DE710723C

DE710723C - Method for converting time to amplitude modulation

Info

Publication number: DE710723C
Application number: DEV35642D
Authority: DE
Inventors: Hellmuth Mohr; Friedrich Vilbig
Original assignee: HELLMUTH MOHR
Current assignee: HELLMUTH MOHR
Priority date: 1939-02-08
Filing date: 1939-02-08
Publication date: 1941-09-19

Description

Verfahren zur Umwandlung von Zeit- in Amplitudenmodulation Die bisher bekannten Verfahren zur Umwandlung von Zeit- in Amplitudenmodulation bestehen meist :darin, daß die Empfangszeichen von gleicher Stärke, aber verschiedener Dauer den Faden eines Saitengalvanometers beeinflussen und diesen im Takte der Empfangszeichen längere oder kürzere Zeit ablenken. Hierdurch wird eine lichtempfindliche Vorrichtung beliebiger Bauart verschieden lang belichtet, und es entstehen Spannungen, welche der Dauer der Empfangsteichen proportional sind, um .dann in Sprache, Bild, Ton oder andere Zeichen umgewandelt zu werden. Dieses Verfahren zur Umwandlung von Empfangszeichen hat den Nachteil, daß die Trägheit hierbei eine gewisse Rolle spielt. Diesen Nachteil vermeidet die Erfindung- dadurch, daß sie eine Kathodenstrahlröhre vorsieht. Es ist bekannt, die Kathodenstrahlröhre als Elektronenschalter, zur Gleichrichtung von Wechselstrom oder zur Umwandlung von Amplituden- in Zeitmodulation zu benutzen. Eine neue Anwendung der Kathodenstrahlröhre besteht erfindungsgemäß :darin, daß man sie zur Umwandlung von Zeit- in Amplitudenmodulation benutzt, und zwar dadurch, daß ein ständig in einer beliebigen Kurve odergeraden Linie synchron mit der die Zeitmodulationsperio:d.en bestimmenden Sendeeinrichtung sich bewegender Strahl einerKathodenstrahlröhre durch den empfangenen Impuls entsprechend der Dauer dieses Impulses entweder aus seiner Bahn auf ein oder mehrere leitende bzw. halbleitende Elemente derart abgelenkt oder ein in gleicher Weise über ein oder mehrere leitende bzw. halbleitende Elemente gleitender Strahl einer Kathodenstrahlröhre in seiner Intensität derart beeinflußt wird, ,daß an einem mit den leitenden bzw. halbleitenden Elementen verbundenen äußeren Widerstand Spannungsschwankungen bzw. Stromschwankungen in Abhängigkeit von der Impulsdauer auftreten.Method for converting time to amplitude modulation The hitherto known methods for converting time to amplitude modulation usually exist : in the fact that the received signals are of equal strength but of different duration Influence the thread of a string galvanometer and this in time with the received signals distract longer or shorter periods of time. This creates a photosensitive device of any type exposed for different lengths of time, and tensions arise, which the duration of the reception area are proportional to .then in speech, image, sound or other characters to be converted. This method for converting received characters has the disadvantage that inertia plays a certain role here. This disadvantage the invention avoids by providing a cathode ray tube. It is known, the cathode ray tube as an electron switch, for rectification of alternating current or to convert amplitude to time modulation. A new application of the cathode ray tube according to the invention is that they are used to convert time to amplitude modulation by that one is constantly in any curve or straight line in sync with that of the Time modulation period: the beam of a cathode ray tube moving the determining transmitting device by the received pulse according to the duration of this pulse either deflected its path onto one or more conductive or semiconductive elements in this way or one in the same way via one or more conductive or semiconductive elements The intensity of the sliding beam of a cathode ray tube is influenced in this way becomes, that at an outer connected to the conductive or semiconductive elements Resistance voltage fluctuations resp. Current fluctuations depending on on the pulse duration.

Das Verfahren sei an Hand der Ausführungsbeispiele nach den Abb. I bis 13 näher beschrieben, wobei bemerkt wird, daß das Verfahren auf diese Ausführungsbeispiele allein nicht beschränkt ist.The method is based on the exemplary embodiments according to FIG to 13 are described in more detail, it being noted that the method is based on these exemplary embodiments alone is not limited.

Die ankommendenEmpfangszeichen mögen die Form von Rechtecksimpulsen haben, wie sie in Abb. i a gezeigt sind. Die Rechtecksimpulse haben gleiche Höhe, aber verschiedene Länge, d. h. gleiche Stärke, aber verschiedene Dauer. Diese ankommenden Zeichen werden von der Antenne A (Abb. i ) aufgenommen und in bekannter Weise dein Empfänger E zugeleitet und am Ausgang D des Empfängers in Form von Spannungsänderungen abgenommen. Der Strahl S der Kathodenstrahlröhre bewegt sich synchron mit der die Zeitmodulationsperioden bestimmenden Sendeeinrichtung. An den Klemmen 3 und .4 des Generators G liegt eine Spannung, welche z. B. bei einem Kreisdrehfeld um 9o° gegenüber der an den Klemmen i und .2 herrschenden Spannung verschoben ist. Die zwischen den Klemmen 3 und'q. liegende Spannung wird dem. einen Ablenkplattenpaar III und IV unmittelbar zugeführt. In den Stromkreis der anderen vom den Klemmen i und 2 des Generators G abgenommenen Spannung werden die am Ausgang D des Empfängers auftretenden Spannungsänderungen miteingeschaltet. Wie :erwähnt, bewegt sich der Strahl S synchron mit der die Zeitmodu--lationsperioden bestimmenden Sendeeinrichtung. Der Strahl S möge hierbei auf dem gestrichelt gezeichneten Kreise L laufen. Sobald nun ein Empfangszeichen von der Antenne A aufgenommen wird, treten Spannungsänderungen bei D und damit auch an dem einen Ablenkplattenpaar I, II auf, so daß .die Bahn des Strahles um einen gewissen Betrag derart verschoben wird, daß er nun nach Abb. i nicht mehr auf der gestrichelt gezeichneten Linie L, sondern auf der ausgezogenen Bahn 1l1 läuft, allerdings nur während der Dauer des Impulses. Die Lage des neuen Kreises 111 ist derart, daß ein Teil dieses Kreises auf einem halbleitenden Kontaktstück Kverläuft. Infolgedessen wird, solange der Strahl über das Kontaktstück K gleitet, im äußeren Kreis der Kathodenstrahlröhre, der mit dem halbleitenden Kontaktstück K verbunden ist, ein Strom fließen, dessen Stärke von der Lage der Auftreffstelle des Strahles S auf den Halbleiter abhängt.The incoming receive signals may be in the form of square pulses as shown in Fig.i a. The square pulses have the same height, but different length, d. H. same strength but different duration. These incoming Characters are picked up by antenna A (Fig. I) and deined in a known manner Receiver E fed and at the output D of the receiver in the form of voltage changes removed. The beam S of the cathode ray tube moves in synchronism with that of the Transmitting device determining time modulation periods. At terminals 3 and .4 of the Generator G is a voltage which z. B. with a circular rotating field by 9o ° opposite the voltage at terminals i and .2 has been shifted. The one between the Terminals 3 and 'q. lying tension becomes the. a pair of baffles III and IV supplied immediately. In the circuit of the other from terminals i and 2 of the The voltage taken from the generator G becomes the voltage occurring at the output D of the receiver Voltage changes are also switched on. As: mentioned, the beam S moves synchronously with the transmitting device determining the time modulation periods. The beam Let S run on the circle L drawn with dashed lines. As soon as a Reception signal is picked up by antenna A, voltage changes occur D and thus also on the one pair of deflector plates I, II, so that .the path of the Beam is shifted by a certain amount in such a way that it is now shown in Fig. I no longer on the dashed line L, but on the solid line Lane 1l1 runs, but only for the duration of the pulse. The location of the new Circle 111 is such that part of this circle is on a semiconducting contact piece K runs. As a result, as long as the beam slides over the contact piece K, in the outer circle of the cathode ray tube, the one with the semiconducting contact piece K is connected to flow a current, the strength of which depends on the location of the point of impact of the beam S depends on the semiconductor.

Statt die Bahn des sich bewegenden Strahles durch den an die Ablenkplatten geführten Impuls zu verschieben, kann man die Schaltung nach Abb. 2 auch derart anordnen, daß durch den Impuls der Generator G derart beeinflußt wird, daß die Bahn de Strahles infolge des Impulses während der Dauer dieses Impulses sich formgetreu vergrößert oder verkleinert, d. h. daß der Strahl w ' hrend der Im ulsidauer auf einer größeren p z21 bzw. kleineren formgetreu zur Normalbahn gelegenen Bahn kreist und hierbei über ein in dieser neuen Bahn liegendes leitendes bw. halbleitendes Element K gleitet. In bekannter Weise läßt sich die Stärke der empfangenen Zeichen so regeln, daß am Ausgang D die Spannungsänderungen in stets gleichbleibender Stärke auftreten, was zur Folge hat, daß ,der Strahl S stets um das gleiche Stück abgelenkt und d@aß während dieser Ablenkzeit immer die gleichen Amplitudenverhältnisse herrschen, mögen die Empfangszeichen stark oder schwach aufgenommen werden. In dieser größeren bzw. kleineren Bahn liegt nun ein Kontaktstück K in Form :eines beispielsweise fast geschlossenen Kreisringes. Dieses Kontaktstück K besteht beispielsweise aus einem Halbleiter mit steigender oder fallender Widerstandskennlinie, so daß in bekannter Weise außerdem noch eine Dynamiksteigerung entsprechend der Dynamikregelung auf der Senderseite ermöglicht werden kann. Das eine Ende des Kontaktstückes K (Abb. i und 2) ist metallisch mit der Leitung T verbunden, so daß über den Widerstand IV, die Saugbatterie &, den Heizfaden H über den Strahl S jedesmal dann ein Stromkreis geschlossen wird, wenn der Strahl S auf dieses Kontaktstück K abgelenkt wird und darüber hinweggleitet. Die Dauer der Ablenkung hängt von der Länge des empfangenen Zeichens ab. Solange der Strahl S sich auf dem Kontaktstück bewegt, ändert sich bei jedesmali,gem Durchlaufen, der Widerstand des Teiles des Kontaktstückes K, der von dem Strom durchflossen wird, kontinuierlich, «-as sich an dem Widerstand W als kontinuierliche Spannungsänderungen bemerkbar macht. Hierbei ändert sich das Widerstandsverhältnis zwischen dem äußeren Widerstand 11,-und dem Kontaktstück K der Zeitlänge des Zeichens entsprechend derart, daß durch den Kathodenstrahl (Abb. i.a`) bei kleiner Zeitdauer an dem Widerstand W eine langsam ansteigende geringe Spannung, bei größerer Zeitdauer des Zeichens eine langsam ansteigende größere Spannung hervorgerufen wird. Diese Änderungen werden dann in bekannter Weise von dem Widerstand 1h abgenommen und dem Gitter einer Röhre oder einer ähnlichen Anordnung zur weiteren Umsetzung in Bild, Ton, Sprache oder andere Zeichen zugeführt. Die beispielsweise nach Abb. ia aufgenommenen Zeichen werden hierbei, wie leicht ersichtlich, derart umgeformt, daß an dem Widerstand W Spannungsänderungen auftreten, wie sie in Abb. ia i dargestellt sind. Man sieht, daß auf .diese Weise die Dauer des Zeichens in eine entsprechende Spannungs- bzw. Stromhöhe geändert wird, d. h. daß die Zeit- in eine Amplitudenmodulation umgewandelt ist, so daß die Hüllkurve oder Abb. ia i einen gleichen oder ähnlichen Charakter hat wie der Spannungsverlauf von Sprache, Bild oder Ton auf der Sonderseite, bevor diese in Zeitmodulation umgesetzt wurden.Instead of shifting the path of the moving beam by the pulse guided to the deflection plates, the circuit according to Fig. 2 can also be arranged in such a way that the generator G is influenced by the pulse in such a way that the path of the beam as a result of the pulse during the duration of this pulse is enlarged or reduced form true, ie that the beam w 'during the in ulsidauer on a larger p z21 or smaller conformally located to the normal rail track and thereby orbits about a lying in this new web conductive bw. semiconducting element K slides. In a known manner, the strength of the received characters can be regulated so that the voltage changes always occur at output D in a constant strength, with the result that the beam S is always deflected by the same distance and d @ ate always the during this deflection time The same amplitude ratios prevail, whether the received signals are picked up strongly or weakly. In this larger or smaller path there is now a contact piece K in the form of, for example, an almost closed circular ring. This contact piece K consists, for example, of a semiconductor with a rising or falling resistance characteristic, so that, in a known manner, an increase in dynamics can also be made possible in accordance with the dynamics control on the transmitter side. One end of the contact piece K (Fig. I and 2) is metallically connected to the line T, so that a circuit is closed via the resistor IV, the suction battery &, the heating filament H via the beam S each time the beam S is deflected onto this contact piece K and slides over it. The duration of the deflection depends on the length of the character received. As long as the beam S moves on the contact piece, the resistance of the part of the contact piece K through which the current flows changes continuously every time it is passed through, as can be seen in the resistance W as continuous voltage changes. Here, the resistance ratio between the external resistor 11 and the contact piece K changes according to the length of time of the character in such a way that the cathode ray (Fig Sign a slowly increasing larger voltage is caused. These changes are then picked up in a known manner by the resistor 1h and fed to the grid of a tube or a similar arrangement for further conversion into images, sound, speech or other characters. The characters recorded for example according to Fig. Ia are here, as can be easily seen, transformed in such a way that voltage changes occur at the resistor W, as shown in Fig. Ia i. It can be seen that in this way the duration of the character is changed to a corresponding voltage or current level, ie that the time is converted into an amplitude modulation, so that the envelope curve or Fig. Generally has the same or a similar character as the tension curve of language, image or sound on the special page before they were converted into time modulation.

In Abb. ib sind andere Empfangszeichen dargestellt, welche in -den einzelnen gleichbleibenden Zeitabschnitten t1, t2 . . . t4 sowohl in ihrer Höhe wie auch in ihrer Zeitdauer konstant bleiben, aber jeweils innerhalb des betreffenden Zeitabschnittes ihre Lage ändern, d,, h. daß beispielsweise das Zeichen in Abschnitt t1 fast am rechten Rande, das Zeichen des Abschnitts t4 fast am linken Rande des jeweiligen Abschnitts liegt und die Zeichen der anderen Abschnitte t2 und t3 an 'einem entsprechend anderen Punkte des Abschnitts sich befinden. Diese Zeichen lenken demnach den Strahl S .der Kathodenstrahlröhre bei jeder Bewegung an einer anderen Stelle seiner Bahn aus, und der Strahl trifft hierbei auf jeweils eine andere Stelle des Kontaktstückes K, so daß zu jedem Zeitabschnitt ein durch die plötzliche Ablenkung des Strahles hervorgerufener, ganz bestimmter Widerstandswert des Kontaktstückes K gehört. Die Abb. i-b i zeigt die Spannungsänderungen am Widerstand W, wie sie durch,die ankommenden Zeichen der Abb. ib auftreten.In Fig. Ib other reception characters are shown, which in -the individual constant time segments t1, t2 . . . t4 remain constant both in terms of their level and their duration, but change their position within the relevant time segment, d ,, h. that, for example, the character in section t1 is almost on the right edge, the character in section t4 is almost on the left edge of the respective section and the characters in the other sections t2 and t3 are located at a correspondingly different point in the section. Accordingly, these signs deflect the beam S of the cathode ray tube at a different point in its path with each movement, and the beam strikes a different point of the contact piece K, so that at each time segment one caused by the sudden deflection of the beam is completely certain resistance value of the contact piece K belongs. Fig. Ib i shows the voltage changes across the resistor W as they occur due to the incoming characters of Fig. Ib.

Die Abb. 3 zeigt eine Anordnung, die den Zweck hat, den Strahl in seiner Intensität durch die Impulse zu beeinflussen. Die am Ausgange D des Empfängers auftretenden Spannungen werden über eine Vorspannbatterie V dem Wehnelt-Zylinder Z und dem Heizfaden H der Röhre zugeführt. An den Ablenkplatten I, 1I, III und IV liegen nur die das Drehfeld erzeugenden Spannungen des Generators G. Die Bewegung des Strahles ist so eingestellt, daß sie dauernd synchron mit der die Zeitmodulationsperioden bestimmenden Sendeeinrichtung über das leitende bzw. halbleitende Element erfolgt. Eine Auslonkung -des Strahles, wie sie in den Ausführungsbeispielen der Abb. i und a erfolgt, tritt hier nicht ein, vielmehr werden die im äußeren Kreis der Röhre auftretenden Spannungsschwankungen durch die Intensitätsänderungen des Strahles hervorgerufen. Diese Intensitätsänderungen des Strahles rühren von den dem Wehnelt-Zylinder Z und dem Heizfaden H zugeführten, durch die Empfangsimpulse am Ausgang des EmpfängersE auftretenden Spannungsstößen her. Die Intensitätsänderung erfolgt stets in gleichem Maße; nur dadurch, daß das Aufriegeln z. B. am Wehnelt-Zylinder zeitlich verschieden ist, entstehen die Spannungsänderungen in Abhängigkeit von Zeitdauer oder Phasenwinkel. Die Abb. q. zeigt eine Anordnung für die Intensitätssteuerung des Strahles, wenn der Strahl nur in einer einzigen Richtung über ein ebenes, halbleitendes bzw. leitendes Element gleitet. Die Abb. q. ist ohne weiteres verständlich.Fig. 3 shows an arrangement which has the purpose of keeping the beam in to influence its intensity through the impulses. The one at output D of the receiver Any voltages that occur are fed to the Wehnelt cylinder via a pre-tensioning battery V Z and the filament H are fed to the tube. On the baffles I, 1I, III and IV are only the voltages of the generator G that generate the rotating field. The movement of the beam is adjusted so that it is always synchronous with that of the time modulation periods determining transmitting device takes place via the conductive or semiconductive element. A Auslonkung -des beam, as shown in the embodiments of Fig. I and a takes place, does not occur here, but rather those in the outer circle of the tube occurring voltage fluctuations due to the intensity changes of the beam evoked. These changes in the intensity of the beam stem from the Wehnelt cylinder Z and the filament H supplied by the received pulses at the output of the receiver E. occurring voltage surges. The change in intensity is always the same Dimensions; only in that the unlocking z. B. different in time on the Wehnelt cylinder is, the voltage changes arise depending on the duration or phase angle. Fig.q. shows an arrangement for the intensity control of the beam when the beam only in a single direction over a flat, semiconducting or conductive one Element slides. Fig.q. is easily understandable.

Die Abb. 5 zeigt eine Anordnung zur Ausführung des Verfahrens, bei welcher der Kathodenstrahl in einer bzw. zwei Richtungen schwingt, d. h. daß der Strahl mittels einer bekannten Kippschaltung synchron mit der die Zeitmodwl.ationsperioden bestimmenden Sendeeinrichtung waagerecht oder senkrecht abgelenkt wird. Der Strahl S schwingt beispielsweise immer in -der Mittellinie waagerecht so lange hin und her, bis ein Empfangszeichen von der Antenne aufgenommen wird. Durch die nunmehr an dem einen Ablenkplattenpaar auftretende Spannungsänderung wird der Strahl S für die Dauer des Empfangszeichens um einen gewissen Betrag senkrecht abgelenkt, so daß er während der Dauer .des Zeichens auf dem in diesem Fall beispielsweise als gerade Fläche ausgebildeten Halbleiter gleitet. Hierbei treten wieder kontinuierliche Widerstandsänderungen und damit auch Spannungsänderungen in dem Stromkreis S, K, T, W, B und H auf.Fig. 5 shows an arrangement for carrying out the method in which the cathode beam oscillates in one or two directions, ie the beam is deflected horizontally or vertically by means of a known toggle switch synchronously with the transmitting device determining the time modulation periods. The beam S, for example, always oscillates horizontally back and forth in the center line until a reception signal is picked up by the antenna. As a result of the voltage change now occurring on one pair of deflection plates, the beam S is deflected vertically by a certain amount for the duration of the received character, so that it slides on the semiconductor, which in this case is a straight surface, for the duration of the character. In this case, continuous changes in resistance and thus also voltage changes in the circuit S, K, T, W, B and H occur again.

In Abb.6 ist ein anderes Ausführungsbeispiel für das Verfahren .der Umwandlung von Zeit- in Amplitüdenmodulation dargestellt. Die am Ausgang -des Empfängers D auftretendenImpulsspannungen werden einem Hilfsgenerator HG zugeführt. Dieser Hilfsgenerator gibt dauernd seine Schwingungen an das Ablenkplattenpaar III, IV ab, während der Strahl der Röhre durch das andere Ablenkplattenpaar so beeinflußt wird, daß er waagerecht hin und her schwingt, so daß durch den Einfluß beider A-blenkplattenpaare der Strahl gezwungen wird, längs der Mittellinie eine wellenförmige Bewegung auszuführen. Der Strahl trifft hierbei jedoch nicht das in einem .gewissen Abstand neben der mittleren Bahn des Strahles angeordnete Kontaktstück K. Erst wenn die Empfangszeichen eintreffen, wird der Hilfsgenerator derart beeinflußt, daß für die Dauer des Empfangszeichens die Amplitude des Strahles soweit verstärkt wird, daß das KontaktstückK vom Stmihl getroffen wird (Abb.6a). Man- kann nie Anordnung für den Hilfsgenerator auch so treffen, daß er nicht dauernd seine Schwingungsspannungen an das Ablenkplattenpaar III und IV gibt, sondern immer -nur dann, wein ein Empfangszeichen den Hilfsgenerator beeinflußt, so daß der nur in einer Richtung schwingende Strahl S während der Dauer des Empfangszeichens auf das Kontaktstück K in schwingender Form abgelenkt wird (Abb. 6a).In Fig. 6 another embodiment of the process of converting time to amplitude modulation is shown. The pulse voltages occurring at the output of the receiver D are fed to an auxiliary generator HG . This auxiliary generator continuously emits its vibrations to the pair of deflector plates III, IV, while the beam of the tube is influenced by the other pair of deflector plates so that it oscillates horizontally back and forth, so that the beam is forced longitudinally by the influence of both pairs of A-deflector plates make an undulating motion along the center line. Here, however, the beam does not hit the contact piece K, which is arranged at a certain distance next to the central path of the beam KontaktstückK is hit by the Stmihl (Fig.6a). The auxiliary generator can never be arranged in such a way that it does not continuously give its oscillation voltages to the pair of deflector plates III and IV, but always - only when a reception signal influences the auxiliary generator, so that the beam S oscillating in only one direction during the duration of the reception signal on the contact piece K is deflected in an oscillating manner (Fig. 6a).

Zur Vermeidung von Echo- bzw. Nachhallerscheinungen, welche im wesentlichen eine Verbreiterung und dadurch eine längere Dauer d, -s Empfangszeichens bewirken, benutzt man eine Ausführungsform des Kontaktstückes K, wie sie beispielsweise Abb. 6b zeigt. Der Halbleiter K besitzt einzelne kleine Kontakte k, welche an seinem einen Rande in einem gewissen Abstand voneinander angeordnet sind und über -den Rand des Kontaktstückes hinausragen. Die Lücke zwischen jeweils 2 Kontakten entspricht der Breite eines Kontaktes, so daß die Lücke und ,die Breite des Kontaktes gleich groß sind (l = k, Abb. 6b). Die Summe der Entfernung L = k ist so groß, daß sie jeweils einer Periode der vom Hilfsgenerator HG erzeugten Schwingungen entspricht, d. h. daß .der Strahl während seiner durch das Empfangszeichen verursachten größten Abweichung aus -der Mittelbahn auch einen Kontakt h trifft, ganz unabhängig davon, ob das Empfangszeichen durch Echo- oder Nachhallerscheinungen verbreitert ist oder nicht; denn die durch diese Erscheinungen hervorgerufenen Verbreiterungen der Empfangszeichen wirken sich dahin aus, daß der Strahl von dem Augenblick, wo eine Verbreiterung .des Zeichens stattfindet, den Kontakt bereits verlassen hat und daher für den äußeren Stromkreis keine Wirkung mehr hervorbringt. ` Die Abb.7a und folgende zeigen andere Ausführungsformen des Kontaktstückes K, welche den Zweck haben, das aus einem Halbleiter bestehende Kontaktstück K während des Betriebes zu schonen; es kommt nämlich häufig vor, daß der Kathodenstrahl infolge seiner großen Intensität den Halbleiter beschädigt, beispielsweise dadurch, daß die Oxydschicht des Halbleiters verbrennt, so daß der Betrieb mit der Kathodenstrahlröhre nicht mehr aufrechterhalten werden kann. Zur Vermeidung dieses Nachteiles ist der Halbleiter mit Metallkontakten in (Abb. 7 a und 7b) versehen. Der Strahl der Kathodenstrahlröhre wird nun so eingestellt, daß er statt über den Halbleiter während der Auslenkzeit über diese Kontakte gleitet. Die Widerstandsänderungen des Halbleiters sind nun nicht mehr kontinuierlich, sondern ändern sich stufenweise von Kontakt zu Kontakt. Die Größe der einzelnen Stufen kann man natürlich -dadurch ändern, daß die Kontaktstücke in in kleineren oder größeren Abständen voneinander angeordnet werden. Die Abb. 8 a zeigt als Ersatz für den Halbleiter mehrere auf einem Kreise in der Nähe des Schirmes im Innern der Kathodenstrahlröhre angeordnete Kontakte in, welche mit entsprechenden Widerständen W1, L12 ... Will verbunden. sind. Statt die Kontakte kreisförmig anzuordnen, kann man sie auch in gerader Linie anwenden, wie Abb. 8 b zeigt. Die Anordnungen nach Abb. 8a und 8b haben den Nachteil, daß beim HinüSergleiten des Strahles von einem zum anderen Kontakt der Strahl unterbrochen wird. Um dies zu verhindern, wird mit einem etwas breiteren Strahl gearbeitet und die Kontakte nach Abb. 9 angeordnet. Hierbei liegen die Kontakte abwechselnd auf Lücke hintereinander.To avoid echo or reverberation phenomena, which essentially cause a broadening and thus a longer duration d, -s reception signal, an embodiment of the contact piece K is used, as shown, for example, in FIG. 6b. The semiconductor K has individual small contacts k which are arranged at one edge at a certain distance from one another and protrude beyond the edge of the contact piece. The gap between 2 contacts corresponds to the width of a contact, so that the gap and the width of the contact are the same size (l = k, Fig. 6b). The sum of the distance L = k is so large that it corresponds to one period of the oscillations generated by the auxiliary generator HG , that is, that the beam during its greatest deviation from the center path caused by the received signal also hits a contact h, quite independently of this whether or not the received signal is broadened by echo or reverberation phenomena; for the widening of the reception signs caused by these phenomena have the effect that the ray has already left contact from the moment the sign is broadened and therefore no longer has any effect on the external circuit. `The Fig.7a and the following show other embodiments of the contact piece K, which have the purpose of protecting the contact piece K made of a semiconductor during operation; it often happens that the cathode ray damages the semiconductor as a result of its great intensity, for example by burning the oxide layer of the semiconductor, so that operation with the cathode ray tube can no longer be maintained. To avoid this disadvantage, the semiconductor is provided with metal contacts in (Fig. 7a and 7b) . The beam of the cathode ray tube is now adjusted so that it slides over these contacts instead of over the semiconductor during the deflection time. The changes in resistance of the semiconductor are no longer continuous, but change in stages from contact to contact. The size of the individual steps can of course be changed by arranging the contact pieces at smaller or larger distances from one another. As a substitute for the semiconductor, Fig. 8 a shows several contacts arranged on a circle near the screen inside the cathode ray tube, which are connected to corresponding resistors W1, L12 ... Will. are. Instead of arranging the contacts in a circle, they can also be used in a straight line, as shown in Fig. 8 b. The arrangements according to Fig. 8a and 8b have the disadvantage that when the beam glides over from one contact to the other, the beam is interrupted. To prevent this, a slightly wider beam is used and the contacts are arranged as shown in Fig. 9. The contacts are alternately spaced behind one another.

Die Abb. io zeigt eine weitere Ausführungsform eines Halbleiters, bei dem auf kleinstem Raum zahllose Variationen von Widerstandsänderungen je nach der konstruktiven Ausbildung des Halbleiters vorgenommen werden können. K ist der Halbleiter, der zur Abnahme der Ströme mit einer Metallschiene M versehen ist. In Abb. ioa ist beispielsweise eine ebene, aus Isolierstoff bestehende Platte mit einem halbleitenden Element, z. B. Kohle, gleichmäßig bestäubt und der eine Rand der Platt< mit einer leitenden Schiene 11T als Stromabnehmer begrenzt. Denkt man sich nun beispielsweise nach Abb. ioa die Platte in gleichmäßige senkrechte Streifen geteilt und den Streifen, der durch die senkrechten Linien o-o und i-i begrenzt wird, zugedeckt und den Rest der Platte, der durch die senkrechten Linien i-i und 6-6 begrenzt wird, noch einmal gleichmäßig mit dein Halbleitermittel, z. B. Kohle, bestäubt, so liegt über dem Streifen o-o bis i-i eine einfache Halbleiterschicht und über den anderen Teil der Platte eine doppelt so starke Halbleiterschicht. Fährt man in dieser `Zleise weiter fort und deckt den durch die senkrechten Linien o-o und 2-2 begrenzten Streifen der Platte wieder zu und bestäubt den Rest dieser Platte wiederum, so liegt über .dem von o-o bis i-i begrenzten Streifen eine Halbleiterschicht von einfacher Stärke, über dem Streifen von i-i bis 2-2 eine Schicht von doppelter Stärke und über den Reststreifen von 2-2 bis 6-6 eine Schicht von dreifacher Stärke. So kann man weiter fortfahren, bis in dem zweiten Abschnitt 2-2 bis 3-3 eine Schicht von vierfacher Stärke, bis schließlich der Reststreifen 5-5` bis 6-6 eine Schicht von 6facher Stärke hat. In ähnlicher Weise kann man auch noch die Platte in waagerechte Streifen, z. B. I-I bis 11-I1, II-II bis III-III, III-III bis IV-IV einteilen, ,vie Abb. iob zeigt, und diese Teile jeweils noch mnit einer weiteren Halbleiterschicht überdecken. In diesem Fall würde die in Abb. ioa dargestellte Halbleiterplatte auch noch in den einzelnen Halbleiterstreifen obis i-i, i-i bis 2-2 usw. nicht mehr Halbleiterschichten von konstanter Stärke, sondern veränderlicher .Stärke besitzen. Infolgedessen können durch'eine -derart ausgebildete Halbleiterform beim Überstreichen des Strahles der Kathodenstrahlröhre an der Metallschiene 11Q Ströme abgenommen werden, die sich in beliebiger Weise ändern, je nachdem, über welchen horizontalen Streifen dieser Platte der Kathodenstrahl gleitet.Fig.io shows another embodiment of a semiconductor, in which countless variations of resistance changes depending on the smallest space the structural design of the semiconductor can be made. K is that Semiconductor which is provided with a metal bar M to draw the currents. In Fig. Ioa is, for example, a flat plate made of insulating material with a semiconducting element, e.g. B. Coal, evenly dusted, and one edge of the flat limited with a conductive rail 11T as a current collector. One thinks now, for example according to Fig. ioa the plate is divided into even vertical strips and the strip, which is delimited by the vertical lines o-o and i-i, covered and the rest the plate bounded by the vertical lines i-i and 6-6 again evenly with your semiconductor agent, e.g. B. Coal, dusted, is above that Strip o-o through i-i a simple semiconductor layer and over the other part of the Plate a semiconductor layer twice as thick. If you continue in this `` Zleise and covers the strip delimited by the vertical lines o-o and 2-2 the plate again and dusted the rest of this plate again, so lies over .the strip delimited by o-o to i-i is a single-thickness semiconductor layer, over the strip from i-i to 2-2 a layer of double thickness and over the Remaining strips from 2-2 to 6-6 a layer three times thick. So you can go on continue until in the second section 2-2 to 3-3 a layer of four times Thickness, until finally the remaining strips 5-5` to 6-6 have a layer 6 times thicker Has. In a similar way, you can also divide the plate into horizontal strips, e.g. B. I-I to 11-I1, II-II to III-III, III-III to IV-IV, see Fig. Iob shows and these parts respectively with another semiconductor layer cover. In this case, the semiconductor plate shown in Fig. Ioa would also nor in the individual semiconductor strips obis i-i, i-i to 2-2 etc. no more semiconductor layers of constant strength, but of variable strength. As a result, you can durch'eine -d such trained semiconductor shape when sweeping over the beam of the Cathode ray tube on the metal rail 11Q currents are tapped, which are change in any way, depending on which horizontal strip this one Plate the cathode ray slides.

In Abb. i i wird eine Anordnung und Ausführungsform eines Halbleiters gezeigt, wie sie zum Empfang von nach Abb. i i a modulierten Zeichen verwendet werden kann. Diese Empfangszeichen der Abb. i i a haben die Eigentümlichkeit, daß sie zu der Mitte ihres jeweiligen Zeitabschnittes t1, t2 . . . t4 symmetrisch liegen. Der Halbleiter ist nach Abb. i i in Halbkreisform, jedoch in seiner Mitte unterbrochen angeordnet. Der Anfang der einen Halbleiterhälfte y wie auch das Ende der anderen Halbleiterhälfte u ist jeweils mit dem äußeren Stromkreis J verbunden. Die in der Mitte des Halbleiterkreises liegende Unterbrechungsstelle s, t (Abb. i i) entspricht der Mitte des ankommenden Zeichens. Wird der beispielsweise rotierende Strahl nun im Takte der Empfangszeichen, wie vorher beschrieben, in seiner Intensität oder in seiner Bahn durch Ablenkung beeinflußt, so treten an den im äußeren Stromkreis der Röhre liegenden Widerstand W entsprechend der in Abb. i i gezeigten Schaltungsweise der beiden Halbleiterhälften, wie leicht erkennbar, Spannungen U auf, wie sie in Abb. i i b gezeigt sind. Diese Spannungen der Abb. i i b nehmen an dem zum Widerstand IV parallel geschalteten Ladekondensator C zum Beispiel die in Abb. i i c dargestellte Form an. Man sieht, daß die Spannungsamplituden der Abb. i i c der Zeitdauer der einzelnen Empfangszeichen der Abb. i i a entsprechen, d. h. daß je länger .die Dauer des Empfangszeichens ist, um so größer die Spannung der Amplitude .der Empfangseinrichtung wird, wodurch die Zeitmodulation in eine Amplitudenmodulation umgeformt wird.Fig. Ii shows an arrangement and embodiment of a semiconductor as it can be used to receive characters modulated according to Fig. Iia. These reception characters in Fig. Iia have the peculiarity that they come to the middle of their respective time period t1, t2 . . . t4 lie symmetrically. The semiconductor is arranged in a semicircular shape as shown in Fig. Ii, but with an interruption in its center. The beginning of one semiconductor half y as well as the end of the other semiconductor half u are each connected to the external circuit J. The interruption point s, t (Fig. Ii) in the middle of the semiconductor circle corresponds to the middle of the incoming character. If the beam, which is rotating, for example, is influenced in its intensity or in its path by deflection in the cycle of the received signals, as described above, then the resistor W in the outer circuit of the tube occurs in accordance with the circuitry of the two semiconductor halves shown in Fig. as can easily be seen, voltages U arise, as shown in Fig.iib. These voltages in Fig. Iib take on the charging capacitor C connected in parallel with resistor IV, for example, as shown in Fig. Iic. It can be seen that the voltage amplitudes in Fig. Iic correspond to the duration of the individual received characters in Fig. Iia, that is , the longer the duration of the received character, the greater the voltage of the amplitude of the receiving device, whereby the time modulation becomes an amplitude modulation is reshaped.

Ein weiteres Merkmal der Erfindung besteht darin, d.aß die empfangenen Zeichen nicht nur zur Wiedergabe von Sprache, Ton oder Bild, sondern auch zur phasentreuen Wiedergabe von Telegraphiezeichen aller Art verwendet werden können. Bekanntlich bestehen die Morsezeichen normalerweise aus Punkt, Strich und Blankzeichen. Die einzelnen Punkte, Striche und Blankzeichen wer den auf der Senderseite durch verschiedene Phasendifferenzen zwischen dem Synchronisationsstoß und dem Steuerimpulsdargestellt. Hierbei ist vorausgesetzt, -daß die ausgesandten Impulse gleiche Breite und gleiche Höhe, Id.h. gIei;che,Zeitdauer undgleiche Stärke;. haben sollen. Die Abb. i2 a, i2 b und i: 2c zeigen beispielsweise die Art und Weise der zeitlichen Anordnung der zumTelegraphieren ausgesandten Impulse. Der mit o bezeichnete Impuls sei der Synchronisationsimpuls auf der Senderseite, das ist derjenige Impuls, von dessen Zeitpunkt an die Phase der einen Punkt, Strich oder Blankzeichen darstellenden anderen Impulse gerechnet wird. Der Zeitabschnitt t entspricht einem Umlauf des Kathodenstrahles auf der Senderseite. In Abb. i2a ist außer dem bei o gezeichneten Synchronisationsimpuls in einem gewissen Zeitabstand der Impuls i bezeichnet. Dieser in diesem Zeitabstand ausgesandte Impuls soll einen Punkt bedeuten. In Abb."i2b ist in doppeltem Zeitabstand ein Impuls 2 dargestellt, der einen Strich bedeutet. In Abb. i: 2c ist in dreifachem Abstand von dem Synchronisationsimpüls ein Impuls 3 dargestellt, der das Blankzeichen bedeutet. Es sei bemerkt, daß in diesem Ausführungsfall b :i jedem Umlauf des Strahles auf der Senderseite außer dem Synchronisationsimpuls jeweils nur ein einziger Impuls, also entweder nur der Impuls i oder nur der Impuls 2 oder nur der Impuls 3, ausgesandt wird.Another feature of the invention is that the received Characters not only for the reproduction of speech, sound or images, but also for phase-true Reproduction of telegraphic characters of all kinds can be used. As is well known Morse code usually consists of periods, dashes and spaces. the individual dots, dashes and blanks are replaced by different on the transmitter side Phase differences shown between the sync burst and the control pulse. It is assumed that the transmitted pulses are of the same width and width Height, Id.h. equal, duration and equal strength ;. should have. Fig. I2 a, i2b and i: 2c show, for example, the manner of the temporal arrangement of the pulses sent for telegraphing. The momentum marked with o is the Synchronization pulse on the transmitter side, that is the pulse from which Point in time to the phase of the other representing a point, line or blank Impulse is expected. The time segment t corresponds to one revolution of the cathode ray on the sender side. In Fig. I2a there is also the synchronization pulse drawn at o at a certain time interval the pulse i is designated. This in this time interval emitted impulse should mean a point. In Fig. "I2b is twice the time interval a pulse 2 is shown, which means a line. In Fig. I: 2c is in threefold Distance from the synchronization pulse, a pulse 3 is shown, which is the blank character means. It should be noted that in this embodiment, b: i every revolution of the beam on the sender side only one pulse in addition to the synchronization pulse, so either only the impulse i or only the impulse 2 or only the impulse 3, emitted will.

In den Abb. i2 d und i2 e sind nun für die auf der Empfangsseite arbeitende Kathodenstrahlröhre Anordnungen von Kontakten angegeben, wie sie zur Aufnahme dieser eben erwähnten Telegraphiezeichen für einen schwingenden bzw. rotierenden Strahl benötigt werden. In Abb. 12 d schwingt der Strahl in einer geraden Linie, während in Abb. i2 e die Anordnung für einen rotierenden Strahl getroffen ist. Längs dieser geraden Linie bzw. Kreislinie sind in einem gewissen, stets gleichbleibenden Abstand drei Kontakte, i, 2 und 3, .angebracht. Der Strahl wird nun entweder für ein Punktzeichen auf den Kontakt i oder für ein Strichzeichen auf den Kontakt 2 oder für ein Blankzeichen auf den Kontakt 3 abgelenkt, so daß jeweils in der an diesem Kontakt angeschlossenen Leitung I, II, III Impulsströme fließen, welche eine phasentreue Wiedergabe der ausgesandten Telegraphiezeichen auf der Empfangsseite verwirklichen.In Figs. I2 d and i2 e are now for those working on the receiving side Cathode ray tube arrangements of contacts indicated how to accommodate them just mentioned telegraphic symbol for a swinging or rotating beam are needed. In Fig. 12d the beam oscillates in a straight line while in Fig. i2 e the arrangement for a rotating beam is made. Along this straight line or circular line are at a certain, always constant distance three contacts, i, 2 and 3, attached. The ray is now either for a dot mark on contact i or for a line character on contact 2 or for a blank character deflected on contact 3, so that in each case connected to this contact Line I, II, III pulsed currents flow, which are an in-phase reproduction of the realize sent telegraphic signs on the receiving side.

Abb. 13 zeigt eine an:dere'Anordnung für das Kontaktstück K. Es sind unmittelbar hinter dem Schirm der Röhre eine Anzahl unter sich paralleler Drähte d bzw. Bänder i gespannt und einzeln aus der Röhre zu dem Kontaktstück K herausgeführt. In diesem Fall braucht der Strahl nur in einer einzigen Richtung, beispielsweise in der senkrechten Richtung, zu schwingen.. Die Ruhelage des Strahles ist der höchste oder tiefste Punkt des Schirmes der Röhre.Fig. 13 shows an arrangement for the contact piece K. Directly behind the screen of the tube, a number of parallel wires d or ribbons i are stretched and led out individually from the tube to the contact piece K. In this case the beam only needs to oscillate in a single direction, for example in the vertical direction. The rest position of the beam is the highest or lowest point of the screen of the tube.

Claims

1.'ATI: NTANsPRÜCiic: i. Method for converting time into amplitude modulation, characterized in that one is constantly in any curve or straight line synchronously with the .the time modulation periods determining transmitting device moving beam of a cathode ray tube by the received pulse accordingly the duration of this pulse either from its orbit to one or more conductive ones or semiconducting elements deflected in such a way or an in the same way via a or a plurality of conductive or semiconductive elements sliding beam of a cathode ray tube is influenced in its intensity in such a way that at one with the conductive or external resistance connected to semiconducting elements voltage fluctuations resp. Current fluctuations occur depending on the pulse duration.

2. Procedure according to Claim i, characterized in that the pulse during the duration of this Pulse the path of the beam is shifted parallel to itself in such a way that in this Time segment of the beam over one or more conductive or semiconductive elements slides.

3. The method according to claim i, characterized in that .by the pulse during the duration of this pulse, the path of the beam is changed true to shape or almost true to shape, so that in this period of time the beam slides over one or more conductive or semiconducting elements. d .. Arrangement for carrying out the method according to claim i and z, characterized in that for the purpose of shifting the path of the beam (e.g. path L to path 11T, Fig , II, Fig. I) are fed indirectly to the tube. 5. Arrangement according to claim q., Characterized in that the element on which the voltage changes caused by the pulse (D, -Abb. I) occur in the one on (read a deflecting element of the tube guided circuit ( Circuit I, 1I, 2, 1 D, Fig. I) a device (G, Fig. I) causing the movement of the beam is switched on Pulse induced voltage change is fed directly to the movement of the .Strahles generating device (terminal 7, & G, Fig. 2) for true-to-shape change of the path of the beam The voltage changes caused by the impulse can be fed to the filament (H, Fig. 3) of the tube and an organ influencing the intensity of the beam (e.g. Wehnelt cylinder Z, Fig. 3, or an auxiliary electrode) Execution of the method according to claim 1, characterized in that the voltage caused by the reception signal can be diverted to the one deflecting element (11I, IV, Fig. 5) of the tube for deflecting the from the other -,%. Blenlcorgan (I, III, Fig 5 influenced beam is fed. G. Method according to claim 1, characterized in that the voltage change caused by the received signal is fed to an auxiliary generator (HG, Fig. 6) for influencing the cathode ray tube. ok Arrangement for carrying out the method according to claims i and 9, characterized in that the auxiliary generator (HG, fig. 6) which continuously emits its oscillations directly or indirectly to one deflection element (III, IV, Fig. 6) is controlled in this way by the reception signal is that .the cathode ray (S, Fig. 6) executing a wave-like movement along a central path (P, Fig. 6) is amplified in its wave-like movement in such a way that for the duration of the reception signal eiii at a certain distance from the central one Bahn .des beam arranged conductive or semiconductive element (K, Fig. 6) is hit one or more times by the cathode ray. i i. Arrangement for carrying out the method according to claims 1 and 9, characterized in that the auxiliary generator only emits its oscillation voltages directly or indirectly to one deflection element (11I, IV, Fig. 6) of the tube when the reception signal arrives, so that a conductive or semiconducting element (K. Fig.6) is hit by the vibrating beam. 12. The arrangement according to claim io and ii, characterized in that the semiconducting element (K, Fig. 6b) has a number of protruding from it contacts (k, Fig. 6.b). 13. The arrangement according to claim 12, characterized in that .the protruding from the element contacts have the same shape, for. B. rectangular shape, and each have an equal distance from one another with the contact width. 14 .. Arrangement according to claim 12 and 13, characterized in that the sum: the width of a contact and the space between two contacts (k + i - e, Fig. 6b) of the period of the auxiliary generator (HG, Fig. 6) generated vibrations corresponds. 15. Arrangement for carrying out the method according to claim i, 2 and 3, characterized in that (that the semiconducting element (K, Fig.7a and 7b) with protruding on its outer or inner edge contacts (na, Fig. 7a and 71 »is provided for the purpose that the cathode ray glides over these contacts during the Austenkzeit. 16. Arrangement for carrying out the method according to claims 1, 2 and I, characterized in that the conductive element consists of several of the same distance from each other, arranged equal large contacts (m, Fig. 8 a and 8 b), each of which is connected to a resistor of a different size (W1, W2, ... W16, Fig-. 8 a and 8 b). 17 . Arrangement for carrying out: the method according to claim 1, 2 and 3, .characterized in that the conductive element consists of a plurality of contacts connected to resistors, which are arranged in a plurality of rows one behind the other in such a way that .the contacts of one Rei he are aligned with the gaps in the other row (u2, Fig. g). 18. Arrangement for carrying out the method according to claim i, 2 and 3, characterized in that the semiconducting element (K, Fig, io) is provided to take the currents for .den the external circuit with a metal rail (M, Fig. Io) . ig. Arrangement according to claim 18, characterized in that the semiconducting element, e.g. B. flat plate (Fig. Io a), consists of an insulating plate, which with a semiconductor layer, for. B. carbon layer is provided, which in one direction of the plate, for. B. longitudinal direction, is of variable strength. 20. The arrangement according to claim 1g, characterized in that the semiconductor layer of the semiconductor in the other direction, for. B. transverse direction of the plate, is of variable strength. 21. Arrangement for carrying out the method i, 2 and 3, characterized in that for the reception of received signals which are symmetrical to the center of the respective time segment: the semiconducting element, for example in a semicircular shape, but in its center (s, t, Fig. Ii) is arranged interrupted and that the beginning of one semiconductor half (r, Fig. ii) and the end of the other semiconductor half (u, Fig. 1i) are connected to the external circuit (I, Fig. ii). 22. Arrangement for carrying out the method according to claim 1, 2 and 3,. Characterized in that for the in-phase reproduction of telegraphic characters in the vicinity of: the central path of the cathode ray a plurality of contacts is arranged on which the ray corresponds to: the phase position of the incoming telegraph characters is deflected. 23. Arrangement according to claim 22, characterized in that three contacts are arranged at the same distance from one another, one of which is provided only for receiving a dot character, the second only for receiving a line character and the third only for receiving a blank character. 2d .. Arrangement for carrying out the method according to claim 1, characterized in that the beam oscillating only in one direction over a plurality of in; , Fig. 13), which are individually led out of the tube and connected to a common semiconductor (K, Fig. 13).