EP2474048A1 - Optoelectronic component having a semiconductor body, an insulating layer, and a planar conductor structure, and method for the production thereof - Google Patents

Optoelectronic component having a semiconductor body, an insulating layer, and a planar conductor structure, and method for the production thereof

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Publication number
EP2474048A1
EP2474048A1 EP10742132A EP10742132A EP2474048A1 EP 2474048 A1 EP2474048 A1 EP 2474048A1 EP 10742132 A EP10742132 A EP 10742132A EP 10742132 A EP10742132 A EP 10742132A EP 2474048 A1 EP2474048 A1 EP 2474048A1
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
semiconductor body
insulating layer
optoelectronic component
metallization
metallisierungshügel
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
EP10742132A
Other languages
German (de)
French (fr)
Inventor
Karl Weidner
Ralph Wirth
Axel Kaltenbacher
Walter Wegleiter
Bernd Barchmann
Oliver Wutz
Jan Marfeld
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
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Withdrawn legal-status Critical Current

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    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12042—LASER

Definitions

  • Optoelectronic component with a semiconductor body, an insulating layer and a planar conductive structure and method for its production
  • the present invention relates to an optoelectronic component with a semiconductor body, a
  • Insulation layer and a planar conductive structure for planar contacting of the semiconductor body Furthermore, the invention relates to a method for producing an optoelectronic component.
  • a component with a semiconductor body which is in planar contact is known, for example, from the document DE 103 53 679 A1.
  • the component has a substrate, an optoelectronic arranged thereon
  • Contacting of the optoelectronic semiconductor body is a planar conductive structure in the form of a metallization via the insulating layer to contact points of the
  • the conventional planar contacting technique uses a laser ablation process to expose the terminal regions of the semiconductor body. Required is a virtually residue-free removal of the insulating layer over the connection area. Will the insulating
  • the invention has for its object to provide an improved, optoelectronic device, the
  • a low profile and at the same time has a reliable operating performance and is further characterized by a simplified manufacturing process.
  • an optoelectronic component According to the invention, an optoelectronic component
  • the semiconductor body has at least one semiconductor body with a radiation exit side.
  • the semiconductor body is arranged with a side opposite the radiation exit side on a substrate, wherein on the Radiation exit side at least one electrical
  • connection area is arranged. On the electric
  • connection area is arranged a Metallmaschineshügel. Furthermore, the semiconductor body is at least partially provided with an insulating layer, wherein the Metallleitershügel projects beyond the insulating layer. At least one planar conductive structure is arranged on the insulating layer for planar contacting of the semiconductor body, which is connected to the
  • electrical connection area is electrically connected via the metallization.
  • a compact component can be provided with advantage.
  • a close arrangement of the conductive structures on the semiconductor body is advantageously possible, resulting in a particularly low overall height of the component. This makes it possible in particular a close arrangement of, for example, optical elements to the semiconductor body.
  • Optical elements are in particular components that specifically influence the radiation emitted by the semiconductor body, in particular change the emission characteristic, such as
  • lenses for example, lenses.
  • a laser ablation process of the insulating layer over the electrical connection region of the semiconductor body can be avoided by means of the metallization bump on the connection region of the semiconductor body which protrudes from the insulation layer, as a result of which damage to the semiconductor body is prevented
  • a Metallmaschineshügel is for example an increase comprising a metallic material.
  • Metallization hill does not necessarily have to have a special shape. In particular, dominates the
  • the Metallization hill the insulation layer.
  • the metallization mound projects out of a surface of the insulating layer opposite the semiconductor body.
  • the Metallmaschineshügel thus has, in particular on the radiation exit side to a greater height than the
  • Insulation layer Preferably, the penetrates
  • the metallization mound is in particular one of the
  • Terminal region of the semiconductor body and of the planar conductive structure separate component of the device.
  • the Metallmaschineshügel is glued or soldered, for example, on the connection area.
  • the semiconductor body is preferably a semiconductor chip, particularly preferably a light-emitting diode (LED) or a laser diode.
  • LED light-emitting diode
  • the semiconductor body preferably has a
  • the active layer preferably has a pn junction, a Double heterostructure, a single quantum well structure (SQW, Single quantum well) or a multiple quantum well structure (MQW, multi quantum well) for generating radiation.
  • the semiconductor body is preferably based on a nitride, phosphide or arsenide compound semiconductor.
  • the semiconductor body is designed as a thin-film semiconductor body.
  • a thin-film semiconductor body is in particular a
  • the metallization mound is a so-called "studbump.”
  • a studbump is a wire, preferably a squeezed gold wire (Au wire)
  • solder-ball for example, a solder ball or a “flip chip bump”.
  • solder ball is here
  • solder ball is not just a spherical body.
  • any ball-like body such as post-shaped body or the like, to be understood by it.
  • bodies which have a rounding only on the surface facing away from the radiation side fall under the term solder ball.
  • cylindrical bodies fall within the scope of the application under the term solder ball. Solder balls, solder balls and flip chip bumps are known in the art and are therefore not explained in detail here.
  • the optoelectronic component of the Metallmaschineshügel contains a nickel-gold compound (Ni / Au compound) and / or a nickel-palladium compound (Ni / Pd compound).
  • the Metallmaschineshügel is electrically conductive and connects the electrical connection region of the
  • the insulation layer has
  • Optoelectronic component is the insulating layer for a radiation emitted by the semiconductor body radiation
  • the insulation layer is preferably at least partially transparent to radiation for the radiation emitted by the semiconductor body.
  • the radiation emitted by the semiconductor body can thus be coupled out through the insulating layer without suffering substantial optical losses.
  • An absorption of the radiation emitted by the semiconductor body radiation in the insulating layer can be reduced so advantageously, so that increases the efficiency of the device with advantage.
  • the insulating layer is preferably a film, a lacquer or a polymer layer.
  • Optoelectronic component is arranged in the insulating layer, a conversion material.
  • the conversion material in the insulating layer preferably at least partially absorbs radiation from the
  • Semiconductor body is emitted, and re-emits a
  • the component emits mixed radiation which reflects the radiation emitted by the semiconductor body and the
  • a component can be produced that emits mixed radiation in the white color locus.
  • At least one further semiconductor body is arranged on the substrate.
  • the further semiconductor body is arranged laterally spaced from the semiconductor body.
  • the further semiconductor body is preferably formed like the first semiconductor body.
  • the further semiconductor body has a
  • the electrical connection region is arranged, on which a Metallmaschineshügel is arranged. Furthermore, the further semiconductor body is at least partially with a
  • Insulation layer provided, wherein the metallization mound penetrates the insulation layer, in particular surmounted.
  • the semiconductor body can be arranged in a space-saving manner on the substrate.
  • the footprint of the device is thus reduced with advantage.
  • Optoelectronic module comprises in particular the following steps: a) arranging a semiconductor body with one of a
  • the subsequent application of the insulating layer takes place so that the Metallticianshügel protrudes after application of the insulating layer of the surface of the insulating layer.
  • a laser ablation of the insulating layer over the electrical connection region of the semiconductor body is eliminated with advantage, whereby damage to the
  • Connection region of the semiconductor body preferably use the following methods:
  • the Metallleitershügel is preferably a Studbump or a Solder-ball, wherein for applying the Metallmaschineshügels on the electrical connection area, for example, an adhesive or a soldering process applies.
  • an adhesive or a soldering process applies.
  • Isolation material of the insulation layer find
  • the insulating layer is preferably so in each case
  • the one or more Metallmaschineshügel are free of material of the insulating layer, the semiconductor body and the substrate, however, in areas outside of the
  • Metalltechnischeshügel be present after application of the insulating layer, the Metalltechnischshügel by means of a stamping process, a grinding process, a
  • Radiation exit side have further connection areas, on each of which a Metallmaschineshügel is applied, wherein the insulation layer in each case has an opening in areas of Metallmaschineshügel, so that the Metallmaschineshügel penetrate the insulation layer in each case completely.
  • a component produced by such a method has at least one semiconductor body which, with the exception of regions of the metallization mounds, preferably
  • Insulation layer on the semiconductor body also applying the insulating layer on the substrate in
  • Regions of the substrate, which are located outside of or the mounting areas of the semiconductor body include.
  • Lead structure or the planar conductive structures for example in the form of metal structures applied. Possible methods for this purpose are known to the person skilled in the art, for example from the document DE 103 53 679 A1, the disclosure content of which is hereby explicitly incorporated into the present application.
  • FIGS. 1 to 3 are each a schematic cross section of
  • FIG. 1 shows an optoelectronic component which has a substrate 1 and a substrate 1 arranged thereon
  • Semiconductor body 2 has.
  • the semiconductor body 2 preferably has a radiation-emitting active layer for generating electromagnetic radiation.
  • the semiconductor body 2 is a semiconductor chip, preferably a light-emitting diode (LED) or a
  • a radiation exit side 20 is arranged. Through the radiation exit side 20 is preferably much of the active layer
  • an electrical connection region 22 is arranged on the radiation exit side 20 of the semiconductor body 2.
  • an electrical connection region 22 is arranged on the radiation exit side 20 of the semiconductor body 2.
  • the metallization mound 3 can be, for example, a studbump, a solderball or a solder ball.
  • the Metallmaschineshügel on an electrically conductive material.
  • Terminal region 22 of the semiconductor body 2 The
  • Metallrete shügel 3 preferably contains a
  • an insulating layer 4 is arranged.
  • the insulating layer 4 is in particular also arranged on the substrate 1 in regions which surround the semiconductor body 2.
  • the insulating layer 4 preferably completely surrounds the semiconductor body 2 except for the electrical connection region 22.
  • the insulating layer is for those of
  • Semiconductor body 2 emitted radiation transparent, or at least partially transparent, so that of the
  • the metallization mound 3 projects beyond the insulation layer 4. In particular, no insulation layer 4 is arranged in the region of the metallization mound 3. The height of the
  • Metalltechnischeshügels 3 on the radiation exit side 20 is preferably greater than the height of the insulating layer 4 on the radiation exit side 20.
  • no insulation layer 4 on the metallization mound 3 no insulation layer 4,
  • a planar conductive structure 5 is provided for the planar contacting of the semiconductor body 2
  • the planar conductive structure 5 is in particular electrically conductively connected to the electrical connection region 22 of the semiconductor body 2 via the metallization mound 3.
  • the metallization mound 3 is preferably a component of the component 10 which is separate from the planar conductive structure 5 and from the connection region 22.
  • the semiconductor body 2 is preferably by means of
  • Terminal region 22 via the metallization mound 3 and the planar conductive structure 5 electrically conductive contactable.
  • the electrical connection region 22 since the electrical connection region 22, the metallization mound 3 and the planar conductive structure 5 are in a side region of FIG.
  • the radiation extraction of the radiation emitted by the semiconductor body 2 radiation from the device 10 is hardly affected by these components, in particular reduced. Due to the lateral arrangement of the planar
  • the exemplary embodiment of FIG. 1 has the particular advantage that the electrical connection region 22 of the semiconductor body 2 has a homogeneous, interference-free surface.
  • the homogeneous, interference-free surface of the electrical connection region 22 comes about because a conventional laser ablation process for exposing the connection region 22 from the insulation layer 4 is not required, since the electrical connection region 22 by means of the metallization mound 3, which has a greater height than the insulating layer 4, with the planar
  • Conductor 5 is electrically connected.
  • Component according to Figure 1 has in particular the following
  • Terminal region 22 of the semiconductor body 2 which is arranged on the radiation exit side 20 and subsequent application of an insulating layer 4 on the semiconductor body 2 such that the Metalltechnischshügel 3 the
  • Such a manufacturing method has the particular advantage that an exposure of the terminal portion 22 of the insulating layer 4 is not necessary, since the
  • connection region 22 is advantageously not damaged by, for example, a laser ablation process, so that a
  • the insulating layer 4 is applied in such a way that the Metalltechnischshügel 3, the surface of the
  • the metallization mound 3 completely penetrates the insulation layer 4.
  • Such an effect may be enabled, for example, by one of the following methods:
  • Insulation layer 4 of the Metalltechnischeshügel 3 preferably free of insulation material of the insulating layer 4. Should the Metalltechnischshügel 3, the insulating layer 4 does not penetrate completely, the insulating material of the insulating layer 4 in the region of the metallization 3 can be completely removed by, for example one
  • the Metallmaschineshügel 3 is for example by means of a screen printing or reflow process on the electric
  • Metallmaschineshügel 3 are applied by means of an adhesive or soldering process on the connection portion 22.
  • the metallization mound 3 is, for example, one
  • Solder-ball solder-Ball-Placement
  • planar conductive structure 5 on the insulating layer 4 are known in the art, for example from the document DE 103 53 679 AI and are therefore not discussed at this point.
  • the conversion material 6 absorbs at least a part of the emitted by the semiconductor body 2 radiation and reemit a secondary radiation, one of the
  • emitted radiation has different wavelength range.
  • a component can be made possible with advantage, having the mixed radiation having the of the
  • Component can be achieved, which emits white light.
  • Figure 3 shows another embodiment of a
  • semiconductor body 2a and the other semiconductor body 2b arranged side by side.
  • the semiconductor body 2a and the other semiconductor body 2b arranged side by side.
  • Semiconductor body 2a, 2b to each other a small distance.
  • the further semiconductor body 2b is preferably configured like the semiconductor body 2a.
  • the further semiconductor body 2b has a radiation exit side 20b, which is opposite to the substrate 1.
  • the further semiconductor body 2b has electrical connection regions 22, on each of which a metallization mound 3 is arranged.
  • Semiconductor body 2b is an insulating layer 4 is arranged, which surrounds the semiconductor body 2b at least partially.
  • the metallization mounds 3 project beyond the insulation layer 4, so that the electrical connection regions 22 can be electrically contacted by means of the metallization mounds 3.
  • the semiconductor body 2a, 2b each have two electrical connection areas 22 on the
  • Metalltechnischeshügel 3 are preferably on
  • the semiconductor body 2 a and the further semiconductor body 2 b are by means of a further planar conductive structure 5 c
  • one of the metallization bumps 3 of the semiconductor body 2 a is connected to one of the metallization bumps 3 of the further semiconductor body 2 b via the further planar conductive structure 5 c in electrical
  • the metallization bumps 3 which are not electrically conductively connected to the respective other semiconductor bodies 2 a, 2 b, are each connected to a planar conductive structure 5 a, 5 b, so that the semiconductor bodies 2 a, 2 b via the planar conductive patterns 5 a, 5 b, 5 c by means of the electrical terminal regions 22 and the metallization mound 3
  • the component 10 of FIG. 3 accordingly has a plurality, in particular two semiconductor bodies 2 a, 2 b, which
  • a contacting components 10 are in electrical contact with each other and can be electrically connected externally via planar conductive structures 5a, 5b.
  • a contacting components 10 can be made possible, which have a plurality of semiconductor bodies 2a, 2b at a small distance from each other, so that advantageously reduces the footprint of such a device 10.
  • Miniaturized components 10 with a plurality of semiconductor bodies can be realized in this way.
  • FIG. 3 is identical to the embodiment of FIG.
  • the invention is not limited to this by the description based on the exemplary embodiments, but includes every new feature as well as every combination of features, which in particular any combination of features in the

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Abstract

The invention relates to an optoelectronic component (10) comprising at least one semiconductor body (2) having a radiation emission point (20). The point of the semiconductor body (2) opposite the radiation emission point (20) is disposed on a substrate (1), wherein at least one electrical connection region (22) is disposed on the radiation emission point (20). A metallization mound (3) is disposed on the electrical connection region (22). The semiconductor body (2) further at least partially has an insulating layer (4), wherein the metallization mound (3) protrudes past the insulating layer (4). At least one planar conductor structure (5) is disposed on the insulating layer (4) for planar contact with the semiconductor body (2), said structure being electrically conductively connected to the electrical connection region (22) by means of the metallization mound (3). The invention further relates to a method for producing such an optoelectronic component (10).

Description

Beschreibung description
Optoelektronisches Bauelement mit einem Halbleiterkörper, einer Isolationsschicht und einer planaren Leitstruktur und Verfahren zu dessen Herstellung Optoelectronic component with a semiconductor body, an insulating layer and a planar conductive structure and method for its production
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2009 039 890.2, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird. This patent application claims the priority of German Patent Application 10 2009 039 890.2, the disclosure of which is hereby incorporated by reference.
Die vorliegende Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement mit einem Halbleiterkörper, einer The present invention relates to an optoelectronic component with a semiconductor body, a
Isolationsschicht und einer planaren Leitstruktur zur planaren Kontaktierung des Halbleiterkörpers. Weiterhin betrifft die Erfindung ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements. Insulation layer and a planar conductive structure for planar contacting of the semiconductor body. Furthermore, the invention relates to a method for producing an optoelectronic component.
Ein Bauelement mit einem Halbleiterkörper, der planar kontaktiert ist, ist beispielsweise aus der Druckschrift DE 103 53 679 AI bekannt. Insbesondere weist das Bauelement ein Substrat, einen darauf angeordneten, optoelektronischen A component with a semiconductor body which is in planar contact is known, for example, from the document DE 103 53 679 A1. In particular, the component has a substrate, an optoelectronic arranged thereon
Halbleiterkörper und eine isolierende Schicht auf, wobei die isolierende Schicht über das Substrat und den Semiconductor body and an insulating layer, wherein the insulating layer over the substrate and the
optoelektronischen Halbleiterkörper geführt ist. Zur is guided optoelectronic semiconductor body. to
Kontaktierung des optoelektronischen Halbleiterkörpers ist eine planare Leitstruktur in Form einer Metallisierung über die isolierende Schicht zu Kontaktstellen des Contacting of the optoelectronic semiconductor body is a planar conductive structure in the form of a metallization via the insulating layer to contact points of the
Halbleiterkörpers und zu einer Leiterbahn des Substrats geführt . Semiconductor body and guided to a conductor track of the substrate.
Bei herkömmlichen planaren Kontaktierungstechniken ist jedoch ein Freilegen von Anschlussbereichen des Halbleiterkörpers notwendig, um den Halbleiterkörper mittels der planaren Leitstruktur elektrisch leitend kontaktieren zu können. In conventional planar contacting techniques, however, it is necessary to expose terminal regions of the semiconductor body in order to make the semiconductor body planar To be able to contact conductive structure electrically conductive.
Insbesondere ist es hierbei erforderlich, die isolierende Schicht im Anschlussbereich des Halbleiterkörpers zu In particular, it is necessary in this case to the insulating layer in the connection region of the semiconductor body
entfernen. Die konventionelle planare Kontaktierungstechnik nutzt hierzu einen Laserablationsprozess zum Freilegen der Anschlussbereiche des Halbleiterkörpers. Erforderlich ist dabei ein nahezu rückstandsfreies Entfernen der isolierenden Schicht über dem Anschlussbereich. Wird die isolierende remove. For this purpose, the conventional planar contacting technique uses a laser ablation process to expose the terminal regions of the semiconductor body. Required is a virtually residue-free removal of the insulating layer over the connection area. Will the insulating
Schicht nicht rückstandsfrei entfernt, kann dies zu einer Beeinträchtigung, insbesondere eine Verschlechterung, derLayer not removed without residue, this can lead to impairment, especially deterioration, the
Leistung im Betrieb des Bauelements führen. Ferner kann eine Abweichung der rückstandsfreien Entfernung der isolierenden Schicht zu einem erhöhten Leistungseintrag führen, wodurch nachteilig der Halbleiterkörper beschädigt werden kann. Perform performance during operation of the device. Furthermore, a deviation of the residue-free removal of the insulating layer can lead to an increased power input, which can disadvantageously damage the semiconductor body.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein verbessertes, optoelektronisches Bauelement bereitzustellen, das The invention has for its object to provide an improved, optoelectronic device, the
insbesondere eine geringe Bauhöhe und gleichzeitig eine zuverlässige Betriebsleistung aufweist und sich ferner durch ein vereinfachtes Herstellungsverfahren auszeichnet. In particular, a low profile and at the same time has a reliable operating performance and is further characterized by a simplified manufacturing process.
Diese Aufgaben werden durch ein optoelektronisches Bauelement mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1 und ein Verfahren zu dessen Herstellung mit den Merkmalen des Patentanspruchs 9 gelöst. Vorteilhafte Ausführungsformen und bevorzugte These objects are achieved by an optoelectronic component having the features of patent claim 1 and a method for its production having the features of patent claim 9. Advantageous embodiments and preferred
Weiterbildungen des Bauelements und des Verfahrens zu dessen Herstellung sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.  Further developments of the device and the method for its production are the subject of the dependent claims.
Erfindungsgemäß ist ein optoelektronisches Bauelement According to the invention, an optoelectronic component
vorgesehen, das zumindest einen Halbleiterkörper mit einer Strahlungsaustrittsseite aufweist. Der Halbleiterkörper ist mit einer der Strahlungsaustrittsseite gegenüberliegenden Seite auf einem Substrat angeordnet, wobei auf der Strahlungsaustrittsseite zumindest ein elektrischer provided, which has at least one semiconductor body with a radiation exit side. The semiconductor body is arranged with a side opposite the radiation exit side on a substrate, wherein on the Radiation exit side at least one electrical
Anschlussbereich angeordnet ist. Auf dem elektrischen Connection area is arranged. On the electric
Anschlussbereich ist ein Metallisierungshügel angeordnet. Ferner ist der Halbleiterkörper zumindest teilweise mit einer Isolationsschicht versehen, wobei der Metallisierungshügel die Isolationsschicht überragt. Auf der Isolationsschicht ist zur planaren Kontaktierung des Halbleiterkörpers zumindest eine planare Leitstruktur angeordnet, die mit dem Connection area is arranged a Metallisierungshügel. Furthermore, the semiconductor body is at least partially provided with an insulating layer, wherein the Metallisierungshügel projects beyond the insulating layer. At least one planar conductive structure is arranged on the insulating layer for planar contacting of the semiconductor body, which is connected to the
elektrischen Anschlussbereich über den Metallisierungshügel elektrisch leitend verbunden ist. electrical connection area is electrically connected via the metallization.
Durch die planare Kontaktierung des Halbleiterkörpers ergibt sich mit Vorteil eine besonders geringe Bauhöhe des Due to the planar contacting of the semiconductor body is obtained with advantage a particularly low height of the
Bauelements. So kann mit Vorteil ein kompaktes Bauelement bereitgestellt werden. Eine nahe Anordnung der Leitstrukturen an den Halbleiterkörper ermöglicht sich mit Vorteil, wodurch sich eine besonders geringe Bauhöhe des Bauelements ergibt. Dadurch ermöglicht sich insbesondere eine nahe Anordnung von beispielsweise optischen Elementen an den Halbleiterkörper. Component. Thus, a compact component can be provided with advantage. A close arrangement of the conductive structures on the semiconductor body is advantageously possible, resulting in a particularly low overall height of the component. This makes it possible in particular a close arrangement of, for example, optical elements to the semiconductor body.
Optische Elemente sind insbesondere Komponenten, die von dem Halbleiterkörper emittierte Strahlung gezielt beeinflussen, insbesondere die Abstrahlcharakteristik ändern, wie Optical elements are in particular components that specifically influence the radiation emitted by the semiconductor body, in particular change the emission characteristic, such as
beispielsweise Linsen. for example, lenses.
Durch den Metallisierungshügel auf dem Anschlussbereich des Halbleiterkörpers, der aus der Isolationsschicht herausragt, kann ferner ein Laserablationsprozess der Isolationsschicht über dem elektrischen Anschlussbereich des Halbleiterkörpers vermieden werden, wodurch eine Beschädigung der Furthermore, a laser ablation process of the insulating layer over the electrical connection region of the semiconductor body can be avoided by means of the metallization bump on the connection region of the semiconductor body which protrudes from the insulation layer, as a result of which damage to the semiconductor body is prevented
Anschlussbereiche des Halbleiterkörpers vermieden,  Connection areas of the semiconductor body avoided,
insbesondere verhindert werden kann. Insbesondere ermöglicht sich so eine homogene, störungsfreie Anschlussbereichsoberflache, wodurch eine Beeinflussung der Betriebsleistung des Halbleiterkörpers verhindert werden kann. Mit Vorteil kann so ein zuverlässiges Bauelement erzielt werden. especially can be prevented. In particular, this allows a homogeneous, trouble-free Anschlussbereichsoberflache, whereby an influence on the operating performance of the semiconductor body can be prevented. Advantageously, such a reliable component can be achieved.
Ein Metallisierungshügel ist beispielsweise eine Erhöhung aufweisend ein metallisches Material. Der A Metallisierungshügel is for example an increase comprising a metallic material. Of the
Metallisierungshügel muss dabei nicht notwendigerweise eine spezielle Form aufweisen. Insbesondere überragt der  Metallization hill does not necessarily have to have a special shape. In particular, dominates the
Metallisierungshügel die Isolationsschicht. Beispielsweise ragt der Metallisierungshügel aus einer dem Halbleiterkörper gegenüberliegenden Oberfläche der Isolationsschicht heraus. Der Metallisierungshügel weist somit insbesondere auf der Strahlungsaustrittsseite eine größere Höhe auf als die Metallization hill the insulation layer. By way of example, the metallization mound projects out of a surface of the insulating layer opposite the semiconductor body. The Metallisierungshügel thus has, in particular on the radiation exit side to a greater height than the
Isolationsschicht. Vorzugsweise durchdringt der Insulation layer. Preferably, the penetrates
Metallisierungshügel die Isolationsschicht vollständig.  Metallisierungshügel the insulation layer completely.
Metallisierungshügel sind dem Fachmann insbesondere auch als "Bumps" bekannt. Metallisierungshügel are known to those skilled in particular as "bumps".
Der Metallisierungshügel ist insbesondere eine von dem The metallization mound is in particular one of the
Anschlussbereich des Halbleiterkörpers und von der planaren Leitstruktur separate Komponente des Bauelements. Terminal region of the semiconductor body and of the planar conductive structure separate component of the device.
Vorzugsweise ist der Metallisierungshügel beispielsweise auf den Anschlussbereich geklebt oder gelötet. Preferably, the Metallisierungshügel is glued or soldered, for example, on the connection area.
Der Halbleiterkörper ist bevorzugt ein Halbleiterchip, besonders bevorzugt eine Licht emittierende Diode (LED) oder eine Laserdiode. The semiconductor body is preferably a semiconductor chip, particularly preferably a light-emitting diode (LED) or a laser diode.
Der Halbleiterkörper weist vorzugsweise eine The semiconductor body preferably has a
Strahlungsemittierende aktive Schicht auf. Die aktive Schicht weist vorzugsweise einen pn-Übergang, eine Doppelheterostruktur, eine Einfachquantentopfstruktur (SQW, Single quantum well) oder eine Mehrfachquantentopfstruktur (MQW, multi quantum well) zur Strahlungserzeugung auf. Der Halbleiterkörper basiert vorzugsweise auf einem Nitrid-, Phosphid- oder Arsenidverbindungshalbleiter . Bevorzugt ist der Halbleiterkörper als Dünnfilmhalbleiterkörper ausgeführt. Ein Dünnfilmhalbleiterkörper ist insbesondere ein Radiation-emitting active layer. The active layer preferably has a pn junction, a Double heterostructure, a single quantum well structure (SQW, Single quantum well) or a multiple quantum well structure (MQW, multi quantum well) for generating radiation. The semiconductor body is preferably based on a nitride, phosphide or arsenide compound semiconductor. Preferably, the semiconductor body is designed as a thin-film semiconductor body. A thin-film semiconductor body is in particular a
Halbleiterkörper, während dessen Herstellung das Semiconductor body during its production the
Aufwachssubstrat abgelöst worden ist. Growth substrate has been detached.
Bei einer bevorzugten Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelements ist der Metallisierungshügel ein sogenannter „Studbump". Ein Studbump ist beispielsweise ein Draht, bevorzugt ein abgequetschter Gold-Draht (Au-Draht) . Der Draht ist insbesondere auf dem Anschlussbereich des In a preferred embodiment of the optoelectronic component, the metallization mound is a so-called "studbump." For example, a studbump is a wire, preferably a squeezed gold wire (Au wire)
Halbleiterkörpers, der vorzugsweise als Kontaktierpad Semiconductor body, preferably as Kontaktierpad
ausgebildet ist, angeordnet. Studbumps sind dem Fachmann bekannt und werden daher an dieser Stelle nicht näher is formed, arranged. Studbumps are known in the art and therefore will not be closer to this point
erläutert. explained.
Bei einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung des In a further preferred embodiment of the
optoelektronischen Bauelements ist der Metallisierungshügel ein sogenannter „Solder-ball" , beispielsweise eine Lotkugel oder ein „Flip Chip Bump" . Eine Lotkugel ist hierbei Optoelectronic device is the Metallisierungshügel a so-called "Solder-ball", for example, a solder ball or a "flip chip bump". A solder ball is here
bevorzugt jeder metallische Körper, der auf den prefers any metallic body that on the
Anschlussbereich aufgelötet werden kann. Insbesondere ist unter einer Lotkugel nicht nur ein kugelförmiger Körper zu verstehen. Ferner sind jede kugelähnlichen Körper, wie beispielsweise pfostenförmige Körper oder ähnliches, darunter zu verstehen. Auch Körper, die lediglich auf der von der Strahlungsseite abgewandten Fläche eine Rundung aufweisen, fallen hierbei unter den Begriff Lotkugel. Auch zylinderförmige Körper fallen im Rahmen der Anmeldung unter den Begriff Lotkugel. Solder-balls , Lotkugeln und Flip Chip Bumps sind dem Fachmann bekannt und werden daher an dieser Stelle nicht näher erläutert. Connection area can be soldered. In particular, a solder ball is not just a spherical body. Further, any ball-like body, such as post-shaped body or the like, to be understood by it. Also, bodies which have a rounding only on the surface facing away from the radiation side fall under the term solder ball. Also cylindrical bodies fall within the scope of the application under the term solder ball. Solder balls, solder balls and flip chip bumps are known in the art and are therefore not explained in detail here.
Bei einer bevorzugten Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelements enthält der Metallisierungshügel eine Nickel- Gold-Verbindung (Ni/Au-Verbindung) und/oder eine Nickel- Palladium-Verbindung (Ni/Pd-Verbindung) . In a preferred embodiment of the optoelectronic component of the Metallisierungshügel contains a nickel-gold compound (Ni / Au compound) and / or a nickel-palladium compound (Ni / Pd compound).
Bevorzugt ist der Metallisierungshügel elektrisch leitend und verbindet den elektrischen Anschlussbereich des Preferably, the Metallisierungshügel is electrically conductive and connects the electrical connection region of the
Halbleiterkörpers mit der planaren Leitstruktur, sodass der Halbleiterkörper mittels des Metallisierungshügels elektrisch leitend kontaktiert ist. Die Isolationsschicht weist Semiconductor body with the planar conductive structure, so that the semiconductor body is contacted by the Metallisierungshügels electrically conductive. The insulation layer has
vorzugsweise im Bereich des Metallisierungshügels einen preferably in the region of Metallisierungshügels a
Durchbruch auf, den der Metallisierungshügel vollständig durchdringt . Bei einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung des Breakthrough on which the metallization mound completely penetrates. In a further preferred embodiment of the
optoelektronischen Bauelements ist die Isolationsschicht für eine von dem Halbleiterkörper emittierte Strahlung Optoelectronic component is the insulating layer for a radiation emitted by the semiconductor body radiation
transparent. Vorzugsweise ist die Isolationsschicht für die von dem Halbleiterkörper emittierte Strahlung zumindest teilweise strahlungsdurchlässig. Die von dem Halbleiterkörper emittierte Strahlung kann so durch die Isolationsschicht ausgekoppelt werden, ohne dabei wesentliche optische Verluste zu erleiden. Eine Absorption der von dem Halbleiterkörper emittierten Strahlung in der Isolationsschicht kann so mit Vorteil verringert werden, sodass sich die Effizienz des Bauelements mit Vorteil erhöht. Die Isolationsschicht ist vorzugsweise eine Folie, ein Lack oder eine Polymerschicht. transparent. The insulation layer is preferably at least partially transparent to radiation for the radiation emitted by the semiconductor body. The radiation emitted by the semiconductor body can thus be coupled out through the insulating layer without suffering substantial optical losses. An absorption of the radiation emitted by the semiconductor body radiation in the insulating layer can be reduced so advantageously, so that increases the efficiency of the device with advantage. The insulating layer is preferably a film, a lacquer or a polymer layer.
Bei einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung des In a further preferred embodiment of the
optoelektronischen Bauelements ist in der Isolationsschicht ein Konversionsmaterial angeordnet. Optoelectronic component is arranged in the insulating layer, a conversion material.
Das Konversionsmaterial in der Isolationsschicht absorbiert vorzugsweise zumindest teilweise Strahlung, die von dem The conversion material in the insulating layer preferably at least partially absorbs radiation from the
Halbleiterkörper emittiert wird, und re-emittiert eine Semiconductor body is emitted, and re-emits a
Sekundärstrahlung in einem anderen Wellenlängenbereich. Secondary radiation in another wavelength range.
Dadurch emittiert das Bauelement Mischstrahlung, die die von dem Halbleiterkörper emittierte Strahlung und die As a result, the component emits mixed radiation which reflects the radiation emitted by the semiconductor body and the
Sekundärstrahlung des Konversionsmaterials enthält. Contains secondary radiation of the conversion material.
Vorzugsweise kann so beispielsweise ein Bauelement erzeugt werden, das Mischstrahlung im weißen Farbort emittiert. Preferably, for example, a component can be produced that emits mixed radiation in the white color locus.
Bei einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung des In a further preferred embodiment of the
optoelektronischen Bauelements ist mindestens ein weiterer Halbleiterkörper auf dem Substrat angeordnet. Insbesondere ist der weitere Halbleiterkörper lateral beabstandet von dem Halbleiterkörper angeordnet. Der weitere Halbleiterkörper ist vorzugsweise ausgebildet wie der erste Halbleiterkörper. Optoelectronic component, at least one further semiconductor body is arranged on the substrate. In particular, the further semiconductor body is arranged laterally spaced from the semiconductor body. The further semiconductor body is preferably formed like the first semiconductor body.
Insbesondere weist der weitere Halbleiterkörper eine In particular, the further semiconductor body has a
Strahlungsaustrittsseite auf, auf dem zumindest ein Radiation exit side on, on the at least one
elektrischer Anschlussbereich angeordnet ist, auf dem ein Metallisierungshügel angeordnet ist. Ferner ist der weitere Halbleiterkörper zumindest teilweise mit einer electrical connection region is arranged, on which a Metallisierungshügel is arranged. Furthermore, the further semiconductor body is at least partially with a
Isolationsschicht versehen, wobei der Metallisierungshügel die Isolationsschicht durchdringt, insbesondere überragt. Vorzugsweise sind der Halbleiterkörper und der weitere Insulation layer provided, wherein the metallization mound penetrates the insulation layer, in particular surmounted. Preferably, the semiconductor body and the other
Halbleiterkörper mittels einer weiteren planaren Leitstruktur miteinander elektrisch leitend verbunden. Durch die weitere planare Leitstruktur, die die Semiconductor body by means of another planar conductive structure connected to each other electrically conductive. By the further planar Leitstruktur, which the
Halbleiterkörper miteinander elektrisch leitend verbindet, kann insbesondere mit Vorteil ein kompaktes Modul  Semiconductor body electrically conductive interconnects, in particular advantageously a compact module
bereitgestellt werden, da die Halbleiterkörper auf Platz sparende Art und Weise auf dem Substrat angeordnet sein können. Die Grundfläche des Bauelements verringert sich so mit Vorteil. be provided, since the semiconductor body can be arranged in a space-saving manner on the substrate. The footprint of the device is thus reduced with advantage.
Ein erfindungsgemäßes Verfahren zum Herstellen eines An inventive method for producing a
optoelektronischen Moduls umfasst insbesondere die folgenden Schritte: a) Anordnen eines Halbleiterkörpers mit einer von einer Optoelectronic module comprises in particular the following steps: a) arranging a semiconductor body with one of a
Strahlungsaustrittsseite abgewandten Seite auf einem Radiation exit side facing away from on one
Substrat, b) Aufbringen eines Metallisierungshügels auf einem Substrate, b) applying a metallization mound on one
elektrischen Anschlussbereich des Halbleiterkörpers, der auf der Strahlungsaustrittsseite angeordnet ist, c) nachfolgendes Aufbringen einer Isolationsschicht auf den Halbleiterkörper derart, dass der Metallisierungshügel die Isolationsschicht überragt. electrical connection region of the semiconductor body, which is arranged on the radiation exit side, c) subsequent application of an insulating layer on the semiconductor body such that the Metallisierungshügel projects beyond the insulating layer.
Vor dem Aufbringen der Isolationsschicht auf dem Before applying the insulation layer on the
Halbleiterkörper wird demnach der elektrische Semiconductor body is therefore the electrical
Anschlussbereich des Halbleiterkörpers mit dem Terminal region of the semiconductor body with the
Metallisierungshügel („Bumps") versehen. Das anschließende Aufbringen der Isolationsschicht, vorzugsweise einer Folie, erfolgt so, dass der Metallisierungshügel nach Aufbringen der Isolationsschicht aus der Oberfläche der Isolationsschicht herausragt. Eine Laserablation der Isolationsschicht über dem elektrischen Anschlussbereich des Halbleiterkörpers entfällt so mit Vorteil, wodurch eine Beschädigung des The subsequent application of the insulating layer, preferably a film, takes place so that the Metallisierungshügel protrudes after application of the insulating layer of the surface of the insulating layer. A laser ablation of the insulating layer over the electrical connection region of the semiconductor body is eliminated with advantage, whereby damage to the
Anschlussbereichs des Halbleiterkörpers mit Vorteil  Connection region of the semiconductor body with advantage
verhindert werden kann. Insbesondere kann so mit Vorteil eine homogene, störungsfreie Anschlussbereichsfläche erzielt werden, die vorzugsweise nicht die Betriebsleistung des Halbleiterkörpers negativ beeinflusst. can be prevented. In particular, it is thus advantageously possible to achieve a homogeneous, interference-free terminal area area which preferably does not adversely affect the operating power of the semiconductor body.
Insbesondere kann so ein verbessertes Herstellungsverfahren ermöglicht werden, bei dem eine Beschädigung des In particular, such an improved manufacturing method can be made possible in which damage to the
Anschlussbereichs des Halbleiterkörpers, die Terminal region of the semiconductor body, the
herkömmlicherweise mittels Laserablationsprozessen zumindest teilweise erfolgt, verhindert wird. Ferner fällt in den erfindungsgemäßen Verfahren der Verfahrensschritt des conventionally takes place at least partially by means of laser ablation processes, is prevented. Furthermore, in the method according to the invention, the method step of
Freilegens des Anschlussbereichs des Halbleiterkörpers, insbesondere das Entfernen der Isolationsschicht über dem Anschlussbereich des Halbleiterkörpers, vorzugsweise weg, sodass ein vereinfachtes Herstellungsverfahren erzielt werden kann . Exposing the terminal region of the semiconductor body, in particular the removal of the insulating layer over the terminal region of the semiconductor body, preferably away, so that a simplified manufacturing process can be achieved.
Zum Erzeugen der Metallisierungshügel auf dem For generating the metallization mounds on the
Anschlussbereich des Halbleiterkörpers finden vorzugsweise folgende Verfahren Anwendung: Connection region of the semiconductor body preferably use the following methods:
- Siebdruck-Verfahren, - screen printing process,
- Reflow-Verfahren,  - reflow process,
- Solder-Ball-Placement . - Solder Ball Placement.
Der Metallisierungshügel ist vorzugsweise ein Studbump oder ein Solder-ball, wobei zum Aufbringen des Metallisierungshügels auf dem elektrischen Anschlussbereich beispielsweise ein Klebe- oder ein Lotprozess Anwendung findet . Zum Aufbringen der Isolationsschicht auf dem The Metallisierungshügel is preferably a Studbump or a Solder-ball, wherein for applying the Metallisierungshügels on the electrical connection area, for example, an adhesive or a soldering process applies. For applying the insulation layer on the
Halbleiterkörper, dem Substrat und dem Metallisierungshügel derart, dass der Metallisierungshügel frei ist von  Semiconductor body, the substrate and the Metallisierungshügel such that the Metallisierungshügel is free of
Isolationsmaterial der Isolationsschicht, finden Isolation material of the insulation layer, find
beispielsweise folgende Verfahren Anwendung: For example, the following methods are used:
- Laminieren der Isolationsschicht, insbesondere einer Folie, mit entsprechendem Druck, Laminating the insulating layer, in particular a foil, with appropriate pressure,
- Siebdruck von Isolationsmaterial mit einer Aussparung im Bereich des Metallisierungshügels,  Screen printing of insulating material with a recess in the region of the metallization mound,
- Molding von Isolationsmaterial mit oder ohne einer - Molding of insulation material with or without one
Aussparung im Anschlussbereich des Halbleiterkörpers, Recess in the connection region of the semiconductor body,
- Aufpressen der Isolationsschicht auf den  - pressing the insulation layer on the
Metallisierungshügel, sodass der Metallisierungshügel durch die Isolationsschicht hindurch gepresst wird.  Metallisierungshügel, so that the Metallisierungshügel is pressed through the insulating layer.
Die Isolationsschicht wird vorzugsweise jeweils so The insulating layer is preferably so in each case
aufgebracht, dass der oder die Metallisierungshügel frei von Material der Isolationsschicht sind, der Halbleiterkörper und das Substrat jedoch in Bereichen außerhalb des applied, that the one or more Metallisierungshügel are free of material of the insulating layer, the semiconductor body and the substrate, however, in areas outside of the
Metallisierungshügels von der Isolationsschicht umhüllt, insbesondere bedeckt werden. Metallisierungshügels of the insulating layer wrapped, in particular covered.
Sollten dennoch Reste der Isolationsschicht auf dem Should nevertheless remains of the insulation layer on the
Metallisierungshügel nach Aufbringen der Isolationsschicht vorhanden sein, so kann der Metallisierungshügel mittels eines Stempelprozesses, eines Schleifprozesses , einer Metallisierungshügel be present after application of the insulating layer, the Metallisierungshügel by means of a stamping process, a grinding process, a
Laserablation, eines Plasmaprozesses oder eines Laser ablation, a plasma process or a
Flycutprozesses weiter freigelegt werden, sodass eine elektrische Kontaktierung des Halbleiterkörpers mittels des Metallisierungshügel ermöglicht wird. Insbesondere kann so die Isolationsschicht über dem Metallisierungshügel restlos geöffnet werden. Flycut process further exposed, so a electrical contacting of the semiconductor body is made possible by means of Metallisierungshügel. In particular, the insulation layer can thus be completely opened over the metallization mound.
Weiter kann der Halbleiterkörper auf der Next, the semiconductor body on the
Strahlungsaustrittsseite weitere Anschlussbereiche aufweisen, auf denen jeweils ein Metallisierungshügel aufgebracht ist, wobei die Isolationsschicht in diesem Fall in Bereichen der Metallisierungshügel jeweils einen Durchbruch aufweist, sodass die Metallisierungshügel die Isolationsschicht jeweils vollständig durchdringen.  Radiation exit side have further connection areas, on each of which a Metallisierungshügel is applied, wherein the insulation layer in each case has an opening in areas of Metallisierungshügel, so that the Metallisierungshügel penetrate the insulation layer in each case completely.
Ein durch ein derartiges Verfahren hergestelltes Bauelement weist demnach zumindest einen Halbleiterkörper auf, der bis auf Bereiche der Metallisierungshügel vorzugsweise Accordingly, a component produced by such a method has at least one semiconductor body which, with the exception of regions of the metallization mounds, preferably
vollständig von der Isolationsschicht umhüllt ist. Ferner kann der Verfahrensschritt des Aufbringens der completely enveloped by the insulation layer. Furthermore, the method step of applying the
Isolationsschicht auf dem Halbleiterkörper ebenfalls ein Aufbringen der Isolationsschicht auf dem Substrat in Insulation layer on the semiconductor body also applying the insulating layer on the substrate in
Bereichen des Substrats, die sich außerhalb des oder der Montagebereiche des Halbleiterkörpers befinden, beinhalten.  Regions of the substrate, which are located outside of or the mounting areas of the semiconductor body include.
Nach Aufbringen der Isolationsschicht auf dem After applying the insulation layer on the
Halbleiterkörper und dem Substrat wird weiter die planareSemiconductor body and the substrate will continue to be planar
Leitstruktur oder die planaren Leitstrukturen, beispielsweise in Form von Metallstrukturen, aufgebracht. Mögliche Verfahren hierzu sind dem Fachmann beispielsweise aus der Druckschrift DE 103 53 679 AI bekannt, deren Offenbarungsgehalt hiermit explizit in die vorliegende Anmeldung aufgenommen wird. Lead structure or the planar conductive structures, for example in the form of metal structures applied. Possible methods for this purpose are known to the person skilled in the art, for example from the document DE 103 53 679 A1, the disclosure content of which is hereby explicitly incorporated into the present application.
Weitere Merkmale, Vorteile, bevorzugte Ausgestaltungen und Zweckmäßigkeiten des optoelektronischen Bauelements und des Verfahrens zu dessen Herstellung ergeben sich aus den im Folgenden in Verbindung mit den Figuren 1 bis 3 erläuterten Ausführungsbeispielen. Es zeigen: Further features, advantages, preferred embodiments and expediencies of the optoelectronic component and of the Method for its production will become apparent from the embodiments explained below in conjunction with Figures 1 to 3. Show it:
Figuren 1 bis 3 jeweils einen schematischen Querschnitt von Figures 1 to 3 are each a schematic cross section of
Ausführungsbeispielen eines erfindungsgemäßen  Embodiments of an inventive
Bauelements .  Component.
Gleiche oder gleich wirkende Bestandteile sind jeweils mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Die dargestellten Identical or equivalent components are each provided with the same reference numerals. The illustrated
Bestandteile sowie die Größenverhältnisse der Bestandteile untereinander sind nicht als maßstabsgerecht anzusehen. Components as well as the proportions of the components among each other are not to be regarded as true to scale.
In Figur 1 ist ein optoelektronisches Bauelement dargestellt, das ein Substrat 1 und einen darauf angeordneten FIG. 1 shows an optoelectronic component which has a substrate 1 and a substrate 1 arranged thereon
Halbleiterkörper 2 aufweist. Der Halbleiterkörper 2 weist vorzugsweise eine Strahlungsemittierende aktive Schicht zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung auf. Semiconductor body 2 has. The semiconductor body 2 preferably has a radiation-emitting active layer for generating electromagnetic radiation.
Beispielsweise ist der Halbleiterkörper 2 ein Halbleiterchip, bevorzugt eine Licht emittierende Diode (LED) oder eine For example, the semiconductor body 2 is a semiconductor chip, preferably a light-emitting diode (LED) or a
Laserdiode . Laser diode.
In dem Ausführungsbeispiel der Figur 1 weist der In the embodiment of Figure 1, the
Halbleiterkörper 2 auf der dem Substrat 1 zugewandten Seite eine Kontaktfläche 23 auf. Insbesondere ist der Semiconductor body 2 on the substrate 1 side facing a contact surface 23. In particular, the
Halbleiterkörper über die Kontaktfläche 23 mit Leiterbahnen, die auf dem Substrat 1 angeordnet sind, oder mit dem Substrat 1, das in diesem Fall ein elektrisch leitfähiges Material aufweist, elektrisch leitend kontaktiert. Semiconductor body via the contact surface 23 with conductor tracks, which are arranged on the substrate 1, or with the substrate 1, which in this case has an electrically conductive material, electrically conductively contacted.
Auf der von dem Substrat 1 abgewandten Seite des On the side facing away from the substrate 1 side of the
Halbleiterkörpers 2 ist eine Strahlungsaustrittsseite 20 angeordnet. Durch die Strahlungsaustrittsseite 20 wird vorzugsweise ein Großteil der von der aktiven Schicht Semiconductor body 2, a radiation exit side 20 is arranged. Through the radiation exit side 20 is preferably much of the active layer
emittierten Strahlung aus dem Halbleiterkörper 2 emitted radiation from the semiconductor body. 2
ausgekoppelt. Die von dem Halbleiterkörper 2 emittierte decoupled. The emitted from the semiconductor body 2
Strahlung ist in den Ausführungsbeispielen 1 bis 3 jeweils durch einen Pfeil dargestellt. Radiation is shown in the embodiments 1 to 3 in each case by an arrow.
Auf der Strahlungsaustrittsseite 20 des Halbleiterkörpers 2 ist ein elektrischer Anschlussbereich 22 angeordnet. In dem Ausführungsbeispiel der Figur 1 ist der elektrische On the radiation exit side 20 of the semiconductor body 2, an electrical connection region 22 is arranged. In the embodiment of Figure 1 is the electrical
Anschlussbereich 22 in einem Seitenbereich der Terminal area 22 in a side area of the
Strahlungsaustrittsseite 20 angeordnet, sodass der  Radiation exit side 20 arranged so that the
elektrische Anschlussbereich nicht notwendigerweise electrical connection area not necessarily
transparent für die von dem Halbleiterkörper 2 emittierte Strahlung sein muss. must be transparent to the radiation emitted by the semiconductor body 2 radiation.
Auf dem elektrischen Anschlussbereich 22 ist ein On the electrical connection portion 22 is a
Metallisierungshügel 3 angeordnet. Der Metallisierungshügel 3 kann beispielsweise ein Studbump, ein Solder-ball oder eine Lotkugel sein. Insbesondere weist der Metallisierungshügel ein elektrisch leitfähiges Material auf. Der Metallisierungshügel 3 arranged. The metallization mound 3 can be, for example, a studbump, a solderball or a solder ball. In particular, the Metallisierungshügel on an electrically conductive material. Of the
Metallisierungshügel 3 ist vorzugsweise eine separate  Metallisierungshügel 3 is preferably a separate
Komponente des Bauelements. Insbesondere ist der Component of the device. In particular, the
Metallisierungshügel 3 separat von dem elektrischen Metallisierungshügel 3 separately from the electrical
Anschlussbereich 22 des Halbleiterkörpers 2. Der Terminal region 22 of the semiconductor body 2. The
Metallisierungshügel 3 enthält vorzugsweise eine Metallisierungshügel 3 preferably contains a
Nickelgoldverbindung . Nickel gold connection.
Auf dem Halbleiterkörper 2, insbesondere auf der On the semiconductor body 2, in particular on the
Strahlungsaustrittsseite 20, ist eine Isolationsschicht 4 angeordnet. Die Isolationsschicht 4 ist insbesondere auch auf dem Substrat 1 in Bereichen, die den Halbleiterkörper 2 umgeben, angeordnet. Bevorzugt umgibt die Isolationsschicht 4 den Halbleiterkörper 2 bis auf den elektrischen Anschlussbereich 22 vollständig. Vorzugsweise ist die Isolationsschicht für die von dem Radiation exit side 20, an insulating layer 4 is arranged. The insulating layer 4 is in particular also arranged on the substrate 1 in regions which surround the semiconductor body 2. The insulating layer 4 preferably completely surrounds the semiconductor body 2 except for the electrical connection region 22. Preferably, the insulating layer is for those of
Halbleiterkörper 2 emittierte Strahlung transparent, oder zumindest teilweise transparent, sodass die von dem Semiconductor body 2 emitted radiation transparent, or at least partially transparent, so that of the
Halbleiterkörper 2 emittierte Strahlung an der Semiconductor body 2 emitted radiation at the
Strahlungsaustrittsseite 20 aus dem Bauelement 10 Radiation exit side 20 of the device 10th
ausgekoppelt werden kann. Der Metallisierungshügel 3 überragt die Isolationsschicht 4. Insbesondere ist in dem Bereich des Metallisierungshügels 3 keine Isolationsschicht 4 angeordnet. Die Höhe des can be disconnected. The metallization mound 3 projects beyond the insulation layer 4. In particular, no insulation layer 4 is arranged in the region of the metallization mound 3. The height of the
Metallisierungshügels 3 auf der Strahlungsaustrittsseite 20 ist vorzugsweise größer als die Höhe der Isolationsschicht 4 auf der Strahlungsaustrittsseite 20. Insbesondere ist auf dem Metallisierungshügel 3 keine Isolationsschicht 4, Metallisierungshügels 3 on the radiation exit side 20 is preferably greater than the height of the insulating layer 4 on the radiation exit side 20. In particular, on the metallization mound 3 no insulation layer 4,
insbesondere kein Isolationsmaterial der Isolationsschicht 4, angeordnet . Auf der Isolationsschicht 4 ist zur planaren Kontaktierung des Halbleiterkörpers 2 eine planare Leitstruktur 5 in particular no insulation material of the insulation layer 4, arranged. On the insulation layer 4, a planar conductive structure 5 is provided for the planar contacting of the semiconductor body 2
angeordnet. Die planare Leitstruktur 5 ist insbesondere mit dem elektrischen Anschlussbereich 22 des Halbleiterkörpers 2 über den Metallisierungshügel 3 elektrisch leitend verbunden. Der Metallisierungshügel 3 ist vorzugsweise eine von der planaren Leitstruktur 5 und von dem Anschlussbereich 22 separate Komponente des Bauelements 10. arranged. The planar conductive structure 5 is in particular electrically conductively connected to the electrical connection region 22 of the semiconductor body 2 via the metallization mound 3. The metallization mound 3 is preferably a component of the component 10 which is separate from the planar conductive structure 5 and from the connection region 22.
Der Halbleiterkörper 2 ist bevorzugt mittels der The semiconductor body 2 is preferably by means of
Kontaktfläche 23 auf der dem Substrat 1 zugewandten Seite des Halbleiterkörpers 2 und mittels dem elektrischen Contact surface 23 on the substrate 1 side facing the semiconductor body 2 and by means of the electrical
Anschlussbereich 22 über den Metallisierungshügel 3 und die planare Leitstruktur 5 elektrisch leitend kontaktierbar . Da in dem Ausführungsbeispiel der Figur 1 der elektrische Anschlussbereich 22, der Metallisierungshügel 3 und die planare Leitstruktur 5 in einem Seitenbereich der Terminal region 22 via the metallization mound 3 and the planar conductive structure 5 electrically conductive contactable. In the exemplary embodiment of FIG. 1, since the electrical connection region 22, the metallization mound 3 and the planar conductive structure 5 are in a side region of FIG
Strahlungsaustrittsseite 20 des Halbleiterkörpers 2 Radiation exit side 20 of the semiconductor body 2
angeordnet sind, wird die Strahlungsauskopplung der von dem Halbleiterkörper 2 emittierten Strahlung aus dem Bauelement 10 durch diese Komponenten kaum beeinträchtigt, insbesondere verringert. Durch die seitliche Anordnung der planaren are arranged, the radiation extraction of the radiation emitted by the semiconductor body 2 radiation from the device 10 is hardly affected by these components, in particular reduced. Due to the lateral arrangement of the planar
Kontaktierungsstrukturen sowie des Metallisierungshügels 3 und des Anschlussbereichs 22 können Absorptionsprozesse, die in diesen Komponenten des Bauelements auftreten können, verringert werden, wodurch sich die Strahlungseffizienz des Bauelements mit Vorteil verbessert. Contacting structures as well as the metallization mound 3 and the connection region 22 can reduce absorption processes which can occur in these components of the component, with the result that the radiation efficiency of the component advantageously improves.
Das Ausführungsbeispiel der Figur 1 weist insbesondere den Vorteil auf, dass der elektrische Anschlussbereich 22 des Halbleiterkörpers 2 eine homogene, störungsfreie Oberfläche aufweist. Die homogene, störungsfreie Oberfläche des elektrischen Anschlussbereichs 22 kommt dadurch zustande, dass ein konventioneller Laserablationsprozess zum Freilegen des Anschlussbereichs 22 von der Isolationsschicht 4 nicht erforderlich ist, da der elektrische Anschlussbereich 22 mittels des Metallisierungshügels 3, der eine größere Höhe aufweist als die Isolationsschicht 4, mit der planaren The exemplary embodiment of FIG. 1 has the particular advantage that the electrical connection region 22 of the semiconductor body 2 has a homogeneous, interference-free surface. The homogeneous, interference-free surface of the electrical connection region 22 comes about because a conventional laser ablation process for exposing the connection region 22 from the insulation layer 4 is not required, since the electrical connection region 22 by means of the metallization mound 3, which has a greater height than the insulating layer 4, with the planar
Leitstruktur 5 elektrisch leitend verbunden ist. Conductor 5 is electrically connected.
Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen A method for producing an optoelectronic
Bauelements gemäß Figur 1 weist insbesondere folgende Component according to Figure 1 has in particular the following
Verfahrensschritte auf: Procedural steps on:
Anordnen des Halbleiterkörpers 2 mit einer von der Arranging the semiconductor body 2 with one of the
Strahlungsaustrittsseite 20 abgewandten Seite auf einem Substrat 1, anschließendes Aufbringen eines Radiation exit side 20 facing away on a Substrate 1, then applying a
Metallisierungshügels 3 auf einem elektrischen Metallization hill 3 on an electric
Anschlussbereich 22 des Halbleiterkörpers 2, der auf der Strahlungsaustrittsseite 20 angeordnet ist und nachfolgendes Aufbringen einer Isolationsschicht 4 auf den Halbleiterkörper 2 derart, dass der Metallisierungshügel 3 die Terminal region 22 of the semiconductor body 2, which is arranged on the radiation exit side 20 and subsequent application of an insulating layer 4 on the semiconductor body 2 such that the Metallisierungshügel 3 the
Isolationsschicht 4 überragt. Overlaid insulation layer 4.
Ein derartiges Herstellungsverfahren weist insbesondere den Vorteil auf, dass ein Freilegen des Anschlussbereichs 22 von der Isolationsschicht 4 nicht notwendig ist, da die Such a manufacturing method has the particular advantage that an exposure of the terminal portion 22 of the insulating layer 4 is not necessary, since the
elektrische Kontaktierung über den Metallisierungshügel 3 erfolgt, der die Isolationsschicht 4 überragt. Dadurch wird mit Vorteil der Anschlussbereich 22 durch beispielsweise eine Laserablationsprozesses nicht beschädigt, sodass eine electrical contacting takes place via the metallization mound 3, which projects beyond the insulation layer 4. As a result, the connection region 22 is advantageously not damaged by, for example, a laser ablation process, so that a
homogene, störungsfreie Anschlussbereichsflache ermöglicht wird . homogeneous, trouble-free connection area surface is made possible.
Die Isolationsschicht 4 wird dabei derart aufgebracht, dass der Metallisierungshügel 3 die Oberfläche der The insulating layer 4 is applied in such a way that the Metallisierungshügel 3, the surface of the
Isolationsschicht 4 überragt. Insbesondere durchdringt der Metallisierungshügel 3 die Isolationsschicht 4 vollständig. Ein derartiger Effekt kann beispielsweise mittels eines der folgenden Verfahren ermöglicht werden:  Overlaid insulation layer 4. In particular, the metallization mound 3 completely penetrates the insulation layer 4. Such an effect may be enabled, for example, by one of the following methods:
- Laminieren der Isolationsschicht 4, insbesondere einer Folie, mit entsprechendem Druck, Laminating the insulating layer 4, in particular a foil, with appropriate pressure,
- Siebdruck von Isolationsmaterial mit Aussparungen im  - Screen printing of insulation material with recesses in the
Bereich des Metallisierungshügels 3, Area of the metallization mound 3,
- Molding von Isolationsmaterial, - Molding of insulation material,
- Aufpressen der Isolationsschicht 4 auf das Bauelement 10 derart, dass der Metallisierungshügel 3 in die Isolationsschicht 4 so eingepresst werden, dass dieser die Isolationsschicht 4 vorzugsweise vollständig durchdringen. - Pressing the insulating layer 4 on the device 10 such that the Metallisierungshügel 3 in the Insulation layer 4 are pressed so that this preferably completely penetrate the insulation layer 4.
Bei einem derartigen Verfahren ist nach Aufbringen der In such a method is after applying the
Isolationsschicht 4 der Metallisierungshügel 3 vorzugsweise frei von Isolationsmaterial der Isolationsschicht 4. Sollte dennoch der Metallisierungshügel 3 die Isolationsschicht 4 nicht vollständig durchdringen, kann das Isolationsmaterial der Isolationsschicht 4 im Bereich der Metallisierungshügel 3 restlos entfernt werden durch beispielsweise eines Insulation layer 4 of the Metallisierungshügel 3 preferably free of insulation material of the insulating layer 4. Should the Metallisierungshügel 3, the insulating layer 4 does not penetrate completely, the insulating material of the insulating layer 4 in the region of the metallization 3 can be completely removed by, for example one
Stempelprozesses, eines Schleifprozesses , einer Stamping process, a grinding process, a
Laserablation, eines Plasmaprozesses oder eines Laser ablation, a plasma process or a
Flycutprozesses . Der Metallisierungshügel 3 wird beispielsweise mittels eines Siebdruck- oder Reflow-Verfahrens auf den elektrischen Flycut process. The Metallisierungshügel 3 is for example by means of a screen printing or reflow process on the electric
Anschlussbereich 22 aufgebracht. Alternativ kann der Connection area 22 applied. Alternatively, the
Metallisierungshügel 3 mittels eines Klebe- oder Lötprozesses auf den Anschlussbereich 22 aufgebracht werden. In diesem Fall ist der Metallisierungshügel 3 beispielsweise ein Metallisierungshügel 3 are applied by means of an adhesive or soldering process on the connection portion 22. In this case, the metallization mound 3 is, for example, one
Solder-ball ( "Solder-Ball-Placement " ) . Solder-ball ("Solder-Ball-Placement").
Aufbringungsverfahren der planaren Leitstruktur 5 auf die Isolationsschicht 4 sind dem Fachmann beispielsweise aus der Druckschrift DE 103 53 679 AI bekannt und werden daher an dieser Stelle nicht näher erörtert. Application method of the planar conductive structure 5 on the insulating layer 4 are known in the art, for example from the document DE 103 53 679 AI and are therefore not discussed at this point.
In Figur 2 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel eines In Figure 2 is another embodiment of a
erfindungsgemäßen optoelektronischen Bauelements gezeigt. Das Ausführungsbeispiel der Figur 2 unterscheidet sich von dem Ausführungsbeispiel der Figur 1 dadurch, dass in der shown optoelectronic component according to the invention. The embodiment of Figure 2 differs from the embodiment of Figure 1 in that in the
Isolationsschicht 4 ein Konversionsmaterial 6 angeordnet ist. Das Konversionsmaterial 6 absorbiert zumindest einen Teil der von dem Halbleiterkörper 2 emittierten Strahlung und reemittiert eine Sekundärstrahlung, die eine von dem Insulating layer 4, a conversion material 6 is arranged. The conversion material 6 absorbs at least a part of the emitted by the semiconductor body 2 radiation and reemit a secondary radiation, one of the
Wellenlängenbereich der von dem Halbleiterkörper 2 Wavelength range of the semiconductor body 2
emittierten Strahlung unterschiedlichen Wellenlängenbereich aufweist. Dadurch kann mit Vorteil ein Bauelement ermöglicht werden, das Mischstrahlung aufweisend die von dem emitted radiation has different wavelength range. As a result, a component can be made possible with advantage, having the mixed radiation having the of the
Halbleiterkörper 2 emittierte Strahlung und die Semiconductor body 2 emitted radiation and the
Sekundärstrahlung aufweist. So kann beispielsweise ein Having secondary radiation. For example, a
Bauelement erzielt werden, das weißes Licht emittiert. Component can be achieved, which emits white light.
Im Übrigen stimmt das Ausführungsbeispiel der Figur 2 mit dem Ausführungsbeispiel der Figur 1 überein. Incidentally, the embodiment of Figure 2 is consistent with the embodiment of Figure 1.
Figur 3 stellt ein weiteres Ausführungsbeispiel eines Figure 3 shows another embodiment of a
erfindungsgemäßen Bauelements dar. Im Unterschied zu dem in Figur 1 dargestellten Ausführungsbeispiel ist in dem In contrast to the embodiment shown in Figure 1 is in the
Ausführungsbeispiel der Figur 3 ein weiterer Halbleiterkörper 2b auf dem Substrat 1 angeordnet. Insbesondere sind der Embodiment of Figure 3, a further semiconductor body 2b disposed on the substrate 1. In particular, the
Halbleiterkörper 2a und der weitere Halbleiterkörper 2b nebeneinander angeordnet. Bevorzugt weisen die Semiconductor body 2a and the other semiconductor body 2b arranged side by side. Preferably, the
Halbleiterkörper 2a, 2b zueinander einen geringen Abstand auf .  Semiconductor body 2a, 2b to each other a small distance.
Der weitere Halbleiterkörper 2b ist vorzugsweise ausgestaltet wie der Halbleiterkörper 2a. Insbesondere weist der weitere Halbleiterkörper 2b eine Strahlungsaustrittsseite 20b auf, die dem Substrat 1 gegenüberliegt. Ferner weist der weitere Halbleiterkörper 2b elektrische Anschlussbereiche 22 auf, auf denen jeweils ein Metallisierungshügel 3 angeordnet ist. Auf der von dem Substrat 1 abgewandten Seite des The further semiconductor body 2b is preferably configured like the semiconductor body 2a. In particular, the further semiconductor body 2b has a radiation exit side 20b, which is opposite to the substrate 1. Furthermore, the further semiconductor body 2b has electrical connection regions 22, on each of which a metallization mound 3 is arranged. On the side facing away from the substrate 1 side of the
Halbleiterkörpers 2b ist eine Isolationsschicht 4 angeordnet, die den Halbleiterkörper 2b zumindest teilweise umhüllt. Die Metallisierungshügel 3 überragen die Isolationsschicht 4, sodass mittels der Metallisierungshügel 3 die elektrischen Anschlussbereiche 22 elektrisch kontaktiert werden können. Semiconductor body 2b is an insulating layer 4 is arranged, which surrounds the semiconductor body 2b at least partially. The metallization mounds 3 project beyond the insulation layer 4, so that the electrical connection regions 22 can be electrically contacted by means of the metallization mounds 3.
Im Unterschied zu dem in Figur 1 dargstellten In contrast to the dargstellten in Figure 1
Ausführungsbeispiel weisen die Halbleiterkörper 2a, 2b jeweils zwei elektrische Anschlussbereiche 22 auf der Embodiment, the semiconductor body 2a, 2b each have two electrical connection areas 22 on the
Strahlungsaustrittsseite 20a, 20b auf, auf denen jeweils ein Metallisierungshügel 3 angeordnet ist. Eine wie in den Radiation exit side 20a, 20b, on each of which a Metallisierungshügel 3 is arranged. A like in the
Ausführungsbeispielen der Figuren 1 und 2 dargestellte Embodiments of Figures 1 and 2 shown
Kontaktfäche 23 zur elektrischen Kontaktierung der Contact surface 23 for the electrical contacting of the
Halbleiterkörper 2a, 2b ist in dem Ausführungsbeispiel der Figur 3 daher nicht notwendig.  Semiconductor body 2a, 2b is therefore not necessary in the embodiment of Figure 3.
Die elektrischen Anschlussbereiche 22 sowie die The electrical connection areas 22 and the
Metallisierungshügel 3 sind vorzugsweise auf Metallisierungshügel 3 are preferably on
gegenüberliegenden Seiten der Strahlungsaustrittsseite 20a, insbesondere jeweils im Randbereich der opposite sides of the radiation exit side 20a, in particular in each case in the edge region of
Strahlungsaustrittsseite 20a, 20b, angeordnet. Der Halbleiterkörper 2a und der weitere Halbleiterkörper 2b sind mittels einer weiteren planaren Leitstruktur 5c Radiation exit side 20a, 20b, arranged. The semiconductor body 2 a and the further semiconductor body 2 b are by means of a further planar conductive structure 5 c
elektrisch miteinander verbunden. Insbesondere steht einer der Metallisierungshügel 3 des Halbleiterkörpers 2a mit einem der Metallisierungshügel 3 des weiteren Halbleiterkörpers 2b über die weitere planare Leitstruktur 5c in elektrischemelectrically connected to each other. In particular, one of the metallization bumps 3 of the semiconductor body 2 a is connected to one of the metallization bumps 3 of the further semiconductor body 2 b via the further planar conductive structure 5 c in electrical
Kontakt. Die Metallisierungshügel 3, die nicht mit jeweils dem anderen Halbleiterkörper 2a, 2b elektrisch leitend verbunden sind, sind mit jeweils einer planaren Leitstruktur 5a, 5b verbunden, sodass die Halbleiterkörper 2a, 2b über die planaren Leitstrukturen 5a, 5b, 5c mittels der elektrischen Anschlussbereiche 22 und der Metallisierungshügel 3 Contact. The metallization bumps 3, which are not electrically conductively connected to the respective other semiconductor bodies 2 a, 2 b, are each connected to a planar conductive structure 5 a, 5 b, so that the semiconductor bodies 2 a, 2 b via the planar conductive patterns 5 a, 5 b, 5 c by means of the electrical terminal regions 22 and the metallization mound 3
elektrisch kontaktiert, insbesondere von extern elektrisch angeschlossen werden können. Das Bauelement 10 der Figur 3 weist demnach eine Mehrzahl, insbesondere zwei Halbleiterkörper 2a, 2b auf, die electrically contacted, in particular from external electrical connection can be made. The component 10 of FIG. 3 accordingly has a plurality, in particular two semiconductor bodies 2 a, 2 b, which
miteinander in elektrischem Kontakt stehen und über planare Leitstrukturen 5a, 5b extern elektrisch angeschlossen werden können. Durch eine derartige Kontaktierung können Bauelemente 10 ermöglicht werden, die eine Mehrzahl von Halbleiterkörpern 2a, 2b in geringem Abstand zueinander aufweisen, sodass sich mit Vorteil die Grundfläche eines derartigen Bauelements 10 reduziert. Miniaturisierte Bauelemente 10 mit einer Mehrzahl von Halbleiterkörpern können so realisiert werden. are in electrical contact with each other and can be electrically connected externally via planar conductive structures 5a, 5b. By such a contacting components 10 can be made possible, which have a plurality of semiconductor bodies 2a, 2b at a small distance from each other, so that advantageously reduces the footprint of such a device 10. Miniaturized components 10 with a plurality of semiconductor bodies can be realized in this way.
Im Übrigen stimmt das Ausführungsbeispiel der Figur 3 mit dem Ausführungsbeispiel der Figur 1 überein. Incidentally, the embodiment of FIG. 3 is identical to the embodiment of FIG.
Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der APusführungsbeispiele auf diese beschränkt, sondern umfasst jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den The invention is not limited to this by the description based on the exemplary embodiments, but includes every new feature as well as every combination of features, which in particular any combination of features in the
Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Claims, even if this feature or this combination itself is not explicitly in the
Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist. Claims or embodiments is given.

Claims

Patentansprüche claims
1. Optoelektronisches Bauelement (10) aufweisend zumindest einen Halbleiterkörper (2) mit einer Strahlungsaustrittsseite (20), der mit einer der Strahlungsaustrittsseite (20) gegenüberliegenden Seite auf einem Substrat (1) angeordnet ist, wobei 1. Optoelectronic component (10) comprising at least one semiconductor body (2) with a radiation exit side (20) which is arranged with a radiation exit side (20) opposite side on a substrate (1), wherein
- auf der Strahlungsaustrittsseite (20) zumindest ein  - At least one on the radiation exit side (20)
elektrischer Anschlussbereich (22) angeordnet ist, auf dem ein Metallisierungshügel (3) angeordnet ist, electrical connection region (22) is arranged, on which a Metallisierungshügel (3) is arranged,
- der Halbleiterkörper (2) zumindest teilweise mit einer Isolationsschicht (4) versehen ist, wobei der  - The semiconductor body (2) is at least partially provided with an insulating layer (4), wherein the
Metallisierungshügel (3) die Isolationsschicht (4) überragt, und Metallisierungshügel (3) the insulating layer (4) surmounted, and
- auf der Isolationsschicht (4) zur planaren Kontaktierung des Halbleiterkörpers (2) zumindest eine planare Leitstruktur (5) angeordnet ist, die mit dem elektrischen Anschlussbereich (22) über den Metallisierungshügel (3) elektrisch leitend verbunden ist. - On the insulating layer (4) for planar contacting of the semiconductor body (2) at least one planar conductive structure (5) is arranged, which is electrically conductively connected to the electrical connection region (22) via the Metallisierungshügel (3).
2. Optoelektronisches Bauelement gemäß Anspruch 1, wobei der Metallisierungshügel (3) ein Studbump ist. 2. The optoelectronic component according to claim 1, wherein the metallization mound (3) is a Studbump.
3. Optoelektronisches Bauelement gemäß Anspruch 1, wobei der Metallisierungshügel (3) ein Solder-Ball ist. 3. Optoelectronic component according to claim 1, wherein the Metallisierungshügel (3) is a solder ball.
4. Optoelektronisches Bauelement gemäß einem der 4. Optoelectronic component according to one of
vorhergehenden Ansprüche, wobei previous claims, wherein
der Metallisierungshügel (3) eine Nickel-Gold (Ni/Au) - Verbindung und/oder eine Nickel-Palladium (Ni/Pd) -Verbindung enthält . the metallization mound (3) contains a nickel-gold (Ni / Au) compound and / or a nickel-palladium (Ni / Pd) compound.
5. Optoelektronisches Bauelement gemäß einem der 5. Optoelectronic component according to one of
vorhergehenden Ansprüche, wobei previous claims, wherein
die Isolationsschicht (4) für eine von dem Halbleiterkörper (2) emittierte Strahlung transparent ist. the insulation layer (4) is transparent to a radiation emitted by the semiconductor body (2).
6. Optoelektronisches Bauelement gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei 6. Optoelectronic component according to one of the preceding claims, wherein
in der Isolationsschicht (4) Konversionsmaterial (6) in the insulation layer (4) conversion material (6)
angeordnet ist. is arranged.
7. Optoelektronisches Bauelement gemäß einem der 7. Optoelectronic component according to one of
vorhergehenden Ansprüche, wobei previous claims, wherein
mindestens ein weiterer Halbleiterkörper (2b) auf dem at least one further semiconductor body (2b) on the
Substrat (1) angeordnet ist. Substrate (1) is arranged.
8. Optoelektronisches Bauelement gemäß Anspruch 7, wobei der Halbleiterkörper (2a) und der weitere Halbleiterkörper (2b) mittels einer weiteren planaren Leitstruktur (5c) miteinander elektrisch leitend verbunden sind. 8. The optoelectronic component according to claim 7, wherein the semiconductor body (2a) and the further semiconductor body (2b) are electrically conductively connected to one another by means of a further planar conductive structure (5c).
9. Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen 9. Method for producing an optoelectronic
Bauelements (10) mit den Verfahrensschritten: Component (10) with the method steps:
A) Anordnen eines Halbleiterkörpers (2) mit einer von einer Strahlungsaustrittsseite (20) abgewandten Seite auf einem Substrat (1),  A) arranging a semiconductor body (2) with a side facing away from a radiation exit side (20) on a substrate (1),
B) Aufbringen eines Metallisierungshügels (3) auf einem  B) applying a Metallisierungshügels (3) on a
elektrischen Anschlussbereich (22) des Halbleiterkörpers (2), der auf der Strahlungsaustrittsseite (20)  electrical connection region (22) of the semiconductor body (2) located on the radiation exit side (20)
angeordnet ist,  is arranged
C) nachfolgendes Aufbringen einer Isolationsschicht (4) auf den Halbleiterkörper (2) derart, dass der  C) subsequent application of an insulating layer (4) on the semiconductor body (2) such that the
Metallisierungshügel (3) die Isolationsschicht (4) überragt .  Metallisierungshügel (3) the insulating layer (4) surmounted.
10. Verfahren gemäß Anspruch 9, wobei 10. The method according to claim 9, wherein
der Verfahrensschritt B) ein Siebdruck-Verfahren oder ein Reflow-Verfahren umfasst. the method step B) comprises a screen printing method or a reflow method.
11. Verfahren gemäß Anspruch 9, wobei der Metallisierungshügel (3) ein Solder-Ball ist, wobei der Verfahrensschritt B) einen Löt-Prozess umfasst. 11. The method according to claim 9, wherein the metallization mound (3) is a solder ball, wherein the method step B) comprises a soldering process.
12. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche 9 bis 11, wobei 12. The method according to any one of the preceding claims 9 to 11, wherein
der Verfahrensschritt C) ein Laminieren der Isolationsschicht (4) unter Druck umfasst. the method step C) comprises laminating the insulation layer (4) under pressure.
13. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche 9 bis 11, wobei 13. The method according to any one of the preceding claims 9 to 11, wherein
der Verfahrensschritt C) ein Siebdruckverfahren oder ein Moldingverfahren umfasst. the method step C) comprises a screen printing method or a molding method.
14. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche 9 bis 11, wobei 14. The method according to any one of the preceding claims 9 to 11, wherein
im Verfahrensschritt C) die Isolationsschicht (4) auf die Metallisierungshügel (3) aufgepresst wird. in process step C), the insulation layer (4) is pressed onto the metallization mounds (3).
15. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche 9 bis 14, wobei 15. The method according to any one of the preceding claims 9 to 14, wherein
der Verfahrensschritt C) ein Freilegen des the method step C) exposing the
Metallisierungshügels (3) mittels eines Stempel-Prozesses, eines Schleif-Prozesses , einer Laserablation, eines Plasma- Prozesses oder eines Flycut-Prozesses umfasst.  Metallisierungshügels (3) by means of a stamping process, a grinding process, a laser ablation, a plasma process or a flycut process comprises.
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