructions for performing the steps of the method of generating theoretical signatures.
5. Conclusions On a décrit un procédé et un système pour la génération de signatures théoriques utilisables pour cartographier les orientations cristallines d'un matériau à analyser. 5. Conclusions A method and system for the generation of theoretical signatures useful for mapping crystal orientations of a material to be analyzed has been described.
Le procédé comprend notamment les phases suivantes :  The method comprises in particular the following phases:
- Modéliser la structure atomique de l'échantillon de matériau selon une forme sphérique,  - Model the atomic structure of the sample of material in a spherical form,
- Pour chaque point de la signature théorique :  - For each point of the theoretical signature:
o Positionner la structure sphérique selon la géométrie d'acquisition désirée en déplaçant la structure sphérique par rapport au plan de projection, et définir la contribution de chaque atome 24 de la structure sphérique  o Position the spherical structure according to the desired acquisition geometry by moving the spherical structure with respect to the projection plane, and define the contribution of each atom 24 of the spherical structure
o Calculer la projection des atomes 24 contribuant au résultat, o Evaluer le résultat en fonction de la projection obtenue.  o Calculate the projection of the 24 atoms contributing to the result, o Evaluate the result as a function of the projection obtained.
Contrairement aux méthodes de calcul de signatures théoriques antérieures, le procédé selon l'invention tient compte de phénomènes physiques pour s'affranchir des erreurs de calcul des méthodes antérieures.  Unlike methods for calculating earlier theoretical signatures, the method according to the invention takes physical phenomena into account in order to overcome the calculation errors of the prior methods.
Notamment, en pondérant chaque atome 24 par un coefficient représentatif de sa visibilité, le procédé selon l'invention tient compte du fait que la profondeur de pénétration du faisceau de particules chargées est limitée à une épaisseur maximum du matériau analysé.  In particular, by weighting each atom 24 by a coefficient representative of its visibility, the method according to the invention takes into account the fact that the depth of penetration of the charged particle beam is limited to a maximum thickness of the analyzed material.
Par ailleurs, en créant une structure cristalline d'intérêt dont les atomes 24 situés à la périphérie sont inscrits dans un volume présentant une symétrie centrale de révolution, le procédé permet de s'affranchir d'effets de bords indésirables liés à la rotation de la structure.  Furthermore, by creating a crystalline structure of interest whose peripherally located atoms 24 are inscribed in a volume having a central symmetry of revolution, the method makes it possible to overcome the effects of undesirable edges related to the rotation of the structure.
Enfin en ne conservant dans la projection, que les portions d'atomes non recouvertes par un atome 24 situé à une distance inférieure du plan de projection, le procédé selon l'invention permet de distinguer :  Finally, while keeping in the projection only the portions of atoms not covered by an atom 24 located at a distance less than the projection plane, the method according to the invention makes it possible to distinguish:
- le rayonnement rétrodiffusé ayant été reçu par le détecteur  - the backscattered radiation received by the detector
- du rayonnement rétrodiffusé ayant été bloqué par un atome 24 situé sur le chemin de parcours dudit rayonnement rétrodiffusé.  - Backscattered radiation having been blocked by an atom 24 located on the path of said backscattered radiation.
On éviter les risques de cumul de contributions entre les atomes 24 aux différentes profondeurs. Le procédé décrit précédemment a été évalué sur des échantillons de nitrure de titane et de fer, de structure cristalline cubique, mais est généralisable à d'autres structures cristallines. Notamment, le procédé décrit précédemment peut être utilisé pour générer des signatures théoriques pour tout type de matériau poly-cristallin tel qu'un métal, une céramique. The risks of cumulation of contributions between atoms 24 at different depths are avoided. The method described above has been evaluated on titanium nitride and iron samples of cubic crystalline structure, but can be generalized to other crystalline structures. In particular, the method described above can be used to generate theoretical signatures for any type of polycrystalline material such as a metal or a ceramic.
Le lecteur aura compris que de nombreuses modifications peuvent être apportées au procédé décrit ci-dessus sans sortir matériellement des nouveaux enseignements présentés ici.  The reader will have understood that many modifications can be made to the method described above without physically going out of the new teachings presented here.
Par exemple, le procédé peut être utilisé pour déterminer les signatures théoriques d'un matériau monocristallin.  For example, the method can be used to determine the theoretical signatures of a monocrystalline material.
Il est donc bien évident que les exemples qui viennent d'être donnés ne sont que des illustrations en aucun cas limitatives.  It is therefore obvious that the examples which have just been given are only illustrations that are in no way limitative.

Claims

REVENDICATIONS
1 . Procédé de création d'une signature théorique d'un échantillon de matériau cristallin, la signature théorique correspondant à une courbe d'intensités rétrodiffusées théoriques en fonction de géométries d'acquisition, caractérisé en ce que le procédé comprend les étapes suivantes : 1. A method for creating a theoretical signature of a sample of crystalline material, the theoretical signature corresponding to a theoretical backscattered intensity curve as a function of acquisition geometries, characterized in that the method comprises the following steps:
- Modélisation (10) d'une structure tridimensionnelle atomique de l'échantillon, la structure comprenant au moins une maille cristalline et étant contenue dans un volume présentant une symétrie de révolution de sorte que la distance entre un centre de la structure et les atomes (24) disposés à la périphérie de la structure est sensiblement constante,  - Modeling (10) of a three-dimensional atomic structure of the sample, the structure comprising at least one crystalline mesh and being contained in a volume having a symmetry of revolution so that the distance between a center of the structure and the atoms ( 24) disposed at the periphery of the structure is substantially constant,
- Puis pour chaque géométrie d'acquisition :  - Then for each acquisition geometry:
o Positionnement (20) de la structure selon la géométrie d'acquisition désirée en déplaçant la structure tridimensionnelle par rapport à un plan de projection,  o Positioning (20) of the structure according to the desired acquisition geometry by moving the three-dimensional structure with respect to a projection plane,
o Calcul (40) de la projection des atomes (24) de la structure dans le plan de projection pour obtenir une image de projection,  o Calculation (40) of the projection of the atoms (24) of the structure in the projection plane to obtain a projection image,
o Estimation (50) de l'intensité rétrodiffusée à partir de l'image de projection,  o Estimation (50) of the backscattered intensity from the projection image,
- Génération de la signature théorique à partir d'une pluralité d'intensités rétrodiffusées théoriques estimées.  - Generation of the theoretical signature from a plurality of estimated theoretical backscattered intensities.
2. Procédé de création selon la revendication 1 , dans lequel la structure tridimensionnelle est sphérique. 2. Creation method according to claim 1, wherein the three-dimensional structure is spherical.
3. Procédé de création selon l'une quelconque des revendications 1 ou 2, lequel comprend en outre une étape de définition (30) d'un niveau d'interaction pour chaque atome, ladite étape consistant à allouer à chaque atome un coefficient représentatif d'une contribution théorique de l'atome à l'intensité rétrodiffusée. 3. Creation method according to any one of claims 1 or 2, which further comprises a step of defining (30) an interaction level for each atom, said step of allocating to each atom a representative coefficient of a theoretical contribution of the atom to the backscattered intensity.
4. Procédé selon la revendication 3, dans lequel l'étape de définition (30) consiste à attribuer une valeur de niveau de gris à chaque atome de la structure en fonction :The method of claim 3, wherein the defining step (30) comprises assigning a gray level value to each atom of the structure based on:
- de la distance entre ledit atome donné et le plan de projection et/ou - du nombre d'atomes situés entre ledit atome donné et le plan de projection. the distance between said given atom and the projection plane and / or the number of atoms situated between said given atom and the projection plane.
Procédé selon l'une quelconque des revendications 3 ou 4, dans lequel l'étape de définition (30) consiste, pour un atome donné de la structure, à attribuer une valeur de niveau de gris à chaque atome en fonction de la distance entre ledit atome donné, la valeur de niveau de gris attribuée étant calculé à partir d'une fonction de décroissance de la forme suivante : A method according to any one of claims 3 or 4, wherein the defining step (30) consists, for a given atom of the structure, in assigning a gray level value to each atom as a function of the distance between said given atom, the assigned gray level value being calculated from a decay function of the following form:
N(d) = a. d?  N (d) = a. d?
Avec :  With:
- N(d) : le niveau de gris à attribuer à l'atome  - N (d): the level of gray to be attributed to the atom
- d : la distance entre l'atome et le plan de projection,  d: the distance between the atom and the projection plane,
- a et β des coefficients fixes.  - a and β fixed coefficients.
Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel l'étape de calcul de la projection comprend l'attribution à chaque pixel de l'image de projection : A method as claimed in any one of claims 1 to 5, wherein the step of calculating the projection comprises assigning each pixel of the projection image:
- de la valeur 0 si aucun atome n'est traversé par la direction de projection (23), the value 0 if no atom is crossed by the projection direction (23),
- de la valeur associée à l'atome le plus proche du plan de projection (21 ) si au moins un atome est traversé par la direction de projection (23). - the value associated with the atom closest to the projection plane (21) if at least one atom is crossed by the projection direction (23).
Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel l'étape d'estimation de l'intensité comprend l'application d'une fonction polynomiale aux valeurs de niveau de gris des pixels de l'image de projection. A method as claimed in any one of claims 1 to 6, wherein the step of estimating the intensity comprises applying a polynomial function to the gray level values of the pixels of the projection image.
Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel l'étape d'estimation de l'intensité comprend les sous-étapes consistant à : The method of any one of claims 1 to 6, wherein the step of estimating the intensity comprises the substeps of:
- sélectionner une région de l'image de projection,  - select a region of the projection image,
- sommer les valeurs niveau de gris des pixels de la région sélectionnée, et - sum the gray level values of the pixels of the selected region, and
- diviser la somme obtenue par le nombre de pixels de la région sélectionnée. - divide the sum obtained by the number of pixels of the selected region.
Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel l'étape de modélisation comprend les sous-étapes consistant à : A method as claimed in any one of the preceding claims, wherein the modeling step comprises the substeps of:
- produire un motif atomique élémentaire composé d'atomes, notamment à partir d'un logiciel de modélisation tridimensionnel, - répéter le motif atomique (notamment une pluralité de fois) selon au moins une (notamment chacune) des trois dimensions de l'espace pour générer un squelette cristallin tridimensionnel, to produce an elementary atomic pattern composed of atoms, in particular from a three-dimensional modeling software, repeating the atomic pattern (in particular a plurality of times) according to at least one (in particular each) of the three dimensions of the space to generate a three-dimensional crystalline skeleton,
- former une structure tridimensionnelle atomique à partir du squelette cristallin tridimensionnel.  - forming a three-dimensional atomic structure from the three-dimensional crystalline skeleton.
10. Procédé selon la revendication précédente, dans lequel la sous-étape consistant à former une structure tridimensionnelle comprend la sélection d'atomes du squelette contenus dans un volume de sélection, le volume de sélection présentant par exemple une symétrie centrale de révolution. 10. Method according to the preceding claim, wherein the substep of forming a three-dimensional structure comprises the selection of skeletal atoms contained in a selection volume, the selection volume having for example a central symmetry of revolution.
1 1 . Produit programme d'ordinateur comprenant des instructions de code de programmation destinées à exécuter les étapes du procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 8 lorsque ledit programme est exécuté sur un ordinateur. 1 1. A computer program product comprising programming code instructions for performing the steps of the method of any one of claims 1 to 8 when said program is run on a computer.
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