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BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLANDFEDERAL REPUBLIC OF GERMANY

Tag der Anmeldung: 28. April 1956 Bekanntgemacht am 27. Dezember 1956Registration date: April 28, 1956. Advertised on December 27, 1956

DEUTSCHES PATENTAMTGERMAN PATENT OFFICE

Die Erfindung bezieht sich auf einen Transistor-Modulator mit mindestens zwei Transistoren und zwei damit gekoppelten· Signalquiellen. Bei solchen Modulatoren ergibt sich die Aufgabe, daß durch Kollektor-Basis-Gleichrichtung der Transistoren ein zeitweiliger Kurzschluß einer mit der Kollektorelektrode verbundenen Signalquelle auftreten könnte, was zu bedeutenden Verlusten und gegebenenfalls zu unzulässig hohen Strömen durch die Transistoren Veranlassung geben kann.The invention relates to a transistor modulator with at least two transistors and two signal sources coupled with it. In such The task of modulators is that through collector-base rectification of the transistors a temporary short circuit of a signal source connected to the collector electrode occur could result in significant losses and possibly inadmissibly high currents through the transistors can give cause.

Diesem Übelstand könnte dadurch abgeholfen werden, daß in Reihe mit den Kollektor-Basis-Strecken der Transistoren Gleichrichter entgegengesetzter Durchlaßrichtung aufgenommen werden. Die Erfindung zielt auf eine einfache Lösung ab, welche diese Gleichrichter überflüssig macht, und weist das Merkmal auf, daß die Kollektor-Basis-Strecke des einen Transistors in Reihe mit der Emittor-Kollektor-Strecke des anderen Transistors geschaltet ist und umgekehrt, wobei die Stromdurchlässigkeit dieser Emittor-Kollektor-Strecke durch die eine Signalquells gesteuert wird und die andere Signalquelle zwischen die Kollektorelektroden der Transistoren geschaltet ist. InfolgedessenThis inconvenience could be remedied by putting in series with the collector-base routes of the transistors rectifiers of opposite forward direction are added. The invention aims at a simple solution which makes these rectifiers superfluous, and has the feature that the collector-base path of a transistor in series with the The emitter-collector path of the other transistor is connected and vice versa, with the current permeability this emitter-collector path through which a signal source is controlled and which Another signal source is connected between the collector electrodes of the transistors. Consequently

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kann ein zeitweiliger Kurzschluß der zwischen die Kollektorekktroiden geschalteten Signalquelle ver-can be a temporary short circuit between the Collector electroids switched signal source

',,. . ,mieden werden..',,. . be avoided ..

Die .Erfindung'wird an Hand einer Zeichnung • 5, 'näher erläutert, in derThe "invention" is based on a drawing • 5, 'explained in more detail in the

Fig. ι ein Ausführüngsbeispiel, Fig. 2 eine Strom-Zeitkurve zur Erläuterung von Fig.ι undFig. Ι an exemplary embodiment, Fig. 2 shows a current-time curve to explain Fig.ι and

Fig. 3 eine Weiterbildung von Fig. ι darstellen. Der Modulator nach Fig. ι besitzt zwei Transistoren, ι und 2 und zwei Signalquellen 3 und 4. Die eine Klemme der Quelle 3 ist mit der Emitterelektrode des Transistors 1 und mit der Basiselektrode des Transistors 2, ihre andere Klemme mit der Emitterelektrode des Transistors 2 und mit der Basiselektrode des Transistors 1 verbunden. Die Quelle 4 ist in Reihe mit einem Ausgangstransformator 5 zwischen die Kollektorelektroden der Transistoren ι und 2 geschaltet. Die Quellen 3 und 4 können gewünschtenfalls ebenfalls über Transformatoren angekoppelt werden.Fig. 3 represent a development of Fig. Ι. The modulator according to Fig. Ι has two transistors, ι and 2 and two signal sources 3 and 4. One terminal of the source 3 is with the emitter electrode of transistor 1 and with the base electrode of transistor 2, its other terminal with the emitter electrode of the transistor 2 and with the Base electrode of transistor 1 connected. The source 4 is in series with an output transformer 5 connected between the collector electrodes of the transistors ι and 2. Sources 3 and 4 can also be done via transformers if required be coupled.

In derjenigen Phase, bei der die obere Klemme der Quelle 3 positiv und ihre untere Klemme negativ ist, wird der Transistor 1 geöffnet, der Transistor 2 gesperrt werden. Ist nun außerdem die Quelle 4 in derjenigen Phase, bei der ihre obere Klemme negativ und ihre untere Klemme positiv ist, so· wird Strom von dieser Quelle über die: in Voi'wärtsrichtung betriebene Kollektor - Basis Strecke des Transistors 2 und danach über die EmittoT-Kollektor-Strecke des Transistors 1 zum Ausgangstra.nsforma.toir 5 fließen. Die Größe dieses Stromes wird im wesentlichen durch das Maß bestimmt, in dem entsprechend dem. Monientanwert des Signals der Quelle 3 Strom von der Emittorzur Kollektorelektrode des Transistors 1 durchgelassen wird. Unzulässig große Ströme können also leicht vermieden, werden. Ein Teil des genannten Stromes wird die Quelle 3 durchfließen, weil bei den vorausgesetzten Phasen der Signale der Emitter und der Kollektor des Transistor's 2 ihre Funktion wechseln. Ist dieser Transistor aber von der asymmetrischen Art (also mit einem niedrigen StromverstärkungsfaktoT in entgegengesetzter Richtung) und/oder die Spannung der Quelle 3 verhältnismäßig klein, so kann dieser Strom hinreichend niedrig bleiben.In the phase in which the upper terminal of source 3 is positive and its lower terminal is negative is, the transistor 1 is opened, the transistor 2 is blocked. Is now also the Source 4 in the phase in which its upper terminal is negative and its lower terminal is positive is, so · is electricity from this source via the: in Collector-base path of transistor 2 operated in the forward direction and then via the EmittoT collector path of transistor 1 to Exit stra.nsforma.toir 5 flow. The size of this The current is essentially determined by the extent to which the. Monientanwert of the signal of the source 3 current from the emitter to the collector electrode of the transistor 1 is passed will. Inadmissibly large currents can therefore easily be avoided. Part of the said Current will flow through the source 3, because in the assumed phases of the signals the emitter and the collector of transistor 2 change their function. But if this transistor is from the asymmetrical type (i.e. with a low current gain factor in opposite Direction) and / or the voltage of the source 3 is relatively small, this current can be sufficient stay low.

Während der entgegengesetzten Phase; der Signale der Quellen 3 und 4 wird der Transforraator 5 in entgegengesetzter Richtung von Strom durchflossen. Der Strom i als Funktion, der Zeit t ändert sich mithin entsprechend Fig. 2, Liefert dabei die Quelle 3 ein verhältnismäßig kleines modulierendes Signal und die Quelle 4 eine verhältnismäßig· große Trägerfrequenzschwingung, so wird das erzeugte" modulierte Signal verstärkt in bezug auf das modulierende Signal sein, aber im allgemeinen, sich nicht linear mit, dem modulierenden ^: Signal ändern. Die Linearität kann dann aber beträchtlich dadurch verbessert werden, daß gegebenenfalls für die Trägerfrequenz entkoppelte Widerstände 6 und 7 in die Emittorleitungen der Transistoren aufgenommen und/oder ihre Kollektorelektroden über verhältnismäßig große Widerstände mit ihren Basiselektroden verbunden werden!. Liefert andererseits die Quelle 3 eina etwas größere Trägerfrequenzschwingung und die Quelle 4 ein verhältnismäßig kleines modulierendes Signal, so wird ein nicht verstärktes, sondern praktisch Linear moduliertes Signal erzeugt.During the opposite phase; of the signals from sources 3 and 4, current flows through transformer 5 in the opposite direction. The current i as a function of time t changes according to consequently Fig. 2, delivery while the source 3 a relatively small modulating signal and the source 4, a relatively · large carrier frequency vibration, so the "modulated signal generated is amplified with respect to the modulating its signal but in general, is not linear with, the ^{modulating.,:} change signal, the linearity may then however be significantly improved by optionally decoupled for the carrier frequency resistors 6 and 7 included in the Emittorleitungen of transistors and / or their collector electrodes via If, on the other hand, the source 3 delivers a somewhat larger carrier frequency oscillation and the source 4 a relatively small modulating signal, then a signal that is not amplified but is practically linearly modulated is generated.

Wie aus Fig. 2 hervorgeht, wird die Quelle 4 und der Transformator 5 außerdem von: einem Niederfrequenzwechseletrom durchflossen, was sich, wenn diese Quelle die Trägerfrequenzschwingung liefert, nachteilig auswirken kann. Dies, kann jedoch durch Doppelgegeintaktausbildung entsprechend Fig. 3 vermieden werden. Das zu modulierende Signal der Quelle 3 wird, dabei zwischen den Emittorelektrodein von zwei Paaren Transistoren. 1-2, i'-z' zugeführt, und die Trägerfrequenzquelle 4 ist in Reihe mit der Ausgangsimpedanz 5' zwischen die miteinander verbundenen Kolfaktorelektroden der ■ Transistoren-1-2', und i'-2 geschaltet. Der Ausgangstransformator S bzw. die Impedanz 5' können für die erzeugte modulierte: Schwingung selektiv sein. Auch kann der Ausgangstransfoirmator¹ 5 gerade dazu dienen, dem Ausgangskreis die Niederfrequenz- und/oder Gleichstromkomponente des Stroms i nach Fig. 2 weiterzugeben, Liefern weiter· die beiden Quellen 3 und 4 Signale gleicher Frequenz, so wird ein Wechselstrom von einer Amplitude entsprechend dem gegenseitigen Phasenunterschied der Signale erzeugt; diese Wirkung kann in Schaltungsanordnungen für Phasen- oder Frequenzdemodulation bzw. zur Prüfung der richtigen Phase einer Signalschwingung benutzt werden.As can be seen from FIG. 2, the source 4 and the transformer 5 are also traversed by: a low-frequency alternating current, which can have a disadvantageous effect if this source supplies the carrier frequency oscillation. This can, however, be avoided by a double push-pull design as shown in FIG. 3. The signal to be modulated from source 3 is between the emitter electrodes of two pairs of transistors. 1-2, i'-z ' , and the carrier frequency source 4 is connected in series with the output impedance 5' between the interconnected colofactor electrodes of the transistors 1-2 'and i'-2. The output transformer S or the impedance 5 'can be selective for the modulated oscillation generated. Also, the Ausgangstransfoirmator can ¹ 5 just serve the output circuit of the low frequency and / or direct current component of the current i in FIG. Pass 2, providing further · the two sources 3 and 4, signals of the same frequency, then an alternating current of an amplitude corresponding to the mutual phase difference of the signals generated; this effect can be used in circuit arrangements for phase or frequency demodulation or for checking the correct phase of a signal oscillation.

Claims

Claims: 1oo

1. Source transistor modulator with at least two transistors and two signal coupled thereto, characterized in that the collector-base path of one transistor in series _; is connected to the emitter-collector path of the other transistor and vice versa, the current permeability of this EmittOT-Koiltektoir-path is controlled by the one signal source and the other signal source is connected between the Koldektorelectrodes of the transistors.

2. Modulator according to claim 1, characterized in that that the base electrode of one transistor with the emitter electrode of the other Transistor is connected and vice versa, and the one signal source between that two base electrodes, the other connected between the collector electrodes of the transistors is.

3. modulator according to claim 1 or 2, characterized characterized by having transistors of the asymmetrical type:,.

4. The modulator of claim 1, 2 or 3, wherein the first-mentioned source is a modulating Signal, the other a carrier frequency oscillation

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supply, characterized in that for linearization of the modulation resistors in the emitter circuits of the transistors are connected.

5. Modulator according to claim 1, 2, 3 or 4, characterized in that the former Source also connected accordingly between the emitter electrodes of a second pair of Transistors added and the other source in series with an output impedance is connected between the collector electrodes of the two pairs of transistors.

1 sheet of drawings