EP1430289A1 - Laser-absorption spectroscopy method and devices for carrying out said method - Google Patents

Laser-absorption spectroscopy method and devices for carrying out said method

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Publication number
EP1430289A1
EP1430289A1 EP02774144A EP02774144A EP1430289A1 EP 1430289 A1 EP1430289 A1 EP 1430289A1 EP 02774144 A EP02774144 A EP 02774144A EP 02774144 A EP02774144 A EP 02774144A EP 1430289 A1 EP1430289 A1 EP 1430289A1
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
laser
absorption
sample volume
wavelengths
measurement
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
EP02774144A
Other languages
German (de)
French (fr)
Inventor
Gerhard Totschnig
Franz Winter
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Innovationsagentur GmbH
Original Assignee
Innovationsagentur GmbH
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Filing date
Publication date
Application filed by Innovationsagentur GmbH filed Critical Innovationsagentur GmbH
Publication of EP1430289A1 publication Critical patent/EP1430289A1/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/25Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
    • G01N21/31Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
    • G01N21/39Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using tunable lasers

Definitions

  • the invention relates to a method for laser absorption spectroscopy, wherein laser radiation is passed through a sample volume and the absorption of at least one target substance contained in the sample volume is measured by measuring the transmission through the sample volume.
  • the invention further relates to devices for carrying out such a method, with a laser source for emitting laser radiation and with a detector for measuring the intensity of the laser radiation after passing through a sample volume.
  • the invention can be used with particular advantage for species-selective absorption measurement, and it enables the quantitative determination of concentrations of gaseous or liquid substances, in particular in mixtures with other substances.
  • the absorption measurement according to the invention is particularly suitable for the detection of various substances in chemical reactors, for process control, for kinetic investigations and for determining concentrations, both at high pressures and temperatures and at low pressures and temperatures and with very high time resolution ( ⁇ s) ,
  • laser absorption spectroscopy In laser absorption spectroscopy, laser radiation is guided directly through a sample volume, and the concentration of this target substance is inferred from the absorption of the target substance at specific wavelengths.
  • concentration The basis for this is the well-known law of Lambert Beer.
  • the concentration is determined taking into account other experimental parameters such as temperature, pressure and also the path length of the laser radiation in the sample volume.
  • reference spectra it is also common to measure the substances to be examined in the process in the laboratory under precisely known conditions or to calculate reference spectra using databases.
  • the invention provides a method as defined in claim 1. Furthermore, the invention provides devices for carrying out this method as specified in claims 14, 23, 25 and 26.
  • the invention is based on the knowledge that the fluctuations in the laser intensity as well as electronic and experimental noise typically have a very pronounced dependence on the reciprocal of the frequency, i.e. that this noise, which limits the sensitivity, has a large proportion of low-frequency components (i.e. components below a few 10 kHz), but has only small high-frequency components (100 kHz to the megahertz range).
  • the invention now makes use of this fact and is based on such a rapid measurement of the absorption that the fluctuations in the laser intensity and the electronic or experimental noise only have an effect as quasi-stationary, constant attenuation / amplification and offset shift and therefore do not affect the absorption measurement.
  • Typical periods of time within which the absorption measurement is carried out according to the invention are of the order of magnitude of at most a few ⁇ s, preferably these periods are even less than one ⁇ s.
  • the invention thus avoids the noise or the effect of noise and laser intensity fluctuations on the measurement by carrying out the measurement in a time period which is very short in comparison to the time. scale of the fastest disturbing fluctuations.
  • the absorption measurement technology according to the invention is based on the fact that the noise is avoided by a quick measurement and does not appear in the measurement signal at all.
  • a tunable laser is used which can be tuned sufficiently quickly (as mentioned, for example, on the order of a few ⁇ s or less than one ⁇ s) over a sufficiently wide range of the absorption spectrum (for example 0.2-1 cm - 1 ). If the laser has a sufficiently wide tuning range, it is also possible to measure the transmission both at a wavelength at which there is greater absorption of the target substance and at a wavelength with weaker absorption of the substance to be examined.
  • the concentration of the target substance can subsequently be calculated.
  • a laser that can be switched between different wavelengths is used, which is switched quickly between the wavelengths compared to the fluctuations in the laser intensity and noise (for example within a few ⁇ s or less than a ⁇ s), the wavelengths are in the range of absorption wavelengths of the target substance, which has a stronger absorption at one of these wavelengths and a weaker absorption at another. Switching the laser between the different wavelengths (typically between two wavelengths) is again faster than the fluctuation of the laser radiation and the noise.
  • the absorption can be determined again with the aid of reference spectra and relation to other experimental parameters, such as temperature, pressure and path length of the laser beam in the sample volume, as a result of which the concentration of the target substance is determined. It may also make sense to use more than two wavelengths, for example when a target substance is to be determined in a mixture with several absorbing substances with partially overlapping spectra, or when several substances are to be detected and quantified at the same time.
  • the exact shape of the absorption line must be known, but this is usually not the case.
  • the shape of the absorption line depends on the pressure, the gas composition and the temperature, with different gases, for example, causing different pressure widenings in the measuring range. If, for example, gas concentrations in the area of a gas nozzle are to be measured on a high-pressure burner, high-frequency spatially varying pressure fluctuations occur.
  • the shape of the absorption line for this gas measurement results from the integral along the laser beam over the locally and temporally different absorption line shapes. With the technology described in DE 37 41 026 A, it is not possible to measure the concentration of a gas under these conditions.
  • the present technique with measurement times in the order of one ⁇ s and below, results in a frequency of 1 MHz or more, and with this technique, the shape of the absorption line can be determined with each rapid measurement, the aforementioned inhomogeneous effects not interfering with the absorption measurement , It is therefore also possible to measure in inhomogeneous systems without any problems.
  • a third embodiment principle of the invention it is advantageous if at least two lasers with different wavelengths are used and switched relatively quickly from one laser to the other (for example within a few ⁇ s or less than one ⁇ s), the one laser having a wavelength at which absorbs the target substance more strongly and the other laser has a wavelength at which the target substance is weaker absorbed.
  • the switching between the two lasers has to be carried out correspondingly quickly, in order to make fluctuations in the laser intensity and, as mentioned, noise appear quasi "stationary" as a result of signal fluctuations.
  • the absorption measurement can advantageously be carried out here in two ways, namely using time-division multiplexing or wavelength division multiplexing technology for signal detection.
  • TDM or WDM techniques are known per se, cf. for example Totschnig et al. , "Multiplex continuous-wave diode-laser cavity ringdown measurements of multiple species", Applied Optics, Vol.39, No.12, 2000, S.2009-2016. From the difference in the transmission at the two wavelengths, the absorption and finally the substance concentration can again be determined on the basis of reference spectra.
  • VCSEL lasers Vertical Surface Emitting lasers
  • VCSEL lasers Vertical Surface Emitting lasers
  • These VCSEL lasers now advantageously enable the use of the rapid absorption measurement technology according to the invention.
  • the VCSELs examined can also be tuned with the laser current over a very wide range (eg over a range> 8 cm -1 ).
  • the line width of gases increases with increasing pressure (approximately 0.2 c ⁇ rVbar), and accordingly with conventional diode lasers that can only be tuned about 1 cm ' 1 , the tuning range at pressures> 10 bar may be too small.
  • the large tuning range with the laser current (for example in the case of a VCSEL laser) now advantageously allows the use of the inventive technique of rapid absorption measurements even with samples under high pressure, for example in a motor.
  • the invention also makes it possible to estimate the pressure or temperature in the sample volume by calculating back the pressure or temperature from the line broadening when the target substance is absorbed; this measurement is particularly useful for combustion processes where there are high pressures and high temperatures.
  • a laser with an external resonator can also be used as the laser source, the external resonator with its components acting as a quickly tunable wavelength filter.
  • the wavelength filter means that only a defined wavelength is amplified in the resonator and that the laser only emits light with this wavelength.
  • the laser can be tuned quickly thanks to the fast-tuning wavelength filter.
  • One way of realizing a wavelength filter that can be tuned quickly is to provide a "fast Phase modulator "located, wherein an optical path length modulator and a beam deflector are received in the beam path between a laser amplifier and a diffraction grating in the resonator, and separate control electrodes for applying an electrical high voltage, for changing the optical properties of the path length modulator and the beam deflector.
  • the optical path length modulator is changed, for example, by changing the refractive index in an electro-optical crystal when an electrical voltage is applied.
  • the deflector changes the beam angle in the laser resonator when an electrical voltage is applied.
  • the path length modulator and the deflector are placed on a single crystal, such as on a crystal of LiNb03 and LiTa03.
  • Such a combined crystal for path length modulator and deflector can be produced, for example, by polarization in an electrical field.
  • the method of polarizing a crystal in an electric field is known per se, cf. eg: MM Fejer et al.
  • an electro-optic crystal electro-optic modulator
  • a phase shifter integrated on the laser amplifier a conventional laser chip
  • An electro-optic crystal which has the shape of a prism can be used as the beam deflector, the refractive index of the prism changing when the control voltage is applied, and thus also the deflection angle, or an electro-optic crystal with polarity in an electric field or possibly also an acousto-optic deflector.
  • the laser with an external resonator can be in a Littrow configuration as well as in a Littman configuration.
  • Another possibility for realizing a penetrable wavelength filter is the combination of an electro-optical path length modulator and an etalon made of electro-optical material, control electrodes for applying an electrical high voltage, for changing the optical properties of the etalon and the path length modulator.
  • the absorption is very weak, it can be problematic that this absorption, with regard to the slope of the characteristic curve of the detector, voltage versus optical power, can still be resolved with sufficient accuracy with a data acquisition. This is especially the case when the slope is relatively steep. In this case, it is expedient if the slope in the characteristic curve is removed.
  • a differentiator signal processing circuit can be used which generates a signal which corresponds to the second derivative of the detector signal. The resulting modified measurement signal has a horizontal profile, which can then be amplified without problems.
  • Fig.l schematically a device for laser absorption spectroscopy
  • FIG. 7 shows an associated diagram of an absorption coefficient over the wave number, derived from the detector signal according to FIG. 6; 8a and 8b in comparison a detector signal as a function of the laser current in the case of a fault-free measurement (FIG. 7) and in the case of a measurement in the case of sand particles and a glowing flame obstructs the same laser beam (Fig. 8);
  • FIG. 9 shows a diagram showing the detector signal as a function of time to illustrate an absorption measurement disturbed by sand particles
  • 11 shows a diagram of the absorption over the wave number for two different substances, to illustrate a measurement of the absorption with several lasers
  • 12 and 13 show diagrams of the detector signal over the laser current in the event that absorption is difficult to detect compared to the baseline of the detector signal with a corresponding slope (FIG. 12), but with appropriate treatment of the detector signal when the linear slope is removed in the current-voltage characteristic, a clearly recognizable absorption signal is obtained, which can be easily amplified and measured (Fig. 13);
  • FIG. 14a schematically shows a laser with an external resonator in a Littrow configuration, with a fast phase modulator in the resonator, the path length modulator and the deflector being separate units;
  • FIG. 16 shows a corresponding representation of a laser in a Littman configuration, likewise with a fast phase modulator
  • Fig.17 in the partial figures Fig.17a, 17b, 17c, 17d and 17e, in which the amplification over the wavelength of the laser is shown, the principle of operation of a laser with external resonator and fast phase modulator according to Fig. 14 or 14a or 16 at tuning; 18 and 19 in a schematic representation two exemplary embodiments for the generation of high-frequency high-voltage control signals for the fast phase modulator according to FIGS. 14 and 14a or 16;
  • Fig. 21 shows the absorption spectrum (absorption over the wave number) for water vapor in air at different pressures.
  • FIG. 1 shows a type of block diagram of a device for laser absorption spectroscopy, which has a laser 1 that emits a light beam 2, which is possibly collimated via a lens 3 before it enters a sample or measurement volume 4 this runs through and strikes a detector 5, which measures the intensity of the incident light beam.
  • the laser source 1 contains, for example, a laser that can be quickly tuned over a sufficiently wide range, such as a VCSEL laser, which has, for example, a tuning range of more than 8 cm ⁇ 1 , with a tuning speed of about 1 crrrV ⁇ s.
  • a laser with a fast phase modulator can also be used in an external resonator.
  • a control unit 6 is assigned to the laser 1 for this tuning.
  • the detector signal which is received by the detector 5 has an essentially linear dependence on the laser current, with a more or less large slope, depending inter alia on the attenuation in the beam path, for example due to the sample volume 4.
  • a weak absorption of a target substance can under certain circumstances only be insufficiently resolved with the data acquisition, but the data acquisition is facilitated if that Detector signal above the laser current would have no such slope.
  • the fast absorption measurement can be combined with techniques for removing this slope and possibly for subsequently amplifying the signal.
  • a signal that corresponds to the first or second derivative eg, a differentiator operational amplifier, described on page 224 by P. Horowitz and W. Hill “The Art of Electronics", Cambridge University. Press (1989)
  • the detector 5 according to FIG. 1 is followed by a signal processing circuit 7 in which a differentiator signal processing circuit (d 2 / dx 2 ) 8 is used which generates a signal which corresponds to the second derivative of the detector signal ,
  • the resulting modified measurement signal, which is obtained at output 9 has a horizontal profile, which can then be amplified without problems.
  • a DC output signal is obtained at an output 10 in the usual way.
  • FIG. 2 shows a device for laser absorption spectroscopy according to FIG. 1 which is modified compared to FIG. 1, a laser 11, which can be switched between two wavelengths or frequencies, with an associated control unit 16 for switching over being provided, for example, which has a parallel laser beam 12 emits, which in turn runs through a sample volume 14 and strikes a detector 15 for measuring the laser intensity.
  • a reference beam 12 ′ is derived from the laser beam 12 with the aid of a semitransparent mirror 17, which is arranged in the beam path of the laser beam 12 between the laser 11 and the sample volume 14.
  • the reference beam 12 ' is fed to a detector 15' which measures the intensity of the incident reference beam 12 'during the absorption measurement.
  • the semitransparent mirror 17, which acts as a beam splitter, is designed such that the intensity of the measuring beam, which runs through the sample volume 14, and of the reference beam 12 'have a time-independent constant ratio.
  • the intensity of the measuring beam before entering the sample volume 14 can thus be calculated from the measurement of the intensity of the reference beam 12 ′, and the transmission of the sample volume and the absorption in the sample volume 14 can be determined from the difference in the intensity of the measuring beam before and after the sample volume 14 be calculated.
  • an etalon or a reference (gas) cell indicated with a block 18 ' can also be installed in the reference beam 12'. or several reference beams can be generated with additional beam splitters in order to use the direct intensity measurement, the etalon and the reference (gas) cell in one reference beam each.
  • the etalon allows the wavelength change of the laser 11 to be tracked and calibrated (cf. RM Mihalcea et al. "Tunable diode-laser absorption measurements of NO2 near 670 and 395 nm", App. Opt. 35, p 4059-4064, 1996).
  • the target substance In a reference (gas) cell, the target substance is typically filled in in an easily measurable concentration, and by measuring the transmission through the reference (gas) cell, it is possible to reliably feed the laser 11 around the absorption peak at the desired wavelength for a long time center.
  • the width of the absorption peak can also be used to calibrate the wavelength tuning rate and to correct laser aging processes.
  • a comparable reference beam generation can of course also be present in the device according to FIG. 1 or in the device according to FIG. 3 to be explained in more detail below.
  • a signal processing circuit 7 as shown in FIG. 1 can also be provided in the devices according to FIG. 2 or 3.
  • a wavelength filter 19 for suppressing undesired light emission on the detector 5 or 15 etc. can be attached to all devices in the beam path, for example between the sample volume 14 and the detector 15. With this e.g. the disruptive flame emission can be suppressed.
  • Another way of eliminating the detector offset by undesired light emission is to install diaphragms in the beam path in front of the detector, or to operate the laser once per measurement below the threshold or to switch it off and the detector signal measured in this way (generated only by the unwanted light emission, because at this moment the laser is not lit) is stored and then subtracted from the detector signal during the absorption measurement.
  • FIG. 3 there are two lasers 21, 21 'with different wavelengths ⁇ i,% 2, the laser beams 22, 22' of which are coupled into two single-mode optical fibers 23a, 23b, which in turn are coupled into a single-mode optical fiber 23, and so on ensure an identical optical path through the sample volume 24. Then the respective laser beam 22 or 22 'in turn on the detection system.
  • the detection can again be carried out according to the known time division multiplex method with one detector 25a or according to the wavelength division multiplex method with several detectors 25b, 25c.
  • a diffraction grating 28 or an interference filter 29 can also be used, which is illustrated schematically in FIG. 3 in association with the detectors 25b, 25c.
  • All three devices, according to FIGS. 1 to 3, have in common that the tuning or switching of the lasers for the purpose of changing the wavelengths of the laser radiation takes place comparatively quickly, in particular in the ⁇ s range or in times ⁇ 1 ⁇ s, so that during this time the change in the wavelength fluctuations in the signal due to noise, for example due to fluctuations in the laser intensity, or electronic noise or experimental noise in the measuring arrangement, are negligible, since they can be regarded as stationary during the measurement and because the experimental noise is compared is independent of the wave to the laser wavelengths used. From the point of view of the rapid change in the wavelength of the laser radiation, these fluctuations thus appear to be "frozen", since they are generally at least two orders of magnitude slower.
  • FIGS. 4 to 10 For a more detailed explanation of two options for evaluating transmission measurement, reference is made to FIGS. 4 to 10.
  • FIGS. 4 to 7. shows the detector voltage L 0 to be regarded as a measure of the optical power of a diode laser as a function of the laser current I, as can be measured with the reference beam.
  • This performance characteristic Lo (I) is used as the baseline for the absorption calculations.
  • the laser power has an essentially linear dependence on the laser current.
  • the wavelength is tuned from a threshold value (1.2 mA) approximately linearly with the laser current.
  • the baseline can therefore also be given as a function of the wavelength L 0 ( ⁇ ).
  • a diode laser can also be tuned in the wavelength via the laser temperature; usually the laser temperature is constantly regulated to one millikelvin using a Peltier element built into the optical laser amplifier. According to FIG. 5, the laser temperature is selected such that the absorption line S to be measured comes to lie approximately in the middle of the wavelength tuning range with the laser current.
  • FIG. 5 shows the case in which, in addition to absorption by the target substance in the sample volume, there is an additional weakening of the laser intensity (for example by sooting a flame) and an offset shift (for example by lighting up a flame).
  • the offset caused by experimental noise is constant within a short measurement time ( ⁇ s) and the laser does not light below the threshold value of 1.2 mA
  • the offset RO can be measured (detector signal for laser current ⁇ 1.2 mA) and from the measurement signal L. D (I) are subtracted.
  • the offset-corrected measurement signal then also contains the constant attenuation due to experimental noise (RT) (eg due to soot, particles) during the short measurement time ( ⁇ s).
  • RT experimental noise
  • the size A is proportional to the concentration of the target substance and can be used to determine the concentration after suitable calibration.
  • a reference spectrum of the target substance is given in FIG. 7, the pressure and the temperature corresponding to those of the sample volume.
  • the ratio of the two quantities A '(difference between the absorption coefficients of the absorption peak S and the adjacent absorption valley T) and B' (absolute value of the absorption coefficient of the absorption peak S) has a fixed value for the given temperature and the given pressure.
  • optical filters or diaphragms can also be used to suppress the flame immission on the detector.
  • FIG. 8a Another possibility for isolated absorption lines is given in Fig.8a and 8b.
  • the detector signal (detector voltage over the laser current) is shown in FIG. 8a if there are no faults.
  • the laser radiation in FIG. 8b is weakened by soot or particles, and the detector signal shows an additional offset due to the presence of a glowing flame in the sample volume 4 or 14 or 24 (FIGS. 1 to 3). Since these disturbing effects are constant during the short time in which the measurement takes place, they have an effect the detector signal only as a linear transformation in the sense of the relationship x ⁇ a * x + b. If, in the case of the device according to FIG. 1, the laser 1 is tuned from 0 mA upwards as in the representations of FIGS.
  • the laser does not light below the threshold value, here at 2 mA, and one can thereby calculate the Determine the offset (value b in the linear transformation above) (signal at detector 5 if the laser current is ⁇ 2 mA), and this offset value b can be subtracted from the signal.
  • the Determine the offset value b in the linear transformation above
  • FIGS. 8a and 8b that no further absorption occurs neither at 3 mA nor at 9 mA. This makes it possible to adapt the baseline to the detector signal (detector voltage in volts), since the shape of the baseline is known from the reference measurement. So you can calculate the absorption and the absorption coefficient as usual:
  • FIGS. 9 and 10 show measurement results of an O2 absorption measurement as an example for the present technique of "fast" absorption measurement, a continuous stream of sand particles passing through the laser beam during the measurement and the laser beam passing through a strongly flickering blue liquid gas flame (propane / Butane) in the sample volume, the average transmission being 6%.
  • the laser was tuned with a current ramp with a repetition rate of 40 kHz over several Ü2 lines. These 40 kHz ramps can just be seen in Fig. 9 as a dense vertical line pattern. Can be seen in Figure 9 at the height of the ramps that the sand and the flickering flame lead to strong 'fluctuations in the transmission of the sample volume.
  • the fastest fluctuations in Fig. 9 have a duration of about 200 ⁇ s.
  • FIG. 10 An enlarged section X is shown in FIG. 10, whereby it can be seen that the laser passes through 5 absorption lines of O2 in a rapid sequence (40 kHz).
  • the laser needs approximately 1 ⁇ s for tuning the wavelength over a single absorption line in the spectrum.
  • this short period of 1 ⁇ s which is necessary for the measurement of an absorption line, the effect of the sand particles and the flame on the transmission signal changes not, there is a quasi-stationary attenuation and offset shift, and therefore the absorption measurement is not impaired, as has been explained with reference to FIGS. 7 and 8.
  • FIG. 11 is a diagram showing the spectra of the methanol and isopropanol vapor, the usefulness of switching between three lasers or generally between three laser wavelengths ( illustrated with a device according to FIG.
  • a time or wavelength division multiplexing scheme is also suitable for signal detection, as is described, for example, in Totschnig et al. (mentioned above).
  • FIG. 12 shows a detector signal of a laser diode absorption measurement, the optical laser power increasing linearly with the current; accordingly, the A / D converter present in the detector circuit must be designed for a wide voltage range (0 to 5 volts, for example), regardless of the strength of the absorption. If the absorption is weak as shown in FIG. 12, the converter or the data acquisition card with a fixed bit resolution can no longer measure the absorption line 30 in FIG. 12 with sufficient accuracy.
  • the linear slope is eliminated from the measurement signal, a horizontal measurement signal results as shown in FIG. 13.
  • the voltage range eg 0 volts to 0.4 volts
  • Detector signal only depends on the strength of the absorption, ie the A / D converter can be designed for a much smaller voltage range (eg 0 volts to 0.4 volts) or vice versa, the measurement signal can be amplified to match the detector signal to the voltage range of the A / D converter. This makes it possible overall to measure even a very weak absorption line with the full resolution of the A / D converter, as shown in FIG. 13 at 30 '.
  • FIG. 14 shows a quickly tunable laser 1 in a Littrow configuration in a preferred embodiment, the path length modulator and the deflector being accommodated on a single crystal, such as on a crystal made of LiNb03 and LiTa03.
  • an optical amplifier 31 is provided which is designed to be highly reflective on one side 32, whereas the opposite side 33 is coated with an anti-reflective coating.
  • the laser beam 33 emerges from this anti-reflecting side 33, which then passes through a lens 34 and then a path length modulator 35 with the length LP and a beam deflector 36 with the length LD before it reaches one for the Littrow configuration of a laser usual diffraction grating 37 arrives.
  • the laser beam is partially reflected back from this diffraction grating 37, i.e. the laser resonator R is formed between the elements 32 and 37.
  • the useful beam 38 is the beam reflected by the diffraction grating 37; the diffracted beam is identical to the incident beam.
  • Such a combined crystal for the path length modulator 35 and the deflector 36 can be produced, for example, by polarization in an electrical field.
  • the method of polarizing a crystal in an electric field is known per se, e.g .: M.M. Fejer et al. "Quasi-Phase-Matched Second Harmony Generation: Tuning and Tolerances", IEEE Journal of Quantum Electronics, 28, 2631-2654 (1992).
  • FIG. 14a illustrates an embodiment in which the path length modulator 35 and the beam deflector 36 are provided as separate components - for example in a laser in a Littrow configuration with an optical amplifier 31, lens 34 and diffraction grating 37 as in FIG. 14 ,
  • the emission wavelength of the laser 1 is determined by an angle of incidence ⁇ on the grid 37 determined.
  • n is the diffraction order and d is the distance between the grating lines.
  • n 1 for a laser with an external resonator.
  • a high-voltage signal UD is applied to the electro-optical deflector 36 and at the same time a corresponding other high-voltage signal U is applied to the electro-optical path length modulator 35, as is also illustrated schematically in FIG. 14 in addition to FIG. 14, the path length modulator 35 in FIG. 15 and the deflector 36 is schematically illustrated with electrodes connected to corresponding high-voltage control circuits 35 'and 36', respectively.
  • the operation of the deflector 36 as in Fig. 14 can be explained from the fact that the electro-optical deflector crystal has two different types of domains, the refractive index of domains of one type, e.g. when applying a voltage to the beam deflector 36. increased and the refractive index for domains of the other type e.g. reduced or less enlarged.
  • the arrangement and shape of the domains are chosen so that this refractive index difference leads to a beam deflection which depends on the voltage applied.
  • the domain form has e.g. Prism shape, as illustrated schematically in Fig. 14 and Fig. 16.
  • This high voltage can be generated by amplifying a sine wave, a linear ramp or another type of function of a (programmable) function generator or a D / A converter with a high voltage amplifier, cf. also Fig. 18 and 19.
  • the modified laser 1 shown in FIG. 16 has a so-called Littman configuration, in which, in a construction that is otherwise analogous to the configuration according to Littrow (FIG. 14), a tuning mirror 39 is additionally present after the diffraction grating 37, so that here the resonator is formed by the elements 32 to 39, the laser beam being diffracted at the diffraction grating 37 to the mirror 39 and reflected back from there.
  • the useful beam is in turn the beam 38 reflected at the diffraction grating 37.
  • cos ( ⁇ ) * d * n e 3 * r33 * UD / H * LD / T.
  • the statements made above in connection with the Littrow laser from FIG. 14 apply correspondingly to the laser in the Littman configuration according to FIG. 16. Furthermore, in the case of the Littman configuration of FIG. 16, the path length modulator 35 and the deflector 36 can also be used as separate components. be realized.
  • the tuning mechanism in such a laser 1 with an external resonator R according to FIG. 14 or 16 will now be explained with reference to FIG. 17 with the sub-figures 17a-17e.
  • the gain of a diode laser chip 31 as a function of the wavelength ⁇ is indicated in FIG. 17a.
  • Fig.l7d Only these wavelengths are effectively reflected back by the diffraction grating and can amplify. All other wavelengths are suppressed.
  • Fig. 17e shows the gain characteristic that results from the combination of Fig. 17c and Fig. 17d.
  • FIG. 18 and 19 show two examples for the generation of the high-frequency high-voltage signal UL and UD for the path length modulator 35 and the beam deflector 36.
  • two function generators 41 and 41 ' are provided which generate voltage signals which are amplified by high-voltage amplifiers 42 and 42'; the resulting signals U L and U D are applied to the path length modulator 35 and to the deflector 36.
  • the opposite electrodes of these components 35, 36 are grounded.
  • FIG. 19 shows a comparatively inexpensive embodiment, in which the circuits 42, 42 'can be simpler high-voltage amplifiers which are installed in a resonant circuit, each with an inductor 43 or 43'.
  • the resonant circuit leads to an increase (resonance) in the voltage at the path length modulator 35 or deflector 36 and minimizes the requirements for the high-voltage amplifiers 42, 42 '.
  • the signals fed to the amplifiers 42, 42 ' are in turn generated by a function generator 41 or 41'.
  • the respective resonant circuit also includes the capacitance of the controlled component, namely the path length modulator 35 and the deflector 36, these components each having a capacitance of approximately 2 pF to 60 pF. The exact value of the capacitance depends on the exact dimensions and on the material of the path length modulator 35 or deflector 36.
  • the resonator should be kept as short as possible. This results in a large free spectral range (FSB) and increased stability against mode changes.
  • a favorable optical length of the resonator (without an electro-optical phase shifter) is approximately 20 mm for a structure according to Littrow and 45 mm for a structure according to Littman.
  • the following values according to FIGS. 14 to 16 are still to be specified (labeling according to FIG. 14 -16):
  • LP 6 mm
  • LD 10 mm
  • T 1 mm
  • H 0.5 mm
  • N 10
  • B 1 mm
  • 66 °.
  • Approximately 0.2 cm " 1 continuous tuning range without mode jumps and 15 cm -1 discontinuous tuning range with mode jumps for UL, max, UD, max 900V.
  • the modified Littrow configuration can be used very well for a device according to FIG. 2. Since the laser can be electro-optically tuned quickly ( ⁇ s) over 15 cm -1 , several molecular species can be measured simultaneously.
  • FIG. 20 A further example of a wavelength-tunable filter is shown in FIG. 20, wherein a crystal 45 made of an electro-optical material (see FIG. 17b), for example a LiNb ⁇ 3 crystal, is used.
  • This crystal 45 is coated on its two end faces 46, 47 in a highly reflective manner and on its sides 48, 49 provided with electrodes to apply a high-frequency high voltage.
  • the path length modulator 50 is coated on both sides 51, 52 with an anti-reflection coating.
  • Two etalons are formed: one etalon is formed by the highly reflective side of the laser amplifier 31 and the side 46 of the crystal 45 facing the laser. The second etalon is formed between the anti-reflective sides 46 and 47 of the crystal 45.
  • These two etalons each form a frequency comb (see FIG. 17b), the two frequency combs being able to be selected by the dimensions of the crystal 45 and of the entire resonator in such a way that only one wavelength is amplified.
  • the laser beam is in turn emitted by an optical amplifier 31 with a highly reflective surface 32 and an anti-reflective coated exit surface 33, and it passes through the path length modulator 50 and the crystal 45, where it is reflected or where the useful beam is coupled out; the wavelengths that the etalon or crystal 45 transmits depend on the etalon length. Therefore, such an etalon filter 45 can tune the wavelength when a high voltage is applied to the crystal 45.
  • the path length modulator 50 can also be used to tune the resonator length.
  • the various components namely the optical amplifier 31, the waveguide phase shifter, consisting of the components 35 and 36, and the diffraction grating 37 or the etalon 45 in one component, the lens 34 also being able to be omitted ,
  • FIG. 21 shows an application of the technique according to the invention for measuring at high pressures or for recording pressures via the absorption spectra, with the diagram according to FIG. 21 showing in detail the absorption over the wave number for water vapor (10%) in air at different total pressures, namely 1 bar, 10 bar, 20 bar and 40 bar.
  • the absorption path length is 1 cm.
  • the line width (half width) of an absorption line at a pressure of 1 bar and at 296 K is typically 0.1 to 0.4 cm -1 .
  • the line width increases proportionally with the pressure. Therefore, the line width for 40 bar is already around 4 cm “1 to 16 cm " 1 (at 296 K).
  • the present laser absorption spectroscopy can advantageously be used in chemical reactors, for example in the field of organic chemistry, inorganic chemistry, for example in the production of iron or steel, and in biochemistry, as well as in reactors which are used for energy generation, such as in furnaces, Heating plants, motors.
  • the process can be monitored very quickly at the reaction site. It is also conceivable to use the devices described in connection with process control or regulation circuits in order to directly control or regulate the running processes. Furthermore, an application for the determination of kinetic aspects in chemical reactions as well as for the control of certain species concentrations (eg 0 2 content in exhaust air) is conceivable.
  • the pressure prevailing in an environment or the existing temperature can be measured by measuring the line width, which is of particular interest for motor examinations and experiments in and around flames.
  • gas species e.g. O2, NO, HCN, NH 3 , H 2 O, OH, NH 2 , CH 4 , or organic molecules
  • concentration ranges from ppb to% in gases and in with particles (dust , Soot, aerosols) loaded gases (e.g. in the ambient air, troposphere, stratosphere) and gas channels (e.g. from power plants, SNCR and SCR systems, chimneys, gas outlet channels) to measure, from low temperatures (-100 ° C) up to high temperatures (2000 ° C), from low pressures (1 mbar) to high pressures (300 bar).
  • alkali vapors especially sodium vapor, in situ. This is technically relevant since, among other things, low-melting alloys are formed in turbines.
  • IR-active species eg tryptophan

Abstract

The invention relates to a laser-absorption spectroscopy method. According to said method, laser illumination (2) is directed through a sample volume (4) and the absorption of at least one target substance contained in the sample volume is measured by means of the transmission of said illumination through the sample volume. The measurement of the absorption is carried out over a short period of time compared to typical durations of significant adverse effects, such as fluctuations in the laser intensity and electronic or experimental noise, said adverse effects only causing a stationary, constant attenuation or amplification of the signal and a stationary, constant offset displacement (K).

Description

Verfahren zur Laser-Absorptionsspektroskopie und Einrichtungen zur Durchführung dieses Verfahrens Process for laser absorption spectroscopy and devices for carrying out this process
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Laser-Absorptionsspektroskopie, wobei Laserstrahlung durch ein Probenvolumen geleitet und durch Messung der Transmission durch das Probenvolumen die Absorption zumindest einer im Probenvolumen enthaltenen Zielsubstanz gemessen wird.The invention relates to a method for laser absorption spectroscopy, wherein laser radiation is passed through a sample volume and the absorption of at least one target substance contained in the sample volume is measured by measuring the transmission through the sample volume.
Weiters betrifft die Erfindung Einrichtungen zur Durchführung eines solchen Verfahrens, mit einer Laserquelle zum Aussenden von Laserstrahlung und mit einem Detektor zur Messung der Intensität der Laserstrahlung nach dem Passieren eines Probenvolumens .The invention further relates to devices for carrying out such a method, with a laser source for emitting laser radiation and with a detector for measuring the intensity of the laser radiation after passing through a sample volume.
Die Erfindung kann dabei mit besonderem Vorteil zur Spezien- selektiven Absorptionsmessung eingesetzt werden, und sie ermöglicht die quantitative Bestimmung von Konzentrationen von gasförmigen oder flüssigen Substanzen, insbesondere in Mischungen mit anderen Substanzen. Die erfindungsgemäße Absorptionsmessung eignet sich dabei besonders für die Detektion von verschiedenen Substanzen in chemischen Reaktoren, zur Prozesskontrolle, für kinetische Untersuchungen und für Konzentrationsbestimmungen, und zwar sowohl bei hohen Drücken und Temperaturen als auch bei niedrigen Drücken und Temperaturen und mit sehr hoher Zeitauflösung (μs) .The invention can be used with particular advantage for species-selective absorption measurement, and it enables the quantitative determination of concentrations of gaseous or liquid substances, in particular in mixtures with other substances. The absorption measurement according to the invention is particularly suitable for the detection of various substances in chemical reactors, for process control, for kinetic investigations and for determining concentrations, both at high pressures and temperatures and at low pressures and temperatures and with very high time resolution (μs) ,
Bei der Laser-Absorptionsspektroskopie wird Laserstrahlung direkt durch ein Probenvolumen geführt, und aus der Absorption der Zielsubstanz bei bestimmten Wellenlängen wird auf die Konzentration dieser Zielsubstanz geschlossen. Die Grundlage hierfür ist das bekannte Gesetz von Lambert Beer. Die Konzentrationsbestimmung erfolgt unter Berücksichtigung weiterer experimenteller Parameter, wie der Temperatur, des Druckes und auch der Weglänge der Laserstrahlung im Probenvolumen. Dabei ist es auch üblich, zur Erzielung von Referenzspektren die im Prozess zu untersuchenden Substanzen im Labor unter genau bekannten Bedingungen zu vermessen oder Referenzspektren mithilfe von Datenbanken zu berechnen.In laser absorption spectroscopy, laser radiation is guided directly through a sample volume, and the concentration of this target substance is inferred from the absorption of the target substance at specific wavelengths. The basis for this is the well-known law of Lambert Beer. The concentration is determined taking into account other experimental parameters such as temperature, pressure and also the path length of the laser radiation in the sample volume. To achieve reference spectra, it is also common to measure the substances to be examined in the process in the laboratory under precisely known conditions or to calculate reference spectra using databases.
Probleme bei der Absorptionsmessung durch Laser-Spektroskopie sind zufällige Intensitätsschwankungen der Laserstrahlung mit der Zeit, elektronisches Rauschen bei den Detektions- und Signalverarbeitungskomponenten und experimentelles Rauschen. Bei- spielsweise entsteht ein derartiges experimentelles Rauschen im Fall von Verbrennungsmessungen durch Partikel, wie Asche, Ruß oder Sand, welche durch den Strahlengang fliegen und die Laserstrahlung teilweise blockieren, bevor sie auf den Detektor auftrifft. Auf dem Detektor erscheint diese Blockierung als störendes zusätzliches Absorptionssignal. Weiters ist experimentelles Rauschen auf flackernde Lichtemissionen von Flammen zurückzuführen, die der Detektor als Störsignal empfängt, bzw. auch auf Flimmern der Flamme und dadurch verursachte (teilweise) Ablenkung der Laserstrahlung von der aktiven Detektorfläche. Schließlich führt eine Flamme bei Verbrennungsmessungen zu einer unerwünschten Fokussierung der Laserstrahlung, die bei kleinen Detektoren zu einer unerwünschten Erhöhung der Intensität des Signals führen kann.Problems with absorption measurement by laser spectroscopy are random fluctuations in the intensity of the laser radiation over time, electronic noise in the detection and signal processing components and experimental noise. examples for example, such experimental noise occurs in the case of combustion measurements by particles, such as ash, soot or sand, which fly through the beam path and partially block the laser radiation before it strikes the detector. This blockage appears on the detector as a disturbing additional absorption signal. Furthermore, experimental noise can be attributed to flickering light emissions from flames, which the detector receives as an interference signal, or also to flickering of the flame and the resulting (partial) deflection of the laser radiation from the active detector surface. Finally, a flame in combustion measurements leads to an undesired focusing of the laser radiation, which can lead to an undesirable increase in the intensity of the signal in the case of small detectors.
Diese Faktoren verhindern somit oder beschränken die Empfindlichkeit von Absorptionsmessungen, wobei man grundsätzlich zwei Gruppen von störenden Effekten, die Rauschen verursachen, unterscheiden kann:These factors thus prevent or limit the sensitivity of absorption measurements, whereby there are basically two groups of disturbing effects that cause noise:
1. Effekte, die zu einer Verstärkung oder Abschwachung des Signals führen, wie z.B. im Fall von Partikeln, Fokussierungen durch Gase mit starken Temperaturgradienten, z.B. eine Flamme, Ablenkung des Strahls durch Flimmern bei Gasen mit hohen Temperaturgradienten, Rauschen in der Laserintensität oder Detektor- gain-Schwankungen;1. Effects that lead to an amplification or attenuation of the signal, e.g. in the case of particles, focusing by gases with strong temperature gradients, e.g. a flame, deflection of the beam by flickering for gases with high temperature gradients, noise in the laser intensity or detector gain fluctuations;
2. Effekte, die zu einem zusätzlichen Signal führen, wie z.B. Leuchten einer Flamme bei Verbrennungsmessungen oder Detek- tor-offset-Schwankungen.2. Effects that lead to an additional signal, e.g. Illumination of a flame during combustion measurements or detector offset fluctuations.
Zusammenfassend werden im Folgenden die verschiedenartigen, zum Teil oben exemplarisch genannten, störenden Effekte, die Rauschen verursachen, auch als „Schwankungen der Laserintensität und des elektronischen bzw. experimentellen Rauschens" bezeichnet. Das experimentelle und elektronische Rauschen zeichnet sich auch dadurch aus, dass es im Vergleich zu den verwendeten Laserwellenlängen wellenunabhängig ist, d.h. sie wirken sich für alle verwendeten Laserwellenlängen gleich aus.In summary, the various disturbing effects that cause noise, some of which are mentioned above as examples, are also referred to as "fluctuations in laser intensity and electronic or experimental noise". Experimental and electronic noise is also characterized in that Comparison to the laser wavelengths used is independent of the wave, ie they have the same effect for all laser wavelengths used.
Um diese Störeffekte zu eliminieren und eine hohe Nachweisempfindlichkeit bei der Laser-Absorptionsspektroskopie zu erreichen, wurden bereits die verschiedensten Techniken vorgeschlagen, wie etwa in den Artikeln Sonnenfroh et al . , "Ultrasensitive, vi- sible tunable diode laser detection of N02", Applied Optics, Vol.35, .No.21, 20. Juli 1996, S .4053-4058 ; und Pavone et al . , "Frequency- and Wavelength-Modulation Spectroscopies: Comparison of Experimental Methods using an AlGaAs Diode Laser", Appl.Phys. B56, 1993, S.118-122. Diese Vorschläge beruhen durchwegs darauf, mithilfe relativ aufwendiger experimenteller Anordnungen und Schaltungen das störende Rauschen im Nutzsignal zu eliminieren, wobei unter anderem spezielle Modulationstechniken oder Rauschsubtraktionstechniken vorgeschlagen werden.In order to eliminate these interference effects and to achieve a high detection sensitivity in laser absorption spectroscopy, a wide variety of techniques have already been proposed, such as in the articles Sonnenfroh et al. , "Ultrasensitive, visible tunable diode laser detection of N0 2 ", Applied Optics, Vol.35, No.21, July 20, 1996, pp. 4053-4058; and Pavone et al. , "Frequency and Wavelength Modulation Spectroscopies: Comparison of Experimental Methods using an AlGaAs Diode Laser", Appl.Phys. B56, 1993, pp.118-122. These proposals are based on the elimination of the disturbing noise in the useful signal with the aid of relatively complex experimental arrangements and circuits, with special modulation techniques or noise subtraction techniques being proposed, among other things.
Es ist nun Aufgabe der Erfindung, hier Abhilfe zu schaffen und eine Technik zur Laser-Absorptionsspektroskopie in verfahrensmäßiger wie auch in einrichtungsmäßiger Hinsicht vorzusehen, mit der auf vergleichsweise einfache Art und Weise hoch empfindliche Absorptionsmessungen ermöglicht werden.It is an object of the invention to remedy this situation and to provide a technique for laser absorption spectroscopy in procedural as well as in device terms, with which highly sensitive absorption measurements are made possible in a comparatively simple manner.
Zur Lösung dieser Aufgabe sieht die Erfindung ein Verfahren wie in Anspruch 1 definiert vor. Weiters sieht die Erfindung Einrichtungen zur Durchführung dieses Verfahrens wie in den Ansprüchen 14, 23, 25 und 26 angegeben vor.To achieve this object, the invention provides a method as defined in claim 1. Furthermore, the invention provides devices for carrying out this method as specified in claims 14, 23, 25 and 26.
Vorteilhafte Ausführungsformen und Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.Advantageous embodiments and developments of the invention are specified in the subclaims.
Die Erfindung basiert auf der Erkenntnis, dass die Schwankungen in der Laserintensität sowie elektronisches und experimentelles Rauschen typisch eine sehr ausgeprägte Abhängigkeit vom Kehrwert der Frequenz aufweisen, d. h. dass dieses Rauschen, das die Empfindlichkeit beschränkt, über einen großen Anteil an niederfrequenten Komponenten verfügt (also Komponenten unterhalb von einigen 10 kHz) , aber nur geringe hochfrequente Anteile (100 kHz bis in den Megaherzbereich) aufweist. Die Erfindung macht sich nun diesen Umstand zu Nutze und stellt auf eine derart schnelle Messung der Absorption ab, dass sich die Schwankungen der Laserintensität und des elektronischen bzw. experimentellen Rauschens nur noch als quasi-stationäre, konstante Abschwachung / Verstärkung und Offset-Verschiebung auswirken und daher die Absorptionsmessung nicht beeinträchtigen. Typische Zeitdauern, innerhalb von denen erfindungsgemäß die Absorptionsmessung erfolgt, liegen in der Größenordnung von maximal einigen μs, bevorzugt liegen diese Zeitdauern sogar unterhalb von einer μs . Die Erfindung vermeidet somit durch diese schnelle Absorptionsmessung das Rauschen bzw. das Auswirken von Rauschen und Laserintensitätsschwankungen auf die Messung, indem sie die Messung in einer Zeitdauer durchführt, die sehr kurz ist im Vergleich zur Zeit- skala der schnellsten störenden Fluktuationen.The invention is based on the knowledge that the fluctuations in the laser intensity as well as electronic and experimental noise typically have a very pronounced dependence on the reciprocal of the frequency, i.e. that this noise, which limits the sensitivity, has a large proportion of low-frequency components (i.e. components below a few 10 kHz), but has only small high-frequency components (100 kHz to the megahertz range). The invention now makes use of this fact and is based on such a rapid measurement of the absorption that the fluctuations in the laser intensity and the electronic or experimental noise only have an effect as quasi-stationary, constant attenuation / amplification and offset shift and therefore do not affect the absorption measurement. Typical periods of time within which the absorption measurement is carried out according to the invention are of the order of magnitude of at most a few μs, preferably these periods are even less than one μs. With this rapid absorption measurement, the invention thus avoids the noise or the effect of noise and laser intensity fluctuations on the measurement by carrying out the measurement in a time period which is very short in comparison to the time. scale of the fastest disturbing fluctuations.
Hierin liegt auch ein fundamentaler Unterschied zum Stand der Technik, gemäß welchem das Rauschen durch aufwendige, komplizierte Anordnungen und Schaltungen aus dem Messsignal herausgefiltert wird. Demgegenüber beruht die erfindungsgemäße Absorptionsmesstechnik darauf, dass das Rauschen durch eine schnelle Messung vermieden wird und erst gar nicht im Messsignal aufscheint .This is also a fundamental difference from the prior art, according to which the noise is filtered out of the measurement signal by complex, complicated arrangements and circuits. In contrast, the absorption measurement technology according to the invention is based on the fact that the noise is avoided by a quick measurement and does not appear in the measurement signal at all.
Für die erfindungsgemäße rasche Absorptionsmessung sind verschiedene grundsätzliche Ausführungsarten möglich. Gemäß einer ersten vorteilhaften grundsätzlichen Ausführungsform wird ein durchstimmbarer Laser eingesetzt, der ausreichend rasch (wie erwähnt beispielsweise in der Größenordnung von einigen μs oder weniger als eine μs) über einen ausreichend weiten Bereich des Absorptionsspektrums durchgestimmt werden kann (z.B. 0,2-1 cm-1). Wenn der Laser einen ausreichend weiten Durchstimmbereich hat, ist es auch möglich, die Transmission sowohl bei einer Wellenlänge, bei der eine stärkere Absorption der Zielsubstanz gegeben ist, als auch bei einer Wellenlänge mit schwächerer Absorption der zu untersuchenden Substanz zu messen. Es ist dann möglich, beispielsweise mit Kenntnis von Referenzspektren die Absorption der zu messenden Substanz zu bestimmen, und unter Einbeziehung weiterer experimenteller Parameter, wie Temperatur, Druck und Weglänge des Laserstrahls im Probenvolumen, wie an sich bekannt, kann in der Folge die Konzentration der Zielsubstanz berechnet werden.Various basic embodiments are possible for the rapid absorption measurement according to the invention. According to a first advantageous basic embodiment, a tunable laser is used which can be tuned sufficiently quickly (as mentioned, for example, on the order of a few μs or less than one μs) over a sufficiently wide range of the absorption spectrum (for example 0.2-1 cm - 1 ). If the laser has a sufficiently wide tuning range, it is also possible to measure the transmission both at a wavelength at which there is greater absorption of the target substance and at a wavelength with weaker absorption of the substance to be examined. It is then possible, for example with knowledge of reference spectra, to determine the absorption of the substance to be measured, and with the inclusion of further experimental parameters, such as temperature, pressure and path length of the laser beam in the sample volume, as is known per se, the concentration of the target substance can subsequently be calculated.
Gemäß einer anderen prinzipiellen Ausführungsform ist es von Vorteil, wenn ein zwischen verschiedenen Wellenlängen umschaltbarer Laser verwendet wird, der im Vergleich zu den Schwankungen der Laserintensität und Rauschen rasch zwischen den Wellenlängen umgeschaltet wird (z.B. innerhalb einiger μs oder unter einer μs) , wobei die Wellenlängen im Bereich von Absorptionswellenlängen der Zielsubstanz liegen, die bei einer dieser Wellenlängen eine stärkere Absorption und bei einer anderen eine schwächere Absorption aufweist. Das Umschalten des Lasers zwischen den verschiedenen Wellenlängen (typisch zwischen zwei Wellenlängen) ist dabei wiederum entsprechend rascher als die Fluktuation der Laserstrahlung und des Rauschens durchzuführen. Aus der Differenz der Transmissionen bei den beiden Wellenlängen kann wieder unter Zuhilfenahme von Referenzspektren die Absorption und unter Ein- beziehung weiterer experimenteller Parameter, wie Temperatur, Druck und Weglänge des Laserstrahls im Probenvolumen, in der Folge die Konzentration der Zielsubstanz ermittelt werden. Es kann hierbei auch sinnvoll sein, mehr als nur zwei Wellenlängen zu verwenden, beispielsweise dann, wenn eine Zielsubstanz in einer Mischung mit mehreren absorbierenden Substanzen mit teilweise überlappenden Spektren zu ermitteln ist, oder wenn mehrere Substanzen gleichzeitig zu detektieren und zu quantifizieren sind.According to another basic embodiment, it is advantageous if a laser that can be switched between different wavelengths is used, which is switched quickly between the wavelengths compared to the fluctuations in the laser intensity and noise (for example within a few μs or less than a μs), the wavelengths are in the range of absorption wavelengths of the target substance, which has a stronger absorption at one of these wavelengths and a weaker absorption at another. Switching the laser between the different wavelengths (typically between two wavelengths) is again faster than the fluctuation of the laser radiation and the noise. From the difference in the transmissions at the two wavelengths, the absorption can be determined again with the aid of reference spectra and relation to other experimental parameters, such as temperature, pressure and path length of the laser beam in the sample volume, as a result of which the concentration of the target substance is determined. It may also make sense to use more than two wavelengths, for example when a target substance is to be determined in a mixture with several absorbing substances with partially overlapping spectra, or when several substances are to be detected and quantified at the same time.
Es sei hier erwähnt, dass an sich aus der DE 37 41 026 A bereits eine Gasanalyse-Technik bekannt ist, bei der eine Verhältnisbildung zwischen zwei diskreten Absorptionslinien zu Grunde gelegt wird, wobei eine Umschaltung der Wellenlänge vorgesehen ist. Diese Umschaltung erfolgt jedoch langsam, beispielsweise mit 100 Hz oder 2000 Hz, um so Druck- und Temperaturschwankungen in einem Kamin eines Kraftwerkes nicht in das Messergebnis einfließen zu lassen. Wie dies konkret funktionieren soll, wird jedoch nicht dargelegt. Tatsächlich ist diese bekannte Technik mit dem spezifischen Umschalten zwischen zwei Wellenlängen, nämlich zwischen einer Wellenlänge im Absorptionsmaximum und einer Wellenlänge im Absorptionsminimum, nur in ganz speziellen Fällen sinnvoll und durchführbar, da die Absorption einer festen Frequenz nicht nur von der Konzentration des gesuchten Gases abhängt, sondern auch von der Form der Absorptionslinie. Daher muss, um mit der bekannten Technik die Konzentration eines Gases zu messen, die exakte Form der Absorptionslinie bekannt sein, was aber in der Regel nicht der Fall ist. Die Form der Absorptionslinie hängt vom Druck, von der Gaszusammensetzung und von der Temperatur ab, wobei beispielsweise verschiedene Gase im Messbereich unterschiedliche Druckverbreiterungen verursachen. Wenn daher beispielsweise Gaskonzentrationen im Bereich einer Gasdüse, an einem Hochdruckbrenner, gemessen werden sollen, kommt es zu hochfrequenten räumlich variierenden Druckschwankungen. Die Form der Absorptionslinie für diese Gasmessung ergibt sich durch das Integral entlang des Laserstrahls über die örtlich und zeitlich verschiedenen Absorptionslinien- formen. Mit der in der DE 37 41 026 A beschriebenen Technik ist es nicht möglich, die Konzentration eines Gases unter diesen Bedingungen zu messen. Ähnliches gilt auch für den Einfluss der Gaszusammensetzungen auf die Absorptionslinien und somit auf die Absorption bei einer festen Wellenlänge, beispielsweise im Fall einer reaktiven Gasströmung, z.B. einer Flamme: In einer solchen Flamme entsteht eine große Menge Wasserdampf. Wasserdampf ist aber verglichen mit normaler Luft ein sehr effektiver Stoßpartner (er ist typisch fünf bis zehnmal effektiver als normale Luft) , und damit ist die Absorption eines Gases bei einer festen Wellenlänge bis zu fünf bis zehnmal schwächer, wenn viel Wasserdampf vorhanden ist, da die Absorptionslinie weniger hoch, dafür aber breiter ist. Wenn Gaskonzentrationen in einer Flamme gemessen werden sollen, kommt es zu hochfrequenten und örtlich variierenden KonzentrationsSchwankungen der verschiedenen Gase in der Flamme, die ihrerseits zu einer örtlichen und zeitlichen Variation der Absorptionslinienform führen. Die Form der Absorptionslinie für diese Gasmessung ist wieder das Integral entlang des Laserstrahls über die örtlich und zeitlich verschiedenen Absorptionslinien. Auch die Messung der Konzentration eines Gases unter solchen Bedingungen ist mit der Gasanalyse-Technik gemäß der DE 37 41 026 A nicht möglich. Ähnlich ist ferner der Effekt der Temperatur in allgemeinen, inhomogenen Gasströmungen auf die Absorptionslinienformen und somit auf die Absorption bei einer festen Wellenlänge. Ein Wellenlängen-Wechsel mit 100 Hz oder 2000 Hz, wie in der DE 37 41 026 A angesprochen, wäre dem hier in Rede stehenden Bereich, insbesondere für die Messung in stark mit Partikeln beladenen Gasströmen, viel zu langsam. Das beschriebene System, mit dem CC -Laser, ist auch nicht geeignet, schneller zwischen vorgegebenen Wellenlängen umzuschalten. Demgegenüber ergibt sich bei der vorliegenden Technik, mit Messzeiten in der Größenordnung von einer μs und darunter, eine Frequenz von 1 MHz oder mehr, und mit dieser Technik kann die Absorptionslinienform bei jeder schnellen Messung ermittelt werden, wobei die vorgenannten inhomogenen Effekte die Absorptionsmessung nicht stören. Daher ist es auch problemlos möglich, in inhomogenen Systemen zu messen.It should be mentioned here that a gas analysis technique is known per se from DE 37 41 026 A, in which a relationship is formed between two discrete absorption lines, the wavelength being switched over. However, this switchover takes place slowly, for example at 100 Hz or 2000 Hz, so that pressure and temperature fluctuations in a chimney of a power plant are not incorporated into the measurement result. How this should work concretely is not explained. In fact, this known technique with the specific switching between two wavelengths, namely between a wavelength in the absorption maximum and a wavelength in the absorption minimum, is only useful and feasible in very special cases, since the absorption of a fixed frequency does not only depend on the concentration of the gas sought, but also from the shape of the absorption line. Therefore, in order to measure the concentration of a gas with the known technique, the exact shape of the absorption line must be known, but this is usually not the case. The shape of the absorption line depends on the pressure, the gas composition and the temperature, with different gases, for example, causing different pressure widenings in the measuring range. If, for example, gas concentrations in the area of a gas nozzle are to be measured on a high-pressure burner, high-frequency spatially varying pressure fluctuations occur. The shape of the absorption line for this gas measurement results from the integral along the laser beam over the locally and temporally different absorption line shapes. With the technology described in DE 37 41 026 A, it is not possible to measure the concentration of a gas under these conditions. The same applies to the influence of the gas compositions on the absorption lines and thus on the absorption at a fixed wavelength, for example in the case a reactive gas flow, e.g. a flame: A large amount of water vapor is generated in such a flame. However, compared to normal air, water vapor is a very effective collision partner (it is typically five to ten times more effective than normal air), and thus the absorption of a gas at a fixed wavelength is up to five to ten times weaker if there is a lot of water vapor, since the Absorption line is less high, but is wider. If gas concentrations are to be measured in a flame, there are high-frequency and locally varying concentration fluctuations of the various gases in the flame, which in turn lead to a local and temporal variation of the absorption line shape. The shape of the absorption line for this gas measurement is again the integral along the laser beam over the absorption lines, which differ in location and time. The measurement of the concentration of a gas under such conditions is also not possible with the gas analysis technique according to DE 37 41 026 A. Similarly, the effect of temperature in general, inhomogeneous gas flows on the absorption line shapes and thus on the absorption at a fixed wavelength is similar. A wavelength change at 100 Hz or 2000 Hz, as addressed in DE 37 41 026 A, would be much too slow for the area in question, especially for measurement in gas streams heavily loaded with particles. The system described, with the CC laser, is also not suitable for switching between predetermined wavelengths more quickly. In contrast, the present technique, with measurement times in the order of one μs and below, results in a frequency of 1 MHz or more, and with this technique, the shape of the absorption line can be determined with each rapid measurement, the aforementioned inhomogeneous effects not interfering with the absorption measurement , It is therefore also possible to measure in inhomogeneous systems without any problems.
Gemäß einem dritten Ausführungsprinzip der Erfindung ist es vorteilhaft, wenn zumindest zwei Laser mit verschiedenen Wellenlängen verwendet werden und vergleichsweise rasch von einem Laser auf den anderen umgeschaltet wird (z.B. innerhalb einiger μs oder unter einer μs) , wobei der eine Laser eine Wellenlänge aufweist, bei der die Zielsubstanz stärker absorbiert, und der andere Laser eine Wellenlänge aufweist, bei der die Zielsubstanz schwächer absorbiert. Auch hier hat das Umschalten zwischen den beiden Lasern wieder entsprechend rasch zu erfolgen, um Signalschwankungen zu Folge Fluktuationen in der Laserintensität und zufolge Rauschen wie erwähnt quasi "stationär" erscheinen zu lassen. Die Absorptionsmessung kann hier vorteilhaft auf zwei Arten durchgeführt werden, nämlich unter Anwendung von Zeitmultiplex- oder Wellenlängenmultiplex-Technik bei der Signaldetektion. Derartige TDM- bzw. WDM-Techniken sind an sich bekannt, vgl. beispielsweise Totschnig et al . , "Multiplex continuous-wave diode-laser cavity ringdown measurements of multiple species", Applied Optics, Vol.39, No.12, 2000, S.2009-2016. Aus der Differenz in der Transmission bei den beiden Wellenlängen kann wiederum, unter Zugrundelegung von Referenzspektren, die Absorption und schließlich die Substanzkonzentration ermittelt werden. Auch hier kann es zweckmäßig sein, mehr als nur zwei Wellenlängen, d.h. mehr als nur zwei Laser, zu verwenden, etwa im Fall von mehreren absorbierenden Zielsubstanzen mit teilweise überlappenden Spektren bzw. um mehrere Substanzen gleichzeitig detektieren und quantifizieren zu können.According to a third embodiment principle of the invention, it is advantageous if at least two lasers with different wavelengths are used and switched relatively quickly from one laser to the other (for example within a few μs or less than one μs), the one laser having a wavelength at which absorbs the target substance more strongly and the other laser has a wavelength at which the target substance is weaker absorbed. Here, too, the switching between the two lasers has to be carried out correspondingly quickly, in order to make fluctuations in the laser intensity and, as mentioned, noise appear quasi "stationary" as a result of signal fluctuations. The absorption measurement can advantageously be carried out here in two ways, namely using time-division multiplexing or wavelength division multiplexing technology for signal detection. Such TDM or WDM techniques are known per se, cf. for example Totschnig et al. , "Multiplex continuous-wave diode-laser cavity ringdown measurements of multiple species", Applied Optics, Vol.39, No.12, 2000, S.2009-2016. From the difference in the transmission at the two wavelengths, the absorption and finally the substance concentration can again be determined on the basis of reference spectra. Here, too, it can be expedient to use more than just two wavelengths, that is to say more than just two lasers, for example in the case of a plurality of absorbing target substances with partially overlapping spectra or in order to be able to detect and quantify a number of substances simultaneously.
Bei besonderen Messanwendungen, beispielsweise bei der Verbrennungsmessung, wo Partikel den Strahlengang passieren, ist es vorteilhaft, wenn alle Laserstrahlen exakt den selben optischen Weg durch die Probe nehmen und dieselbe Dimension haben, und um dies zu ermöglichen, ist es günstig, die verschiedenen Laserstrahlen in eine einzige optische Faser (Single Mode-Faser) einzukoppeln. Alle in die optische Faser eingekoppelten Strahlen passieren nach dem Verlassen der Faser das Probenvolumen, und sie haben darin identische optische Wege. Somit wirken sich experimentelle Störungen in gleicher Weise auf beide Laserstrahlen bzw. Wellenlängen aus und beeinträchtigen daher die Messung nicht.In special measuring applications, for example in combustion measurement, where particles pass through the beam path, it is advantageous if all laser beams take exactly the same optical path through the sample and have the same dimension, and in order to make this possible, it is advantageous to measure the different laser beams in to couple a single optical fiber (single mode fiber). All rays coupled into the optical fiber pass through the sample volume after leaving the fiber, and they have identical optical paths therein. Thus, experimental disturbances have the same effect on both laser beams or wavelengths and therefore do not affect the measurement.
Zur Erzielung besonders genauer Messungen ist es von Vorteil, wenn während des Absorptionsmessvorgangs auftretende Änderungen in der emittierten Laserleistung durch eine der Messung vorhergehende Charakterisierung erfasst und sodann bei der Messung berücksichtigt werden. In entsprechender Weise ist es günstig, wenn während des Absorptionsmessvorgangs auftretende Änderungen in der emittierten Laserleistung während der Messung simultan durch Messung eines Referenz-Laserstrahls berücksichtigt werden.In order to achieve particularly precise measurements, it is advantageous if changes in the emitted laser power that occur during the absorption measurement process are detected by a characterization preceding the measurement and then taken into account in the measurement. In a corresponding manner, it is favorable if changes in the emitted laser power occurring during the absorption measurement process are taken into account simultaneously during the measurement by measuring a reference laser beam.
Es gibt bereits Laser, z.B. VCSEL-Laser (= Vertical Surface Emitting Laser) , die - wie Untersuchungen gezeigt haben - mit der erforderlichen hohen Geschwindigkeit durchstimmbar sind (Durch- stimmraten > 1 cnrVμs) , was mit anderen Diodenlasern typischerweise nicht möglich ist. Diese VCSEL-Laser ermöglichen nun in vorteilhafter Weise den Einsatz der erfindungsgemäßen Technik der schnellen Absorptionsmessungen.There are already lasers, e.g. VCSEL lasers (= Vertical Surface Emitting lasers) that - as studies have shown - can be tuned at the required high speed (tuning rates> 1 cnrVμs), which is typically not possible with other diode lasers. These VCSEL lasers now advantageously enable the use of the rapid absorption measurement technology according to the invention.
Zusätzlich sind die untersuchten VCSEL auch über einen sehr weiten Bereich (z.B. über einen Bereich > 8 cm-1) mit dem Laser- strom durchstimmbar. Die Linienbreite von Gasen wächst mit steigendem Druck (ungefähr 0,2 cπrVbar) , und demgemäß kann bei herkömmlichen Diodenlasern, die sich nur ungefähr 1 cm'1 durchstimmen lassen, der Durchstimmbereich bei Drücken > 10 bar zu klein sein. Der große Durchstimmbereich mit dem Laserstrom (z.B. bei einem VCSEL-Laser) ermöglicht nun in vorteilhafter Weise den Einsatz der erfindungsgemäßen Technik der schnellen Absorptionsmessungen auch bei unter hohem Druck stehenden Proben, z.B. in einem Motor. Umgekehrt ermöglicht es die Erfindung auch, Druck bzw. Temperatur im Probenvolumen dadurch abzuschätzen, dass aus der Linienverbreiterung bei der Absorption der Zielsubstanz auf den Druck bzw. die Temperatur rückgerechnet wird; diese Messung ist mit besonderem Vorteil bei Verbrennungsprozessen anzuwenden, wo hohe Drücke und hohe Temperaturen vorliegen. Die Linienbreite ΔvP aufgrund der Druckverbreiterung ist gegeben durch ΔvP=P* ∑ xi *2*γi (wobei P der Druck, xi der Molenbruch und γi der Druckverbreiterungskoeffizient ist) und die Linienbreite ΔvD aufgrund der Temperatur T (Dopplerverbreiterung) ist gegeben durch ΔvD=vO*7.17*10"7(T/M)* , (wobei M die Molmasse ist) , wobei das Absorptionslinienprofil für z.B. Gase ein Voigtprofil ist, welches durch die beiden Parameter ΔvP, ΔvD bestimmt ist (siehe Alan C. Eckbreth, "Laser Diagnostics For Combustion Temperature and Species", Gordon and Breach Publishers, 1996).In addition, the VCSELs examined can also be tuned with the laser current over a very wide range (eg over a range> 8 cm -1 ). The line width of gases increases with increasing pressure (approximately 0.2 cπrVbar), and accordingly with conventional diode lasers that can only be tuned about 1 cm ' 1 , the tuning range at pressures> 10 bar may be too small. The large tuning range with the laser current (for example in the case of a VCSEL laser) now advantageously allows the use of the inventive technique of rapid absorption measurements even with samples under high pressure, for example in a motor. Conversely, the invention also makes it possible to estimate the pressure or temperature in the sample volume by calculating back the pressure or temperature from the line broadening when the target substance is absorbed; this measurement is particularly useful for combustion processes where there are high pressures and high temperatures. The line width ΔvP due to the pressure broadening is given by ΔvP = P * ∑ xi * 2 * γi (where P is the pressure, xi is the mole fraction and γi is the pressure broadening coefficient) and the line width ΔvD due to the temperature T (Doppler broadening) is given by ΔvD = vO * 7.17 * 10 "7 (T / M) *, (where M is the molar mass), where the absorption line profile for gases, for example, is a Voigt profile which is determined by the two parameters ΔvP, ΔvD (see Alan C. Eckbreth," Laser Diagnostics for Combustion Temperature and Species ", Gordon and Breach Publishers, 1996).
Als Laserquelle kann auch ein Laser mit externem Resonator eingesetzt werden, wobei der externe Resonator mit seinen Komponenten als schnell durchstimmbares Wellenlängenfilter wirkt. Das Wellenlängenfilter bewirkt, dass nur eine definierte Wellenlänge im Resonator verstärkt wird und dass der Laser nur Licht mit dieser Wellenlänge aussendet. Durch das schnell durchstimmende Wellenlängenfilter lässt sich auch der Laser schnell durchstimmen. Eine Möglichkeit zur Realisierung eines schnell durchstimmbaren Wellenlängenfilters ist im Vorsehen eines "schnellen Phasenmodulators" gelegen, wobei ein optischer Weglängenmodulator und ein Strahldeflektor im Strahlgang zwischen einem Laserverstärker und einem Beugungsgitter im Resonator aufgenommen sind, und separate Steuerelektroden zum Anlegen einer elektrischen Hochspannung, zur Veränderung der optischen Eigenschaften des Weglängenmodulators und des Strahldeflektors, vorhanden sind.A laser with an external resonator can also be used as the laser source, the external resonator with its components acting as a quickly tunable wavelength filter. The wavelength filter means that only a defined wavelength is amplified in the resonator and that the laser only emits light with this wavelength. The laser can be tuned quickly thanks to the fast-tuning wavelength filter. One way of realizing a wavelength filter that can be tuned quickly is to provide a "fast Phase modulator "located, wherein an optical path length modulator and a beam deflector are received in the beam path between a laser amplifier and a diffraction grating in the resonator, and separate control electrodes for applying an electrical high voltage, for changing the optical properties of the path length modulator and the beam deflector.
Bei einem optischen Weglängenmodulator wird die optische Weglänge beispielsweise durch Änderung des Brechungsindex in einem elektrooptischen Kristall mit Anlegen einer elektrischen Spannung geändert. Der Deflektor ändert den Strahlwinkel im Laserresonator mit Anlegen einer elektrischen Spannung. Vorzugsweise werden der Weglängenmodulator und der Deflektor auf einem einzigen Kristall untergebracht, wie etwa auf einem Kristall aus LiNb03 und LiTa03. Ein solcher kombinierter Kristall für Weglängenmodulator und Deflektor kann beispielsweise durch Polung in einem elektrischen Feld hergestellt werden. Die Methode der Polung eines Kristalls in einem elektrischen Feld ist an sich bekannt, vgl. z.B.: M.M. Fejer et al . "Quasi-Phase-Matched Second Harmonie Generation: Tuning and Tolerances", IEEE Journal of Quantum Electronics, 28, 2631-2654 (1992) . Mit einem solchen Wellenlängenfilter ist es möglich, einen Durchstimmbereich für den Laser von ungefähr 0,2 bis 1 cm-1 (Wellenzahl) in sehr kurzer Zeit, typisch in weniger als 1 μs zu erreichen. Dabei können auch Modensprünge des Lasers vermieden werden, wie sie sonst bei einem weiten Durchstimmen auftreten.In the case of an optical path length modulator, the optical path length is changed, for example, by changing the refractive index in an electro-optical crystal when an electrical voltage is applied. The deflector changes the beam angle in the laser resonator when an electrical voltage is applied. Preferably, the path length modulator and the deflector are placed on a single crystal, such as on a crystal of LiNb03 and LiTa03. Such a combined crystal for path length modulator and deflector can be produced, for example, by polarization in an electrical field. The method of polarizing a crystal in an electric field is known per se, cf. eg: MM Fejer et al. "Quasi-Phase-Matched Second Harmony Generation: Tuning and Tolerances", IEEE Journal of Quantum Electronics, 28, 2631-2654 (1992). With such a wavelength filter, it is possible to achieve a tuning range for the laser of approximately 0.2 to 1 cm -1 (wave number) in a very short time, typically in less than 1 μs. In this way, mode jumps in the laser can also be avoided, as would otherwise occur when tuning through a wide range.
Neben den oben angeführten Möglichkeiten, den Weglängenmodulator gemeinsam mit dem Deflektor auf einem elektrooptischen Kristall zu integrieren, kann man diese Komponenten natürlich auch separat ausführen. Als Weglängenmodulator kann man einen elektrooptischen Kristall verwenden (elektrooptischer Modulator) oder einen auf dem Laserverstärker, einem üblichen Laserchip, integrierten Phasenverschieber . Als Strahldeflektor kann man einen elektrooptischen Kristall, der Prismenform hat, wobei sich der Brechungsindex des Prismas bei Anlegen der Steuerspannung ändert und damit auch der Ablenkwinkel, oder einen elektrooptischen Kristall mit Polung in einem elektrischen Feld oder gegebenenfalls auch ein akustooptischer Deflektor verwenden.In addition to the options mentioned above for integrating the path length modulator together with the deflector on an electro-optical crystal, these components can of course also be carried out separately. An electro-optic crystal (electro-optic modulator) or a phase shifter integrated on the laser amplifier, a conventional laser chip, can be used as the path length modulator. An electro-optic crystal which has the shape of a prism can be used as the beam deflector, the refractive index of the prism changing when the control voltage is applied, and thus also the deflection angle, or an electro-optic crystal with polarity in an electric field or possibly also an acousto-optic deflector.
Der Laser mit externem Resonator kann dabei in einer Lit- trow-Konfiguration ebenso wie in einer Littman-Konfiguration vorliegen. Eine andere Möglichkeit zur Realisierung eines durchsti m- baren Wellenlängenfilters ist die Kombination von einem elektrooptischen Weglängenmodulator und einem Etalon aus elektrooptischem Material, wobei Steuerelektroden zum Anlegen einer elektrischen Hochspannung, zur Veränderung der optischen Eigenschaften des Etalons und des Weglängenmodulators, vorhanden sind.The laser with an external resonator can be in a Littrow configuration as well as in a Littman configuration. Another possibility for realizing a penetrable wavelength filter is the combination of an electro-optical path length modulator and an etalon made of electro-optical material, control electrodes for applying an electrical high voltage, for changing the optical properties of the etalon and the path length modulator.
Wenn die Absorption sehr schwach ist, kann es problematisch sein, dass diese Absorption, im Hinblick auf die Steigung der Kennlinie des Detektors, Spannung gegen optische Leistung, noch ausreichend genau mit einer Datenerfassung aufgelöst werden kann. Dies ist vor allen Dingen dann der Fall, wenn die Steigung relativ steil ist. In diesem Fall ist es zweckmäßig, wenn die Steigung in der Kennlinie entfernt wird. Zu diesem Zweck kann eine Differenziator-Signalverarbeitungsschaltung verwendet werden, die ein Signal erzeugt das der zweiten Ableitung des Detektorsignals entspricht. Das resultierende modifizierte Messsignal hat einen horizontalen Verlauf, welches dann auch ohne Probleme verstärkt werden kann.If the absorption is very weak, it can be problematic that this absorption, with regard to the slope of the characteristic curve of the detector, voltage versus optical power, can still be resolved with sufficient accuracy with a data acquisition. This is especially the case when the slope is relatively steep. In this case, it is expedient if the slope in the characteristic curve is removed. For this purpose, a differentiator signal processing circuit can be used which generates a signal which corresponds to the second derivative of the detector signal. The resulting modified measurement signal has a horizontal profile, which can then be amplified without problems.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand von bevorzugten Ausführungsbeispielen, auf die sie jedoch nicht beschränkt ist, und unter Bezugnahme auf die Zeichnung noch weiter erläutert. In der Zeichnung zeigt im Einzelnen:The invention is explained in more detail below on the basis of preferred exemplary embodiments, to which it is not restricted, however, and with reference to the drawing. The drawing shows in detail:
Fig.l schematisch eine Einrichtung zur Laser-Absorptions- spektroskopie;Fig.l schematically a device for laser absorption spectroscopy;
Fig.2 schematisch eine demgegenüber modifizierte Einrichtung zur Laser-Absorptionsspektroskopie;2 schematically shows a modified device for laser absorption spectroscopy;
Fig.3 eine weitere Einrichtung zur Laser-Absorptionsspek- troskopie in schematischer Darstellung;3 shows another device for laser absorption spectroscopy in a schematic representation;
Fig.4 in einem Diagramm die Laserleistung in Abhängigkeit vom Laserstrom;4 shows the laser power as a function of the laser current in a diagram;
Fig.5 ein Beispiel für ein Detektortransmissionssignal;5 shows an example of a detector transmission signal;
Fig.6 ein Beispiel für ein bearbeitetes Detektorsignal über dem Laserstrom;6 shows an example of a processed detector signal over the laser current;
Fig.7 ein zugehöriges Diagramm eines Absorptionskoeffizienten über der Wellenzahl, hergeleitet aus dem Detektorsignal gemäß Fig.6; die Fig.8a und Fig.8b in Gegenüberstellung ein Detektorsignal in Abhängigkeit vom Laserstrom im Falle einer störungsfreien Messung (Fig.7) und im Falle einer Messung, bei der Sandpartikel und eine leuchtende Flamme den gleichen Laserstrahl behinderten (Fig.8) ;7 shows an associated diagram of an absorption coefficient over the wave number, derived from the detector signal according to FIG. 6; 8a and 8b in comparison a detector signal as a function of the laser current in the case of a fault-free measurement (FIG. 7) and in the case of a measurement in the case of sand particles and a glowing flame obstructs the same laser beam (Fig. 8);
Fig.9 ein das Detektorsignal abhängig von der Zeit zeigendes Diagramm zur Veranschaulichung einer durch Sandpartikel gestörten Absorptionsmessung;9 shows a diagram showing the detector signal as a function of time to illustrate an absorption measurement disturbed by sand particles;
Fig.10 ein vergrößertes Detail gemäß X in Fig.9 aus diesem Diagramm;10 shows an enlarged detail according to X in FIG. 9 from this diagram;
Fig.11 in einem Diagramm die Absorption über der Wellenzahl für zwei verschiedene Substanzen, zur Veranschaulichung einer Messung der Absorption mit mehreren Lasern; die Fig.12 und 13 Diagramme des Detektorsignals über dem Laserstrom für den Fall, dass eine Absorption im Vergleich zur Basislinie des Detektorsignals mit entsprechender Steigung nur schwer erfassbar ist (Fig.12), jedoch bei entsprechender Behandlung des Detektorsignals, bei Entfernung der linearen Steigung in der Stromspannungskennlinie, ein klar erkennbares Absorptionssignal erhalten wird, das gut verstärkt und gemessen werden kann (Fig.13);11 shows a diagram of the absorption over the wave number for two different substances, to illustrate a measurement of the absorption with several lasers; 12 and 13 show diagrams of the detector signal over the laser current in the event that absorption is difficult to detect compared to the baseline of the detector signal with a corresponding slope (FIG. 12), but with appropriate treatment of the detector signal when the linear slope is removed in the current-voltage characteristic, a clearly recognizable absorption signal is obtained, which can be easily amplified and measured (Fig. 13);
Fig.14 schematisch einen Laser mit externem Resonator in Littrow-Konfiguration, mit einem schnellen Phasenmodulator im Resonator;14 schematically shows a laser with an external resonator in a Littrow configuration, with a fast phase modulator in the resonator;
Fig.14a schematisch einen Laser mit externem Resonator in Littrow-Konfiguration, mit einem schnellen Phasenmodulator im Resonator, wobei der Weglängenmodulator und der Deflektor separate Einheiten sind;14a schematically shows a laser with an external resonator in a Littrow configuration, with a fast phase modulator in the resonator, the path length modulator and the deflector being separate units;
Fig.15 eine Darstellung der elektrischen Kontakte am schnellen Phasenmodulator;15 shows the electrical contacts on the fast phase modulator;
Fig.16 eine entsprechende Darstellung eines Lasers in Litt- man-Konfiguration, ebenfalls mit einem schnellen Phasenmodulator;16 shows a corresponding representation of a laser in a Littman configuration, likewise with a fast phase modulator;
Fig.17 in den Teilfiguren Fig.17a, 17b, 17c, 17d und 17e, in denen die Verstärkung über der Wellenlänge des Lasers dargestellt ist, das Arbeitsprinzip eines Lasers mit externem Resonator und schnellem Phasenmodulator gemäß Fig.14 bzw. 14a oder 16 beim Durchstimmen; die Fig.18 und 19 in schematischer Darstellung zwei Ausführungsbeispiele für die Erzeugung von Hochfrequenz-Hochspannungs- steuersignalen für den schnellen Phasenmodulator gemäß Fig.14 bzw. 14a oder 16;Fig.17 in the partial figures Fig.17a, 17b, 17c, 17d and 17e, in which the amplification over the wavelength of the laser is shown, the principle of operation of a laser with external resonator and fast phase modulator according to Fig. 14 or 14a or 16 at tuning; 18 and 19 in a schematic representation two exemplary embodiments for the generation of high-frequency high-voltage control signals for the fast phase modulator according to FIGS. 14 and 14a or 16;
Fig.20 schematisch ein anderes Beispiel für ein Wellenlän- gen-durchstimmbares Filter; und Fig.21 das Absorptionsspektrum (Absorption über der Wellenzahl) für Wasserdampf in Luft bei verschiedenen Drücken.20 schematically shows another example of a wavelength-tunable filter; and Fig. 21 shows the absorption spectrum (absorption over the wave number) for water vapor in air at different pressures.
In Fig.l ist in einer Art Blockschaltbild eine Einrichtung zur Laser-Absorptionsspektroskopie veranschaulicht, die einen Laser 1 aufweist, der einen Lichtstrahl 2 emittiert, welcher gegebenenfalls über eine Linse 3 kollimiert wird, bevor er in ein Proben- oder Messvolumen 4 eintritt, durch dieses hindurch verläuft und auf einen Detektor 5 auftrifft, der die Intensität des einfallenden Lichtstrahls misst.FIG. 1 shows a type of block diagram of a device for laser absorption spectroscopy, which has a laser 1 that emits a light beam 2, which is possibly collimated via a lens 3 before it enters a sample or measurement volume 4 this runs through and strikes a detector 5, which measures the intensity of the incident light beam.
Die Laserquelle 1 enthält beispielsweise einen über einen ausreichend weiten Bereich und schnell durchstimmbaren Laser, wie etwa einen VCSEL-Laser, der z.B. einen Durchstimmbereich von mehr als 8 cm-1 aufweist, mit einer Durchstimmgeschwindigkeit von etwa 1 crrrVμs. Ebenso kann ein Laser mit einem schnellen Phasenmodulator in einem externen Resonator verwendet werden. Für dieses Durchstimmen ist dem Laser 1 eine Steuereinheit 6 zugeordnet. Hinsichtlich der Wirkungsweise dieser schnellen Durchstimmung und der damit verbundenen schnellen Absorptionsmessung ist auf die nachfolgende Beschreibung anhand der Fig.4 bis 10 zu verweisen.The laser source 1 contains, for example, a laser that can be quickly tuned over a sufficiently wide range, such as a VCSEL laser, which has, for example, a tuning range of more than 8 cm −1 , with a tuning speed of about 1 crrrVμs. A laser with a fast phase modulator can also be used in an external resonator. A control unit 6 is assigned to the laser 1 for this tuning. With regard to the mode of action of this rapid tuning and the associated rapid absorption measurement, reference is made to the following description with reference to FIGS. 4 to 10.
Das Detektorsignal, das vom Detektor 5 erhalten wird, hat ab einem gewissen Schwellenwert des Laserstroms eine im Wesentlichen lineare Abhängigkeit vom Laserstrom, mit einer mehr oder weniger großen Steigung, abhängig unter anderem von der Abschwachung im Strahlengang, beispielsweise durch das Probenvolumen 4. Wie nachstehend anhand der Fig.12 und 13 noch näher erläutert werden wird, kann aufgrund der gegebenen Steigung der Detektorspan- nungs/Laserstrom-Kennlinie eine schwache Absorption einer Zielsubstanz unter Umständen nur ungenügend mit der Datenerfassung aufgelöst werden, wobei die Datenerfassung jedoch erleichtert wird, wenn das Detektorsignal über dem Laserstrom keine derartige Steigung hätte. Um hier Abhilfe zu schaffen, lässt sich die schnelle Absorptionsmessung mit Techniken zur Entfernung dieser Steigung und eventuell zur nachfolgenden Verstärkung des Signals kombinieren. Dies kann eine elektronische Schaltung sein, die zu einem Signal führt, das der ersten oder zweiten Ableitung entspricht (z.B. ein Differenziator-Operationsverstärker, beschrieben auf Seite 224 von P. Horowitz and W. Hill "The Art of Electronics", Cambridge University. Press (1989)), und die das sich hieraus ergebende Signal verstärkt; auch ist eine elektronische Schaltung denkbar, die die invertierte Steigung zum Messsignal addiert und das sich hieraus ergebende Signal verstärkt; oder eine elektronische Schaltung, die das Messsignal durch die Basislinie dividiert und das sich hieraus ergebende Signal verstärkt.From a certain threshold value of the laser current, the detector signal which is received by the detector 5 has an essentially linear dependence on the laser current, with a more or less large slope, depending inter alia on the attenuation in the beam path, for example due to the sample volume 4. As below 12 and 13 will be explained in more detail, due to the given slope of the detector voltage / laser current characteristic, a weak absorption of a target substance can under certain circumstances only be insufficiently resolved with the data acquisition, but the data acquisition is facilitated if that Detector signal above the laser current would have no such slope. To remedy this situation, the fast absorption measurement can be combined with techniques for removing this slope and possibly for subsequently amplifying the signal. This can be an electronic circuit that results in a signal that corresponds to the first or second derivative (eg, a differentiator operational amplifier, described on page 224 by P. Horowitz and W. Hill "The Art of Electronics", Cambridge University. Press (1989)), and which amplifies the resulting signal; an electronic circuit is also conceivable that the inverted slope to Added measurement signal and amplified the resulting signal; or an electronic circuit that divides the measurement signal by the baseline and amplifies the resulting signal.
Um hier Abhilfe zu schaffen, ist als Beispiel dem Detektor 5 gemäß Fig.l eine Signalverarbeitungsschaltung 7 nachgeschaltet, in der ein Differenziator-Signalverarbeitungskreis (d2/dx2) 8 verwendet wird, der ein Signal erzeugt, das der zweiten Ableitung des Detektorsignals entspricht. Das resultierende modifizierte Messsignal, das am Ausgang 9 erhalten wird, hat einen horizontalen Verlauf, welches dann auch ohne Probleme verstärkt werden kann. Andererseits wird gemäß Fig.l an einem Ausgang 10 in üblicher Weise ein DC-AusgangsSignal erhalten.In order to remedy this situation, as an example, the detector 5 according to FIG. 1 is followed by a signal processing circuit 7 in which a differentiator signal processing circuit (d 2 / dx 2 ) 8 is used which generates a signal which corresponds to the second derivative of the detector signal , The resulting modified measurement signal, which is obtained at output 9, has a horizontal profile, which can then be amplified without problems. On the other hand, according to FIG. 1, a DC output signal is obtained at an output 10 in the usual way.
In Fig.2 ist eine gegenüber Fig.l modifizierte Einrichtung zur Laser-Absorptionsspektroskopie gemäß Fig.l gezeigt, wobei hier beispielsweise ein zwischen zwei Wellenlängen bzw. Frequenzen umschaltbarer Laser 11, mit zugehöriger Steuereinheit 16 zum Umschalten, vorgesehen ist, der einen parallelen Laserstrahl 12 abgibt, welcher wiederum durch ein Probenvolumen 14 verläuft und auf einem Detektor 15 zur Messung der Laserintensität auftrifft.FIG. 2 shows a device for laser absorption spectroscopy according to FIG. 1 which is modified compared to FIG. 1, a laser 11, which can be switched between two wavelengths or frequencies, with an associated control unit 16 for switching over being provided, for example, which has a parallel laser beam 12 emits, which in turn runs through a sample volume 14 and strikes a detector 15 for measuring the laser intensity.
Um etwaige Schwankungen der emittierten Laserleistung während der Messung, z.B. beim Umschalten der Wellenlänge, zu berücksichtigen, wird vom Laserstrahl 12 ein Referenzstrahl 12' mithilfe eines halbdurchlässigen Spiegels 17 abgeleitet, der im Strahlengang des Laserstrahls 12 zwischen dem Laser 11 und dem Probenvolumen 14 angeordnet ist. Der Referenzstrahl 12' wird einem Detektor 15' zugeleitet, der die Intensität des auftreffenden Referenzstrahls 12' während der Absorptionsmessung misst. Der als Strahlteiler fungierende halbdurchlässige Spiegel 17 ist so ausgeführt, dass die Intensität des Messstrahls, der durch das Probenvolumen 14 verläuft, und des Referenzstrahls 12' ein zeitunabhängiges konstantes Verhältnis haben. Damit kann die Intensität des Messstrahls vor dem Eintritt in das Probenvolumen 14 aus der Messung der Intensität des Referenzstrahls 12' berechnet werden, und aus der Differenz der Intensität des Messstrahls vor und nach dem Probenvolumen 14 kann die Transmission des Probenvolumens und die Absorption im Probenvolumen 14 berechnet werden.To avoid any fluctuations in the laser power emitted during the measurement, e.g. When switching the wavelength to be taken into account, a reference beam 12 ′ is derived from the laser beam 12 with the aid of a semitransparent mirror 17, which is arranged in the beam path of the laser beam 12 between the laser 11 and the sample volume 14. The reference beam 12 'is fed to a detector 15' which measures the intensity of the incident reference beam 12 'during the absorption measurement. The semitransparent mirror 17, which acts as a beam splitter, is designed such that the intensity of the measuring beam, which runs through the sample volume 14, and of the reference beam 12 'have a time-independent constant ratio. The intensity of the measuring beam before entering the sample volume 14 can thus be calculated from the measurement of the intensity of the reference beam 12 ′, and the transmission of the sample volume and the absorption in the sample volume 14 can be determined from the difference in the intensity of the measuring beam before and after the sample volume 14 be calculated.
Im Referenzstrahl 12' kann aber auch ein mit einem Block 18' angedeutetes Etalon oder eine Referenz (gas) zelle eingebaut sein, oder es können mehrere Referenzstrahlen mit zusätzlichen Strahlteilern erzeugt werden, um die direkte Intensitätsmessung, das Etalon und die Referenz (gas) zelle in je einem Referenzstrahl zu benützen. Das Etalon erlaubt die Wellenlängenänderung des Lasers 11 mitzuverfolgen und zu kalibrieren (vgl. R.M. Mihalcea et al . "Tunable diode-laser absorption measurements of NO2 near 670 and 395 nm" , App. Opt. 35, p 4059-4064, 1996). In einer Referenz (gas) zelle ist typischerweise die Zielsubstanz in einer gut messbaren Konzentration eingefüllt, und durch die Messung der Transmission durch die Referenz (gas) zelle ist es möglich, den Laser 11 über lange Zeit zuverlässig bei der gewünschten Wellenlänge um den Absorptionspeak zu zentrieren. Ebenso kann dabei die Breite des Absorptionspeaks genützt werden, um die Wellenlängen- durchstimmrate zu kalibrieren und Laser-Alterungsprozesse zu korrigieren.However, an etalon or a reference (gas) cell indicated with a block 18 'can also be installed in the reference beam 12'. or several reference beams can be generated with additional beam splitters in order to use the direct intensity measurement, the etalon and the reference (gas) cell in one reference beam each. The etalon allows the wavelength change of the laser 11 to be tracked and calibrated (cf. RM Mihalcea et al. "Tunable diode-laser absorption measurements of NO2 near 670 and 395 nm", App. Opt. 35, p 4059-4064, 1996). In a reference (gas) cell, the target substance is typically filled in in an easily measurable concentration, and by measuring the transmission through the reference (gas) cell, it is possible to reliably feed the laser 11 around the absorption peak at the desired wavelength for a long time center. The width of the absorption peak can also be used to calibrate the wavelength tuning rate and to correct laser aging processes.
Eine vergleichbare Referenzstrahl-Erzeugung kann selbstverständlich auch bei der Einrichtung gemäß Fig.l oder aber bei der nachfolgend noch näher zu erläuternden Einrichtung gemäß Fig.3 vorhanden sein. Andererseits kann eine Signalverarbeitungsschal- tung 7 wie in Fig.l gezeigt auch bei den Einrichtungen gemäß Fig.2 oder 3 vorgesehen werden. Weiters kann bei allen Einrichtungen im Strahlengang, beispielsweise zwischen dem Probenvolumen 14 und dem Detektor 15, ein Wellenlängenfilter 19 zum Unterdrücken unerwünschter Lichtemission auf den Detektor 5 bzw. 15 usw. angebracht werden. Damit kann z.B. die störende Flammenemission unterdrückt werden. Eine andere Möglichkeit, den Detektoroffset durch unerwünschte Lichtemission zu eliminieren, besteht darin, dass Blenden im Strahlengang vor dem Detektor eingebaut werden, oder dass der Laser einmal pro Messung unter dem Schwellenwert betrieben wird oder abgeschaltet wird und das so gemessene Detektorsignal (erzeugt nur durch die unerwünschte Lichtemission, da in diesem Augenblick der Laser nicht leuchtet) gespeichert und dann während der Absorptionsmessung vom Detektorsignal abgezogen wird.A comparable reference beam generation can of course also be present in the device according to FIG. 1 or in the device according to FIG. 3 to be explained in more detail below. On the other hand, a signal processing circuit 7 as shown in FIG. 1 can also be provided in the devices according to FIG. 2 or 3. Furthermore, a wavelength filter 19 for suppressing undesired light emission on the detector 5 or 15 etc. can be attached to all devices in the beam path, for example between the sample volume 14 and the detector 15. With this e.g. the disruptive flame emission can be suppressed. Another way of eliminating the detector offset by undesired light emission is to install diaphragms in the beam path in front of the detector, or to operate the laser once per measurement below the threshold or to switch it off and the detector signal measured in this way (generated only by the unwanted light emission, because at this moment the laser is not lit) is stored and then subtracted from the detector signal during the absorption measurement.
Gemäß Fig.3 sind zwei Laser 21, 21' mit verschiedenen Wellenlängen λi, %2 vorhanden, deren Laserstrahlen 22, 22' in zwei einmodige optische Fasern 23a, 23b eingekoppelt werden, welche wiederum in eine einmodige optische Faser 23 eingekoppelt werden, um so einen gleichen optischen Weg durch das Probenvolumen 24 sicherzustellen. Danach trifft der jeweilige Laserstrahl 22 bzw. 22' wiederum auf das Detektionssystem. Die Detektion kann wieder nach den bekannten Zeitmultiplex-Verfahren mit einem Detektor 25a oder nach dem Wellenlängenmultiplex-Verfahren mit mehreren Detektoren 25b, 25c durchgeführt werden. Um die Laserstrahlen mit den beiden Wellenlängen λi, λ2 zu trennen, kann auch ein Beugungsgitter 28 oder ein Interferenzfilter 29 eingesetzt werden, die dies schematisch in Fig.3 in Zuordnung zu den Detektoren 25b, 25c veranschaulicht ist.According to FIG. 3 there are two lasers 21, 21 'with different wavelengths λi,% 2, the laser beams 22, 22' of which are coupled into two single-mode optical fibers 23a, 23b, which in turn are coupled into a single-mode optical fiber 23, and so on ensure an identical optical path through the sample volume 24. Then the respective laser beam 22 or 22 'in turn on the detection system. The detection can again be carried out according to the known time division multiplex method with one detector 25a or according to the wavelength division multiplex method with several detectors 25b, 25c. In order to separate the laser beams with the two wavelengths λi, λ 2 , a diffraction grating 28 or an interference filter 29 can also be used, which is illustrated schematically in FIG. 3 in association with the detectors 25b, 25c.
Im Einzelnen wird bei der Einrichtung gemäß Fig.3 vergleichsweise schnell (< lμs) zwischen den beiden Lasern 21, 21' mithilfe einer Steuereinheit 26 hin und her geschaltet, die dies entweder dadurch bewerkstelligt, dass sie die Laser 21, 21' direkt ansteuert oder aber diesen nachgeschaltete Blenden 27, 27' (oder elektrooptische oder akustooptische Schalter) öffnet und sperrt.In detail, in the device according to FIG. 3, switching between the two lasers 21, 21 'takes place comparatively quickly (<1 μs) with the aid of a control unit 26, which either does this by directly controlling the lasers 21, 21' or but opens and blocks this downstream diaphragm 27, 27 '(or electro-optical or acousto-optical switch).
Allen drei Einrichtungen, gemäß den Fig.l bis 3, ist gemeinsam, dass das Durchstimmen oder Umschalten der Laser zwecks Änderung der Wellenlängen der Laserstrahlung vergleichsweise rasch, insbesondere im μs-Bereich oder in Zeiten < 1 μs, erfolgt, so dass während dieser Zeit der Änderung der Wellenlänge Fluktuationen im Signal zufolge von Rauschen, etwa aufgrund von Schwankungen in der Laserintensität, oder von elektronischen Rauschen oder experimentellem Rauschen in der Messanordnung, vernachlässigbar sind, da sie während der Messung als stationär angesehen werden können und da das experimentelle Rauschen im Vergleich zu den verwendeten Laserwellenlängen wellenunabhängig ist. Aus der Sicht der schnellen Wellenlängenänderung der Laserstrahlung stellen sich somit diese Fluktuationen als "eingefroren" dar, da sie in der Regel um zumindest zwei Größenordnungen langsamer sind.All three devices, according to FIGS. 1 to 3, have in common that the tuning or switching of the lasers for the purpose of changing the wavelengths of the laser radiation takes place comparatively quickly, in particular in the μs range or in times <1 μs, so that during this time the change in the wavelength fluctuations in the signal due to noise, for example due to fluctuations in the laser intensity, or electronic noise or experimental noise in the measuring arrangement, are negligible, since they can be regarded as stationary during the measurement and because the experimental noise is compared is independent of the wave to the laser wavelengths used. From the point of view of the rapid change in the wavelength of the laser radiation, these fluctuations thus appear to be "frozen", since they are generally at least two orders of magnitude slower.
Zur näheren Erläuterung von zwei Möglichkeiten der Auswertung von Transmissionsmessung ist auf die Fig.4 bis 10 zu verweisen. Als erste Möglichkeit wird eine Breitband-Absorption anhand der Fig.4 bis 7 behandelt. In Fig.4 ist die als Maß für die optische Leistung eines Diodenlasers anzusehende Detektorspannung L0 in Abhängigkeit vom Laserstrom I angegeben, wie sie mit dem Referenzstrahl gemessen werden kann. Diese Leistungs- Kennlinie Lo(I) wird als Basislinie für die Absorptionsberechnungen verwendet. Wie ersichtlich hat die Laserleistung ab einem gewissen Schwellenwert (1,2 mA) des Laserstroms eine im Wesent- liehen lineare Abhängigkeit vom Laserstrom. Ebenso erfolgt die Wellenlängendurchstimmung ab einem Schwellenwert (1,2 mA) näherungsweise linear mit dem Laserstrom. Daher kann man die Basislinie auch als Funktion der Wellenlänge angeben L0(λ). Ein Diodenlaser kann allerdings außer über den Laserstrom auch über die Lasertemperatur in der Wellenlänge durchgestimmt werden, üblicherweise wird die Lasertemperatur mithilfe eines in den optischen Laserverstärker eingebauten Peltierelements auf ein Millikelvin konstant geregelt. Gemäß Fig.5 ist die Lasertemperatur so gewählt, dass dass die zu messende Absorptionslinie S ungefähr in der Mitte des Wellenlängen-Durchstimmbereichs mit dem Laserstrom zu liegen kommt.For a more detailed explanation of two options for evaluating transmission measurement, reference is made to FIGS. 4 to 10. As a first option, broadband absorption is dealt with using FIGS. 4 to 7. 4 shows the detector voltage L 0 to be regarded as a measure of the optical power of a diode laser as a function of the laser current I, as can be measured with the reference beam. This performance characteristic Lo (I) is used as the baseline for the absorption calculations. As can be seen, from a certain threshold value (1.2 mA) of the laser current, the laser power has an essentially linear dependence on the laser current. Similarly, the wavelength is tuned from a threshold value (1.2 mA) approximately linearly with the laser current. The baseline can therefore also be given as a function of the wavelength L 0 (λ). In addition to the laser current, however, a diode laser can also be tuned in the wavelength via the laser temperature; usually the laser temperature is constantly regulated to one millikelvin using a Peltier element built into the optical laser amplifier. According to FIG. 5, the laser temperature is selected such that the absorption line S to be measured comes to lie approximately in the middle of the wavelength tuning range with the laser current.
Wenn nun der Laser sehr schnell, im Vergleich zu Laserrauschen, Detektor-bedingtem Rauschen und experimentellem Rauschen, über die Absorptionslinie durchgestimmt werden kann, sind diese Fluktuationen während der kurzen Messzeit quasi konstant, d.h. das Detektorsignal LD kann man in Abhängigkeit vom Laserstrom anschreiben als LD(I) =L0 (I) *TrZ (I) *RT+R0, wobei TrZ die Wellenlängen-abhängige Transmission der Zielsubstanz im Probenvolumen ist und RT bzw. RO die während der kurzen Messzeit konstante Ab- schwächung/Verstärkung bzw. Offsetverschiebung des Detektorsignals, verursacht durch die Schwankungen des elektronischen und experimentellen Rauschens, sind.If the laser can now be tuned very quickly over the absorption line compared to laser noise, detector-related noise and experimental noise, these fluctuations are quasi constant during the short measuring time, i.e. the detector signal L D can be written as a function of the laser current L D (I) = L 0 (I) * TrZ (I) * RT + R0, where TrZ is the wavelength-dependent transmission of the target substance in the sample volume and RT or RO is the constant attenuation / amplification or amplification during the short measuring time Offset shift of the detector signal caused by the fluctuations in electronic and experimental noise.
In Fig.5 ist der Fall dargestellt, dass es neben der Absorption durch die Zielsubstanz im Probenvolumen zu einer zusätzlichen Abschwachung der Laserintensität (z.B. durch Rußen einer Flamme) und zu einer Offsetverschiebung (z.B. durch Leuchten einer Flamme) kommt. Da der durch experimentelles Rauschen verursachte Offset innerhalb einer kurzen Messzeit (μs) konstant ist und der Laser unterhalb des Schwellenwerts von 1,2 mA nicht leuchtet, kann der Offset RO gemessen werden (Detektorsignal für Laserstrom < 1,2 mA) und vom Messsignal LD(I) abgezogen werden. Das Offset-korrigierte Messsignal enthält dann noch die ebenfalls während der kurzen Messzeit (μs) konstante Abschwachung durch experimentelles Rauschen (RT) (z.B. durch Ruß, Partikel). Wenn man nun das Offset-korrigierte Messsignal durch die Basislinie dividiert und dann den natürlichen Logarithmus nimmt und durch die Weglänge W des Laserstrahls im Probenvolumen dividiert, ergibt sich: ln( (Detektorsignal-Offset) /Basislinie) /Weglänge= =ln(L0(I) *TrZ(I)*RT/Lo(I) /W=ln(TrZ(I) *RT) /W=ln(TrZ(I) )/W+ln(RT) / = -Absorptionskoeffizient -K, wobei gemäß dem Lambert Beer 'sehen Gesetz der Absorptionskoeffizient der Zielsubstanz im Probenvolumen als -ln(TrZ (I) ) /W definiert ist und K=-ln(RT)/W eine unbekannte Konstante ist. Somit entspricht -In ( (Detektorsignal- Offset) /Basislinie) /W bis auf einen konstanten Offset K dem Absorptionskoeffizienten.FIG. 5 shows the case in which, in addition to absorption by the target substance in the sample volume, there is an additional weakening of the laser intensity (for example by sooting a flame) and an offset shift (for example by lighting up a flame). Since the offset caused by experimental noise is constant within a short measurement time (μs) and the laser does not light below the threshold value of 1.2 mA, the offset RO can be measured (detector signal for laser current <1.2 mA) and from the measurement signal L. D (I) are subtracted. The offset-corrected measurement signal then also contains the constant attenuation due to experimental noise (RT) (eg due to soot, particles) during the short measurement time (μs). If one now divides the offset-corrected measurement signal by the baseline and then takes the natural logarithm and divides it by the path length W of the laser beam in the sample volume, the following results: ln ((detector signal offset) / baseline) / path length = = ln (L 0 (I) * TrZ (I) * RT / Lo (I) / W = ln (TrZ (I) * RT) / W = ln (TrZ (I)) / W + ln (RT) / = Absorption coefficient -K, whereby according to the Lambert Beer law, the absorption coefficient of the target substance in the sample volume is defined as -ln (TrZ (I)) / W and K = -ln (RT) / W is an unknown constant -In ((detector signal offset) / baseline) / W up to a constant offset K the absorption coefficient.
In Fig.6 ist das Ergebnis dieser Auswertung angegeben. Das Signal in Fig.6 istThe result of this evaluation is given in FIG. The signal in Fig.6 is
= -In ( (Detektorsignal-Offset) /Basislinie) /Weglänge = = -In ((Signal Fig.5 - Offset) /Signal Fig.4)/W. Die Größe A ist proportional zur Konzentration der Zielsubstanz und kann nach geeigneter Kalibrierung zur Konzentrationsbestimmung eingesetzt werden. Noch unbekannt sind die Größe B, die dem Absolutwert des Absorptionskoeffizienten der Absorptionsspitze S entspricht, und der Offset K=-ln(RT)/W, der aus der Abschwachung der Laserintensität z.B. durch experimentelles Rauschen entsteht.= -In ((detector signal offset) / baseline) / path length = = -In ((signal Fig. 5 - offset) / signal Fig. 4) / W. The size A is proportional to the concentration of the target substance and can be used to determine the concentration after suitable calibration. The quantity B, which corresponds to the absolute value of the absorption coefficient of the absorption peak S, and the offset K = -In (RT) / W, which results from the weakening of the laser intensity e.g. caused by experimental noise.
In Fig.7 ist ein Referenzspektrum der Zielsubstanz angegeben, wobei der Druck und die Temperatur jenen des Probenvolumens entsprechen. Das Verhältnis der beiden Größen A' (Differenz der Absorptionskoeffizienten der Absorptionsspitze S und des danebenliegenden Absorptionstales T) und B' (Absolutwert des Absorptionskoeffizienten der Absorptionspitze S) hat für die gegebene Temperatur und den gegebenen Druck einen fixen Wert. Daher kann mit der Kenntnis eines Referenzspektrums die Größe B aus Fig.6 berechnet werden als B=A*B'/A' und die unbekannte Konstante K=-ln(RT) eliminiert sowie ein Absorptionsspektrum berechnet werden.A reference spectrum of the target substance is given in FIG. 7, the pressure and the temperature corresponding to those of the sample volume. The ratio of the two quantities A '(difference between the absorption coefficients of the absorption peak S and the adjacent absorption valley T) and B' (absolute value of the absorption coefficient of the absorption peak S) has a fixed value for the given temperature and the given pressure. With the knowledge of a reference spectrum, therefore, the quantity B from FIG. 6 can be calculated as B = A * B '/ A', the unknown constant K = -In (RT) can be eliminated and an absorption spectrum can be calculated.
Wie weiter oben schon erwähnt kann man aber auch optische Filter oder Blenden zur Unterdrückung der Flammenimmission auf den Detektor einsetzen.As already mentioned above, optical filters or diaphragms can also be used to suppress the flame immission on the detector.
Eine andere Möglichkeit für isolierte Absorptionslinien ist in Fig.8a und 8b angegeben. In Fig.8a ist das Detektorsignal (DetektorSpannung über dem Laserstrom) dargestellt, wenn keine Störungen vorliegen. Im Vergleich dazu ist in Fig.8b die Laserstrahlung durch Ruß oder Partikel abgeschwächt, und das Detektorsignal zeigt aufgrund der Anwesenheit einer leuchtenden Flamme im Probenvolumen 4 bzw. 14 bzw. 24 (Fig.l bis 3) einen zusätzlichen Offset. Da diese störenden Effekte während der kurzen Zeit, in der die Messung erfolgt, konstant sind, wirken sie sich auf das Detektorsignal nur als Lineartransformation im Sinne der Beziehung x→a*x+b aus. Wenn im Falle der Einrichtung gemäß Fig.l der Laser 1 wie in den Darstellungen der Fig.4 bis 8 von 0 mA aufwärts durchgestimmt wird, dann leuchtet der Laser unterhalb des Schwellenwerts, hier bei 2 mA, nicht, und man kann dadurch rechnerisch den Offset (Wert b in der obigen Lineartransormation) bestimmen (Signal am Detektor 5, wenn der Laserstrom < 2 mA ist) , und man kann diesen Offset-Wert b vom Signal abziehen. Aus Fig.8a und 8b ist zu erkennen, dass weder bei 3 mA noch bei 9 mA eine weitere Absorption auftritt. Damit ist es möglich, die Basislinie an das Detektorsignal (DetektorSpannung in Volt) anzupassen, da die Form der Basislinie von der Referenzmessung bekannt ist. Damit kann man die Absorption und den Absorptionskoeffizienten wie gewohnt berechnen:Another possibility for isolated absorption lines is given in Fig.8a and 8b. The detector signal (detector voltage over the laser current) is shown in FIG. 8a if there are no faults. In comparison, the laser radiation in FIG. 8b is weakened by soot or particles, and the detector signal shows an additional offset due to the presence of a glowing flame in the sample volume 4 or 14 or 24 (FIGS. 1 to 3). Since these disturbing effects are constant during the short time in which the measurement takes place, they have an effect the detector signal only as a linear transformation in the sense of the relationship x → a * x + b. If, in the case of the device according to FIG. 1, the laser 1 is tuned from 0 mA upwards as in the representations of FIGS. 4 to 8, then the laser does not light below the threshold value, here at 2 mA, and one can thereby calculate the Determine the offset (value b in the linear transformation above) (signal at detector 5 if the laser current is <2 mA), and this offset value b can be subtracted from the signal. It can be seen from FIGS. 8a and 8b that no further absorption occurs neither at 3 mA nor at 9 mA. This makes it possible to adapt the baseline to the detector signal (detector voltage in volts), since the shape of the baseline is known from the reference measurement. So you can calculate the absorption and the absorption coefficient as usual:
Absorption^ (1-Offset_korrigiertes_Signal/Basislinie) Absorptionskoeffizient=-ln(Offset_korrigiertes_Signal/Basislinie) /WeglängeAbsorption ^ (1-offset_corrected_signal / baseline) absorption coefficient = -ln (offset_corrected_signal / baseline) / path length
In Fig.9 und 10 sind als Beispiel für die vorliegende Technik der "schnellen" Absorptionsmessung Messergebnisse einer O2- Absorptionsmessung dargestellt, wobei während der Messung ein kontinuierlicher Strom von Sandpartikeln durch den Laserstrahl passierte und der Laserstrahl durch eine stark flackernde blaue Flüssiggasflamme (Propan/Butan) im Probenvolumen passierte, wobei die durchschnittliche Transmission 6% war. Der Laser wurde mit einer Stromrampe mit 40 kHz Wiederholrate über mehrere Ü2-Linien durchgestimmt. Diese 40 kHz-Rampen sind in Fig.9 gerade noch als dichtes senkrechtes Strichmuster zu erkennen. An der Höhe dieser Rampen ist in Fig.9 zu erkennen, dass der Sand und die flackernde Flamme zu starken' Fluktuationen in der Transmission des Probenvolumens führen. Die schnellsten Fluktuationen in Fig.9 haben eine Dauer von etwa 200 μs .9 and 10 show measurement results of an O2 absorption measurement as an example for the present technique of "fast" absorption measurement, a continuous stream of sand particles passing through the laser beam during the measurement and the laser beam passing through a strongly flickering blue liquid gas flame (propane / Butane) in the sample volume, the average transmission being 6%. The laser was tuned with a current ramp with a repetition rate of 40 kHz over several Ü2 lines. These 40 kHz ramps can just be seen in Fig. 9 as a dense vertical line pattern. Can be seen in Figure 9 at the height of the ramps that the sand and the flickering flame lead to strong 'fluctuations in the transmission of the sample volume. The fastest fluctuations in Fig. 9 have a duration of about 200 μs.
Ein vergrößerter Ausschnitt X ist in Fig.10 dargestellt, wobei ersichtlich ist, dass der Laser in einer raschen Abfolge (40 kHz) über jeweils 5 Absorptionslinien von O2 durchstimmt. Für das Durchstimmen der Wellenlänge über eine einzelne Absorptionslinie im Spektrum braucht der Laser im gezeigten Beispiel ungefähr 1 μs . In dieser kurzen Zeitspanne von 1 μs, die für die Messung einer Absorptionslinie nötig ist, ändert sich der Effekt der Sandpartikel und der Flamme auf das Transmissionssignal nicht, es liegt eine quasi-stationäre Abschwachung und Offset- Verschiebung vor, und daher wird auch die Absorptionsmessung nicht beeinträchtigt, wie dies anhand der Fig.7 und 8 erläutert worden ist.An enlarged section X is shown in FIG. 10, whereby it can be seen that the laser passes through 5 absorption lines of O2 in a rapid sequence (40 kHz). In the example shown, the laser needs approximately 1 μs for tuning the wavelength over a single absorption line in the spectrum. In this short period of 1 μs, which is necessary for the measurement of an absorption line, the effect of the sand particles and the flame on the transmission signal changes not, there is a quasi-stationary attenuation and offset shift, and therefore the absorption measurement is not impaired, as has been explained with reference to FIGS. 7 and 8.
Vorstehend wurde anhand von Fig.3 bereits eine Einrichtung erläutert, bei der zwischen mehreren, beispielsweise zwei, Lasern 21, 21' rasch umgeschaltet wird, um die gewünschte Absorptionsmessung durchzuführen. Selbstverständlich können abhängig vom Anwendungsfall auch mehr als zwei Laser zum Umschalten verwendet werden, und in Fig.11 ist anhand eines Diagramms, das die Spektren vom Methanol- und Isopropanoldampf zeigt, die Zweckmäßigkeit der Umschaltung zwischen drei Lasern oder allgemein zwischen drei Laser-Wellenlängen (etwa mit einer Einrichtung gemäß Fig.2) veranschaulicht. Wenn wie in Fig.11 gezeigt drei Laser A, B und C mit Wellenlängenbereichen wie dargestellt in einem System (Einrichtung gemäß Fig.3) benützt werden, ist es möglich, Mischungen von Methanol und Isopropanol als Dampf (beide Verbindungen haben kontinuierliche Spektren ohne diskrete isolierte Linien, und Mischungen sind daher in konventioneller Weise praktisch nicht zu messen) sensitiv mit hohen Wiederholungsraten zu messen und dabei die Wellenlängenunabhängigen experimentellen und elektronischen Störeffekte zu umgehen.A device has already been explained above with reference to FIG. 3, in which a switch is quickly made between several, for example two, lasers 21, 21 'in order to carry out the desired absorption measurement. Of course, depending on the application, more than two lasers can be used for switching, and in Fig. 11 is a diagram showing the spectra of the methanol and isopropanol vapor, the usefulness of switching between three lasers or generally between three laser wavelengths ( illustrated with a device according to FIG. As shown in Fig.11, if three lasers A, B and C with wavelength ranges as shown are used in one system (device according to Fig.3), it is possible to use mixtures of methanol and isopropanol as vapor (both compounds have continuous spectra without discrete ones isolated lines and mixtures are therefore practically impossible to measure in a conventional manner) sensitive to measure with high repetition rates and thereby avoid the wavelength-independent experimental and electronic interference effects.
Bei der Verwendung mehrerer umschaltbarer Laser bietet sich zur Signaldetektion auch ein Zeit- oder Wellenlängen-Division Multiplexing-Schema an, wie es an sich etwa in Totschnig et al . (oben erwähnt) beschrieben ist.If several switchable lasers are used, a time or wavelength division multiplexing scheme is also suitable for signal detection, as is described, for example, in Totschnig et al. (mentioned above).
In Fig.12 ist ein Detektorsignal einer Laserdioden-Absorptionsmessung gezeigt, wobei die optische Laserleistung linear mit dem Strom ansteigt; demgemäß muss der in der Detektorschaltung vorhandene A/D-Wandler für einen großen Spannungsbereich ausgelegt werden (0 bis 5 Volt beispielsweise) , unabhängig von der Stärke der Absorption. Wenn nun die Absorption wie in Fig.12 gezeigt schwach ist, kann der Wandler bzw. die Datenerfassungskarte mit einer festen Bitauflösung die Absorptionslinie 30 in Fig.12 nicht mehr genügend genau messen.FIG. 12 shows a detector signal of a laser diode absorption measurement, the optical laser power increasing linearly with the current; accordingly, the A / D converter present in the detector circuit must be designed for a wide voltage range (0 to 5 volts, for example), regardless of the strength of the absorption. If the absorption is weak as shown in FIG. 12, the converter or the data acquisition card with a fixed bit resolution can no longer measure the absorption line 30 in FIG. 12 with sufficient accuracy.
Wenn nun, wie bereits in der Einrichtung gemäß Fig.l unter Bezugnahme auf die Signalverarbeitungsschaltung 7 erläutert wurde, die lineare Steigung vom Messsignal eliminiert wird, ergibt sich ein horizontales Messsignal wie in Fig.13 gezeigt. Damit ist der Spannungsbereich (z.B. 0 Volt bis 0,4 Volt) des Detektorsignals nur von der Stärke der Absorption abhängig, d.h. der A/D-Wandler kann für einen viel kleineren Spannungsbereich (z.B. 0 Volt bis 0,4 Volt) ausgelegt werden oder umgekehrt kann das Messsignal verstärkt werden, um das Detektorsignal an den Spannungsbereich des A/D-Wandlers anzupassen. Dadurch wird es insgesamt möglich, auch eine sehr schwache Absorptionslinie mit der vollen Auflösung des A/D-Wandlers zu messen, wie in Fig.13 bei 30' gezeigt ist.If, as has already been explained in the device according to FIG. 1 with reference to the signal processing circuit 7, the linear slope is eliminated from the measurement signal, a horizontal measurement signal results as shown in FIG. 13. This means that the voltage range (eg 0 volts to 0.4 volts) Detector signal only depends on the strength of the absorption, ie the A / D converter can be designed for a much smaller voltage range (eg 0 volts to 0.4 volts) or vice versa, the measurement signal can be amplified to match the detector signal to the voltage range of the A / D converter. This makes it possible overall to measure even a very weak absorption line with the full resolution of the A / D converter, as shown in FIG. 13 at 30 '.
In Fig.14 ist ein schnell durchstimmbarer Laser 1 in Littrow-Konfiguration in einer bevorzugten Ausführungsform dargestellt, wobei der Weglängenmodulator und der Deflektor auf einem einzigen Kristall, wie etwa auf einem Kristall aus LiNb03 und LiTa03 , untergebracht sind.FIG. 14 shows a quickly tunable laser 1 in a Littrow configuration in a preferred embodiment, the path length modulator and the deflector being accommodated on a single crystal, such as on a crystal made of LiNb03 and LiTa03.
Dabei ist ein optischer Verstärker 31 vorgesehen, der an einer Seite 32 hoch reflektierend ausgebildet ist, wogegen die gegenüberliegende Seite 33 anti-reflektierend beschichtet ist. An dieser anti-reflektierenden Seite 33 tritt der Laserstrahl 33 aus, der dann eine Linse 34 sowie danach einen Weglängen-Modulator 35 mit der Länge LP sowie einen Strahldeflektor 36 mit der Länge LD passiert, bevor er zu einem für die Littrow-Konfiguration eines Lasers üblichen Beugungsgitter 37 gelangt. Von diesem Beugungsgitter 37 wird der Laserstrahl teilweise zurückreflektiert, d.h. der Laserresonator R ist zwischen den Elementen 32 und 37 gebildet. Der Nutzstrahl 38 ist der vom Beugungsgitter 37 reflektierte Strahl; der gebeugte Strahl ist identisch mit dem einfallenden Strahl.In this case, an optical amplifier 31 is provided which is designed to be highly reflective on one side 32, whereas the opposite side 33 is coated with an anti-reflective coating. The laser beam 33 emerges from this anti-reflecting side 33, which then passes through a lens 34 and then a path length modulator 35 with the length LP and a beam deflector 36 with the length LD before it reaches one for the Littrow configuration of a laser usual diffraction grating 37 arrives. The laser beam is partially reflected back from this diffraction grating 37, i.e. the laser resonator R is formed between the elements 32 and 37. The useful beam 38 is the beam reflected by the diffraction grating 37; the diffracted beam is identical to the incident beam.
Ein solcher kombinierter Kristall für den Weglängenmodulator 35 und den Deflektor 36 kann beispielsweise durch Polung in einem elektrischen Feld hergestellt werden. Die Methode der Polung eines Kristalls in einem elektrischen Feld ist an sich bekannt, z.B.: M.M. Fejer et al . "Quasi-Phase-Matched Second Harmonie Generation: Tuning and Tolerances", IEEE Journal of Quantum Electronics, 28, 2631-2654 (1992).Such a combined crystal for the path length modulator 35 and the deflector 36 can be produced, for example, by polarization in an electrical field. The method of polarizing a crystal in an electric field is known per se, e.g .: M.M. Fejer et al. "Quasi-Phase-Matched Second Harmony Generation: Tuning and Tolerances", IEEE Journal of Quantum Electronics, 28, 2631-2654 (1992).
Als Alternative ist in Fig.14a eine Ausführung veranschaulicht, bei der der Weglängenmodulator 35 und der Strahldeflektor 36 als gesonderte Komponenten - beispielsweise bei einem Laser in Littrow-Konfiguration mit optischem Verstärker 31, Linse 34 und Beugungsgitter 37 wie in Fig.14 - vorgesehen sind.As an alternative, FIG. 14a illustrates an embodiment in which the path length modulator 35 and the beam deflector 36 are provided as separate components - for example in a laser in a Littrow configuration with an optical amplifier 31, lens 34 and diffraction grating 37 as in FIG. 14 ,
Die Emissionswellenlänge des Lasers 1 ist in der gezeigten Littrow-Konfiguration durch einen Einfallswinkel θ auf dem Beu- gungsgitter 37 bestimmt. Die Gleichung lautet hier: nλ=2sin(θ) *d.In the Littrow configuration shown, the emission wavelength of the laser 1 is determined by an angle of incidence θ on the grid 37 determined. The equation here is: nλ = 2sin (θ) * d.
Bei dieser Gleichung ist mit n die BeugungsOrdnung bezeichnet und mit d der Abstand der Gitterlinien. Üblicherweise ist n=l für einen Laser mit externem Resonator.In this equation, n is the diffraction order and d is the distance between the grating lines. Usually n = 1 for a laser with an external resonator.
Um die Wellenlänge des Lasers 1 kontinuierlich modensprung- frei durchzustimmen, wird die optische Weglänge im Laserresonator R synchron mit der Laser-Wellenlänge durchgestimmt und dabei die Anzahl der stehenden Wellen N im Resonator R konstant gehalten (R=N*λ), wie dies nachstehend anhand der Fig.17 noch näher erläutert werden wird. Zum schnellen Durchstimmen wird dabei ein Hochspannungssignal UD an den elektrooptischen Deflektor 36 und gleichzeitig ein entsprechendes anderes Hochspannungssignal U an den elektrooptischen Weglängenmodulator 35 angelegt, wie dies außer Fig.14 auch in Fig.15 schematisch veranschaulicht ist, wobei in Fig.15 der Weglängenmodulator 35 und der Deflektor 36 mit an entsprechende Hochspannungs-Steuerschaltungen 35' bzw. 36' angeschlossenen Elektroden schematisch veranschaulicht sind.In order to continuously tune the wavelength of the laser 1 without mode jump, the optical path length in the laser resonator R is tuned synchronously with the laser wavelength and the number of standing waves N in the resonator R is kept constant (R = N * λ), as follows 17 will be explained in more detail with reference to FIG. For fast tuning, a high-voltage signal UD is applied to the electro-optical deflector 36 and at the same time a corresponding other high-voltage signal U is applied to the electro-optical path length modulator 35, as is also illustrated schematically in FIG. 14 in addition to FIG. 14, the path length modulator 35 in FIG. 15 and the deflector 36 is schematically illustrated with electrodes connected to corresponding high-voltage control circuits 35 'and 36', respectively.
Die Funktionsweise des Deflektors 36 wie in Fig.14 erklärt sich daraus, dass der elektrooptische Deflektorkristall zwei unterschiedliche Domänen-Typen hat, wobei sich bei Anlegen einer Spannung am Strahldeflektor 36 der Brechungsindex bei Domänen des einen Typs z.B. vergrößert und der Brechungsindex bei Domänen des anderen Typs z.B. verkleinert oder weniger stark vergrößert. Die Anordnung und Form der Domänen sind so gewählt, dass dieser Brechungsindexunterschied zu einer Strahlablenkung führt, die von der angelegten Spannung abhängt. Die Domänenform hat z.B. Prismenform, wie dies in Fig.14 und Fig.16 schematisch veranschaulicht ist.The operation of the deflector 36 as in Fig. 14 can be explained from the fact that the electro-optical deflector crystal has two different types of domains, the refractive index of domains of one type, e.g. when applying a voltage to the beam deflector 36. increased and the refractive index for domains of the other type e.g. reduced or less enlarged. The arrangement and shape of the domains are chosen so that this refractive index difference leads to a beam deflection which depends on the voltage applied. The domain form has e.g. Prism shape, as illustrated schematically in Fig. 14 and Fig. 16.
Der Ablenkwinkel φ durch den Deflektor 36 ist proportional zur Spannung UD, die am elektrooptischen Deflektor 36 angelegt wird; hierbei gilt: φ [rad]=ne 3*r33*UD/H*LD/T; darin ist r33 der elektrooptische Koeffizient und ne der außerordentliche Brechungsindex.The deflection angle φ through the deflector 36 is proportional to the voltage UD which is applied to the electro-optical deflector 36; the following applies: φ [rad] = n e 3 * r33 * UD / H * LD / T; where r33 is the electro-optical coefficient and n e is the extraordinary refractive index.
Diese Strahlablenkung φ bewirkt eine Veränderung des Einfallswinkels θ auf das Beugungsgitter 37, d.h. Δθ=φ, und damit auch eine Änderung der Emissionswellenlänge, siehe obige Gleichung für nλ. Durch Anlegen der Spannung U an den Weglängenmodulator 35 ändert sich der Brechungsindex des Weglängenmodulators um Δn =l/2 * ne 3 * r33 * UL/H.This beam deflection φ causes a change in the angle of incidence θ on the diffraction grating 37, ie Δθ = φ, and thus also a change in the emission wavelength, see the above equation for nλ. By applying the voltage U to the Weglängenmodulator 35, the refractive index of the path modulator to .DELTA.n = l / 2 changes * n e 3 * r33 * UL / H.
Daraus folgt eine Änderung ΔLP der optischen Weglänge LP im Weglängenmodulator 35 um ΔLP=ΔnL * LP=l/2 * ne 3 * r33 * UL/H*LP und daher eine entsprechende Änderung der optischen Weglänge im gesamten Resonator R.This results in a change ΔLP in the optical path length LP in the path length modulator 35 by ΔLP = ΔnL * LP = l / 2 * n e 3 * r33 * UL / H * LP and therefore a corresponding change in the optical path length in the entire resonator R.
Praktisch wird dieses kontinuierliche modensprungfreie Durchstimmen erreicht, indem man ein Hochspannungssignal (geht von 0 bis UD) an den Deflektor 36 anlegt und eine korrespondierende Spannung 0 bis UL an die Einheit 35 zur optischen Weglängenmodulation, so dass R=N*λ erhalten bleibt.In practice, this continuous mode jump-free tuning is achieved by applying a high voltage signal (going from 0 to UD) to the deflector 36 and a corresponding voltage 0 to UL to the unit 35 for optical path length modulation, so that R = N * λ is retained.
Diese Hochspannung kann durch Verstärken einer Sinuswelle, einer linearen Rampe oder einer anders gearteten Funktion eines (programmierbaren) Funktiönengenerators oder eines D/A Konverters mit einem HochspannungsVerstärker erzeugt werden, vgl. auch die Fig.18 und 19.This high voltage can be generated by amplifying a sine wave, a linear ramp or another type of function of a (programmable) function generator or a D / A converter with a high voltage amplifier, cf. also Fig. 18 and 19.
Der in Fig.16 gezeigte modifizierte Laser 1 hat eine sog. Littman-Konfiguration, bei der bei einer ansonst zur Konfiguration nach Littrow (Fig.14) analogen Bauweise zusätzlich nach dem Beugungsgitter 37 noch ein Durchstimmspiegel 39 vorhanden ist, so dass hier der Resonator durch die Elemente 32 bis 39 gebildet ist, wobei der Laserstrahl am Beugungsgitter 37 zum Spiegel 39 gebeugt und von dort zurück reflektiert wird. Der Nutzstrahl ist wiederum der am Beugungsgitter 37 reflektierte Strahl 38. In Abwandlung der Beziehungen für den Laser mit externem Resonator in der Littrow-Konfiguration ergibt sich für die Emissionsweilenlänge des Lasers in der Littman-Konfiguration nλ=(sin(θ)+sin(ß) ) *d;The modified laser 1 shown in FIG. 16 has a so-called Littman configuration, in which, in a construction that is otherwise analogous to the configuration according to Littrow (FIG. 14), a tuning mirror 39 is additionally present after the diffraction grating 37, so that here the resonator is formed by the elements 32 to 39, the laser beam being diffracted at the diffraction grating 37 to the mirror 39 and reflected back from there. The useful beam is in turn the beam 38 reflected at the diffraction grating 37. In a modification of the relationships for the laser with external resonator in the Littrow configuration, the emission wavelength length of the laser in the Littman configuration is nλ = (sin (θ) + sin (ß )) * d;
Für die Strahlablenkung φ gilt die vorstehend angeführte Beziehung, j.edoch führt diese Strahlablenkung φ beim Laser in der Littman-Konfiguration zu einer Änderung der EmissionsWellenlänge gemäß folgender Beziehung:The relationship given above applies to the beam deflection φ, however this beam deflection φ in the laser in the Littman configuration leads to a change in the emission wavelength according to the following relationship:
Δλ=cos(θ) *d*ne 3 * r33 * UD/H * LD/T.Δλ = cos (θ) * d * n e 3 * r33 * UD / H * LD / T.
Im Übrigen gelten die vorstehend im Zusammenhang mit dem Littrow-Laser von Fig.14 gemachten Ausführungen in entsprechender Weise bei dem Laser in Littman-Konfiguration gemäß Fig.16. Ferner können auch im Fall der Littman-Kondiguration von Fig.16 der Weglängenmodulator 35 und der Deflektor 36 als gesonderte Kompo- nenten realisiert sein.Otherwise, the statements made above in connection with the Littrow laser from FIG. 14 apply correspondingly to the laser in the Littman configuration according to FIG. 16. Furthermore, in the case of the Littman configuration of FIG. 16, the path length modulator 35 and the deflector 36 can also be used as separate components. be realized.
Der Durchstimmmechanismus bei einem solchen Laser 1 mit externem Resonator R gemäß Fig.14 oder 16 soll nun anhand der Fig.17, mit den Teilfiguren 17a-17e, erläutert werden. Dabei ist in Fig.17a die Verstärkung eines Diodenlaserchips 31 in Abhängigkeit von der Wellenlänge λ angegeben. Der externe Resonator des Lasers 1 bzw. 1' bildet ein Etalon. Nur Wellenlängen λ, bei denen die Resonatorlänge R (R=N*λ) einem ganzzahligen Vielfachen N der Wellenlänge entspricht, können oszillieren und sich verstärken, sozusagen eine stehende Welle ausbilden, vgl. Fig.17b. Man spricht von longitudinalen Moden. Der Abstand zwischen zwei benachbarten longitudinalen Moden wird freier Spektralbereich FSB genannt, mit FSB = c/2R, wobei c = Lichtgeschwindigkeit und R = Resonatorlänge ist. Ändert man die Länge des externen Resonators R, so verschiebt sich der in Fig.17b gezeigte Frequenzkamm in erster Näherung entlang der Wellenlängenachse. Alle anderen Wellenlängen werden gedämpft. In Fig.17c ist die Verstärkungskennlinie über der Wellenlänge λ angegeben, die aus der Kombination von Fig.17a und Fig.17b entsteht. Durch die Auswahl des Beugungsgitters 37, des Einfallswinkels θ auf das Beugungsgitter und des Spiegelwinkels ß (im Falle einer Littman-Konfiguration) kann die Position des Wellenlängenbereichs (Littrow: nλ=2sin(θ) *d; Littman: nλ= (sin(θ) +sin(ß) ) *d) , der effektiv zurück in den Dio- denlaserchip 31 reflektiert wird, bestimmt werden. Dies ist in Fig.l7d dargestellt. Nur diese Wellenlängen werden vom Beugungsgitter effektiv zurückreflektiert und können sich verstärken. Alle anderen Wellenlängen werden unterdrückt. In Fig.l7e ist die Verstärkungskennlinie angegeben, die aus der Kombination von Fig.17c und Fig.l7d entsteht.The tuning mechanism in such a laser 1 with an external resonator R according to FIG. 14 or 16 will now be explained with reference to FIG. 17 with the sub-figures 17a-17e. The gain of a diode laser chip 31 as a function of the wavelength λ is indicated in FIG. 17a. The external resonator of laser 1 or 1 'forms an etalon. Only wavelengths λ at which the resonator length R (R = N * λ) corresponds to an integer multiple N of the wavelength can oscillate and amplify, so to speak form a standing wave, cf. Fig.17b. One speaks of longitudinal modes. The distance between two adjacent longitudinal modes is called the free spectral range FSB, with FSB = c / 2R, where c = speed of light and R = resonator length. If the length of the external resonator R is changed, the frequency comb shown in FIG. 17b shifts in a first approximation along the wavelength axis. All other wavelengths are attenuated. 17c shows the gain characteristic over the wavelength λ, which arises from the combination of Fig.17a and Fig.17b. By selecting the diffraction grating 37, the angle of incidence θ on the diffraction grating and the mirror angle β (in the case of a Littman configuration), the position of the wavelength range (Littrow: nλ = 2sin (θ) * d; Littman: nλ = (sin (θ ) + sin (ß)) * d), which is effectively reflected back into the diode laser chip 31, can be determined. This is shown in Fig.l7d. Only these wavelengths are effectively reflected back by the diffraction grating and can amplify. All other wavelengths are suppressed. Fig. 17e shows the gain characteristic that results from the combination of Fig. 17c and Fig. 17d.
Wenn sich bei einem Laser 1 mit externem Resonator R nur die Resonatorlänge ändert (und sich daher der Frequenzkamm in Fig.17b entlang der Wellenlängen Achse verschiebt) , aber nicht der Wellenlängenbereich, der effektiv zurück in den Diodenlaserchip 31 reflektiert wird (Fig.l7d), dann ist eine kontinuierliche Wellenlängendurchstimmung von mehr als dem freien Spektralbereich FSB nicht möglich, da der Frequenzkamm (Fig.17b) und der effektive Bereich des Beugungsgitters (Fig.l7d) nicht synchron durchstimmen. Der Laser springt von der longitudinalen Mode N zu einer benachbarten Mode(z.B. N-l oder N+l) , die eine größere Verstärkung hat, d.h. es kommt zu einem Modensprung. Ebenso kommt es zu einem Modensprung, falls nur der Wellenlängenbereich, der effektiv zurück in den Diodenlaserchip 31 reflektiert wird (Fig.l7d), durchgestimmt wird, aber nicht die Resonatorlänge R. Nur wenn sowohl die Länge des externen Resonators R (und damit der Frequenzkamm gemäß Fig.17b) als auch der Wellenlängenbereich λ (siehe Fig.l7d), der effektiv zurück in den Diodenlaserchip 31 reflektiert wird (Littrow: nλ=2sin(θ) *d; Littman: nλ= (sin(θ) +sin(ß) ) *d) , synchron durchgestimmt werden (d.h. R=N*λ) , können kontinuierliche modensprungfreie Durchstimmberei- che von mehr als einem FSB-Wert erreicht werden. Die Durchstimmung des Wellenlängenbereichs (siehe Fig.l7d) wird durch die Durchstimmung des Einfallswinkels θ auf das Beugungsgitter und/oder des Spiegelwinkels ß bewerkstelligt.If, in the case of a laser 1 with an external resonator R, only the resonator length changes (and therefore the frequency comb in FIG. 17b shifts along the wavelength axis), but not the wavelength range that is effectively reflected back into the diode laser chip 31 (FIG. 17d) , then a continuous wavelength tuning of more than the free spectral range FSB is not possible, since the frequency comb (Fig.17b) and the effective range of the diffraction grating (Fig.l7d) do not tune synchronously. The laser jumps from the longitudinal mode N to an adjacent mode (eg Nl or N + l), which has a greater gain, ie there is a mode jump. It also happens a mode jump if only the wavelength range that is effectively reflected back into the diode laser chip 31 (FIG. 17d) is tuned, but not the resonator length R. Only if both the length of the external resonator R (and thus the frequency comb according to FIG. 17b ) as well as the wavelength range λ (see Fig. 17d), which is effectively reflected back into the diode laser chip 31 (Littrow: nλ = 2sin (θ) * d; Littman: nλ = (sin (θ) + sin (ß))) * d), are tuned synchronously (ie R = N * λ), continuous mode jump-free tuning ranges of more than one FSB value can be achieved. The tuning of the wavelength range (see Fig. 17d) is accomplished by tuning the angle of incidence θ on the diffraction grating and / or the mirror angle ß.
In den Fig.18 und 19 sind zwei Beispiele für die Erzeugung des hochfrequenten Hochspannungssignals UL bzw. UD für den Weglängenmodulator 35 und den Strahldeflektor 36 gezeigt. Gemäß Fig.18 sind zwei Funktionsgeneratoren 41 bzw. 41' vorgesehen, die SpannungsSignale erzeugen, die durch HochspannungsVerstärker 42 bzw. 42' verstärkt werden; die resultierenden Signale UL bzw. UD werden an den Weglängenmodulator 35 bzw. an den Deflektor 36 angelegt. Die gegenüberliegenden Elektroden dieser Komponenten 35, 36 sind an Masse gelegt.18 and 19 show two examples for the generation of the high-frequency high-voltage signal UL and UD for the path length modulator 35 and the beam deflector 36. According to FIG. 18, two function generators 41 and 41 'are provided which generate voltage signals which are amplified by high-voltage amplifiers 42 and 42'; the resulting signals U L and U D are applied to the path length modulator 35 and to the deflector 36. The opposite electrodes of these components 35, 36 are grounded.
In Fig.19 ist eine vergleichsweise preiswerte Ausführung dargestellt, wobei die Schaltungen 42, 42' einfachere Hochspannungsverstärker sein können, die in einem Schwingkreis mit jeweils einer Induktivität 43 bzw. 43' eingebaut sind. Der Schwingkreis führt zu einer Erhöhung (Resonanz) der Spannung am Weglängenmodulator 35 bzw. Deflektor 36 und minimiert die Anforderungen an die HochspannungsVerstärker 42, 42'. Die den Verstärkern 42, 42' zugeführten Signale werden wiederum von einem Funktionsgenerator 41 bzw. 41' erzeugt. Zum jeweiligen Schwingkreis gehört auch die Kapazität der angesteuerten Komponente, nämlich des Weglängenmodulators 35 bzw. des Deflektors 36, wobei diese Komponenten je eine Kapazität von ca. 2 pF bis 60 pF haben. Der genaue Wert der Kapazität ist von den genauen Dimensionen und vom Material des Weglängenmodulators 35 bzw. Deflektors 36 abhängig.FIG. 19 shows a comparatively inexpensive embodiment, in which the circuits 42, 42 'can be simpler high-voltage amplifiers which are installed in a resonant circuit, each with an inductor 43 or 43'. The resonant circuit leads to an increase (resonance) in the voltage at the path length modulator 35 or deflector 36 and minimizes the requirements for the high-voltage amplifiers 42, 42 '. The signals fed to the amplifiers 42, 42 'are in turn generated by a function generator 41 or 41'. The respective resonant circuit also includes the capacitance of the controlled component, namely the path length modulator 35 and the deflector 36, these components each having a capacitance of approximately 2 pF to 60 pF. The exact value of the capacitance depends on the exact dimensions and on the material of the path length modulator 35 or deflector 36.
Mit der Konfiguration gemäß Fig.19 ist es ohne weiteres möglich, Steuerspannungen von 0 bis 900 Volt bei der Durchstimm- wiederhoϊrate von bis zu 1 MHz zu erzielen. Die damit erreichba- ren kontinuierlichen Durchstimmbereiehe liegen bei 0,33 cm-1 bis 0,66 cm"1, abhängig von der genauen Konfiguration des Lasers mit externem Resonator. Bei Verwendung von LiTaθ3- oder LiNbθ3-Kris- tallen für die Komponenten 35,36 ergibt sich ein r33 von ungefähr 30,8*10"12 m/V und ein Brechungsindex von etwa n=2,l, abhängig von der genauen Wellenlänge.With the configuration according to Fig. 19, it is easily possible to achieve control voltages from 0 to 900 volts at a repetition rate of up to 1 MHz. The achievable Their continuous tuning ranges are from 0.33 cm -1 to 0.66 cm "1 , depending on the exact configuration of the laser with an external resonator. When using LiTaθ3 or LiNbθ3 crystals for components 35, 36 this results r 33 of approximately 30.8 * 10 "12 m / V and a refractive index of approximately n = 2.1, depending on the exact wavelength.
Zum optimalen Betrieb sollte der Resonator so kurz wie möglich gehalten werden. Daraus folgt ein großer freier Spektralbereich (FSB) und eine vergrößerte Stabilität gegen Modensprünge. Andererseits braucht der optische Weglängenmodulator 35 eine gewisse Länge LP, um mit UL/max=900V den gewünschten kontinuierlichen Durchstimmbereich zu erhalten.For optimal operation, the resonator should be kept as short as possible. This results in a large free spectral range (FSB) and increased stability against mode changes. On the other hand, the optical path length modulator 35 needs a certain length LP in order to obtain the desired continuous tuning range with UL / max = 900V.
Eine günstige optische Länge des Resonators (ohne elektrooptischen Phasenschieber) ist ungefähr 20 mm für einen Aufbau nach Littrow und 45 mm für einen Aufbau nach Littman.A favorable optical length of the resonator (without an electro-optical phase shifter) is approximately 20 mm for a structure according to Littrow and 45 mm for a structure according to Littman.
Im Folgenden sind Beispiele für einen Aufbau eines elektrooptischen Phasenmodulators (mit den Komponenten 35,36) angegeben. Der Laser ist z.B. ein 1490-1550 nm Laser mit externem Resonator mit einer Linse 34 mit einer Brennweite f = 3,1 mm und mit einem 1200 g/ mm-Beugungsgitter 37. Folgende Werte gemäß Fig.14 bis 16 sind noch anzugeben (Beschriftung gemäß Fig.14-16):The following are examples of a structure of an electro-optical phase modulator (with the components 35, 36). The laser is e.g. a 1490-1550 nm laser with an external resonator with a lens 34 with a focal length f = 3.1 mm and with a 1200 g / mm diffraction grating 37. The following values according to FIGS. 14 to 16 are still to be specified (labeling according to FIG. 14 -16):
- Littrow Konfiguration: LP=20 mm, LD=2 mm, T=4 mm, H=0,5 mm, N=10, B=0,2 mm, θ=66°. Kontinuierlicher Durchstimmbereich für UL,max = 900 V: ca. 0,5 cm"1.- Littrow configuration: LP = 20 mm, LD = 2 mm, D = 4 mm, H = 0.5 mm, N = 10, B = 0.2 mm, θ = 66 °. Continuous tuning range for UL, max = 900 V: approx. 0.5 cm "1 .
- Littman Konfiguration: LP=23 mm, LD=7 mm, T=2 mm, H=0,5 mm, N=10, B=0,7 mm, θ-85-870. Kontinuierlicher Durchstimmbereich für UL,max = 900V: ca. 0,36 cm"1.- Littman configuration: LP = 23 mm, LD = 7 mm, D = 2 mm, H = 0.5 mm, N = 10, B = 0.7 mm, θ-85-87 0 . Continuous tuning range for UL, max = 900V: approx. 0.36 cm "1 .
- Modifizierte Littrow-Konfiguration: LP=6 mm, LD=10 mm, T=l mm, H=0,5 mm, N=10, B=l mm, θ=66°. Ca. 0,2 cm"1 kontinuierlicher Durchstimmbereich ohne Modensprünge und 15 cm-1 diskontinuierlicher Durchstimmbereich mit Modensprüngen für UL,max,UD,max = 900V.- Modified Littrow configuration: LP = 6 mm, LD = 10 mm, T = 1 mm, H = 0.5 mm, N = 10, B = 1 mm, θ = 66 °. Approximately 0.2 cm " 1 continuous tuning range without mode jumps and 15 cm -1 discontinuous tuning range with mode jumps for UL, max, UD, max = 900V.
Die modifizierte Littrow-Konfiguration kann sehr gut für eine Einrichtung gemäß Fig.2 verwendet werden. Da der Laser schnell (μs) elektrooptisch über 15 cm-1 durchgestimmt werden kann, lassen sich mehrere Molekülspezies gleichzeitig messen.The modified Littrow configuration can be used very well for a device according to FIG. 2. Since the laser can be electro-optically tuned quickly (μs) over 15 cm -1 , several molecular species can be measured simultaneously.
In Fig.20 ist ein weiteres Beispiel für ein Wellenlängendurchstimmbares Filter gezeigt, wobei ein Kristall 45 aus einem elektrooptischen Material (vgl. Fig.17b), z.B. einem LiNbθ3- Kristall, verwendet wird. Dieser Kristall 45 ist an seinen beiden Endflächen 46, 47 hoch reflexiv beschichtet und an seinen Seiten 48, 49 mit Elektroden versehen, um eine hochfrequente Hochspannung anzulegen. Der Weglängenmodulator 50 ist auf beiden Seiten 51, 52 antireflektionsbeschichtet . Es bilden sich zwei Etalons: Das eine Etalon wird durch die hochreflektierende Seite des Laserverstärkers 31 und der dem Laser zugewandten Seite 46 des Kristalls 45 gebildet. Das zweite Etalon wird zwischen den antireflektierenden Seiten 46 und 47 des Kristalls 45 gebildet. Diese beiden Etalons bilden jeweils einen Frequenzkamm (vgl. Fig.17b), wobei die beiden Frequenzkämme durch die Dimensionen des Kristalls 45 und des gesamten Resonators so gewählt werden können, dass nur eine Wellenlänge verstärkt wird. Der Laserstrahl wird wiederum von einem optischen Verstärker 31 mit hoch reflektierender Fläche 32 und antireflektierend beschichteter Austrittsfläche 33 abgegeben, und er durchläuft den Weglängenmodulator 50 und den Kristall 45, wo er reflektiert wird bzw. wo der Nutzstrahl ausgekoppelt wird; die Wellenlängen, die das Etalon bzw. der Kristall 45 durchlässt, sind abhängig von der Etalon-Länge . Daher kann mit einem solchen Etalon-Filter 45 eine Durchstimmung der Wellenlänge erreicht werden, wenn eine Hochspannung an den Kristall 45 angelegt wird. Simultan kann dann mithilfe des Weglängenmodulators 50 auch die Resonatorlänge mit durchgestimmt werde .A further example of a wavelength-tunable filter is shown in FIG. 20, wherein a crystal 45 made of an electro-optical material (see FIG. 17b), for example a LiNbθ3 crystal, is used. This crystal 45 is coated on its two end faces 46, 47 in a highly reflective manner and on its sides 48, 49 provided with electrodes to apply a high-frequency high voltage. The path length modulator 50 is coated on both sides 51, 52 with an anti-reflection coating. Two etalons are formed: one etalon is formed by the highly reflective side of the laser amplifier 31 and the side 46 of the crystal 45 facing the laser. The second etalon is formed between the anti-reflective sides 46 and 47 of the crystal 45. These two etalons each form a frequency comb (see FIG. 17b), the two frequency combs being able to be selected by the dimensions of the crystal 45 and of the entire resonator in such a way that only one wavelength is amplified. The laser beam is in turn emitted by an optical amplifier 31 with a highly reflective surface 32 and an anti-reflective coated exit surface 33, and it passes through the path length modulator 50 and the crystal 45, where it is reflected or where the useful beam is coupled out; the wavelengths that the etalon or crystal 45 transmits depend on the etalon length. Therefore, such an etalon filter 45 can tune the wavelength when a high voltage is applied to the crystal 45. Simultaneously, the path length modulator 50 can also be used to tune the resonator length.
Es ist weiters möglich, die verschiedenen Komponenten, nämlich den optischen Verstärker 31, den Wellenleiter-Phasenschieber, bestehend aus den Komponenten 35 und 36, und das Beugungsgitter 37 bzw. das Etalon 45 in einem Bauteil zusammenzufassen, wobei auch die Linse 34 weggelassen werden kann.It is also possible to combine the various components, namely the optical amplifier 31, the waveguide phase shifter, consisting of the components 35 and 36, and the diffraction grating 37 or the etalon 45 in one component, the lens 34 also being able to be omitted ,
In Fig.21 ist schließlich eine Anwendung der erfindungsgemäßen Technik zur Messung bei hohen Drücken bzw. zur Erfassung von Drücken über die Absorptionsspektren veranschaulicht, wobei in dem Diagramm gemäß Fig.21 im Einzelnen die Absorption über der Wellenzahl für Wasserdampf (10%) in Luft bei verschiedenen Gesamtdrücken, nämlich 1 bar, 10 bar, 20 bar und 40 bar, gezeigt sind. Die Absorptionsweglänge beträgt 1 cm. Es ist an sich schwierig, Spurengase bei einem hohen Druck zu messen. Typisch beträgt die Linienbreite (Halbwertbreite) einer Absorptionslinie bei einem Druck von 1 bar und bei 296 K 0,1 bis 0,4 cm-1. Die Linienbreite steigt jedoch proportional mit dem Druck. Daher ist die Linienbreite für 40 bar schon bei etwa 4 cm"1 bis 16 cm"1 (bei 296 K) . Mit einem Standard-DFB-Diodenlaser kann nur über etwa 1 cm"1 durchgestimmt werden, und man kann die verbreiterten Absorptionslinien daher nur ungenügend messen. Die Verwendung eines Lasers, der über einen weiten Bereich rasch durchstimmbar ist (> 8 cm"1) , ermöglicht bei diesen Bedingungen die gewünschten Absorptionsmessungen; ein Beispiel für einen Laser, der diesen Bedingungen genügt, ist der vorerwähnte VCSEL-Laser.Finally, FIG. 21 shows an application of the technique according to the invention for measuring at high pressures or for recording pressures via the absorption spectra, with the diagram according to FIG. 21 showing in detail the absorption over the wave number for water vapor (10%) in air at different total pressures, namely 1 bar, 10 bar, 20 bar and 40 bar. The absorption path length is 1 cm. As such, it is difficult to measure trace gases at high pressure. The line width (half width) of an absorption line at a pressure of 1 bar and at 296 K is typically 0.1 to 0.4 cm -1 . However, the line width increases proportionally with the pressure. Therefore, the line width for 40 bar is already around 4 cm "1 to 16 cm " 1 (at 296 K). With a standard DFB diode laser, only about 1 cm "1 can be tuned, and the widened absorption lines can therefore only be measured inadequately. The use of a laser which can be rapidly tuned over a wide range (> 8 cm" 1 ) enables the desired absorption measurements under these conditions; An example of a laser that meets these conditions is the aforementioned VCSEL laser.
Die vorliegende Laser-Absorptionsspektroskopie kann mit Vorteil in chemischen Reaktoren, z.B. im Bereich der organischen Chemie, der anorganischen Chemie, etwa bei der Eisengewinnung oder Stahlgewinnung, sowie der Biochemie ebenso wie in Reaktoren verwendet werden, die zur Energiegewinnung verwendet werden, wie in Feuerungen, Heizwerken, Motoren. Dabei kann direkt am Reaktionsort der Prozess sehr schnell überwacht werden. Es ist auch denkbar, die beschriebenen Einrichtungen in Verbindung mit Pro- zesssteuerungs- bzw. Regelungsschaltungen einzusetzen, um die laufenden Prozesse direkt zu steuern bzw. zu regeln. Weiters ist eine Anwendung zur Bestimmung kinetischer Aspekte bei chemischen Reaktionen ebenso wie zur Kontrolle bestimmter Spezienkonzentra- tionen (z.B. 02-Gehalt in Abluft) denkbar. Ebenso kann über die Messung der Linienbreite der in einer Umgebung herrschende Druck bzw. die vorhandene Temperatur gemessen werden, was insbesondere für motorische Untersuchungen und Experimente in und um Flammen von Interesse ist.The present laser absorption spectroscopy can advantageously be used in chemical reactors, for example in the field of organic chemistry, inorganic chemistry, for example in the production of iron or steel, and in biochemistry, as well as in reactors which are used for energy generation, such as in furnaces, Heating plants, motors. The process can be monitored very quickly at the reaction site. It is also conceivable to use the devices described in connection with process control or regulation circuits in order to directly control or regulate the running processes. Furthermore, an application for the determination of kinetic aspects in chemical reactions as well as for the control of certain species concentrations (eg 0 2 content in exhaust air) is conceivable. Likewise, the pressure prevailing in an environment or the existing temperature can be measured by measuring the line width, which is of particular interest for motor examinations and experiments in and around flames.
Die beschriebene Technik eignet sich dazu, Gasspezien, z.B. O2, NO, HCN, NH3, H20, OH, NH2, CH4, bzw. organische Moleküle, in Konzentrationsbereichen von ppb bis % in Gasen und in mit Partikeln (Staub, Ruß, Aerosole) beladenen Gasen (z.B. in der Raumluft, Troposphäre, Stratosphäre) und Gaskanälen (z.B. von Kraftwerken, SNCR u. SCR Anlagen, Schornsteine, Gasauslasskanäle) zu messen, und zwar von niedrigen Temperaturen (-100°C) bis zu hohen Temperaturen (2000°C) , von niedrigen Drücken (1 mbar) bis zu hohen Drücken (300 bar) . Weiters ist es möglich, Alkalidämpfe, insbesondere Natriumdampf, in-situ zu messen. Dies ist technisch von Relevanz, da unter anderem bei Turbinen niedrigschmelzende Legierungen gebildet werden. Auch können in flüssiger Phase und in mit Partikeln beladener flüssiger Phase IR-aktive Spezien (z.B. Tryptophan) gemessen werden. The technique described is suitable for gas species, e.g. O2, NO, HCN, NH 3 , H 2 O, OH, NH 2 , CH 4 , or organic molecules, in concentration ranges from ppb to% in gases and in with particles (dust , Soot, aerosols) loaded gases (e.g. in the ambient air, troposphere, stratosphere) and gas channels (e.g. from power plants, SNCR and SCR systems, chimneys, gas outlet channels) to measure, from low temperatures (-100 ° C) up to high temperatures (2000 ° C), from low pressures (1 mbar) to high pressures (300 bar). It is also possible to measure alkali vapors, especially sodium vapor, in situ. This is technically relevant since, among other things, low-melting alloys are formed in turbines. IR-active species (eg tryptophan) can also be measured in the liquid phase and in the liquid phase loaded with particles.

Claims

Patentansprüche : Claims:
1. Verfahren zur Laser-Absorptionsspektroskopie, wobei Laserstrahlung (2) durch ein Probenvolumen (4) geleitet und durch Messung der Transmission durch das Probenvolumen die Absorption zumindest einer im Probenvolumen enthaltenen Zielsubstanz gemessen wird, dadurch gekennzeichnet, dass die Messung der Absorption in einer im Vergleich zu typischen Zeitdauern von signifikanten, störenden Effekten, wie Schwankungen der Laserintensität und elektronisches bzw. experimentelles Rauschen, kurzen Zeitspanne durchgeführt wird, wobei diese störenden Effekte nur zu einer stationären, konstanten Abschwachung bzw. Verstärkung des Signals und zu einer stationären, konstanten Offsetverschiebung (K) führen.1. A method for laser absorption spectroscopy, wherein laser radiation (2) is passed through a sample volume (4) and the absorption of at least one target substance contained in the sample volume is measured by measuring the transmission through the sample volume, characterized in that the measurement of the absorption in an im Compared to typical periods of significant, disturbing effects, such as fluctuations in laser intensity and electronic or experimental noise, a short period of time is carried out, these disturbing effects only for a steady, constant attenuation or amplification of the signal and for a steady, constant offset shift ( K) lead.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Wellenlänge der Laserstrahlung durch vergleichsweise rasche Durchstimmung des Lasers (1) über einen vorgegebenen Wellenlängenbereich geändert und die Transmission bei verschiedenen Wellenlängen gemessen wird, wobei vorzugsweise sowohl Wellenlängen mit einer stärkeren Absorption als auch Wellenlängen, bei denen die Zielsubstanz eine schwächere Absorption aufweist, gemessen werden.2. The method according to claim 1, characterized in that the wavelength of the laser radiation is changed by comparatively rapid tuning of the laser (1) over a predetermined wavelength range and the transmission is measured at different wavelengths, preferably both wavelengths with a stronger absorption and wavelengths, in which the target substance has a weaker absorption, are measured.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Laser (1) in einer Zeitdauer im Wesentlichen in der Größenordnung von maximal einigen μs durchgestimmt wird.3. The method according to claim 2, characterized in that the laser (1) is tuned in a time period substantially in the order of magnitude of a maximum of a few μs.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Laser (1) in einer Zeitdauer von weniger als 1 μs durchgestimmt wird.4. The method according to claim 3, characterized in that the laser (1) is tuned in a period of less than 1 μs.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass ein zwischen verschiedenen Wellenlängen (λi, λ2> umschaltbarer Laser (11) verwendet wird, der im Vergleich zu den störenden Effekten rasch zwischen den Wellenlängen umgeschaltet wird, und die Transmission bei den verschiedenen Wellenlängen gemessen wird, wobei vorzugsweise die Wellenlängen im Bereich von Absorptionswellenlängen der Zielsubstanz liegen, die bei einer dieser Wellenlängen eine hohe Absorption und bei einer anderen eine schwache Absorption aufweist.5. The method according to any one of claims 1 to 4, characterized in that a switchable between different wavelengths (λi, λ2> laser (11) is used, which is quickly switched between the wavelengths compared to the disruptive effects, and the transmission the different wavelengths are measured, the wavelengths preferably being in the range of absorption wavelengths of the target substance which have a high absorption at one of these wavelengths and at another has poor absorption.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest zwei Laser (21, 21') mit verschiedenen Wellenlängen (λi, \ι ) verwendet werden und im Vergleich zu den störenden Effekten rasch von einem Laser auf den anderen umgeschaltet wird, wobei die Transmission bei den verschiedenen Wellenlängen gemessen wird und vorzugsweise der eine Laser eine Wellenlänge aufweist, bei der die Zielsubstanz eine starke Absorption aufweist, wogegen der andere Laser eine Wellenlänge aufweist, bei der die Zielsubstanz eine schwache Absorption aufweist.6. The method according to any one of claims 1 to 5, characterized in that at least two lasers (21, 21 ') with different wavelengths (λi, \ ι) are used and compared to the disruptive effects quickly switched from one laser to the other where the transmission is measured at the different wavelengths and preferably one laser has a wavelength at which the target substance has a strong absorption, whereas the other laser has a wavelength at which the target substance has a weak absorption.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die auf die verschiedenen Laser (21, 21') zurückzuführenden Detektorsignale in einem an sich bekannten Zeit- oder Wellenlängen- Multiplexverfahren verarbeitet werden.7. The method according to claim 6, characterized in that the detector signals to be traced back to the different lasers (21, 21 ') are processed in a time or wavelength multiplex method known per se.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die bzw. jede Laserstrahlung in eine optische Faser (23) eingekoppelt und über diese dem Probenvolumen (24) zugeleitet wird.8. The method according to any one of claims 1 to 7, characterized in that the or each laser radiation is coupled into an optical fiber (23) and fed to the sample volume (24) via this.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass während des Absorptionsmessvorgangs und des Durchstimmens des Lasers (1) auftretende Änderungen in der emittierten Laserleistung durch eine der Messung vorhergehende Charakterisierung erfasst und sodann bei der Messung berücksichtigt werden.9. The method according to any one of claims 1 to 8, characterized in that changes occurring during the absorption measurement process and tuning the laser (1) in the emitted laser power are detected by a characterization preceding the measurement and then taken into account in the measurement.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass während des Absorptionsmessvorgangs und des Durchstimmens des Lasers (11) auftretende Änderungen in der emittierten Laserleistung während der Messung simultan durch Messung eines Referenz-Laserstrahls (12') berücksichtigt werden.10. The method according to any one of claims 1 to 9, characterized in that changes occurring in the emitted laser power during the measurement during the absorption measurement process and the tuning of the laser (11) are taken into account simultaneously by measuring a reference laser beam (12 ').
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass auf Basis der Absorptionsmessung durch Rückrechnen aus einer Spektrallinienverbreiterung Druck und/oder Temperatur im Probenvolumen (4) ermittelt werden. 11. The method according to any one of claims 1 to 10, characterized in that based on the absorption measurement by back calculation from a broadening of the spectral line, pressure and / or temperature in the sample volume (4) are determined.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass auf Basis der Absorptionsmessung unter Einbeziehung weiterer experimenteller Parameter, wie Temperatur, Druck und Weglänge des Laserstrahls (2) im Probenvolumen (4), in der Folge die Konzentration der Zielsubstanz berechnet wird.12. The method according to any one of claims 1 to 11, characterized in that the concentration of the target substance is subsequently calculated on the basis of the absorption measurement, including further experimental parameters, such as temperature, pressure and path length of the laser beam (2) in the sample volume (4) becomes.
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Absorptionsmessung bei einem hohen Druck, z.B. mehrere bar bis mehrere 100 bar, im Probenvolumen (4) durchgeführt wird.13. The method according to any one of claims 1 to 12, characterized in that the absorption measurement at a high pressure, e.g. several bar to several 100 bar, is carried out in the sample volume (4).
14. Einrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 13, mit einer Laserquelle (1) zum Aussenden von Laserstrahlung und mit einem Detektor (5) zur Messung der Intensität der Laserstrahlung nach dem Passieren eines Probenvolumens (4), dadurch gekennzeichnet, dass die Laserquelle (1) ein Laser mit externem Resonator (R) ist und im Resonator ein durchstimm- bares Wellenlängenfilter (35, 36, 37, 39; 45, 35) im Strahlengang aufgenommen ist, mit dessen Hilfe die Wellenlänge des einmodigen Lasers (1) rasch veränderbar ist.14. Device for carrying out the method according to one of claims 1 to 13, with a laser source (1) for emitting laser radiation and with a detector (5) for measuring the intensity of the laser radiation after passing through a sample volume (4), characterized in that that the laser source (1) is a laser with an external resonator (R) and in the resonator a tunable wavelength filter (35, 36, 37, 39; 45, 35) is received in the beam path, with the help of which the wavelength of the single-mode laser ( 1) can be changed quickly.
15. Einrichtung nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass das durchstimmbare Wellenlängenfilter (35, 36, 37, 39) in Kombination einen optischen Weglängenmodulator (35) und einen Strahldeflektor (36) im Strahlgang zwischen einem Laserverstärker (31) und einem Beugungsgitter (37) , gegebenenfalls weiters einen Spiegel (39) aufweist.15. The device according to claim 14, characterized in that the tunable wavelength filter (35, 36, 37, 39) in combination an optical path length modulator (35) and a beam deflector (36) in the beam path between a laser amplifier (31) and a diffraction grating (37 ), optionally also has a mirror (39).
16. Einrichtung nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass der Weglängenmodulator (35) durch einen separaten elektrooptischen Kristall (elektrooptischer Modulator) gebildet ist, wobei elektrische Kontakte vorgesehen sind, um durch Anlegen einer Spannung den Brechungsindex des elektrooptischen Kristalls und damit die optische Weglänge des Laserstrahls im Kristall zu verändern.16. The device according to claim 15, characterized in that the path length modulator (35) is formed by a separate electro-optical crystal (electro-optical modulator), electrical contacts being provided in order to apply the voltage to the refractive index of the electro-optical crystal and thus the optical path length of the To change the laser beam in the crystal.
17. Einrichtung nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass der Weglängenmodulator (35) durch einen auf dem Laserverstärker (31) integrierten Phasenschieber gebildet ist. 17. The device according to claim 15, characterized in that the path length modulator (35) is formed by a phase shifter integrated on the laser amplifier (31).
18. Einrichtung nach einem der Ansprüche 14 bis 17, dadurch gekennzeichnet, dass der Strahldeflektor (36) durch einen separaten elektrooptischen Kristall gebildet ist, wobei elektrische Kontakte vorgesehen sind, um durch das Anlegen einer Spannung den Brechungsindex des elektrooptischen Kristalls zu verändern und in Kombination mit der Form des elektrooptischen Kristalls, z.B. Prismenform, eine Änderung in der Brechung des Laserstrahls (2) und damit eine Änderung des Ablenkwinkels des Laserstrahls zu erreichen.18. Device according to one of claims 14 to 17, characterized in that the beam deflector (36) is formed by a separate electro-optical crystal, electrical contacts being provided in order to change the refractive index of the electro-optical crystal by applying a voltage and in combination with the shape of the electro-optical crystal, e.g. Prism shape to achieve a change in the refraction of the laser beam (2) and thus a change in the deflection angle of the laser beam.
19. Einrichtung nach einem der Ansprüche 14 bis 17, dadurch gekennzeichnet, dass der Strahldeflektor (36) durch einen elektrooptischen Kristall gebildet ist, der zwei verschiedene, z.B. durch das an sich bekannte Verfahren des "Polens im elektrischen Feld" erzeugbare Domänen-Typen hat, wobei sich bei Anlegen einer Spannung am Strahldeflektor (36) der Brechungsindex bei Domänen des einen Typs im Vergleich zum Brechungsindex bei Domänen des anderen Typs unterschiedlich ändert und wobei durch diese von der Spannung abhängige Differenz im Brechungsindex und durch die Form der Domänen, z.B. Prismenform, der Laserstrahl gebrochen wird und eine Ablenkung erfährt.19. Device according to one of claims 14 to 17, characterized in that the beam deflector (36) is formed by an electro-optical crystal which two different, e.g. has domain types which can be produced by the known method of "poling in an electric field", the refractive index for domains of one type changing differently when the voltage is applied to the beam deflector (36), and wherein the domains of the other type differ by this voltage-dependent difference in the refractive index and by the shape of the domains, for example Prism shape, the laser beam is refracted and deflected.
20. Einrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass der Strahldeflektor (36) durch einen akus- tooptischen Modulator gebildet ist.20. Device according to one of claims 1 to 14, characterized in that the beam deflector (36) is formed by an acousto-optical modulator.
21. Einrichtung nach einem der Ansprüche 14 bis 20, dadurch gekennzeichnet, dass der Weglängenmodulator (35) und der Strahlde- flektor (36) auf einem einzigen elektrooptischen Kristall integriert sind, wobei beide Teile (35,36) unabhängige elektrische Kontakte haben und separat ansteuerbar sind.21. Device according to one of claims 14 to 20, characterized in that the path length modulator (35) and the beam deflector (36) are integrated on a single electro-optical crystal, both parts (35, 36) having independent electrical contacts and separately are controllable.
22. Einrichtung nach einem der Ansprüche 14 bis 17, dadurch gekennzeichnet, dass das Wellenlängenfilter (45, 35) durch ein Etalon aus elektrooptischem Material (45) und aus einem Weglängenmodulator (35) mit entsprechenden Steuerelektroden (48, 49) zum Anlegen einer Hochspannung gebildet ist.22. Device according to one of claims 14 to 17, characterized in that the wavelength filter (45, 35) by an etalon made of electro-optical material (45) and a path length modulator (35) with corresponding control electrodes (48, 49) for applying a high voltage is formed.
23. Einrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 13, mit einer Laserquelle (1) zum Aussenden von Laserstrahlung und mit einem Detektor zur Messung der Intensität der Laserstrahlung nach dem Passieren eines Probenvolumens, dadurch gekennzeichnet, dass die Laserquelle (1) durch einen VCSEL- Laser gebildet ist.23. Device for carrying out the method according to one of the Claims 1 to 13, with a laser source (1) for emitting laser radiation and with a detector for measuring the intensity of the laser radiation after passing through a sample volume, characterized in that the laser source (1) is formed by a VCSEL laser.
24. Einrichtung nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, dass der VCSEL-Laser eine Durchstimmrate von etwa 1 cm'1/! μs oder größer aufweist.24. Device according to claim 23, characterized in that the VCSEL laser has a tuning rate of approximately 1 cm '1 /! has μs or greater.
25. Einrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 13, mit einer Laserquelle zum Aussenden von Laserstrahlung (12) und mit einem Detektor (15) zur Messung der Intensität der Laserstrahlung nach dem Passieren eines Probenvolumens (14) , dadurch gekennzeichnet, dass die Laserquelle ein zwischen zwei Wellenlängen umschaltbarer Laser (11) ist, dessen Wellenlängen (λi, λ2) im Bereich von Absorptionswellenlängen der Zielsubstanz liegen.25. Device for carrying out the method according to one of claims 1 to 13, with a laser source for emitting laser radiation (12) and with a detector (15) for measuring the intensity of the laser radiation after passing through a sample volume (14), characterized in that that the laser source is a laser (11) which can be switched between two wavelengths and whose wavelengths (λi, λ 2 ) are in the range of absorption wavelengths of the target substance.
26. Einrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 13, mit einer Laserquelle zum Aussenden von Laserstrahlung (22) und mit einem Detektor (25a, 25b, 25c) zur Messung der Intensität der Laserstrahlung nach dem Passieren eines Probenvolumens (24) , dadurch gekennzeichnet, dass als Laserquelle zumindest zwei Laser (21, 21') vorgesehen sind, die alternativ schaltbar sind.26. Device for carrying out the method according to one of claims 1 to 13, with a laser source for emitting laser radiation (22) and with a detector (25a, 25b, 25c) for measuring the intensity of the laser radiation after passing through a sample volume (24) , characterized in that at least two lasers (21, 21 ') are provided as laser sources, which are alternatively switchable.
27. Einrichtung nach einem der Ansprüche 14 bis 26, dadurch gekennzeichnet, dass dem Detektor (5) eine die Steigung in der Strom/Spannungs-Kennlinie des Detektorsignals eliminierende Signalverarbeitungsschaltung (8), nachgeschaltet ist, wie z.B. eine Differenziator-Signalverarbeitungsschaltung, die ein Signal erzeugt, das der zweiten Ableitung des Detektorsignals entspricht. 27. Device according to one of claims 14 to 26, characterized in that the detector (5) is followed by a signal processing circuit (8) eliminating the slope in the current / voltage characteristic of the detector signal, e.g. a differentiator signal processing circuit that generates a signal corresponding to the second derivative of the detector signal.
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