EA202090144A1

EA202090144A1 - THERMOELECTRIC GENERATOR

Info

Publication number: EA202090144A1
Application number: EA202090144A
Authority: EA
Inventors: Андрей Дмитриевич ХВОРОСТЯНЫЙ; Виталий ГЕНЗЕЛЬ
Original assignee: Андрей Дмитриевич ХВОРОСТЯНЫЙ
Priority date: 2017-06-30
Filing date: 2017-08-17
Publication date: 2020-04-09
Also published as: EA037133B1; UA118506C2

Abstract

Изобретение относится к термоэлектрическим генераторам, а именно к термоэлектрическим генераторам, использующим в своей работе термоэлектрические свойства варизонных p-n-структур, то есть свойства варизонных полупроводников с акцепторными и донорными примесями (варизонных полупроводников p- и n-типа соответственно) и p-n-переходов между ними, и может быть использован для питания бытовых электроприборов, зарядки элементов питания переносных электронных устройств или другого. Термоэлектрический генератор включает выполненный с возможностью отбора тепла из окружающей среды полупроводниковый блок, содержащий по меньшей мере одну пару соединенных между собой варизонных полупроводников, состоящую из варизонного полупроводника p-типа и варизонного полупроводника n-типа, при этом широкозонная сторона P по меньшей мере одного варизонного полупроводника p-типа соединена с узкозонной стороной n по меньшей мере одного варизонного полупроводника n-типа, а при наличии еще по меньшей мере одной пары варизонных полупроводников широкозонная сторона N по меньшей мере одного варизонного полупроводника n-типа соединена с узкозонной стороной p по меньшей мере одного варизонного полупроводника p-типа. Технический результат заключается в повышении КПД и мощности термоэлектрического генератора, исключении потребности в поддержании разницы температур на контактах полупроводников, нагрева и охлаждения полупроводников, простоте конструкции и использования, удешевлении процесса производства.The invention relates to thermoelectric generators, namely to thermoelectric generators using in their work thermoelectric properties of graded-gap pn-structures, that is, the properties of graded-gap semiconductors with acceptor and donor impurities (graded-gap semiconductors of p- and n-type, respectively) and pn-junctions between them , and can be used to power household electrical appliances, charge batteries for portable electronic devices, or other. The thermoelectric generator includes a semiconductor unit capable of extracting heat from the environment, containing at least one pair of interconnected graded-gap semiconductors, consisting of a graded-gap p-type semiconductor and a graded-gap semiconductor n-type, with the wide-gap side P of at least one graded-gap semiconductor of the p-type semiconductor is connected to the narrow-gap side n of at least one graded-gap semiconductor n-type, and in the presence of at least one more pair of graded-gap semiconductors, the wide-gap side N of at least one graded-gap semiconductor n-type is connected to the narrow-gap side p of at least one graded-gap p-type semiconductor. The technical result consists in increasing the efficiency and power of the thermoelectric generator, eliminating the need to maintain the temperature difference at the semiconductor contacts, heating and cooling semiconductors, simplicity of design and use, and making the production process cheaper.