DE744298C - Arrangement to reduce the sensitivity of secondary electron multipliers with a magnetic transverse field to changes in the supply voltage - Google Patents

Arrangement to reduce the sensitivity of secondary electron multipliers with a magnetic transverse field to changes in the supply voltage

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DE744298C
DE744298C DES130218D DES0130218D DE744298C DE 744298 C DE744298 C DE 744298C DE S130218 D DES130218 D DE S130218D DE S0130218 D DES0130218 D DE S0130218D DE 744298 C DE744298 C DE 744298C
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Dr-Ing Herbert Schnitger
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Siemens AG
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    • H01J43/04Electron multipliers
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Description

Anordnung zur Herabsetzung der Empfindlichkeit von Sekundärelektronenvervielfachern mit magnetischem Querfeld gegen -Änderungen der Speisespannung Die Erfindung bezieht sich auf eine Anordnung zur Herabsetzung der Empfindlichkeit Von Sekundärelektronenvervielfachern mit magnetischem Querfeld gegen Änderungen der Speisespannung. Bei Sekundärelektronenvervielfachern mit magnetischem Querfeld -zeigt sich, daß de Gesamtverstärkung der Einrichtung durch geringe Spannungsschwankungen an den Elektroden merklich beeinflußt werden kann. Der Grund hierfür liegt darin, daß bei konstantem Magnetfeld die Krümmungen der Bahn der Elektronen sich bei Spannungsänderungen an den Elektroden so stark ändern, daß ein großer Teil der Elektronen nicht mehr auf die folgende Elektrode auftrifft, sondern diese verfehlt. Eine geringere Empfindlichkeit gegen SpannungsschWankungen wird dadurch erzielt- daß man das magnetische Feld von der gleichen Spannung wie die Elektroden speist und so Magnetfeld und Elektrodenspannung in gleichem Sinne voneinander aibhängig macht. Um nun eine weitgehende Unempfindlichkeit eines solchen Vervielfachers gegen Spannungsschwankungen zu erhalten, muß die Form der Elektronenhahnen in genügendem .Maße spannungsunabhängig gemacht «erden.Arrangement for reducing the sensitivity of secondary electron multipliers with magnetic transverse field against changes in the supply voltage The invention relates relies on an arrangement to reduce the sensitivity of secondary electron multipliers with magnetic transverse field against changes in the supply voltage. With secondary electron multipliers with transverse magnetic field-shows that de overall gain of the device can be noticeably influenced by small voltage fluctuations at the electrodes can. The reason for this is that when the magnetic field is constant, the curvatures The path of the electrons changes so strongly when the voltage changes at the electrodes change that a large part of the electrons no longer reach the next electrode hits, but misses it. Less sensitivity to voltage fluctuations is achieved by having the magnetic field of the same voltage as feeds the electrodes and thus the magnetic field and electrode voltage in the same sense making them dependent on each other. To a large extent insensitivity of such a thing To maintain a multiplier against voltage fluctuations, the shape of the electron taps must be earthed to a sufficient extent.

Gegenstand der Erfindung ist eine Anordnung zur Herabsetzung der Empfindlichkeit von Sekundärelektronenvervielfachern mit magnetischem Querfeld gegen Änderungen der Speisespannung, bei der die magnetische Feldstärke und die Speisespannung voneinander abhängig sind und praktisch der Bedingung H = C # Y U @ entsprechen, wenn H die magnetische Feldstärke, L% die Speisespannung der Elektroden und C eine Konstante bedeuten. Da es bei verhältnismäßig geringen Spannungsänderungen in der Größe von 5 bis io °/o, wie sie bei Licht- oder Kraftnetzen auftreten, nicht auf eine ganz exakte Innehaltung dieser Beziehung ankommt. so kann man die erwähnte Abhängigkeit mit Hilfe strom- oder spannungsabhängiger Widerstände erzeugen. Man kann auch von der Tatsache Gebrauch machen, daß bei :1nrlerungen einer Größe innerhalb weniger Prozente (bis zu io °/") die prozentuale Abweichung des Quadrates der geänderten Größe vom Quadrat der urspriingliclien Größe doppelt so groß ist wie die prozentuale Abweichung der geänderten Größe von der ursprünglichen Größe.The invention relates to an arrangement for reducing the sensitivity of secondary electron multipliers with a transverse magnetic field to changes in the supply voltage, in which the magnetic field strength and the supply voltage are mutually dependent and practically correspond to the condition H = C # Y U @, if H is the magnetic field strength, L% is the supply voltage of the electrodes and C is a constant. Since in the case of relatively small voltage changes of the magnitude of 5 to 10 per cent, as occur in light or power networks, it is not important to maintain this relationship exactly. so you can create the mentioned dependency with the help of current or voltage dependent resistors. One can also make use of the fact that if a size is determined within a few percent (up to 10%) the percentage deviation of the square of the changed size from the square of the original size is twice as great as the percentage deviation of the changed size from the original size.

Ausführungsbeispiele der Erfindung :find in den Figuren dargestellt. In Fig. i ist mit i ein Elektronenvervielfacher iiiilicher Bauart be-r_eiclinet. Es sei angenommen, daß der zu verstärkende Strom durch das in Richtung des Pfeiles = auf die Elektrode 3 einfallende Licht ausgelöst wird. Zur Erzeugung des den Elektronennervielfaclier durchsetzenden Magnetfeldes dient die Magnetspule d, die um das Entladungsgefäß des Elektronenvervielfachers gelegt oder aber auch in Gestalt zweier etwa: kleinerer Spulen zu beiden Sehen des Entladungsgefäßes angeordnet sein kann. Die den Elektroden 3, 5, 7, S, 9 zugeführten Spannungen werden am Spannungsteiler- io abgegriffen, welchem die Spannung L" zugeführt wird. Diese Spannung dient gemäß der Erfindung auch zur Speisung der :Magnetwicklung d.. Uni die durch die Gleic1iung H = C # y`-1' dargestellte quadratische Abhängigkeit bei größeren Spannungsänderungen herbeizuführen, kann in der Zuleitung zur Magnetspule ein spannungsal)-hängiger Widerstand i i liegen. 'Man kann zu diesem Zweck beispielsweise einen Widerstand .mit positivem Temperaturkoeffizienten, z. 13. einen Eisenwiderstand, benutzen.Embodiments of the invention: are shown in the figures. In FIG. I, an electron multiplier of a similar type is labeled i. It is assumed that the current to be amplified is triggered by the light incident on the electrode 3 in the direction of the arrow =. To generate the magnetic field penetrating the electron multiplier, the magnetic coil d is used, which can be placed around the discharge vessel of the electron multiplier or in the form of two approximately: smaller coils on both sides of the discharge vessel. The electrodes 3, 5, 7, S, 9 supplied voltages are tapped at the voltage divider io, where the voltage L "is supplied to this voltage to the invention serves as also to supply the. Magnet winding d .. Uni by the Gleic1iung H = C # y`-1 'to bring about the quadratic dependence shown in the case of larger voltage changes, there can be a voltage-dependent resistor ii in the supply line to the magnet coil. For this purpose, for example, a resistor with a positive temperature coefficient, e.g. a Iron resistance, use.

Weitere Ausführungsbeispiele der Erfindung, bei welchen die quadratische _Miliängigkeit zwischen H und (' für mäßige Änderungen der Spannung (bis etwa io°/o) dadurch mit genügender Genauigkeit herbeigeführt wird, daß die Feldänderung in der Magnetspule etwa der Hälfte der Änderung der Spannung an den Elektroden entspricht, sind in den Fig. 2 und 3 dargestellt. Die finit Fig. i übereinstimmenden Teile tragen die gleichen Bezugszeichen. Zur Erzeugung de Magnetfeldes dienen hier zwei Spulen, von welchen der Übersichtlichkeit halber nur je eine `Findung dargestellt ist. Die Spule i? wird finit konstantem Strom von der Batterie 13 gespeist. Die Spule 14 ist an die Spannung L" angeschlossen. Die Stromstärken werden so eingestellt, daß die Zahl der Amperewindungen der Spule 1z und i.t annähernd gleich groß ist, dann entspricht die Feldänderung in den Spulen etwa dem halben Wert der Änderung der Spannung U.Further embodiments of the invention in which the quadratic _miliängigkeit between H and ('for moderate changes in voltage (up to about 10%) is brought about with sufficient accuracy that the field change in the magnet coil is about half the change in voltage at the 2 and 3. The parts that correspond to FIG ? is fed finitely constant current from the battery 13. The coil 14 is connected to the voltage L. The current intensities are set so that the number of ampere turns of the coil 1z and it is approximately the same, then corresponds to the field change in the coils about half the value of the change in voltage U.

Anstatt die Hälfte des Betrages der lIagnetfeldstärke mit konstanten stromgespeisten Spulen zu erzeugen, kann man auch einen permanenten 'Magneten zu diesem Zweck verwenden. Eine derartige EinrMitung ist schematisch in Fig. 3 dargestellt. 'Mit t ist Dias I?iitladttngsgefäl.l '),-zeichnet, tini welches Clie Spule rd (cgl. Fig. z) gelegt ist. -'\n Stelle du Spule 12 tritt der permanente Magnet i;. der zur Erzeugung einer an- ii:iiiernd gleichmäßigen Feldstärke finit ge- eignetc#n Polschuhen ausgerüstet ist. 13: im _@usführungsbeispiel nach den Fig. i 103 wurde davon ausgegangen. daß dieFeld- närke in Abhängigkeit von C' verändert wird. Man kann auch in umgekehrter Weise vor- gchun lind die Spannung all den Elektrodeli in Abhängigkeit von der Feldstärke lwein- Hussen. Ein Ausführungsbeispiel dieser Art ist in Fig.4 dargestellt. Auch hier sind für die mit Fig. i uliereinstimnieiden Teile die gleichen Bezugszeichen verwendet. Die Ma- gnetsllti]e d. ist unmittelbar an die Netzspan- nung L- gelegt. Uni die Spannung C.' hin, 1lektronenvervielfacher in quadratische Ab- bängigkeit von der Spanntang I_' zti bringen, ist in Reihe mit dem Spanntuigsteiler io eine steuerbare Entladungsröhre 16 geschaltet. Dein Gitter dieser Entladungsröhre wird mit Hilfe des aus den Widerständen i j und i lic- stehenden Spannungsteilers eine Steuerspan- nung zugeführt, die derart eingestellt wird. da?) durch die Beeinflussung des Elekti-onen- stronies in der Röhre 16 sich die Spannung L" um etwa den doppelten Betrag verändert \vie die Spannung L . Durch Verschieben des An- zapfpunktes ig kann man die richtigen Ver- hältnisse leicht einstellen. 20 ist eine Bat- terie, nut deren Hilfe der Arbeitspunkt der Röhre 16 auf einen gewünschten Wert ge- bracht werden kann. Wenn man nicht iin geradlinigen Teil der Charakteristik der Röhre 16 arbeitet, so kann man die quadratische Abhängigkeit z«'1sAen L" und L a"h noch mit größerer Annäherung herstellen, als dies dadurch möglich ist, da13 man die Änderungen der Spannung L-' gleich dem doppelten Betrag der Spannung L' macht. Gegebenenfalls kann zu der Röhre i6 noch ein Widerstand 21 parallelgeschaltet werden, welcher einen we- sentlichen Teil des zur Speisung des Span- nungsteilers io erforderlichen Stromes hin- durchläßt. Die Röhre 16 braucht dann nur die notwendigen Strom:inlerungen herimifüh- ren zu können. Bei Elektronenvervielfachern ist der Ver- stärlatngsfal@tor nicht nur von der Bahn- krümmung der Elektronen abhängig, sondern er wird auch von der Abhängigkeit der Elelk- tronenvervielfachting von der zwischen den Elektroden liegenden Spannung beeinflußt. Diese Abhängigkeit wird durch eine Kurve dargestellt, welche zunächst ansteigt, dann ein Maximum erreicht und später wieder ab- fällt. Wenn man ini Bereich des erwähnten \Iazilnums arbe'itet, so wirken sich Span- nungsänderungen nur unmerklich aus. Praktisch arbeitet man wegen der höheren Ausbeute je Spannungseinheit aber me?st in dem Teil der die Abhängigkeit der Ausbeute an Sekundärelektronen von der Spannung darstellenden Kurve, in welchem diese Kurve noch stark ansteigt. Mit steigender Spannung wird also der Verstärkungsfaktor zunehmen, und es wird dadurch die Verminderung des Verstärkungsfaktors infolge der durch die Änderung der Bahnkrümmung die Prallelektroden verfehlenden und nicht weiter vervielfachten Elektronen zum Teil wieder aufgehoben. Man kann diesen Verhältnissen dadurch Rechnung tragen, daß man die Feldstärke H weniger 'stark oder auch stärker von der Spannung U abhängig macht, als durch die Gleichung H = C # 1/ Ü gegeben ist und dadurch mit steigender Spannung durch Beeinflussung der Bähnkrümmung der Elektronen einen die Verstärkung herabsetzenden Einfluß ausübt. Bei dem Ausführungsbeispiel nach Fig. 2 oder 3 wird man deshalb .den Anteil des von der .Spannung U abhängigen Feldes .anders als So °/o, z. B. 35 bis -.[5 °/o oder 55 bis 65 %, wählen. Beim Ausführungsbeispiel nach Fig. 4. muß man entsprechend den Zuwachs der Spannung U' etwas größer oder kleiner machen als den doppelten Betrag der Änderung der Spannung U.Instead of generating half the amount of magnetic field strength with constant current-fed coils, one can also use a permanent magnet for this purpose. One such arrangement is shown schematically in FIG. 3. 'With t is Dias I? Iitladttngsgefäl.l '), - draws, tini which Clie coil rd (cgl. Fig. Z) is placed. - '\ n If you have coil 12, the permanent one occurs Magnet i ;. which is used to generate a different ii: almost uniform field strength finitely is suitable for pole pieces. 13: in the exemplary embodiment according to FIGS 103 was assumed. that the field is changed depending on C '. One can also proceed in the opposite way. gchun lind the tension of all the electrodeli depending on the field strength Slipcovers. An embodiment of this kind is shown in Fig.4. Also here are for which coincide with Fig the same reference numerals are used. The MA- gnetsllti] e d. is directly to the mains voltage tion L- laid. Uni the tension C. ' out, 1 electron multiplier in square bring fear of the tension tang I_ 'zti, is in series with the voltage divider io controllable discharge tube 16 switched. Your grid of this discharge tube will be with The help of the resistances ij and i lic- standing voltage divider a control voltage voltage supplied, which is set in this way. there?) by influencing the elections stronies in the tube 16 the voltage L " changed by about twice the amount \ vie the voltage L. By moving the the right tapping point can be Adjust ratios easily. 20 is a bat- terie, with the help of which the working point of the Tube 16 to a desired value can be brought. If you are not iin rectilinear part of the characteristic of the tube 16 works, so you can get the square one Dependency z «1sAen L" and L a "h still with closer approximation than this this makes it possible to make the changes the voltage L- 'is twice the amount the tension L 'makes. If necessary, can a resistor 21 in addition to the tube i6 connected in parallel, which has a essential part of the voltage divider io required current to lets through. The tube 16 then only needs the necessary electricity: to be able to ren. In the case of electron multipliers, the strenglatngsfal @ tor not only from the railway curvature of the electrons depending on, rather he is also dependent on elelk- electron multiplication of the between the Electrodes affected voltage. This dependency is represented by a curve shown, which rises first, then reached a maximum and later decreased again falls. If you look in the area of the mentioned \ Iazilnums is working, so span changes only imperceptibly. In practice, however, because of the higher yield per voltage unit, work is usually carried out in that part of the curve representing the dependence of the yield of secondary electrons on the voltage in which this curve still rises sharply. As the voltage rises, the gain factor will increase, and the reduction in the gain factor due to the electrons missing the impact electrodes due to the change in the curvature of the path and not being multiplied any further is partially canceled out. These conditions can be taken into account by making the field strength H less or more dependent on the voltage U than is given by the equation H = C # 1 / Ü and thus with increasing voltage by influencing the path curvature of the electrons exerts a gain-reducing influence. In the embodiment according to FIG. 2 or 3, the proportion of the field dependent on the voltage U will therefore be different from So ° / o, e.g. B. 35 to -. [5 % or 55 to 65%. In the embodiment according to FIG. 4, the increase in voltage U 'must be made somewhat larger or smaller than twice the amount of change in voltage U'.

Da der Verstärkungsfaktor in Abhängigkeit von der Spannung ein Maximum aufweist, d. h. beim -Unter- oder Überschreiten der günstigsten Spannung abfällt, so würde bei unvollkommener Kompensation des Einflusses der Spannung auf die Bahnkrümmung der Elektronen unterhalb der günstigsten Spannung ein besonders starker Abfall der Verstärkung eintreten, weil sich dann die Einflüsse der Spannung auf die Elektronenausbeute und auf die Bahnkrümmung addieren. Man wird deshalb die i\Tormalspannung an den Elektroden so wählen, daß bereits bei der geringsten im Betrieb auftretenden Spannung die Elektroden voll beaufschlagt werden.Because the gain factor is a maximum depending on the voltage has, d. H. when the voltage falls below or above the most favorable voltage, this would be the case with imperfect compensation of the influence of the tension on the curvature of the path of the electrons below the most favorable voltage there is a particularly strong drop in the Amplification occur because then the influences of the voltage on the electron yield and add to the curvature of the path. One therefore becomes the normal stress at the Choose electrodes so that even the slightest voltage occurring during operation the electrodes are fully loaded.

Claims (3)

PATENTANSPRÜCHE: i. Anordnung zur Herabsetzung der Empfindlichkeit von SekundäreIcktronenvervielfachern mit magnetischem Ouerfeld gegen Änderungen der Speisespannung, dadurch gekennzeichnet, daß die magnetische Feldstärke und die Speisespannung voneinander abhängig sind und praktisch der Bedingung H = C # f( -u entsprechen, wenn H die magnetische Feldstärke, U die Speisespannung derElektroden und C eine Konstante bedeuten. . PATENT CLAIMS: i. Arrangement to reduce the sensitivity secondary icetron multipliers with magnetic Ouer field against changes the supply voltage, characterized in that the magnetic field strength and the Supply voltage are dependent on each other and practically the condition H = C # f ( -u correspond if H is the magnetic field strength and U is the supply voltage of the electrodes and C mean a constant. . 2. Abänderung der Anordnung nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß die magnetische Feldstärke so gewählt ist, daß bei dem niedrigsten im Betrieb vorkomniendenWert der Elektrodenspannung die Prallelektroden voll beaufschlagt sind und daß die Abhängigkeit zwischen magnetischer Feldstärke und Speisespannung in solchem Maße von der Bedingung H = C # V -U abweicht, daß sich mit steigender Elektrodenspannung die Krümmung der Elektronenhahnen ändert und eine solche Anzahl von Elektronen 'd-»e Prallelektroden verfehlt, daß der hierdurch bedingte Verlust an Elektronen gleich oder nahezu gleich dem Gewinn an Elektronen ist, der sich infolge der Zunahme des Vervielfachungsfaktors mit steigender Elektrodenspannung ergibt. 2. Modification of the arrangement according to claim i, characterized in that the magnetic field strength is chosen so that at the lowest value of the electrode voltage occurring during operation, the impact electrodes are fully loaded and that the dependence between magnetic field strength and supply voltage depends on condition H to such an extent = C # V -U deviates that with increasing electrode voltage the curvature of the electron taps changes and such a number of electrons'd-> e impact electrodes are missing that the resulting loss of electrons is equal to or almost equal to the gain in electrons arises as a result of the increase in the multiplication factor with increasing electrode voltage. 3. Anordnung nach Anspruch i oder 2 ztir Herabsetzung der Empfindlichkeit gegen Spannungsschwankungen in Höhe von etwa 5 bis io°/o, dadurch gekennzeichnet, daß etwa der halbe Wert der magnetischen Feldstärke durch eine konstant erregte Spule oder einen permanenten Magneten erzeugt wird, während die die zweite Hälfte der Feldstärke erzeugende Spule von einem .Strom durchflossen ist, der sich proportional der Gesamtspannung an den Elektroden des Elektronenv ervielfachers ändert. q. Anordnung nach Anspruch i oder 2 zur Herabsetzung der Empfindlichkeit gegen Spannungsschwankungen in Höhe von etwa 5 bis io °/a, dadurch gekennzeichnet, daß die Spannung an den Elektroden in Abhängigkeit von der an der zur Erzeugung des Magnetfeldes dienenden Wicklung liegenden Spannung derart veränderlich ist, daß sich die-Spannung an den Elektroden etwa um den doppelten Betrag ändert wie die Spannung an der NTagnetwicklung. 5. Anordnung nach Anspruch i oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß im Speisestromkreis der das Magnetfeld erzeugenden Spule oder in den Zuleitungen zu den Elektroden ein Strom- oder spannungsabhängiger Widerstand eingeschaltet ist. Zur Abgrenzung des Anmeldungsgegenstandes vom Stand der Technik ist im Erteilungsverfahren folgende Druckschrift in Betracht gezogen worden: britische Patentschrift ..... Nr. 473 . 57i.3. Arrangement according to claim i or 2 ztir reducing the sensitivity to voltage fluctuations in the amount of about 5 to io ° / o, characterized in that about half the value of the magnetic field strength is generated by a constantly excited coil or a permanent magnet, while the the second half of the field strength generating coil is traversed by a current that changes proportionally to the total voltage at the electrodes of the electron multiplier. q. Arrangement according to claim 1 or 2 for reducing the sensitivity to voltage fluctuations in the amount of about 5 to 10 ° / a, characterized in that the voltage at the electrodes is variable as a function of the voltage applied to the winding used to generate the magnetic field, that the voltage on the electrodes changes about twice as much as the voltage on the N magnet winding. 5. Arrangement according to claim i or 2, characterized in that a current or voltage-dependent resistor is switched on in the supply circuit of the coil generating the magnetic field or in the leads to the electrodes. To distinguish the subject matter of the application from the state of the art, the following publication was considered in the grant procedure: British patent specification ..... No. 473. 57i.
DES130218D 1937-12-30 1937-12-31 Arrangement to reduce the sensitivity of secondary electron multipliers with a magnetic transverse field to changes in the supply voltage Expired DE744298C (en)

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB473571A (en) * 1936-07-31 1937-10-15 Gen Electric Co Ltd Improvements in or relating to secondary emission electron multipliers

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB473571A (en) * 1936-07-31 1937-10-15 Gen Electric Co Ltd Improvements in or relating to secondary emission electron multipliers

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