DE889814C - Opto-electrical converter with translucent metal electrode and process for manufacturing opto-electrical converter - Google Patents
Opto-electrical converter with translucent metal electrode and process for manufacturing opto-electrical converterInfo
- Publication number
- DE889814C DE889814C DEV3748A DEV0003748A DE889814C DE 889814 C DE889814 C DE 889814C DE V3748 A DEV3748 A DE V3748A DE V0003748 A DEV0003748 A DE V0003748A DE 889814 C DE889814 C DE 889814C
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- grid
- metal
- electrode
- electrical converter
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims description 56
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims description 56
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 28
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 title claims description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 12
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 9
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 7
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 5
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 2
- 229910052976 metal sulfide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 2
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 206010034133 Pathogen resistance Diseases 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 210000000744 eyelid Anatomy 0.000 description 2
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 150000004763 sulfides Chemical class 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000003251 chemically resistant material Substances 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000006735 deficit Effects 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910001512 metal fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052752 metalloid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002738 metalloids Chemical class 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000001429 visible spectrum Methods 0.000 description 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical class [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/10—Screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored
- H01J29/36—Photoelectric screens; Charge-storage screens
- H01J29/38—Photoelectric screens; Charge-storage screens not using charge storage, e.g. photo-emissive screen, extended cathode
- H01J29/385—Photocathodes comprising a layer which modified the wave length of impinging radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J40/00—Photoelectric discharge tubes not involving the ionisation of a gas
- H01J40/02—Details
- H01J40/04—Electrodes
- H01J40/06—Photo-emissive cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Optical Filters (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Hybrid Cells (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
Description
Optisch-elektrische Wandler, wie z. B. Sperrschichtphotcelemente und andere auf Licht ansprechende elektrische Instrumente, weisen Elektroden auf, um den bei Lidhteinfall an der Sperrschicht entstehenden Photostrom aufzunehmen und einem Stromkreis zuzuführen. Mindestens eine der Elektroden muß hierbei für das einfallende Licht möglichst durchlässig sein und trotzdem eine gute elektrische Leitfähigkeit besitzen. Beide Eigenschaften konnten bisher nicht in dem gewünschten Maße gleichzeitig verwirklicht werden.Opto-electrical converters, such as. B. barrier photo elements and others light responsive Electrical instruments have electrodes around the barrier when the eyelid falls absorb the resulting photocurrent and feed it into a circuit. At least one the electrodes must be as transparent as possible to the incident light and nevertheless have good electrical conductivity. Both properties could not be achieved in the desired way so far Dimensions can be realized at the same time.
Im allgemeinen sind dabei zwei grundsätzlich verschiedene Ausbildungsformen lichtdurchlässiger Elektroden bekannt. Bei der ersten Ausbildungsform besteht die Elektrode aus einem feinen Metallnetz, welches an die Oberfläche der lichtempfindlichen Schicht angepreßt ist. Die einzelnen Stege des meistens als Metalldrahtgewebe ausgebildeten Netzes werden dann zu Saugstellen für die von ihnen ausgehenden Potentiallinien. Die zwischen den Stegen des Netzes liegenden, nichtmetallisch leitenden Lücken bilden elektrische Querwiderstände, welche bewirken, daß die Genamtleitfähigkeit der Elektrode nur gering ist, so daß derart aufgebaute optisch-elektrische Wandler einen außerordentlich niedrigen Wirkungsgrad aufweisen. In general, two fundamentally different forms of construction are more translucent Known electrodes. In the first embodiment, the electrode consists of a fine one Metal net, which is pressed against the surface of the photosensitive layer. The single ones Bars of the network, which is usually designed as a metal wire mesh, then become suction points for the potential lines emanating from them. the Between the webs of the network, non-metallic conductive gaps form electrical gaps Cross resistances, which have the effect that the overall conductivity of the electrode is only low, see above that optical-electrical converters constructed in this way have an extremely low level of efficiency.
Bei der zweiten Ausbildungsform besteht die Elektrode aus einer auf die lichtempfindliche Schicht aufgetragenen dünnen, metallischen Schicht, vorzugsweise aus Gold, die neben der Eigenschaft elektrischer Leitfähigkeit die Besonderheit der Lichtdurchl'ässigkeit zeigt. Dicke Metallschichten haben eine hohe elektrische Leitfähigkeit, aberIn the second embodiment, the electrode consists of a light-sensitive electrode Layer applied thin, metallic layer, preferably made of gold, in addition to the property electrical conductivity shows the peculiarity of light transmission. Thick layers of metal have high electrical conductivity, however
dagegen nur eine geringe Lidhtdurchlässigkeit, während umgekehrt dünne Metallschichten eine gute Lichtdurchlässigkeiit, jedoch eine schlechte Leitfähigkeit besitzen. In dem ersten Fall ist der Wirkungsgrad eines derartigen Wandlers infolge der Dämpfung des Lichteinfalles und in dem zweiten Fall des hohen elektrischen Querwiderstandes der Elektrode verhältnismäßig niedrig.on the other hand, only a low eyelid permeability, while conversely thin metal layers one good light transmission, but poor conductivity. In the first case is the Efficiency of such a converter due to the attenuation of the incidence of light and in the second case of high electrical resistance of the electrode is relatively low.
Ein hoher Querwiderstand der Elektrode bewMrtA high transverse resistance of the electrode causes
ίο auch einen Spannungsabfall innerhalb derselben mit der Folge, daß der Zusammenhang zwischen der Lichteinstrahlung und dem erzeugten Photostrbm im allgemeinen kein linearer ist. Dieser Nachteil macht sich dort störend bemerkbar, wo zur verzerrungsfreien Steuerung eines Vorganges in Abhängigkeit vom eingestrahlten Licht ein linearer Zusammenhang zwischenLichteinstrahlung und Photostrom erforderlich ist.ίο also a voltage drop within the same with the result that the connection between the light irradiation and the generated photostrbm is generally not a linear one. This disadvantage is noticeable where it is disturbing for the distortion-free control of a process depending on the incident light linear relationship between light irradiation and photocurrent is required.
Die sich damit ergebende Aufgabenstellung wird durch eine Ausbildung optisch-elektrischer Wandler gelöst, die sich, ausgehend von optischelektrischen Wandlern mit lichtdurchlässiger Metallelektrode, dadurch kennzeichnet, daß die Eliektrode aus einer dünnen, lichtdurchlässigen Metallschicht und einem über ihr angeordneten Raster, dessen Stege elektrisch gut leitend und in leitender Verbindung mit der Metallschicht sind, besteht.The resulting task is optically-electrical through training Converters solved, which are based on opto-electrical converters with translucent Metal electrode, characterized in that the electrode consists of a thin, translucent Metal layer and a grid arranged above it, the webs of which are electrically conductive and in conductive connection with the metal layer is.
Durch die so erreichte Verringerung des elekirischen Querwiderstandes der Elektrode steigt der Wirkungsgrad des Wandlers sprunghaft, und es entsteht ein linearer Zusammenhang zwischen Lichteinstrahlung und erzeugtem Photostrom.Through the reduction in the electrical Cross resistance of the electrode increases the efficiency of the converter by leaps and bounds, and there is a linear relationship between light irradiation and the generated photocurrent.
Der Raster kann mit Vorteil ein Kreuzraster sein, dessen quer zueinander stehende Stege elektrisch leitend miteinander verbunden sind. Zur Erhöhung der Lichtdurchläissigkeit der Elektrode können mindestens die zwischen den Rasterstegen liegenden Stellen der lichtdurchlässigen Metallschicht auf der dem einfallenden Licht zugewandten Oberfläche mit wenigstens einer dielektrischen, lichtdurchlässigen Deckschicht überzogen sein, deren Dicke und deren BrecHungszalhl derart bestimmt sind, daß an den Grenzflächen zwischen .45 Deckschicht und angrenzender Luft einerseits und zwischen Deckschicht und Metallschicht andererseits reflektierte Amplituden einfallenden Lichtes sich für eine in der Mitte des Übertragungsbereiches liegende Frequenz durch Interferenz gegenseitig völlig oder nahezu völlig aufheben, so daß die Gesamtreflektiön unterdrückt wind.The grid can advantageously be a cross grid, the crosspieces of which are electrical are conductively connected to each other. To increase the transparency of the electrode can at least the places between the grid webs of the transparent metal layer on the surface facing the incident light with at least one dielectric, be coated transparent cover layer, whose thickness and whose BrecHungszalhl determined in such a way are that at the interfaces between .45 top layer and adjacent air on the one hand and between the cover layer and the metal layer, on the other hand, reflected amplitudes of incident light mutually due to interference for a frequency lying in the middle of the transmission range completely or almost completely cancel, so that the total reflection is suppressed.
Ein gemäß der Erfindung ausgebildeter optiischelefctrischer Wandler kann beispielsweise wie folgt aufgebaut sein: Auf der lichtempfindlichen Schicht, z. B. eines Sperrschichtptfiotoelementes, iist eine dünne, zusammenhängende Metallschicht angeordnet, beispielsweise durch Bedampfen der lichtempfindlichen Schicht. Zur Erzielung hoher LiAtdu'rchläsisigkeit ist diese ,Schicht so dünn, daß sie trotz Verwendung eines gut leitenden Materials, wie Gold, Silber, Kupfer usw., einen untragbar hohen Querwiderstand hätte, wenn sie allein als Elektrode dienen sollte. Unmittelbar auf dieser metallischen Schicht ist ein feiner Kreuzraster angeordnet, dessen Stege aus vorzugsweise gleichem 6g Metall bestehen wie die metallische Schicht und mit denselben in elektrisch leitender Verbindung stehen und selbst gut leitend sind. Die Maschenweite des Kreuzrasters kann ζ. Β. ο,ί mm betragen, während die Dicke der einzelnen Stege des Rasters zu etwa ο,οΐ mm bestimmt ist. Ein derartiger Raster verursacht keine nennenswerte Beeinträchtigung dies Lichteinfalles, besitzt aber einen stark herabgesetzten elektrischen Querwiderstand. Durch die leitende Verbindung sämtlicher Stege des Rasters mit der dünnen Metallschicht ergibt sich die gleiche Wirkung, wie wenn diese dünne Schicht selbst einen herabgesetzten Querwiderstand besäße, obwohl sie bis auf eine geringe Absorption stark lichtdurchlässig ist. Die Herstellung eines genügend feinen metallischen Rasters ist technisch durchaus möglich; sie kann mit den nachlbenannten Verfahren und technischen Mitteln erfolgen.An optical-electrical mixer constructed in accordance with the invention Converter can be constructed as follows, for example: On the light-sensitive Layer, e.g. B. a barrier layer opto-element, iist a thin, coherent metal layer arranged, for example by vapor deposition of the photosensitive Layer. In order to achieve high LiAtdu'rchläsisigkeit this layer is so thin that it despite the use of a highly conductive material such as gold, silver, copper, etc., one cannot wear it would have high transverse resistance if it were to serve as an electrode on its own. Immediately on this metallic layer, a fine cross grid is arranged, the webs of which are preferably made of the same 6g Metal exist like the metallic layer and are in electrically conductive connection with the same and are good leaders themselves. The mesh size of the cross grid can be ζ. Β. ο, ί mm while the thickness of the individual bars of the grid is determined to be about ο, οΐ mm. Such a grid causes no significant impairment of this incidence of light, but has a greatly reduced electrical cross resistance. Through the conductive connection of all webs of the grid with the thin metal layer there is the same effect as with this thin layer itself would have a reduced transverse resistance, although it is strong apart from a slight absorption is translucent. The production of a sufficiently fine metallic grid is quite technical possible; it can be carried out using the procedures and technical means listed below.
Um die Lichtdurchlässigkeit der beschriebenen Elektrode durch Unterdrücken der Reflexion des einfallenden Lichtes noch zu steigern, ist die dem Lichteinfall zugewandte Begrenzungsfläche der dünnen, metallischen Schicht mindestens an den ,Stellen zwischen den Stegen des Rasters mit einer durchsichtigen, dielektrischen Deckschicht überzogen, deren Dicke gleich einem ungeraden Vielfachen eines Viertels der Wellenlänge des einfallenden. Lichtes von einer ungefähr in der Mitte des Übertragungsbereiches liegenden Frequenz ist. Dadurch ergibt sich, daß an der '.Grenzfläche zwischen Luft und Deckschicht und Deckschicht und metallischer 'Schicht reflektierte Amplituden des einfallenden" Lichtes außerhalb der Deckschicht einen Phasenunterschied von einer halben Wellenlänge aufweisen und bei entsprechender Wahl der Brechzahl angenähert gleiche Amplitude besitzen, so daß sie sich infolge von Interferenz gegenseitig aufheben. Die Aufhebung ist für eine Lichtfrequenz, die der mittleren Übertragungsfrequenz entspricht, vollkommen, für das gesamte sichtbare Spektrum ist sie aber immer noch so beträchtlich, daß eine nennenswerte Wirkungssteigerung eintritt. Aus energetischen Gründen steigt infolge der so erzielten Verringerung der Reflexion die Durchlässigkeit des ganzen Gebildes, daß praktisch nur noch die an sich geringe Absorption der metallischen Schicht übrigbleibt. Wenn letztere z. B. aus Silber besteht, so gelingt es auf diese Weise, eine maximale Lichtausbeute von ungefähr 90% bei gleichzeitig guter Leitfähigkeit der Elektrode zu erzielen.In order to increase the light transmission of the described electrode by suppressing the reflection of the Incident light is to be increased by the boundary surface facing the incidence of light thin, metallic layer at least on the , Areas between the bars of the grid covered with a transparent, dielectric cover layer, whose thickness is equal to an odd multiple of a quarter of the wavelength of the incident. Light of a frequency lying approximately in the middle of the transmission range. Through this it follows that at the boundary between air and top layer and top layer and metallic 'Layer reflected amplitudes of the incident "light outside the cover layer Have a phase difference of half a wavelength and with an appropriate choice of the refractive index have approximately the same amplitude, so that they cancel each other out due to interference. The cancellation is for a light frequency that corresponds to the mean transmission frequency, perfect, but for the entire visible spectrum it is still so considerable that one significant increase in effectiveness occurs. For energetic reasons, increases as a result of the achieved Reduction of the reflection the permeability of the whole structure that practically only the per se low absorption of the metallic layer still remains. If the latter z. B. made of silver exists, it is possible in this way to achieve a maximum light output of approximately 90% at the same time to achieve good conductivity of the electrode.
Da die dielektrische Deckschicht aus einem mechanisch und chemisch widerstandsfähigen Material besteht, schützt sie die dünne Metallschicht sowie die lichtempfindliche Schicht gegen atmosphärische Einflüsse. Der optisch-elektrische Wandler erhält so große Beständigkeit, indem die Wirkung der Deckschicht in dieser Hinsicht etwa dieselbe ist, wie wenn der Wiandler selbst im Hochvakuum untergebracht wäre.Because the dielectric cover layer consists of a mechanically and chemically resistant Material, it protects the thin metal layer as well as the light-sensitive layer against atmospheric agents Influences. The opto-electrical converter is thus given great durability by the The effect of the top layer in this respect is roughly the same as when the converter itself is in a high vacuum would be housed.
Die Deckschicht kann auf die bereits mit Raster versehene Elektrode aufgedampft sein, wobei. esThe cover layer can be vapor-deposited onto the electrode already provided with a grid, wherein. it
gleichgültig ist, ob die Schicht auch die Stege des Rasters selbst bedeckt oder nicht.It does not matter whether the layer also covers the bars of the grid itself or not.
Der beschriebene optisch-elektrische Wandler zeigt nicht nur einen wesentlich höheren Wirkungsgrad gegenüber den bisher bekannten Wandlern, sondern auch einen fast vollkommenen linearen Zusammenhang zwischen Lichteinfall und erzeugtem Photostrom.The described opto-electrical converter not only shows a significantly higher degree of efficiency compared to the previously known transducers, but also an almost perfect linear relationship between incident light and generated photocurrent.
Die zur Herstellung erfindungsgemäß auisgebildeter optisch-elektrischer Wandler anzuwendenden Herstellungsverfahren, kennzeichnen sich grundsätzlich dadurch, daß auf der lichtdurchlässigen Metallelektrode des Wandlers ein elektrisch gut leitendes Rasternetz erzeugt und das Rasternetz mit der Metallelektrode elektrisch leitend verbunden wird. Das kann zunächst dadurch geschehen, daß man Elektrode und Rasternetz unabhängig voneinander herstellt und elektrisch leitend verbindet. Man gewinnt dadurch die Möglichkeit, in der Stoffauswahl für beide Teile keinerlei Beschränkungen unterworfen zu sein. Wesentliche Vereinfachungen ergeben sich jedoch, wenn man die Herstellung beider Teile gemeinsam vornimmt, wobei Metallelektrode und Rasternetz mittels derselben metallischen Komponente hergestellt sein können, wobei diese Komponente aus denselben Metallen, Metallegierungen, festen Metallösungen, intermediären Metallverbindungen od. dgl. zu bestehen vermag. Insbesondere kann in einer der Bildung der lichtdurchlässigen Metallelektrode und des Rasternetzes dienenden Metallschicht das Rastermetz dadurch erzeugt werden, daß Metall in einem den Rasterzwischenräumen entsprechenden Ausmaß, daß also der zwischen den Stehen des Rasternetzes befindliche Werkstoff entfernt wird. Es gibt die umgekehrte Möglichkeit, auf der Metallelektrode das Rasternetz zu erzeugen oder aufzubauen. Als hierzu geeignetes Verfahren bietet sich das Aufdampfen an. Es sind bereits im Vakuum durchzuführende Bedampfungsverfahren im einzelnen vorgeschlagen worden, mit deren Hilfe es möglich ist, die den Zwischenräumen eines Rasternetzes entsprechenden Ausnehmungen in dünnen Schichten oder die den Stegen eines Rasternetzes entsprechenden Aufbauten in dünner Schicht zu erzeugen. Durch Bedampfungsverfahren kann man außerdem die Metallelektrode mit oder ohne im gleichen Vakuum erfolgende Erzeugung des Rasternetzes herstellen, ohne daß gleichwertige Verfahren, wie Aufstäuben, Hestellung im Wege der Kathodenzerstäubung oder Erzeugen der Schichten und Stege durch chemische oder thermische Prozesse, ausgeschlossen wären.The optical-electrical converters to be used for the production of the optical-electrical converters formed according to the invention Manufacturing processes are basically characterized by the fact that on the translucent Metal electrode of the transducer creates an electrically conductive grid and that Grid is connected to the metal electrode in an electrically conductive manner. This can be done initially happen that the electrode and grid are produced independently and electrically conductively connects. This gives you the opportunity to choose the fabric for both parts not to be subject to any restrictions. However, there are significant simplifications, if you make both parts together, with metal electrode and grid can be made by means of the same metallic component, this component from same metals, metal alloys, solid metal solutions, intermediate metal compounds or the like is able to exist. In particular, in one of the formation of the transparent metal electrode and the metal layer serving the grid, the grid are generated in that Metal to an extent corresponding to the spacing between the grids, that is to say that between the The material located in the grid is removed. There is the opposite possibility, to generate or build up the grid on the metal electrode. As a suitable method for this evaporation is a good option. There are already evaporation processes to be carried out in a vacuum has been proposed in detail, with the help of which it is possible to create the spaces between a Grid network corresponding recesses in thin layers or the webs of a grid network to produce corresponding structures in a thin layer. By vapor deposition can you also the metal electrode with or without taking place in the same vacuum generation of the Create a grid without any equivalent processes, such as sputtering, production in the way cathode sputtering or the creation of layers and webs by chemical or thermal processes Processes would be excluded.
In weiterer Durchführung des Erfindungsgedankens können Vorteile dadurch erzielt wenden, daß auf der dem einfallenden Licht zugewandten Begrenzungsfläche der Metallelektrode wenigstens in einem den Zwischenräumen zwischen den Rasterstegen entsprechenden Ausmaß eine mindestens aus einem Dielektrikum bestehende Schicht erzeugt wird, deren Brechzahl so gewählt und 'deren Dicke so eingestellt sind, daß an der Grenzfläche zwischen Luft und Dielektrikum sowie an der Grenzfläche..^In further implementation of the inventive concept, advantages can be achieved by that on the boundary surface of the metal electrode facing the incident light at least to an extent corresponding to the interstices between the grid webs at least one a dielectric layer is produced, the refractive index of which is selected and whose thickness are set so that at the interface between air and dielectric and at the interface .. ^
zwischen Dielektrikum und Metallelektrode reflektierte Amplituden einfallenden Lichtes sich für eine in der Mitte des Ubertragungsbereieib.es liegende Frequenz ganz oder größtenteils aufheben. Das kann erreicht werden, indem die Dicke des Dielektrikums auf ein Viertel der Wellenlänge einfallenden Lichtes von einer in der Mitte des Übertragungsbereidhes liegenden Frequenz oder auf ein ungerades Vielfache dieses Wertes bemessen wird. Geeignete Brechzahlen weisen dabei Stoffe auf, die als chemisch und mechanisch widerstandsfähige Dielektriken anzusprechen sindyJDas gilt bespielsweise für Metalloxydie/^J^^nTcimimdioxyd (,SiO2); in Betracht kommt auch Silieiummonoxyd (SiO). Zu nennen sind weiter die Metallsulfide wie beispielsweise Zinksulfide (ZnS). Brauchbar sind auch die Metallfluoride wie beispielsweise Magnesiumfluorid (Mg1E). Schließlich sind auch noch die Phosphide und ähnliche Verbindungen zwischen Metallen, Metalloiden bzw. Gasen zu nennen. Naturgemäß ist es auch möglich, derartige Dielektriken, die auch aus Mischungen verschiedener Oxyde, verschiedener Sulfide, verschiedener Fluoride usw. oder aus 'Mischungen zwischen Oxyden und Sulfiden, Oxyden und Fluoriden u. dgl. bestehen können, außer auf den zwischen den Rasterstegen liegenden freien Flächen der Metallelektrode auch auf den Rasterstegen selbst anzuordnen. Dadurch erreicht man nicht nur durch vollständige oder nahezu vollständige Beseitigung der Reflexion einen erhöhten Wirkungsgrad des Wandlers, sondern man kann zum Aufbau des Rasters auch Werkstoffe verwenden, deren Beständigkeit gegenüber der Atmosphäre nicht so groß ist wie diejenige der Edelmetalle, aus denen man bisher die Metallelektroden herstellen mußte. Dadurch nämlich, daß chemisch und mechanisch widerstandsfähige, reflexionsvermindernde oder reflexionsbeseitigende Schichten aus Dielektriken Metallelektrode und gegebenenfalls auch das Raster schützen, können nunmehr elektrisch gut leitende Metalle, wie Kupfer oder Kupferlegierungen, zur Anwendung kommen, wenn man statt des früher üblichen Goldes nicht Silber zum Aufbau der Elektrode und/oder des Rasters verwendet.The amplitudes of incident light reflected between the dielectric and the metal electrode cancel each other out entirely or for the most part for a frequency lying in the middle of the transmission area. This can be achieved by measuring the thickness of the dielectric at a quarter of the wavelength of incident light from a frequency in the middle of the transmission range or to an uneven multiple of this value. Suitable refractive indices have substances that can be referred to as chemically and mechanically resistant dielectrics. This applies, for example, to metal oxide / ^ J ^^ nTcimimdioxyd (, SiO 2 ); Silicon monoxide (SiO) can also be considered. Metal sulfides such as zinc sulfides (ZnS) should also be mentioned. Metal fluorides such as magnesium fluoride (Mg 1 E) can also be used. Finally, the phosphides and similar compounds between metals, metalloids and gases should also be mentioned. Of course, it is also possible to have such dielectrics, which can also consist of mixtures of different oxides, different sulfides, different fluorides, etc. or of 'mixtures between oxides and sulfides, oxides and fluorides and the like, except for the free ones between the grid webs To arrange surfaces of the metal electrode on the grid bars themselves. This not only increases the efficiency of the converter by completely or almost completely eliminating the reflection, but also using materials for the construction of the grid whose resistance to the atmosphere is not as great as that of the noble metals from which the metal electrodes were previously made had to make. Because chemically and mechanically resistant, anti-reflective or anti-reflective layers of dielectrics protect the metal electrode and possibly also the grid, metals with good electrical conductivity, such as copper or copper alloys, can now be used if instead of the previously common gold, silver is not used for the structure the electrode and / or the grid is used.
Claims (1)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CH294869T | 1950-09-23 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE889814C true DE889814C (en) | 1953-09-14 |
Family
ID=25733547
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DEV3748A Expired DE889814C (en) | 1950-09-23 | 1951-09-18 | Opto-electrical converter with translucent metal electrode and process for manufacturing opto-electrical converter |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| CH (2) | CH301353A (en) |
| DE (1) | DE889814C (en) |
| GB (1) | GB708449A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1044298B (en) * | 1952-04-29 | 1958-11-20 | Standard Elektrik Lorenz Ag | Photo element |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR1491300A (en) * | 1966-05-05 | 1967-08-11 | Thomson Houston Comp Francaise | Improvements to secondary emission conduction targets and electron tubes incorporating them |
| US5060805A (en) * | 1989-06-20 | 1991-10-29 | Ebara Research Co., Ltd. | Photoelectron emitting member |
-
1950
- 1950-09-23 CH CH301353D patent/CH301353A/en unknown
- 1950-09-23 CH CH294869D patent/CH294869A/en unknown
-
1951
- 1951-09-18 DE DEV3748A patent/DE889814C/en not_active Expired
- 1951-09-24 GB GB2232751A patent/GB708449A/en not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1044298B (en) * | 1952-04-29 | 1958-11-20 | Standard Elektrik Lorenz Ag | Photo element |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CH294869A (en) | 1953-11-30 |
| CH301353A (en) | 1954-08-31 |
| GB708449A (en) | 1954-05-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE2903866C2 (en) | Display device | |
| EP2890655B1 (en) | Coated pane with partially uncoated sections | |
| DE69935166T2 (en) | layer product | |
| DE112013002780T5 (en) | Piezoelectric device | |
| DE2715427A1 (en) | IMPROVED ELECTRODE CONSTRUCTION FOR FLEXIBLE ELECTROLUMINESCENT LAMPS | |
| EP1092689A1 (en) | Conducting transparent coatings and method for their production | |
| DE102012215041A1 (en) | Method for producing a semiconductor element of a direct-converting X-ray detector | |
| DE112018004850T5 (en) | TRANSPARENT LADDER AND ORGANIC DEVICE | |
| DE889814C (en) | Opto-electrical converter with translucent metal electrode and process for manufacturing opto-electrical converter | |
| DE2347525C3 (en) | Solar control glass | |
| DE2754526A1 (en) | METHOD OF MANUFACTURING A PHOTOCATHOD FOR ELECTRORADIOGRAPHIC AND ELECTROFLUOROSCOPIC APPARATUS | |
| DE1299311B (en) | Storage electrode for Vidicon image pick-up tubes | |
| DE102017218832A1 (en) | Door for a household microwave oven | |
| DE3807600A1 (en) | LOW-REFLECTIVE, HIGHLY TRANSPARENT IN SUN PROTECTION AND / OR THERMAL INSULATING COATING FOR A SUBSTRATE MADE OF TRANSPARENT MATERIAL | |
| DE4442045A1 (en) | Interference filter for ultraviolet, visible and near infrared light | |
| CH221477A (en) | Photoelectric cathode and process for its manufacture. | |
| DE1018171B (en) | Screen with associated photosensitive and electroluminescent elements | |
| DE69213782T2 (en) | Process for the production of transparent zinc oxide films | |
| DE1639329B2 (en) | Solid-state image converter | |
| DE1539899B1 (en) | SOLID STATE IMAGE CONVERTER AND IMAGE AMPLIFIER | |
| DE1194516B (en) | Solid-state image converter or image amplifier | |
| DE1119357B (en) | Process for the production of an electrically conductive, translucent layer on any carrier material | |
| DE1764082A1 (en) | Photoconductor | |
| DE1489118B2 (en) | SOLID IMAGE AMPLIFIER | |
| DE2715483C3 (en) | X-ray or gamma-ray converter and method for making its cathode system |