EA034222B1 - Nitrogen dioxide sensor - Google Patents

Nitrogen dioxide sensor Download PDF

Info

Publication number
EA034222B1
EA034222B1 EA201800452A EA201800452A EA034222B1 EA 034222 B1 EA034222 B1 EA 034222B1 EA 201800452 A EA201800452 A EA 201800452A EA 201800452 A EA201800452 A EA 201800452A EA 034222 B1 EA034222 B1 EA 034222B1
Authority
EA
Eurasian Patent Office
Prior art keywords
gas
nitrogen dioxide
oxide
sensitive layer
sensor
Prior art date
Application number
EA201800452A
Other languages
Russian (ru)
Other versions
EA201800452A1 (en
Inventor
Александр Александрович Савицкий
Юлиан Станиславович Гайдук
Original Assignee
Белорусский Государственный Университет (Бгу)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Белорусский Государственный Университет (Бгу) filed Critical Белорусский Государственный Университет (Бгу)
Priority to EA201800452A priority Critical patent/EA034222B1/en
Publication of EA201800452A1 publication Critical patent/EA201800452A1/en
Publication of EA034222B1 publication Critical patent/EA034222B1/en

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
    • G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
    • G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
    • G01N27/125—Composition of the body, e.g. the composition of its sensitive layer

Abstract

The invention relates to gas analysis, in particular, to devices designed to detect and quantify trace impurities of nitrogen dioxide and can be used to monitor the environment, control the air of working environment of industrial premises, determine the composition of exhaust and flue gases, other gas mixtures. The objective of the invention is to develop a nitrogen dioxide sensor of increased sensitivity to nitrogen dioxide, which allows to control the content of nitrogen dioxide in the air and to reduce the costs, while the design of the product must ensure it functioning with the most of standard gas analyzers. This task is achieved by the fact that the nitrogen dioxide sensor containing a gas-permeable housing, a platinum electrode, on the middle part of which there is a heating element made in the form of a spiral of platinum wire with a diameter of 20-50 μm, on which a gas-sensitive layer is applied, which is a solid solution gallium oxide GaOin indium oxide InO, the gas sensitive layer additionally contains tungsten oxide WOin the following proportion of components, wt.%: indium oxide - 82-98, gallium oxide - 1-8, tungsten oxide - 1-10.

Description

Изобретение относится к газовому анализу, в частности к детектирующим устройствам, предназначенным для обнаружения и количественного определения микропримесей диоксида азота и может найти применение для мониторинга окружающей среды, контроля воздуха рабочей среды производственных помещений, определения состава выхлопных газов, определения состава прочих газовых смесей естественного и искусственного происхождения.The invention relates to gas analysis, in particular to detection devices designed to detect and quantify nitrogen dioxide microimpurities and can find application for environmental monitoring, air control of the working environment of industrial premises, determination of the composition of exhaust gases, determination of the composition of other natural and artificial gas mixtures origin.

Известен сенсор диоксида азота, содержащий непроводящую керамическую подложку, на одной стороне которого сформированы одна или более пар измерительных электродов, а на другой стороне металлический нагреватель с двумя токоподводами, поверх измерительных электродов в котором нанесён тонкий слой полупроводникового материала, представляющую собой нанокристаллическую композицию оксида кремния и оксида вольфрама с содержанием оксида вольфрама 1-10 мас.% [1].A known nitrogen dioxide sensor containing a non-conductive ceramic substrate, on one side of which one or more pairs of measuring electrodes are formed, and on the other side is a metal heater with two current leads, on top of the measuring electrodes in which a thin layer of semiconductor material is deposited, which is a nanocrystalline silicon oxide composition and tungsten oxide with a tungsten oxide content of 1-10 wt.% [1].

Недостатком данного сенсора является сравнительно сложная технология его изготовления, сопряженная с необходимостью осуществления большого количества технологических операций. Кроме того, получение тонких плёнок оксидов на поверхности подложек требует дорогостоящего оборудования, а сами пленки, как правило, не отличаются высокой механической прочностью.The disadvantage of this sensor is the relatively complex technology of its manufacture, coupled with the need to carry out a large number of technological operations. In addition, the preparation of thin oxide films on the surface of substrates requires expensive equipment, and the films themselves, as a rule, do not have high mechanical strength.

Наиболее близким техническим решением к заявляемому газовому сенсору является сенсор, состоящий из газопроницаемого корпуса, проволочного электрода из благородного металла, на средней части которого сформирован нагревательный элемент в виде спирали, на который нанесён газочувствительный слой из полупроводникового материала, причём электрод и нагревательный элемент выполнены из цельного отрезка платиновой проволоки диаметром 20-50 мкм, причём на нагревательный элемент нанесён полупроводниковый газочувствительный слой, содержащий нанокристаллическую композицию оксида индия в количестве 92-99 мас.% и оксида галлия в количестве 1-8 мас.% (твёрдый раствор оксида галлия в оксиде индия) [2].The closest technical solution to the claimed gas sensor is a sensor consisting of a gas-permeable body, a wire electrode made of a noble metal, on the middle part of which a heating element is formed in the form of a spiral, on which a gas-sensitive layer of semiconductor material is applied, and the electrode and heating element are made of solid a piece of platinum wire with a diameter of 20-50 microns, with a semiconductor gas-sensitive layer deposited on the heating element a crystalline composition of indium oxide in an amount of 92-99 wt.% and gallium oxide in an amount of 1-8 wt.% (solid solution of gallium oxide in indium oxide) [2].

Сенсор обеспечивает возможность определения в газовоздушных смесях содержания как газовокислителей (оксиды азота, озон), так и газов-восстановителей, таких как метан (CH4), изобутан (изоC4H10), водород (H2), монооксид углерода (CO), пары этанола (C2H5OH), однако газочувствительной слой данного датчика, представляющий собой твёрдый раствор оксида галлия в оксиде индия, не обладает чувствительностью для детектирования диоксида азота (NO2), достаточной для применения сенсоров в составе приборов экологического мониторинга воздуха (при концентрации диоксида азота в воздухе менее 1 ppm).The sensor makes it possible to determine in gas-air mixtures the contents of both oxidizing agents (nitrogen oxides, ozone) and reducing gases, such as methane (CH 4 ), isobutane (isoC4H 10 ), hydrogen (H 2 ), carbon monoxide (CO), vapors ethanol (C 2 H 5 OH), however, the gas-sensitive layer of this sensor, which is a solid solution of gallium oxide in indium oxide, does not have sensitivity for the detection of nitrogen dioxide (NO 2 ), sufficient for the use of sensors in environmental air monitoring devices (at a concentration nitrogen dioxide in air less than 1 ppm).

Задачей изобретения является разработка сенсора диоксида азота с повышенной чувствительностью к диоксиду азота, позволяющего контролировать содержание диоксида азота в атмосферном воздухе, удешевление стоимости, а конструктивное исполнение изделия должно обеспечивать возможность его функционирования с большинством стандартных газоанализаторов.The objective of the invention is the development of a nitrogen dioxide sensor with increased sensitivity to nitrogen dioxide, which allows you to control the content of nitrogen dioxide in the air, lower cost, and the design of the product must ensure the possibility of its operation with most standard gas analyzers.

Поставленная задача достигается тем, что в сенсоре диоксида азота, содержащем газопроницаемый корпус, электрод из платины, на средней части которого размещён нагревательный элемент, выполненный в виде спирали из платиновой проволоки диаметром 20-50 мкм, на которую нанесён газочувствительный слой, представляющий собой твёрдый раствор оксида галлия Ga2O3 в оксиде индия In2O3, газочувствительный слой дополнительно содержит оксид вольфрама WO3 при следующем соотношении компонентов, мас.%: оксид индия - 82-98, оксид галлия -1-8, оксид вольфрама - 1-10.This object is achieved by the fact that in the nitrogen dioxide sensor containing a gas-permeable housing, a platinum electrode, on the middle part of which there is a heating element made in the form of a spiral of platinum wire with a diameter of 20-50 μm, on which a gas-sensitive layer is applied, which is a solid solution gallium oxide Ga 2 O 3 in indium oxide In 2 O 3 , the gas sensitive layer additionally contains tungsten oxide WO 3 in the following ratio of components, wt.%: indium oxide - 82-98, gallium oxide -1-8, tungsten oxide - 1- 10.

Изменение содержания оксида вольфрама и оксида галлия в большую сторону приводит к снижению чувствительности к диоксиду азота и росту потребляемой мощности сенсора, что связано в том числе с увеличением удельного электрического сопротивления газочувствительного слоя. Изменение содержания оксида индия в указанном интервале не оказывает заметного воздействия на чувствительность, селективность и потребляемую мощность сенсора, поскольку оксид индия не обладает специфической адсорбцией в отношении диоксида азота, как оксид вольфрама, и не является электронодонорной примесью, как оксид галлия. Оптимальное содержание в композиции оксида вольфрама 5 мас.%, оксида галлия 4 мас.%.A large increase in the content of tungsten oxide and gallium oxide leads to a decrease in sensitivity to nitrogen dioxide and an increase in the power consumption of the sensor, which is also associated with an increase in the electrical resistivity of the gas-sensitive layer. A change in the indium oxide content in the indicated range does not have a noticeable effect on the sensitivity, selectivity, and power consumption of the sensor, since indium oxide does not have specific adsorption to nitrogen dioxide, like tungsten oxide, and is not an electron-donating impurity, like gallium oxide. The optimal content in the composition of tungsten oxide is 5 wt.%, Gallium oxide 4 wt.%.

Таким образом, поставленная задача достигается за счет применения нанокристаллической полупроводниковой композиции оксида индия, оксида галлия, оксида вольфрама, полученной золь-гель методом, которая в заявленной пропорции обладает высокой чувствительностью к диоксиду азота (при содержании в воздухе << 1 ppm), изменение сотношений компонентов полупроводникового слоя приводит к снижению чувствительности к диоксиду азота, выполнение электрода в виде платиновой проволоки диаметром 20-50 мкм обеспечивает величину потребляемой мощности сенсора в диапазоне значений, приемлемых для большинства стандартных газоанализаторов (до 200 мВт), уменьшение заявленного диаметра проволоки приводит к снижению механической прочности изделия и к затруднениям в сборке сенсора, увеличение диаметра приводит к возрастанию потребляемой мощности сенсора. Влияние оксида вольфрама в заявленном интервале заключается в повышении чувствительности сенсора к диоксиду азота и повышению селективности определения диоксида азота. Заявляемый сенсор, газочувствительный слой которого содержит 5 мас.% оксида вольфрама и 4 мас.% оксида галлия, обладает в 4 раза более высокими выходными сигналами к диоксиду азота по сравнению с прототипом (при содержании оксида галлия 4 мас.%) и имеет более низкую чувствительность к монооксиду углерода, газообразным углеводородам (метан и др.), парам спиртов. При этом максимальная чувствительность наблюдается при болееThus, the task is achieved through the use of a nanocrystalline semiconductor composition of indium oxide, gallium oxide, tungsten oxide obtained by the sol-gel method, which in the stated proportions is highly sensitive to nitrogen dioxide (when the content in air is << 1 ppm), the change in ratio components of the semiconductor layer leads to a decrease in sensitivity to nitrogen dioxide, the implementation of the electrode in the form of a platinum wire with a diameter of 20-50 microns provides the amount of power consumption sensor pa in the range of values acceptable for most conventional gas analyzers (up to 200 mW), a decrease of the claimed wire diameter reduces the mechanical strength of the product and to difficulties in the sensor assembly, increasing the diameter leads to an increase in power consumption of the sensor. The effect of tungsten oxide in the claimed range is to increase the sensitivity of the sensor to nitrogen dioxide and increase the selectivity of determination of nitrogen dioxide. The inventive sensor, the gas sensitive layer of which contains 5 wt.% Tungsten oxide and 4 wt.% Gallium oxide, has 4 times higher output signals to nitrogen dioxide compared to the prototype (when the gallium oxide content is 4 wt.%) And has a lower sensitivity to carbon monoxide, gaseous hydrocarbons (methane, etc.), alcohol vapors. In this case, the maximum sensitivity is observed at more

- 1 034222 низком токе нагрева (температуре чувствительного слоя). Оксид галлия позволяет увеличить электрическую проводимость газочувствительного слоя и обеспечить небольшую потребляемую мощность. Наибольшая чувствительность заявляемого сенсора к диоксиду азота в воздухе наблюдается в интервале тока нагрева электрода из платиновой проволоки 80-100 мА.- 1 034222 low heating current (temperature of the sensitive layer). Gallium oxide can increase the electrical conductivity of the gas-sensitive layer and provide low power consumption. The greatest sensitivity of the proposed sensor to nitrogen dioxide in the air is observed in the range of the heating current of the electrode from a platinum wire of 80-100 mA.

Заявляемый сенсор изображён на чертеже, где на фиг. 1 - сенсор в сборе, на фиг. 2 - сенсор в разрезе (без металлического колпачка), где сенсор диоксида азота, содержащий корпус 1, в котором жёстко закреплены токоподводы 2, на которые методом термокомпрессии прикреплён электрод из платины 3, на средней части которого сформирован нагревательный элемент 4, выполненный в виде спирали из платиновой проволоки диаметром 20-50 мкм, на которую нанесен полупроводниковый газочувствительный слой 5, изготовленный из смеси нанокристаллических оксида индия в количестве 82-98 мас.%, оксида галлия в количестве 1-8 мас.%, оксида вольфрама в количестве 1-10 мас.%, полученной осаждением из водных растворов солей (золь-гель методом) и отожжённой в воздухе после нанесения на нагревательный элемент при токе нагрева 140 мА в течение 5 ч. Корпус 1 снабжён газопроницаемым металлическим колпачком 6.The inventive sensor is shown in the drawing, where in FIG. 1 - sensor assembly, in FIG. 2 is a sectional sensor (without a metal cap), where the nitrogen dioxide sensor, comprising a housing 1, in which current leads 2 are rigidly fixed, onto which a platinum 3 electrode is attached by thermal compression, on the middle part of which a heating element 4 is formed, made in the form of a spiral from a platinum wire with a diameter of 20-50 μm, on which a semiconductor gas-sensitive layer 5 is deposited, made of a mixture of nanocrystalline indium oxide in an amount of 82-98 wt.%, gallium oxide in an amount of 1-8 wt.%, tungsten oxide in coli 1-10 wt.% obtained by precipitation from aqueous solutions of salts (sol-gel method) and annealed in air after application to the heating element at a heating current of 140 mA for 5 hours. Housing 1 is equipped with a gas-tight metal cap 6.

Заявляемый сенсор работает следующим образом.The inventive sensor operates as follows.

Заявляемый сенсор помещают в термостатированную камеру (на фиг. не показана), через которую пропускают (выдерживают) анализируемую газовую смесь, и подключают к источнику постоянного тока 1-3 V или соответствующему узлу газоанализатора (на фиг. не показан). Заданная величина тока разогревает нагревательный элемент 4 и размещённый на нем газочувствительный слой 5 до требуемой рабочей температуры, соответствующей току нагрева 80-100 мА. При контакте исследуемого газа с газочувствительным слоем 5 происходит избирательная адсорбция молекул диоксида азота, что в силу окислительной природы газа снижает концентрацию электронов в зоне проводимости полупроводникового газочувствительного слоя 5, и как следствие, повышает электрическое сопротивление газочувствительного слоя. Поэтому электрод 2 из платины меняет свое электрическое сопротивление, т.е. газочувствительный слой 5 выполняет функцию шунтирования. Величина изменения электрического сопротивления на электроде 3 зависит от концентрации в смеси диоксида азота, и фиксируется газоанализатором (на фиг. не показан), в который заявляемый сенсор устанавливается. С целью снижения времени восстановления исходных показаний прибора (времени релаксации сенсора) может быть рекомендован импульсный режим нагрева сенсора.The inventive sensor is placed in a thermostatic chamber (not shown in FIG.) Through which the analyzed gas mixture is passed (maintained) and connected to a 1-3 V DC source or the corresponding gas analyzer assembly (not shown in FIG.). The predetermined current value heats the heating element 4 and the gas-sensitive layer 5 placed on it to the required operating temperature, corresponding to a heating current of 80-100 mA. Upon contact of the test gas with the gas-sensitive layer 5, selective adsorption of nitrogen dioxide molecules occurs, which, due to the oxidative nature of the gas, reduces the electron concentration in the conduction band of the semiconductor gas-sensitive layer 5 and, as a result, increases the electrical resistance of the gas-sensitive layer. Therefore, the platinum electrode 2 changes its electrical resistance, i.e. gas-sensitive layer 5 performs the function of shunting. The magnitude of the change in electrical resistance at the electrode 3 depends on the concentration of nitrogen dioxide in the mixture, and is recorded by a gas analyzer (not shown in Fig.), In which the inventive sensor is installed. In order to reduce the recovery time of the initial instrument readings (sensor relaxation time), a pulse mode of heating the sensor may be recommended.

Таким образом, заявляемое изобретение за счет одноэлектродной констркции позволяет удешевить изготовление сенсора диоксида азота по сравнению с двухэлектродными аналогами, а применение для изготовления чувствительного элемента новой полупроводниковой композиции, содержащей оксид индия, оксид галлия и оксид вольфрама, позволяет существенно повысить чувствительность сенсора к диоксиду азота, позволяя контролировать содержание примеси диоксида азота в воздухе при содержании << 1 ppm. Использование стандартных элементов корпуса и низкая потребляемая мощность (менее 200 мВт) позволяют обеспечить возможность функционирования сенсора в составе массовых стандартных газоанализаторов.Thus, the claimed invention, due to single-electrode construction, makes it possible to reduce the cost of manufacturing a nitrogen dioxide sensor in comparison with two-electrode counterparts, and the use of a new semiconductor composition containing indium oxide, gallium oxide and tungsten oxide for manufacturing a sensitive element can significantly increase the sensitivity of the sensor to nitrogen dioxide, allowing you to control the content of nitrogen dioxide impurities in the air at a content of << 1 ppm. The use of standard housing elements and low power consumption (less than 200 mW) make it possible to ensure the possibility of the sensor functioning as part of mass standard gas analyzers.

Источники информацииSources of information

1) Патент CN 2807255 Y, МПК G01N27/333, G01N27/407; опубл. 16.08.20061) Patent CN 2807255 Y, IPC G01N27 / 333, G01N27 / 407; publ. 08/16/2006

2) Патент BY на полезную модель 10354, МПК G01N27/407; опубл. 30.10.2014 - прототип.2) BY patent for utility model 10354, IPC G01N27 / 407; publ. 10/30/2014 - prototype.

Claims (1)

Сенсор диоксида азота, содержащий газопроницаемый корпус, электрод из платины, на средней части которого размещен нагревательный элемент, выполненный в виде спирали из платиновой проволоки диаметром 20-50 мкм, на которую нанесён полупроводниковый газочувствительный слой, представляющий собой нанокристаллический твёрдый раствор оксида галлия Ga2O3 в оксиде индия In2O3, отличающийся тем, что газочувствительный слой дополнительно содержит оксид вольфрама WO3 при следующем соотношении компонентов, мас.%: оксид индия 82-98, оксид галлия 1-8, оксид вольфрама 1-10.A nitrogen dioxide sensor containing a gas-permeable housing, a platinum electrode, on the middle part of which there is a heating element made in the form of a spiral of platinum wire with a diameter of 20-50 μm, on which a semiconductor gas-sensitive layer is applied, which is a nanocrystalline solid solution of gallium oxide Ga 2 O 3 in indium oxide In 2 O 3 , characterized in that the gas-sensitive layer further comprises tungsten oxide WO 3 in the following ratio of components, wt.%: Indium oxide 82-98, gallium oxide 1-8, oxide tungsten 1-10.
EA201800452A 2018-07-06 2018-07-06 Nitrogen dioxide sensor EA034222B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EA201800452A EA034222B1 (en) 2018-07-06 2018-07-06 Nitrogen dioxide sensor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EA201800452A EA034222B1 (en) 2018-07-06 2018-07-06 Nitrogen dioxide sensor

Publications (2)

Publication Number Publication Date
EA201800452A1 EA201800452A1 (en) 2019-12-30
EA034222B1 true EA034222B1 (en) 2020-01-17

Family

ID=69061856

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EA201800452A EA034222B1 (en) 2018-07-06 2018-07-06 Nitrogen dioxide sensor

Country Status (1)

Country Link
EA (1) EA034222B1 (en)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2159931C1 (en) * 2000-04-14 2000-11-27 Кутьев Анатолий Анатольевич Procedure for selective determination of concentration of deleterious impurities in gases and gear for its realization
WO2009024774A1 (en) * 2007-08-22 2009-02-26 Thorn Security Limited Gas sensor operation with feedback control
US20170122921A1 (en) * 2014-03-26 2017-05-04 Aeroqual Ltd. Interference Free Gas Measurement

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2159931C1 (en) * 2000-04-14 2000-11-27 Кутьев Анатолий Анатольевич Procedure for selective determination of concentration of deleterious impurities in gases and gear for its realization
WO2009024774A1 (en) * 2007-08-22 2009-02-26 Thorn Security Limited Gas sensor operation with feedback control
US20170122921A1 (en) * 2014-03-26 2017-05-04 Aeroqual Ltd. Interference Free Gas Measurement

Also Published As

Publication number Publication date
EA201800452A1 (en) 2019-12-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Sharma et al. Recent advances on H2 sensor technologies based on MOX and FET devices: A review
Li et al. Highly sensitive H 2 S sensor based on template-synthesized CuO nanowires
Watson The tin oxide gas sensor and its applications
Toàn et al. Gas sensing with semiconducting perovskite oxide LaFeO3
Aroutiounian Hydrogen detectors
Wu et al. Use of cobalt oxide CoOOH in a carbon monoxide sensor operating at low temperatures
TWI410625B (en) Gas sensing material and gas sensor employing the same
Korotcenkov et al. Gas-sensing characteristics of one-electrode gas sensors based on doped In2O3 ceramics
Hernandez-Ramirez et al. Water vapor detection with individual tin oxide nanowires
Fleischer Advances in application potential of adsorptive-type solid state gas sensors: high-temperature semiconducting oxides and ambient temperature GasFET devices
RU2464554C1 (en) Gas sensor for detecting nitrogen and carbon oxides
Zhao et al. Optimized low frequency temperature modulation for improving the selectivity and linearity of SnO 2 gas sensor
Dai et al. Janus gas: reversible redox transition of Sarin enables its selective detection by an ethanol modified nanoporous SnO2 chemiresistor
Kapse et al. Enhanced H2S sensing characteristics of La-doped In2O3: Effect of Pd sensitization
Naz et al. Solid state gas sensor
Zhang et al. Pt-doped TiO 2-based sensors for detecting SF 6 decomposition components
Xu et al. Novel carbon dioxide microsensor based on tin oxide nanomaterial doped with copper oxide
RU2132551C1 (en) Gas sensor operating process
EA034222B1 (en) Nitrogen dioxide sensor
WO2008134066A1 (en) Device and method for detecting sulfur dioxide at high temperatures
Yude et al. The n+ n combined structure gas sensor based on burnable gases
Pijolat et al. Detection of CO in H2-rich gases with a samarium doped ceria (SDC) sensor for fuel cell applications
Darabpour et al. Fabrication of a glow discharge plasma-based ionization gas sensor using multiwalled carbon nanotubes for specific detection of hydrogen at parts per billion levels
Li et al. Low Concentration CO Gas Sensor Based on Pulsed-Heating and Wafer-Level Fabricated MEMS Hotplate
Deekshitha et al. Environmental pollutant hydrogen sulphide and its detection–A brief review

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Lapse of a eurasian patent due to non-payment of renewal fees within the time limit in the following designated state(s)

Designated state(s): AM AZ KZ KG TJ TM RU