Claims (8)
3116/EPC3116 / EPC
12. Dezember 1983December 12, 1983
EP 82902885.1EP 82902885.1
NCR Corporation,NCR Corporation,
World Headquarters,World Headquarters,
Dayton, Ohio 45 479 (V.St.A.)Dayton, Ohio 45 479 (V.St.A.)
Übersetzung der Patentansprüche
2Q _Translation of the claims
2Q _
. Verfahren zum Bilden eines Ox.idbereichs in einem Teil eines Halbleitersubstrats (10) mit den Schritten: Bilden
einer Siliziumoxidschicht (11) auf einer Oberfläche des Substrats (10) und Bilden einer Siliziumnitridschicht (12) auf einem Teil der Oxidschicht (11) und
mit Kanten, die einen aktiven Bereich des Substrats definieren, gekennzeichnet durch die
Schritte: Bilden einer Maske (14) auf der Nitrid-. A method for forming an oxide region in part of a semiconductor substrate (10), comprising the steps of: forming
a silicon oxide layer (11) on a surface of the substrate (10) and forming a silicon nitride layer (12) on a part of the oxide layer (11) and
with edges defining an active area of the substrate, characterized by the
Steps: Forming a mask (14) on the nitride
3Q schicht (12), wobei zumindest eine Kante einen vorbestimmten
Abstand über die Nitridschicht ragt; Bilden eines dotierten Bereichs in dem Substrat (10) mit
einer Kante, dessen Position relativ zu einer Kante der Nitridschicht (12) bestimmt wird durch die überragende
Kante der Maske (14); und thermisches Oxidieren
des Substrats (10), wodurch zumindest ein Teil3Q layer (12), with at least one edge having a predetermined
Distance protrudes over the nitride layer; Forming a doped region in the substrate (10) with
an edge, the position of which is determined relative to an edge of the nitride layer (12) by the protruding
Edge of the mask (14); and thermal oxidizing
of the substrate (10), whereby at least a part
der dotierten Schicht in einen Oxidbereich (18) umgewandelt wird.the doped layer is converted into an oxide region (18).
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt thermisches Oxidieren
des Substrats (10) bei einer Temperatur unterhalb etwa 800° C ausgeführt wird.2. The method according to claim 1, characterized in that the step of thermal oxidation
of the substrate (10) is carried out at a temperature below about 800 ° C.
IQ 3- Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt Bilden einer Maske
(14) die Schritte Bilden einer Photowiderstandsschicht (14) mit Kanten auf der Nitridschicht (12) und fitzen
der Nitridschicht aufweist, derart, daß zumindest eine Kante der Photowiderstandsschicht (14) über die Nitridschicht
(12) um den bestimmten Abstand ragt. IQ 3 method according to claim 1, characterized in that the step of forming a mask (14) comprises the steps of forming a photoresist layer (14) with edges on the nitride layer (12) and fitting the nitride layer such that at least one edge of the photoresist layer (14) protrudes over the nitride layer (12) by the certain distance.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß der Schritt Bilden eines do-
tierten Bereichs die Schritte Implantieren von Ionen in dem Substrat (10), derart, daß die überstehende Kante
der Maske (14) das Substrat (10) direkt unterhalb der die Maske überragenden Kante vor einem Dotieren
schützt; Entfernen der Maske (14) und Diffundieren der implantierten Ionen in das Substrat (10) bis zu
einem vorbestimmten seitlichen Abstand unterhalb der Position der entfernten überstehenden Kante der Maske
(14).4. The method according to claim 1, characterized in that the step of forming a do-
oriented area, the steps of implanting ions in the substrate (10), such that the protruding edge
of the mask (14), the substrate (10) directly below the edge projecting beyond the mask before doping
protects; Removing the mask (14) and diffusing the implanted ions into the substrate (10) up to
a predetermined lateral distance below the position of the removed overhanging edge of the mask
(14).
5- Verfahren nach Anspruch 3, dadurch g e k e η η zeichnet,,
daß der Schritt des Implantierens von Ionen ein Implantieren von Arsen oder Phosphorionen mit einer
Energie im Bereich von etwa 80-100 keV aufweist.5- The method according to claim 3, characterized in that g e k e η η draws,
that the step of implanting ions is implanting arsenic or phosphorus ions with a
Energy in the range of about 80-100 keV.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch
gekennzeichnet , daß der Schritt des
thermischen Oxidierens des Substrats (TO) nur zum6. The method according to any one of claims 1 to 5, characterized in that the step of thermal oxidizing the substrate (TO) only for
Oxidieren eines oberen Teils des dotierten Bereichs
wirksam ist und ferner gekennzeichnet durch die Schritte Entfernen des so gebildeten Oxidbereichs, um einen
unteren Teil des dotierten Bereichs freizulegen und thermisches Oxidieren des Substrats (10) mit einer Temperatur unterhalb etwa 800° G um den unteren Teil des
dotierten Bereichs umzuwandeln, um einen weiteren Oxidbereich (21) zu bilden mit einer Oberfläche, die im
wesentlichen koplanar mit der Oberfläche des SubstratsOxidizing an upper part of the doped region
is effective and further characterized by the steps of removing the oxide region so formed to a
to expose the lower part of the doped region and thermally oxidize the substrate (10) at a temperature below about 800 ° G around the lower part of the
to convert doped region to form a further oxide region (21) with a surface in the
substantially coplanar with the surface of the substrate
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, g e ken
η ζ eich η e t durch die Schritte Ätzen des
Oxidbereichs (18) derart, daß zumindest eine Kante der Nitridschicht (12) über die Oxidschicht (11 ) um einen
vorbestimmten Betrag übersteht; Bilden eines weiteren dotierten Bereichs in dem Substrat (10) mit einer Kante,
deren Position relativ zu einer Kante der Oxid-7. The method according to any one of claims 1 to 5, g e ken
η ζ calibrates η e t through the etching steps of the
Oxide region (18) such that at least one edge of the nitride layer (12) over the oxide layer (11) by one
survives a predetermined amount; Forming a further doped region in the substrate (10) with an edge,
their position relative to an edge of the oxide
: schicht (1 1 )': bestimmt ist durch die überstehende Kante
der Nitridschicht (12) und thermisches Oxidieren des Substrats (TO) bei einer Temperatur unterhalb
etwa 800° C, um einen weiteren Oxidbereich (21) zu
bilden mit einer Oberfläche, die im wesentlichen koplanar mit einer Oberfläche des Substrats (10) ist. : layer (1 1) ': is determined by the protruding edge of the nitride layer (12) and thermal oxidation of the substrate (TO) at a temperature below about 800 ° C in order to form a further oxide area (21) with a surface that is substantially coplanar with a surface of the substrate (10).
8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch ge kennzeichnet , daß der Schritt Bilden eines weiteren
dotierten Bereichs die Schritte Implantieren von8. The method according to claim 7, characterized in that the step of forming a further
doped area the steps of implanting
Ionen mit einer Energie in dem Bereich von etwa: 30Ions with an energy in the range of about: 30
30-50 keV und Diffundieren der so implantierten Ionen
in das Substrat (10) bis zu einem vorbestimmten zeitlichen Abstand unterhalb der..Kante der. Nitridschicht
(12) aufweist.30-50 keV and diffusion of the ions so implanted
in the substrate (10) up to a predetermined time interval below the edge of the. Nitride layer
(12).
■r·■■-■■·■ 9 J Verfahren nach Anspruch 6 oder 7, dadurch g e k
e η η zeich η e t , daß die Schritte: thermisches■ r · ■■ - ■■ · ■ 9 J The method according to claim 6 or 7, characterized in that the steps: thermal
Oxidieren des Substrats (10) bei Temperaturen im Bereich
von etwa 700-800 C bewirkt werden.Oxidizing the substrate (10) at temperatures in the range
from about 700-800 ° C.