DE69125325T2

DE69125325T2 - Laserdrucker

Info

Publication number: DE69125325T2
Application number: DE69125325T
Authority: DE
Inventors: Senda Kazuto Senda Kazuto; Iga Kenichi Iga Kenichi
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1990-08-21
Filing date: 1991-08-19
Publication date: 1997-07-10
Anticipated expiration: 2011-08-20
Also published as: EP0472136B1; JPH04101485A; US5241554A; EP0472136A1; DE69125325D1

Description

Dif vorliegende Erfindung betrifft einen Laserdrucker, wie er im Oberbegriff des Patentanspruchs 1 angegeben ist.
Eine 1 Laserdiode, die in einem Laserdrucker eingesetzt werden kann und eine aktive Schicht, ein Paar Elektroden zum Einleiten eines Stromes in einen emittierenden Bereich der aktiven Schicht und ein Paar plattierte Schichten auf beiden Seiten der aktiven Schicht aufweist, ist in EP-A-0 354 141 offenbart. Diese bekannte Laserdiode ist mit dem Ziel von Verbesserungen beim Elektrischen Modulieren der Intensität des emittierten Lichts und beim elektrischen Steuern der Position des emittierten Laserstrahlflecks konstruiert. Dazu sind ein zentraler Kontakt und erste und zweite exponierte Gate-Steuer- Kontakte vorgesehen. Durch Anlegen von Vorspannungspotentialen geeigneter Größe und Polarität an diese Kontakte und ein Substrat kann Stromfluß entlang eines zentralen Stromleitungspfades moduliert sowie abgeschnürt werden, um so die Emission von Licht an- und abzuschalten und die Intensität des emittierten Lichtstrahls zu steuern. Durch Anlegen von Vorspannungspotentialen niedriger Spannung und passender Polarität an die ersten und zweiten exponierten Gate-Steuer-Kontakte relativ zum Substrat kann die Position der zentralen Stromleitung bewegt werden, um so die physikalische Position des emittierten Laserstrahls zu seitlicher Verschiebung des Laserstrahlflecks in einer gewünschten Richtung zu verändern.
Ähnliche Laserdioden sind in JP-57-037892, JP-61-134093, JP-58-114479, JP-60-167390 und JP-56-054084 offenbart, und JP-60-087441 offenbart eine Einrichtung mit einer optischen Platte, die mit einer Laserdiode arbeitet. Bei dieser Einrichtung wird Licht von einem Halbleiterlaser als ein paralleler Strahl mit ovalem Querschnitt abgestrahlt. Dieser Strahl wird dann in einen Strahl mit kreisförmigem Muster umgewandelt, der auf eine optische Platte gerichtet wird, um zur Informationsaufzeichnung verwendet zu werden. Zum Zwecke der Informationslöschung wird eine Linse aus dem optischen Pfad herausbewegt, um so einen Lösch-Lichtfleck auf der optischen Platte zu erhalten.
Es ist ein Ziel der vorliegenden Erfindung, die Druckgenauigkeit eines Laserdruckers zu verbessern, der mit einer Laserdiode arbeitet.
Dieses Ziel wird durch einen Laserdrucker erreicht, wie er im Patentanspruch 1 angegeben ist. Bevorzugte Weiterentwicklungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.
Die vorliegende Erfindung schafft einen mit einem Halbleiterlaser arbeitenden Laserdrucker, der die Divergenz des Laserstrahls und die Größe des Laserlichtflecks steuern kann, indem er den den Laserstrahl emittierenden Bereich steuert.
Bei einem Laserdrucker gemäß der vorliegenden Erfindung steuert die Laserdiode selbst die Divergenz und die Fokusposition des Laserstrahls. Da kein anderes Steuerelement als die Laserdiode selbst zum Einsatz kommt, besteht keine Notwendigkeit für Justierung und Integration, und die Einrichtung kann insgesamt kleiner gemacht werden. Außerdem kann die Form des Laserstrahlflecks ohne jegliche mechanische Steuerung verändert werden, so daß sowohl eine hohe Arbeitsgeschwindigkeit als auch hohe Genauigkeit des Laserdruckers erzielt werden können. Zusätzlich ist eine gute Halbtonwiedergabe zu erhalten, und graphische Darstellungen lassen sich leicht vergrößern oder verkleinern, wenn Lasermodulation und Fleckdurchmessersteuerung gleichzeitig vorgenommen werden.
Zu weiterer Erläuterung der vorliegenden Erfindung wird nunmehr auf die Zeichnung Bezug genommen, in dieser zeigen:
Fig. 1a und 1b Teilschnitte durch eine bei einer ersten Ausführungsform der Erfindung benutzte Laserdiode,
Fig. 2a und 2b die Methode der Dichtewiedergabe für Druckwerke durch einen Laserdrucker,
Fig. 3a und 3b schematische Darstellungen eines optischen Systems zum Verändern des Durchmessers eines Lichtflecks,
Fig. 4 und 5 schematische Ansichten der optischen Systeme von Laserdruckern gemäß anderer Ausführungsformen der Erfindung,
Fig. 6 eine schematische Ansicht eines Laserdruckers einer weiteren Ausführungsform der Erfindung
und
Fig. 7, 8 und 9 perspektivische teildarstellungen von Laserdioden zur Verwendung in Ausführungsformen der Erfindung.
Fig. 2 zeigt Darstellungen der Druckdichte bei einem herkömmlichen Laserdrucker. In dieser Darstellung bewegt sich der Lichtstrahl von links nach rechts und bestrahlt die schraffierten Partien. In Fig. 2a ändert sich die Punktgröße des Lichtstrahls nicht, und die Druckdichte wird durch die Größe der Punktdichte ausgedrückt. In einer Partie mit einer hohen Druckdichte ist die Punktdichte erhöht, um den Druck dunkel zu machen, während in einer Partie mit einer niedrigen Druckdichte die Punktdichte erniedrigt ist, um den Druck hell zu machen. Um bei Verwendung dieser Methode einen feinen Halbton wiederzugeben, können eine Methode, daß die Punktdichte gesteigert wird, indem ein Lichtfleck mit einer kleinen Punktgröße verwendet wird, um die Anzahl der Lichtabtastzeilen zu vergrößern, und die Zählung der Lichtmodulation in Betracht gezogen werden. Da jedoch ein mechanisches Verfahren beispielsweise mit einem Polygonspiegel für die Auslenkung des Lichtstrahls benutzt wird, kann die Anzahl der Abtastzeilen nicht ohne weiteres erhöht werden. Eine Vermehrung der Lichtmodulationszählung vergrößert die Steuerzeit und senkt die Druckgeschwindigkeit ab.
Fig. 2b zeigt ein Beispiel, bei dem die Größe der Punktdichte durch Verändern der Form des Lichtstahls ausgedrückt wird. Bei dieser Mehtode wird in einer Partie mit einer hohen Punktdichte senkrecht zur Lichtabtastrichtung ein langer und schmaler Lichtfleck verwendet, und die Anzahl der Lichtabtastzeilen und die Lichtmodulationszählung können reduziert werden. In JP-A-62-275214 ist ein Beispiel angegeben, bei dem außerhalb des Lasers ein fokusvariables Element zum Verändern der Brennpunktposition eines Laserstrahls angeordnet ist, wie dies in Fig. 3a gezeigt ist. In diesem Falle ist Feinjustierung zum Führen des Laserstrahls zu dem fokusvariablen Element erforderlich, und es ist extrem schwierig, ein solches Verfahren zu realisieren. In S. Mukai et al., Appliecl Physics Lett. Vol. 54, No. 4 vom 23. Januar 1989, S. 315 und 316 ist eine Halbleiterlaseranordnung angegeben, die die Form eines von einer Laserdiode emittierten Lichtstrahlks ändert, indem ein Halbleiterelement angeschlossen wird, das als eine zusätzliche Linse für die einen Lichtstrahl von vorgegebener Form emittierende Laserdiode dient. Fig. 3b zeigt ein Beispiel für den Aufbau dieser Halbleiterlaseranordnung. Dieses Halbleiterelement ändert einen durch das Halbleiterelement fließenden Strom, ändert den Emissionsstatus des von der Laserdiode zugeführten Lichtstrahls und ändert die Fokusposition des Lichtflecks. Diese Halbleiterlaseranordnung erfordert keine Justierung, wenn das Halbleiterelement eingebaut wird, und kann kompakt gebaut werden, obwohl Technik zum Anschließen des halbleiterelements an die Laserdiode erforderlich ist.
Fig. 1 zeigt eine vergrößerte Ansicht des emittierenden Bereichs der in einem Laserdrucker gemäß der Erfindung verwendeten Halbleiterlaseranordnung. In Fig. 1 sind ein p-leitender Halbleiter 50 und eine p-leitende plattierte Schicht 53 zwischen n-leitenden Halbleitern 51 angeordnet, doch können sie auch umgekehrt eingebaut werden. Eine Elektrode 100 ist eine Elektrode zum Oszillieren des Lasers, und ein Strom fließt in der Richtung der eingezeichneten Pfeile. Die n-leitenden Halbleiter 51 sind so angeordnet, daß der Stromfluß zwischen ihnen verläuft. Die Elektrode 200 oder 300 erzeugt eine rückwärts gerichtete Vorspannung zwischen der Elektrode 100 und sich selbst, um so eine Verarmungsschicht in der p-leitenden plattierten Schicht 53 auszubilden. Diese Verarmungsschicht steuert die Breite eines durch eine aktive Schicht fließenden Stromes, um so die Punktgröße des Lichtflecks zu verändern.
Die Elektroden 200 und 300 erhalten ein höheres Potential als die Elektrode 100. Dadurch wird die Grenzfläche zwischen dem p-leitenden Halbleiter und jedem der n-leitenden Halbleiter in Rückwärtsrichtung vorgespannt, und es bildet sich eine Verarmungsschicht 80. Wie in Fig. 1a gezeigt ist, wird die Verarmungsschicht 80 dünn, wenn die Rückwärtsvorspannung niedrig ist. Wie in Fig. 1b gezeigt ist, wird die Verarmungsschicht 80 dick, wenn die Rückwartsvorspannung hoch ist. Wenn die Verarmungsschicht 80 wie in Fig. 1a gezeigt dünn ist, wird der über die aktive Schicht fließende Strom breiter und der emittierende Bereich vergrößert sich. Wenn die Verarmungsschicht 80 wie in Fig. 1b gezeigt dick ist, wird der Strom schmäler und der emittierende Bereich verkleinert sich. Da sich Licht unter Beugung fortpflanzt, wird die Strahldivergenz klein, wenn der emittierende Bereich breit ist, während die Strahldivergenz groß wird, wenn der emittierende Bereich schmal ist.
Als nächstes werden Aufbau und Betrieb eines Laserprinters gemäß der vorliegenden Erfindung beschrieben. Der unten beschriebene Laserdrucker verwendet eine oben erwähnte Laserdiode als Lichtquelle.
Fig. 4 ist eine schematische Ansicht eines Laserprinters, der eine Laserdiode gemäß der vorliegenden Erfindung als Lichtquelle verwendet. In Fig. 4 bezeichnen die Bezugszahlen 1 eine Halbleiterlaseranordnung gemäß der vorliegenden Erfindung, 2 eine Kollimatorlinse, 3 einen Polygonspiegel, 4 einen Abtastspiegel, 5 eine photoempfindliche Trommel und 6 einen Laserstrahlfleck.
In einem in Fig. 4 gezeigten Beispiel wird von der Halbleiterlaseranordnung 1 emittiertes Licht nach dem Durchgang durch die Kollimatorlinse 2 zu einem parallelen Lichtstrom. Der parallele Lichtstrom wird durch den Polygonspiegel 3 ausgelenkt und an die Abtastlinse 4 weitergeleitet, und auf der photoempfindlichen Trommel 5, die eine Abtastoberfläche in der sekundären Abtastrichtung ist, kann ein Laserstrahlfleck 6 mit einem gewünschten Durchmesser erhalten werden. Dann wird einen Lasertreiber 10 von einer Steuerung 20 gemäß den Druckinhalten ein Befehl für die Punktdichte oder die Druckinhalte zugeführt. Der Lasertreiber 10 moduliert den Laserstrahl oder ändert den Lichtfleckdurchmesser gemäß dem Befehl von der Steuerung 20. Durch die Halbleiterlaseranordnung 1 wird der Lichtfleckdurchmesser wie in Fig. 2 gezeigt in einem dunklen Druckbereich vergrößert oder in einem hellen Druckbereich verkleinert.
Fig. 5 zeigt eine weitere schematische Ansicht eines Laserprinters, der eine Halbleiterlaseranordnung gemäß der vorliegenden Erfindung als Lichtquelle verwendet. Bei der in Fig. 5 gezeigten Ausführungsform ist zusätzlich zu dem in Fig. 4 gezeigten Aufbau ein Treiber 30 zum Steuern der Drehzahl des Polygonspiegels 3 eingebaut. In der primären Abtastrichtung wird die Pulsbreite der Strahlintensitätsmodulation durch den Treiber 30 eingestellt, und die Punktdichte wird durch Verändern des Belichtungsbereichs geändert. In der sekundären Abtastrichtung werden der Lichtfleckdurchmesser und das Abtastintervall geändert. Wie oben erwähnt wird der Lichtfleckdurchmesser unter Spannungssteuerung durch den Lasertreiber 10 geändert, und das Abtastintervall wird durch Verändern der Drehzahl des Polygonspiegels 3 geändert.
Der Treiber 30 steuert so, daß dann, wenn die Punktdichte gemäß einem Befehl von der Steuerung zunimmt, die Drehzahl des Polygonspiegels 3 in
Entsprechung dazu ansteigt und dann, wenn die Punktdichte abnimmt, die Drehzahl des Polygonspiegels 3 in Entsprechnung dazu absinkt. Durch eine solche Steuerung kann die Punktdichte verändert werden. Daher können, wenn Lasermodulation und Fleckdurchmessersteuerung gleichzeitig mit der oben erwähnten Punktdichteänderung vorgenommen werden, graphische Darstellungen oder Zeichen beim Drucken vergrößert oder verkleinert werden, und verschiedene Drucke wie feine Halbtonwiedergaben sind erhältlich.
Als nächstes werden als eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung Aufbau und Betrieb eines Laserdruckers beschrieben, bei dem eine Mehrzahl von Laseranordnungen gemäß der vorliegenden Erfindung Verwendung finden und durch Verändern des Intervalls einer Mehrzahl von Laserstrahlen in der sekundären Abtastrichtung in Entsprechung zur Änderung der Druckdichte Parallelabtastung vorgenommen wird.
Fig. 6 zeigt den Gesamtaufbau des Laserdruckers. Zwei Lichtquellen 1a und 1b zum Emittieren linear polarisierter Strahlen (P, S) werden verwendet, und die Polarisationsrichtungen werden nahezu senkrecht zueinander gemacht. Von den Lichtquellen 1a und 1b emittierte Laserstrahlen gelangen zu einem Polarisationsstrahlteiler 34 über Linsen 2a und 2b und Galvanometerspiegel 7a und 7b.
Laserstrahlen gehen durch den Polarisationsstrahlteiler 34 hindurch, pflanzen sich in nahezu derselben Richtung weiter fort, laufen über einen Polygonspiegel 3 und eine Abtastlinse 4 und werden als Abtastzeilen 5a und 5b über die Abtastoberfläche geführt. Um das Intervall zwischen den Abtastzeilen 5a und 5b konstant zu halten, wird ein Teil des Strahls auf Strahlpositionssensoren 32a und 32b abgestrahlt. Signale von den Sensoren 32a und 32b werden auf Differenzverstärker 33a und 33b gegeben, um so das Strahlintervall auf Konstanz zu steuern.
Die Punktdichte kann in folgender Weise verändert werden: Durch Verändern des Belichtungsbereichs mittels Justierung der Pulsbreite der Strahlintensitätsmodulation für ein Punktsignal kann die Punktdichte in der primären Abtastrichtung geändert werden. Zum Ändern der Punktdichte in der sekundären Abtastrichtung ist es erforderlich, die Drehzahl des Polygonspiegels 3 und auch das intervall zwischen zwei Strahlflecken 6a und 6b zu ändern. Dazu ist es wünschenswert, die Teilungsgrenze des oben erwähnten Strahlpositionssensors 32b in Entsprechung zum Abtastlinienintervall zu ändern. Wenn eine Mehrzahl derartiger Strahlen verwendet wird, kann die Punktdichte durch Verändern des Abtastlinienintervalls geändert werden.
Außerdem ist es zum Drucken mit hoher Bildqualität erforderlich, den Laserstrahlfleckdurchmesser in der sekundären Abtastrichtung gleichzeitig mit der Justierung des Abtastintervalls zu ändern. Daher werden als die Lichtquellen 1a und 1b Laser verwendet, die den Fleckdurchmesser ändern können. Um die Punktdichte zu verringern, wird der Fleckdurchmesser in der sekundären Abtastrichtung für die Divergenz des Abtastintervalls d vergrößert. Der Fleckdurchmesser wird unter Spannungssteuerung durch Strahldurchmessereinsteller 10a und 10b mittels eines Befehls aus einer Abtaststeuerung 20a geändert. Bei der obigen Ausführungsform ist es möglich, die Punktdichte umzuwandeln und mit hoher Qualität zu drucken, da das Abtaststrahlintervall auf einen vorgegebenen Wert geändert werden kann, wenn eine Mehrzahl von Strahlen für die Abtastung eingesetzt und für jeden Abtaststrahl eine Einrichtung zum Ändern des Fleckdurchmessers eingebaut wird. Bei der obigen Ausführungsform werden zwei Strahlen verwendet. Überflüssig zu sagen, daß viele Strahlen zur Parallelabtastung verwendet werden können.
Als nächstes wird eine Ausführungsform für eine Laseranordnung zur Verwendung in einem Laserdrucker nach der vorliegenden Erfindung beschrieben, die den Lichtfleckdurchmesser verändern kann.
Fig. 7 zeigt eine Halbleiterlaseranordnung, die in Ausführungsformen der Erfindung gemäß Fig. 4 bis 6 verwendet wird. Bei der in Fig. 7 gezeigten Laseranordnung sind auf beiden Seiten einer p-leitenden plattierten Schicht 53 n-leitende Halbleiterschichten 51 angeordnet, obwohl auch ein umgekehrter Aufbau möglich ist. Streifenförmige Elektroden sind darauf angebracht. Elektroden 100 und 57 sind Elektroden zum 0szillieren des Lasers, und Elektroden 200 und 300 sind Elektroden zum Ändern der Größe eines Laserstrahlflecks. Ein Strom fließt von der Elektrode 100 zur Elektrode 57, und der Teil einer aktiven Schicht 54, über den der Strom fließt, emittiert Licht.
Am pn-Übergang zwischen jeder der n-leitenden Halbleiterschichten 51 und wenigstens der p-leitenden plattierten Schicht 53 wird durch das Potential zwischen der Elektrode 110 und der Elektrode 200 oder 300 eine Verarmungsschicht ausgebildet. Durch Ändern des Potentials einer variablen Spannungsquelle 40 wird die an dem oben erwähnten pn-Übergang anliegende Rückwärtsvorspannung geändert und kann die Divergenz der Verarmungsschicht geändert werden. Wenn die Rückwärtsvorspannung niedrig ist, ist die Divergenz der Verarmungsschicht schmal, und der von der Elektrode 100 zur Elektrode 57 fließende Strom ist breit. Dann emittiert die aktive Schicht 54 Licht in einem Bereich, der in der Lateralrichtung breit ist. Wenn die Rückwärtsvorspannung hoch ist, ist die Divergenz der Verarmungsschicht breit, und der von der Elektrode 100 zur Elektrode 57 fließende Strom ist schmal. In diesem Falle ist der emittierende Bereich der aktiven Schicht 54 in der Lateralrichtung eng. Wenn der emittierende Bereich breit ist, ist die Strahldivergenz eng. Wenn der emittierende Bereich eng ist, ist die Strahldivergenz breit.
Da die p-leitende plattierte Schicht 53 und die aktive Schicht 54 dünn sind, wenn eine hohe Rückwärtsvorspannung daran angelegt wird, kommt es darin zu einer Durchbruchserscheinung. Um zu verhindern, daß ein Strom durch die p-leitende plattierte Schicht 53 und die aktive Schicht 54 fließt, ist eine p-leitende Halbleiterschicht 52 eingebaut. Wenn die geätzte Oberfläche eines Wafers Luft ausgesetzt wird, bevor der Wafer weiterwächst, kann die Oberfläche beschädigt werden, was einen Durchbruch verursachen kann. Um das zu verhindern, wird die p-leitende Halbleiterschicht 52 unter dem n-leitenden Halbleiter 51 angeordnet.
Eine andere Methode zur Verhütung von Durchbruchserscheinungen ist die Verwendung einer Isolierschicht anstelle der p-leitenden halbleiterschicht 52. Als Isolierschicht können eine Oxidschicht, eine Nitridschicht oder Luft verwendet werden. Wenn Luft als Isolierschicht verwendet wird, kann beispielsweise im Falle von GaAs eine Arbeitsweise angewandt werden, daß an der Stelle der n-leitenden Halbleiterschicht 51 n-leitendes GaAlAs, an der Stelle der p-leitenden Halbleiterschicht 52 p-leitendes GaAs und an der Stelle der p-leitenden plattierten Schicht 53 p-leitendes GaAlAs aufgewachsen und nur p-leitendes GaAs später selektiv geätzt wird. Bei der in Fig. 7 gezeigten Laseranordnung sind die n-leitenden Halbleiterschichten 51 auf beiden Seiten der p-leitenden plattierten Schicht 53 eingebettet, und die Stromflußbreite wird unter Verwendung der Verarmungsschicht verändert. Wirkung kann erzielt werden, indem die Struktur nur am emissionsseitigen Ende vorgesehen wird. Fig. 8 zeigt ein Konfigurationsbeispiel, bei dem die n-leitende Halbleiterschicht 51 nur in einem das Emissionsende einschließenden Teil der p-leitenden plattierten Schicht 53 eingebettet ist. Die Konfiguration der anderen Schichten ist die gleiche wie die in Fig. 7 gezeigte. Bei dieser Struktur kann die Elektrode 100 breiter gemacht werden, was einen Vorteil leichter externer Verbindung ergibt.
Gemäß der bei der obigen Laseranordnung gezeigten Struktur wird die Stromflußbreite in der plattierten Schicht gesteuert, und der emittierende Bereich der aktiven Schicht wird verändert. Fig. 9 zeigt eine Struktur, bei der die Stromflußbreite nach demselben Prinzip in der aktiven Schicht gesteuert wird. Die Ätztiefe ist in Fig. 9 tiefer als die in Fig. 1 gezeigte und reicht bis bis zu einer n-leitenden plattierten Schicht 55. Durch Hinzufügen von Elektroden 200 und 300 zu dieser Struktur wie in Fig. 7 oder 8 gezeigt und Verändern von deren Spannungen wird die Divergenz der Verarmungsschicht geändert.
Wenn keine Substanz zum Eingrenzen des Stromes in der aktiven Schicht in der lateralen Richtung vorgesehen ist, breitet sich der Strom aus. Daher kann die in Fig.9 gezeigte Konfiguration im Vergleich zu der in Fig. 1 gezeigten den Lichtfleckdurchmesser wirkungsvoll ändern. Bei dieser Ausführungsform ist in der aktiven Schicht ein p-leitender Halbleiter verwendet, weil bei Verwendung eines n-leitenden Halbleiters ein Strom zwischen der n-leitenden Halbleiterschicht 51 und der n-leitenden plattierten Schicht fließt und die aktive Schicht 54 nicht eine Rolle als eine Halbleiterlaseraktivschicht spielen kann. Daher wird an der Grenzfläche zwischen der aktiven Schicht 54 und der n-leitenden Halbleiterschicht 51 durch Anlegen einer Rückwärtsvorspannung zwischen den Elektroden 200 und 300 eine Verarmungsschicht gebildet, und der lichtfleckemittierende Bereich kann gesteuert werden. Bei dieser Konfiguration einer Laseranordnung zur Verwendung bei einem Laserdrucker gemäß der vorliegenden Erfindung ist die p-leitende Halbleiterschicht 52 so angeordnet, daß sie den Strom an einem Fließen unterhalb der eingebetteten Schicht hindert. Eine p-leitende Halbleiterschicht ist so eingebaut, daß sie eine Berührung zwischen der n-leitenden Halbleiterschicht 51 und der n-leitenden plattierten Schicht 55 verhindert. Wie oben erwähnt kann anstelle der p-leitenden Halbleiterschicht 52 eine Isolierschicht verwendet werden.

Claims

1. Laserdrucker mit

- einer Laserdiode (1), die einen emittierenden Bereich enthält und wenigstens eine aktive Schicht (54), ein erstes Paar Elektroden (57; 100) zum Einleiten eines Stromes in der emittierenden Bereich der aktiven Schicht (54) und ein Paar plattierte Schichten (53, 55, 56) auf beiden Seiten der aktiven Schicht (54) aufweist,

- einer Abtasteinrichtung (3) zum Abtasten eines Aufzeichnungsmediums (5) mit einem von der Laserdiode (1) emittierten Laserstrahl,

- einer Bilderzeugungseinrichtung (4) zum Erzeugen eines Bildes auf dem Aufzeichnungsmedium (5) durch den Laserstrahl

und

- einer Einrichtung (200, 300) zum Ausbilden einer Verarmungsschicht (80) für eine Kontrolle eines Weges für den in dem emittierenden Bereich fließenden Strom, dadurch gekennzeichnet, daß Einrichtungen (40) zum Anlegen eines Potentials an die Einrichtung (200, 300) zum Ausbilden der Verarmungsschicht vorgesehen sind, um die Form eines Laserstrahlflecks (6), der auf dem Aufzeichnungsmedium (5) abgebildet wird, wenn die Verarmungsschicht (80) in dem emittierenden Bereich der Laserdiode (1) ausgebildet ist, in einer zu einer Abtastrichtung des Laserstrahls senkrechten Richtung länger zu machen als in einer zu dieser Abtastrichtung parallelen Richtung.

2. Drucker nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Einrichtung für die Kontrolle des Weges für den in dem emittierenden Bereich fließenden Strom ein zweites Paar Elektroden (200, 300) aufweist, die mit einer variablen Vorspannung gespeist werden, um den emittierenden Bereich der Laserdiode (1) zu variieren.

3. Drucker nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Einrichtungen zum Bilden der Form des Laserstrahlflecks (6) eine variable Gleichspannungsquelle (40) aufweisen, die mit dem zweiten Paar Elektroden (200, 300) verbunden ist.

4. Drucker nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen einer ersten Elektrode (100) und dem zweiten Paar Elektroden (200, 300) eine Vorspannung in Rückwärtsrichtung in umgekehrtem Verhältnis zu einer gewünschten Größe des emittierenden Bereichs angelegt ist.

5. Drucker nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß an das zweite Paar Elektroden (200, 300) eine Vorspannung in Rückwärtstrichtung gegenüber einer ersten Elektrode (100) angelegt ist, um die Verarmungsschicht in der aktiven Schicht (54) auszubilden.

6. Drucker nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß an das zweite Paar Elektroden (200, 300) eine Vorspannung in Rückwärtsrichtung gegenüber einer ersten Elektrode (100) angelegt ist, um die Verarmungsschicht in einer ersten plattierten Schicht (53) auszubilden.

7. Drucker nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Einrichtung für die Kontrolle des Weges für den in dem emittierenden Bereich fließenden Strom in einer ersten plattierten Schicht (53) so ausgebildet ist, daß sie die erste Elektrode (100) und die aktive Schicht (54) nicht berührt.

8. Drucker nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Abtasteinrichtung (3) den emittierten Laserstrahl entlang einer Mehrzahl von Abtastzeilen (5a, 5b) mit einem gegenseitigen Abtastintervall (d) führt und weiter eine Steuerung (20, 20a, 10c) aufweist, die die Einrichtung für die Stromwegkontrolle in Abhängigkeit vom Abtastintervall (d) steuert.