EA043295B1 - SELECTIVE PROTEIN-ARGININE-METHYLTRANSFERASE 5 (PRMT5) INHIBITOR - Google Patents

SELECTIVE PROTEIN-ARGININE-METHYLTRANSFERASE 5 (PRMT5) INHIBITOR Download PDF

Info

Publication number
EA043295B1
EA043295B1 EA202192051 EA043295B1 EA 043295 B1 EA043295 B1 EA 043295B1 EA 202192051 EA202192051 EA 202192051 EA 043295 B1 EA043295 B1 EA 043295B1
Authority
EA
Eurasian Patent Office
Prior art keywords
theta
ray powder
powder diffraction
formula
angstroms
Prior art date
Application number
EA202192051
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Хун Линь
Цюнь Ли
Марк Андрес
Хуапин Чжан
Original Assignee
Прельюд Терапьютикс
Инкорпорейтед
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Прельюд Терапьютикс, Инкорпорейтед filed Critical Прельюд Терапьютикс
Publication of EA043295B1 publication Critical patent/EA043295B1/en

Links

Description

Перекрестная ссылка на родственные заявкиCross-reference to related applications

В настоящей заявке испрашивается приоритет по предварительной заявке на патент США №This application claims priority over U.S. Provisional Application No.

62/805175, поданной 13 февраля 2019 г., и по предварительной заявке на патент США № 62/805726, поданной 14 февараля 2019 г. Полное содержание каждой из указанных заявок включено в настоящий документ посредством ссылки.62/805175, filed Feb. 13, 2019, and U.S. Provisional Application No. 62/805,726, filed Feb. 14, 2019. The entire contents of each of these applications are incorporated herein by reference.

Область техникиTechnical field

Настоящее описание относится к ингибиторам PRMT5 и к способам их применения.The present disclosure relates to PRMT5 inhibitors and methods for their use.

Уровень техникиState of the art

Метилирование белка аргинина представляет собой общую посттрансляционную модификацию, которая регулирует множество клеточных процессов, включая генную транскрипцию, сплайсинг мРНК, репарацию ДНК, клеточную локализацию белка, предопределение судьбы клеток и передачу сигналов. Существует три типа молекул метил-аргинина: ω NG монометиларгинин (MMA), ω NG, асимметричный NG диметиларгинин (ADMA), и ω NG, симметричный N'G диметиларгинин (SDMA). Образование метилированных аргининов катализируется семейством метилтрансфераз, протеин-аргининметилтрансферазами (PRMT). В настоящее время существует девять PRMT, аннотированных в человеческом геноме. Большинство указанных ферментов представляют собой ферменты I типа (PRMT1, -2, -3, 4, -6, -8), которые способны к моно- и асимметричному диметилированию аргинина с использованием Sаденозинметионина (SAM) в качестве донора метила. PRMT-5, -7 и -9 считают ферментами II типа, которые катализируют симметричное диметилирование аргининов. Каждый вид PRMT содержит характерные мотивы семи бета-цепей метилтрансфераз (Katz et al., 2003), а также дополнительные мотивы последовательностей двойное E и THW, характерные для подсемейства PRMT.Arginine protein methylation is a common post-translational modification that regulates many cellular processes, including gene transcription, mRNA splicing, DNA repair, cellular protein localization, cell fate determination, and signaling. There are three types of methyl-arginine molecules: ω NG monomethylarginine (MMA), ω NG, asymmetric NG dimethylarginine (ADMA), and ω NG, symmetrical N'G dimethylarginine (SDMA). The formation of methylated arginines is catalyzed by a family of methyltransferases, protein arginine methyltransferases (PRMTs). There are currently nine PRMTs annotated in the human genome. Most of these enzymes are type I enzymes (PRMT1, -2, -3, 4, -6, -8) that are capable of mono- and asymmetric dimethylation of arginine using Sadenosine Methionine (SAM) as a methyl donor. PRMT-5, -7 and -9 are considered type II enzymes that catalyze the symmetrical dimethylation of arginines. Each PRMT species contains characteristic motifs of seven beta-chain methyltransferases (Katz et al., 2003), as well as additional double E and THW sequence motifs characteristic of the PRMT subfamily.

PRMT5 представляет собой общий репрессор транскрипции, который функционирует с многочисленными факторами транскрипции и репрессорными комплексами, включая BRG1 и hBRM, Blimp1 и Snail. Указанный фермент, будучи рекрутированным на промотор, симметрично диметилирует H3R8 и H4R3. Важно отметить, что сайт H4R3 является основной мишенью для метилирования PRMT1 (ADMA) и обычно рассматривается как метка активации транскрипции. Таким образом, метки как H4R3me2s (репрессивная; me2s указывает на модификацию SDMA), так и H4R3me2a (активная; те2а указывает на модификацию ADMA) образуются in vivo. Специфичность PRMT5 в отношении H3R8 и H4R3 может быть изменена в результате его взаимодействия с COPR5, и это, вероятно, может играть важную роль в определении статуса корепрессора PRMT5.PRMT5 is a general transcriptional repressor that functions with numerous transcription factors and repressor complexes, including BRG1 and hBRM, Blimp1 and Snail. This enzyme, being recruited to the promoter, symmetrically dimethylates H3R8 and H4R3. It is important to note that the H4R3 site is the main target for PRMT1 (ADMA) methylation and is generally regarded as a marker for transcriptional activation. Thus, both H4R3me2s (repressive; me2s indicates SDMA modification) and H4R3me2a (active; me2a indicates ADMA modification) are labeled in vivo. The specificity of PRMT5 for H3R8 and H4R3 may be altered as a result of its interaction with COPR5, and this may play an important role in determining the status of a PRMT5 corepressor.

Роль PRMT при ракеThe role of PRMT in cancer

Аберрантная экспрессия PRMT была идентифицирована при раке человека, и PRMT считаются терапевтическими мишенями. Общий анализ модификаций гистонов при раке простаты показал, что диметилирование гистона H4R3 положительно коррелирует с увеличением стадии, и такие изменения позволяют прогнозировать клинический исход. Показано, что уровни PRMT5 повышены в панели линий лимфоидных раковых клеток, а также в клинических образцах лимфомы из клеток мантии. PRMT5 взаимодействует с рядом субстратов, которые вовлечены во множество клеточных процессов, включая процессинг РНК, передачу сигналов и регуляцию транскрипции. PRMT5 может напрямую модифицировать гистоны H3 и H4, что приводит к подавлению экспрессии генов. Сверхэкспрессия PRMT5 может стимулировать рост клеток и индуцировать трансформацию путем прямого подавления генов-супрессоров опухолей. Pal et al., Mol. Cell. Biol. 2003, 7475; Pal et al. Mol. Cell. Biol. 2004, 9630; Wang et al. Mol. Cell. Biol. 2008, 6262; Chung et al. J Biol Chem 2013, 5534. В дополнение к его хорошо задокументированным онкогенным функциям в транскрипции и трансляции, фактор транскрипции MYC также обеспечивает надлежащий сплайсинг предшественника информационной РНК как важный шаг в лимфомагенезе. Koh et al. Nature 2015, 523 7558; Hsu et al. Nature 2015 525, 384.Aberrant PRMT expression has been identified in human cancer, and PRMTs are considered therapeutic targets. A general analysis of histone modifications in prostate cancer has shown that H4R3 histone dimethylation is positively correlated with increasing stage, and such changes predict clinical outcome. PRMT5 levels have been shown to be elevated in a panel of lymphoid cancer cell lines as well as in mantle cell lymphoma clinical specimens. PRMT5 interacts with a number of substrates that are involved in many cellular processes, including RNA processing, signaling, and transcriptional regulation. PRMT5 can directly modify H3 and H4 histones, resulting in downregulation of gene expression. Overexpression of PRMT5 can stimulate cell growth and induce transformation by directly suppressing tumor suppressor genes. Pal et al., Mol. cell. Biol. 2003, 7475; Pal et al. Mol. cell. Biol. 2004, 9630; Wang et al. Mol. cell. Biol. 2008, 6262; Chung et al. J Biol Chem 2013, 5534. In addition to its well-documented oncogenic functions in transcription and translation, transcription factor MYC also ensures proper splicing of the messenger RNA precursor as an important step in lymphomagenesis. Koh et al. Nature 2015, 523 7558; Hsu et al. Nature 2015 525, 384.

Обнаружение факторов, от которых зависит рак, может дать информацию о терапевтических стратегиях и выявить предполагаемые мишени для лекарственных средств. При обобщении данных комплексного геномного профилирования линий раковых клеток и функциональной характеристики зависимостей раковых клеток, недавно было обнаружено, что утрата фермента метилтиоаденозинфосфорилазы (MTAP) обусловливает селективную зависимость от протеин-аргинин-метилтрансферазы 5 (PRMT5) и его связывающего партнера WDR77. MTAP часто утрачивается вследствие его близости к обычно удаляемому гену-супрессору опухоли, CDKN2A. Клетки, несущие делеции MTAP, обладают повышенными внутриклеточными концентрациями метилтиоаденозина (MTA, метаболита, расщепляемого MTAP). Кроме того, MTA специфически ингибирует ферментативную активность PRMT5. Введение либо MTA, либо низкомолекулярного ингибитора PRMT5 демонстрирует преимущественное нарушение жизнеспособности MTAP-нулевых линий раковых клеток по сравнению с изогенными аналогами, экспрессирующими MTAP. В совокупности полученные данные показывают, что PRMT5 является потенциальной уязвимой стороной для нескольких раковых линий, усиленной общим геномным изменением пассажира.The discovery of the factors on which cancer depends can inform therapeutic strategies and reveal putative drug targets. In summarizing data from complex genomic profiling of cancer cell lines and functional characterization of cancer cell dependencies, it was recently found that the loss of the enzyme methylthioadenosine phosphorylase (MTAP) causes selective dependence on protein arginine methyltransferase 5 (PRMT5) and its binding partner WDR77. MTAP is often lost due to its proximity to the commonly deleted tumor suppressor gene, CDKN2A. Cells bearing MTAP deletions have elevated intracellular concentrations of methylthioadenosine (MTA, a metabolite cleaved by MTAP). In addition, MTA specifically inhibits the enzymatic activity of PRMT5. Administration of either MTA or a small molecule inhibitor of PRMT5 demonstrates a preferential disruption of the viability of MTAP-null cancer cell lines compared to isogenic counterparts expressing MTAP. Taken together, the findings indicate that PRMT5 is a potential vulnerable side for several cancer lineages, enhanced by a shared passenger genomic change.

Роль PRMT5 при гемоглобинопатияхThe role of PRMT5 in hemoglobinopathies

Переключение подтипа гена глобина человека с эмбрионального на взрослый в процессе развития, которое начинается при рождении, знаменует начало гемоглобинопатии, b-талассемии и серповидно- 1 043295 клеточной анемии (SCD). Обнаружение того, что повышенная экспрессия гена глобина взрослого человека (в условиях наследственной персистенции мутаций фетального гемоглобина [HPFH]) значительно облегчает клиническую тяжесть талассемии и SCD, побудило к поиску терапевтических стратегий для реверсирования сайленсинга гена гамма-глобина. Центральным моментом в сайленсинге гамма-генов является метилирование ДНК, которое маркирует критические динуклеотиды CpG, фланкирующие сайт начала транскрипции гена в эритроидных клетках костного мозга взрослого человека. Было показано, что эти метки устанавливаются как следствие рекрутирования ДНК-метилтрансферазы, DNMT3A, на гамма-промотор под действием протеин-аргинин-метилтрансферазы PRMT5. Zhao et al. Nat Struct Mol Biol. 2009 16, 304. PRMT5-опосредованное метилирование гистона H4R3 рекрутирует DNMT3A, связывая гистон и метилирование ДНК при сайленсинге гена.The switch of the human globin gene subtype from embryonic to adult during development, which begins at birth, marks the onset of hemoglobinopathies, b-thalassemia, and sickle cell anemia (SCD). The finding that increased expression of the adult globin gene (in the setting of inherited persistence of fetal hemoglobin [HPFH] mutations) significantly alleviates the clinical severity of thalassemia and SCD prompted the search for therapeutic strategies to reverse gamma globin gene silencing. The central point in gamma gene silencing is DNA methylation, which marks the critical CpG dinucleotides flanking the gene transcription start site in adult human bone marrow erythroid cells. These marks have been shown to be established as a consequence of the recruitment of a DNA methyltransferase, DNMT3A, to the gamma promoter by the protein arginine methyltransferase PRMT5. Zhao et al. Nat Struct Mol Biol. 2009 16, 304. PRMT5-mediated histone methylation H4R3 recruits DNMT3A by binding histone and DNA methylation during gene silencing.

PRMT5 индуцирует репрессивную гистоновую метку H4R3me2s, которая служит матрицей для прямого связывания DNMT3A и последующего метилирования ДНК. Потеря связывания PRMT5 или его ферментативной активности приводит к деметилированию динуклеотидов CpG и активации гена. В дополнение к метке H4R3me2s и метилированию ДНК, связывание PRMT5 с гамма-промотором и его ферментативная активность важны для сборки мультипротеинового комплекса на гамма-промоторе, который индуцирует ряд скоординированных репрессивных эпигенетических меток. Нарушение указанного комплекса приводит к реактивации экспрессии гамма-гена. Представленные исследования обеспечивают основу для разработки ингибиторов PRMT5 в качестве прицельной терапии в случае талассемии и SCD.PRMT5 induces the repressive histone mark H4R3me2s, which serves as a template for direct DNMT3A binding and subsequent DNA methylation. Loss of PRMT5 binding or enzymatic activity leads to demethylation of CpG dinucleotides and gene activation. In addition to the H4R3me2s tag and DNA methylation, PRMT5 binding to the gamma promoter and its enzymatic activity are important for the assembly of a multiprotein complex at the gamma promoter that induces a series of coordinated repressive epigenetic marks. Violation of this complex leads to reactivation of the expression of the gamma gene. The presented studies provide the basis for the development of PRMT5 inhibitors as targeted therapies for thalassemia and SCD.

Краткое описание сущности изобретенияBrief description of the essence of the invention

Настоящее описание относится к фармацевтически приемлемым солям (2R,3S,4R,5R)-5-(4-амино7H-пирроло[2,3-d]пиримидин-7-ил)-2-((R)-(3,4-дихлорфенил)(гидрокси)метил)-3-метилтетрагидрофуран3,4-диола, т.е. соединения формулы IThis description relates to pharmaceutically acceptable salts of (2R,3S,4R,5R)-5-(4-amino7H-pyrrolo[2,3-d]pyrimidin-7-yl)-2-((R)-(3,4 -dichlorophenyl)(hydroxy)methyl)-3-methyltetrahydrofuran3,4-diol, i.e. compounds of formula I

Настоящее описание также относится к малеатным, гидрохлоридным, оксалатным, фосфатным и бисульфатным солям формулы I.The present description also relates to the maleate, hydrochloride, oxalate, phosphate and bisulfate salts of formula I.

Также описаны кристаллические формы таких солей, а также фармацевтические композиции, содержащие указанные соли, и способы применения указанных солей.Crystalline forms of such salts are also described, as well as pharmaceutical compositions containing said salts and methods of using said salts.

Настоящее описание также относится к кристаллическим формам соединения формулы I, а также к фармацевтическим композициям, содержащим указанные формы, и описаны также способы применения указанных форм.The present description also relates to crystalline forms of the compound of formula I, as well as to pharmaceutical compositions containing these forms, and methods of using these forms are also described.

Краткое описание графических материаловBrief description of graphic materials

На фиг. 1 представлен профиль РПД малеатной соли, имеющей формулу IA.In FIG. 1 shows the RPD profile of the maleate salt having formula IA.

На фиг. 2 представлен профиль РПД малеатной соли, имеющей формулу IA.In FIG. 2 shows the RPD profile of the maleate salt having formula IA.

На фиг. 3 представлена термограмма ДСК малеатной соли, имеющей формулу IA.In FIG. 3 is a DSC thermogram of a maleate salt having formula IA.

На фиг. 4 представлен профиль ТГА малеатной соли, имеющей формулу IA.In FIG. 4 shows the TGA profile of the maleate salt having formula IA.

На фиг. 5 представлен профиль ТГА и термограмма ДСК малеатной соли, имеющей формулу IA.In FIG. 5 shows the TGA profile and DSC thermogram of a maleate salt having formula IA.

На фиг. 6 представлен профиль РПД гидрохлоридной соли, имеющей формулу IB.In FIG. 6 shows the RPD profile of the hydrochloride salt having formula IB.

На фиг. 7 представлен профиль РПД гидрохлоридной соли, имеющей формулу IB.In FIG. 7 shows the RPD profile of the hydrochloride salt having the formula IB.

На фиг. 8 представлен профиль РПД гидрохлоридной соли, имеющей формулу IB.In FIG. 8 shows the RPD profile of the hydrochloride salt having formula IB.

На фиг. 9 представлена термограмма ДСК гидрохлоридной соли, имеющей формулу IB.In FIG. 9 is a DSC thermogram of a hydrochloride salt having formula IB.

На фиг. 10 представлен профиль ТГА гидрохлоридной соли, имеющей формулу IB.In FIG. 10 shows the TGA profile of the hydrochloride salt having formula IB.

На фиг. 11 представлен профиль ТГА и термограмма ДСК гирохлоридной соли, имеющей формулу IB.In FIG. 11 shows the TGA profile and DSC thermogram of a hyrochloride salt having the formula IB.

На фиг. 12 представлен профиль РПД оксалатной соли, имеющей формулу IC.In FIG. 12 shows the RPD profile of an oxalate salt having the formula IC.

На фиг. 13 представлен профиль РПД фосфатной соли, имеющей формулу ID.In FIG. 13 shows the RPD profile of a phosphate salt having the formula ID.

На фиг. 14 представлен профиль РПД малеатной соли, имеющей формулу IA.In FIG. 14 shows the RPD profile of the maleate salt having formula IA.

На фиг. 15 представлена термограмма ДСК малеатной соли, имеющей формулу IA.In FIG. 15 is a DSC thermogram of a maleate salt having formula IA.

На фиг. 16 представлен профиль ТГА малеатной соли, имеющей формулу IA.In FIG. 16 shows the TGA profile of the maleate salt having formula IA.

На фиг. 17 представлен профиль РПД гидрохлоридной соли, имеющей формулу IB.In FIG. 17 shows the RPD profile of the hydrochloride salt having formula IB.

На фиг. 18 представлена термограмма ДСК гидрохлоридной соли, имеющей формулу IB.In FIG. 18 is a DSC thermogram of a hydrochloride salt having formula IB.

На фиг. 19 представлен профиль ТГА гидрохлоридной соли, имеющей формулу IB.In FIG. 19 shows the TGA profile of the hydrochloride salt having formula IB.

На фиг. 20 представлен профиль РПД формулы IB, формы I.In FIG. 20 shows the profile of the RPD formula IB, form I.

На фиг. 21 представлена термограмма ДСК формулы IB, формы I.In FIG. 21 shows a DSC thermogram of formula IB, form I.

На фиг. 22 представлен профиль ТГА формулы IB, формы I.In FIG. 22 shows the TGA profile of Formula IB, Form I.

На фиг. 23 представлен профиль ДСП формулы IB, формы I.In FIG. 23 shows the profile of a chipboard of formula IB, form I.

На фиг. 24 представлено сравнение РПД формулы IB, формы I, до (сверху) и после (снизу) ДСП.In FIG. 24 shows a comparison of RPD formula IB, form I, before (top) and after (bottom) DSP.

На фиг. 25 представлен 1H ЯМР (400 МГц; ДМСО-d6) формулы IB, формы I.In FIG. 25 shows 1H NMR (400 MHz; DMSO-d 6 ) of Formula IB, Form I.

На фиг. 26 представлен профиль РПД формулы IB, формы II.In FIG. 26 shows the profile of the RPD formula IB, form II.

- 2 043295- 2 043295

На фиг. 27 представлена термограмма ДСК формулы IB, формы II.In FIG. 27 is a DSC thermogram of Formula IB, Form II.

На фиг. 28 представлен профиль ТГА формулы IB, формы II.In FIG. 28 shows the TGA profile of Formula IB, Form II.

На фиг. 29 представлен Ή ЯМР (400 МГц; MeOH-d4) формулы IB, формы II.In FIG. 29 shows Ή NMR (400 MHz; MeOH-d 4 ) of formula IB, form II.

На фиг. 30 представлен профиль ДСП формулы IB, формы II.In FIG. 30 shows the profile of a chipboard of formula IB, form II.

На фиг. 31 представлено сравнение РПД формулы IB, формы II, до (сверху) и после (снизу) ДСП.In FIG. 31 shows a comparison of the RPD of formula IB, form II, before (top) and after (bottom) DSP.

На фиг. 32 представлен профиль РПД формулы IB, формы III.In FIG. 32 shows the profile of the RPD formula IB, form III.

На фиг. 33 представлена термограмма ДСК формулы IB, формы III.In FIG. 33 is a DSC thermogram of formula IB, form III.

На фиг. 34 представлен профиль ТГА формулы IB, формы III.In FIG. 34 shows the TGA profile of formula IB, form III.

На фиг. 35 представлен 1H ЯМР (400 МГц; ДМСО-d6) формулы IB, формы III.In FIG. 35 shows 1H NMR (400 MHz; DMSO-d 6 ) of formula IB, form III.

На фиг. 36 представлен профиль ДСП формулы IB, формы III.In FIG. 36 shows the profile of a chipboard of formula IB, form III.

На фиг. 37 представлено сравнение РПД формулы IB, формы III, до (сверху) и после (снизу) ДСП.In FIG. 37 shows a comparison of RPD formula IB, form III, before (top) and after (bottom) DSP.

На фиг. 38 представлен профиль РПД формулы IB, формы IV.In FIG. 38 shows the profile of the RPD formula IB, form IV.

На фиг. 39 представлена термограмма ДСК формулы IB, формы IV.In FIG. 39 shows a DSC thermogram of formula IB, form IV.

На фиг. 40 представлен профиль ТГА формулы IB, формы IV.In FIG. 40 shows the TGA profile of Formula IB, Form IV.

На фиг. 41 представлен 1H ЯМР (400 МГц; ДмСО-d6) формулы IB, формы IV.In FIG. 41 shows 1H NMR (400 MHz; DMCO-d 6 ) of formula IB, form IV.

На фиг. 42 представлен профиль РПД кристаллической формы формулы IB.In FIG. 42 shows the RPD profile of the crystalline form of Formula IB.

На фиг. 43 представлена термограмма ДСК кристаллической формы формулы IB.In FIG. 43 is a DSC thermogram of the crystalline form of formula IB.

На фиг. 44 представлен профиль ТГА кристаллической формы формулы IB.In FIG. 44 shows the TGA profile of the crystalline form of formula IB.

На фиг. 45 представлен профиль РПД фосфатной соли, имеющей формулу ID.In FIG. 45 shows the RPD profile of a phosphate salt having the formula ID.

На фиг. 46 представлена термограмма ДСК фосфатной соли, имеющей формулу ID.In FIG. 46 is a DSC thermogram of a phosphate salt having the formula ID.

На фиг. 47 представлен профиль ТГА фосфатной соли, имеющей формулу ID.In FIG. 47 shows the TGA profile of a phosphate salt having formula ID.

На фиг. 48 представлен профиль РПД кристаллической формы соединения, имеющего формулу I, формы I.In FIG. 48 shows the RPD profile of the crystalline form of the compound having Formula I, Form I.

На фиг. 49 представлена термограмма ДСК кристаллической формы соединения, имеющего формулу I, формы I.In FIG. 49 is a DSC thermogram of a crystalline form of the compound having Formula I, Form I.

На фиг. 50 представлен профиль ТГА формулы I, формы I.In FIG. 50 shows the TGA profile of Formula I, Form I.

На фиг. 51 представлен 1Н ЯМР (400 МГц; MeOH-d4) формулы I, формы I.In FIG. 51 shows 1H NMR (400 MHz; MeOH-d 4 ) of Formula I, Form I.

На фиг. 52 представлен профиль ДСП формулы I, формы I.In FIG. 52 shows the profile of a chipboard of formula I, form I.

На фиг. 53 представлено сравнение РПД до (сверху) и после (снизу) ДСП для формулы I, формы I.In FIG. 53 shows a comparison of the RPD before (top) and after (bottom) EAF for Formula I, Form I.

На фиг. 54 представлен профиль РПД формулы I, формы II.In FIG. 54 shows the profile of the RPD formula I, form II.

На фиг. 55 представлена термограмма ДСК формулы I, формы II.In FIG. 55 shows a DSC thermogram of formula I, form II.

На фиг. 56 представлен профиль РПД формулы I, формы III.In FIG. 56 shows the profile of the RPD formula I, form III.

На фиг. 57 представлена термограмма ДСК формулы I, формы III.In FIG. 57 shows a DSC thermogram of formula I, form III.

На фиг. 58 представлен профиль РПД формулы I, формы II.In FIG. 58 shows the profile of the RPD formula I, form II.

На фиг. 59 представлена термограмма ДСК формулы I, формы II.In FIG. 59 shows a DSC thermogram of formula I, form II.

На фиг. 60 представлен профиль РПД формулы I, формы II.In FIG. 60 shows the profile of the RPD formula I, form II.

На фиг. 61 представлена термограмма ДСК формулы I, формы II.In FIG. 61 shows a DSC thermogram of formula I, form II.

На фиг. 62 представлен профиль РПД формулы I, формы II.In FIG. 62 shows the profile of the RPD formula I, form II.

На фиг. 63 представлена термограмма ДСК формулы I, формы II.In FIG. 63 shows a DSC thermogram of formula I, form II.

Подробное описание иллюстративных вариантов реализации изобретенияDetailed description of illustrative embodiments of the invention

Настоящее изобретение может быть более понятно со ссылкой на следующее описание, включая следующие определения и примеры. Некоторые признаки описанных композиций и способов, которые описаны в настоящем документе в контексте отдельных аспектов, могут быть также представлены в комбинации, в одном аспекте. Альтернативно, различные признаки описанных композиций и способов, которые для краткости описаны в контексте одного аспекта, также могут быть представлены по отдельности или в любой подкомбинации.The present invention may be better understood with reference to the following description, including the following definitions and examples. Some features of the described compositions and methods, which are described herein in the context of separate aspects, may also be presented in combination, in one aspect. Alternatively, the various features of the described compositions and methods, which for brevity are described in the context of one aspect, can also be presented individually or in any subcombination.

Фармацевтически приемлемый означает одобренный или пригодный для одобрения регулирующим органом федерального правительства или правительства штата, или соответствующим органом в странах за пределами США, или перечисленный в Фармакопее США или других известных фармакопеях для применения для животных, например, для людей.Pharmaceutically acceptable means approved or subject to approval by a federal or state government regulatory agency, or by an appropriate authority in countries outside the United States, or listed in the USP or other known pharmacopoeias for use in animals, such as humans.

Фармацевтически приемлемая соль относится к соли соединения согласно настоящему описанию, которая является фармацевтически приемлемой и обладает требуемой фармакологической активностью исходного соединения. В частности, такие соли нетоксичны, могут представлять собой соли присоединения неорганических или органических кислот, а также соли присоединения оснований. В частности, такие соли включают: (1) соли присоединения кислот, образованные с неорганическими кислотами, такими как хлористоводородная кислота, бромистоводородная кислота, серная кислота, азотная кислота, фосфорная кислота и т.п.; или образованные с органическими кислотами, такими как уксусная кислота, пропионовая кислота, гексановая кислота, циклопентанпропионовая кислота, гликолевая кислота, пировиноградная кислота, молочная кислота, малоновая кислота, янтарная кислота, яблочная кислота, малеиновая кислота, фумаровая кислота, винная кислота, лимонная кислота, бензойная кислота, 3-(4гидроксибензоил)бензойная кислота, коричная кислота, миндальная кислота, метансульфоновая кислота, этансульфоновая кислота, 1,2-этандисульфоновая кислота, 2-гидроксиэтансульфоновая кислота, бензол- 3 043295 сульфоновая кислота, 4-хлорбензолсульфоновая кислота, 2-нафталинсульфоновая кислота, 4толуолсульфоновая кислота, камфорсульфоновая кислота, 4-метилбицикло[2.2.2]-окт-2-ен-1-карбоновая кислота, глюкогептоновая кислота, 3-фенилпропионовая кислота, триметилуксусная кислота, третбутилуксусная кислота, лаурилсерная кислота, глюконовая кислота, глутаминовая кислота, гидроксинафтойная кислота, салициловая кислота, стеариновая кислота, муконовая кислота и т.п.; или (2) соли, образованные при замене кислотного протона, присутствующего в исходном соединении, на ион металла, например, ион щелочного металла, ион щелочно-земельного металла или ион алюминия; или при его координации с органическим основанием, таким как этаноламин, диэтаноламин, триэтаноламин, Nметилглюкамин и т.п. Соли дополнительно включают, лишь в качестве примера, соли натрия, калия, кальция, магния, аммония, тетраалкиламмония и т.п.; и если соединение содержит основную функциональность - соли нетоксичных органических или неорганических кислот, такие как гидрохлорид, гидробромид, тартрат, мезилат, ацетат, малеат, оксалат, фосфат, сульфат, бисульфат и т.п.A pharmaceutically acceptable salt refers to a salt of a compound of the present disclosure that is pharmaceutically acceptable and has the desired pharmacological activity of the parent compound. In particular, such salts are non-toxic, can be addition salts of inorganic or organic acids, as well as addition salts of bases. In particular, such salts include: (1) acid addition salts formed with inorganic acids such as hydrochloric acid, hydrobromic acid, sulfuric acid, nitric acid, phosphoric acid, and the like; or formed with organic acids such as acetic acid, propionic acid, hexanoic acid, cyclopentane propionic acid, glycolic acid, pyruvic acid, lactic acid, malonic acid, succinic acid, malic acid, maleic acid, fumaric acid, tartaric acid, citric acid, benzoic acid, 3-(4hydroxybenzoyl)benzoic acid, cinnamic acid, mandelic acid, methanesulfonic acid, ethanesulfonic acid, 1,2-ethanedisulfonic acid, 2-hydroxyethanesulfonic acid, benzene sulfonic acid, 4-chlorobenzenesulfonic acid, 2-naphthalenesulfonic acid acid, 4-toluenesulfonic acid, camphorsulfonic acid, 4-methylbicyclo[2.2.2]-oct-2-en-1-carboxylic acid, glucoheptonic acid, 3-phenylpropionic acid, trimethylacetic acid, tert-butylacetic acid, laurylsulfuric acid, gluconic acid, glutamic acid , hydroxynaphthoic acid, salicylic acid, stearic acid, muconic acid, and the like; or (2) salts formed by replacing an acidic proton present in the parent compound with a metal ion, such as an alkali metal ion, an alkaline earth metal ion, or an aluminum ion; or when it is coordinated with an organic base such as ethanolamine, diethanolamine, triethanolamine, N-methylglucamine, and the like. Salts further include, by way of example only, sodium, potassium, calcium, magnesium, ammonium, tetraalkylammonium salts, and the like; and if the compound contains a basic functionality, non-toxic organic or inorganic acid salts such as hydrochloride, hydrobromide, tartrate, mesylate, acetate, maleate, oxalate, phosphate, sulfate, bisulfate, and the like.

Фармацевтически приемлемое вспомогательное вещество относится к веществу, которое является нетоксичным, биологически переносимым и иным образом биологически подходящим для введения субъекту, такому как инертное вещество, добавляемое в фармакологическую композицию или иным образом используемое в качестве среды, носителя или разбавителя для облегчения введения агента, и которое является совместимым с ним. Примеры вспомогательных веществ включают карбонат кальция, фосфат кальция, различные сахара и типы крахмала, производные целлюлозы, желатин, растительные масла и полиэтиленгликоли.A pharmaceutically acceptable excipient refers to a substance that is non-toxic, biologically tolerable, and otherwise biologically suitable for administration to a subject, such as an inert substance added to a pharmacological composition or otherwise used as a vehicle, carrier, or diluent to facilitate administration of the agent, and which is compatible with it. Examples of excipients include calcium carbonate, calcium phosphate, various sugars and types of starch, cellulose derivatives, gelatin, vegetable oils, and polyethylene glycols.

Сольват относится к физической ассоциации соединения формулы I с одной или более молекулами растворителя.Solvate refers to the physical association of a compound of formula I with one or more solvent molecules.

Субъект включает людей. Термины человек, пациент и субъект использованы в данном контексте взаимозаменяемо.The subject includes people. The terms human, patient, and subject are used interchangeably in this context.

Лечить или лечение любого заболевания или нарушения относится, в одном варианте реализации, к облегчению заболевания или нарушения (т.е. к остановке или уменьшению развития заболевания или по меньшей мере одного из его клинических симптомов). В другом варианте реализации лечить или лечение относится к улучшению по меньшей мере одного физического параметра, который может быть незаметным для субъекта. В других вариантах реализации лечить или лечение относится к модулированию заболевания или нарушения, либо физически (например, стабилизация заметного симптома), либо физиологически (например, стабилизация физического параметра), либо оба варианта. В другом варианте реализации лечить или лечение относится к отсрочке возникновения заболевания или нарушения.Treating or treating any disease or disorder refers, in one embodiment, to alleviating the disease or disorder (ie, stopping or reducing the development of the disease or at least one of its clinical symptoms). In another implementation, to treat or treatment refers to the improvement of at least one physical parameter, which may not be noticeable to the subject. In other embodiments, treating or treating refers to modulating a disease or disorder, either physically (eg, stabilizing a noticeable symptom), physiologically (eg, stabilizing a physical parameter), or both. In another embodiment, treating or treating refers to delaying the onset of a disease or disorder.

Соединения согласно настоящему описанию и эквивалентные выражения включают фармацевтически приемлемые соли соединений формулы I, описанные в настоящем документе, а также их подвиды, и указанные выражения включают стереоизомеры (например, энантиомеры, диастереомеры) и структурные изомеры (например, таутомеры), если это допустимо по контексту.The compounds of the present disclosure and equivalent expressions include the pharmaceutically acceptable salts of the compounds of formula I described herein as well as subtypes thereof, and these expressions include stereoisomers (e.g. enantiomers, diastereomers) and structural isomers (e.g. tautomers) as permitted by law. context.

В данном контексте термин изотопный вариант относится к соединению, которое имеет относительное содержание изотопов у одного или более атомов, которые образуют указанное соединение, которое выше природной распространенности. Например, изотопный вариант соединения может иметь радиоактивную метку, т.е. содержать один или более радиоактивных изотопов, или может быть мечен нерадиоактивными изотопами, такими как, например, дейтерий (2H или D), углерод-13 (13C), азот-15 (15N) или т.п. Следует понимать, что в соединении, в котором сделана изотопная замена, могут варьироваться следующие атомы, при их наличии, так что, например, любой атом водорода может представлять собой 2H/D, любой атом углерода может представлять собой 13C, или любой атом азота может представлять собой 15N, и что присутствие и замена таких атомов может быть обнаружена специалистом в данной области техники.As used herein, the term isotopic variant refers to a compound that has a relative isotopic abundance of one or more of the atoms that form said compound that is above natural abundance. For example, an isotopic variant of a compound may be radioactively labeled, i. e. contain one or more radioactive isotopes, or may be labeled with non-radioactive isotopes such as, for example, deuterium ( 2 H or D), carbon-13 ( 13 C), nitrogen-15 ( 15 N), or the like. It should be understood that in a compound in which an isotopic substitution is made, the following atoms, if present, may vary, so that, for example, any hydrogen atom may be 2H/D, any carbon atom may be 13 C, or any nitrogen atom may represent 15 N, and that the presence and substitution of such atoms can be detected by a person skilled in the art.

Также следует понимать, что соединения, которые имеют одинаковую молекулярную формулу, но разную природу или последовательность связывания их атомов или расположение их атомов в пространстве, называют изомерами. Изомеры, которые отличаются расположением атомов в пространстве, называют стереоизомерами, например, диастереомеры, энантиомеры и атропизомеры. Соединения согласно настоящему описанию могут иметь один или более асимметричных центров; таким образом, такие соединения могут быть получены как отдельные (R)- или (S)-стереоизомеры у каждого асимметричного центра, или в форме их смесей. Если не указано иное, описание или название конкретного соединения в данном описании и формуле изобретения включает все стереоизомеры и их смеси, рацемические или иные. Если в структуре существует один хиральный центр, но для данного центра не указана конкретная стереохимия, то такая структура включает оба энантиомера по отдельности или в виде смеси энантиомеров. Если в структуре существует более одного хирального центра, но для данных центров не указана конкретная стереохимия, то такая структура включает все энантиомеры и диастереомеры по отдельности или в виде смеси. Способы определения стереохимии и разделения стереоизомеров хорошо известны в данной области техники.It should also be understood that compounds that have the same molecular formula but a different nature or sequence of bonding of their atoms or arrangement of their atoms in space are called isomers. Isomers that differ in the arrangement of atoms in space are called stereoisomers, such as diastereomers, enantiomers, and atropisomers. Compounds according to the present description may have one or more asymmetric centers; thus, such compounds can be obtained as individual (R)- or (S)-stereoisomers at each asymmetric center, or in the form of mixtures thereof. Unless otherwise indicated, the description or name of a particular compound in this specification and claims includes all stereoisomers and mixtures thereof, racemic or otherwise. If there is one chiral center in a structure, but no specific stereochemistry is specified for that center, then such a structure includes both enantiomers individually or as a mixture of enantiomers. If there is more than one chiral center in a structure, but no specific stereochemistry is specified for these centers, then such a structure includes all enantiomers and diastereomers individually or as a mixture. Methods for determining stereochemistry and separating stereoisomers are well known in the art.

В некоторых аспектах настоящее описание относится к фармацевтически приемлемым солям соединения формулы I:In some aspects, the present description relates to pharmaceutically acceptable salts of the compounds of formula I:

- 4 043295- 4 043295

В некоторых вариантах реализации фармацевтически приемлемая представляет собой малеатную соль, которая имеет формулу IA соль соединения формулы IIn some embodiments, the pharmaceutically acceptable is the maleate salt which is of formula IA salt of the compound of formula I

В некоторых вариантах реализации фармацевтически приемлемая представляет собой гидрохлоридную соль, которая имеет формулу IB соль соединения формулы IIn some embodiments, the pharmaceutically acceptable is the hydrochloride salt which is of formula IB salt of the compound of formula I

В некоторых вариантах реализации фармацевтически приемлемая соль представляет собой оксалатную соль, которая имеет формулу IC соединения формулы IIn some embodiments, the pharmaceutically acceptable salt is an oxalate salt which has the formula IC of a compound of formula I

В некоторых вариантах реализации фармацевтически приемлемая соль представляет собой фосфатную соль, которая имеет формулу ID соединения формулы IIn some embodiments, the pharmaceutically acceptable salt is a phosphate salt that has the formula I compound ID

В некоторых вариантах реализации фармацевтически приемлемая соль представляет собой бисульфатную соль, которая имеет формулу IE соединения формулы IIn some embodiments, the pharmaceutically acceptable salt is the bisulfate salt which has the formula IE of the compound of formula I

В некоторых аспектах настоящее описание относится к кристаллическим формам фармацевтически приемлемых солей соединения формулы I.In some aspects, the present description relates to crystalline forms of pharmaceutically acceptable salts of the compounds of formula I.

В некоторых вариантах реализации настоящее описание относится к кристаллическим формам солей формулы IA, IB, IC, ID или IE.In some embodiments, the present description relates to crystalline forms of salts of formula IA, IB, IC, ID or IE.

В других аспектах настоящее описание относится к кристаллическим формам соединения формулы I.In other aspects, the present description relates to crystalline forms of the compounds of formula I.

Кристаллические формы солей формулы IA, IB, IC, ID или IE и кристаллические формы формулы I согласно настоящему описанию могут иметь преимущественные свойства, включая одно или более из химической или полиморфной чистоты, сыпучести, растворимости, скорости растворения, биодоступности, морфологии или кристаллической структуры, стабильности, например химической стабильности, термической стабильности и механической стабильности в отношении полиморфного превращения, стабильности при хранении; гигроскопичности, низкого содержания остаточных растворителей и преимущественных характеристик для переработки и транспортировки, таких как способность к прессованию или насыпная плотность.The crystalline forms of salts of formula IA, IB, IC, ID or IE and the crystalline forms of formula I according to the present description may have advantageous properties, including one or more of chemical or polymorphic purity, flowability, solubility, dissolution rate, bioavailability, morphology or crystal structure, stability, such as chemical stability, thermal stability and mechanical stability in relation to polymorphic transformation, storage stability; hygroscopicity, low content of residual solvents and advantageous characteristics for processing and transportation, such as compressibility or bulk density.

Кристаллическая форма может быть упомянута в настоящем документе как охарактеризованная графическими данными, представленными на фигуре. Такие данные включают, например, порошковые рентгеновские дифрактограммы (РПД), термограммы дифференциальной сканирующей калориметрии (ДСК) или профили термогравиметрического анализа (ТГА). Как известно в данной области техники, графические данные потенциально обеспечивают дополнительную техническую информацию для дальThe crystalline form may be referred to herein as characterized by the graphical data presented in the figure. Such data include, for example, X-ray powder diffraction (XRD) patterns, differential scanning calorimetry (DSC) thermograms, or thermogravimetric analysis (TGA) profiles. As is known in the art, graphical data potentially provides additional technical information for remote

- 5 043295 нейшего уточнения соответствующей твердой формы, которая может быть не обязательно описана только со ссылкой на числовые значения или положения пиков. Таким образом, термин по существу такой, как показан в отношении графических данных на фигуре означает в данном контексте профиль, который не обязательно идентичен изображенному, но который находится в пределах экспериментальной ошибки или отклонений, при толковании специалистом в данной области техники. Специалисты в данной области техники могут без труда сравнить графические данные на фигурах, приведенных в настоящем документе, с графическими данными, полученными для неизвестной кристаллической формы, и подтвердить, что два набора графических данных описывают одну и ту же кристаллическую форму или две различные кристаллические формы.- 5 043295 further specification of the corresponding solid form, which may not necessarily be described only with reference to numerical values or peak positions. Thus, the term essentially as shown in relation to the graphical data in the figure means in this context a profile that is not necessarily identical to that depicted, but which is within the experimental error or deviations, as interpreted by a person skilled in the art. Those skilled in the art can easily compare the plots in the figures provided herein with plots obtained for an unknown crystal form and confirm that the two sets of plots describe the same crystal form or two different crystal forms.

Твердая кристаллическая форма может быть упомянута в настоящем документе как полиморфно чистая или как по существу не содержащая других форм. При использовании в данном контексте выражение по существу не содержащая других форм означает, что указанная твердая форма содержит примерно 20% или менее, примерно 10% или менее, примерно 5% или менее, примерно 2% или менее, примерно 1% или менее или 0% любых других форм рассматриваемого соединения при измерении, например, с помощью РПД. Например, следует понимать, что твердая форма формулы IA, описанная в настоящем документе как по существу не содержащая других твердых форм, содержит более примерно 80% (мас./мас.), более примерно 90% (мас./мас.), более примерно 95% (мас./мас.), более примерно 98% (мас./мас), более примерно 99% (мас./мас.) или примерно 100% рассматриваемой твердой формы формулы IA. Соответственно в некоторых вариантах реализации настоящего документа описанные твердые формы формулы IA могут содержать от примерно 1% до примерно 20% (мас./мас), от примерно 5 до примерно 20% (мас./мас.) или от примерно 5% до примерно 10% (мас./мас.) одной или более других твердых форм формулы IA.The solid crystalline form may be referred to herein as being polymorphically pure or substantially free of other forms. When used in this context, the expression essentially free of other forms means that said solid form contains about 20% or less, about 10% or less, about 5% or less, about 2% or less, about 1% or less, or 0 % of any other forms of the compound in question when measured, for example, using RPD. For example, it should be understood that the solid form of formula IA, described herein as essentially free of other solid forms, contains more than about 80% (wt./wt.), more than about 90% (wt./wt.), more about 95% (w/w), more than about 98% (w/w), more than about 99% (w/w), or about 100% of the considered solid form of formula IA. Accordingly, in some embodiments of this document, the described solid forms of formula IA may contain from about 1% to about 20% (w/w), from about 5 to about 20% (w/w), or from about 5% to about 10% (w/w) of one or more other solid forms of formula IA.

В данном контексте, если не указано иное, записанные пики РПД измерены с использованием излучения CuKa, λ=1,54Α.In this context, unless otherwise indicated, the recorded RPD peaks are measured using CuKa radiation, λ=1.54Α.

Модификатор примерно следует понимать как описывающий диапазон, определенный абсолютными значениями двух конечных точек. Например, выражение от примерно 2 до примерно 4 также описывает диапазон от 2 до 4. При использовании для модификации одного числа термин примерно относится к плюс или минус 10% указанного числа и включает само указанное число. Например, примерно 10% означает диапазон от 9 до 11%, и примерно 1 означает 0,9-1,1.The modifier should be roughly understood as describing the range defined by the absolute values of the two endpoints. For example, the expression from about 2 to about 4 also describes the range from 2 to 4. When used to modify a single number, the term roughly refers to plus or minus 10% of the specified number and includes the specified number itself. For example, about 10% means the range from 9 to 11%, and about 1 means 0.9-1.1.

Формула IA (малеатная соль формулы I).Formula IA (maleate salt of formula I).

В некоторых аспектах настоящее описание относится к кристаллической форме малеатной соли формулы I, т.е. к формуле IA. В некоторых вариантах реализации кристаллическая форма формулы IA по существу не содержит других твердых форм формулы IA.In some aspects, the present description relates to the crystalline form of the maleate salt of formula I, i. to formula IA. In some embodiments, the crystalline form of Formula IA is substantially free of other solid forms of Formula IA.

В некоторых вариантах реализации кристаллическая форма формулы IA имеет по существу такой профиль РПД, как показан на фиг. 1. Профиль РПД кристаллической формы формулы IA, представленный на фиг. 1, содержит углы отражения (градусы 2-тета ± 0,2 градуса 2-тета), расстояния между линиями (значения d) и относительные интенсивности, указанные в табл. 1:In some embodiments, the crystalline form of Formula IA has an RPD profile substantially as shown in FIG. 1. The RPD profile of the formula IA crystalline form shown in FIG. 1 contains reflection angles (degrees 2-theta ± 0.2 degrees 2-theta), distances between lines (values of d) and relative intensities shown in Table 1. 1:

Таблица 1. Данные РПД для кристаллической формы формулы IA, представленные на фиг. 1Table 1. RPD data for the crystalline form of formula IA shown in FIG. 1

Угол (градусы 2тета ± 0,2 градуса 2-тета) Angle (degrees 2-theta ± 0.2 degrees 2-theta) Значение d (А) d value (A) Относительная интенсивность Relative intensity 5,479 5.479 16,1157 16.1157 5 5 6,68 6.68 13,2205 13.2205 50,3 50.3 10,441 10.441 8,4659 8.4659 8,5 8.5 10,959 10.959 8,0664 8.0664 13,4 13.4

- 6 043295- 6 043295

13,72 13.72 6,4489 6.4489 32,4 32.4 14,879 14.879 5,9489 5.9489 31,8 31.8 16,319 16.319 5,4271 5.4271 100 100 16,839 16.839 5,2606 5.2606 59,6 59.6 17,679 17.679 5,0126 5.0126 20,9 20.9 18,762 18.762 4,7256 4.7256 26,1 26.1 19,379 19.379 4,5765 4.5765 39,8 39.8 20,419 20.419 4,3457 4.3457 53,7 53.7 21,441 21.441 4,1408 4.1408 28,4 28.4 22,04 22.04 4,0296 4.0296 9,1 9.1 23,12 23.12 3,8438 3.8438 22,5 22.5 23,862 23.862 3,726 3.726 9,2 9.2 25,4 25.4 3,5037 3.5037 51 51 25,859 25.859 3,4426 3.4426 27,4 27.4 26,619 26.619 3,3459 3.3459 46,7 46.7 27,057 27.057 3,2928 3.2928 27 27 27,9 27.9 3,1952 3.1952 31,8 31.8 29,08 29.08 3,0681 3.0681 38,2 38.2 30,741 30.741 2,9061 2.9061 21,1 21.1 31,358 31.358 2,8503 2.8503 12,6 12.6 32,738 32.738 2,7332 2.7332 И AND 33,539 33.539 2,6697 2.6697 16,3 16.3 34,917 34.917 2,5675 2.5675 4,3 4.3 36,499 36.499 2,4597 2.4597 14,8 14.8 37,3 37.3 2,4087 2.4087 19,4 19.4 38,401 38.401 2,3422 2.3422 3,8 3.8 39,72 39.72 2,2674 2.2674 12 12 41,16 41.16 2,1913 2.1913 10,5 10.5 41,618 41.618 2,1683 2.1683 9,6 9.6 42,817 42.817 2,1103 2.1103 3,8 3.8 43,56 43.56 2,076 2.076 13,8 13.8

В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы IA характеризуется профилем РПД, содержащим пик при одном из углов, указанных в табл. 1. В других аспектах кристаллическая форма формулы IA характеризуется профилем РПД, содержащим более одного пика при одном из углов, указанных выше в табл. 1. В других аспектах кристаллическая форма формулы IA характеризуется профилем РПД, содержащим два пика, выбранных из углов, указанных выше в табл. 1. В других аспектах кристаллическая форма формулы IA характеризуется профилем РПД, содержащим три пика, выбранных из углов, указанных выше в табл. 1. В других аспектах кристаллическая форма формулы IA характеризуется профилем РПД, содержащим четыре пика, выбранных из углов, указанных выше в табл. 1. В других аспектах кристаллическая форма формулы IA характеризуется профилем РПД, содержащим пять пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 1. В других аспектах кристаллическая форма формулы IA характеризуется профилем РПД, содержащим шесть пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 1. В других аспектах кристаллическая форма формулы IA характеризуется профилем РПД, содержащим семь пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 1. В других аспектах кристаллическая форма формулы IA характеризуется профилем РПД, содержащим восемь пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 1. В других аспектах кристаллическая форма формулы IA характеризуется профилем РПД, содержащим девять пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 1. В других аспектах кристаллическая форма формулы IA характеризуется профилем РПД, содержащим десять пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 1. В других аспектах кристаллическая форма формулы IA характеризуется профилем РПД, содержащим более десяти пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 1. В некоторых вариантах реализации кристаллическая форма формулы IA характеризуется профилем РПД, содержащим пик при 16,3° ± 0,2° 2-тета. В других вариантах реализации кристаллическая форма формулы IA характеризуется профилем РПД, содержащим пики при 6,7, 11,0 и 16,3° ± 0,2° 2-тета. В других вариантах реализации кристаллическая форма формулы IA характеризуется профилем РПД, содержащим пики при 6,7, 16,3, 20,4 и 30,7° ± 0,2° 2-тета. В других вариантах реализации кристаллическая форма формулы IA характеризуется профилем РПД, содержащим пики при 6,7, 14,9, 16,3 и 20,4° ± 0,2° 2-тета. В других вариантах реализации кристаллическая форма формулы IA характеризуется профилем РПД, содержащим пики при 6,7, 11,0, 14,9, 16,3, 16,8, 20,4, 25,4° ± 0,2° 2-тета. В других вариантах реализации кристаллическая форма формулы IA характеризуется профилем РПД, содержащим пики при 6,7, 16,3, 20,4, 25,4 и 30,7° ± 0,2° 2-тета. В других вариантах реализации кристаллическая форма формулы IA характеризуется профилем РПД, содержащим пики при 6,7, 11,0, 14,9, 16,3, 16,8, 20,4, 25,4, 25,9, 27,9, 29,1 и 30,7° ± 0,2° 2-тета.In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula IA is characterized by an RPD profile containing a peak at one of the angles indicated in table. 1. In other aspects, the crystalline form of formula IA is characterized by an RPD profile containing more than one peak at one of the angles indicated above in table. 1. In other aspects, the crystalline form of formula IA is characterized by an RPD profile containing two peaks selected from the angles indicated above in table. 1. In other aspects, the crystalline form of formula IA is characterized by an RPD profile containing three peaks selected from the angles indicated above in table. 1. In other aspects, the crystalline form of formula IA is characterized by an RPD profile containing four peaks selected from the angles indicated above in table. 1. In other aspects, the crystalline form of formula IA is characterized by an RPD profile containing five peaks selected from the angles indicated above in table. 1. In other aspects, the crystalline form of formula IA is characterized by an RPD profile containing six peaks selected from the angles indicated above in table. 1. In other aspects, the crystalline form of formula IA is characterized by an RPD profile containing seven peaks selected from the angles indicated above in table. 1. In other aspects, the crystalline form of formula IA is characterized by an RPD profile containing eight peaks selected from the angles indicated above in table. 1. In other aspects, the crystalline form of formula IA is characterized by an RPD profile containing nine peaks selected from the angles indicated above in table. 1. In other aspects, the crystalline form of formula IA is characterized by an RPD profile containing ten peaks selected from the angles indicated above in table. 1. In other aspects, the crystalline form of formula IA is characterized by an RPD profile containing more than ten peaks selected from the angles indicated above in table. 1. In some embodiments, the crystalline form of Formula IA has an RPD profile containing a peak at 16.3° ± 0.2° 2-theta. In other embodiments, the crystalline form of formula IA has an RPD profile containing peaks at 6.7, 11.0, and 16.3° ± 0.2° 2-theta. In other embodiments, the crystalline form of formula IA has an RPD profile containing peaks at 6.7, 16.3, 20.4, and 30.7° ± 0.2° 2-theta. In other embodiments, the crystalline form of formula IA has an RPD profile containing peaks at 6.7, 14.9, 16.3, and 20.4° ± 0.2° 2-theta. In other embodiments, the crystalline form of formula IA is characterized by an RPD profile containing peaks at 6.7, 11.0, 14.9, 16.3, 16.8, 20.4, 25.4° ± 0.2° 2- theta. In other embodiments, the crystalline form of Formula IA has an RPD profile containing peaks at 6.7, 16.3, 20.4, 25.4, and 30.7° ± 0.2° 2-theta. In other embodiments, the crystalline form of Formula IA is characterized by an RPD profile containing peaks at 6.7, 11.0, 14.9, 16.3, 16.8, 20.4, 25.4, 25.9, 27.9 , 29.1 and 30.7° ± 0.2° 2-theta.

В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы IA хаIn some embodiments of the present description, the crystalline form of formula IA xa

- 7 043295 рактеризуется профилем РПД, содержащим пики при трех или более из 6,7, 11,0, 14,9, 16,3, 16,8, 20,4, 25,4, 25,9, 27,9, 29,1 и 30,7° ± 0,2° 2-тета. В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы IA характеризуется профилем РПД, содержащим пики при четырех или более из 6,7, 11,0, 14,9, 16,3, 16,8, 20,4, 25,4, 25,9, 27,9, 29,1 и 30,7° ± 0,2° 2-тета. В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы IA характеризуется профилем РПД, содержащим пики при пяти или более из 6,7, 11,0, 14,9, 16,3, 16,8, 20,4, 25,4, 25,9, 27,9, 29,1 и 30,7° ± 0,2° 2-тета. В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы IA характеризуется профилем РПД, содержащим пики при шести или более из 6,7, 11,0, 14,9, 16,3, 16,8, 20,4, 25,4, 25,9, 27,9, 29,1 и 30,7° ± 0,2° 2-тета.- 7 043295 is characterized by an RPD profile containing peaks at three or more of 6.7, 11.0, 14.9, 16.3, 16.8, 20.4, 25.4, 25.9, 27.9, 29.1 and 30.7° ± 0.2° 2-theta. In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula IA is characterized by an RPD profile containing peaks at four or more of 6.7, 11.0, 14.9, 16.3, 16.8, 20.4, 25.4, 25 .9, 27.9, 29.1 and 30.7° ± 0.2° 2-theta. In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula IA is characterized by an RPD profile containing peaks at five or more of 6.7, 11.0, 14.9, 16.3, 16.8, 20.4, 25.4, 25 .9, 27.9, 29.1 and 30.7° ± 0.2° 2-theta. In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula IA is characterized by an RPD profile containing peaks at six or more of 6.7, 11.0, 14.9, 16.3, 16.8, 20.4, 25.4, 25 .9, 27.9, 29.1 and 30.7° ± 0.2° 2-theta.

В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы IA характеризуется профилем РПД, содержащим пики при семи или более из 6,7, 11,0, 14,9, 16,3, 16,8, 20,4, 25,4, 25,9, 27,9, 29,1 и 30,7° ± 0,2° 2-тета. В некоторых вариантах реализации кристаллическая форма формулы IA имеет по существу такой профиль РПД, как показан на фиг. 2. Профиль РПД кристаллической формы формулы IA, представленный на фиг. 2, содержит углы отражения (градусы 2-тета ± 0,2 градуса 2-тета), расстояния между линиями (значения d) и относительные интенсивности, указанные в табл. 2:In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula IA is characterized by an RPD profile containing peaks at seven or more of 6.7, 11.0, 14.9, 16.3, 16.8, 20.4, 25.4, 25 .9, 27.9, 29.1 and 30.7° ± 0.2° 2-theta. In some embodiments, the crystalline form of Formula IA has an RPD profile substantially as shown in FIG. 2. RPD profile of the formula IA crystalline form shown in FIG. 2 contains reflection angles (degrees 2-theta ± 0.2 degrees 2-theta), distances between lines (d-values), and relative intensities shown in Table 2. 2:

Таблица 2. Данные РПД для кристаллической формы формулы IA, представленные на фиг. 2Table 2. RPD data for the crystalline form of formula IA shown in FIG. 2

Угол (градусы 2тета ± 0,2 градуса 2-тета) Angle (degrees 2-theta ± 0.2 degrees 2-theta) Значение d (А) d value (A) Относительная интенсивность Relative intensity 3,10 3.10 28,439 28.439 34 34 8,29 8.29 10,656 10.656 45 45 9,36 9.36 9,443 9.443 13 13 10,23 10.23 8,639 8.639 18 18 11,00 11.00 8,038 8.038 18 18 13,03 13.03 6,789 6.789 40 40 13,53 13.53 6,538 6.538 И AND 14,12 14.12 6,266 6.266 И AND 14,56 14.56 6,080 6.080 100 100 15,33 15.33 5,777 5.777 32 32 15,77 15.77 5,615 5.615 14 14 16,30 16.30 5,434 5.434 70 70 16,66 16.66 5,317 5.317 24 24 17,81 17.81 4,977 4.977 18 18 18,22 18.22 4,865 4.865 12 12 18,45 18.45 4,805 4.805 28 28 18,83 18.83 4,710 4,710 7 7 19,32 19.32 4,592 4.592 16 16 19,66 19.66 4,511 4.511 13 13 19,84 19.84 4,471 4.471 10 10 20,19 20.19 4,394 4,394 7 7 20,60 20.60 4,308 4.308 6 6 20,96 20.96 4,234 4.234 7 7 21,67 21.67 4,098 4.098 8 8 21,90 21.90 4,055 4.055 8 8 22,12 22.12 4,015 4.015 13 13 22,57 22.57 3,936 3.936 10 10 22,96 22.96 3,870 3,870 И AND 23,66 23.66 3,757 3.757 И AND 24,73 24.73 3,597 3.597 7 7 25,11 25.11 3,543 3.543 15 15 25,48 25.48 3,493 3.493 17 17 25,66 25.66 3,469 3.469 19 19 25,97 25.97 3,428 3.428 10 10 26,26 26.26 3,392 3.392 33 33 26,53 26.53 3,356 3.356 23 23 27,01 27.01 3,298 3.298 36 36 27,19 27.19 3,277 3.277 31 31 27,52 27.52 3,239 3.239 10 10 27,82 27.82 3,204 3.204 8 8 28,27 28.27 3,155 3.155 12 12 28,55 28.55 3,124 3.124 17 17 29,36 29.36 3,040 3.040 И AND 29,79 29.79 2,997 2.997 И AND

В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы IA характеризуется профилем РПД, содержащим пик при одном из углов, указанных в табл. 2. В других аспектах кристаллическая форма формулы IA характеризуется профилем РПД, содержащим более одного пика при одном из углов, указанных выше в табл. 2. В других аспектах кристаллическая форма формулыIn some embodiments of the present description, the crystalline form of formula IA is characterized by an RPD profile containing a peak at one of the angles indicated in table. 2. In other aspects, the crystalline form of formula IA is characterized by an RPD profile containing more than one peak at one of the angles indicated above in table. 2. In other aspects, the crystalline form of the formula

- 8 043295- 8 043295

IA характеризуется профилем РПД, содержащим два пика, выбранных из углов, указанных выше в табл. 2. В других аспектах кристаллическая форма формулы IA характеризуется профилем РПД, содержащим три пика, выбранных из углов, указанных выше в табл. 2. В других аспектах кристаллическая форма формулы IA характеризуется профилем РПД, содержащим четыре пика, выбранных из углов, указанных выше в табл. 2. В других аспектах кристаллическая форма формулы IA характеризуется профилем РПД, содержащим пять пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 2. В других аспектах кристаллическая форма формулы IA характеризуется профилем РПД, содержащим шесть пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 2. В других аспектах кристаллическая форма формулы IA характеризуется профилем РПД, содержащим семь пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 2. В других аспектах кристаллическая форма формулы IA характеризуется профилем РПД, содержащим восемь пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 2. В других аспектах кристаллическая форма формулы IA характеризуется профилем РПД, содержащим девять пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 2. В других аспектах кристаллическая форма формулы IA характеризуется профилем РПД, содержащим десять пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 2. В других аспектах кристаллическая форма формулы IA характеризуется профилем РПД, содержащим более десяти пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 2.IA is characterized by an RPD profile containing two peaks selected from the angles indicated in Table 1 above. 2. In other aspects, the crystalline form of formula IA is characterized by an RPD profile containing three peaks selected from the angles indicated above in table. 2. In other aspects, the crystalline form of formula IA is characterized by an RPD profile containing four peaks selected from the angles indicated above in table. 2. In other aspects, the crystalline form of formula IA is characterized by an RPD profile containing five peaks selected from the angles indicated above in table. 2. In other aspects, the crystalline form of formula IA is characterized by an RPD profile containing six peaks selected from the angles indicated above in table. 2. In other aspects, the crystalline form of formula IA is characterized by an RPD profile containing seven peaks selected from the angles indicated above in table. 2. In other aspects, the crystalline form of formula IA is characterized by an RPD profile containing eight peaks selected from the angles indicated above in table. 2. In other aspects, the crystalline form of formula IA is characterized by an RPD profile containing nine peaks selected from the angles indicated above in table. 2. In other aspects, the crystalline form of formula IA is characterized by an RPD profile containing ten peaks selected from the angles indicated above in table. 2. In other aspects, the crystalline form of formula IA is characterized by an RPD profile containing more than ten peaks selected from the angles indicated above in table. 2.

В некоторых вариантах реализации кристаллическая форма формулы IA характеризуется профилем РПД, содержащим пик при 14,6° ± 0,2° 2-тета. В других вариантах реализации кристаллическая форма формулы IA характеризуется профилем РПД, содержащим пики при 13,0, 14,6 и 16,3° ± 0,2° 2-тета. В других вариантах реализации кристаллическая форма формулы IA характеризуется профилем РПД, содержащим пики при 8,3, 13,0, 14,6, 16,3, 26,3 и 27,0° ± 0,2° 2-тета. В других вариантах реализации кристаллическая форма формулы IA характеризуется профилем РПД, содержащим пики при 8,3, 13,0, 14,6, 15,3, 16,3, 16,7, 27,0 и 27,2° ± 0,2° 2-тета. В других вариантах реализации кристаллическая форма формулы IA характеризуется профилем РПД, содержащим пики при 3,1, 8,3, 13,0, 14,6, 15,3 и 16,3° ± 0,2° 2тета. В других вариантах реализации кристаллическая форма формулы IA характеризуется профилем РПД, содержащим пики при 14,6, 15,3, 16,3, 16,7, 18,4, 26,3, 27,0 и 27,2° ± 0,2° 2-тета. В других вариантах реализации кристаллическая форма формулы IA характеризуется профилем РПД, содержащим пики при 3,1, 8,3, 13,0, 14,6, 15,3, 16,3, 16,7, 18,4, 26,3, 26,5, 27,0 и 27,2° ± 0,2° 2-тета.In some embodiments, the crystalline form of formula IA is characterized by an RPD profile containing a peak at 14.6° ± 0.2° 2-theta. In other embodiments, the crystalline form of formula IA has an RPD profile containing peaks at 13.0, 14.6, and 16.3° ± 0.2° 2-theta. In other embodiments, the crystalline form of Formula IA has an RPD profile containing peaks at 8.3, 13.0, 14.6, 16.3, 26.3, and 27.0° ± 0.2° 2-theta. In other embodiments, the crystalline form of formula IA is characterized by an RPD profile containing peaks at 8.3, 13.0, 14.6, 15.3, 16.3, 16.7, 27.0, and 27.2° ± 0, 2° 2-theta. In other embodiments, the crystalline form of formula IA has an RPD profile containing peaks at 3.1, 8.3, 13.0, 14.6, 15.3, and 16.3° ± 0.2° 2theta. In other embodiments, the crystalline form of formula IA is characterized by an RPD profile containing peaks at 14.6, 15.3, 16.3, 16.7, 18.4, 26.3, 27.0, and 27.2°±0, 2° 2-theta. In other embodiments, the crystalline form of formula IA is characterized by an RPD profile containing peaks at 3.1, 8.3, 13.0, 14.6, 15.3, 16.3, 16.7, 18.4, 26.3 , 26.5, 27.0 and 27.2° ± 0.2° 2-theta.

В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы IA характеризуется профилем РПД, содержащим пики при трех или более из 3,1, 8,3, 13,0, 14,6, 15,3, 16,3, 16,7, 18,4, 26,3, 26,5, 27,0 и 27,2° ± 0,2° 2-тета. В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы IA характеризуется профилем РПД, содержащим пики при четырех или более из 3,1, 8,3, 13,0, 14,6, 15,3, 16,3, 16,7, 18,4, 26,3, 26,5, 27,0 и 27,2° ± 0,2° 2-тета. В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы IA характеризуется профилем РПД, содержащим пики при пяти или более из 3,1, 8,3, 13,0, 14,6, 15,3, 16,3, 16,7, 18,4, 26,3, 26,5, 27,0 и 27,2° ± 0,2° 2-тета. В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы IA характеризуется профилем РПД, содержащим пики при шести или более из 3,1, 8,3, 13,0, 14,6, 15,3, 16,3, 16,7, 18,4, 26,3, 26,5, 27,0 и 27,2° ± 0,2° 2-тета. В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы IA характеризуется профилем РПД, содержащим пики при семи или более из 3,1, 8,3, 13,0, 14,6, 15,3, 16,3, 16,7, 18,4, 26,3, 26,5, 27,0 и 27,2° ± 0,2° 2-тета.In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula IA is characterized by an RPD profile containing peaks at three or more of 3.1, 8.3, 13.0, 14.6, 15.3, 16.3, 16.7, 18 .4, 26.3, 26.5, 27.0 and 27.2° ± 0.2° 2-theta. In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula IA is characterized by an RPD profile containing peaks at four or more of 3.1, 8.3, 13.0, 14.6, 15.3, 16.3, 16.7, 18 .4, 26.3, 26.5, 27.0 and 27.2° ± 0.2° 2-theta. In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula IA is characterized by an RPD profile containing peaks at five or more of 3.1, 8.3, 13.0, 14.6, 15.3, 16.3, 16.7, 18 .4, 26.3, 26.5, 27.0 and 27.2° ± 0.2° 2-theta. In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula IA is characterized by an RPD profile containing peaks at six or more of 3.1, 8.3, 13.0, 14.6, 15.3, 16.3, 16.7, 18 .4, 26.3, 26.5, 27.0 and 27.2° ± 0.2° 2-theta. In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula IA is characterized by an RPD profile containing peaks at seven or more of 3.1, 8.3, 13.0, 14.6, 15.3, 16.3, 16.7, 18 .4, 26.3, 26.5, 27.0 and 27.2° ± 0.2° 2-theta.

В некоторых вариантах реализации кристаллическая форма формулы IA может быть охарактеризована по существу такой термограммой ДСК, как представлена на фиг. 3. На фиг. 3 показано, что кристаллическая форма формулы IA образует эндотермический пик при 206,69°C с температурой начала пика 204,70°C и энтальпией плавления 137,1 Дж/г, при нагревании со скоростью 10°С/мин. В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы IA характеризуется термограммой ДСК, содержащей эндотермический пик при примерно 207°C. В других вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы IA характеризуется энтальпией плавления по ДСК примерно 137 Дж/г.In some embodiments, the crystalline form of Formula IA may be characterized substantially by a DSC thermogram as shown in FIG. 3. In FIG. 3 shows that the crystalline form of formula IA forms an endothermic peak at 206.69° C. with a peak onset temperature of 204.70° C. and a fusion enthalpy of 137.1 J/g when heated at a rate of 10° C./min. In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula IA is characterized by a DSC thermogram containing an endothermic peak at about 207°C. In other embodiments of the present disclosure, the crystalline form of formula IA has a DSC fusion enthalpy of about 137 J/g.

В некоторых вариантах реализации кристаллическая форма формулы IA может быть охарактеризована по существу таким профилем ТГА, как представлен на фиг. 4, при нагревании со скоростью 20°С/мин. На фиг. 4 показано, что кристаллическая форма формулы IA теряет примерно 0,03% массы при нагревании до примерно 150°C.In some embodiments, the crystalline form of Formula IA may be characterized substantially by a TGA profile as shown in FIG. 4, when heated at a rate of 20°C/min. In FIG. 4 shows that the crystalline form of Formula IA loses about 0.03% by weight when heated to about 150°C.

В некоторых вариантах реализации кристаллическая форма формулы IA может быть охарактеризована по существу такой термограммой ДСК и профилем ТГА, как показаны на фиг. 5. На фиг. 5 показано, что кристаллическая форма формулы IA образует эндотермический пик при 184,92°C с температурой начала пика 179,82°C, при нагревании со скоростью 10 K/мин.In some embodiments, the crystalline form of Formula IA may be characterized by a substantially DSC thermogram and TGA profile as shown in FIG. 5. In FIG. 5 shows that the crystalline form of formula IA forms an endothermic peak at 184.92° C. with a peak onset temperature of 179.82° C. when heated at a rate of 10 K/min.

В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы IA характеризуется термограммой ДСК, содержащей эндотермический пик при примерно 185°C при нагревании со скоростью 10 K/мин. На фиг. 5 показано, что кристаллическая форма формулы IA теряет примерно 12,3% массы при нагревании до примерно 210°C.In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula IA is characterized by a DSC thermogram containing an endothermic peak at about 185°C when heated at a rate of 10 K/min. In FIG. 5 shows that the crystalline form of formula IA loses about 12.3% weight when heated to about 210°C.

В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы IA ха- 9 043295 рактеризуется профилем РПД, содержащим пики при 6,7, 14,9, 16,3 и 20,4° ± 0,2° 2-тета, и термограммойIn some embodiments of the present description, the crystalline form of formula IA is characterized by an RPD profile containing peaks at 6.7, 14.9, 16.3 and 20.4° ± 0.2° 2-theta and a thermogram

ДСК, содержащей эндотермический пик при примерно 207°C при нагревании со скоростью 10°С/мин.DSC containing an endothermic peak at about 207°C when heated at a rate of 10°C/min.

В некоторых вариантах реализации кристаллическая форма формулы IA имеет по существу такой профиль РПД, как представлен на фиг. 14.In some embodiments, the crystalline form of Formula IA has an RPD profile substantially as shown in FIG. 14.

В некоторых вариантах реализации кристаллическая форма формулы IA имеет по существу такую термограмму ДСК, как представлена на фиг. 15.In some embodiments, the crystalline form of formula IA has a substantially DSC thermogram as shown in FIG. 15.

В некоторых вариантах реализации кристаллическая форма формулы IA имеет по существу такой профиль ТГА, как представлен на фиг. 16.In some embodiments, the crystalline form of Formula IA has a TGA profile substantially as shown in FIG. 16.

Формула IB (HCl соль формулы I).Formula IB (HCl salt of formula I).

В некоторых аспектах настоящее описание относится к кристаллической форме гидрохлоридной соли, т.е. к формуле IB. В некоторых вариантах реализации кристаллическая форма формулы IB по существу не содержит других твердых форм формулы IB.In some aspects, the present description refers to the crystalline form of the hydrochloride salt, i. to the IB formula. In some embodiments, the crystalline form of Formula IB is substantially free of other solid forms of Formula IB.

В некоторых вариантах реализации кристаллическая форма формулы IB имеет по существу такой профиль РПД, как показан на фиг. 6. Профиль РПД кристаллической формы формулы IB, представлен ный на фиг. 6, содержит углы отражения (градусы 2-тета ± 0,2° 2-тета), расстояния между линиями (значения d) и относительные интенсивности, указанные в табл. 3.In some embodiments, the crystalline form of Formula IB has an RPD profile substantially as shown in FIG. 6. RPD profile of the crystalline form of formula IB shown in FIG. 6 contains reflection angles (degrees 2-theta ± 0.2° 2-theta), distances between lines (d-values), and relative intensities shown in Table 1. 3.

Таблица 3. Данные РПД дляTable 3. RPD data for

Угол (градусы 2-тета ± 0,2 градуса 2-тета) Angle (degrees 2-theta ± 0.2 degrees 2-theta) Значение d(A) Value d(A) Относительная интенсивность Relative intensity 5,439 5.439 16,2337 16.2337 33,7 33.7 10,901 10.901 8,1096 8.1096 32,7 32.7 15,159 15.159 5,8399 5.8399 19,7 19.7 15,58 15.58 5,6829 5.6829 9,3 9.3 16,4 16.4 5,4005 5.4005 100 100 17,2 17.2 5,1512 5.1512 5,1 5.1 21,2 21.2 4,1874 4.1874 21,1 21.1 21,941 21.941 4,0477 4.0477 7,5 7.5 22,798 22.798 3,8974 3.8974 4 4 24,2 24.2 3,6746 3.6746 26 26 25,802 25.802 3,4501 3.4501 5,8 5.8 26,26 26.26 3,3909 3.3909 7,7 7.7 27,521 27.521 3,2384 3.2384 36,3 36.3 28 28 3,184 3.184 13,8 13.8 30,521 30.521 2,9265 2.9265 4,6 4.6 33,259 33.259 2,6916 2.6916 8 8 34,642 34.642 2,5873 2.5873 5,7 5.7 35,96 35.96 2,4954 2.4954 5,8 5.8 40,019 40.019 2,2511 2.2511 4,1 4.1

IB, представленные на фиг. 6IB shown in Fig. 6

В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы IB ха рактеризуется профилем РПД, содержащим пик при одном из углов, указанных в табл. 3. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим более одного пика при одном из углов, указанных выше в табл. 3. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим два пика, выбранных из углов, указанных выше в табл. 3. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим три пика, выбранных из углов, указанных выше в табл. 3. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим четыре пика, выбранных из углов, указанных выше в табл. 3. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим пять пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 3. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим шесть пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 3. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим семь пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 3. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим восемь пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 3. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим девять пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 3. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим десять пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 3. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим более десяти пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 3.In some embodiments of the present disclosure, the crystalline form of formula IB is characterized by an RPD profile containing a peak at one of the angles shown in Table 1. 3. In other aspects, the crystalline form of formula IB is characterized by an RPD profile containing more than one peak at one of the angles indicated above in table. 3. In other aspects, the crystalline form of formula IB is characterized by an RPD profile containing two peaks selected from the angles indicated above in table. 3. In other aspects, the crystalline form of formula IB is characterized by an RPD profile containing three peaks selected from the angles indicated above in table. 3. In other aspects, the crystalline form of formula IB is characterized by an RPD profile containing four peaks selected from the angles indicated above in table. 3. In other aspects, the crystalline form of formula IB is characterized by an RPD profile containing five peaks selected from the angles indicated above in table. 3. In other aspects, the crystalline form of formula IB is characterized by an RPD profile containing six peaks selected from the angles indicated above in table. 3. In other aspects, the crystalline form of formula IB is characterized by an RPD profile containing seven peaks selected from the angles indicated above in table. 3. In other aspects, the crystalline form of formula IB is characterized by an RPD profile containing eight peaks selected from the angles indicated above in table. 3. In other aspects, the crystalline form of formula IB is characterized by an RPD profile containing nine peaks selected from the angles indicated above in table. 3. In other aspects, the crystalline form of formula IB is characterized by an RPD profile containing ten peaks selected from the angles indicated above in table. 3. In other aspects, the crystalline form of formula IB is characterized by an RPD profile containing more than ten peaks selected from the angles indicated above in table. 3.

В некоторых вариантах реализации кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим пик при 5,4° ± 0,2° 2-тета. В других вариантах реализации кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим пики при 5,4, 10,9 и 16,4° ± 0,2° 2-тета. В других вариантах реализации кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содер- 10 043295 жащим пики при 5,4, 10,9, 21,2 и 24,2° ± 0,2° 2-тета. В других вариантах реализации кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим пики при 5,4, 10,9, 16,4, 21,2 и 24,2° ±In some embodiments, the crystalline form of Formula IB has an RPD profile containing a peak at 5.4° ± 0.2° 2-theta. In other embodiments, the crystalline form of formula IB has an RPD profile containing peaks at 5.4, 10.9, and 16.4° ± 0.2° 2-theta. In other embodiments, the crystalline form of formula IB has an RPD profile containing peaks at 5.4, 10.9, 21.2, and 24.2° ± 0.2° 2-theta. In other embodiments, the crystalline form of formula IB is characterized by an RPD profile containing peaks at 5.4, 10.9, 16.4, 21.2 and 24.2°±

0,2° 2-тета. В других вариантах реализации кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим пики при 5,4, 10,9, 16,4, 21,2, 24,2 и 27,5° ± 0,2° 2-тета.0.2° 2-theta. In other embodiments, the crystalline form of formula IB has an RPD profile containing peaks at 5.4, 10.9, 16.4, 21.2, 24.2, and 27.5° ± 0.2° 2-theta.

В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим пики при трех или более из 5,4, 10,9, 16,4, 21,2, 24,2 и 27,5° ± 0,2° 2-тета. В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим пики при четырех или более из 5,4, 10,9, 16,4, 21,2, 24,2 и 27,5° ± 0,2° 2-тета. В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим пики при пяти или более из 5,4, 10,9, 16,4, 21,2, 24,2 и 27,5° ± 0,2° 2-тета.In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula IB is characterized by an RPD profile containing peaks at three or more of 5.4, 10.9, 16.4, 21.2, 24.2 and 27.5° ± 0.2° 2-theta. In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula IB is characterized by an RPD profile containing peaks at four or more of 5.4, 10.9, 16.4, 21.2, 24.2 and 27.5° ± 0.2° 2-theta. In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula IB is characterized by an RPD profile containing peaks at five or more of 5.4, 10.9, 16.4, 21.2, 24.2 and 27.5° ± 0.2° 2-theta.

В некоторых вариантах реализации кристаллическая форма формулы IB может быть охарактеризована по существу такой термограммой ДСК, как представлена на фиг. 9. На фиг. 9 показано, что кристаллическая форма формулы IB образует эндотермический пик при 191,42°C (начало при 179,71°C; 37,63 Дж/г), затем экзотермический пик при 209,27°C (начало при 200,36°C; 79,45 Дж/г), затем еще один эндотермический пик при 268,11°С(начало при 261,51°C; 93,73 Дж/г), при нагревании при 10°С/мин. В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы IB характеризуется термограммой ДСК, содержащей эндотермический пик при примерно 191°C при нагревании со скоростью 1 0°С/мин. В других вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы IB характеризуется термограммой ДСК, содержащей эндотермический пик при примерно 268°C, при нагревании со скоростью 10°С/мин.In some embodiments, the crystalline form of Formula IB may be characterized by a substantially DSC thermogram as shown in FIG. 9. In FIG. 9 shows that the crystalline form of formula IB forms an endothermic peak at 191.42°C (beginning at 179.71°C; 37.63 J/g), then an exothermic peak at 209.27°C (beginning at 200.36° C; 79.45 J/g), then another endothermic peak at 268.11°C (beginning at 261.51°C; 93.73 J/g), while heating at 10°C/min. In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula IB is characterized by a DSC thermogram containing an endothermic peak at about 191°C when heated at a rate of 10°C/min. In other embodiments of the present description, the crystalline form of formula IB is characterized by a DSC thermogram containing an endothermic peak at about 268°C, when heated at a rate of 10°C/min.

В некоторых вариантах реализации кристаллическая форма формулы IB может быть охарактеризована по существу таким профилем ТГА, как представлен на фиг. 10, при нагревании со скоростью 20°С/мин. На фиг. 10 показано, что кристаллическая форма формулы IB теряет примерно 0,8% массы при нагревании до примерно 150°C. В некоторых вариантах реализации кристаллическая форма формулы IB имеет по существу такой профиль РПД, как показан на фиг. 7. Профиль РПД кристаллической формы формулы IB, представленный на фиг. 7, содержит углы отражения (градусы 2-тета ± 0,2° 2-тета), расстояния между линиями (значения d) и относительные интенсивности, указанные в табл. 4.In some embodiments, the crystalline form of Formula IB may be characterized substantially by the TGA profile as shown in FIG. 10, when heated at a rate of 20°C/min. In FIG. 10 shows that the crystalline form of formula IB loses about 0.8% by weight when heated to about 150°C. In some embodiments, the crystalline form of Formula IB has an RPD profile substantially as shown in FIG. 7. RPD profile of the crystalline form of formula IB shown in FIG. 7 contains reflection angles (degrees 2-theta ± 0.2° 2-theta), distances between lines (d-values), and relative intensities shown in Table 1. 4.

Таблица 4. Данные РПД для кристаллической формы формулы IB, представленные на фиг. 7Table 4. RPD data for the crystalline form of formula IB shown in FIG. 7

Угол (градусы 2тета ± 0,2 градуса 2тета) Angle (degrees 2theta ± 0.2 degrees 2theta) Значение d(A) Value d(A) Относительная интенсивность Relative intensity 4,979 4.979 17,732 17.732 64,3 64.3 10,06 10.06 8,7856 8.7856 12 12 13,72 13.72 6,4491 6.4491 И,1 I,1 15,2 15.2 5,8241 5.8241 100 100 17,153 17.153 5,165 5.165 12,4 12.4 19,099 19.099 4,643 4.643 7,3 7.3 20,359 20.359 4,3585 4.3585 14,5 14.5 21,319 21.319 4,1642 4.1642 13,3 13.3 24,28 24.28 3,6628 3.6628 25,6 25.6 25,659 25.659 3,4689 3.4689 14,5 14.5 27,919 27.919 3,1931 3.1931 7,9 7.9 30,8 30.8 2,9006 2.9006 33,1 33.1

В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим пик при одном из углов, указанных в табл. 4. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим более одного пика при одном из углов, указанных выше в табл. 4. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим два пика, выбранных из углов, указанных выше в табл. 4. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим три пика, выбранных из углов, указанных выше в табл. 4. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим четыре пика, выбранных из углов, указанных выше в табл. 4. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим пять пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 4. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим шесть пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 4. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим семь пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 4. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим восемь пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 4. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим девять пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 4. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим десять пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 4.In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula IB is characterized by an RPD profile containing a peak at one of the angles indicated in table. 4. In other aspects, the crystalline form of formula IB is characterized by an RPD profile containing more than one peak at one of the angles indicated above in table. 4. In other aspects, the crystalline form of formula IB is characterized by an RPD profile containing two peaks selected from the angles indicated above in table. 4. In other aspects, the crystalline form of formula IB is characterized by an RPD profile containing three peaks selected from the angles indicated above in table. 4. In other aspects, the crystalline form of formula IB is characterized by an RPD profile containing four peaks selected from the angles indicated above in table. 4. In other aspects, the crystalline form of formula IB is characterized by an RPD profile containing five peaks selected from the angles indicated above in table. 4. In other aspects, the crystalline form of formula IB is characterized by an RPD profile containing six peaks selected from the angles indicated above in table. 4. In other aspects, the crystalline form of formula IB is characterized by an RPD profile containing seven peaks selected from the angles indicated above in table. 4. In other aspects, the crystalline form of formula IB is characterized by an RPD profile containing eight peaks selected from the angles indicated above in table. 4. In other aspects, the crystalline form of formula IB is characterized by an RPD profile containing nine peaks selected from the angles indicated above in table. 4. In other aspects, the crystalline form of formula IB is characterized by an RPD profile containing ten peaks selected from the angles indicated above in table. 4.

- 11 043295- 11 043295

В других аспектах кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим более десяти пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 4. В других вариантах реализации кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим пик при 5,0 градуса ± 0,2 градуса 2-тета. В других вариантах реализации кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим пики при 5,0, 15,2 и 24,3° ± 0,2° 2-тета. В других вариантах реализации кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим пики при 5,0, 15,2, 24,3 и 30,8° ± 0,2° 2-тета. В других вариантах реализации кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим пики при 5,0, 10,1, 13,7, 15,2, 17,1, 24,3 и 30,8° ± 0,2° 2-тета. В других вариантах реализации кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим пики при 17,1, 24,3 и 30,8° ± 0,2° 2-тета.In other aspects, the crystalline form of formula IB is characterized by an RPD profile containing more than ten peaks selected from the angles indicated above in table. 4. In other embodiments, the crystalline form of formula IB has an RPD profile containing a peak at 5.0 degrees±0.2 degrees 2-theta. In other embodiments, the crystalline form of formula IB has an RPD profile containing peaks at 5.0, 15.2, and 24.3° ± 0.2° 2-theta. In other embodiments, the crystalline form of formula IB has an RPD profile containing peaks at 5.0, 15.2, 24.3, and 30.8° ± 0.2° 2-theta. In other embodiments, the crystalline form of formula IB is characterized by an RPD profile containing peaks at 5.0, 10.1, 13.7, 15.2, 17.1, 24.3, and 30.8° ± 0.2° 2- theta. In other embodiments, the crystalline form of formula IB has an RPD profile containing peaks at 17.1, 24.3, and 30.8° ± 0.2° 2-theta.

В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим пики при трех или более из 5,0, 10,1, 13,7, 15,2, 17,1, 24,3 и 30,8° ± 0,2° 2-тета. В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим пики при четырех или более из 5,0, 10,1, 13,7,In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula IB is characterized by an RPD profile containing peaks at three or more of 5.0, 10.1, 13.7, 15.2, 17.1, 24.3 and 30.8° ± 0.2° 2-theta. In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula IB is characterized by an RPD profile containing peaks at four or more of 5.0, 10.1, 13.7,

15,2, 17,1, 24,3 и 30,8° ± 0,2° 2-тета. В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим пики при пяти или более из 5,0, 10,1, 13,7, 15,2, 17,1, 24,3 и 30,8° ± 0,2° 2-тета.15.2, 17.1, 24.3 and 30.8° ± 0.2° 2-theta. In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula IB is characterized by an RPD profile containing peaks at five or more of 5.0, 10.1, 13.7, 15.2, 17.1, 24.3 and 30.8° ± 0.2° 2-theta.

В некоторых вариантах реализации кристаллическая форма формулы IB имеет по существу такой профиль РПД, как показан на фиг. 8. Профиль РПД кристаллической формы формулы IB, представленный на фиг. 8, содержит углы отражения (градусы 2-тета ± 0,2° 2-тета), расстояния между линиями (значения d) и относительные интенсивности, указанные в табл. 5.In some embodiments, the crystalline form of Formula IB has an RPD profile substantially as shown in FIG. 8. The RPD profile of the crystalline form of formula IB shown in FIG. 8 contains reflection angles (degrees 2-theta ± 0.2° 2-theta), line spacings (d-values), and relative intensities shown in Table 8. 5.

Таблица 5. ДанныеTable 5. Data

В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы IB хана фиг. 8In some embodiments of the present disclosure, the crystalline form of Khan's formula IB of FIG. 8

- 12 043295 рактеризуется профилем РПД, содержащим пик при одном из углов, указанных в табл. 5. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим более одного пика при одном из углов, указанных выше в табл. 5. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим два пика, выбранных из углов, указанных выше в табл. 5. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим три пика, выбранных из углов, указанных выше в табл. 5. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим четыре пика, выбранных из углов, указанных выше в табл. 5. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим пять пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 5. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим шесть пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 5. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим семь пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 5. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим восемь пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 5. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим девять пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 5. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим десять пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 5. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим более десяти пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 5.- 12 043295 is characterized by a RPD profile containing a peak at one of the angles indicated in Table. 5. In other aspects, the crystalline form of formula IB is characterized by an RPD profile containing more than one peak at one of the angles indicated above in table. 5. In other aspects, the crystalline form of formula IB is characterized by an RPD profile containing two peaks selected from the angles indicated above in table. 5. In other aspects, the crystalline form of formula IB is characterized by an RPD profile containing three peaks selected from the angles indicated above in table. 5. In other aspects, the crystalline form of formula IB is characterized by an RPD profile containing four peaks selected from the angles indicated above in table. 5. In other aspects, the crystalline form of formula IB is characterized by an RPD profile containing five peaks selected from the angles indicated above in table. 5. In other aspects, the crystalline form of formula IB is characterized by an RPD profile containing six peaks selected from the angles indicated above in table. 5. In other aspects, the crystalline form of formula IB is characterized by an RPD profile containing seven peaks selected from the angles indicated above in table. 5. In other aspects, the crystalline form of formula IB is characterized by an RPD profile containing eight peaks selected from the angles indicated above in table. 5. In other aspects, the crystalline form of formula IB is characterized by an RPD profile containing nine peaks selected from the angles indicated above in table. 5. In other aspects, the crystalline form of formula IB is characterized by an RPD profile containing ten peaks selected from the angles indicated above in table. 5. In other aspects, the crystalline form of formula IB is characterized by an RPD profile containing more than ten peaks selected from the angles indicated above in table. 5.

В некоторых вариантах реализации кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим пик при 11,4° ± 0,2° 2-тета. В других вариантах реализации кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим пики при 11,4, 11,6, 15,1 и 16,7° ± 0,2° градуса 2-тета. В других вариантах реализации кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим пики при 4,9, 11,4, 11,6 и 15,1 градуса ± 0,2 градуса 2-тета. В других вариантах реализации кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим пики при 4,9, 11,4, 11,6, 15,1 и 16,7° ± 0,2° 2-тета. В других вариантах реализации кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим пики при 4,9, 11,4, 11,6, 15,1, 16,7 и 21,0° ± 0,2° 2-тета. В других вариантах реализации кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим пики при 4,9, 11,4, 11,6, 15,1, 16,7, 21,0 и 22,4° ± 0,2° 2-тета. В других вариантах реализации кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим пики при 4,9, 7,1, 11,4, 11,6, 12,4, 13,6, 14,3, 15,1, 16,5, 16,7, 16,9, 17,0, 20,3, 21,0, 22,4, 23,0, 23,5 и 23,8° ± 0,2° 2-тета.In some embodiments, the crystalline form of Formula IB has an RPD profile containing a peak at 11.4° ± 0.2° 2-theta. In other embodiments, the crystalline form of formula IB has an RPD profile containing peaks at 11.4, 11.6, 15.1, and 16.7°±0.2° 2-theta. In other embodiments, the crystalline form of formula IB has an RPD profile containing peaks at 4.9, 11.4, 11.6, and 15.1 degrees±0.2 degrees 2-theta. In other embodiments, the crystalline form of formula IB has an RPD profile containing peaks at 4.9, 11.4, 11.6, 15.1, and 16.7° ± 0.2° 2-theta. In other embodiments, the crystalline form of formula IB has an RPD profile containing peaks at 4.9, 11.4, 11.6, 15.1, 16.7, and 21.0° ± 0.2° 2-theta. In other embodiments, the crystalline form of formula IB is characterized by an RPD profile containing peaks at 4.9, 11.4, 11.6, 15.1, 16.7, 21.0, and 22.4° ± 0.2° 2- theta. In other embodiments, the crystalline form of formula IB has an RPD profile containing peaks at 4.9, 7.1, 11.4, 11.6, 12.4, 13.6, 14.3, 15.1, 16.5 , 16.7, 16.9, 17.0, 20.3, 21.0, 22.4, 23.0, 23.5 and 23.8° ± 0.2° 2-theta.

В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим пики при трех или более из 4,9, 7,1, 11,4, 11,6, 12,4, 13,6, 14,3, 15,1, 16,5, 16,7, 16,9, 17,0, 20,3, 21,0, 22,4, 23,0, 23,5 и 23,8° ± 0,2° 2-тета. В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим пики при четырех или более из 4,9, 7,1, 11,4, 11,6, 12,4, 13,6, 14,3, 15,1, 16,5, 16,7, 16,9, 17,0, 20,3, 21,0, 22,4, 23,0, 23,5 и 23,8° ± 0,2° 2-тета. В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим пики при пяти или более из 4,9, 7,1, 11,4, 11,6, 12,4, 13,6, 14,3, 15,1, 16,5, 16,7, 16,9, 17,0, 20,3, 21,0, 22,4, 23,0, 23,5 и 23,8° ± 0,2° 2-тета. В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим пики при шести или более из 4,9, 7,1, 11,4, 11,6, 12,4, 13,6, 14,3, 15,1, 16,5, 16,7, 16,9, 17,0, 20,3, 21,0, 22,4, 23,0, 23,5 и 23,8° ± 0,2° 2-тета. В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим пики при семи или более из 4,9, 7,1, 11,4, 11,6, 12,4, 13,6, 14,3, 15,1, 16,5, 16,7, 16,9, 17,0, 20,3, 21,0, 22,4, 23,0, 23,5 и 23,8° ± 0,2° 2-тета.In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula IB is characterized by an RPD profile containing peaks at three or more of 4.9, 7.1, 11.4, 11.6, 12.4, 13.6, 14.3, 15 .1, 16.5, 16.7, 16.9, 17.0, 20.3, 21.0, 22.4, 23.0, 23.5 and 23.8° ± 0.2° 2- theta. In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula IB is characterized by an RPD profile containing peaks at four or more of 4.9, 7.1, 11.4, 11.6, 12.4, 13.6, 14.3, 15 .1, 16.5, 16.7, 16.9, 17.0, 20.3, 21.0, 22.4, 23.0, 23.5 and 23.8° ± 0.2° 2- theta. In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula IB is characterized by an RPD profile containing peaks at five or more of 4.9, 7.1, 11.4, 11.6, 12.4, 13.6, 14.3, 15 .1, 16.5, 16.7, 16.9, 17.0, 20.3, 21.0, 22.4, 23.0, 23.5 and 23.8° ± 0.2° 2- theta. In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula IB is characterized by an RPD profile containing peaks at six or more of 4.9, 7.1, 11.4, 11.6, 12.4, 13.6, 14.3, 15 .1, 16.5, 16.7, 16.9, 17.0, 20.3, 21.0, 22.4, 23.0, 23.5 and 23.8° ± 0.2° 2- theta. In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula IB is characterized by an RPD profile containing peaks at seven or more of 4.9, 7.1, 11.4, 11.6, 12.4, 13.6, 14.3, 15 .1, 16.5, 16.7, 16.9, 17.0, 20.3, 21.0, 22.4, 23.0, 23.5 and 23.8° ± 0.2° 2- theta.

В некоторых вариантах реализации кристаллическая форма формулы IB может быть охарактеризована по существу такой термограммой ДСК и профилем ТГА, как представлены на фиг. 11. На фиг. 11 показано, что кристаллическая форма формулы IB образует эндотермический пик при 195,92°C с температурой начала пика 185,27°C, затем эндотермический пик при 260,97°C началом пика при 252,35°C, при нагревании со скоростью 10°С/мин. В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы IB характеризуется термограммой ДСК, содержащей эндотермический пик при примерно 196°C при нагревании со скоростью 10°C. В других вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы IB характеризуется термограммой ДСК, содержащей эндотермический пик при примерно 261°C при нагревании со скоростью 10°С/мин. На фиг. 11 показано, что кристаллическая форма формулы IB теряет примерно 4,9% массы при нагревании до примерно 150°C.In some embodiments, the crystalline form of Formula IB may be characterized by a substantially DSC thermogram and TGA profile as shown in FIG. 11. In FIG. 11 shows that the crystalline form of formula IB forms an endothermic peak at 195.92°C with a peak onset temperature of 185.27°C, then an endothermic peak at 260.97°C with an onset peak at 252.35°C, on heating at a rate of 10 °C/min. In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula IB is characterized by a DSC thermogram containing an endothermic peak at about 196°C when heated at a rate of 10°C. In other embodiments of the present description, the crystalline form of formula IB is characterized by a DSC thermogram containing an endothermic peak at about 261°C when heated at a rate of 10°C/min. In FIG. 11 shows that the crystalline form of formula IB loses about 4.9% by weight when heated to about 150°C.

В некоторых вариантах реализации кристаллическая форма формулы IB имеет по существу такой профиль РПД, как показан на фиг. 17. Профиль РПД кристаллической формы формулы IB, представленный на фиг. 17, содержит углы отражения (градусы 2-тета ± 0,2° 2-тета), расстояния между линиями (значения d) и относительные интенсивности, указанные в табл. 5A:In some embodiments, the crystalline form of Formula IB has an RPD profile substantially as shown in FIG. 17. The RPD profile of the crystalline form of formula IB shown in FIG. 17 contains reflection angles (degrees 2-theta ± 0.2° 2-theta), line spacings (d-values), and relative intensities shown in Table 1. 5A:

- 13 043295- 13 043295

Таблица 5А. Данные РПД для кристаллической формы формулы IB, представленные на фиг. 17Table 5A. The RPD data for the crystalline form of formula IB shown in FIG. 17

Угол (градусы 2тета ± 0,2 градуса 2-тета) Angle (degrees 2-theta ± 0.2 degrees 2-theta) Значение d (А) d value (A) Относительная интенсивность Relative intensity 5,301 5.301 16,6585 16.6585 38,4 38.4 11,779 11.779 7,5067 7.5067 18,3 18.3 14,04 14.04 6,3026 6.3026 20,4 20.4 15,48 15.48 5,7193 5.7193 100 100 17,261 17.261 5,1331 5.1331 52,3 52.3 19,238 19.238 4,6098 4.6098 12,7 12.7 20,56 20.56 4,3164 4.3164 28,5 28.5 21,541 21.541 4,122 4.122 39,1 39.1 22,9 22.9 3,8803 3.8803 19,9 19.9 24,5 24.5 3,6304 3.6304 72,5 72.5 25,82 25.82 3,4476 3.4476 24,1 24.1 27,999 27.999 3,1841 3.1841 26,6 26.6 28,797 28.797 3,0977 3.0977 10,9 10.9 30,98 30.98 2,8841 2.8841 47 47 33,279 33.279 2,69 2.69 9,7 9.7

В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим пик при одном из углов, указанных в табл. 5А. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим более одного пика при одном из углов, указанных выше в табл. 5А. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим два пика, выбранных из углов, указанных выше в табл. 5А. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим три пика, выбранных из углов, указанных выше в табл. 5А. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим четыре пика, выбранных из углов, указанных выше в табл. 5А. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим пять пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 5А. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим шесть пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 5А. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим семь пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 5А. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим восемь пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 5А. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим девять пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 5А. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим десять пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 5А. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим более десяти пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 5А.In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula IB is characterized by an RPD profile containing a peak at one of the angles indicated in table. 5A. In other aspects, the crystalline form of formula IB is characterized by an RPD profile containing more than one peak at one of the angles listed above in table. 5A. In other aspects, the crystalline form of formula IB is characterized by an RPD profile containing two peaks selected from the angles indicated above in table. 5A. In other aspects, the crystalline form of formula IB is characterized by an RPD profile containing three peaks selected from the angles indicated above in table. 5A. In other aspects, the crystalline form of formula IB is characterized by an RPD profile containing four peaks selected from the angles indicated in Table 1 above. 5A. In other aspects, the crystalline form of formula IB is characterized by an RPD profile containing five peaks selected from the angles indicated above in table. 5A. In other aspects, the crystalline form of Formula IB is characterized by an RPD profile containing six peaks selected from the angles indicated in Table 1 above. 5A. In other aspects, the crystalline form of formula IB is characterized by an RPD profile containing seven peaks selected from the angles indicated above in table. 5A. In other aspects, the crystalline form of formula IB is characterized by an RPD profile containing eight peaks selected from the angles indicated above in table. 5A. In other aspects, the crystalline form of formula IB is characterized by an RPD profile containing nine peaks selected from the angles listed above in table. 5A. In other aspects, the crystalline form of formula IB is characterized by an RPD profile containing ten peaks selected from the angles listed above in table. 5A. In other aspects, the crystalline form of formula IB is characterized by an RPD profile containing more than ten peaks selected from the angles indicated above in table. 5A.

В некоторых вариантах реализации кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим пики при 5,3 и 15,5° ± 0,2° 2-тета. В других вариантах реализации кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим пики при 15,5 и 31,0° ± 0,2° 2-тета. В других вариантах реализации кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим пики при 15,5 и 24,5° ± 0,2° 2-тета. В других вариантах реализации кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим пики при 15,5, 24,5 и 31,0° ± 0,2° 2-тета. В других вариантах реализации кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим пики при 5,3, 15,5, 17,3, 24,5 и 31,0° ± 0,2° 2-тета. В других вариантах реализации кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим пики при 5,3, 15,5, 17,3, 24,5, 28,0 и 31,0° ± 0,2 градуса 2-тета. В других вариантах реализации кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим пики при 5,3, 15,5, 17,3, 21,5, 24,5, 28,0 и 31,0° ± 0,2° 2тета.In some embodiments, the crystalline form of formula IB has an RPD profile containing peaks at 5.3 and 15.5° ± 0.2° 2-theta. In other embodiments, the crystalline form of formula IB has an RPD profile containing peaks at 15.5 and 31.0° ± 0.2° 2-theta. In other embodiments, the crystalline form of formula IB has an RPD profile containing peaks at 15.5 and 24.5° ± 0.2° 2-theta. In other embodiments, the crystalline form of formula IB has an RPD profile containing peaks at 15.5, 24.5, and 31.0° ± 0.2° 2-theta. In other embodiments, the crystalline form of formula IB has an RPD profile containing peaks at 5.3, 15.5, 17.3, 24.5, and 31.0° ± 0.2° 2-theta. In other embodiments, the crystalline form of Formula IB has an RPD profile containing peaks at 5.3, 15.5, 17.3, 24.5, 28.0, and 31.0°±0.2 degrees 2-theta. In other embodiments, the crystalline form of Formula IB has an RPD profile containing peaks at 5.3, 15.5, 17.3, 21.5, 24.5, 28.0, and 31.0° ± 0.2° 2theta.

В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим пики при трех или более из 5,3, 15,5, 17,3, 21,5, 24,5, 28,0 и 31,0° ± 0,2° 2-тета. В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим пики при четырех или более из 5,3, 15,5, 17,3, 21,5, 24,5, 28,0 и 31,0° ± 0,2° 2-тета. В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим пики при пяти или более из 5,3, 15,5, 17,3, 21,5, 24,5, 28,0 и 31,0° ± 0,2° 2-тета. В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим пики при шести или более из 5,3, 15,5, 17,3, 21,5, 24,5, 28,0 и 31,0° ±0,2° 2-тета.In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula IB is characterized by an RPD profile containing peaks at three or more of 5.3, 15.5, 17.3, 21.5, 24.5, 28.0 and 31.0° ± 0.2° 2-theta. In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula IB is characterized by an RPD profile containing peaks at four or more of 5.3, 15.5, 17.3, 21.5, 24.5, 28.0 and 31.0° ± 0.2° 2-theta. In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula IB is characterized by an RPD profile containing peaks at five or more of 5.3, 15.5, 17.3, 21.5, 24.5, 28.0 and 31.0° ± 0.2° 2-theta. In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula IB is characterized by an RPD profile containing peaks at six or more of 5.3, 15.5, 17.3, 21.5, 24.5, 28.0 and 31.0° ± 0.2° 2-theta.

В некоторых вариантах реализации кристаллическая форма формулы IB может быть охарактеризована по существу такой термограммой ДСК, как представлена на фиг. 18. На фиг. 18 показано, что кристаллическая форма формулы IB образует эндотермический пик при 188,22°С (начало при 179,07°С;In some embodiments, the crystalline form of Formula IB may be characterized by a substantially DSC thermogram as shown in FIG. 18. In FIG. 18 shows that the crystalline form of formula IB forms an endothermic peak at 188.22°C (beginning at 179.07°C;

- 14043295- 14043295

20,35 Дж/г), затем экзотермический пик при 211,79°С (начало при 205,18°С; 47,98 Дж/г), затем еще один эндотермический пик при 266,76°С(начало при 260,76°С; 45,59 Дж/г), при нагревании при 10°С/мин. В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы IB характеризуется термограммой ДСК, содержащей эндотермический пик при примерно 188°С при нагревании со скоростью 10°С/мин. В других вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы IB характеризуется термограммой ДСК, содержащей эндотермический пик при примерно 267°С, при нагревании со скоростью 10°С/мин.20.35 J/g), then an exothermic peak at 211.79°C (beginning at 205.18°C; 47.98 J/g), then another endothermic peak at 266.76°C (beginning at 260, 76°C; 45.59 J/g), when heated at 10°C/min. In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula IB is characterized by a DSC thermogram containing an endothermic peak at about 188°C when heated at a rate of 10°C/min. In other embodiments of the present description, the crystalline form of formula IB is characterized by a DSC thermogram containing an endothermic peak at about 267°C, when heated at a rate of 10°C/min.

В некоторых вариантах реализации кристаллическая форма формулы IB может быть охарактеризована по существу таким профилем ТГА, как показан на фиг. 19, при нагревании со скоростью 20°С/мин.In some embodiments, the crystalline form of Formula IB may be characterized substantially by a TGA profile as shown in FIG. 19, when heated at a rate of 20°C/min.

В некоторых вариантах реализации кристаллическая форма формулы IB (форма I) имеет по существу такой профиль РПД, как показан на фиг. 20. Профиль РПД формы I формулы IB, представленный на фиг. 20, содержит углы отражения (градусы 2-тета ± 0,2° 2-тета), расстояния между линиями (значения d) и относительные интенсивности, указанные в табл. 5В.In some embodiments, the crystalline form of Formula IB (Form I) has an RPD profile substantially as shown in FIG. 20. The RPD Form I formula IB profile shown in FIG. 20 contains reflection angles (degrees 2-theta ± 0.2° 2-theta), line spacings (d-values), and relative intensities shown in Table 2. 5V.

Таблица 5В. Данные РПД для кристаллической формы формулы IB, формы I, представленные на фиг. 20Table 5B. The RPD data for the crystalline form of Formula IB, Form I shown in FIG. 20

Угол (градусы 2тета ± 0,2 градуса 2-тета) Angle (degrees 2-theta ± 0.2 degrees 2-theta) Значение d (А) d value (A) Относительная интенсивность Relative intensity 4,558 4.558 19,3693 19.3693 11,3 11.3 8,819 8.819 10,0189 10.0189 12,2 12.2 13,159 13.159 6,7223 6.7223 100 100 14,302 14.302 6,1879 6.1879 17Д 17D 16,138 16.138 5,4877 5.4877 10,9 10.9 17,46 17.46 5,075 5.075 57,6 57.6 18,239 18.239 4,86 4.86 17,1 17.1 18,84 18.84 4,7063 4.7063 16,7 16.7 19,539 19.539 4,5394 4.5394 23,3 23.3 20,241 20.241 4,3837 4.3837 21 21 20,896 20.896 4,2477 4.2477 9,6 9.6 22,48 22.48 3,9517 3.9517 10,7 10.7 24,28 24.28 3,6628 3.6628 16,1 16.1 24,86 24.86 3,5785 3.5785 31,7 31.7 26,28 26.28 3,3883 3.3883 28,9 28.9 27,741 27.741 3,2132 3.2132 21,6 21.6 28,34 28.34 3,1466 3.1466 39,4 39.4 29,68 29.68 3,0075 3.0075 Ю,1 Yu,1 30,76 30.76 2,9043 2.9043 13,9 13.9 31,78 31.78 2,8134 2.8134 7,7 7.7 32,999 32.999 2,7122 2.7122 11,3 11.3 34,64 34.64 2,5874 2.5874 8,8 8.8 35,919 35.919 2,4981 2.4981 9,9 9.9 37,142 37.142 2,4186 2.4186 15,4 15.4 40,24 40.24 2,2392 2.2392 12,4 12.4 41,178 41.178 2,1904 2.1904 9,2 9.2

В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы IB, форма I, характеризуется профилем РПД, содержащим пик при одном из углов, указанных в табл. 5В. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB, форма I, характеризуется профилем РПД, содержащим более одного пика при одном из углов, указанных выше в табл. 5В. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB, форма I, характеризуется профилем РПД, содержащим два пика, выбранных из углов, указанных выше в табл. 5В. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB, форма I, характеризуется профилем РПД, содержащим три пика, выбранных из углов, указанных выше в табл. 5В. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB, форма I, характеризуется профилем РПД, содержащим четыре пика, выбранных из углов, указанных выше в табл. 5В. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB, форма I, характеризуется профилем РПД, содержащим пять пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 5В. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB, форма I, характеризуется профилем РПД, содержащим шесть пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 5В. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB, форма I, характеризуется профилем РПД, содержащим семь пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 5В. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB, форма I, характеризуется профилем РПД, содержащим восемь пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 5В. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB, форма I, характеризуется профилем РПД, содержащим девять пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 5В. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB, форма I, характеризуется профилем РПД, содержащим десять пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 5В. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB, форма I, характеризуется профилем РПД, содержащим более десяти пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 5В.In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula IB, form I, is characterized by an RPD profile containing a peak at one of the angles indicated in table. 5V. In other aspects, the crystalline form of formula IB, form I, is characterized by an RPD profile containing more than one peak at one of the angles indicated above in table. 5V. In other aspects, the crystalline form of formula IB, form I, is characterized by an RPD profile containing two peaks selected from the angles indicated above in table. 5V. In other aspects, the crystalline form of formula IB, form I, is characterized by an RPD profile containing three peaks selected from the angles indicated above in table. 5V. In other aspects, the crystalline form of formula IB, form I, is characterized by an RPD profile containing four peaks selected from the angles indicated above in table. 5V. In other aspects, the crystalline form of formula IB, form I, is characterized by an RPD profile containing five peaks selected from the angles indicated above in table. 5V. In other aspects, the crystalline form of formula IB, form I, is characterized by an RPD profile containing six peaks selected from the angles indicated above in table. 5V. In other aspects, the crystalline form of formula IB, form I, is characterized by an RPD profile containing seven peaks selected from the angles indicated above in table. 5V. In other aspects, the crystalline form of formula IB, form I, is characterized by an RPD profile containing eight peaks selected from the angles indicated above in table. 5V. In other aspects, the crystalline form of formula IB, form I, is characterized by an RPD profile containing nine peaks selected from the angles indicated above in table. 5V. In other aspects, the crystalline form of formula IB, form I, is characterized by an RPD profile containing ten peaks selected from the angles indicated above in table. 5V. In other aspects, the crystalline form of formula IB, form I, is characterized by an RPD profile containing more than ten peaks selected from the angles indicated above in table. 5V.

В некоторых вариантах реализации кристаллическая форма формулы IB, форма I, характеризуется профилем РПД, содержащим пики при 13,2 и 17,5° ± 0,2° 2-тета. В других вариантах реализации криIn some embodiments, the crystalline form of Formula IB, Form I, has an RPD profile containing peaks at 13.2 and 17.5° ± 0.2° 2-theta. In other implementations of Cree

-15043295 сталлическая форма формулы IB, форма I, характеризуется профилем РПД, содержащим пики при 13,2, 17,5, 26,3 и 28,3° ± 0,2° 2-тета. В других вариантах реализации кристаллическая форма формулы IB, форма I, характеризуется профилемРПД, содержащим пики при 13,2, 17,5, 18,8, 19,5 и 20,2° ± 0,2° 2-тета. В других вариантах реализации кристаллическая форма формулы IB, форма I, характеризуется профилем РПД, содержащим пики при 13,2, 17,5, 24,9, 26,3 и 28,3° ± 0,2° 2-тета. В других вариантах реализации кристаллическая форма формулы IB, форма I, характеризуется профилем РПД, содержащим пики при 13,2, 17,5, 18,8, 19,5, 20,2, 24,9, 26,3 и 28,3° ± 0,2° 2-тета.-15043295 the steel form of formula IB, form I, has an RPD profile containing peaks at 13.2, 17.5, 26.3 and 28.3° ± 0.2° 2-theta. In other embodiments, the crystalline form of Formula IB, Form I, has an RPD profile containing peaks at 13.2, 17.5, 18.8, 19.5, and 20.2° ± 0.2° 2-theta. In other embodiments, the crystalline form of Formula IB, Form I, has an RPD profile containing peaks at 13.2, 17.5, 24.9, 26.3, and 28.3° ± 0.2° 2-theta. In other embodiments, the crystalline form of Formula IB, Form I, has an RPD profile containing peaks at 13.2, 17.5, 18.8, 19.5, 20.2, 24.9, 26.3, and 28.3 ° ± 0.2° 2-theta.

В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы IB, форма I, характеризуется профилем РПД, содержащим пики при трех или более из 13,2, 17,5, 18,8, 19,5, 20,2, 24,9, 26,3 и 28,3° ± 0,2° 2-тета. В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы IB, форма I, характеризуется профилем РПД, содержащим пики при четырех или более из 13,2, 17,5, 18,8, 19,5, 20,2, 24,9, 26,3 и 28,3° ± 0,2° 2-тета. В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы IB, форма I, характеризуется профилем РПД, содержащим пики при пяти или более из 13,2, 17,5, 18,8, 19,5, 20,2, 24,9, 26,3 и 28,3° ± 0,2° 2-тета. В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы IB, форма I, характеризуется профилем РПД, содержащим пики при шести или более из 13,2, 17,5, 18,8, 19,5, 20,2, 24,9, 26,3 и 28,3° ± 0,2° 2-тета.In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula IB, form I, is characterized by an RPD profile containing peaks at three or more of 13.2, 17.5, 18.8, 19.5, 20.2, 24.9, 26 ,3 and 28.3° ± 0.2° 2-theta. In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula IB, form I, is characterized by an RPD profile containing peaks at four or more of 13.2, 17.5, 18.8, 19.5, 20.2, 24.9, 26 ,3 and 28.3° ± 0.2° 2-theta. In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula IB, form I, is characterized by an RPD profile containing peaks at five or more of 13.2, 17.5, 18.8, 19.5, 20.2, 24.9, 26 ,3 and 28.3° ± 0.2° 2-theta. In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula IB, form I, is characterized by an RPD profile containing peaks at six or more of 13.2, 17.5, 18.8, 19.5, 20.2, 24.9, 26 ,3 and 28.3° ± 0.2° 2-theta.

В некоторых вариантах реализации кристаллическая форма формулы IB может быть охарактеризована по существу такой термограммой ДСК, как представлена на фиг. 21. На фиг. 21 показано, что кристаллическая форма формулы IB образует эндотермический пик при 271,44°C (начало при 265,22°C; 156,4 Дж/г) при нагревании со скоростью 10°С/мин. В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы IB характеризуется термограммой ДСК, содержащей эндотермический пик при примерно 271°C при нагревании со скоростью 10°С/мин.In some embodiments, the crystalline form of Formula IB may be characterized by a substantially DSC thermogram as shown in FIG. 21. In FIG. 21 shows that the crystalline form of formula IB forms an endothermic peak at 271.44°C (onset at 265.22°C; 156.4 J/g) when heated at a rate of 10°C/min. In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula IB is characterized by a DSC thermogram containing an endothermic peak at about 271°C when heated at a rate of 10°C/min.

В некоторых вариантах реализации кристаллическая форма формулы IB, форма I, может быть охарактеризована по существу таким профилем ТГА, как показан на фиг. 22, при нагревании со скоростью 20°С/мин.In some embodiments, the crystalline form of Formula IB, Form I, may be characterized substantially by a TGA profile as shown in FIG. 22, when heated at a rate of 20°C/min.

В некоторых вариантах реализации кристаллическая форма формулы IB (форма II) имеет по существу такой профиль РПД, как показан на фиг. 26. Профиль РПД формы I формулы IB, представленный на фиг. 26, содержит углы отражения (градусы 2-тета ± 0,2° 2-тета), расстояния между линиями (значения d) и относительные интенсивности, указанные в табл. 5C.In some embodiments, the crystalline form of Formula IB (Form II) has an RPD profile substantially as shown in FIG. 26. The RPD Form I formula IB profile shown in FIG. 26 contains reflection angles (degrees 2-theta ± 0.2° 2-theta), distances between lines (d-values), and relative intensities shown in Table 2. 5C.

Таблица 5C. Данные РПД для кристаллической формы формулы IB, формы II, представленные на фиг. 26Table 5C. The RPD data for the crystalline form of Formula IB, Form II shown in FIG. 26

Угол (градусы 2- Angle (degrees 2- Значение d d value Относительная Relative тета ± 0,2 theta ± 0.2 (А) (A) интенсивность intensity градуса 2-тета) degrees 2-theta) 5,499 5.499 16,0566 16.0566 ИД ID 10,799 10.799 8,186 8.186 И,6 I,6 11,84 11.84 7,4685 7.4685 14,2 14.2 14,3 14.3 6,1887 6.1887 28,4 28.4 16,12 16.12 5,4938 5.4938 100 100 17,38 17.38 5,0983 5.0983 34,3 34.3 19,059 19.059 4,6528 4.6528 7,8 7.8 19,938 19.938 4,4494 4.4494 9,5 9.5 20,919 20.919 4,243 4.243 20,8 20.8 21,86 21.86 4,0625 4.0625 49,6 49.6 23,359 23.359 3,8051 3.8051 25,2 25.2 24,98 24.98 3,5617 3.5617 97,2 97.2 26,9 26.9 3,3117 3.3117 30,5 30.5 28,536 28.536 3,1254 3.1254 14,4 14.4 30,659 30.659 2,9136 2.9136 13,1 13.1 32,32 32.32 2,7676 2.7676 22,3 22.3 33,118 33.118 2,7027 2.7027 И AND 33,738 33.738 2,6545 2.6545 12,5 12.5 35,3 35.3 2,5405 2.5405 И AND 36,581 36.581 2,4544 2.4544 8,3 8.3 37,141 37.141 2,4187 2.4187 9,3 9.3 37,88 37.88 2,3732 2.3732 14,4 14.4

В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы IB, форма II, характеризуется профилем РПД, содержащим пик при одном из углов, указанных в табл. 5C. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB, форма II, характеризуется профилем РПД, содержащим более одного пика при одном из углов, указанных выше в табл. 5C. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB, форма II, характеризуется профилем РПД, содержащим два пика, выбранных из углов, указанных выше в табл. 5C. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB, форма II, характеризуется профилем РПД, содержащим три пика, выбранных из углов, указанных выше в табл. 5C. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB, форма II, характеризуется профилем РПД,In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula IB, form II, is characterized by an RPD profile containing a peak at one of the angles indicated in table. 5C. In other aspects, the crystalline form of formula IB, form II, is characterized by an RPD profile containing more than one peak at one of the angles indicated above in table. 5C. In other aspects, the crystalline form of formula IB, form II, is characterized by an RPD profile containing two peaks selected from the angles indicated above in table. 5C. In other aspects, the crystalline form of formula IB, form II, is characterized by an RPD profile containing three peaks selected from the angles indicated above in table. 5C. In other aspects, the crystalline form of Formula IB, Form II, is characterized by an RPD profile,

- 16 043295 содержащим четыре пика, выбранных из углов, указанных выше в табл. 5C. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB, форма II, характеризуется профилем РПД, содержащим пять пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 5C. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB, форма II, характеризуется профилем РПД, содержащим шесть пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 5C. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB, форма II, характеризуется профилем РПД, содержащим семь пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 5C. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB, форма II, характеризуется профилем РПД, содержащим восемь пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 5C. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB, форма II, характеризуется профилем РПД, содержащим девять пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 5C. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB, форма II, характеризуется профилем РПД, содержащим десять пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 5C. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB, форма II, характеризуется профилем РПД, содержащим более десяти пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 5C.- 16 043295 containing four peaks selected from the angles indicated above in the table. 5C. In other aspects, the crystalline form of formula IB, form II, is characterized by an RPD profile containing five peaks selected from the angles indicated above in table. 5C. In other aspects, the crystalline form of formula IB, form II, is characterized by an RPD profile containing six peaks selected from the angles indicated above in table. 5C. In other aspects, the crystalline form of formula IB, form II, is characterized by an RPD profile containing seven peaks selected from the angles indicated above in table. 5C. In other aspects, the crystalline form of formula IB, form II, is characterized by an RPD profile containing eight peaks selected from the angles indicated above in table. 5C. In other aspects, the crystalline form of formula IB, form II, is characterized by an RPD profile containing nine peaks selected from the angles indicated above in table. 5C. In other aspects, the crystalline form of formula IB, form II, is characterized by an RPD profile containing ten peaks selected from the angles indicated above in table. 5C. In other aspects, the crystalline form of formula IB, form II, is characterized by an RPD profile containing more than ten peaks selected from the angles indicated above in table. 5C.

В некоторых вариантах реализации кристаллическая форма формулы IB, форма II, характеризуется профилем РПД, содержащим пики при 16,1 и 25,0° ± 0,2° 2-тета. В других вариантах реализации кристаллическая форма формулы IB, форма II, характеризуется профилем РПД, содержащим пики при 14,3, 16,1, 17,4 и 21,9° ± 0,2° 2-тета. В других вариантах реализации кристаллическая форма формулы IB, форма II, характеризуется профилем РПД, содержащим пики при 14,3, 16,1, 17,4, 21,9 и 25,0° ± 0,2° градуса 2-тета. В других вариантах реализации кристаллическая форма формулы IB, форма II, характеризуется профилем РПД, содержащим пики при 14,3, 16,1, 17,4, 21,9, 25,0 и 26,9° ± 0,2° 2-тета. В других вариантах реализации кристаллическая форма формулы IB, форма II, характеризуется профилем РПД, содержащим пики при 14,3, 16,1, 17,4, 21,9, 25,0, 26,9 и 32,3° ± 0,2° 2-тета. В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы IB, форма II, характеризуется профилем РПД, содержащим пики при трех или более из 14,3, 16,1, 17,4, 21,9, 25,0, 26,9 и 32,3° ± 0,2° 2-тета. В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы IB, форма II, характеризуется профилем РПД, содержащим пики при четырех или более из 14,3, 16,1, 17,4, 21,9, 25,0, 26,9 и 32,3° ± 0,2° 2-тета. В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы IB, форма II, характеризуется профилем РПД, содержащим пики при пяти или более из 14,3, 16,1, 17,4, 21,9, 25,0, 26,9 и 32,3° ± 0,2° 2-тета. В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы IB, форма II, характеризуется профилем РПД, содержащим пики при шести или более из 14,3, 16,1, 17,4, 21,9, 25,0, 26,9 и 32,3° ± 0,2° 2-тета.In some embodiments, the crystalline form of Formula IB, Form II, has an RPD profile containing peaks at 16.1 and 25.0° ± 0.2° 2-theta. In other embodiments, the crystalline form of Formula IB, Form II, has an RPD profile containing peaks at 14.3, 16.1, 17.4, and 21.9° ± 0.2° 2-theta. In other embodiments, the crystalline form of Formula IB, Form II, has an RPD profile containing peaks at 14.3, 16.1, 17.4, 21.9, and 25.0°±0.2° 2-theta. In other embodiments, the crystalline form of Formula IB, Form II, has an RPD profile containing peaks at 14.3, 16.1, 17.4, 21.9, 25.0, and 26.9° ± 0.2° 2- theta. In other embodiments, the crystalline form of Formula IB, Form II, has an RPD profile containing peaks at 14.3, 16.1, 17.4, 21.9, 25.0, 26.9, and 32.3°±0, 2° 2-theta. In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula IB, form II, is characterized by an RPD profile containing peaks at three or more of 14.3, 16.1, 17.4, 21.9, 25.0, 26.9 and 32 .3° ± 0.2° 2-theta. In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula IB, form II, is characterized by an RPD profile containing peaks at four or more of 14.3, 16.1, 17.4, 21.9, 25.0, 26.9 and 32 .3° ± 0.2° 2-theta. In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula IB, form II, is characterized by an RPD profile containing peaks at five or more of 14.3, 16.1, 17.4, 21.9, 25.0, 26.9 and 32 .3° ± 0.2° 2-theta. In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula IB, form II, is characterized by an RPD profile containing peaks at six or more of 14.3, 16.1, 17.4, 21.9, 25.0, 26.9 and 32 .3° ± 0.2° 2-theta.

В некоторых вариантах реализации кристаллическая форма формулы IB, форма II, может быть охарактеризована по существу такой термограммой ДСК, как представлена на фиг. 27. На фиг. 27 показано, что кристаллическая форма формулы IB, форма II, образует эндотермический пик при 270,14°C (начало при 265,48°C; 163,2 Дж/г) при нагревании со скоростью 10°С/мин. В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы IB характеризуется термограммой ДСК, содержащей эндотермический пик при примерно 270°C при нагревании со скоростью 10°С/мин. В некоторых вариантах реализации кристаллическая форма формулы IB, форма II, может быть охарактеризована по существу таким профилем ТГА, как показан на фиг. 28, при нагревании со скоростью 20°С/мин.In some embodiments, the crystalline form of Formula IB, Form II, can be characterized substantially by a DSC thermogram as shown in FIG. 27. In FIG. 27 shows that the crystalline form of Formula IB, Form II, forms an endothermic peak at 270.14°C (starting at 265.48°C; 163.2 J/g) when heated at a rate of 10°C/min. In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula IB is characterized by a DSC thermogram containing an endothermic peak at about 270°C when heated at a rate of 10°C/min. In some embodiments, the crystalline form of Formula IB, Form II, may be characterized substantially by a TGA profile as shown in FIG. 28, when heated at a rate of 20°C/min.

В некоторых вариантах реализации кристаллическая форма формулы IB имеет по существу такой профиль РПД, как показан на фиг. 32. Профиль РПД кристаллической формы формулы IB, формы III, представленный на фиг. 32, содержит углы отражения (градусы 2-тета ± 0,2° 2-тета), расстояния между линиями (значения d) и относительные интенсивности, указанные в табл. 5D.In some embodiments, the crystalline form of Formula IB has an RPD profile substantially as shown in FIG. 32. The RPD profile of the crystalline form of formula IB, form III shown in FIG. 32 contains reflection angles (degrees 2-theta ± 0.2° 2-theta), distances between lines (d-values), and relative intensities shown in Table 32. 5D.

- 17 043295- 17 043295

Таблица 5D. Данные РПД для . кристаллической формы формулы IB, формы . III, представленные на фиг. 32Table 5D. RPD data for . crystalline form of formula IB, form . III shown in Fig. 32

Угол (градусы 2тета ± 0,2 градуса 2-тета) Angle (degrees 2-theta ± 0.2 degrees 2-theta) Значение d (А) d value (A) Относительная интенсивность Relative intensity 5,399 5.399 16,3551 16.3551 16,5 16.5 10,5 10.5 8,4181 8.4181 9,9 9.9 11,859 11.859 7,4563 7.4563 13,5 13.5 12,8 12.8 6,9105 6.9105 7,6 7.6 14,159 14.159 6,2498 6.2498 18,8 18.8 15,68 15.68 5,6469 5.6469 100 100 17,258 17.258 5,134 5.134 31,2 31.2 19,64 19.64 4,5164 4.5164 И,4 I,4 20,778 20.778 4,2714 4.2714 16,9 16.9 21,739 21.739 4,0847 4.0847 27,9 27.9 22,9 22.9 3,8802 3.8802 14,6 14.6 23,659 23.659 3,7574 3.7574 9,7 9.7 24,62 24.62 3,6129 3.6129 47,1 47.1 26,059 26.059 3,4165 3.4165 22,2 22.2 28,238 28.238 3,1577 3.1577 16,2 16.2 31,321 31.321 2,8536 2.8536 30,4 30.4 33,542 33.542 2,6695 2.6695 9,3 9.3 36,097 36.097 2,4862 2.4862 8,9 8.9 36,782 36.782 2,4415 2.4415 8,4 8.4

В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы IB, форма III, характеризуется профилем РПД, содержащим пик при одном из углов, указанных в табл. 5D. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB, форма III, характеризуется профилем РПД, содержащим более одного пика при одном из углов, указанных выше в табл. 5D. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB, форма III, характеризуется профилем РПД, содержащим два пика, выбранных из углов, указанных выше в табл. 5D. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB, форма III, характеризуется профилем РПД, содержащим три пика, выбранных из углов, указанных выше в табл. 5D. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB, форма III, характеризуется профилем РПД, содержащим четыре пика, выбранных из углов, указанных выше в табл. 5D. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB, форма III, характеризуется профилем РПД, содержащим пять пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 5D. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB, форма III, характеризуется профилем РПД, содержащим шесть пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 5D. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB, форма III, характеризуется профилем РПД, содержащим семь пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 5D. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB, форма III, характеризуется профилем РПД, содержащим восемь пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 5D. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB, форма III, характеризуется профилем РПД, содержащим девять пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 5D. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB, форма III, характеризуется профилем РПД, содержащим десять пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 5D. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB, форма III, характеризуется профилем РПД, содержащим более десяти пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 5D.In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula IB, form III, is characterized by an RPD profile containing a peak at one of the angles indicated in table. 5D. In other aspects, the crystalline form of formula IB, form III, is characterized by an RPD profile containing more than one peak at one of the angles indicated above in table. 5D. In other aspects, the crystalline form of formula IB, form III, is characterized by an RPD profile containing two peaks selected from the angles indicated above in table. 5D. In other aspects, the crystalline form of formula IB, form III, is characterized by an RPD profile containing three peaks selected from the angles indicated above in table. 5D. In other aspects, the crystalline form of formula IB, form III, is characterized by an RPD profile containing four peaks selected from the angles indicated above in table. 5D. In other aspects, the crystalline form of formula IB, form III, is characterized by an RPD profile containing five peaks selected from the angles indicated above in table. 5D. In other aspects, the crystalline form of formula IB, form III, is characterized by an RPD profile containing six peaks selected from the angles indicated above in table. 5D. In other aspects, the crystalline form of formula IB, form III, is characterized by an RPD profile containing seven peaks selected from the angles indicated above in table. 5D. In other aspects, the crystalline form of formula IB, form III, is characterized by an RPD profile containing eight peaks selected from the angles indicated above in table. 5D. In other aspects, the crystalline form of formula IB, form III, is characterized by an RPD profile containing nine peaks selected from the angles indicated above in table. 5D. In other aspects, the crystalline form of formula IB, form III, is characterized by an RPD profile containing ten peaks selected from the angles indicated above in table. 5D. In other aspects, the crystalline form of formula IB, form III, is characterized by an RPD profile containing more than ten peaks selected from the angles indicated above in table. 5D.

В некоторых вариантах реализации кристаллическая форма формулы IB, форма III, характеризуется профилем РПД, содержащим пики при 15,7, 24,6 и 31,3 градуса ± 0,2 градуса 2-тета. В других вариантах реализации кристаллическая форма формулы IB, форма III, характеризуется профилем РПД, содержащим пики при 15,7, 17,3, 24,6 и 31,3° ± 0,2° 2-тета. В других вариантах реализации кристаллическая форма формулы IB, форма III, характеризуется профилем РПД, содержащим пики при 15,7, 17,3, 21,7, 24,6 и 31,3° ± 0,2° 2-тета. В других вариантах реализации кристаллическая форма формулы IB, форма III, характеризуется профилем РПД, содержащим пики при 15,7, 17,3, 21,7, 24,6, 26,1, 28,2 и 31,3° ± 0,2° 2-тета. В других вариантах реализации кристаллическая форма формулы IB, форма III, характеризуется профилем РПД, содержащим пики при 5,4, 15,7, 17,3, 21,7, 24,6, 26,1, 28,2 и 31,3° ± 0,2° 2-тета.In some embodiments, the crystalline form of Formula IB, Form III, has an RPD profile containing peaks at 15.7, 24.6, and 31.3 degrees±0.2 degrees 2-theta. In other embodiments, the crystalline form of Formula IB, Form III, has an RPD profile containing peaks at 15.7, 17.3, 24.6, and 31.3° ± 0.2° 2-theta. In other embodiments, the crystalline form of Formula IB, Form III, has an RPD profile containing peaks at 15.7, 17.3, 21.7, 24.6, and 31.3° ± 0.2° 2-theta. In other embodiments, the crystalline form of Formula IB, Form III, has an RPD profile containing peaks at 15.7, 17.3, 21.7, 24.6, 26.1, 28.2, and 31.3°±0, 2° 2-theta. In other embodiments, the crystalline form of Formula IB, Form III, has an RPD profile containing peaks at 5.4, 15.7, 17.3, 21.7, 24.6, 26.1, 28.2, and 31.3 ° ± 0.2° 2-theta.

В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы IB, форма III, характеризуется профилем РПД, содержащим пики при трех или более из 5,4, 15,7, 17,3, 21,7, 24,6, 26,1, 28,2 и 31,3° ± 0,2° г 2-тета. В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы IB, форма III, характеризуется профилем РПД, содержащим пики при четырех или более из 5,4, 15,7, 17,3, 21,7, 24,6, 26,1, 28,2 и 31,3° ± 0,2° 2-тета. В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы IB, форма III, характеризуется профилем РПД, содержащим пики при пяти или более из 5,4, 15,7, 17,3, 21,7, 24,6, 26,1, 28,2 и 31,3° ± 0,2° 2-тета. В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы IB, форма III, характеризуется профилем РПД, содержащим пики при шести или более из 5,4, 15,7, 17,3, 21,7, 24,6, 26,1, 28,2 и 31,3° ± 0,2° 2-тета.In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula IB, form III, is characterized by an RPD profile containing peaks at three or more of 5.4, 15.7, 17.3, 21.7, 24.6, 26.1, 28 ,2 and 31.3° ± 0.2° g 2-theta. In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula IB, form III, is characterized by an RPD profile containing peaks at four or more of 5.4, 15.7, 17.3, 21.7, 24.6, 26.1, 28 ,2 and 31.3° ± 0.2° 2-theta. In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula IB, form III, is characterized by an RPD profile containing peaks at five or more of 5.4, 15.7, 17.3, 21.7, 24.6, 26.1, 28 ,2 and 31.3° ± 0.2° 2-theta. In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula IB, form III, is characterized by an RPD profile containing peaks at six or more of 5.4, 15.7, 17.3, 21.7, 24.6, 26.1, 28 ,2 and 31.3° ± 0.2° 2-theta.

В некоторых вариантах реализации кристаллическая форма формулы IB, форма III, может быть охарактеризована по существу такой термограммой ДСК, как представлена на фиг. 33. На фиг. 33 пока- 18 043295 зано, что кристаллическая форма формулы IB, форма III, образует эндотермический пик при 208,48°C (начало при 198,06°C; 74,21 Дж/г) при нагревании со скоростью 10°С/мин. В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы IB, форма III, характеризуется термограммой ДСК, содержащей эндотермический пик при примерно 208°C при нагревании со скоростьюIn some embodiments, the crystalline form of Formula IB, Form III, may be characterized by a substantially DSC thermogram as shown in FIG. 33. In FIG. 33 shows that the crystalline form of formula IB, form III, forms an endothermic peak at 208.48° C. (onset at 198.06° C.; 74.21 J/g) when heated at a rate of 10° C./min. . In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula IB, form III, is characterized by a DSC thermogram containing an endothermic peak at about 208°C when heated at a rate

10°С/мин.10°C/min.

В некоторых вариантах реализации кристаллическая форма формулы IB, форма III, может быть охарактеризована по существу таким профилем ТГА, как показан на фиг. 34, при нагревании со скоростью 20°С/мин.In some embodiments, the crystalline form of Formula IB, Form III, may be characterized substantially by a TGA profile as shown in FIG. 34 when heated at a rate of 20°C/min.

В некоторых вариантах реализации кристаллическая форма формулы IB имеет по существу такой профиль РПД, как показан на фиг. 38. Профиль РПД кристаллической формы формулы IB, формы IV, представленный на фиг. 38, содержит углы отражения (градусы 2-тета ± 0,2° 2-тета), расстояния между линиями (значения d) и относительные интенсивности, указанные в табл. 5E:In some embodiments, the crystalline form of Formula IB has an RPD profile substantially as shown in FIG. 38. The RPD profile of the crystalline form of formula IB, form IV shown in FIG. 38 contains reflection angles (degrees 2-theta ± 0.2° 2-theta), distances between lines (d-values), and relative intensities shown in Table 38. 5E:

Таблица 5E. Данные РПД для .кристаллической формы формулы IB, формы IV, представленные на фиг. 38Table 5E. The RPD data for the .crystal form of formula IB, form IV shown in FIG. 38

Угол (градусы 2тета ± 0,2 градуса 2-тета) Angle (degrees 2-theta ± 0.2 degrees 2-theta) Значение d (А) d value (A) Относительная интенсивность Relative intensity 11,319 11.319 7,8109 7.8109 И,8 I,8 12,461 12.461 7,0977 7.0977 9,1 9.1 13,061 13.061 6,7727 6.7727 21,1 21.1 15,459 15.459 5,727 5.727 42,1 42.1 15,919 15.919 5,5626 5.5626 35,9 35.9 16,7 16.7 5,3042 5.3042 59,4 59.4 17,46 17.46 5,0749 5.0749 28,3 28.3 18,28 18.28 4,8493 4.8493 22,6 22.6 19,357 19.357 4,5818 4.5818 Ю,1 Yu,1 21,48 21.48 4,1334 4.1334 100 100 22,96 22.96 3,8702 3.8702 27,9 27.9 23,84 23.84 3,7293 3.7293 29,8 29.8 24,5 24.5 3,6304 3.6304 81,6 81.6 25,94 25.94 3,432 3.432 26,2 26.2 26,557 26.557 3,3536 3.3536 22,4 22.4 28,34 28.34 3,1466 3.1466 48 48 28,98 28.98 3,0785 3.0785 34,2 34.2 30,681 30.681 2,9116 2.9116 14 14 31,882 31.882 2,8046 2.8046 15 15 33,558 33.558 2,6682 2.6682 И,6 I,6 34,918 34.918 2,5674 2.5674 14,4 14.4 36,258 36.258 2,4755 2.4755 12,1 12.1 40,181 40.181 2,2424 2.2424 И,8 I,8

В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы IB, форма IV, характеризуется профилем РПД, содержащим пик при одном из углов, указанных в табл. 5E. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB, форма IV, характеризуется профилем РПД, содержащим более одного пика при одном из углов, указанных выше в табл. 5E. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB, форма IV, характеризуется профилем РПД, содержащим два пика, выбранных из углов, указанных выше в табл. 5E. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB, форма IV, характеризуется профилем РПД, содержащим три пика, выбранных из углов, указанных выше в табл. 5E. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB, форма IV, характеризуется профилем РПД, содержащим четыре пика, выбранных из углов, указанных выше в табл. 5E. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB, форма IV, характеризуется профилем РПД, содержащим пять пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 5E. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB, форма IV, характеризуется профилем РПД, содержащим шесть пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 5E. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB, форма IV, характеризуется профилем РПД, содержащим семь пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 5E. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB, форма IV, характеризуется профилем РПД, содержащим восемь пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 5E. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB, форма IV, характеризуется профилем РПД, содержащим девять пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 5E. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB, форма IV, характеризуется профилем РПД, содержащим десять пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 5E. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB, форма IV, характеризуется профилем РПД, содержащим более десяти пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 5E.In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula IB, form IV, is characterized by an RPD profile containing a peak at one of the angles indicated in table. 5E. In other aspects, the crystalline form of formula IB, form IV, is characterized by an RPD profile containing more than one peak at one of the angles indicated above in table. 5E. In other aspects, the crystalline form of formula IB, form IV, is characterized by an RPD profile containing two peaks selected from the angles indicated above in table. 5E. In other aspects, the crystalline form of formula IB, form IV, is characterized by an RPD profile containing three peaks selected from the angles indicated above in table. 5E. In other aspects, the crystalline form of formula IB, form IV, is characterized by an RPD profile containing four peaks selected from the angles indicated above in table. 5E. In other aspects, the crystalline form of formula IB, form IV, is characterized by an RPD profile containing five peaks selected from the angles indicated above in table. 5E. In other aspects, the crystalline form of formula IB, form IV, is characterized by an RPD profile containing six peaks selected from the angles indicated above in table. 5E. In other aspects, the crystalline form of formula IB, form IV, is characterized by an RPD profile containing seven peaks selected from the angles indicated above in table. 5E. In other aspects, the crystalline form of formula IB, form IV, is characterized by an RPD profile containing eight peaks selected from the angles indicated above in table. 5E. In other aspects, the crystalline form of formula IB, form IV, is characterized by an RPD profile containing nine peaks selected from the angles indicated above in table. 5E. In other aspects, the crystalline form of formula IB, form IV, is characterized by an RPD profile containing ten peaks selected from the angles indicated above in table. 5E. In other aspects, the crystalline form of formula IB, form IV, is characterized by an RPD profile containing more than ten peaks selected from the angles indicated above in table. 5E.

В некоторых вариантах реализации кристаллическая форма формулы IB, форма IV, характеризуется профилем РПД, содержащим пики при 15,9, 21,5 и 24,5° ± 0,2° 2-тета. В других вариантах реализации кристаллическая форма формулы IB, форма IV, характеризуется профилем РПД, содержащим пики при 15,5, 15,9, 16,7, 17,5 и 21,5° ± 0,2° 2-тета. В других вариантах реализации кристаллическая форма формулы IB, форма IV, характеризуется профилем РПД, содержащим пики при 15,5, 15,9, 16,7, 17,5, 21,5, 23,0 иIn some embodiments, the crystalline form of Formula IB, Form IV, has an RPD profile containing peaks at 15.9, 21.5, and 24.5° ± 0.2° 2-theta. In other embodiments, the crystalline form of Formula IB, Form IV, has an RPD profile containing peaks at 15.5, 15.9, 16.7, 17.5, and 21.5° ± 0.2° 2-theta. In other embodiments, the crystalline form of Formula IB, Form IV, has an RPD profile containing peaks at 15.5, 15.9, 16.7, 17.5, 21.5, 23.0, and

- 19 043295- 19 043295

24,5° ± 0,2° 2-тета. В других вариантах реализации кристаллическая форма формулы IB, форма IV, характеризуется профилем РПД, содержащим пики при 13,1, 15,5, 15,9, 16,7, 17,5, 21,5, 23,0, 24,5 и 28,3° ±24.5° ± 0.2° 2-theta. In other embodiments, the crystalline form of Formula IB, Form IV, has an RPD profile containing peaks at 13.1, 15.5, 15.9, 16.7, 17.5, 21.5, 23.0, 24.5 and 28.3° ±

0,2° 2-тета. В других вариантах реализации кристаллическая форма формулы IB, форма IV, характеризуется профилем РПД, содержащим пики при 13,1, 15,5, 15,9, 16,7, 17,5, 21,5, 23,0, 24,5, 28,3 и 29,0° ± 0,2°0.2° 2-theta. In other embodiments, the crystalline form of Formula IB, Form IV, has an RPD profile containing peaks at 13.1, 15.5, 15.9, 16.7, 17.5, 21.5, 23.0, 24.5 , 28.3 and 29.0° ± 0.2°

2-тета.2-theta.

В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы IB, форма IV, характеризуется профилем РПД, содержащим пики при трех или более из 13,1, 15,5, 15,9, 16,7, 17,5, 21,5, 23,0, 24,5, 28,3 и 29,0° ± 0,2° 2-тета. В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы IB, форма IV, характеризуется профилем РПД, содержащим пики при четырех или более из 13,1, 15,5, 15,9, 16,7, 17,5, 21,5, 23,0, 24,5, 28,3 и 29,0° ± 0,2° 2-тета. В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы IB, форма IV, характеризуется профилем РПД, содержащим пики при пяти или более из 13,1, 15,5, 15,9, 16,7, 17,5, 21,5, 23,0, 24,5, 28,3 и 29,0° ± 0,2° 2-тета. В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы IB, форма IV, характеризуется профилем РПД, содержащим пики при шести или более из 13,1, 15,5, 15,9, 16,7, 17,5, 21,5, 23,0, 24,5, 28,3 и 29,0° ± 0,2° 2-тета.In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula IB, form IV, is characterized by an RPD profile containing peaks at three or more of 13.1, 15.5, 15.9, 16.7, 17.5, 21.5, 23 .0, 24.5, 28.3 and 29.0° ± 0.2° 2-theta. In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula IB, form IV, is characterized by an RPD profile containing peaks at four or more of 13.1, 15.5, 15.9, 16.7, 17.5, 21.5, 23 .0, 24.5, 28.3 and 29.0° ± 0.2° 2-theta. In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula IB, form IV, is characterized by an RPD profile containing peaks at five or more of 13.1, 15.5, 15.9, 16.7, 17.5, 21.5, 23 .0, 24.5, 28.3 and 29.0° ± 0.2° 2-theta. In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula IB, form IV, is characterized by an RPD profile containing peaks at six or more of 13.1, 15.5, 15.9, 16.7, 17.5, 21.5, 23 .0, 24.5, 28.3 and 29.0° ± 0.2° 2-theta.

В некоторых вариантах реализации кристаллическая форма формулы IB, форма IV, может быть охарактеризована по существу такой термограммой ДСК, как представлена на фиг. 39. На фиг. 39 показано, что кристаллическая форма формулы IB, форма IV, образует эндотермический пик при 220,59°C (начало при 214,32°C; 1,323 Дж/г) при нагревании со скоростью 10°С/мин. В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы IB, форма IV, характеризуется термограммой ДСК, содержащей эндотермический пик при примерно 221°C при нагревании со скоростью 10°С/мин.In some embodiments, the crystalline form of Formula IB, Form IV, may be characterized by a substantially DSC thermogram as shown in FIG. 39. In FIG. 39 shows that the crystalline form of Formula IB, Form IV, forms an endothermic peak at 220.59°C (onset at 214.32°C; 1.323 J/g) when heated at a rate of 10°C/min. In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula IB, form IV, is characterized by a DSC thermogram containing an endothermic peak at about 221°C when heated at a rate of 10°C/min.

В некоторых вариантах реализации кристаллическая форма формулы IB, форма IV, может быть охарактеризована по существу таким профилем ТГА, как показан на фиг. 40, при нагревании со скоростью 20°С/мин.In some embodiments, the crystalline form of Formula IB, Form IV, may be characterized substantially by a TGA profile as shown in FIG. 40, when heated at a rate of 20°C/min.

В некоторых вариантах реализации кристаллическая форма формулы IB имеет по существу такой профиль РПД, как показан на фиг. 42. Профиль РПД кристаллической формы формулы IB, представленный на фиг. 42, содержит углы отражения (градусы 2-тета ± 0,2° 2-тета), расстояния между линиями (значения d) и относительные интенсивности, указанные в табл. 5F.In some embodiments, the crystalline form of Formula IB has an RPD profile substantially as shown in FIG. 42. The RPD profile of the formula IB crystalline form shown in FIG. 42 contains reflection angles (degrees 2-theta ± 0.2° 2-theta), distances between lines (d-values), and relative intensities shown in Table 2. 5F.

Таблица 5F. Данные РПД для кристаллической формы формулы IB, представленные на фиг. 42Table 5F. The RPD data for the crystalline form of formula IB shown in FIG. 42

Угол (градусы 2тета ± 0,2 градуса 2-тета) Angle (degrees 2-theta ± 0.2 degrees 2-theta) Значение d (А) d value (A) Относительная интенсивность Relative intensity 5,34 5.34 16,5357 16.5357 33,8 33.8 11,962 11.962 7,3924 7.3924 21,3 21.3 14,118 14.118 6,268 6.268 25,9 25.9 15,581 15.581 5,6827 5.6827 100 100 17,4 17.4 5,0924 5.0924 51,6 51.6 19,039 19.039 4,6575 4.6575 И,4 I,4 19,46 19.46 4,5578 4.5578 12 12 20,88 20.88 4,2508 4.2508 19 19 21,641 21.641 4,1031 4.1031 41,7 41.7 22,823 22.823 3,8933 3.8933 16,3 16.3 23,083 23.083 3,85 3.85 18,1 18.1 23,48 23.48 3,7857 3.7857 16 16 23,516 23.516 3,78 3.78 14,3 14.3 24,6 24.6 3,6159 3.6159 60,6 60.6 28,219 28.219 3,1597 3.1597 16,6 16.6 30,54 30.54 2,9247 2.9247 15,2 15.2 31,3 31.3 2,8554 2.8554 20,7 20.7 33,357 33.357 2,6839 2.6839 15,2 15.2 35,459 35.459 2,5295 2.5295 И,4 I,4 37,037 37.037 2,4252 2.4252 10,2 10.2

В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим пик при одном из углов, указанных в табл. 5F. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим более одного пика при одном из углов, указанных выше в табл. 5F. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим два пика, выбранных из углов, указанных выше в табл. 5F. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим три пика, выбранных из углов, указанных выше в табл. 5F. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим четыре пика, выбранных из углов, указанных выше в табл. 5F. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим пять пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 5F. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим шесть пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 5F. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB харакIn some embodiments of the present description, the crystalline form of formula IB is characterized by an RPD profile containing a peak at one of the angles indicated in table. 5F. In other aspects, the crystalline form of formula IB is characterized by an RPD profile containing more than one peak at one of the angles listed above in table. 5F. In other aspects, the crystalline form of formula IB is characterized by an RPD profile containing two peaks selected from the angles indicated above in table. 5F. In other aspects, the crystalline form of formula IB is characterized by an RPD profile containing three peaks selected from the angles indicated above in table. 5F. In other aspects, the crystalline form of formula IB is characterized by an RPD profile containing four peaks selected from the angles indicated in Table 1 above. 5F. In other aspects, the crystalline form of formula IB is characterized by an RPD profile containing five peaks selected from the angles indicated above in table. 5F. In other aspects, the crystalline form of Formula IB is characterized by an RPD profile containing six peaks selected from the angles indicated in Table 1 above. 5F. In other aspects, the crystalline form of formula IB is

- 20 043295 теризуется профилем РПД, содержащим семь пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 5F. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим восемь пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 5F. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим девять пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 5F. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим десять пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 5F. В других аспектах кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим более десяти пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 5F.- 20 043295 is terized by the RPD profile containing seven peaks selected from the angles indicated in Table 1 above. 5F. In other aspects, the crystalline form of formula IB is characterized by an RPD profile containing eight peaks selected from the angles indicated above in table. 5F. In other aspects, the crystalline form of formula IB is characterized by an RPD profile containing nine peaks selected from the angles listed above in table. 5F. In other aspects, the crystalline form of formula IB is characterized by an RPD profile containing ten peaks selected from the angles listed above in table. 5F. In other aspects, the crystalline form of formula IB is characterized by an RPD profile containing more than ten peaks selected from the angles indicated above in table. 5F.

В некоторых вариантах реализации кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим пики при 15,6 и 24,6° ± 0,2° 2-тета. В других вариантах реализации кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим пики при 15,6, 17,4 и 21,6° ± 0,2° 2тета. В других вариантах реализации кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим пики при 15,6, 17,4, 21,6 и 24,6° ± 0,2° 2-тета. В других вариантах реализации кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим пики при 14,1, 15,6, 17,4, 21,6 и 24,6° ± 0,2° 2-тета. В других вариантах реализации кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим пики при 5,3, 14,1, 15,6, 17,4, 21,6 и 24,6° ± 0,2° 2-тета.In some embodiments, the crystalline form of formula IB has an RPD profile containing peaks at 15.6 and 24.6° ± 0.2° 2-theta. In other embodiments, the crystalline form of Formula IB has an RPD profile containing peaks at 15.6, 17.4, and 21.6° ± 0.2° 2theta. In other embodiments, the crystalline form of formula IB has an RPD profile containing peaks at 15.6, 17.4, 21.6, and 24.6° ± 0.2° 2-theta. In other embodiments, the crystalline form of formula IB has an RPD profile containing peaks at 14.1, 15.6, 17.4, 21.6, and 24.6° ± 0.2° 2-theta. In other embodiments, the crystalline form of Formula IB has an RPD profile containing peaks at 5.3, 14.1, 15.6, 17.4, 21.6, and 24.6° ± 0.2° 2-theta.

В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим пики при двух или более из 5,3, 14,1, 15,6, 17,4, 21,6 и 24,6° ± 0,2° 2-тета. В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим пики при трех или более из 5,3, 14,1, 15,6, 17,4, 21,6 и 24,6° ±0,2° 2-тета. В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим пики при четырех или более из 5,3, 14,1, 15,6, 17,4, 21,6 и 24,6° ± 0,2° 2-тета. В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы IB характеризуется профилем РПД, содержащим пики при пяти или более из 5,3, 14,1, 15,6, 17,4, 21,6 и 24,6° ± 0,2° 2-тета.In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula IB is characterized by an RPD profile containing peaks at two or more of 5.3, 14.1, 15.6, 17.4, 21.6 and 24.6° ± 0.2° 2-theta. In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula IB is characterized by an RPD profile containing peaks at three or more of 5.3, 14.1, 15.6, 17.4, 21.6 and 24.6° ±0.2° 2-theta. In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula IB is characterized by an RPD profile containing peaks at four or more of 5.3, 14.1, 15.6, 17.4, 21.6 and 24.6° ± 0.2° 2-theta. In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula IB is characterized by an RPD profile containing peaks at five or more of 5.3, 14.1, 15.6, 17.4, 21.6 and 24.6° ± 0.2° 2-theta.

В некоторых вариантах реализации кристаллическая форма формулы IB может быть охарактеризована по существу такой термограммой ДСК, как представлена на фиг. 43. На фиг. 43 показано, что кристаллическая форма формулы IB образует эндотермический пик при 188,08°C (начало при 175,78°C; 42,19 Дж/г), затем экзотермический пик при 219,29°C (начало при 217,41°C; 16,86 Дж/г), затем эндотермический пик при 270,66°C(начало при 266,29°C; 272,5 Дж/г), при нагревании при 10°С/мин. В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы IB характеризуется термограммой ДСК, содержащей эндотермический пик при примерно 188°C при нагревании со скоростью 10°С/мин. В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы IB характеризуется термограммой ДСК, содержащей эндотермический пик при примерно 271°C, при нагревании со скоростью 10°С/мин.In some embodiments, the crystalline form of Formula IB may be characterized by a substantially DSC thermogram as shown in FIG. 43. In FIG. 43 shows that the crystalline form of formula IB forms an endothermic peak at 188.08°C (beginning at 175.78°C; 42.19 J/g), then an exothermic peak at 219.29°C (beginning at 217.41°C). C; 16.86 J/g), then an endothermic peak at 270.66°C (beginning at 266.29°C; 272.5 J/g), with heating at 10°C/min. In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula IB is characterized by a DSC thermogram containing an endothermic peak at about 188°C when heated at a rate of 10°C/min. In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula IB is characterized by a DSC thermogram containing an endothermic peak at about 271°C, when heated at a rate of 10°C/min.

В некоторых вариантах реализации кристаллическая форма формулы IB может быть охарактеризована по существу таким профилем ТГА, как показан на фиг. 44, при нагревании со скоростью 20°С/мин.In some embodiments, the crystalline form of Formula IB may be characterized substantially by a TGA profile as shown in FIG. 44 when heated at a rate of 20°C/min.

Формула IC (оксалатная соль формулы I).Formula IC (oxalate salt of formula I).

В некоторых аспектах настоящее описание относится к кристаллической форме оксалатной соли, т.е. формулы IC. В других аспектах кристаллическая форма формулы IC по существу не содержит других твердых форм формулы IC.In some aspects, the present description refers to the crystalline form of the oxalate salt, i. IC formulas. In other aspects, the crystalline form of Formula IC is substantially free of other solid forms of Formula IC.

В некоторых вариантах реализации кристаллическая форма формулы IC имеет по существу такой профиль РПД, как показан на фиг. 12. Профиль РПД кристаллической формы формулы IC, представленный на фиг. 12, содержит углы отражения (градусы 2-тета ± 0,2° 2-тета), расстояния между линиями (значения d) и относительные интенсивности, указанные в табл. 6.In some embodiments, the crystalline form of Formula IC has an RPD profile substantially as shown in FIG. 12. The RPD profile of the crystalline form of formula IC shown in FIG. 12 contains the angles of reflection (degrees 2-theta ± 0.2° 2-theta), line spacings (d-values), and relative intensities shown in Table 12. 6.

- 21 043295- 21 043295

Таблица 6. ДанныеTable 6. Data

на фиг. 12in fig. 12

В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы IC характеризуется профилем РПД, содержащим пик при одном из углов, указанных в табл. 6. В других аспектах кристаллическая форма формулы IC характеризуется профилем РПД, содержащим более одного пика при одном из углов, указанных выше в табл. 6. В других аспектах кристаллическая форма формулы IC характеризуется профилем РПД, содержащим два пика, выбранных из углов, указанных выше в табл. 6. В других аспектах кристаллическая форма формулы IC характеризуется профилем РПД, содержащим три пика, выбранных из углов, указанных выше в табл. 6. В других аспектах кристаллическая форма формулы IC характеризуется профилем РПД, содержащим четыре пика, выбранных из углов, указанных выше в табл. 6. В других аспектах кристаллическая форма формулы IC характеризуется профилем РПД, содержащим пять пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 6. В других аспектах кристаллическая форма формулы IC характеризуется профилем РПД, содержащим шесть пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 6. В других аспектах кристаллическая форма формулы IC характеризуется профилем РПД, содержащим семь пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 6. В других аспектах кристаллическая форма формулы IC характеризуется профилем РПД, содержащим восемь пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 6. В других аспектах кристаллическая форма формулы IC характеризуется профилем РПД, содержащим девять, выбранных из углов, указанных выше в табл. 6. В других аспектах кристаллическая форма формулы IC характеризуется профилем РПД, содержащим десять пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 6. В других аспектах кристаллическая форма формулы IC характеризуется профилем РПД, содержащим более десяти пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 6.In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula IC is characterized by an RPD profile containing a peak at one of the angles indicated in table. 6. In other aspects, the crystalline form of formula IC is characterized by an RPD profile containing more than one peak at one of the angles indicated above in table. 6. In other aspects, the crystalline form of formula IC is characterized by an RPD profile containing two peaks selected from the angles indicated above in table. 6. In other aspects, the crystalline form of formula IC is characterized by an RPD profile containing three peaks selected from the angles indicated above in table. 6. In other aspects, the crystalline form of formula IC is characterized by an RPD profile containing four peaks selected from the angles indicated above in table. 6. In other aspects, the crystalline form of formula IC is characterized by an RPD profile containing five peaks selected from the angles indicated above in table. 6. In other aspects, the crystalline form of formula IC is characterized by an RPD profile containing six peaks selected from the angles indicated above in table. 6. In other aspects, the crystalline form of formula IC is characterized by an RPD profile containing seven peaks selected from the angles indicated above in table. 6. In other aspects, the crystalline form of formula IC is characterized by an RPD profile containing eight peaks selected from the angles indicated above in table. 6. In other aspects, the crystalline form of formula IC is characterized by an RPD profile containing nine selected from the angles listed above in table. 6. In other aspects, the crystalline form of formula IC is characterized by an RPD profile containing ten peaks selected from the angles indicated above in table. 6. In other aspects, the crystalline form of formula IC is characterized by an RPD profile containing more than ten peaks selected from the angles indicated above in table. 6.

В некоторых вариантах реализации кристаллическая форма формулы IC характеризуется профилем РПД, содержащим пик при 10,5° ± 0,2° 2-тета. В других вариантах реализации кристаллическая формаIn some embodiments, the crystalline form of Formula IC has an RPD profile containing a peak at 10.5° ± 0.2° 2-theta. In other embodiments, the crystalline form

- 22 043295 формулы IC характеризуется профилем РПД, содержащим пики при 10,5, 14,7, 16,2° ± 0,2° 2-тета. В других вариантах реализации кристаллическая форма формулы IC характеризуется профилем РПД, содержащим пики при 10,5, 14,7, 16,2 и 28,7° ± 0,2° 2-тета. В других вариантах реализации кристаллическая форма формулы IC характеризуется профилем РПД, содержащим пики при 10,5, 14,7, 16,2, 17,6, 17,7, 19,6, 28,7 и 28,9° ± 0,2° 2-тета. В других вариантах реализации кристаллическая форма формулы IC характеризуется профилем РПД, содержащим пики при 10,5, 14,2, 14,7, 28,7 и 28,9° ± 0,2° 2-тета. В других вариантах реализации кристаллическая форма формулы IC характеризуется профилем РПД, содержащим пики при 10,5, 11,6, 13,1, 14,2 и 14,7° ± 0,2° 2-тета. В других вариантах реализации кристаллическая форма формулы IC характеризуется профилем РПД, содержащим пики при 10,5, 11,6, 13,1, 14,2, 14,7, 14,9, 16,2, 17,6, 17,7, 19,6, 28,7 и 28,9° ± 0,2° 2-тета.- 22 043295 formula IC is characterized by an RPD profile containing peaks at 10.5, 14.7, 16.2° ± 0.2° 2-theta. In other embodiments, the crystalline form of formula IC has an RPD profile containing peaks at 10.5, 14.7, 16.2, and 28.7° ± 0.2° 2-theta. In other embodiments, the crystalline form of formula IC is characterized by an RPD profile containing peaks at 10.5, 14.7, 16.2, 17.6, 17.7, 19.6, 28.7, and 28.9°±0, 2° 2-theta. In other embodiments, the crystalline form of Formula IC has an RPD profile containing peaks at 10.5, 14.2, 14.7, 28.7, and 28.9° ± 0.2° 2-theta. In other embodiments, the crystalline form of Formula IC has an RPD profile containing peaks at 10.5, 11.6, 13.1, 14.2, and 14.7° ± 0.2° 2-theta. In other embodiments, the crystalline form of formula IC is characterized by an RPD profile containing peaks at 10.5, 11.6, 13.1, 14.2, 14.7, 14.9, 16.2, 17.6, 17.7 , 19.6, 28.7 and 28.9° ± 0.2° 2-theta.

В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы IC характеризуется профилем РПД, содержащим пики при трех или более из 10,5, 11,6, 13,1, 14,2, 14,7, 14,9, 16,2, 17,6, 17,7, 19,6, 28,7 и 28,9° ± 0,2° 2-тета. В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы IC характеризуется профилем РПД, содержащим пики при четырех или более из 10,5, 11,6, 13,1, 14,2, 14,7, 14,9, 16,2, 17,6, 17,7, 19,6, 28,7 и 28,9° ± 0,2° 2-тета. В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы IC характеризуется профилем РПД, содержащим пики при пяти или более из 10,5, 11,6, 13,1, 14,2, 14,7, 14,9, 16,2, 17,6, 17,7, 19,6, 28,7 и 28,9° ± 0,2° 2-тета. В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы IC характеризуется профилем РПД, содержащим пики при шести или более из 10,5, 11,6, 13,1, 14,2, 14,7, 14,9, 16,2, 17,6, 17,7, 19,6, 28,7 и 28,9° ± 0,2° 2-тета. В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы IC характеризуется профилем РПД, содержащим пики при семи или более из 10,5, 11,6, 13,1, 14,2, 14,7, 14,9, 16,2, 17,6, 17,7, 19,6, 28,7 и 28,9 ± 0,2° 2-тета.In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula IC is characterized by an RPD profile containing peaks at three or more of 10.5, 11.6, 13.1, 14.2, 14.7, 14.9, 16.2, 17 .6, 17.7, 19.6, 28.7 and 28.9° ± 0.2° 2-theta. In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula IC is characterized by an RPD profile containing peaks at four or more of 10.5, 11.6, 13.1, 14.2, 14.7, 14.9, 16.2, 17 .6, 17.7, 19.6, 28.7 and 28.9° ± 0.2° 2-theta. In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula IC is characterized by an RPD profile containing peaks at five or more of 10.5, 11.6, 13.1, 14.2, 14.7, 14.9, 16.2, 17 .6, 17.7, 19.6, 28.7 and 28.9° ± 0.2° 2-theta. In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula IC is characterized by an RPD profile containing peaks at six or more of 10.5, 11.6, 13.1, 14.2, 14.7, 14.9, 16.2, 17 .6, 17.7, 19.6, 28.7 and 28.9° ± 0.2° 2-theta. In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula IC is characterized by an RPD profile containing peaks at seven or more of 10.5, 11.6, 13.1, 14.2, 14.7, 14.9, 16.2, 17 .6, 17.7, 19.6, 28.7 and 28.9 ± 0.2° 2-theta.

Формула ID (фосфатная соль формулы I).Formula ID (phosphate salt of formula I).

В некоторых аспектах настоящее описание относится к кристаллической форме фосфатной соли, т.е. к формуле Ш. В других аспектах кристаллическая форма формулы ID по существу не содержит других твердых форм формулы ID.In some aspects, the present description refers to the crystalline form of the phosphate salt, i. to Formula III. In other aspects, the crystalline form of Formula ID is substantially free of other solid forms of Formula ID.

В некоторых вариантах реализации кристаллическая форма формулы ID имеет по существу такой профиль РПД, как показан на фиг. 13. Профиль РПД кристаллической формы формулы ID, представленный на фиг. 13, содержит углы отражения (градусы 2-тета ± 0,2° 2-тета), расстояния между линиями (значения d) и относительные интенсивности, указанные в табл. 7.In some embodiments, the crystalline form of Formula ID has a substantially RPD profile as shown in FIG. 13. The RPD profile of the crystalline form of formula ID shown in FIG. 13 contains reflection angles (degrees 2-theta ± 0.2° 2-theta), line spacings (d-values), and relative intensities shown in Table 13. 7.

- 23 043295- 23 043295

Таблица 7. Данные РПД для кристаллической формы формулы ID, представленные на фиг. 13Table 7. RPD data for the crystalline form of formula ID shown in FIG. 13

Угол (градусы 2-тета ± 0,2 градуса 2-тета) Angle (degrees 2-theta ± 0.2 degrees 2-theta) Значение d (А) d value (A) Относительная интенсивность Relative intensity 3,56 3.56 24,804 24.804 100 100 10,72 10.72 8,246 8.246 55 55 11,53 11.53 7,671 7.671 7 7 11,99 11.99 7,378 7.378 13 13 12,64 12.64 7,000 7,000 5 5 13,50 13.50 6,552 6.552 12 12 13,69 13.69 6,463 6.463 9 9 14,04 14.04 6,302 6.302 И AND 14,60 14.60 6,060 6.060 15 15 15,03 15.03 5,889 5,889 7 7 15,56 15.56 5,691 5.691 27 27 16,28 16.28 5,442 5.442 12 12 17,33 17.33 5,112 5.112 7 7 17,73 17.73 5,000 5,000 6 6 17,93 17.93 4,943 4.943 22 22 18,54 18.54 4,783 4.783 И AND 18,68 18.68 4,747 4.747 21 21 18,94 18.94 4,682 4.682 9 9 19,36 19.36 4,580 4,580 И AND 20,66 20.66 4,295 4.295 6 6 21,12 21.12 4,202 4.202 7 7 21,52 21.52 4,125 4.125 5 5 21,82 21.82 4,070 4.070 7 7 22,49 22.49 3,950 3,950 6 6 23,13 23.13 3,843 3.843 И AND 23,56 23.56 3,773 3.773 8 8 24,07 24.07 3,694 3.694 7 7 24,54 24.54 3,625 3.625 9 9 24,74 24.74 3,596 3.596 19 19 25,21 25.21 3,529 3.529 И AND 25,43 25.43 3,500 3,500 5 5 25,85 25.85 3,444 3.444 10 10 26,30 26.30 3,386 3.386 И AND 27,42 27.42 3,250 3,250 14 14 27,59 27.59 3,230 3.230 12 12 27,90 27.90 3,195 3.195 9 9 28,28 28.28 3,154 3.154 10 10 29,20 29.20 3,056 3.056 5 5 29,46 29.46 3,029 3.029 6 6 29,67 29.67 3,008 3.008 5 5 30,35 30.35 2,943 2.943 7 7

В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы ID характеризуется профилем РПД, содержащим пик при одном из углов, указанных в табл. 7. В других аспектах кристаллическая форма формулы ID характеризуется профилем РПД, содержащим более одного пика при одном из углов, указанных выше в табл. 7. В других аспектах кристаллическая форма формулы ID характеризуется профилем РПД, содержащим два пика, выбранных из углов, указанных выше в табл. 7. В других аспектах кристаллическая форма формулы ID характеризуется профилем РПД, содержащим три пика, выбранных из углов, указанных выше в табл. 7. В других аспектах кристаллическая форма формулы ID характеризуется профилем РПД, содержащим четыре пика, выбранных из углов, указанных выше в табл. 7. В других аспектах кристаллическая форма формулы ID характеризуется профилем РПД, содержащим пять пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 7. В других аспектах кристаллическая форма формулы ID характеризуется профилем РПД, содержащим шесть пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 7. В других аспектах кристаллическая форма формулы ID характеризуется профилем РПД, содержащим семь пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 7. В других аспектах кристаллическая форма формулы ID характеризуется профилем РПД, содержащим восемь пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 7. В других аспектах кристаллическая форма формулы ID характеризуется профилем РПД, содержащим девять пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 7. В других аспектах кристаллическая форма формулы ID характеризуется профилем РПД, содержащим десять пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 7. В других аспектах кристаллическая форма формулы ID характеризуется профилем РПД, содержащим более десяти пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 7. В некоторых вариантах реализации кристаллическая форма формулы IDIn some embodiments of the present description, the crystalline form of formula ID is characterized by an RPD profile containing a peak at one of the angles indicated in table. 7. In other aspects, the crystalline form of formula ID is characterized by an RPD profile containing more than one peak at one of the angles indicated above in table. 7. In other aspects, the crystalline form of formula ID is characterized by an RPD profile containing two peaks selected from the angles indicated above in table. 7. In other aspects, the crystalline form of formula ID is characterized by an RPD profile containing three peaks selected from the angles indicated above in table. 7. In other aspects, the crystalline form of formula ID is characterized by an RPD profile containing four peaks selected from the angles indicated above in table. 7. In other aspects, the crystalline form of formula ID is characterized by an RPD profile containing five peaks selected from the angles indicated above in table. 7. In other aspects, the crystalline form of formula ID is characterized by an RPD profile containing six peaks selected from the angles indicated above in table. 7. In other aspects, the crystalline form of formula ID is characterized by an RPD profile containing seven peaks selected from the angles indicated above in table. 7. In other aspects, the crystalline form of formula ID is characterized by an RPD profile containing eight peaks selected from the angles indicated above in table. 7. In other aspects, the crystalline form of formula ID is characterized by an RPD profile containing nine peaks selected from the angles indicated above in table. 7. In other aspects, the crystalline form of formula ID is characterized by an RPD profile containing ten peaks selected from the angles indicated above in table. 7. In other aspects, the crystalline form of formula ID is characterized by an RPD profile containing more than ten peaks selected from the angles indicated above in table. 7. In some embodiments, the crystalline form of formula ID

- 24 043295 характеризуется профилем РПД, содержащим пик при 3,6° ± 0,2 градуса 2-тета. В других вариантах реализации кристаллическая форма формулы ID характеризуется профилем РПД, содержащим пики при 3,6 и 10,7° ± 0,2° 2-тета. В других вариантах реализации кристаллическая форма формулы ID характеризуется профилем РПД, содержащим пики при 3,6, 10,7 и 15,6° ± 0,2° 2-тета. В других вариантах реализации кристаллическая форма формулы ID характеризуется профилем РПД, содержащим пики при 3,6, 10,7, 15,6 и 17,9° ± 0,2° 2-тета. В других вариантах реализации кристаллическая форма формулы ID характеризуется профилем РПД, содержащим пики при 3,6, 10,7, 15,6, 17,9 и 18,7° ± 0,2° 2-тета. В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы ID характеризуется профилем РПД, содержащим пики при двух или более из 3,6, 10,7, 15,6, 17,9 и 18,7° ± 0,2° 2-тета. В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы ID характеризуется профилем РПД, содержащим пики при трех или более из 3,6, 10,7, 15,6, 17,9 и 18,7° ± 0,2° 2-тета. В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы ID характеризуется профилем РПД, содержащим пики при четырех или более из 3,6, 10,7, 15,6, 17,9 и 18,7° ± 0,2° 2-тета.- 24 043295 is characterized by a RPD profile containing a peak at 3.6° ± 0.2 degrees 2-theta. In other embodiments, the crystalline form of Formula ID has an RPD profile containing peaks at 3.6 and 10.7° ± 0.2° 2-theta. In other embodiments, the crystalline form of formula ID has an RPD profile containing peaks at 3.6, 10.7, and 15.6° ± 0.2° 2-theta. In other embodiments, the crystalline form of formula ID has an RPD profile containing peaks at 3.6, 10.7, 15.6, and 17.9° ± 0.2° 2-theta. In other embodiments, the crystalline form of formula ID has an RPD profile containing peaks at 3.6, 10.7, 15.6, 17.9, and 18.7° ± 0.2° 2-theta. In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula ID is characterized by an RPD profile containing peaks at two or more of 3.6, 10.7, 15.6, 17.9 and 18.7° ± 0.2° 2-theta. In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula ID is characterized by an RPD profile containing peaks at three or more of 3.6, 10.7, 15.6, 17.9 and 18.7° ± 0.2° 2-theta. In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula ID is characterized by an RPD profile containing peaks at four or more of 3.6, 10.7, 15.6, 17.9 and 18.7° ± 0.2° 2-theta.

В некоторых вариантах реализации кристаллическая форма формулы ID имеет по существу такой профиль РПД, как показан на фиг. 45. Профиль РПД кристаллической формы формулы ID, представленный на фиг. 45, содержит углы отражения (градусы 2-тета ± 0,2° 2-тета), расстояния между линиями (значения d) и относительные интенсивности, указанные в табл. 7A.In some embodiments, the crystalline form of Formula ID has a substantially RPD profile as shown in FIG. 45. The RPD profile of the crystalline form of formula ID shown in FIG. 45 contains reflection angles (degrees 2-theta ± 0.2° 2-theta), distances between lines (d-values), and relative intensities shown in Table 1. 7A.

Таблица 7A. Данные РПД для кристаллической формы формулы ID, представленные на фиг. 45Table 7A. The RPD data for the crystalline form of formula ID shown in FIG. 45

Угол (градусы 2-тета ± 0,2 градуса 2-тета) Angle (degrees 2-theta ± 0.2 degrees 2-theta) Значение d (А) d value (A) Относительная интенсивность Relative intensity 10,64 10.64 8,3078 8.3078 25,2 25.2 15,14 15.14 5,847 5,847 12,4 12.4 17,08 17.08 5,1871 5.1871 57,8 57.8 18,14 18.14 4,8863 4.8863 100 100 20,04 20.04 4,4271 4.4271 79,9 79.9 21,54 21.54 4,122 4.122 28,3 28.3 22,44 22.44 3,9587 3.9587 36,2 36.2 24,62 24.62 3,613 3.613 18,7 18.7 26,18 26.18 3,4011 3.4011 98,7 98.7 27,278 27.278 3,2666 3.2666 32,7 32.7 28,1 28.1 3,1729 3.1729 72,5 72.5 29,04 29.04 3,0723 3.0723 16,5 16.5 30,3 30.3 2,9473 2.9473 16 16 33,377 33.377 2,6824 2.6824 ИД ID 34,277 34.277 2,6139 2.6139 8,3 8.3 37,24 37.24 2,4125 2.4125 9,5 9.5 38,057 38.057 2,3625 2.3625 9,5 9.5 39,557 39.557 2,2763 2.2763 14,7 14.7 40,14 40.14 2,2446 2.2446 19,5 19.5 44,06 44.06 2,0536 2.0536 И,6 I,6 44,06 44.06 2,0536 2.0536 И,6 I,6

В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы ID характеризуется профилем РПД, содержащим пик при одном из углов, указанных в табл. 7A. В других аспектах кристаллическая форма формулы ID характеризуется профилем РПД, содержащим более одного пика при одном из углов, указанных выше в табл. 7A. В других аспектах кристаллическая форма формулы ID характеризуется профилем РПД, содержащим два пика, выбранных из углов, указанных выше в табл. 7A. В других аспектах кристаллическая форма формулы ID характеризуется профилем РПД, содержащим три пика, выбранных из углов, указанных выше в табл. 7A. В других аспектах кристаллическая форма формулы ID характеризуется профилем РПД, содержащим четыре пика, выбранных из углов, указанных выше в табл. 7A. В других аспектах кристаллическая форма формулы ID характеризуется профилем РПД, содержащим пять пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 7A. В других аспектах кристаллическая форма формулы ID характеризуется профилем РПД, содержащим шесть пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 7A. В других аспектах кристаллическая форма формулы ID характеризуется профилем РПД, содержащим семь пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 7A. В других аспектах кристаллическая форма формулы ID характеризуется профилем РПД, содержащим восемь пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 7A. В других аспектах кристаллическая форма формулы ID характеризуется профилем РПД, содержащим девять пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 7A. В других аспектах кристаллическая форма формулы ID характеризуется профилем РПД, содержащим десять пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 7A. В других аспектах кристаллическая форма формулы ID характеризуется профилем РПД, содержащим более десяти пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 7A.In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula ID is characterized by an RPD profile containing a peak at one of the angles indicated in table. 7A. In other aspects, the crystalline form of formula ID is characterized by an RPD profile containing more than one peak at one of the angles indicated above in table. 7A. In other aspects, the crystalline form of formula ID is characterized by an RPD profile containing two peaks selected from the angles indicated above in table. 7A. In other aspects, the crystalline form of formula ID is characterized by an RPD profile containing three peaks selected from the angles indicated above in table. 7A. In other aspects, the crystalline form of formula ID is characterized by an RPD profile containing four peaks selected from the angles indicated above in table. 7A. In other aspects, the crystalline form of formula ID is characterized by an RPD profile containing five peaks selected from the angles indicated above in table. 7A. In other aspects, the crystalline form of formula ID is characterized by an RPD profile containing six peaks selected from the angles indicated above in table. 7A. In other aspects, the crystalline form of formula ID is characterized by an RPD profile containing seven peaks selected from the angles indicated above in table. 7A. In other aspects, the crystalline form of formula ID is characterized by an RPD profile containing eight peaks selected from the angles indicated above in table. 7A. In other aspects, the crystalline form of formula ID is characterized by an RPD profile containing nine peaks selected from the angles indicated above in table. 7A. In other aspects, the crystalline form of formula ID is characterized by an RPD profile containing ten peaks selected from the angles listed above in table. 7A. In other aspects, the crystalline form of formula ID is characterized by an RPD profile containing more than ten peaks selected from the angles indicated above in table. 7A.

В некоторых вариантах реализации кристаллическая форма формулы ID характеризуется профилемIn some embodiments, the crystalline form of Formula ID has a profile

- 25 043295- 25 043295

РПД, содержащим пик при 18,1, 20,0, 26,2 и 28,1° ± 0,2° 2-тета. В других вариантах реализации кристаллическая форма формулы ID характеризуется профилем РПД, содержащим пики при 18,1, 20,0, 21,5, 22,4, 26,2 и 28,1° ± 0,2° 2-тета. В других вариантах реализации кристаллическая форма формулы ID характеризуется профилем РПД, содержащим пики при 17,1, 18,1, 20,0, 26,2 и 28,1° ± 0,2° 2-тета. В других вариантах реализации кристаллическая форма формулы ID характеризуется профилем РПД, содержащим пики при 10,6, 17,1, 18,1, 20,0, 26,2 и 28,1° ± 0,2° 2-тета. В других вариантах реализации кристаллическая форма формулы ID характеризуется профилем РПД, содержащим пики при 10,6, 17,1, 18,1, 20,0, 21,5, 22,4, 26,2 и 28,1° ± 0,2° 2-тета.RPD containing a peak at 18.1, 20.0, 26.2 and 28.1° ± 0.2° 2-theta. In other embodiments, the crystalline form of Formula ID has an RPD profile containing peaks at 18.1, 20.0, 21.5, 22.4, 26.2, and 28.1° ± 0.2° 2-theta. In other embodiments, the crystalline form of formula ID has an RPD profile containing peaks at 17.1, 18.1, 20.0, 26.2, and 28.1° ± 0.2° 2-theta. In other embodiments, the crystalline form of Formula ID has an RPD profile containing peaks at 10.6, 17.1, 18.1, 20.0, 26.2, and 28.1° ± 0.2° 2-theta. In other embodiments, the crystalline form of formula ID is characterized by an RPD profile containing peaks at 10.6, 17.1, 18.1, 20.0, 21.5, 22.4, 26.2, and 28.1° ± 0, 2° 2-theta.

В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы ID характеризуется профилем РПД, содержащим пики при двух или более из 10,6, 17,1, 18,1, 20,0, 21,5, 22,4, 26,2 и 28,1° ± 0,2° 2-тета. В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы ID характеризуется профилем РПД, содержащим пики при трех или более из 10,6, 17,1, 18,1, 20,0, 21,5, 22,4, 26,2 и 28,1° ± 0,2° 2-тета. В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы ID характеризуется профилем РПД, содержащим пики при четырех или более из 10,6, 17,1, 18,1, 20,0, 21,5, 22,4, 26,2 и 28,1° ± 0,2° 2-тета. В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы ID характеризуется профилем РПД, содержащим пики при пяти или более из 10,6, 17,1, 18,1, 20,0, 21,5, 22,4, 26,2 и 28,1° ± 0,2° 2-тета. В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы ID характеризуется профилем РПД, содержащим пики при шести или более из 10,6, 17,1, 18,1, 20,0, 21,5, 22,4, 26,2 и 28,1° ± 0,2° 2-тета.In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula ID is characterized by an RPD profile containing peaks at two or more of 10.6, 17.1, 18.1, 20.0, 21.5, 22.4, 26.2 and 28 .1° ± 0.2° 2-theta. In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula ID is characterized by an RPD profile containing peaks at three or more of 10.6, 17.1, 18.1, 20.0, 21.5, 22.4, 26.2 and 28 .1° ± 0.2° 2-theta. In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula ID is characterized by an RPD profile containing peaks at four or more of 10.6, 17.1, 18.1, 20.0, 21.5, 22.4, 26.2 and 28 .1° ± 0.2° 2-theta. In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula ID is characterized by an RPD profile containing peaks at five or more of 10.6, 17.1, 18.1, 20.0, 21.5, 22.4, 26.2 and 28 .1° ± 0.2° 2-theta. In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula ID is characterized by an RPD profile containing peaks at six or more of 10.6, 17.1, 18.1, 20.0, 21.5, 22.4, 26.2 and 28 .1° ± 0.2° 2-theta.

В некоторых вариантах реализации кристаллическая форма формулы ID может быть охарактеризована по существу такой термограммой ДСК, как представлена на фиг. 46. На фиг. 46 показано, что кристаллическая форма формулы ID образует эндотермический пик при 160,66°C (начало при 154,41°C; 48,38 Дж/г), затем еще один эндотермический пик при 221,37°C (начало при 201,43°C; 99,14 Дж/г), при нагревании при 10°С/мин. В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы ID характеризуется термограммой ДСК, содержащей эндотермический пик при примерно 161°C при нагревании со скоростью 10°С/мин. В других вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы ID характеризуется термограммой ДСК, содержащей эндотермический пик при примерно 221°C, при нагревании со скоростью 10°С/мин.In some embodiments, the crystalline form of Formula ID may be characterized substantially by a DSC thermogram as shown in FIG. 46. In FIG. 46 shows that the crystalline form of formula ID forms an endothermic peak at 160.66°C (beginning at 154.41°C; 48.38 J/g), then another endothermic peak at 221.37°C (beginning at 201. 43°C; 99.14 J/g), when heated at 10°C/min. In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula ID is characterized by a DSC thermogram containing an endothermic peak at about 161°C when heated at a rate of 10°C/min. In other embodiments of the present description, the crystalline form of formula ID is characterized by a DSC thermogram containing an endothermic peak at about 221°C, when heated at a rate of 10°C/min.

В некоторых вариантах реализации кристаллическая форма формулы ID может быть охарактеризована по существу таким профилем ТГА, как представлен на фиг. 47, при нагревании со скоростью 20°С/мин. На фиг. 47 показано, что кристаллическая форма формулы ID теряет примерно 3,2% массы при нагревании до примерно 150°C.In some embodiments, the crystalline form of Formula ID may be characterized substantially by the TGA profile as shown in FIG. 47 when heated at a rate of 20°C/min. In FIG. 47 shows that the crystalline form of formula ID loses about 3.2% by weight when heated to about 150°C.

Формула IE (бисульфатная соль формулы I).Formula IE (bisulfate salt of formula I).

В некоторых аспектах настоящее описание относится к кристаллической форме бисульфатной соли, т.е. формулы IE. В других аспектах кристаллическая форма формулы IE по существу не содержит других твердых форм формулы IE.In some aspects, the present description refers to the crystalline form of the bisulfate salt, i. IE formulas. In other aspects, the crystalline form of Formula IE is substantially free of other solid forms of Formula IE.

Формула I - свободное основаниеFormula I - free base

В некоторых аспектах настоящее описание относится к кристаллическим формам соединения формулы IIn some aspects, the present description relates to crystalline forms of the compounds of formula I

В некоторых вариантах реализации кристаллическая форма формулы I представляет собой кристаллическую форму I (формула I, форма I). В некоторых вариантах реализации кристаллическая форма формулы I, форма I, имеет по существу такой профиль РПД, как показан на фиг. 48. Профиль РПД кристаллической формы формулы I, формы I, представленный на фиг. 48, содержит углы отражения (градусы 2-тета ± 0,2° 2-тета), расстояния между линиями (значения d) и относительные интенсивности, указанные в табл. 7B.In some embodiments, the crystalline form of formula I is crystalline form I (Formula I, Form I). In some embodiments, the crystalline form of Formula I, Form I, has an RPD profile substantially as shown in FIG. 48. The RPD profile of the crystalline form of Formula I, Form I shown in FIG. 48 contains reflection angles (degrees 2-theta ± 0.2° 2-theta), distances between lines (d-values), and relative intensities shown in Table 1. 7B.

- 26 043295- 26 043295

Таблица 7B. Данные РПД для кристаллической формы формулы I, формы I, представленные на фиг. 48Table 7B. The RPD data for the crystalline form of Formula I, Form I shown in FIG. 48

Угол (градусы 2тета ± 0,2 градуса 2-тета) Angle (degrees 2-theta ± 0.2 degrees 2-theta) Значение d (А) d value (A) Относительная интенсивность Relative intensity 9,299 9.299 9,5031 9.5031 20,6 20.6 11,82 11.82 7,4809 7.4809 9,6 9.6 12,8 12.8 6,9105 6.9105 12,8 12.8 14,981 14.981 5,9089 5.9089 29,4 29.4 15,58 15.58 5,683 5.683 40,4 40.4 17,341 17.341 5,1097 5.1097 100 100 18,1 18.1 4,8971 4.8971 78,2 78.2 19,66 19.66 4,5118 4.5118 37,9 37.9 20,42 20.42 4,3456 4.3456 56,9 56.9 21,818 21.818 4,0701 4.0701 27,4 27.4 23,341 23.341 3,808 3.808 22,9 22.9 24,2 24.2 3,6747 3.6747 38,4 38.4 25,2 25.2 3,5311 3.5311 62,1 62.1 27,08 27.08 3,2901 3.2901 53,1 53.1 28,32 28.32 3,1487 3.1487 46,8 46.8 28,799 28.799 3,0974 3.0974 34,5 34.5 29,959 29.959 2,9801 2.9801 35,4 35.4 30,959 30.959 2,8861 2.8861 14,3 14.3 31,839 31.839 2,8083 2.8083 16,8 16.8 33,06 33.06 2,7073 2.7073 22,4 22.4 33,96 33.96 2,6376 2.6376 16,8 16.8 34,74 34.74 2,5801 2.5801 8,8 8.8 35,9 35.9 2,4994 2.4994 17,3 17.3 36,419 36.419 2,4649 2.4649 29,1 29.1 38,06 38.06 2,3624 2.3624 13,7 13.7 39,08 39.08 2,303 2.303 9 9 39,999 39.999 2,2522 2.2522 21,8 21.8 41,681 41.681 2,1651 2.1651 29,4 29.4 42,417 42.417 2,1292 2.1292 12,8 12.8

В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы I, форма I, характеризуется профилем РПД, содержащим пик при одном из углов, указанных в табл. 7B. В других аспектах кристаллическая форма формулы I, форма I, характеризуется профилем РПД, содержащим более одного пика при одном из углов, указанных выше в табл. 7B. В других аспектах кристаллическая форма формулы I, форма I, характеризуется профилем РПД, содержащим два пика, выбранных из углов, указанных выше в табл. 7B. В других аспектах кристаллическая форма формулы I, форма I, характеризуется профилем РПД, содержащим три пика, выбранных из углов, указанных выше в табл. 7B. В других аспектах кристаллическая форма формулы I, форма I, характеризуется профилем РПД, содержащим четыре пика, выбранных из углов, указанных выше в табл. 7B. В других аспектах кристаллическая форма формулы I, форма I, характеризуется профилем РПД, содержащим пять пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 7B. В других аспектах кристаллическая форма формулы I, форма I, характеризуется профилем РПД, содержащим шесть пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 7B. В других аспектах кристаллическая форма формулы I, форма I, характеризуется профилем РПД, содержащим семь пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 7B. В других аспектах кристаллическая форма формулы I, форма I, характеризуется профилем РПД, содержащим восемь пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 7B. В других аспектах кристаллическая форма формулы I, форма I, характеризуется профилем РПД, содержащим девять пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 7B. В других аспектах кристаллическая форма формулы I, форма I, характеризуется профилем РПД, содержащим десять пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 7B. В других аспектах кристаллическая форма формулы I, форма I, характеризуется профилем РПД, содержащим более десяти пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 7B.In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula I, form I, is characterized by an RPD profile containing a peak at one of the angles indicated in table. 7B. In other aspects, the crystalline form of formula I, form I, is characterized by an RPD profile containing more than one peak at one of the angles indicated above in table. 7B. In other aspects, the crystalline form of formula I, form I, is characterized by an RPD profile containing two peaks selected from the angles indicated above in table. 7B. In other aspects, the crystalline form of formula I, form I, is characterized by an RPD profile containing three peaks selected from the angles indicated above in table. 7B. In other aspects, the crystalline form of formula I, form I, is characterized by an RPD profile containing four peaks selected from the angles indicated above in table. 7B. In other aspects, the crystalline form of formula I, form I, is characterized by an RPD profile containing five peaks selected from the angles indicated above in table. 7B. In other aspects, the crystalline form of formula I, form I, is characterized by an RPD profile containing six peaks selected from the angles indicated above in table. 7B. In other aspects, the crystalline form of formula I, form I, is characterized by an RPD profile containing seven peaks selected from the angles indicated above in table. 7B. In other aspects, the crystalline form of formula I, form I, is characterized by an RPD profile containing eight peaks selected from the angles indicated above in table. 7B. In other aspects, the crystalline form of Formula I, Form I, is characterized by an RPD profile containing nine peaks selected from the angles indicated in Table 1 above. 7B. In other aspects, the crystalline form of formula I, form I, is characterized by an RPD profile containing ten peaks selected from the angles indicated above in table. 7B. In other aspects, the crystalline form of formula I, form I, is characterized by an RPD profile containing more than ten peaks selected from the angles indicated above in table. 7B.

В некоторых вариантах реализации кристаллическая форма формулы I, форма I, характеризуется профилем РПД, содержащим пики при 17,3 и 18,1° ± 0,2° 2-тета. В других вариантах реализации кристаллическая форма формулы I, форма I, характеризуется профилем РПД, содержащим пики при 17,3, 18,1, 25,2 и 27,1° ± 0,2° 2-тета. В других вариантах реализации кристаллическая форма формулы I, форма I, характеризуется профилем РПД, содержащим пики при 17,3, 18,1, 25,2, 27,1, 28,3, 28,8 и 30,0° ± 0,2° 2тета. В других вариантах реализации кристаллическая форма формулы I, форма I, характеризуется профилем РПД, содержащим пики при 17,3, 18,1, 20,4, 24,2, 25,2, 27,1, 28,3, 28,8 и 30,0° ± 0,2° 2-тета. В других вариантах реализации кристаллическая форма формулы I, форма I, характеризуется профилем РПД, содержащим пики при 15,0, 17,3, 18,1, 20,4, 24,2, 25,2, 27,1, 28,3, 28,8 и 30,0° ± 0,2° 2-тета. В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы I, форма I, характеризуется профилем РПД, содержащим пики при двух или более из 15,0, 17,3, 18,1, 20,4, 24,2, 25,2, 27,1, 28,3, 28,8 и 30,0° ± 0,2° 2-тета. В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы I, форма I, характеризуется профилем РПД, содержащим пики при трех или более из 15,0, 17,3,In some embodiments, the crystalline form of Formula I, Form I, has an RPD profile containing peaks at 17.3 and 18.1° ± 0.2° 2-theta. In other embodiments, the crystalline form of Formula I, Form I, has an RPD profile containing peaks at 17.3, 18.1, 25.2, and 27.1° ± 0.2° 2-theta. In other embodiments, the crystalline form of Formula I, Form I, has an RPD profile containing peaks at 17.3, 18.1, 25.2, 27.1, 28.3, 28.8, and 30.0°±0, 2° 2theta. In other embodiments, the crystalline form of Formula I, Form I, has an RPD profile containing peaks at 17.3, 18.1, 20.4, 24.2, 25.2, 27.1, 28.3, 28.8 and 30.0° ± 0.2° 2-theta. In other embodiments, the crystalline form of Formula I, Form I, has an RPD profile containing peaks at 15.0, 17.3, 18.1, 20.4, 24.2, 25.2, 27.1, 28.3 , 28.8 and 30.0° ± 0.2° 2-theta. In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula I, form I, is characterized by an RPD profile containing peaks at two or more of 15.0, 17.3, 18.1, 20.4, 24.2, 25.2, 27 .1, 28.3, 28.8 and 30.0° ± 0.2° 2-theta. In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula I, form I, is characterized by an RPD profile containing peaks at three or more of 15.0, 17.3,

- 27 043295 ,1, 20,4, 24,2, 25,2, 27,1, 28,3, 28,8 и 30,0° ± 0,2° 2-тета. В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы I, форма I, характеризуется профилем РПД, содержащим пики при четырех или более из 15,0, 17,3, 18,1, 20,4, 24,2, 25,2, 27,1, 28,3, 28,8 и 30,0° ± 0,2° 2-тета. В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы I, форма I, характеризуется профилем РПД, содержащим пики при пяти или более из 15,0, 17,3, 18,1, 20,4, 24,2, 25,2, 27,1, 28,3, 28,8 и 30,0° ± 0,2° 2-тета. В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы I, форма I, характеризуется профилем РПД, содержащим пики при шести или более из 15,0, 17,3, 18,1, 20,4, 24,2, 25,2, 27,1, 28,3, 28,8 и 30,0° ± 0,2° 2-тета.- 27 043295 .1, 20.4, 24.2, 25.2, 27.1, 28.3, 28.8 and 30.0° ± 0.2° 2-theta. In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula I, form I, is characterized by an RPD profile containing peaks at four or more of 15.0, 17.3, 18.1, 20.4, 24.2, 25.2, 27 .1, 28.3, 28.8 and 30.0° ± 0.2° 2-theta. In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula I, form I, is characterized by an RPD profile containing peaks at five or more of 15.0, 17.3, 18.1, 20.4, 24.2, 25.2, 27 .1, 28.3, 28.8 and 30.0° ± 0.2° 2-theta. In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula I, form I, is characterized by an RPD profile containing peaks at six or more of 15.0, 17.3, 18.1, 20.4, 24.2, 25.2, 27 .1, 28.3, 28.8 and 30.0° ± 0.2° 2-theta.

В некоторых вариантах реализации кристаллическая форма формулы I, форма I, может быть охарактеризована по существу такой термограммой ДСК, как представлена на фиг. 49. На фиг. 49 показано, что кристаллическая форма формулы I, форма I, образует эндотермический пик при 140,30°C (начало при 136,36°C; 152,7 Дж/г) при нагревании при 10°С/мин. В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы I, форма I, характеризуется термограммой ДСК, содержащей эндотермический пик при примерно 140°C при нагревании со скоростью 10°С/мин.In some embodiments, the crystalline form of Formula I, Form I, can be characterized substantially by a DSC thermogram as shown in FIG. 49. In FIG. 49 shows that the crystalline form of Formula I, Form I, forms an endothermic peak at 140.30°C (onset at 136.36°C; 152.7 J/g) when heated at 10°C/min. In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula I, form I, is characterized by a DSC thermogram containing an endothermic peak at about 140°C when heated at a rate of 10°C/min.

В некоторых вариантах реализации форма I формулы I может быть охарактеризована по существу таким профилем ТГА, как представлен на фиг. 50, при нагревании со скоростью 20°С/мин. На фиг. 50 показано, что кристаллическая форма формулы I, форма I, теряет примерно 10,9% массы при нагревании до примерно 150°C.In some embodiments, Form I of Formula I may be characterized substantially by a TGA profile as shown in FIG. 50 when heated at a rate of 20°C/min. In FIG. 50 shows that the crystalline form of Formula I, Form I, loses about 10.9% weight when heated to about 150°C.

В некоторых вариантах реализации форма I формулы I может быть охарактеризована по существу таким профилем ДСП, как представлен на фиг. 52. На фиг. 53 показано, что ДСП не приводит к изменению полиморфной формы.In some embodiments, Form I of Formula I may be characterized essentially by a chipboard profile as shown in FIG. 52. In FIG. 53 shows that DSP does not lead to a change in the polymorphic form.

В некоторых вариантах реализации кристаллическая форма формулы I представляет собой кристаллическую форму II (формула I, форма II). В некоторых вариантах реализации кристаллическая форма формулы I, форма II, имеет по существу такой профиль РПД, как показан на фиг. 54. Профиль РПД кристаллической формы формулы I, формы II, представленный на фиг. 54, содержит углы отражения (градусы 2-тета ± 0,2° 2-тета), расстояния между линиями (значения d) и относительные интенсивности, указанные в табл. 7C:In some embodiments, the crystalline form of Formula I is the crystalline Form II (Formula I, Form II). In some embodiments, the crystalline form of Formula I, Form II, has an RPD profile substantially as shown in FIG. 54. The RPD profile of the crystalline form of formula I, form II shown in FIG. 54 contains reflection angles (degrees 2-theta ± 0.2° 2-theta), distances between lines (d-values), and relative intensities shown in Table 54. 7C:

Таблица 7C. Данные РПД дляTable 7C. RPD data for

I,I

Угол (градусы 2-тета ± 0,2 градуса 2-тета) Angle (degrees 2-theta ± 0.2 degrees 2-theta) Значение d (А) d value (A) Относительная интенсивность Relative intensity 4,039 4.039 21,8576 21.8576 9,6 9.6 11,54 11.54 7,6618 7.6618 15 15 12,54 12.54 7,0528 7.0528 37,5 37.5 15,14 15.14 5,8471 5.8471 100 100 17,36 17.36 5,1042 5.1042 15 15 18,92 18.92 4,6866 4.6866 46,9 46.9 19,54 19.54 4,5393 4.5393 15,6 15.6 20,56 20.56 4,3163 4.3163 15,1 15.1 21,099 21.099 4,2072 4.2072 9,2 9.2 21,898 21.898 4,0554 4.0554 7,4 7.4 23,46 23.46 3,7889 3.7889 20,3 20.3 24,34 24.34 3,6539 3.6539 47,4 47.4 24,86 24.86 3,5786 3.5786 47,8 47.8 25,46 25.46 3,4956 3.4956 67,3 67.3 26,24 26.24 3,3934 3.3934 41,2 41.2 27,221 27.221 3,2734 3.2734 20,3 20.3 28,481 28.481 3,1313 3.1313 11,6 11.6 29,501 29.501 3,0254 3.0254 13,6 13.6 30,28 30.28 2,9493 2.9493 44,9 44.9 32,22 32.22 2,776 2.776 19 19 34,22 34.22 2,6182 2.6182 П,9 P,9 34,739 34.739 2,5802 2.5802 17,8 17.8 35,74 35.74 2,5102 2.5102 14,1 14.1 36,42 36.42 2,4649 2.4649 15,3 15.3 37,46 37.46 2,3988 2.3988 9,2 9.2 38,299 38.299 2,3482 2.3482 10,7 10.7 39,12 39.12 2,3008 2.3008 6,9 6.9 40,08 40.08 2,2478 2.2478 18,4 18.4 41,661 41.661 2,1661 2.1661 7,7 7.7 42,58 42.58 2,1215 2.1215 6,4 6.4 43,36 43.36 2,0851 2.0851 7,5 7.5 44,079 44.079 2,0527 2.0527 12,1 12.1

II, представленные на фиг. 54II shown in Fig. 54

В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы I, формаIn some embodiments of the present description, the crystalline form of formula I, the form

- 28 043295- 28 043295

II, характеризуется профилем РПД, содержащим пик при одном из углов, указанных в табл. 7C. В других аспектах кристаллическая форма формулы I, форма II, характеризуется профилем РПД, содержащим более одного пика при одном из углов, указанных выше в табл. 7C. В других аспектах кристаллическая форма формулы I, форма II, характеризуется профилем РПД, содержащим два пика, выбранных из углов, указанных выше в табл. 7C. В других аспектах кристаллическая форма формулы I, форма II, характеризуется профилем РПД, содержащим три пика, выбранных из углов, указанных выше в табл. 7C. В других аспектах кристаллическая форма формулы I, форма II, характеризуется профилем РПД, содержащим четыре пика, выбранных из углов, указанных выше в табл. 7C. В других аспектах кристаллическая форма формулы I, форма II, характеризуется профилем РПД, содержащим пять пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 7C. В других аспектах кристаллическая форма формулы I, форма II, характеризуется профилем РПД, содержащим шесть пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 7C. В других аспектах кристаллическая форма формулы I, форма II, характеризуется профилем РПД, содержащим семь пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 7C. В других аспектах кристаллическая форма формулы I, форма II, характеризуется профилем РПД, содержащим восемь пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 7C. В других аспектах кристаллическая форма формулы I, форма II, характеризуется профилем РПД, содержащим девять пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 7C. В других аспектах кристаллическая форма формулы I, форма II, характеризуется профилем РПД, содержащим десять пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 7C. В других аспектах кристаллическая форма формулы I, форма II, характеризуется профилем РПД, содержащим более десяти пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 7C.II, is characterized by a RPD profile containing a peak at one of the angles indicated in Table. 7C. In other aspects, the crystalline form of formula I, form II, is characterized by an RPD profile containing more than one peak at one of the angles indicated above in table. 7C. In other aspects, the crystalline form of formula I, form II, is characterized by an RPD profile containing two peaks selected from the angles indicated above in table. 7C. In other aspects, the crystalline form of formula I, form II, is characterized by an RPD profile containing three peaks selected from the angles indicated above in table. 7C. In other aspects, the crystalline form of formula I, form II, is characterized by an RPD profile containing four peaks selected from the angles indicated above in table. 7C. In other aspects, the crystalline form of formula I, form II, is characterized by an RPD profile containing five peaks selected from the angles indicated above in table. 7C. In other aspects, the crystalline form of formula I, form II, is characterized by an RPD profile containing six peaks selected from the angles indicated above in table. 7C. In other aspects, the crystalline form of formula I, form II, is characterized by an RPD profile containing seven peaks selected from the angles indicated above in table. 7C. In other aspects, the crystalline form of formula I, form II, is characterized by an RPD profile containing eight peaks selected from the angles indicated above in table. 7C. In other aspects, the crystalline form of formula I, form II, is characterized by an RPD profile containing nine peaks selected from the angles indicated above in table. 7C. In other aspects, the crystalline form of formula I, form II, is characterized by an RPD profile containing ten peaks selected from the angles indicated above in table. 7C. In other aspects, the crystalline form of formula I, form II, is characterized by an RPD profile containing more than ten peaks selected from the angles indicated above in table. 7C.

В некоторых вариантах реализации кристаллическая форма формулы I, форма II, характеризуется профилем РПД, содержащим пики при 23,5 и 24,9° ± 0,2° 2-тета. В других вариантах реализации кристаллическая форма формулы I, форма II, характеризуется профилем РПД, содержащим пики при 18,9, 23,5, 24,3 и 24,9° ± 0,2° 2-тета. В других вариантах реализации кристаллическая форма формулы I, форма II, характеризуется профилем РПД, содержащим пики при 17,4, 18,9, 23,5, 24,3 и 24,9, 25,5 и 30,3° ± 0,2° 2-тета. В других вариантах реализации кристаллическая форма формулы I, форма II, характеризуется профилем РПД, содержащим пики при 15,1, 17,4, 18,9, 23,5, 24,3 и 24,9° ± 0,2° 2-тета. В других вариантах реализации кристаллическая форма формулы I, форма II, характеризуется профилем РПД, содержащим пики при 15,1, 17,4, 18,9, 23,5, 24,3, 24,9 и 25,5° ± 0,2° 2-тета. В других вариантах реализации кристаллическая форма формулы I, форма II, характеризуется профилем РПД, содержащим пики при 15,1, 17,4, 18,9, 23,5, 24,3, 24,9, 25,5 и 30,3° ± 0,2° 2-тета.In some embodiments, the crystalline form of Formula I, Form II, has an RPD profile containing peaks at 23.5 and 24.9° ± 0.2° 2-theta. In other embodiments, the crystalline form of Formula I, Form II, has an RPD profile containing peaks at 18.9, 23.5, 24.3, and 24.9° ± 0.2° 2-theta. In other embodiments, the crystalline form of Formula I, Form II, has an RPD profile containing peaks at 17.4, 18.9, 23.5, 24.3, and 24.9, 25.5, and 30.3°±0, 2° 2-theta. In other embodiments, the crystalline form of Formula I, Form II, has an RPD profile containing peaks at 15.1, 17.4, 18.9, 23.5, 24.3, and 24.9° ± 0.2° 2- theta. In other embodiments, the crystalline form of Formula I, Form II, has an RPD profile containing peaks at 15.1, 17.4, 18.9, 23.5, 24.3, 24.9, and 25.5°±0, 2° 2-theta. In other embodiments, the crystalline form of Formula I, Form II, has an RPD profile containing peaks at 15.1, 17.4, 18.9, 23.5, 24.3, 24.9, 25.5, and 30.3 ° ± 0.2° 2-theta.

В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы I, форма II, характеризуется профилем РПД, содержащим пики при двух или более из 15,1, 17,4, 18,9, 23,5, 24,3, 24,9, 25,5 и 30,3° ± 0,2° 2-тета. В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы I, форма II, характеризуется профилем РПД, содержащим пики при трех или более из 15,1, 17,4, 18,9, 23,5, 24,3, 24,9, 25,5 и 30,3° ± 0,2° 2-тета. В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы I, форма II, характеризуется профилем РПД, содержащим пики при четырех или более из 15,1, 17,4, 18,9, 23,5, 24,3, 24,9, 25,5 и 30,3° ± 0,2° 2-тета. В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы I, форма II, характеризуется профилем РПД, содержащим пики при пяти или более из 15,1, 17,4, 18,9, 23,5, 24,3, 24,9, 25,5 и 30,3° ± 0,2° 2-тета. В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы I, форма II, характеризуется профилем РПД, содержащим пики при шести или более из 15,1, 17,4, 18,9, 23,5, 24,3, 24,9, 25,5 и 30,3° ± 0,2° 2-тета.In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula I, form II, is characterized by an RPD profile containing peaks at two or more of 15.1, 17.4, 18.9, 23.5, 24.3, 24.9, 25 .5 and 30.3° ± 0.2° 2-theta. In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula I, form II, is characterized by an RPD profile containing peaks at three or more of 15.1, 17.4, 18.9, 23.5, 24.3, 24.9, 25 .5 and 30.3° ± 0.2° 2-theta. In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula I, form II, is characterized by an RPD profile containing peaks at four or more of 15.1, 17.4, 18.9, 23.5, 24.3, 24.9, 25 .5 and 30.3° ± 0.2° 2-theta. In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula I, form II, is characterized by an RPD profile containing peaks at five or more of 15.1, 17.4, 18.9, 23.5, 24.3, 24.9, 25 .5 and 30.3° ± 0.2° 2-theta. In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula I, form II, is characterized by an RPD profile containing peaks at six or more of 15.1, 17.4, 18.9, 23.5, 24.3, 24.9, 25 .5 and 30.3° ± 0.2° 2-theta.

В некоторых вариантах реализации кристаллическая форма формулы I, форма II, может быть охарактеризована по существу такой термограммой ДСК, как представлена на фиг. 55. На фиг. 55 показано, что кристаллическая форма формулы I, форма II, образует эндотермический пик при 137,01°C (начало при 133,28°C; 252,7 Дж/г) при нагревании при 10°С/мин. В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы I, форма II, характеризуется термограммой ДСК, содержащей эндотермический пик при примерно 137°C при нагревании со скоростью 10°С/мин.In some embodiments, the crystalline form of Formula I, Form II, may be characterized by a substantially DSC thermogram as shown in FIG. 55. In FIG. 55 shows that the crystalline form of Formula I, Form II, forms an endothermic peak at 137.01°C (onset at 133.28°C; 252.7 J/g) when heated at 10°C/min. In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula I, form II, is characterized by a DSC thermogram containing an endothermic peak at about 137°C when heated at a rate of 10°C/min.

В некоторых вариантах реализации кристаллическая форма формулы I, форма II, имеет по существу такой профиль РПД, как представлен на фиг. 58.In some embodiments, the crystalline form of Formula I, Form II, has an RPD profile substantially as shown in FIG. 58.

В некоторых вариантах реализации кристаллическая форма формулы I, форма II, имеет по существу такую термограмму ДСК, как представлена на фиг. 59.In some embodiments, the crystalline form of Formula I, Form II, has a substantially DSC thermogram as shown in FIG. 59.

В некоторых вариантах реализации кристаллическая форма формулы I, форма II, имеет по существу такой профиль РПД, как представлен на фиг. 60.In some embodiments, the crystalline form of Formula I, Form II, has an RPD profile substantially as shown in FIG. 60.

В некоторых вариантах реализации кристаллическая форма формулы I, форма II, имеет по существу такую термограмму ДСК, как представлена на фиг. 61.In some embodiments, the crystalline form of Formula I, Form II, has a substantially DSC thermogram as shown in FIG. 61.

В некоторых вариантах реализации кристаллическая форма формулы I, форма II, имеет по существу такой профиль РПД, как представлен на фиг. 62.In some embodiments, the crystalline form of Formula I, Form II, has an RPD profile substantially as shown in FIG. 62.

В некоторых вариантах реализации кристаллическая форма формулы I, форма II, имеет по существу такую термограмму ДСК, как представлена на фиг. 63.In some embodiments, the crystalline form of Formula I, Form II, has a substantially DSC thermogram as shown in FIG. 63.

- 29 043295- 29 043295

В некоторых вариантах реализации кристаллическая форма формулы I представляет собой кристаллическую форму III (формула I, форма III). В некоторых вариантах реализации кристаллическая форма формулы I, форма III, имеет по существу такой профиль РПД, как показан на фиг. 56. Профиль РПД кристаллической формы формулы I, формы III, представленный на фиг. 56, содержит углы отражения (градусы 2-тета ± 0,2° 2-тета), расстояния между линиями (значения d) и относительные интенсивности, указанные в табл. 7D:In some embodiments, the crystalline form of formula I is a crystalline form III (formula I, form III). In some embodiments, the crystalline form of Formula I, Form III, has an RPD profile substantially as shown in FIG. 56. The RPD profile of the crystalline form of formula I, form III shown in FIG. 56 contains reflection angles (degrees 2-theta ± 0.2° 2-theta), line spacings (d-values), and relative intensities shown in Table 56. 7D:

Таблица 7D. Данные РПД для кристаллической . формы формулы I, формы III, представленные на фиг. 56Table 7D. RPD data for crystalline . Forms of Formula I, Forms III of FIG. 56

Угол (градусы 2- Angle (degrees 2- Значение d d value Относительная Relative тета ± 0,2 градуса theta ± 0.2 degrees (А) (A) интенсивность intensity 2-тета) 2-theta) 6,263 6.263 14,1012 14.1012 18,5 18.5 9,621 9.621 9,1857 9.1857 96,2 96.2 11,399 11,399 7,756 7.756 36,5 36.5 12,299 12.299 7,1907 7.1907 25,6 25.6 13,24 13.24 6,6814 6.6814 49,3 49.3 13,861 13.861 6,3836 6.3836 45 45 15,56 15.56 5,6902 5.6902 38,9 38.9 16,64 16.64 5,3231 5.3231 95,7 95.7 17,44 17.44 5,0808 5.0808 99,5 99.5 18,1 18.1 4,897 4,897 27,5 27.5 19 19 4,6671 4.6671 42,7 42.7 20,38 20.38 4,354 4.354 65,9 65.9 20,96 20.96 4,2348 4.2348 62,6 62.6 23,381 23.381 3,8014 3.8014 44,1 44.1 24,92 24.92 3,5702 3.5702 100 100 25,78 25.78 3,4529 3.4529 86,3 86.3 26,3 26.3 3,3858 3.3858 89,6 89.6 27 27 3,2997 3.2997 33,2 33.2 27,66 27.66 3,2223 3.2223 63 63 28,44 28.44 3,1357 3.1357 39,3 39.3 29,28 29.28 3,0477 3.0477 38,9 38.9 30,86 30.86 2,8951 2.8951 28,4 28.4 32,142 32.142 2,7825 2.7825 23,2 23.2 32,94 32.94 2,7169 2.7169 24,2 24.2 36,299 36.299 2,4729 2.4729 25,1 25.1 41,519 41.519 2,1732 2.1732 58,8 58.8 42,2 42.2 2,1397 2.1397 33,2 33.2

В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы I, форма III, характеризуется профилем РПД, содержащим пик при одном из углов, указанных в табл. 7D. В других аспектах кристаллическая форма формулы I, форма III, характеризуется профилем РПД, содержащим более одного пика при одном из углов, указанных выше в табл. 7D. В других аспектах кристаллическая форма формулы I, форма III, характеризуется профилем РПД, содержащим два пика, выбранных из углов, указанных выше в табл. 7D. В других аспектах кристаллическая форма формулы I, форма III, характеризуется профилем РПД, содержащим три пика, выбранных из углов, указанных выше в табл. 7D. В других аспектах кристаллическая форма формулы I, форма III, характеризуется профилем РПД, содержащим четыре пика, выбранных из углов, указанных выше в табл. 7D. В других аспектах кристаллическая форма формулы I, форма III, характеризуется профилем РПД, содержащим пять пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 7D. В других аспектах кристаллическая форма формулы I, форма III, характеризуется профилем РПД, содержащим шесть пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 7D. В других аспектах кристаллическая форма формулы I, форма III, характеризуется профилем РПД, содержащим семь пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 7D. В других аспектах кристаллическая форма формулы I, форма III, характеризуется профилем РПД, содержащим восемь пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 7D. В других аспектах кристаллическая форма формулы I, форма III, характеризуется профилем РПД, содержащим девять пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 7D. В других аспектах кристаллическая форма формулы I, форма III, характеризуется профилем РПД, содержащим десять пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 7D. В других аспектах кристаллическая форма формулы I, форма III, характеризуется профилем РПД, содержащим более десяти пиков, выбранных из углов, указанных выше в табл. 7D.In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula I, form III, is characterized by an RPD profile containing a peak at one of the angles indicated in table. 7D. In other aspects, the crystalline form of formula I, form III, is characterized by an RPD profile containing more than one peak at one of the angles indicated above in table. 7D. In other aspects, the crystalline form of formula I, form III, is characterized by an RPD profile containing two peaks selected from the angles indicated above in table. 7D. In other aspects, the crystalline form of formula I, form III, is characterized by an RPD profile containing three peaks selected from the angles indicated above in table. 7D. In other aspects, the crystalline form of formula I, form III, is characterized by an RPD profile containing four peaks selected from the angles indicated above in table. 7D. In other aspects, the crystalline form of formula I, form III, is characterized by an RPD profile containing five peaks selected from the angles indicated above in table. 7D. In other aspects, the crystalline form of formula I, form III, is characterized by an RPD profile containing six peaks selected from the angles indicated above in table. 7D. In other aspects, the crystalline form of formula I, form III, is characterized by an RPD profile containing seven peaks selected from the angles indicated above in table. 7D. In other aspects, the crystalline form of formula I, form III, is characterized by an RPD profile containing eight peaks selected from the angles indicated above in table. 7D. In other aspects, the crystalline form of formula I, form III, is characterized by an RPD profile containing nine peaks selected from the angles indicated above in table. 7D. In other aspects, the crystalline form of formula I, form III, is characterized by an RPD profile containing ten peaks selected from the angles indicated above in table. 7D. In other aspects, the crystalline form of formula I, form III, is characterized by an RPD profile containing more than ten peaks selected from the angles indicated above in table. 7D.

В некоторых вариантах реализации кристаллическая форма формулы I, форма III, характеризуется профилем РПД, содержащим пики при 16,6 и 17,4° ± 0,2° 2-тета. В других вариантах реализации кристаллическая форма формулы I, форма III, характеризуется профилем РПД, содержащим пики при 17,4, 20,4 и 25,8° ± 0,2° 2-тета. В других вариантах реализации кристаллическая форма формулы I, форма III, характеризуется профилем РПД, содержащим пики при 17,4, 20,4, 24,9, 25,8 и 26,3° ± 0,2° 2-тета. В других вариантах реализации кристаллическая форма формулы I, форма III, характеризуется профилем РПД, содержащим пики при 16,6, 17,4, 20,4, 24,9, 25,8, 26,3 и 27,7° ± 0,2° 2-тета. В других вариантах реализации кристаллическая форма формулы I, форма III, характеризуется профилем РПД, содержащим пикиIn some embodiments, the crystalline form of Formula I, Form III, has an RPD profile containing peaks at 16.6 and 17.4° ± 0.2° 2-theta. In other embodiments, the crystalline form of Formula I, Form III, has an RPD profile containing peaks at 17.4, 20.4, and 25.8° ± 0.2° 2-theta. In other embodiments, the crystalline form of Formula I, Form III, has an RPD profile containing peaks at 17.4, 20.4, 24.9, 25.8, and 26.3° ± 0.2° 2-theta. In other embodiments, the crystalline form of Formula I, Form III, has an RPD profile containing peaks at 16.6, 17.4, 20.4, 24.9, 25.8, 26.3, and 27.7°±0, 2° 2-theta. In other embodiments, the crystalline form of formula I, form III, is characterized by an RPD profile containing peaks

- 30 043295 при 9,2, 16,6, 17,4, 20,4, 24,9, 25,8, 26,3, 27,7 и 41,5° ± 0,2° 2-тета.- 30 043295 at 9.2, 16.6, 17.4, 20.4, 24.9, 25.8, 26.3, 27.7 and 41.5° ± 0.2° 2-theta.

В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы I, форма III, характеризуется профилем РПД, содержащим пики при двух или более из 9,2, 16,6, 17,4, 20,4, 24,9, 25,8, 26,3, 27,7 и 41,5° ± 0,2° 2-тета. В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы I, форма III, характеризуется профилем РПД, содержащим пики при трех или более из 9,2, 16,6, 17,4, 20,4, 24,9, 25,8, 26,3, 27,7 и 41,5° ± 0,2° 2-тета. В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы I, форма III, характеризуется профилем РПД, содержащим пики при четырех или более из 9,2, 16,6, 17,4, 20,4, 24,9, 25,8, 26,3, 27,7 и 41,5° ± 0,2° 2-тета. В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы I, форма III, характеризуется профилем РПД, содержащим пики при пяти или более из 9,2, 16,6, 17,4, 20,4, 24,9, 25,8, 26,3, 27,7 и 41,5° ± 0,2° 2-тета. В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы I, форма III, характеризуется профилем РПД, содержащим пики при шести или более из 9,2, 16,6, 17,4, 20,4, 24,9, 25,8, 26,3, 27,7 и 41,5° ± 0,2° 2-тета.In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula I, form III, is characterized by an RPD profile containing peaks at two or more of 9.2, 16.6, 17.4, 20.4, 24.9, 25.8, 26 .3, 27.7 and 41.5° ± 0.2° 2-theta. In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula I, form III, is characterized by an RPD profile containing peaks at three or more of 9.2, 16.6, 17.4, 20.4, 24.9, 25.8, 26 .3, 27.7 and 41.5° ± 0.2° 2-theta. In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula I, form III, is characterized by an RPD profile containing peaks at four or more of 9.2, 16.6, 17.4, 20.4, 24.9, 25.8, 26 .3, 27.7 and 41.5° ± 0.2° 2-theta. In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula I, form III, is characterized by an RPD profile containing peaks at five or more of 9.2, 16.6, 17.4, 20.4, 24.9, 25.8, 26 .3, 27.7 and 41.5° ± 0.2° 2-theta. In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula I, form III, is characterized by an RPD profile containing peaks at six or more of 9.2, 16.6, 17.4, 20.4, 24.9, 25.8, 26 .3, 27.7 and 41.5° ± 0.2° 2-theta.

В некоторых вариантах реализации кристаллическая форма формулы I, форма III, может быть охарактеризована по существу такой термограммой ДСК, как представлена на фиг. 57. На фиг. 57 показано, что кристаллическая форма формулы I, форма III, образует эндотермический пик при 124,92°C (начало при 106,28°C; 113,2 Дж/г) при нагревании при 10°С/мин. В некоторых вариантах реализации настоящего описания кристаллическая форма формулы I, форма III, характеризуется термограммой ДСК, содержащей эндотермический пик при примерно 125°C при нагревании со скоростью 10°С/мин.In some embodiments, the crystalline form of Formula I, Form III, may be characterized by a substantially DSC thermogram as shown in FIG. 57. In FIG. 57 shows that the crystalline form of Formula I, Form III forms an endothermic peak at 124.92°C (onset at 106.28°C; 113.2 J/g) when heated at 10°C/min. In some embodiments of the present description, the crystalline form of formula I, form III, is characterized by a DSC thermogram containing an endothermic peak at about 125°C when heated at a rate of 10°C/min.

Фармацевтические композиции и способы введенияPharmaceutical compositions and routes of administration

Предложенные фармацевтические композиции обычно получают для обеспечения терапевтически эффективного количества соединения согласно настоящему изобретению в качестве активного ингредиента или его фармацевтически приемлемой соли, сложного эфира, пролекарства, сольвата, гидрата или производного. При необходимости указанные фармацевтические композиции содержат его фармацевтически приемлемую соль и/или координационный комплекс и одно или более фармацевтически приемлемых вспомогательных веществ, носителей, включая инертные твердые разбавители и наполнители, разбавителей, включая стерильный водный раствор и различные органические растворители, усилителей проницаемости, солюбилизаторов и адъювантов. Предложенные фармацевтические композиции можно вводить отдельно или в комбинации с одним или более другими агентами, которые также обычно вводят в форме фармацевтических композиций. При необходимости одно или более соединений согласно настоящему изобретению и другой агент(ы) могут быть смешаны в один препарат, или оба компонента могут быть составлены в отдельные препараты для их комбинированного применения по отдельности или в одно и то же время.The proposed pharmaceutical compositions are usually formulated to provide a therapeutically effective amount of a compound of the present invention as an active ingredient or a pharmaceutically acceptable salt, ester, prodrug, solvate, hydrate or derivative thereof. If necessary, these pharmaceutical compositions contain its pharmaceutically acceptable salt and/or coordination complex and one or more pharmaceutically acceptable excipients, carriers, including inert solid diluents and excipients, diluents, including a sterile aqueous solution and various organic solvents, penetration enhancers, solubilizers and adjuvants. . The proposed pharmaceutical compositions can be administered alone or in combination with one or more other agents, which are also usually administered in the form of pharmaceutical compositions. If desired, one or more of the compounds of the present invention and the other agent(s) may be mixed into a single preparation, or both components may be formulated into separate preparations for their combined use, either alone or at the same time.

В некоторых вариантах реализации концентрация одного или более соединений, представленных в фармацевтических композициях согласно настоящему изобретению, составляет менее 100%, 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 20%, 19%, 18%, 17%, 16%, 15%, 14%, 13%, 12%, 11%, 10%, 9%, 8%, 7%, 6%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1%, 0,9%, 0,8%, 0,7%, 0,6%, 0,5%, 0,4%, 0,3%, 0,2%, 0,1%, 0,09%, 0,08%, 0,07%, 0,06%, 0,05%, 0,04%, 0,03%, 0,02%, 0,01%, 0,009%, 0,008%, 0,007%, 0,006%, 0,005%, 0,004%, 0,003%, 0,002%, 0,001%, 0,0009%, 0,0008%, 0,0007%, 0,0006%, 0,0005%, 0,0004%, 0,0003%, 0,0002% или 0,0001% (или значение в диапазоне, определенном любыми двумя вышеуказанными значениями и включающем их), мас./мас., мас./об. или об./об.In some embodiments, the concentration of one or more compounds provided in the pharmaceutical compositions of the present invention is less than 100%, 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 20%, 19%, 18%, 17%, 16%, 15%, 14%, 13%, 12%, 11%, 10%, 9%, 8%, 7%, 6%, 5%, 4%, 3%, 2% , 1%, 0.9%, 0.8%, 0.7%, 0.6%, 0.5%, 0.4%, 0.3%, 0.2%, 0.1%, 0 .09%, 0.08%, 0.07%, 0.06%, 0.05%, 0.04%, 0.03%, 0.02%, 0.01%, 0.009%, 0.008%, 0.007%, 0.006%, 0.005%, 0.004%, 0.003%, 0.002%, 0.001%, 0.0009%, 0.0008%, 0.0007%, 0.0006%, 0.0005%, 0.0004% , 0.0003%, 0.0002% or 0.0001% (or a value in the range defined by and including any two of the above), wt./wt., wt./about. or rev./rev.

В некоторых вариантах реализации концентрация одного или более соединений согласно настоящему изобретению составляет более 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 20%, 19,75%, 19,50%, 19,25%, 19%, 18,75%, 18,50%, 18,25% 18%, 17,75%, 17,50%, 17,25% 17%, 16,75%, 16,50%, 16,25%, 16%, 15,75%, 15,50%, 15,25% 15%, 14,75%, 14,50%, 14,25% 14%, 13,75%, 13,50%, 13,25%, 13%, 12,75%, 12,50%, 12,25%, 12%, 11,75%, 11,50%, 11,25% 11%, 10,75%, 10,50%, 10,25% 10%, 9,75%, 9,50%, 9,25%, 9%, 8,75%, 8,50%, 8,25% 8%, 7,75%, 7,50%, 7,25%, 7%, 6,75%, 6,50%, 6,25%, 6%, 5,75%, 5,50%, 5,25%, 5%, 4,75%, 4,50%, 4,25%, 4%, 3,75%, 3,50%, 3,25%, 3%, 2,75%, 2,50%, 2,25%, 2%, 1,75%, 1,50%, 1,25%, 1%, 0,9%, 0,8%, 0,7%, 0,6%, 0,5%, 0,4%, 0,3%, 0,2%, 0,1%, 0,09%, 0,08%, 0,07%, 0,06%, 0,05%, 0,04%, 0,03%, 0,02%, 0,01%, 0,009%, 0,008%, 0,007%, 0,006%, 0,005%, 0,004%, 0,003%, 0,002%, 0,001%, 0,0009%, 0,0008%, 0,0007%, 0,0006%, 0,0005%, 0,0004%, 0,0003%, 0,0002% или 0,0001% (или значение в диапазоне, определенном любыми двумя вышеуказанными значениями и включающем их), мас./мас., мас./об. или об./об.In some embodiments, the concentration of one or more compounds of the present invention is greater than 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 20%, 19.75%, 19.50%, 19, 25%, 19%, 18.75%, 18.50%, 18.25% 18%, 17.75%, 17.50%, 17.25% 17%, 16.75%, 16.50%, 16.25%, 16%, 15.75%, 15.50%, 15.25% 15%, 14.75%, 14.50%, 14.25% 14%, 13.75%, 13.50 %, 13.25%, 13%, 12.75%, 12.50%, 12.25%, 12%, 11.75%, 11.50%, 11.25% 11%, 10.75%, 10.50%, 10.25% 10%, 9.75%, 9.50%, 9.25%, 9%, 8.75%, 8.50%, 8.25% 8%, 7.75 %, 7.50%, 7.25%, 7%, 6.75%, 6.50%, 6.25%, 6%, 5.75%, 5.50%, 5.25%, 5% , 4.75%, 4.50%, 4.25%, 4%, 3.75%, 3.50%, 3.25%, 3%, 2.75%, 2.50%, 2.25 %, 2%, 1.75%, 1.50%, 1.25%, 1%, 0.9%, 0.8%, 0.7%, 0.6%, 0.5%, 0, 4%, 0.3%, 0.2%, 0.1%, 0.09%, 0.08%, 0.07%, 0.06%, 0.05%, 0.04%, 0, 03%, 0.02%, 0.01%, 0.009%, 0.008%, 0.007%, 0.006%, 0.005%, 0.004%, 0.003%, 0.002%, 0.001%, 0.0009%, 0.0008%, 0.0007%, 0.0006%, 0.0005%, 0.0004%, 0.0003%, 0.0002%, or 0.0001% (or a value in the range defined by and including any two of the above), wt./wt., wt./about. or rev./rev.

В некоторых вариантах реализации концентрация одного или более соединений согласно настоящему изобретению находится в диапазоне от примерно 0,0001% до примерно 50%, от примерно 0,001% до примерно 40%, от примерно 0,01% до примерно 30%, от примерно 0,02% до примерно 29%, от примерно 0,03% до примерно 28%, от примерно 0,04% до примерно 27%, от примерно 0,05% до примерно 26%, от примерно 0,06% до примерно 25%, от примерно 0,07% до примерно 24%, от примерно 0,08% до примерно 23%, от примерно 0,09% до примерно 22%, от примерно 0,1% до примерно 21%, от примерно 0,2% до примерно 20%, от примерно 0,3% до примерно 19%, от примерно 0,4% до примерно 18%, от примерно 0,5% до примерно 17%, от примерно 0,6% до примерно 16%, от примерно 0,7% до примерноIn some embodiments, the concentration of one or more compounds of the present invention is in the range of from about 0.0001% to about 50%, from about 0.001% to about 40%, from about 0.01% to about 30%, from about 0. 02% to about 29%, about 0.03% to about 28%, about 0.04% to about 27%, about 0.05% to about 26%, about 0.06% to about 25% , from about 0.07% to about 24%, from about 0.08% to about 23%, from about 0.09% to about 22%, from about 0.1% to about 21%, from about 0.2 % to about 20%, from about 0.3% to about 19%, from about 0.4% to about 18%, from about 0.5% to about 17%, from about 0.6% to about 16%, from about 0.7% to about

- 31 043295- 31 043295

15%, от примерно 0,8% до примерно 14%, от примерно 0,9% до примерно 12%, от примерно 1% до примерно 10% мас./мас., мас./об. или об./об. В некоторых вариантах реализации концентрация одного или более соединений согласно настоящему изобретению находится в диапазоне от примерно 0,001% до примерно 10%, от примерно 0,01% до примерно 5%, от примерно 0,02% до примерно 4,5%, от примерно 0,03% до примерно 4%, от примерно 0,04% до примерно 3,5%, от примерно 0,05% до примерно 3%, от примерно 0,06% до примерно 2,5%, от примерно 0,07% до примерно 2%, от примерно 0,08% до примерно 1,5%, от примерно 0,09% до примерно 1%, от примерно 0,1% до примерно 0,9% мас./мас., мас./об, или об./об.15%, from about 0.8% to about 14%, from about 0.9% to about 12%, from about 1% to about 10% w/w, w/v. or rev./rev. In some embodiments, the concentration of one or more compounds of the present invention is in the range of from about 0.001% to about 10%, from about 0.01% to about 5%, from about 0.02% to about 4.5%, from about 0.03% to about 4%, from about 0.04% to about 3.5%, from about 0.05% to about 3%, from about 0.06% to about 2.5%, from about 0, 07% to about 2%, about 0.08% to about 1.5%, about 0.09% to about 1%, about 0.1% to about 0.9% w/w, wt ./rev, or rev/rev.

В некоторых вариантах реализации количество одного или более соединений согласно настоящему изобретению составляет ровно или менее 10 г, 9,5 г, 9,0 г, 8,5 г, 8,0 г, 7,5 г, 7,0 г, 6,5 г, 6,0 г, 5,5 г, 5,0 г, 4,5 г, 4,0 г, 3,5 г, 3,0 г, 2,5 г, 2,0 г, 1,5 г, 1,0 г, 0,95 г, 0,9 г, 0,85 г, 0,8 г, 0,75 г, 0,7 г, 0,65 г, 0,6 г, 0,55 г, 0,5 г, 0,45 г, 0,4 г, 0,35 г, 0,3 г, 0,25 г, 0,2 г, 0,15 г, 0,1 г, 0,09 г, 0,08 г, 0,07 г, 0,06 г, 0,05 г, 0,04 г, 0,03 г, 0,02 г, 0,01 г, 0,009 г, 0,008 г, 0,007 г, 0,006 г, 0,005 г, 0,004 г, 0,003 г, 0,002 г, 0,001 г, 0,0009 г, 0,0008 г, 0,0007 г, 0,0006 г, 0,0005 г, 0,0004 г, 0,0003 г, 0,0002 г или 0,0001 г (или значение в диапазоне, определенном любыми двумя вышеуказанными значениями и включающем их).In some embodiments, the amount of one or more compounds of the present invention is exactly or less than 10 g, 9.5 g, 9.0 g, 8.5 g, 8.0 g, 7.5 g, 7.0 g, 6 .5 g, 6.0 g, 5.5 g, 5.0 g, 4.5 g, 4.0 g, 3.5 g, 3.0 g, 2.5 g, 2.0 g, 1 .5 g, 1.0 g, 0.95 g, 0.9 g, 0.85 g, 0.8 g, 0.75 g, 0.7 g, 0.65 g, 0.6 g, 0 .55 g, 0.5 g, 0.45 g, 0.4 g, 0.35 g, 0.3 g, 0.25 g, 0.2 g, 0.15 g, 0.1 g, 0 09 g, 0.08 g, 0.07 g, 0.06 g, 0.05 g, 0.04 g, 0.03 g, 0.02 g, 0.01 g, 0.009 g, 0.008 g, 0.007 g 0.006 g 0.005 g 0.004 g 0.003 g 0.002 g 0.001 g 0.0009 g 0.0008 g 0.0007 g 0.0006 g 0.0005 g 0.0004 g , 0.0003 g, 0.0002 g, or 0.0001 g (or a value in the range defined by and including any two of the above values).

В некоторых вариантах реализации количество одного или более соединений согласно настоящему изобретению составляет более 0,0001 г, 0,0002 г, 0,0003 г, 0,0004 г, 0,0005 г, 0,0006 г, 0,0007 г, 0,0008 г, 0,0009 г, 0,001 г, 0,0015 г, 0,002 г, 0,0025 г, 0,003 г, 0,0035 г, 0,004 г, 0,0045 г, 0,005 г, 0,0055 г, 0,006 г, 0,0065 г, 0,007 г, 0,0075 г, 0,008 г, 0,0085 г, 0,009 г, 0,0095 г, 0,01 г, 0,015 г, 0,02 г, 0,025 г, 0,03 г, 0,035 г, 0,04 г, 0,045 г, 0,05 г, 0,055 г, 0,06 г, 0,065 г, 0,07 г, 0,075 г, 0,08 г, 0,085 г, 0,09 г, 0,095 г, 0,1 г, 0,15 г, 0,2 г, 0,25 г, 0,3 г, 0,35 г, 0,4 г, 0,45 г, 0,5 г, 0,55 г, 0,6 г, 0,65 г, 0,7 г, 0,75 г, 0,8 г, 0,85 г, 0,9 г, 0,95 г, 1 г, 1,5 г, 2 г, 2,5, 3 г, 3,5, 4 г, 4,5 г, 5 г, 5,5 г, 6 г, 6,5 г, 7 г, 7,5 г, 8 г, 8,5 г, 9 г, 9,5 г или 10 г (или значение в диапазоне, определенном любыми двумя вышеуказанными значениями и включающем их).In some embodiments, the amount of one or more compounds of the present invention is greater than 0.0001 g, 0.0002 g, 0.0003 g, 0.0004 g, 0.0005 g, 0.0006 g, 0.0007 g, 0 .0008 g, 0.0009 g, 0.001 g, 0.0015 g, 0.002 g, 0.0025 g, 0.003 g, 0.0035 g, 0.004 g, 0.0045 g, 0.005 g, 0.0055 g, 0.006 g, 0.0065 g, 0.007 g, 0.0075 g, 0.008 g, 0.0085 g, 0.009 g, 0.0095 g, 0.01 g, 0.015 g, 0.02 g, 0.025 g, 0.03 g, 0.035 g, 0.04 g, 0.045 g, 0.05 g, 0.055 g, 0.06 g, 0.065 g, 0.07 g, 0.075 g, 0.08 g, 0.085 g, 0.09 g, 0.095 g, 0.1 g, 0.15 g, 0.2 g, 0.25 g, 0.3 g, 0.35 g, 0.4 g, 0.45 g, 0.5 g, 0, 55 g, 0.6 g, 0.65 g, 0.7 g, 0.75 g, 0.8 g, 0.85 g, 0.9 g, 0.95 g, 1 g, 1.5 g , 2 g, 2.5, 3 g, 3.5, 4 g, 4.5 g, 5 g, 5.5 g, 6 g, 6.5 g, 7 g, 7.5 g, 8 g, 8.5 g, 9 g, 9.5 g or 10 g (or a value in the range defined by and including any two of the above values).

В некоторых вариантах реализации количество одного или более соединений согласно настоящему изобретению находится в диапазоне 0,0001-10 г, 0,0005-9 г, 0,001-8 г, 0,005-7 г, 0,01-6 г, 0,05-5 г, 0,1-4 г, 0,5-4 г или 1-3 г.In some embodiments, the amount of one or more compounds of the present invention is in the range of 0.0001-10 g, 0.0005-9 g, 0.001-8 g, 0.005-7 g, 0.01-6 g, 5 g, 0.1-4 g, 0.5-4 g or 1-3 g.

Соединения согласно настоящему изобретению эффективны в широком диапазоне доз. Например, для лечения взрослых людей примеры доз, которые можно использовать, представляют собой дозы от 0,01 до 1000 мг, от 0,5 до 100 мг, от 1 до 50 мг в сутки и от 5 до 40 мг в сутки. Иллюстративная доза составляет от 10 до 30 мг в сутки. Точная доза зависит от способа введения, формы, в которой вводят предложенное соединение, субъекта, подлежащего лечению, массы тела субъекта, подлежащего лечению, и предпочтений и опыта лечащего врача.The compounds of the present invention are effective over a wide dosage range. For example, for the treatment of adults, examples of doses that can be used are doses of 0.01 to 1000 mg, 0.5 to 100 mg, 1 to 50 mg per day, and 5 to 40 mg per day. An exemplary dose is 10 to 30 mg per day. The exact dose depends on the route of administration, the form in which the proposed connection is administered, the subject to be treated, the body weight of the subject to be treated, and the preference and experience of the attending physician.

Фармацевтическая композиция согласно настоящему изобретению обычно содержит активный ингредиент (т.е. соединение согласно настоящему описанию) согласно настоящему изобретению или его фармацевтически приемлемую соль и/или координационный комплекс и одно или более фармацевтически приемлемых вспомогательных веществ, носителей, включая, но не ограничиваясь ими, инертные твердые разбавители и наполнители, разбавители, стерильный водный раствор и различные органические растворители, усилители проницаемости, солюбилизаторы и адъюванты. Ниже описаны неограничивающие иллюстративные фармацевтические композиции и способы их получения.The pharmaceutical composition according to the present invention usually contains the active ingredient (i.e. the compound according to the present description) according to the present invention or its pharmaceutically acceptable salt and/or coordination complex and one or more pharmaceutically acceptable excipients, carriers, including, but not limited to, inert solid diluents and excipients, diluents, sterile aqueous solution and various organic solvents, penetration enhancers, solubilizers and adjuvants. Non-limiting illustrative pharmaceutical compositions and methods for their preparation are described below.

Фармацевтические композиции для перорального введения.Pharmaceutical compositions for oral administration.

В некоторых вариантах реализации настоящего изобретения предложена фармацевтическая композиция для перорального введения, содержащая соединение согласно настоящему изобретению и фармацевтическое вспомогательное вещество, подходящее для перорального введения.In some embodiments, the present invention provides a pharmaceutical composition for oral administration comprising a compound of the present invention and a pharmaceutical excipient suitable for oral administration.

В некоторых вариантах реализации настоящего изобретения предложена твердая фармацевтическая композиция для перорального введения, содержащая: (i) эффективное количество соединения согласно настоящему изобретению; необязательно (ii) эффективное количество второго агента; и (iii) фармацевтическое вспомогательное вещество, подходящее для перорального введения. В некоторых вариантах реализации указанная композиция дополнительно содержит: (iv) эффективное количество третьего агента.In some embodiments, the present invention provides a solid pharmaceutical composition for oral administration, comprising: (i) an effective amount of a compound of the present invention; optionally (ii) an effective amount of the second agent; and (iii) a pharmaceutical excipient suitable for oral administration. In some embodiments, said composition further comprises: (iv) an effective amount of a third agent.

В некоторых вариантах реализации фармацевтическая композиция может представлять собой жидкую фармацевтическую композицию, пригодную для перорального применения. Фармацевтические композиции согласно настоящему изобретению, пригодные для перорального введения, могут быть представлены в виде отдельных лекарственных форм, таких как капсулы, облатки или таблетки, или в виде жидкостей или аэрозольных спреев, каждый из которых содержит заранее определенное количество активного ингредиента, в форме порошка или в гранулах, в растворе или в суспензии в водной или неводной жидкости, эмульсии типа масло в воде или жидкой эмульсии типа вода в масле. Такие лекарственные формы могут быть получены одним из фармацевтических способов, но все способы включают стадию приведения активного ингредиента в контакт с носителем, который содержит один или более необходимых ингредиентов. В общем случае композиции получают посредством однородного и тщательного смешивания активного ингредиента с жидкими носителям или с тонкоизмельченными твердыми носителями, или с обоими вариантами, а затем, при необходимости, формования продукта в требуемый продукт. Например, таблетка может быть получена прессованием или формованием, необязательно с одним или более вспомогательными ингредиентами. Спрессованные таблетки могут быть полученыIn some embodiments, the pharmaceutical composition may be a liquid pharmaceutical composition suitable for oral administration. Pharmaceutical compositions of the present invention suitable for oral administration may be presented as single dosage forms such as capsules, cachets or tablets, or as liquids or aerosol sprays, each containing a predetermined amount of the active ingredient, in the form of a powder or in granules, in solution or in suspension in an aqueous or non-aqueous liquid, oil-in-water emulsion or water-in-oil liquid emulsion. Such dosage forms may be prepared by any of the pharmaceutical methods, but all methods include the step of bringing the active ingredient into contact with the carrier which contains one or more of the required ingredients. In general, compositions are prepared by uniformly and intimately mixing the active ingredient with liquid carriers or finely divided solid carriers, or both, and then, if necessary, shaping the product into the desired product. For example, a tablet may be obtained by compression or molding, optionally with one or more accessory ingredients. Compressed tablets can be obtained

- 32 043295 прессованием в соответствующем автомате активного ингредиента в сыпучей форме, такой как порошок или гранулы, необязательно смешанного со вспомогательным веществом, таким как, но не ограничиваясь ими, связующее вещество, смазывающий агент, инертный разбавитель и/или поверхностно-активное вещество, или диспергирующий агент. Формованные таблетки могут быть получены формованием в соответствующем автомате смеси порошкообразного соединения, смоченной инертным жидким разбавителем.- 32 043295 by compressing in an appropriate machine the active ingredient in free flowing form, such as powder or granules, optionally mixed with an excipient, such as, but not limited to, a binder, a lubricant, an inert diluent and/or a surfactant, or dispersing agent. Molded tablets can be obtained by molding in a suitable machine a mixture of a powdered compound moistened with an inert liquid diluent.

Настоящее изобретение дополнительно включает безводные фармацевтические композиции и лекарственные формы, содержащие активный ингредиент, поскольку вода может способствовать разрушению некоторых соединений. Например, вода может быть добавлена (например, 5%) в фармацевтические изделия как средство для имитации длительного хранения для определения таких характеристик как срок годности или стабильность лекарственных форм в зависимости от времени. Безводные фармацевтические композиции и лекарственные формы согласно настоящему изобретению могут быть получены с использованием безводных ингредиентов или ингредиентов с низким содержанием влаги и в условиях с низким содержанием влаги или низкой влажностью. Фармацевтические композиции и лекарственные формы согласно настоящему изобретению, которые содержат лактозу, могут быть получены в безводном виде, если ожидается существенный контакт с влагой и/или влажностью при производстве, упаковке и/или хранении. Безводную фармацевтическую композицию можно получать и хранить так, чтобы сохранялась ее безводная форма. Соответственно, безводные композиции могут быть упакованы с использованием известных материалов для предотвращения воздействия воды, так что они могут быть включены в соответствующие рецептурные наборы. Примеры подходящих упаковок включают, но не ограничиваясь ими, герметично запаянные пленки из пластика или подобного материала, контейнеры для разовых доз, блистерные упаковки и контурные упаковки.The present invention further includes anhydrous pharmaceutical compositions and dosage forms containing the active ingredient, since water may promote the destruction of some compounds. For example, water can be added (eg, 5%) to pharmaceutical products as a means to simulate long shelf life to determine characteristics such as shelf life or stability of dosage forms over time. Anhydrous pharmaceutical compositions and dosage forms of the present invention can be prepared using anhydrous or low moisture ingredients and under low moisture or low humidity conditions. Pharmaceutical compositions and dosage forms of the present invention that contain lactose can be prepared in an anhydrous form if significant contact with moisture and/or moisture is expected during manufacture, packaging and/or storage. The anhydrous pharmaceutical composition can be prepared and stored so as to maintain its anhydrous form. Accordingly, anhydrous compositions can be packaged using known materials to prevent exposure to water, so that they can be included in appropriate prescription kits. Examples of suitable packages include, but are not limited to, hermetically sealed films of plastic or similar material, single dose containers, blister packs, and strip packs.

Активный ингредиент можно объединять в однородную смесь с фармацевтическим носителем в соответствии с обычными технологиями фармацевтического компаундирования. Носитель может принимать различные формы в зависимости от формы препарата, требуемой для введения. При получении композиций для пероральной лекарственной формы, в качестве носителей можно использовать любые обычные фармацевтические среды, такие как, например, вода, гликоли, масла, спирты, ароматизаторы, консерванты, окрашивающие агенты и т.п. в случае пероральных жидких препаратов (таких как суспензии, растворы и эликсиры) или аэрозолей; или можно использовать такие носители как крахмалы, сахара, микрокристаллическая целлюлоза, разбавители, гранулирующие агенты, смазывающие вещества, связующие вещества и разрыхлители в случае пероральных твердых препаратов, в некоторых вариантах реализации без использования лактозы. Например, подходящие носители включают порошки, капсулы и таблетки с твердыми пероральными препаратами. При необходимости таблетки могут быть покрыты стандартными водными или неводными способами.The active ingredient can be combined in a homogeneous mixture with a pharmaceutical carrier in accordance with conventional pharmaceutical compounding techniques. The carrier may take various forms depending on the form of preparation required for administration. When preparing compositions for oral dosage form, any of the usual pharmaceutical vehicles can be used as carriers, such as, for example, water, glycols, oils, alcohols, flavors, preservatives, coloring agents, and the like. in the case of oral liquid preparations (such as suspensions, solutions and elixirs) or aerosols; or carriers such as starches, sugars, microcrystalline cellulose, diluents, granulating agents, lubricants, binders, and disintegrants may be used in the case of oral solid preparations, in some embodiments lactose-free. For example, suitable carriers include solid oral powders, capsules and tablets. If necessary, the tablets may be coated by standard aqueous or non-aqueous methods.

Связующие вещества, пригодные для применения в фармацевтических композициях и лекарственных формах, включают, но не ограничиваясь ими, кукурузный крахмал, картофельный крахмал или другие крахмалы, желатин, природные и синтетические камеди, такие как гуммиарабик, альгинат натрия, альгиновую кислоту, другие альгинаты, порошкообразный трагакант, гуаровую камедь, целлюлозу и ее производные (например, этилцеллюлоза, ацетат целлюлозы, карбоксиметилцеллоза кальция, карбоксиметилцеллюлоза натрия), поливинилпирролидон, метилцеллюлозу, прежелатинизированный крахмал, гидроксипропилметилцеллюлозу, микрокристаллическую целлюлозу и их смеси.Binders suitable for use in pharmaceutical compositions and dosage forms include, but are not limited to, corn starch, potato starch or other starches, gelatin, natural and synthetic gums such as gum arabic, sodium alginate, alginic acid, other alginates, powdered tragacanth, guar gum, cellulose and its derivatives (eg, ethylcellulose, cellulose acetate, calcium carboxymethylcellulose, sodium carboxymethylcellulose), polyvinylpyrrolidone, methylcellulose, pregelatinized starch, hydroxypropylmethylcellulose, microcrystalline cellulose, and mixtures thereof.

Примеры подходящих наполнителей для применения в фармацевтических композициях и лекарственных формах, описанных в настоящем документе, включают, но не ограничиваясь ими, тальк, карбонат кальция (например, гранулы или порошок), микрокристаллическую целлюлозу, порошкообразную целлюлозу, декстраты, каолин, маннит, кремниевую кислоту, сорбит, крахмал, прежелатинизированный крахмал и их смеси.Examples of suitable excipients for use in the pharmaceutical compositions and dosage forms described herein include, but are not limited to, talc, calcium carbonate (eg, granules or powder), microcrystalline cellulose, powdered cellulose, dextrates, kaolin, mannitol, silicic acid , sorbitol, starch, pregelatinized starch and mixtures thereof.

Разрыхлители могут быть использованы в композициях согласно настоящему изобретению для получения таблеток, которые разрушаются при воздействии водных сред. Слишком большое количество разрыхлителя может привести к получению таблеток, которые могут разрушаться во флаконе. Слишком маленького количества может быть недостаточно для разрушения, и это может изменить скорость и степень высвобождения активного ингредиента(ов) из лекарственной формы. Таким образом, следует использовать достаточное количество разрыхлителя, которое не является ни слишком маленьким, ни слишком большим для неблагоприятного изменения высвобождения активного ингредиента(ов), при получении лекарственных форм соединений, описанных в настоящем документе. Используемое количество разрыхлителя может варьироваться в зависимости от типа лекарственной формы и способа введения, и может быть без труда установлено специалистом в данной области техники. В фармацевтической композиции можно использовать от примерно 0,5 до примерно 15 мас.% разрыхлителя или от примерно 1 до примерно 5 мас.% разрыхлителя. Разрыхлители, которые могут быть использованы для получения фармацевтических композиций и лекарственных форм согласно настоящему изобретению, включают, но не ограничиваясь ими, агар-агар, альгиновую кислоту, карбонат кальция, микрокристаллическую целлюлозу, кроскармеллозу натрия, кроспровидон, полакрилин калия, крахмалгликолят натрия, картофельный или тапиоковый крахмал, другие крахмалы, прежелатинизированный крахмал, другие крахмалы, глины,Disintegrants can be used in the compositions of the present invention to provide tablets that disintegrate when exposed to aqueous media. Too much disintegrant may result in tablets that may break in the vial. Too small an amount may not be sufficient to break down and this may alter the rate and extent of release of the active ingredient(s) from the dosage form. Thus, a sufficient amount of disintegrant, which is neither too small nor too large, should be used to adversely alter the release of the active ingredient(s) when preparing dosage forms for the compounds described herein. The amount of disintegrant used may vary depending on the type of dosage form and method of administration, and can be easily determined by a person skilled in the art. About 0.5% to about 15% by weight of disintegrant, or from about 1% to about 5% by weight of disintegrant, may be used in the pharmaceutical composition. Disintegrants that can be used to prepare pharmaceutical compositions and dosage forms according to the present invention include, but are not limited to, agar-agar, alginic acid, calcium carbonate, microcrystalline cellulose, croscarmellose sodium, crosprovidone, potassium polacrilin, sodium starch glycolate, potato or tapioca starch, other starches, pregelatinized starch, other starches, clays,

- 33 043295 другие альгины, другие целлюлозы, камеди или их смеси.- 33 043295 other algins, other celluloses, gums or mixtures thereof.

Смазывающие вещества, которые могут быть использованы для получения фармацевтических композиций и лекарственных форм согласно настоящему изобретению, включают, но не ограничиваясь ими, стеарат кальция, стеарат магния, минеральное масло, светлое минеральное масло, глицерин, сорбит, маннит, полиэтиленгликоль, другие гликоли, стеариновую кислоту, лаурилсульфат натрия, тальк, гидрированное растительное масло (например, арахисовое масло, хлопковое масло, подсолнечное масло, кунжутное масло, оливковое масло, кукурузное масло и соевое масло), стеарат цинка, этилолеат, этиллаурат, агар или их смеси. Дополнительные смазывающие вещества включают, например, коллоидный силикагель, коагулированный аэрозоль синтетического диоксида кремния или их смеси. Смазывающее вещество может быть необязательно добавлено в количестве менее примерно 1% по массе фармацевтической композиции.Lubricants that can be used to prepare pharmaceutical compositions and dosage forms according to the present invention include, but are not limited to, calcium stearate, magnesium stearate, mineral oil, light mineral oil, glycerin, sorbitol, mannitol, polyethylene glycol, other glycols, stearic acid, sodium lauryl sulfate, talc, hydrogenated vegetable oil (eg, peanut oil, cottonseed oil, sunflower oil, sesame oil, olive oil, corn oil, and soybean oil), zinc stearate, ethyl oleate, ethyl laurate, agar, or mixtures thereof. Additional lubricants include, for example, colloidal silica gel, coagulated synthetic silica aerosol, or mixtures thereof. The lubricant may optionally be added in an amount of less than about 1% by weight of the pharmaceutical composition.

Если для перорального введения необходимы водные суспензии и/или эликсиры, то активный ингредиент в них можно объединять с различными подсластителями или ароматизаторами, окрашивающими веществами или красителями, если это необходимо, с эмульгирующими и/или суспендирующими агентами, вместе с такими разбавителями как вода, этанол, пропиленгликоль, глицерин и различные их комбинации.If aqueous suspensions and/or elixirs are required for oral administration, the active ingredient may be combined with various sweetening or flavoring agents, coloring or coloring agents, if necessary, with emulsifying and/or suspending agents, together with diluents such as water, ethanol , propylene glycol, glycerin and various combinations thereof.

Таблетки могут быть без покрытия или с покрытием, полученным известными технологиями, для замедления разрушения и абсорбции в желудочно-кишечном тракте и обеспечения, таким образом, устойчивого действия в течение более продолжительного периода. Например, может быть использован такой материал для временной задержки, как глицерилмоностеарат или глицерилдистеарат. Лекарственные формы для перорального применения также могут быть представлены в виде твердых желатиновых капсул, в которых активный ингредиент смешан с инертным твердым разбавителем, например, карбонатом кальция, фосфатом кальция или каолином, или в виде мягких желатиновых капсул, в которых активный компонент смешан с водой или масляной средой, например, арахисовым маслом, жидким парафином или оливковым маслом.Tablets may be uncoated or coated by known techniques to slow down breakdown and absorption in the gastrointestinal tract and thus provide sustained action over a longer period. For example, a time delay material such as glyceryl monostearate or glyceryl distearate may be used. Oral dosage forms may also be presented as hard gelatin capsules in which the active ingredient is mixed with an inert solid diluent such as calcium carbonate, calcium phosphate or kaolin, or as soft gelatin capsules in which the active ingredient is mixed with water or an oil medium such as peanut butter, liquid paraffin or olive oil.

Поверхностно-активное вещество, которое может быть использовано для получения фармацевтических композиций и лекарственных форм согласно настоящему изобретению, включают, но не ограничиваясь ими, гидрофильные поверхностно-активные вещества, липофильные поверхностно-активные вещества и их смеси. То есть можно использовать смесь гидрофильных поверхностно-активных веществ, смесь липофильных поверхностно-активных веществ, или можно использовать смесь по меньшей мере одного гидрофильного поверхностно-активного вещества и одного липофильного поверхностноактивного вещества.Surfactants that can be used to prepare pharmaceutical compositions and dosage forms according to the present invention include, but are not limited to, hydrophilic surfactants, lipophilic surfactants, and mixtures thereof. That is, a mixture of hydrophilic surfactants, a mixture of lipophilic surfactants, or a mixture of at least one hydrophilic surfactant and one lipophilic surfactant can be used.

Подходящее гидрофильное поверхностно-активное вещество может иметь значение ГЛБ по меньшей мере 10, тогда как подходящие липофильные поверхностно-активные вещества обычно могут иметь значение ГЛБ, равное или менее примерно 10. Эмпирическим параметром, используемым для описания относительной гидрофильности и гидрофобности неионогенных амфифильных соединений, является гидрофильно-липофильный баланс (значение ГЛБ). Поверхностно-активные вещества с более низкими значениями ГЛБ являются более липофильными или гидрофобными и имеют более высокую растворимость в маслах, а поверхностно-активные вещества с более высокими значениями ГЛБ являются более гидрофильными и имеют более высокую растворимость в водных растворах.A suitable hydrophilic surfactant may have an HLB value of at least 10, while suitable lipophilic surfactants may typically have an HLB value equal to or less than about 10. An empirical parameter used to describe the relative hydrophilicity and hydrophobicity of nonionic amphiphilic compounds is hydrophilic-lipophilic balance (HLB value). Surfactants with lower HLB values are more lipophilic or hydrophobic and have higher oil solubility, while surfactants with higher HLB values are more hydrophilic and have higher solubility in aqueous solutions.

Гидрофильными поверхностно-активными веществами обычно считают такие соединения, которые имеют значение ГЛБ более примерно 10, а также анионные, катионные или цвиттер-ионные соединения, для которых обычно не используют шкалу ГЛБ. Аналогично, липофильными (т.е. гидрофобными) поверхностно-активными веществами являются соединения, имеющие значение ГЛБ, равное или менее примерно 10. Однако значение ГЛБ поверхностно-активного вещества является лишь примерным ориентиром, обычно используемым для получения композиций промышленных, фармацевтических и косметических эмульсий.Hydrophilic surfactants are generally considered to be those compounds that have an HLB value greater than about 10, as well as anionic, cationic, or zwitterionic compounds, for which the HLB scale is not normally used. Similarly, lipophilic (i.e., hydrophobic) surfactants are compounds having an HLB value equal to or less than about 10. However, the HLB value of a surfactant is only an approximate guideline commonly used to formulate industrial, pharmaceutical, and cosmetic emulsions. .

Гидрофильные поверхностно-активные вещества могут быть ионными или неионогенными. Подходящие ионные поверхностно-активные вещества включают, но не ограничиваясь ими, алкиламмониевые соли; соли фусидовой кислоты; жирнокислотные производные аминокислот, олигопептидов и полипептидов; глицеридные производные аминокислот, олигопептидов и полипептидов; лецитины и гидрированные лецитины; лизолецитины и гидрированные лизолецитины; фосфолипиды и их производные; лизофосфолипиды и их производные; соли сложных эфиров карнитина и жирных кислот; соли алкилсульфатов; соли жирных кислот; докузат натрия; ацилактилаты; моно- и диацетилированные эфиры винной кислоты моно- и диглицеридов; сукцинилированные моно- и диглицериды; эфиры лимонной кислоты моно- и диглицеридов; и их смеси.Hydrophilic surfactants may be ionic or non-ionic. Suitable ionic surfactants include, but are not limited to, alkyl ammonium salts; fusidic acid salts; fatty acid derivatives of amino acids, oligopeptides and polypeptides; glyceride derivatives of amino acids, oligopeptides and polypeptides; lecithins and hydrogenated lecithins; lysolecithins and hydrogenated lysolecithins; phospholipids and their derivatives; lysophospholipids and their derivatives; salts of esters of carnitine and fatty acids; alkyl sulfate salts; salts of fatty acids; docusate sodium; acylactylates; mono- and diacetylated tartaric acid esters of mono- and diglycerides; succinylated mono- and diglycerides; citric acid esters of mono- and diglycerides; and their mixtures.

В вышеупомянутой группе ионные поверхностно-активные вещества включают, например: лецитины, лизолецитин, фосфолипиды, лизофосфолипиды и их производные; соли сложных эфиров карнитина и жирных кислот; соли алкилсульфатов; соли жирных кислот; докузат натрия; ацилактилаты; моно- и диацетилированные сложные эфиры винной кислоты моно- и диглицеридов; сукцинилированные моно- и диглицериды; эфиры лимонной кислоты моно- и диглицеридов; и их смеси.In the above group, ionic surfactants include, for example: lecithins, lysolecithin, phospholipids, lysophospholipids and derivatives thereof; salts of esters of carnitine and fatty acids; alkyl sulfate salts; salts of fatty acids; docusate sodium; acylactylates; mono- and diacetylated tartaric acid esters of mono- and diglycerides; succinylated mono- and diglycerides; citric acid esters of mono- and diglycerides; and their mixtures.

Ионные поверхностно-активные вещества могут представлять собой ионизированные формы лециIonic surfactants can be ionized forms of lecithin

- 34 043295 тина, лизолецитина, фосфатидилхолина, фосфатидилэтаноламина, фосфатидилглицерина, фосфатидиновой кислоты, фосфатидилсерина, лизофосфатидилхолина, лизофосфатидилэтаноламина, лизофосфатидилглицерина, лизофосфатидиновой кислоты, лизофосфатидилсерина, ПЭГ-фосфатидилэтаноламина, ПВП-фосфатидилэтаноламина, молочнокислые эфиры жирных кислот, стеароил-2-лактилат, стеароиллактилат, сукцинилированные моноглицериды, моно/диацетилированные сложные эфиры винной кислоты моно/диглицеридов, эфиры лимонной кислоты моно/диглицеридов, холилсаркозин, капроат, каприлат, капрат, лаурат, миристат, пальмитат, олеат, рицинолеат, линолеат, линоленат, стеарат, лаурилсульфат, терацецилсульфат, докузат, лауроилкарнитины, пальмитоилкарнитины, миристоилкарнитины и их соли и смеси.- 34 043295 tin, lysolecithin, phosphatidylcholine, phosphatidylethanolamine, phosphatidylglycerol, phosphatidic acid, phosphatidylserine, lysophosphatidylcholine, lysophosphatidylethanolamine, lysophosphatidylglycerin, lysophosphatidic acid, lysophosphatidylserine, PEG-phosphatidylethanolamine, PVP-phosphatidylethanolamine, mol fatty acid esters, stearoyl-2-lactylate, stearoyl lactylate, succinylated monoglycerides, mono/diacetylated mono/diglyceride tartaric esters, mono/diglyceride citric acid esters, cholyl sarcosine, caproate, caprylate, caprate, laurate, myristate, palmitate, oleate, ricinoleate, linoleate, linolenate, stearate, lauryl sulfate, teracetyl sulfate, docusate , lauroylcarnitines, palmitoylcarnitines, myristoylcarnitines and their salts and mixtures.

Гидрофильные неионогенные поверхностно-активные вещества могут включать, но не ограничиваясь ими, алкилклюкозиды; алкилмальтозиды; алкилтиоглюкозиды; луарилмакроголглицериды; алкиловые эфиры полиоксиалкилена, такие как алкиловые эфиры полиэтиленгликоля; полиоксиалкиленалкилфенолы, такие как полиэтиленгликоль-алкилфенолы; сложные эфиры полиоксиалкиленалкилфенолов и жирных кислот, такие как сложные моноэфиры полиэтиленгликоля и жирных кислоты и сложные диэфиры полиэтиленгликоля и жирных кислот; сложные эфиры полиэтиленгликоля и глицериновых жирных кислот; сложные эфиры полиглицерина и жирных кислот; сложные эфиры полиоксиалкиленсорбита и жирных кислот, такие как сложные эфиры полиэтиленгликольсорбита и жирных кислот; гидрофильные продукты транс-эстерификации полиолов с по меньшей мере одним членом группы, состоящей из глицеридов, растительных масел, гидрированных растительных масел, жирных кислот и стеролов; полиоксиэтиленстеролы, их производные и аналоги; полиоксиэтилированные витамины и их производные; полиоксиэтилен-полиоксипропиленовые блок-сополимеры; и их смеси; сложные эфиры полиэтиленгликольсорбита и жирных кислот и гидрофильные продукты транс-эстерификации полиолов с по меньшей мере одним членом группы, состоящей из триглицеридов, растительных масел и гидрированных растительных масел. Полиол может представлять собой глицерин, этиленгликоль, полиэтиленгликоль, сорбит, пропиленгликоль, пентаэритрит или сахарид.Hydrophilic nonionic surfactants may include, but are not limited to, alkylglucosides; alkyl maltosides; alkylthioglucosides; luaryl macrogol glycerides; polyoxyalkylene alkyl ethers such as polyethylene glycol alkyl ethers; polyoxyalkylene alkylphenols such as polyethylene glycol alkylphenols; polyoxyalkylene alkylphenol fatty acid esters such as polyethylene glycol fatty acid monoesters and polyethylene glycol fatty acid diesters; esters of polyethylene glycol and glyceric fatty acids; esters of polyglycerol and fatty acids; esters of polyoxyalkylene sorbitol and fatty acids, such as esters of polyethylene glycol sorbitol and fatty acids; hydrophilic trans-esterification products of polyols with at least one member of the group consisting of glycerides, vegetable oils, hydrogenated vegetable oils, fatty acids and sterols; polyoxyethylene sterols, their derivatives and analogues; polyoxyethylated vitamins and their derivatives; polyoxyethylene-polyoxypropylene block copolymers; and mixtures thereof; esters of polyethylene glycol sorbitol and fatty acids; and hydrophilic trans-esterification products of polyols with at least one member of the group consisting of triglycerides, vegetable oils and hydrogenated vegetable oils. The polyol may be glycerol, ethylene glycol, polyethylene glycol, sorbitol, propylene glycol, pentaerythritol or saccharide.

Другие гидрофильные неионогенные поверхностно-активные вещества включают, без ограничения, ПЭГ-10-лаурат, ПЭГ-12-лаурат, ПЭГ-20-лаурат, ПЭГ-32-лаурат, ПЭГ-32-дилаурат, ПЭГ-12-олеат, ПЭГ15-олеат, ПЭГ-20-олеат, ПЭГ-20-диолеат, ПЭГ-32-олеат, ПЭГ-200-олеат, ПЭГ-400-олеат, ПЭГ-15стеарат, ПЭГ-32-дистеарат, ПЭГ-40-стеарат, ПЭГ-100-стеарат, ПЭГ-20-дилаурат, ПЭГ-25глицерилтриолеат, ПЭГ-32-диолеат, ПЭГ-20-глицериллаурат, ПЭГ-30-глицериллаурат, ПЭГ-20глицерилстеарат, ПЭГ-20-глицерилолеат, ПЭГ-30-глицерилолеат, ПЭГ-30-глицериллаурат, ПЭГ-40глицериллаурат, пальмоядровое масло ПЭГ-40, гидрированное касторовое масло ПЭГ-50, касторовое масло ПЭГ-40, касторовое масло ПЭГ-35, касторовое масло ПЭГ-60, гидрированное касторовое масло ПЭГ-40, гидрированное касторовое масло ПЭГ-60, кукурузное масло ПЭГ-60, капрат/каприлатглицериды ПЭГ-6, капрат/каприлатглицериды ПЭГ-8, полиглицерил-10-лаурат, холестерин ПЭГ-30, фитостерин ПЭГ-25, соевый стерин ПЭГ-30, триолеат ПЭГ-20, сорбитанолеат ПЭГ-40, сорбитанлаурат ПЭГ-80, полисорбат 20, полисорбат 80, лауриловый эфир ПОЭ-9, лауриловый эфир ПОЭ-23, олеиловый эфир ПОЭ10, олеиловый эфир ПОЭ-20, стеариловый эфир ПОЭ-20, токоферил-ПЭГ-100-сукцинат, холестерин ПЭГ-24, полиглицерил-10-олеат, твин 40, твин 60, моностеарат сахарозы, монолаурат сахарозы, монопальмитат сахарозы, серия нонилфенолов ПЭГ 10-100, серия октилфенолов ПЭГ 15-100 и полоксамеры.Other hydrophilic nonionic surfactants include, without limitation, PEG-10-laurate, PEG-12-laurate, PEG-20-laurate, PEG-32-laurate, PEG-32-dilaurate, PEG-12-oleate, PEG15- oleate, PEG-20-oleate, PEG-20-dioleate, PEG-32-oleate, PEG-200-oleate, PEG-400-oleate, PEG-15stearate, PEG-32-distearate, PEG-40-stearate, PEG- 100-stearate, PEG-20-dilaurate, PEG-25glyceryl trioleate, PEG-32-dioleate, PEG-20-glyceryl laurate, PEG-30-glyceryl laurate, PEG-20 glyceryl stearate, PEG-20-glyceryl oleate, PEG-30-glyceryl oleate, PEG- 30-Glyceryl Laurate, PEG-40 Glyceryl Laurate, PEG-40 Palm Kernel Oil, PEG-50 Hydrogenated Castor Oil, PEG-40 Castor Oil, PEG-35 Castor Oil, PEG-60 Castor Oil, PEG-40 Hydrogenated Castor Oil, PEG Hydrogenated Castor Oil -60, PEG-60 corn oil, PEG-6 caprate/caprylate glycerides, PEG-8 caprate/caprylate glycerides, polyglyceryl-10-laurate, PEG-30 cholesterol, PEG-25 phytosterol, PEG-30 soy sterol, PEG-20 trioleate, PEG-40 sorbitanoleate, PEG-80 sorbitan laurate, Polysorbate 20, Polysorbate 80, POE-9 lauryl ether, POE-23 lauryl ether, POE10 oleyl ether, POE-20 oleyl ether, POE-20 stearyl ether, PEG-100-tocopheryl ether succinate, PEG-24 cholesterol, polyglyceryl-10-oleate, tween 40, tween 60, sucrose monostearate, sucrose monolaurate, sucrose monopalmitate, PEG 10-100 nonylphenol series, PEG 15-100 octylphenol series and poloxamers.

Подходящие липофильные поверхностно-активные вещества включают, лишь в качестве примера: жирные спирты; глицериновые эфиры жирных кислот; ацетилированные сложные эфиры глицерина и жирных кислот; сложные эфиры низших спиртов и жирных кислот; пропиленгликолевые эфиры жирных кислот; сложные эфиры сорбита и жирных кислот; сложные эфиры полиэтиленгликольсорбита и жирных кислот; производные стеринов и стерола; производные полиоксиэтилированных стеринов и стерина; алкиловые эфиры полиэтиленгликоля; сложные эфиры сахара; простые эфиры сахара; молочнокислые производные моно- и диглицеридов; гидрофобные продукты транс-эстерификации полиолов по меньшей мере одним членом группы, состоящей из глицеридов, растительных масел, гидрированных растительных масел, жирных кислот и стеринов; маслорастворимые витамины/производные витаминов; и их смеси. В указанной группе предпочтительные липофильные поверхностно-активные вещества включают сложные эфиры глицерина и жирных кислот, сложные эфиры пропиленгликоля и жирных кислот и их смеси; или гидрофобные продукты транс-эстерификации полиолов по меньшей мере одним членом группы, состоящей из растительных масел, гидрированных растительных масел и триглицеридов.Suitable lipophilic surfactants include, by way of example only: fatty alcohols; glycerol esters of fatty acids; acetylated esters of glycerol and fatty acids; esters of lower alcohols and fatty acids; propylene glycol esters of fatty acids; esters of sorbitol and fatty acids; esters of polyethylene glycol sorbitol and fatty acids; derivatives of sterols and sterol; derivatives of polyoxyethylated sterols and sterol; alkyl ethers of polyethylene glycol; sugar esters; sugar ethers; lactic acid derivatives of mono- and diglycerides; hydrophobic trans-esterification products of polyols with at least one member of the group consisting of glycerides, vegetable oils, hydrogenated vegetable oils, fatty acids and sterols; oil-soluble vitamins/vitamin derivatives; and their mixtures. In this group, preferred lipophilic surfactants include glycerol fatty acid esters, propylene glycol fatty acid esters, and mixtures thereof; or hydrophobic transesterification products of polyols with at least one member of the group consisting of vegetable oils, hydrogenated vegetable oils and triglycerides.

В одном варианте реализации композиция может содержать солюбилизатор для обеспечения хорошей солюбилизации и/или растворения соединения согласно настоящему изобретению и для минимизации осаждения соединения согласно настоящему изобретению. Это может быть особенно важным для композиций для не перорального применения, например, для композиций для инъекции. Солюбилизатор можно также добавлять для усиления растворимости гидрофильных лекарственных соединений и/или других компонентов, таких как поверхностно-активные вещества, или для сохранения композиции в виде стабильного или гомогенного раствора или дисперсии.In one embodiment, the composition may contain a solubilizer to ensure good solubilization and/or dissolution of the compound of the present invention and to minimize precipitation of the compound of the present invention. This may be especially important for compositions for non-oral administration, for example compositions for injection. A solubilizer may also be added to enhance the solubility of hydrophilic drug compounds and/or other components such as surfactants, or to maintain the composition as a stable or homogeneous solution or dispersion.

Примеры подходящих солюбилизаторов включают, но не ограничиваясь ими, следующие спирты и полиолы, такие как этанол, изопропанол, бутанол, бензиловый спирт, этиленгликоль, пропиленгликоль,Examples of suitable solubilizers include, but are not limited to, the following alcohols and polyols such as ethanol, isopropanol, butanol, benzyl alcohol, ethylene glycol, propylene glycol,

- 35 043295 бутандиолы и их изомеры, глицерин, пентаэритрит, сорбит, маннит, транскутол, диметилизосорбид, полиэтиленгликоль, полипропиленгликоль, поливиниловый спирт, гидроксипропилметилцеллюлоза и другие производные целлюлозы, циклодекстрины и производные циклодекстринов; простые эфиры полиэтиленгликолей, имеющие среднюю молекулярную массу от примерно 200 до примерно 6000, такие как ПЭГ-эфир тетрагидрофурфурилового спирта ПЭГ (гликофурол) или метокси-ПЭГ; амиды и другие азотсодержащие соединения, такие как 2-пирролидон, 2-пиперидон, ε-капролактам, N-алкилпирролидон, Nгидроксиалкилпирролидон, N-алкилпиперидон, N-алкилкапролактам, диметилацетамид и поливинилпирролидон; сложные эфиры, такие как этилпропионат, трибутилцитрат, ацетилтриэтилцитрат, ацетилтрибутилцитрат, триэтилцитрат, этилолеат, этилкаприлат, этилбутират, триацетин, моноацетат пропиленгликоля, диацетат пропиленгликоля, ε-капролактон и его изомеры, δ-валеролактон и его изомеры, βбутиролактон и его изомеры; и другие солюбилизаторы, известные в данной области техники, такие как диметилацетамид, диметилизосорбид, N-метилпирролидоны, монооктаноин, моноэтиловый эфир диэтиленгликоля и вода.- 35 043295 butanediols and their isomers, glycerin, pentaerythritol, sorbitol, mannitol, transcutol, dimethylisosorbide, polyethylene glycol, polypropylene glycol, polyvinyl alcohol, hydroxypropyl methylcellulose and other cellulose derivatives, cyclodextrins and cyclodextrin derivatives; ethers of polyethylene glycols having an average molecular weight of from about 200 to about 6000, such as PEG tetrahydrofurfuryl alcohol PEG (glycofurol) or methoxy-PEG; amides and other nitrogen compounds such as 2-pyrrolidone, 2-piperidone, ε-caprolactam, N-alkylpyrrolidone, N-hydroxyalkylpyrrolidone, N-alkylpiperidone, N-alkylcaprolactam, dimethylacetamide and polyvinylpyrrolidone; esters such as ethyl propionate, tributyl citrate, acetyl triethyl citrate, acetyl tributyl citrate, triethyl citrate, ethyl oleate, ethyl caprylate, ethyl butyrate, triacetin, propylene glycol monoacetate, propylene glycol diacetate, ε-caprolactone and its isomers, δ-valerolactone and its isomers, β-butyrolactone and its isomers; and other solubilizers known in the art such as dimethylacetamide, dimethylisosorbide, N-methylpyrrolidones, monooctanoin, diethylene glycol monoethyl ether and water.

Также можно использовать смеси солюбилизаторов. Примеры включают, но не ограничиваясь ими, триацетин, триэтилцитрат, этилолеат, этилкаприлат, диметилацетамид, N-метилпирролидон, Nгидроксиэтилпирролидон, поливинилпирролидон, гидроксипропилметилцеллюлозу, гидроксипропилциклодекстрины, этанол, полиэтиленгликоль 200-100, гликофурол, транскутол, пропиленгликоль и диметилизосорбид. Особенно предпочтительные солюбилизаторы включают сорбит, глицерин, триацетин, этиловый спирт, ПЭГ-400, гликофурол и пропиленгликоль.Mixtures of solubilizers can also be used. Examples include, but are not limited to, triacetin, triethyl citrate, ethyl oleate, ethyl caprylate, dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone, Nhydroxyethylpyrrolidone, polyvinylpyrrolidone, hydroxypropylmethylcellulose, hydroxypropylcyclodextrins, ethanol, polyethylene glycol 200-100, glycofurol, transcutol, propylene glycol, and dimethylisosorbide. Particularly preferred solubilizers include sorbitol, glycerol, triacetin, ethyl alcohol, PEG-400, glycofurol and propylene glycol.

Количество солюбилизатора, подлежащее включению, не имеет специального ограничения. Количество данного солюбилизатора может быть ограничено до биоприемлемого количества, которое может быть без труда установлено специалистом в данной области техники. В некоторых условиях может быть преимущественным включать такие количества солюбилизаторов, которые намного превышают биоприемлемые количества, например, для максимизации концентрации лекарственного соединения, при этом перед введением композиции субъекту удаляют избыток солюбилизатора, используя стандатные технологии, какие как дистилляция или выпаривание. Таким образом, при его наличии, солюбилизатор может иметь массовое содержание 10%, 25%, 50%, 100% или до примерно 200% по массе относительно общей массы лекарственного соединения и других вспомогательных веществ. При необходимости также можно использовать очень небольшие количества солюбилизатора, такие как 5%, 2%, 1% или даже менее. Обычно солюбилизатор может присутствовать в количестве от примерно 1 до примерно 100%, чаще от примерно 5 до примерно 25% по массе.The amount of the solubilizer to be included is not particularly limited. The amount of a given solubilizer may be limited to a bioacceptable amount, which can be readily ascertained by a person skilled in the art. In some circumstances, it may be advantageous to include amounts of solubilizers far in excess of bioacceptable amounts, for example, to maximize the concentration of the drug compound, with excess solubilizer removed prior to administration of the composition to the subject using standard techniques such as distillation or evaporation. Thus, if present, the solubilizer may have a weight content of 10%, 25%, 50%, 100%, or up to about 200% by weight based on the total weight of the drug compound and other excipients. If necessary, very small amounts of solubilizer can also be used, such as 5%, 2%, 1% or even less. Typically, the solubilizer may be present in an amount of from about 1% to about 100%, more typically from about 5% to about 25% by weight.

Композиция может дополнительно содержать одну или более фармацевтически приемлемых добавок и вспомогательных веществ. Такие добавки и вспомогательные вещества включают, без ограничения, агенты для уменьшения вязкости, противопенные агенты, буферные агенты, полимеры, антиоксиданты, консерванты, хелатообразующие агенты, регуляторы вязкости, регуляторы тоничности, ароматизаторы, окрашивающие агенты, ароматизаторы, замутнители, суспендирующие агенты, связующие вещества, наполнители, пластификаторы, смазывающие вещества и их смеси.The composition may further contain one or more pharmaceutically acceptable additives and excipients. Such additives and adjuvants include, without limitation, viscosity-lowering agents, defoamers, buffering agents, polymers, antioxidants, preservatives, chelating agents, viscosity regulators, tonicity regulators, flavoring agents, coloring agents, flavoring agents, opacifying agents, suspending agents, binders. , fillers, plasticizers, lubricants and mixtures thereof.

Кроме того, в композицию можно вводить кислоту или основание для облегчения переработки, улучшения стабильности или по другим причинам. Примеры фармацевтически приемлемых оснований включают аминокислоты, сложные эфиры аминокислот, гидроксид аммония, гидроксид калия, гидроксид натрия, гидрокарбонат натрия, гидроксид алюминия, карбонат кальция, гидроксид магния, алюмосиликат магния, синтетический алюмосиликат, синтетический гидрокальцит, гидроксид магнияалюминия, диизопропилэтиламин, этаноламин, этилендиамин, триэтаноламин, триэтиламин, триизопропаноламин, триметиламин, трис(гидроксиметил)аминометан (TRIS) и т.п. Также пригодными являются основания, которые представляют собой соли фармацевтически приемлемых кислот, таких как уксусная кислота, акриловая кислота, адипиновая кислота, альгиновая кислота, алкансульфоновая кислота, аминокислоты, аскорбиновая кислота, бензойная кислота, борная кислота, масляная кислота, угольная кислота, лимонная кислота, жирные кислоты, муравьиная кислота, фумаровая кислота, глюконовоая кислота, гидрохиносульфоновая кислота, изоаскорбиновая кислота, молочная кислота, малеиновая кислота, щавелевая кислота, пара-бромфенилсульфоновая кислота, пропионовая кислота, п-толуолсульфоновая кислота, салициловая кислота, стеариновая кислота, янтарная кислота, дубильная кислота, винная кислота, тиогликолевая кислота, толуолсульфоновая кислота, мочевая кислота и т.п. Также можно использовать соли многоосновных кислот, такие как фосфат натрия, гидрофосфат динатрия и дигидрофосфат натрия. Если основанием является соль, то катионом может быть любой подходящий и фармацевтически приемлемый катион, такой как аммоний, щелочные металлы, щелочноземельные металлы и т.п. Примеры могут включать, но не ограничиваясь ими, натрий, калий, литий, магний, кальций и аммоний.In addition, an acid or base may be included in the composition to facilitate processing, improve stability, or for other reasons. Examples of pharmaceutically acceptable bases include amino acids, amino acid esters, ammonium hydroxide, potassium hydroxide, sodium hydroxide, sodium hydrogen carbonate, aluminum hydroxide, calcium carbonate, magnesium hydroxide, magnesium aluminum silicate, synthetic aluminum silicate, synthetic hydrocalcite, magnesium aluminum hydroxide, diisopropylethylamine, ethanolamine, ethylenediamine, triethanolamine, triethylamine, triisopropanolamine, trimethylamine, tris(hydroxymethyl)aminomethane (TRIS) and the like. Also suitable are bases which are salts of pharmaceutically acceptable acids such as acetic acid, acrylic acid, adipic acid, alginic acid, alkane sulfonic acid, amino acids, ascorbic acid, benzoic acid, boric acid, butyric acid, carbonic acid, citric acid, fatty acids, formic acid, fumaric acid, gluconic acid, hydroquinosulfonic acid, isoascorbic acid, lactic acid, maleic acid, oxalic acid, p-bromophenyl sulfonic acid, propionic acid, p-toluenesulfonic acid, salicylic acid, stearic acid, succinic acid, tannin acid, tartaric acid, thioglycolic acid, toluenesulfonic acid, uric acid, and the like. It is also possible to use salts of polybasic acids such as sodium phosphate, disodium hydrogen phosphate and sodium dihydrogen phosphate. If the base is a salt, then the cation may be any suitable and pharmaceutically acceptable cation such as ammonium, alkali metals, alkaline earth metals, and the like. Examples may include, but are not limited to, sodium, potassium, lithium, magnesium, calcium, and ammonium.

Подходящие кислоты представляют собой фармацевтически приемлемые органические или неорганические кислоты. Примеры подходящих неорганических кислот включают хлористоводородную кислоту, бромистоводородную кислоту, йодистоводородную кислоту, серную кислоту, азотную кислоту, борную кислоту, фосфорную кислоту и т.п. Примеры подходящих органических кислот включают уксусную кислоту, акриловую кислоту, адипиновую кислоту, альгиновую кислоту, алкансульфоновую кислоту,Suitable acids are pharmaceutically acceptable organic or inorganic acids. Examples of suitable inorganic acids include hydrochloric acid, hydrobromic acid, hydroiodic acid, sulfuric acid, nitric acid, boric acid, phosphoric acid, and the like. Examples of suitable organic acids include acetic acid, acrylic acid, adipic acid, alginic acid, alkane sulfonic acid,

- 36 043295 аминокислоты, аскорбиновую кислоту, бензойную кислоту, борную кислоту, масляную кислоту, угольную кислоту, лимонную кислоту, жирные кислоты, муравьиную кислоту, фумаровую кислоту, глюконовую кислоту, гидрохиносульфоновую кислоту, изоаскорбиновую кислоту, молочную кислоту, малеиновую кислоту, метансульфоновую кислоту, щавелевую кислоту, пара-бромфенилсульфоновую кислоту, пропионовую кислоту, п-толуолсульфоновую кислоту, салициловую кислоту, стеариновую кислоту, янтарную кислоту, дубильную кислоту, винную кислоту, тиогликолевую кислоту, толуолсульфоновую кислоту, мочевую кислоту и т.п.- 36 043295 amino acids, ascorbic acid, benzoic acid, boric acid, butyric acid, carbonic acid, citric acid, fatty acids, formic acid, fumaric acid, gluconic acid, hydroquinosulfonic acid, isoascorbic acid, lactic acid, maleic acid, methanesulfonic acid, oxalic acid, p-bromophenylsulfonic acid, propionic acid, p-toluenesulfonic acid, salicylic acid, stearic acid, succinic acid, tannic acid, tartaric acid, thioglycolic acid, toluenesulfonic acid, uric acid, and the like.

В некоторых вариантах реализации фармацевтическая композиция содержит соединение формулы IA, маннит, микрокристаллическую целлюлозу, кросповидон и стеарат магния.In some embodiments, the pharmaceutical composition contains a Formula IA compound, mannitol, microcrystalline cellulose, crospovidone, and magnesium stearate.

В некоторых вариантах реализации фармацевтическая композиция содержит соединение формулы IB, маннит, микрокристаллическую целлюлозу, кросповидон и стеарат магния.In some embodiments, the pharmaceutical composition comprises a Formula IB compound, mannitol, microcrystalline cellulose, crospovidone, and magnesium stearate.

В некоторых вариантах реализации фармацевтическая композиция содержит соединение формулы IC, маннит, микрокристаллическую целлюлозу, кросповидон и стеарат магния.In some embodiments, the pharmaceutical composition comprises a Formula IC compound, mannitol, microcrystalline cellulose, crospovidone, and magnesium stearate.

В некоторых вариантах реализации фармацевтическая композиция содержит соединение формулы ID, маннит, микрокристаллическую целлюлозу, кросповидон и стеарат магния.In some embodiments, the pharmaceutical composition contains a compound of Formula ID, mannitol, microcrystalline cellulose, crospovidone, and magnesium stearate.

В некоторых вариантах реализации фармацевтическая композиция содержит соединение формулы IE, маннит, микрокристаллическую целлюлозу, кросповидон и стеарат магния.In some embodiments, the pharmaceutical composition contains a compound of Formula IE, mannitol, microcrystalline cellulose, crospovidone, and magnesium stearate.

Фармацевтические композиции для инъекцийPharmaceutical compositions for injection

В некоторых вариантах реализации настоящего изобретения предложена фармацевтическая композиция для инъекций, содержащая соединение согласно настоящему изобретению и фармацевтическое вспомогательное вещество, подходящее для инъекций. Компоненты и количества агентов в композициях описаны в настоящем документе.In some embodiments, the present invention provides an injectable pharmaceutical composition comprising a compound of the present invention and an injectable pharmaceutical excipient. The components and amounts of agents in the compositions are described herein.

Формы, в которых новые композиции согласно настоящему изобретению могут быть представлены для введения посредством инъекции, включают водные или масляные суспензии или эмульсии, с кунжутным маслом, кукурузным маслом, хлопковым маслом или арахисовым маслом, а также эликсиры, растворы с маннитом, декстрозой или стерильные растворы в воде и аналогичных фармацевтических носителях.Forms in which the novel compositions of the present invention may be presented for administration by injection include aqueous or oily suspensions or emulsions, with sesame oil, corn oil, cottonseed oil, or peanut oil, as well as elixirs, solutions with mannitol, dextrose, or sterile solutions. in water and similar pharmaceutical carriers.

Для инъекций также обычно используют водные растворы в физрастворе. Также можно использовать этанол, глицерин, пропиленгликоль, жидкий полиэтиленгликоль и т.п. (и их соответствующие смеси), производные циклодекстрина и растительные масла.For injection, aqueous solutions in saline are also commonly used. Ethanol, glycerin, propylene glycol, liquid polyethylene glycol, and the like can also be used. (and their respective mixtures), cyclodextrin derivatives and vegetable oils.

Необходимую текучесть можно поддерживать, например, с помощью покрытия, такого как лецитин, для сохранения требуемого размера частиц в случае дисперсии, а также с помощью поверхностноактивных веществ. Заражение микроорганизмами можно предотвратить посредством добавления различных антибактериальных и противогрибковых агентов, например парабенов, хлорбутанола, фенола, сорбиновой кислоты, тимеросала и т.п.The necessary fluidity can be maintained, for example, by using a coating such as lecithin to maintain the desired particle size in the case of a dispersion, as well as by using surfactants. Infection by microorganisms can be prevented by adding various antibacterial and antifungal agents such as parabens, chlorobutanol, phenol, sorbic acid, thimerosal, and the like.

Стерильные растворы для инъекций получают посредством введения соединения согласно настоящему изобретению в требуемом количестве в соответствующий растворитель с различными другими ингредиентами, перечисленными выше, при необходимости с последующей стерилизацией фильтрованием. В общем случае, дисперсии получают путем введения различных стерильных активных ингредиентов в стерильный носитель, содержащий основную дисперсионную среду и другие необходимые компоненты из перечисленных выше. В случае стерильных порошков для получения стерильных растворов для инъекций, некоторыми желательными способами получения являются вакуумная сушка и вымораживание, которые обеспечивают получение порошка активного ингредиента и любого дополнительного необходимого ингредиента из их предварительно стерильно отфильтрованного раствора.Sterile injectable solutions are prepared by incorporating the compound of the present invention in the required amount in an appropriate solvent with various other ingredients listed above, if necessary, followed by filtered sterilization. In general, dispersions are prepared by incorporating the various sterile active ingredients into a sterile vehicle containing a basic dispersion medium and the other necessary components listed above. In the case of sterile powders for the preparation of sterile injectable solutions, some desirable methods of preparation are vacuum drying and freeze-drying, which provide a powder of the active ingredient and any additional required ingredient from their pre-sterile filtered solution.

Фармацевтические композиции для местной (например, трансдермальной) доставкиPharmaceutical compositions for topical (eg, transdermal) delivery

В некоторых вариантах настоящего изобретения предложена фармацевтическая композиция для трансдермальной доставки, содержащая соединение согласно настоящему изобретению и фармацевтическое вспомогательное вещество, подходящее для трансдермальной доставки.In some embodiments, the present invention provides a pharmaceutical composition for transdermal delivery comprising a compound of the present invention and a pharmaceutical excipient suitable for transdermal delivery.

Композиции согласно настоящему изобретению могут быть составлены в препараты в твердой, полутвердой или жидкой формах, подходящих для местного или локального введения, таких как гели, водорастворимые студни, кремы, лосьоны, суспензии, пены, порошки, взвеси, мази, растворы, масла, пасты, суппозитории, спреи, эмульсии, солевые растворы, растворы на основе диметилсульфоксида (ДМСО). В общем случае, носители с более высокой плотностью могут обеспечивать пролонгированное воздействие активных ингредиентов в заданной области. Напротив, растворная композиция может обеспечивать более быстрое воздействие активного ингредиента на выбранную область.The compositions of the present invention may be formulated in solid, semi-solid or liquid forms suitable for topical or topical administration, such as gels, water-soluble gels, creams, lotions, suspensions, foams, powders, slurries, ointments, solutions, oils, pastes , suppositories, sprays, emulsions, saline solutions, solutions based on dimethyl sulfoxide (DMSO). In general, carriers with higher density can provide prolonged exposure of the active ingredients in a given area. On the contrary, the solution composition may provide a more rapid effect of the active ingredient on the selected area.

Фармацевтические композиции могут также содержать подходящие твердые или гелеобразные носители или вспомогательные вещества, которые являются соединениями, обеспечивающими улучшенную проницаемость, или способствуют доставке терапевтических молекул через роговой слой кожи, являющийся барьером проницаемости. Существует множество таких молекул, усиливающих проницаемость, которые известны опытному специалисту в области лекарственных форм для местного применения.The pharmaceutical compositions may also contain suitable solid or gel-like carriers or excipients which are compounds that provide improved permeability or facilitate the delivery of therapeutic molecules across the stratum corneum, which is a permeability barrier. There are many such penetration enhancing molecules that are known to those skilled in the art of topical dosage forms.

Примеры таких носителей и вспомогательных веществ включают, но не ограничиваясь ими, смачи- 37 043295 вающие вещества (например, мочевина), гликоли (например, пропиленгликоль), спирты (например, этанол), жирные кислоты (например, олеиновая кислота), поверхностно-активные вещества (например, изопропилмиристат и лаурилсульфат натрия), пирролидоны, монолаурат глицерина, сульфоксиды, терпены (например, ментол), амины, амиды, алканы, алканолы, воду, карбонат кальция, фосфат кальция, различные сахара, крахмалы, производные целлюлозы, желатин и полимеры, такие как полиэтиленгликоли.Examples of such carriers and excipients include, but are not limited to, wetting agents (eg, urea), glycols (eg, propylene glycol), alcohols (eg, ethanol), fatty acids (eg, oleic acid), surfactants. active substances (e.g. isopropyl myristate and sodium lauryl sulfate), pyrrolidones, glycerol monolaurate, sulfoxides, terpenes (e.g. menthol), amines, amides, alkanes, alkanols, water, calcium carbonate, calcium phosphate, various sugars, starches, cellulose derivatives, gelatin and polymers such as polyethylene glycols.

В другой иллюстративной лекарственной форме для применения в способах согласно настоящему изобретению используют устройства для трансдермальной доставки (пластыри). Такие трансдермальные пластыри можно использовать для обеспечения непрерывной или периодической инфузии соединения согласно настоящему соединению в контролируемых количествах, вместе с другим агентом или без него.In another exemplary dosage form for use in the methods of the present invention, transdermal delivery devices (patches) are used. Such transdermal patches can be used to provide continuous or intermittent infusion of a compound of the present compound in controlled amounts, with or without another agent.

Устройство и применение трансдермальных пластырей для доставки фармацевтических агентов хорошо известны в данной области техники. См., например, патенты США №№ 5023252, 4992445 и 5001139. Такие пластыри могут быть разработаны для непрерывной, импульсной доставки или для доставки фармацевтических агентов по мере необходимости.The design and use of transdermal patches for the delivery of pharmaceutical agents is well known in the art. See, for example, US Pat.

Фармацевтические композиции для ингаляцииPharmaceutical compositions for inhalation

Композиции для ингаляции или инсуффляции включают растворы и суспензии в фармацевтически приемлемых, водных или органических растворителях, или их смесях, и порошки. Жидкие или твердые композиции могут содержать подходящие фармацевтически приемлемые вспомогательные вещества, описанные выше. Предпочтительно, такие композиции вводят через ротовые или носовые дыхательные пути для обеспечения местного или системного эффекта. Композиции в предпочтительных фармацевтически приемлемых растворителях можно распылять с помощью инертных газов. Распыленные растворы можно вдыхать непосредственно из распыляющего устройства, или распылительное устройство может быть подключено к маске для лица, тенту или дыхательному аппарату избыточного давления периодического действия. Композиции в растворах, суспензиях или порошках можно вводить, предпочтительно через рот или нос, из устройств, которые обеспечивают доставку лекарственной формы надлежащим образом.Compositions for inhalation or insufflation include solutions and suspensions in pharmaceutically acceptable, aqueous or organic solvents, or mixtures thereof, and powders. Liquid or solid compositions may contain suitable pharmaceutically acceptable excipients as described above. Preferably, such compositions are administered via the oral or nasal airways to provide a local or systemic effect. Compositions in preferred pharmaceutically acceptable solvents can be sprayed with inert gases. Nebulized solutions can be inhaled directly from the nebulizing device, or the nebulizing device can be connected to a face mask, awning, or intermittent positive pressure breathing apparatus. Solution, suspension or powder formulations may be administered, preferably via the mouth or nose, from devices that deliver the dosage form in an appropriate manner.

Другие фармацевтические композицииOther pharmaceutical compositions

Фармацевтические композиции также могут быть получены из композиций, описанных в настоящем документе, и одного или более фармацевтически приемлемых вспомогательных веществ, подходящих для подъязычного, буккального, ректального, внутрикостного, внутриглазного, интраназального, эпидурального или интраспинального введения. Получение таких фармацевтических композиций хорошо известно в данной области. См., например, Anderson, Philip O.; Knoben, James E.; Troutman, William G, eds., Handbook of Clinical Drug Data, Tenth Edition, McGraw-Hill, 2002; Pratt and Taylor, eds., Principles of Drug Action, Third Edition, Churchill Livingston, New York, 1990; Katzung, ed., Basic and Clinical Pharmacology, Ninth Edition, McGraw Hill, 20037ybg; Goodman and Gilman, eds., The Pharmacological Basis of Therapeutics, Tenth Edition, McGraw Hill, 2001; Remingtons Pharmaceutical Sciences, 20th Ed., Lippincott Williams & Wilkins., 2000; Martindale, The Extra Pharmacopoeia, Thirty-Second Edition (The Pharmaceutical Press, London, 1999); полное содержание каждого из них включено в настоящий документ посредством ссылки.Pharmaceutical compositions may also be prepared from the compositions described herein and one or more pharmaceutically acceptable excipients suitable for sublingual, buccal, rectal, intraosseous, intraocular, intranasal, epidural, or intraspinal administration. The preparation of such pharmaceutical compositions is well known in the art. See, for example, Anderson, Philip O.; Knoben, James E.; Troutman, William G, eds., Handbook of Clinical Drug Data, Tenth Edition, McGraw-Hill, 2002; Pratt and Taylor, eds., Principles of Drug Action, Third Edition, Churchill Livingston, New York, 1990; Katzung, ed., Basic and Clinical Pharmacology, Ninth Edition, McGraw Hill, 20037ybg; Goodman and Gilman, eds., The Pharmacological Basis of Therapeutics, Tenth Edition, McGraw Hill, 2001; Remingtons Pharmaceutical Sciences, 20th Ed., Lippincott Williams & Wilkins., 2000; Martindale, The Extra Pharmacopoeia, Thirty-Second Edition (The Pharmaceutical Press, London, 1999); the entire contents of each are incorporated herein by reference.

Введение соединений или фармацевтических композиций согласно настоящему изобретению можно осуществлять любым способом, обеспечивающим доставку соединений к месту их действия. Такие способы включают пероральные способы, интрадуоденальный способ, парентеральную инъекцию (включая внутривенную, внутриартериальную, подкожную, внутримышечную, внутрисосудистую, внутрибрюшинную или инфузию), местное введение (например, трансдермальное применение), ректальное введение, через катетер или стент для локальной доставки или посредством ингаляции. Соединения также можно вводить внутрижировым или интратекальным способом.Administration of the compounds or pharmaceutical compositions of the present invention may be by any means that delivers the compounds to their site of action. Such methods include oral routes, intraduodenal route, parenteral injection (including intravenous, intraarterial, subcutaneous, intramuscular, intravascular, intraperitoneal, or infusion), topical administration (e.g., transdermal application), rectal administration, via a catheter or stent for local delivery, or via inhalation. . The compounds can also be administered intrafatty or intrathecally.

Количество введенного соединения зависит от субъекта, подлежащего лечению, тяжести нарушения или патологического состояния, скорости введения, фармакокинетики соединения и решения лечащего врача. Однако эффективная дозировка находится в диапазоне от примерно 0,001 до примерно 100 мг на кг массы тела в сутки, предпочтительно от примерно 1 до примерно 35 мг/кг/сутки, в однократной или дробных дозах. Для человека массой 70 кг это составляет от примерно 0,05 до 7 г/сутки, предпочтительно от примерно 0,05 до примерно 2,5 г/сутки. В некоторых случаях более уместными могут быть уровни доз, находящиеся ниже нижнего предела вышеуказанного диапазона, тогда как в других случаях могут быть использованы более высокие дозы без возникновения вредного побочного эффекта, например, посредством разделения таких более высоких доз на несколько небольших доз для введения в течение дня.The amount of compound administered will depend on the subject to be treated, the severity of the disorder or condition, the rate of administration, the pharmacokinetics of the compound, and the judgment of the attending physician. However, an effective dosage ranges from about 0.001 to about 100 mg per kg of body weight per day, preferably from about 1 to about 35 mg/kg/day, in single or divided doses. For a 70 kg human this is from about 0.05 to 7 g/day, preferably from about 0.05 to about 2.5 g/day. In some cases, dose levels below the lower end of the above range may be more appropriate, while in other cases higher doses may be used without causing harmful side effects, for example, by dividing such higher doses into several smaller doses to be administered over a period of time. day.

В некоторых вариантах реализации соединение согласно настоящему изобретению вводят в однократной дозе.In some embodiments, a compound of the present invention is administered in a single dose.

Обычно такое введение осуществляют посредством инъекции, например, внутривенной инъекции, для быстрого введения агента. Однако при необходимости можно использовать другие способы. Однократная доза соединения согласно настоящему изобретению может быть использована для лечения острого состояния.Typically, such administration is by injection, eg, intravenous injection, to rapidly administer the agent. However, other methods can be used if necessary. A single dose of a compound of the present invention may be used to treat an acute condition.

- 38 043295- 38 043295

В некоторых вариантах реализации соединение согласно настоящему изобретению вводят в виде нескольких доз. Введение доз можно осуществлять примерно один раз, два раза, три раза, четыре раза, пять раз, шесть раз или более шести раз в сутки. Введение доз можно осуществлять примерно один раз в месяц, один раз в две недели, один раз в неделю или через день. В другом варианте реализации соединение согласно настоящему изобретению и другой агент вводят вместе, примерно от одного раза в сутки до примерно 6 раз в сутки. В другом варианте реализации введение соединения согласно настоящему изобретению и какого-либо агента продолжают менее примерно 7 дней. В другом варианте реализации введение продолжают более примерно 6, 10, 14, 28 дней, двух месяцев, шести месяцев или одного года. В некоторых случаях непрерывное введение доз обеспечивают и сохраняют так долго, как это необходимо.In some embodiments, a compound of the present invention is administered in multiple doses. Dosing can be about once, twice, three times, four times, five times, six times, or more than six times per day. Dosing can be done about once a month, once every two weeks, once a week or every other day. In another embodiment, a compound of the present invention and another agent are administered together, from about once a day to about 6 times a day. In another embodiment, administration of a compound of the present invention and any agent is continued for less than about 7 days. In another embodiment, administration is continued for more than about 6, 10, 14, 28 days, two months, six months, or one year. In some cases, continuous dosing is provided and maintained for as long as necessary.

Введение соединений согласно настоящему изобретению можно продолжать так долго, как это необходимо. В некоторых вариантах реализации соединение согласно настоящему изобретению вводят на протяжении более 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 14 или 28 дней. В некоторых вариантах реализации соединение согласно настоящему изобретению вводят на протяжении менее 28, 14, 7, 6, 5, 4, 3, 2 дней или 1 дня. В некоторых вариантах реализации соединение согласно настоящему изобретению вводят постоянно в непрерывном режиме, например, для лечения хронических заболеваний.Administration of the compounds of the present invention may be continued for as long as necessary. In some embodiments, a compound of the present invention is administered for more than 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 14, or 28 days. In some embodiments, a compound of the present invention is administered for less than 28, 14, 7, 6, 5, 4, 3, 2 days, or 1 day. In some embodiments, a compound of the present invention is administered continuously on a continuous basis, such as for the treatment of chronic diseases.

Эффективное количество соединения согласно настоящему изобретению можно вводить в однократной дозе или в нескольких дозах с использованием любого общепринятого способа введения агентов, имеющих аналогичное действие, включая ректальный, буккальный, интраназальный и трансдермальный способ, внутриартериальные инъекции, внутривенно, интраперитонеально, парентерально, внутримышечно, подкожно, перорально, локально или путем ингаляции.An effective amount of a compound of the present invention may be administered in a single dose or in multiple doses using any conventional route of administration of agents having a similar effect, including rectal, buccal, intranasal and transdermal routes, intra-arterial injections, intravenous, intraperitoneal, parenteral, intramuscular, subcutaneous, orally, topically or by inhalation.

Композиции согласно настоящему изобретению также могут быть доставлены с помощью пропитанных устройств или устройств с покрытием, таких как стент, например, или полимерный цилиндр, вставляемый в артерию. Такой способ введения может, например, способствовать предотвращению или облегчению рестеноза после таких процедур как баллонная ангиопластика. Не ограничиваясь теорией, соединения согласно настоящему изобретению могут замедлять или подавлять миграцию и пролиферацию клеток гладкой мускулатуры в артериальных стенках, которая способствует рестенозу. Соединение согласно настоящему изобретению можно вводить, например, посредством локальной доставки из каркаса стента, из стентового трансплантата, из трансплантатов или из покрытия или оболочки стента. В некоторых вариантах реализации соединение согласно настоящему изобретению смешивают с матрицей. Такая матрица может быть полимерной матрицей и может служить для связывания соединения со стентом. Полимерные матрицы, пригодные для такого применения, включают, например, сложные полиэфиры или сополиэфиры на основе лактона, такие как полилактид, поликапролактонгликолид, полиортоэфиры, полиангидриды, полиаминокислоты, полисахариды, полифосфазены, сополимеры поли(простой эфирсложный эфир) (например, PEO-PLLA); полидиметилсилоксан, поли(этиленвинилацетат), акрилатные полимеры или сополимеры (например, полигидроксиэтилметилметакрилат, поливинилпирролидинон), фторированные полимеры, такие как политетрафторэтилен, и сложные эфиры целлюлозы. Подходящие матрицы могут быть неразлагаемыми или могут разлагаться с течением времени, высвобождая соединение или соединения. Соединения согласно настоящему изобретению могут быть нанесены на поверхность стента различными способами, такими как нанесение покрытия маканием/вращением, нанесение покрытия разбрызгиванием, нанесение покрытия окунанием и/или нанесение покрытия кисточкой. Соединения могут быть нанесены в растворителе, и растворитель может быть затем оставлен для испарения, в результате чего образуется слой соединения на стенте. Альтернативно, соединение может находиться в массе стента или имплантанта, например, в микроканалах или микропорах. При имплантации соединение диффундирует из массы стента и взаимодействует со стенкой артерии. Такие стенты могут быть получены погружением стента, полученного так, что он содержит такие микропоры или микроканалы, в раствор соединения согласно настоящему изобретению в подходящем растворителе, с последующим испарением растворителя. Избыток лекарственного соединения на поверхности стента может быть устранен дополнительным быстрым промыванием в растворителе. В других вариантах реализации соединения согласно настоящему изобретению могут быть ковалентно связаны со стентом или имплантатом. Можно использовать ковалентный линкер, который разлагается in vivo, что приводит к высвобождению соединения согласно настоящему изобретению. Для этих целей можно использовать любой биолабильный линкер, такой как сложноэфирный, амидный или ангидридный линкер. Соединения согласно настоящему изобретению также можно вводить внутрисосудистым способом из баллона, используемого при ангиопластике. Для снижения рестеноза также можно осуществлять экстраваскулярное введение соединений через перикард или посредством адвенциального введения лекарственных форм согласно настоящему изобретению.Compositions of the present invention may also be delivered by impregnated or coated devices such as a stent, for example, or a polymeric cylinder inserted into an artery. Such a route of administration may, for example, help prevent or alleviate restenosis after procedures such as balloon angioplasty. Without being limited by theory, the compounds of the present invention can slow down or inhibit the migration and proliferation of smooth muscle cells in arterial walls that promote restenosis. The compound of the present invention may be administered, for example, by local delivery from a stent scaffold, from a stent graft, from grafts, or from a stent cover or sheath. In some embodiments, a compound of the present invention is mixed with a matrix. Such a matrix may be a polymeric matrix and may serve to bind the compound to the stent. Suitable polymer matrices for such applications include, for example, lactone based polyesters or copolyesters such as polylactide, polycaprolactone glycolide, polyorthoesters, polyanhydrides, polyamino acids, polysaccharides, polyphosphazenes, poly(ether ester) copolymers (e.g. PEO-PLLA) ; polydimethylsiloxane, poly(ethylene vinyl acetate), acrylate polymers or copolymers (eg polyhydroxyethyl methacrylate, polyvinyl pyrrolidinone), fluorinated polymers such as polytetrafluoroethylene, and cellulose esters. Suitable matrices may be non-degradable or may degrade over time, releasing the compound or compounds. The compounds of the present invention can be applied to the surface of the stent in a variety of ways, such as dip/roll coating, spray coating, dip coating, and/or brush coating. Compounds may be applied in a solvent and the solvent may then be allowed to evaporate, resulting in a layer of compound on the stent. Alternatively, the compound may reside within the body of the stent or implant, such as microchannels or micropores. Upon implantation, the compound diffuses out of the stent mass and interacts with the arterial wall. Such stents can be prepared by immersing a stent prepared such that it contains such micropores or microchannels in a solution of a compound of the present invention in a suitable solvent, followed by evaporation of the solvent. Excess drug on the stent surface can be removed by an additional quick rinse in solvent. In other embodiments, the compounds of the present invention may be covalently linked to a stent or implant. You can use a covalent linker that degrades in vivo, resulting in the release of the compounds according to the present invention. Any biolabile linker can be used for this purpose, such as an ester, amide or anhydride linker. The compounds of the present invention can also be administered intravascularly from an angioplasty balloon. Extravascular administration of compounds through the pericardium or via adventitious administration of dosage forms according to the present invention can also be carried out to reduce restenosis.

Различные стентовые устройства, которые можно использовать так, как описано в данном документе, описаны, например, в следующих ссылках, которые включены в настоящий документ посредством ссылки: патент США № 5451233; патент США № 5040548; патент США № 5061273; патент США №Various stent devices that can be used as described herein are described, for example, in the following references, which are incorporated herein by reference: US Pat. No. 5,451,233; US patent No. 5040548; US patent No. 5061273; US Patent No.

5496346; патент США № 5292331; патент США № 5674278; патент США № 3657744; патент США №5496346; US patent No. 5292331; US patent No. 5674278; US patent No. 3657744; US Patent No.

4739762; патент США № 5195984; патент США № 5292331; патент США № 5674278; патент США №4739762; US patent No. 5195984; US patent No. 5292331; US patent No. 5674278; US Patent No.

5879382; патент США № 6344053.5879382; US patent No. 6344053.

- 39 043295- 39 043295

Соединения согласно настоящему изобретению можно вводить дозами. В данной области техники известно, что вследствие межиндивидуальной вариабельности фармакокинетики соединения, для оптимального лечения необходима индивидуализация схемы введения доз. Введение соединения согласно настоящему изобретению может быть установлено с помощью стандартных экспериментов с учетом настоящего описания.Compounds according to the present invention can be administered doses. It is known in the art that, due to inter-individual variability in the pharmacokinetics of a compound, individualization of the dosage regimen is necessary for optimal treatment. The introduction of the compounds according to the present invention can be established using standard experiments in view of the present description.

При введении соединения согласно настоящему изобретению в композиции, которая содержит один или более агентов, и если указанный агент имеет более короткий период полувыведения, чем соединение согласно настоящему изобретению, то можно соответствующим образом корректировать разовые лекарственные формы указанного агента и соединения согласно настоящему изобретению.When a compound of the present invention is administered in a composition that contains one or more agents, and if said agent has a shorter half-life than the compound of the present invention, the unit dosage forms of said agent and the compound of the present invention can be adjusted accordingly.

Рассматриваемая фармацевтическая композиция может, например, быть в форме, подходящей для перорального введения, такой как таблетка, капсула, пилюля, порошок, композиции с устойчивым высвобождением, раствор, суспензия, для парентеральной инъекции в виде стерильного раствора, суспензии или эмульсии, для местного введения в виде мази или крема, или для ректального введения в виде суппозитория. Фармацевтическая композиция может быть в разовых лекарственных формах, подходящих для однократного введения точных доз. Фармацевтическая композиция содержит стандартный фармацевтический носитель или вспомогательное вещество, а также соединение согласно настоящему изобретению в качестве активного ингредиента. Кроме того, она может содержать другие медицинские или фармацевтические агенты, носители, адъюванты и т.д.The pharmaceutical composition in question may, for example, be in a form suitable for oral administration, such as a tablet, capsule, pill, powder, sustained release formulation, solution, suspension, for parenteral injection as a sterile solution, suspension or emulsion, for topical administration. as an ointment or cream, or for rectal administration as a suppository. The pharmaceutical composition may be in unit dosage forms suitable for single administration of precise doses. The pharmaceutical composition contains a standard pharmaceutical carrier or excipient, as well as a compound according to the present invention as an active ingredient. In addition, it may contain other medical or pharmaceutical agents, carriers, adjuvants, etc.

Примеры форм для парентерального введения включают растворы или суспензии активного соединения в стерильных водных растворах, например, в водных растворах пропиленгликоля или декстрозы. Такие лекарственные формы могут быть при необходимости забуферены надлежащим образом.Examples of forms for parenteral administration include solutions or suspensions of the active compound in sterile aqueous solutions, for example aqueous solutions of propylene glycol or dextrose. Such dosage forms may be suitably buffered if necessary.

Способы примененияApplication methods

Способ обычно включает введение субъекту терапевтически эффективного количества соединения согласно настоящему изобретению. Терапевтически эффективное количество рассматриваемой комбинации соединений может варьироваться в зависимости от предполагаемого применения (in vitro или in vivo) или от субъекта и болезненного состояния, подлежащего лечению, например, массы и возраста субъекта, тяжести болезненного состояния, способа введения и т.п., и может быть без труда установлено специалистом в данной области техники. Указанный термин также относится к дозе, вызывающей определенный ответ в клетках-мишенях, например снижение пролиферации или понижающую регуляцию активности белка-мишени. Конкретная доза варьируется в зависимости от конкретных выбранных соединений, соблюдаемых схем введения, возможности введения в комбинации с другими соединениями, времени введения, ткани, в которую осуществляют введение, и физической системы доставки, в которой она находится.The method typically comprises administering to a subject a therapeutically effective amount of a compound of the present invention. A therapeutically effective amount of the combination of compounds in question may vary depending on the intended use (in vitro or in vivo) or on the subject and disease state being treated, for example, the weight and age of the subject, the severity of the disease state, the route of administration, etc., and can be easily installed by a person skilled in the art. This term also refers to a dose that causes a specific response in target cells, such as reduced proliferation or down-regulation of target protein activity. The specific dosage will vary depending on the specific compounds selected, the administration schedules followed, the possibility of administration in combination with other compounds, the time of administration, the tissue being administered, and the physical delivery system in which it is located.

В данном контексте термин IC50 относится к полумаксимальной ингибирующей концентрации ингибитора при ингибировании биологической или биохимической функции. Указанное количественное значение означает, сколько конкретного ингибитора необходимо для ингибирования данного биологического процесса (или компонента процесса, т.е. фермента, клетки, клеточного рецептора или микроорганизма) наполовину. Другими словами, она представляет собой полумаксимальную (50%) ингибирующую концентрацию (IC) вещества (50% IC или IC50). EC50 относится к концентрации в плазме, необходимой для достижения 50% максимального эффекта in vivo.In this context, the term IC50 refers to the half-maximal inhibitory concentration of an inhibitor when inhibiting a biological or biochemical function. The specified quantitative value means how much of a particular inhibitor is needed to inhibit a given biological process (or component of the process, i.e. enzyme, cell, cell receptor or microorganism) by half. In other words, it represents the half-maximal (50%) inhibitory concentration (IC) of the substance (50% IC or IC50). EC50 refers to the plasma concentration required to achieve 50% of the maximum effect in vivo.

В некоторых вариантах реализации в предложенных способах используют ингибитор PRMT5 со значением IC50, которое примерно равно или меньше заранее определенного значения, установленного в анализе in vitro. В некоторых вариантах реализации ингибитор PRMT5 ингибирует PRMT5 со значением IC50 примерно 1 нМ или менее, 2 нМ или менее, 5 нМ или менее, 7 нМ или менее, 10 нМ или менее, 20 нМ или менее, 30 нМ или менее, 40 нМ или менее, 50 нМ или менее, 60 нМ или менее, 70 нМ или менее, 80 нМ или менее, 90 нМ или менее, 100 нМ или менее, 120 нМ или менее, 140 нМ или менее, 150 нМ или менее, 160 нМ или менее, 170 нМ или менее, 180 нМ или менее, 190 нМ или менее, 200 нМ или менее, 225 нМ или менее, 250 нМ или менее, 275 нМ или менее, 300 нМ или менее, 325 нМ или менее, 350 нМ или менее, 375 нМ или менее, 400 нМ или менее, 425 нМ или менее, 450 нМ или менее, 475 нМ или менее, 500 нМ или менее, 550 нМ или менее, 600 нМ или менее, 650 нМ или менее, 700 нМ или менее, 750 нМ или менее, 800 нМ или менее, 850 нМ или менее, 900 нМ или менее, 950 нМ или менее, 1 мкМ или менее, 1,1 мкМ или менее, 1,2 мкМ или менее, 1,3 мкМ или менее, 1,4 мкМ или менее, 1,5 мкМ или менее, 1,6 мкМ или менее, 1,7 мкМ или менее, 1,8 мкМ или менее, 1,9 мкМ или менее, 2 мкМ или менее, 5 мкМ или менее, 10 мкМ или менее, 15 мкМ или менее, 20 мкМ или менее, 25 мкМ или менее, 30 мкМ или менее, 40 мкМ или менее, 50 мкМ, 60 мкМ, 70 мкМ, 80 мкМ, 90 мкМ, 100 мкМ, 200 мкМ, 300 мкМ, 400 мкМ, или 500 мкМ или менее (или со значением в диапазоне, определенном любыми двумя вышеуказанными значениями и включающем их).In some embodiments, the proposed methods use a PRMT5 inhibitor with an IC50 value that is approximately equal to or less than a predetermined value set in an in vitro assay. In some embodiments, the PRMT5 inhibitor inhibits PRMT5 with an IC50 value of about 1 nM or less, 2 nM or less, 5 nM or less, 7 nM or less, 10 nM or less, 20 nM or less, 30 nM or less, 40 nM, or less than, 50 nM or less, 60 nM or less, 70 nM or less, 80 nM or less, 90 nM or less, 100 nM or less, 120 nM or less, 140 nM or less, 150 nM or less, 160 nM or less less, 170 nM or less, 180 nM or less, 190 nM or less, 200 nM or less, 225 nM or less, 250 nM or less, 275 nM or less, 300 nM or less, 325 nM or less, 350 nM or less less, 375 nM or less, 400 nM or less, 425 nM or less, 450 nM or less, 475 nM or less, 500 nM or less, 550 nM or less, 600 nM or less, 650 nM or less, 700 nM or less less, 750 nM or less, 800 nM or less, 850 nM or less, 900 nM or less, 950 nM or less, 1 μM or less, 1.1 μM or less, 1.2 μM or less, 1.3 μM or less, 1.4 μM or less, 1.5 μM or less, 1.6 μM or less, 1.7 μM or less, 1.8 μM or less, 1.9 μM or less, 2 μM or less, 5 µM or less, 10 µM or less, 15 µM or less, 20 µM or less, 25 µM or less, 30 µM or less, 40 µM or less, 50 µM, 60 µM, 70 µM, 80 µM, 90 µM, 100 μM, 200 μM, 300 μM, 400 μM, or 500 μM or less (or a value in the range defined by and including any two of the above).

В некоторых вариантах реализации ингибитор PRMT5 селективно ингибирует PRMT5 со значением IC50, которое по меньшей мере в 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 15, 20, 25, 30, 35, 40, 45, 50, 100 или 1000 раз меньше (или со значением в диапазоне, определенном любыми двумя вышеуказанными значениями и включающем их), чем его значение IC50 в отношении одного, двух или трех других PRMT.In some embodiments, the PRMT5 inhibitor selectively inhibits PRMT5 with an IC50 value that is at least 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 15, 20, 25, 30, 35, 40, 45, 50, 100 or 1000 times less (or with a value in the range defined by and including any two of the above values) than its IC50 value against one, two or three other PRMTs.

В некоторых вариантах реализации ингибитор PRMT5 селективно ингибирует PRMT5 со значениемIn some embodiments, the PRMT5 inhibitor selectively inhibits PRMT5 with a value

- 40 043295- 40 043295

IC50, которое составляет менее примерно 1 нМ, 2 нМ, 5 нМ, 7 нМ, 10 нМ, 20 нМ, 30 нМ, 40 нМ, 50 нМ, 60 нМ, 70 нМ, 80 нМ, 90 нМ, 100 нМ, 120 нМ, 140 нМ, 150 нМ, 160 нМ, 170 нМ, 180 нМ, 190 нМ, 200 нМ, 225 нМ, 250 нМ, 275 нМ, 300 нМ, 325 нМ, 350 нМ, 375 нМ, 400 нМ, 425 нМ, 450 нМ, 475 нМ, 500 нМ, 550 нМ, 600 нМ, 650 нМ, 700 нМ, 750 нМ, 800 нМ, 850 нМ, 900 нМ, 950 нМ, 1 мкМ, 1,1 мкМ, 1,2 мкМ, 1,3 мкМ, 1,4 мкМ, 1,5 мкМ, 1,6 мкМ, 1,7 мкМ, 1,8 мкМ, 1,9 мкМ, 2 мкМ, 5 мкМ, 10 мкМ, 15 мкМ, 20 мкМ, 25 мкМ, 30 мкМ, 40 мкМ, 50 мкМ, 60 мкМ, 70 мкМ, 80 мкМ, 90 мкМ, 100 мкМ, 200 мкМ, 300 мкМ, 400 мкМ или 500 мкМ (или в диапазоне, определенном любыми двумя вышеуказанными значениями и включающем их), и указанное значение IC50 по меньшей мере в 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 15, 20, 25, 30, 35, 40, 45, 50, 100 или 1000 раз меньше (или значение в диапазоне, определенном любыми двумя вышеуказанными значениями и включающем их), чем его значение IC50 в отношении одного, двух или трех других PRMT.IC50 that is less than about 1 nM, 2 nM, 5 nM, 7 nM, 10 nM, 20 nM, 30 nM, 40 nM, 50 nM, 60 nM, 70 nM, 80 nM, 90 nM, 100 nM, 120 nM 140nM, 150nM, 160nM, 170nM, 180nM, 190nM, 200nM, 225nM, 250nM, 275nM, 300nM, 325nM, 350nM, 375nM, 400nM 425 nM, 450 nM, 475 nM, 500 nM, 550 nM, 600 nM, 650 nM, 700 nM, 750 nM, 800 nM, 850 nM, 900 nM, 950 nM, 1 µM, 1.1 µM, 1.2 µM, 1, 3 µM, 1.4 µM, 1.5 µM, 1.6 µM, 1.7 µM, 1.8 µM, 1.9 µM, 2 µM, 5 µM, 10 µM, 15 µM, 20 µM, 25 µM , 30 µM, 40 µM, 50 µM, 60 µM, 70 µM, 80 µM, 90 µM, 100 µM, 200 µM, 300 µM, 400 µM, or 500 µM (or in the range defined by and including any two of the above values) , and a specified IC50 value of at least 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 15, 20, 25, 30, 35, 40, 45, 50, 100, or 1000 times less (or value in the range defined by and including any two of the above values) than its IC50 value for one, two or three other PRMTs.

Предложенные способы пригодны для лечения болезненного состояния, связанного с PRMT5. Любое болезненное состояние, которое напрямую или опосредованно возникает в результате патологической активности или уровня экспрессии PRMT5, может представлять собой предусмотренное болезненное состояние.The proposed methods are suitable for the treatment of a disease state associated with PRMT5. Any disease state that directly or indirectly results from pathological activity or expression level of PRMT5 may be an envisaged disease state.

Описаны различные болезненные состояния, связанные с PRMT5. Например, PRMT5 участвует в различных раковых заболеваниях человека, а также во многих гемоглобинопатиях.Various disease states associated with PRMT5 have been described. For example, PRMT5 is involved in various human cancers, as well as in many hemoglobinopathies.

Неограничивающие примеры таких состояний включают, но не ограничиваются ими, акантому, ацинозно-клеточную карциному, невриному слухового нерва, акральную лентигинозную меланому, акроспирому, острый эозинофильный лейкоз, острый лимфобластный лейкоз, острый лимфоцитарный лейкоз, острый мегакариобластный лейкоз, острый лейкоз миелобластов с созреванием, острый миелоидный лейкоз дендритных клеток, острый миелоидный лейкоз, острый миелогенный лейкоз, острый промиелоцитарный лейкоз, адамантиному, аденокарциному, аденоидно-кистозную карциному, аденому, аденоматоидную одонтогенную опухоль, адренокортикальную карциному, T-клеточный лейкоз взрослых, агрессивный NK-клеточный лейкоз, раковые заболевания, связанные со СПИДом, лимфому, связанную со СПИДом, альвеолярную саркому мягких тканей, амелобластную фиброму, анальный рак, анапластическую крупноклеточную лимфому, анапластический рак щитовидной железы, ангиоиммунобластную Tклеточную лимфому, ангиомиолипому, ангиосаркому, рак аппендикса, астроцитому, атипичную тератоидную рабдоидную опухоль, базальноклеточную карциному, базальноподобную карциному, Bклеточный лейкоз, B-клеточную лимфому, карцинома протока Беллини, рак желчных путей, рак мочевого пузыря, бластому, рак кости, опухоль кости, глиому ствола мозга, опухоль головного мозга, рак молочной железы, опухоль Бреннера, бронхиальную опухоль, бронхиолоальвеолярную карциному, бурую опухоль, лимфому Беркитта, рак без выявленного первичного очага, карциноидную опухоль, карциному, карциному in situ, карциному пениса, карциному без выявленного первичного очага, карциносаркому, болезнь Кастлемана, эмбриональную опухоль центральной нервной системы, церебеллярную астроцитому, церебральную астроцитому, рак шейки матки, холангиокарциному, хондрому, хондросаркому, хордому, хориокарциному, папиллому хориоидного сплетения, хронический лимфоцитарный лейкоз, хронический моноцитарный лейкоз, хронический миелогенный лейкоз, хроническое миелопролиферативное нарушение, хронический нейтрофильный лейкоз, опухоль прозрачных клеток, рак толстой кишки, рак толстой и ободочной кишок, краниофарингеому, кожную T-клеточную лимфому, болезнь Дегоса, возвышающуюся дерматофибросаркому, дермоидную кисту, десмопластическую мелкокруглоклеточную опухоль, диффузную B-крупноклеточную лимфому, дизэмбриопластическую нейроэпителиальную опухоль, эмбриональную карциному, опухоль эндодермального синуса, рак эндометрия, эндометриальный рак матки, эндометриоидную опухоль, T-клеточную лимфому энтеропатического типа, эпендимобластому, эпендимому, эпидермоидный рак, эпителиоидную саркому, эритролейкоз, рак пищевода, эстезионейробластому, опухоль семейства Юинга, саркому семейства Юинга, саркому Юинга, экстракраниальную герминогенную опухоль, внегонадную опухоль зародышевых клеток, рак внепеченочных желчных протоков, экстрамаммарную болезнь Педжета, рак фаллопиевых труб, утробный плод в плоде, фиброму, фибросаркому, фолликулярную лимфому, фолликулярный рак щитовидной железы, рак желчного пузыря, рак желчного пузыря, ганглиоглиому, ганглионеврому, рак желудка, лимфому желудка, рак желудочно-кишечного тракта, карциноидную опухоль желудочно-кишечного тракта, стромальную опухоль желудочно-кишечного тракта, стромальную опухоль желудочно-кишечного тракта, опухоль зародышевых клеток, герминому, хориокарциному матки, гестационную трофобластическую опухоль, гигантоклеточную гломусную опухоль, глюкагоному, гонадобластому, гранулезоклеточную опухоль, волосатоклеточный лейкоз, рак головы и шеи, рак головы и шеи, рак сердца, гемоглобинопатии, такие как b-талассемия и серповидно-клеточная болезнь (SCD), гемангиобластому, гемангиоперицитому, гемангиосаркому, гематологические злокачественные новообразования, гепатоцеллюлярную карциному, гепатоспленическую T-клеточную лимфому, наследственный синдром рака молочной железы и яичников, лимфому Ходжкина, лимфома Ходжкина, гипофарингеальный рак, гипоталамическую глиому, отёчноинфильтративный рак молочной железы, интраокулярную меланомагипофариному, карциному островковых клеток, опухоль островковых клеток, ювенильный миеломоноцитарный лейкоз, саркому Капоши, саркому Капоши, рак почки, опухоль Клацкина, опухоль Крукенберга, рак гортани, рак гортани, меланоNon-limiting examples of such conditions include, but are not limited to, acanthoma, acinar cell carcinoma, acoustic neuroma, acral lentiginous melanoma, acrospiroma, acute eosinophilic leukemia, acute lymphoblastic leukemia, acute lymphocytic leukemia, acute megakaryoblastic leukemia, maturation acute myeloblast leukemia, acute myeloid dendritic cell leukemia, acute myeloid leukemia, acute myelogenous leukemia, acute promyelocytic leukemia, adamantine, adenocarcinoma, adenoid cystic carcinoma, adenoma, adenomatoid odontogenic tumor, adrenocortical carcinoma, adult T-cell leukemia, aggressive NK-cell leukemia, cancers AIDS-associated lymphoma, alveolar soft tissue sarcoma, ameloblastic fibroma, anal cancer, anaplastic large cell lymphoma, anaplastic thyroid cancer, angioimmunoblastic T-cell lymphoma, angiomyolipoma, angiosarcoma, appendix cancer, astrocytoma, atypical teratoid rhabdoid tumor, basal cellular carcinoma, basal-like carcinoma, B-cell leukemia, B-cell lymphoma, Bellini duct carcinoma, biliary tract cancer, bladder cancer, blastoma, bone cancer, bone tumor, brainstem glioma, brain tumor, breast cancer, Brenner tumor, bronchial tumor , bronchial alveolar carcinoma, brown tumor, Burkitt's lymphoma, cancer without identified primary focus, carcinoid tumor, carcinoma, carcinoma in situ, penile carcinoma, carcinoma without identified primary focus, carcinosarcoma, Castleman's disease, embryonic tumor of the central nervous system, cerebellar astrocytoma, cerebral astrocytoma , cervical cancer, cholangiocarcinoma, chondroma, chondrosarcoma, chordoma, choriocarcinoma, choroid plexus papilloma, chronic lymphocytic leukemia, chronic monocytic leukemia, chronic myelogenous leukemia, chronic myeloproliferative disorder, chronic neutrophilic leukemia, clear cell tumor, colon cancer, colon cancer and colon, craniopharyngeoma, leather t-cell lymphoma, dermatofibrosarcoma, a dermoid cyst, a desmoplastic small-blade tumor, diffuser b-circuelic lymphoma, dizambotic neuroepithelial tumor, an embryo-elastic tumor, an embryo-elastic tumor. dermal sinus, endometrial cancer, endometrial uterine cancer, endometrioid tumor , enteropathic T-cell lymphoma, ependymoblastoma, ependymoma, epidermoid carcinoma, epithelioid sarcoma, erythroleukemia, esophageal cancer, esthesioneuroblastoma, Ewing family tumor, Ewing family sarcoma, Ewing sarcoma, extracranial germ cell tumor, extragonadal germ cell tumor, extrahepatic bile duct cancer, extramammary Paget's disease, fallopian tube cancer, fetal fetus in fetus, fibroma, fibrosarcoma, follicular lymphoma, follicular thyroid cancer, gallbladder cancer, gallbladder cancer, ganglioglioma, ganglioneuroma, gastric cancer, gastric lymphoma, gastrointestinal cancer, carcinoid gastrointestinal tract tumor, gastrointestinal stromal tumor, gastrointestinal stromal tumor, germ cell tumor, germ cell tumor, uterine choriocarcinoma, gestational trophoblastic tumor, giant cell glomus tumor, glucagonoma, gonadoblastoma, granulosa cell tumor, hairy cell leukemia, head cancer and neck, head and neck cancer, heart cancer, hemoglobinopathies such as b-thalassemia and sickle cell disease (SCD), hemangioblastoma, hemangiopericytoma, hemangiosarcoma, hematologic malignancies, hepatocellular carcinoma, hepatosplenic T-cell lymphoma, hereditary breast cancer syndrome and ovary, Hodgkin's lymphoma, Hodgkin's lymphoma, hypopharyngeal cancer, hypothalamic glioma, edematous infiltrative breast cancer, intraocular melanomahypopharynoma, islet cell carcinoma, islet cell tumor, juvenile myelomonocytic leukemia, Kaposi's sarcoma, Kaposi's sarcoma, kidney cancer, Klatskin's tumor, Krukenberg's tumor, laryngeal cancer, laryngeal cancer, melano

- 41 043295 му типа злокачественного лентиго, лейкоз, рак губы и полости рта, липосаркому, рак легкого, лютеому, лимфангиому, лимфангиосаркому, лимфоэпителиому, лимфолейкоз, лимфому, макроглобулинемию, злокачественную фиброзную гистиоцитому, злокачественную фиброзную гистиоцитому, злокачественная фиброзную гистиоцитому кости, злокачественную глиому, злокачественную мезотелиому, злокачественную опухоль оболочки периферических нервов, злокачественную рабдоидную опухоль, злокачественная тритон-опухоль, лимфому MALT, мантийноклеточную лимфому, тучноклеточный лейкоз, мастоцитоз, герминогенную опухоль средостения, медиастинальную опухоль, медуллярный рак щитовидной железы, медуллобластому, медуллобластому, медуллоэпителиому, меланому, меланому, менингиому, карциному из клеток Меркеля, мезотелиому, мезотелиому, метастатический плоскоклеточный рак шеи неизвестного происхождения, метастатическую уротелиальную карциному, смешанную опухоль Мюллера, моноцитарный лейкоз, рак рта, слизеобразующую опухоль, синдром множественной эндокринной неоплазии, множественную миелому, множественную миелому, фунгоидный микоз, фунгоидный микоз, заболевание миелодисплазии, синдромы миелодисплазии, миелоидный лейкоз, миелоидную саркому, миелопролиферативное заболевание, миксому, рак носовой полости, рак носоглотки, карциному носоглотки, неоплазму, невриному, нейробластому, нейробластому, нейрофиброму, неврому, узловую меланому, неходжкинскую лимфому, неходжкинскую лимфому, немеланомный рак кожи, немелкоклеточный рак легкого, глазную онкологию, олигоастроцитому, олигодендроглиому, онкоцитому, менингиому влагалища зрительного нерва, рак полости рта, рак полости рта, рак ротоглотки, остеосаркому, остеосаркому, рак яичника, рак яичника, эпителиальный рак яичника, эмбрионально-клеточную опухоль яичников, пограничную опухоль яичника, болезнь Педжета молочной железы, опухоль Панкоста, рак поджелудочной железы, рак поджелудочной железы, папиллярный рак щитовидной железы, папилломатоз, параганглиому, рак околоносовых пазух, рак паращитовидной железы, рак пениса, околососудистую опухоль из эпителиоидных клеток, рак глотки, феохромоцитому, шишковидная паренхиматозную опухоль промежуточной дифференцировки, пинеобластому, питуицитому, аденому гипофиза, опухоль гипофиза, новообразования из плазматических клеток, плевролёгочную бластому, полиэмбриома, лимфобластную лимфому из предшественников T-клеток, первичную лимфому центральной нервной системы, первичную выпотную лимфому, первичный гепатоцеллюлярный рак, первичный рак печени, первичный перитонеальный рак, примитивную нейроэктодермальную опухоль, рак предстательной железы, псевдомиксому брюшины, рак прямой кишки, почечно-клеточную карциному, карциному дыхательных путей с участием гена NUT на 15 хромосоме, ретинобластому, рабдомиому, рабдомиосаркому, трансформация Рихтера, крестцово-копчиковую тератому, рак слюнных желез, саркому, шванноматоз, карциному сальных желез, вторичное новообразование, семиному, серозную опухоль, опухоль из клеток СертолиЛейдига, опухоль стромы полового тяжа яичников, синдром Сезари, перстневидно-клеточную карциному, мелкоклеточную лимфому, рак тонкого кишечника, саркому мягких тканей, соматостатиному, рак трубочистов, опухоль спинного мозга, опухоль позвоночника, лимфому маргинальной зоны селезёнки, плоскоклеточную карциному, рак желудка, поверхностную распространяющуюся меланому, супратенториальную примитивную нейроэктодермальную опухоль, поверхностную эпителиально-стромальную опухоль, синовиальную саркому, T-клеточный острый лимфобластный лейкоз, T-клеточный лейкоз крупных гранулярных лимфоцитов, T-клеточный лейкоз, T-клеточную лимфому, T-клеточный пролимфоцитарный лейкоз, тератому, терминальный лимфатический рак, рак яичек, текому, рак горла, карцинома тимуса, тимому, рак щитовидной железы, переходно-клеточный рак почечной лоханки и мочеточника, переходно-клеточную карциному, рак мочеиспускательного канала, рак уретры, урогенитальное новообразование, саркому матки, увеальную меланому, рак влагалища, синдром Вернера-Моррисона, веррукозную карциному, карциному зрительного пути, рак вульвы, макроглобулинемию Вальденстрема, опухоль Вартина, опухоль Вильмса или любую их комбинацию.- 41 043295 mu-type malignant lentigo, leukemia, cancer of the lip and mouth, liposarcoma, lung cancer, luteoma, lymphangioma, lymphangiosarcoma, lymphoepithelioma, lymphocytic leukemia, lymphoma, macroglobulinemia, malignant fibrous histiocytoma, malignant fibrous histiocytoma, malignant fibrous histiocytoma of bone, malignant glioma , malignant mesothelioma, malignant peripheral nerve sheath tumor, malignant rhabdoid tumor, malignant newt tumor, MALT lymphoma, mantle cell lymphoma, mast cell leukemia, mastocytosis, mediastinal germ cell tumor, mediastinal tumor, medullary thyroid cancer, medulloblastoma, medulloblastoma, medulloepithelioma, melanoma, melanoma, meningioma, Merkel cell carcinoma, mesothelioma, mesothelioma, metastatic squamous cell carcinoma of the neck of unknown origin, metastatic urothelial carcinoma, mixed Muller's tumor, monocytic leukemia, cancer of the mouth, mucoid tumor, multiple endocrine neoplasia syndrome, multiple myeloma, multiple myeloma, mycosis fungoides , fungoid mycosis, myelodysplasia disease, myelodysplasia syndromes, myeloid leukemia, myeloid sarcoma, myeloproliferative disease, myxoma, nasal cavity cancer, nasopharyngeal cancer, nasopharyngeal carcinoma, neoplasm, neurinoma, neuroblastoma, neuroblastoma, neurofibroma, neuroma, nodular melanoma, non-Hodgkin's lymphoma, non-Hodgkin lymphoma, non-melanoma skin cancer, non-small cell lung cancer, ocular oncology, oligoastrocytoma, oligodendroglioma, oncocytoma, optic nerve sheath meningioma, oral cavity cancer, oral cavity cancer, oropharyngeal cancer, osteosarcoma, osteosarcoma, ovarian cancer, ovarian cancer, epithelial ovarian cancer, embryonic Ovarian cell tumor, borderline ovarian tumor, Paget's disease of the breast, Pancoast tumor, pancreatic cancer, pancreatic cancer, papillary thyroid cancer, papillomatosis, paraganglioma, paranasal sinus cancer, parathyroid cancer, penis cancer, perivascular tumor of epithelioid cells , pharyngeal cancer, pheochromocytoma, pineal parenchymal tumor of intermediate differentiation, pineoblastoma, pituicytoma, pituitary adenoma, pituitary tumor, plasma cell neoplasms, pleuropulmonary blastoma, polyembryoma, progenitor T-cell lymphoblastic lymphoma, primary central nervous system lymphoma, primary effusion lymphoma, primary hepatocellular carcinoma, primary liver cancer, primary peritoneal carcinoma, primitive neuroectodermal tumor, prostate cancer, peritoneal pseudomyxoma, rectal cancer, renal cell carcinoma, respiratory tract carcinoma with the NUT gene on chromosome 15, retinoblastoma, rhabdomyoma, rhabdomyosarcoma, transformation Richter, sacrococcygeal teratoma, salivary gland cancer, sarcoma, schwannomatosis, sebaceous carcinoma, secondary neoplasm, seminoma, serous tumor, Sertoli Leydig cell tumor, ovarian sex cord stromal tumor, Cesari syndrome, cricoid cell carcinoma, small cell lymphoma, cancer small intestine, soft tissue sarcoma, somatostatinoma, chimney sweep cancer, spinal cord tumor, spinal tumor, splenic marginal zone lymphoma, squamous cell carcinoma, gastric cancer, superficial spreading melanoma, supratentorial primitive neuroectodermal tumor, superficial epithelial-stromal tumor, synovial sarcoma, T- cellular acute lymphoblastic leukemia, large granular lymphocyte T-cell leukemia, T-cell leukemia, T-cell lymphoma, T-cell prolymphocytic leukemia, teratoma, terminal lymphatic carcinoma, testicular cancer, tecoma, throat cancer, thymus carcinoma, thymoma, thyroid cancer glands, transitional cell carcinoma of the renal pelvis and ureter, transitional cell carcinoma, urethral cancer, urethral cancer, urogenital neoplasm, uterine sarcoma, uveal melanoma, vaginal cancer, Werner-Morrison syndrome, verrucous carcinoma, optic pathway carcinoma, vulvar cancer, Waldenstrom's macroglobulinemia, Wartin's tumor, Wilms' tumor, or any combination thereof.

В некоторых вариантах реализации указанный способ предназначен для лечения заболевания, выбранного из группы, состоящей из опухолевого ангиогенеза, хронического воспалительного заболевания, такого как ревматоидный артрит, атеросклероза, воспалительного заболевания кишечника, кожных заболеваний, таких как псориаз, экзема и склеродермия, сахарного диабета, диабетической ретинопатии, ретинопатии недоношенных, возрастной дегенерации желтого пятна, гемангиомы, глиомы, меланомы, саркомы Капоши и рака яичников, молочной железы, легких, поджелудочной железы, предстательной железы, толстой кишки и эпидермоидного рака.In some embodiments, said method is for the treatment of a disease selected from the group consisting of tumor angiogenesis, a chronic inflammatory disease such as rheumatoid arthritis, atherosclerosis, inflammatory bowel disease, skin diseases such as psoriasis, eczema and scleroderma, diabetes mellitus, diabetic retinopathy, retinopathy of prematurity, age-related macular degeneration, hemangioma, glioma, melanoma, Kaposi's sarcoma and cancer of the ovary, breast, lung, pancreas, prostate, colon and epidermoid cancer.

В некоторых вариантах реализации указанный способ предназначен для лечения заболевания, выбранного из рака молочной железы, рака легких, рака поджелудочной железы, рака предстательной железы, рака толстой кишки, рака яичника, рака матки, рака шейки матки, лейкоза, такого как острый миелоидный лейкоз (AML), острый лимфоцитарный лейкоз, хронический лимфоцитарный лейкоз, хронический миелоидный лейкоз, волосатоклеточный лейкоз, миелодисплазии, миелопролиферативных нарушений, острого миелогенного лейкоза (AML), хронического миелогенного лейкоза (CML), мастоцитоза, хронического лимфоцитарного лейкоза (CLL), множественной миеломы (MM), миелодиспластического синдрома (MDS), эпидермоидного рака или гемоглобинопатии, таких как b-талассемия и серповидноклеточная болезнь (SCD).In some embodiments, said method is for the treatment of a disease selected from breast cancer, lung cancer, pancreatic cancer, prostate cancer, colon cancer, ovarian cancer, uterine cancer, cervical cancer, leukemia such as acute myeloid leukemia ( AML), acute lymphocytic leukemia, chronic lymphocytic leukemia, chronic myeloid leukemia, hairy cell leukemia, myelodysplasia, myeloproliferative disorders, acute myelogenous leukemia (AML), chronic myelogenous leukemia (CML), mastocytosis, chronic lymphocytic leukemia (CLL), multiple myeloma (MM ), myelodysplastic syndrome (MDS), epidermoid cancer, or hemoglobinopathies such as b-thalassemia and sickle cell disease (SCD).

В других вариантах реализации указанный способ предназначен для лечения заболевания, выбран- 42 043295 ного из рака молочной железы, рака легких, рака поджелудочной железы, рака предстательной железы, рака толстой кишки, рака яичника, рака матки или рака шейки матки.In other embodiments, said method is for treating a disease selected from breast cancer, lung cancer, pancreatic cancer, prostate cancer, colon cancer, ovarian cancer, uterine cancer, or cervical cancer.

В других вариантах реализации указанный способ предназначен для лечения заболевания, выбранного из лейкоза, такого как острый миелоидный лейкоз (AML), острый лимфоцитарный лейкоз, хронический лимфоцитарный лейкоз, хронический миелоидный лейкоз, волосатоклеточный лейкоз, миелодисплазии, миелопролиферативных нарушений, острого миелогенного лейкоза (AML), хронического миелогенного лейкоза (CML), мастоцитоза, хронического лимфоцитарного лейкоза (CLL), множественной миеломы (MM), миелодиспластического синдрома (MDS), эпидермоидного рака или гемоглобинопатии, таких как b-талассемия и серповидно-клеточная болезнь (SCD).In other embodiments, said method is for the treatment of a disease selected from leukemia, such as acute myeloid leukemia (AML), acute lymphocytic leukemia, chronic lymphocytic leukemia, chronic myeloid leukemia, hairy cell leukemia, myelodysplasia, myeloproliferative disorders, acute myelogenous leukemia (AML) , chronic myelogenous leukemia (CML), mastocytosis, chronic lymphocytic leukemia (CLL), multiple myeloma (MM), myelodysplastic syndrome (MDS), epidermoid cancer, or hemoglobinopathies such as b-thalassemia and sickle cell disease (SCD).

В других вариантах реализации указанный способ предназначен для лечения заболевания, выбранного из рака с делецией CDKN2A; рака с делецией 9P; рака с делецией MTAP; глиобластомы, NSCLC, рака головы и шеи, рака мочевого пузыря или гепатоцеллюлярной карциномы.In other embodiments, said method is for the treatment of a disease selected from cancer with a CDKN2A deletion; cancer with a 9P deletion; MTAP deletion cancer; glioblastoma, NSCLC, head and neck cancer, bladder cancer, or hepatocellular carcinoma.

Соединения согласно настоящему описанию, а также фармацевтические композиции, содержащие их, можно вводить для лечения любого из описанных выше заболеваний, отдельно или в комбинации с медицинскими средствами лечения. Медицинские средства лечения включают, например, хирургию и лучевую терапию (например, гамма-облучение, радиотерапию с применением нейтронного пучка, радиотерапию с применением электронного пучка, протонную терапию, брахитерапию, системное введение радиоактивных изотопов).Compounds according to the present description, as well as pharmaceutical compositions containing them, can be entered for the treatment of any of the diseases described above, alone or in combination with medical treatments. Medical treatments include, for example, surgery and radiation therapy (eg, gamma irradiation, neutron beam radiotherapy, electron beam radiotherapy, proton therapy, brachytherapy, systemic administration of radioactive isotopes).

В других аспектах соединения согласно настоящему изобретению, а также фармацевтические композиции, содержащие их, можно вводить для лечения любого из описанных заболеваний, отдельно или в комбинации с одним или более другими агентами. В других способах соединения согласно настоящему описанию, а также фармацевтические композиции, содержащие их, можно вводить в комбинации с агонистами агентов ядерных рецепторов.In other aspects, the compounds of the present invention, as well as pharmaceutical compositions containing them, can be administered for the treatment of any of the diseases described, alone or in combination with one or more other agents. In other ways, the compounds of the present disclosure, as well as pharmaceutical compositions containing them, may be administered in combination with nuclear receptor agent agonists.

В других способах соединения согласно настоящему описанию, а также фармацевтические композиции, содержащие их, можно вводить в комбинации с антагонистами агентов ядерных рецепторов.In other ways, the compounds of the present disclosure, as well as pharmaceutical compositions containing them, may be administered in combination with nuclear receptor antagonists.

В других способах соединения согласно настоящему описанию, а также фармацевтические композиции, содержащие их, можно вводить в комбинации с антипролиферативным агентом.In other ways, compounds according to the present description, as well as pharmaceutical compositions containing them, can be administered in combination with an antiproliferative agent.

В других аспектах соединения согласно настоящему изобретению, а также фармацевтические композиции, содержащие их, можно вводить для лечения любого из описанных заболеваний, отдельно или в комбинации с одним или более другими химиотерапевтическими агентами. Примеры других химиотерапевтических агентов включают, например, абареликс, альдеслейкин, алемтузумаб, алитретиноин, аллопуринол, полностью транс-ретиноевую кислоту, алтретамин, анастрозол, триоксид мышьяка, аспарагиназу, азацитидин, бендамустин, бевацизумаб, бексаротен, блеомицин, бортезомиб, внутривенный бусульфан, пероральный бусульфан, калустерон, капецитабин, карбоплатин, кармустин, цетуксимаб, хлорамбуцил, цисплатин, кладрибин, клофарабин, циклофосфамид, цитарабин, дакарбазин, дактиномицин, далтепарин натрия, дазатиниб, даунорубицин, децитабин, денилейкин, денилейкин дифтитокс, дексразоксан, доцетаксел, доксорубицин, дромостанолон пропионат, экулизумаб, эпирубицин, эрлотиниб, эстрамустин, этопозид фосфат, этопозид, эксеместан, фентанил цитрат, филграстим, флоксуридин, флударабин, фторурацил, фулвестрант, гефитиниб, гемцитабин, гемтузумаб озогамицин, гозерелин ацетат, гистрелин ацетат, ибритумомаб тиуксетан, идарубицин, ифосфамид, иматиниб мезилат, интерферон альфа 2a, иринотекан, лапатиниб дитозилат, леналидомид, летрозол, лейковорин, лейпролид ацетат, левамизол, ломустин, мехлорэтамин, мегестрол ацетат, мелфалан, меркаптопурин, метотрексат, метоксален, митомицин С, митотан, митоксантрон, нандролон фенпропионат, неларабин, нофетумомаб, оксалиплатин, паклитаксел, памидронат, панобиностат, панитумумаб, пэгаспаргаза, пэгфилграстим, пеметрексед динатрия, пентостатин, пипоброман, пликамицин, прокарбазин, хинакридин, расбуриказа, ритуксимаб, руксолитиниб, сорафениб, стрептозоцин, сунитиниб, сунитиниб малеат, тамоксифен, темозоломид, тенипозид, тестолактон, талидомид, тиогуанин, тиотепа, топотекан, торемифен, тозитумомаб, трастузумаб, третиноин, урациловый иприт, валрубицин, винбластин, винкристин, винорелбин, вориностат и золедронат, а также любые их комбинации.In other aspects, the compounds of the present invention, as well as pharmaceutical compositions containing them, can be administered to treat any of the diseases described, alone or in combination with one or more other chemotherapeutic agents. Examples of other chemotherapeutic agents include, for example, abarelix, aldesleukin, alemtuzumab, alitretinoin, allopurinol, all-trans retinoic acid, altretamine, anastrozole, arsenic trioxide, asparaginase, azacitidine, bendamustine, bevacizumab, bexarotene, bleomycin, bortezomib, intravenous busulf en, oral busulfan , calusterone, capecitabine, carboplatin, carmustine, cetuximab, chlorambucil, cisplatin, cladribine, clofarabine, cyclophosphamide, cytarabine, dacarbazine, dactinomycin, dalteparin sodium, dasatinib, daunorubicin, decitabin, denileukin, denileukin diftitox, dexrazoxane, docetaxel , doxorubicin, dromostanolone propionate, eculizumab, epirubicin, erlotinib, estramustine, etoposide phosphate, etoposide, exemestane, fentanyl citrate, filgrastim, floxuridine, fludarabine, fluorouracil, fulvestrant, gefitinib, gemcitabine, gemtuzumab ozogamicin, goserelin acetate, histrelin acetate, ibritumomab tiuxet an, idarubicin, ifosfamide, imatinib mesylate , interferon alfa 2a, irinotecan, lapatinib ditosylate, lenalidomide, letrozole, leucovorin, leuprolide acetate, levamisole, lomustine, mechlorethamine, megestrol acetate, melphalan, mercaptopurine, methotrexate, methoxalene, mitomycin C, mitotane, mitoxantrone, nandrolone fenpropio nat, nelarabine, nofetumomab, oxaliplatin, paclitaxel, pamidronate, panobinostat, panitumumab, pegaspargasa, pegfilgrastim, pemetrexed disodium, pentostatin, pipobroman, plicamycin, procarbazine, quinacridine, rasburicase, rituximab, ruxolitinib, sorafenib, streptozocin, sunitinib, sunitinib maleate, tamoxifen, tem ozolomide, teniposide, testolactone, thalidomide, thioguanine, thiotepa, topotecan, toremifene, tositumomab, trastuzumab, tretinoin, uracil mustard, valrubicin, vinblastine, vincristine, vinorelbine, vorinostat and zoledronate, as well as any combination thereof.

В других аспектах другой агент представляет собой терапевтический агент, нацеленный на эпигенетический регулятор. Примеры агентов, действующих на эпигенетический регулятор, включают, например, ингибиторы бромдомена, гистоновые лизинметилтрансферазы, гистоновые аргининметилтрансферазы, гистоновые деметилазы, гистоновые деацетилазы, гистоновые ацетилазы и ДНКметилтрансферазы, а также любые их комбинации. В некоторых аспектах предпочтительны ингибиторы гистоновой деацетилазы и они включают, например, вориностат.In other aspects, the other agent is a therapeutic agent that targets an epigenetic regulator. Examples of agents acting on the epigenetic regulator include, for example, bromodomain inhibitors, histone lysine methyltransferases, histone arginine methyltransferases, histone demethylases, histone deacetylases, histone acetylases, and DNA methyltransferases, as well as any combinations thereof. In some aspects, histone deacetylase inhibitors are preferred and include, for example, vorinostat.

В других способах, в которых заболевание, подлежащее лечению, представляет собой рак или другое пролиферативное заболевание, соединения согласно настоящему описанию, а также фармацевтические композиции, содержащие их, можно вводить в комбинации с прицельными терапевтическими агентами. Прицельные терапевтические агенты включают, например, ингибиторы киназы JAK (например, руксолитиниб), ингибиторы киназы PI3 (включая ингибиторы, селективные в отношении PI3K-дельта, и ингибиторы PI3K широкого спектра действия), ингибиторы MEK, ингибиторы циклинзависимой киназы (например, ингибиторы CDK4/6), ингибиторы BRAF, ингибиторы mTOR, ингибиторы протеасомы (наIn other methods in which the disease being treated is cancer or other proliferative disease, the compounds of the present disclosure, as well as pharmaceutical compositions containing them, may be administered in combination with targeted therapeutic agents. Targeted therapeutic agents include, for example, JAK kinase inhibitors (eg, ruxolitinib), PI3 kinase inhibitors (including PI3K-delta selective inhibitors and broad-spectrum PI3K inhibitors), MEK inhibitors, cyclin-dependent kinase inhibitors (eg, CDK4/ 6), BRAF inhibitors, mTOR inhibitors, proteasome inhibitors (on

- 43 043295 пример, бортезомиб, карфилзомиб), ингибиторы HDAC (например, панобиностат, вориностат), ингибиторы ДНК-метилтрансферазы, дексаметазон, бром- и экстратерминальные члены семейства, ингибиторы BTK (например, ибрутиниб, акалабрутиниб), ингибиторы BCL2 (например, венетоклакс), ингибиторы MCL1, ингибиторы PARP, ингибиторы FLT3 и ингибиторы LSD1, а также любые их комбинации. В других способах, в которых заболевание, подлежащее лечению, представляет собой рак или другое пролиферативное заболевание, соединения согласно настоящему изобретению, а также фармацевтические композиции, содержащие их, можно вводить в комбинации с агентами-ингибиторами иммунной контрольной точки. Ингибиторы иммунной контрольной точки включают, например, ингибиторы PD-1, например, анти-PD-1 моноклональное антитело. Примеры анти-PD-1 моноклональных антител включают, например, ниволумаб, пембролизумаб (также известный как MK-3475), пидилизумаб, SHR-1210, PDR001 и AMP-224, а также их комбинации. В некоторых аспектах анти-PD1 антитело представляет собой ниволумаб. В некоторых аспектах анти-PD1 антитело представляет собой пембролизумаб. В некоторых аспектах ингибитор иммунной контрольной точки представляет собой ингибитор PD-L1, например, антиPD-L1 моноклональное антитело. В некоторых аспектах анти-PD-L1 моноклональное антитело представляет собой BMS-935559, MEDI4736, MPDL3280A (также известный как RG7446) или MSB0010718C, или любые их комбинации. В некоторых аспектах анти-PD-L1 моноклональное антитело представляет собой MPDL3280A или MEDI4736. В других аспектах ингибитор иммунной контрольной точки представляет собой ингибитор CTLA-4, например, анти-CTLA-4 антитело. В некоторых аспектах анти-CTLA-4 антитело представляет собой ипилимумаб.- 43 043295 example, bortezomib, carfilzomib), HDAC inhibitors (eg panobinostat, vorinostat), DNA methyltransferase inhibitors, dexamethasone, bromine and extraterminal family members, BTK inhibitors (eg ibrutinib, acalabrutinib), BCL2 inhibitors (eg venetoclax ), MCL1 inhibitors, PARP inhibitors, FLT3 inhibitors, and LSD1 inhibitors, and any combination thereof. In other methods in which the disease being treated is cancer or other proliferative disease, the compounds of the present invention, as well as pharmaceutical compositions containing them, can be administered in combination with immune checkpoint inhibitor agents. Immune checkpoint inhibitors include, for example, PD-1 inhibitors, such as an anti-PD-1 monoclonal antibody. Examples of anti-PD-1 monoclonal antibodies include, for example, nivolumab, pembrolizumab (also known as MK-3475), pidilizumab, SHR-1210, PDR001 and AMP-224, and combinations thereof. In some aspects, the anti-PD1 antibody is nivolumab. In some aspects, the anti-PD1 antibody is pembrolizumab. In some aspects, the immune checkpoint inhibitor is a PD-L1 inhibitor, such as an anti-PD-L1 monoclonal antibody. In some aspects, the anti-PD-L1 monoclonal antibody is BMS-935559, MEDI4736, MPDL3280A (also known as RG7446), or MSB0010718C, or any combination thereof. In some aspects, the anti-PD-L1 monoclonal antibody is MPDL3280A or MEDI4736. In other aspects, the immune checkpoint inhibitor is a CTLA-4 inhibitor, such as an anti-CTLA-4 antibody. In some aspects, the anti-CTLA-4 antibody is ipilimumab.

В других способах, в которых заболевание, подлежащее лечению, представляет собой рак или другое пролиферативное заболевание, соединения согласно настоящему описанию, а также фармацевтические композиции, содержащие их, можно вводить в комбинации с алкилирующим агентом (например, циклофосфамидом (CY), мелфаланом (MEL) и бендамустином), агентом-ингибитором протеасом (например, карфилозмибом), кортикостероидным агентом (например, дексаметазоном (DEX) или иммуномодулирующим агентом (например, леналидомидом (LEN) или помалидомидом (POM)), или любые их комбинации.In other methods in which the disease being treated is cancer or other proliferative disease, the compounds of the present disclosure, as well as pharmaceutical compositions containing them, may be administered in combination with an alkylating agent (e.g., cyclophosphamide (CY), melphalan (MEL ) and bendamustine), a proteasome inhibitor agent (eg, carfilozmib), a corticosteroid agent (eg, dexamethasone (DEX) or an immunomodulatory agent (eg, lenalidomide (LEN) or pomalidomide (POM)), or any combination thereof.

В некоторых вариантах реализации заболевание, подлежащее лечению, представляет собой аутоиммунное состояние или воспалительное состояние. В таких аспектах соединения согласно настоящему изобретению, а также фармацевтические композиции, содержащие их, можно вводить в комбинации с кортикостероидным агентом, таким как, например, триамцинолон, дексаметазон, флуоцинолон, кортизон, преднизолон или флуметолон, или любые их комбинации.In some embodiments, the disease being treated is an autoimmune condition or an inflammatory condition. In such aspects, the compounds of the present invention, as well as pharmaceutical compositions containing them, may be administered in combination with a corticosteroid agent such as, for example, triamcinolone, dexamethasone, fluocinolone, cortisone, prednisolone, or flumetholone, or any combination thereof.

В других вариантах реализации, в которых заболевание, подлежащее лечению, представляет собой аутоиммунное состояние или воспалительное состояние, соединения согласно настоящему изобретению, а также фармацевтические композиции, содержащие их, можно вводить в комбинации с иммунодепрессантом, таким как, ацетонид флуоцинолона (RETISERT™), римексолон (AL-2178, VEXOL™, ALCO™) или циклоспорин (RESTASIS™), или любые их комбинации.In other embodiments in which the disease being treated is an autoimmune condition or an inflammatory condition, the compounds of the present invention, as well as pharmaceutical compositions containing them, can be administered in combination with an immunosuppressant such as fluocinolone acetonide (RETISERT™), rimexolone (AL-2178, VEXOL™, ALCO™) or cyclosporine (RESTASIS™), or any combination thereof.

В некоторых вариантах реализации заболевание, подлежащее лечению, представляет собой бетаталассемию или серповидно-клеточную болезнь. В таких аспектах соединения согласно настоящему изобретению, а также фармацевтические композиции, содержащие их, можно вводить в комбинации с одним или более агентами, такими как, например, HYDREA™ (гидроксимочевина).In some embodiments, the disease being treated is betathalassemia or sickle cell disease. In such aspects, the compounds of the present invention, as well as pharmaceutical compositions containing them, can be administered in combination with one or more agents such as, for example, HYDREA™ (hydroxyurea).

Примеры и способы получения, представленные ниже, дополнительно иллюстрируют и служат примером соединений согласно настоящему изобретению и способов получения таких соединений. Следует понимать, что объем настоящего изобретения никоим образом не ограничен объемом следующих примеров и способов получения. В следующих примерах молекулы с одним хиральным центром, если не указано иное, существуют в виде рацемической смеси. Молекулы с двумя или более хиральными центрами, если не указано иное, существуют в виде рацемической смеси диастереомеров. Отдельные энантиомеры/диастереомеры могут быть получены способами, известными специалистам в данной области техники.The examples and preparations below further illustrate and exemplify the compounds of the present invention and methods for preparing such compounds. It should be understood that the scope of the present invention is in no way limited by the scope of the following examples and preparations. In the following examples, molecules with a single chiral center, unless otherwise noted, exist as a racemic mixture. Molecules with two or more chiral centers, unless otherwise noted, exist as a racemic mixture of diastereomers. The individual enantiomers/diastereomers can be prepared by methods known to those skilled in the art.

Соединение формулы I и его фармацевтически приемлемые соли могут быть получены, например, со ссылкой на следующие схемы и способы.The compound of formula I and its pharmaceutically acceptable salts can be obtained, for example, with reference to the following schemes and methods.

- 44 043295- 44 043295

0 ОН но' 0 OH but'

ноBut

Схема 1 /\PhCOCI -----BzO ТЭА, ДХМScheme 1 /\PhCOCI -----BzO TEA, DCM

TEMPO, NaCIOTEMPO, NaCIO

,.Ό,.Ό

ДХМ 'ОDXM 'Oh

D-Ксилоза C5HiqO5 D-Xylose C 5 H iqO 5

ММ: 150,13MM: 150.13

СдН14О5 SdN 14 O 5

ММ: 190,20MM: 190.20

НО J С15Н1зОЕHO J C 15 H 13OE

ММ 294,30MM 294.30

С15Н16О6 C15H 16 O 6

ММ: 292,29MM: 292.29

МеМдВг,MeMdVg,

СН13С1М3О5 S 1E N 13 S1M 3 O 5

ММ: 403,82MM: 403.82

ОНHE

1М HCI1M HCI

ΌΗ---С13Н16°ЕΌΗ--- C 13 H 16°E

ММ: 268,27MM: 268.27

С16Н20О6С16Н20О6

ММ: 308,33MM: 308.33

TsOH, ацетонTsOH, acetone

CICI

C22H22CIN3O5C22H22CIN3O5

ММ: 443,88MM: 443.88

C15H13CIN3O4 C 15 H 13 CIN 3 O 4

ММ 339,78MM 339.78

Схема 2Scheme 2

CICI

Phl(OAc)2, TEMPO, Н2О/ацетонитрил о°с-зо °CPhl(OAc) 2 , TEMPO, H 2 O / acetonitrile o ° c - o ° C

CICI

пропилфосфоновый ангидридpropylphosphonic anhydride

Пиридин, EtOAcPyridine, EtOAc

15°С-30°С15°С-30°С

95,1%95.1%

SS

С15Н18С1Ы3О4 C 15 H 18 C1Y 3 O 4

ММ: 339,78MM: 339.78

О ’о^онOh 'o^on

C15H1ECIN3O5 C 15 H 1E CIN 3 O 5

ММ 353,76MM 353.76

90,8-91,3%90.8-91.3%

CICI

-ЮС-25-US-25

95,1%95.1%

C17H21CIN4O5 C 17 H 21 CIN 4 O 5

ММ: 396,83MM: 396.83

C2iHi@CI3N3O4 C2iHi@CI 3 N 3 O 4

ММ: 482,74MM: 482.74

Схема 3Scheme 3

CICI

ММ: 484,76MM: 484.76

КОНЦ. nh4ohCONC. n.h.4oh

1,4-диоксан c21h1ecien 3О4 1,4-dioxane c 21 h 1e ci e n 3 О 4

ММ: 482,74MM: 482.74

80°С -100’С >100% (неочищ.)80°C -100'C >100% (impure)

CICI

C^CIzN^C^CIzN^

ММ:465,33MM:465.33

3, Н20, NH4OH3, H 2 0, NH 4 OH

-80%-80%

1, МеОН, ЕЮН1, MeON, EUN

2, малеиновая кислота/EtOH2, maleic acid/EtOH

1, конц. HCI, МеОН1, conc. HCI, MeOH

О’С -золO'S-zol

2, МеОН, МТБЭ2, MeOH, MTBE

НОBUT

НО он онBUT he is

Формула IAFormula IA

Ο22Η22ΟΙ2Ν4ΟΕ Ο22Η22ΟΙ 2 Ν 4 Ο Ε

ММ: 541,34MM: 541.34

Формула IFormula I

ΟΗΟΙ2Ν4Ο4 Ο Η ΟΙ 2 Ν 4 Ο 4

ММ: 425,27MM: 425.27

- 45 043295- 45 043295

Схема 4Scheme 4

Схема 5 ((3aR,5R,6S,6aR)-6-гидрокси-2,2-диметилтетрагидрофуро[2,3-d][1,3]диоксол-5Экспериментальные способыScheme 5 ((3aR,5R,6S,6aR)-6-hydroxy-2,2-dimethyltetrahydrofuro[2,3-d][1,3]dioxol-5 Experimental methods

Синтез соединения 3Synthesis of compound 3

Стадия 1. Синтез ил)метилбензоата (2)Stage 1. Synthesis of yl)methyl benzoate (2)

К смеси соединения 1 (40,00 г, 210,31 ммоль, 1 экв.) в ДХМ (400 мл) по каплям добавляли ТЭА (63,84 г, 630,94 ммоль, 87,82 мл, 3 экв.) при 0°C в атмосфере N2. В смесь по каплям добавляли BzCl (32,52 г, 231,34 ммоль, 26,88 мл, 1,1 экв.) при 0°C в атмосфере N2. Смесь перемешивали при 0°C в течение 1 ч в атмосфере N2. Объединяли смесь с другой реакционной смесью с 10 г соединения 1. Объединенную смесь гасили водой (600 мл). Отделяли органический слой. Водный слой экстрагировали ДХМ DCM (300 млх3). Объединенные органические слои промывали насыщенным раствором NaHCO3 (400 мл), сушили над Na2SO4, фильтровали и концентрировали. Остаток очищали колоночной хроматографией (SiO2, Петролейный эфир/этилацетат=от 50/1 до 2/1) с получением соединения 2 (67,00 г, 227,66 ммоль, выход 86,60%) в виде желтого твердого вещества.To a mixture of compound 1 (40.00 g, 210.31 mmol, 1 eq.) in DCM (400 ml) was added TEA (63.84 g, 630.94 mmol, 87.82 ml, 3 eq.) dropwise at 0°C in N 2 atmosphere. BzCl (32.52 g, 231.34 mmol, 26.88 ml, 1.1 eq.) was added dropwise to the mixture at 0° C. under N 2 atmosphere. The mixture was stirred at 0° C. for 1 h under N 2 atmosphere. The mixture was combined with another reaction mixture with 10 g of compound 1. The combined mixture was quenched with water (600 ml). The organic layer was separated. The aqueous layer was extracted with DCM DCM (300 mlx3). The combined organic layers were washed with saturated NaHCO 3 solution (400 ml), dried over Na 2 SO 4 , filtered and concentrated. The residue was purified by column chromatography (SiO 2 , Petroleum ether/ethyl acetate=50/1 to 2/1) to give compound 2 (67.00 g, 227.66 mmol, 86.60% yield) as a yellow solid.

1Н ЯМР (400 МГц, хлороформ-d) δ 8,12-7,95 (м, 2H), 7,66-7,53 (м, 1H), 7,51-7,41 (м, 2H), 5,97 (д, J=3,7 Гц, 1H), 4,87-4,75 (м, 1H), 4,60 (д, J=3,5 Гц, 1H), 4,47-4,35 (м, 2H), 4,19 (дд, J=2,2, 4,0 Гц, 1H), 3,27 (д, J=4,0 Гц, 1H), 1,52 (с, 3H), 1,33 (с, 3H).1H NMR (400 MHz, chloroform-d) δ 8.12-7.95 (m, 2H), 7.66-7.53 (m, 1H), 7.51-7.41 (m, 2H), 5.97 (d, J=3.7 Hz, 1H), 4.87-4.75 (m, 1H), 4.60 (d, J=3.5 Hz, 1H), 4.47-4 .35 (m, 2H), 4.19 (dd, J=2.2, 4.0 Hz, 1H), 3.27 (d, J=4.0 Hz, 1H), 1.52 (s, 3H), 1.33 (s, 3H).

Стадия 2. Синтез ((3aR,5R,6aS)-2,2-диметил-6-оксотетрагидрофуро[2,3-d][1,3]диоксол-5-ил)метилбензоата (3)Stage 2. Synthesis of ((3aR,5R,6aS)-2,2-dimethyl-6-oxotetrahydrofuro[2,3-d][1,3]dioxol-5-yl)methylbenzoate (3)

Параллельно две партии: в смесь соединения 2 (10,00 г, 33,98 ммоль, 1 экв.) в ДХМ (100 мл) добавляли DMP (43,24 г, 101,94 ммоль, 31,56 мл, 3 экв.) при 0°C. Перемешивали смесь при 15°C в течение 4 ч. Фильтровали смесь и концентрировали фильтрат. Остаток разбавляли EtOAc (500 мл) и фильтровали смесь. Отфильтрованную смесь разбавляли насыщенным раствором NaHCO3 (300 мл). Экстрагировали смесь EtOAc (200 млх3). Объединенные органические слои промывали насыщенным солевым раствором (300 мл), сушили над Na2SO4, фильтровали и концентрировали. Очищали остаток колоночной хроматографией (SiO2, петролейный эфир/этилацетат=от 20/1 до 3/1) с получением соединения 3 (17,00 г, 58,16 ммоль, выход 85,59%) в виде белого твердого вещества. H ЯМР (400 МГц, хлороформ-d) δ 8,00-7,91 (м, 2H), 7,65-7,53 (м, 1H), 7,50-7,40 (м, 2H), 6,15 (д, J=4,4 Гц, 1H), 4,78-4,67 (м, 2H), 4,54-4,41 (м, 2H), 1,53 (с, 3H), 1,44 (с, 3H)In parallel, two batches: To a mixture of compound 2 (10.00 g, 33.98 mmol, 1 eq.) in DCM (100 ml) was added DMP (43.24 g, 101.94 mmol, 31.56 ml, 3 eq. ) at 0°C. Stir the mixture at 15° C. for 4 hours. Filter the mixture and concentrate the filtrate. The residue was diluted with EtOAc (500 ml) and the mixture was filtered. The filtered mixture was diluted with saturated NaHCO3 solution (300 ml). The mixture was extracted with EtOAc (200 mlx3). The combined organic layers were washed with brine (300 ml), dried over Na 2 SO 4 , filtered and concentrated. Purify the residue by column chromatography (SiO2, petroleum ether/ethyl acetate=20/1 to 3/1) to give compound 3 (17.00 g, 58.16 mmol, 85.59% yield) as a white solid. H NMR (400 MHz, chloroform-d) δ 8.00-7.91 (m, 2H), 7.65-7.53 (m, 1H), 7.50-7.40 (m, 2H), 6.15 (d, J=4.4 Hz, 1H), 4.78-4.67 (m, 2H), 4.54-4.41 (m, 2H), 1.53 (s, 3H) , 1.44 (s, 3H)

Синтез Int-6Synthesis of Int-6

К раствору Mg (979,09 мг, 40,28 ммоль, 1,3 экв.) добавляли соединение Int-6-1 (7 г, 30,99 ммоль, 1 экв.) в ТГФ (26 мл) при 40°C в атмосфере N2. Перемешивали смесь при 40°C в течение 0,5 ч. Mg был израсходован. Соединение Int-6 (7,75 г, неочищенное) в ТГФ (26 мл) в виде желтой жидкости использовали на следующей стадии без дополнительной очистки.To a solution of Mg (979.09 mg, 40.28 mmol, 1.3 eq.) was added compound Int-6-1 (7 g, 30.99 mmol, 1 eq.) in THF (26 ml) at 40°C in N 2 atmosphere. The mixture was stirred at 40° C. for 0.5 hours. The Mg was consumed. Compound Int-6 (7.75 g, crude) in THF (26 ml) as a yellow liquid was used in the next step without further purification.

- 46 043295- 46 043295

Получение ((3aR,5R,6R,6aR)-6-гидрокси-2,2,6-триметилтетрагидрофуро[2,3-d][1,3]диоксол-5-ил)метилбензоата (4)Preparation of ((3aR,5R,6R,6aR)-6-hydroxy-2,2,6-trimethyltetrahydrofuro[2,3-d][1,3]dioxol-5-yl)methylbenzoate (4)

CiaHjoOfiCiaHjoOfi

ММ: 308,33MM: 308.33

К смеси соединения 3 (17,00 г, 58,16 ммоль, 1 экв.) в ТГФ (200 мл) по каплям добавляли MeMgBr (3 М, 58,16 мл, 3 экв.) при -78°C в атмосфере N2. Перемешивали смесь при -78°C в течение 1 ч в атмосфере N2. Объединенную смесь гасили насыщенным раствором NH4Cl (200 мл), экстрагировали EtOAc (50 млх3). Объединенные органические слои промывали насыщенным солевым раствором (100 мл), сушили над Na2SO4, фильтровали и концентрировали. Неочищенный продукт очищали колоночной хроматографией (SiO2, петролейный эфир/этилацетат=от 15/1 до 5/1) с получением соединения 4 в виде белого твердого вещества.To a mixture of compound 3 (17.00 g, 58.16 mmol, 1 eq.) in THF (200 ml) was added dropwise MeMgBr (3 M, 58.16 ml, 3 eq.) at -78°C under N 2 . The mixture was stirred at -78°C for 1 h under N 2 atmosphere. The combined mixture was quenched with saturated NH4Cl solution (200 ml), extracted with EtOAc (50 mlx3). The combined organic layers were washed with brine (100 ml), dried over Na 2 SO 4 , filtered and concentrated. The crude product was purified by column chromatography (SiO 2 , petroleum ether/ethyl acetate=15/1 to 5/1) to give compound 4 as a white solid.

1H ЯМР (400 МГц, хлороформ-d) δ 8,13-8,01 (м, 2H), 7,64-7,51 (м, 1H), 7,48-7,38 (м, 2H), 5,83 (д, J=4,0 Гц, 1H), 4,57 (дд, J=3,1, 11,9 Гц, 1H), 4,38 (дд, J=8,2, 11,9 Гц, 1H), 4,21-4,06 (м, 2H), 2,71 (с, 1H), 1,60 (с, 3H), 1,37 (с, 3H), 1,26 (с, 3H).1H NMR (400 MHz, chloroform-d) δ 8.13-8.01 (m, 2H), 7.64-7.51 (m, 1H), 7.48-7.38 (m, 2H), 5.83 (d, J=4.0 Hz, 1H), 4.57 (dd, J=3.1, 11.9 Hz, 1H), 4.38 (dd, J=8.2, 11, 9 Hz, 1H), 4.21-4.06 (m, 2H), 2.71 (s, 1H), 1.60 (s, 3H), 1.37 (s, 3H), 1.26 ( s, 3H).

Получение ((3αR,4R,6R,6αR)-6-(4-хлор-7H-пирроло[2,3-d]пиримидин-7-ил)-2,2,3α-триметилтетрагидрофуро[3,4-d][1,3]диоксол-4-ил)метилбензоата (7)Preparation of ((3αR,4R,6R,6αR)-6-(4-chloro-7H-pyrrolo[2,3-d]pyrimidin-7-yl)-2,2,3α-trimethyltetrahydrofuro[3,4-d] [1,3]dioxol-4-yl)methylbenzoate (7)

К раствору соединения 6 (1 г, 2,48 ммоль, 1 экв.) в 2,2-диметоксипропане (12,75 г, 122,42 ммоль, 15 мл, 49,44 экв.) добавляли TsOH-H2O (141,31 мг, 742,91 мкмоль, 0,3 экв.). Перемешивали смесь при 25°C в течение 12 ч. ЖХ-МС показала, что осталось соединение 6. На профиле ЖХ-МС наблюдали несколько новых пиков и обнаруживали требуемое соединение. Реакционную смесь перемешивали при 60°C в течение 2 ч. ТСХ показала, что соединение 6 полностью израсходовано, и образованы новые пятна. Реакция была завершена, по данным ТСХ. Реакцию гасили NaHCO3 (20 мл) и экстрагировали EtOAc (10 млх3). Органический слой концентрировали в вакууме. Остаток очищали колоночной хроматографией (SiO2, петролейный эфир/этилацетат=от 5/1 до 4:1). Соединение 7 (730 мг, неочищенное) получали в виде желтого маслянистого вещества. ТСХ (петролейный эфир:этилацетат=1:1) Rf=0,79.TsOH-H 2 O ( 141.31 mg, 742.91 µmol, 0.3 eq.). The mixture was stirred at 25° C. for 12 hours. LC-MS indicated that compound 6 remained. Several new peaks were observed in the LC-MS profile and the desired compound was found. The reaction mixture was stirred at 60° C. for 2 hours. TLC showed that compound 6 was completely consumed and new spots formed. The reaction was complete, according to TLC. The reaction was quenched with NaHCO 3 (20 ml) and extracted with EtOAc (10 mlx3). The organic layer was concentrated in vacuo. The residue was purified by column chromatography (SiO 2 , petroleum ether/ethyl acetate=5/1 to 4:1). Compound 7 (730 mg, crude) was obtained as a yellow oil. TLC (petroleum ether:ethyl acetate=1:1) Rf=0.79.

Получение ((3aR,4R,6R,6aR)-6-(4-хлор-7H-пирроло[2,3-d]пиримидин-7-ил)-2,2,3α-триметилтетрагидрофуро[3,4-d] [ 1,3]диоксол-4-ил)метанола (8)Preparation of ((3aR,4R,6R,6aR)-6-(4-chloro-7H-pyrrolo[2,3-d]pyrimidin-7-yl)-2,2,3α-trimethyltetrahydrofuro[3,4-d] [ 1,3]dioxol-4-yl)methanol (8)

вV

C22H22CIN3O5 Ci5HiSCIN3O4C 22 H 22 CIN 3 O 5 Ci 5 Hi S CIN 3 O4

ММ: 443,33 ММ: 339,73MM: 443.33 MM: 339.73

Смесь соединения 7 (600 мг, 1,35 ммоль, 1 экв.) и NH3 в MeOH (7 М, 10 мл, 51,79 экв.) перемешивали при 25°C в течение 12 ч. ЖХМС показала наличие требуемой МС. Концентрировали смесь. Остаток очищали колоночной хроматографией (SiO2, петролейный эфир/этилацетат=от 1/0 до 3:1). Соединение 8 (450 мг, 1,32 ммоль, выход 97,98%) получали в виде белого твердого вещества.A mixture of compound 7 (600 mg, 1.35 mmol, 1 eq.) and NH 3 in MeOH (7 M, 10 ml, 51.79 eq.) was stirred at 25° C. for 12 h. LCMS showed the desired MS. The mixture was concentrated. The residue was purified by column chromatography (SiO 2 , petroleum ether/ethyl acetate=1/0 to 3:1). Compound 8 (450 mg, 1.32 mmol, 97.98% yield) was obtained as a white solid.

1Н ЯМР (400 МГц, хлороформ-d) δ 8,60 (с, 1H), 7,29 (д, J=3,7 Гц, 1H), 6,60 (д, J=3,7 Гц, 1H), 6,17 (д, J=3,2 Гц, 1H), 4,74 (д, J=3,1 Гц, 1H), 4,20 (дд, J=3,5, 5,6 Гц, 1H), 3,89-3,71 (м, 2H), 1,61 (с, 3H), 1,57 (с, 3H), 1,38 (с, 3H); ЖХМС: (M+H+): 340,1.1H NMR (400 MHz, chloroform-d) δ 8.60 (s, 1H), 7.29 (d, J=3.7 Hz, 1H), 6.60 (d, J=3.7 Hz, 1H ), 6.17 (d, J=3.2 Hz, 1H), 4.74 (d, J=3.1 Hz, 1H), 4.20 (dd, J=3.5, 5.6 Hz , 1H), 3.89-3.71 (m, 2H), 1.61 (s, 3H), 1.57 (s, 3H), 1.38 (s, 3H); LCMS: (M+H+): 340.1.

Получение (3aS,4S,6R,6aR)-6-(4-хлор-7H-пирроло[2,3-d]пиримидин-7-ил)-2,2,3α-триметилтетрагидрофуро[3,4-d][1,3]диоксол-4-карбоновой кислоты (9)Preparation of (3aS,4S,6R,6aR)-6-(4-chloro-7H-pyrrolo[2,3-d]pyrimidin-7-yl)-2,2,3α-trimethyltetrahydrofuro[3,4-d][ 1,3]dioxol-4-carboxylic acid (9)

В смесь соединения 8 (500 мг, 1,47 ммоль, 1 экв.), диацетоксийодбензола (DAIB) (1,04 г, 3,24 ммоль, 2,2 экв.) в MeCN (2 мл) и H2O (2 мл) добавляли TEMPO (46,28 мг, 294,31 мкмоль, 0,2 экв.) при 0°C. Перемешивали смесь при 25°C в течение 1 ч. ТСХ показала, что соединение 8 израсходовано. Концентрировали смесь. Остаток растворяли в толуоле (10 мл). Концентрировали смесь. Неочищенный про- 47 043295 дукт использовали на следующей стадии без дополнительной очистки. Соединение 9 (520 мг, неочищенное) получали в виде коричневого маслянистого вещества. ТСХ (SiO2, этилацетат/этанол=1/1): Rf=0,5.To a mixture of compound 8 (500 mg, 1.47 mmol, 1 eq.), diacetoxyiodobenzene (DAIB) (1.04 g, 3.24 mmol, 2.2 eq.) in MeCN (2 ml) and H 2 O ( 2 ml) was added TEMPO (46.28 mg, 294.31 μmol, 0.2 eq.) at 0°C. The mixture was stirred at 25° C. for 1 h. TLC showed that compound 8 was consumed. The mixture was concentrated. The residue was dissolved in toluene (10 ml). The mixture was concentrated. The crude product was used in the next step without further purification. Compound 9 (520 mg, crude) was obtained as a brown oil. TLC (SiO 2 , ethyl acetate/ethanol=1/1): Rf=0.5.

Получение (3aS,4S,6R,6aR)-6-(4-хлор-7H-пирроло[2,3-d]пиримидин-7-ил)-N-метокси-N,2,2,3a-тетраметилтетрагидрофуро[3,4-d] [ 1,3]диоксол-4-карбоксамида(10)Preparation of (3aS,4S,6R,6aR)-6-(4-chloro-7H-pyrrolo[2,3-d]pyrimidin-7-yl)-N-methoxy-N,2,2,3a-tetramethyltetrahydrofuro[3 ,4-d] [ 1,3]dioxol-4-carboxamide(10)

К смеси соединения 9 (520 мг, 1,47 ммоль, 1 экв.), N-метоксиметанамина (215,07 мг, 2,20 ммоль, 1,5 экв., HCl), пиридина (348,82 мг, 4,41 ммоль, 355,93 мкл, 3 экв.) в EtOAc (5 мл) добавляли T3P (1,87 г, 2,94 ммоль, 1,75 мл, чистота 50%, 2 экв.) при 25°C. Перемешивали смесь при 25°C в течение 12 ч. ТСХ показала, что соединение 9 израсходовано. Смесь гасили водой (50 мл) и экстрагировали EtOAc (25 млх3). Объединенные органические слои сушили над Na2SO4, фильтровали и концентрировали. Очищали остаток препаративной ТСХ (SiO2, петролейный эфир/этилацетат=1/1). Соединение 10 (450 мг, 1,13 ммоль, выход 77,15%) получали в виде бесцветного маслянистого вещества.To a mixture of compound 9 (520 mg, 1.47 mmol, 1 eq.), N-methoxymethanamine (215.07 mg, 2.20 mmol, 1.5 eq., HCl), pyridine (348.82 mg, 4, 41 mmol, 355.93 μl, 3 eq) in EtOAc (5 ml) was added T3P (1.87 g, 2.94 mmol, 1.75 ml, 50% purity, 2 eq) at 25°C. The mixture was stirred at 25° C. for 12 hours. TLC indicated that compound 9 was consumed. The mixture was quenched with water (50 ml) and extracted with EtOAc (25 mlx3). The combined organic layers were dried over Na 2 SO 4 , filtered and concentrated. The residue was purified by preparative TLC (SiO2, petroleum ether/ethyl acetate=1/1). Compound 10 (450 mg, 1.13 mmol, 77.15% yield) was obtained as a colorless oil.

1H ЯМР (400 МГц, хлороформ-d) δ 8,67 (с, 1H), 8,21 (д, J=3,7 Гц, 1H), 6,69-6,63 (м, 2H), 5,26 (с, 1H), 4,60 (д, J=1,3 Гц, 1H), 3,79 (с, 3H), 3,28 (с, 3H), 1,70 (с, 3H), 1,46 (д, J=3,5 Гц, 6H); ЖХМС: (M+H+): 397,2; ТСХ (SiO2, петролейный эфир/этилацетат=1/1): Rf=0,6.1H NMR (400 MHz, chloroform-d) δ 8.67 (s, 1H), 8.21 (d, J=3.7 Hz, 1H), 6.69-6.63 (m, 2H), 5 .26 (s, 1H), 4.60 (d, J=1.3 Hz, 1H), 3.79 (s, 3H), 3.28 (s, 3H), 1.70 (s, 3H) , 1.46 (d, J=3.5 Hz, 6H); LCMS: (M+H+): 397.2; TLC (SiO 2 , petroleum ether/ethyl acetate=1/1): R f =0.6.

Получение ((3aS,4S,6R,6aR)-6-(4-хлор-7H-пирроло[2,3-d]пиримидин-7-ил)-2,2,3a-триметилтетрагидрофуро[3,4-d] [ 1,3]диоксол-4-ил)(3,4-дихлорфенил)метанона (11)Preparation of ((3aS,4S,6R,6aR)-6-(4-chloro-7H-pyrrolo[2,3-d]pyrimidin-7-yl)-2,2,3a-trimethyltetrahydrofuro[3,4-d] [ 1,3]dioxol-4-yl)(3,4-dichlorophenyl)methanone (11)

11eleven

Ci7H2iClM4O5 ^iHigCljNjOdCi 7 H 2 iClM4O 5 ^iHigCljNjOd

ММ: 396.S3 ММ: 4S2.74MM: 396.S3 MM: 4S2.74

В раствор соединения 10 (1 г, 2,52 ммоль, 1 экв.) в ТГФ (15 мл) добавляли соединение Int-6 (1 M, 10,08 мл, 4 экв.) при -10°C в атмосфере N2. Перемешивали смесь при 0°C в течение 5 мин. ТСХ показала, что соединение 10 полностью израсходовано и образовано много новых пятен. Реакция была завершена, по данным ТСХ (петролейный эфир:этилацетат=3:1 Rf=0,48). В раствор добавляли насыщенный водный раствор NH4Cl (15 мл) и экстрагировали ДХМ (10 млх2). Объединенные органические слои промывали насыщенным солевым раствором (20 млх2), сушили над Na2SO4, фильтровали и концентрировали при пониженном давлении с получением остатка. Остаток очищали колоночной хроматографией (SiO2, петролейный эфир/этилацетат=от 1/0 до 15/1) и основывались на ТСХ (петролейный эфир:этилацетат=3:1 Rf=0,48). Соединение 11 (660 мг, 1,27 ммоль, выход 50,42%, чистота по ЖХМС 92,94%) получали в виде белого твердого вещества.To a solution of compound 10 (1 g, 2.52 mmol, 1 eq.) in THF (15 ml) was added the compound Int-6 (1 M, 10.08 ml, 4 eq.) at -10°C under N 2 . The mixture was stirred at 0°C for 5 min. TLC showed that compound 10 was completely consumed and many new spots formed. The reaction was complete by TLC (petroleum ether:ethyl acetate=3:1 Rf=0.48). Saturated aqueous NH 4 Cl solution (15 ml) was added to the solution and extracted with DCM (10 mlx2). The combined organic layers were washed with brine (20 mlx2), dried over Na 2 SO 4 , filtered and concentrated under reduced pressure to give a residue. The residue was purified by column chromatography (SiO 2 , petroleum ether/ethyl acetate=1/0 to 15/1) and based on TLC (petroleum ether:ethyl acetate=3:1 Rf=0.48). Compound 11 (660 mg, 1.27 mmol, 50.42% yield, 92.94% purity by LCMS) was obtained as a white solid.

1H ЯМР (400 МГц, хлороформ-d) δ=8,64 - 8,73 (м, 1H), 8,28 (д, J=2,19 Гц, 1H), 7,99 (дд, J=8,33, 2,19 Гц, 1H), 7,89 (д, J=3,95 Гц, 1H), 7,63 (д, J=8,33 Гц, 1H), 6,72 (д, J=3,95 Гц, 1H), 6,59 (д, J=1,32 Гц, 1H), 5,54 (с, 1H), 4,70 (д, J=1,32 Гц, 1H), 1,83 (с, 3H), 1,47 (с, 3H), 1,36 (с, 3H); ЖХМС: (M+H+): 483,9, чистота по ЖХМС 92,94%; ТСХ (петролейный эфир:этилацетат=3:1) Rf= 0,48. 1 H NMR (400 MHz, chloroform-d) δ=8.64 - 8.73 (m, 1H), 8.28 (d, J=2.19 Hz, 1H), 7.99 (dd, J= 8.33, 2.19 Hz, 1H), 7.89 (d, J=3.95 Hz, 1H), 7.63 (d, J=8.33 Hz, 1H), 6.72 (d, J=3.95Hz, 1H), 6.59(d, J=1.32Hz, 1H), 5.54(s, 1H), 4.70(d, J=1.32Hz, 1H) , 1.83 (s, 3H), 1.47 (s, 3H), 1.36 (s, 3H); LCMS: (M+H+): 483.9, LCMS purity 92.94%; TLC (petroleum ether:ethyl acetate=3:1) Rf=0.48.

Получение (R)-((3aR,4R,6R,6aR)-6-(4-хлор-7H-пирроло[2,3-d]пиримидин-7-ил)-2,2,3a-триметилтетрагидрофуро[3,4-d] [ 1,3]диоксол-4-ил)(3,4-дихлорфенил)метанола (12)Preparation of (R)-((3aR,4R,6R,6aR)-6-(4-chloro-7H-pyrrolo[2,3-d]pyrimidin-7-yl)-2,2,3a-trimethyltetrahydrofuro[3, 4-d] [ 1,3]dioxol-4-yl)(3,4-dichlorophenyl)methanol (12)

1212

C2iHisGl3N3O4 CjiHjqCIjNsOjC2iHisGl3N 3 O4 CjiHjqCIjNsOj

ММ: 482,74- ММ: 484,76MM: 482.74- MM: 484.76

В раствор соединения 11 (660 мг, 1,37 ммоль, 1 экв.) в толуоле (10 мл) добавляли DIBAL-H (1 М, 2,73 мл, 2 экв.) при -70°C в атмосфере N2. Перемешивали смесь при -70°C в течение 5 мин. ТСХ показала, что соединение 11 полностью израсходовано, и образовано одно новое пятно. Реакция была завершена, по данным ТСХ (петролейный эфир:этилацетат=3:1 Rf=0,30). В реакционный раствор добавляли на- 48 043295 сыщенный водный раствор сегнетовой соли (30 мл) и МТБЭ (20 мл), перемешивали при 25°C в течениеTo a solution of compound 11 (660 mg, 1.37 mmol, 1 eq.) in toluene (10 ml) was added DIBAL-H (1 M, 2.73 ml, 2 eq.) at -70°C under N 2 atmosphere. The mixture was stirred at -70°C for 5 min. TLC showed that compound 11 was completely consumed and one new spot was formed. The reaction was complete by TLC (petroleum ether:ethyl acetate=3:1 Rf=0.30). A saturated aqueous solution of Rochelle's salt (30 ml) and MTBE (20 ml) was added to the reaction solution, stirred at 25°C for

0,5 ч и экстрагировали МТБЭ (10 млх4), промывали насыщенным солевым раствором (10 млх2), сушили с помощью Na2SO4, фильтровали и концентрировали при пониженном давлении с получением остатка. Остаток очищали колоночной хроматографией (SiO2, петролейный эфир/этилацетат=от 1/0 до 1/1) и основывались на ТСХ (петролейный эфир:этилацетат=3:1 Rf=0,30). Получали соединение 12 (310 мг, 513,06 мкмоль, выход 37,53%, чистота по ЖХМС 80,23%) в виде белого твердого вещества.0.5 h and extracted with MTBE (10 mlx4), washed with brine (10 mlx2), dried with Na 2 SO 4 , filtered and concentrated under reduced pressure to obtain a residue. The residue was purified by column chromatography (SiO 2 , petroleum ether/ethyl acetate=1/0 to 1/1) and based on TLC (petroleum ether:ethyl acetate=3:1 R f =0.30). Compound 12 (310 mg, 513.06 µmol, 37.53% yield, 80.23% purity by LCMS) was obtained as a white solid.

1H ЯМР (400 МГц, хлороформ-d) δ=8,67 (с, 1H), 7,52 (д, J=1,75 Гц, 1H), 7,40 (д, J=8,33 Гц, 1H), 7,31 (д, J=3,51 Гц, 1H), 7,22 (дд,J=8,33, 1,75 Гц, 1H), 6,69 (д, J=3,95 Гц, 1H), 6,17 (д, J=2,63 Гц, 1H), 4,83 (д, J=8,33 Гц, 1H), 4,76 (д, J=2,63 Гц, 1H), 4,05-4,18 (м, 1H), 2,94 (шс, 1H), 1,84 (с, 3H), 1,67 (с, 3H), 1,43 (с, 3H); ЖХМС: (M+H+): 484,3. Чистота по ЖХМС 80,23%; ТСХ (петролейный эфир:этилацетат=3:1) Rf=0,30.1H NMR (400 MHz, chloroform-d) δ=8.67 (s, 1H), 7.52 (d, J=1.75 Hz, 1H), 7.40 (d, J=8.33 Hz, 1H), 7.31 (d, J=3.51 Hz, 1H), 7.22 (dd, J=8.33, 1.75 Hz, 1H), 6.69 (d, J=3.95 Hz, 1H), 6.17 (d, J=2.63 Hz, 1H), 4.83 (d, J=8.33 Hz, 1H), 4.76 (d, J=2.63 Hz, 1H), 4.05-4.18(m, 1H), 2.94(brs, 1H), 1.84(s, 3H), 1.67(s, 3H), 1.43(s, 3H ); LCMS: (M+H+): 484.3. Purity by LCMS 80.23%; TLC (petroleum ether:ethyl acetate=3:1) Rf=0.30.

Получение (R)-((3aR,4R,6R,6aR)-6-(4-амино-7H-пирроло[2,3-d]пиримидин-7-ил)-2,2,3a-триметилтетрагидрофуро[3,4-d] [ 1,3]диоксол-4-ил)(3,4-дихлорфенил)метанола (13)Preparation of (R)-((3aR,4R,6R,6aR)-6-(4-amino-7H-pyrrolo[2,3-d]pyrimidin-7-yl)-2,2,3a-trimethyltetrahydrofuro[3, 4-d] [ 1,3]dioxol-4-yl)(3,4-dichlorophenyl)methanol (13)

1313

CsiHaoCIsNaOji C21 H32Cl2N4O4 CsiHaoCIsNaOji C 21 H 32 Cl 2 N 4 O 4

ММ: 484,76 ММ: 465,33MM: 484.76 MM: 465.33

В раствор соединения 12 (90 мг, 185,66 мкмоль, 1 экв.) в диоксане (5 мл) добавляли NH3-H2O (26,03 мг, 185,66 мкмоль, 28,60 мкл, чистота 25%, 1 экв.) при 25°C. Закрывали смесь и перемешивали при 100°C в течение 12 ч (30 фунт/кв.дюйм (206,8 кПа)). ЖХ-МС показала, что соединение 12 полностью израсходовано, и обнаружен один главный пик требуемого продукта. Реакционную смесь концентрировали при пониженном давлении для удаления растворителя. Соединение 13 (80 мг, неочищенное) использовали на следующей стадии без дополнительной очистки в виде желтого твердого вещества.To a solution of compound 12 (90 mg, 185.66 µmol, 1 eq.) in dioxane (5 ml) was added NH3-H2O (26.03 mg, 185.66 µmol, 28.60 µl, 25% purity, 1 eq. ) at 25°C. The mixture was closed and stirred at 100° C. for 12 hours (30 psi (206.8 kPa)). LC-MS indicated that compound 12 was completely consumed and one major peak of the desired product was found. The reaction mixture was concentrated under reduced pressure to remove the solvent. Compound 13 (80 mg, crude) was used in the next step without further purification as a yellow solid.

Получение (2R,3S,4R,5R)-5-(4-амино-7H-пирроло[2,3-d]пиримидин-7-ил)-2-((R)-(3,4-дихлорфенил)(гидрокси)метил)-3 -метилтетрагидрофуран-3,4-диола (формула I)Preparation of (2R,3S,4R,5R)-5-(4-amino-7H-pyrrolo[2,3-d]pyrimidin-7-yl)-2-((R)-(3,4-dichlorophenyl)( hydroxy)methyl)-3-methyltetrahydrofuran-3,4-diol (formula I)

В раствор соединения 13 (80 мг, 171,92 мкмоль, 1 экв.) добавляли HCl/MeOH (4 М, 4,26 мл, 99,07 экв.) при 0°C. Перемешивали смесь при 25°C в течение 10 мин. ЖХ-МС показала, что соединения 13 не осталось. Наблюдали несколько новых пиков на профиле ЖХ-МС и обнаруживали требуемое соединение. Реакционную смесь концентрировали при пониженном давлении для удаления растворителя. К остатку добавляли NH3*H2O для доведения pH до примерно 8. Остаток очищали препаративной ВЭЖХ (колонка для основных условий: Waters Xbridge 150x25, 5 мкм; подвижная фаза: [вода (0,04% NH3H2O + 10 мМ NH4HCO3) - ACN]; B%: 15%-45%, 10 мин). Получали соединение формулы I (29,83 мг, 69,48 мкмоль, выход 40,41%, чистота по ЖХМС 99,05%) в виде белого твердого вещества.To a solution of compound 13 (80 mg, 171.92 µmol, 1 eq.) was added HCl/MeOH (4 M, 4.26 ml, 99.07 eq.) at 0°C. The mixture was stirred at 25°C for 10 min. LC-MS showed that compound 13 was gone. Several new peaks were observed in the LC-MS profile and the desired compound was found. The reaction mixture was concentrated under reduced pressure to remove the solvent. NH 3 *H 2 O was added to the residue to adjust the pH to about 8. The residue was purified by preparative HPLC (basic column: Waters Xbridge 150x25.5 µm; mobile phase: [water (0.04% NH 3 H 2 O + 10 mM NH4HCO3)-ACN]; B%: 15%-45%, 10 min). The compound of formula I (29.83 mg, 69.48 µmol, 40.41% yield, 99.05% purity by LCMS) was obtained as a white solid.

1H ЯМР (400 МГц, ДМСО-d6) δ=8,04 (с, 1H), 7,61 (д, J=1,75 Гц, 1H), 7,51 (д, J=8,77 Гц, 1H), 7,42 (д, J=3,51 Гц, 1H), 7,38 (дд, J=8,33, 1,75 Гц, 1H), 7,07 (шс, 2H), 6,55-6,64 (м, 2H), 5,85 (д, J=8,33 Гц, 1H), 5,27 (д, J=7,45 Гц, 1H), 4,78 - 4,86 (м, 2H), 4,43 (т, J=7,89 Гц, 1H), 4,01 (д, J=6,14 Гц, 1H), 1,18 (с, 3H);1H NMR (400 MHz, DMSO-d 6 ) δ=8.04 (s, 1H), 7.61 (d, J=1.75 Hz, 1H), 7.51 (d, J=8.77 Hz , 1H), 7.42 (d, J=3.51 Hz, 1H), 7.38 (dd, J=8.33, 1.75 Hz, 1H), 7.07 (brs, 2H), 6 .55-6.64 (m, 2H), 5.85 (d, J=8.33 Hz, 1H), 5.27 (d, J=7.45 Hz, 1H), 4.78 - 4, 86 (m, 2H), 4.43 (t, J=7.89 Hz, 1H), 4.01 (d, J=6.14 Hz, 1H), 1.18 (s, 3H);

1H ЯМР (400 МГц, ДМСО-d6+D2O) δ=8,03 (с, 1H), 7,58 (д, J=1,54 Гц, 1H), 7,50 (д, J=8,16 Гц, 1H), 7,34-7,41 (м, 2H), 6,58 (д, J=3,53 Гц, 1H), 5,84 (д, J=8,16 Гц, 1H), 4,80 (д, J=6,39 Гц, 1H), 4,41 (д, J=8,16 Гц, 1H), 4,00 (д, J=6,39 Гц, 1H), 1,18 (с, 3H); ЖХМС: (M+H+): 425,1, чистота по ЖХМС 99,05%; чистота по ВЭЖХ: 100,00%.1H NMR (400 MHz, DMSO-d 6 +D 2 O) δ=8.03 (s, 1H), 7.58 (d, J=1.54 Hz, 1H), 7.50 (d, J= 8.16 Hz, 1H), 7.34-7.41 (m, 2H), 6.58 (d, J=3.53 Hz, 1H), 5.84 (d, J=8.16 Hz, 1H), 4.80 (d, J=6.39 Hz, 1H), 4.41 (d, J=8.16 Hz, 1H), 4.00 (d, J=6.39 Hz, 1H) , 1.18 (s, 3H); LCMS: (M+H+): 425.1, LCMS purity 99.05%; HPLC purity: 100.00%.

Формула IA. (2R,3S,4R,5R)-5-(4-амино-7H-пирроло[2,3-d]пиримидин-7-ил)-2-((R)-(3,4-дихлорфенил)(гидрокси)метил)-3-метилтетрагидрофуран-3,4-диол, малеатная соль (IA)Formula I.A. (2R,3S,4R,5R)-5-(4-amino-7H-pyrrolo[2,3-d]pyrimidin-7-yl)-2-((R)-(3,4-dichlorophenyl)(hydroxy )methyl)-3-methyltetrahydrofuran-3,4-diol, maleate salt (IA)

- 49 043295- 49 043295

Способ 1:Method 1:

(2R,3S,4R,5R)-5-(4-аминопирроло[2,3-d]пиримидин-7-ил)-2-[(R)-(3,4-дихлорфенил)гидроксиметил]3-метилтетрагидрофуран-3,4-диол (формула I; 0,95 г, 2,24 ммоль) растворяли в 120 мл смеси ACN:eoga (50:50) и нагревали до растворения твердого вещества. Добавляли раствор малеиновой кислоты (260,1 мг, 2,24 ммоль) в смеси ACN:вода (10 мл) и медленно охлаждали полученный раствор. Через 3 ч образовалось незначительное количество твердого вещества, и поэтому раствор концентрировали до примерно 80 мл, медленно охлаждали и оставляли стоять в течение ночи. Отфильтровывали небольшое количество твердого вещества (приблизительно 14 мг). Концентрировали фильтрат до приблизительно 50 мл (соотношение ACN:вода (50:50) изменялось в сторону увеличения концентрации воды), вносили собранные затравочные кристаллы, оставляли медленно остывать. Оставляли стоять 3 ч и отфильтровывали твердое вещество (приблизительно 3,2 г после высушивания в течение 1 ч (Т.пл.=201,2-201,5°С). Сушили в вакууме при комнатной температуре в течение ночи.(2R,3S,4R,5R)-5-(4-aminopyrrolo[2,3-d]pyrimidin-7-yl)-2-[(R)-(3,4-dichlorophenyl)hydroxymethyl]3-methyltetrahydrofuran- 3,4-diol (formula I; 0.95 g, 2.24 mmol) was dissolved in 120 ml of ACN:eoga (50:50) and heated to dissolve the solid. A solution of maleic acid (260.1 mg, 2.24 mmol) in ACN:water (10 ml) was added and the resulting solution was slowly cooled. After 3 hours, a small amount of solid formed, and therefore the solution was concentrated to about 80 ml, slowly cooled and left to stand overnight. A small amount of solid was filtered off (approximately 14 mg). The filtrate was concentrated to approximately 50 ml (the ratio of ACN:water (50:50) was changed towards an increase in the concentration of water), the collected seed crystals were added, left to cool slowly. Left to stand for 3 hours and filtered off the solid (approximately 3.2 g after drying for 1 hour (mp=201.2-201.5° C.). Dry in vacuum at room temperature overnight.

1H ЯМР (500 МГц, ДМСО-d6) δ 8,19 (с, 1H), 7,81 (с, 1H), 7,61 (дд, J=2,8, 17,5 Гц, 2H), 7,50 (д, J=8,3 Гц, 1H), 7,36 (дд, J=2,0, 8,4 Гц, 1H), 6,76 (д, J=3,5 Гц, 1H), 6,35 - 6,19 (м, 1H), 6,14 (с, 2H), 5,92 (д, J=8,2 Гц, 1H), 5,40-5,23 (м, 1H), 4,88 (с, 1H), 4,79 (д, J=7,2 Гц, 1H), 4,37 (д, J=8,2 Гц, 1H), 3,97 (д, J=7,2 Гц, 1H), 1,23 (с, 3H). 1 H NMR (500 MHz, DMSO-d 6 ) δ 8.19 (s, 1H), 7.81 (s, 1H), 7.61 (dd, J=2.8, 17.5 Hz, 2H) , 7.50 (d, J=8.3 Hz, 1H), 7.36 (dd, J=2.0, 8.4 Hz, 1H), 6.76 (d, J=3.5 Hz, 1H), 6.35-6.19 (m, 1H), 6.14 (s, 2H), 5.92 (d, J=8.2 Hz, 1H), 5.40-5.23 (m , 1H), 4.88 (s, 1H), 4.79 (d, J=7.2 Hz, 1H), 4.37 (d, J=8.2 Hz, 1H), 3.97 (d , J=7.2 Hz, 1H), 1.23 (s, 3H).

Кристаллы представляют собой длинные тонкие иглы.Crystals are long thin needles.

ЖХМС: RT=1,98 (424,8/428,8).LCMS: RT=1.98 (424.8/428.8).

Т.пл. 201,6-202,7°C.So pl. 201.6-202.7°C.

Способ 2:Method 2:

В прозрачную емкость добавляли соединение формулы I (100,0 г, 1 экв.), затем смешанный раствор ацетонитрила (450 мл) и деионизированной воды (315 мл). Нагревали смесь до примерно 50°C с получением раствора. Фильтровали через фильтр с получением фильтрата в виде прозрачного раствора A. Полученный раствор A переносили в прозрачную круглодонную колбу объемом 5 л, оснащенную механической мешалкой, термопарой и отверстием подачи азота. Емкость, использованную для получения раствора соединения формулы I, промывали смешанным раствором ацетонитрила (50 мл) и деионизированной воды (35 мл). Промывочный раствор фильтровали через тот же фильтр и переносили фильтрат в указанную круглодонную колбу объемом 5 л. Смесь в круглодонной колбе объемом 5 л нагревали до примерно 58°C. В круглодонную колбу объемом 5 л добавляли предварительно отфильтрованный раствор малеиновой кислоты (30 г, 1,1 экв.) в деионизированной воде (100 мл) с такой скоростью, чтобы поддерживать внутреннюю температуру при 40-60°C. Затем в круглодонную колбу объемом 5 л добавляли деионизированную воду, отфильтрованную через фильтр тонкой очистки (2000 мл), с такой скоростью, чтобы поддерживать внутреннюю температуру не ниже 40°C. Смесь в круглодонной колбе объемом 5 л оставляли остывать до 15-25°C и перемешивали в течение ночи. Смесь в круглодонной колбе объемом 5 л охлаждали до 0-10°C и перемешивали в течение примерно 2 ч. Смесь в круглодонной колбе объемом 5 л фильтровали и промывали осадок на фильтре деонизированной водой, отфильтрованной через фильтр тонкой очистки (1000 мл). Отфильтрованный осадок на фильтре сушили на фильтре в течение примерно 3,5 ч. Продукт переносили в лоток и сушили в сушильном шкафу под вакуумом при 40°C до постоянной массы (110 г). Выход продукта составил 86,5%.A compound of formula I (100.0 g, 1 eq.) was added to a clear container followed by a mixed solution of acetonitrile (450 ml) and deionized water (315 ml). Heated the mixture to about 50°C to obtain a solution. Filter through a filter to obtain a filtrate as a clear solution A. The resulting solution A was transferred to a 5 L clear round bottom flask equipped with a mechanical stirrer, a thermocouple and a nitrogen inlet. The container used to prepare the solution of the compound of formula I was washed with a mixed solution of acetonitrile (50 ml) and deionized water (35 ml). The wash solution was filtered through the same filter and the filtrate was transferred to the indicated 5 L round bottom flask. The mixture in a 5 L round bottom flask was heated to about 58°C. To a 5 L round bottom flask was added a pre-filtered solution of maleic acid (30 g, 1.1 eq.) in deionized water (100 ml) at such a rate as to maintain the internal temperature at 40-60°C. Then, deionized water filtered through a fine filter (2000 ml) was added to a 5 L round bottom flask at such a rate as to maintain an internal temperature of at least 40°C. The mixture in a 5 L round bottom flask was allowed to cool to 15-25° C. and stirred overnight. The mixture in the 5 L round bottom flask was cooled to 0-10° C. and stirred for about 2 hours. The mixture in the 5 L round bottom flask was filtered and the filter cake was washed with deionized water filtered through a fine filter (1000 ml). The filter cake was dried on the filter for about 3.5 hours. The product was transferred to a tray and dried in an oven under vacuum at 40° C. to constant weight (110 g). The product yield was 86.5%.

Способ 3:Method 3:

Свободное основание формулы I растворяли в метаноле (12 объемов) при 20-45°C. Раствор фильтровали через фильтр тонкой очистки, нагруженный целитом (~1 масса). Для промывания использовали дополнительное количество метанола (4 объема). Фильтрат и промывочный раствор переносили в ротационный испаритель через встроенный фильтр и концентрировали на ротационном испарителе до прекращения дистилляции. В ротационный испаритель загружали отфильтрованный этанол (3,5 объема) и концентрировали до прекращения дистилляции. Твердое вещество (формула I) смешивали в ротационном испарителе с отфильтрованным этанолом (10 объемов), затем переносили смесь в реактор и нагревали до 35-50°C. Затем добавляли раствор малеиновой кислоты (1,1 экв.) в этаноле (3,5 объема), отфильтрованный через тонкий фильтр, при 35-50°C. Перемешивали смесь при 35-50°C в течение >30 мин, охлаждали до 15-30°C, затем перемешивали при указанной температуре в течение >3 ч. Твердое вещество отфильтровывали и промывали осадок на фильтре отфильтрованным этанолом (3,5 объема). Продукт сушили, пропуская воздух через осадок на фильтре, затем переносили продукт на сушильные лотки и дополнительно сушили на воздухе. Продукт дополнительно сушили под вакуумом при <45°C до достижения постоянной массы. Продукт измельчали шпателем и пропускали через сито 60 меш. Продукт дополнительно сушили в вакуумном сушильном шкафу при <45°C до достижения постоянной массы. Полученное твердое вещество представляет собой соединение формулы IA.The free base of formula I was dissolved in methanol (12 volumes) at 20-45°C. The solution was filtered through a fine filter loaded with celite (~1 wt). Additional methanol (4 volumes) was used for washing. The filtrate and washing solution were transferred to a rotary evaporator through an inline filter and concentrated on a rotary evaporator until distillation ceased. Filtered ethanol (3.5 volumes) was charged to a rotary evaporator and concentrated until distillation ceased. The solid (formula I) was mixed in a rotary evaporator with filtered ethanol (10 volumes), then the mixture was transferred to the reactor and heated to 35-50°C. Then a solution of maleic acid (1.1 eq.) in ethanol (3.5 volumes), filtered through a fine filter, was added at 35-50°C. Stir the mixture at 35-50° C. for >30 min, cool to 15-30° C., then stir at the same temperature for >3 h. The solid is filtered off and the filter cake is washed with filtered ethanol (3.5 volumes). The product was dried by passing air through the filter cake, then the product was transferred to drying trays and further air dried. The product was further dried under vacuum at <45° C. until constant weight was reached. The product was crushed with a spatula and passed through a 60 mesh sieve. The product was further dried in a vacuum oven at <45° C. until constant weight was reached. The resulting solid is a compound of formula IA.

Профиль РПД представлен на фиг. 1. Профиль ДСК представлен на фиг. 3. Профиль ТГА представлен на фиг. 4.The RPD profile is shown in Fig. 1. The DSC profile is shown in FIG. 3. The TGA profile is shown in FIG. 4.

Способ 4:Method 4:

Соединение формулы IA получали посредством добавления свободного основания формулы I в ацетонитрил в исходной концентрации приблизительно 20 мг/мл. Образец нагревали до приблизительноThe compound of formula IA was prepared by adding the free base of formula I to acetonitrile at an initial concentration of approximately 20 mg/ml. The sample was heated to approx.

- 50 043295- 50 043295

55°C и добавляли один эквивалент малеиновой кислоты. Образец мгновенно превращался в гель. Добавляли дополнительное количество ацетонитрила и, наконец, небольшое количество воды (конечная концентрация в растворе приблизительно 9 мг/мл в смеси 8:1 ACN/H2O (по объему)). При добавлении воды образец сразу стал прозрачным. Образец оставляли медленно остывать. Из раствора не выделялось твердое вещество. Объем образца существенно уменьшали и затем обрабатывали ультразвуком. Из раствора выпадал белый твердый осадок. Твердое вещество собирали фильтрованием.55°C and added one equivalent of maleic acid. The sample instantly turned into a gel. Additional acetonitrile was added and finally a small amount of water (final concentration in a solution of approximately 9 mg/ml in 8:1 ACN/H2O (v/v)). When water was added, the sample immediately became transparent. The sample was allowed to cool slowly. No solid was isolated from the solution. The volume of the sample was substantially reduced and then sonicated. A white solid precipitated out of the solution. The solid was collected by filtration.

Профиль РПД представлен на фиг. 2. Ниже в табл. 8 представлены данные кристалла.The RPD profile is shown in Fig. 2. Below in the table. 8 shows crystal data.

Таблица 8. Данные кристалла, представленные на фиг. 2Table 8 Crystal data shown in FIG. 2

Тип Браве Brave type Примитивный моноклинный Primitive monoclinic а [А] a [A] 12,298 12.298 b [А] b [A] 6,993 6.993 с [А] with [A] 28,585 28.585 ос [град] os [deg] 90 90 β [град] β [deg] 98,30 98.30 γ [град] γ [deg] 90 90 Объем [А3/ячейка]Volume [A 3 /cell] 2432,5 2432.5 Содержание хиральных частиц? Content of chiral particles? Хиральные Chiral Символ вырожденности Symbol degeneracy Р 1 21 1 R 1 21 1 Пространственная группа(ы) Space group(s) Р21 (4) R21 (4)

ДСК и ТГА представлены на фиг. 5.DSC and TGA are shown in Fig. 5.

Для данного материала проведена гравиметрическая оценка растворимости в воде, составившая приблизительно 1,1 г/л.This material was gravimetrically evaluated for solubility in water, which was approximately 1.1 g/l.

Способ 5:Method 5:

К 30,5 мг малеиновой кислоты (0,263 ммоль, 1,05 экв.) добавляли 106,6 мг (0,25 ммоль, 1,0 экв.) соединения формулы I. Добавляли 4,0 мл EtOH и непрерывно перемешивали полученную смесь в течение ночи. Смесь фильтровали с получением твердого вещества, которое промывали 2,5 мл МТБЭ и затем сушили (40°C под вакуумом в течение ночи) с получением соединения формулы IA.To 30.5 mg of maleic acid (0.263 mmol, 1.05 eq.) was added 106.6 mg (0.25 mmol, 1.0 eq.) of the compound of formula I. 4.0 ml of EtOH was added and the resulting mixture was continuously stirred in during the night. The mixture was filtered to give a solid which was washed with 2.5 ml MTBE and then dried (40° C. under vacuum overnight) to give a compound of formula IA.

Профиль РПД представлен на фиг. 14.The RPD profile is shown in Fig. 14.

Профиль ДСК представлен на фиг. 15.The DSC profile is shown in Fig. 15.

Профиль ТГА представлен на фиг. 16.The TGA profile is shown in Fig. 16.

Формула IB. (2R,3S,4R,5R)-5-(4-амино-7H-пирроло[2,3-d]пиримидин-7-ил)-2-((R)-(3,4-дихлорфенил)(гидрокси)метил)-3-метилтетрагидрофуран-3,4-диол, гидрохлоридная соль (IB)IB formula. (2R,3S,4R,5R)-5-(4-amino-7H-pyrrolo[2,3-d]pyrimidin-7-yl)-2-((R)-(3,4-dichlorophenyl)(hydroxy )methyl)-3-methyltetrahydrofuran-3,4-diol, hydrochloride salt (IB)

Способ 1:Method 1:

Кристаллическое соединение формулы IB получали в эксперименте, в котором объединяли соединение формулы I и водный раствор HCl (1 экв.) в ацетонитриле (ACN) при повышенной температуре. Реагенты использовали в молярном соотношении 1:1, и после получения прозрачного раствора оставляли раствор остывать до комнатной температуры. Собирали твердое вещество и получали его характеристики после высушивания в условиях окружающей среды.A crystalline compound of formula IB was obtained in an experiment in which a compound of formula I and an aqueous solution of HCl (1 eq.) in acetonitrile (ACN) were combined at elevated temperature. The reagents were used in a molar ratio of 1:1, and after obtaining a clear solution, the solution was left to cool to room temperature. The solid was collected and characterized after drying at ambient conditions.

Профиль РПД представлен на фиг. 8. Ниже в табл. 9 представлены данные кристалла.The RPD profile is shown in Fig. 8. Below in the table. 9 shows crystal data.

- 51 043295- 51 043295

Таблица .9. Данные кристалла, представленные на фиг. 8Table .9. The crystal data presented in Fig. 8

Тип Браве Brave type Примитивный орторомбический Primitive orthorhombic а [А] a [A] 9,597 9.597 Ь[А] b[A] 13,189 13.189 С [А] C [A] 35,618 35.618 а [град] a [deg] 90 90 β [град] β [deg] 90 90 γ[град] γ[deg] 90 90 Объем [А3/ячейка]Volume [A 3 /cell] 4508,3 4508.3 Содержание хиральных частиц? Content of chiral particles? Хиральные Chiral Символ вырожденности Symbol degeneracy Р 21 21 21 R 21 21 21 Пространственная группа(ы) Space group(s) Ρ2ι2ι2ι(19) Ρ2ι2ι2ι(19)

ДСК и ТГА представлены на фиг. 11.DSC and TGA are shown in Fig. eleven.

Для данного материала проведена гравиметрическая оценка растворимости в воде, составившая приблизительно 0,8 г/л.This material was gravimetrically evaluated for solubility in water, which was approximately 0.8 g/l.

Способ 2:Method 2:

(2R,3S,4R,5R)-5-(4-аминопирроло[2,3-d]пиримидин-7-ил)-2-[(R)-(3,4-дихлорфенил)гидроксиметил]3-метилтетрагидрофуран-3,4-диол (формула I; 201,0 мг, 0,47 ммоль) растворяли в ACN (5 мл) и нагревали смесь до растворения твердого вещества. Добавляли раствор хлористоводородной кислоты (0,03 мл, 0,47 ммоль) в 1 мл ACN и медленно охлаждали раствор. Отфильтровывали твердое вещество, сушили в вакууме.(2R,3S,4R,5R)-5-(4-aminopyrrolo[2,3-d]pyrimidin-7-yl)-2-[(R)-(3,4-dichlorophenyl)hydroxymethyl]3-methyltetrahydrofuran- 3,4-diol (formula I; 201.0 mg, 0.47 mmol) was dissolved in ACN (5 ml) and the mixture was heated until the solid dissolved. A solution of hydrochloric acid (0.03 ml, 0.47 mmol) in 1 ml ACN was added and the solution was slowly cooled. The solid was filtered off, dried in vacuo.

Т.пл.: темнеет и сжимается при 210,6-212,8°C, плавится при 216,9-217,9°C.Mp: darkens and shrinks at 210.6-212.8°C, melts at 216.9-217.9°C.

Содержание Cl по титрованию: 23,13%, теоретическое значение 23,03%Cl content by titration: 23.13%, theoretical value 23.03%

1H ЯМР (500 МГц, ДМСО-d6) δ 8,35 (с, 1H), 7,85 (д, J=3,7 Гц, 1H), 7,58 (д, J=2,0 Гц, 1H), 7,49 (д, J=8,3 Гц, 1H), 7,35 (дд, J=2,0, 8,4 Гц, 1H), 7,01 (д, J=3,7 Гц, 1H), 6,00 (д, J=8,2 Гц, 1H), 5,92 (с, 1H), 4,78 (д, J=7,9 Гц, 1H), 4,33 (д, J=8,2 Гц, 1H), 3,93 (д, J=7,9 Гц, 1H), 2,06 (с, 1H), 1,29 (с, 3H).1H NMR (500 MHz, DMSO-d 6 ) δ 8.35 (s, 1H), 7.85 (d, J=3.7 Hz, 1H), 7.58 (d, J=2.0 Hz, 1H), 7.49 (d, J=8.3 Hz, 1H), 7.35 (dd, J=2.0, 8.4 Hz, 1H), 7.01 (d, J=3.7 Hz, 1H), 6.00 (d, J=8.2 Hz, 1H), 5.92 (s, 1H), 4.78 (d, J=7.9 Hz, 1H), 4.33 ( d, J=8.2 Hz, 1H), 3.93 (d, J=7.9 Hz, 1H), 2.06 (s, 1H), 1.29 (s, 3H).

Профиль РПД представлен на фиг. 6.The RPD profile is shown in Fig. 6.

Профиль ДСК представлен на фиг. 9.The DSC profile is shown in Fig. 9.

Профиль ТГА представлен на фиг. 10.The TGA profile is shown in Fig. 10.

Способ 3:Method 3:

Формула IBIB Formula

Концентрированную хлористоводородную кислоту (36,5-38,0%, 15 экв.) добавляли в предварительно охлажденный (0-10°C) раствор соединения 13 в метаноле (10 объемов), поддерживая температуру при <10°C. Нагревали баню до 20-30°C и перемешивали при указанной температуре в течение >6 ч. Продолжали реакцию до нарушения контрольного критерия прогресса (<1,0% соединения 13 относительно соединения формулы IB, по данным ВЭЖХ). Фильтровали смесь и промывали осадок на фильтре (соединение формулы IB) этанолом. Осадок на фильтре сушили на воронке, пропуская воздух через осадок на фильтре в течение >1 ч.Concentrated hydrochloric acid (36.5-38.0%, 15 eq.) was added to a pre-cooled (0-10°C) solution of compound 13 in methanol (10 volumes), maintaining the temperature at <10°C. The bath was heated to 20-30° C. and stirred at the same temperature for >6 hours. The reaction was continued until the progress control criterion was violated (<1.0% of compound 13 relative to the compound of formula IB, as determined by HPLC). Filter the mixture and wash the filter cake (compound of formula IB) with ethanol. The filter cake was dried on a funnel by passing air through the filter cake for >1 h.

Профиль РПД представлен на фиг. 7.The RPD profile is shown in Fig. 7.

Способ 4. Формула IB, форма I:Method 4. Formula IB Form I:

Суспензию примерно 40 мг соединения формулы IB в 0,6 мл этилформиата перемешивали при 55°C в течение выходных дней и затем фильтровали и промывали, используя 0,6 МТБЭ, с получением кристаллической формы I формулы IB, которую сушили в сушильном шкафу при 47-48°C в течение ночи.A suspension of about 40 mg of a compound of formula IB in 0.6 ml of ethyl formate was stirred at 55° C. over the weekend and then filtered and washed with 0.6 MTBE to give crystalline form I of formula IB, which was dried in an oven at 47- 48°C during the night.

Профиль РПД представлен на фиг. 20.The RPD profile is shown in Fig. 20.

Профиль ДСК представлен на фиг. 21.The DSC profile is shown in Fig. 21.

Профиль ТГА представлен на фиг. 22.The TGA profile is shown in Fig. 22.

Титрование методом Карла Фишера показало, что форма I формулы IB содержит примерно 0,21% воды.Karl Fischer titration showed that Form I of formula IB contains about 0.21% water.

Изотермы адсорбции/десорбции формы I формулы IB, представленные на фиг. 23, указывают на то,The adsorption/desorption isotherms of form I of formula IB shown in FIG. 23 indicate that

- 52 043295 что она может адсорбировать ~0,5% воды при влажности примерно 95% и может адсорбировать ~0,1% воды при комнатной температуре и нормальном диапазоне влажности (OB 40-50%).- 52 043295 that it can adsorb ~0.5% water at about 95% humidity and can adsorb ~0.1% water at room temperature and normal humidity range (OB 40-50%).

Сравнение профилей РПД до и после ДСП показало отсутствие изменения формы. См. фиг. 24.Comparison of RPD profiles before and after EAF showed no change in shape. See fig. 24.

Профиль 1H ЯМР представлен на фиг. 25.The 1H NMR profile is shown in FIG. 25.

Способ 5: Формула IB, форма IIMethod 5: Formula IB Form II

Суспензию 60 мг соединения формулы IB в 1,2 мл этанола перемешивали при 55°C в течение 16 ч, фильтровали и промывали твердое вещество, используя 1,0 мл МТБЭ. Твердое вещество сушили в сушильном шкафу при 47-48°C в течение ночи с получением формы II формулы IB.A suspension of 60 mg of a compound of formula IB in 1.2 ml of ethanol was stirred at 55° C. for 16 h, filtered and the solid washed with 1.0 ml of MTBE. The solid was dried in an oven at 47-48° C. overnight to give form II of formula IB.

Профиль РПД представлен на фиг. 26.The RPD profile is shown in Fig. 26.

Профиль ДСК представлен на фиг. 27The DSC profile is shown in Fig. 27

Профиль ТГА представлен на фиг. 28.The TGA profile is shown in Fig. 28.

Профиль 1H ЯМР представлен на фиг. 29.The 1H NMR profile is shown in FIG. 29.

Титрование методом Карла Фишера показало, что форма II формулы IB содержит примерно 0,54% воды.Karl Fischer titration indicated that Form II of formula IB contained approximately 0.54% water.

Профиль ДСП представлен на фиг. 30. Изотермы адсорбции/десорбции формы II формулы IB указывают на то, что она может адсорбировать ~6% воды при влажности примерно 95% и может адсорбировать ~3% воды при комнатной температуре и нормальном диапазоне влажности (OB 40-50%).The chipboard profile is shown in Fig. 30. Adsorption/desorption isotherms of form II of formula IB indicate that it can adsorb ~6% water at about 95% humidity and can adsorb ~3% water at room temperature and normal humidity range (OB 40-50%).

Сравнение профилей РПД до и после ДСП показало отсутствие изменения формы. См. фиг. 31.Comparison of RPD profiles before and after EAF showed no change in shape. See fig. 31.

Способ 6: Формула IB, форма IIIMethod 6: Formula IB Form III

Суспензию примерно 35 мг соединения формулы IB в 0,4 мл ацетона перемешивали при 55°C в течение выходных дней и затем промывали, используя 0,5 МТБЭ, с получением кристаллической формы III формулы IB, которую сушили в сушильном шкафу при 47-48°C в течение ночи.A suspension of about 35 mg of a compound of formula IB in 0.4 ml of acetone was stirred at 55° C. over the weekend and then washed with 0.5 MTBE to give crystalline form III of formula IB, which was dried in an oven at 47-48° C during the night.

Профиль РПД представлен на фиг. 32.The RPD profile is shown in Fig. 32.

Профиль ДСК представлен на фиг. 33.The DSC profile is shown in Fig. 33.

Профиль ТГА представлен на фиг. 34. Образец демонстрировал потерю приблизительно 0,01% массы до примерно 100°C.The TGA profile is shown in Fig. 34. The sample showed a loss of approximately 0.01% of the mass to approximately 100°C.

Профиль 1H ЯМР представлен на фиг. 35.The 1H NMR profile is shown in FIG. 35.

Профиль ДСП представлен на фиг. 36. Изотермы адсорбции/десорбции формы III формулы IB указывают на то, что она может адсорбировать ~2,8% воды при влажности примерно 95% и может адсорбировать ~1% воды при комнатной температуре и нормальном диапазоне влажности (OB 40-50%).The chipboard profile is shown in Fig. 36. Adsorption/desorption isotherms of form III of formula IB indicate that it can adsorb ~2.8% water at about 95% humidity and can adsorb ~1% water at room temperature and normal humidity range (OB 40-50%) .

Фиг. 37. Профиль РПД до и после ДСП демонстрировал отсутствие изменения формы.Fig. 37. The RPD profile before and after EAF showed no shape change.

Способ 7: Формула IB, форма IVMethod 7: Formula IB Form IV

Суспензию 40 мг соединения формулы IB в 0,6 мл н-пропанола перемешивали при 55°C в течение выходных дней, фильтровали, промывали, используя 0,5 мл МТБЭ, и сушили в сушильном шкафу при 47-48°C в течение ночи с получением формы IV формулы IB.A suspension of 40 mg of a compound of formula IB in 0.6 ml of n-propanol was stirred at 55°C over the weekend, filtered, washed with 0.5 ml of MTBE and dried in an oven at 47-48°C overnight with obtaining form IV of formula IB.

Профиль РПД представлен на фиг. 38.The RPD profile is shown in Fig. 38.

Профиль ДСК представлен на фиг. 39. Профиль ДСК демонстрирует температуру начала при 214,32°C и пик при 220,59°C.The DSC profile is shown in Fig. 39. The DSC profile shows an onset temperature at 214.32°C and a peak at 220.59°C.

Профиль ТГА представлен на фиг. 40. Профиль ТГА демонстрирует потерю приблизительно 0,02% массы до 130°C.The TGA profile is shown in Fig. 40. The TGA profile shows a loss of approximately 0.02% weight to 130°C.

Профиль 1H ЯМР представлен на фиг. 41.The 1H NMR profile is shown in FIG. 41.

Способ 8:Method 8:

К 106,3 мг соединения формулы I (0,25 ммоль, 1,0 экв.) добавляли 4,0 мл 2-бутанона и перемешивали полученную смесь в течение 5 минут. Добавляли 263 мкл 1,0 М раствора HCl в ИПС (0,263 ммоль, 1,06 экв.). Перемешивали смесь получением тонкодисперсной суспензии, которую непрерывно перемешивали в течение ночи. Фильтровали смесь с получением твердого вещества, которое сушили (40°C под вакуумом в течение ночи) с получением соединения формулы IB (97 мг, выход 85,8%).To 106.3 mg of the compound of formula I (0.25 mmol, 1.0 eq.) was added 4.0 ml of 2-butanone and the resulting mixture was stirred for 5 minutes. 263 μl of 1.0 M HCl solution in IPA (0.263 mmol, 1.06 eq.) was added. The mixture was stirred to obtain a fine suspension, which was continuously stirred overnight. The mixture was filtered to give a solid which was dried (40° C. under vacuum overnight) to give the compound of formula IB (97 mg, 85.8% yield).

Профиль РПД представлен на фиг. 17.The RPD profile is shown in Fig. 17.

Профиль ДСК представлен на фиг. 18.The DSC profile is shown in Fig. 18.

Профиль ТГА представлен на фиг. 19.The TGA profile is shown in Fig. 19.

Способ 9:Method 9:

210 мг свободного основания формулы I (0,494 ммоль, 1,0 экв.) и 5,0 мл метанола перемешивали с получением прозрачного раствора. Добавляли хлористоводородную кислоту (0,51 мл, 1,03 экв., в ИПС из 37% водного раствора) и перемешивали смесь в течение примерно 1,0 минуты с получением суспензии. Суспензию непрерывно перемешивали в течение 2,0 ч, затем при 50°C в течение 1,0 ч, затем при комнатной температуре в течение 1,0 ч. Фильтровали смесь и промывали МТБЭ (4,0 мл), и сушили твердое вещество при 45-48°C под вакуумом в течение 24 ч.210 mg of the free base of formula I (0.494 mmol, 1.0 eq.) and 5.0 ml of methanol were stirred to obtain a clear solution. Hydrochloric acid (0.51 ml, 1.03 eq., in IPA from 37% aqueous solution) was added and the mixture stirred for about 1.0 minutes to form a slurry. The suspension was stirred continuously for 2.0 h, then at 50°C for 1.0 h, then at room temperature for 1.0 h. Filter the mixture and wash with MTBE (4.0 ml) and dry the solid at 45-48°C under vacuum for 24 hours.

Профиль РПД представлен на фиг. 42.The RPD profile is shown in Fig. 42.

Профиль ДСК представлен на фиг. 43.The DSC profile is shown in Fig. 43.

Профиль ТГА представлен на фиг. 44.The TGA profile is shown in Fig. 44.

- 53 043295- 53 043295

Формула IC. (2R,3S,4R,5R)-5-(4-амино-7H-пирроло[2,3-d]пиримидин-7-ил)-2-((R)-(3,4-дихлорфенил)(гидрокси)метил)-3-метилтетрагидрофуран-3,4-диол, оксалатная соль (IC)IC formula. (2R,3S,4R,5R)-5-(4-amino-7H-pyrrolo[2,3-d]pyrimidin-7-yl)-2-((R)-(3,4-dichlorophenyl)(hydroxy )methyl)-3-methyltetrahydrofuran-3,4-diol, oxalate salt (IC)

Кристаллическое соединение формулы IC получали в эксперименте, в котором объединяли соединение формулы I и щавелевую кислоту (1 экв.) в этаноле при повышенной температуре. Раствор оставляли остывать и затем обеспечивали возможность испарения этанола. Твердое вещество собирали и полу чали характеристики после высушивания в условиях окружающей среды.A crystalline compound of formula IC was obtained in an experiment in which a compound of formula I and oxalic acid (1 eq) were combined in ethanol at elevated temperature. The solution was left to cool and then allowed to evaporate the ethanol. The solid was collected and characterized after drying at ambient conditions.

Профиль РПД представлен на фиг. 12. Ниже в табл. 10 представлены данные кристалла. Т аблица 10. Данные кристалла, представленные на фиг. 12The RPD profile is shown in Fig. 12. Below in the table. 10 shows crystal data. Table 10. Chip data shown in FIG. 12

Тип Браве Brave type Примитивный орторомбический Primitive orthorhombic а [А] a [A] 7,373 7.373 Ъ [А] b [A] 11,580 11,580 С [А] C [A] 50,309 50.309 а [град] a [deg] 90 90 β [град] β [deg] 90 90 γ [град] γ [deg] 90 90 Объем [А3/ячейка]Volume [A 3 /cell] 4295,3 4295.3 Содержание хиральных частиц? Content of chiral particles? Хиральные Chiral Символ вырожденности Degeneracy symbol Р 2т 21 21 R 2t 21 21 Пространственная группа(ы) Space group(s) Ρ2ι2ι2ι(19) Ρ2ι2ι2ι(19)

Для данного материала проведена гравиметрическая оценка растворимости в воде, и обнаружено отсутствие растворимости (<0,3 г/л).This material was gravimetrically evaluated for solubility in water and found to have no solubility (<0.3 g/l).

Формула ID. (2R,3S,4R,5R)-5-(4-амино-7H-пирроло[2,3-d]пиримидин-7-ил)-2-((R)-(3,4-дихлорфенил)(гидрокси)метил)-3-метилтетрагидрофуран-3,4-диол, фосфатная соль (ID)Formula ID. (2R,3S,4R,5R)-5-(4-amino-7H-pyrrolo[2,3-d]pyrimidin-7-yl)-2-((R)-(3,4-dichlorophenyl)(hydroxy )methyl)-3-methyltetrahydrofuran-3,4-diol, phosphate salt (ID)

Способ 1:Method 1:

Кристаллическое соединение формулы ID получали в эксперименте, в котором объединяли соединение формулы I и фосфорную кислоту (1 экв.) в этаноле при повышенной температуре. Образец оставляли остывать, и из раствора в осадок выпадало твердое вещество. Твердое вещество собирали и получали характеристики после высушивания в условиях окружающей среды.A crystalline compound of formula ID was obtained in an experiment in which a compound of formula I and phosphoric acid (1 eq) were combined in ethanol at elevated temperature. The sample was allowed to cool and a solid precipitated out of solution. The solid was collected and characterized after drying at ambient conditions.

Профиль РПД представлен на фиг. 13. Ниже в табл. 11 представлены данные кристалла.The RPD profile is shown in Fig. 13. Below in the table. 11 shows crystal data.

- 54 043295- 54 043295

Таблица 11. Данные кристалла, представленные на фиг. 13Table 11 Crystal data shown in FIG. 13

Тип Браве Brave type Примитивный орторомбический Primitive orthorhombic а [А] a [A] 7,730 7.730 Ь [А] b [A] 12,120 12.120 С [А] C [A] 49,420 49.420 а [град] a [deg] 90 90 β [град] β [deg] 90 90 γ [град] γ [deg] 90 90 Объем [А3/ячейка]Volume [A 3 /cell] 4630,0 4630.0 Содержание хиральных частиц? Content of chiral particles? Хиральные Chiral Символ Symbol Р21 21 21 R21 21 21 вырожденности degeneracy Пространственная группа(ы) Space group(s) Ρ2ι2ι2ι(19) Ρ2ι2ι2ι(19)

Для данного материала проведена гравиметрическая оценка растворимости в воде, и обнаружено отсутствие растворимости (<0,3 г/л).This material was gravimetrically evaluated for solubility in water and found to have no solubility (<0.3 g/l).

Способ 2:Method 2:

К 106,7 мг соединения формулы I (0,25 ммоль, 1,0 экв.) добавляли 4,0 мл MeOH и перемешивали полученную смесь с получением прозрачного раствора. Добавляли 265 мкл 1,0 М раствора H3PO4 в ИПС (0,265 ммоль, 1,06 экв.). Непрерывно перемешивали смесь в течение ночи и затем фильтровали с получением твердого вещества, которое сушили (40°C под вакуумом в течение ночи) с получением соединения формулы IC. Профиль РПД представлен на фиг. 45.To 106.7 mg of the compound of formula I (0.25 mmol, 1.0 eq.) was added 4.0 ml of MeOH and the resulting mixture was stirred to obtain a clear solution. 265 µl of 1.0 M H 3 PO 4 solution in IPA (0.265 mmol, 1.06 eq.) was added. The mixture was stirred continuously overnight and then filtered to give a solid which was dried (40° C. under vacuum overnight) to give a compound of formula IC. The RPD profile is shown in Fig. 45.

Профиль ДСК представлен на фиг. 46.The DSC profile is shown in Fig. 46.

Профиль ТГА представлен на фиг. 47.The TGA profile is shown in Fig. 47.

Формула IE. (2R,3S,4R,5R)-5-(4-амино-7H-пирроло[2,3-d]пиримидин-7-ил)-2-((R)-(3,4-дихлорфенил)(гидрокси)метил)-3 -метилтетрагидрофуран-3,4-диол, бисульфат (IE)IE formula. (2R,3S,4R,5R)-5-(4-amino-7H-pyrrolo[2,3-d]pyrimidin-7-yl)-2-((R)-(3,4-dichlorophenyl)(hydroxy )methyl)-3-methyltetrahydrofuran-3,4-diol, bisulfate (IE)

(2R,3S,4R,5R)-5-(4-аминопирроло[2,3-d]пиримидин-7-ил)-2-[(R)-(3,4-дихлорфенил)гидроксиметил]3-метилтетрагидрофуран-3,4-диол (100 мг, 0,24 ммоль) в ИПС (5 мл) обрабатывали ультразвуком при 50°C с получением прозрачного раствора и затем добавляли серную кислоту (2,14 мл, 0,24 ммоль) и снова обрабатывали ультразвуком при 50°C в течение 5 мин. Смесь оставляли медленно остывать и центрифугировали полученное твердое вещество, промывали минимальным количеством воды и сушили под высоким вакуумом с получением 95 мг игольчатых кристаллов; Т.пл. 216-219°C.(2R,3S,4R,5R)-5-(4-aminopyrrolo[2,3-d]pyrimidin-7-yl)-2-[(R)-(3,4-dichlorophenyl)hydroxymethyl]3-methyltetrahydrofuran- 3,4-diol (100 mg, 0.24 mmol) in IPA (5 ml) was sonicated at 50°C to give a clear solution and then sulfuric acid (2.14 ml, 0.24 mmol) was added and sonicated again at 50°C for 5 min. The mixture was allowed to cool slowly and the resulting solid was centrifuged, washed with minimal water and dried under high vacuum to give 95 mg of needles; So pl. 216-219°C.

1H ЯМР (500 МГц, ДМСО-d6) δ 8,21 (с, 1H), 7,65 (д, J=3,7 Гц, 1H), 7,60 (д, J=1,9 Гц, 1H), 7,51 (д, J=8,3 Гц, 1H), 7,37 (дд, J=1,9, 8,3 Гц, 1H), 6,79 (д, J=3,6 Гц, 1H), 6,24 (шс, 1H), 5,94 (д, J=8,2 Гц, 1H), 5,33 (шс, 1H), 4,90 (шс, 1H), 4,80 (д, J=7,2 Гц, 1H), 4,44 - 4,33 (м, 1H), 3,98 (д, J=7,2 Гц, 1H), 1,25 (с, 3H).1H NMR (500 MHz, DMSO-d6) δ 8.21 (s, 1H), 7.65 (d, J=3.7 Hz, 1H), 7.60 (d, J=1.9 Hz, 1H ), 7.51 (d, J=8.3 Hz, 1H), 7.37 (dd, J=1.9, 8.3 Hz, 1H), 6.79 (d, J=3.6 Hz , 1H), 6.24(brs, 1H), 5.94(d, J=8.2Hz, 1H), 5.33(brs, 1H), 4.90(brs, 1H), 4.80 (d, J=7.2 Hz, 1H), 4.44 - 4.33 (m, 1H), 3.98 (d, J=7.2 Hz, 1H), 1.25 (s, 3H) .

Формула I. (2R,3S,4R,5R)-5-(4-амино-7H-пирроло[2,3-d]пиримидин-7-ил)-2-((R)-(3,4-дихлорфенил)(гидрокси)метил)-3 -метилтетрагидрофуран-3,4-диолFormula I. (2R,3S,4R,5R)-5-(4-amino-7H-pyrrolo[2,3-d]pyrimidin-7-yl)-2-((R)-(3,4-dichlorophenyl )(hydroxy)methyl)-3-methyltetrahydrofuran-3,4-diol

Способ 1: Формула I, форма IMethod 1: Formula I, Form I

Свободное основание формулы I (56 мг, 0,132 ммоль) и 1,0 мл изопропанола перемешивали в течение 10 минут с получением прозрачного раствора, который перемешивали при 55°C в течение 2,0 ч и затем при комнатной температуре в течение 4,0 ч. Полученное твердое вещество отфильтровывали, промывали МТБЭ (1,0 мл) и затем сушили при 46-48°C под вакуумом в течение ночи с получением 48,7 мг (выход 86,96%) кристаллической формы I формулы I.The free base of formula I (56 mg, 0.132 mmol) and 1.0 ml of isopropanol were stirred for 10 minutes to obtain a clear solution, which was stirred at 55°C for 2.0 h and then at room temperature for 4.0 h The resulting solid was filtered, washed with MTBE (1.0 ml) and then dried at 46-48° C. under vacuum overnight to give 48.7 mg (86.96% yield) of crystalline form I of formula I.

Профиль РПД представлен на фиг. 48.The RPD profile is shown in Fig. 48.

Профиль ДСК представлен на фиг. 49.The DSC profile is shown in Fig. 49.

Профиль ТГА представлен на фиг. 50.The TGA profile is shown in Fig. 50.

- 55 043295- 55 043295

Профиль 1H NMR, представленный на фиг. 51, демонстрирует, что форма I формулы I представляет собой моно-изопропанольный сольват.The 1H NMR profile shown in FIG. 51 demonstrates that Form I of formula I is a mono-isopropanol solvate.

Профиль ДСП представлен на фиг. 52.The chipboard profile is shown in Fig. 52.

Профили РПД до и после ДСП, представленные на фиг. 53, демонстрируют отсутствие изменения формы.The RPD profiles before and after EAF shown in Fig. 53 show no shape change.

Титрование методом Карла Фишера указывает на то, что форма I формулы I содержит примерно 1,3% воды.Karl Fischer titration indicates that Form I of formula I contains about 1.3% water.

Изотермы адсорбции/десорбции формы I формулы I из ИПС (фиг. 52) указывают на то, что данная кристаллическая форма может адсорбировать ~0,5% воды при влажности примерно 95% и может адсорбировать ~0,8% воды при комнатной температуре и нормальном диапазоне влажности (OB 40-50%).Adsorption/desorption isotherms of form I of formula I from IPA (Fig. 52) indicate that this crystalline form can adsorb ~0.5% water at about 95% humidity and can adsorb ~0.8% water at room temperature and normal humidity range (OB 40-50%).

Способ 2: Формула I, форма 1Method 2: Formula I Form 1

Свободное основание формулы I (175 мг, 0,412 ммоль) и 2,5 мл изопропанола перемешивали в течение 6 минут с получением прозрачного кремообразного вещества, которое после непрерывного перемешивания в течение 10 мин превращалось в суспензию. Полученную суспензию перемешивали при 50°C в течение 2,5 ч и затем при комнатной температуре в течение 1,0 ч. Фильтровали смесь, промывали МТБЭ (2,0 мл) и затем сушили при 46-48°C под вакуумом в течение ночи с получением 157 мг (выход 89,71%) формы 1 формулы I.The free base of formula I (175 mg, 0.412 mmol) and 2.5 ml of isopropanol were stirred for 6 minutes to obtain a clear creamy substance, which after continuous stirring for 10 minutes turned into a suspension. The resulting suspension was stirred at 50°C for 2.5 h and then at room temperature for 1.0 h. The mixture was filtered, washed with MTBE (2.0 ml) and then dried at 46-48°C under vacuum overnight to obtain 157 mg (yield 89.71%) of Form 1 of Formula I.

Способ 3: Формула I, форма IIMethod 3: Formula I, Form II

Суспензию свободного основания формулы I (примерно 50 мг) в ТГФ перемешивали в течение 4 ч, затем непрерывно перемешивали при 55°C в течение 2 ч и затем перемешивали при 25°C в течение 4 ч. Полученную смесь фильтровали, промывали МТБЭ и сушили в сушильном шкафу при 45-46°C в течение 24 ч с получением формы II формулы I.A suspension of the free base of formula I (about 50 mg) in THF was stirred for 4 hours, then stirred continuously at 55°C for 2 hours and then stirred at 25°C for 4 hours. The resulting mixture was filtered, washed with MTBE and dried in oven at 45-46°C for 24 hours to obtain form II of formula I.

Профиль РПД представлен на фиг. 58.The RPD profile is shown in Fig. 58.

Профиль ДСК представлен на фиг. 59.The DSC profile is shown in Fig. 59.

Способ 4: Формула I, форма IIMethod 4: Formula I, Form II

Суспензию свободного основания формулы I (примерно 50 мг) в Me-ТГФ перемешивали в течение 4 ч, затем непрерывно перемешивали при 55°C в течение 2 ч и затем перемешивали при 25°C в течение 4 ч. Полученную смесь фильтровали, промывали МТБЭ и сушили в сушильном шкафу при 45-46°C в течение 24 ч с получением формы II формулы I.A suspension of the free base of formula I (about 50 mg) in Me-THF was stirred for 4 hours, then stirred continuously at 55°C for 2 hours and then stirred at 25°C for 4 hours. The resulting mixture was filtered, washed with MTBE and dried in an oven at 45-46°C for 24 hours to obtain form II of formula I.

Профиль РПД представлен на фиг. 60.The RPD profile is shown in Fig. 60.

Профиль ДСК представлен на фиг. 61.The DSC profile is shown in Fig. 61.

Способ 5: Формула I, форма IIMethod 5: Formula I, Form II

Суспензию свободного основания формулы I (примерно 50 мг) в ацетоне перемешивали в течение 4 ч, затем непрерывно перемешивали при 55°C в течение 2 ч и затем перемешивали при 25°C в течение 4 ч. Полученную смесь фильтровали, промывали МТБЭ и сушили в сушильном шкафу при 45-46°C в течение 24 ч с получением формы II формулы I.A suspension of the free base of formula I (about 50 mg) in acetone was stirred for 4 hours, then stirred continuously at 55°C for 2 hours and then stirred at 25°C for 4 hours. The resulting mixture was filtered, washed with MTBE and dried in oven at 45-46°C for 24 hours to obtain form II of formula I.

Профиль РПД представлен на фиг. 54.The RPD profile is shown in Fig. 54.

Профиль ДСК представлен на фиг. 55.The DSC profile is shown in Fig. 55.

Способ 6: Формула I, форма IIMethod 6: Formula I, Form II

Свободное основание формулы I (150 мг, 0,353 ммоль) и 2,0 мл этанола перемешивали в течение примерно 1,0 мин с получением прозрачного раствора, который через 3 мин превратился в суспензию. Полученную суспензию непрерывно перемешивали в течение 5 мин, затем при 55°C в течение 2,5 ч, затем при комнатной температуре в течение 1,0 ч. Фильтровали смесь и промывали МТБЭ (2,0 мл) и сушили твердое вещество при 46-48°C под вакуумом в течение ночи с получением 121 мг (выход 80,7%) формы II формулы I.The free base of formula I (150 mg, 0.353 mmol) and 2.0 ml of ethanol were stirred for about 1.0 minutes to give a clear solution which became a suspension after 3 minutes. The resulting suspension was stirred continuously for 5 min, then at 55°C for 2.5 h, then at room temperature for 1.0 h. Filter the mixture and wash with MTBE (2.0 ml) and dry the solid at 46- 48° C. under vacuum overnight to give 121 mg (80.7% yield) of Form II of Formula I.

Профиль РПД представлен на фиг. 62.The RPD profile is shown in Fig. 62.

Профиль ДСК представлен на фиг. 63.The DSC profile is shown in Fig. 63.

Способ 7: Формула I, форма IIIMethod 7: Formula I, Form III

Суспензию свободного основания формулы I в смеси метанол/вода (1/5) перемешивали в течение 10 мин, затем при 55°C в течение 2 ч и затем при комнатной температуре в течение 1 ч. Фильтровали смесь и промывали твердое вещество МТБЭ, и затем сушили под вакуумом при 47-48°C в течение ночи с получением формы III формулы I.A suspension of the free base of formula I in methanol/water (1/5) was stirred for 10 min, then at 55° C. for 2 h, and then at room temperature for 1 h. Filter the mixture and wash the solid with MTBE, and then dried under vacuum at 47-48° C. overnight to give form III of formula I.

Профиль РПД представлен на фиг. 56.The RPD profile is shown in Fig. 56.

Профиль ДСК представлен на фиг. 57.The DSC profile is shown in Fig. 57.

Инструментальные методы Рентгеновская порошковая дифракция (РПД)Instrumental methods X-ray powder diffraction (RPD)

Профили РПД могут быть записаны на дифрактометре PANalytical X'Pert PRO MPD с использованием падающего пучка Cu излучения, полученного с помощью длиннофокусного источника с точной фокусировкой Optix. Для фокусировки рентгеновских лучей Cu Ka через образец и на детектор используют эллиптически градиентное многослойное зеркало. Перед анализом анализируют образец кремния (NIST SRM 640e), чтобы убедиться, что наблюдаемое положение пика Si 111 соответствует положению,RPD profiles can be recorded on a PANalytical X'Pert PRO MPD diffractometer using an incident Cu radiation beam obtained using a long-focus source with precise focusing Optix. An elliptically graded multilayer mirror is used to focus the Cu Ka x-rays through the sample and onto the detector. Prior to analysis, a silicon sample (NIST SRM 640e) is analyzed to ensure that the observed position of the Si 111 peak corresponds to the position

- 56 043295 сертифицированному NIST (Национальный институт по стандартизации и технологии). Пробу образца помещают между пленками толщиной 3 мкм и анализируют в геометрии пропускания. Для минимизации фона, создаваемого воздухом, используют ограничитель луча, короткий антирассеивающий удлинитель и антирассеивающий ножевой коллиматор. Используют щели Соллера для падающего и дифрагированного пучков для минимизации уширения вследствие осевого расхождения. Профили дифракции записывают с помощью сканирующего позиционно-чувствительного детектора (X'Celerator), расположенного на расстоянии 240 мм от образца, и программного обеспечения Data Collector версии 2.2b.- 56 043295 certified by NIST (National Institute for Standards and Technology). A sample sample is placed between 3 µm thick films and analyzed in transmission geometry. A beam limiter, a short anti-scatter extension, and an anti-scatter knife collimator are used to minimize the background created by the air. Soller slits are used for the incident and diffracted beams to minimize broadening due to axial divergence. Diffraction profiles are recorded using a scanning position sensitive detector (X'Celerator) located 240 mm from the sample and Data Collector software version 2.2b.

Профили РПД также можно записывать на рентгеновском порошковом дифрактометре (РПД) Rigaku MiniFlex. Рентгеновское излучение получают из меди (Cu) при 1,5405бА с фильтром Kb. Мощность рентгеновского излучения: 30 кВ, 15 мА.RPD profiles can also be recorded on an X-ray powder diffractometer (RPD) Rigaku MiniFlex. X-rays are obtained from copper (Cu) at 1.5405 bA with a K b filter. X-ray power: 30 kV, 15 mA.

Термогравиметрический анализ (ТГА) и дифференциальная сканирующая калориметрия (ДСК)Thermogravimetric Analysis (TGA) and Differential Scanning Calorimetry (DSC)

Термический анализ можно проводить на анализаторе Mettler Toledo TGA/DSC3+. Калибровку температуры проводят с использованием фенилсалицилата, индия, олова и цинка. Образец помещают в алюминиевый тигель. Образец закрывают, прокалывают крышку, затем вставляют в ТГ печь. Печь нагревают в атмосфере азота. Профиль ДСК также может быть записан на дифференциальном сканирующем калориметре TA Instrument модели Q20 с автоматическим пробоотборником с использованием скорости сканирования 10°С/мин и скорости потока газообразного азота 50 мл/мин.Thermal analysis can be performed on a Mettler Toledo TGA/DSC3+ analyzer. Temperature calibration is carried out using phenyl salicylate, indium, tin and zinc. The sample is placed in an aluminum crucible. The sample is closed, the lid is pierced, then inserted into the TG oven. The furnace is heated under a nitrogen atmosphere. The DSC profile can also be recorded on a TA Instrument model Q20 differential scanning calorimeter with an autosampler using a scan rate of 10° C./min and a nitrogen gas flow rate of 50 ml/min.

Профиль ТГА может быть записан на приборе TGA Q500 производства компании TA Instruments при скорости сканирования 20°C в минуту.The TGA profile can be recorded on a TA Instruments TGA Q500 at a scan rate of 20°C per minute.

Динамическая сорбция паров (ДСП)Dynamic Vapor Sorption (DSP)

Эксперименты динамической сорбции паров можно проводить на симметричном анализаторе сорбции паров VTI SGA-Cx100. Профиль поглощения влаги записывают в трех циклах с шагом OB 10% с адсорбцией от 5 до 95% OB, с последующей десорбцией с шагом 10% от 95 до 5%. Критерием уравновешивания является 0,0050 мас.% за 5 мин с максимальным временем уравновешивания 180 мин. Все эксперименты адсорбции и десорбции проводят при комнатной температуре (21-22°C). Для образцов не используют стадию предварительного высушивания.Dynamic vapor sorption experiments can be performed on a symmetrical vapor sorption analyzer VTI SGA-Cx100. The moisture absorption profile is recorded in three cycles in 10% OB steps with adsorption from 5 to 95% OB, followed by desorption in 10% steps from 95 to 5%. The equilibration criterion is 0.0050 wt% in 5 minutes with a maximum equilibration time of 180 minutes. All adsorption and desorption experiments are carried out at room temperature (21-22°C). The samples do not use the pre-drying step.

Протокол биохимического исследованияBiochemical study protocol

Соединения солюбилизируют и 3-кратно разбавляют в 100% ДМСО. Полученные разбавленные соединения дополнительно разбавляют в аналитическом буфере (50 мМ Tris-HCl, pH 8,5, 50 мМ NaCl, 5 мМ MgCl2, 0,01% Brij35, 1 мМ DTT, 1% ДМСО) для схемы определения IC50 в 10 дозах при концентрации в 10 раз выше, чем требуемая аналитическая концентрация. Стандартные реакции проводят в общем объеме 50 мкл аналитического буфера с использованием гистона H2A (конечная концентрация 5 мкМ) в качестве субстрата. В указанную смесь добавляют комплекс PRMT5/MEP50, разбавленный для обеспечения конечной аналитической концентрации 5 нМ, и оставляют соединения для предварительной инкубации на 15-20 мин при комнатной температуре. Реакцию инициируют добавлением S-[3H-метил]аденозил-Ь-метионина (PerkinElmer) до конечной концентрации 1 мкМ. По истечении 60 мин инкубации при 30°C реакцию останавливают, добавляя 100 мкл 20% TCA. Каждую реакционную смесь наносят на фильтровальную пластину (MultiScreen FB Filter Plate, Millipore) и 5 раз промывают буфером PBS. На фильтровальную пластину добавляют сцинтилляционную жидкость и считывают на сцинтилляционном счетчике. Определяют значения IC50, выравнивая данные по стандартной 4-параметрической кривой с угловым коэффициентом Хилла, используя программное обеспечение GraphPad Prism.Compounds are solubilized and diluted 3-fold in 100% DMSO. The resulting diluted compounds are further diluted in assay buffer (50 mM Tris-HCl, pH 8.5, 50 mM NaCl, 5 mM MgCl 2 , 0.01% Brij35, 1 mM DTT, 1% DMSO) for an IC 50 in 10 scheme. doses at a concentration 10 times higher than the required analytical concentration. Standard reactions are carried out in a total volume of 50 µl of assay buffer using histone H2A (final concentration 5 µM) as substrate. The PRMT5/MEP50 complex, diluted to provide a final analytical concentration of 5 nM, is added to this mixture, and the compounds are left for pre-incubation for 15-20 min at room temperature. The reaction is initiated by adding S-[3H-methyl]adenosyl-L-methionine (PerkinElmer) to a final concentration of 1 μM. After 60 min incubation at 30°C, the reaction is stopped by adding 100 μl of 20% TCA. Each reaction mixture was applied to a filter plate (MultiScreen FB Filter Plate, Millipore) and washed 5 times with PBS buffer. Scintillation fluid is added to the filter plate and counted on a scintillation counter. IC 50 values are determined by fitting the data to a standard 4-parameter Hill slope using GraphPad Prism software.

Протокол клеточного анализаCellular Analysis Protocol

Обработка клеток и вестерн-блоттинг для обнаружения симметричного диметиларгинина (sDMA) и симметричных диметиловых меток гистона H3R8 (H3R8me2s)Cell processing and Western blotting to detect symmetrical dimethylarginine (sDMA) and symmetrical H3R8 histone dimethyl marks (H3R8me2s)

Первоначальный скрининг соединений в клетках A549: Соединения растворяли в ДМСО с получением 10 мМ исходного раствора и дополнительно разбавляли до 0,1 и 1 мМ. Клетки A549 выдерживали в среде PRMI 1640 (Corning Cellgro, кат. №: 10-040-CV) с добавлением 10% об./об. эмбриональной бычьей сыворотки (GE Healthcare, кат. №: SH30910.03). За день до эксперимента высевали 1,25x105 клеток в 6луночный планшет в 3 мл среды и инкубировали в течение ночи. На следующий день меняли среду и добавляли 3 мкл раствора соединения (разбавление 1:1,000, конечная концентрации 0,1 и 1 мкМ; концентрация ДМСО: 0,1%) и инкубировали в течение 3 дней. Клетки инкубировали с ДМСО и использовали в качестве контроля с носителем. Клетки однократно промывали PBC, трипсинизировали в 150 мкл 0,25% трипсина (Corning, кат. №: 25-053-CI), нейтрализовали 1 мл полной среды, переносили в микроцентрифужные пробирки и собирали. Затем повторно суспендировали клеточный осадок в 15 мкл PBS, лизировали в 4% ДНС и гомогенизировали, пропуская через колонку гомогенизатора (Omega Biotek, кат. №: HCR003). Концентрации общего белка определяли анализом BCA (ThermoFisher Scientific, кат. №: 23225). Лизаты смешивали с 5х буфера Лэммли и кипятили в течение 5 мин. Сорок мкг общего белка выделяли на геле ДНС-ПААГ (Bio-Rad, кат. №: 4568083, 4568043), переносили на мембрану из ПВДФ, блокировали с помощью 5% сухого молока (Bio-Rad, кат. №: 1706404) в TBS с 0,1% об./об. Tween 20 (TBST) в течение 1 ч при комнатной температуре (RT) и инкубировали с первичными антителами (sDMA: Cell signaling, кат. №: 13222, 1:3,000; H3R8me2s: Epigentek, кат. №: A-3706-100, 1:2000; β-актин:Initial Screening of Compounds in A549 Cells: Compounds were dissolved in DMSO to make a 10 mM stock solution and further diluted to 0.1 and 1 mM. A549 cells were maintained in PRMI 1640 medium (Corning Cellgro, cat. no.: 10-040-CV) supplemented with 10% v/v. fetal bovine serum (GE Healthcare cat. no.: SH30910.03). The day before the experiment, 1.25x105 cells were seeded in a 6-well plate in 3 ml of medium and incubated overnight. The next day, the medium was changed and 3 μl of compound solution (1:1,000 dilution, final concentration 0.1 and 1 μM; DMSO concentration: 0.1%) was added and incubated for 3 days. Cells were incubated with DMSO and used as a vehicle control. Cells were washed once with PBC, trypsinized in 150 μl of 0.25% trypsin (Corning, cat. no: 25-053-CI), neutralized with 1 ml of complete medium, transferred to microcentrifuge tubes and harvested. The cell pellet was then resuspended in 15 μl of PBS, lysed in 4% CSN and homogenized by passing through a homogenizer column (Omega Biotek, Cat No: HCR003). Total protein concentrations were determined by BCA analysis (ThermoFisher Scientific, cat. no.: 23225). The lysates were mixed with 5x Laemmli's buffer and boiled for 5 min. Forty μg of total protein was isolated on a DNS-PAGE gel (Bio-Rad, cat. no.: 4568083, 4568043), transferred to a PVDF membrane, blocked with 5% milk powder (Bio-Rad, cat. no.: 1706404) in TBS with 0.1% v/v Tween 20 (TBST) for 1 h at room temperature (RT) and incubated with primary antibodies (sDMA: Cell signaling, cat. no: 13222, 1:3,000; H3R8me2s: Epigentek, cat. no.: A-3706-100, 1:2000; β-actin:

- 57 043295- 57 043295

Abcam, кат. №: ab8227, 1:10000) в 5% сухого молока в TBST при 4°C в течение ночи. На следующий день промывали мембраны TBST, 5x5 мин, и инкубировали со вторичным антителом, конъюгированным с HRP (GE Healthcare; кат. №: NA934-1ML; 1:5000) в течение 2 ч при комнатной температуре, затем промывали TBST 5x5 мин и инкубировали с субстратами ECL (Bio-Rad, кат. №: 1705061, 1705062). Хемилюминесцентный сигнал улавливали на визуализаторе Fluochem HD2 (Proteinsimple) и анализировали с помощью ImageJ.Abcam, cat. no: ab8227, 1:10000) in 5% milk powder in TBST at 4°C overnight. The next day, the membranes were washed with TBST, 5x5 min, and incubated with a secondary antibody conjugated to HRP (GE Healthcare; cat. no: NA934-1ML; 1:5000) for 2 h at room temperature, then washed with TBST 5x5 min, and incubated with ECL substrates (Bio-Rad, cat. no.: 1705061, 1705062). The chemiluminescent signal was captured on a Fluochem HD2 (Proteinsimple) visualizer and analyzed using ImageJ.

Для определения значений IC50 ингибирования фермента с использованием вестерн-блоттинга высевали клетки Granta с плотностью 5x105 клеток/мл в 3 мл среды (PRMI +10% об./об. FBS). В клетки добавляли девятиточечные 3-кратные серийные разбавления соединения (3 мкл, разбавление 1:1000, концентрация ДМСО 0,1%; максимальная конечная концентрация 10 или 1 мкМ, в зависимости от эффективности соединений) и инкубировали в течение 3 дней. Клетки инкубировали с ДМСО и использовали в качестве контроля с носителем. Собирали клетки и анализировали вестерн-блоттингом, как описано выше. Полосы SmD3me2s и H3R8me2s количественно измеряли с помощью ImageJ. Сигналы нормализовали по β-актину и контролю с ДМСО. Значения IC50 рассчитывали в Graphpad Prism.To determine the IC 50 values of enzyme inhibition, Granta cells were seeded at a density of 5x105 cells/ml in 3 ml of medium (PRMI+10% v/v FBS) using Western blotting. Nine-point 3-fold serial dilutions of the compound (3 μl, dilution 1:1000, DMSO concentration 0.1%; maximum final concentration 10 or 1 μM, depending on the potency of the compounds) were added to the cells and incubated for 3 days. Cells were incubated with DMSO and used as a vehicle control. Cells were harvested and analyzed by Western blotting as described above. The SmD3me2s and H3R8me2s bands were quantified using ImageJ. Signals were normalized for β-actin and DMSO control. IC 50 values were calculated in Graphpad Prism.

Анализ клеточной пролиферации для определения IC50 на клетках Granta-519Cell Proliferation Assay to Determine IC 50 on Granta-519 Cells

Клетки Granta-519 выдерживали в среде PRMI 1640 (Corning Cellgro, кат. №: 10-040-CV) с добавлением 10% об./об. эмбриональной бычьей сыворотки (GE Healthcare, кат. №: SH30910.03).Granta-519 cells were maintained in PRMI 1640 medium (Corning Cellgro, cat. no.: 10-040-CV) supplemented with 10% v/v. fetal bovine serum (GE Healthcare cat. no.: SH30910.03).

Соединение формулы I растворяли в ДМСО с получением 10 мМ исходных растворов и хранили при -20°C. Получали девятиточечные 3-кратные серийные разбавления в ДМСО с максимальной концентрацией 1 мМ (рабочие маточные растворы).The compound of formula I was dissolved in DMSO to give 10 mM stock solutions and stored at -20°C. Received nine-point 3-fold serial dilutions in DMSO with a maximum concentration of 1 mm (working stock solutions).

В день эксперимента рабочие маточные растворы дополнительно разбавляли 1:50 свежей средой в 96-луночном планшете и добавляли 10 мкл разбавленных лекарственных соединений в новый 96луночный планшет для анализа пролиферации. Клетки, растущие на экспоненциальной фазе, центрифугировали при 1500 об./мин в течение 4 мин и повторно суспендировали в свежей среде до достижения плотности 0,5x106 клеток/мл. Добавляли 200 мкл клеток в 96-луночный планшет, содержащий разбавленные лекарственные соединения, и инкубировали в течение 3 дней. В качестве контроля с носителем использовали ДМСО.On the day of the experiment, the working stock solutions were further diluted 1:50 with fresh medium in a 96-well plate and 10 μl of diluted drug compounds were added to a new 96-well proliferation assay plate. Cells growing in exponential phase were centrifuged at 1500 rpm for 4 min and resuspended in fresh medium until a density of 0.5x106 cells/ml was reached. 200 μl cells were added to a 96-well plate containing diluted drug compounds and incubated for 3 days. DMSO was used as a vehicle control.

На 3 день в новый 96-луночный планшет добавляли 10 мкл раствора из набора Cell Counting Kit-8 (CCK-8, Jojindo, CK04-13). Инкубировали клетки с лекарственными соединениями в течение 3 дней и повторно суспендировали, перемешивая в пипетке, и переносили 100 мкл клеток в 96-луночный планшет, содержащий реагент CCK-8, для измерения жизнеспособных клеток. Планшеты инкубировали в инкубаторе с CO2 в течение 2 ч и измеряли значения ОП450 на микропланшет-ридере (микропланшетридер iMark, Bio-Rad).On day 3, 10 μl of the solution from the Cell Counting Kit-8 (CCK-8, Jojindo, CK04-13) was added to a new 96-well plate. Cells were incubated with drug compounds for 3 days and resuspended with pipetting, and 100 μl of cells were transferred to a 96-well plate containing CCK-8 reagent to measure viable cells. Plates were incubated in a CO2 incubator for 2 h and OD450 values were measured on a microplate reader (iMark microplate reader, Bio-Rad).

Для повторного нанесения на планшет рабочие маточные растворы соединений разбавляли 1:50 свежей средой и добавляли 10 мкл разбавленных лекарственных соединений в новый 96-луночный планшет. Клетки из планшета, полученного на 3 день (50 мкл), добавляли в 96-луночный планшет, содержащий свежее лекарственное соединение, и добавляли еще 150 мкл свежей среды до достижения объема 200 мкл. Планшет возвращали в инкубатор с CO2 и инкубировали еще 3 дня. Измерение жизнеспособных клеток и повторное нанесение на планшет повторяли на 6 день, и окончательное измерение жизнеспособных клеток проводили на 10 день.For re-plating, the compound stock solutions were diluted 1:50 with fresh medium and 10 μl of the diluted drug compounds were added to a new 96-well plate. Cells from the plate obtained on day 3 (50 μl) were added to a 96-well plate containing fresh drug compound, and another 150 μl of fresh medium was added to reach a volume of 200 μl. The plate was returned to the CO2 incubator and incubated for another 3 days. The viable cell measurement and re-plating was repeated on day 6, and the final viable cell measurement was performed on day 10.

Рассчитывали процент жизнеспособных клеток, по сравнению с контрольным образцом с носителем ДМСО, и наносили на график (зависимость нормализованного ответа от [ингибитора] - переменный угловой коэффициент), построенный в Graphpad Prism, для определения значений IC50 пролиферации на 10 день.The percentage of viable cells compared to the DMSO vehicle control was calculated and plotted (Normalized Response vs. [Inhibitor] - Variable Slope) plotted in Graphpad Prism to determine proliferation IC 50 values at day 10.

Т аблица A. Биохимическая и клеточная активность (в клеточной линии Granta-519)Table A. Biochemical and cellular activity (in the Granta-519 cell line)

№ примера Example No. 50 PRMT5, мкМ50 PRMT5, μM IC50_N PRMT5IC 50 _N PRMT5 50 sDMA, мкМ50 sDMA, μM IC50_N sDMA IC50_NsDMA 50 пролифераци и, мкМ1C 50 proliferation, μM IC50_N пролиферац ИИIC 50 _N proliferation II Формул а I Formula I 0,0015 0.0015 3 3 0,031 0.031 3 3 0,075 0.075 3 3

Растворимость соединения формулы IE в FaSSIFSolubility of compound of formula IE in FaSSIF

Сначала соединения диспергировали в свежеполученном буфере FaSSIF (http://biorelevant.com/site_media/upload/documents/How_to_make_FaSSIF_FeSSIF_and_FaSSGF .pdf) в 1 мг/мл, соответственно, и получали стандартные образцы посредством получения 1 мг/мл экспериментальных соединений в ДМСО. Затем соединения подвергали достаточному смешиванию на вортексе в течение 30 с и перемешивали при 25°C при 300 об./мин в термосмесителе в течение 4 ч. После инкубации центрифугировали полученные образцы при 10000 об./мин в течение 10 мин для удаления нерастворенного твердого вещества и анализировали полученные надосадочные растворы с помощью ВЭЖХ. Фактические концентрации соединений определяли посредством измерения площади пика, а растворимость (S) соединений рассчитывали по следующему уравнению:First, the compounds were dispersed in freshly prepared FaSSIF buffer (http://biorelevant.com/site_media/upload/documents/How_to_make_FaSSIF_FeSSIF_and_FaSSGF.pdf) at 1 mg/ml, respectively, and standard samples were prepared by preparing 1 mg/ml experimental compounds in DMSO. The compounds were then subjected to sufficient mixing by vortexing for 30 s and stirred at 25°C at 300 rpm in a thermal mixer for 4 h. After incubation, the obtained samples were centrifuged at 10,000 rpm for 10 min to remove undissolved solid and analyzed the obtained supernatant solutions using HPLC. The actual concentrations of the compounds were determined by measuring the peak area, and the solubility (S) of the compounds was calculated using the following equation:

где C представляет собой концентрацию образца в мкг/мл, A представляет собой площадь пика и Vwhere C is the sample concentration in µg/mL, A is the peak area and V

- 58 043295 представляет собой объем введения пробы.- 58 043295 represents the volume of injection of the sample.

В качестве положительных контрольных образцов в данном эксперименте использовали варфарин (10-25 мкг/мл), атоваквон (<2 мкг/мл) и нимесулид (100-200 мкг/мл).Warfarin (10-25 µg/ml), atovaquone (<2 µg/ml) and nimesulide (100-200 µg/ml) were used as positive controls in this experiment.

Измеренная растворимость соединения формулы IE в FaSSIF составила 206 мкг/мл.The measured solubility of the compound of formula IE in FaSSIF was 206 μg/ml.

Фармакокинетические свойства соединения формулы I in vivoPharmacokinetic properties of the compound of formula I in vivo

В неперекрестном исследовании ФК крысам (SD, самцы, не натощак) вводили дозу 1 мг/кг (DMA: 20% HPBCD=5:95, раствор) посредством внутривенного (i.v.) введения (N=3) и 1 мг/кг (0,5% Na-КМЦ + 0,5% Tween 80, раствор) через желудочный зонд (р.о.) (N=3). Среднее T1/2 составило 4,1 ч, Vss 3,1 л/кг, клиренс из крови 8,8 мг/мин/кг в группе i.v.; средняя AUC, нормализованная по дозе, составила 3246 нг*ч*кг/мл/мг и пероральная биодоступность >100% в группе р.о.In a non-crossover study of PK, rats (SD, male, not fasted) were dosed at 1 mg/kg (DMA: 20% HPBCD=5:95, solution) via intravenous (iv) administration (N=3) and 1 mg/kg (0 5% Na-CMC + 0.5% Tween 80, solution) via gavage (p.o.) (N=3). The mean T 1/2 was 4.1 h, Vss 3.1 l/kg, blood clearance 8.8 mg/min/kg in group iv; mean dose-normalized AUC was 3246 ng*h*kg/mL/mg and oral bioavailability >100% in the po group.

Фармакодинамический эффект in vivo и ингибирование роста опухоли под действием соединения формулы I в мышиной модели ксенотрансплантата Granta-519In vivo pharmacodynamic effect and tumor growth inhibition by the compound of formula I in the Granta-519 xenograft mouse model

Клетки Granta-519 выдерживали в среде DMEM с добавлением 10% эмбриональной бычьей сыворотки и 2 мМ L-глутамина при 37°C в атмосфере 5% CO2 в воздухе. Клетки в экспоненциальной фазе роста собирали и вводили 1 х 107 клеток в 0,1 мл PBS с Matrigel (1:1) посредством подкожной инъекции в нижнюю область правого бока каждой мыши для развития опухоли. Лечение начинали по достижении среднего размера опухоли приблизительно 300-400 мм3. Мышей разделяли на группы с помощью программного обеспечения StudyDirector™ (Studylog Systems, Inc., штат Калифорния, США) и выбирали одну оптимальную схему рандомизации (разработанной методом парного распределения или чередующегося распределения), обеспечивающую минимальное отклонение объема опухоли между группами, для распределения по группам. Соединение формулы I или носитель (0,5% Na-КМЦ + 0,5% Tween 80, суспензия) вводили перорально (QD для формулы I, QD для носителя) в дозе 30 и 50 мг/кг в течение 19 и 16 дней соответственно. Массу тела и размер опухоли измеряли каждые 3-4 дня после рандомизации. Животных усыпляли через 12 часов после введения последней дозы и собирали образцы крови и опухоли для анализа.Granta-519 cells were maintained in DMEM supplemented with 10% fetal bovine serum and 2 mM L-glutamine at 37° C. in 5% CO 2 in air. Cells in the exponential growth phase were harvested and injected 1 x 10 7 cells in 0.1 ml PBS with Matrigel (1:1) by subcutaneous injection into the lower right flank of each mouse for tumor development. Treatment was started when the average tumor size reached approximately 300-400 mm 3 . Mice were divided into groups using StudyDirector™ software (Studylog Systems, Inc., CA, USA) and one optimal randomization design (designed by paired allocation or striped allocation) was selected that provided the minimum variation in tumor volume between groups for group assignment. . Compound of formula I or vehicle (0.5% Na-CMC + 0.5% Tween 80, suspension) was administered orally (QD for formula I, QD for vehicle) at a dose of 30 and 50 mg/kg for 19 and 16 days, respectively . Body weight and tumor size were measured every 3-4 days after randomization. Animals were euthanized 12 hours after the last dose and blood and tumor samples were collected for analysis.

Для измерения уровней sDMA в образцах опухоли взвешивали опухоль каждой мыши и гомогенизировали в буфере RIPA с добавлением ингибитора протеазы (cOmplete™, коктейль ингибитора протеазы без ЭДТК, Roche). Лизат центрифугировали при 14000 об./мин. в течение 30 мин при 4°C для удаления дебриса. Концентрации общего белка в лизате определяли анализом BCA (ThermoFisher Scientific, кат. № 23225). Равные количества общего белка из каждой опухоли выделяли на геле ДНС-ПААГ, и определяли уровни sDMA с помощью вестерн-блоттинга, как описано ранее.To measure the levels of sDMA in tumor samples, the tumor of each mouse was weighed and homogenized in RIPA buffer with the addition of a protease inhibitor (cOmplete™, protease inhibitor cocktail without EDTA, Roche). The lysate was centrifuged at 14,000 rpm. for 30 min at 4°C to remove debris. Total protein concentrations in the lysate were determined by BCA analysis (ThermoFisher Scientific, cat. no. 23225). Equal amounts of total protein from each tumor were isolated on a DNS-PAGE gel and sDMA levels were determined by Western blotting as described previously.

В соответствии с описанным протоколом, соединение формулы I демонстрировало среднее ингибирование роста опухоли 46% (N=5) при 30 мг/кг с потерей массы тела 1%; среднее ингибирование роста опухоли 79% при 50 мг/кг с потерей массы тела 8%. Также продемонстрировано >90% ингибирование sDMA при 30 мг/кг и отсутствие обнаруживаемого sDMA при 50 мг/кг.In accordance with the described protocol, the compound of formula I showed an average inhibition of tumor growth of 46% (N=5) at 30 mg/kg with a loss of body weight of 1%; mean tumor growth inhibition 79% at 50 mg/kg with 8% body weight loss. Also demonstrated >90% inhibition of sDMA at 30 mg/kg and no detectable sDMA at 50 mg/kg.

Настоящее описание относится также к следующим аспектам:This description also applies to the following aspects:

Аспект 1. Фармацевтически приемлемая соль соединения формулы IAspect 1 A pharmaceutically acceptable salt of a compound of formula I

Аспект 2. Фармацевтически приемлемая соль по аспекту 1, отличающаяся тем, что указанная соль представляет собой малеатную соль, имеющую формулу IA nh2 Aspect 2. A pharmaceutically acceptable salt according to aspect 1, characterized in that said salt is a maleate salt having the formula IA nh 2

L 1 7 но^оL 1 7 no^o

Cl -[ U н°ЧххУС|^ Но НОIA.Cl -[ U n °ChxxU C| ^ But NOIA.

Аспект 3. Кристаллическая форма фармацевтически приемлемой соли по аспекту 2.Aspect 3. A crystalline form of the pharmaceutically acceptable salt of Aspect 2.

Аспект 4. Кристаллическая форма по аспекту 3, характеризующаяся по существу таким профилем рентгеновской порошковой дифракции, как представлен на фиг. 1.Aspect 4 The crystalline form of Aspect 3 having substantially the X-ray powder diffraction profile as shown in FIG. 1.

Аспект 5. Кристаллическая форма по аспекту 3, характеризующаяся по существу таким профилем рентгеновской порошковой дифракции, как представлен на фиг. 2.Aspect 5 The crystalline form of Aspect 3 having substantially the X-ray powder diffraction profile as shown in FIG. 2.

Аспект 6. Кристаллическая форма по аспекту 3, характеризующаяся профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пик при 16,3° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka).Aspect 6 The crystalline form of aspect 3, characterized by an X-ray powder diffraction profile containing a peak at 16.3° ± 0.2° 2-theta, on a 2-theta scale with λ=1.54 angstroms (Cu Ka).

Аспект 7. Кристаллическая форма по аспекту 3, характеризующаяся профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при 6,7, 11,0 и 16,3° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka).Aspect 7. The crystalline form of aspect 3, characterized by an X-ray powder diffraction profile containing peaks at 6.7, 11.0 and 16.3° ± 0.2° 2-theta, on a 2-theta scale with λ=1.54 angstrom (Cu Ka).

- 59 043295- 59 043295

Аспект 8. Кристаллическая форма по аспекту 3, характеризующаяся профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при 6,7, 16,3, 20,4 и 30,7° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka).Aspect 8. The crystalline form of aspect 3, characterized by an X-ray powder diffraction profile containing peaks at 6.7, 16.3, 20.4 and 30.7° ± 0.2° 2-theta, on a 2-theta scale with λ =1.54 angstroms (Cu Ka).

Аспект 9. Кристаллическая форма по аспекту 3, характеризующаяся профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при 6,7, 11,0, 14,9, 16,3, 16,8, 20,4, 25,4° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka).Aspect 9 The crystalline form of Aspect 3, characterized by an X-ray powder diffraction profile containing peaks at 6.7, 11.0, 14.9, 16.3, 16.8, 20.4, 25.4°±0.2 ° 2-theta, on the 2-theta scale with λ=1.54 angstroms (Cu Ka).

Аспект 10. Кристаллическая форма по аспекту 3, характеризующаяся профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при трех или более 6,7, 11,0, 14,9, 16,3, 16,8, 20,4, 25,4, 25,8, 27,9, 29,1 и 30,7° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka).Aspect 10. A crystalline form according to aspect 3, characterized by an X-ray powder diffraction profile containing peaks at three or more 6.7, 11.0, 14.9, 16.3, 16.8, 20.4, 25.4, 25 .8, 27.9, 29.1 and 30.7° ± 0.2° 2-theta, 2-theta with λ=1.54 angstroms (Cu Ka).

Аспект 11. Кристаллическая форма по любому из аспектов 3, 4 или 6-10, характеризующаяся по существу такой термограммой дифференциальной сканирующей калориметрии (ДСК), как представлена на фиг. 3, при нагревании со скоростью 10°С/мин.Aspect 11 A crystalline form according to any one of aspects 3, 4, or 6-10, having substantially a differential scanning calorimetry (DSC) thermogram as shown in FIG. 3 when heated at a rate of 10°C/min.

Аспект 12. Кристаллическая форма по любому из аспектов 3, 4 или 6-11, характеризующаяся термограммой дифференциальной сканирующей калориметрии (ДСК), содержащей эндотермический пик при примерно 207°C при нагревании со скоростью 10°С/мин.Aspect 12 A crystalline form according to any one of aspects 3, 4 or 6-11, characterized by a differential scanning calorimetry (DSC) thermogram containing an endothermic peak at about 207°C when heated at a rate of 10°C/min.

Аспект 13. Кристаллическая форма по аспекту 3, характеризующаяся профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пик при 14,6° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka).Aspect 13 The crystalline form of aspect 3, characterized by an X-ray powder diffraction profile containing a peak at 14.6° ± 0.2° 2-theta, on a 2-theta scale with λ=1.54 angstroms (Cu Ka).

Аспект 14. Кристаллическая форма по аспекту 3, характеризующаяся профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при 13,0, 14,6 и 16,3° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka).Aspect 14 The crystalline form of aspect 3, characterized by an X-ray powder diffraction profile containing peaks at 13.0, 14.6 and 16.3° ± 0.2° 2-theta, on a 2-theta scale with λ=1.54 angstrom (Cu Ka).

Аспект 15. Кристаллическая форма по аспекту 3, характеризующаяся профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при 8,3, 13,0, 14,6, 16,3, 26,3 и 27,0° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka).Aspect 15 The crystalline form of Aspect 3, characterized by an X-ray powder diffraction profile containing peaks at 8.3, 13.0, 14.6, 16.3, 26.3 and 27.0° ± 0.2° 2-theta , on the 2theta scale with λ=1.54 angstroms (Cu Ka).

Аспект 16. Кристаллическая форма по аспекту 3, характеризующаяся профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при 8,3, 13,0, 14,6, 15,3, 16,3, 16,7, 27,0 и 27,2° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka).Aspect 16 The crystalline form of Aspect 3, characterized by an X-ray powder diffraction profile containing peaks at 8.3, 13.0, 14.6, 15.3, 16.3, 16.7, 27.0 and 27.2° ± 0.2° 2-theta, on the 2-theta scale with λ=1.54 angstroms (Cu Ka).

Аспект 17. Кристаллическая форма по аспекту 3, характеризующаяся профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при трех или более 3,1, 8,3, 13,0, 14,6, 15,3, 16,3, 16,7, 18,4, 26,3, 26,5, 27,0 и 27,2° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka).Aspect 17. The crystalline form of aspect 3, characterized by an X-ray powder diffraction profile containing peaks at three or more 3.1, 8.3, 13.0, 14.6, 15.3, 16.3, 16.7, 18 .4, 26.3, 26.5, 27.0 and 27.2° ± 0.2° 2-theta, 2-theta with λ=1.54 angstroms (Cu Ka).

Аспект 18. Кристаллическая форма по любому из аспектов 3, 5 или 13-17, характеризующаяся по существу такой термограммой дифференциальной сканирующей калориметрии (ДСК), как представлена на фиг. 5, при нагревании со скоростью 10°К/мин.Aspect 18 A crystalline form according to any one of aspects 3, 5, or 13-17, having substantially a differential scanning calorimetry (DSC) thermogram as shown in FIG. 5, when heated at a rate of 10°K/min.

Аспект 19. Кристаллическая форма по любому из аспектов 3, 5 или 13-18, характеризующаяся термограммой дифференциальной сканирующей калориметрии (ДСК), содержащей эндотермический пик при примерно 185°C при нагревании со скоростью 10°К/мин.Aspect 19 A crystalline form according to any one of aspects 3, 5, or 13-18, characterized by a differential scanning calorimetry (DSC) thermogram containing an endothermic peak at about 185°C when heated at a rate of 10°K/min.

Аспект 20. Кристаллическая форма по любому из аспектов 3, 4 или 6-12, характеризующаяся по существу таким профилем термогравиметрического анализа, как представлен на фиг. 4, при нагревании со скоростью 20°С/мин.Aspect 20 A crystalline form according to any one of aspects 3, 4, or 6-12, having substantially the thermogravimetric analysis profile as shown in FIG. 4, when heated at a rate of 20°C/min.

Аспект 21. Кристаллическая форма по любому из аспектов 3, 5 или 13-19, характеризующаяся по существу таким профилем термогравиметрического анализа, как представлен на фиг. 5, при нагревании со скоростью 10°К/мин.Aspect 21 A crystalline form according to any one of aspects 3, 5, or 13-19, having substantially the thermogravimetric analysis profile as shown in FIG. 5, when heated at a rate of 10°K/min.

Аспект 22. Фармацевтически приемлемая соль по аспекту 1, отличающаяся тем, что указанная соль представляет собой гидрохлоридную соль, имеющую формулу IBAspect 22. A pharmaceutically acceptable salt according to aspect 1, characterized in that said salt is a hydrochloride salt having the formula IB

Аспект 23. Кристаллическая форма фармацевтически приемлемой соли по аспекту 22.Aspect 23 A crystalline form of the pharmaceutically acceptable salt of Aspect 22.

Аспект 24. Кристаллическая форма по аспекту 23, характеризующаяся по существу таким профилем рентгеновской порошковой дифракции, как представлен на фиг. 6.Aspect 24 The crystalline form of aspect 23 having substantially the X-ray powder diffraction profile as shown in FIG. 6.

Аспект 25. Кристаллическая форма по любому из аспекта 23 или аспекта 24, характеризующаяся профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пик при 5,4° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka).Aspect 25 A crystalline form according to any of Aspect 23 or Aspect 24, characterized by an X-ray powder diffraction profile containing a peak at 5.4° ± 0.2° 2-theta, on a 2-theta scale with λ=1.54 angstroms (Cu Ka) .

Аспект 26. Кристаллическая форма по любому из аспекта 23 или аспекта 24, характеризующаяся профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при 5,4, 10,9 и 16,4° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka).Aspect 26 A crystalline form according to any one of Aspect 23 or Aspect 24, characterized by an X-ray powder diffraction profile containing peaks at 5.4, 10.9, and 16.4° ± 0.2° 2-theta, on a 2-theta scale with λ=1.54 angstroms (Cu Ka).

Аспект 27. Кристаллическая форма по любому из аспекта 23 или аспекта 24, характеризующаяся профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при 5,4, 10,9, 21,2 и 24,2° ± 0,2° 2- 60 043295 тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka).Aspect 27 A crystalline form according to any of Aspect 23 or Aspect 24, characterized by an X-ray powder diffraction profile containing peaks at 5.4, 10.9, 21.2 and 24.2° ± 0.2° 2-60 043295 theta, on the 2-theta scale with λ=1.54 angstroms (Cu Ka).

Аспект 28. Кристаллическая форма по любому из аспекта 23 или аспекта 24, характеризующаяся профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при 5,4, 10,9, 16,4, 21,2 и 24,2° ±Aspect 28 A crystalline form according to any one of Aspect 23 or Aspect 24, characterized by an X-ray powder diffraction profile containing peaks at 5.4, 10.9, 16.4, 21.2 and 24.2°±

0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka).0.2° 2-theta, on the 2-theta scale with λ=1.54 angstroms (Cu Ka).

Аспект 29. Кристаллическая форма по любому из аспекта 23 или аспекта 24, характеризующаяся профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при трех или более из 5,4, 10,9, 16,4, 21,2, 24,2 и 27,5° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka).Aspect 29 A crystalline form according to any of Aspect 23 or Aspect 24, characterized by an X-ray powder diffraction profile containing peaks at three or more of 5.4, 10.9, 16.4, 21.2, 24.2, and 27.5 ° ± 0.2° 2-theta, on the 2-theta scale with λ=1.54 angstroms (Cu Ka).

Аспект 30. Кристаллическая форма по аспекту 23, характеризующаяся по существу таким профилем рентгеновской порошковой дифракции, как представлен на фиг. 7.Aspect 30 The crystalline form of aspect 23 having substantially the X-ray powder diffraction profile as shown in FIG. 7.

Аспект 31. Кристаллическая форма по любому из аспекта 23 или аспекта 30, характеризующаяся профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пик при 5,0° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka).Aspect 31 A crystalline form according to any one of Aspect 23 or Aspect 30, characterized by an X-ray powder diffraction profile containing a peak at 5.0° ± 0.2° 2-theta on a 2-theta scale with λ=1.54 angstroms (Cu Ka) .

Аспект 32. Кристаллическая форма по любому из аспекта 23 или аспекта 30, характеризующаяся профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при 5,0, 15,2 и 24,3° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka).Aspect 32 A crystalline form according to any of Aspect 23 or Aspect 30, characterized by an X-ray powder diffraction profile containing peaks at 5.0, 15.2 and 24.3° ± 0.2° 2-theta, on a 2-theta scale with λ=1.54 angstroms (Cu Ka).

Аспект 33. Кристаллическая форма по любому из аспекта 23 или аспекта 30, характеризующаяся профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при 5,0, 15,2, 24,3 и 30,8° ± 0,2° 2тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka).Aspect 33 A crystalline form according to any of Aspect 23 or Aspect 30, characterized by an X-ray powder diffraction profile containing peaks at 5.0, 15.2, 24.3 and 30.8° ± 0.2° 2theta, on a scale of 2- theta with λ=1.54 angstroms (Cu Ka).

Аспект 34. Кристаллическая форма по любому из аспекта 23 или аспекта 30, характеризующаяся профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при 5,0, 10,1, 13,7, 15,2, 17,1, 24,3 и 30,8° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka).Aspect 34 A crystalline form according to any one of Aspect 23 or Aspect 30, characterized by an X-ray powder diffraction profile containing peaks at 5.0, 10.1, 13.7, 15.2, 17.1, 24.3, and 30.8 ° ± 0.2° 2-theta, on the 2-theta scale with λ=1.54 angstroms (Cu Ka).

Аспект 35. Кристаллическая форма по аспекту 23, характеризующаяся по существу таким профилем рентгеновской порошковой дифракции, как представлен на фиг. 8.Aspect 35 The crystalline form of aspect 23, having substantially the same X-ray powder diffraction profile as shown in FIG. 8.

Аспект 36. Кристаллическая форма по любому из аспекта 23 или аспекта 35, характеризующаяся профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пик при 11,4° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka).Aspect 36 A crystalline form according to any one of Aspect 23 or Aspect 35, characterized by an X-ray powder diffraction profile containing a peak at 11.4° ± 0.2° 2-theta, on a 2theta scale with λ=1.54 angstroms (Cu Ka) .

Аспект 37. Кристаллическая форма по любому из аспекта 23 или аспекта 35, характеризующаяся профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при 11,4, 11,6, 15,1 и 16,7° ± 0,2° 2тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka).Aspect 37 A crystalline form according to any one of Aspect 23 or Aspect 35, characterized by an X-ray powder diffraction profile containing peaks at 11.4, 11.6, 15.1 and 16.7° ± 0.2° 2theta, on a scale of 2- theta with λ=1.54 angstroms (Cu Ka).

Аспект 38. Кристаллическая форма по любому из аспекта 23 или аспекта 35, характеризующаяся профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при 4,9, 11,4, 11,6, 15,1 и 16,7° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka).Aspect 38 A crystalline form according to any of Aspect 23 or Aspect 35, characterized by an X-ray powder diffraction profile containing peaks at 4.9, 11.4, 11.6, 15.1 and 16.7° ± 0.2° 2- theta, on a 2-theta scale with λ=1.54 angstroms (Cu Ka).

Аспект 39. Кристаллическая форма по любому из аспекта 23 или аспекта 35, характеризующаяся профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при 4,9, 11,4, 11,6, 15,1, 16,7, 21,0 и 22,4° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka).Aspect 39 A crystalline form according to any of Aspect 23 or Aspect 35, characterized by an X-ray powder diffraction profile containing peaks at 4.9, 11.4, 11.6, 15.1, 16.7, 21.0, and 22.4 ° ± 0.2° 2-theta, on the 2-theta scale with λ=1.54 angstroms (Cu Ka).

Аспект 40. Кристаллическая форма по любому из аспекта 23 или аспекта 35, характеризующаяся профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при трех или более из 4,9, 7,1, 11,4, 11,6, 12,4, 13,6, 14,3, 15,1, 16,5, 16,7, 16,9, 17,0, 20,3, 21,0, 22,4, 23,0, 23,5 и 23,8° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka).Aspect 40. A crystalline form according to any one of aspect 23 or aspect 35, characterized by an X-ray powder diffraction profile containing peaks at three or more of 4.9, 7.1, 11.4, 11.6, 12.4, 13.6 , 14.3, 15.1, 16.5, 16.7, 16.9, 17.0, 20.3, 21.0, 22.4, 23.0, 23.5 and 23.8° ± 0.2° 2-theta, on the 2theta scale with λ=1.54 angstroms (Cu Ka).

Аспект 41. Кристаллическая форма по любому из аспектов 23-29, характеризующаяся по существу такой термограммой дифференциальной сканирующей калориметрии (ДСК), как представлена на фиг. 9, при нагревании со скоростью 10°С/мин.Aspect 41 A crystalline form according to any one of aspects 23-29, characterized essentially by a differential scanning calorimetry (DSC) thermogram as shown in FIG. 9 when heated at a rate of 10°C/min.

Аспект 42. Кристаллическая форма по любому из аспектов 23 или 35-40, характеризующаяся по существу такой термограммой дифференциальной сканирующей калориметрии (ДСК), как представлена на фиг. 11, при нагревании со скоростью 10°С/мин.Aspect 42 A crystalline form according to any one of aspects 23 or 35-40, having substantially a differential scanning calorimetry (DSC) thermogram as shown in FIG. 11 when heated at a rate of 10°C/min.

Аспект 43. Кристаллическая форма по любому из аспектов 23-29 или 41, характеризующаяся термограммой дифференциальной сканирующей калориметрии (ДСК), содержащей эндотермический пик при примерно 268°C при нагревании со скоростью 10°С/мин.Aspect 43 A crystalline form according to any one of aspects 23-29 or 41, characterized by a differential scanning calorimetry (DSC) thermogram containing an endothermic peak at about 268°C when heated at a rate of 10°C/min.

Аспект 44. Кристаллическая форма по любому из аспектов 23-29, 41 или 43, характеризующаяся термограммой дифференциальной сканирующей калориметрии (ДСК), содержащей эндотермический пик при примерно 191°C при нагревании со скоростью 10°С/мин.Aspect 44 A crystalline form according to any one of aspects 23-29, 41, or 43, characterized by a differential scanning calorimetry (DSC) thermogram containing an endothermic peak at about 191°C when heated at a rate of 10°C/min.

Аспект 45. Кристаллическая форма по любому из аспектов 23, 35-40 или 42, характеризующаяся термограммой дифференциальной сканирующей калориметрии (ДСК), содержащей эндотермический пик при примерно 196°C при нагревании со скоростью 10°С/мин.Aspect 45 A crystalline form according to any one of aspects 23, 35-40, or 42, characterized by a differential scanning calorimetry (DSC) thermogram containing an endothermic peak at about 196°C when heated at a rate of 10°C/min.

Аспект 46. Кристаллическая форма по любому из аспектов 23-29, 41 или 43, или 44, характеризующаяся по существу таким профилем термогравиметрического анализа, как представлен на фиг. 10, при нагревании со скоростью 20°С/мин.Aspect 46 A crystalline form according to any one of aspects 23-29, 41, or 43, or 44, having substantially the thermogravimetric analysis profile as shown in FIG. 10, when heated at a rate of 20°C/min.

Аспект 47. Кристаллическая форма по любому из аспектов 23, 35-40 или 42, характеризующаяся по существу таким профилем термогравиметрического анализа, как представлен на фиг. 11, при нагревании со скоростью 10°С/мин.Aspect 47 A crystalline form according to any one of aspects 23, 35-40, or 42, having substantially the thermogravimetric analysis profile as shown in FIG. 11 when heated at a rate of 10°C/min.

- 61 043295- 61 043295

Аспект 48. Фармацевтически приемлемая соль по аспекту 1, отличающаяся тем, что указанная соль представляет собой оксалатную соль, имеющую формулу ICAspect 48. A pharmaceutically acceptable salt according to aspect 1, characterized in that said salt is an oxalate salt having the formula IC

Аспект 49. Кристаллическая форма фармацевтически приемлемой соли по аспекту 48.Aspect 49 A crystalline form of the pharmaceutically acceptable salt of Aspect 48.

Аспект 50. Кристаллическая форма по аспекту 49, характеризующаяся по существу таким профилем рентгеновской порошковой дифракции, как представлен на фиг. 12.Aspect 50 The crystalline form of aspect 49 having substantially the X-ray powder diffraction profile as shown in FIG. 12.

Аспект 51. Кристаллическая форма по любому из аспекта 49 или аспекта 50, характеризующаяся профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пик при 10,5° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka).Aspect 51 A crystalline form according to any one of Aspect 49 or Aspect 50, characterized by an X-ray powder diffraction profile containing a peak at 10.5° ± 0.2° 2-theta, on a 2-theta scale with λ=1.54 angstroms (Cu Ka) .

Аспект 52. Кристаллическая форма по любому из аспекта 49 или аспекта 50, характеризующаяся профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при 10,5, 14,7 и 16,2° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka).Aspect 52 A crystalline form according to any one of Aspect 49 or Aspect 50, characterized by an X-ray powder diffraction profile containing peaks at 10.5, 14.7 and 16.2° ± 0.2° 2-theta, on a 2-theta scale with λ=1.54 angstroms (Cu Ka).

Аспект 53. Кристаллическая форма по любому из аспекта 49 или аспекта 50, характеризующаяся профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при 10,5, 14,7, 16,2 и 28,7° ± 0,2° 2тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka).Aspect 53 A crystalline form according to any one of Aspect 49 or Aspect 50, characterized by an X-ray powder diffraction profile containing peaks at 10.5, 14.7, 16.2 and 28.7° ± 0.2° 2theta, on a scale of 2- theta with λ=1.54 angstroms (Cu Ka).

Аспект 54. Кристаллическая форма по любому из аспекта 49 или аспекта 50, характеризующаяся профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при 10,5, 14,7, 16,2, 17,6, 17,7, 19,6, 28,7 и 28,9° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka).Aspect 54 A crystalline form according to any of Aspect 49 or Aspect 50, characterized by an X-ray powder diffraction profile containing peaks at 10.5, 14.7, 16.2, 17.6, 17.7, 19.6, 28.7 and 28.9° ± 0.2° 2-theta, on the 2-theta scale with λ=1.54 angstroms (Cu Ka).

Аспект 55. Кристаллическая форма по любому из аспекта 49 или аспекта 50, характеризующаяся профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при трех или более из 10,5, 11,6, 13,1, 14,2, 14,7, 14,9, 16,2, 17,6, 17,7, 19,6, 28,7 и 28,9° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka).Aspect 55 A crystalline form according to any of Aspect 49 or Aspect 50, characterized by an X-ray powder diffraction profile containing peaks at three or more of 10.5, 11.6, 13.1, 14.2, 14.7, 14.9 , 16.2, 17.6, 17.7, 19.6, 28.7 and 28.9° ± 0.2° 2-theta, 2-theta scale with λ=1.54 angstroms (Cu Ka) .

Аспект 56. Фармацевтически приемлемая соль по аспекту 1, отличающаяся тем, что указанная соль представляет собой фосфатную соль, имеющую формулу IDAspect 56. A pharmaceutically acceptable salt according to aspect 1, characterized in that said salt is a phosphate salt having the formula ID

Аспект 57. Кристаллическая форма фармацевтически приемлемой соли по аспекту 56.Aspect 57 A crystalline form of the pharmaceutically acceptable salt of Aspect 56.

Аспект 58. Кристаллическая форма по аспекту 57, характеризующаяся по существу таким профилем рентгеновской порошковой дифракции, как представлен на фиг. 13.Aspect 58 The crystalline form of aspect 57 having substantially the X-ray powder diffraction profile as shown in FIG. 13.

Аспект 59. Кристаллическая форма по любому из аспекта 57 или аспекта 58, характеризующаяся профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пик при 3,6° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka).Aspect 59 A crystalline form according to any one of Aspect 57 or Aspect 58, characterized by an X-ray powder diffraction profile containing a peak at 3.6° ± 0.2° 2-theta on a 2-theta scale with λ=1.54 angstroms (Cu Ka) .

Аспект 60. Кристаллическая форма по любому из аспекта 57 или аспекта 58, характеризующаяся профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при 3,6 и 10,7° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka).Aspect 60 A crystalline form according to any one of Aspect 57 or Aspect 58, characterized by an X-ray powder diffraction profile containing peaks at 3.6 and 10.7° ± 0.2° 2-theta, on a 2-theta scale with λ=1, 54 angstroms (Cu Ka).

Аспект 61. Кристаллическая форма по любому из аспекта 57 или аспекта 58, характеризующаяся профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при 3,6, 10,7 и 15,6° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka).Aspect 61 A crystalline form according to any one of Aspect 57 or Aspect 58, characterized by an X-ray powder diffraction profile containing peaks at 3.6, 10.7 and 15.6° ± 0.2° 2-theta, on a 2-theta scale with λ=1.54 angstroms (Cu Ka).

Аспект 62. Кристаллическая форма по любому из аспекта 57 или аспекта 58, характеризующаяся профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при трех или более 3,6, 10,7, 15,6, 17,9 и 18,7° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka).Aspect 62 A crystalline form according to any one of Aspect 57 or Aspect 58, characterized by an X-ray powder diffraction profile containing peaks at three or more of 3.6, 10.7, 15.6, 17.9, and 18.7°±0.2 ° 2-theta, on the 2-theta scale with λ=1.54 angstroms (Cu Ka).

Аспект 63. Фармацевтически приемлемая соль по аспекту 1, отличающаяся тем, что указанная соль представляет собой бисульфатную соль, имеющую формулу IEAspect 63. A pharmaceutically acceptable salt according to aspect 1, characterized in that said salt is a bisulfate salt having the formula IE

Аспект 64. Кристаллическая форма фармацевтически приемлемой соли по аспекту 63.Aspect 64 A crystalline form of the pharmaceutically acceptable salt of Aspect 63.

Аспект 65. Фармацевтическая композиция, содержащая фармацевтически приемлемую соль по любому из аспектов 1-64 и фармацевтически приемлемое вспомогательное вещество.Aspect 65. A pharmaceutical composition comprising a pharmaceutically acceptable salt according to any one of aspects 1-64 and a pharmaceutically acceptable excipient.

Аспект 66. Способ ингибирования фермента протеин-аргинин-метилтрансферазы 5 (PRMT5), вклю- 62 043295 чающий: приведение фермента PRMT5 в контакт с эффективным количеством соединения по любому из аспектов 1-64.Aspect 66 A method of inhibiting the protein arginine methyltransferase 5 (PRMT5) enzyme, comprising: contacting the PRMT5 enzyme with an effective amount of a compound according to any one of aspects 1-64.

Аспект 67. Способ лечения заболевания или нарушения, связанного с аберрантной активностьюAspect 67: A method of treating a disease or disorder associated with aberrant activity

PRMT5, у субъекта, включающий введение указанному субъекту соединения по любому из аспектов 164.PRMT5, in a subject, comprising administering to said subject a compound according to any one of aspects 164.

Аспект 68. Способ по аспекту 67, отличающийся тем, что указанное заболевание или нарушение, связанное с аберрантной активностью PRMT5, представляет собой рак молочной железы, рак легких, рак поджелудочной железы, рак предстательной железы, рак толстой кишки, рак яичника, рак матки, рак шейки матки, лейкоз, такой как острый миелоидный лейкоз (AML), острый лимфоцитарный лейкоз, хронический лимфоцитарный лейкоз, хронический миелоидный лейкоз, волосатоклеточный лейкоз, миелодисплазию, миелопролиферативные нарушения, острый миелогенный лейкоз (AML), хронический миелогенный лейкоз (CML), мастоцитоз, хронический лимфоцитарный лейкоз (CLL), множественную миелому (MM), миелодиспластический синдром (MDS), эпидермоидный рак или гемоглобинопатии, такие как b-талассемия и серповидно-клеточная болезнь (SCD).Aspect 68. The method of aspect 67, wherein said disease or disorder associated with aberrant PRMT5 activity is breast cancer, lung cancer, pancreatic cancer, prostate cancer, colon cancer, ovarian cancer, uterine cancer, cervical cancer, leukemia such as acute myeloid leukemia (AML), acute lymphocytic leukemia, chronic lymphocytic leukemia, chronic myeloid leukemia, hairy cell leukemia, myelodysplasia, myeloproliferative disorders, acute myelogenous leukemia (AML), chronic myelogenous leukemia (CML), mastocytosis , chronic lymphocytic leukemia (CLL), multiple myeloma (MM), myelodysplastic syndrome (MDS), epidermoid cancer, or hemoglobinopathies such as b-thalassemia and sickle cell disease (SCD).

Аспект 69. Способ по аспекту 67 или аспекту 68, отличающийся тем, что указанное соединение или его фармацевтически приемлемую соль вводят в комбинации с одним или более другими агентами.Aspect 69. The method of aspect 67 or aspect 68, wherein said compound or a pharmaceutically acceptable salt thereof is administered in combination with one or more other agents.

Claims (35)

1. Фармацевтически приемлемая соль соединения формулы I1. A pharmaceutically acceptable salt of a compound of formula I Н0 НО I H0 NO I 2. Фармацевтически приемлемая соль по п.1, отличающаяся тем, что указанная соль представляет собой малеатную соль, имеющую формулу IA2. A pharmaceutically acceptable salt according to claim 1, characterized in that said salt is a maleate salt having the formula IA 3. Кристаллическая форма фармацевтически приемлемой соли по п.2.3. A crystalline form of a pharmaceutically acceptable salt according to claim 2. 4. Кристаллическая форма по п.3, характеризующаяся по существу таким профилем рентгеновской порошковой дифракции, как представлен на фиг. 1; или профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пик при 16,3° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka); или профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при 6,7, 11,0 и 16,3° ± 0,2° 2тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka); или профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при 6,7, 16,3, 20,4 и 30,7° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka); или профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при 6,7, 11,0, 14,9, 16,3, 16,8, 20,4, 25,4° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka); или профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при трех или более из 6,7, 11,0, 14,9, 16,3, 16,8, 20,4, 25,4, 25,9, 27,9, 29,1 и 30,7° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka); или по существу такой термограммой дифференциальной сканирующей калориметрии (ДСК), как представлена на фиг. 3, при нагревании со скоростью 10°C/мин; или термограммой дифференциальной сканирующей калориметрии (ДСК), содержащей эндотермический пик при примерно 207°C при нагревании со скоростью 10°C/мин; или по существу таким профилем термогравиметрического анализа, как представлен на фиг. 4, при нагревании со скоростью 20°C/мин.4. A crystalline form according to claim 3, characterized essentially by the X-ray powder diffraction profile as shown in FIG. 1; or an X-ray powder diffraction profile containing a peak at 16.3° ± 0.2° 2-theta, on a 2-theta scale with λ=1.54 angstroms (Cu Ka); or an X-ray powder diffraction profile containing peaks at 6.7, 11.0 and 16.3° ± 0.2° 2theta, on a 2-theta scale with λ=1.54 angstroms (Cu Ka); or an X-ray powder diffraction profile containing peaks at 6.7, 16.3, 20.4 and 30.7° ± 0.2° 2-theta, on a 2-theta scale with λ=1.54 angstroms (Cu Ka) ; or an X-ray powder diffraction profile containing peaks at 6.7, 11.0, 14.9, 16.3, 16.8, 20.4, 25.4° ± 0.2° 2-theta, on a scale of 2- theta with λ=1.54 angstroms (Cu Ka); or an X-ray powder diffraction profile containing peaks at three or more of 6.7, 11.0, 14.9, 16.3, 16.8, 20.4, 25.4, 25.9, 27.9, 29 .1 and 30.7° ± 0.2° 2-theta, on the 2-theta scale with λ=1.54 angstroms (Cu Ka); or essentially such a differential scanning calorimetry (DSC) thermogram as shown in FIG. 3, when heated at a rate of 10°C/min; or a differential scanning calorimetry (DSC) thermogram containing an endothermic peak at about 207°C when heated at a rate of 10°C/min; or essentially such a thermogravimetric analysis profile as shown in FIG. 4, when heated at a rate of 20°C/min. 5. Кристаллическая форма по п.3, характеризующаяся по существу таким профилем рентгеновской порошковой дифракции, как представлен на фиг. 2; или профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пик при 14,6° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka); или профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при 13,0, 14,6 и 16,3° ± 0,2° 2тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka); или профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при 8,3, 13,0, 14,6, 16,3, 26,3 и5. A crystalline form according to claim 3, characterized essentially by an X-ray powder diffraction profile as shown in FIG. 2; or an X-ray powder diffraction profile containing a peak at 14.6° ± 0.2° 2-theta, on a 2-theta scale with λ=1.54 angstroms (Cu Ka); or an X-ray powder diffraction profile containing peaks at 13.0, 14.6 and 16.3° ± 0.2° 2theta, on a 2-theta scale with λ=1.54 angstroms (Cu Ka); or an X-ray powder diffraction profile containing peaks at 8.3, 13.0, 14.6, 16.3, 26.3 and - 63 043295- 63 043295 27,0° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka); или профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при 8,3, 13,0, 14,6, 15,3, 16,3,27.0° ± 0.2° 2-theta, 2-theta with λ=1.54 angstroms (Cu Ka); or an X-ray powder diffraction profile containing peaks at 8.3, 13.0, 14.6, 15.3, 16.3, 16,7, 27,0 и 27,2° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka); или профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при трех или более из 3,1, 8,3, 13,0, 14,6, 15,3, 16,3, 16,7, 18,4, 26,3, 26,5, 27,0 и 27,2° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka); или по существу такой термограммой дифференциальной сканирующей калориметрии (ДСК), как представлена на фиг. 5, при нагревании со скоростью 10°К/мин; или термограммой дифференциальной сканирующей калориметрии (ДСК), содержащей эндотермический пик при примерно 185°C при нагревании со скоростью 10°К/мин; или по существу таким профилем термогравиметрического анализа, как представлен на фиг. 5, при нагревании со скоростью 10°К/мин.16.7, 27.0 and 27.2° ± 0.2° 2-theta, 2-theta with λ=1.54 angstroms (Cu Ka); or an X-ray powder diffraction profile containing peaks at three or more of 3.1, 8.3, 13.0, 14.6, 15.3, 16.3, 16.7, 18.4, 26.3, 26 .5, 27.0 and 27.2° ± 0.2° 2-theta, 2-theta with λ=1.54 angstroms (Cu Ka); or essentially such a differential scanning calorimetry (DSC) thermogram as shown in FIG. 5, when heated at a rate of 10°K/min; or a differential scanning calorimetry (DSC) thermogram containing an endothermic peak at about 185°C when heated at a rate of 10°K/min; or essentially such a thermogravimetric analysis profile as shown in FIG. 5, when heated at a rate of 10°K/min. 6. Кристаллическая форма по п.3, характеризующаяся по существу таким профилем рентгеновской порошковой дифракции, как представлен на фиг. 14; или по существу такой термограммой дифференциальной сканирующей калориметрии (ДСК), как представлена на фиг. 15, при нагревании со скоростью 10°С/мин; или по существу таким профилем термогравиметрического анализа, как представлен на фиг. 16, при нагревании со скоростью 20°С/мин.6. A crystalline form according to claim 3, characterized essentially by an X-ray powder diffraction profile as shown in FIG. 14; or essentially such a differential scanning calorimetry (DSC) thermogram as shown in FIG. 15, when heated at a rate of 10°C/min; or essentially such a thermogravimetric analysis profile as shown in FIG. 16 when heated at a rate of 20°C/min. 7. Фармацевтически приемлемая соль по п.1, отличающаяся тем, что указанная соль представляет собой гидрохлоридную соль, имеющую формулу IB7. A pharmaceutically acceptable salt according to claim 1, characterized in that said salt is a hydrochloride salt having the formula IB 8. Кристаллическая форма фармацевтически приемлемой соли по п.7.8. A crystalline form of a pharmaceutically acceptable salt according to claim 7. 9. Кристаллическая форма по п.8, характеризующаяся по существу таким профилем рентгеновской порошковой дифракции, как представлен на фиг. 6; или профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пик при 5,4° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka); или профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при 5,4, 10,9 и 16,4° ± 0,2° 2тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka); или профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при 5,4, 10,9, 21,2 и 24,2° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka); или профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при 5,4, 10,9, 16,4, 21,2 и 24,2° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka); или профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при трех или более из 5,4,9. A crystalline form according to claim 8, characterized essentially by an X-ray powder diffraction profile as shown in FIG. 6; or an X-ray powder diffraction profile containing a peak at 5.4° ± 0.2° 2-theta, on a 2-theta scale with λ=1.54 angstroms (Cu Ka); or an X-ray powder diffraction profile containing peaks at 5.4, 10.9 and 16.4° ± 0.2° 2theta, on a 2-theta scale with λ=1.54 angstroms (Cu Ka); or an X-ray powder diffraction profile containing peaks at 5.4, 10.9, 21.2 and 24.2° ± 0.2° 2-theta, on a 2-theta scale with λ=1.54 angstroms (Cu Ka) ; or an X-ray powder diffraction profile containing peaks at 5.4, 10.9, 16.4, 21.2 and 24.2° ± 0.2° 2-theta, on a 2-theta scale with λ=1.54 angstroms (Cu Ka); or an X-ray powder diffraction profile containing peaks at three or more of 5.4, 10,9, 16,4, 21,2, 24,2 и 27,5° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka); или по существу такой термограммой дифференциальной сканирующей калориметрии (ДСК), как представлена на фиг. 9, при нагревании со скоростью 10°С/мин; или термограммой дифференциальной сканирующей калориметрии (ДСК), содержащей эндотермический пик при примерно 268°C при нагревании со скоростью 10°С/мин; или по существу таким профилем термогравиметрического анализа, как представлен на фиг. 10, при нагревании со скоростью 20°С/мин.10.9, 16.4, 21.2, 24.2 and 27.5° ± 0.2° 2-theta, 2-theta with λ=1.54 angstroms (Cu Ka); or essentially such a differential scanning calorimetry (DSC) thermogram as shown in FIG. 9, when heated at a rate of 10°C/min; or a differential scanning calorimetry (DSC) thermogram containing an endothermic peak at about 268°C when heated at a rate of 10°C/min; or essentially such a thermogravimetric analysis profile as shown in FIG. 10, when heated at a rate of 20°C/min. 10. Кристаллическая форма по п.8, характеризующаяся по существу таким профилем рентгеновской порошковой дифракции, как представлен на фиг. 7; или профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пик при 5,0° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka); или профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при 5,0, 15,2 и 24,3° ± 0,2° 2тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka); или профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при 5,0, 15,2, 24,3 и 30,8° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka); или профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при 5,0, 10,1, 13,7, 15,2, 17,1,10. A crystalline form according to claim 8, characterized essentially by an X-ray powder diffraction profile as shown in FIG. 7; or an X-ray powder diffraction profile containing a peak at 5.0° ± 0.2° 2-theta, on a 2-theta scale with λ=1.54 angstroms (Cu Ka); or an X-ray powder diffraction profile containing peaks at 5.0, 15.2 and 24.3° ± 0.2° 2theta, on a 2-theta scale with λ=1.54 angstroms (Cu Ka); or an X-ray powder diffraction profile containing peaks at 5.0, 15.2, 24.3 and 30.8° ± 0.2° 2-theta, on a 2-theta scale with λ=1.54 angstroms (Cu Ka) ; or an X-ray powder diffraction profile containing peaks at 5.0, 10.1, 13.7, 15.2, 17.1, 24,3 и 30,8° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka).24.3 and 30.8° ± 0.2° 2-theta, 2-theta with λ=1.54 angstroms (Cu Ka). 11. Кристаллическая форма по п.8, характеризующаяся по существу таким профилем рентгеновской порошковой дифракции, как представлен на фиг. 8; или профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пик при 11,4° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka); или11. A crystalline form according to claim 8, characterized essentially by an X-ray powder diffraction profile as shown in FIG. 8; or an X-ray powder diffraction profile containing a peak at 11.4° ± 0.2° 2-theta, on a 2-theta scale with λ=1.54 angstroms (Cu Ka); or - 64 043295 профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при 11,4, 11,6, 15,1 и 16,7° ±- 64 043295 X-ray powder diffraction profile containing peaks at 11.4, 11.6, 15.1 and 16.7° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka); или профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при 4,9, 11,4, 11,6, 15,1 и 16,7° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka); или профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при 4,9, 11,4, 11,6, 15,1, 16,7, 21,0 и 22,4° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka); или профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при трех или более из 4,9, 7,1, 11,4, 11,6, 12,4, 13,6, 14,3, 15,1, 16,5, 16,7, 16,9, 17,0, 20,3, 21,0, 22,4, 23,0, 23,5 и 23,8° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka); или по существу такой термограммой дифференциальной сканирующей калориметрии (ДСК), как представлена на фиг. 11, при нагревании со скоростью 10°С/мин; или термограммой дифференциальной сканирующей калориметрии (ДСК), содержащей эндотермический пик при примерно 196°C при нагревании со скоростью 10°С/мин; или по существу таким профилем термогравиметрического анализа, как представлен на фиг. 11, при нагревании со скоростью 10°С/мин.0.2° 2-theta, on the 2-theta scale with λ=1.54 angstroms (Cu Ka); or an X-ray powder diffraction profile containing peaks at 4.9, 11.4, 11.6, 15.1 and 16.7° ± 0.2° 2-theta, on a 2-theta scale with λ=1.54 angstroms (Cu Ka); or an X-ray powder diffraction profile containing peaks at 4.9, 11.4, 11.6, 15.1, 16.7, 21.0 and 22.4° ± 0.2° 2-theta, on a scale of 2- theta with λ=1.54 angstroms (Cu Ka); or an X-ray powder diffraction profile containing peaks at three or more of 4.9, 7.1, 11.4, 11.6, 12.4, 13.6, 14.3, 15.1, 16.5, 16 .7, 16.9, 17.0, 20.3, 21.0, 22.4, 23.0, 23.5 and 23.8° ± 0.2° 2-theta, 2-theta c λ=1.54 angstroms (Cu Ka); or essentially such a differential scanning calorimetry (DSC) thermogram as shown in FIG. 11, when heated at a rate of 10°C/min; or a differential scanning calorimetry (DSC) thermogram containing an endothermic peak at about 196°C when heated at a rate of 10°C/min; or essentially such a thermogravimetric analysis profile as shown in FIG. 11 when heated at a rate of 10°C/min. 12. Кристаллическая форма по п.8, характеризующаяся по существу таким профилем рентгеновской порошковой дифракции, как представлен на фиг. 17; или профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пик при 5,3 и 15,5° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka); или профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при 15,5 и 31,0° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka); или профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при 15,5 и 24,5° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka); или профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при 5,3, 15,5, 17,3, 24,5 и 31,0° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka); или профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при трех или более из 5,3, 15,5, 17,3, 21,5, 24,5, 28,0 и 31,0° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka); или по существу такой термограммой дифференциальной сканирующей калориметрии (ДСК), как представлена на фиг. 18, при нагревании со скоростью 10°С/мин; или термограммой дифференциальной сканирующей калориметрии (ДСК), содержащей эндотермический пик при примерно 188°C при нагревании со скоростью 10°С/мин; или термограммой дифференциальной сканирующей калориметрии (ДСК), содержащей эндотермический пик при примерно 267°C при нагревании со скоростью 10°С/мин; или по существу таким профилем термогравиметрического анализа, как представлен на фиг. 19, при нагревании со скоростью 20°С/мин.12. A crystalline form according to claim 8, characterized essentially by an X-ray powder diffraction profile as shown in FIG. 17; or an X-ray powder diffraction profile containing a peak at 5.3 and 15.5° ± 0.2° 2-theta, on a 2-theta scale with λ=1.54 angstroms (Cu Ka); or an X-ray powder diffraction profile containing peaks at 15.5 and 31.0° ± 0.2° 2-theta, on a 2-theta scale with λ=1.54 angstroms (Cu Ka); or an X-ray powder diffraction profile containing peaks at 15.5 and 24.5° ± 0.2° 2-theta, on a 2-theta scale with λ=1.54 angstroms (Cu Ka); or an X-ray powder diffraction profile containing peaks at 5.3, 15.5, 17.3, 24.5 and 31.0° ± 0.2° 2-theta, on a 2-theta scale with λ=1.54 angstroms (Cu Ka); or an X-ray powder diffraction profile containing peaks at three or more of 5.3, 15.5, 17.3, 21.5, 24.5, 28.0 and 31.0° ± 0.2° 2-theta, on the 2-theta scale with λ=1.54 angstroms (Cu Ka); or essentially such a differential scanning calorimetry (DSC) thermogram as shown in FIG. 18, when heated at a rate of 10°C/min; or a differential scanning calorimetry (DSC) thermogram containing an endothermic peak at about 188°C when heated at a rate of 10°C/min; or a differential scanning calorimetry (DSC) thermogram containing an endothermic peak at about 267°C when heated at a rate of 10°C/min; or essentially such a thermogravimetric analysis profile as shown in FIG. 19, when heated at a rate of 20°C/min. 13. Кристаллическая форма по п.8, характеризующаяся по существу таким профилем рентгеновской порошковой дифракции, как представлен на фиг. 20; или профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пик при 13,2 и 17,5° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka); или профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при 13,2, 17,5, 26,3 и 28,3° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka); или профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при 13,2, 17,5, 18,8, 19,5 и 20,2° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka); или профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при 13,2, 17,5, 24,9, 26,3 и 28,3° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka); или профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при трех или более из 13,2, 17,5, 18,8, 19,5, 20,2, 24,9, 26,3 и 28,3° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka); или по существу такой термограммой дифференциальной сканирующей калориметрии (ДСК), как представлена на фиг. 21, при нагревании со скоростью 10°С/мин; или термограммой дифференциальной сканирующей калориметрии (ДСК), содержащей эндотермический пик при примерно 271°C при нагревании со скоростью 10°С/мин; или по существу таким профилем термогравиметрического анализа, как представлен на фиг. 22, при нагревании со скоростью 20°С/мин.13. A crystalline form according to claim 8, characterized essentially by an X-ray powder diffraction profile as shown in FIG. 20; or an X-ray powder diffraction profile containing a peak at 13.2 and 17.5° ± 0.2° 2-theta, on a 2-theta scale with λ=1.54 angstroms (Cu Ka); or an X-ray powder diffraction profile containing peaks at 13.2, 17.5, 26.3 and 28.3° ± 0.2° 2-theta, on a 2-theta scale with λ=1.54 angstroms (Cu Ka) ; or an X-ray powder diffraction profile containing peaks at 13.2, 17.5, 18.8, 19.5 and 20.2° ± 0.2° 2-theta, on a 2-theta scale with λ=1.54 angstroms (Cu Ka); or an X-ray powder diffraction profile containing peaks at 13.2, 17.5, 24.9, 26.3 and 28.3° ± 0.2° 2-theta, on a 2-theta scale with λ=1.54 angstroms (Cu Ka); or an X-ray powder diffraction profile containing peaks at three or more of 13.2, 17.5, 18.8, 19.5, 20.2, 24.9, 26.3 and 28.3° ± 0.2° 2-theta, on a 2-theta scale with λ=1.54 angstroms (Cu Ka); or essentially such a differential scanning calorimetry (DSC) thermogram as shown in FIG. 21, when heated at a rate of 10°C/min; or a differential scanning calorimetry (DSC) thermogram containing an endothermic peak at about 271°C when heated at a rate of 10°C/min; or essentially such a thermogravimetric analysis profile as shown in FIG. 22, when heated at a rate of 20°C/min. 14. Кристаллическая форма по п.8, характеризующаяся по существу таким профилем рентгеновской порошковой дифракции, как представлен на фиг. 26; или профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пик при 16,1 и 25,0° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka); или14. A crystalline form according to claim 8, characterized essentially by an X-ray powder diffraction profile as shown in FIG. 26; or an X-ray powder diffraction profile containing a peak at 16.1 and 25.0° ± 0.2° 2-theta, on a 2-theta scale with λ=1.54 angstroms (Cu Ka); or - 65 043295 профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при 14,3, 16,1, 17,4 и 21,9° ±- 65 043295 X-ray powder diffraction profile containing peaks at 14.3, 16.1, 17.4 and 21.9° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka); или профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при 14,3, 16,1, 17,4, 21,9 и0.2° 2-theta, on the 2-theta scale with λ=1.54 angstroms (Cu Ka); or an X-ray powder diffraction profile containing peaks at 14.3, 16.1, 17.4, 21.9 and 25,0° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka); или профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при 14,3, 16,1, 17,4, 21,9, 25,0 и 26,9° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka); или профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при трех или более из 14,3, 16,1, 17,4, 21,9, 25,0, 26,9 и 32,3° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka); или по существу такой термограммой дифференциальной сканирующей калориметрии (ДСК), как представлена на фиг. 27, при нагревании со скоростью 10°С/мин; или термограммой дифференциальной сканирующей калориметрии (ДСК), содержащей эндотермический пик при примерно 270°C при нагревании со скоростью 10°С/мин; или по существу таким профилем термогравиметрического анализа, как представлен на фиг. 28, при нагревании со скоростью 20°С/мин.25.0° ± 0.2° 2-theta, 2-theta with λ=1.54 angstroms (Cu Ka); or an X-ray powder diffraction profile containing peaks at 14.3, 16.1, 17.4, 21.9, 25.0 and 26.9° ± 0.2° 2-theta, on a 2-theta scale with λ= 1.54 angstroms (Cu Ka); or an X-ray powder diffraction profile containing peaks at three or more of 14.3, 16.1, 17.4, 21.9, 25.0, 26.9 and 32.3° ± 0.2° 2-theta, on the 2-theta scale with λ=1.54 angstroms (Cu Ka); or essentially such a differential scanning calorimetry (DSC) thermogram as shown in FIG. 27, when heated at a rate of 10°C/min; or a differential scanning calorimetry (DSC) thermogram containing an endothermic peak at about 270°C when heated at a rate of 10°C/min; or essentially such a thermogravimetric analysis profile as shown in FIG. 28, when heated at a rate of 20°C/min. 15. Кристаллическая форма по п.8, характеризующаяся по существу таким профилем рентгеновской порошковой дифракции, как представлен на фиг. 32; или профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при 15,7, 24,6 и 31,3° ± 0,2° 2тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka); или профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при 15,7, 17,3, 24,6 и 31,3° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka); или профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при 15,7, 17,3, 21,7, 24,6 и 31,3° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka); или профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при 15,7, 17,3, 21,7, 24,6, 26,1, 28,2 и 31,3° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka); или профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при трех или более из 5,4, 15,7, 17,3, 21,7, 24,6, 26,1, 28,2 и 31,3° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka); или по существу такой термограммой дифференциальной сканирующей калориметрии (ДСК), как представлена на фиг. 33, при нагревании со скоростью 10°С/мин; или термограммой дифференциальной сканирующей калориметрии (ДСК), содержащей эндотермический пик при примерно 208°C при нагревании со скоростью 10°С/мин; или по существу таким профилем термогравиметрического анализа, как представлен на фиг. 34, при нагревании со скоростью 20°С/мин.15. A crystalline form according to claim 8, characterized essentially by an X-ray powder diffraction profile as shown in FIG. 32; or an X-ray powder diffraction profile containing peaks at 15.7, 24.6 and 31.3° ± 0.2° 2theta, on a 2-theta scale with λ=1.54 angstroms (Cu Ka); or an X-ray powder diffraction profile containing peaks at 15.7, 17.3, 24.6 and 31.3° ± 0.2° 2-theta, on a 2-theta scale with λ=1.54 angstroms (Cu Ka) ; or an X-ray powder diffraction profile containing peaks at 15.7, 17.3, 21.7, 24.6 and 31.3° ± 0.2° 2-theta, on a 2-theta scale with λ=1.54 angstroms (Cu Ka); or an X-ray powder diffraction profile containing peaks at 15.7, 17.3, 21.7, 24.6, 26.1, 28.2 and 31.3° ± 0.2° 2-theta, on a scale of 2- theta with λ=1.54 angstroms (Cu Ka); or an X-ray powder diffraction profile containing peaks at three or more of 5.4, 15.7, 17.3, 21.7, 24.6, 26.1, 28.2 and 31.3° ± 0.2° 2-theta, on a 2-theta scale with λ=1.54 angstroms (Cu Ka); or essentially such a differential scanning calorimetry (DSC) thermogram as shown in FIG. 33, when heated at a rate of 10°C/min; or a differential scanning calorimetry (DSC) thermogram containing an endothermic peak at about 208°C when heated at a rate of 10°C/min; or essentially such a thermogravimetric analysis profile as shown in FIG. 34 when heated at a rate of 20°C/min. 16. Кристаллическая форма по п.8, характеризующаяся по существу таким профилем рентгеновской порошковой дифракции, как представлен на фиг. 38; или профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при 15,9, 21,5 и 24,5° ± 0,2° 2тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka); или профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при 15,5, 15,9, 16,7, 17,5 и 21,5° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka); или профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при 15,5, 15,9, 16,7, 17,5, 21,5, 23,0 и 24,5° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka); или профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при 13,1, 15,5, 15,9, 16,7, 17,5, 21,5, 23,0, 24,5 и 28,3° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka); или профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при трех или более из 13,1, 15,5, 15,9, 16,7, 17,5, 21,5, 23,0, 24,5, 28,3 и 29,0° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka); или по существу такой термограммой дифференциальной сканирующей калориметрии (ДСК), как представлена на фиг. 39, при нагревании со скоростью 10°С/мин; или термограммой дифференциальной сканирующей калориметрии (ДСК), содержащей эндотермический пик при примерно 221°C при нагревании со скоростью 10°С/мин; или по существу таким профилем термогравиметрического анализа, как представлен на фиг. 40, при нагревании со скоростью 20°С/мин.16. A crystalline form according to claim 8, characterized essentially by an X-ray powder diffraction profile as shown in FIG. 38; or an X-ray powder diffraction profile containing peaks at 15.9, 21.5 and 24.5° ± 0.2° 2theta, on a 2-theta scale with λ=1.54 angstroms (Cu Ka); or an X-ray powder diffraction profile containing peaks at 15.5, 15.9, 16.7, 17.5 and 21.5° ± 0.2° 2-theta, on a 2-theta scale with λ=1.54 angstroms (Cu Ka); or an X-ray powder diffraction profile containing peaks at 15.5, 15.9, 16.7, 17.5, 21.5, 23.0 and 24.5° ± 0.2° 2-theta, on a scale of 2- theta with λ=1.54 angstroms (Cu Ka); or an X-ray powder diffraction profile containing peaks at 13.1, 15.5, 15.9, 16.7, 17.5, 21.5, 23.0, 24.5 and 28.3° ± 0.2° 2-theta, on a 2-theta scale with λ=1.54 angstroms (Cu Ka); or an X-ray powder diffraction profile containing peaks at three or more of 13.1, 15.5, 15.9, 16.7, 17.5, 21.5, 23.0, 24.5, 28.3, and 29 .0° ± 0.2° 2-theta, 2-theta scale with λ=1.54 angstroms (Cu Ka); or essentially such a differential scanning calorimetry (DSC) thermogram as shown in FIG. 39, when heated at a rate of 10°C/min; or a differential scanning calorimetry (DSC) thermogram containing an endothermic peak at about 221°C when heated at a rate of 10°C/min; or essentially such a thermogravimetric analysis profile as shown in FIG. 40, when heated at a rate of 20°C/min. 17. Кристаллическая форма по п.8, характеризующаяся по существу таким профилем рентгеновской порошковой дифракции, как представлен на фиг. 42; или профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при 15,6 и 24,6° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka); или профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при 15,6, 17,4 и 21,6° ± 0,2° 2тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka); или17. A crystalline form according to claim 8, characterized essentially by an X-ray powder diffraction profile as shown in FIG. 42; or an X-ray powder diffraction profile containing peaks at 15.6 and 24.6° ± 0.2° 2-theta, on a 2-theta scale with λ=1.54 angstroms (Cu Ka); or an X-ray powder diffraction profile containing peaks at 15.6, 17.4 and 21.6° ± 0.2° 2theta, on a 2-theta scale with λ=1.54 angstroms (Cu Ka); or - 66 043295 профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при 15,6, 17,4, 21,6 и 24,6° ±- 66 043295 X-ray powder diffraction profile containing peaks at 15.6, 17.4, 21.6 and 24.6° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka); или профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при 14,1, 15,6, 17,4, 21,6 и0.2° 2-theta, on the 2-theta scale with λ=1.54 angstroms (Cu Ka); or an X-ray powder diffraction profile containing peaks at 14.1, 15.6, 17.4, 21.6 and 24,6° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka); или профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при трех или более из 5,3, 14,1, 15,6, 17,4, 21,6 и 24,6° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka); или по существу такой термограммой дифференциальной сканирующей калориметрии (ДСК), как представлена на фиг. 43, при нагревании со скоростью 10°С/мин; или термограммой дифференциальной сканирующей калориметрии (ДСК), содержащей эндотермический пик при примерно 188°C при нагревании со скоростью 10°С/мин; или термограммой дифференциальной сканирующей калориметрии (ДСК), содержащей эндотермический пик при примерно 271°C при нагревании со скоростью 10°С/мин; или по существу таким профилем термогравиметрического анализа, как представлен на фиг. 44, при нагревании со скоростью 20°С/мин.24.6° ± 0.2° 2-theta, 2-theta with λ=1.54 angstroms (Cu Ka); or an X-ray powder diffraction profile containing peaks at three or more of 5.3, 14.1, 15.6, 17.4, 21.6 and 24.6° ± 0.2° 2-theta, on a scale of 2- theta with λ=1.54 angstroms (Cu Ka); or essentially such a differential scanning calorimetry (DSC) thermogram as shown in FIG. 43, when heated at a rate of 10°C/min; or a differential scanning calorimetry (DSC) thermogram containing an endothermic peak at about 188°C when heated at a rate of 10°C/min; or a differential scanning calorimetry (DSC) thermogram containing an endothermic peak at about 271°C when heated at a rate of 10°C/min; or essentially such a thermogravimetric analysis profile as shown in FIG. 44 when heated at a rate of 20°C/min. 18. Фармацевтически приемлемая соль по п.1, отличающаяся тем, что указанная соль представляет собой оксалатную соль, имеющую формулу IC18. A pharmaceutically acceptable salt according to claim 1, characterized in that said salt is an oxalate salt having the formula IC 19. Кристаллическая форма фармацевтически приемлемой соли по п.18.19. A crystalline form of a pharmaceutically acceptable salt according to claim 18. 20. Кристаллическая форма по п.19, характеризующаяся по существу таким профилем рентгеновской порошковой дифракции, как представлен на фиг. 12; или профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пик при 10,5° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka); или профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при 10,5, 14,7 и 16,2° ± 0,2° 2тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka); или профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при 10,5, 14,7, 16,2 и 28,7° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka); или профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при 10,5, 14,7, 16,2, 17,6, 17,7, 19,6, 28,7 и 28,9° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka); или профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при трех или более из 10,5, 11,6, 13,1, 14,2, 14,7, 14,9, 16,2, 17,6, 17,7, 19,6, 28,7 и 28,9° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka).20. A crystalline form according to claim 19, characterized essentially by an X-ray powder diffraction profile as shown in FIG. 12; or an X-ray powder diffraction profile containing a peak at 10.5° ± 0.2° 2-theta, on a 2-theta scale with λ=1.54 angstroms (Cu Ka); or an X-ray powder diffraction profile containing peaks at 10.5, 14.7 and 16.2° ± 0.2° 2theta, on a 2-theta scale with λ=1.54 angstroms (Cu Ka); or an X-ray powder diffraction profile containing peaks at 10.5, 14.7, 16.2 and 28.7° ± 0.2° 2-theta, on a 2-theta scale with λ=1.54 angstroms (Cu Ka) ; or an X-ray powder diffraction profile containing peaks at 10.5, 14.7, 16.2, 17.6, 17.7, 19.6, 28.7 and 28.9° ± 0.2° 2-theta, on the 2-theta scale with λ=1.54 angstroms (Cu Ka); or an X-ray powder diffraction profile containing peaks at three or more of 10.5, 11.6, 13.1, 14.2, 14.7, 14.9, 16.2, 17.6, 17.7, 19 .6, 28.7 and 28.9° ± 0.2° 2-theta, on the 2-theta scale with λ=1.54 angstroms (Cu Ka). 21. Фармацевтически приемлемая соль по п.1, отличающаяся тем, что указанная соль представляет собой фосфатную соль, имеющую формулу ID21. A pharmaceutically acceptable salt according to claim 1, characterized in that said salt is a phosphate salt having the formula ID 22. Кристаллическая форма фармацевтически приемлемой соли по п.21.22. A crystalline form of a pharmaceutically acceptable salt according to claim 21. 23. Кристаллическая форма по п.22, характеризующаяся по существу таким профилем рентгеновской порошковой дифракции, как представлен на фиг. 13; или профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пик при 3,6° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka); или профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при 3,6 и 10,7° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka); или профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при 3,6, 10,7 и 15,6° ± 0,2° 2тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka); или профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при трех или более из 3,6,23. A crystalline form according to claim 22, characterized essentially by an X-ray powder diffraction profile as shown in FIG. 13; or an X-ray powder diffraction profile containing a peak at 3.6° ± 0.2° 2-theta, on a 2-theta scale with λ=1.54 angstroms (Cu Ka); or an X-ray powder diffraction profile containing peaks at 3.6 and 10.7° ± 0.2° 2-theta, on a 2-theta scale with λ=1.54 angstroms (Cu Ka); or an X-ray powder diffraction profile containing peaks at 3.6, 10.7 and 15.6° ± 0.2° 2theta, on a 2-theta scale with λ=1.54 angstroms (Cu Ka); or an X-ray powder diffraction profile containing peaks at three or more of 3.6, 10,7, 15,6, 17,9 и 18,7° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka).10.7, 15.6, 17.9 and 18.7° ± 0.2° 2-theta, 2-theta with λ=1.54 angstroms (Cu Ka). 24. Кристаллическая форма по п.22, характеризующаяся по существу таким профилем рентгеновской порошковой дифракции, как представлен на фиг. 45; или профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при 18,1, 20,0, 26,2 и 28,1° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka); или24. A crystalline form according to claim 22, characterized essentially by an X-ray powder diffraction profile as shown in FIG. 45; or an X-ray powder diffraction profile containing peaks at 18.1, 20.0, 26.2 and 28.1° ± 0.2° 2-theta, on a 2-theta scale with λ=1.54 angstroms (Cu Ka) ; or - 67 043295 профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при 17,1, 18,1, 20,0, 26,2 и- 67 043295 X-ray powder diffraction profile containing peaks at 17.1, 18.1, 20.0, 26.2 and 28,1° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka); или профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при 10,6, 17,1, 18,1, 20,0, 26,2 и 28,1° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka); или профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при трех или более из 10,6, 17,1, 18,1, 20,0, 21,5, 22,4, 26,2 и 28,1° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka); или по существу такой термограммой дифференциальной сканирующей калориметрии (ДСК), как представлена на фиг. 46, при нагревании со скоростью 10°С/мин; или термограммой дифференциальной сканирующей калориметрии (ДСК), содержащей эндотермический пик при примерно 161°C при нагревании со скоростью 10°С/мин; или термограммой дифференциальной сканирующей калориметрии (ДСК), содержащей эндотермический пик при примерно 221°C при нагревании со скоростью 10°С/мин; или по существу таким профилем термогравиметрического анализа, как представлен на фиг. 47, при нагревании со скоростью 20°С/мин.28.1° ± 0.2° 2-theta, 2-theta with λ=1.54 angstroms (Cu Ka); or an X-ray powder diffraction profile containing peaks at 10.6, 17.1, 18.1, 20.0, 26.2 and 28.1° ± 0.2° 2-theta, on a 2-theta scale with λ= 1.54 angstroms (Cu Ka); or an X-ray powder diffraction profile containing peaks at three or more of 10.6, 17.1, 18.1, 20.0, 21.5, 22.4, 26.2 and 28.1° ± 0.2° 2-theta, on a 2-theta scale with λ=1.54 angstroms (Cu Ka); or essentially such a differential scanning calorimetry (DSC) thermogram as shown in FIG. 46, when heated at a rate of 10°C/min; or a differential scanning calorimetry (DSC) thermogram containing an endothermic peak at about 161°C when heated at a rate of 10°C/min; or a differential scanning calorimetry (DSC) thermogram containing an endothermic peak at about 221°C when heated at a rate of 10°C/min; or essentially such a thermogravimetric analysis profile as shown in FIG. 47 when heated at a rate of 20°C/min. 25. Фармацевтически приемлемая соль по п.1, отличающаяся тем, что указанная соль представляет собой бисульфатную соль, имеющую формулу IE25. A pharmaceutically acceptable salt according to claim 1, characterized in that said salt is a bisulfate salt having the formula IE 26. Кристаллическая форма фармацевтически приемлемой соли по п.25.26. A crystalline form of a pharmaceutically acceptable salt according to claim 25. 27. Кристаллическая форма соединения формулы I27. Crystal form of the compound of formula I 28. Кристаллическая форма по п.27, характеризующаяся по существу таким профилем рентгеновской порошковой дифракции, как представлен на фиг. 48; или профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при 17,3 и 18,1° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka); или профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при 17,3, 18,1, 25,2 и 27,1° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka); или профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при 17,3, 18,1, 25,2, 27,1, 28,3, 28,8 и 30,0° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka); или профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при 17,3, 18,1, 20,4, 24,2, 25,2, 27,1, 28,3, 28,8 и 30,0° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka); или профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при трех или более из 15,0, 17,3, 18,1, 20,4, 24,2, 25,2, 27,1, 28,3, 28,8 и 30,0° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka); или по существу такой термограммой дифференциальной сканирующей калориметрии (ДСК), как представлена на фиг. 49, при нагревании со скоростью 10°С/мин; или термограммой дифференциальной сканирующей калориметрии (ДСК), содержащей эндотермический пик при примерно 140°C при нагревании со скоростью 10°С/мин; или по существу таким профилем термогравиметрического анализа, как представлен на фиг. 50, при нагревании со скоростью 20°С/мин.28. A crystalline form according to claim 27, characterized essentially by an X-ray powder diffraction profile as shown in FIG. 48; or an X-ray powder diffraction profile containing peaks at 17.3 and 18.1° ± 0.2° 2-theta, on a 2-theta scale with λ=1.54 angstroms (Cu Ka); or an X-ray powder diffraction profile containing peaks at 17.3, 18.1, 25.2 and 27.1° ± 0.2° 2-theta, on a 2-theta scale with λ=1.54 angstroms (Cu Ka) ; or an X-ray powder diffraction profile containing peaks at 17.3, 18.1, 25.2, 27.1, 28.3, 28.8 and 30.0° ± 0.2° 2-theta, on a scale of 2- theta with λ=1.54 angstroms (Cu Ka); or an X-ray powder diffraction profile containing peaks at 17.3, 18.1, 20.4, 24.2, 25.2, 27.1, 28.3, 28.8 and 30.0° ± 0.2° 2-theta, on a 2-theta scale with λ=1.54 angstroms (Cu Ka); or an X-ray powder diffraction profile containing peaks at three or more of 15.0, 17.3, 18.1, 20.4, 24.2, 25.2, 27.1, 28.3, 28.8, and 30 .0° ± 0.2° 2-theta, 2-theta scale with λ=1.54 angstroms (Cu Ka); or essentially such a differential scanning calorimetry (DSC) thermogram as shown in FIG. 49, when heated at a rate of 10°C/min; or a differential scanning calorimetry (DSC) thermogram containing an endothermic peak at about 140°C when heated at a rate of 10°C/min; or essentially such a thermogravimetric analysis profile as shown in FIG. 50 when heated at a rate of 20°C/min. 29. Кристаллическая форма по п.27, характеризующаяся по существу таким профилем рентгеновской порошковой дифракции, как представлен на фиг. 54; или профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пик при 23,5 и 24,9° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka); или профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при 18,9, 23,5, 24,3 и 24,9° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka); или профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при 15,1, 17,4, 18,9, 23,5, 24,3 и 24,9° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka); или профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при 15,1, 17,4, 18,9, 23,5, 24,3, 24,9 и 25,5° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka); или29. A crystalline form according to claim 27, characterized essentially by an X-ray powder diffraction profile as shown in FIG. 54; or an X-ray powder diffraction profile containing a peak at 23.5 and 24.9° ± 0.2° 2-theta, on a 2-theta scale with λ=1.54 angstroms (Cu Ka); or an X-ray powder diffraction profile containing peaks at 18.9, 23.5, 24.3 and 24.9° ± 0.2° 2-theta, on a 2-theta scale with λ=1.54 angstroms (Cu Ka) ; or an X-ray powder diffraction profile containing peaks at 15.1, 17.4, 18.9, 23.5, 24.3 and 24.9° ± 0.2° 2-theta, on a 2-theta scale with λ= 1.54 angstroms (Cu Ka); or an X-ray powder diffraction profile containing peaks at 15.1, 17.4, 18.9, 23.5, 24.3, 24.9 and 25.5° ± 0.2° 2-theta, on a scale of 2- theta with λ=1.54 angstroms (Cu Ka); or - 68 043295 профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при трех или более из 15,1,- 68 043295 X-ray powder diffraction profile containing peaks at three or more of 15.1, 17,4, 18,9, 23,5, 24,3, 24,9, 25,5 и 30,3° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka); или по существу такой термограммой дифференциальной сканирующей калориметрии (ДСК), как представлена на фиг. 55, при нагревании со скоростью 10°С/мин; или термограммой дифференциальной сканирующей калориметрии (ДСК), содержащей эндотермический пик при примерно 137°C при нагревании со скоростью 10°С/мин.17.4, 18.9, 23.5, 24.3, 24.9, 25.5 and 30.3° ± 0.2° 2-theta, 2-theta with λ=1.54 angstroms ( CuKa); or essentially such a differential scanning calorimetry (DSC) thermogram as shown in FIG. 55, when heated at a rate of 10°C/min; or a differential scanning calorimetry (DSC) thermogram containing an endothermic peak at about 137° C. when heated at a rate of 10° C./min. 30. Кристаллическая форма по п.27, характеризующаяся по существу таким профилем рентгеновской порошковой дифракции, как представлен на фиг. 56; или профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при 16,6 и 17,4° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka); или профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при 17,4, 20,4 и 25,8° ± 0,2° 2тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka); или профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при 17,4, 20,4, 24,9, 25,8 и 26,3° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka); или профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при 16,6, 17,4, 20,4, 24,9, 25,8, 26,3 и 27,7 ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka); или профилем рентгеновской порошковой дифракции, содержащим пики при трех или более из 9,2, 16,6, 17,4, 20,4, 24,9, 25,8, 26,3, 27,7 и 41,5° ± 0,2° 2-тета, по шкале 2-тета с λ=1,54 ангстрем (Cu Ka); или по существу такой термограммой дифференциальной сканирующей калориметрии (ДСК), как представлена на фиг. 57, при нагревании со скоростью 10°С/мин; или термограммой дифференциальной сканирующей калориметрии (ДСК), содержащей эндотермический пик при примерно 125°C при нагревании со скоростью 10°С/мин.30. A crystalline form according to claim 27, characterized essentially by an X-ray powder diffraction profile as shown in FIG. 56; or an X-ray powder diffraction profile containing peaks at 16.6 and 17.4° ± 0.2° 2-theta, on a 2-theta scale with λ=1.54 angstroms (Cu Ka); or an X-ray powder diffraction profile containing peaks at 17.4, 20.4 and 25.8° ± 0.2° 2theta, on a 2-theta scale with λ=1.54 angstroms (Cu Ka); or an X-ray powder diffraction profile containing peaks at 17.4, 20.4, 24.9, 25.8 and 26.3° ± 0.2° 2-theta, on a 2-theta scale with λ=1.54 angstroms (Cu Ka); or an X-ray powder diffraction profile containing peaks at 16.6, 17.4, 20.4, 24.9, 25.8, 26.3 and 27.7 ± 0.2° 2-theta, on a 2-theta scale with λ=1.54 angstroms (Cu Ka); or an X-ray powder diffraction profile containing peaks at three or more of 9.2, 16.6, 17.4, 20.4, 24.9, 25.8, 26.3, 27.7, and 41.5° ± 0.2° 2-theta, on the 2-theta scale with λ=1.54 angstroms (Cu Ka); or essentially such a differential scanning calorimetry (DSC) thermogram as shown in FIG. 57, when heated at a rate of 10°C/min; or a differential scanning calorimetry (DSC) thermogram containing an endothermic peak at about 125° C. when heated at a rate of 10° C./min. 31. Фармацевтическая композиция, содержащая соединение по любому из пп.1-30 и фармацевтически приемлемое вспомогательное вещество.31. A pharmaceutical composition containing a compound according to any one of claims 1 to 30 and a pharmaceutically acceptable excipient. 32. Способ ингибирования фермента протеин-аргинин-метилтрансферазы 5 (PRMT5), включающий приведение фермента PRMT5 в контакт с эффективным количеством соединения по любому из пп.1-30.32. A method for inhibiting the protein arginine methyltransferase 5 (PRMT5) enzyme, comprising contacting the PRMT5 enzyme with an effective amount of a compound according to any one of claims 1-30. 33. Способ лечения заболевания или нарушения, связанного с аберрантной активностью PRMT5, у субъекта, включающий введение указанному субъекту соединения по любому из пп.1-30.33. A method of treating a disease or disorder associated with aberrant PRMT5 activity in a subject, comprising administering to said subject a compound according to any one of claims 1-30. 34. Способ по п.33, отличающийся тем, что указанное заболевание или нарушение, связанное с аберрантной активностью PRMT5, представляет собой аденокистозную карциному (ACC), рак молочной железы, рак легких, рак поджелудочной железы, рак предстательной железы, рак толстой кишки, рак яичника, рак матки, рак шейки матки, лейкоз, предпочтительно острый миелоидный лейкоз (AML), острый лимфоцитарный лейкоз, хронический лимфоцитарный лейкоз, хронический миелоидный лейкоз, волосатоклеточный лейкоз, миелодисплазию, миелопролиферативные нарушения, острый миелогенный лейкоз (AML), хронический миелогенный лейкоз (CML), мастоцитоз, хронический лимфоцитарный лейкоз (CLL), множественную миелому (MM), миелодиспластический синдром (MDS), эпидермоидный рак или гемоглобинопатии, предпочтительно b-талассемию и серповидно-клеточную болезнь (SCD).34. The method of claim 33, wherein said disease or disorder associated with aberrant PRMT5 activity is adenoid cystic carcinoma (ACC), breast cancer, lung cancer, pancreatic cancer, prostate cancer, colon cancer, ovarian cancer, uterine cancer, cervical cancer, leukemia, preferably acute myeloid leukemia (AML), acute lymphocytic leukemia, chronic lymphocytic leukemia, chronic myeloid leukemia, hairy cell leukemia, myelodysplasia, myeloproliferative disorders, acute myelogenous leukemia (AML), chronic myelogenous leukemia (CML), mastocytosis, chronic lymphocytic leukemia (CLL), multiple myeloma (MM), myelodysplastic syndrome (MDS), epidermoid cancer or hemoglobinopathies, preferably b-thalassemia and sickle cell disease (SCD). 35. Способ по п.33 или 34, отличающийся тем, что указанное соединение или его фармацевтически приемлемую соль вводят в комбинации с одним или более другими агентами.35. The method according to claim 33 or 34, characterized in that said compound or a pharmaceutically acceptable salt thereof is administered in combination with one or more other agents.
EA202192051 2019-02-13 2020-02-13 SELECTIVE PROTEIN-ARGININE-METHYLTRANSFERASE 5 (PRMT5) INHIBITOR EA043295B1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US62/805,175 2019-02-13
US62/805,726 2019-02-14

Publications (1)

Publication Number Publication Date
EA043295B1 true EA043295B1 (en) 2023-05-10

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP3665179B1 (en) Selective inhibitors of protein arginine methyltransferase 5 (prmt5)
JP7328218B2 (en) Selective inhibitor of protein arginine methyltransferase 5 (PRMT5)
JP2019524660A (en) Crystalline solid form of BET inhibitor
US20220160713A1 (en) Selective inhibitor of protein arginine methyltransferase 5 (prmt5)
AU2019235912B2 (en) Selective inhibitors of protein arginine methyltransferase 5 (PRMT5)
US20230029094A1 (en) Selective Inhibitors Of Protein Arginine Methyltransferase 5 (PRMT5)
EA043295B1 (en) SELECTIVE PROTEIN-ARGININE-METHYLTRANSFERASE 5 (PRMT5) INHIBITOR
WO2023178547A1 (en) Polymorphic compounds and uses thereof
EA044352B1 (en) SELECTIVE INHIBITORS OF PROTEINARGININE METHYL TRANSFERASE 5 (PRMT5)
WO2023056441A1 (en) Cdk inhibitors and their use as pharmaceuticals
KR20230024287A (en) Spiro-sulfonamide derivatives as inhibitors of myeloid cell leukemia-1 (MCL-1) protein