DK100246C - Fremgangsmåde til på den frie overflade af et halvledende element at anbringe en gastæt belægning af en dielektrisk kemisk forbindelse. - Google Patents

Fremgangsmåde til på den frie overflade af et halvledende element at anbringe en gastæt belægning af en dielektrisk kemisk forbindelse.

Info

Publication number
DK100246C
DK100246C DK43760A DK43760A DK100246C DK 100246 C DK100246 C DK 100246C DK 43760 A DK43760 A DK 43760A DK 43760 A DK43760 A DK 43760A DK 100246 C DK100246 C DK 100246C
Authority
DK
Denmark
Prior art keywords
applying
gas
semiconductor element
chemical compound
free surface
Prior art date
Application number
DK43760A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Asea Ab
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asea Ab filed Critical Asea Ab
Application granted granted Critical
Publication of DK100246C publication Critical patent/DK100246C/da

Links

DK43760A 1959-02-06 1960-02-04 Fremgangsmåde til på den frie overflade af et halvledende element at anbringe en gastæt belægning af en dielektrisk kemisk forbindelse. DK100246C (da)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE100246X 1959-02-06

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DK100246C true DK100246C (da) 1964-11-09

Family

ID=20291535

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DK43760A DK100246C (da) 1959-02-06 1960-02-04 Fremgangsmåde til på den frie overflade af et halvledende element at anbringe en gastæt belægning af en dielektrisk kemisk forbindelse.

Country Status (1)

Country Link
DK (1) DK100246C (da)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DK127056B (da) Analogifremgangsmåde til fremstilling af glucofuranosider.
DK104353C (da) Fremgangsmåde til fremstilling af kvaternære ammoniumforbindelser.
DK119710B (da) Fremgangsmåde til fremstilling af polyozoaluminiumforbindelser.
DK110017C (da) Fremgangsmåde til fremstilling af organiske aluminiumforbindelser.
DK100246C (da) Fremgangsmåde til på den frie overflade af et halvledende element at anbringe en gastæt belægning af en dielektrisk kemisk forbindelse.
DK110243C (da) Fremgangsmåde til fremstilling af 6-aminopenicillansyre.
DK115259B (da) Fremgangsmåde til fremstilling af quaternære ammoniumforbindelser af 1-(2-alkyl-4-amino-5-pyrimidylmethyl)-alkyl-pyridin.
DK107034C (da) Fremgangsmåde til fremstilling af basisk substituerede carbinoler.
DK104677C (da) Fremgangsmåde til fremstilling af 3-halogen-iminodibenzylforbindelser.
DK95872C (da) Fremgangsmåde til kemisk rensning af tekstiler.
DK107164C (da) Fremgangsmåde til fremstilling af 18-acyloxy- eller 18-hydroxy-pregnan-forbindelser.
DK95279C (da) Fremgangsmåde ved fremstilling af elektrodemateriale til halvlederorganer.
DK94403C (da) Fremgangsmåde til kemisk rensning af tekstilsoffer.
DK95945C (da) Fremgangsmåde til fremstilling af 2-sulfanilamido-5-alkoksypyrimidinforbindelser.
DK108728C (da) Fremgangsmåde til fremstilling af disulfamylanilinforbindelser.
DK101182C (da) Fremgangsmåde til fremstilling af 7-hydroxy-chromon-forbindelser.
DK101857C (da) Fremgangsmåde til fremstilling af 2-sulfanilamido-5-alkoksypyrimidinforbindelser.
DK102676C (da) Fremgangsmåde til fremstilling af phenylethyl-decalin- eller -hexahydroindanforbindelser.
DK94783C (da) Fremgangsmåde til fremstilling af 4-nitro-pyrazolforbindelser.
DK94943C (da) Fremgangsmåde til fremstilling af 4-nitro-pyrazolforbindelser.
DK94674C (da) Fremgangsmåde til fremstilling af N-heterocycliske forbindelser.
DK94620C (da) Fremgangsmåde til fremstilling af N-heterocycliske forbindelser.
DK101357C (da) Fremgangsmåde til fremstilling af N-benzyl-indolyl-3-eddikesyre-forbindelser.
DK98814C (da) Fremgangsmåde til fremstilling af kvaternære ammoniumforbindelser.
DK97287C (da) Fremgangsmåde til fremstilling af Schiff-baser af 19-oxo-cardenolid- eller 19-oxo-bufadienolidforbindelser.