EP1182432B1 - Flow sensor with housing - Google Patents

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EP1182432B1
EP1182432B1 EP01118861.2A EP01118861A EP1182432B1 EP 1182432 B1 EP1182432 B1 EP 1182432B1 EP 01118861 A EP01118861 A EP 01118861A EP 1182432 B1 EP1182432 B1 EP 1182432B1
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EP
European Patent Office
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flow sensor
semiconductor chip
sensor according
measurement channel
sealing ring
Prior art date
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EP01118861.2A
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EP1182432A2 (en
EP1182432A3 (en
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Felix Mayer
Mark R. Hornung
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Sensirion Holding AG
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Sensirion Holding AG
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Description

Die Erfindung betrifft einen Flusssensor gemäss Oberbegriff von Anspruch 1.The invention relates to a flow sensor according to the preamble of claim 1.

Ein bekannter Flusssensor dieser Art besitzt ein zweiteiliges Gehäuse, welches einen Messkanal bildet. Ein Halbleiterchip mit einer Sensoranordnung ist an der Wand des Messkanals angeordnet. Zur Abdichtung wird der Halbleiterchip zwischen den Gehäuseteilen eingeklemmt.A known flow sensor of this type has a two-part housing, which forms a measuring channel. A semiconductor chip with a sensor arrangement is arranged on the wall of the measuring channel. For sealing, the semiconductor chip is clamped between the housing parts.

Diese bekannte Lösung besitzt allerdings den Nachteil, dass sie nicht geeignet ist für Anwendungen, bei denen ein hoher statischer oder dynamischer Druck im Messkanal herrscht.However, this known solution has the disadvantage that it is not suitable for applications in which there is a high static or dynamic pressure in the measuring channel.

Die DE 196 14 459 A1 zeigt einen Drucksensor als elektronisches Bauelement, das in Dickfilmtechnik, Dünnfilmtechnik oder Siliziumtechnologie hergestellt ist und mit einer elektrisch isolierenden Schicht versehen ist, die von einer amorphen Metallschicht überdeckt wird. Das Bauelement ist in eine Halterung eingegliedert, sodass eine Membran des Drucksensors beidseitig fluidbeaufschlagbar ist.The DE 196 14 459 A1 shows a pressure sensor as an electronic component, which is made in thick film technology, thin film technology or silicon technology and is provided with an electrically insulating layer which is covered by an amorphous metal layer. The component is incorporated in a holder, so that a membrane of the pressure sensor is fluid beaufschlagbar on both sides.

In der DE 42 19 454 A1 wird ein Massenflusssensor vorgeschlagen, der zum Nachweis der Intensität eines Medienstromes dient. Der Massenflusssensor umfasst einen Messchip mit einer dielektrischen Membran und einem Rahmen aus einkristallinem Silizium. Auf der Membran ist mindestens ein Heizer angeordnet. Dieser Messchip ist in den Anströmkanal eines Gehäuses eingebaut. Durch die Ausgestaltung des Gehäuses wird die Verschmutzung des Messchips verringert, der thermische Ausgleich mit dem Medienstrom verbessert, die Beständigkeit des Sensors gegen plötzliche Druckschwankungen erhöht und die elektrische Kontaktierung verbessert.In the DE 42 19 454 A1 a mass flow sensor is proposed which serves to detect the intensity of a media stream. The mass flow sensor comprises a measuring chip with a dielectric membrane and a frame of monocrystalline silicon. At least one heater is arranged on the membrane. This measuring chip is installed in the inflow channel of a housing. Due to the design of the housing, the contamination of the measuring chip is reduced, the thermal compensation improved with the media flow, increases the resistance of the sensor against sudden pressure fluctuations and improves the electrical contact.

Die EP 0 172 669 A1 zeigt eine Flusssensoranordnung, die einen Flusssensor mit einem Siliziumchip und darauf einen Heizwiderstand und zwei Temperaturmesswiderstände flussaufwärts und flussabwärts aufweist. Die Widerstände erstrecken sich als Dünnfilmwiderstände über einer geätzten Abgrabung im Chip. Die Anordnung enthält den Chip und einen Träger, auf dem der Chip angeordnet ist. Der Träger ist so geformt, dass er einen Flusskanal bereitstellt. Der Chip kann als Flip-Chip über dem Kanal angeordnet sein. Eine Betriebsschaltung ist ebenfalls auf den Träger integriert. Der Träger kann eine gedruckte Leiterplatte, ein Keramiksubstrat oder ein Halbleitersubstrat sein.The EP 0 172 669 A1 shows a flow sensor assembly having a flow sensor with a silicon chip and thereon a heating resistor and two temperature sensing resistors upstream and downstream. The resistors extend as thin film resistors over an etched excavation in the chip. The assembly includes the chip and a carrier on which the chip is disposed. The carrier is shaped to provide a flow channel. The chip may be arranged as a flip-chip over the channel. An operating circuit is also integrated on the carrier. The carrier may be a printed circuit board, a ceramic substrate or a semiconductor substrate.

Es stellt sich deshalb die Aufgabe, einen Flusssensor mit Gehäuse bereitzustellen, welcher nötigenfalls auch grossem Druck im Messkanal standhält und der einfach aufgebaut ist.It is therefore the object to provide a flow sensor with housing, which, if necessary, withstand high pressure in the measuring channel and is simple.

Diese Aufgabe wird vom Flusssensor gemäss Anspruch 1 gelöst.This object is achieved by the flow sensor according to claim 1.

Erfindungsgemäss ist also zwischen den beiden Gehäuseteilen ein den Messkanal und den Halbleiterchip umgebender Dichtungsring vorgesehen, der gegen einen Gegenhalter drückt, wobei der Gegenhalter von einem der Gehäuseteile gebildet wird. Zur Verbindung des Halbleiterchips mit der Aussenwelt wird mindestens eine Leiterbahn zwischen dem Dichtungsring und dem Gegenhalter nach aussen geführt. Bei einer derartigen Anordnung braucht der Halbleiterchip keine Dichtungsfunktion zu übernehmen und die Montage ist einfach.According to the invention, therefore, a sealing ring surrounding the measuring channel and the semiconductor chip is provided between the two housing parts, which presses against a counter-holder, wherein the counter-holder is formed by one of the housing parts. For connecting the semiconductor chip to the outside world, at least one conductor track between the sealing ring and the anvil is guided to the outside. With such an arrangement, the semiconductor chip does not need to perform a sealing function and the assembly is simple.

Vorzugsweise ist die mindestens eine Leiterbahn auf einer flexiblen Leiterbahnfolie angeordnet. Es ist jedoch auch möglich, die Leiterbahn direkt auf einem der Gehäuseteile zu befestigen.Preferably, the at least one conductor track is arranged on a flexible conductor foil. However, it is also possible to attach the conductor directly on one of the housing parts.

Der Messkanal ist als Nut in der Oberfläche eines ersten Gehäuseteils ausgestaltet. Zur Verbindung der Nut mit der Aussenwelt sind Anschlussleitungen, z.B. in Form von Bohrungen bzw. Löchern, vorgesehen, die sich durch einen oder mehrere der Gehäuseteile erstrecken. Der Dichtungsring ist an der besagten Oberfläche um die Nut herum angeordnet. Durch diese Anordnung kann der Messkanal allseitig abgedichtet werden.The measuring channel is designed as a groove in the surface of a first housing part. To connect the groove with the outside world are connecting lines, eg in the form of holes or holes, provided, which extend through one or more of the housing parts. The sealing ring is disposed on said surface around the groove. By this arrangement, the measuring channel can be sealed on all sides.

Vorzugsweise liegt der Halbleiterchip in einer Vertiefung des zweiten Gehäuseteils und seine Oberseite (d.h. die Seite, auf der sich die Sensoranordnung befindet) liegt bündig mit der Wand des Messkanals, so dass möglichst laminare Strömungsverhältnisse vorliegen. Zur genauen Positionierung der Oberseite des Halbleiterchips berührt diese den ersten Gehäuseteil. Vorzugsweise wird dabei im Boden der Vertiefung ein Abstandhalter vorgesehen, der durch die Andruckkraft der Gehäuseteile elastisch oder plastisch deformiert wird und den Halbleiterchip gegen den ersten Gehäuseteil drückt, so dass sich beim Zusammensetzen der Gehäuseteile eine genaue und dauerhafte Positionierung des Halbleiterchips relativ zum Messkanal ergibt. Der Abstandhalter kann z.B. von Erhebungen im Boden der Vertiefung gebildet werden.Preferably, the semiconductor chip is located in a recess of the second housing part and its upper side (i.e., the side on which the sensor array is located) is flush with the wall of the measurement channel, so that laminar flow conditions are possible. For the exact positioning of the upper side of the semiconductor chip, this contacts the first housing part. Preferably, a spacer is provided in the bottom of the recess, which is elastically or plastically deformed by the pressing force of the housing parts and presses the semiconductor chip against the first housing part, so that when assembling the housing parts results in an accurate and permanent positioning of the semiconductor chip relative to the measuring channel. The spacer may e.g. be formed by elevations in the bottom of the depression.

Der erfindungsgemässe Flusssensor ist zur Messung des Flusses von Flüssigkeiten oder Gasen bei normalen oder erhöhten Druckverhältnissen geeignet.The flow sensor according to the invention is suitable for measuring the flow of liquids or gases under normal or elevated pressure conditions.

Weitere bevorzugte Ausführungen und Vorteile ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen sowie der nun folgenden Beschreibung einer bevorzugten Ausführung anhand der Figuren. Dabei zeigen:

  • Fig. 1 eine Explosionsdarstellung einer ersten Ausführung des Flusssensors,
  • Fig. 2 den ersten Gehäuseteil vom zweiten Gehäuseteil her gesehen,
  • Fig. 3 den zweiten Gehäuseteil vom ersten Gehäuseteil her gesehen,
  • Fig. 4 einen Schnitt durch den Flusssensor im Bereich des Halbleiterchips quer zum Messkanal,
  • Fig. 5 einen Teilschnitt einer möglichen Ausführung des Halbleiterchips,
  • Fig. 6 einen Schnitt durch eine zweite Ausführung des Flusssensors
  • Fig. 7 einen Schnitt durch eine dritte Ausführung des Flusssensors, und
  • Fig. 8 einen Schnitt durch eine vierte Ausführung des Flusssensors.
Further preferred embodiments and advantages will become apparent from the dependent claims and the following description of a preferred embodiment with reference to FIGS. Showing:
  • Fig. 1 an exploded view of a first embodiment of the flow sensor,
  • Fig. 2 seen the first housing part from the second housing part,
  • Fig. 3 seen the second housing part from the first housing part,
  • Fig. 4 a section through the flow sensor in the region of the semiconductor chip across the measuring channel,
  • Fig. 5 a partial section of a possible embodiment of the semiconductor chip,
  • Fig. 6 a section through a second embodiment of the flow sensor
  • Fig. 7 a section through a third embodiment of the flow sensor, and
  • Fig. 8 a section through a fourth embodiment of the flow sensor.

Der in den Figuren dargestellte Flusssensor besitzt einen ersten Gehäuseteil 1, einen zweiten Gehäuseteil 2 und einen im wesentlichen zwischen den Gehäuseteilen 1, 2 eingeklemmten Halbleiterchip 3. In Fig. 1 sind diese Teile beabstandet voneinander dargestellt. Im Betrieb liegen die Gehäuseteile 1, 2 jedoch aufeinander auf und klemmen den Halbleiterchip 3 zwischen sich ein.The flow sensor shown in the figures has a first housing part 1, a second housing part 2 and a semiconductor chip 3 clamped substantially between the housing parts 1, 2 Fig. 1 these parts are shown spaced apart from each other. In operation, however, the housing parts 1, 2 lie on one another and clamp the semiconductor chip 3 between them.

In einer Oberfläche 4 des ersten Gehäuseteils 1 ist eine gerade Nut 5 angeordnet, die, zusammen mit dem angrenzenden zweiten Gehäuseteil 2, einen Messkanal bildet. Durch den zweiten Gehäuseteil 2 erstrecken sich zwei Anschlussleitungen 6, ausgestaltet als Bohrungen bzw. Löcher, die die Enden 5a, 5b des Messkanals mit der Aussenwelt verbinden. Auf der Aussenseite des zweiten Gehäuseteils 2 sind die Mündungen der Anschlussleitungen 6 von Dichtungen 7 umgeben, so dass sie z.B. mit einem zu messenden Rohr verbunden werden können.In a surface 4 of the first housing part 1, a straight groove 5 is arranged, which, together with the adjacent second housing part 2, forms a measuring channel. Through the second housing part 2, two connecting lines 6, configured as holes or holes, which connect the ends 5a, 5b of the measuring channel with the outside world. On the outside of the second housing part 2, the mouths of the connection lines 6 are surrounded by seals 7, so that they e.g. can be connected to a pipe to be measured.

Ein möglicher Aufbau des Halbleiterchips 3 ist in Fig. 5 dargestellt. Er besitzt ein Halbleitersubstrat 10, auf dessen Oberseite 11 eine Sensoranordnung integriert ist. Diese umfasst in konventioneller Weise ein Heizelement 12 zwischen zwei Temperatursensoren 13a, 13b. Die Temperatursensoren 13a, 13b liegen in Flussrichtung 14 des zu messenden Mediums vor bzw. hinter dem Heizelement 12, so dass deren Temperaturdifferenz ein Mass für die Flussgeschwindigkeit bzw. den Massenfluss ist.A possible structure of the semiconductor chip 3 is in Fig. 5 shown. It has a semiconductor substrate 10, on the upper side 11 of which a sensor arrangement is integrated. This conventionally comprises a heating element 12 between two temperature sensors 13a, 13b. The temperature sensors 13a, 13b are located in the flow direction 14 of the medium to be measured in front of and behind the heating element 12, so that their temperature difference is a measure of the flow velocity or the mass flow.

Die Sensoranordnung ist auf einer Membran 15 angeordnet, die über einer Öffnung 16 liegt, welche sich durch das Substrat 10 erstreckt.The sensor arrangement is arranged on a membrane 15 which lies over an opening 16 which extends through the substrate 10.

Wie insbesondere aus Fig. 3 und 4 ersichtlich, liegt bei einer ersten Ausführung der Halbleiterchip 3 in einer Vertiefung 20 der ansonst flachen Innenseite des zweiten Gehäuseteils 2, wobei die Sensoranordnung dem Messkanal zugewandt ist. Er ist mit einer flexiblen Leiterbahnfolie 9 verbunden, die aus dem Sensor herausgeführt ist. Hierzu ist im ersten Gehäuseteil eine Vertiefung 22 vorgesehen. Die Leiterbahnfolie 9 besteht z.B. aus einem dünnen Kunststoffträger, auf oder in welchem Leiterbahnen 9' angeordnet sind. Die Gesamtdicke der Leiterbahnfolie 9 beträgt vorzugsweise weniger als 100 µm.As in particular from Fig. 3 and 4 can be seen, is in a first embodiment of the semiconductor chip 3 in a recess 20 of the otherwise flat inner side of the second housing part 2, wherein the sensor arrangement faces the measuring channel. It is connected to a flexible strip conductor 9, which is led out of the sensor. For this purpose, a recess 22 is provided in the first housing part. The conductor foil 9 consists, for example, of a thin plastic carrier, on or in which conductor tracks 9 'are arranged. The total thickness of the conductor foil 9 is preferably less than 100 μm.

Zwischen der Vertiefung 22 und der Nut 5 befindet sich ein Steg 23, der auf dem Halbleiterchip 3 aufliegt. Am Boden der Vertiefung 20 sind als Abstandhalter vier pyramidenförmige Erhebungen 21 angeordnet. Der Halbleiterchip 3 wird vom zweiten Gehäuseteil gegen die Erhebungen 21 gedrückt, so dass letztere leicht verformt werden. Dadurch wird gewährleistet, dass der Halbleiterchip 3 bündig mit der Wand des Messkanals liegt.Between the recess 22 and the groove 5 is a web 23 which rests on the semiconductor chip 3. At the bottom of the recess 20 four pyramidal elevations 21 are arranged as spacers. The semiconductor chip 3 is pressed by the second housing part against the elevations 21, so that the latter are easily deformed. This ensures that the semiconductor chip 3 is flush with the wall of the measuring channel.

Die Erhebungen 21 sind vorzugsweise einstückig mit dem zweiten Gehäuseteil verbunden. Sie müssen nicht pyramidenförmig sein, im undeformierten Zustand sollten sie jedoch vorzugsweise spitz zulaufen, so dass deren Spitzen mit geringem Kraftaufwand deformiert werden können. Sie können plastisch oder elastisch deformierbar sein.The elevations 21 are preferably integrally connected to the second housing part. They need not be pyramidal, but in the undeformed state, they should preferably be tapered, so that their tips can be deformed with little effort. They can be plastically or elastically deformable.

Die Vertiefung 20 besitzt zwei Querseiten 26a, 26b (Fig. 3) parallel zum Messkanal und zwei Längsseiten 27a, 27b senkrecht zum Messkanal. An den Enden einer der Querseiten 26b sind zwei Ausbuchtungen 28a, 28b vorgesehen. Zwischen den Ausbuchtungen 28a, 28b verläuft die Querseite 26b gerade und bildet einen definierten Anschlag, der es erlaubt, den Halbleiterchip 3 quer zum Messkanal in exakter Weise zu positionieren. Die Ausbuchtungen sorgen dafür, dass der Halbleiterchip 3 nicht an allfälligen, herstellungstechnisch bedingten Rundungen an den Ecken der Vertiefung 20 ansteht.The recess 20 has two transverse sides 26a, 26b (FIG. Fig. 3 ) parallel to the measuring channel and two longitudinal sides 27a, 27b perpendicular to the measuring channel. At the ends of one of the transverse sides 26b, two bulges 28a, 28b are provided. Between the bulges 28a, 28b, the transverse side 26b runs straight and forms a defined stop, which allows the semiconductor chip 3 to be positioned transversely to the measuring channel in an exact manner. The bulges ensure that the semiconductor chip 3 is not present at any manufacturing-related rounding at the corners of the recess 20 is present.

Die Vertiefung 20 ist so bemessen, dass zwischen den Längsseiten 27a, 27b und dem Halbleiterchip 3 etwas Platz verbleibt, so dass der Bereich zwischen Halbleiterchip 3 und dem Boden der Vertiefung in Verbindung steht mit dem Messkanal. Auf diese Weise ist gewährleistet, dass beide Seiten der Membran 15 (Fig. 5) mit dem Messkanal in Verbindung stehen, so dass der Druckabfall über der Membran im wesentlichen gleich Null ist, wodurch Beschädigungen der Membran 15 durch hohe statische oder dynamische Drücke vermieden werden können.The recess 20 is dimensioned so that some space remains between the longitudinal sides 27a, 27b and the semiconductor chip 3, so that the area between the semiconductor chip 3 and the bottom of the recess is in communication with the measuring channel. In this way it is ensured that both sides of the membrane 15 ( Fig. 5 ) are in communication with the measurement channel, so that the pressure drop across the membrane is substantially zero, whereby damage to the membrane 15 can be avoided by high static or dynamic pressures.

Wie aus Fig. 1, 2 und 4 ersichtlich, verläuft im ersten Gehäuseteil 1 um die Nut 5 herum eine Vertiefung 30 in Form eines langgezogenen Kreises, in die ein Dichtungsring 31 eingelegt ist. Im montierten Zustand des Sensors wird der Dichtungsring 31 gegen die Innenseite des zweiten Gehäuseteils 2 gedrückt und dichtet somit den Messkanal im Bereich des Spalts zwischen den Gehäuseteilen 1, 2 nach aussen ab, d.h. der zweite Gehäuseteil 2 bildet einen Gegenhalter für den Dichtungsring.How out Fig. 1, 2 and 4 it can be seen, runs in the first housing part 1 around the groove 5 around a recess 30 in the form of an elongated circle, in which a sealing ring 31 is inserted. In the mounted state of the sensor, the sealing ring 31 is pressed against the inside of the second housing part 2 and thus seals the measuring channel in the region of the gap between the housing parts 1, 2 to the outside, ie, the second housing part 2 forms a counter-holder for the sealing ring.

Die Leiterbahnfolie 9 vom Halbleiterchip 3 wird zwischen dem Dichtungsring 31 und der Innenseite des zweiten Gehäuseteils 2 durchgeführt und vom Dichtungsring 31 beaufschlagt. Zur besseren Abdichtung kann im Bereich der Kreuzung zwischen Leiterbahnfolie 9 und Dichtungsring 31 eine Dichtungsmasse 32, z.B. Silikon, vorgesehen sein.The conductor foil 9 from the semiconductor chip 3 is carried out between the sealing ring 31 and the inside of the second housing part 2 and acted upon by the sealing ring 31. For better sealing, in the region of the intersection between conductor film 9 and sealing ring 31, a sealing compound 32, e.g. Silicone, be provided.

Wie aus Fig. 2 ersichtlich, ist der Halbleiterchip nicht in der Mitte der Nut 5 angeordnet. Vielmehr befindet er sich näher am Ausgangsende 5b als am Eingangsende 5a des Messkanals. Da das zu messende Medium von Eingangsende 5a zum Ausgangsende 5b strömt, ergeben sich durch die asymmetrische Anordnung des Halbleiterchips 3 näher am Ausgangsende 5b laminarere Strömungsverhältnisse am Messpunkt.How out Fig. 2 As can be seen, the semiconductor chip is not arranged in the middle of the groove 5. Rather, it is closer to the output end 5b than to the input end 5a of the measurement channel. Since the medium to be measured flows from the input end 5 a to the output end 5 b, the asymmetrical arrangement of the semiconductor chip 3 closer to the output end 5 b results in laminar flow conditions at the measuring point.

Die Gehäuseteile 1, 2 werden vorzugsweise spritzgusstechnisch vorgefertigt. Sodann werden der Dichtungsring 31 in die Vertiefung 30 und der Halbleiterchip 3 in die Vertiefung 20 eingelegt. Nun kann die Dichtungsmasse 32 im Bereich der Leiterbahnfolie 9 aufgebracht werden. Sodann werden die beiden Gehäuseteile 1, 2 aufeinander gelegt und durch Schrauben in Schraublöchern 34 miteinander verbunden.The housing parts 1, 2 are preferably prefabricated by injection molding technology. Then, the seal ring 31 are inserted into the recess 30 and the semiconductor chip 3 in the recess 20. Now the sealant can 32 are applied in the region of the conductor foil 9. Then, the two housing parts 1, 2 placed on each other and connected by screws in screw holes 34 together.

Die Gehäuseteile 1, 2 können aus Kunststoff und/oder Metall sein. Insbesondere bei hohen Drücken ist es denkbar, die Gehäuse aus einem Gefüge aus Kunststoff und Metall zu fertigen, wobei das Metall dem Gehäuse die nötige Festigkeit verleiht und der Kunststoff im Bereich der Innenseiten vorgesehen ist, wo gute Dichtungs- und Deformationseigenschaften benötigt werden. Insbesondere kann auch der Dichtungsring als Dichtungsrippe aus Dichtmaterial spritzgusstechnisch direkt in den Gehäuseteilen ausgeformt werden.The housing parts 1, 2 may be made of plastic and / or metal. In particular, at high pressures, it is conceivable to manufacture the housing from a structure of plastic and metal, wherein the metal gives the housing the necessary strength and the plastic is provided in the region of the inner sides, where good sealing and deformation properties are needed. In particular, the sealing ring as a sealing rib of sealing material injection molding technology can be formed directly in the housing parts.

In der vorliegenden Ausführung sind die Anschlussleitungen 6 im zweiten Gehäuseteil 2 angeordnet. Es ist jedoch auch denkbar, eine oder beide davon im ersten Gehäuseteil 1 vorzusehen. Andererseits könnte der Dichtungsring 31 auch im zweiten Gehäuseteil 2 montiert werden, oder es könnten in beiden Gehäuseteilen 1, 2 Dichtungsringe vorgesehen sein.In the present embodiment, the connection lines 6 are arranged in the second housing part 2. However, it is also conceivable to provide one or both thereof in the first housing part 1. On the other hand, the sealing ring 31 could also be mounted in the second housing part 2, or sealing rings could be provided in both housing parts 1, 2.

Eine zweite Ausführung des Sensors ist in Fig. 6 dargestellt, welche einen Schnitt entsprechend Fig. 4 der ersten Ausführung zeigt. Im Folgenden werden die Unterschiede zwischen der ersten und der zweiten Ausführung beschrieben.A second embodiment of the sensor is in Fig. 6 shown, which correspond to a section Fig. 4 the first version shows. The following describes the differences between the first and second embodiments.

Bei der zweiten Ausführung sind anstelle der Leiterbahnfolie 9 Leiterbahnen 9' vorgesehen, welche am zweiten Gehäuseteil 2 befestigt sind. Unter Leiterbahnen sind dabei von einer Beschichtung gebildete, elektrische Leitungen zu verstehen, die wesentlich breiter als dick sind, so dass sie keine allzu grosse Deformation des Dichtungsrings bewirken.In the second embodiment, 9 printed conductors 9 'are provided instead of the conductor foil, which are fastened to the second housing part 2. Under conductor tracks are formed by a coating, electrical lines to understand that are much wider than thick, so that they do not cause too great deformation of the sealing ring.

Damit die Leiterbahnen 9' nicht kurzgeschlossen werden, besteht der zweite Gehäuseteil 2 aus einem Isolator oder ist auf seiner Unterseite mit einer elektrisch isolierenden Schicht bedeckt. Die Leiterbahnen 9' sind Metallbahnen, die z.B. durch Galvanisierung auf dem zweiten Gehäuseteil 2 angebracht wurden. Zur Verbindung zwischen dem Halbleiterchip 3 und den Leiterbahnen 9' sind z.B. Bonddrähte 35 oder andere Verbindungsleitungen vorgesehen. An der Aussenseite des Gehäuses bilden die Leiterbahnen Anschlussstellen 36, welche z.B. mit Zuführungsdrähten oder Steckkontakten versehen werden können.So that the conductor tracks 9 'are not short-circuited, the second housing part 2 consists of an insulator or is covered on its underside with an electrically insulating layer. The conductor tracks 9 ' are metal tracks, which have been attached by electroplating on the second housing part 2, for example. For connection between the semiconductor chip 3 and the conductor tracks 9 ', for example, bonding wires 35 or other connecting lines are provided. On the outside of the housing, the conductor tracks form connection points 36, which can be provided with feeder wires or plug contacts, for example.

Eine dritte Ausführung des Sensors ist in Fig. 7 dargestellt, welche ebenfalls einen Schnitt entsprechend Fig. 4 der ersten Ausführung zeigt. Auch hier werden lediglich die Unterschiede zur ersten Ausführung beschrieben.A third embodiment of the sensor is in Fig. 7 shown, which also correspond to a section Fig. 4 the first version shows. Again, only the differences from the first embodiment will be described.

Auch bei dieser Ausführung sind anstelle der Leiterbahnfolie 9 Leiterbahnen 9' vorgesehen, welche auf einer Trägerplatte 2a angeordnet sind. Die Trägerplatte 2a ist rückseitig durch eine Verstärkungsplatte 2b verstärkt und bildet mit dieser den zweiten Gehäuseteil. Die Trägerplatte 2a ist als Printplatte ausgeführt, in welcher auch die Vertiefung 20 zur Aufnahme des Halbleiterchips angeordnet ist. Vorzugsweise ist der Halbleiterchip in dieser Vertiefung 20 mit einem Klebstoff 38 fixiert, und zwar solcherart, dass ein Druckausgleich zwischen Vorder- und Rückseite der Membran 15 immer noch stattfinden kann. Wiederum sind zur Verbindung zwischen dem Halbleiterchip 3 und den Leiterbahnen 9' z.B. Bonddrähte 35 oder andere Verbindungsleitungen vorgesehen, und die Leiterbahnen bilden auf der Gehäuseaussenseite Anschlussstellen 36, welche z.B. mit Zuführungsdrähten oder Steckkontakten versehen werden können.Also in this embodiment, 9 printed conductors 9 'are provided instead of the conductor foil, which are arranged on a support plate 2a. The support plate 2a is reinforced on the back by a reinforcing plate 2b and forms with this the second housing part. The support plate 2a is designed as a printed circuit board, in which the recess 20 is arranged for receiving the semiconductor chip. Preferably, the semiconductor chip is fixed in this recess 20 with an adhesive 38, in such a way that a pressure equalization between the front and back of the membrane 15 can still take place. Again, for the connection between the semiconductor chip 3 and the tracks 9 ', e.g. Bonding wires 35 or other connecting lines are provided, and the conductor tracks form on the outside of the housing connection points 36, which, for example. can be provided with supply wires or plug contacts.

Vorzugsweise sind die Leiterbahnen 9' der zweiten und dritten Ausführung ähnlich dünn wie die Leiterbahnfolie 9 der ersten Ausführung, d.h. ihre Dicke beträgt vorzugsweise weniger als 100 µm.Preferably, the tracks 9 'of the second and third embodiments are similarly thin as the track film 9 of the first embodiment, i. its thickness is preferably less than 100 microns.

Der Dichtungsring 31 wird gegen die Verstärkungsplatte 2b gedrückt, welche im vorliegenden Fall den Gegenhalter bildet. Die Trägerplatte 2a wird zwischen dem Dichtungsring 31 und der Verstärkungsplatte 2b nach aussen geführt.The sealing ring 31 is pressed against the reinforcing plate 2b, which forms the counter-holder in the present case. The support plate 2a is between the Sealing ring 31 and the reinforcing plate 2 b led to the outside.

Eine vierte Ausführung des Sensors ist in Fig. 8 dargestellt, welche ebenfalls einen Schnitt entsprechend Fig. 4 der ersten Ausführung zeigt. Die vierte Ausführung entspricht bis auf einige wenige Unterschiede der dritten Ausführung. Die Unterschiede werden im folgenden beschreiben.A fourth embodiment of the sensor is in Fig. 8 shown, which also correspond to a section Fig. 4 the first version shows. The fourth embodiment corresponds to a few differences of the third embodiment. The differences will be described below.

In der vierten Ausführung ist die Trägerplatte 2a beidseitig mit Leiterbahnen 9' bzw. 9" versehen. Der Halbleiterchip 3 ist, z.B. mittels Bonddrähten 35, mit Leiterbahnen 9' auf der Unterseite der Trägerplatte 2a verbunden. Die Leiterbahnen 9' enden bei Durchführungen 39, wo sie mit Leiterbahnen 9" auf der Oberseite der Trägerplatte 2a verbunden sind. Die Leiterbahnen 9" werden der Verstärkungsplatte 2b entlang nach aussen geführt, wo sie wiederum Anschlussstellen 36 bilden.In the fourth embodiment, the carrier plate 2a is provided on both sides with conductor tracks 9 'and 9 ", respectively, The semiconductor chip 3 is connected to conductor tracks 9' on the underside of the carrier plate 2a, for example by means of bonding wires 35. The conductor tracks 9 'end at feedthroughs 39, where they are connected to tracks 9 "on top of the carrier plate 2a. The conductor tracks 9 "are guided outward along the reinforcing plate 2b, where they in turn form connection points 36.

Die Durchführungen 39 sind mit einer Dichtungsmasse 40 gefüllt, so dass ein Druckausgleich zwischen dem Messkanal und der Oberseite der Trägerplatte 2a verhindert wird.The bushings 39 are filled with a sealant 40, so that a pressure equalization between the measuring channel and the top of the support plate 2a is prevented.

Bei geeigneter Dimensionierung vermag der hier beschriebene Sensor ohne Weiteres einem Druck von mehr als 25 bar standzuhalten. Er eignet sich für Flussmessungen jeglicher Arten bei Gasen und Flüssigkeiten.With suitable dimensioning, the sensor described here can readily withstand a pressure of more than 25 bar. It is suitable for flow measurements of all types of gases and liquids.

Claims (14)

  1. Flow sensor with a casing with at least two casing parts (1, 2), between which a measurement channel is formed, wherein a semiconductor chip (3) with a sensor arrangement is arranged at a wall of the measurement channel between the casing parts, characterized in
    that a sealing ring (31) surrounding the measurement channel and the semiconductor chip (3) is arranged between at least two of the casing parts (1, 2), which sealing ring (31) pushes against a counterholder (2, 2b) formed by one of the casing parts, wherein at least one circuit path (9') connected to the semiconductor chip is guided to the outside between the sealing ring (31) and the conterholder (2, 2b), and
    that the measurement channel is formed as a notch (5) in a surface (4) of at least one of the casing parts (1, 2), wherein the sealing ring (31) surrounds the notch (5), and that two connecting pipes (6) open into the notch (5), wherein the connecting pipes (6) extend through at least one of the casing parts (1, 2).
  2. Flow sensor according to claim 1, characterized in that the sealing ring (31) acts upon the circuit path (9').
  3. Flow sensor according to one of the claims 1 or 2, characterized in that the at least one circuit path (9') is arranged on one of the casing parts.
  4. Flow sensor according to claim 3, characterized by a printed board (2a) which forms one of the casing parts and on which the at least one circuit path (9') is arranged.
  5. Flow sensor according to claim 4, characterized in that the printed board (2a) is arranged between the sealing ring (31) and the counterholder (2b).
  6. Flow sensor according to one of the claims 1 or 2, characterized in that the at least one circuit path (9') is arranged on a flexible circuit path foil (9).
  7. Flow sensor according to claim 1, characterized in that the sealing ring (31) is arranged at said surface (4), and particularly in a cavity (30) of the surface (4).
  8. Flow sensor according to one of the preceding claims, characterized in that the measurement channel is formed as a notch (5) in a surface (4) of a first casing part (1), that the semiconductor chip (3) is arranged in a cavity (20) of a second casing part (2) substantially aligned with a wall of the measurement channel, and that the first casing part (1) acts upon the semiconductor chip (4).
  9. Flow sensor according to claim 8, characterized in that at least one spacer (21) is arranged between the semiconductor chip (3) and a bottom of the cavity (20), wherein the spacer (21) is elastically and/or plastically deformed by a pressing force exerted by the casing parts (1, 2) onto one another.
  10. Flow sensor according to claim 9, characterized in that the spacer (21) comprises a plurality of protrusions on the bottom of the cavity, preferably tapering in an undeformed state, and particularly that the protrusions are in one piece with the second casing part (2).
  11. Flow sensor according to one of the claims 8 to 10, characterized in that the cavity (20) has a transversal side (26b) which is parallel to the measurement channel, which opens at each of its ends into a corresponding bulge (28a, 28b), such that the transversal side (26a) forms a straight abutment edge for positioning the semiconductor chip (3) perpendicular to the measurement channel.
  12. Flow sensor according to one of the preceding claims, characterized in that the circuit path (9') is sealed with a sealing compound (32) in the area of the sealing ring (31).
  13. Flow sensor according to one of the preceding claims, characterized in that the semiconductor chip (3) has a membrane (15) on which the sensor arrangement is arranged, wherein the membrane is in connection with the measurement channel on both sides, such that the pressure difference exerted thereon is substantially zero.
  14. Flow sensor according to one of the preceding claims, characterized in that the semiconductor chip (3) is arranged closer to an outlet end (5b) of the measurement channel than to an inlet end (5a) of the measurement channel.
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