DE8112436U1 - Device for the automatic adjustment of flat objects with two reference points, in particular in the manufacture of semiconductor components - Google Patents
Device for the automatic adjustment of flat objects with two reference points, in particular in the manufacture of semiconductor componentsInfo
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Description
Bei der Herstellung von elektrischen Halbleitern werden auf Kopiermasken befindliche, einander ähnliche Strukturen aufeinander abgebildet·und kopiert. Dabei ist es wesent-^ · •lieh, daß Maske und Substrat (Wafer) während des Kopiervorganges zueinander ausgerichtet sind.In the manufacture of electrical semiconductors, structures that are located on copy masks and are similar to one another are created mapped onto each other and copied. It is essential- ^ • lent the mask and substrate (wafer) during the copying process are aligned with each other.
Zu diesem Zweck ist beispielsweise aus der US-PS 4 211 489 eine mit einem Laser arbeitende Vorrichtung zum automatischen Justieren der Photomaske gegenüber dem Wafer bekannt. Für den Justiervorgang weisen die Photomaske and der Wafer jeweils zwei Bezugsmarkierungen auf, die durch gesteuerte Relativbewegung zwischen der Photomaske und dem Wafer zur Deckung gebracht werden. Das hierfür erforderliche Steuersignal wird in der folgenden Weise abgeleitet. Der von dem Laser herrührende Laserstrahl wird in zwei zueinander parallele Bezugsstrahlenbündel aufgeteilt, deren Abstand gleich dem der Bezugsmarkierungen auf der Photomaske und dem Wafer sind. In der Soll-Stellung sind die beiden Bezugsmarkierungen auf der Photomaske und dem Wafer in Deckung und befinden sich im Strahlengang der beiden zueinander parallelen Laserstrahlbündel. Befinden sich die Bezugsmarkierungen auf der Photomaske und dem Wafer nicht in Deckung und/oder weichen vom Strahlengang der beiden Lichtstrahlenbündel ab, so werden aus dem reflektierten Licht Steuersignale für die Positionierung der Photomaske gegenüber dem Wafer abgeleitet, so daß man die gewünschte Soll-Stellung erhält.For example, US Pat. No. 4,211,489 discloses a device which operates with a laser known for the automatic adjustment of the photomask with respect to the wafer. The photo mask is used for the adjustment process and the wafer each have two reference marks, which are created by controlled relative movement between the photomask and the wafer are brought into register. The control signal required for this is derived in the following way. The laser beam from the laser is split into two parallel reference beams, whose spacing is equal to that of the reference marks on the photomask and the wafer. In the target position the two reference marks on the photomask and the wafer are in line and are in the beam path of the two parallel laser beams. Are the fiducial marks on the photomask and the wafer do not coincide and / or deviate from the beam path of the two light beam bundles, so are reflected from the Light control signals for the positioning of the photomask relative to the wafer are derived, so that you get the desired Target position received.
Aufgabe der Erfindung ist es, bei einer derartigen automatischen Justiervorrichtung eine einfache und präzise Einrichtung vorzusehen, mit deren Hilfe eine Vorjustierung von Hand, eine Kontrolle der automatischen Justierung und/The object of the invention is to provide a simple and precise device for such an automatic adjusting device provide, with the help of which a pre-adjustment by hand, a check of the automatic adjustment and /
Γ -5- ·Γ -5-
oder eine Ermittlung der Soll-Parameter für die automatische Justierung vorgenommen werden können.or the target parameters for the automatic adjustment can be determined.
Zur Lösung dieser Aufgabe weist die Vorrichtung gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1 ein sogenanntes Splitfield-To solve this problem, the device according to the preamble of claim 1 has a so-called split field
Mikroskop auf, dessen beide Strahlengänge zumindest im Bereich der Bezugsmarkierungen auf der Photomaske und dem J ' Wafer mit den entsprechenden Strahlengängen der beiden Lichtstrahlenbundel zur Deckung gebracht werden können.Microscope, the two beam paths at least in the area of the reference markings on the photomask and the J 'wafer with the corresponding beam paths of the two light beam bundles can be brought to cover.
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Das Wesen der Erfindung besteht somit allgemein darin, ein sogenanntes Splitfield-Mikroskop mit einer automatischen Justiervorrichtung zu kombinieren, deren Bezugsposition durch zwei im wesentlichen parallele Lichtstrahlenbündel definiert wird, wobei durch geeignete optische Einrichtung die Strahlengänge der beiden Lichtstrahlenbundel mit den zugehörigen beiden Strahlengängen des Splitfield-Mikroskops zumindest in der Nähe der Bezugsmarkierungen des zu justierenden Objekts zur Deckung gebracht werden. In diesem Sinne ist die erfindungsgemäße Vorrichtung nicht auf die hier näher beschriebene Justierung von Wafern und Photomasken bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen beschränkt.The essence of the invention thus generally consists in a so-called splitfield microscope with an automatic one Combine adjusting device whose reference position is determined by two essentially parallel light beams is defined, the beam paths of the two light beam bundles with the suitable optical device associated two beam paths of the splitfield microscope be brought into congruence at least in the vicinity of the reference markings of the object to be adjusted. In this sense the device according to the invention is not based on the adjustment of wafers and photomasks described in more detail here limited in the manufacture of semiconductor components.
Die erfindungsgemäße Vorrichtung ist außerordentlich kompakt aufgebaut und ermöglicht eine präzise Parametervorgabe und überwachung der automatischen Justierung. Als besonders vorteilhaft ist anzusehen, daß für die Betrachtung mit dem Splitfield-Mikroskop die gleichen Bezugsmarkierungen auf dem zu justierenden Objekt wie für den automatischen Justiervorgang ausgenutzt werden können und somit Positionierungsfehler aufgrund verschiedener Bezugspunkte bei den beiden Justiervorgängen vermieden werden. Auch ist keine Relativbewegung zwischen der Justiervorrichtung und dem Objekt beim übergang vom Justieren mit dem Splitfield-35 Mikroskop zum automatischen Justieren oder umgekehrt erforderlich, da die Strahlengänge in Bereich der Bezugsmarkie-The device according to the invention is extremely compact and enables precise parameter specification and monitoring of the automatic adjustment. As special It is advantageous to consider that the same reference markings are used for viewing with the splitfield microscope can be used on the object to be adjusted as well as for the automatic adjustment process and thus positioning errors can be avoided in the two adjustment processes due to different reference points. Also is none Relative movement between the adjustment device and the object during the transition from adjustment with the Splitfield-35 Microscope required for automatic adjustment or vice versa, as the beam paths in the area of the reference mark
L -IL -I
Γ ' ·" ΠΓ '· "Π
— ο-Ι rungen auf dem Objekt in beiden Fällen übereinstimmen; vielmehr muß lediglich der Objektivschuh des Mikroskops in den Laserstrahlengang hinein-(eventuell mit einem einfachen Positionierungsanschlag) bzw. aus diesem herausgeschwenkt wer-5 den. Positionierungsfehler aufgrund ungenauer Bewegungsabläufe zwischen den beiden Justiervorgängen werden dadurch vermieden.- ο -ings on the object match in both cases; much more only the lens shoe of the microscope has to be inserted into the laser beam path (possibly with a simple positioning stop) or swiveled out of this. Positioning errors due to imprecise motion sequences between the two adjustment processes are thus avoided.
Vorzugsweise sind die Abstände der Strahlengänge der beiden Lichtstrahlenbünden und/oder des Splitfield-Mikroskops I 10 verstellbar, wobei dieser Verstellvorgang erfindungsgemäß I gekoppelt, d.h. gemeinsam erfolgt, so daß bei einer erfor-The distances between the beam paths of the two light beam bundles and / or of the split-field microscope are preferably I 10 adjustable, this adjusting process according to the invention I coupled, i.e. carried out together, so that when a
I . derlich werdenden Verstellung des Abstandes aufgrund eines |: anderen Abstandes der Bezugsmarkierungen auf dem ObjektI. derlich becoming adjustment of the distance due to a |: Different spacing of the reference marks on the object
I . . durch ein einziges Nachstellen sowohl das Splitfield-S 15 Mikroskop als auch die Lichtstrahlenbündel für das automay '" tische Justieren gemeinsam auf den neuen Wert eingestellt ■; werden.I. . by adjusting both the Splitfield-S 15 microscope and the light beam for the automatic adjustment are set to the new value together ■; will.
I Vorteilhafte Weiterbildungen ergeben sich ferner aus denI Advantageous further developments can also be found in the
Ϊ 20 Unteransprüchen sowie aus der nachstehenden Beschreibung '!" · eines Ausführungsbeispieles mit Bezug auf die Zeichnung.Ϊ 20 subclaims and from the description below '! "· Of an embodiment with reference to the drawing.
• · Es zeigen:• · Show it:
•i Fig. 1 eine teilweise geschnittene schematische Vorder-• i Fig. 1 is a partially sectioned schematic front
i 25 ansicht der erfindungsgemäßen Justiervorrichtungi 25 view of the adjusting device according to the invention
; und; and
r Fig. 2 eine teilweise geschnittene Seitenansicht derr Fig. 2 is a partially sectioned side view of the
; Vorrichtung gemäß Fig. 1.; Device according to FIG. 1.
30 Bei der dargestellten Ausführungsform ist auf einem Objekttisch 1 ein Substrat oder Wafer 2 befestigt, über dem planparallel eine Maske 3 angeordnet ist. Sowohl die Maske 3 als auch das Substrat 2 weisen jeweils mindestens zwei * einander entsprechende Bezugsmarkierungen 3a bzw. 2a von30 In the embodiment shown, it is on an object table 1, a substrate or wafer 2 is attached, over which a mask 3 is arranged plane-parallel. Both the mask 3 as well as the substrate 2 each have at least two reference markings 3a and 2a corresponding to one another
35 einigen Zehntel mm Kantenlänge auf. Beispiele für derartige Bezugsmarkierungen sind in der US-PS 4 211 489 beschrieben; so können etwa die beiden Bezugsmarkierungen 2a auf35 an edge length of a few tenths of a mm. Examples of such fiducial marks are described in U.S. Patent 4,211,489; for example, the two reference markings 2a
ii dem Substrat 2 den diagonal unterteilten Beugungsgitternii the substrate 2 the diagonally divided diffraction gratings
j L Jj L J
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auf dem Wafer und die Bezugsmarkierungen 3a der Maske 3 den beiden lichtundurchlässigen Richtmarken auf der Maske bei der US-PS entsprechen.on the wafer and the reference marks 3a of the mask 3 correspond to the two opaque alignment marks on the mask in the US-PS.
Die automatische Justierung erfolgt mit Hilfe eines Lasers 4, dessen geeignet koZLinier.tes Laserstrahlenbündel 5 in einem Teilerprisma 6 in zwei zueinander parallele (Teil)-Lichtstrahlenbündel 7, 7* aufgespalten wird, die schließlich über Ablenkprismen 8 bzw. 8' so zueinander parallel abgelenkt werden, daß sie etwa senkrecht auf der aus Maske 3The automatic adjustment takes place with the help of a laser 4, whose suitably coZLinier.tes laser beam bundle 5 in a splitter prism 6 in two parallel (partial) light beams 7, 7 * is split up, which finally via deflecting prisms 8 and 8 'so parallel to each other be deflected so that they are approximately perpendicular to the mask 3
und Wafer 2 bestehenden Kombination auftreffen. ' |,and wafer 2 existing combination hit. '|,
Das Teilerprisma 6 sowie die beiden Abienkprismen 8 ' 1The splitter prism 6 and the two Abienkprisms 8 '1
" befinden sich auf einem Prismensclilitteri 9, auf dem mit |."are on a prismatic lens 9 on which |.
^^
Hilfe von.Stellschrauben 10 bzw. 10' die beiden Ablenk- |. prismen 8 bzw. 81 (in der Zeichnung) horizontal so verscho- ;; ben werden können, daß der Abstand der beiden austretenden Lichtstrahlenbündel 7 bzw. 7' voneinander gleich dem Sollabstand zwischen den Bezugsmarkierungen 2a, 3a einerseitsThe two deflection |. prisms 8 or 8 1 (in the drawing) horizontally so displaced ;; ben can be that the distance between the two exiting light beams 7 and 7 'from each other is equal to the target distance between the reference markings 2a, 3a on the one hand
und 2a1, 3a1 andererseits entsprechen.and 2a 1 , 3a 1 on the other hand.
Zum automatischen Justieren kann beispielsweise die Maske 3 in ihrer Ebene linear verschoben (was durch den Doppelpfeil .For automatic adjustment, for example, the mask 3 can be shifted linearly in its plane (indicated by the double arrow.
angedeutet ist) und/oder um eine hierzu senkrechte Achse 25is indicated) and / or about an axis 25 perpendicular thereto
gedreht werden. Diese Bewegung erfolgt mit Hilfe einer nicht dargestellten automatischen Steuerung, wie sie etwa in der US-PS 4 211 489 erläutert ist. Zu diesem Zweck sind in den Gehäusen für die Ablenkprismen 8, 8· konzentrisch zu den ;to be turned around. This movement takes place with the help of an automatic control, not shown, such as in the U.S. Patent 4,211,489. For this purpose are in the housings for the deflecting prisms 8, 8 · concentric to the;
Lichtstrahlenbündeln 7 bzw. 71 jeweils mehrere Detektoren 11 30Light beams 7 and 7 1 each have a plurality of detectors 11 30
bzw. 11' kreisförmig angeordnet, mit deren Ausgangssignalen die Bewegung der Maske 3 aufgrund der durch die Bezugsmarkierungen 2a, 3a bzw. 2a1, 3a1 erzeugten Beugungsmuster gesteuert wird. Zur Kollinierung des Strahlengangs können ferner unmittelbar vor der Maske 3 Blenden 12 bzw. 12' vorge-. or 11 'arranged in a circle, with the output signals of which the movement of the mask 3 is controlled on the basis of the diffraction pattern generated by the reference markings 2a, 3a or 2a 1 , 3a 1. In addition, 3 diaphragms 12 or 12 'can be provided directly in front of the mask in order to collinate the beam path.
sehen sein.be seen.
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Gemäß Pig. 2 ist vor dem Prismenschlitten 9 ein Splitfield-Mikroskop 13 angeordnet, das mit Hilfe einer Halterung 14 am Gehäuse 15 der Vorrichtung befestigt ist..Das Splitfield-Mikroskop 13 weist bekanntlich zwei voneinander unabhängige Strahlengänge auf, von denen der eine Strahlengamg 16 zwischen dem einen Okular 17 und dem dazugehörigen Objektiv 18 strichpunktiert eingezeichnet ist. Am Austrittsende des Objektivs 18 ist ein Objektivschuh 19 mit zwei Ablenkprismen 20, 21 befestigt, so daß der Strahlengang 16 zwischen dem Ablenkprisma 21 und dem Wafer 2 mit dem zugehörigen Lichtstrahlenbündel 7 nach dem Ablenkprisma 8 zur Deckung gebracht werden kann. Entsprechendes gilt für den zweiten Strahlengang des Splitfield-Mikroskops 13, der mit dem Strahlengang■des Lichtstrahlenbündels 7' nach dem Ablenkprisma 8' zur Deckung gebracht werden kann, so daß man mit Hilfe des Splitfield-Mikroskops 13 die Relativlage von Maske 3 und Wafer 2 zum Strahlengang der Lichtstrahlenbündel 7 und 71 direkt überprüfen kann.'According to Pig. 2, a splitfield microscope 13 is arranged in front of the prism slide 9, which is attached to the housing 15 of the device with the aid of a bracket 14 Eyepiece 17 and the associated objective 18 is shown in phantom. At the exit end of the objective 18, an objective shoe 19 with two deflecting prisms 20, 21 is attached so that the beam path 16 between the deflecting prism 21 and the wafer 2 with the associated light beam 7 after the deflecting prism 8 can be brought into congruence. The same applies to the second beam path of the splitfield microscope 13, which can be made to coincide with the beam path ■ of the light beam 7 'after the deflecting prism 8' so that the relative position of mask 3 and wafer 2 can be determined with the aid of the splitfield microscope 13 to the beam path of the light beam 7 and 7 1 can check directly. '
Während des automatischen Justiervorgangs InIt- Hilfe der Lichtstrahlenbündel 7 und T vom Laser 4 wird der Objektiv-* schuh 19 aus dem Strahlengang der Lichtstrahlenbündel 7, 71 herausgeschwenkt, d.h. das Ablenkprisma 21 befindet sich nicht mehr im Strahlengang zwischen dem Prismenschlitten und der Maske-Wafer-Kombination.During the automatic adjustment process InIt - with the help of the light beam 7 and T from the laser 4, the objective shoe 19 is swiveled out of the beam path of the light beam 7, 7 1 , that is, the deflecting prism 21 is no longer in the beam path between the prism carriage and the mask. Wafer combination.
Die Verstellung der beiden Ablenkprismen 8 und 8' im Prisnienschlitten mit Hilfe der Stellschrauben 10 bzw. 10* kann unmittelbar mit der nicht dargestellten Verstelleinrichtung für den Abstand der beiden Objektive des Splitfield-Mikroskops.13 gekoppelt sein, so daß die Einstellung auf den Abstand, der Bezugsmarkierungen nur einmal vorgenommen werden muß.The adjustment of the two deflecting prisms 8 and 8 'in Prismatic slide using adjusting screws 10 or 10 * can be used directly with the adjusting device, not shown, for the distance between the two objectives of the splitfield microscope. 13 be coupled so that the adjustment to the spacing of the reference marks is only made once must become.
Gemäß Figur 2 ist der Laser 4 mit horizontaler Achse oberhalb des Gehäuses 15 in einem Laserhaus 22 angeordnet, und.According to Figure 2, the laser 4 is arranged with a horizontal axis above the housing 15 in a laser house 22, and.
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das aus dem Laser 4 austretende Lichtstrahlenbündel wird über ein Ablenkprisma 23 nach unten in das Teilerprisraa 6 abgelenkt. Durch diese Anordnung erhält man einen sehr kompakten Aufbau.the light beam emerging from the laser 4 is directed downwards into the splitter prism 6 via a deflecting prism 23 diverted. This arrangement results in a very compact structure.
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Zusammenfassung:Summary:
Vorrichtung zum automatischen Justieren von ebenen Objekten mit zwei Bezugspunkten, insbesondere bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen.Device for the automatic adjustment of flat objects with two reference points, especially during manufacture of semiconductor components.
Die Justiervorrichtung ermöglicht das automatische Positionieren eines ebenen Gegenstandes mit zwei Bezugspunkten in seiner Ebene gegenüber einer Soll-Position- Zu diesem Zweck werden zwei parallele Lichtsttahlenbündel mit den beiden Bezugspunkten des Gegenstandes zur Deckung gebracht, in_dem die Reflektion oder die Beugung der Lichtstrahlenbundel am Gegenstand durch Detektoren gemessen und hieraus ein Steuersignal abgeleitet wird, um damit die Bewegung des Gegenstandes in die Soll-Position zu steuern. Zur Vorjustierung, zur Parametervorgabe und/oder zur überwachung der automatischen Justierung wird ein Splitfield-Mikroskop vorgesehen, dessen beide Strahlengänge zumindest im Bereich der Bezugsmarkierungen des Gegenstandes mit den beiden Strahlengängen für die automatische Justierung zur Deckung gebracht werden können (Figur 2).The adjustment device enables the automatic positioning of a flat object with two reference points in For this purpose, two parallel light beam bundles with the two reference points are placed opposite a target position of the object brought into congruence, in_dem the reflection or the diffraction of the bundle of light rays on The object is measured by detectors and a control signal is derived from this in order to control the movement of the object to steer into the target position. For pre-adjustment, for A split-field microscope is provided for specifying parameters and / or for monitoring the automatic adjustment both beam paths at least in the area of the reference markings of the object with the two beam paths for the automatic adjustment can be made to coincide (Figure 2).
Claims (1)
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Cited By (2)
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---|---|---|---|---|
EP0169387A2 (en) * | 1984-06-25 | 1986-01-29 | Olympus Optical Co., Ltd. | Microscope |
AT413305B (en) * | 2003-01-31 | 2006-01-15 | Suess Microtec Lithography | METHOD AND DEVICE FOR ORIENTING A ADJUSTABLE MICROSCOPE USING THE MIRRORED ADJUSTING MASK |
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- DE DE8112436U patent/DE8112436U1/en not_active Expired
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0169387A2 (en) * | 1984-06-25 | 1986-01-29 | Olympus Optical Co., Ltd. | Microscope |
EP0169387A3 (en) * | 1984-06-25 | 1987-05-13 | Olympus Optical Co., Ltd. | Microscope |
AT413305B (en) * | 2003-01-31 | 2006-01-15 | Suess Microtec Lithography | METHOD AND DEVICE FOR ORIENTING A ADJUSTABLE MICROSCOPE USING THE MIRRORED ADJUSTING MASK |
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