DE60128534T2

DE60128534T2 - Method for producing a cathode with aligned extraction and focusing grating

Info

Publication number: DE60128534T2
Application number: DE60128534T
Authority: DE
Inventors: Christophe Bourcheix
Original assignee: Commissariat a lEnergie Atomique CEA
Current assignee: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA
Priority date: 2000-12-22
Filing date: 2001-12-21
Publication date: 2008-01-31
Anticipated expiration: 2021-12-22
Also published as: US20020114882A1; EP1220262A1; DE60128534D1; JP2002231126A; EP1220262B1; US6911154B2; FR2818797A1; JP3960036B2; FR2818797B1

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft allgemein die Herstellung selbstausgerichteter Strukturen in Mehrschicht-Vorrichtungen. Sie betrifft insbesondere die Herstellung einer Kathode mit Mikrospitzen eines flach-ebenen Wiedergabe-Bildschirms.The The present invention relates generally to the manufacture of self-aligned Structures in multi-layer devices. It concerns in particular the Preparation of a cathode with microtips of a flat-flat display screen.

Das Funktionsprinzip und der Detailaufbau eines Beispiels eines Mikrospitzen-Bildschirms sind in der amerikanischen Patentschrift 4 940 916 des Commissariat a l'Energie Atomique beschrieben, auf welches bezüglich aller allgemeinen Information über diesen Bildschirmtyp Bezug genommen wird. Üblicherweise wird ein flach-ebener Bildschirm mit Mikrospitzen ausgehend von zwei Glasplatten hergestellt. Die untere Platte weist eine Struktur von Mikrospitzen-Kathoden sowie eine oder mehrere Gitterstruktur(en) auf. Die im Betrieb der unteren Platte gegenüberstehend angeordnete obere Platte trägt eine Anodenstruktur. Die Mikrospitzen-Elemente sind in verschiedenen Weisen angeordnet und können selektiv durch Einwirkung auf rechtwinklige Kathoden- und Extraktionsgitterleitungen angesteuert werden. Im allgemeinen wird für jedes Pixel eines Bildschirms. eine große Zahl von Mikrospitzen gleichzeitig angesteuertThe principle of operation and the detailed structure of an example of a microtip screen are in the U.S. Patent 4,940,916 of the Commissariat a l'Energie Atomique, to which reference is made for all general information on this screen type. Typically, a flat-plane screen with microtips is made starting from two glass plates. The lower plate has a structure of microtip cathodes and one or more lattice structures. The upper plate opposing the lower plate during operation carries an anode structure. The microtip elements are arranged in various ways and can be selectively driven by action on right angle cathode and extraction lattice lines. In general, for every pixel of a screen. a large number of microtips simultaneously driven

Die vorliegende Beschreibung richtet sich speziell auf die Herstellung eines Bildschirms des in 1 veranschaulichten Typs. Dieser Bildschirm umfasst eine untere oder Kathodenplatte 1 und eine obere oder Anodenplatte 2. Die obere Platte umfasst eine Schicht, Leitungen oder Pixel aus Elektrolumineszenz- oder Luminophormaterial 3.The present description is specifically directed to the manufacture of a screen of the in 1 illustrated type. This screen includes a lower or cathode plate 1 and an upper or anode plate 2 , The top plate comprises a layer, lines or pixels of electroluminescent or luminophore material 3 ,

Auf der Kathodenplatte 1 entspricht eine obere Schicht leitenden Kathodenzeilen, die gegebenenfalls mit einem Widerstandsmaterial überzogen sind. Auf diesen Kathodenlinien bzw. -zeilen sind in Öffnungen eines Extraktionsgitters 6 Mikrospitzen 5 ausgebildet. Das Extraktionsgitter 6 wird von einer auf der Oberseite der Kathode 1 ausgebildeten ersten Isolierschicht 7 gebildet. Man kann sagen, dass diese Oberseite der Substratoberseite des Systems entspricht. Über der Gitteschicht 6 ist eine zweite Isolierschicht 8 ausgebildet, in welcher eine zweite Leiterschicht 9 ruht, welche einem Fokussierungsgitter entspricht. In diesem Fokussierungsgitter und in der zweiten Isolierschicht 8 sind Öffnungen ausgebildet, die mit hoher Genauigkeit relativ bezüglich den in dem Extraktionsgitter ausgebildeten Öffnungen angeordnet sein müssen.On the cathode plate 1 corresponds to an upper layer conductive cathode lines, which are optionally coated with a resistive material. On these cathode lines are in openings of an extraction grid 6 microdots 5 educated. The extraction grid 6 is from one on top of the cathode 1 formed first insulating layer 7 educated. It can be said that this top corresponds to the substrate top of the system. Above the level of the lattice 6 is a second insulating layer 8th formed, in which a second conductor layer 9 resting, which corresponds to a focusing grid. In this focusing grid and in the second insulating layer 8th are formed openings which must be arranged with high accuracy relative to the openings formed in the extraction grid.

Zur selbstausrichtenden Ausbildung der Öffnungen in den beiden Metallisierungsniveaus 6 und 9 und in den Isolierschichten 7 und 8 sind verschiedene Verfahren bekannt, die beispielsweise in der französischen Patentanmeldung 2 779 271 des Commissariat a l'Energie Atomique beschrieben sind. Jedoch hat es sich in der Praxis erwiesen, dass diese Verfahren entweder ziemlich ungenau oder in der Durchführung ziemlich schwierig sind. Außerdem gestatten diese Verfahren nicht immer eine unabhängige und genaue Regelung des Ein- bzw. Rücksprungs der Ätzung der ersten Isolierschicht relativ bezüglich der ersten Leiterschicht und des Ein- bzw. Rücksprungs der Ätzung der zweiten Leiterschicht relativ bezüglich der ersten Leiterschicht.For self-aligning the openings in the two metallization levels 6 and 9 and in the insulating layers 7 and 8th Various methods are known, for example, in the French patent application 2 779 271 of the Commissariat a l'Energie Atomique. However, it has been proven in practice that these methods are either rather inaccurate or rather difficult to implement. In addition, these methods do not always allow independent and accurate control of the return of the etching of the first insulating layer relative to the first conductor layer and the return of the etching of the second conductor layer relative to the first conductor layer.

Somit ist ein Ziel der vorliegenden Erfindung die Schaffung eines Verfahrens zur Herstellung von Strukturen, welche zwei Metallisierungsniveaus und Öffnungen in jedem dieser beiden Niveaus und in den darunterliegenden Isolierschichten aufweisen, wobei diese Öffnungen gegenseitig genau definiert sind.Consequently It is an object of the present invention to provide a method for producing structures having two metallization levels and openings in each of these two levels and in the underlying insulating layers have, with these openings are mutually exactly defined.

Ein spezielleres Ziel der vorliegenden Erfindung ist die Schaffung eines derartigen Verfahrens, das sich zur Anwendung bei der Herstellung von Mikrospitzen-Bildschirmen eignet.One more specific object of the present invention is to provide a such process, which is suitable for use in the manufacture microtip screens.

Zur Erreichung dieser Ziele sieht die vorliegende Erfindung vor ein Verfahren zur Herstellung einer Struktur mit Selbstausrichtung, welche auf einem Substrat ein von dem Substrat durch eine erste Isolierschicht getrenntes erstes Metallisierungsniveau und ein von dem ersten Metallisierungsniveau durch eine zweite Isolierschicht getrenntes zweites Metallisierungsniveau aufweist, wobei in dem ersten Metallisierungsniveau und in der ersten Isolierschicht erste Öffnungen ausgebildet sind und in dem zweiten Metallisierungsniveau und der zweiten Isolierschicht zweite Öffnungen definiert sind, die größer als die ersten Öffnungen sind. Dieses Verfahren weist die folgenden Schritte bzw. Stufen auf: auf dem Substrat wird eine Schichtung bzw. ein Stapel aus einer ersten Isolierschicht, einem ersten Metallisierungsniveau, einer zweiten Isolierschicht sowie einem zweiten Metallisierungsniveau gebildet; in dem zweiten Metallisierungsniveau und in der zweiten Isolierschicht werden erste Fenster entsprechend der Kontur der ersten Öffnungen sowie band- bzw. streifenförmige zweite Fenster geöffnet, deren Außenkontur der Innenkontur der zweiten Öffnungen entspricht; in einer die Struktur bedeckenden Maskierschicht werden dritte Fenster gebildet, welche relativ bezüglich den ersten Fenstern überragen bzw. überstehen; in den ersten Fenstern wird das erste Metallisierungsniveau geätzt; unter der Maskierschicht wird das zweite Metallisierungsniveau bis an den Innenumfang der zweiten Fenster entfernt; die erste Isolierschicht wird über eine ausgewählte Entfernung geätzt und gleichzeitig die zweite Isolierschicht bis zur Innenkontur der zweiten Fenster entfernt; die Maskierschicht wird entfernt.to Achieving these objectives, the present invention provides a Method for producing a structure with self-alignment, which on a substrate one from the substrate through a first Insulating layer separated first metallization level and one of the first metallization level through a second insulating layer having a separate second metallization level, wherein in the first metallization level and first openings in the first insulating layer are formed and in the second metallization level and the second insulating layer second openings are defined that are greater than the first openings are. This method has the following steps on: on the substrate is a layer or a stack of a first insulating layer, a first metallization level, a second insulating layer and a second metallization level educated; in the second metallization level and in the second Insulating layer are first windows according to the contour of the first openings as well as band or strip-shaped second Window open, its outer contour the inner contour of the second openings corresponds; in a masking layer covering the structure become third Formed windows which project relative to the first windows or survive; in the first windows, the first metallization level is etched; under the masking layer becomes the second metallization level up to removed the inner periphery of the second window; the first insulating layer will be over one selected Etched distance and at the same time the second insulating layer to the inner contour of second window removed; the masking layer is removed.

Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist vorgesehen, dass die Ätzbehandlungen des zweiten Metallisierungsniveaus, der zweiten Isolierschicht und des ersten Metallisierungsniveaus gemäß der Kontur der ersten Fenster vertikale anisotrope Ätzungen sind.According to one embodiment of the present invention, it is provided that the etching treatments of the second metallization level, the second insulating layer and the first Metallisierungsniveaus according to the contour of the first window vertical anisotropic etchings are.

Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist vorgesehen, dass die ersten und die zweiten Metallisierungsniveaus aus bestimmten selektiv ätzbaren Materialien bestehen.According to one embodiment The present invention provides that the first and the second metallization levels of certain selectively etchable Materials exist.

Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist vorgesehen, dass das Material des ersten Metallisierungsniveaus Niob und das Material des zweiten Metallisierungsniveaus Chrom ist.According to one embodiment The present invention provides that the material of the first metallization levels niobium and the material of the second Metallization levels is chromium.

Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist vorgesehen, dass jeweils jede zweite Öffnung eine erste Öffnung umgibt.According to one embodiment The present invention provides that each second opening a first opening surrounds.

Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist vorgesehen, dass jeweils jede zweite Öffnung eine Gruppe von ersten Öffnungen umgibt.According to one embodiment The present invention provides that each second opening a Group of first openings surrounds.

Diese sowie weitere Gegenstände, Ziele, Eigenschaften, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden in der folgenden nicht-einschränkenden Beschreibung spezieller Ausführungsbeispiele im einzelnen auseinandergesetzt, unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungsfiguren; in diesen zeigen:These as well as other objects, Aims, characteristics, features and advantages of the present invention become more special in the following non-limiting description embodiments in detail, with reference to the attached drawing figures; in these show:

1 in schematischer Schnittansicht eine Struktur, welche durch die vorliegende Erfindung realisiert werden soll, 1 a schematic sectional view of a structure which is to be realized by the present invention,

2 bis 8 schematische Schnittansichten zur Veranschaulichung aufeinanderfolgender Stufen der Herstellung einer Struktur gemäß der vorliegenden Erfindung, sowie 2 to 8th schematic sectional views for illustrating successive stages of the production of a structure according to the present invention, as well as

3A, 5A und 8A jeweils Draufsichten entsprechend den Verfahrensstufen der 3, 5 und 8. 3A . 5A and 8A each plan views according to the process steps of 3 . 5 and 8th ,

Wie in 2 zur Herstellung einer Struktur gemäß der vorliegenden Erfindung gezeigt, beginnt man mit der Herstellung eines Stapels von Schichten, die aufeinanderfolgend dem Substrat 1, der ersten Isolierschicht 7, dem ersten Metallisierungsniveau bzw. Metallisierungsschicht bzw. -ebene 6, der zweiten Isolierschicht 8 sowie dem zweiten Metallisierungsniveau 9 entsprechen. Auf diesem zweiten Metallisierungsniveau bzw. -schicht bildet man eine Schicht 10 aus einem lichtempfindlichen Material oder einem Photoharz aus. Sodann öffnet man mittels Photoätzverfahren aufeinander folgend Fenster in der Photoharzschicht 10 und in dem zweiten Metallisierungsniveau bzw. -lage 9. Die Ätzung in der zweiten Metallisierungslage 9 erfolgt nach jedem beliebigen isotropen oder anisotropen Ätzverfahren.As in 2 To produce a structure according to the present invention, one begins to make a stack of layers sequentially to the substrate 1 , the first insulating layer 7 , the first metallization level or metallization layer or plane 6 , the second insulating layer 8th and the second metallization level 9 correspond. On this second metallization level or layer, a layer is formed 10 of a photosensitive material or a photoresin. Then opened by means of photo-etching sequentially window in the photoresin layer 10 and in the second metallization level 9 , The etching in the second metallization layer 9 takes place after any isotropic or anisotropic etching process.

Die in der Schicht 10 ausgebildeten Fenster umfassen einerseits erste Fenster 11 mit der Form der ersten Öffnungen, die man in dem ersten Metallisierungsniveau 6 auszubilden wünscht, und andererseits zweite Fenster 12 in Band- bzw. Streifenform mit einer gewünschten geschlossenen Kontur, deren Außenrand der inneren Kontur der zweiten Öffnungen entspricht, die man in dem zweiten Metallisierungsniveau 9 auszubilden wünscht.The one in the shift 10 trained windows comprise on the one hand first windows 11 with the shape of the first openings, one in the first metallization level 6 wishes to train and on the other hand second windows 12 in band or strip shape with a desired closed contour, the outer edge of which corresponds to the inner contour of the second openings, which are in the second metallization level 9 wishes to train.

In der in 3 veranschaulichten Verfahrensstufe verlängert bzw. vertieft man die Öffnungen, indem man eine Ätzung der zweiten Isolierschicht 8 vornimmt, nach jedem beliebigen vertikalen anisotropen Ätzverfahren, beispielsweise mittels Plasma-Ätzung.In the in 3 In the process step illustrated, the openings are lengthened or deepened by etching the second insulating layer 8th after any vertical anisotropic etching process, for example by plasma etching.

3A zeigt ein Beispiel einer Draufsicht auf die in 3 in Schnittansicht dargestellte Struktur. Man kann die Form der ersten Öffnungen 11 und eines zweiten Fensters 12 in Band- bzw. Streifenform erkennen. Man erkennt, dass die Formen der verschiedenen Fenster, die in dieser Draufsicht und in den folgenden Draufsichten dargestellt sind, nur ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung darstellen. Die ersten Fenster besitzen allgemein eine Kreisform im wesentlichen gleicher Art wie die zur Aufnahme der Spitzen 5 gewünschte Form, wie in 1 dargestellt. Demgegenüber können die zweiten Fenster jede gewünschte Form besitzen. Es könnte sich um kreisringförmige, mit den ersten Fenstern konzentrische Öffnungen handeln, wobei jeweils jede zweite Öffnung eine und nur eine erste Öffnung einschließt. Es kann sich, wie dargestellt, um ein Band bzw. einen Streifen handeln, welcher eine Mehrzahl erster Öffnungen umschließt. Diese ersten Öffnungen können, wie dargestellt, in einer Linie angeordnet sein oder in jeder anderen gewünschten Weise gruppiert sein. Des weiteren können die Konturen der zweiten Öffnungen so gewählt werden, dass man einen beliebigen gewünschten Fokalisierungseffekt erzielt. 3A shows an example of a plan view of the in 3 shown in sectional view structure. One can see the shape of the first openings 11 and a second window 12 recognize in band or strip form. It will be appreciated that the shapes of the various windows shown in this plan view and in the following plan views represent only one embodiment of the present invention. The first windows generally have a circular shape substantially the same as that for receiving the tips 5 desired shape, as in 1 shown. In contrast, the second window may have any desired shape. It could be circular, concentric with the first windows openings, each second opening includes one and only a first opening. As illustrated, it may be a ribbon or strip enclosing a plurality of first openings. These first openings may be arranged in a line as shown or grouped in any other desired manner. Furthermore, the contours of the second apertures may be chosen to achieve any desired focalizing effect.

In der in 4 veranschaulichten Verfahrensstufe beseitigt man die Photoharzschicht 10 und scheidet eine zweite Photoharzschicht 20 ab, welche insbesondere die zweiten Fenster ausfüllt. Sodann öffnet man in dieser zweiten Photoharzschicht 20 ein drittes Fenster 22. Das dritte Fenster 22 umschließt jeweils jedes der ersten Fenster oder eine Gruppe erster Fenster, ohne jedoch auf die in den 3 und 3A dargestellten zweiten Fenster überzugreifen.In the in 4 In the process step illustrated, the photoresin layer is eliminated 10 and separates a second photoresin layer 20 which fills in particular the second window. Then you open in this second photoresin layer 20 a third window 22 , The third window 22 encloses each of the first windows or a group of first windows, but without the ones in the 3 and 3A overlap shown second window.

In der Verfahrensstufe von 5 öffnet man unter Verwendung der Maske, welche den Öffnungen in dem zweiten Metallisierungsniveau 9 und in der ersten Isolierschicht 8 entspricht, das erste Metallisierungsniveau 6, um in diesem so gewünschte erste Öffnungen entsprechend der Kontur der ersten Fenster zu öffnen.In the process step of 5 one opens using the mask which the openings in the second Metallisierungsniveau 9 and in the first insulating layer 8th corresponds to the first metallization level 6 to open in this desired first openings according to the contour of the first window.

5A zeigt ein Beispiel einer Draufsicht auf das in 5 im Schnitt dargestellte Gebilde. In der Fig. Ist ein Beispiel der Form des dritten Fensters 22 sichtbar. 5A shows an example of a plan view of the in 5 sectional structure. In the figure, an example is the shape of the third window 22 visible, noticeable.

In dem in 6 veranschaulichten Verfahrensstadium beginnt man, mittels nasser Ätzung das zweite Metallisierungsniveau 9 zu entfernen, ausgehend von der durch das dritte Fenster freigelegten Oberseite, und man setzt diese Nassätzung fort bis zur seitlichen Entfernung des gesamten zweiten Metallisierungsniveaus bis zur Innenkontur 2 der zweiten ringförmigen Fenster. Dabei verwendet man ein spezielles Erzeugnis zur feuchten Ätzung; dieses gestattet die Ätzung des zweiten Metallisierungsniveaus, nicht jedoch (oder nur sehr wenig) der Materialien der ersten und der zweiten Isolierschicht und des Materials des ersten Metallisierungsniveaus.In the in 6 When the process stage is illustrated, the second metallization level is started by means of wet etching 9 starting from the upper surface exposed by the third window, and this wet etching is continued until the lateral removal of the entire second metallization level to the inner contour 2 the second annular window. It uses a special product for wet etching; this allows etching of the second metallization level but not (or only very little) of the materials of the first and second insulating layers and the material of the first metallization level.

In der in 7 veranschaulichten Verfahrensstufe erfolgt, unter der Voraussetzung, dass die erste und die zweite Isolierschicht aus demselben Material bestehen oder zumindest aus durch ein und dasselbe Ätzmittel ätzbaren Materialien, eine feuchte bzw. nasse Ätzung, mittels welcher diese Isolierschichten angegriffen werden können. Der gesamte innerhalb der Innenkontur des zweiten Fensters gelegene Teil der zweiten Isolierschicht 8 wird zur Gänze entfernt, und zwar gleichzeitig durch lateral-seitliche Ätzung ausgehend von der dem ersten Fenster entsprechenden Öffnung, und durch vertikale Ätzung mittels des in den Zwischenraum zwischen dem zweiten Metallisierungsniveau und der Photoharzschicht 20 eindringenden Ätzmittels. So wird diese zweite Isolierschicht 8 sehr rasch entfernt. Die Dauer der Ätzung wird so gewählt, dass der Einsprung bzw. Rücksprung d der ersten Isolierschicht 7 relativ bezüglich der Kontur der ersten Öffnung einen bestimmten ausgewählten Wert erhält. Der feuchten Ätzung kann eine partielle anisotrope Ätzung vorausgehen.In the in 7 provided that the first and the second insulating layer consist of the same material or at least etchable by one and the same etchant materials, a wet etch by means of which these insulating layers can be attacked. The entire located within the inner contour of the second window part of the second insulating layer 8th is completely removed simultaneously by lateral-lateral etching from the opening corresponding to the first window and by vertical etching by means of the into the gap between the second metallization level and the photoresin layer 20 penetrating etchant. So this is the second insulating layer 8th removed very quickly. The duration of the etching is chosen so that the jump or return d of the first insulating layer 7 relative to the contour of the first opening receives a certain selected value. The wet etch may be preceded by a partial anisotropic etch.

In der in 8 veranschaulichten Verfahrensstufe schließlich ist die zweite Photoharzschicht 20 entfernt, um das gewünschte Gebilde zu erhalten. Somit hat man, wie 8 in Schnittansicht und 8A in Draufsicht zeigen, erste Öffnungen in dem ersten Metallisierungsniveau 6 hergestellt, eine Ätzung in der darunter befindlichen Schicht, die um eine genau bestimmte Entfernung d relativ bezüglich dieser Öffnung einspringt, sowie eine zweite Öffnung in dem zweiten Metallisierungsniveau 9 und der ersten Isolierschicht 8, deren Abstand vollkommen genau durch die einzige in dem Stadium von 2 verwendete Maske bestimmt ist. Die Abmessung dieser zweiten Öffnung ist insbesondere unabhängig von jedem Ätzvorgang der ersten Isolierschicht bestimmt. Man erkennt, dass die dritte Maske von 4 keinerlei kritischen Charakter besitzt und dass keine der Abmessungen der endgültigen Struktur von ihrer Kontur abhängt.In the in 8th Finally, the second photoresin layer is illustrated 20 removed to obtain the desired structure. So you have, like 8th in sectional view and 8A in plan view, first openings in the first metallization level 6 prepared, an etch in the underlying layer, which jumps by a certain distance d relative to this opening, and a second opening in the second metallization level 9 and the first insulating layer 8th whose distance is perfectly accurate by the only one in the stage of 2 used mask is determined. The dimension of this second opening is determined in particular independently of each etching process of the first insulating layer. It can be seen that the third mask of 4 has no critical character and that none of the dimensions of the final structure depends on its contour.

Zur Herstellung des gewünschten Gebildes können vom Fachmann verschiedene Ätzmaterialien und Ätzverfahren verwendet werden. Beispielsweise können die erste und die zweite Isolierschicht aus Siliziumoxid bestehen, das erste Metallisierungsniveau aus Niob und das zweite Metallisierungsniveau aus Chrom. Jedoch können auch andere Materialien gewählt werden und es können, wie oben bereits angedeutet, andere Formen für die zweiten Öffnungen in dem zweiten Metallisierungsniveau und in der darunterliegenden Isolierschicht angewandt werden.to Production of the desired You can build something various etching materials and etching processes be used. For example, the first and the second Insulating layer of silicon oxide, the first level of metallization Niobium and the second metallization level of chromium. However, too other materials chosen be and can, As already indicated above, other forms for the second openings in the second metallization level and in the underlying Insulating layer can be applied.

Claims

Method for producing a structure with self-alignment, which is mounted on a substrate ( 1 ) from the substrate through a first insulating layer ( 7 ) separate first metallization level ( 6 ) and one from the first metallization level through a second insulating layer ( 8th ) separate second metallization level ( 9 ), wherein in the first metallization level and in the first insulating layer first openings are formed and in the second metallization level and the second insulating layer second openings are defined which are larger than the first openings, characterized in that the method comprises the following steps or Stages comprises: on the substrate, a layer or a stack of a first insulating layer ( 7 ), a first metallization level ( 6 ), a second insulating layer ( 8th ) and a second metallization level ( 9 ), in the second metallization level and in the second insulating layer, first windows ( 11 ) corresponding to the contour of the first openings and band or strip-shaped second window ( 12 ), whose outer contour corresponds to the inner contour of the second openings, - in a masking layer covering the structure ( 20 ), third windows are formed, which protrude relative to the first windows, - in the first windows, the first metallization level is etched, - below the masking layer, the second metallization level ( 9 ) to the inner periphery of the second window, - the first insulating layer ( 7 ) is etched over a selected distance and at the same time the second insulating layer ( 8th ) is removed to the inner contour of the second window, - the masking layer is removed.

A method according to claim 1, characterized in that the etching treatments of the second metallization level, the second insulating layer and the first metallization level according to the contour of the first windows are vertical anisotropic etches are.

Method according to claim 1, characterized in that that the first and second metallization levels are determined from selectively etchable Materials exist.

Method according to claim 3, characterized that the material of the first level of metallization niobium and the Material of the second metallization level is chromium.

Method according to claim 1, characterized in that that every second opening a first opening surrounds.

Method according to claim 1, characterized in that that every second opening a group of first openings surrounds.