EA045134B1

EA045134B1 - SEMICONDUCTOR POLYMER COMPOSITION

Info

Publication number: EA045134B1
Application number: EA202091172
Authority: EA
Inventors: Фредрик Скогман; Эмиль Хьяртфорс; Анника Смедберг; Даниэль Нильссон
Original assignee: Бореалис Аг
Priority date: 2017-12-18
Filing date: 2018-12-18
Publication date: 2023-10-30

Description

Область техники изобретенияTechnical field of the invention

Настоящее изобретение относится к полупроводниковой полимерной композиции, содержащей полимерный компонент, проводящий компонент и сшивающий агент, к изделию, содержащему полупроводниковый слой (слои), который получен из полупроводниковой полимерной композиции, причем указанное изделие может представлять собой, например, кабель, например силовой кабель, к способам получения полупроводниковой полимерной композиции и изделия, включающим применение полупроводниковой полимерной композиции.The present invention relates to a semiconductor polymer composition containing a polymer component, a conductive component and a cross-linking agent, to an article containing semiconductor layer(s) that is derived from the semiconductor polymer composition, which article may be, for example, a cable, such as a power cable, to methods for producing a semiconductor polymer composition and product, including the use of a semiconductor polymer composition.

Уровень техникиState of the art

В области проводов и кабелей (W&C) типичный кабель содержит, по меньшей мере, один проводник, окруженный одним или более слоями полимерных материалов. В области силовых кабелей, включая области кабелей среднего напряжения (СН), высокого напряжения (ВН) и сверхвысокого напряжения (СВН), указанный проводник окружен несколькими слоями, включая внутренний полупроводниковый слой, изоляционный слой и внешний полупроводниковый слой, в указанном порядке. К указанным слоям может быть добавлен дополнительный слой (слои), такой как экран (экраны) и/или вспомогательный барьерный слой (слои), например, один или несколько барьерных слоев для воды и один или несколько защитных слоев. Кроме того, электрические свойства, которые имеют важное значение, могут различаться в различных областях применениях кабелей, как в случае кабелей переменного тока (АС) и постоянного тока (DC).In the wire and cable (W&C) field, a typical cable contains at least one conductor surrounded by one or more layers of polymeric materials. In the field of power cables, including the fields of medium voltage (MV), high voltage (HV) and extra high voltage (EHV) cables, the conductor is surrounded by several layers, including an inner semiconductor layer, an insulating layer and an outer semiconductor layer, in that order. To these layers may be added additional layer(s), such as screen(s) and/or auxiliary barrier layer(s), for example, one or more water barrier layers and one or more protective layers. In addition, the electrical properties that are important may vary among different cable applications, as is the case with alternating current (AC) and direct current (DC) cables.

Типичные кабели обычно изготавливают путем экструзии слоев на проводнике. Такие полимерные полупроводниковые слои хорошо известны и широко применяются в диэлектрических силовых кабелях, рассчитанных на напряжение выше 6 кВ. Указанные слои применяют для обеспечения слоев с промежуточным удельным сопротивлением между проводником и изоляцией, а также между изоляцией и заземлением или нулевым потенциалом.Typical cables are usually made by extruding layers on the conductor. Such polymer semiconductor layers are well known and widely used in dielectric power cables rated for voltages above 6 kV. These layers are used to provide layers with intermediate resistivity between conductor and insulation, and between insulation and ground or zero potential.

Кроме того, также известно, что сшивание полимеров, например полиолефинов, существенно способствует повышению термостойкости и стойкости к деформации, механической прочности, химической стойкости и стойкости к истиранию полимера.In addition, it is also known that crosslinking polymers, such as polyolefins, significantly improves the heat and deformation resistance, mechanical strength, chemical resistance and abrasion resistance of the polymer.

Поэтому сшитые полимеры широко применяют в различных конечных применениях, таких как упомянутое применение в области проводов и кабелей (W&C).Therefore, cross-linked polymers are widely used in various end applications, such as the aforementioned wire and cable (W&C) applications.

Благодаря упомянутым преимуществам, достигаемым благодаря сшиванию, изолирующий слой и полупроводниковые слои в кабельных применениях обычно изготавливают с использованием сшиваемых полимерных композиций. Полимерные композиции в формованном слоистом кабеле затем сшивают.Due to the aforementioned benefits achieved through cross-linking, insulating layer and semiconductor layers in cable applications are typically made using cross-linkable polymer compositions. The polymer compositions in the molded laminated cable are then cross-linked.

Сшивание можно осуществлять, в числе прочего, путем радикальной реакции с использованием радиации или агентов, генерирующих свободные радикалы, также называемых сшивающими агентами. Примерами таких агентов, генерирующих свободные радикалы, являются пероксиды, включая неорганические и органические пероксиды. Сшивание с использованием пероксида известно как пероксидная технология сшивания. Еще одним хорошо известным способом сшивания является сшивание функциональных групп, например, путем гидролиза гидролизуемых силановых групп, которые связаны с полимером. В случае сшиваемых материалов полупроводникового слоя, в которых используют сшивание посредством радикальной реакции, указанная композиция слоя также может содержать сшивающий агент, такой как пероксид, который предпочтительно добавляют на гранулы после получения гранул полимера, как описано, например, в WO 00038895 на имя Pirelli.Cross-linking can be accomplished, inter alia, by a radical reaction using radiation or free radical generating agents, also called cross-linking agents. Examples of such free radical generating agents are peroxides, including inorganic and organic peroxides. Crosslinking using peroxide is known as peroxide crosslinking technology. Another well-known method of cross-linking is cross-linking of functional groups, for example by hydrolysis of hydrolyzable silane groups that are bound to the polymer. In the case of semiconductor layer crosslinkable materials that utilize radical crosslinking, said layer composition may also contain a crosslinking agent such as a peroxide, which is preferably added to the beads after the polymer beads are produced, as described, for example, in WO 00038895 to Pirelli.

Назначение полупроводникового слоя состоит в том, чтобы продлить срок службы, то есть долгосрочную жизнеспособность, силового кабеля, в том числе путем предотвращения частичного разряда на границе раздела проводящего и диэлектрического слоев.The purpose of the semiconductor layer is to extend the service life, that is, the long-term viability, of the power cable, including by preventing partial discharge at the interface between the conductive and dielectric layers.

WO 2009053042 A1 относится к полупроводниковой полимерной композиции, к способу получения указанной полупроводниковой полимерной композиции, к применению указанной композиции для производства полупроводникового слоя силового электрического кабеля и к силовому электрическому кабелю, содержащему по меньшей мере один полупроводниковый слой, причем указанный слой содержит вышеуказанную полупроводниковую полимерную композицию. Кроме того, в WO 2009053042 A1 предложена полупроводниковая полимерная композиция, которая демонстрирует улучшенную гладкость поверхности и обладает хорошо сбалансированными свойствами, необходимыми для полупроводникового полимерного материала.WO 2009053042 A1 relates to a semiconductor polymer composition, to a method for producing said semiconductor polymer composition, to the use of said composition for the production of a semiconductor layer of a power electric cable and to a power electric cable containing at least one semiconductor layer, wherein said layer contains the above semiconductor polymer composition . In addition, WO 2009053042 A1 proposes a semiconductor polymer composition that exhibits improved surface smoothness and has well-balanced properties required for a semiconductor polymer material.

US 6706791 относится к силовому кабелю, имеющему полупроводниковое экранирование и отверждаемую под действием влаги изоляцию. Кроме того, силовой кабель в US 6706791 нацелен на то, чтобы избежать недостатков пероксидных и отверждаемых под действием влаги экранов.US 6,706,791 relates to a power cable having semiconductor shielding and moisture-curable insulation. Additionally, the power cable in US 6,706,791 aims to avoid the disadvantages of peroxide and moisture-curing shields.

ЕР 1125306 В1 относится к электрическим кабелям и, в частности, к полупроводниковым слоям электрических кабелей, предпочтительно к сшитым полупроводниковым слоям электрических кабелей и, более предпочтительно, к сшитым, внутренним и незачищаемым внешним полупроводниковым слоям электрических кабелей. Кроме того, в ЕР 1125306 В1 применяют конкретные, неоднородные или гетерогенные этилен-алкил(мет)акрилатные сополимеры, предпочтительно гетерогенные этиленовые сополимеры с метил(мет)акрилатом (М(М)А), этил(мет)акрилатом (Э(М)А), (изо)пропил(мет)акрилатом (П(М)А) или бутил(мет)акрилатом (Б(М)А), в качестве сополимера этилена в полупроводниковом слое.EP 1125306 B1 relates to electrical cables and, in particular, to semiconductor layers of electrical cables, preferably to cross-linked semiconductor layers of electrical cables and, more preferably, to cross-linked, internal and non-stripped external semiconductor layers of electrical cables. In addition, EP 1125306 B1 uses specific, heterogeneous or heterogeneous ethylene-alkyl(meth)acrylate copolymers, preferably heterogeneous ethylene copolymers with methyl(meth)acrylate (M(M)A), ethyl(meth)acrylate (E(M)) A), (iso)propyl(meth)acrylate (P(M)A) or butyl(meth)acrylate (B(M)A), as an ethylene copolymer in the semiconductor layer.

- 1 045134- 1 045134

Когда сшивание осуществляют с помощью сшивающих агентов, сшивающие агенты разлагаются с образованием свободных радикалов. Такие сшивающие агенты, например пероксиды, обычно добавляют в полимерный материал до или во время экструзии кабеля. Указанный сшивающий агент предпочтительно должен оставаться стабильным на стадии экструзии. Стадию экструзии предпочтительно следует проводить при достаточно низкой температуре, чтобы минимизировать раннее разложение сшивающего агента, но достаточно высокой, чтобы обеспечить надлежащее плавление и гомогенизацию полимерной композиции. Если значительное количество сшивающего агента, например, пероксида, разлагается уже в экструдере и тем самым инициирует преждевременное сшивание, это приведет к образованию так называемой подвулканизации, то есть неоднородности, неровности поверхности и, возможно, обесцвечивания в разных слоях получаемого кабеля. Следовательно, следует избегать любого значительного разложения сшивающих агентов, то есть агентов, образующих свободные радикалы, во время экструзии. Вместо этого сшивающие агенты в идеале должны разлагаться только на последующей стадии сшивания при повышенной температуре. Повышенная температура увеличит скорость разложения сшивающих агентов и, таким образом, увеличит скорость сшивания, и желаемая, то есть целевая, степень сшивания может быть достигнута быстрее.When cross-linking is carried out using cross-linking agents, the cross-linking agents are decomposed to form free radicals. Such crosslinking agents, such as peroxides, are typically added to the polymer material before or during cable extrusion. Said crosslinking agent should preferably remain stable during the extrusion stage. The extrusion step should preferably be conducted at a temperature low enough to minimize early degradation of the crosslinker, but high enough to ensure proper melting and homogenization of the polymer composition. If a significant amount of crosslinking agent, such as peroxide, decomposes already in the extruder and thereby initiates premature crosslinking, this will lead to the formation of so-called scorch, that is, heterogeneity, surface roughness and possibly discoloration in different layers of the resulting cable. Therefore, any significant decomposition of cross-linking agents, that is, free radical-forming agents, during extrusion should be avoided. Instead, crosslinkers should ideally only degrade during the subsequent crosslinking step at elevated temperature. Elevated temperature will increase the rate of decomposition of the crosslinking agents and thus increase the rate of crosslinking, and the desired, ie target, degree of crosslinking can be achieved more quickly.

Кроме того, когда полимерная композиция, например, в кабеле, является сшитой, разложение сшивающих агентов, например пероксидов, во время сшивания будет также приводить к образованию продуктов разложения пероксида. Некоторые из продуктов разложения пероксида являются летучими, и если применяют типы пероксидов, которые обычно применяют для сшивания, их основным компонентом является метан. Продукты разложения пероксида остаются в основном захваченными в полимерной композиции, например, кабеля, после сшивания. Это вызывает, например, проблемы с точки зрения процесса изготовления кабеля, а также с точки зрения качества конечного кабеля.In addition, when the polymer composition, for example in a cable, is cross-linked, decomposition of cross-linking agents, such as peroxides, during cross-linking will also result in the formation of peroxide decomposition products. Some of the peroxide decomposition products are volatile, and when the types of peroxides typically used for crosslinking are used, their main component is methane. The peroxide decomposition products remain largely trapped in the polymer composition, such as cable, after cross-linking. This causes, for example, problems in terms of the cable manufacturing process and also in terms of the quality of the final cable.

В частности, силовые кабели СН, ВН и СВН должны иметь слои высокого качества для обеспечения безопасности при монтаже и конечном применении указанных кабелей. При установке, например, важно избегать воспламенения захваченных продуктов разложения, например, горючего метана и этана, например, при снятии торцевых заглушек. В процессе эксплуатации летучие продукты разложения пероксида, образующиеся в кабеле во время стадии сшивания, могут создавать давление газа и, таким образом, вызывать дефекты в экранировании и в соединениях. Например, когда сердечник кабеля снабжен металлическим барьером, газообразные продукты могут оказывать давление, особенно на соединения и заделки, в результате чего может произойти сбой системы. Таким образом, содержание указанных летучих продуктов разложения пероксида должно быть снижено до достаточно низкого уровня, прежде чем могут быть выполнены последующие этапы производства кабеля.In particular, MV, HV and ELV power cables must have high quality layers to ensure safety during installation and final use of these cables. During installation, for example, it is important to avoid igniting trapped decomposition products such as flammable methane and ethane, for example when removing end caps. During operation, volatile peroxide decomposition products formed in the cable during the cross-linking step can create gas pressure and thus cause defects in shielding and connections. For example, when a cable core is provided with a metal barrier, gaseous products can exert pressure, especially on connections and terminations, which may result in system failure. Thus, the content of these volatile peroxide decomposition products must be reduced to a sufficiently low level before subsequent cable production steps can be performed.

Таким образом, очевидно, что существует постоянная потребность в создании новых полупроводниковых полимерных композиций с улучшенными свойствами.Thus, it is clear that there is a constant need to create new semiconductor polymer compositions with improved properties.

Описание изобретенияDescription of the invention

Настоящее изобретение относится к полупроводниковой полимерной композиции, содержащей полимерный компонент, проводящий компонент и сшивающий агент, причем полимерный компонент содержит полярный полиэтилен и сшивающий агент содержит алифатический монофункциональный пероксид и/или алифатический бифункциональный пероксид и/или монофункциональный пероксид, содержащий ароматическую группу, и сшивающий агент присутствует в количестве, которое составляет Z мас.%, в расчете на общее количество (100 мас.%) полупроводниковой полимерной композиции, и Z₁<Z<Z₂, где Z₁ составляет 0,01 и Z₂ составляет 5,0.The present invention relates to a semiconducting polymer composition containing a polymer component, a conductive component and a cross-linking agent, wherein the polymer component contains polar polyethylene and the cross-linking agent contains an aliphatic monofunctional peroxide and/or an aliphatic bifunctional peroxide and/or a monofunctional peroxide containing an aromatic group and a cross-linking agent is present in an amount that is Z wt.%, based on the total amount (100 wt.%) of the semiconductor polymer composition, and Z ₁ <Z<Z ₂ , where Z ₁ is 0.01 and Z ₂ is 5.0.

Неожиданно было показано, что полупроводниковая полимерная композиция согласно настоящему изобретению, в которой сшивающий агент содержит алифатический моно-или бифункциональный пероксид или, альтернативно, монофункциональный пероксид, содержащий ароматическую группу, обладает как улучшенными характеристиками с точки зрения подвулканизации, так и сниженным образованием метана.Surprisingly, it has been shown that the semiconducting polymer composition of the present invention, in which the crosslinking agent contains an aliphatic mono- or difunctional peroxide or, alternatively, a monofunctional peroxide containing an aromatic group, has both improved scorch properties and reduced methane formation.

Кроме того, полупроводниковая полимерная композиция согласно настоящему изобретению является сшиваемой и подвергается сшиванию посредством радикальной реакции, при этом указанная полупроводниковая полимерная композиция содержит сшивающий агент, содержащий алифатический моноили бифункциональный пероксид или, альтернативно, монофункциональный пероксид, содержащий ароматическую группу.In addition, the semiconductor polymer composition according to the present invention is crosslinkable and undergoes crosslinking through a radical reaction, wherein the semiconductor polymer composition contains a crosslinking agent containing an aliphatic mono- or bifunctional peroxide or, alternatively, a monofunctional peroxide containing an aromatic group.

Кроме того, полупроводниковая полимерная композиция согласно настоящему изобретению содержит указанный сшивающий агент в количестве, составляющем Z мас.% в расчете на общее количество (100 мас.%) полупроводниковой полимерной композиции, и Z₁<Z<Z₂, где Z₁ составляет 0,01, а Z₂ составляет 5,0.In addition, the semiconductor polymer composition according to the present invention contains the specified cross-linking agent in an amount of Z wt.% based on the total amount (100 wt.%) of the semiconductor polymer composition, and Z ₁ <Z<Z ₂ , where Z ₁ is 0 .01, and Z ₂ is 5.0.

В другом варианте реализации согласно настоящему изобретению сшивающий агент содержит алифатический моно- или бифункциональный пероксид или, альтернативно, монофункциональный пероксид, содержащий ароматическую группу.In another embodiment of the present invention, the crosslinking agent comprises an aliphatic mono- or bifunctional peroxide or, alternatively, a monofunctional peroxide containing an aromatic group.

В других вариантах реализации настоящего изобретения Z₁ составляет 0,01, а Z₂ составляет 4,5 мас.%, например, Z₁ составляет 0,1 и Z₂ составляет 4 мас.%, например, Z₁ составляет 0,1 и Z₂ составляет 2 мас.%,In other embodiments of the present invention, Z ₁ is 0.01 and Z ₂ is 4.5 wt.%, for example, Z ₁ is 0.1 and Z ₂ is 4 wt.%, for example, Z ₁ is 0.1 and Z ₂ is 2 wt.%,

- 2 045134 например, Z₁ составляет 0,1 и Z2 составляет 1 мас.%, например Z₁ составляет 0,1 и Z2 составляет 0,9 мас.%, например Z₁ составляет 0,1 и Z2 составляет 0,8 мас.%, например Z₁ составляет 0,1 и Z2 составляет 0,7 мас.%, например, Z1 составляет 0,1, Z2 составляет 0,6 мас.%, например Z1 составляет 0,1, Z2 составляет 0,55 мас.%, например, Z1 составляет 0,2, Z2 составляет 0,8 мас.%, например, Z1 составляет 0,2, а Z2 составляет 0,7 мас.%, например, Z1 составляет 0,2, а Z2 составляет 0,6 мас.%, например, Z1 составляет 0,2, а Z2 составляет 0,55 мас.%, например, Z1 составляет 0,3 и Z2 составляет 0,8 мас.%, например, Z1 составляет 0,3, и Z2 составляет 0,7 мас.%, например, Z1 составляет 0,3, Z2 составляет 0,6 мас.%, например, Z1 составляет 0,3, и Z2 составляет 0,55 мас.%, например, Z1 составляет 0,35, и Z2 составляет 0,6 мас.%, например, Z1 составляет 0,35 и Z2 составляет 0,55 мас.%, например, Z1 составляет 0,4 и Z2 составляет 0,6 мас.% или, альтернативно, например, Z1 составляет 0,4 и Z2 составляет 0,55 мас.% от количества полупроводниковой полимерной композиции.- 2 045134 for example Z ₁ is 0.1 and Z2 is 1 wt.%, for example Z ₁ is 0.1 and Z2 is 0.9 wt.%, for example Z ₁ is 0.1 and Z2 is 0.8 wt. .%, for example Z ₁ is 0.1 and Z2 is 0.7 wt.%, for example Z1 is 0.1, Z2 is 0.6 wt.%, for example Z1 is 0.1, Z2 is 0.55 wt. .%, for example Z1 is 0.2, Z2 is 0.8 wt%, for example Z1 is 0.2 and Z2 is 0.7 wt%, for example Z1 is 0.2 and Z2 is 0 .6 wt%, for example Z1 is 0.2 and Z2 is 0.55 wt%, for example Z1 is 0.3 and Z2 is 0.8 wt%, for example Z1 is 0.3, and Z2 is 0.7 wt%, for example Z1 is 0.3, Z2 is 0.6 wt%, for example Z1 is 0.3, and Z2 is 0.55 wt%, for example Z1 is 0. 35 and Z2 is 0.6 wt%, for example Z1 is 0.35 and Z2 is 0.55 wt%, for example Z1 is 0.4 and Z2 is 0.6 wt% or alternatively, e.g. , Z1 is 0.4 and Z2 is 0.55 wt.% of the amount of the semiconductor polymer composition.

В других вариантах реализации настоящего изобретения Z1 составляет 0,1, а Z2 составляет 1,5 мас.%, например, Z1 составляет 0,1, а Z2 составляет 1,0 мас.%, например, Z1 составляет 0,1, а Z2 составляет 0,9 мас.%, например. Z1 составляет 0,1, Z2 составляет 0,8 мас.%, например Z1 составляет 0,1, Z2 составляет 0,7 мас.% или, альтернативно, например, Z1 составляет 0,1 и Z2 составляет 0,6 мас.%.In other embodiments of the present invention, Z1 is 0.1 and Z2 is 1.5 wt%, for example, Z1 is 0.1 and Z2 is 1.0 wt%, for example, Z1 is 0.1 and Z2 is 0.9 wt.%, for example. Z1 is 0.1, Z2 is 0.8 wt%, for example Z1 is 0.1, Z2 is 0.7 wt% or alternatively, for example Z1 is 0.1 and Z2 is 0.6 wt% .

В других вариантах реализации настоящего изобретения Z1 составляет 0,2, a Z₂ составляет 1,5 мас.%, например, Z1 составляет 0,2, a Z₂ составляет 1,0 мас.%, например, Z1 составляет 0,2, a Z₂ составляет 0,9 мас.%, например, Z1 составляет 0,2, Z2 составляет 0,8 мас.%, например Z1 составляет 0,2, Z2 составляет 0,7 мас.% или, альтернативно, например, Z1 составляет 0,2, a Z₂ составляет 0,6 мас.%.In other embodiments of the present invention, Z1 is 0.2 and Z ₂ is 1.5 wt.%, for example, Z1 is 0.2 and Z ₂ is 1.0 wt.%, for example, Z1 is 0.2, a Z ₂ is 0.9 wt%, for example Z1 is 0.2, Z2 is 0.8 wt%, for example Z1 is 0.2, Z2 is 0.7 wt% or alternatively, for example Z1 is 0.2, and Z ₂ is 0.6 wt.%.

В других вариантах реализации настоящего изобретения Z₁ составляет 0,3 и Z₂ составляет 1,5 мас.%, например, Z1 составляет 0,3 и Z₂ составляет 1,0 мас.%, например, Z1 составляет 0,3 и Z₂ составляет 0,9 мас.%, например, Z1 составляет 0,3 и Z2 составляет 0,8 мас.%, например Z1 составляет 0,3, и Z2 составляет 0,7 мас.%, или, альтернативно, например, Z1 составляет 0,3 и Z2 составляет 0,6 мас.%.In other embodiments of the present invention, Z ₁ is 0.3 and Z ₂ is 1.5 wt.%, for example, Z1 is 0.3 and Z ₂ is 1.0 wt.%, for example, Z1 is 0.3 and Z ₂ is 0.9 wt%, for example Z1 is 0.3 and Z2 is 0.8 wt%, for example Z1 is 0.3 and Z2 is 0.7 wt%, or alternatively, for example Z1 is 0.3 and Z2 is 0.6 wt.%.

В других вариантах реализации настоящего изобретения Z1 составляет 0,35, a Z₂ составляет 1,5 мас.%, например, Z1 составляет 0,35, a Z₂ составляет 1,0 мас.%, например, Z1 составляет 0,35, a Z₂ составляет 0,9 мас.%, например, Z1 составляет 0,35 и Z2 составляет 0,8 мас.%, например, Z1 составляет 0,35 и Z2 составляет 0,7 мас.% или, альтернативно, например, Z1 составляет 0,35 и Z2 составляет 0,6 мас.%.In other embodiments of the present invention, Z1 is 0.35 and Z ₂ is 1.5 wt.%, for example, Z1 is 0.35 and Z ₂ is 1.0 wt.%, for example, Z1 is 0.35, a Z ₂ is 0.9 wt%, for example Z1 is 0.35 and Z2 is 0.8 wt%, for example Z1 is 0.35 and Z2 is 0.7 wt% or alternatively, e.g. Z1 is 0.35 and Z2 is 0.6 wt%.

В другом варианте реализации согласно настоящему изобретению описана полупроводниковая полимерная композиция, как описано в настоящем документе, в которой сшивающий агент присутствует в количестве, как определено в настоящем документе, где Z₁ составляет 0,02.In another embodiment, the present invention provides a semiconductor polymer composition as described herein, in which the crosslinking agent is present in an amount as defined herein, wherein Z ₁ is 0.02.

В других вариантах реализации настоящего изобретения описана полупроводниковая полимерная композиция, как описано в настоящем документе, где Z1 составляет 0,02, 0,04, 0,06 или 0,08.In other embodiments, the present invention provides a semiconductor polymer composition as described herein, wherein Z1 is 0.02, 0.04, 0.06, or 0.08.

В другом варианте реализации настоящего изобретения описана полупроводниковая полимерная композиция, как описано в настоящем документе, где Z1 составляет 0,3.In another embodiment of the present invention, a semiconductor polymer composition is described, as described herein, wherein Z1 is 0.3.

В другом варианте реализации настоящего изобретения описана полупроводниковая полимерная композиция, как описано в настоящем документе, где Z2 составляет 0,8, 0,9 или 1,0.In another embodiment of the present invention, a semiconductor polymer composition is described, as described herein, wherein Z2 is 0.8, 0.9, or 1.0.

Кроме того, описаны варианты реализации полупроводниковой полимерной композиции согласно настоящему изобретению, как описано в настоящем документе, где Z₁ составляет, например, 0,1 или 0,2, и/или Z2 составляет, например, 1,4 или 1,3.In addition, embodiments of the semiconductor polymer composition according to the present invention, as described herein, are described, where Z ₁ is, for example, 0.1 or 0.2, and/or Z2 is, for example, 1.4 or 1.3.

Кроме того, описаны варианты реализации полупроводниковой полимерной композиции согласно настоящему изобретению, как описано в настоящем документе, где Z₁ составляет, например, 0,25 или 0,30, и/или Z2 составляет, например, 0,8 или 1,0.In addition, embodiments of the semiconductor polymer composition according to the present invention, as described herein, are described, where Z ₁ is, for example, 0.25 or 0.30, and/or Z2 is, for example, 0.8 or 1.0.

Подходящие алифатические моно- или бифункциональные пероксиды и монофункциональные пероксиды, содержащие ароматическую группу, включают 2,5-диметил-2,5-ди-(трет-бутилперокси)-гексан, 2,5-диметил-2,5-ди-(трет-бутилперокси)-гексин-3 и трет-бутилкумилпероксид.Suitable aliphatic mono- or bifunctional peroxides and monofunctional peroxides containing an aromatic group include 2,5-dimethyl-2,5-di-(tert-butylperoxy)-hexane, 2,5-dimethyl-2,5-di-(tert -butylperoxy)-hexine-3 and tert-butylcumyl peroxide.

В других вариантах реализации настоящего изобретения описана полупроводниковая полимерная композиция, как описано в настоящем документе, в которой сшивающий агент содержит 2,5-диметил2,5-ди-(трет-бутилперокси)-гексан, 2,5-диметил-2,5-ди-(трет-бутилперокси)-гексин-3 и/или трет-бутилкумилпероксид.In other embodiments, the present invention provides a semiconductor polymer composition as described herein, wherein the crosslinking agent comprises 2,5-dimethyl2,5-di-(tert-butylperoxy)-hexane, 2,5-dimethyl-2,5- di-(tert-butylperoxy)-hexine-3 and/or tert-butylcumyl peroxide.

В другом варианте реализации согласно настоящему изобретению сшивающий агент содержит 2,5диметил-2,5-ди-(трет-бутилперокси)-гексин-3.In another embodiment of the present invention, the cross-linking agent comprises 2,5-dimethyl-2,5-di-(tert-butylperoxy)-hexine-3.

В другом варианте реализации согласно настоящему изобретению сшивающий агент содержит 2,5диметил-2,5-ди-(трет-бутилперокси)-гексан.In another embodiment of the present invention, the crosslinking agent comprises 2,5dimethyl-2,5-di-(tert-butylperoxy)-hexane.

В другом варианте реализации настоящего изобретения описана полупроводниковая полимерная композиция, как описано в настоящем документе, в которой сшивающий агент содержит менее 0,7 мас.% 2,5-диметил-2,5-ди-(трет-бутилперокси)-гексана.In another embodiment, the present invention provides a semiconductor polymer composition as described herein, wherein the crosslinking agent contains less than 0.7 wt.% 2,5-dimethyl-2,5-di-(tert-butylperoxy)-hexane.

В другом варианте реализации согласно настоящему изобретению сшивающий агент содержит 2,5диметил-2,5-ди-(трет-бутилперокси)-гексан или менее 0,7 мас.% 2,5-диметил-2,5-ди-(трет-бутилперокси)-гексана.In another embodiment according to the present invention, the crosslinking agent contains 2,5-dimethyl-2,5-di-(tert-butylperoxy)-hexane or less than 0.7 wt.% 2,5-dimethyl-2,5-di-(tert- butylperoxy)-hexane.

В другом варианте реализации согласно настоящему изобретению сшивающий агент содержит трет-бутилкумилпероксид.In another embodiment of the present invention, the crosslinking agent comprises tert-butyl cumyl peroxide.

В другом варианте реализации согласно настоящему изобретению описана полупроводниковая по- 3 045134 лимерная композиция, обладающая характеристиками подвулканизации, то есть временем подвулканизации, по меньшей мере, 20 мин, при определении в соответствии со способом 6, как описано в настоящем документе.In another embodiment, the present invention provides a semiconductor polymer composition having scorch characteristics, that is, a scorch time of at least 20 minutes, when determined in accordance with Method 6 as described herein.

В других вариантах реализации согласно настоящему изобретению указанная полупроводниковая полимерная композиция обладает характеристиками подвулканизации, то есть временем подвулканизации, по меньшей мере, 22, 30, 35, 40, 55 или, альтернативно, 60 мин, при определении в соответствии со способом 6, как описано в настоящем документе.In other embodiments of the present invention, said semiconductor polymer composition has scorch characteristics, i.e., a scorch time of at least 22, 30, 35, 40, 55, or alternatively 60 minutes, when determined in accordance with Method 6 as described in this document.

Кроме того, введение сшивающего агента предпочтительно осуществляют после необязательной последующей стадии способа получения гранул, как описано в настоящем документе.In addition, the introduction of the crosslinking agent is preferably carried out after an optional subsequent step in the process for producing granules, as described herein.

В других вариантах реализации настоящего изобретения описана полупроводниковая полимерная композиция, как описано в настоящем документе, причем полупроводниковая полимерная композиция содержит от 35 до 90 мас.% полимерного компонента, например, полярного полиэтилена, от 10 до 60 мас.% проводящего компонента, включая технический углерод, и от 0 до 8 мас.% добавок, причем все мас.% рассчитаны от общей композиции полупроводникового полимера.In other embodiments of the present invention, a semiconducting polymer composition is described, as described herein, wherein the semiconducting polymer composition contains from 35 to 90 wt.% polymer component, for example, polar polyethylene, from 10 to 60 wt.% conductive component, including carbon black , and from 0 to 8 wt.% additives, all wt.% calculated from the total composition of the semiconductor polymer.

Полупроводниковые свойства полупроводниковой полимерной композиции обусловлены проводящим компонентом, содержащимся в полупроводниковой полимерной композиции. Проводящий компонент содержится в полупроводниковой полимерной композиции, по меньшей мере, в количестве, которое обеспечивает полупроводниковые свойства полупроводниковой полимерной композиции. Кроме того, проводящий компонент подходящим образом представляет собой технический углерод.The semiconducting properties of the semiconducting polymer composition are due to the conductive component contained in the semiconducting polymer composition. The conductive component is contained in the semiconducting polymer composition in at least an amount that provides semiconducting properties to the semiconducting polymer composition. In addition, the conductive component is suitably carbon black.

В зависимости от желаемого использования, проводимости технического углерода и проводимости композиции, количество технического углерода может варьироваться. Полупроводниковая полимерная композиция содержит, например, от 10 до 60 мас.%, например от 10 до 50 мас.%, технического углерода в расчете на массу полупроводниковой полимерной композиции. В других вариантах осуществления нижний предел количества технического углерода составляет 10 мас.%, например, 20 мас.% или, например, 25 мас.%, в расчете на массу полупроводниковой полимерной композиции. Верхний предел количества технического углерода составляет, например, 50 мас.%, например, 45 мас.% или, например, 41 мас.%, в расчете на массу полупроводниковой полимерной композиции.Depending on the desired use, the conductivity of the carbon black and the conductivity of the composition, the amount of carbon black may vary. The semiconductor polymer composition contains, for example, from 10 to 60 wt.%, for example from 10 to 50 wt.%, carbon black, based on the weight of the semiconductor polymer composition. In other embodiments, the lower limit of the amount of carbon black is 10 wt.%, for example, 20 wt.%, or, for example, 25 wt.%, based on the weight of the semiconductor polymer composition. The upper limit of the amount of carbon black is, for example, 50 wt.%, for example, 45 wt.%, or, for example, 41 wt.%, based on the weight of the semiconductor polymer composition.

В другом варианте реализации согласно настоящему изобретению описана полупроводниковая полимерная композиция, в которой количество технического углерода составляет от 10 до 60 мас.%, например, от 10 до 50 мас.%, например, от 20 до 45, например, от 30 до 40 мас.%, например, от 35 до 40 мас.%.In another embodiment, the present invention describes a semiconductor polymer composition in which the amount of carbon black is from 10 to 60 wt.%, for example, from 10 to 50 wt.%, for example, from 20 to 45, for example, from 30 to 40 wt. .%, for example from 35 to 40 wt.%.

Можно применять любой электропроводящий технический углерод. Кроме того, технический углерод может иметь площадь поверхности по азоту (БЭТ) от 5 до 400 м²/г, например, от 10 до 300 м²/г, например, от 30 до 200 м²/г, при определении в соответствии с ASTM D3037-93. Кроме того, технический углерод может иметь одно или несколько из следующих свойств: i) размер первичных частиц, по меньшей мере, 5 нм, который определяется как среднечисленный диаметр частиц в соответствии с процедурой D стандарта ASTM D3849-95a, ii) число адсорбции йода (йодное число) по меньшей мере 10 мг/г, например от 10 до 300 мг/г, например от 30 до 200 мг/г, при определении в соответствии с ASTM D1510-07; и/или iii) число абсорбции ДБФ (дибутилфталата) (= масляное число) по меньшей мере 30 см³/100 г, например, от 60 до 300 см³/100 г, например, от 70 до 250 см³/100 г, например, от 80 до 200 см³/100 г, например, от 90 до 180 см³/100 г, при измерении в соответствии с ASTM D 2414-06а.Any electrically conductive carbon black may be used. In addition, carbon black may have a nitrogen surface area (BET) of from 5 to 400 m ² /g, for example from 10 to 300 m ² /g, for example from 30 to 200 m ² /g, when determined in accordance with ASTM D3037-93. In addition, carbon black may have one or more of the following properties: i) a primary particle size of at least 5 nm, which is defined as the number average particle diameter in accordance with Procedure D of ASTM D3849-95a, ii) iodine adsorption number ( iodine value) of at least 10 mg/g, for example 10 to 300 mg/g, for example 30 to 200 mg/g, when determined in accordance with ASTM D1510-07; and/or iii) a DBP (dibutyl phthalate) absorption number (= oil number) of at least 30 cm ³ /100 g, for example from 60 to 300 cm ³ /100 g, for example from 70 to 250 cm ³ /100 g, for example, from 80 to 200 cm ³ /100 g, for example, from 90 to 180 cm ³ /100 g, when measured in accordance with ASTM D 2414-06a.

Кроме того, технический углерод может иметь одно или несколько из следующих свойств: а) размер первичных частиц, по меньшей мере, 5 нм, который определяется как среднечисленный диаметр частиц в соответствии с ASTM D3849-95a, б) йодное число, по меньшей мере, 30 мг/г в соответствии с ASTM D1510, с) число абсорбции масла по меньшей мере 30 мл/100 г, при измерении в соответствии с ASTM D2414. Неограничительные примеры подходящего технического углерода включают печные сажи и ацетиленовые сажи. Одна группа подходящих печных саж имеет размер первичных частиц 28 нм или менее. Средний размер первичных частиц определяется как среднечисленный диаметр частиц, измеренный в соответствии с ASTM D3849-95a. Особенно подходящие печные сажи этой категории могут иметь йодное число от 60 до 300 мг/г согласно ASTM D1510. Кроме того, целесообразно, чтобы число абсорбции масла (этой категории) составляло от 50 до 225 мл/100 г, например, от 50 до 200 мл/100 г, при измерении в соответствии с ASTM D2414.In addition, carbon black may have one or more of the following properties: a) a primary particle size of at least 5 nm, which is defined as the number average particle diameter in accordance with ASTM D3849-95a, b) an iodine value of at least 30 mg/g in accordance with ASTM D1510, c) oil absorption number of at least 30 ml/100 g, when measured in accordance with ASTM D2414. Non-limiting examples of suitable carbon blacks include furnace blacks and acetylene blacks. One group of suitable furnace blacks has a primary particle size of 28 nm or less. Average primary particle size is defined as the number average particle diameter measured in accordance with ASTM D3849-95a. Particularly suitable furnace blacks in this category may have an iodine value of 60 to 300 mg/g according to ASTM D1510. In addition, it is advantageous for the oil absorption number (of this category) to be from 50 to 225 ml/100 g, for example, from 50 to 200 ml/100 g, when measured in accordance with ASTM D2414.

Другая группа одинаково подходящих печных саж имеет размер первичных частиц больше 28 нм. Средний размер первичных частиц определяется как среднечисленный диаметр частиц согласно ASTM D3849-95a. Подходящие печные сажи этой категории имеют йодное число от 30 до 200 мг/г согласно ASTM D1510. Кроме того, число абсорбции масла (этой категории) составляет, например, от 80 до 300 мл/100 г, при измерении в соответствии с ASTM D2414.Another group of equally suitable furnace blacks have primary particle sizes greater than 28 nm. Average primary particle size is defined as the number average particle diameter according to ASTM D3849-95a. Suitable furnace blacks in this category have an iodine value of 30 to 200 mg/g according to ASTM D1510. In addition, the oil absorption number (of this category) is, for example, from 80 to 300 ml/100 g, when measured in accordance with ASTM D2414.

Другие подходящие виды технического углерода могут быть получены любым другим способом или могут быть дополнительно обработаны. Подходящий технический углерод для полупроводниковых кабельных слоев соответственно характеризуется чистотой. Следовательно, подходящий технический углерод имеет зольность менее 0,2 мас.%, при измерении в соответствии с ASTM D1506, остаток на сите с размером ячеек 325 меш менее 30 ч/млн согласно ASTM D1514, и имеет общее содержание серы менееOther suitable types of carbon black can be obtained by any other method or can be further processed. Suitable carbon black for semiconductor cable layers is accordingly characterized by purity. Therefore, suitable carbon black has an ash content of less than 0.2 wt.%, when measured in accordance with ASTM D1506, a 325 mesh screen residue of less than 30 ppm as measured by ASTM D1514, and a total sulfur content of less than

- 4 045134 мас.% согласно ASTM D1619.- 4045134 wt.% according to ASTM D1619.

Печная сажа - общепризнанный термин для хорошо известного технического углерода того типа, который получают в реакторе печного типа. В качестве примеров технического углерода, способа его получения и реакторов можно сослаться, например, на ЕР 629222 на имя Cabot, US 4391789, 3922335 и 3401020. В качестве примера коммерческих марок печной сажи, описанной в ASTM D 1765-98b, можно упомянуть, в числе прочих, N351, N293 и N550. Печные сажи обычно отличаются от ацетиленовых саж, которые представляют собой другой тип технического углерода, подходящий для композиции полупроводниковых полимеров. Ацетиленовые сажи получают в ацетиленовом сажевом процессе при реакции ацетилена и ненасыщенных углеводородов, например, как описано в патенте США № 4340577. В частности, ацетиленовые сажи могут иметь размер частиц более 20 нм, например от 20 до 80 нм. Средний размер первичных частиц определяется как среднечисленный диаметр частиц в соответствии с ASTM D3849-95a. Подходящие ацетиленовые сажи этой категории имеют йодное число от 30 до 300 мг/г, например от 30 до 150 мг/г согласно ASTM D1510. Кроме того, число абсорбции масла (этой категории) составляет, например, от 80 до 300 мл/100 г, например, от 100 до 280 мл/100 г, при измерении в соответствии с ASTM D2414. Ацетиленовая сажа является общепризнанным термином, очень хорошо известна и выпускается, например, Denka.Furnace black is a generally recognized term for the well-known carbon black of the type produced in a furnace-type reactor. As examples of carbon black, its production process and reactors, reference may be made, for example, to EP 629222 to Cabot, US 4391789, 3922335 and 3401020. As an example of commercial grades of furnace black described in ASTM D 1765-98b, mention may be made of N351, N293 and N550, among others. Furnace blacks are generally distinguished from acetylene blacks, which are another type of carbon black suitable for semiconductor polymer composition. Acetylene blacks are produced in the acetylene soot process by reacting acetylene and unsaturated hydrocarbons, for example, as described in US Pat. No. 4,340,577. In particular, acetylene blacks can have a particle size greater than 20 nm, for example from 20 to 80 nm. Average primary particle size is defined as the number average particle diameter in accordance with ASTM D3849-95a. Suitable acetylene blacks in this category have an iodine value of 30 to 300 mg/g, for example 30 to 150 mg/g according to ASTM D1510. In addition, the oil absorption number (of this category) is, for example, from 80 to 300 ml/100 g, for example, from 100 to 280 ml/100 g, when measured in accordance with ASTM D2414. Acetylene black is a generally recognized term, very well known and produced, for example, by Denka.

В другом варианте реализации согласно настоящему изобретению описана полупроводниковая полимерная композиция, в которой проводящий компонент содержит или выбран из проводящего технического углерода, например, технического углерода с одним или несколькими, например, всеми из следующих свойств: размер первичных частиц по меньшей мере 5 нм, который определяется как среднечисленный диаметр частиц в соответствии с ASTM D3849-95a, процедура D; число адсорбции йода (йодное число), по меньшей мере, 10 мг/г, например, от 10 до 300 мг/г, при определении в соответствии с ASTM D-1510-07; или число абсорбции ДБФ (дибутилфталата) (= число абсорбции масла) по меньшей мере 30 см³/100 г, например, от 60 до 300 см³/100 г, при измерении в соответствии с ASTM D 2414-06а.In another embodiment, the present invention discloses a semiconducting polymer composition wherein the conductive component comprises or is selected from conductive carbon black, e.g., carbon black with one or more, e.g., all of the following properties: a primary particle size of at least 5 nm, which defined as the number average particle diameter in accordance with ASTM D3849-95a, Procedure D; an iodine adsorption number (iodine value) of at least 10 mg/g, for example from 10 to 300 mg/g, when determined in accordance with ASTM D-1510-07; or a DBP (dibutyl phthalate) absorption number (= oil absorption number) of at least 30 cm ³ /100 g, for example from 60 to 300 cm ³ /100 g, when measured in accordance with ASTM D 2414-06a.

Полимерный компонент содержит полярный полиэтилен, например, сополимер полиэтилена низкой плотности (ПЭНП), содержащий по меньшей мере полярный сомономер.The polymer component contains a polar polyethylene, for example, a low density polyethylene (LDPE) copolymer containing at least a polar comonomer.

Под полярным сомономером подразумевают сомономер, содержащий по меньшей мере одну полярную связь и имеющий суммарный электрический диполь, то есть область суммарного положительного заряда и область суммарного отрицательного заряда.By polar comonomer is meant a comonomer containing at least one polar bond and having a net electric dipole, that is, a region of net positive charge and a region of net negative charge.

В качестве полярного сомономера можно применять соединение (соединения), содержащее гидроксильную группу (группы), алкоксигруппу (группы), карбонильную группу (группы), карбоксильную группу (группы), простую эфирную группу (группы) или сложноэфирную группу (группы) или смесь указанных соединений.As a polar comonomer, a compound(s) containing hydroxyl group(s), alkoxy group(s), carbonyl group(s), carboxyl group(s), ether group(s) or ester group(s) or a mixture of these can be used. connections.

Кроме того, если полярный полиэтилен, кроме полярного сомономера, содержит неполярный сомономер, неполярный сомономер представляет собой соединение (соединения), не содержащее гидроксильную группу (группы), алкоксигруппу (группы), карбонильную группу (группы) карбоксильную группу (группы), простую эфирную группу (группы) или сложноэфирную группу (группы).In addition, if the polar polyethylene, in addition to the polar comonomer, contains a non-polar comonomer, the non-polar comonomer is a compound(s) that does not contain hydroxyl group(s), alkoxy group(s), carbonyl group(s), carboxyl group(s), ether group(s) or ester group(s).

Полярный полиэтилен способствует лучшему диспергированию проводящего компонента, например, технического углерода, повышению адгезии и улучшению технологичности.Polar polyethylene promotes better dispersion of the conductive component, such as carbon black, increasing adhesion and improving manufacturability.

Количество указанного полимерного компонента в указанной полупроводниковой полимерной композиции согласно настоящему изобретению предпочтительно составляет от 40 до 75 мас.%, более предпочтительно от 50 до 70 мас.%.The amount of said polymer component in said semiconductor polymer composition according to the present invention is preferably 40 to 75 mass%, more preferably 50 to 70 mass%.

Полимерный компонент согласно настоящему изобретению может, необязательно, содержать ненасыщенность, которая предпочтительно может быть обеспечена сополимеризацией этилена с по меньшей мере одним полиненасыщенным сомономером, как определено выше, и/или применением агента передачи цепи, такого как пропилен. Такие полимеры хорошо известны и описаны, например, в WO 93/08222, ЕР 1695996 или WO 2006/131266. Обычно указанные ненасыщенные полиолефины имеют содержание двойных связей более 0,1 двойных связей/1000 С-атомов.The polymer component of the present invention may optionally contain unsaturation, which may preferably be provided by copolymerizing ethylene with at least one polyunsaturated comonomer as defined above and/or using a chain transfer agent such as propylene. Such polymers are well known and are described, for example, in WO 93/08222, EP 1695996 or WO 2006/131266. Typically, these unsaturated polyolefins have a double bond content of more than 0.1 double bonds/1000 C atoms.

То, что полиэтилен является ненасыщенным, означает в настоящем описании, что полиэтилен содержит углерод-углеродные двойные связи. Углерод-углеродные двойные связи в настоящем описании означают ненасыщенности. Полиэтилен, как описано в настоящем документе, может содержать винильные группы, например, аллильные группы. Винильные группы представляют собой функциональные группы, которые содержат углерод-углеродные двойные связи. Используемый здесь термин винильная группа имеет общепринятое значение, то есть фрагмент -СН=СН₂. Кроме того, полиэтилен может дополнительно содержать другие функциональные группы, также содержащие углерод-углеродные двойные связи. Другими функциональными группами, также содержащими углерод-углеродные двойные связи, могут быть, например, винилиденовые группы и/или виниленовые группы. Виниленовая группа имеет цис- или транс-конфигурацию. Во избежание сомнений, согласно терминам, применяемым в настоящем документе, винилиденовые группы и виниленовые группы не являются винильными группами.The fact that polyethylene is unsaturated means in the present description that the polyethylene contains carbon-carbon double bonds. Carbon-carbon double bonds as used herein refer to unsaturations. Polyethylene, as described herein, may contain vinyl groups, for example, allyl groups. Vinyl groups are functional groups that contain carbon-carbon double bonds. As used herein, the term vinyl group has its generally accepted meaning, that is, the moiety -CH= _CH2 . In addition, polyethylene may additionally contain other functional groups also containing carbon-carbon double bonds. Other functional groups also containing carbon-carbon double bonds may be, for example, vinylidene groups and/or vinylene groups. The vinylene group has a cis or trans configuration. For the avoidance of doubt, as used herein, vinylidene groups and vinylene groups are not vinyl groups.

Если полимерный компонент указанной полупроводниковой полимерной композиции содержит полярный полиэтилен, который представляет собой ненасыщенный сополимер, содержащий по меньшей мере один полиненасыщенный сомономер, то указанный полиненасыщенный сомономер представляетIf the polymer component of said semiconductor polymer composition contains polar polyethylene, which is an unsaturated copolymer containing at least one polyunsaturated comonomer, then said polyunsaturated comonomer is

- 5 045134 собой прямую углеродную цепь с по меньшей мере 8 атомами углерода и по меньшей мере 4 атомами углерода между несопряженными двойными связями, из которых по меньшей мере одна является концевой.- 5 045134 is a straight carbon chain with at least 8 carbon atoms and at least 4 carbon atoms between non-conjugated double bonds, at least one of which is terminal.

Хорошо известно, что, например, пропилен можно использовать в качестве сомономера или в качестве агента передачи цепи (АПЦ), или в обоих случаях, благодаря чему он может вносить вклад в ненасыщенность, например, в количество винильных групп в полиэтилене. Здесь при использовании сополимеризуемого АПЦ, такого как пропилен, сополимеризованный АПЦ не рассчитывается на содержание исходного сомономера.It is well known that, for example, propylene can be used as a comonomer or as a chain transfer agent (CAA), or both, whereby it can contribute to unsaturation, for example, the number of vinyl groups in polyethylene. Here, when using a copolymerizable APC such as propylene, the copolymerized APC is not calculated to contain the original comonomer.

В другом варианте реализации согласно настоящему изобретению описана полупроводниковая полимерная композиция, в которой указанный полимерный компонент представляет собой полярный полиэтиленовый сополимер, где сомономер выбран из одного или нескольких полярных сомономеров, а полярный полиэтиленовый сополимер может, необязательно, содержать ненасыщенность, которую обеспечивают, например, сополимеризацией этилена по меньшей мере с одним полиненасыщенным сомономером и/или, например, применением агента передачи цепи, например, пропилена.In another embodiment, the present invention describes a semiconducting polymer composition, wherein said polymer component is a polar polyethylene copolymer, wherein the comonomer is selected from one or more polar comonomers, and the polar polyethylene copolymer may optionally contain unsaturation, which is provided by, for example, copolymerization ethylene with at least one polyunsaturated comonomer and/or, for example, the use of a chain transfer agent, for example propylene.

Кроме того, указанный полиненасыщенный сомономер может представлять собой диен, например, диен, который содержит по меньшей мере 8 атомов углерода, причем первая углерод-углеродная двойная связь является концевой, а вторая углерод-углеродная двойная связь не сопряжена с первой (диены группы 1). Примеры диенов могут быть выбраны из несопряженных диенов C₈-C= или их смесей, например, выбраны из 1,7-октадиена, 1,9-декадиена, 1,11-додекадиена, 1,13-тетрадекадиена, 7-метил-1,6-октадиена, 9-метил-1,8-декадиена или смесей указанных соединений. В другом варианте реализации диен выбран из 1,7-октадиена, 1,9-декадиена, 1,11-додекадиена, 1,13-тетрадекадиена или любой смеси указанных соединений.In addition, said polyunsaturated comonomer may be a diene, for example, a diene that contains at least 8 carbon atoms, the first carbon-carbon double bond being terminal and the second carbon-carbon double bond not conjugated to the first (Group 1 dienes) . Examples of dienes may be selected from non-conjugated C ₈ -C= dienes or mixtures thereof, for example selected from 1,7-octadiene, 1,9-decadiene, 1,11-dodecadiene, 1,13-tetradecadiene, 7-methyl-1 ,6-octadiene, 9-methyl-1,8-decadiene or mixtures of these compounds. In another embodiment, the diene is selected from 1,7-octadiene, 1,9-decadiene, 1,11-dodecadiene, 1,13-tetradecadiene, or any mixture of these compounds.

Подходящим ПЭНП-сополимером этилена с по меньшей мере полярным сомономером (сомономерами) является сополимер этилена и:A suitable LDPE copolymer of ethylene with at least polar comonomer(s) is a copolymer of ethylene and:

виниловых сложных эфиров монокарбоновых кислот, содержащих от 1 до 4 атомов углерода, таких как винилацетат (ЭВА), (мет)акрилатов спиртов, содержащих от 1 до 4 атомов углерода, таких как метил(мет)акрилат (ЭМА & ЭММА), бутилакрилата (ЭБА), этилакрилата (ЭЭА) и метилакрилата (ЭМА).vinyl esters of monocarboxylic acids containing 1 to 4 carbon atoms, such as vinyl acetate (EVA), alcohol (meth)acrylates containing 1 to 4 carbon atoms, such as methyl (meth)acrylate (EMA & EMMA), butyl acrylate ( EBA), ethyl acrylate (EEA) and methyl acrylate (EMA).

Термины (мет)акр иловая кислота и (мет)акрилат предназначены для охвата как акриловой кислоты, так и метакриловой кислоты и, соответственно, метакрилата и акрилата.The terms (meth)acrylic acid and (meth)acrylate are intended to cover both acrylic acid and methacrylic acid and, respectively, methacrylate and acrylate.

В другом варианте реализации согласно настоящему изобретению описана полупроводниковая полимерная композиция, в которой указанный полимерный компонент представляет собой полярный полиэтиленовый сополимер, в котором сомономер выбран из одного или нескольких полярных сомономеров и выбран/выбраны из:In another embodiment, the present invention discloses a semiconductor polymer composition, wherein said polymer component is a polar polyethylene copolymer, wherein the comonomer is selected from one or more polar comonomers and is/are selected from:

сложных эфиров винилкарбоксилатов, таких как винилацетат и винилпивалат, (мет)акрилатов, таких как метил(мет)акрилат, этил(мет)акрилат, бутил(мет)акрилат и гидроксиэтил(мет)акрилат, олефинненасыщенных карбоновых кислот, таких как (мет)акриловая кислота, малеиновая кислота и фумаровая кислота, производных (мет)акриловой кислоты, таких как (мет)акрилонитрил и (мет)акриламид, виниловых простых эфиров, таких как винилметиловый эфир и винилфениловый эфир; или полярный полиэтиленовый сополимер, представляющий собой сополимер этилена с одним или несколькими виниловыми сложными эфирами монокарбоновых кислот, содержащих от 1 до 4 атомов углерода, например винилацетатом, или с (мет)акрилатами спиртов, содержащих от 1 до 4 атомов углерода, или со смесями указанных соединений, например, метил(мет)акрилатом, этил(мет)акрилатом или бутил(мет)акрилатом, причем представленной в качестве примера подгруппой указанного полярного полиэтиленового сополимера этилена с по меньшей мере полярным сомономером(ами) является полярный полиэтиленовый сополимер этилена с по меньшей мере винилацетатом, полярный полиэтиленовый сополимер этилена с по меньшей мере метилакрилатом, полярный полиэтиленовый сополимер этилена с по меньшей мере этилакрилатом или полярный полиэтиленовый сополимер этилена с по меньшей мере бутилакрилатом; или любая смесь указанных соединений.vinyl carboxylate esters such as vinyl acetate and vinyl pivalate, (meth)acrylates such as methyl (meth)acrylate, ethyl (meth)acrylate, butyl (meth)acrylate and hydroxyethyl (meth)acrylate, olefinically unsaturated carboxylic acids such as (meth)acrylate acrylic acid, maleic acid and fumaric acid, (meth)acrylic acid derivatives such as (meth)acrylonitrile and (meth)acrylamide, vinyl ethers such as vinyl methyl ether and vinyl phenyl ether; or a polar polyethylene copolymer, which is a copolymer of ethylene with one or more vinyl esters of monocarboxylic acids containing from 1 to 4 carbon atoms, for example vinyl acetate, or with (meth)acrylates of alcohols containing from 1 to 4 carbon atoms, or mixtures thereof compounds, for example, methyl(meth)acrylate, ethyl(meth)acrylate or butyl(meth)acrylate, wherein an exemplary subset of said polar polyethylene copolymer of ethylene with at least polar comonomer(s) is a polar polyethylene copolymer of ethylene with at least at least vinyl acetate, a polar polyethylene copolymer of ethylene with at least methyl acrylate, a polar polyethylene copolymer of ethylene with at least ethyl acrylate, or a polar polyethylene copolymer of ethylene with at least butyl acrylate; or any mixture of these compounds.

В другом варианте реализации согласно настоящему изобретению описана полупроводниковая полимерная композиция, в которой указанный полимерный компонент представляет собой полярный полиэтиленовый сополимер, в котором сомономер выбран из одного или нескольких полярных сомономеров и выбран из: сложных эфиров винилкарбоксилатов, таких как винилацетат и винилпивалат, (мет)акрилатов, таких как метил(мет)акрилат, этил(мет)акрилат, бутил(мет)акрилат и гидроксиэтил(мет)акрилат, олефинненасыщенных карбоновых кислот, таких как (мет)акриловая кислота, малеиновая кислота и фумаровая кислота, производных (мет)акриловой кислоты, таких как (мет)акрилонитрил и (мет)акриламид, виниловых простых эфиров, таких как винилметиловый эфир и винилфениловый эфир.In another embodiment, the present invention discloses a semiconducting polymer composition, wherein said polymer component is a polar polyethylene copolymer, wherein the comonomer is selected from one or more polar comonomers and is selected from: vinyl carboxylate esters such as vinyl acetate and vinyl pivalate, (meth) acrylates such as methyl (meth)acrylate, ethyl (meth)acrylate, butyl (meth)acrylate and hydroxyethyl (meth)acrylate, olefinically unsaturated carboxylic acids such as (meth)acrylic acid, maleic acid and fumaric acid, (meth) derivatives acrylic acid such as (meth)acrylonitrile and (meth)acrylamide, vinyl ethers such as vinyl methyl ether and vinyl phenyl ether.

В другом варианте реализации согласно настоящему изобретению описана полупроводниковая по- 6 045134 лимерная композиция, в которой указанный полимерный компонент представляет собой полярный полиэтиленовый сополимер, представляющий собой сополимер этилена с одним или несколькими виниловыми эфирами монокарбоновых кислот, содержащих от 1 до 4 атомов углерода, например винилацетатом, или с (мет)акрилатами спиртов, содержащих от 1 до 4 атомов углерода, или со смесями указанных соединений, например, метил(мет)акрилатом, этил(мет)акрилатом или бутил(мет)акрилатом, где приведенная в качестве примера подгруппа указанного полярного полиэтиленового сополимера этилена с по меньшей мере полярным сомономером (сомономерами) представляет собой полярный полиэтиленовый сополимер этилена с по меньшей мере винилацетатом, полярный полиэтиленовый сополимер этилена с по меньшей мере метилакрилатом, полярный полиэтиленовый сополимер этилена с по меньшей мере этилакрилатом или полярный полиэтиленовый сополимер этилена с по меньшей мере бутилакрилатом, или любую смесь указанных соединений.In another embodiment, the present invention discloses a semiconductor polymer composition wherein said polymer component is a polar polyethylene copolymer, which is a copolymer of ethylene with one or more vinyl esters of monocarboxylic acids containing from 1 to 4 carbon atoms, such as vinyl acetate , or with (meth)acrylates of alcohols containing from 1 to 4 carbon atoms, or with mixtures of these compounds, for example, methyl (meth)acrylate, ethyl (meth)acrylate or butyl (meth)acrylate, wherein an exemplified subgroup of the said The polar polyethylene copolymer of ethylene with at least polar comonomer(s) is a polar polyethylene copolymer of ethylene with at least vinyl acetate, a polar polyethylene copolymer of ethylene with at least methyl acrylate, a polar polyethylene copolymer of ethylene with at least ethyl acrylate, or a polar polyethylene copolymer of ethylene. and with at least butyl acrylate, or any mixture of these compounds.

Более предпочтительно, указанный ПЭНП-сополимер этилена с по меньшей мере полярным сомономером (сомономерами) представляет собой ПЭНП-сополимер этилена с одним или несколькими виниловыми эфирами монокарбоновых кислот, содержащих от 1 до 4 атомов углерода, такими как винилацетат, или с (мет)акрилатами спиртов, содержащих от 1 до 4 атомов углерода, или со смесями указанных соединений, предпочтительно с метил(мет)акрилатом, этил(мет)акрилатом или бутил(мет)акрилатом. Предпочтительной подгруппой указанного ПЭНП-сополимера этилена с по меньшей мере полярным сомономером (сомономерами) является ПЭНП-сополимер этилена с по меньшей мере винилацетатом, ПЭНП-сополимер этилена с по меньшей мере метилакрилатом, ПЭНП-сополимер этилена с по меньшей мере этилакрилатом или ПЭНП-сополимер этилена с по меньшей мере бутилакрилатом, или любые смеси указанных соединений.More preferably, said LDPE copolymer of ethylene with at least polar comonomer(s) is a LDPE copolymer of ethylene with one or more vinyl esters of monocarboxylic acids containing from 1 to 4 carbon atoms, such as vinyl acetate, or with (meth)acrylates alcohols containing from 1 to 4 carbon atoms, or mixtures of these compounds, preferably methyl (meth)acrylate, ethyl (meth)acrylate or butyl (meth)acrylate. A preferred subset of said LDPE ethylene copolymer with at least polar comonomer(s) is LDPE ethylene copolymer with at least vinyl acetate, LDPE ethylene copolymer with at least methyl acrylate, LDPE ethylene copolymer with at least ethyl acrylate, or LDPE copolymer ethylene with at least butyl acrylate, or any mixtures of these compounds.

Содержание полярного сомономера в указанном ПЭНП-сополимере этилена с по меньшей мере полярным сомономером (сомономерами), как определено выше, в качестве указанного полимерного компонента, наиболее предпочтительно, не ограничено и может составлять до 70 мас.%, предпочтительно от 0,5 до 35 мас.%, более предпочтительно от 1,0 до 35 мас.% от общего количества указанного сополимера ПЭНП.The polar comonomer content of said LDPE copolymer of ethylene with at least polar comonomer(s) as defined above as said polymer component is most preferably not limited and may be up to 70 wt.%, preferably from 0.5 to 35 wt.%, more preferably from 1.0 to 35 wt.% of the total amount of said LDPE copolymer.

Количество сомономерных звеньев, содержащих полярную группу, в полярном полиэтилене составляет от 5 до 40 мас.%, предпочтительно, от 10 до 30 мас.% и еще более предпочтительно, от 10 до 25 мас.%.The amount of comonomer units containing a polar group in the polar polyethylene is from 5 to 40% by weight, preferably from 10 to 30% by weight and even more preferably from 10 to 25% by weight.

В подходящем варианте реализации общее количество полярных сомономеров в полярном полиэтилене составляет от 1 до 20 мас.%, предпочтительно, от 5 до 20 мас.%.In a suitable embodiment, the total amount of polar comonomers in the polar polyethylene is from 1 to 20 wt.%, preferably from 5 to 20 wt.%.

В другом варианте реализации согласно настоящему изобретению описана полупроводниковая полимерная композиция, в которой содержание полярного сомономера в указанном полярном полиэтиленовом сополимере этилена с по меньшей мере полярным сомономером (сомономерами), например, в качестве указанного полимерного компонента, не ограничено и может составлять до 70 мас.%, например, от 0,5 до 35 мас.%, например, от 1,0 до 35 мас.%, от общего количества указанного полярного полиэтиленового сополимера.In another embodiment, according to the present invention, a semiconductor polymer composition is described, in which the content of polar comonomer in the specified polar polyethylene copolymer of ethylene with at least polar comonomer(s), for example, as the specified polymer component, is not limited and can be up to 70 wt. %, for example from 0.5 to 35 wt.%, for example from 1.0 to 35 wt.%, of the total amount of said polar polyethylene copolymer.

Кроме того, содержание полярного сомономера в указанном полярном полиэтиленовом сополимере этилена с по меньшей мере полярным сомономером (сомономерами), например, в качестве указанного полимерного компонента, в других вариантах реализации может составлять до 60 мас.%, до 55 мас.%, до 50 мас.%, до 45 мас.% или до 40 мас.%.In addition, the polar comonomer content of said polar polyethylene copolymer of ethylene with at least polar comonomer(s), for example, as said polymer component, in other embodiments may be up to 60 wt.%, up to 55 wt.%, up to 50 wt.%, up to 45 wt.% or up to 40 wt.%.

Кроме того, содержание полярного сомономера в указанном полярном полиэтиленовом сополимере этилена с, по меньшей мере, полярным сомономером (сомономерами), например, в качестве указанного полимерного компонента, может в других вариантах реализации составлять, например, от 0,5 до 40 мас.%, например, от 1,0 до 40 мас.%, например, от 2 до 40 мас.%, например, от 3 до 40 мас.%, например, от 4 до 40 мас.%, например, от 5 до 40 мас.%, например, от 2 до 35 мас.%, например, от 3 до 35 мас.%, например, от 4 до 35 мас.%, например, от 5 до 35 мас.%, например, от 0,5 до 30 мас.%, например, от 1,0 до 30 мас.%, например, от 2 до 30 мас.%, например, от 3 до 30 мас.%, или, например, 4 до 30 мас.%, например от 5 до 30 мас.% от общего количества указанного полярного полиэтиленового сополимера.In addition, the polar comonomer content of said polar polyethylene copolymer of ethylene with at least polar comonomer(s), for example, as said polymer component, may in other embodiments be, for example, from 0.5 to 40 wt.% , for example, from 1.0 to 40 wt.%, for example, from 2 to 40 wt.%, for example, from 3 to 40 wt.%, for example, from 4 to 40 wt.%, for example, from 5 to 40 wt. .%, for example from 2 to 35 wt.%, for example from 3 to 35 wt.%, for example from 4 to 35 wt.%, for example from 5 to 35 wt.%, for example from 0.5 to 30 wt.%, for example from 1.0 to 30 wt.%, for example from 2 to 30 wt.%, for example from 3 to 30 wt.%, or, for example, 4 to 30 wt.%, for example from 5 to 30 wt.% of the total amount of the specified polar polyethylene copolymer.

Кроме того, особенно подходящими сомономерами являются бутилакрилат, этилакрилат и метилакрилат.In addition, butyl acrylate, ethyl acrylate and methyl acrylate are particularly suitable comonomers.

Полимеризация под высоким давлением для получения упомянутого гомо- или сополимера ПЭНП и подгрупп, как определено в настоящем документе, является хорошо известной технологией в области полимеров и ее можно проводить в трубчатом или автоклавном реакторе, предпочтительно, в трубчатом реакторе. Полимеризацию под высоким давлением проводят подходящим образом известным способом, например, при температуре от 80 до 350°C и давлении от 100 до 400 МПа, обычно в присутствии инициатора реакции свободнорадикальной полимеризации. Дополнительные подробности о радикальной полимеризации под высоким давлением приведены в WO 93/08222. Полимеризацию способом высокого давления обычно проводят при давлениях от 1200 до 3500 бар и температуре от 150 до 350°C.High pressure polymerization to produce said LDPE homo- or copolymer and subgroups as defined herein is well known technology in the polymer field and can be carried out in a tubular or autoclave reactor, preferably a tubular reactor. High pressure polymerization is carried out suitably in a known manner, for example at a temperature of 80 to 350° C. and a pressure of 100 to 400 MPa, usually in the presence of a free radical polymerization initiator. Further details on high pressure radical polymerization are given in WO 93/08222. High pressure polymerization is usually carried out at pressures from 1200 to 3500 bar and temperatures from 150 to 350°C.

ПТР₂₁ указанной полупроводниковой полимерной композиции обычно может составлять, по меньшей мере, 1,0 г/10 мин, подходяще, по меньшей мере, 3,0 г/10 мин, предпочтительно, по меньшей мере,The MFR ₂₁ of said semiconductor polymer composition may typically be at least 1.0 g/10 min, suitably at least 3.0 g/10 min, preferably at least

- 7 045134- 7 045134

5,0 г/10 мин, более предпочтительно, по меньшей мере, 6,0 г/10 мин, еще более предпочтительно по меньшей мере 8,0 г/10 мин, при измерении в соответствии с ISO1133, с нагрузкой 21,6 кг, при 190°C. ПТР₂₁ измеряют для указанного полупроводникового состава (составов) в отсутствие сшивающего агента. Верхний предел ПТР₂₁ указанной полупроводниковой полимерной композиции не ограничен и может составлять, например, до 100 г/10 мин, например до 80 г/10 мин, предпочтительно до 60 г/10 мин, более предпочтительно до 50 г/10 мин, при определении, как указано выше.5.0 g/10 min, more preferably at least 6.0 g/10 min, even more preferably at least 8.0 g/10 min, measured in accordance with ISO1133, with a load of 21.6 kg , at 190°C. MFR ₂₁ is measured for the specified semiconductor composition(s) in the absence of a cross-linking agent. The upper limit of the MFR ₂₁ of the said semiconductor polymer composition is not limited and can be, for example, up to 100 g/10 min, for example up to 80 g/10 min, preferably up to 60 g/10 min, more preferably up to 50 g/10 min, when determining , as mentioned above.

Согласно настоящему изобретению указанная полупроводниковая полимерная композиция находится в форме гранул. Термин гранулы включает здесь гранулы и пеллеты любой формы и типа, они очень хорошо известны и могут быть получены известным способом с использованием обычного оборудования для гранулирования.According to the present invention, said semiconductor polymer composition is in the form of granules. The term granules herein includes granules and pellets of any shape and type, they are very well known and can be produced in a known manner using conventional granulation equipment.

Указанная полупроводниковая полимерная композиция может содержать дополнительные компоненты, обычно добавки, такие как антиоксиданты, усилители сшивания, замедлители подвулканизации, технологические добавки, наполнители, агенты сочетания, поглотители ультрафиолета, стабилизаторы, антистатические агенты, агенты зародышеобразования, агенты скольжения, пластификаторы, смазывающие вещества, агенты контроля вязкости, повышающие клейкость агенты, антиблокирующие агенты, поверхностно-активные вещества, масла-наполнители, поглотители кислот и/или деактиваторы металлов.Said semiconductor polymer composition may contain additional components, typically additives, such as antioxidants, crosslinking enhancers, scorch retarders, processing aids, fillers, coupling agents, ultraviolet absorbers, stabilizers, antistatic agents, nucleation agents, glidants, plasticizers, lubricants, agents viscosity control agents, tackifiers, antiblocking agents, surfactants, extender oils, acid scavengers and/or metal deactivators.

Примерами таких антиоксидантов, без ограничения являются следующие: затрудненные фенолы, такие как тетракис-[метилен-(3,5-ди-трет-бутил-4-гидроксигидроциннамат)]-метан; бис-[(бета-(3,5дитрет-бутил-4-гидроксибензил)-метилкарбоксиэтил)]-сульфид, 4,4'-тиобис-(2-метил-6-трет-бутилфенол), 4,4'-тиобис-(2-трет-бутил-5-метилфенол), 2,2'-тиобис-(4-метил-6-трет-бутилфенол) и тиодиэтилен-бис(3,5-ди-трет-бутил-4-гидрокси)-гидроциннамат; фосфиты и фосфониты, такие как трис-(2,4-ди-третбутилфенил)-фосфит и ди-трет-бутилфенилфосфонит; тиосоединения, такие как дилаурилтиодипропионат, димиристилтиодипропионат и дистеарилтиодипропионат; различные силоксаны; полимеризованный 2,2,4-триметил-1,2-дигидрохинолин, n,n'-бис-(1,4-диметилпентил-п-фенилендиамин), алкилированные дифениламины, 4,4'-бис-(альфа,альфа-диметилбензил)-дифениламин, дифенил-п-фенилендиамин, смешанные диарил-п-фенилендиамины, 2,2'-оксамидо-бис-(этил-3-(3,5-ди-трет-бутил-4-гидроксифенил)-пропионат) и другие затрудненные аминные препятствующие разложению агенты или стабилизаторы. Антиоксиданты можно применять в количестве от примерно 0,1 до примерно 5 процентов по массе в расчете на массу композиции.Examples of such antioxidants, without limitation, include the following: hindered phenols such as tetrakis-[methylene-(3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyhydrocinnamate)]-methane; bis-[(beta-(3,5di-tert-butyl-4-hydroxybenzyl)-methylcarboxyethyl)]-sulfide, 4,4'-thiobis-(2-methyl-6-tert-butylphenol), 4,4'-thiobis- (2-tert-butyl-5-methylphenol), 2,2'-thiobis-(4-methyl-6-tert-butylphenol) and thiodiethylene-bis(3,5-di-tert-butyl-4-hydroxy)- hydrocinnamate; phosphites and phosphonites such as tris-(2,4-di-tert-butylphenyl)-phosphite and di-tert-butylphenylphosphonite; thio compounds such as dilauryl thiodipropionate, dimyristyl thiodipropionate and distearyl thiodipropionate; various siloxanes; polymerized 2,2,4-trimethyl-1,2-dihydroquinoline, n,n'-bis-(1,4-dimethylpentyl-p-phenylenediamine), alkylated diphenylamines, 4,4'-bis-(alpha,alpha-dimethylbenzyl )-diphenylamine, diphenyl-p-phenylenediamine, mixed diaryl-p-phenylenediamines, 2,2'-oxamido-bis-(ethyl-3-(3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl)-propionate) and other hindered amine anti-decomposition agents or stabilizers. Antioxidants can be used in an amount of from about 0.1 to about 5 percent by weight, based on the weight of the composition.

Полупроводниковая полимерная композиция согласно настоящему изобретению может содержать дополнительные компоненты, например добавки и/или дополнительные полимерные компоненты. Примерами наполнителей в качестве добавок являются: глины, осажденный диоксид кремния и силикаты, коллоидный диоксид кремния, карбонат кальция, измельченные минералы и дополнительный технический углерод. Наполнители можно применять в количествах в диапазоне от менее чем около 0,01 до более чем около 50 процентов по массе в расчете на массу композиции.The semiconductor polymer composition of the present invention may contain additional components, such as additives and/or additional polymer components. Examples of filler additives include: clays, precipitated silica and silicates, colloidal silica, calcium carbonate, ground minerals and additional carbon black. Fillers can be used in amounts ranging from less than about 0.01 to more than about 50 weight percent based on the weight of the composition.

Смешивание после введения полимерного компонента и необязательных добавок в процесс приготовления осуществляют при повышенной температуре, и это обычно приводит к смешиванию в расплаве, обычно более чем на 10°C выше, предпочтительно более чем на 25°C, выше температуры плавления полимерного компонента (компонентов), и ниже нежелательной температуры разложения компонентов, предпочтительно ниже 250°C, более предпочтительно, ниже 220°C, более предпочтительно, от 155 до 210°C, в зависимости от применяемого полимерного материала.Mixing after introducing the polymer component and optional additives into the preparation process is carried out at an elevated temperature, and this typically results in melt mixing, typically more than 10°C above, preferably more than 25°C, above the melting point of the polymer component(s) , and below the undesirable decomposition temperature of the components, preferably below 250°C, more preferably below 220°C, more preferably from 155 to 210°C, depending on the polymer material used.

Предпочтительно указанный способ получения согласно настоящему изобретению дополнительно включает стадию гранулирования полученной полимерной смеси. Гранулирование можно осуществлять общеизвестным образом, используя обычное оборудование для гранулирования, такое как, предпочтительно, обычный экструдер для гранулирования, интегрированный с указанным смесительным устройством. Способ согласно настощему изобретению можно осуществлять в периодическом или непрерывном режиме.Preferably, said production method according to the present invention further includes the step of granulating the resulting polymer mixture. Granulation can be carried out in a generally known manner using conventional granulation equipment, such as preferably a conventional granulation extruder integrated with said mixing device. The method according to the present invention can be carried out in batch or continuous mode.

Устройства, применяемые для осуществления способа согласно настоящему изобретению, представляют собой, например, одношнековый или двухшнековый смеситель или месильный экструдер или их комбинацию, которые предпочтительно интегрированы с устройством для гранулирования. Аппарат (аппараты) может работать в периодическом или, предпочтительно, в непрерывном режиме. Способ может включать дополнительную последующую стадию просеивания перед предпочтительной стадией гранулирования, которую также обычно применяют в существующем уровне техники при получении полупроводниковых полимерных композиций для ограничения количества крупных частиц.The devices used to carry out the method according to the present invention are, for example, a single or twin screw mixer or a kneading extruder or a combination thereof, which are preferably integrated with a granulation device. The apparatus(es) may be operated in batch mode or, preferably, in continuous mode. The method may include an additional subsequent screening step prior to the preferred granulation step, which is also commonly used in the state of the art in the preparation of semiconductor polymer compositions to limit the number of large particles.

Изобретение, кроме того, относится к применению полупроводниковой полимерной композиции в форме гранул для производства полупроводникового слоя силового кабеля. Другой аспект настоящего изобретения относится к кабелю электропитания, содержащему по меньшей мере один полупроводниковый слой, причем указанный слой получают путем экструзии или совместной экструзии полупроводниковой полимерной композиции, как описано выше.The invention further relates to the use of a semiconductor polymer composition in the form of granules for the production of a semiconductor layer of a power cable. Another aspect of the present invention relates to a power cable comprising at least one semiconductor layer, said layer being produced by extrusion or co-extrusion of a semiconductor polymer composition as described above.

Предпочтительно силовой кабель может содержать проводник, внутренний полупроводниковый слой (а), изоляционный слой (б) и внешний полупроводниковый слой (с), каждый из которых нанесен наPreferably, the power cable may comprise a conductor, an inner semiconductor layer (a), an insulating layer (b) and an outer semiconductor layer (c), each of which is applied to

- 8 045134 проводник в указанном порядке, причем по меньшей мере один из внутреннего и внешнего полупроводникового слоя (слоев) (а; с) содержит полупроводниковую полимерную композицию согласно настоящему изобретению, как описано выше.- 8 045134 conductor in the stated order, wherein at least one of the inner and outer semiconductor layer(s) (a; c) contains a semiconductor polymer composition according to the present invention, as described above.

В дополнительном предпочтительном варианте реализации силового кабеля согласно настоящему изобретению как внутренний (а), так и внешний (с) полупроводниковые слои содержат, более предпочтительно, состоят из полупроводниковой полимерной композиции согласно настоящему изобретению.In a further preferred embodiment of the power cable according to the present invention, both the inner (a) and outer (c) semiconductor layers comprise, more preferably consist of, a semiconductor polymer composition according to the present invention.

В дополнительном предпочтительном варианте реализации, по меньшей мере, один из внутреннего и внешнего полупроводниковых слоев (а; с) является сшиваемым, предпочтительно, чтобы как внутренний (а), так и внешний (с) полупроводниковые слои являлись сшиваемыми.In a further preferred embodiment, at least one of the inner and outer semiconductor layers (a; c) is cross-linkable, preferably both the inner (a) and outer (c) semiconductor layers are cross-linkable.

Изоляционный слой (b) хорошо известен в области силовых кабелей и может содержать любой полимерный материал, подходящий и/или обычно применяемый для указанного изоляционного слоя. Также изоляционный слой (b) предпочтительно является сшиваемым.The insulating layer (b) is well known in the field of power cables and may comprise any polymeric material suitable and/or commonly used for said insulating layer. Also, the insulating layer (b) is preferably crosslinkable.

Соответственно, согласно настоящему изобретению предложен способ производства силового кабеля, включающий смешивание полупроводниковой полимерной композиции согласно настоящему изобретению, как определено выше, включая любые ее подгруппы, необязательно, с другими полимерными компонентами и, необязательно, с добавками, при температуре выше температуры плавления, по меньшей мере, основного полимерного компонента (компонентов) полученной смеси, и экструдирование полученной расплавленной смеси на проводнике для формирования по меньшей мере одного полупроводникового полимерного слоя на проводнике для силового кабеля. Температуры обработки и устройства хорошо известны в данной области техники. Предпочтительно указанную полупроводниковую полимерную композицию согласно настоящему изобретению применяют в форме гранул, которые вводят на стадию смешивания и смешивают в расплаве.Accordingly, the present invention provides a method for producing a power cable, comprising mixing a semiconductor polymer composition according to the present invention as defined above, including any subsets thereof, optionally with other polymer components and optionally with additives, at a temperature above the melting point of at least at least the major polymer component(s) of the resulting mixture, and extruding the resulting molten mixture onto a conductor to form at least one semiconductor polymer layer on the conductor for the power cable. Processing temperatures and devices are well known in the art. Preferably, the semiconductor polymer composition according to the present invention is used in the form of granules, which are introduced into the mixing step and melt mixed.

Предпочтительно, полупроводниковую полимерную композицию совместно экструдируют на проводнике вместе с одной или несколькими дополнительными полимерными композициями, образующими слой (слои) кабелей, обеспечивая таким образом многослойный силовой кабель, предпочтительно многослойный силовой кабель, как определено выше. После создания многослойной структуры силового кабеля, предпочтительно многослойного силового кабеля, как определено выше, полученный кабель затем сшивают на последующем этапе сшивания, т.е. указанный процесс подготовки кабеля включает дополнительный этап сшивания полученного силового кабеля, как определено выше, путем реакции указанного по меньшей мере одного полупроводникового слоя, содержащего указанную композицию полупроводникового полимера, как определено выше, причем указанный слой является сшиваемым под действием указанного сшивающего агента посредством радикальной реакции.Preferably, the semiconductor polymer composition is co-extruded onto the conductor along with one or more additional polymer compositions forming the cable layer(s), thereby providing a multilayer power cable, preferably a multilayer power cable as defined above. After creating a multi-layer power cable structure, preferably a multi-layer power cable as defined above, the resulting cable is then cross-linked in a subsequent cross-linking step, i.e. said cable preparation process includes the further step of cross-linking the resulting power cable as defined above by reacting said at least one semiconductor layer containing said semiconductor polymer composition as defined above, said layer being cross-linkable by said cross-linking agent via a radical reaction.

Предпочтительно, указанный, по меньшей мере, один полупроводниковый кабельный слой сшивают во время способа получения указанного кабеля посредством радикальной реакции с использованием сшивающего агента.Preferably, said at least one semiconductor cable layer is cross-linked during a process for producing said cable through a radical reaction using a cross-linking agent.

Этап сшивания соответствующим образом рассматривают как интегрированный последующий этап способа получения кабеля в зоне сшивания. Как известно, сшивание можно осуществлять при температуре, по меньшей мере, 160°C и выше, например, выше 170°C, например, выше 180°C. Сшитый кабель затем извлекают и при необходимости дополнительно обрабатывают.The cross-linking step is suitably considered as an integrated subsequent step of the cable production process in the cross-linking zone. As is known, crosslinking can be carried out at a temperature of at least 160°C and higher, for example above 170°C, for example above 180°C. The cross-linked cable is then removed and further processed if necessary.

Подходящим образом сшивание кабеля представляет собой сшивание посредством радикальной реакции с использованием сшивающего агента, как определено в настоящем документе.Suitably, cable cross-linking is cross-linking via a radical reaction using a cross-linking agent as defined herein.

Таким образом, также предложены указанные сшитые кабели, полученные способом сшивания посредством радикальной реакции с использованием сшивающего агента, как определено в настоящем документе.Thus, also provided are said cross-linked cables produced by a radical reaction cross-linking method using a cross-linking agent as defined herein.

В другом варианте реализации согласно настоящему изобретению описан способ получения полупроводниковой полимерной композиции, как описано в настоящем документе, причем указанный способ включает смешивание полимерного компонента с проводящим компонентом и сшивающим агентом.In another embodiment, the present invention provides a method for preparing a semiconductor polymer composition as described herein, the method comprising mixing a polymer component with a conductive component and a cross-linking agent.

Конечные примененияEnd uses

В одном из вариантов реализации согласно настоящему изобретению предложено изделие, полученное способом, включающим применение полупроводниковой полимерной композиции, как описано в настоящем документе, причем изделие представляет собой, например, кабель, например, силовой кабель.In one embodiment, the present invention provides an article produced by a process involving the use of a semiconductor polymer composition as described herein, the article being, for example, a cable, such as a power cable.

В другом варианте реализации настоящего изобретения предложено изделие, полученное из полупроводниковой полимерной композиции, как описано в настоящем документе.In another embodiment, the present invention provides an article prepared from a semiconductor polymer composition as described herein.

В другом варианте реализации настоящего изобретения предложено изделие, содержащее полупроводниковый слой (слои), который получен/получены из полупроводниковой полимерной композиции, как описано в данном документе, причем изделие представляет собой, например, кабель, например силовой кабель.In another embodiment, the present invention provides an article comprising semiconductor layer(s) that is/are derived from a semiconductor polymer composition as described herein, the article being, for example, a cable, such as a power cable.

Согласно другому варианту реализации силового кабеля внешний полупроводниковый слой может быть зачищаемым или незачищаемым, предпочтительно незачищаемым, то есть связанным. Эти термины известны и описывают свойство отслаивания слоя, которое может быть желательным или нежелательным, в зависимости от конечного применения.According to another embodiment of the power cable, the outer semiconductor layer can be stripped or non-stripped, preferably non-stripped, that is, bonded. These terms are known and describe the peeling property of a layer, which may or may not be desirable depending on the end application.

В дополнительном варианте реализации силового кабеля внешний полупроводниковый слой явля- 9 045134 ется незачищаемым, т.е. связанным.In an additional embodiment of the power cable, the outer semiconductor layer is not stripped, i.e. connected.

В случае зачищаемого полупроводящего слоя полимерный компонент обычно является более полярным и имеет содержание полярного сомономера (сомономеров), по меньшей мере, 20,0 мас.%, например, по меньшей мере, 25,0 мас.%, предпочтительно, по меньшей мере, 26,0 мас.%, более предпочтительно, от 27,0 до 35,0. мас.%, в расчете на общее количество полимерного компонента, и может содержать дополнительные полярные компоненты, способствующие зачищаемости.In the case of a stripped semiconductive layer, the polymer component is typically more polar and has a polar comonomer(s) content of at least 20.0 wt%, for example at least 25.0 wt%, preferably at least 26.0 wt.%, more preferably from 27.0 to 35.0. wt.%, based on the total amount of the polymer component, and may contain additional polar components that promote stripping.

В дополнительном варианте реализации силового кабеля внешний полупроводящий слой является незачищаемым и имеет содержание полярных сомономеров менее 25,0 мас.%, предпочтительно, менее 20,0 мас.%, более предпочтительно, от 10,0 до 18,0 мас.%, в расчете на общее количество полимерного компонента. В некоторых вариантах может быть желательным содержание полярного сомономера от 6,0 до 15,0 мас.% в расчете на общее количество полимерного компонента.In a further embodiment of the power cable, the outer semiconductive layer is non-stripping and has a polar comonomer content of less than 25.0 wt%, preferably less than 20.0 wt%, more preferably 10.0 to 18.0 wt%, in based on the total amount of the polymer component. In some embodiments, it may be desirable to have a polar comonomer content of from 6.0 to 15.0 wt.% based on the total amount of polymer component.

В случае как зачищаемых, так и незачищаемых полупроводниковых слоев, соответственно, слои предпочтительно являются сшиваемыми.In the case of both stripped and non-stripped semiconductor layers, respectively, the layers are preferably crosslinkable.

В другом варианте реализации настоящего изобретения предложено изделие, причем указанное изделие является сшиваемым и получено из полупроводниковой полимерной композиции, как описано в настоящем документе.In another embodiment, the present invention provides an article, wherein the article is crosslinkable and derived from a semiconductor polymer composition as described herein.

В другом варианте реализации настоящего изобретения предложено изделие, причем указанное изделие содержит полупроводниковую полимерную композицию, как описано в настоящем документе.In another embodiment, the present invention provides an article, wherein the article comprises a semiconductor polymer composition as described herein.

В другом варианте реализации настоящего изобретения предложено изделие, которое представляет собой кабель, например, силовой кабель.In another embodiment, the present invention provides an article that is a cable, such as a power cable.

Кроме того, настоящее изобретение очень подходит для применений W&C, в которых изделие представляет собой, например, кабель, который является сшиваемым и содержит один или несколько слоев, причем по меньшей мере один слой получен из полупроводниковой полимерной композиции, как описано в настоящем документе.In addition, the present invention is very suitable for W&C applications in which the product is, for example, a cable that is crosslinkable and contains one or more layers, at least one layer being derived from a semiconductor polymer composition as described herein.

Кроме того, предложен еще один вариант реализации настоящего изобретения, в котором указанный по меньшей мере один слой содержит полупроводниковую полимерную композицию, как описано в настоящем документе.In addition, another embodiment of the present invention is provided, wherein said at least one layer comprises a semiconductor polymer composition as described herein.

В другом варианте реализации настоящего изобретения предложен силовой кабель, полученный из полупроводниковой полимерной композиции, как описано в настоящем документе.In another embodiment of the present invention, there is provided a power cable made from a semiconductor polymer composition as described herein.

Предложен еще один вариант реализации настоящего изобретения, в котором указанное изделие представляет собой силовой кабель переменного тока (АС).Another embodiment of the present invention is proposed, in which the specified product is an alternating current (AC) power cable.

Предложен еще один вариант реализации настоящего изобретения, в котором указанное изделие представляет собой силовой кабель постоянного тока (DC).Another embodiment of the present invention is proposed, in which the product is a direct current (DC) power cable.

Кроме того по меньшей мере один слой кабеля, полученный из полупроводниковой полимерной композиции, может быть, например, полупроводниковым слоем.In addition, at least one layer of the cable obtained from the semiconductor polymer composition may be, for example, a semiconductor layer.

Кроме того, по меньшей мере, один слой кабеля, содержащий полупроводниковую полимерную композицию, может, например, быть полупроводниковым слоем.In addition, at least one layer of the cable containing the semiconductor polymer composition may, for example, be a semiconductor layer.

Кроме того, кабель согласно настоящему изобретению может представлять собой, например, силовой кабель, который содержит, по меньшей мере, внутренний полупроводниковый слой, изоляционный слой и внешний полупроводниковый слой в указанном порядке, причем полупроводниковый слой (слои) получен из полупроводниковой полимерной композиции, как описано в настоящем документе.In addition, the cable according to the present invention may be, for example, a power cable that contains at least an inner semiconductor layer, an insulating layer and an outer semiconductor layer in that order, wherein the semiconductor layer(s) is derived from a semiconductor polymer composition such as described in this document.

В другом варианте реализации полупроводниковый слой (слои) содержит полупроводниковую полимерную композицию, как описано в настоящем документе.In another embodiment, the semiconductor layer(s) comprise a semiconductor polymer composition as described herein.

Под силовым кабелем в настоящем документе понимают кабель, передающий энергию, работающий при любом напряжении. Напряжение, подаваемое на кабель питания, может быть переменным (АС), постоянным (DC) или переходным (импульсным). В одном из вариантов реализации многослойное изделие представляет собой силовой кабель, работающий при напряжениях выше 6 кВ.In this document, a power cable refers to a cable that transmits energy and operates at any voltage. The voltage supplied to the power cable can be alternating (AC), direct (DC) or transient (pulse). In one embodiment, the multilayer product is a power cable operating at voltages above 6 kV.

В другом варианте реализации настоящего изобретения предложен способ изготовления изделия, как описано в настоящем документе, причем указанный способ включает применение полупроводниковой полимерной композиции, как описано в настоящем документе.In another embodiment, the present invention provides a method for making an article as described herein, which method comprises using a semiconductor polymer composition as described herein.

Методы определенияDetermination methods

Если в описании или экспериментальной части не указано иное, для определения свойств использовались следующие методы.Unless otherwise stated in the description or experimental section, the following methods were used to determine properties.

Мас.% = весовой процент.Wt.% = weight percent.

Содержание сомономера:Comonomer content:

Содержание (мас.% и мол.%) полярного сомономера, присутствующего в полимере, и содержание (мас.% и мол.%) силановых групп, содержащих звенья (предпочтительно сомономер), присутствующих в полимерной композиции, здесь означает также в полупроводниковой полимерной композиции (предпочтительно в полимере):The content (wt% and mol%) of polar comonomer present in the polymer and the content (wt% and mol%) of silane group containing units (preferably comonomer) present in the polymer composition here also means in the semiconductor polymer composition (preferably in polymer):

- 10 045134- 10 045134

Количественную спектроскопию ядерного магнитного резонанса (ЯМР) применяли для количественной оценки содержания сомономера в полимере полимерной композиции.Quantitative nuclear magnetic resonance (NMR) spectroscopy was used to quantify the comonomer content of the polymer composition.

Количественные 1Н ЯМР-спектры регистрировали в состоянии раствора с использованием ЯМРспектрометра Bruker Advance III 400, работающего при 400,15 МГц. Все спектры были записаны с использованием стандартной широкополосной обратной 5 мм головки при 100°C с использованием газообразного азота для всех пневматических систем. Приблизительно 200 мг материала растворяли в 1,2тетрахлорэтане-d2 (ТХЭ-d2), используя ди-трет-бутилгидрокситолуол (ВНТ) (CAS 128-37-0) в качестве стабилизатора. Применяли стандартное одноимпульсное возбуждение с использованием 30-градусного импульса, задержкой релаксации 3 с и отсутствием вращения образца. В целом, для одного спектра записывали 16 накоплений, используя 2 холостых сканирования. В общей сложности собирали 32 тыс. точек данных на FID с временем задержки 60 мкс, что соответствует спектральному окну ок. 20 м.д. Затем заполняли FID нулями до 64 тыс. точек данных и применяли экспоненциальную оконную функцию с линейным уширением 0,3 Гц. Эта настройка была выбрана в первую очередь для возможности разрешения количественных сигналов, возникающих в результате сополимеризации метилакрилата и винилтриметилсилоксана, когда оба указанных мономера присутствуют в одном и том же полимере.Quantitative 1H NMR spectra were recorded in solution using a Bruker Advance III 400 NMR spectrometer operating at 400.15 MHz. All spectra were recorded using a standard broadband inverse 5 mm head at 100°C using nitrogen gas for all pneumatic systems. Approximately 200 mg of material was dissolved in 1,2 tetrachloroethane-d2 (TCE-d2) using di-tert-butylhydroxytoluene (BHT) (CAS 128-37-0) as a stabilizer. Standard single-pulse excitation was used using a 30° pulse, a relaxation delay of 3 s, and no sample rotation. In total, 16 acquisitions were recorded per spectrum using 2 blank scans. A total of 32K data points were collected on the FID with a delay time of 60 μs, corresponding to a spectral window of ca. 20 ppm The FID was then filled with zeros up to 64k data points and an exponential windowing function was applied with a linear broadening of 0.3 Hz. This setting was chosen primarily to be able to resolve quantitative signals resulting from the copolymerization of methyl acrylate and vinyltrimethylsiloxane when both monomers are present in the same polymer.

Количественные 1Н ЯМР спектры были обработаны, интегрированы и количественные свойства определяли с помощью пользовательских программ автоматизации спектрального анализа. Для всех химических сдвигов осуществляли внутреннюю привязку к сигналу остаточного протонированного растворителя при 5,95 м.д. При наличии, наблюдали характерные сигналы, возникающие в результате включения винилацетата (ВА), метилакрилата (МА), бутилакрилата (БА) и винилтриметилсилоксана (ВТМС), в различные последовательности сомономеров (см. J. Randall, Macromol. Sci., Rev. Macromol. Chem. Phys. 1989, C29, 201). Все содержания сомономеров рассчитывали относительно всех других мономеров, присутствующих в полимере.Quantitative 1H NMR spectra were processed, integrated and quantitative properties determined using custom spectral analysis automation programs. All chemical shifts were internally referenced to the residual protonated solvent signal at 5.95 ppm. When present, characteristic signals resulting from the incorporation of vinyl acetate (VA), methyl acrylate (MA), butyl acrylate (BA), and vinyl trimethylsiloxane (VTMS) into various comonomer sequences have been observed (see J. Randall, Macromol. Sci., Rev. Macromol Chem. Phys. 1989, C29, 201). All comonomer contents were calculated relative to all other monomers present in the polymer.

Включение винилацетата (ВА) определяли количественно с использованием интеграла сигнала при 4,84 м.д., отнесенного к центрам *ВА, с учетом числа излучающих ядер в сомономере и поправки на перекрытие протонов ОН от ВНТ, при наличии:Vinyl acetate (VA) incorporation was quantified using the integral of the signal at 4.84 ppm assigned to *VA centers, taking into account the number of emitting nuclei in the comonomer and correction for the overlap of OH protons from VNT, in the presence of:

BA = (I*BA - (IArBHT)/2)/1.BA = (I*BA - (IArBHT)/2)/1.

Включение метилакрилата (МА) определяли количественно с использованием интеграла сигнала при 3,65 м.д., отнесенного к центрам 1МА, с учетом количества излучающих ядер в сомономере:Methyl acrylate (MA) incorporation was quantified using the integral of the signal at 3.65 ppm referred to 1MA centers, taking into account the number of emitting nuclei in the comonomer:

MA = I1MA/3.MA = I1MA/3.

Включение бутилакрилата (БА) определяли количественно с использованием интеграла сигнала при 4,08 м.д., отнесенного к центрам 4БА, с учетом количества излучающих ядер в сомономере:The incorporation of butyl acrylate (BA) was quantified using the integral of the signal at 4.08 ppm assigned to 4BA centers, taking into account the number of emitting nuclei in the comonomer:

БА = Т4БА/2.BA = T4BA/2.

Включение винилтриметилсилоксана определяли количественно с использованием интеграла сигнала при 3,56 м.д., отнесенного к центрам 1ВТМС, с учетом количества излучающих ядер в сомономере:The incorporation of vinyltrimethylsiloxane was quantified using the integral of the signal at 3.56 ppm assigned to 1BTMS centers, taking into account the number of emitting nuclei in the comonomer:

ВТМС = Т1ВТМС/9.VTMS = T1VTMS/9.

Наблюдали характеристические сигналы, полученные в результате дополнительного использования ВНТ в качестве стабилизатора. Содержание ВНТ определяли количественно с использованием интеграла сигнала при 6,93 м.д. отнесенного к центрам ArBHT с учетом количества излучающих ядер на молекулу:The characteristic signals obtained as a result of the additional use of BHT as a stabilizer were observed. BHT content was quantified using the integral of the signal at 6.93 ppm. assigned to ArBHT centers taking into account the number of emitting nuclei per molecule:

ВНТ = IArBHT/2.BHT = IArBHT/2.

Содержание этиленового сомономера определяли количественно с использованием интеграла суммарного алифатического (сумм) сигнала от 0,00 до 3,00 м.д. Этот интеграл может включать центры 1BA (3) и аВА (2) из изолированного включения винилацетата, центры *МА и аМА из изолированного включения метилакрилата, центры 1БА (3), 2БА (2), 3БА (2), *БА (1) и аБА (2) из изолированного включения бутилакрилата, центры *ВТМС и аВТМС из изолированного включения винилсилана и алифатические центры от ВНТ, а также центры от полиэтиленовых последовательностей. Общее содержание этиленового сомономера рассчитывали на основе суммарного интеграла и компенсации наблюдаемых сомономерных последовательностей и ВНТ:Ethylene comonomer content was quantified using the integral of the total aliphatic (total) signal from 0.00 to 3.00 ppm. This integral may include centers 1BA (3) and aBA (2) from an isolated inclusion of vinyl acetate, centers *MA and aMA from an isolated inclusion of methyl acrylate, centers 1BA (3), 2BA (2), 3BA (2), *BA (1) and aBA (2) from an isolated butyl acrylate inclusion, *BTMS and aBTMS centers from an isolated vinylsilane inclusion, and aliphatic centers from BHT, as well as centers from polyethylene sequences. The total ethylene comonomer content was calculated based on the total integral and compensation of the observed comonomer sequences and BHT:

Э = (1/4)*[I сумм - 5*ВА - 3*МА - 10*БА - 3*ВТМС - 21*ВНТ].E = (1/4)*[I sum - 5*VA - 3*MA - 10*BA - 3*VTMS - 21*VNT].

Следует отметить, что половина а-сигналов в суммарном сигнале представляет собой этилен, а не сомономер, и что вносится незначительная ошибка из-за невозможности компенсировать два насыщенных конца цепи (S) без связанных участков разветвления. Общие мольные доли данного мономера (М) в полимере рассчитывали как:It should be noted that half of the a-signals in the total signal are ethylene rather than comonomer, and that minor error is introduced due to the inability to compensate for two saturated chain ends (S) without associated branch sites. The total mole fractions of a given monomer (M) in the polymer were calculated as:

дМ = М/(Э + ВА + МА + БА + ВТМС).dM = M/(E + VA + MA + BA + VTMS).

Общее включение сомономера данного мономера (М) в мольных процентах рассчитывали на основе мольных долей стандартным способом:The total comonomer incorporation of a given monomer (M) in mole percent was calculated based on the mole fractions using the standard method:

М[мол.%] = 100*дМ.M[mol.%] = 100*dM.

Общее включение сомономера данного мономера (М) в массовых процентах (мас.%) рассчитывали на основе мольных долей и молекулярной массы мономера (ММ) стандартным способом:The total comonomer inclusion of a given monomer (M) in mass percent (wt%) was calculated based on the mole fractions and molecular weight of the monomer (MM) in a standard way:

М[мас.%]=100*(дМ*ММ)/((дВА*86,09)+(дМА*86,09)+(дБА*128,17)+(дВТМС*148,23)+((1-дВАдМА-дБА-дВТМС)*28,05)),M[wt.%]=100*(dM*MM)/((dVA*86.09)+(dMA*86.09)+(dBA*128.17)+(dVTMS*148.23)+(( 1-dVAdMA-dBA-dVTMS)*28.05)),

- 11 045134 см. также J. Randall, Macromol. Sci., Rev. Macromol. Chem. Phys. 1989, C29, 201.- 11 045134 see also J. Randall, Macromol. Sci., Rev. Macromol. Chem. Phys. 1989, C29, 201.

Специалисту очевидно, что вышеуказанный принцип можно адаптировать аналогично для количественного определения содержания любого другого полярного сомономера (сомономеров), отличного от МА, БА и ВА, если он входит в пределы определения полярного сомономера, приведенные в настоящей заявке, и количественного определения содержания любых других силановых групп, содержащих звенья, отличные от VTMS, если они входят в пределы определения силановых групп, содержащих звенья, указанные в настоящей заявке, путем использования интеграла соответствующего характеристического сигнала.One skilled in the art will appreciate that the above principle can be similarly adapted to quantify the content of any other polar comonomer(s) other than MA, BA and BA, as long as it falls within the polar comonomer definition limits given herein, and to quantify the content of any other silane compounds. groups containing units other than VTMS, if they are within the definition of silane groups containing units specified in this application, by using the integral of the corresponding characteristic signal.

Настоящее изобретение будет дополнительно проиллюстрировано с помощью следующих примеров:The present invention will be further illustrated by the following examples:

Способ 1 - получение сшитой пластины с использованием 1,3 1,4-бис-(трет-бутилпероксиизопропил)-бензола (CAS: 25155-25-3) в качестве пероксида.Method 1 - Preparation of a cross-linked plate using 1,3 1,4-bis-(tert-butylperoxyisopropyl)-benzene (CAS: 25155-25-3) as peroxide.

Сшитую пластину получали из гранул испытуемой полупроводниковой полимерной композиции, т.е. в данном случае из сравнительной полупроводниковой полимерной композиции, которые подвергали литью под давлением с использованием следующих условий: сначала гранулы расплавляли при 120°C в течение 1 мин при давлении 61 Н/см². Затем температуру повышали до 180°C со скоростью 18 К/мин и одновременно повышали давление до 614 Н/см². Температуру поддерживали на уровне 180°C в течение 26 мин. При этом пластины подвергались сшиванию под действием пероксида, содержащегося в полупроводниковой полимерной композиции. Общее время сшивания включало время повышения температуры от 120 до 180°C. После завершения сшивания сшитые пластины, то есть в данном случае сшитую сравнительную полупроводниковую полимерную композицию, охлаждали до комнатной температуры со скоростью охлаждения 15 К/мин, с сохранением давления. Толщина пластин составляла 1,5 мм.The cross-linked wafer was prepared from granules of the semiconductor polymer composition being tested, i.e. in this case from a comparative semiconductor polymer composition, which were injection molded using the following conditions: first, the pellets were melted at 120°C for 1 minute at a pressure of 61 N/cm ² . Then the temperature was increased to 180°C at a rate of 18 K/min and at the same time the pressure was increased to 614 N/cm ² . The temperature was maintained at 180°C for 26 min. In this case, the plates were cross-linked under the influence of peroxide contained in the semiconductor polymer composition. The total cross-linking time included the temperature rise time from 120 to 180°C. After cross-linking was completed, the cross-linked wafers, ie in this case the cross-linked comparative semiconductor polymer composition, were cooled to room temperature at a cooling rate of 15 K/min while maintaining pressure. The thickness of the plates was 1.5 mm.

Способ 2 - получение сшитой пластины с использованием трет-бутилкумилпероксида (CAS: 345761-2) в качестве пероксида.Method 2 - preparing a cross-linked plate using tert-butyl cumyl peroxide (CAS: 345761-2) as peroxide.

Сшитую пластину получали из гранул испытуемой полупроводниковой полимерной композиции, т.е. полупроводниковой полимерной композиции согласно настоящему изобретению и сравнительной полупроводниковой полимерной композиции, которые подвергали литью под давлением с использованием следующих условий: сначала гранулы расплавляли при 120°C в течение 1 мин при давлении 61 Н/см². Затем температуру повышали до 180°C со скоростью 18 К/мин и одновременно повышали давление до 614 Н/см². Температуру поддерживали на уровне 180°C в течение 24 мин. При этом пластины подвергались сшиванию под действием пероксида, содержащегося в полупроводниковой полимерной композиции. Общее время сшивания включало время повышения температуры от 120 до 180°C. После завершения сшивания сшитые пластины, то есть сшитую полупроводниковую полимерную композицию согласно настощему изобретению и сшитую сравнительную полупроводниковую полимерную композицию, охлаждали до комнатной температуры со скоростью охлаждения 15 К/мин, с сохранением давления. Толщина пластин составляла 1,5 мм.The cross-linked wafer was prepared from granules of the semiconductor polymer composition being tested, i.e. semiconductor resin composition according to the present invention and a comparative semiconductor resin composition, which were injection molded using the following conditions: first, the pellets were melted at 120°C for 1 minute at a pressure of 61 N/cm ² . Then the temperature was increased to 180°C at a rate of 18 K/min and at the same time the pressure was increased to 614 N/cm ² . The temperature was maintained at 180°C for 24 min. In this case, the plates were cross-linked under the influence of peroxide contained in the semiconductor polymer composition. The total cross-linking time included the temperature rise time from 120 to 180°C. After completion of crosslinking, the crosslinked wafers, that is, the crosslinked semiconductor resin composition of the present invention and the crosslinked comparative semiconductor resin composition, were cooled to room temperature at a cooling rate of 15 K/min while maintaining pressure. The thickness of the plates was 1.5 mm.

Способ 3 - получение сшитой пластины с использованием 2,5-диметил-2,5-ди-(трет-бутилперокси)гексина-3 (CAS: 1068-27-5) в качестве пероксида.Method 3 - Preparation of a cross-linked plate using 2,5-dimethyl-2,5-di-(tert-butylperoxy)hexine-3 (CAS: 1068-27-5) as peroxide.

Сшитую пластину получали из гранул испытуемой полупроводниковой полимерной композиции, т.е. полупроводниковой полимерной композиции согласно настоящему изобретению и сравнительной полупроводниковой полимерной композиции, которые подвергали литью под давлением с использованием следующих условий: сначала гранулы расплавляли при 120°C в течение 1 мин при давлении 61 Н/см². Затем температуру повышали до 190°C со скоростью 18 К/мин и одновременно повышали давление до 614 Н/см². Температуру поддерживали на уровне 190°C в течение 20 мин. При этом пластины подвергались сшиванию под действием пероксида, содержащегося в полупроводниковой полимерной композиции. Общее время сшивания включало время повышения температуры от 120 до 180°C. После завершения сшивания сшитые пластины, то есть сшитую полупроводниковую полимерную композицию согласно настоящему изобретению и сшитую сравнительную полупроводниковую полимерную композицию, охлаждали до комнатной температуры со скоростью охлаждения 15 К/мин, с сохранением давления. Толщина пластин составляла 1,5 мм.The cross-linked wafer was prepared from granules of the semiconductor polymer composition being tested, i.e. semiconductor resin composition according to the present invention and a comparative semiconductor resin composition, which were injection molded using the following conditions: first, the pellets were melted at 120°C for 1 minute at a pressure of 61 N/cm ² . Then the temperature was increased to 190°C at a rate of 18 K/min and at the same time the pressure was increased to 614 N/cm ² . The temperature was maintained at 190°C for 20 min. In this case, the plates were cross-linked under the influence of peroxide contained in the semiconductor polymer composition. The total cross-linking time included the temperature rise time from 120 to 180°C. After crosslinking was completed, the crosslinked wafers, that is, the crosslinked semiconductor resin composition of the present invention and the crosslinked comparative semiconductor resin composition, were cooled to room temperature at a cooling rate of 15 K/min while maintaining pressure. The thickness of the plates was 1.5 mm.

Способ 4 - газовая хроматография (ГХ) - протокол анализа.Method 4 - gas chromatography (GC) - analysis protocol.

Содержание продуктов разложения летучего пероксида, например метана (СН₄), указывают в частях на миллион (мас.) и определяют при помощи газовой хроматографии (ГХ) из сшитого образца полупроводниковой полимерной композиции согласно настоящему изобретению и сравнительной полупроводниковой полимерной композиции. Упомянутое сшивание было выполнено, как описано в способе 1, способе 2 и способе 3 соответственно.The content of volatile peroxide decomposition products, eg methane (CH ₄ ), is reported in parts per million (wt.) and determined by gas chromatography (GC) from a cross-linked sample of the semiconductor polymer composition of the present invention and a comparative semiconductor polymer composition. Said cross-linking was performed as described in Method 1, Method 2 and Method 3, respectively.

Образец толщиной 1,5 мм и массой 1 г вырезали из середины сшитой пластины, то есть сшитой полупроводниковой полимерной композиции согласно настоящему изобретению и сшитой сравнительной полупроводниковой полимерной композиции, непосредственно после завершения стадии сшивания. Полученный образец помещали в бутылку со свободным пространством объемом 120 мл с алюминиевой обжимной крышкой с тефлоновым уплотнением и подвергали термообработке при 60°C в течение 1,5 ч для уравновешивания любых газообразных летучих веществ, присутствующих в указанном образце. За- 12 045134 тем 0,2 мл газа, захваченного во флаконе для образца, вводили в газовый хроматограф, где анализировали наличие и содержание летучих веществ, например метана, которые желали измерить. Образцы анализировали в двух повторениях. Используемый прибор представлял собой Agilent GC 7890A с колонкойA sample with a thickness of 1.5 mm and a weight of 1 g was cut from the middle of the cross-linked wafer, that is, the cross-linked semiconductor resin composition of the present invention and the cross-linked comparative semiconductor resin composition, immediately after completion of the cross-linking step. The resulting sample was placed in a 120 ml headspace bottle with an aluminum crimp cap with a Teflon seal and heat treated at 60°C for 1.5 hours to equilibrate any gaseous volatiles present in the said sample. Subsequently, 0.2 ml of the gas captured in the sample vial was injected into a gas chromatograph, where the presence and content of volatile substances, such as methane, that were desired to be measured were analyzed. Samples were analyzed in duplicate. The instrument used was an Agilent GC 7890A with column

Al₂O₃/Na₂SO₄ с размерами 0,53 ммх50 м и толщиной пленки 10 мкм, поставляемой Plot Ultimetal. В качестве газа-носителя использовали гелий, и использовали детектор ПИД.Al ₂ O ₃ /Na ₂ SO ₄ with dimensions of 0.53 mm x 50 m and a film thickness of 10 microns, supplied by Plot Ultimetal. Helium was used as the carrier gas and an FID detector was used.

Способ 5 - горячая усадка.Method 5 - hot shrinkage.

Удлинение при горячей усадке, а также постоянную деформацию определяли на образцах, взятых из сшитых пластин, т.е. сшитой полупроводниковой полимерной композиции согласно настоящему изобретению и сшитой сравнительной полупроводниковой полимерной композиции. Указанные свойства определяли в соответствии с IEC 60811-507:2012. В испытании на горячую усадку образец гантелеобразной формы из испытуемого материала снабжали грузом, соответствующим 20 Н/см². Указанный образец помещали в печь при 200°C и через 15 мин измеряли удлинение в горячем состоянии. Затем вес снимали и образцу давали возможность релаксации в течение 5 мин. Затем образец вынимали из печи и охлаждали до комнатной температуры. Определяли постоянную деформацию.Hot shrinkage elongation, as well as permanent deformation, were determined on samples taken from cross-linked plates, i.e. a cross-linked semiconductor polymer composition according to the present invention; and a cross-linked comparative semiconductor polymer composition. These properties were determined in accordance with IEC 60811-507:2012. In the hot shrink test, a dumbbell-shaped sample of the test material was loaded with a load corresponding to 20 N/cm ² . The specified sample was placed in an oven at 200°C and after 15 minutes the hot elongation was measured. The weight was then removed and the sample was allowed to relax for 5 min. The sample was then removed from the oven and cooled to room temperature. Permanent deformation was determined.

Сшитые пластины готовили, как описано в разделе Получение сшитой пластины, то есть способ 1, способ 2 и способ 3, соответственно, а образцы гантелеобразной формы готовили из сшитой пластины толщиной 1,5 мм в соответствии с ISO 527-2/5A:2012.Cross-linked plates were prepared as described in Preparation of cross-linked plate, i.e., method 1, method 2 and method 3, respectively, and dumbbell-shaped specimens were prepared from cross-linked plate of 1.5 mm thickness in accordance with ISO 527-2/5A:2012.

Способ 6 - способ определения характеристик подвулканизации.Method 6 is a method for determining scorching characteristics.

Образец для испытаний готовили путем прессования пластины диаметром 40 мм и толщиной 3,05 мм из гранул испытуемой полупроводниковой полимерной композиции, т.е. полупроводниковой полимерной композиции согласно настоящему изобретению и сравнительной полупроводниковой полимерной композиции. Образец нагревали в течение 2 мин при 120°C и прессовали при давлении 0,4 бар в течение 2 мин при 120°C. Затем пластину образца охлаждали до температуры окружающей среды в течение 6 минут. Используемый реометр представлял собой MDR 2000, пластину образца оценивали при 150°C, получая кривую зависимости крутящего момента от времени для испытуемой композиции. Время подвулканизации определяли как время от минимального крутящего момента до увеличения крутящего момента на 1,00 дНм.The test sample was prepared by pressing a plate with a diameter of 40 mm and a thickness of 3.05 mm from granules of the semiconductor polymer composition being tested, i.e. a semiconductor polymer composition according to the present invention and a comparative semiconductor polymer composition. The sample was heated for 2 minutes at 120°C and pressed at a pressure of 0.4 bar for 2 minutes at 120°C. The sample plate was then cooled to ambient temperature for 6 minutes. The rheometer used was an MDR 2000 and the sample plate was evaluated at 150°C to obtain a torque versus time curve for the test composition. The scorching time was defined as the time from the minimum torque to an increase in torque of 1.00 dNm.

Экспериментальная часть. ПримерыExperimental part. Examples

Примеры 1-2 согласно изобретению и сравнительный пример 1: полупроводниковая полимерная композиция согласно изобретению и сравнительная полупроводниковая полимерная композиция.Examples 1-2 according to the invention and comparative example 1: semiconductor polymer composition according to the invention and comparative semiconductor polymer composition.

ЭБА 17 мас.% представляет собой сополимер этилена с 17 мас.% сомономера бутилакрилата и получен в радикальном процессе высокого давления. ПТР₂ составляет 7 г/10 мин, а плотность 926 кг/м³. 60,2 мас.% обычного сополимера этилена-бутилакрилата (ЭБА), получен в процессе под высоким давлением с помощью радикальной полимеризации, и обладает следующими свойствами: ПТР2 от 7 г/10 мин (ISO 1133, нагрузка 2,16, 190°C), бутилакрилат (БА) содержание сомономера от 17 мас.%, плотность 926 кг/м³ (ASTM D792), подавали вместе с 0,8 мас.% коммерчески доступного антиоксиданта (полимеризованный 2,2,4-триметил-1,2-дигидрохинолин) TMQ и 39 мас.% коммерчески доступной печной сажи, то есть также вводили проводящий компонент.EBA 17 wt.% is a copolymer of ethylene with 17 wt.% butyl acrylate comonomer and is obtained in a high pressure radical process. MFR ₂ is 7 g/10 min, and the density is 926 kg/m ³ . 60.2 wt.% conventional copolymer ethylene-butyl acrylate (EBA), obtained in a high pressure process using radical polymerization, and has the following properties: MFR2 from 7 g/10 min (ISO 1133, load 2.16, 190°C ), butyl acrylate (BA) comonomer content from 17 wt.%, density 926 kg/m ³ (ASTM D792), was supplied along with 0.8 wt.% of a commercially available antioxidant (polymerized 2,2,4-trimethyl-1,2 -dihydroquinoline) TMQ and 39 wt.% commercially available furnace black, that is, a conductive component was also introduced.

Полупроводниковую полимерную композицию компаундировали при помощи известных специалистам в данной области техники средств. Подходящее оборудование для компаундирования включает внутренние смесители, такие как Banbury или Boiling, непрерывные одиночные шнеки, такие как смеситель BUSS, или непрерывные двойные шнеки, такие как Farrel, или непрерывные смесители, такие как Werner & Pfleiderer. Тип смесителя, а также выбранные рабочие условия будут влиять на такие свойства, как текучесть расплава, удельное объемное сопротивление и гладкость поверхности.The semiconductor polymer composition was compounded using means known to those skilled in the art. Suitable compounding equipment includes internal mixers such as Banbury or Boiling, continuous single screws such as the BUSS mixer or continuous double screws such as Farrel, or continuous mixers such as Werner & Pfleiderer. The type of mixer, as well as the operating conditions selected, will influence properties such as melt flow, volume resistivity, and surface smoothness.

Технический углерод, используемый для приготовления полупроводниковых полимерных композиций из примеров, представлял собой коммерчески доступную печную сажу, имеющую число адсорбции йода 150-170 г/кг (ASTM D-1510), число адсорбции масла 106-116 мл/100 г (ASTM D-2414), средний размер первичных частиц 11-20 нм (ASTM D-3849), и поставляемую в форме гранул.The carbon black used to prepare the semiconductor polymer compositions of the examples was commercially available furnace black having an iodine adsorption number of 150-170 g/kg (ASTM D-1510), an oil adsorption number of 106-116 ml/100 g (ASTM D- 2414), average primary particle size 11-20 nm (ASTM D-3849), and supplied in granule form.

Сшивающий агент добавляли к композициям полупроводниковых полимеров путем распределения сшивающего агента (сшивающий агент в жидкой форме) при 70°C на гранулы. Влажные гранулы выдерживали при 60°C до тех пор, пока гранулы не станут сухими.The crosslinker was added to the semiconductor polymer compositions by dispensing the crosslinker (crosslinker in liquid form) at 70°C onto the beads. The wet pellets were kept at 60°C until the pellets became dry.

Композиция сравнительного полупроводникового полимера, т.е. сравнительный пример 1, содержала 0,5% 1,3 1,4-бис-(трет-бутилпероксиизопропил)-бензола (CAS 25155-25-3) в качестве сшивающего агента, первая композиция полупроводникового полимера согласно настоящему изобретению, т.е. пример 1 согласно настоящему изобретению, содержала 0,5% 2,5-диметил-2,5-ди-(третбутилперокси)-гексина-3 (CAS 1068-27-5) в качестве сшивающего агента и вторая композиция полупроводникового полимера согласно настоящему изобретению, т.е. пример 2 согласно настоящему изобретению, содержала 0,5 % трет-бутилкумилпероксида (CAS 3457-61-2) в качестве сшивающего агента, как показано в табл. 1.Comparative semiconductor polymer composition, i.e. Comparative Example 1 contained 0.5% of 1,3 1,4-bis-(tert-butylperoxyisopropyl)-benzene (CAS 25155-25-3) as a cross-linking agent, the first semiconductor polymer composition of the present invention, i.e. Example 1 according to the present invention contained 0.5% 2,5-dimethyl-2,5-di-(tert-butylperoxy)-hexine-3 (CAS 1068-27-5) as a cross-linking agent and a second semiconductor polymer composition according to the present invention , i.e. example 2 according to the present invention, contained 0.5% tert-butyl cumyl peroxide (CAS 3457-61-2) as a cross-linking agent, as shown in table. 1.

--

Claims

Table 1

Semiconductor polymer composition

Example Crosslinking agent Concentration in composition (%)

Comparative example 1 1.3 1.4-bis-(from/?eot- butylperoxyisopropyl)benzene 0.5

Example 1 according to the present invention 2,5-dimethyl-2,5-di-(tert-butylperoxy)-hexine-3 0.5

Example 2 according to the present invention tert- butyl cumyl peroxide 0.5

Semiconductor polymer compositions were analyzed to determine hot shrinkage (method 5), scorch characteristics (method 6), and methane production (method 4). The results are shown in table. 2.

table 2

results

Example Hot shrinkage (%) Prevulcanization (min) Methane (ppm)

Comparative example 1 38 17 141

Example 1 according to the present invention 34 72 82

Example 2 according to the present invention 58 24 111

It can be seen that the examples of the present invention have superior scorch properties compared with the comparative example. In addition, the content of methane produced is lower for the examples according to the present invention compared to the comparative example. This would reduce the degassing time.

In addition, the table above shows that at the same peroxide load of traditional 1,3 1,4-bis-(tert-butylperoxyisopropyl)-benzene (comparative example) and 2,5-dimethyl-2,5-di(tert- butylperoxy)-hexine-3 (example according to the present invention), the same hot shrink temperature and cross-linking density are achieved, while scorch efficiency is significantly improved, simultaneously with methane formation reduced by approximately 50%.

CLAIM

1. A semiconducting polymer composition containing a polymer component, a conductive component and a cross-linking agent, where the polymer component contains polar polyethylene, where the polar polyethylene is a polyethylene copolymer with one or more polar comonomers selected from olefinically unsaturated carboxylic acids; (meth)acrylic acid derivatives; and vinyl ethers,

- 14 045134 and the crosslinking agent contains 2,5-dimethyl-2,5-di-(tert-butylperoxy)-hexane and/or tert-butylcumyl peroxide, and the crosslinking agent is present in an amount that ranges from 0.01 to 5.0 wt.% based on the total amount (100 wt.%) of the polymer composition.

2. Semiconductor polymer composition according to claim 1, characterized in that the (meth)acrylic acid derivatives are (meth)acrylates.

3. Semiconductor polymer composition according to claim 1, characterized in that one or more polar comonomers are selected from methyl (meth)acrylate, ethyl (meth)acrylate, butyl (meth)acrylate, hydroxyethyl (meth)acrylate, (meth)acrylic acid , maleic acid, fumaric acid, (meth)acrylonitrile, (meth)acrylamide, vinyl methyl ether and vinyl phenyl ether.

4. Semiconductor polymer composition according to claim 1, characterized in that the semiconductor polymer composition contains from 35 to 75 wt.% polar polyethylene, from 10 to 60 wt.% of a conductive component containing carbon black, and additionally from 0 to 8 wt. % of additives, all wt.% calculated from the total amount of the semiconductor polymer composition.

5. Semiconductor polymer composition according to any of the preceding paragraphs, characterized in that it contains from 10 to 60 wt.%, for example from 10 to 50 wt.%, for example from 20 to 45, for example from 30 to 40 wt.% , for example, from 35 to 40 wt.% carbon black.

6. The semiconductor polymer composition according to any one of the preceding claims, characterized in that the crosslinking agent is present in an amount that is from 0.2 to 1.5 wt.% based on the total amount (100 wt.%) of the polymer composition, preferably from 0.3 to 1.0 wt.%.

7. Semiconductor polymer composition according to any of the preceding paragraphs, characterized in that the polar polyethylene is a copolymer of low-density polyethylene (LDPE) with at least one polar comonomer.

8. The semiconducting polymer composition according to any one of the preceding claims, characterized in that the polar polyethylene copolymer contains unsaturation provided, for example, by copolymerization of ethylene with at least one polyunsaturated comonomer and/or, for example, by the use of a chain transfer agent, for example propylene.

9. Semiconductor polymer composition according to any of the preceding paragraphs, characterized in that the content of polar comonomer in said polar polyethylene copolymer is not limited and can be up to 70 wt.%, for example, from 0.5 to 35 wt.%, for example, from 1 .0 to 35 wt.%, based on the total amount of said polar polyethylene copolymer.

10. The semiconducting polymer composition according to any one of the preceding claims, characterized in that the conductive component contains or is selected from conductive carbon black, for example carbon black, having one or more, for example, all of the following properties: a primary particle size of at least 5 nm , which is defined as the number average particle diameter in accordance with ASTM D3849-95a, Procedure D; an iodine adsorption number (iodine value) of at least 10 mg/g, for example from 10 to 300 mg/g, when determined in accordance with ASTM D-151007; or a DBP (dibutyl phthalate) absorption number (= oil number) of at least 30 cm ³ /100 g, for example from 60 to 300 cm ³ /100 g, when measured in accordance with ASTM D 2414-06a.

11. The semiconducting polymer composition according to any of the preceding claims, characterized in that said semiconducting polymer composition has a scorch time of at least 20 minutes, when determined in accordance with method 6.

12. An article comprising semiconductor layer(s) obtained from a semiconductor polymer composition according to any one of claims 1 to 11, said article being a cable.

13. The product according to claim 12, where the specified product is a power cable.

14. A method for producing a semiconducting polymer composition according to any one of claims 1 to 11, said method comprising mixing a polymer component with a conductive component and a cross-linking agent.

15. Use of a semiconductor polymer composition according to any one of claims 1 to 11 to obtain a product according to claim 12 or 13.

About the Eurasian Patent Organization, EAPO

Russia, 109012, Moscow, Maly Cherkassky lane, 2