MICROSCOPE A FORCE ATOMIQUE ASSERVI ASSISTED ATOMIC STRENGTH MICROSCOPE
Domaine de l'inventionField of the invention
La présente invention concerne la mesure du relief d'une surface en utilisant un microscope à force atomique. Exposé de l'art antérieur La figure 1 représente très schématiquement l'extré¬ mité de détection d'un microscope à force atomique. Cette extré¬ mité de détection est constituée d'une pointe 1 disposée à une extrémité d'une poutre 2 dont l'autre extrémité est encastrée au niveau d'un support 3. La poutre a par exemple une longueur de 50 à 500 μm, une largeur de 20 à 60 μm et une épaisseur de 1 à 5 μm. Quand la pointe est disposée assez près d'une surface d'un échantillon 5 à étudier, il apparaît une force d'interaction atomique entre l'extrémité de la pointe 1 et la surface de l'échantillon 5. Aussi, quand la pointe est déplacée en transla- tion par rapport à l'échantillon 5 dans la direction de l'axe x de la figure 1, ou inversement, la poutre est l'objet de dépla¬ cements dans la direction de l ' axe z qui traduisent les irrégu¬ larités de surface de l'échantillon 5. Pour mesurer la position de la poutre, divers moyens ont été proposés. Le plus courant consiste en un détecteur optique d'un faisceau se réfléchissant sur la poutre. Le détecteur comporte éventuellement des moyens interférométriques . De tels microscopes, connus depuis une
vingtaine d'années, sont par exemple utilisés pour mesurer des irrégularités de surface ayant des dimensions de l ' ordre du nanomètre, c'est-à-dire que l'on arrive à observer des molé¬ cules, voire des atomes. Deux façons principales d'utiliser un microscope à force atomique ont été proposées .The present invention relates to measuring the relief of a surface using an atomic force microscope. Discussion of the Related Art Figure 1 schematically shows the Extremists ¬ detection moth-eaten an atomic force microscope. This detection end ¬ consists of a tip 1 disposed at one end of a beam 2 whose other end is embedded at a support 3. The beam has for example a length of 50 to 500 microns, a width of 20 to 60 microns and a thickness of 1 to 5 microns. When the tip is disposed close enough to a surface of a sample to be studied, there appears an atomic interaction force between the tip 1 tip and the sample 5 surface. Also, when the tip is moved transla- tion compared to the sample 5 in the direction of the axis x of Figure 1, or vice versa, the beam is the subject of MOVE ¬ cements in the direction of the z-axis which are the irregu ¬ larities surface of the sample 5. in order to measure the position of the beam, various means have been proposed. The most common is an optical detector of a beam reflecting on the beam. The detector optionally comprises interferometric means. Such microscopes, known for twenties, are used for example for measuring surface irregularities having dimensions of the order of a nanometer, that is to say that one reaches observe Mole ¬ cules or atoms. Two main ways of using an atomic force microscope have been proposed.
Dans un premier cas, une poutre extrêmement souple (de très faible raideur) est utilisée. La pointe est mise en contact permanent avec la surface mesurée et la déflexion de la poutre est enregistrée. En ce cas, il existe une forte interaction répulsive avec la surface à mesurer et il en résulte des risques de dégradation de la pointe, et/ou de la surface mesurée.In the first case, an extremely flexible beam (of very low stiffness) is used. The tip is in permanent contact with the measured surface and the deflection of the beam is recorded. In this case, there is a strong repulsive interaction with the surface to be measured and this results in the risk of degradation of the tip, and / or the measured surface.
Dans un deuxième cas, la poutre est excitée en vibra¬ tion au voisinage de sa fréquence de résonance. A proximité de la surface balayée, les forces d'interaction attractive et répulsive modulent cette vibration en phase et/ou en fréquence. L'analyse de la modulation de la vibration de la poutre permet de déterminer ladite interaction. Dans ce cas, la sensibilité de la mesure est fondamentalement limitée par le bruit thermique de la poutre. Il existe diverses variantes selon que la pointe est autorisée ou non à frapper la surface étudiée pendant de brèves durées ou en fonction du mode de régulation obtenu : amplitude de vibration régulée et fréquence d'excitation constante ou recherche permanente de la fréquence de résonance compte tenu du décalage de fréquence induit par l'interaction. Quel que soit le détail de mise en oeuvre, ce mode à vibration permanente de la poutre présente des problèmes, inhérents à son principe, quand on veut mesurer des distances et des forces d'interaction dans un milieu liquide, par exemple un milieu biologique. En effet, cette technique repose sur la vibration forcée de la poutre et des problèmes fondamentaux se posent pour utiliser un tel microscope atomique en milieu liquide : comment combiner mise en vibration et milieu liquide, comment concilier résonance marquée nécessaire à une bonne résolution et amortissement dû au fluide.
Résumé de l' inventionIn a second case, the beam is excited in vibra ¬ near its resonant frequency. Near the swept surface, the attractive and repulsive interaction forces modulate this vibration in phase and / or in frequency. The analysis of the modulation of the vibration of the beam makes it possible to determine said interaction. In this case, the sensitivity of the measurement is fundamentally limited by the thermal noise of the beam. There are various variants depending on whether or not the tip is allowed to strike the studied surface for short periods of time or depending on the control mode obtained: regulated vibration amplitude and constant excitation frequency or permanent search for the resonant frequency taking into account the frequency shift induced by the interaction. Whatever the implementation detail, this permanent vibrating mode of the beam presents problems, inherent in its principle, when it is desired to measure distances and interaction forces in a liquid medium, for example a biological medium. Indeed, this technique is based on the forced vibration of the beam and fundamental problems arise to use such an atomic microscope in liquid medium: how to combine vibration setting and liquid medium, how to reconcile marked resonance necessary for good resolution and damping due to the fluid. Summary of the invention
Ainsi, un objet de la présente invention est de prévoir une structure de microscope atomique adaptée à un nouveau mode de fonctionnement qui pallie au moins certains des inconvénients des modes d'utilisation précédemment exposés et qui en outre est particulièrement adapté à une utilisation en milieu liquide.Thus, an object of the present invention is to provide an atomic microscope structure adapted to a new mode of operation which overcomes at least some of the disadvantages of the previously exposed modes of use and which is furthermore particularly suitable for use in a liquid medium. .
Pour atteindre tout ou partie de ces objets, la pré¬ sente invention prévoit un microscope à force atomique compre- nant une micropointe disposée sur un support souple lié à une tête de microscope en regard d'une surface à étudier, comprenant des moyens pour asservir à une valeur donnée la distance entre ladite tête et ladite surface, cette distance étant mesurée au droit de la pointe, et des moyens commandés pour inhiber la vibration de la micropointe.To achieve all or part of these objects, the pre ¬ feel invention provides an atomic force microscope comprising a microtip provided on a support flexible bound to a microscope head opposite a surface to be examined, comprising means for controlling at a given value the distance between said head and said surface, this distance being measured in line with the tip, and means controlled to inhibit the vibration of the microtip.
Selon un mode de réalisation de la présente invention, la micropointe est disposée à l'extrémité d'une poutre encastrée.According to one embodiment of the present invention, the microtip is disposed at the end of a recessed beam.
Selon un mode de réalisation de la présente invention, les moyens pour inhiber la vibration de la micropointe compren¬ nent des moyens conducteurs solidaires de la tête de microscope, en couplage capacitif avec la poutre et recevant, sans filtrage haute fréquence, le signal d'asservissement utilisé pour stabi¬ liser la distance entre la tête de microscope et la surface à étudier.According to one embodiment of the present invention, the means for inhibiting vibration of the microtip include an ¬ NEET means integral conductors of the microscope head, capacitively coupled to the beam and receiving, without high frequency filtering the signal servo used to stabi ¬ Liser the distance between the microscope head and the surface to be studied.
Selon un mode de réalisation de la présente invention, lesdits moyens conducteurs reçoivent des fréquences allant au- delà de la fréquence du troisième mode de résonance de la poutre. Selon un mode de réalisation de la présente invention, la vitesse de balayage transverse entre la tête de microscope et la surface à étudier est choisie pour que la mesure de variation de relief n'ait que des composantes fréquentielles à des fréquences inférieures à la fréquence propre de vibration de la poutre.
Brève description des dessinsAccording to an embodiment of the present invention, said conducting means receive frequencies going beyond the frequency of the third mode of resonance of the beam. According to one embodiment of the present invention, the transverse scanning speed between the microscope head and the surface to be studied is chosen so that the measurement of the variation of relief only has frequency components at frequencies lower than the natural frequency. vibration of the beam. Brief description of the drawings
Ces objets, caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres de la présente invention seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non-limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la figure 1 représente de façon très schématique la partie active d'un microscope atomique ; la figure 2 représente très schématiquement un premier mode de réalisation d'un microscope atomique selon la présente invention ; la figure 3 est une représentation sous forme de schéma blocs de la présente invention ; les figures 4A à 4D sont des courbes illustrant un premier exemple d'utilisation d'un microscope atomique selon la présente invention ; et les figures 5A à 5D sont des courbes illustrant un second exemple d'utilisation d'un microscope atomique selon la présente invention. Description détailléeThese and other objects, features, and advantages of the present invention will be set forth in detail in the following description of particular embodiments in a non-limitative manner with reference to the accompanying figures in which: FIG. very schematic the active part of an atomic microscope; FIG. 2 very schematically represents a first embodiment of an atomic microscope according to the present invention; Fig. 3 is a block diagram representation of the present invention; FIGS. 4A to 4D are curves illustrating a first example of use of an atomic microscope according to the present invention; and Figs. 5A to 5D are curves illustrating a second example of use of an atomic microscope according to the present invention. detailed description
La figure 2 illustre un exemple de réalisation d'un microscope atomique selon la présente invention. La pointe 1 est disposée à l'extrémité d'une poutre en un matériau conducteur 2, par exemple du silicium fortement dopé, gravée à partir d'un support en silicium 3. Le support est solidaire d'une tête de microscope atomique orientable et réglable en position 11. Dans la figure, on a représenté une pièce intermédiaire 12 en un matériau conducteur dont une extrémité 13 est en couplage capacitif avec l'extrémité libre de la poutre 2. La pièce intermédiaire 12 est isolée électriquement du support 3 et de préférence également de la tête 11. Le support et la tête sont par exemple tous deux à la masse. L'échantillon à mesurer 5 est posé par l'intermédiaire d'une structure piézoélectrique 17 sur une table X-Y 19 permettant par exemple d'assurer le déplacement dans la direction x mentionnée en relation avec la figure 1. La
pièce intermédiaire 12 comporte une ouverture permettant à la poutre 2 d'être éclairée par un laser 21 dont le faisceau réfléchi est détecté par un photodétecteur 22 disposé de façon connue pour fournir un signal correspondant à la position, z, de la poutre.FIG. 2 illustrates an exemplary embodiment of an atomic microscope according to the present invention. The tip 1 is disposed at the end of a beam of a conductive material 2, for example highly doped silicon, etched from a silicon support 3. The support is integral with a directional atomic microscope head and adjustable in position 11. In the figure, there is shown an intermediate piece 12 of a conductive material, one end 13 is capacitively coupled with the free end of the beam 2. The intermediate piece 12 is electrically insulated from the support 3 and Preferably also the head 11. The support and the head are for example both grounded. The sample to be measured 5 is placed via a piezoelectric structure 17 on an XY table 19 allowing for example to ensure the displacement in the x direction mentioned in relation to FIG. intermediate piece 12 has an opening allowing the beam 2 to be illuminated by a laser 21 whose reflected beam is detected by a photodetector 22 arranged in a known manner to provide a signal corresponding to the position, z, of the beam.
La présente invention prévoit de maintenir constante la distance zd entre le support de poutre (l'ensemble constitué du support 3, de la pièce intermédiaire 12 et de la tête de microscope 11) et l'échantillon 5. La présente invention prévoit en outre de stabiliser la poutre, c'est-à-dire d'éviter ses vibrations, de façon que la distance zt entre la pointe de mesure et la surface de l'échantillon 5 soit effectivement constante (ainsi la distance zd est une distance prise au droit de la pointe) . En effet, comme l'ont constaté les inventeurs, normalement, en l'absence de toute action sur la poutre, celle- ci tend à vibrer sous l'effet du bruit thermique à des fréquences voisines de sa fréquence propre et de ses harmoniques. Pour une poutre en silicium ayant une longueur L de 50 à 500 μm, une largeur de 10 à 60 μm et une épaisseur e de 1 à 5 μm, la fréquence propre de la poutre sera comprise entre 10 et 500 kHz. Par exemple, pour une poutre ayant une longueur L de 125 μm, une épaisseur e de 4 μm et une raideur de 40 N/m, la fréquence propre sera de 300 kHz. Selon un mode de réalisation de l'invention, le signal de position de la poutre, Sz, fourni par le dispositif de mesure 22 est comparé à une valeur désirée SzO, de préférence 0, dans un contrôleur de stabilisation 31. Le signal de sortie du contrôleur est fourni à un contrôleur 32 de point de réglage de la structure piézoélectrique 17 portant l'échantillon 5. Le signal du contrôleur 32 est amplifié par un amplificateur 33. Ce signal de réglage comprend des composantes fréquentielles allant sensiblement du continu à une fréquence qui dépend de la vitesse de balayage de l'échantillon sous le microscope et qui, comme on le verra ci-après, peut être du même ordre de grandeur que la
fréquence propre de vibration de la poutre mais est de préférence nettement inférieure.The present invention provides to maintain constant the distance zd between the beam support (the assembly consisting of the support 3, the intermediate part 12 and the microscope head 11) and the sample 5. The present invention further provides stabilize the beam, that is to say to avoid its vibrations, so that the distance zt between the measuring tip and the surface of the sample 5 is actually constant (and the distance zd is a distance taken to the right from the tip). Indeed, as found by the inventors, normally, in the absence of any action on the beam, it tends to vibrate under the effect of thermal noise at frequencies close to its natural frequency and its harmonics. For a silicon beam having a length L of 50 to 500 μm, a width of 10 to 60 μm and a thickness e of 1 to 5 μm, the natural frequency of the beam will be between 10 and 500 kHz. For example, for a beam having a length L of 125 microns, a thickness e of 4 microns and a stiffness of 40 N / m, the natural frequency will be 300 kHz. According to one embodiment of the invention, the position signal of the beam, Sz, supplied by the measuring device 22 is compared to a desired value SzO, preferably 0, in a stabilization controller 31. The output signal of the controller is provided to a piezoelectric structure control point controller 32 carrying the sample 5. The signal of the controller 32 is amplified by an amplifier 33. This control signal comprises frequency components ranging substantially from continuous to a frequency which depends on the scanning speed of the sample under the microscope and which, as will be seen below, can be of the same order of magnitude as the vibration frequency of the beam but is preferably significantly lower.
Le signal de sortie du contrôleur de stabilisation 31 est également fourni à un amplificateur 35 fournissant une ten- sion à la pièce intermédiaire 12 ou au moins à son extrémité 13 qui agit par effet capacitif sur la poutre 2. L'amplificateur 35 amplifie les fréquences allant d'une valeur inférieure à celle de la fréquence fondamentale de résonance de la poutre à des valeurs aussi élevées que possible pour corriger les fréquences de résonance d'ordres plus élevés. De préférence, on choisira une plage de fréquences permettant de compenser les vibrations de la poutre jusqu'à des fréquences élevées, typiquement au moins jusqu'à la fréquence du troisième mode de résonance de la poutre . Cette chaîne d'asservissement est représentée sous forme de schéma blocs en figure 3. On y retrouve le photodétec¬ teur 22 fournissant un signal Sz dont la sortie est comparée à un signal de position désirée SzO dans un comparateur 41 suivi d'un contrôleur de stabilisation 42, l'ensemble des éléments 41 et 42 correspondant au contrôleur 31 de la figure 2. Le signal d'asservissement Sf de sortie de ce contrôleur est fourni d'une part à un deuxième comparateur 43 suivi d'un contrôleur 44, l'ensemble du comparateur 43 et du contrôleur 44 correspondant au contrôleur 32 de la figure 2. Le comparateur 43 compare le signal d'asservissement Sf à un signal désiré SO. Le contrôleurThe output signal of the stabilization controller 31 is also provided to an amplifier 35 supplying a voltage to the intermediate piece 12 or at least at its end 13 which acts by capacitive effect on the beam 2. The amplifier 35 amplifies the frequencies ranging from a value lower than that of the fundamental resonant frequency of the beam to values as high as possible for correcting higher order resonant frequencies. Preferably, a range of frequencies will be chosen to compensate the vibrations of the beam to high frequencies, typically at least up to the frequency of the third resonance mode of the beam. This channel servo is shown in block diagram form in Figure 3. It includes the photodétec ¬ tor 22 provides a signal Sz output which is compared with a SZO desired position signal in a comparator 41 followed by a controller stabilization 42, the set of elements 41 and 42 corresponding to the controller 31 of FIG. 2. The output servo signal Sf of this controller is supplied on the one hand to a second comparator 43 followed by a controller 44, the comparator 43 and the controller 44 corresponding to the controller 32 of FIG. 2. The comparator 43 compares the servo signal Sf with a desired signal SO. The controller
44 fournit une tension de positionnement qui est envoyé par l'intermédiaire d'un amplificateur 33 à l'ensemble piézoélec¬ trique 17 qui fournit un signal correspondant à la position de l'échantillon. De même, le signal Sf est fourni à un amplifica- teur 35 et à un actionneur capacitif 36 correspondant au couplage entre la pièce intermédiaire 12 et la poutre 2. A chaque instant, l'intégrale du signal d'asservissement Sf constitue le signal de mesure d'interaction selon l'invention.
Les figures 4A à 4C représentent le signal Sz (ω) tel qu'il serait dans diverses hypothèses. La figure 4D représente le signal Sf (ω) correspondant.44 provides a positioning voltage which is sent via an amplifier 33 to all piézoélec ¬ stick 17 which provides a signal corresponding to the sample position. Similarly, the signal Sf is supplied to an amplifier 35 and to a capacitive actuator 36 corresponding to the coupling between the intermediate piece 12 and the beam 2. At each instant, the integral of the servo signal Sf constitutes the signal of interaction measurement according to the invention. Figures 4A to 4C show the signal Sz (ω) as it would be in various hypotheses. Figure 4D shows the corresponding signal Sf (ω).
En figure 4A, on a montré ce que serait le signal Sz (ω) à l'entrée du contrôleur 31 en l'absence de tout asser¬ vissement. Ce signal comprendrait trois composantes 61, 62 et 63. Le signal 61 est lié au bruit thermique du système et comprend des pics à la fréquence de résonance (jûg de la poutre et à des modes de résonance plus élevés, (%, (»2.... Le signal 62, basse fréquence, est lié au bruit électrique et mécanique du système. Le signal dû à l'interaction de surface entre la pointe et l'échantillon se déplaçant devant celle-ci est contenu dans la bande spectrale 63 représentée. Ce signal d'interaction de surface peut comprendre des fréquences jusqu'à une valeur GO3 liée à la vitesse de balayage de l'échantillon.In Figure 4A there is shown what would be the signal Sz (ω) to the input of controller 31 in the absence of any asser ¬ vissement. This signal would comprise three components 61, 62 and 63. The signal 61 is related to the thermal noise of the system and comprises peaks at the resonant frequency (λg of the beam and at higher resonance modes, (%, (»2 The low frequency signal 62 is related to the electrical and mechanical noise of the system The signal due to the surface interaction between the tip and the sample moving in front of it is contained in the spectral band This surface interaction signal may include frequencies up to a GO 3 value related to the sample scan rate.
La figure 4B représente la résultante des trois compo¬ santes de la figure 4A.FIG 4B shows the resultant of the three compo ¬ cient of Figure 4A.
La figure 4C représente le mouvement de la poutre résultant de l'amortissement selon la présente invention. On a supposé que ce mouvement n'est pas complètement amorti et on a représenté un déplacement encore relativement important pour mieux faire comprendre l'invention. On notera toutefois qu'en pratique, on imposera une atténuation du mouvement d'un facteur de l'ordre de 100 par rapport à ce que serait ce mouvement non amorti tel que représenté en figure 4B.Figure 4C shows the movement of the beam resulting from damping according to the present invention. It has been assumed that this movement is not completely damped and a still relatively large displacement has been shown to better understand the invention. Note, however, that in practice, it will impose a movement attenuation by a factor of about 100 compared to what would be this unamortized movement as shown in Figure 4B.
La figure 4D représente le signal Sf (ω) mesuré à la sortie du contrôleur 42 de la figure 3, qui correspond à la force d'asservissement fournie. Bien entendu, la valeur de ce signal ainsi que l'efficacité de l'amortissement dépendront des fréquences de coupure choisies et des taux d'amplification des divers amplificateurs.FIG. 4D shows the signal Sf (ω) measured at the output of the controller 42 of FIG. 3, which corresponds to the enslaving force supplied. Of course, the value of this signal and the efficiency of the damping will depend on the cutoff frequencies chosen and the amplification rates of the various amplifiers.
On notera que l'évolution de la force d'asservissement nécessaire à l'amortissement de la poutre en fonction de la fréquence dépend de l'allure de la fonction de réponse de la poutre. A amplitude de déplacement égale, une force bien plus
grande est nécessaire pour amortir un déplacement en dehors d'une plage de résonance que dans une plage de fréquences de résonance (ceci explique le creux dans la force d'asservissement pour un déplacement constant au voisinage de la résonance) . En d'autres termes, le déplacement induit par un signal d'amplitude donnée à une fréquence située en dehors d'une plage de résonance sera pratiquement indiscernable par rapport au déplacement induit par ce même signal à une fréquence située dans une plage de résonance. Par contre les forces nécessaires à l'annulation des déplacements seront sensiblement égales. Ainsi, l'influence d'un bruit thermique uniforme, qui est majoritaire aux fréquences de résonance dans la représentation du déplacement de la figure 4C, s'estompe à ces fréquences de réso¬ nance sur la courbe de force d'amortissement de la figure 4D. L'intégrale de la courbe d'énergie d'amortissement de la figure 4D représentera donc l'influence d'une interaction en dehors des plages de fréquences de résonance beaucoup mieux que ne le ferait 1 ' intégrale de la courbe de déplacement de la figure 4B dans laquelle l ' influence de la composante de bruit aux fréquences de résonance serait loin d'être négligeable.It will be noted that the evolution of the servo force required for the damping of the beam as a function of the frequency depends on the shape of the response function of the beam. With equal movement amplitude, a much greater force It is necessary to damp a displacement outside a resonance range only in a resonant frequency range (this explains the hollow in the servo force for a constant displacement in the vicinity of the resonance). In other words, the displacement induced by a given amplitude signal at a frequency outside of a resonance range will be practically indistinguishable from the displacement induced by this same signal at a frequency located in a resonance range. On the other hand the forces necessary for the cancellation of displacements will be approximately equal. Thus, the influence of a uniform thermal noise, which prevails at the resonance frequencies in the representation of the displacement of Figure 4C, fades these frequency reso nance ¬ on the damping force curve of Figure 4D. The integral of the damping energy curve of FIG. 4D will therefore represent the influence of an interaction outside resonance frequency ranges much better than would be the integral of the displacement curve of FIG. 4B in which the influence of the noise component at the resonance frequencies would be far from negligible.
Si on veut améliorer encore les résultats de la présente invention, on peut se placer dans les conditions illus¬ trées en figures 5A à 5D qui correspondent respectivement aux figures 4A à 4D. La différence entre ces figures résulte du choix de la vitesse de balayage relative entre la micropointe et l'échantillon d'où il résulte que le signal d'interaction n'est pas susceptible de contenir des composantes aux fréquences de résonance de la poutre.If one wants to further improve the results of the present invention, there can be placed under the conditions illus ¬ Trees in Figures 5A to 5D which correspond respectively to Figures 4A-4D. The difference between these figures results from the choice of the relative scanning speed between the microtip and the sample from which it results that the interaction signal is not likely to contain components at the resonance frequencies of the beam.
Comme l'illustre la figure 5A, la vitesse de balayage entre la micropointe et l'échantillon est choisie pour que la composante fréquentielle la plus élevée pouvant résulter de 1 ' interaction de surface soit inférieure à la fréquence propre de la poutre. On notera que l'effort d'amortissement qui apparaît en figure 5D comprend pour l'essentiel une composante
liée à l'interaction de surface. On aura ainsi une mesure plus précise de l'interaction.As illustrated in FIG. 5A, the scanning speed between the microtip and the sample is chosen so that the highest frequency component that can result from the surface interaction is less than the natural frequency of the beam. It should be noted that the depreciation effort shown in Figure 5D essentially includes a component related to the surface interaction. We will have a more precise measurement of the interaction.
Selon le cas, on pourra choisir un balayage rapide tel qu'illustré en relation avec les figures 4A à 4D, qui fournit quand même une bonne mesure du relief de l'échantillon, ou un balayage plus lent tel qu'illustré en relation avec les figuresDepending on the case, it will be possible to choose a fast scan as illustrated in relation to FIGS. 4A to 4D, which nevertheless provides a good measure of the relief of the sample, or a slower scan as illustrated in relation to the figures
5A à 5D si on veut obtenir un traitement homogène de toutes les composantes fréquentielles du signal. Par exemple, si on veut observer des surfaces de matières vivantes, en déplacement, on choisira un balayage relativement rapide, correspondant aux conditions de la figure 4.5A to 5D if one wants to obtain a homogeneous treatment of all the frequency components of the signal. For example, if one wants to observe surfaces of living matter, in displacement, one will choose a relatively fast scan, corresponding to the conditions of figure 4.
Selon un premier avantage de la présente invention, 1 ' absence de vibration de la poutre entraîne que la mesure de la force d'interaction est effectuée pour une distance précise et non pour une moyenne de distances comme dans le cas où la poutre est en permanence excitée en vibration. Cela améliore intrinsè¬ quement la précision de la mesure.According to a first advantage of the present invention, the absence of vibration of the beam results in the measurement of the interaction force being carried out for a precise distance and not for an average of distances, as in the case where the beam is permanently excited in vibration. This improves intrinsè ¬ cally the measurement accuracy.
Selon un deuxième avantage de la présente invention, 1 ' absence de vibration de la poutre entraîne que l ' invention est bien adaptée à une mesure dans un milieu liquide. En effet dans un tel milieu, les vibrations seraient perturbées par le milieu ambiant et la création de vibrations dans le milieu peut entraîner divers inconvénients.According to a second advantage of the present invention, the absence of vibration of the beam results in the invention being well suited to measurement in a liquid medium. Indeed in such a medium, the vibrations would be disturbed by the environment and the creation of vibrations in the medium can cause various disadvantages.
Selon un troisième avantage de la présente invention, l'annulation par la boucle d'asservissement de vibrations de la poutre entraîne une réduction du bruit thermique et donc une grande augmentation de la précision de mesure. En effet, dans un système classique, le bruit thermique se traduit essentiellement par une excitation de la poutre qui se met à résonner. Ainsi, l'amortissement des vibrations équivaut à un refroidissement de l'ensemble du système, qui serait impossible en milieu liquide.According to a third advantage of the present invention, the cancellation by the vibration control loop of the beam causes a reduction in thermal noise and therefore a large increase in measurement accuracy. Indeed, in a conventional system, the thermal noise essentially results in an excitation of the beam that starts to resonate. Thus, the vibration damping is equivalent to a cooling of the entire system, which would be impossible in liquid medium.
Selon un troisième avantage de la présente invention, elle permet de réaliser des balayages plus rapides que les dispositifs antérieurs.
Bien entendu, la présente invention est susceptible de nombreuses variantes qui apparaîtront à l'homme de l'art, notamment en ce qui concerne la réalisation des divers circuits électriques et électroniques décrits. Par ailleurs la présente invention s'applique à divers types de microscopes à force ato¬ mique, par exemple des microscopes dans lesquels la micropointe, au lieu d'être portée par une poutre est portée par une autre structure souple, par exemple une membrane.
According to a third advantage of the present invention, it makes it possible to perform sweeps faster than the previous devices. Of course, the present invention is capable of many variants that will occur to those skilled in the art, in particular with regard to the realization of the various electrical and electronic circuits described. Furthermore, the present invention applies to various types of microscopes ato strength ¬ nomic, e.g. microscopes wherein the microtip, instead of being carried by a beam is carried by another flexible structure, for example a membrane.