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BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLANDFEDERAL REPUBLIC OF GERMANY

Tag der Anmeldung: 23. September 1954 Bekanntgemacht am 30. August 1956Registration date: September 23, 1954. Advertised on August 30, 1956

DEUTSCHES PATENTAMTGERMAN PATENT OFFICE

Diese Erfindung betrifft elektrische Verbindungen für Hochfrequenzenergie führende Leiter, insbesondere Kupplungen für Hochfrequenzleitungen.This invention relates to electrical connections for conductors carrying radio frequency energy, in particular Couplings for high frequency lines.

Bekanntlich treten bei hohen Frequenzen an Verbindungsstellen zweier leitender Materialien, die Hochfrequenzenergie abschirmen oder einschließen, Strahlungsverluste auf. So ist es beispielsweise üblich, zur Verbindung von Hohlrohrleitungen die Enden der Leitungsstücke mit Flanschen zu versehen. Diese Verbindungsflansche werden verschraubt oder anderweitig miteinander verbunden. An solchen Stoß stellen treten jedoch im allgemeinen beträchtliche Verluste elektromagnetischer Energie durch Strahlung an die Umgebung auf. Darüber hinaus können bei hohen Leistungen zwischen den Kontaktflächen Funken überschlagen, was zu dielektrischem Durchschlag, im Hohlleiter führt.It is well known that at high frequencies at the junctures of two conductive materials, shield or contain the radio frequency energy, radiation losses. This is how it is, for example It is common practice to connect the ends of the pipe sections with flanges to connect hollow pipelines to provide. These connecting flanges are screwed together or otherwise connected. However, there are generally considerable electromagnetic losses at such impacts Energy through radiation to the environment. In addition, sparks can occur between the contact surfaces at high power levels overturn, which leads to dielectric breakdown in the waveguide.

Eine andere bekannte Kupplungsanordnung ist die sogenannte »Drosselverbindung«, bei der zwischen den Flanschen Nuten vorgesehen sind. Bei dieser Anordnung werden jedoch Strahlungsverlüste und Überschlag nicht vermieden, insbesondere versagt diese Anordnung bei bestimmtenAnother known clutch arrangement is the so-called "throttle connection", in which grooves are provided between the flanges. With this arrangement, however, radiation losses and flashover not avoided, in particular this arrangement fails with certain

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Frequenzen, den sogenannten Eigenwerten der Drossel.Frequencies, the so-called eigenvalues of the choke.

Der Erfindungsgegenstand stellt eine verbesserte Form einer Hochfrequenzverbrodung dar, bei der ' Strahlungsverluste weitgehend vermindert werden. Die Oberflächenrauhigkeit von Verbindungsflächen einer Hohlleiterkupplung beträgt bei den üblichen maschinellen Bearbeitungsmethoden, von den Erhebungen zu den Vertiefungen gemessen,The subject matter of the invention represents an improved form of high frequency combustion in which 'Radiation losses are largely reduced. The surface roughness of the connecting surfaces of a waveguide coupling is common machining methods, measured from bumps to pits,

to etwa i,5 · io~³ mm, d. h. der Abstand zwischen den zusammenstoßenden Leitermaterialien beträgt, von Mitte zu Mitte der Erhebungen gemessen, rund i,5-io^³ mm. Tatsächlich ist der Zwischenraum jedoch bedeutend größer, als sich aus dieser allgemeinen Betrachtung unter Zugrundelegung der Oberflächenrauhigkeit ergibt. Die Eindringtiefe in Kupfer beträgt bei einer Frequenz von io¹⁰ Hz 66 · io~⁶ cm. Die Energiedichte in den Oberflächen der Kupplungsstellen ist vom Verhältnis zwischen der Größe des Zwischenraumes und der Leitschichtdicke abhängig. Bei den bekannten Verbindungen wird aber wegen der geringen Eindringtiefe der Quotient aus der Größe des Zwischenraumes und der Leitschichtdicke und damit die Energiedichte in den Oberflächen so groß, daß ein beträchtlicher Energieverlust auftritt.to about 1.5 · 10 ~ ³ mm, ie the distance between the colliding conductor materials, measured from the center to the center of the elevations, is around 1.5 ^{· 10 ^ 3} mm. In fact, however, the gap is significantly larger than results from this general observation based on the surface roughness. The penetration depth in copper is 66 · ¹⁰ ^{~ 6} cm at a frequency of 10 Hz. The energy density in the surfaces of the coupling points depends on the ratio between the size of the gap and the thickness of the conductive layer. In the known connections, however, because of the low penetration depth, the quotient of the size of the gap and the thickness of the conductive layer, and thus the energy density in the surfaces, is so great that a considerable loss of energy occurs.

Bei der vorliegenden Erfindung wird die Leitschichtdicke an den Stoßstellen einer Hochfrequenzverbindung wesentlich . erhöht, wodurch eine größere Verminderung der Energiedichte in radialer Richtung erreicht wird. Weiterhin wird durch Verkleinerung des Zwischenraumes zwischen den Berührungsflächen in der Umgebung des größten Stromflusses eine Verminderung des radialen Widerstandes bewirkt.In the present invention, the conductive layer thickness becomes essential at the joints of a high-frequency connection. increases, creating a greater reduction in energy density in the radial direction is achieved. Furthermore, through Reduction of the space between the contact surfaces in the vicinity of the largest Current flow causes a reduction in radial resistance.

Gemäß der Erfindung wird vorgeschlagen, eine elektrische Verbindung für Hochfrequenz führende Leiter, insbesondere Kupplung für Hochfrequenzleitungen, in der Weise auszubilden, daß ein Zwischenstück aus einem Material mit wesentlich größerer, z. B. 5 of acher Leitschichtdicke als Kupfer in Form einer dünnen Schicht in die Unterbrechungsfuge der Verbindung eingefügt ist.
Es ist an sich bekannt, in die Unterbrechung einer Abschirmung ein verbindendes Zwischenstück einzufügen, und zwar in Form einer plastischen, aus Metall oder aus einem anderen leitenden Stoff bestehenden Packung. Bei dieser bekannten Anordnung wird dem Zwischenstück die Form eines Drahtes relativ großen Durchmessers gegeben, der sich dann an. die zu verbindenden Stellen der Abschirmung anschmiegt und beispielsweise aus Blei besteht, dessen Leitschichtdicke bzw. Eindringtiefe etwa 3,5mal so groß ist wie die von Kupfer. Infolge des großen Durchmessers dieses Zwischenstückes tritt aber bei dieser bekannten Anordnung nicht die Wirkung der erfindungsgemäßen Anordnung auf, denn einerseits t; wird die Unterbrechungsfuge wegen des großen Durchmessers der Packung wesentlich erhöht, andererseits ist die Leitschichtdicke noch in der Größenordnung der von Kupfer, so daß der Quotir ent aus der Größe des Zwischenraumes und der Leitschichtdicke sehr groß ist im Vergleich zum entsprechenden Quotienten beim Erfmdungsgegen- 65-stand und somit ein beträchtlicher Energieverlust auftritt. Es ist des weiteren bekannt, die Stirnflächen der Unterbrechungsstelle einer Abschirmung bzw. leitenden Umhüllung so fest zusammenzupressen, gegebenenfalls unter schneidenartiger Ausbildung, daß diese Stirnflächen sozusagen ineinanderfließen. Eine derartige Ausbildung ist jedoch infofern nachteilig, als das Zusammenpressen bis zur Fließgrenze des Materials größere verbleibende Deformationen in den Stirnflächen zurückläßt und somit bei mehrmaligem Öffnen der Verbindung einem Entweichen oder Eindringen von Hochf requenzenergie nicht mehr wirksam vorgebeugt ist.According to the invention it is proposed that an electrical connection for high-frequency conductors, in particular coupling for high-frequency lines, be designed in such a way that an intermediate piece made of a material with a much larger, z. B. 5 of acher conductive layer thickness is inserted as copper in the form of a thin layer in the interruption joint of the connection.
It is known per se to insert a connecting intermediate piece into the interruption of a shield, to be precise in the form of a plastic packing made of metal or some other conductive material. In this known arrangement, the intermediate piece is given the shape of a wire of relatively large diameter, which is then attached. the areas of the shielding to be connected nestle and for example consist of lead, the thickness of the conductive layer or the penetration depth of which is about 3.5 times that of copper. Due to the large diameter of this intermediate piece, however, the effect of the arrangement according to the invention does not occur in this known arrangement, because on the one hand t; the interruption joint is significantly increased because of the large diameter of the packing, on the other hand the conductive layer thickness is still in the order of magnitude of that of copper, so that the quotient of the size of the gap and the conductive layer thickness is very large compared to the corresponding quotient for the object of the invention. stood and thus a considerable loss of energy occurs. It is also known to press the end faces of the interruption point of a shielding or conductive sheath so tightly together, possibly with a cutting edge design, that these end faces flow into one another, so to speak. Such a design is disadvantageous insofar as the compression up to the yield point of the material leaves larger remaining deformations in the end faces and thus, if the connection is opened several times, an escape or penetration of high frequency energy is no longer effectively prevented.

Bei der Anwendung der Erfindung für Hohlleiterkupplungen kann die übliche Flanschkupplung verwendet werden, wobei die sich berührenden Flächen sorgfältig bearbeitet sein müssen. Die Stirnflächen sind mit einem dünnen Überzug aus Graphit oder einem anderen Material niedriger Leitfähigkeit versehen. Die mit Graphit überzogene Fläche soll sich von der Hohlleiteröffnung aus in radialer Richtung erstrecken und wenigstens einige Leitschichtdicken breit sein. Die -Leitschichtdicke von Graphit ist wesentlich größer als die des Kupfers, etwa um den Faktor 50. Die Dicke der Graphitschicht sollte wenigstens so groß sein wie der nach der Ankupplung verbleibende Zwischenraum zwischen den Stoßflächen. Die -Graphitschicht kann beispielsweise durch Reiben eines Graphitstückes über die entsprechenden Kupplungsflächen oder durch Bestreichen der Kontakte mit einer Graphitlösüng aufgetragen werden. Des weiteren kann auch eine mit Graphit imprägnierte Dichtungsscheibe von geeigneter Dicke zwischen den Stoßflächen der Kupplung angeordnet werden.When using the invention for waveguide couplings, the usual flange coupling used, whereby the contacting surfaces must be carefully processed. the End faces are lower with a thin coating of graphite or other material Provide conductivity. The graphite-coated surface should extend away from the waveguide opening extend out in the radial direction and be at least a few conductive layer thicknesses wide. The conductive layer thickness of graphite is much larger than that of copper, about a factor of 50. The thickness the graphite layer should be at least as large as that remaining after coupling Space between the abutting surfaces. The graphite layer can, for example, by rubbing a piece of graphite over the corresponding coupling surfaces or by painting the contacts be applied with a graphite solution. Furthermore, one impregnated with graphite can also be used Sealing washer of suitable thickness placed between the abutment surfaces of the coupling will.

Im allgemeinen sind bei Hohlleiterkupplungen im Rand der Flansche Dichtungsrillen vorgesehen, zwischen die ein geeigneter Dichtungsring gelegt ist, um das Eindringen von Feuchtigkeit zu verhindern. Bei erfindungsgemäßen Anordnungen wird man diese Dichtungsrillen vorzugsweise dicht jenseits der Graphitschicht anordnen und die außerhalb der Dichtungsrillen liegenden Flächen der Flansche zurückversetzen, so daß sich diese außerhalb der Dichtungsrillen nicht berühren. Die Mittel zur mechanischen Verbindung der Flansche sind ebenfalls in den nach rückwärts versetzten Teilen der Flansche angeordnet. Auf diese Weise werden die in der Nähe der Wandung der Hohlleiter liegenden Kontaktzwischenräumen besonders an den Stellen der Wandung, über die die größten Längsströme fließen, auf ein Minimum herabgesetzt. Zur Verbindung zweier rechteckiger Hohlrohrleitungen wird man die Flansche zweckmäßig durch zwei Schrauben an den Breitseiten der Hohlleiter verbinden und an den Schmalseiten zwei Führungsstifte vorsehen. Die Dichtungsrillen werden in diesem Fall vorzugsweise rechteckig ausgebildet, um die Kupplungsanordnung möglichstIn general, with waveguide couplings, sealing grooves are provided in the edge of the flanges, between which a suitable sealing ring is placed to prevent the ingress of moisture. In the case of arrangements according to the invention, these sealing grooves are preferably tight on the other side of the graphite layer and the surfaces of the Set the flanges back so that they do not touch outside of the sealing grooves. The means for the mechanical connection of the flanges are also in the rearwardly offset parts the flanges arranged. In this way, the near the wall of the waveguide lying contact spaces especially at the points of the wall over which the largest Longitudinal currents flow, reduced to a minimum. For connecting two rectangular hollow pipes the flanges are expediently fixed by two screws on the broad sides of the waveguide connect and provide two guide pins on the narrow sides. The sealing grooves will be in this case it is preferably of rectangular design in order to accommodate the coupling arrangement as much as possible

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klein halten zu können. Die Erfindung kann natürlich auch zur Kupplung von Hohlleitern mit rundem Querschnitt, für Koaxialleitungen oder für Zweidrahtleitungen Verwendung finden. 5 Obwohl die Erfindung in ihrer Anwendung auf Kupplungen von Hohlleitern und Übertragungsleitungen beschrieben wurde, kann die Erfindung natürlich auch bei anderen Arten von elektrischen Verbindungen für hohe Frequenzen, beispielsweise ίο bei nicht verlöteten Abschirmungen, angewandt werden.to be able to keep it small. The invention can of course also be used for coupling waveguides with round Cross-section, for coaxial lines or for two-wire lines use. 5 Although the invention in its application to couplings of waveguides and transmission lines has been described, the invention can of course also be applied to other types of electrical Connections for high frequencies, for example ίο with unsoldered shields, applied will.

Zweckmäßig bildet man die Berührungsfläche sehr klein aus und legt sie möglichst nahe an die zu verbindenden Stellen der Hochfrequenzabschirmung bzw. Hochfrequenzleitung heran. Durch die Verkleinerung der Berührungsfläche wird der Kontaktdruck an der Berührungsstelle ohne nennenswerten größeren Aufwand erhöht, so daß auch hierdurch die Abstrahlungsverluste wesentlich ao herabgesetzt werden.·The contact surface is expediently made very small and placed as close as possible to the to be connected points of the high-frequency shielding or high-frequency line. Through the By reducing the size of the contact area, the contact pressure at the point of contact is negligible greater effort increases, so that the radiation losses are also significant ao be reduced.

Nachstehend sind noch einige Ausführungsbeispiele von erfindungsgemäß ausgebildeten Anordnungen wiedergegeben.A few more exemplary embodiments of arrangements designed according to the invention are shown below reproduced.

Die Abb. 1 zeigt einen Teilabschnitt durch einen Hohlrohrleitungsflansch, der aus zwei scheibenförmigen Ansatzstücken i, 2 an einer Hohlrohrleitung 3, 3' besteht. An den einander benachbarten Stirnflächen der Flansche i, 2 sind dünne Graphitschichten 5, 5' aufgebracht, die beim Zusammendrückeri der Flansche, beispielsweise mittels der eingezeichneten Schraubverbindung 6, aufeinander zu liegen kommen.Fig. 1 shows a section through a hollow pipe flange, which consists of two disc-shaped Attachments i, 2 on a hollow pipeline 3, 3 'consists. To the neighboring ones End faces of the flanges i, 2 are thin graphite layers 5, 5 'applied, which when the compression of the flanges come to rest on top of one another, for example by means of the screw connection 6 shown.

Die Abb. 2 zeigt eine Ausführungsform eines Hohlrohrflansches mit Dichtungsring. Dabei sind die ringförmigen Ansätze 1, 2 mit einer Ringnut 7 versehen, in die ein Dichtungsrings aus elastischem Material eingelagert ist. In dem dem hochfrequenzerfüllten Raum benachbarten Abschnitt sind die Flansche 1, 2 an den gegenüberstehenden Stirnflächen mit Zwischenschichten großer Eindringtiefe 5, 5' versehen, die bei der Verbindung der Leitung aufeinander zu liegen kommen. Außerhalb der Ringnut sind in den Flanschen 1, 2 Aussparungen vorgesehen, die gegenüber der Stirnfläche der Schichten 5, 5' jeweils etwas zurückversetzt sind, wodurch erreicht wird, daß der Kontakt bzw. die Berührung jeweils nur an den Stellen 5, 5' stattfindet und nicht etwa an dem außerhalb der Ringnut gelegenen Abschnitt 9, 9'. Ebenso wie bei dem Ausführungsbei-spiel der Abb. 1 ist eine Schraubverbindung zum Zusammenhalten und im vorliegenden Fall auch zum Aneinanderpressen der zu verbindenden Leitungsteile vorgesehen.Fig. 2 shows an embodiment of a hollow pipe flange with a sealing ring. Are there the annular lugs 1, 2 provided with an annular groove 7 into which a sealing ring made of elastic Material is stored. In the section adjacent to the high-frequency-filled space are the flanges 1, 2 on the opposite end faces with intermediate layers of great penetration depth 5, 5 ', which come to rest on each other when the line is connected. Outside of the annular groove are provided in the flanges 1, 2 recesses opposite the end face of the layers 5, 5 'are each set back somewhat, whereby the contact is achieved or the contact only takes place at the points 5, 5 'and not, for example, on the outside the annular groove located section 9, 9 '. The same as in the exemplary embodiment in Fig. 1 a screw connection for holding together and in the present case also for pressing together the line parts to be connected are provided.

Bei der Ausführungsform nach Abb. 3 ist die Kontaktfläche 10, 10' der einander gegenüberstehenden Stirnflächen der Hochfrequenzraumabschirmung flächenmäßig sehr klein gehalten, so daß infolge des höheren Kontaktdruckes pro Flächeneinheit beim Aneinanderpressen dieser Flächen fio ebenfalls ein Entweichen von Hochfrequenzenergie weitgehend unterbunden wird. Zur Erhöhung der Sicherheit gegen eine Abstrahlung ist zusätzlich an den Stirnflächen 10, 10' noch ein Zwischenbelag in der vorerwähnten Weise anzubringen. Das Zusammenpressen der Flansche 1, 2 erfolgt wieder mittels einer Schraubverbindung, die ebenso wie bei den anderen Ausführungsbeispielen der Erfindung auch durch irgendeine der anderen bekann- ■ ten Klemmverbindungen ersetzt werden kann, wobei jedoch darauf zu achten ist, daß der Kontaktdruck an den Flächen 10, 10' hinreichend groß ist. Zweckmäßig wählt man dabei den Kontaktdruck pro Flächeneinheit an der Kontaktfläche so groß, daß das Material der zu verbindenden Abschirmungsteile sozusagen ineinanderfließt, was bei der an sich nicht sehr großen Härte von Kupfer möglich ist. Der erforderliche hohe Kontaktdruck pro Flächeneinheit kann einmal erreicht werden durch entsprechendes Kleinhalten der Kontaktfläche oder durch entsprechend hohen mechanischen Druck an der Kontaktfläche selbst. Des weiteren ist es unter-Umständen zweckmäßig, bei großer Härte des Abschirmmaterials an der Verbindungsstelle entsprechend weicheres Material zwischenzulegen, um so das Ineinanderfließen der Kontaktstellen zu be- g₅ günstigen.In the embodiment according to Fig. 3, the contact surface 10, 10 'of the opposite end faces of the high-frequency room shielding is kept very small in terms of area, so that due to the higher contact pressure per unit area when these surfaces are pressed together, an escape of high-frequency energy is largely prevented. In order to increase the security against radiation, an intermediate covering must also be attached to the end faces 10, 10 'in the aforementioned manner. The flanges 1, 2 are pressed together again by means of a screw connection which, as in the other exemplary embodiments of the invention, can also be replaced by any of the other known clamping connections , 10 'is sufficiently large. The contact pressure per unit area on the contact surface is expediently chosen so that the material of the shielding parts to be connected flows into one another, so to speak, which is possible with the hardness of copper, which is not very great. The required high contact pressure per unit area can be achieved once by keeping the contact surface small or by correspondingly high mechanical pressure on the contact surface itself the merging of contact authorized to designate g ₅ cheap.

Die Abb. 4 zeigt die Verbindung von zwei Teilen einer Abschirmvorrichtung, bei der die Wandungsteile 11 und 12 unter Zwischenlage einer dünnen Schicht 13 aus Material mit großer Eindringtiefe zusammengepreßt sind. Der für die Zusammen-, pressung erforderliche Druck kann durch die Ausbildung der mit den Flächen 11, 12 in Verbindung stehenden Bauteile erzwungen werden. Statt dessen läßt sich jedoch auch eine Schraubverbindung in der Nähe oder an der Kontaktstelle anordnen.Fig. 4 shows the connection of two parts of a shielding device in which the wall parts 11 and 12 are pressed together with the interposition of a thin layer 13 of material with a great penetration depth. The pressure required for the compression can be enforced by the design of the components connected to the surfaces 11, 12. Instead, however, a screw connection can also be arranged in the vicinity or at the contact point.

Claims

PATENT CLAIMS:

ι. Electrical connection for high frequency energy leading conductors, in particular coupling for high-frequency lines, using a high-frequency sealing intermediate piece in the interruption joint, characterized in that <the intermediate piece made of a material with a much larger, z. B. 5 times the conductive layer thickness than Copper and inserted into the interruption joint in the form of a thin layer is. no

2. Arrangement according to claim 1, characterized in that that the layer consists of graphite.

3. Arrangement according to one of claims τ and 2, characterized in that the Intermediate piece or the layer is applied to the contact surfaces.

4. Arrangement according to one of claims 1 to 3, characterized in that the contact surfaces connected to one another via a seal impregnated with a semiconductor material are.

5. Arrangement according to one of claims 1 to 4, characterized in that the contact surface is arranged closely adjacent to the space filled by the high frequency.

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6. Arrangement according to one of claims ι to Si, characterized in that the contact area is so small and the contact pressure is selected so large that the contact surfaces of the coupling flow into one another.

7. Arrangement according to one of claims ι to 6, characterized in that the contact surface is additionally surrounded by a moisture seal.

Documents considered: German Patent No. 550775; U.S. Patent No. 2,604507.

1 sheet of drawings