EA009720B1 - METHOD OF REGULATING CONCENTRATION OF CHARGE CARRIERS IN PbSnSe ERITAXIAL LAYERS - Google Patents
METHOD OF REGULATING CONCENTRATION OF CHARGE CARRIERS IN PbSnSe ERITAXIAL LAYERS Download PDFInfo
- Publication number
- EA009720B1 EA009720B1 EA200701428A EA200701428A EA009720B1 EA 009720 B1 EA009720 B1 EA 009720B1 EA 200701428 A EA200701428 A EA 200701428A EA 200701428 A EA200701428 A EA 200701428A EA 009720 B1 EA009720 B1 EA 009720B1
- Authority
- EA
- Eurasian Patent Office
- Prior art keywords
- source
- temperature
- substrate
- charge carriers
- alloy
- Prior art date
Links
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к области технологии полупроводников и может быть использовано при создании полупроводниковых приборов, в частности, высокочувствительных инфракрасных фотоприемников с максимально возможными высокими рабочими температурами.The invention relates to the field of semiconductor technology and can be used to create semiconductor devices, in particular, highly sensitive infrared photodetectors with the highest possible operating temperatures.
Известно, что создание фотоприемников в области спектра 3-20 мкм с параметрами, приближающимися к теоретическому пределу, является актуальной проблемой фотоники. В значительной мере это связано с созданием материала с высоким темновым сопротивлением, т.к. чувствительность фотоприемника обратно пропорциональна концентрации носителей заряда. Исследования по фотоприемникам, главным образом, направлены на создание многоэлементных матриц и в этом случае существенным является однородность параметров составляющих элементов. Для ее достижения необходимо получать совершенные эпитаксиальные слои с контролируемым составом, толщиной и, что особенно важно, концентрацией носителей заряда. Именно достижение однородности было значительной проблемой ранних фотоприемников, создаваемых на основе поликристаллов и эпитаксиальных слоев полупроводников IVVI, подвергаемых отжигу в парах кислорода или халькогена. Но рост эпитаксиальных слоев полупроводников ΐν-νΐ из паровой фазы получил широкое распространение. Это обусловлено высокой скоростью и конгруэнтностью испарения этих материалов, т.е. энергия их диссоциации значительно превышает теплоту сублимации. Соответственно относительно низки и температуры испарения, что благоприятствует применению методов вакуумного осаждения. Одним из вариантов вакуумного термического осаждения является эпитаксия с помощью молекулярного пучка, формируемого испарительной ячейкой Кнудсена. Полупроводниковый материал в ячейке Кнудсена испаряется в условиях, близких к равновесным, поэтому состав пара и плотность пучка постоянны во времени и могут быть предсказаны из термодинамических рассмотрений. Состав конденсата и скорость роста регулируются температурами источников или диаметром выходных отверстий ячеек.It is known that the creation of photodetectors in the spectral region of 3–20 μm with parameters approaching the theoretical limit is an actual problem of photonics. This is largely due to the creation of a material with high dark resistance, because the sensitivity of the photodetector is inversely proportional to the concentration of charge carriers. Research on photodetectors mainly focuses on creating multi-element arrays, and in this case, the homogeneity of the parameters of the constituent elements is essential. To achieve it, it is necessary to obtain perfect epitaxial layers with a controlled composition, thickness and, most importantly, the concentration of charge carriers. It was the achievement of homogeneity that was a significant problem for early photodetectors created on the basis of polycrystals and epitaxial layers of IVVI semiconductors annealed in oxygen or chalcogen vapor. But the growth of ΐν-νΐ epitaxial layers of semiconductors from the vapor phase is widespread. This is due to the high rate and congruence of evaporation of these materials, i.e. their dissociation energy significantly exceeds the heat of sublimation. The evaporation temperatures are also relatively low, which favors the use of vacuum deposition techniques. One of the variants of thermal vacuum deposition is epitaxy using a molecular beam formed by a Knudsen evaporation cell. The semiconductor material in the Knudsen cell evaporates under conditions close to equilibrium; therefore, the vapor composition and beam density are constant in time and can be predicted from thermodynamic considerations. The composition of the condensate and the growth rate are governed by the temperature of the sources or the diameter of the outlet openings of the cells.
Подобный метод представлен в патенте И8 3793070 (Ктсйатб В. 8сйоо1ат, Ме1об оГ уатушд 111е сатег соисеШтайои оГ 1еаб-1ш 8и1Дбе ерйах1а1 ГПпъ). Твердые растворы РЬ!-х8их8 (0,8 < X < 1) выращивали из пара в вакууме лучше 5-105 тор. Температура подложки из ЫаС1 была в пределах 200-350°С. Расстояние подложки от источника составляло ~ 10 см. Источник был слабо обогащен металлом. Путем изменения мощности, подаваемой на нагреватель, изучалась зависимость концентрации носителей заряда от температуры источника. Если при низкой мощности концентрация носителей заряда составляла и = 8-1017 см-3, то с повышением мощности концентрация уже дырок р=4-1016 см-3. Если считать в первом приближении, что при исследуемых температурах источника сера не улетучивается в такой степени, что может влиять на концентрацию вакансии, регулирование концентрации носителей заряда может быть основано на фазовой диаграмме состояний - с пересечением края области гомогенности стехиометрического состава, когда число атомов (вакансий) в металлической подрешетке равно их числу в подрешетке халькогена.A similar method is presented in patent I8 3793070 (Ktsyatb V. 8syooo1at, Melob og uatushd 111e srateg sisteStyayoi oG 1eab-1sh 8i1Dbe eryah1a1 GPP). Solid solutions of Pb ! X 8 and x 8 (0.8 <X <1) were grown from vapor in a vacuum better than 5-10 5 Torr. The substrate temperature of NaC1 was in the range of 200-350 ° C. The distance of the substrate from the source was ~ 10 cm. The source was poorly enriched with metal. By varying the power supplied to the heater, the dependence of charge carrier concentration on the source temperature was studied. If at low power the concentration of charge carriers was and = 8-10 17 cm -3 , then with increasing power the concentration of the holes is already p = 4-10 16 cm -3 . If we assume in the first approximation that at the source temperatures studied, sulfur does not evaporate to such an extent that it can affect the concentration of a vacancy, the regulation of charge carrier concentration can be based on a phase state diagram - with the intersection of the homogeneity region of stoichiometric composition, when the number of atoms (vacancies ) in the metal sublattice is equal to their number in the chalcogen sublattice.
По своей направленности этот патент может служить аналогом данного изобретения. Однако, получить более низкие концентрации носителей этим методом затруднительно, т.к. с одной стороны сложно контролировать кинетику процесса роста, а с другой - результирующая концентрация носителей заряда очень чувствительна к испарению атомов серы.According to its focus, this patent can serve as an analogue of this invention. However, it is difficult to obtain lower carrier concentrations by this method, since on the one hand, it is difficult to control the kinetics of the growth process, and on the other, the resulting carrier concentration is very sensitive to the evaporation of sulfur atoms.
Из числа патентов и публикаций, посвященных регулированию концентрации носителей заряда в халькогенидах свинца и олова, большинство связано прежде всего с поиском различных способов выращивания кристаллов или слоев вблизи стехиометрического состава.Of the patents and publications devoted to the regulation of charge carrier concentration in lead and tin chalcogenides, most are primarily concerned with the search for various methods of growing crystals or layers near the stoichiometric composition.
Среди аналогичных данному изобретению предложений может быть взята также работа (Даварашвили О.И. и др. Многокомпонентные твердые растворы соеднений ΐν-νΐ. Квантовая электроника, 1977, т.4, №3, с. 904), ставшая этапной. Для двух соединений РЬТе и РЬ8е, образующих твердый раствор РЬ1-х8их8е1-уТеу при реальных температурах эпитаксии характерно смещение области гомогенности относительно стехиометрического состава в область металла, тогда как для двух других соединений, образующих этот твердый раствор, 8иТе и 8и8е - в область халькогена. В связи с этим можно получить четверной твердый раствор с минимальным отклоненем от стехиометрии. Однако, как и в первом случае, из-за влияния кинетики роста концентрация носителей обычно получалась не ниже 5-1016 -1017 см-3.Among the proposals similar to this invention, work can also be taken (OI Davarashvili et al. Multicomponent solid solutions of ΐν-νΐ compounds. Quantum Electronics, 1977, v.4, No.3, p. 904), which has become a landmark. For two compounds PbTe and R8e forming solid solution 8u R1 -x x 8E1 y Te y under epitaxy temperatures typical real displacement homogeneity region relative to the stoichiometric composition of the metal region, whereas for the other two compounds forming the solid solution, and 8iTe 8i8e - to the chalcogen region. In this regard, it is possible to obtain a quadruple solid solution with a minimum deviation from stoichiometry. However, as in the first case, due to the influence of the growth kinetics, the carrier concentration was usually obtained not lower than 5-10 16 -10 17 cm -3 .
По техническому воплощению более близким к этому изобретению является метод (статья К.В. Вяткина и др. Выращивание методом «горячей стенки» тонких эпитаксиальных слоев РЬ1-х8их8е. Неорганические материалы, 1981, т. 4, №1, с.24-27) с конструкцией «горячей стенки», проявившей себя эффективно при создании различных типов приборов. Эта работа выбрана в качестве прототипа данного изобретения. Принципиальной особенностью метода является наличие нагреваемой трубы («горячей стенки») между подложкой и источником, которая замыкает рабочий объем, направляет и термализует испарившиеся молекулы. В результате:For more technical embodiment closest to the invention is a method (article Vyatkina KV et al. Cultivation of the method of "hot wall" thin epitaxial layers R1 x -x 8u 8e. Inorganic Materials, 1981, Vol. 4, №1, p. 24-27) with a “hot wall” design, which proved to be effective in creating various types of devices. This work is chosen as a prototype of the present invention. The principal feature of the method is the presence of a heated pipe (“hot wall”) between the substrate and the source, which closes the working volume, directs and thermalizes evaporated molecules. As a result:
а) уменьшаются потери материала;a) reduced material loss;
б) может быть установлено высокое давление соединения или его отдельных компонентов;b) a high pressure of the compound or its individual components can be established;
в) разница температур между подложкой и источником может быть уменьшена до минимума.c) the temperature difference between the substrate and the source can be reduced to a minimum.
Этот способ предполагает в качестве подложек использовать №1С1. КС1, ВаР2, РЬ1-х8их8е, ориентированные в плоскостях (100) или (111), подготовку источника путем раздельного синтеза РЬ8е и 8и8е из элементов высокой чистоты (обычно 99,999% и выше) в кварцевых ампулах, откачанных безмасляннымThis method suggests using # 1С1 as substrates. KC1, BaP 2 R1 x -x 8u 8e oriented in the (100) or (111), by separately preparing the source and R8e 8i8e synthesis of elements of high purity (typically 99.999% or higher) in quartz ampoules evacuated oil-free
- 1 009720 насосом до давления, меньше чем 10-5 тор. Запаянная ампула со стехиометрическим количеством РЬ и 8е или 8п и 8е выдерживалась в течение 4 ч при температуре, превышающей температуру плавления соединения (»1100°С), и быстро охлаждалась в воде. Однократно или дважды пересублимированные бинарные соединения РЬ8е и 8п8е затем смешивались в нужной пропорции (в зависимости от требуемого состава X) и сплавлялись в откачанной ампуле при температуре »1100°С с последующей закалкой в воде. Полученный поликристаллический материал крошился на куски и загружался в испарительную систему, а источник 8е - в отдельную зону. Создается вакуум »10-5 тор, производится изоляция подложки и начинается нагрев зон (подложка - 320-340°С, дополнительный источник пара - 140-150°С). После достижения этих температур пар приводится в контакт с подложкой и начинается рост слоев со скоростью »25мкм/ч. Процесс прерывается при достижении нужной толщины слоя. Однако, концентрация носителей этим способом даже при компенсации нестехиометрических дефектов примесями не была ниже 1017 см-3 из-за перекрытия уровней нестехиометрических дефектов с краями разрешенных зон.- 1 009720 pump to a pressure less than 10 -5 Torr. A sealed ampoule with a stoichiometric amount of Pb and 8e or 8p and 8e was kept for 4 hours at a temperature above the melting point of the compound (»1100 ° C) and was quickly cooled in water. Once or twice re-subdivided, the binary compounds Pb8e and 8n8e were then mixed in the required proportion (depending on the required composition X) and fused in an evacuated ampoule at a temperature of »1100 ° C, followed by quenching in water. The resulting polycrystalline material crumbled into pieces and was loaded into the evaporation system, and the source 8e - in a separate zone. A vacuum of 10 -5 torr is created, the substrate is insulated and zone heating begins (the substrate is 320-340 ° C, an additional source of steam is 140-150 ° C). After reaching these temperatures, the vapor is brought into contact with the substrate and the growth of the layers begins at a speed of 25 μm / h. The process is interrupted when it reaches the desired layer thickness. However, the carrier concentration in this way, even when compensating for non-stoichiometric defects with impurities, was not lower than 10 17 cm -3 due to overlapping levels of non-stoichiometric defects with the edges of the allowed zones.
Из расчетного анализа следует, что для достижения уровня низких концентраций носителей заряда нужно произвести существенную перестройку энергетического спектра. В соответствии с этим в данном изобретении предусмотрено осуществить растяжение слоя на подложке с большим параметром кристаллической решетки при легировании в отдельности такими примесями, уровень Ферми которых с давлением не изменяет положения относительно середины запрещенной зоны или приближается к краю зоны проводимости. В условиях эффективного «отрицательного» давления для таких примесей как Сг и 1п их уровни удаляются от края зоны проводимости, и концентрация носителей существенно понижается в диапазоне составов 0,4 < X < 0,12 твердого раствора РЬ!-х8пх8е.From the calculated analysis it follows that in order to achieve the level of low carrier concentrations it is necessary to make a significant reorganization of the energy spectrum. Accordingly, in this invention, it is envisaged to stretch a layer on a substrate with a large lattice parameter when doping separately with such impurities, the Fermi level of which with pressure does not change position relative to the center of the forbidden zone or approaches the edge of the conduction band. Under conditions of an effective “negative” pressure for such impurities as Cr and 1p, their levels are removed from the edge of the conduction band, and the carrier concentration decreases significantly in the compositional range 0.4 <X <0.12 of the Pb ! -X 8n x 8e solid solution.
Для получения высокоомных эпитаксиальных слоев РЬр-х8пх8е предусмотрено осуществить следующие операции: подложку ВаР2, ориентированную в направлении (111) или (100) подвергают полировке до толщины 0,5 мм, последующему кипячению в ацетоне и промыванию в проточной дистиллированной воде. Далее бинарные компоненты РЬ8е и 8п8е, синтезированные из элементов высокой чистоты (9999) и легированные элементами Сг (0,6 ат.%) и 1п (1 ат.%), помещаются в кварцевую ампулу, которая откачивается до уровня меньше 10-5 тор и запаивается. Затем ампула прогревается при температурах 1150-1200°С в течение 2 ч, после чего осуществляется гомогенизация при температурах 950-1000°С в течение 4 ч. Подготовленный таким образом сплав, подложку ВаР2 и 8е, как дополнительный источник, помещают в соответствующие температурные зоны и приступают к откачке всей установки «горячей стенки» до давления ниже 10-5 тор и производят изоляцию подложки (прикрывают нержавеющей заслонкой), чтобы не начинать процесс роста до установления необходимого давления паров компонентов. Включают нагрев температурных зон для поддержания температур в узком диапазоне: температура подложки 390-400°С, температура источника 480-490°С, температура в зоне селена 102-108°С. Температуры подобраны с целью получения тонких и сплошных слоев.For high-resistivity epitaxial layers php -x x 8n 8e provided to carry out the following operations: a substrate BaP 2 oriented in the (111) or (100) is polished to a thickness of 0.5 mm, followed by boiling in acetone and washing with running distilled water. Next, the binary components Pb8e and 8p8e, synthesized from elements of high purity (9999) and doped with elements of Cr (0.6 at.%) And 1n (1 at.%), Are placed in a quartz ampoule, which is pumped to a level less than 10 -5 Torr and soldered. Then the ampoule is heated at temperatures of 1150-1200 ° C for 2 hours, after which homogenization takes place at temperatures of 950-1000 ° C for 4 hours. The alloy prepared in this way, the substrate BAP 2 and 8e, as an additional source, is placed in the appropriate temperature zones and start pumping the entire installation of the “hot wall” to a pressure below 10 -5 torus and isolate the substrate (cover with a stainless valve) so as not to start the growth process until the required vapor pressure of the components is established. They include heating of temperature zones to maintain temperatures in a narrow range: substrate temperature is 390-400 ° C, source temperature is 480-490 ° C, temperature in the selenium zone is 102-108 ° C. Temperatures are selected in order to obtain thin and solid layers.
В этом изобретении уже известно, что подложку ВаР2, ориентированную в плоскости (100) или (111), полируют с одной стороны, обезжиривают кипячением в ацетоне и промывают в дистиллированной воде при комнатной температуре. Бинарные соединения РЬ8е и 8п8е, синтезированные из элементов высокой чистоты (9999), помещают в кварцевую ампулу, которую откачивают до давления 10-5 тор и запаивают. Ампулу нагревают до температур 1050-1100°С в течение 2-4 ч и затем быстро охлаждают в воде. Далее полученный таким образом сплав, подложку и селен, как дополнительный источник, размещают в соответствующие температурные зоны, создают вакуумную среду до 10-5 тор и изолируют подложку. После этого начинают нагревать зоны до температур источника 520-610°С, подложки 310-400°С, дополнительного источника 90-200°С. При достижении этих температур производится деизоляция подложки и контактирование с ней пара.In this invention, it is already known that the BAP 2 substrate oriented in the (100) or (111) plane is polished on one side, degreased by boiling in acetone and washed in distilled water at room temperature. Binary compounds Pb8e and 8s8e, synthesized from elements of high purity (9999), are placed in a quartz ampule, which is pumped out to a pressure of 10 -5 torr and sealed. The ampoule is heated to temperatures of 1050-1100 ° C for 2-4 hours and then rapidly cooled in water. Next, the alloy thus obtained, the substrate and selenium, as an additional source, are placed in the corresponding temperature zones, create a vacuum medium up to 10 -5 torr and isolate the substrate. After that, the zones are started to be heated to a source temperature of 520-610 ° C, substrates 310-400 ° C, and an additional source of 90-200 ° C. When these temperatures are reached, the substrate is de-insulated and steam is in contact with it.
Новым в изобретении является то, что источник представляет собой сплавы РЬ1-х8пх8е в диапазоне составов Х= 0,04 - 0,12, содержащие дополнительно Сг - 0,6 ат.% или 1п - 1 ат.%, используется узкий диапазон температур источника 480-490°С, подложки 390-400°С, дополнительного источника селена 102108°С. Благодаря всем этим условиям происходит рост сильнонапряженных эпитаксиальных слоев, в которых уровни Ферми (уровни соответствующих примесей) смещаются глубоко в запрещенную зону и стабилизируются. При этом для примеси Сг уровень сохраняет положение относительно середины запрещенной зоны, а для 1п он непосредственно приближается к середине запрещенной зоны.New in the invention is that the source is alloys Pb 1-x 8p x 8e in the range of compositions X = 0.04 - 0.12, containing additionally Cg - 0.6 at.% Or 1n - 1 at.%, Used a narrow temperature range of the source is 480-490 ° С, the substrate is 390-400 ° С, the additional source of selenium is 102108 ° С. Due to all these conditions, the growth of highly-stressed epitaxial layers occurs, in which the Fermi levels (the levels of the corresponding impurities) are shifted deep into the forbidden zone and stabilized. In addition, for the Cr impurity, the level remains in the position relative to the middle of the band gap, and for 1n it directly approaches the middle of the band gap.
Для экспериментального подтверждения этих результатов были проведены опыты в соответствии с режимами прототипа и данного изобретения. Полученные эпитаксиальные слои исследовались для определения морфологии и толщины слоев, концентрации носителей заряда и края пропускания. Тонкие слои РЬ1-х8пх8е изучались с помощью микроскопа МКМ-7, структурное совершенство оценивалось рентгенофракционным методом (ДРОН-2), концентрации носителей заряда определялись по Холл-эффекту (также методом Ван дер Пау), а ширина запрещенной зоны в напряженном состоянии по краю пропускания на двулучевом спектрометре (иК.-10).For experimental confirmation of these results, experiments were carried out in accordance with the modes of the prototype and the present invention. The obtained epitaxial layers were studied to determine the morphology and thickness of the layers, the concentration of charge carriers and the transmission edge. Thin layers R1 -x x 8n 8e were studied with a microscope MCM 7, structural perfection estimated rentgenofraktsionnym method (DRON-2), the charge carrier concentration determined by the Hall-effect (also Van der Pauw method), and the width of the forbidden band in the stressed state on the transmission edge on a two-beam spectrometer (IR-10).
Эксперименты проводились на слоях с близкими толщинами и повторялись два-три раза. Результаты обобщены в таблице.The experiments were carried out on layers with similar thicknesses and repeated two to three times. The results are summarized in the table.
- 2 009720- 2 009720
Таким образом, как видно из таблицы, согласно проведенным исследованиям эффект изобретения состоит в том, что получены тонкие эпитаксиальные слои (1000) с высоким удельным сопротивлением, значительно более высоким, чем в прототипе и со смещением края поглощения. Эти результаты подтверждают, что слои, полученные согласно изобретению, являются сильнонапряженными и уровни примесей Сг и 1п смещены глубоко в запрещенную зону.Thus, as can be seen from the table, according to the research conducted, the effect of the invention is that thin epitaxial layers (1000) are obtained with high specific resistance, which is significantly higher than in the prototype and with the absorption edge shifted. These results confirm that the layers obtained according to the invention are highly stressed and the levels of Cr and 1n impurities are shifted deep into the forbidden zone.
Эти данные показывают также возможность создания высокочувствительных ИК фотоприемников как для фоновых потоков 1017фот/с см2 ( комнатная температура), так и для уровня фона 1013фот/с см2 (для космических условий).These data also show the possibility of creating highly sensitive IR photodetectors for both background fluxes of 10 17 photons / s cm 2 (room temperature) and for a background level of 10 13 photons / s cm 2 (for space conditions).
Claims (7)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EA200701428A EA200701428A1 (en) | 2007-06-11 | 2007-06-11 | METHOD OF REGULATING THE CHARGE MEDIA CONCENTRATION IN THE EPITAXIAL LAYERS OF PbSnSe |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EA200701428A EA200701428A1 (en) | 2007-06-11 | 2007-06-11 | METHOD OF REGULATING THE CHARGE MEDIA CONCENTRATION IN THE EPITAXIAL LAYERS OF PbSnSe |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| EA009720B1 true EA009720B1 (en) | 2008-02-28 |
| EA200701428A1 EA200701428A1 (en) | 2008-02-28 |
Family
ID=40849002
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| EA200701428A EA200701428A1 (en) | 2007-06-11 | 2007-06-11 | METHOD OF REGULATING THE CHARGE MEDIA CONCENTRATION IN THE EPITAXIAL LAYERS OF PbSnSe |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| EA (1) | EA200701428A1 (en) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4154631A (en) * | 1977-05-27 | 1979-05-15 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Equilibrium growth technique for preparing PbSx Se1-x epilayers |
| US4900373A (en) * | 1988-07-27 | 1990-02-13 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Sensitization pretreatment of Pb-salt epitaxial films for schottky diodes by sulfur vapor exposure |
| RU2065223C1 (en) * | 1991-10-09 | 1996-08-10 | Черновицкое отделение Института проблем материаловедения АН Украины | Method of production of photosensitive epitaxial layers of doped solid solutions |
-
2007
- 2007-06-11 EA EA200701428A patent/EA200701428A1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4154631A (en) * | 1977-05-27 | 1979-05-15 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Equilibrium growth technique for preparing PbSx Se1-x epilayers |
| US4900373A (en) * | 1988-07-27 | 1990-02-13 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Sensitization pretreatment of Pb-salt epitaxial films for schottky diodes by sulfur vapor exposure |
| RU2065223C1 (en) * | 1991-10-09 | 1996-08-10 | Черновицкое отделение Института проблем материаловедения АН Украины | Method of production of photosensitive epitaxial layers of doped solid solutions |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| VYATKIN K.V. i dr. Vyraschivanie metodom "goryachey stenki" tonkikh epitaksial'nykh sloev Pb * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EA200701428A1 (en) | 2008-02-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4401487A (en) | Liquid phase epitaxy of mercury cadmium telluride layer | |
| TWI553144B (en) | Ga 2 O 3 A method for producing a crystalline film | |
| US4619718A (en) | Method of manufacturing a Group II-VI semiconductor device having a PN junction | |
| CN101331249A (en) | Doped aluminum nitride crystals and methods of making them | |
| JP2002329877A (en) | Cu(Ga AND/OR In)Se2 THIN FILM LAYER, Cu(InGa)(S, Se)2 THIN FILM LAYER, SOLAR BATTERY AND METHOD FOR FORMING Cu(Ga AND/OR In)Se2 THIN FILM LAYER | |
| JP6705962B2 (en) | Ga2O3-based crystal film growth method and crystal laminated structure | |
| Chalapathi et al. | Growth of Cu2ZnSnS4 thin films by a two-stage process—Effect of incorporation of sulfur at the precursor stage | |
| US20210269937A1 (en) | Silicon carbide crystals and methods for producing same | |
| JP2020189781A (en) | Process for manufacturing p type gallium oxide thin film by doping defect, and use thereof | |
| Wu et al. | Temperature-dependent crystallization of Ga 2 O 3 for ultraviolet photodetectors | |
| Guguschev et al. | Growth of SrTiO 3 bulk single crystals using edge-defined film-fed growth and the Czochralski methods | |
| US4642142A (en) | Process for making mercury cadmium telluride | |
| US5288365A (en) | Method for growing a silicon carbide single crystal | |
| Abzieher et al. | Continuous flash sublimation of inorganic halide perovskites: overcoming rate and continuity limitations of vapor deposition | |
| EA009720B1 (en) | METHOD OF REGULATING CONCENTRATION OF CHARGE CARRIERS IN PbSnSe ERITAXIAL LAYERS | |
| Hage-Ali et al. | Growth methods of CdTe nuclear detector materials | |
| Gorley et al. | Electron properties of n-and p-CuInSe2 | |
| Abasova et al. | Cu3In5S9single crystals growth and the investigation of their photoelectric properties | |
| Karaagac et al. | Effects of annealing on structural and morphological properties of e-beam evaporated AgGaSe2 thin films | |
| RU2552588C1 (en) | METHOD FOR MAKING PbSnSe SUBSTITUTION SOLID SOLUTION FILMS BY ION EXCHANGE PROCESS | |
| Karunagaran et al. | Synthesis, growth and characterization of AgInSe2 single crystals | |
| Nkwusi et al. | Synthesis of Cu2 (ZnCd) SnS4 absorber material for monograin membrane applications | |
| JPS6226568B2 (en) | ||
| Fanton et al. | Electrical properties and deep levels spectra of bulk SiC crystals grown by hybrid physical–chemical vapor transport method | |
| Chiang | Wide Band Gap Single Wurtzite Ternary Alloy MgZnO Thin Film Grown by MBE |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | Lapse of a eurasian patent due to non-payment of renewal fees within the time limit in the following designated state(s) |
Designated state(s): AM MD TM |
|
| MM4A | Lapse of a eurasian patent due to non-payment of renewal fees within the time limit in the following designated state(s) |
Designated state(s): AZ BY KZ KG TJ RU |