EP2727334A1 - Matrix of pixels with programmable clusters - Google Patents

Matrix of pixels with programmable clusters

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Publication number
EP2727334A1
EP2727334A1 EP12733654.3A EP12733654A EP2727334A1 EP 2727334 A1 EP2727334 A1 EP 2727334A1 EP 12733654 A EP12733654 A EP 12733654A EP 2727334 A1 EP2727334 A1 EP 2727334A1
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EP
European Patent Office
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pixel
pixels
line
matrix
current pixel
Prior art date
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Withdrawn
Application number
EP12733654.3A
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German (de)
French (fr)
Inventor
Marc Arques
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Trixell SAS
Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA
Original Assignee
Commissariat a lEnergie Atomique CEA
Trixell SAS
Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA
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Publication date
Application filed by Commissariat a lEnergie Atomique CEA, Trixell SAS, Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA filed Critical Commissariat a lEnergie Atomique CEA
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Withdrawn legal-status Critical Current

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    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/17—Circuit arrangements not adapted to a particular type of detector
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/40—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled
    • H04N25/46—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled by combining or binning pixels
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
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    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
    • H04N25/68—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to defects
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    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H04N25/74—Circuitry for scanning or addressing the pixel array
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    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components

Abstract

The invention relates to an imaging device comprising a matrix (10; 20; 30) of pixels (P(i,j); Q(ij); R(ij); X(ij); Y(ij)) organised in lines and columns, and a method for implementing said device. According to the invention, each current pixel (P(ij); Q(ij); R(ij); X(ij); Y(ij)) comprises : a line cluster interrupter (B(i,j)) allowing the current pixel (P(ij); Q(ij); R(ij); X(ij); Y(ij)) to be grouped with the following pixel (P(ij+1 ); Q(ij+1 ); R(ij+1 ); X(U+1 ); Y(U+1 )) of the same line; a column cluster interrupter (A(ij)) allowing the current pixel (P(i,j); Q(i,j); R(i,j); X(i,j); Y(i,j)) to be grouped with the following pixel (P(i+1,j); Q(i+1 j); R(i+1 J); X(i+1,j); Y(i+1 j)) of the same column; and storage means (M(i,j); U(i,j); V(i,j)) for defining the state, conducting or blocking, of the two cluster interrupters (A(i,j), B(U)).

Description

MATRICE DE PIXELS A GROUPEMENTS PROGRAMMABLES  PIXEL MATRIX WITH PROGRAMMABLE GROUPS
L'invention concerne un dispositif d'imagerie et un procédé mettant en œuvre le dispositif. L'invention peut être mise en œuvre pour la prise d'image dans un détecteur. Ce type de dispositif comprend un grand nombre de points sensibles appelés pixels généralement organisés en matrice ou en barrette. The invention relates to an imaging device and a method implementing the device. The invention can be implemented for imaging in a detector. This type of device comprises a large number of sensitive points called pixels generally organized in matrix or bar.
L'invention trouve une utilité dans la réalisation d'images visibles mais n'est pas limitée à ce domaine. Dans le cadre de l'invention, le terme imagerie doit s'entendre dans un sens large. On peut par exemple réaliser des cartographies de pression ou de température ou encore des représentations en deux dimensions de potentiels chimiques ou électriques. Ces cartographies ou représentations forment des images de grandeurs physiques.  The invention finds utility in producing visible images but is not limited to this field. In the context of the invention, the term imaging must be understood in a broad sense. For example, it is possible to carry out pressure or temperature mappings or two-dimensional representations of chemical or electrical potentials. These maps or representations form images of physical quantities.
Dans un détecteur, un pixel représente l'élément sensible élémentaire du détecteur. Chaque pixel convertit un phénomène physique auquel il est soumis en un signal électrique. Les signaux électriques issus des différents pixels sont collectés lors d'une phase de lecture de la matrice puis numérisés de manière à pouvoir être traités et stockés pour former une image. Les pixels sont formés d'une zone sensible au phénomène physique et délivrant un courant de charges électriques. Le phénomène physique peut être un rayonnement électromagnétique et par la suite, l'invention sera expliquée au moyen de ce type de rayonnement et le courant de charge est fonction du flux de photon reçu par la zone sensible. La généralisation à tout dispositif d'imagerie sera aisée.  In a detector, a pixel represents the elementary sensing element of the detector. Each pixel converts a physical phenomenon to which it is subjected into an electrical signal. The electrical signals from the different pixels are collected during a reading phase of the matrix and digitized so that they can be processed and stored to form an image. The pixels are formed of a zone sensitive to the physical phenomenon and delivering a current of electric charges. The physical phenomenon may be electromagnetic radiation and subsequently, the invention will be explained by means of this type of radiation and the charging current is a function of the photon flux received by the sensitive zone. Generalization to any imaging device will be easy.
La zone photosensible comprend généralement un élément photosensible, ou photodétecteur, qui peut par exemple être une photodiode, une photorésistance ou un phototransistor. On trouve des matrices photosensibles de grandes dimensions qui peuvent posséder plusieurs millions de pixels. Chaque pixel est constitué d'un élément photosensible et d'un circuit électronique constitué par exemple d'interrupteurs, capacités, résistances, en aval duquel est placé un actionneur. L'ensemble constitué par l'élément photosensible et le circuit électronique permet de générer des charges électriques et de les collecter. Le circuit électronique permet généralement la réinitialisation de la charge collectée dans chaque pixel après un transfert de charge. Le rôle de l'actionneur est de transférer ou recopier les charges collectées par le circuit dans une électrode de lecture. Ce transfert est réalisé lorsque l'actionneur en reçoit l'instruction. La sortie de l'actionneur correspond à la sortie du pixel. The photosensitive zone generally comprises a photosensitive element, or photodetector, which may for example be a photodiode, a photoresistor or a phototransistor. There are large photosensitive matrices that can have many millions of pixels. Each pixel consists of a photosensitive element and an electronic circuit consisting for example of switches, capacitors, resistors, downstream of which is placed an actuator. The assembly constituted by the photosensitive element and the electronic circuit makes it possible to generate electrical charges and to collect them. The electronic circuit generally allows the charge collected in each pixel to be reset after a charge transfer. The role of the actuator is to transfer or copy the charges collected by the circuit into a reading electrode. This transfer is performed when the actuator receives the instruction. The output of the actuator corresponds to the output of the pixel.
Dans ce type de détecteur, un pixel fonctionne selon deux phases : une phase de prise d'image, durant laquelle le circuit électronique du pixel accumule les charges électriques générées par l'élément photosensible, et une phase de lecture, au cours de laquelle les charges collectées sont transférées ou recopiées dans l'électrode de lecture, grâce à l'actionneur.  In this type of detector, a pixel operates in two phases: an imaging phase, during which the electronic circuit of the pixel accumulates the electric charges generated by the photosensitive element, and a reading phase, during which the Collected charges are transferred or copied back into the reading electrode, thanks to the actuator.
Lors de la phase de prise d'image, l'actionneur est passif et les charges électriques collectées font évoluer le potentiel en un point de connexion entre l'élément photosensible et l'actionneur. Ce point de connexion est appelé nœud de collecte des charges du pixel ou plus simplement nœud du pixel. Lors de la phase de lecture l'actionneur est actif afin de libérer les charges accumulées au niveau du point photosensible afin de les acheminer ou de les recopier, voire de recopier le potentiel du nœud du pixel vers un circuit de lecture du détecteur disposé en aval de l'actionneur.  During the imaging phase, the actuator is passive and the collected electrical charges change the potential at a point of connection between the photosensitive element and the actuator. This connection point is called the load collection node of the pixel or simply the node of the pixel. During the reading phase the actuator is active in order to release the accumulated charges at the photosensitive point in order to route or copy them, or to copy the potential of the node of the pixel to a reading circuit of the detector disposed downstream. of the actuator.
Par actionneur passif, on entend un actionneur n'étant pas en contact électrique avec le circuit de lecture. Ainsi, lorsque l'actionneur est passif, les charges collectées dans le pixel ne sont ni transférées, ni recopiées dans le circuit de lecture.  By passive actuator is meant an actuator not in electrical contact with the read circuit. Thus, when the actuator is passive, the charges collected in the pixel are neither transferred nor recopied in the read circuit.
Un actionneur peut être un interrupteur commandé par un signal d'horloge. Il s'agit généralement d'un transistor. Il peut également s'agir d'un circuit suiveur ou de tout autre dispositif permettant de reporter ou transférer la charge collectée dans le pixel vers le circuit de lecture, par exemple un dispositif connu sous l'acronyme anglo-saxon CTIA (« Capacitive An actuator may be a switch controlled by a clock signal. It is usually a transistor. It may also be a follower circuit or any other device making it possible to transfer or transfer the charge collected in the pixel to the read circuit, for example a device known by the acronym CTIA ("Capacitive").
Translmpedance Amplifier » pour amplificateur de transfert d'impédance capacitive). Translmpedance Amplifier "for capacitive impedance transfer amplifier).
Ce type de pixel peut être utilisé pour l'imagerie de rayonnements ionisants, et notamment les détecteurs de rayonnements X ou γ, dans le domaine médical ou celui du contrôle non destructif dans le domaine industriel, pour la détection d'images radiologiques. Dans certains détecteurs, les éléments photosensibles permettent de détecter un rayonnement électromagnétique visible ou proche du visible. Ces éléments ne sont pas, ou peu, sensibles au rayonnement incident au détecteur que l'on souhaite détecter. On utilise alors un convertisseur de rayonnement appelé scintillateur qui convertit le rayonnement incident, par exemple un rayonnement X, en un rayonnement dans une bande de longueurs d'onde auxquelles sont sensibles les éléments photosensibles présents dans les pixels. This type of pixel can be used for the imaging of ionizing radiation, including X or γ radiation detectors, in the medical field or that of non-destructive testing in the industrial field, for the detection of radiological images. In some detectors, the photosensitive elements make it possible to detect visible or near-visible electromagnetic radiation. These elements are not, or little, sensitive to radiation incident to the detector that is to be detected. A radiation converter called a scintillator is then used which converts the incident radiation, for example X-ray radiation, into radiation in a wavelength band to which the photosensitive elements present in the pixels are sensitive.
Selon un autre type de détecteur, de plus en plus répandu, le matériau détecteur est un semi-conducteur, sensible au rayonnement, par exemple X ou gamma, à détecter. Une interaction d'un rayonnement dans le détecteur génère des porteurs de charges. On collecte les charges générées par une interaction à une borne, appelée nœud du pixel.  According to another type of detector, more and more widespread, the detector material is a semiconductor sensitive to radiation, for example X or gamma, to be detected. An interaction of radiation in the detector generates charge carriers. The charges generated by an interaction are collected at a terminal, called the pixel node.
Lors de la phase de prise d'image, le rayonnement électromagnétique, sous forme de photons reçus par chaque élément photosensible, est converti en charges électriques (paires électrons/trous) et chaque pixel comprend généralement une capacité permettant d'accumuler ces charges pour faire évoluer la tension du nœud du pixel. Cette capacité peut être intrinsèque à l'élément photosensible, on parle alors de capacité parasite, ou ajoutée sous forme d'un condensateur connecté en parallèle de l'élément photosensible.  During the imaging phase, the electromagnetic radiation, in the form of photons received by each photosensitive element, is converted into electrical charges (electron pairs / holes) and each pixel generally comprises a capacitance for accumulating these charges to make evolve the voltage of the pixel node. This capability may be intrinsic to the photosensitive element, so-called parasitic capacitance, or added as a capacitor connected in parallel with the photosensitive element.
Généralement, les pixels sont lus individuellement. La matrice peut par exemple comprendre une électrode de lecture associée à chaque colonne de pixels de la matrice. Dans ce cas, une instruction de lecture est émise vers tous les actionneurs d'une même ligne de la matrice et chacun des pixels de cette ligne est lu en transférant son information électrique, charge, tension, courant, fréquence... sur l'électrode de lecture à laquelle il est associé.  Generally, the pixels are read individually. The matrix may for example comprise a reading electrode associated with each column of pixels of the matrix. In this case, a read instruction is sent to all the actuators of the same row of the matrix and each of the pixels of this line is read by transferring its electrical information, charge, voltage, current, frequency ... on the reading electrode with which it is associated.
On peut être amené à regrouper plusieurs pixels pour les lire collectivement. Ce regroupement peut être utile afin d'augmenter la vitesse de lecture de la matrice ou encore pour améliorer le rapport signal sur bruit de chaque élément lu. Les pixels groupés peuvent disposer de moyens pour réaliser les opérations de somme ou de moyenne des informations électriques des pixels regroupés. Ces moyens peuvent être analogiques ou numérique.  You may have to group together several pixels to read them collectively. This grouping may be useful in order to increase the reading speed of the matrix or to improve the signal-to-noise ratio of each element read. The grouped pixels may have means for performing the sum or average operations of the electrical information of the grouped pixels. These means can be analog or digital.
Par la suite, on décrira le cas où l'information électrique est disponible de façon analogique dans les pixels, sous forme de quantités de charges stockées sur des condensateurs de même valeur. Il est bien entendu que l'invention peut être mise en œuvre pour toute forme d'information électrique générée dans chacun des pixels. Next, we will describe the case where the electrical information is available analogically in the pixels, in the form of quantities of charges stored on capacitors of the same value. It is understood that the invention can be implemented for any form of electrical information generated in each of the pixels.
On a déjà réalisé des matrices prévoyant de regrouper des pixels adjacents par quatre ou par huit. Le moyen pour réaliser l'opération de moyenne est simplement un interrupteur de groupement mettant en contact les condensateurs de pixels adjacents. Les interrupteurs sont commandés par des électrodes de ligne ou de colonne de la matrice, fixant l'état passant ou bloqué de chaque interrupteur. Afin de limiter le nombre d'électrodes, les regroupements possibles sont prédéterminés. Une électrode peut fixer l'état de plusieurs interrupteurs. Par exemple un jeu d'électrodes disposé une ligne sur deux permet de regrouper tous les pixels de la matrice par paire. Pour réaliser des regroupements par quatre il est nécessaire d'ajouter d'autres électrodes de commande d'interrupteurs de groupement permettant de grouper deux paires adjacentes.  Matrices have already been made which plan to group adjacent pixels by four or eight. The means for performing the averaging operation is simply a grouping switch contacting the adjacent pixel capacitors. The switches are controlled by row or column electrodes of the array, setting the on or off state of each switch. In order to limit the number of electrodes, the possible groupings are predetermined. An electrode can fix the state of several switches. For example, a set of electrodes arranged on every other line makes it possible to group all the pixels of the matrix in pairs. To make groupings by four it is necessary to add other group switch control electrodes for grouping two adjacent pairs.
Dès que l'on souhaite multiplier les configurations possibles de groupement, le nombre d'électrodes augmente ce qui complique le routage de la matrice et réduit l'espace disponible pour les éléments photosensibles. Il est quasiment impossible de réaliser des groupements variables, ceci nécessiterait la mise en œuvre d'une électrode par interrupteur de groupement.  As soon as it is desired to multiply the possible configurations of grouping, the number of electrodes increases which complicates the routing of the matrix and reduces the space available for the photosensitive elements. It is almost impossible to achieve variable groupings, this would require the implementation of an electrode by grouping switch.
Ce type de mise en œuvre présente également une limite lorsque certains pixels sont défectueux, ce qui peut être fréquent dans des matrices comprenant un grand nombre de pixels. Il peut par exemple s'agir d'un pixel très bruité, ou d'un pixel en court-circuit avec une alimentation. L'information fausse ou manquante de ce pixel est alors remplacée par la moyenne des informations de ses voisins. Mais si ce pixel défectueux pollue ou détruit un groupe de pixels, son acceptation devient beaucoup plus difficile, a fortiori si la pollution ou destruction s'étend à des groupes plus importants.  This type of implementation also has a limit when some pixels are defective, which can be common in matrices comprising a large number of pixels. It can for example be a very noisy pixel, or a pixel shorted with a power supply. The false or missing information of this pixel is then replaced by the average of the information of its neighbors. But if this defective pixel pollutes or destroys a group of pixels, its acceptance becomes much more difficult, especially if the pollution or destruction extends to larger groups.
L'invention vise à pallier tout ou partie des problèmes cités plus haut en proposant une matrice de pixel dans laquelle des interrupteurs de groupement sont programmables. A cet effet, l'invention a pour objet un dispositif d'imagerie comprenant une matrice de pixels organisée en lignes et en colonnes, caractérisé en ce que chaque pixel courant de la matrice comprend : The invention aims to overcome all or part of the problems mentioned above by providing a pixel matrix in which group switches are programmable. To this end, the subject of the invention is an imaging device comprising a matrix of pixels organized in rows and columns, characterized in that each current pixel of the matrix comprises:
• un interrupteur de groupement de ligne permettant de regrouper le pixel courant avec le pixel suivant de la même ligne, si le pixel suivant existe dans la ligne à laquelle appartient le pixel courant,  A line grouping switch for grouping the current pixel with the next pixel of the same line, if the next pixel exists in the line to which the current pixel belongs,
• un interrupteur de groupement de colonne permettant de regrouper le pixel courant avec le pixel suivant de la même colonne, si le pixel suivant existe dans la colonne à laquelle appartient le pixel courant et  A column grouping switch for grouping the current pixel with the next pixel of the same column, if the next pixel exists in the column to which the current pixel belongs and
· des moyens de mémorisation permettant de définir l'état, passant ou bloqué des deux interrupteurs de groupement. · Storage means for defining the state, passing or blocked two grouping switches.
L'invention sera mieux comprise et d'autres avantages apparaîtront à la lecture de la description détaillée d'un mode de réalisation donné à titre d'exemple, description illustrée par les dessins joints dans lesquels : The invention will be better understood and other advantages will appear on reading the detailed description of an embodiment given by way of example, a description illustrated by the accompanying drawings in which:
la figure 1 représente un exemple de matrice de pixels selon l'invention, dans laquelle l'information électrique recueillie lors de la lecture de chacun des pixels est une tension ;  FIG. 1 represents an exemplary pixel matrix according to the invention, in which the electrical information collected during the reading of each of the pixels is a voltage;
la figure 2 représente un autre exemple de matrice de pixels selon l'invention, dans laquelle l'information électrique recueillie lors de la lecture de chacun des pixels est une charge ;  FIG. 2 represents another example of a matrix of pixels according to the invention, in which the electrical information collected during the reading of each of the pixels is a charge;
la figure 3 représente un exemple de moyens pour additionner ou moyenner les charges transitant dans différentes électrodes en colonne de la matrice de la figure 2 ;  FIG. 3 represents an example of means for adding or averaging the charges transiting in different column electrodes of the matrix of FIG. 2;
la figure 4 représente une variante de la matrice de la figure 2 ; la figure 5 représente un exemple de matrice selon l'invention dont les pixels comprennent un registre à décalage ;  FIG. 4 represents a variant of the matrix of FIG. 2; FIG. 5 represents an example of a matrix according to the invention, the pixels of which comprise a shift register;
la figure 6 représente un autre exemple de pixel comprenant un registre à décalage ;  FIG. 6 represents another example of a pixel comprising a shift register;
les figures 7, 8 et 9 représentent plusieurs exemples de groupements de pixels.  Figures 7, 8 and 9 show several examples of pixel clusters.
Par souci de clarté, les mêmes éléments porteront les mêmes repères dans les différentes figures. La figure 1 représente une matrice 10 comprenant seize pixels P(i,j) répartis en quatre lignes et quatre colonnes. Sur cette figure, les lignes et les colonnes sont repérées par leur rang, i pour les lignes et j pour les colonnes. Les pixels P(ij) sont avantageusement tous identiques, ce qui simplifie la réalisation de la matrice. Il est bien entendu que l'invention n'est pas limitée à une matrice de cette taille. On trouve souvent des matrices ayant un nombre de pixels beaucoup plus importants et dans lesquelles l'invention peut être mise en œuvre. For the sake of clarity, the same elements will bear the same references in the different figures. FIG. 1 represents a matrix 10 comprising sixteen pixels P (i, j) distributed in four rows and four columns. In this figure, the rows and columns are indicated by their rank, i for the rows and j for the columns. The pixels P (ij) are advantageously all identical, which simplifies the realization of the matrix. It is understood that the invention is not limited to a matrix of this size. Matrices having a much larger number of pixels are often found and in which the invention can be implemented.
Chaque pixel P(ij) comprend un élément sensible à un phénomène physique, comme par exemple un rayonnement électromagnétique. Ce phénomène est, dans l'exemple représenté, converti en charges électriques. L'élément sensible est représenté sur la figure 1 de façon simplifiée par un condensateur C(ij) permettant d'accumuler les charges électriques issues de la conversion du phénomène physique. Comme on l'a vu précédemment, dans l'exemple d'un rayonnement électromagnétique à quantifier, l'élément sensible peut être une photodiode et le condensateur C(i,j) représente sa capacité parasite, ou éventuellement une capacité additionnelle raccordée en parallèle de la photodiode, sur laquelle s'accumulent les charges électriques issues de la conversion du rayonnement. Une première électrode du condensateur C(ij) est raccordée à une masse de la matrice 10. Le potentiel de la seconde électrode du condensateur C(ij) évolue en fonction des charges électriques accumulées. Cette seconde électrode forme le nœud du pixel. Comme annoncé plus haut, le phénomène physique peut être transformé par l'élément sensible en d'autres types d'informations électriques comme par exemple une tension, un courant ou une fréquence.  Each pixel P (ij) comprises an element sensitive to a physical phenomenon, such as for example electromagnetic radiation. This phenomenon is, in the example shown, converted into electric charges. The sensitive element is represented in FIG. 1 in a simplified way by a capacitor C (ij) making it possible to accumulate the electric charges resulting from the conversion of the physical phenomenon. As has been seen previously, in the example of an electromagnetic radiation to be quantified, the sensitive element may be a photodiode and the capacitor C (i, j) represents its parasitic capacitance, or possibly an additional capacity connected in parallel. of the photodiode, on which accumulate the electric charges resulting from the conversion of the radiation. A first electrode of the capacitor C (ij) is connected to a mass of the matrix 10. The potential of the second electrode of the capacitor C (ij) changes as a function of the accumulated electrical charges. This second electrode forms the node of the pixel. As announced above, the physical phenomenon can be transformed by the sensitive element into other types of electrical information such as a voltage, a current or a frequency.
Dans l'exemple de la figure 1 , chaque pixel P(ij) comprend un suiveur de tension S(i,j) permettant de recopier en sortie du pixel la tension correspondant aux charges accumulées dans le condensateur C(ij) et un actionneur T(ij) permettant de transférer, lors d'une phase de lecture, la tension fournie par le suiveur S(ij) vers une électrode en colonne Col(j) de la matrice 10. L'actionneur T(ij) est commandé par une électrode en ligne Phi- ligne(i) de la matrice 10. Le suiveur S(ij) est connecté à son entrée au nœud du pixel P(ij). La matrice 10 comprend en outre un registre d'adressage de ligne 1 1 permettant de piloter les différentes électrodes en ligne Phi-ligne(i) de la matrice 10 et un registre de lecture des colonnes 12 permettant de recueillir les tensions présentes sur les différentes électrodes en colonne Col(j) lorsque des actionneurs T(i j) sont passants. In the example of FIG. 1, each pixel P (ij) comprises a voltage follower S (i, j) making it possible to copy at the output of the pixel the voltage corresponding to the charges accumulated in the capacitor C (ij) and an actuator T. (ij) for transferring, during a reading phase, the voltage supplied by the follower S (ij) to a Col column electrode (j) of the matrix 10. The actuator T (ij) is controlled by a in-line electrode Phi- line (i) of the matrix 10. The follower S (ij) is connected at its input to the pixel node P (ij). The matrix 10 further comprises a row addressing register 1 1 for controlling the various in-line electrodes Phi-line (i) of the matrix 10 and a reading register of the columns 12 for collecting the voltages present on the different column electrodes Col (j) when actuators T (ij) are on.
Chaque pixel P(i,j) comprend un interrupteur de groupement de ligne B(ij) permettant de le regrouper avec le pixel P(ij+1 ) de la même ligne situé dans la colonne suivante et un interrupteur de groupement de colonne A(ij) permettant de le regrouper avec le pixel P(i+1 j) de la même colonne situé dans la ligne suivante.  Each pixel P (i, j) comprises a line grouping switch B (ij) making it possible to group it with the pixel P (ij + 1) of the same line situated in the following column and a column grouping switch A ( ij) for grouping it with the pixel P (i + 1 j) of the same column located in the following line.
Les interrupteurs de groupement A(ij) et B(ij) permettent de connecter les condensateurs C(ij) des différents pixels P(i,j) concernés au niveau du nœud de chacun des pixels P(ij).  The group switches A (ij) and B (ij) make it possible to connect the capacitors C (ij) of the different pixels P (i, j) concerned at the node of each of the pixels P (ij).
Comme on l'a vu précédemment, les pixels P(ij) sont avantageusement tous identiques afin de faciliter la définition des masques permettant la réalisation de la matrice. Dans cette hypothèse, même les pixels de la dernière ligne comprennent l'interrupteur de groupement de ligne B(ij). De même les pixels de la dernière colonne comprennent l'interrupteur de groupement de colonne A(ij). Ces interrupteurs sont inutiles et ne sont simplement pas raccordés au pixel suivant puisqu'il n'existe pas.  As we have seen previously, the pixels P (ij) are advantageously all identical in order to facilitate the definition of the masks allowing the realization of the matrix. In this case, even the pixels of the last line include the line grouping switch B (ij). Similarly, the pixels of the last column include the column group switch A (ij). These switches are useless and are simply not connected to the next pixel since it does not exist.
Chaque pixel P(ij) comprend en outre des moyens de mémorisation M(ij) permettant de définir l'état, passant ou bloqué des deux interrupteurs de groupement A(ij) et B(ij). Plus précisément, les moyens de mémorisation M(ij) comprennent deux emplacements de mémorisation binaire dans chacun desquels on mémorise l'état d'un des interrupteurs A(ij) et B(ij). Chaque emplacement de mémorisation comprend par exemple une bascule. Les interrupteurs de groupement A(ij) et B(ij) sont par exemple des transistors à effet de champ pilotés par leur grille et une sortie de chacun des emplacements de mémorisation pilote la grille de l'interrupteur associé. A cet effet, sur la figure 1 , dans chacun des emplacements de mémorisation, on a reporté le repère de l'interrupteur de groupement A(ij) ou B(ij) associé.  Each pixel P (ij) furthermore comprises storage means M (ij) making it possible to define the state of the two group switches A (ij) and B (ij) that are on or off. More precisely, the storage means M (ij) comprise two binary storage locations in each of which the state of one of the switches A (ij) and B (ij) is memorized. Each storage location comprises for example a flip-flop. The group switches A (ij) and B (ij) are, for example, field-effect transistors driven by their gate and an output of each of the storage locations controls the gate of the associated switch. For this purpose, in FIG. 1, in each of the storage locations, reference is made to the associated group switch A (ij) or B (ij).
L'accès aux moyens de mémorisation M(ij) pour y stocker les informations nécessaires n'est pas représenté sur la figure 1 pour ne pas l'alourdir. L'adressage peut se faire au moyen d'électrodes en ligne et en colonne permettant d'identifier le pixel P(ij) adressé. Chaque pixel P(ij) peut comprendre une cellule ET dont deux entrées sont raccordées respectivement à l'électrode en ligne et à l'électrode en colonne d'adressage. La sortie de la cellule ET définit donc le pixel à programmer. Une électrode supplémentaire, qui peut être routée soit en ligne soit en colonne, permet de véhiculer la donnée à mémoriser vers chacun des emplacements de mémorisation. On a donc une électrode de donnée par emplacement de mémorisation et commune à l'ensemble des pixels P(ij). Les électrodes d'adressage et de données sont pilotées par les registres 1 1 et 12. Access to the storage means M (ij) for storing the necessary information is not shown in Figure 1 to not weigh it down. The addressing can be done by means of in-line and column electrodes making it possible to identify the pixel P (ij) addressed. Each pixel P (ij) can comprising an AND cell, two inputs of which are respectively connected to the on-line electrode and the addressing column electrode. The output of the AND cell thus defines the pixel to be programmed. An additional electrode, which can be routed either in line or in column, conveys the data to be memorized to each of the storage locations. There is therefore one data electrode per storage location and common to all the pixels P (ij). The addressing and data electrodes are driven by the registers 11 and 12.
On réalise le groupement de plusieurs pixels P(ij) voisins, en connectant les différents condensateurs C(ij) des pixels du groupement au niveau de leurs nœuds respectifs. Cette connexion moyenne les potentiels de ces différents nœuds de pixel P(ij) du groupement. Les tensions disponibles en sortie des différents suiveurs de tension S(ij) du groupement sont donc égales et lors de la phase de lecture de la matrice 10, on peut choisir indifféremment un des suiveurs de tension S(ij) du groupement pour le connecter à l'électrode en colonne Col(j) au moyen de l'actionneur T(ij) associé au suiveur de tension S(ij) du pixel P(ij) retenu.  The grouping of several neighboring pixels P (ij) is realized by connecting the different capacitors C (ij) of the pixels of the group at their respective nodes. This connection average the potentials of these different pixel nodes P (ij) of the grouping. The voltages available at the output of the different voltage followers S (ij) of the grouping are therefore equal and during the reading phase of the matrix 10, one of the voltage followers S (ij) of the group can be chosen indifferently to connect it to the Col column electrode (j) by means of the actuator T (ij) associated with the voltage follower S (ij) of the pixel P (ij) retained.
On souhaite par exemple regrouper quatre pixels voisins formant un motif carré étalé sur deux lignes 2i et 2i+1 et deux colonnes 2j et 2j+1. Pour toute valeur courante de i et j, les moyens de mémorisation M(ij) sont programmés pour grouper les pixels de coordonnées : (2i,2j) ; (2i+1 ,2j) ; (2i+1 ,2j) et (2i+1 ,2j+1 ). Lors de la phase de lecture, le registre d'adressage de ligne 1 1 pilote les actionneurs associés aux électrodes en ligne Phi- ligne(2i) et le registre de lecture des colonnes 12 pilote les électrodes en colonne Col(2j). Les pixels P(2i, 2j) représentent donc le groupe auquel ils appartiennent.  For example, it is desired to group four neighboring pixels forming a square pattern spread over two lines 2i and 2i + 1 and two columns 2j and 2j + 1. For any current value of i and j, the storage means M (ij) are programmed to group the coordinate pixels: (2i, 2j); (2i + 1, 2j); (2i + 1, 2j) and (2i + 1, 2j + 1). During the reading phase, the row addressing register 1 1 drives the actuators associated with the in-line electrodes Phi-line (2i) and the reading register of the columns 12 drives the column electrodes Col (2j). The pixels P (2i, 2j) therefore represent the group to which they belong.
Supposons qu'un pixel de coordonnée autre que (2i, 2j) soit défectueux, la programmation des interrupteurs de groupement A(ij) et B(ij) est faite pour qu'il n'appartienne à aucun groupe. Il n'est donc pas lu, et ne pollue pas le groupe auquel il aurait appartenu si les groupements avaient été systématiques. On se retrouve simplement avec un groupe de trois pixels au lieu de quatre.  Suppose a coordinate pixel other than (2i, 2j) is defective, the programming of the group switches A (ij) and B (ij) is done so that it does not belong to any group. It is not read, and does not pollute the group to which it would have belonged if the groupings had been systematic. We are simply with a group of three pixels instead of four.
Si au contraire, un pixel de coordonnées (2i, 2j) est défectueux, comme précédemment, la programmation des interrupteurs de groupement est faite pour qu'il n'appartienne à aucun groupe. Par contre afin de lire les autres pixels de ce groupe, il faut dans ce cas modifier aussi la programmation du registre de lecture des colonnes 12 pour que, lorsque l'électrode en ligne Phi-ligne(2i) est adressée, au lieu d'adresser l'électrode en colonne Col(2j), on adresse l'électrode en colonne Col(2j+1 ). If, on the contrary, a coordinate pixel (2i, 2j) is defective, as previously, the programming of the grouping switches is made so that it does not belong to any group. By cons in order to read the other pixels of this group, it is necessary in this case also modify the programming of the read register of the columns 12 so that, when the in-line electrode Phi-line (2i) is addressed, instead of addressing the electrode in column Col (2j), the column electrode Col (2j + 1) is addressed.
II se peut que plusieurs pixels soient défectueux. Supposons que deux pixels de coordonnées (2i, 2j) et (2i, 2j+1 ) sont défectueux. La programmation des interrupteurs de groupement A(ij) et B(ij) est faite pour que les pixels défectueux n'appartiennent à aucun groupe pour ne pas polluer le groupe auquel ils auraient appartenu si les groupements avaient été systématiques. Afin de lire les autres pixels de ce groupe, il faut dans ce cas modifier aussi la programmation du registre d'adressage de ligne 1 1 pour que l'électrode en ligne Phi-ligne(2i+1 ) soit adressée à la place de l'électrode en ligne Phi-ligne(2i).  It is possible that several pixels are defective. Suppose that two coordinate pixels (2i, 2j) and (2i, 2j + 1) are defective. The programming of the grouping switches A (ij) and B (ij) is done so that the defective pixels do not belong to any group so as not to pollute the group to which they belonged if the groupings had been systematic. In order to read the other pixels of this group, it is also necessary to modify the programming of the row addressing register 1 1 so that the on-line electrode Phi-line (2i + 1) is addressed in place of the in-line electrode Phi-line (2i).
Toutefois, la solution de l'alinéa précédent ne fonctionne plus si sur une paire de lignes 2i, 2i+1 , il y a à la fois des couples de pixels défectueux de coordonnées (2i, 2j), (2i, 2j+1 ) et des couples de pixels défectueux de coordonnées (2i+1 , 2k), (2i+1 , 2k+1 ). Dans ce cas, pour lire les deux groupes possédant des couples défectueux, il faut adresser successivement les lignes 2i et 2i+1 .  However, the solution of the preceding paragraph no longer works if on a pair of lines 2i, 2i + 1, there are at the same time pairs of defective pixels of coordinates (2i, 2j), (2i, 2j + 1) and couples of defective pixels of coordinates (2i + 1, 2k), (2i + 1, 2k + 1). In this case, to read the two groups having defective pairs, it is necessary to successively address the lines 2i and 2i + 1.
De façon plus générale, si tous les pixels sont bons, lors de la phase de lecture, l'adressage se fait via les lignes 2i.  More generally, if all the pixels are good, during the reading phase, the addressing is done via lines 2i.
Si quelques rares pixels sont défectueux, l'adressage peut en tenir compte et décaler d'un rang les lignes ou les colonnes auxquelles appartiennent les pixels défectueux.  If a few rare pixels are defective, the addressing can take this into account and shift by a row the rows or columns to which the defective pixels belong.
Si le nombre de couples de pixels défectueux augmente, il faut dans certains cas lire les 2 lignes ou les 2 colonnes correspondant aux groupes. Ceci ralentit donc la vitesse de lecture. On conserve néanmoins un intérêt en améliorant le rapport signal sur bruit des tensions lues.  If the number of pairs of defective pixels increases, it is necessary in certain cases to read the 2 rows or the 2 columns corresponding to the groups. This slows down the reading speed. Nevertheless, an interest is preserved by improving the signal-to-noise ratio of the voltages read.
Si le nombre de couples de pixels défectueux augmente encore, on tend vers un adressage de toutes les lignes et de toutes les colonnes. L'intérêt des groupements en vitesse de lecture disparaît complètement. L'intérêt concernant le rapport signal sur bruit subsiste cependant. Ce cas est néanmoins peu probable dans un dispositif d'imagerie réalisé industriellement. La figure 2 représente une matrice 20 comprenant comme précédemment seize pixels Q(ij) répartis en quatre lignes et quatre colonnes. Dans chaque pixel Q(i,j), on retrouve le condensateur C(ij) permettant d'accumuler les charges électriques issues de la conversion du phénomène physique, l'actionneur T(ij), les interrupteurs de groupement A(ij) et B(ij) et les moyens de mémorisation M(ij) associés aux interrupteurs de groupement A(ij) et B(ij). Dans la matrice 20, on retrouve les électrodes en colonne Col(j) et en ligne Phi-ligne(i), le registre d'adressage de ligne 11 et le registre de lecture des colonnes 12. If the number of pairs of defective pixels increases further, we tend to address all the rows and all the columns. The interest of groups in reading speed disappears completely. Interest in the signal-to-noise ratio, however, remains. This case is nevertheless unlikely in an imaging device made industrially. FIG. 2 represents a matrix 20 comprising, as previously, sixteen pixels Q (ij) distributed in four rows and four columns. In each pixel Q (i, j), there is the capacitor C (ij) for accumulating the electric charges resulting from the conversion of the physical phenomenon, the actuator T (ij), the grouping switches A (ij) and B (ij) and the storage means M (ij) associated with the group switches A (ij) and B (ij). In the matrix 20, the column electrodes Col (j) and in line Phi-line (i), the row addressing register 11 and the reading register of the columns 12 are found.
A la différence de la matrice 10, la matrice 20 ne comprend pas de suiveur et le nœud du pixel Q(ij) peut être directement connecté à l'électrode en colonne Col(j) au travers de l'actionneur T(i,j).  Unlike the matrix 10, the matrix 20 does not include a follower and the node of the pixel Q (ij) can be directly connected to the Col column electrode (j) through the actuator T (i, j ).
En phase de lecture, les charges accumulées au niveau du nœud de chaque pixel Q(i,j) sont transférées vers les électrodes en colonne Col(j), au travers de l'actionneur T(i,j), lorsque le pixel Q(i,j) est adressé par l'électrode en ligne Phi-ligne(i). On note que dans la matrice 20, la lecture de l'information d'un pixel Q(ij) est destructrice de l'information. Autrement dit, après transfert des charges du nœud d'un pixel Q(i,j) vers l'électrode colonne Col(j) associée, les charges ne sont plus disponibles sur le nœud du pixel Q(ij).  In the reading phase, the accumulated charges at the node of each pixel Q (i, j) are transferred to the column electrodes Col (j), through the actuator T (i, j), when the pixel Q (i, j) is addressed by the in-line electrode Phi-line (i). Note that in the matrix 20, the reading of the information of a pixel Q (ij) is destructive of the information. In other words, after transfer of the charges of the node of a pixel Q (i, j) to the column column Col (j) associated, the charges are no longer available on the node of the pixel Q (ij).
Lorsqu'on choisit de grouper des pixels au moyen des interrupteurs de groupement A(i,j) et/ou B(i,j), les potentiels des différents nœuds raccordés sont moyennés et les charges s'additionnent. Lors de la lecture d'un groupe, on peut piloter les actionneurs T(ij) de façon à ce qu'un seul actionneur T(ij) soit fermé dans un même groupement. On récupère alors les charges additionnées par l'actionneur T(ij) sélectionné. Mais cela nécessite un pilotage individuel des actionneurs T(ij) et donc un système d'adressage des actionneurs T(i,j) en ligne et en colonne, ce qui alourdit fortement le routage de la matrice 20. Il est plus facile de piloter les actionneurs T(ij) par ligne au moyen des électrodes en ligne Phi-ligne(i). Dans ce cas, si un groupe s'étale sur plusieurs colonnes consécutives, les charges du groupe peuvent simultanément s'évacuer vers des électrodes en colonne au travers de plusieurs actionneurs T(ij) et donc de plusieurs électrodes en colonne Col(j). Il est donc utile que la matrice 20 comprenne des moyens de lecture, pour additionner ou moyenner les charges transitant dans les différentes électrodes en colonne associées à un même groupement. When one chooses to group pixels by means of the group switches A (i, j) and / or B (i, j), the potentials of the various connected nodes are averaged and the charges add up. When reading a group, one can drive the actuators T (ij) so that a single actuator T (ij) is closed in the same group. The charges added by the actuator T (ij) selected are then recovered. But this requires an individual control of the actuators T (ij) and therefore a system for addressing the actuators T (i, j) in line and in column, which greatly increases the routing of the matrix 20. It is easier to control actuators T (ij) per line by means of in-line electrodes Phi-line (i). In this case, if a group spreads over several consecutive columns, the charges of the group can simultaneously evacuate to column electrodes through several actuators T (ij) and therefore of several column electrodes Col (j). It is therefore useful for the matrix 20 to include reading means for adding or averaging the transiting charges. in the different column electrodes associated with the same grouping.
Un exemple de tels moyens est représenté sur la figure 2 par des blocs B1 et B2 situés en bout des électrodes en colonne. Chacun des blocs permet de réaliser une moyenne des signaux électriques véhiculés par deux électrodes en colonne Col(j). Un schéma plus détaillé d'un de ces blocs est proposé en figure 3. An example of such means is shown in Figure 2 by blocks B1 and B2 located at the end of the column electrodes. Each of the blocks makes it possible to average the electrical signals conveyed by two column electrodes Col (j). A more detailed diagram of one of these blocks is proposed in Figure 3.
Dans ce bloc, deux électrodes en colonne Col(1 ) et Col(2) sont raccordées respectivement à l'entrée inverseuse de deux amplificateurs intégrateurs Ai(1 ) et Ai(2). Les entrées non inverseuses des deux amplificateurs intégrateurs Ai(1 ) et Ai(2) sont raccordées à la masse de la matrice 20. Un condensateur, respectivement C(1 ) et C(2) ainsi qu'un interrupteur, respectivement li(1 ) et li(2) sont raccordés en parallèles entre l'entrée inverseuse et la sortie de chacun des amplificateurs intégrateurs Ai(1 ) et Ai(2).  In this block, two column electrodes Col (1) and Col (2) are respectively connected to the inverting input of two integrating amplifiers Ai (1) and Ai (2). The non-inverting inputs of the two integrating amplifiers Ai (1) and Ai (2) are connected to the ground of the matrix 20. A capacitor, respectively C (1) and C (2), and a switch, respectively li (1 ) and li (2) are connected in parallel between the inverting input and the output of each of the integrating amplifiers Ai (1) and Ai (2).
Les charges reçues sur les électrodes en colonne Col(1 ) et Col(2) sont transformées en tension sur chacun des condensateurs C(1 ) et C(2). Les interrupteurs li(1 ) et li(2) sont pilotés pour remettre à zéro la différence de potentiels entre les électrodes des condensateurs C(1 ) et C(2).  The charges received on the column electrodes Col (1) and Col (2) are converted into voltage on each of the capacitors C (1) and C (2). The switches li (1) and li (2) are controlled to reset the potential difference between the electrodes of the capacitors C (1) and C (2).
Des condensateurs, respectivement Cmem(1 ) et Cmem(2), sont raccordés entre la sortie de chaque amplificateurs intégrateurs Ai(1 ) et Ai(2) et la masse de la matrice 20 par l'intermédiaire d'interrupteurs lech(1 ) et lech(2). Les tensions de sortie de ces amplificateurs sont mémorisées, sur les condensateurs, respectivement Cmem(1 ) et Cmem(2).  Capacitors, respectively Cmem (1) and Cmem (2), are connected between the output of each integrator amplifiers Ai (1) and Ai (2) and the mass of the matrix 20 via lech switches (1). and lech (2). The output voltages of these amplifiers are stored on the capacitors, respectively Cmem (1) and Cmem (2).
Un interrupteur de mélange Imelange permet de connecter les électrodes actives (non reliées à la masse) des deux condensateurs Cmem(1 ) et Cmem(2). L'interrupteur Imelange permet de moyenner les tensions présentes sur chacun de deux condensateurs Cmem(1 ) et Cmem(2) lorsqu'il est fermé.  An Imelange mixing switch is used to connect the active (non-grounded) electrodes of the two capacitors Cmem (1) and Cmem (2). The Imelange switch is used to average the voltages present on each of two capacitors Cmem (1) and Cmem (2) when it is closed.
La tension présente aux bornes de chacun des condensateurs Cmem(1 ) et Cmem(2), éventuellement moyennée lorsque l'interrupteur Imel est fermé, est ensuite lue au moyen d'amplificateurs suiveurs respectivement As(1 ) et As(2). Le bloc B1 représenté figure 3 permet de moyenner les informations électriques disponibles sur les deux électrodes en colonne Col(1 ) et Col(2). Il est bien entendu possible de généraliser les interrupteurs de mélange entre toutes les électrodes en colonne Col(i) consécutives. Les interrupteurs de mélange seront manœuvrés en fonction de la définition des groupements de pixel Q(ij) de la matrice 20. The voltage at the terminals of each of the capacitors Cmem (1) and Cmem (2), possibly averaged when the switch Imel is closed, is then read by means of follower amplifiers respectively As (1) and As (2). The block B1 shown in FIG. 3 makes it possible to average the available electrical information on the two electrodes in columns Col (1) and Col (2). It is of course possible to generalize the mixing switches between all the column electrodes Col (i) consecutive. The mixing switches will be maneuvered according to the definition of the pixel groups Q (ij) of the matrix 20.
La figure 4 représente une matrice 30 formant une variante de réalisation de la matrice 20 dans laquelle les actionneurs T(ij) peuvent être pilotés individuellement sans pour autant nécessiter un adressage individuel au moyen d'électrodes dédiées à cet adressage. FIG. 4 represents a matrix 30 forming an alternative embodiment of the matrix 20 in which the actuators T (ij) can be controlled individually without requiring individual addressing by means of electrodes dedicated to this addressing.
La figure 4 représente une matrice 30 comprenant, comme précédemment, seize pixels R(ij) répartis en quatre lignes et quatre colonnes. Dans chaque pixel R(i,j), on retrouve le condensateur C(i,j) permettant d'accumuler les charges électriques issues de la conversion du phénomène physique, l'actionneur T(ij) et les interrupteurs de groupement A(ij) et B(ij). Dans la matrice 30, on retrouve les électrodes en colonne Col(j) et en ligne Phi-ligne(i), le registre d'adressage de ligne 1 1 et le registre de lecture des colonnes 12. Le nœud du pixel R(ij) est directement raccordé à l'actionneur T(ij) sans suiveur.  FIG. 4 represents a matrix 30 comprising, as before, sixteen pixels R (ij) distributed in four rows and four columns. In each pixel R (i, j), there is the capacitor C (i, j) for accumulating the electric charges resulting from the conversion of the physical phenomenon, the actuator T (ij) and the grouping switches A (ij ) and B (ij). In the matrix 30, there are the column electrodes Col (j) and online Phi-line (i), the row addressing register 1 1 and the read register columns 12. The node of the pixel R (ij ) is directly connected to the actuator T (ij) without follower.
Chacun des pixels R(ij) comprend également des moyens de mémorisation M(ij) associés aux interrupteurs de groupement A(ij) et B(ij). A la différence des matrices 10 et 20, Les moyens de mémorisation M(ij) de la matrice 30 permettent de plus d'autoriser la fermeture de l'actionneur T(ij). Plus précisément, les moyens de mémorisation M(ij) comprennent un emplacement supplémentaire de mémorisation binaire, dans lequel on mémorise une autorisation de fermeture l'actionneur T(ij).  Each of the pixels R (ij) also comprises memory means M (ij) associated with the group switches A (ij) and B (ij). Unlike the matrices 10 and 20, the storage means M (ij) of the matrix 30 further allow to allow the closing of the actuator T (ij). More precisely, the storage means M (ij) comprise an additional bit storage location, in which a closing authorization is authorized for the actuator T (ij).
L'autorisation de fermeture de l'actionneur T(ij) est faite en lien avec une commande de lecture du pixel R(ij). Plus précisément, la commande de l'actionneur T(ij) se fait toujours au moyen de l'électrode en ligne Phi-ligne(i). Cette commande peut être inhibée en fonction de la donnée stockée dans l'emplacement supplémentaire des moyens de mémorisation M(ij). En pratique, le pixel R(ij) peut comprendre une cellule ET dont une première entrée est raccordée à l'électrode en ligne Phi-ligne(i) et dont une seconde entrée est raccordée à l'emplacement supplémentaire dont la donnée est notée D(i,j). La sortie de la cellule ET forme la commande de grille de l'actionneur T(ij). The authorization to close the actuator T (ij) is made in connection with a reading command of the pixel R (ij). More specifically, the control of the actuator T (ij) is always done by means of the in-line electrode Phi-line (i). This command can be inhibited depending on the data stored in the additional location of the storage means M (ij). In practice, the pixel R (ij) may comprise an AND cell whose first input is connected to the on-line electrode Phi-line (i) and a second input of which is connected to the additional location whose data is denoted D (i, j). The output of the AND cell forms the gate control of the actuator T (ij).
On a vu précédemment que la programmation des emplacements de mémorisation peut se faire au moyen d'une électrode dédiée à chacun des emplacements de mémorisation, en complément des électrodes en nécessaires à l'adressage des pixels. L'augmentation du nombre emplacements de mémorisation complique donc la réalisation de la matrice 30 en imposant le routage des électrodes en supplémentaires. It has been seen previously that the programming of the storage locations can be done by means of an electrode dedicated to each of the storage locations, in addition to the electrodes necessary for addressing the pixels. Increasing the number of storage locations therefore complicates the realization of the matrix 30 by imposing the routing of the electrodes further.
La figure 5 représente quatre pixels X(lj) identiques d'une matrice FIG. 5 represents four identical pixels X (lj) of a matrix
40 permettant de pallier ce problème au moyen de registres à décalage U(i,j) intégré à chacun des pixels X(ij) et dont les cases forment les différents emplacements de mémorisation. Comme précédemment l'invention n'est pas limitée à ce nombre de pixels. Chaque pixel X(ij) comprend trois interrupteurs électroniques, T1 (i,j), T2(i,j) et T3(i,j). L'interrupteur T1 (i,j) permet la réinitialisation du potentiel de l'élément sensible du pixel représenté ici par une photodiode K(i,j). L'interrupteur T1 (i,j) est passant en début de cycle d'intégration d'un pixel X(ij). Postérieurement à ce début de cycle, l'interrupteur T1 (i,j) est bloqué. Le potentiel V du nœud N(i,j) du pixel X(ij) évolue alors en fonction de l'éclairement, suivant une loi AV = Q / C, AV étant la variation de potentiel au nœud N(ij), Q étant la photocharge collectée (c'est-à-dire la charge collectée du fait des interactions de photons dans le détecteur) et C étant la capacité présente au nœud d'intégration N(ij), généralement essentiellement due à la capacité parasite de la photodiode K(ij). A la fin du cycle d'intégration, l'interrupteur T3(i,j) est rendu passant par l'électrode de commande Phi-ligne(i). L'ensemble constitué par l'interrupteur T2(i,j) et la source de courant lpol(j) située en pied de l'électrode de colonne Col(j) constitue alors un étage suiveur. On obtient ainsi un potentiel image de celui du nœud N(i,j) en pied de l'électrode de colonne Col(j) et utilisé par un circuit S(j) permettant par exemple la numérisation du potentiel. 40 to overcome this problem by means of shift registers U (i, j) integrated with each of the pixels X (ij) and whose boxes form the different storage locations. As before, the invention is not limited to this number of pixels. Each pixel X (ij) comprises three electronic switches, T1 (i, j), T2 (i, j) and T3 (i, j). The switch T1 (i, j) allows the resetting of the potential of the sensitive element of the pixel represented here by a photodiode K (i, j). The switch T1 (i, j) is at the beginning of the integration cycle of a pixel X (ij). After this beginning of the cycle, the switch T1 (i, j) is blocked. The potential V of the node N (i, j) of the pixel X (ij) then changes as a function of the illumination, according to a law AV = Q / C, AV being the variation of potential at the node N (ij), Q being the photocharge collected (that is to say the charge collected due to the photon interactions in the detector) and C being the capacitance present at the integration node N (ij), generally essentially due to the parasitic capacitance of the photodiode K (j). At the end of the integration cycle, the switch T3 (i, j) is passed through the control electrode Phi-line (i). The assembly constituted by the switch T2 (i, j) and the current source lpol (j) located at the bottom of the column electrode Col (j) then constitutes a follower stage. An image potential is thus obtained from that of the node N (i, j) at the foot of the column electrode Col (j) and used by a circuit S (j), for example enabling the digitization of the potential.
Chacun de pixel X(ij) comprend également un condensateur C(ij) permettant de modifier le gain du pixel X(ij). Un interrupteur G(ij) permet de raccorder le condensateur C(ij) au nœud N(ij) et ainsi augmenter la valeur de capacité présente au nœud d'intégration N(i,j). Selon l'invention, on retrouve les interrupteurs de groupement A(ij) et B(ij) et les moyens de mémorisation sont ici formés par un registre à décalage U(i,j) à trois cases, chacune permettant de commander un des interrupteurs A(i,j), B(i,j) et G(i,j). Each pixel X (ij) also comprises a capacitor C (ij) for modifying the gain of the pixel X (ij). A switch G (ij) makes it possible to connect the capacitor C (ij) to the node N (ij) and thus to increase the capacitance value present at the integration node N (i, j). According to the invention, there are the group switches A (ij) and B (ij) and the storage means are here formed by a shift register U (i, j) with three boxes, each for controlling one of the switches A (i, j), B (i, j) and G (i, j).
Le registre à décalage U(i,j) comprend une entrée d'horloge H(i,j) et une entrée de donnée E(ij) sur la quelle les données à mémoriser dans les différentes cases du registre à décalage U(i,j) sont véhiculées en série. L'entrée de donnée E(i,j) est raccordée à une électrode de donnée E-prog qui peut être commune à tous les pixels X(ij) de la matrice 40, c'est pourquoi on n'affecte pas de repères (i,j) à l'électrode de donnée E-prog. Sur la figure 5, l'électrode E-prog est routée suivant les lignes i de la matrice 40. Il est également possible de réaliser ce routage en colonne ou en grille.  The shift register U (i, j) comprises a clock input H (i, j) and a data input E (ij) on which the data to be stored in the different boxes of the shift register U (i, j) are conveyed in series. The data input E (i, j) is connected to an E-prog data electrode which may be common to all the pixels X (ij) of the matrix 40, which is why no markers are assigned ( i, j) to the E-prog data electrode. In FIG. 5, the E-prog electrode is routed along lines i of matrix 40. It is also possible to carry out this routing in column or grid.
Le pixel X(ij) que l'on souhaite programmer est choisi au moyen de son entrée d'horloge H(ij) et les données sont présentées en série sur l'entrée de donnée E(i,j).  The pixel X (ij) that one wishes to program is chosen by means of its clock input H (ij) and the data are presented in series on the data input E (i, j).
L'entrée d'horloge H(ij) est formée par la sortie d'une cellule ET dont une première entrée est raccordée au bus ligne Phi-ligne(i) et dont une seconde entrée est raccordée à une électrode en colonne H-Col(j) permettant de choisir la colonne de pixels X(ij) à programmer. Un pixel X(ij) particulier est sélectionné en activant l'électrode en ligne Phi-ligne(i) concernée. La programmation effective des trois cases du registre à décalage U(ij) est réalisée en activant trois fois une commande véhiculée par l'électrode en colonne H-Col(j) en concordance avec trois valeurs de programmation véhiculées en série sur l'entrée de donnée E(ij).  The clock input H (ij) is formed by the output of an AND cell, a first input of which is connected to the line bus Phi-line (i) and a second input of which is connected to an electrode in column H-Col (j) for choosing the column of pixels X (ij) to be programmed. A particular pixel X (ij) is selected by activating the in-line electrode Phi-line (i) concerned. The effective programming of the three boxes of the shift register U (ij) is performed by activating three times a command conveyed by the electrode in column H-Col (j) in agreement with three programming values conveyed in series on the input of given E (ij).
Lors de l'acquisition d'une image toutes les commandes véhiculées par l'électrode en colonne H-Col(j) sont désactivées et on peut sélectionner les différents pixels X(ij) avec l'électrode en ligne Phi-ligne(i), sans perturber les valeurs programmées dans les registres à décalage U(ij).  When acquiring an image, all the commands conveyed by the column electrode H-Col (j) are deactivated and the different pixels X (ij) can be selected with the on-line electrode Phi-line (i) , without disturbing the values programmed in the shift registers U (ij).
Dans cet exemple, on a réutilisé l'électrode en ligne Phi-ligne(i) comme électrode de sélection des pixels X(ij) à programmer. Alternativement on peut mettre en œuvre une électrode de commande indépendante de l'électrode en ligne Phi-ligne(i) et dédiée à la programmation des différents registres à décalage U(ij).  In this example, the in-line electrode Phi-line (i) has been reused as the pixel selection electrode X (ij) to be programmed. Alternatively, it is possible to implement a control electrode independent of the on-line electrode Phi-line (i) and dedicated to the programming of the different shift registers U (ij).
En variante, on peut réaliser une électrode E-prog spécifique à chaque ligne de la matrice On peut alors, en mode programmation, activer toutes les commandes portées par les électrodes en ligne Phi-ligne(i) et programmer simultanément tous pixels X(ij) d'une même colonne. Ceci permet d'accélérer la programmation des différents registres à décalage U(i,j) de la matrice 40. As a variant, it is possible to produce an E-prog electrode specific to each line of the matrix. In programming mode, it is then possible to activate all the commands carried by the online electrodes Phi-line (i) and simultaneously program all the pixels X (ij) of the same column. This makes it possible to accelerate the programming of the different shift registers U (i, j) of the matrix 40.
La programmation des différents emplacements de mémorisation d'un pixel ne requiert que deux électrodes spécifiques : une électrode d'horloge H-Col(j) et une électrode de données proprement dite E-prog, quelque soit le nombre d'emplacement de mémorisation. Ces deux électrodes sont raccordées à l'ensemble des registres à décalage U(i,j) des différents pixels X(ij). Ainsi, sans alourdir le nombre de bus de la matrice 40, il est possible d'augmenter le nombre d'emplacements de mémorisation pour d'autres besoins du pixel X(i,j).  The programming of the different storage locations of a pixel requires only two specific electrodes: an H-Col clock electrode (j) and a data electrode proper E-prog, regardless of the number of storage locations. These two electrodes are connected to all the shift registers U (i, j) of the different pixels X (ij). Thus, without increasing the number of buses of the matrix 40, it is possible to increase the number of storage locations for other needs of the pixel X (i, j).
La programmation des emplacements de mémorisation se réalisant dans une phase spécifique, précédent celle de prise d'image, les électrodes d'adressage des pixels pour la programmation et ceux pour la lecture peuvent être partiellement ou totalement fusionnés.  The programming of the storage locations being carried out in a specific phase, preceding that of taking pictures, the addressing electrodes of the pixels for programming and those for reading can be partially or completely merged.
Avantageusement, les moyens de mémorisation sont configurés pour stocker plusieurs configurations de groupement de pixels et le dispositif comprend des moyens pour choisir parmi les configurations mémorisées. La figure 6 représente un exemple de pixel Y(ij) dans lequel les moyens de mémorisation sont formés par un registre à décalage V(ij) comprenant six cases permettant de mémoriser deux configurations distinctes de commande des différents interrupteurs du pixel Y(ij), soit deux configurations de trois interrupteurs par pixel. De façon plus générale, le registre à décalage V(i,j) contient plusieurs cases et le nombre de cases est égal au nombre d'emplacements de mémorisation multiplié par le nombre de configurations distinctes que l'on souhaite mémoriser. Advantageously, the storage means are configured to store a plurality of pixel grouping configurations and the device comprises means for selecting among the stored configurations. FIG. 6 represents an example of a pixel Y (ij) in which the storage means are formed by a shift register V (ij) comprising six boxes making it possible to memorize two distinct control configurations of the different switches of the pixel Y (ij), either two configurations of three switches per pixel. More generally, the shift register V (i, j) contains several boxes and the number of boxes is equal to the number of storage locations multiplied by the number of distinct configurations that it is desired to store.
Dans l'exemple représenté, le registre à décalage V(ij) fonctionne en rebouclage circulaire grâce à une électrode de commande additionnelle Cire. Le pixel Y(i,j) comprend les trois interrupteurs T1 (i,j), T2(i,j) et T3(i,j) ainsi qu'un interrupteur supplémentaire T4(i,j) piloté par une électrode de commande Cire et permettant de raccorder l'entrée de donnée E(ij) soit à l'électrode E-prog soit à la dernière case du registre à décalage V(i,j). Deux configurations de programmation peuvent être stockées, respectivement dans les 3 premières et les 3 dernières cases du registre à décalage V(ij). La programmation du registre à décalage V(ij) se fait en pilotant l'interrupteur T4(ij) de façon à connecter l'entrée de donnée E(ij) à l'électrode E-prog en concordance avec six impulsions appliquées à l'entrée d'horloge H(i,j). Le passage d'une configuration à l'autre se fait en pilotant l'interrupteur T4(ij) de façon à connecter l'entrée de donnée E(ij) à la dernière case du registre à décalage V(ij) en concordance avec trois impulsions appliquées à l'entrée d'horloge H(ij). Les impulsions d'horloge sont obtenues en activant les commandes présentes sur l'électrode en ligne Phi-ligne(i) et en activant la commande présente sur l'électrode H-Col(j). In the example shown, the shift register V (ij) operates in a circular loop through an additional control electrode Wax. The pixel Y (i, j) comprises the three switches T1 (i, j), T2 (i, j) and T3 (i, j) and an additional switch T4 (i, j) controlled by a control electrode Wax and for connecting the data input E (ij) to either the E-prog electrode or to the last box of the shift register V (i, j). Two programming configurations can be stored, respectively in the first 3 and last 3 boxes of the shift register V (ij). The programming of the shift register V (ij) is done by controlling the switch T4 (ij) so as to connect the data input E (ij) to the E-prog electrode in accordance with six pulses applied to the clock input H (i, j). The transition from one configuration to another is done by controlling the switch T4 (ij) so as to connect the data input E (ij) to the last box of the shift register V (ij) in concordance with three pulses applied to the clock input H (ij). The clock pulses are obtained by activating the commands present on the in-line electrode Phi-line (i) and by activating the command present on the electrode H-Col (j).
Il est bien entendu que les registres à décalage U(i,j) et V(ij) peuvent être mis en œuvre pour tout type de matrice, comme les matrices 10, 20 et 30 précédemment décrites. It is understood that the shift registers U (i, j) and V (ij) can be implemented for any type of matrix, such as matrices 10, 20 and 30 previously described.
La programmation des emplacements de mémorisation permet de définir n'importe quel type de groupements : 2x2, 3x3, 4x4, ... n x n, n x m, voire des groupements de formes complexes, voire des groupements qui ne sont pas identiques sur toute la dimension de la matrice avec par exemple des groupes plus petits au centre que sur les bords de la matrice, ou des groupes alternativement petits et grands. La programmation permet d'exclure des groupes les pixels défectueux. The programming of the storage locations makes it possible to define any type of grouping: 2x2, 3x3, 4x4, ... nxn, nxm, even complex groupings of shapes, even groups that are not identical over the entire dimension of the matrix with for example smaller groups in the center than on the edges of the matrix, or groups alternatively small and large. Programming makes it possible to exclude groups of defective pixels.
A titre d'exemples de formes complexes la figure 7 représente des groupements réguliers sous forme de groupements de huit pixels en croix. Les contours des pixels sont matérialisés en traits interrompus et les contours des groupements en traits pleins. La figure 8 représente des groupements réguliers de trois pixels organisés en chevron. La figure 9 montre des groupements de différentes tailles. D'autres formes de groupements sont bien entendu possibles.  By way of examples of complex shapes, FIG. 7 represents regular groups in the form of groups of eight pixels in cross-section. The outlines of the pixels are materialized in broken lines and the outlines of the groups in solid lines. Figure 8 shows regular groupings of three pixels organized in chevron. Figure 9 shows groupings of different sizes. Other forms of groupings are of course possible.
Il peut être intéressant de pouvoir commuter rapidement d'une configuration de groupements à une autre. La programmation des emplacements de mémorisation permet de redéfinir rapidement les groupements entre deux images ou entre deux séquences d'images successives. Par exemple, si on groupe les pixels 2x2 dans une séquence d'imagerie dynamique, il peut être intéressant de déplacer ces groupements, d'une image à la suivante, d'un pixel vers la droite, puis vers le haut, puis vers la gauche, puis enfin vers le bas, de façon qu'au bout d'un cycle de 4 images, toutes les positions de ces groupements aient été mises en œuvre. On récupère ainsi une résolution spatiale proche de celle qu'on aurait obtenue sans les groupements tout en améliorant le rapport signal sur bruit de l'image. It may be interesting to be able to quickly switch from one cluster configuration to another. The programming of the storage locations makes it possible to quickly redefine the groupings between two images or between two successive image sequences. For example, if we group the 2x2 pixels in a dynamic imaging sequence, it may be interesting to move these groupings, from one image to the next, one pixel to the right, then up, then to the left, then finally down, so that after a cycle of 4 images, all the positions of these groups have been implemented. A spatial resolution close to that obtained without the groups is thus recovered while improving the signal-to-noise ratio of the image.
Dans le domaine de l'imagerie radiologique, la reconfiguration des groupements de pixels présente aussi un intérêt. Par exemple en fluoroscopie, on peut utiliser alternativement des modes de fluoroscopie faible dose et des séquences fortes dose. Dans le mode fluoroscopie, on souhaite lire rapidement, et la résolution spatiale n'est pas recherchée. Des groupements 2x2, voire plus importants, sont donc souhaitables. Dans les séquences à forte dose, la cadence d'image peut être réduite, mais la résolution spatiale est recherchée et on réduit la taille des groupements. On peut même ne regrouper aucun pixel et les lire tous séparément.  In the field of radiological imaging, the reconfiguration of the pixel groups is also of interest. For example in fluoroscopy, alternatively low dose fluoroscopy modes and high dose sequences can be used. In the fluoroscopy mode, one wishes to read quickly, and the spatial resolution is not sought. 2x2 or even larger groups are therefore desirable. In high dose sequences, the frame rate may be reduced, but the spatial resolution is sought and the size of the clusters reduced. You can not even group any pixel and read them all separately.
Avec les structures précédemment décrites dans les matrices 10, With the structures previously described in matrices 10,
20 et 30, il est nécessaire de reprogrammer complètement les emplacements de mémorisation concernés par les interrupteurs de groupements A(ij) et20 and 30, it is necessary to reprogram completely the storage locations concerned by the group switches A (ij) and
B(ij) et ceci pour tous les pixels de la matrice. Le temps de programmation peut être important. B (ij) and this for all the pixels of the matrix. The programming time can be important.
Avantageusement, pour réduire le temps de programmation, les moyens de mémorisation M(ij) sont configurés pour stocker plusieurs configurations de groupement de pixels. Le dispositif comprend alors des moyens pour choisir parmi les configurations mémorisées.  Advantageously, to reduce the programming time, the storage means M (ij) are configured to store a plurality of pixel array configurations. The device then comprises means for choosing among the stored configurations.
Lorsqu'on met en œuvre un registre à décalage, on peut multiplier le nombre de cellules par le nombre de configurations distinctes que l'on souhaite mémoriser. Par exemple dans les matrices 10 et 20 représentées sur les figures 1 et 2, si on souhaite mémoriser deux configurations de groupements de pixels, on prévoir un registre à décalage comprenant quatre cellules, et six cellules dans la matrice 30.  When implementing a shift register, the number of cells can be multiplied by the number of distinct configurations that are to be memorized. For example, in the matrices 10 and 20 shown in FIGS. 1 and 2, if it is desired to store two configurations of pixel groups, a shift register comprising four cells and six cells in the matrix 30 is provided.
Pour les matrices 10 et 20 et deux configurations, dans une première phase, de programmation, les quatre cellules sont remplies à partir de l'entrée série du registre, les deux premières cellules correspondant à la première configuration et les deux dernières cellules correspondant à la seconde. Ceci pour tous les pixels de la matrice. For the matrices 10 and 20 and two configurations, in a first programming phase, the four cells are filled from the serial input of the register, the first two cells corresponding to the first configuration and the last two cells corresponding to the second. This for all the pixels of the matrix.
Puis les registres à décalage de tous les pixels sont reconfigurés pour fonctionner en boucle.  Then the shift registers of all pixels are reconfigured to operate in a loop.
Lorsque l'on souhaite passer d'une configuration de groupements à l'autre, il suffit alors d'envoyer deux coups d'horloge, simultanément sur tous les registres de la matrice, ce qui peut être très rapide.  When you want to go from one group configuration to another, it is then sufficient to send two clock ticks simultaneously on all the registers of the matrix, which can be very fast.

Claims

REVENDICATIONS
1 . Dispositif d'imagerie comprenant une matrice (10 ; 20 ; 30) de pixels (P(i,j) ; Q(ij) ; R(ij) ; X(ij) ; Y(ij)) organisée en lignes et en colonnes, caractérisé en ce que chaque pixel courant (P(ij) ; Q(ij) ; R(ij) ; X(ij) ; Y(ij)) de la matrice (10 ; 20 ; 30 ; 40) comprend : 1. An imaging device comprising a matrix (10; 20; 30) of pixels (P (i, j); Q (ij); R (ij); X (ij); Y (ij)) organized in rows and columns characterized in that each current pixel (P (ij); Q (ij); R (ij); X (ij); Y (ij)) of the matrix (10; 20; 30; 40) comprises:
· un interrupteur de groupement de ligne (B(i,j)) permettant de regrouper le pixel courant (P(ij) ; Q(ij) ; R(ij) ; X(ij) ; Y(ij)) avec le pixel suivant (P(ij+1 ) ; Q(ij+1 ) ; R(ij+1 ) ; X(ij+1 ) ; Y(i,j+1 )) de la même ligne, si le pixel suivant existe, dans la ligne à laquelle appartient le pixel courant (P(ij) ; Q(ij) ; R(ij) ; X(i j) ; Y(ij)), A line grouping switch (B (i, j)) for grouping the current pixel (P (ij); Q (ij); R (ij); X (ij); Y (ij)) with the pixel; following (P (ij + 1); Q (ij + 1); R (ij + 1); X (ij + 1); Y (i, j + 1)) of the same line, if the following pixel exists, in the line to which the current pixel belongs (P (ij); Q (ij); R (ij); X (ij); Y (ij)),
« un interrupteur de groupement de colonne (A(ij)) permettant de regrouper le pixel courant (P(i,j) ; Q(i,j) ; R(i,j) ; X(i,j) ; Y(i,j)) avec le pixel suivant (P(i+1 ,j) ; Q(i+1 j) ; R(i+1 j) ; X(i+1 J) ; Y(i+1 j)) de la même colonne, si le pixel suivant existe, dans la colonne à laquelle appartient le pixel courant (P(i,j) ; Q(i,j) ; R(i,j) ; X(i,j) ; Y(i,j)) et "A column grouping switch (A (ij)) for grouping the current pixel (P (i, j); Q (i, j); R (i, j); X (i, j); i, j)) with the following pixel (P (i + 1, j); Q (i + 1 j); R (i + 1 j); X (i + 1 J); Y (i + 1 j); ) of the same column, if the next pixel exists, in the column to which the current pixel belongs (P (i, j); Q (i, j); R (i, j); X (i, j); Y (i, j)) and
· des moyens de mémorisation (M(ij) ; U(ij) ; V(ij)) permettant de définir l'état, passant ou bloqué des deux interrupteurs de groupement (A(i,j), B(ij)). Storage means (M (ij), U (ij), V (ij)) making it possible to define the on or off state of the two group switches (A (i, j), B (ij)).
2. Dispositif selon la revendication 1 , caractérisé en ce que les pixels (P(i,j) ; Q(i,j) ; R(i,j) ; X(i,j) ; Y(i,j)) sont tous identiques. 2. Device according to claim 1, characterized in that the pixels (P (i, j); Q (i, j); R (i, j); X (i, j); Y (i, j)) are all identical.
3. Dispositif selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que les moyens de mémorisation (M(ij)) comprennent deux emplacements de mémorisation binaire dans chacun desquels on mémorise l'état d'un des interrupteurs A(ij) et B(ij). 3. Device according to one of the preceding claims, characterized in that the storage means (M (ij)) comprise two binary storage locations in each of which is stored the state of one of the switches A (ij) and B (ij).
4. Dispositif selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que chaque pixel courant (R(ij)) comprend en outre un actionneur (T(ij)) de lecture du pixel courant (R(ij)), et en ce que les moyens de mémorisation (M(ij)) du pixel courant (R(ij)) permettent d'autoriser (D(ij)) la fermeture de l'actionneur (T(ij)) de lecture du pixel courant (R(ij)) en lien avec une commande de lecture (Phi-ligne(i)) du pixel courant (R(ij)). 4. Device according to one of the preceding claims, characterized in that each current pixel (R (ij)) further comprises an actuator (T (ij)) for reading the current pixel (R (ij)), and in that that the storage means (M (ij)) of the current pixel (R (ij)) make it possible to allow (D (ij)) the closing of the actuator (T (ij)) for reading the current pixel (R ( ij)) in connection with a read command (Phi-line (i)) of the current pixel (R (ij)).
5. Dispositif selon les revendications 3 et 4, caractérisé en ce que les moyens de mémorisation (M(ij)) comprennent un emplacement supplémentaire de mémorisation binaire (D(i,j)), dans lequel on mémorise une autorisation de fermeture l'actionneur T(i,j). 5. Device according to claims 3 and 4, characterized in that the storage means (M (ij)) comprise an additional location for binary storage (D (i, j)), in which a closing authorization is stored. actuator T (i, j).
6. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 3 ou 5, caractérisé en ce que les emplacements de mémorisation sont adressés au moyen d'électrodes en ligne et en colonne permettant d'identifier le pixel (P(i,j) ; Q(ij) ;R(ij)) adressé et en ce que le dispositif comprend une électrode de donnée par emplacement de mémorisation et commune à l'ensemble des pixels (P(i,j) ; Q(i j) ; R(i,j)). 6. Device according to any one of claims 3 or 5, characterized in that the storage locations are addressed by means of in-line and column electrodes for identifying the pixel (P (i, j); ij); R (ij)) addressed and in that the device comprises a data electrode per storage location and common to all the pixels (P (i, j); Q (ij); R (i, j )).
7. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 3 ou 5, caractérisé en ce que les emplacements de mémorisation sont adressés au moyen d'électrodes en ligne et en colonne permettant d'identifier le pixel (X(ij) ; Y(ij)) adressé, en ce que chaque pixel (X(i,j) ; Y(ij)) comprend un registre à décalage (U(i,j) ; Y(ij)) formant les moyens de mémorisation, et en ce que le dispositif comprend une électrode d'horloge (H(i,j)) et une électrode de données (E-prog) raccordée à l'ensemble des registres à décalage (U(i,j) ; Y(i,j)) des différents pixels (X(i,j) ; Y(i,j)). 7. Device according to any one of claims 3 or 5, characterized in that the storage locations are addressed by means of in-line and column electrodes for identifying the pixel (X (ij); Y (ij) ) addressed, in that each pixel (X (i, j); Y (ij)) comprises a shift register (U (i, j); Y (ij)) forming the storage means, and that the device comprises a clock electrode (H (i, j)) and a data electrode (E-prog) connected to all the shift registers (U (i, j); Y (i, j)) of different pixels (X (i, j); Y (i, j)).
8. Dispositif selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que les moyens de mémorisation (V(ij)) sont configurés pour stocker plusieurs configurations de groupement de pixels (Y(ij)) et en ce que le dispositif comprend des moyens (T4(i,j)) pour choisir parmi les configurations mémorisées. 8. Device according to one of the preceding claims, characterized in that the storage means (V (ij)) are configured to store a plurality of pixel array configurations (Y (ij)) and in that the device comprises means (T4 (i, j)) to choose among the stored configurations.
9. Dispositif selon les revendications 7 et 8, caractérisé en ce que le registre à décalage (V(i,j)) contient plusieurs cases et en ce que le nombre de cases est égal au nombre d'emplacements de mémorisation multiplié par le nombre de configurations distinctes que l'on souhaite mémoriser. 9. Device according to claims 7 and 8, characterized in that the shift register (V (i, j)) contains several boxes and in that the number of boxes is equal to the number of storage locations multiplied by the number different configurations that we want to memorize.
10. Procédé mettant en œuvre un dispositif d'imagerie selon l'une des revendications précédentes comprenant une phase de prise d'image, caractérisé en ce qu'il consiste à réaliser phase de programmation des moyens de mémorisation des pixels (P(i,j) ; Q(ij) ; R(ij) ; X(ij) ; Y(ij)) avant la phase de prise d'image. 10. Method implementing an imaging device according to one of the preceding claims comprising a phase of imaging, characterized in that it consists in performing programming phase of the means for storing the pixels (P (i, j); Q (ij); R (ij); X (ij); Y (ij)) before the image-taking phase.
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