DE962728C

DE962728C - Current Dependent Resistance

Info

Publication number: DE962728C
Application number: DEA6204D
Authority: DE
Inventors: Dr Dr-Ing E H Alexand Meissner
Original assignee: AEG AG
Current assignee: AEG AG
Priority date: 1936-02-20
Filing date: 1936-02-20
Publication date: 1957-04-25

Description

Stromabhängiger Widerstand Als Trockengleichrichter werden vielfach aus einem Halbleiter bestehende Platten verwendet, die auf einer Seite eine Sperrschilaht besitzen, oberhalb deren ein neutrales Metall, beispielsweise Wood-Metall, Antimon od. dgl., angeordnet ist. Dieses neutrale Metall muß die Eigenschaft haben, mit dem Halbleiter keine chemische Verbindlung einzugehen. Als Träger für den Halbleiter und gleichzeitig als zweite stromzuführende Elektrode dient ein Metall, beispielsweise Kupfer oder eine Kupferlegierung, die sich mit den Halbleiter so verbindet, daß an dieser Elektrode keine Unsymmetrie entsteht. In dieser Anordnung wird das Halbleitersystem als Gleichrichter verwendet und derart geschaltet, daß der Gleichstrom vom Halbleiter durch die Sperrschicht zum neutralen Metall fließt.Current-dependent resistance As dry rectifiers are often Made of a semiconductor plate used, which has a locking seam on one side have, above which a neutral metal, for example Wood metal, antimony Od. Like. Is arranged. This neutral metal must have the property with not to form a chemical bond with the semiconductor. As a carrier for the semiconductor and at the same time a metal, for example, serves as the second current-supplying electrode Copper or a copper alloy which combines with the semiconductor in such a way that there is no asymmetry at this electrode. In this arrangement, the semiconductor system used as a rectifier and switched in such a way that the direct current from the semiconductor flows through the barrier to the neutral metal.

Die Erfindung bezieht sich nun auf einen Vorschlag, derartige Platten statt zur Gleichrichtung als spannungsabhängige Widerstände zu benutzen. Die Verwendung von Kupferoxydu,lgleichrichtern als veränderliche Widerstände ist zwar schon bekannt. Doch geschah dies bisher in der Weise, dafi die Widerstandsänderung durch veränderliche Druck- und Biegungsbeanspruchung erzeugt wurde. Die vorliegende Erfindung hat sich zur Aufgabe gestellt, diese veränderliche Druck- und Biegungsbeanspruchung zu vermeiden, da sie apparative Aufwendungen erfordert, die die Anordnung komplizieren und' verteuern. Außerdem wird die meist spröde Halbleiterschicht durch diese Beanspruchungen leicht beschädigt. Die gestellte Aufgabe wird erfindungsgemäß bei einem Halbleiter mit Sperrschicht, über welcher ein neutrales Metall, beispielsweise Wood-Metall, Zink, Wismut, Antimon od. dgl., angeordnet ist, in der Weise gelöst, daß er als stromabhängiger Widerstand verwendet wird allein durch eine solche Schaltung, daß der Strom vom neutralen Metall durch .die Sperrschicht zum Halbleiter fließt, ohne daß zusätzliche Druck-oder Biegekräfte auf die Halbleiterschicht und Sperrschicht ausgeübt werden. Daß einem Halbleiter mit Sperrschicht solche Funktionen gegeben werden können, zeigen ganz neue Erkenntnisse, die sich daraus ergaben, daß es gelang, die Charakteristik des Halbleiters in einem außerhalb des normalen Arbeitsbereiches liegenden Zustand eingehend zu untersuchen und hier festzustellen: Die charakteristische Eigenschaft des Systems in der Sperrichtung ist die starke Stromabhängigkeit ihres Wid@jrstandes. Wir haben es hier mit einem stark negativen Widerstand zu tun. Die Untersuchung in diesem Gebiet wurde dadurch ermöglicht, daß :eine Sperrschichtzelle in der Sperrichtung an eine sehr hohe Gleichstromspannung, z. B. 22o Volt, gelegt wurde und bei einem sehr hohen Vorschaltwiderstand. der das Auftreten vonKurzschlüssenverhinderte, die Stromspann ungscharakteristik bestimmt wurde.The invention now relates to a proposal for such plates instead of using them as voltage-dependent resistors for rectification. The usage copper oxide rectifiers as variable resistances are already known. But so far this has been done in such a way that the change in resistance is caused by changeable Compressive and bending stresses were generated. The present Invention has set itself the task of this variable compressive and bending stress to be avoided, since it requires expenditure on equipment that complicates the arrangement and 'make it more expensive. In addition, the mostly brittle semiconductor layer becomes due to these stresses slightly damaged. According to the invention, the object set is in the case of a semiconductor with a barrier layer over which a neutral metal, e.g. Wood metal, Zinc, bismuth, antimony or the like. Is arranged, dissolved in such a way that it is used as current-dependent resistance is used solely by such a circuit that the current flows from the neutral metal through the barrier layer to the semiconductor without that additional compressive or bending forces on the semiconductor layer and barrier layer be exercised. That such functions are given to a semiconductor with a barrier layer show completely new insights that arose from the fact that it was possible to the characteristics of the semiconductor in an outside of the normal working range to examine the lying state in detail and to determine here: The characteristic The characteristic of the system in the reverse direction is its strong current dependence Wid @ jrstandes. We are dealing with strong negative resistance here. the Research in this area has been made possible by: A junction cell in the reverse direction to a very high DC voltage, e.g. B. 22o volts and with a very high series resistance. which prevented the occurrence of short circuits, the voltage characteristic was determined.

In Abb. i ist eine Anordnung nach der Erfindung dargestellt. Auf dem Halbleiter i ist eine Sperrschicht a aufgebracht, die mit einem neutralen Metall 3, und zwar einer Zinkschicht, in Verbindung steht. Als Träger für den Halbleiter i ist ein ni-,ht neutrales Metall 4, beispielsweise eine Eisenplatte, verwendet. Die Schaltung ist nun derart getroffen, daß der Strom von 3 über 2, i nach q. seisIen Weg nimmt. Zur Begrenzung des Stromes ist der Anordnung ein Widerstand; 5 von linearer Charakteristik vorgeschaltet. Der Strom wird von einer Batterie 6 geliefert. Parallel zu der Widerstandsplatte ist ein Verbraucher fi geschaltet, der mit einer nahezu konstanten Spannung auch bei starken Schwankungen der Betteriespannung gespeist wird.In Fig. I an arrangement according to the invention is shown. On the Semiconductor i is applied a barrier layer a made with a neutral metal 3, namely a zinc layer. As a carrier for the semiconductor A ni-, ht-neutral metal 4, for example an iron plate, is used. The circuit is now made in such a way that the current from 3 via 2, i to q. seIen Takes away. To limit the current, the arrangement is a resistor; 5 of linear Characteristic upstream. The power is supplied by a battery 6. Parallel a consumer fi is connected to the resistance plate, which with a nearly constant voltage even with strong fluctuations in battery voltage will.

Die. Verhältnisse sind. insbesondere aus Abb.2 und 3 zu ersehen. In Abb. 2 ist dier Spannungsabfall in Abhängigkeit vom Stromdurchgang aufgetragen. Abb. 3 zeigt die Widerstand'sverhältnisse bei verschiedenen Spannungswerten einer kleinen Gleichrichterplatte. Nach rechts ist die negative Spannung aufgetragen, nach links die positive. Rechts ist dier Arbeitsbereich des Gleichrichters. Aus dem linken Bereich ist zu ersehen, daß von o,5 V an die Sperrscb.icht zu wirken anfängt und bei kleinen positiven Spannungen von etwa o,5 V einen Widerstand in der Größenordnung von 5o bis ioo ooo Ohm darstellt. Bei weiterer Steigerung der Spannung nach der positiven Seite, d. h. also in der Sperrichtung (linker Bereich), fällt der Widerstand und fällt um so mehr, je größer die Spannung wird; bei einer Spannung von etwa 30 V an der Sperrschicht sinkt er auf etwa Zoo bis 300 Ohm. Aus der in dieser Art aufgenommenen Charakteristik der Sperrschicht haben sich die der vorliegenden Erfindung zugrunde liegenden Erkenntnisse ergeben, die zu einer ganzen Reihe von neuen Anwendungsmöglichkeiten solcher Systeme geführt haben.The. Relationships are. can be seen in particular from Fig. 2 and 3. In Fig. 2 the voltage drop is plotted as a function of the passage of current. Fig. 3 shows the resistance ratios at different voltage values of a small rectifier plate. The negative voltage is shown to the right, the positive to the left. On the right is the rectifier's working area. From the left-hand area it can be seen that from 0.5 V to the blocking device, it does not start to act and at small positive voltages of around 0.5 V it represents a resistance of the order of 50 to 100,000 ohms. If the voltage increases further on the positive side, ie in the reverse direction (left area), the resistance falls and falls the more the higher the voltage becomes; at a voltage of around 30 V at the junction, it drops to around zoo to 300 ohms. The knowledge on which the present invention is based resulted from the characteristics of the barrier layer recorded in this way, which have led to a whole series of new possible uses of such systems.

Wohl sind auch andere Einrichtungen und Widerstände bekannt, die einen stromabhängi en negativen Widerstand aufweisen, z. B. Uranoxv dwiderständeoder Siliziumkarbidwiderstände. Dieseunterscheiden sich aber von der vorliegenden Erfindung dadurch, d:aß bei ihnen das Material als solches eine Stromabhängigkeit aufweist, während bei .der vorliegenden Erfindung. nicht das Material selbst die Widerstandsänderung bedingt, sondern die an der Grenze des Materials auftretende Sperrschicht. Die Nachteile dies Silizi@umkarbidstabes sind darin zu sehen, daß sie nur fier relativ große Strom- und Spannungswerte brauchbar sind, während bei kleinen Spannungs- und Stromwerten die g°-wünschte Charakteristik nicht auftritt. Bei Uranoxydwiderständen ist zwar der Widcrstatidswert gering; die negative Charakteristik ist jedoch durch eine Temperaturabhängigkeit bedingt, so daß zeitliche Verzögerungswirkungen auftreten. Beide Nachteile besitzen die bekannten Eisenwasserstoffwiderstände, bei denen eine Konstanthaltung des Stromes nur durch einen thermischen Effekt erzielt werden kann, so daß starke Verzögerungen nicht zu vermeiden sind, und ferner der Konstantstrombereich nur bei relativ hohem Stromdurchgang auftritt.Other devices and resistors are also known to have one have current-dependent negative resistance, z. B. uranium oxide resistors or silicon carbide resistors. However, these differ from the present invention in that they ate the material as such has a current dependence, while in the case of the present Invention. it is not the material itself that causes the change in resistance, but the barrier layer occurring at the boundary of the material. The disadvantages of this silicon carbide rod can be seen in the fact that they can only be used for relatively large current and voltage values are, while at low voltage and current values the g ° -desired characteristic does not occur. In the case of uranium oxide resistances, the resistance value is indeed low; the however, the negative characteristic is due to a temperature dependence, see above that temporal delay effects occur. Both disadvantages have the known ones Ferrous hydrogen resistances, in which the current can only be kept constant through a thermal effect can be achieved so that severe delays do not occur are to be avoided, and furthermore the constant current range only with a relatively high current passage occurs.

Alle diese Schwierigkeiten sind bei der Erfindung beseitigt, indem sich augenblicklich für jeden Wert des ein bestimmter Spannungsabfall einstellt und der Widerstand schon für kleine Ströme brauchbar ist. Um schlechte Stellen in den Widerstandsplatten auszubrennen und dadurch eine größere Spannungssicherheit zu erhalten, ist es zwecl.:mäßig, die Platten vor ihrer Verwendung zu formieren. Dies geschieht in der Weise, daß man eine hohe Gleichspannung in der Sperrichtung über einen stromunabhängigen Widerstand anlegt.All these difficulties are eliminated in the invention by a certain voltage drop occurs instantaneously for each value and the resistance can be used even for small currents. To bad spots in to burn out the resistance plates and thereby a greater voltage security it is necessary to: shape the panels before using them. This is done in such a way that there is a high DC voltage in the reverse direction applied via a current-independent resistor.

Die Verwendung eines derartigen Vorschaltwid@ers,tandes erscheint auch im Betriebe in solchen Fällen zweckmäßig, in denen mit größeren Spannungsschwankungen der speisenden Stromquelle gerechnet werden muß. Der Widerstand soll dabei einen derartigen Wert hesitzen, daß der Strom durch eine Platte nicht mehr als o,5 Ampere be- trägt.The use of such a ballast resistor also appears expedient in operation in those cases in which larger voltage fluctuations in the supplying current source must be expected. The resistance is intended to hesitzen a value such that the current carrying sawn by a plate not more than o, 5 amps.

Mit Rücksicht auf die Lebensdauer der @@'iderstände darf eine gewisse Wärinebeansprucbung nicht überschritten werden. Aus diesem Grunde in uß die Ausbildung der Platten derart erfolgen, daß die Temperatur unter 6o° C, nveckmäßig sogar unter d.0° C, bleibt. Man wird daher entsprechend"-wärmeableitende Mittel vorsehen, wie Kühlrippen in dem Gehäuse, in dem die Platten untcrgel>racht sind, oder man wird die Metallteil-, der Platten selbst entsprechend ausbilden oder auch ein besonderer kühlendes Medium, wie eine Ölfüllung oder eine Luftbeblasung, vorsehen.With regard to the lifespan of the @@ 'id resistances, a certain Heat stress must not be exceeded. For this reason, the training in uss the plates are carried out in such a way that the temperature is below 60 ° C, even below d. 0 ° C, remains. One will therefore provide "heat dissipating means", such as Cooling fins in the housing in which the plates are underneath, or one will the metal part, the plates themselves or a special one cooling Provide a medium such as an oil filling or an air blow.

Der Widerstand kann in allen Fällen verwendet werden, in denen es auf konstante Spannung bei relativ kleinen Strömen ankommt. Werden größere Spannungsabfälle ,gewünscht, dann sind mehrere Platten übereinanderzuschalten. Je nach dem Verwendungszweck muß die Schichtrichtung gleich oder verschieden sein. Insbesondere ist bei Gleichstrom eine gleiche Schichtrichtung erforderlich, während bei Wechselstrom eine verschiedene Schichtrichtung zu wählen ist. Man kann aber auch bei Wechselstrom eine gleiche Schichtrichtung oder nur eine einzige Platte vorsehen, wenn man eine Hi.lfsspannUng verwendet, die den Arbeitsbereich auch beim Nullwert des Stromdurchganges in den positiven Bezirk, also nach Abb. 3 in den linken Teil, etwa in die Nähe der Spitze verlegt. In diesem Falle ist dann das Verhalten des Widerstandes nach beiden Seiten hin nahezu gleichmäßig, so daß auch für Wechselstrom eine An«-end,ungsmöglichkeit besteht.The resistor can be used in all cases where there is constant voltage with relatively small currents is important. Will be larger voltage drops , if desired, several panels are to be stacked one on top of the other. Depending on the intended use the direction of the layers must be the same or different. In particular, it is with direct current the same layer direction is required, while with alternating current a different one Layer direction is to be selected. But you can also do the same with alternating current Provide layer direction or just a single plate if you have a high-flow voltage is used, which determines the working range even with the zero value of the current passage in the positive district, i.e. according to Fig. 3 in the left part, approximately near the tip relocated. In this case the behavior of the resistance is on both sides almost evenly, so that there is also an option for alternating current consists.

Bei Wechselstrom kann auch die Sp°rrschicht zu beiden Seiten des Halbleiters angeordnet werden. Es erübrigt sich dann die Verwendung eines besonderen neutralen Trägermetalls. Dieses Trägermetall wird sonst zur Stromzuführung auf der nicht mit einer Sperrschicht versehenen Seite in der Weise vorgesehen, daß sich der Halbleiter mit ihm verbindet.In the case of alternating current, the spar layer can also be on both sides of the semiconductor to be ordered. There is then no need to use a special neutral one Carrier metal. This carrier metal will otherwise not be used for the power supply on the a barrier side provided in such a way that the semiconductor connects with him.

Der Widerstand kann beispielsweise auch parallel zur Spannungsspule von Relais, insbesondere Erdschlußrelais, gelegt werden, um bei, den vorkommenden starken Schwankungen der Erdschlußspannung einen möglichst konstant; i Erregerstrom zu erhalten.The resistor can, for example, also be parallel to the voltage coil of relays, in particular earth-fault relays, are placed in order to prevent the occurring strong fluctuations in the earth fault voltage as constant as possible; i excitation current to obtain.

Der Widerstand kann auch zur Lieferung des Sollwertes einer Spannung oder einer durch eine Spannung nachbi.ldbaren Größe verwendet werden in solchen Fällen, in denen es sich um Regeleinrichtungen handelt, die bei Abweichen des Istwertes vom Solhvert ansprechen. Die beiden Spannungen werden dann -entweder unmittelbar oder in ihrer Wirkung gegengeschaltet, so daß nur beim Auftreten einer Differenz ein Regelvorgang ausgelöst wird.The resistor can also be used to supply the setpoint of a voltage or a variable that can be reproduced by a voltage can be used in such Cases in which it is a matter of control devices that, if the actual value deviates address from Solhvert. The two tensions then become either immediate or counteracted in their effect, so that only when a difference occurs a control process is triggered.

Ein weiteres Anwendungsgebiet der Widerstandsplatten nach der Erfindung sind Ü.berspannungsableiter, namentlich in Schwachstromnetzen, also Telefonanlagen. Durch die Schaltung der Widerstände zwischen die Leitung und Erde wird erreicht, daß bei Auftreten einerSpannungserhöhung ein starker Stromfluß zustande kommt, der eine Spannungserhöhung gegenüber dem Erdpotential über das zulässige Nlaß hinaus ausschließt.Another field of application of the resistance plates according to the invention are surge arresters, especially in low-voltage networks, i.e. telephone systems. By connecting the resistors between the line and earth it is achieved that when a voltage increase occurs, a strong current flow occurs, the an increase in voltage compared to the earth potential beyond the permissible Nlaß excludes.

Ein besonderes vorteilhaftes Anwendungsgebiet ist in Abb. q. dargestellt. Hier handelt es sich um die Spei!s:u.ng eines Telefons oder eines Lautsprechers 9 von einem Empfänger io aus, und. es besteht die Aufgabe, Störungen von dem Lautsprecher 9 fernzuhalte:n. Zu diesem Zweck wird parallel zu einem dem Lautsprecher 9 vorgeschalteten Transformator ii ein Widerstandsgebilde 12 nach der Erfindung vorgesehen, dessen Einzelelemente nach Abb. 5 in entgegengesetztem Sinne geschichtet sind. Ein Widerstand 13 ist als Schutzwiderstand in den Stromkreis eingeschaltet.A particularly advantageous area of application is shown in Fig. Q. shown. This is the Spei! S: u.ng a telephone or a loudspeaker 9 from a receiver io, and. the task is to keep disturbances away from the loudspeaker 9: n. For this purpose, a resistor structure 12 according to the invention is provided parallel to a transformer ii connected upstream of the loudspeaker 9, the individual elements of which are layered in opposite directions as shown in FIG. 5. A resistor 13 is connected to the circuit as a protective resistor.

Die Charakteristik der Anordnung ist aus Abb. 6 zu ersehen. Es sind hierbei die Kennlinien 1q und 15 zweier in verschiedener Durchgangsrichtung geschalteter Widerstandsplatten dargestellt. An den äußeren Klemmen der Serienschaltung erscheint dann als Gesamtwiderstand die Kennlinie 16 als Stimme :der Einzelwiderstände. Es ist zu ersehen, daß kleinere Amplituden a einen sehr hoben Widerstand vorfinden, während größere Amplituden b kurzgeschlossen werden. Infolgedessen wird derjenige Anteil von Störfrequenzen, der die Amplitude der Netzfrequenz überwiegt, über den Parallelweg der Widerstände 12 geleitet und somit von dem Lautsprecher ferngehalten. Wirkt beispielsweise eine Störung mit 5- bis iofacher Amplitude, so wird der Parallelwiderstand von ioo ooo Ohm auf zooo bis Zoo O'hm herabsinken.The characteristics of the arrangement can be seen in Fig. 6. The characteristic curves 1q and 15 of two resistance plates connected in different direction of passage are shown here. At the outer terminals of the series connection, the characteristic curve 16 then appears as a voice as the total resistance: the individual resistances. It can be seen that smaller amplitudes a encounter a very high resistance, while larger amplitudes b are short-circuited. As a result, that portion of interference frequencies which outweighs the amplitude of the mains frequency is passed through the parallel path of the resistors 12 and is thus kept away from the loudspeaker. If, for example, a disturbance with 5 to 10 times the amplitude acts, the parallel resistance will drop from 100,000 ohms to zooo to zoo ohms.

Statt der abwechselnden Schichtung der Platten kann man auch eine Schichtung im gleichen Sinne vorsehen, wenn man in Serie eine Batterie schaltet, die das Potential .etwa an die Spitze der Kurve 15 der Abb. 6 verschiebt. Im Arbeitszustand. besitzt dann bei kleinen Amplituden c die Anordnung ,einen hohen Widerstand, während bei. großen Amplituden d der Widerstand nach der einen Richtung ganz klein wird, nach der anderen Richtung auch nur einige hundert Ohm beträgt. In allen Fällen ist darauf zu achten, daß der kapazitive Widerstand des Plattensystems groß ist im Verhältnis zu dem des Verbrauchers, damit nicht durch die, Kapazität auch gegenüber Netzfrequenz ein wirksamer Nebenschlu:ßweg entsteht.Instead of the alternating layering of the panels, you can also use a Provide stratification in the same way when connecting a battery in series, which shifts the potential to the top of curve 15 in Fig. 6. In working condition. then has at small amplitudes c the arrangement, a high resistance, while at. large amplitudes d the resistance in one direction becomes very small, in the other direction is only a few hundred ohms. In all cases it is make sure that the capacitive resistance of the plate system is large in proportion to that of the consumer, thus not by the, capacity also compared to the mains frequency an effective shunt is created.

Bei. der Einschaltung dies Widerstandes in dem Stromkreis ist den vorhandenen WiJerstandsverhältnissen Rechnung zu tragen und dementsprechend durch Transformation für die .richtige Arbeitsweise zu sorgen. Dies kann beispielsweise in der Weise geschehen, daß das Widerstandssystem parallel zu einem im Stromkreis liegenden hohen Widerstand, beispielsweise parallel zum Ausgangskreis von Verstärkerröhren bzw. von Kupplungselementen der Röhren, gelegt wird.At. the inclusion of this resistor in the circuit is the to take existing resistance conditions into account and accordingly Transformation to ensure the correct way of working. This can for example done in such a way that the resistance system is parallel to one in the circuit lying high resistance, for example in parallel with the output circuit of amplifier tubes or by coupling elements of the tubes.

Claims

PATENT CLAIMS: i. Semiconductor with a barrier layer over which a neutral Meta11, for example Wood = Metalll, zinc, bismuth, antimony o: d. like., is arranged, characterized by its use as a current-dependent resistor in such a circuit that the current from the, neutral metal through the barrier layer flows to the semiconductor without additional compressive or bending forces acting on the semiconductor layer : and barrier to be exercised. a. Current-dependent resistor according to claim i for alternating current, characterized in that: ß on both sides of the semiconductor a barrier is riveted to a neutral metal. 3. Current-dependent resistor according to Claim i, characterized in that .the semiconductor on the side not provided with a barrier layer on a carrier metal, with which the semiconductor connects, is applied. 4. Current-dependent resistance according to claim 3, characterized in that several plates one above the other depending on the intended use in the same or alternately layered in different layers are. Current-dependent resistor according to Claims i to 4, characterized in that that with the help of a high DC voltage in the operational sense of passage is formed by connecting a current-independent resistor. 6. Current dependent Resistor according to Claims i to 5, characterized by the upstream connection of a current-independent Limiting resistor. 7. Current-dependent resistor according to claim i to 6, characterized characterized in that the plates are equipped with heat-dissipating means, so that the temperature does not exceed 60.degree. C., expediently 40.degree. B. Current dependent Resistor according to Claims 1 to 5, characterized in that it is used to keep people away of interference frequencies and overvoltages with consumers, especially with receivers, connected in the circuit, in particular in parallel with the consumers is. G. Current-dependent resistor according to Claim 8, characterized in that when using audio frequency as the usable frequency, its capacitive resistance is greater is than that of the consumer. ok Current-dependent resistor according to claim 8 and 9, characterized in that when using several plates in the same Layer direction are connected in series, an auxiliary voltage is applied, which relocates the useful oscillation in such a range that the resistance value large compared to the occurring amplitudes of the useful oscillation, compared to larger ones On the other hand, amplitudes are small. i i. Current-dependent resistor according to claim 6 and 7, characterized in that it is parallel to a high in the circuit Resistance, for example parallel to the output circuit of amplifier tubes or of coupling elements of the tubes, is occupied. Considered publications: German Patent No. 531 164; German patent application S 345 VIIIb / ai d2 (Patent No. 653 574).