DE4447680C2 - Method of manufacturing a semiconductor substrate - Google Patents

Method of manufacturing a semiconductor substrate

Info

Publication number
DE4447680C2
DE4447680C2 DE4447680A DE4447680A DE4447680C2 DE 4447680 C2 DE4447680 C2 DE 4447680C2 DE 4447680 A DE4447680 A DE 4447680A DE 4447680 A DE4447680 A DE 4447680A DE 4447680 C2 DE4447680 C2 DE 4447680C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor film
semiconductor
film
semiconductor substrate
strip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE4447680A
Other languages
German (de)
Inventor
Satoshi Arimoto
Norio Hayafuji
Mikio Deguchi
Satoshi Hamamoto
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP5037205A external-priority patent/JPH06252073A/en
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Application granted granted Critical
Publication of DE4447680C2 publication Critical patent/DE4447680C2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02439—Materials
    • H01L21/02488—Insulating materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02587—Structure
    • H01L21/0259—Microstructure
    • H01L21/02595—Microstructure polycrystalline
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02656—Special treatments
    • H01L21/02664—Aftertreatments
    • H01L21/02667—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eins Halbleitersubstrats mit einem über einem Isolierfilm auf einem Halbleitersubstratkörper gebildeten Halbleiter­ film, wobei Verfahren der hier betrachteten Art mit den Merkmalen des Oberbegriffes von Patentanspruch 1 aus J. Appl. Physics, Band 60, 1986, Seiten 1152 bis 1160 oder aus der JP 62-7116 A, bekannt sind. Folgende allgemeine Betrachtungen zum Stande der Technik seien zum besseren Verständnis der Erfindung hier voraus geschickt:The invention relates to a method for manufacturing a semiconductor substrate with one over an insulating film semiconductors formed on a semiconductor substrate body film, whereby processes of the type considered here with the Features of the preamble of claim 1 from J. Appl. Physics, Volume 60, 1986, pages 1152 to 1160 or from JP 62-7116 A, are known. Following general State of the art considerations are for the better Understanding the invention sent here in advance:

Die Fig. 4(a) und 4(b) zeigen eine Schnittansicht bzw. eine perspektivische Ansicht zur Erläuterung an sich bekannter Verfahrensschritte für die Herstellung eines Halbleiter­ substrates. FIGS. 4 (a) and 4 (b) show a sectional view and a perspective view for explaining a known method steps for the production of a semiconductor substrate.

Zuerst wird, wie es in Fig. 4(a) gezeigt ist, ein Isolier­ film 1 mit Siliziumoxid auf einem Halbleitersubstratkörper 10, welcher beispielsweise monokristallines Silizium aufweist, mit einer Dicke von etwa 1 µm gebildet. Ein Halbleiterfilm 2 mit amorphem Silizium oder polykristallinem Silizium wird mit einer Dicke von etwa 0,5 bis 5 µm auf dem Isolierfilm 1 gebildet. Ein Isolierfilm 3 aus einem Siliziumoxidfilm und einem Siliziumnitridfilm, welche laminiert sind, wird mit einer Dicke von etwa 1 bis 3 µm auf dem Halbleiterfilm 2 gebildet. Ein Halbleitersubstratmaterial 500 wird hierdurch hergestellt.First, as shown in FIG. 4 (a), an insulating film 1 with silicon oxide is formed on a semiconductor substrate body 10 , which has, for example, monocrystalline silicon, with a thickness of about 1 μm. A semiconductor film 2 with amorphous silicon or polycrystalline silicon is formed on the insulating film 1 with a thickness of about 0.5 to 5 μm. An insulating film 3 made of a silicon oxide film and a silicon nitride film which are laminated is formed on the semiconductor film 2 with a thickness of about 1 to 3 μm. A semiconductor substrate material 500 is thereby manufactured.

Als nächstes wird, wie es in Fig. 4(b) gezeigt ist, das wie oben beschrieben hergestellte Halbleitersubstratmaterial 500 auf ein auf der Unterseite angeordnetes Heizelement 20a gebracht, welches Kohlenstoff aufweist. Ein Streifen-Heiz­ element 20b auf der Oberseite, welches Kohlenstoff beinhal­ tet, ist oberhalb des Substratmaterials 500 in einem vorbe­ stimmten Abstand vom Substratmaterial 500 angeordnet. Das Streifen-Heizelement 20b auf der Oberseite wird über dem Substratmaterial 500 von einem Ende des Substratmaterials 500 bis zum gegenüberliegenden Ende mit einer vorbestimmten Geschwindigkeit von beispielsweise 1 mm/s abgerastert, um den Halbleiterfilm 2 im Substratmaterial 500 durch Zonenschmelzen zu rekristallisieren. Dabei wird der Durch­ messer der Kristallkörner im Halbleiterfilm 2 durch die Zonenschmelz-Rekristailisierung vergrößert, was in verbes­ serten elektrischen Eigenschaften wie elektrischer Leitfä­ higkeit des Halbleiterfilmes 2 resultiert. Hierbei kann anstelle des Kohlenstoffstreifen-Heizelementes 20b eine In­ frarotlampe verwendet werden.Next, as shown in Fig. 4 (b), the semiconductor substrate material 500 manufactured as described above is placed on a heating element 20 a arranged on the underside, which has carbon. A strip heating element 20 b on the top, which contains carbon, is arranged above the substrate material 500 at a predetermined distance from the substrate material 500 . The strip heating element 20 b on the upper side is scanned over the substrate material 500 from one end of the substrate material 500 to the opposite end at a predetermined speed of, for example, 1 mm / s in order to recrystallize the semiconductor film 2 in the substrate material 500 by zone melting. The diameter of the crystal grains in the semiconductor film 2 is increased by the zone melting recrystallization, which results in improved electrical properties such as electrical conductivity of the semiconductor film 2 . Here, an infrared lamp can be used instead of the carbon strip heating element 20 b.

Die Fig. 5(a) und 5(b) zeigen eine Schnittansicht bzw. eine Draufsicht und stellen beide das durch den oben beschriebe­ nen Vorgang erhaltene Halbleitersubstratmaterial 500 dar. In dem Halbleiterfilm 2 im Halbleitersubstratmaterial 500 wird der Durchmesser der Kristallkörner durch Zonen­ schmelz-Rekristallisierung vergrößert mit verbesserten elektrischen Eigenschaften wie elektrischer Leitfähigkeit als Ergebnis. Gleichzeitig werden jedoch einige Kristallde­ fekte wie etwa Unter-Korn-Grenzen 4 und Fehlstellen 5 wie in den Figuren gezeigt im Halbleiterdünnfilm 2 erzeugt. Diese Unter-Korn-Grenzen 4 und Störstellen 5 wirken nach der Herstellung der Vorrichtung als Kerne für die Rekombi­ nation von Ladungsträgern, d. h. Elektronen und Löchern, und diese Unter-Korn-Grenzen und Störstellen verursachen eine Zunahme des Dunkelstroms deren Vorrichtung. Insbesondere, da die Unter-Korn-Grenze 4 eine Anhäufung von Störstellen 5 ist, ist es zur Verbesserung der Eigenschaften der Vorrich­ tung wichtig, Unter-Korn-Grenzen zu verringern und die Un­ ter-Korn-Grenzen 4 in Positionen, in denen Unter-Korn-Gren­ ze 4 die Eigenschaften der Vorrichtung nicht beeinträchti­ gen, zu erzeugen. Hier wird angenommen, daß die Unter-Korn- Grenze 4 durch winzige, konkav-konvexe Unebenheiten an der Festkörper-Flüssigkeits-Phasengrenzfläche verursacht wird, welche während der Zonenschmelz-Rekristallisierung im Halb­ leiterfilm 2 erzeugt wird.The Fig. 5 (a) and 5 (b) show a sectional view and a plan view, and set both the obtained by the above-described NEN process semiconductor substrate material 500. In the semiconductor film 2 on the semiconductor substrate material 500, the diameter of the crystal grains meltable by zones As a result, recrystallization increases with improved electrical properties such as electrical conductivity. At the same time, however, some Kristallde be fect such as shown in the figures generates sub-grain boundaries and voids 4 5 in the semiconductor thin film. 2 These sub-grain boundaries 4 and impurities 5 act after the manufacture of the device as cores for the recombination of charge carriers, ie electrons and holes, and these sub-grain boundaries and impurities cause an increase in the dark current of their device. In particular, since the lower grain boundary 4 is an accumulation of impurities 5 , it is important to improve the properties of the device to reduce the lower grain boundaries and the lower grain boundaries 4 in positions where lower -Korn-Gren ze 4 not affect the properties of the device to produce. Here it is assumed that the sub-grain boundary 4 is caused by tiny, concave-convex bumps at the solid-liquid phase interface, which is generated in the semiconductor film 2 during the zone melt recrystallization.

Die Fig. 6(a) und 6(b) zeigen Schnittansichten zur Erläu­ terung beispielhafter Verfahrensschritte nach dem Stand der Technik zur Herstellung eines Halbleitersubstrates, welches verbessert ist, um Erzeugungspositionen von Unter-Korn- Grenze im Hinblick auf die oben beschriebenen Probleme zu steuern. (Siehe hierzu "Journal of Electrochemical Society", Band. 130, Nr. 5, Seiten 1178 bis 1183.) In den Figuren bezeichnen gleiche Bezugszeichen wie in den Fig. 4(a) bis 5(b) gleiche oder entsprechende Bestandteile, und das Bezugszeichen 2D bezeichnet einen Kohlenstoffstreifen mit etwa 7 µm Dicke. Die Verfahrensschritte sind im folgen­ den beschrieben. FIGS. 6 (a) and 6 (b) are sectional views for Erläu esterification exemplary method steps according to the prior art for the production of a semiconductor substrate, which is improved to control generation positions of sub-grain boundary with respect to the above-described problems . (See "Journal of Electrochemical Society", vol. 130, No. 5, pages 1178 to 1183.) In the figures, the same reference symbols as in FIGS. 4 (a) to 5 (b) designate the same or corresponding constituents, and the reference numeral 2 D denotes a carbon strip with a thickness of approximately 7 µm. The process steps are described in the following.

Zuerst werden, wie in Fig. 6(a) gezeigt ist, ähnlich wie bei dem in Fig. 4(a) dargestellten Verfahrensschritt ein Isolierfilm 1 mit einem Siliziumoxidfilm, ein Halbleiter­ film 2 mit amorphem Silizium oder polykristallinem Silizi­ um, und ein Isolierfilm 3 mit einem Siliziumoxidfilm und einem Siliziumnitridfilm, welche laminiert sind, aufeinan­ derfolgend in dieser Reihenfolge auf dem Substratkörper 10 abge­ schieden, welches monokristallines Silizium beinhaltet. Kohlenstoffstreifen 20 mit 7 µm Dicke werden periodisch mit sich wiederholenden Intervallen von etwa 100 bis 200 µm auf dem Isolierfilm 3 gebildet, um ein Halbleitersubstratmate­ rial 500a zur Verfügung zu stellen.First, as shown in FIG. 6 (a), similar to the process step shown in FIG. 4 (a), an insulating film 1 with a silicon oxide film, a semiconductor film 2 with amorphous silicon or polycrystalline silicon, and an insulating film 3 with a silicon oxide film and a silicon nitride film, which are laminated, successively deposited in this order on the substrate body 10 containing monocrystalline silicon. Carbon strips 20 with a thickness of 7 μm are formed periodically with repeating intervals of approximately 100 to 200 μm on the insulating film 3 in order to provide a semiconductor substrate material 500 a.

Als nächstes wird ähnlich wie in dem in Fig. 4(b) darge­ stellten Verfahrensschritt, wenn Zonenschmelz-Rekristalli­ sierung des Halbleiterfilmes 2 unter Verwendung eines Koh­ lenstoffstreifen-Heizelementes in einer Streifenrichtung des Kohlenstoffstreifens durchgeführt wird, die Wärme von dem Kohlenstoffstreifen-Heizelement von den Kohlen­ stoffstreifen 20 absorbiert, und dadurch wird eine große Menge Wärme an die unterhalb der Kohlenstoffstreifen 20 ge­ legenen Abschnitte des Halbleiterfilmes 2 abgegeben. Da­ durch wird die Temperaturverteilung gemäß den Positionen des Kohlenstoffstreifens 20 in dem Halbleiterfilm 2 gebil­ det, und die konkav-konvexen Unebenheiten auf der Festkör­ per-Flüssigkeit-Phäsengrenzfläche werden durch die Tempera­ turverteilung moduliert, und Unter-Korn-Grenzen 4 werden in dem Halbleiterfilm 2 nur unterhalb der Kohlenstoffstreifen 20 hergestellt. Auf diese Weise können nicht nur Unter- Korn-Grenzen 4 so gesteuert werden, daß sie an besonderen Positionen erzeugt werden, sondern die Anzahl der Unter- Korn-Grenzen 4 kann reduziert werden. Der Grund für die Bildung der Kohlenstoffstreifen 20 mit Intervallen von etwa 100 bis 200 µm liegt darin, daß bei Intervallen von mehr als 200 µm Unter-Korn-Grenzen 4 ungünstig an anderen Ab­ schnitten des Halbleiterfilmes 2 als unterhalb der Kohlen­ stoffstreifen 20 erzeugt würden. Dieses Verfahren kann die Anzahl von Fehlstellen nicht verringern.Next, similarly to the process step shown in Fig. 4 (b), when zone melting recrystallization of the semiconductor film 2 is performed using a carbon strip heater in a strip direction of the carbon strip, the heat from the carbon strip heater is carried out by the Carbon strips 20 absorbed, and thereby a large amount of heat is given to the ge below the carbon strips 20 sections of the semiconductor film 2 . As a result, the temperature distribution is formed according to the positions of the carbon strip 20 in the semiconductor film 2 , and the concave-convex bumps on the solid-liquid-phase interface are modulated by the temperature distribution, and sub-grain boundaries 4 are in the semiconductor film 2 only produced below the carbon strips 20 . In this way, not only can lower grain limits 4 be controlled so that they are generated at special positions, but the number of lower grain limits 4 can be reduced. The reason for the formation of the carbon strips 20 with intervals of about 100 to 200 microns is that at intervals of more than 200 microns lower grain boundaries 4 unfavorably at other sections of the semiconductor film 2 than below the carbon strips 20 would be generated. This procedure cannot reduce the number of defects.

Fig. 7(a) und 7(b) zeigen Schnittansichten, welche Verfah­ rensschritte zur Herstellung eines Halbleitersubstrats ge­ mäß einem in "Extended Abstracts of the 18th (1986 Inter­ national) Conference on Solid State Devices and Materials, Tokyo, 1986, Seiten 565 bis 568" beschriebenen Stand der Technik erläutern. In den Figuren bezeichnen dieselben Be­ zugsziffern wie in den Fig. 4(a) bis 6(b) gleiche oder ent­ sprechende Elemente. Es folgt die Beschreibung der Prozess- Schritte. Fig. 7 (a) and 7 (b) are sectional views showing procedural rensschritte for producing a semiconductor substrate accelerator as claimed in "Extended Abstracts of the 18th (1986 Inter national) Conference on Solid State Devices and Materials, Tokyo, 1986, pp 565 to 568 "explain the prior art described. In the figures, the same reference numerals as in Figs. 4 (a) to 6 (b) designate the same or corresponding elements. The process steps are described below.

In den Verfahrensschritten wird, wie es in Fig. 7(a) ge­ zeigt ist, ein vorbestimmter Bereich in einem Substratkörper 10 mit monokristallinem Silizium oxidiert, um einen isolierten Bereich 1a zu bilden. Ein Halbleiterfilm 2 mit amorphem Silizium oder polykristallinem Silizium wird auf dem Substratkörper 10 gebildet. In the process steps, as shown in FIG. 7 (a), a predetermined area in a substrate body 10 is oxidized with monocrystalline silicon to form an isolated area 1 a. A semiconductor film 2 with amorphous silicon or polycrystalline silicon is formed on the substrate body 10 .

Ein Siliziumnitridfilm 3a, welcher dicke Strei­ fenabschnitte 3b aufweist, die periodisch in vorbestimmten Intervallen gebildet sind, wird auf dem Halbleiterfilm 2 gebildet, um ein Halbleitersubstratmaterial 500b zur Ver­ fügung zu stellen. Dann beträgt die Dicke des dünnen Ab­ schnittes des Siliziumnitridfilmes 3a beispielsweise 6 nm, und die Dicke des dicken Streifenabschnittes 3b des Silizi­ umnitridfilmes 3a beträgt 55 nm.A silicon nitride film 3 a, which has thick strip sections 3 b, which are formed periodically at predetermined intervals, is formed on the semiconductor film 2 in order to provide a semiconductor substrate material 500 b. Then the thickness of the thin section from the silicon nitride film 3 a is, for example, 6 nm, and the thickness of the thick strip section 3 b of the silicon nitride film 3 a is 55 nm.

Als nächstes wird Laserstrahlung von einer (nicht näher dargestellten) Laserlichtquelle auf die Oberfläche des Si­ liziumnitridfilmes 3a gestrahlt, und die Laserstrahlungs­ quelle wird mit einer vorbestimmten Geschwindigkeit entlang einer Streifenrichtung des dicken Streifenabschnittes 3b abgerastert, um die Zonenschmelz-Rekristallisierung des Halbleiterfilmes 2 durchzuführen. Während der Zonen­ schmelz-Rekristallisierung wird, wie es in Fig. 7(b) ge­ zeigt ist, da die dicken Streifenabschnitte 3b des Silizi­ umnitridfilmes 3a stärker als andere Abschnitte erwärmt werden, mehr Wärme auf die unterhalb der Streifenabschnitte 3b gelegenen Abschnitte des Halbleiterfilmes 2 beauf­ schlagt, wodurch Unter-Korn-Grenzen 4 an den Abschnitten des Halbleiterfilmes 2 hergestellt werden. Was die Zonen­ schmelz-Rekristallisierung betrifft, so dient ein den Halb­ leiterfilm 2 kontaktierender Abschnitt 10a des Siliziums 10, welches monokristallines Silizium beinhaltet, als Keim, und die Zonenschmelz-Rekristailisierung vollzieht sich ent­ lang der Kristallrichtung des Substrates 10, welches de­ fektfreies monokristallines Silizium beinhaltet, mit dem Ergebnis von weniger Störstellen 5 als in dem Fall, in dem die Zonenschmelz-Rekristallisierung mit dem in Fig. 6(a) und 6(b) gezeigten Verfahren durchgeführt wird, wodurch die Defektdichte verringert wird.Next, laser radiation is from a laser light source (not shown) on the surface of the Si liziumnitridfilmes 3 a blasted, and the laser radiation source is scanned b at a predetermined speed along a stripe direction of the thick stripe portion 3 to the zone melting recrystallization of the semiconductor film 2 to perform . During the zone melt recrystallization, as shown in Fig. 7 (b) ge, since the thick strip sections 3 b of the silicon nitride film 3 a are heated more than other sections, more heat is applied to the sections below the strip sections 3 b of the semiconductor film 2 is applied, whereby lower grain boundaries 4 are produced at the sections of the semiconductor film 2 . As for the zones of melt recrystallization, a section 10 a of the silicon 10 , which contains monocrystalline silicon, which contacts the semiconductor film 2 , serves as a seed, and the zone melt recrystallization takes place along the crystal direction of the substrate 10 , which is defect-free monocrystalline Silicon includes, with the result of fewer defects 5 than in the case where the zone melt recrystallization is carried out by the method shown in Figs. 6 (a) and 6 (b), thereby reducing the defect density.

Wie es oben beschrieben wurde, werden in den Verfahrens­ schritten zur Herstellung eines Halbleitersubstrates bei der Zonenschmelz-Rekristallisierung eines Halbleiterfilmes Kohlenstoffstreifen mit vorbestimmter Breite periodisch auf der oberen Oberfläche eines den Halbleiterfilm abdeckenden Isolierfilmes angeordnet, oder der Halbleiterfilm wird mit einem Isolierfilm abgedeckt, welcher periodisch auf dem Is­ olierfilm gebildete, dicke streifenförmige Abschnitte auf­ weist, wodurch die Anzahl der im Halbleiterfilm erzeugten Unter-Korn-Grenzen verringert wird, und durch Unter-Korn- Grenzen gegebene abträgliche Effekte für die Eigenschaften der Vorrichtung, nachdem eine Halbleitervorrichtung tat­ sächlich hergestellt wurde, werden in hohem Ausmaß durch Steuerung der Erzeugungspositionen von Unter-Korn-Grenzen verringert.As described above, the process proceeded to manufacture a semiconductor substrate the zone melt recrystallization of a semiconductor film  Carbon strips with a predetermined width periodically the upper surface of a covering the semiconductor film Insulating film arranged, or the semiconductor film with an insulating film, which is periodically on the Is olierfilm formed thick strip-shaped sections points, whereby the number of generated in the semiconductor film Sub-grain boundaries is reduced, and by sub-grain Limiting adverse effects for the properties the device after a semiconductor device did are manufactured to a large extent Control of the generation positions of sub-grain boundaries decreased.

Solange jedoch Unter-Korn-Grenzen im Halbleiterfilm vorhan­ den sind, kann die Verschlechterung von Eigenschaften der Vorrichtung nicht vollständig vermieden werden. Demgemäß ist es notwendig, Unter-Korn-Grenzen vollständig aus dem zonenschmelz-rekristallisierten Halbleiterfilm zu entfer­ nen, oder Unter-Korn-Grenzen in dem Halbleiterfilm zu deak­ tivieren, um die Eigenschaften der Vorrichtung zu verbes­ sern.However, as long as there are under grain limits in the semiconductor film those are, the deterioration in properties of the Device can not be avoided completely. Accordingly it is necessary to completely sub-grain boundaries from the to remove zone melt recrystallized semiconductor film nen, or sub-grain boundaries in the semiconductor film too deak Activate to improve the properties of the device ser.

Um dies zu verwirklichen, dachte man daran, an dem durch die in den Fig. 6 oder 7 erhaltenen Halbleitersubstrat eine erforderliche Strukturierung durchzuführen, oder die Unter- Korn-Grenzabschnitte zu entfernen oder zu deaktivieren. In den in den Fig. 6 oder 7 gezeigten Verfahrensschritten ist jedoch nach dem Entfernen der Kohlenstoffstreifen 20 oder des Isolierfilmes 3a, welcher einen Siliziumnitridfilm be­ inhaltet, die Herstellung einer weiteren Maskenstrukturie­ rung erforderlich, um die Unter-Korn-Grenzabschnitte zu entfernen oder zu deaktivieren. Wenn Verfahrensschritte zum Bilden und Entfernen der Maskenstrukturierung hinzukommen, ist das Verfahren zur Herstellung des Halbleitersubstrates insgesamt kompliziert. Wenn zusätzlich die Positionierungs­ genauigkeit bei der Herstellung der Maskenstrukturierung herabgesetzt ist, wird die vollständige Entfernung von Un­ ter-Korngrenzen unmöglich gemacht.In order to achieve this, it was considered to perform the required structuring on the semiconductor substrate obtained in FIGS. 6 or 7, or to remove or deactivate the lower grain boundary sections. In the process steps shown in FIG. 6 or 7, however, after the removal of the carbon strips 20 or the insulating film 3 a, which contains a silicon nitride film, the production of a further mask structuring is necessary in order to remove or close the sub-grain boundary sections deactivate. When process steps for forming and removing the mask structuring are added, the process for producing the semiconductor substrate is complicated overall. If, in addition, the positioning accuracy in the manufacture of the mask structuring is reduced, the complete removal of sub grain boundaries is made impossible.

Um die Zonenschmelz-Rekristallisierung eines Halbleiterfil­ mes gleichförmig im Halbleiterfilm durchführen zu können, ist in den oben beschriebenen Verfahrensschritten zur Her­ stellung eines Halbleitersubstrates des weiteren die Dicke des Halbleiterfilmes auf etwa 5 µm beschränkt, was oben be­ schrieben wurde. Wenn also ein Halbleiterfilm mit mehr als einigen Mikrometern Dicke, konkreter ausgedrückt mit etwa 50 bis 100 µm, welcher etwa in einer Solarzelle verwendet wird, gebildet wird, so liegen die Probleme darin, daß nicht nur der Kristallkorndurchmesser im Halbleiterfilm nicht vergrößert werden kann, sondern daß auch die Kri­ stalldefekte vermehrt sind.The zone melt recrystallization of a semiconductor film to be able to carry out mes uniformly in the semiconductor film, is in the process steps described above position of a semiconductor substrate further the thickness of the semiconductor film limited to about 5 microns, which be above was written. So if a semiconductor film with more than a few micrometers thick, more specifically expressed as about 50 to 100 µm, which is used in a solar cell The problem is that not just the crystal grain diameter in the semiconductor film cannot be enlarged, but that the Kri stall defects are increased.

Ausgehend von einem Verfahren mit den Merkmalen des Oberbe­ griffes von Patentanspruch 1 liegt der Erfindung die Auf­ gabe zu Grunde, in dem durch die Zonenschmelz-Rekristalli­ sation behandelten Halbleiterfilm die erzeugten Unterkorn- Grenzen durch einfache Verfahrensschritte vollständig zu entfernen und das weiter verwendbare Halbleitersubstrat durch eine gegenüber dem Stande der Technik verminderte An­ zahl von Verfahrensschritten bereitzustellen.Based on a procedure with the characteristics of the Oberbe handle of claim 1, the invention is on based on the fact that through the zone melting recrystalli treated semiconductor film the undersize produced Limit completely by simple procedural steps remove and the reusable semiconductor substrate due to a reduced number compared to the prior art number of procedural steps.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die Merkmale des Patentanspruchs 1 gelöst.This object is achieved by the features of Claim 1 solved.

Es sei angemerkt, daß es aus der Veröffentlichung in J. Appl. Physics, Band 60, 1986, Seiten 1152 bis 1160, bekannt ist, bei Verfahren der hier betrachteten Art zur Steuerung der Lage von Unterkorn-Grenzen oder Fehlstellen bei der Zonenschmelz-Rekristallisation Rillen in der Halbleiterfilmschicht zu bilden. Durch die vorliegende Erfindung wurde aber erkannt, daß die Rillenanordnung in der durch Zonenschmelz-Rekristallisation zu behandelnden Halbleiterschicht außer der Steuerung der Lage von Unterkorn-Grenzen und Störstellen die Möglichkeit gibt, durch Abätzen der behandelten Halbleiterschicht die Unterkorn-Grenzen und Fehlstellen durch einen sehr einfa­ chen und keine gesonderte Maskierung erforderlich machenden Verfahrensschritt zu beseitigen.It should be noted that from the publication in J. Appl. Physics, Volume 60, 1986, pages 1152 to 1160 is, for methods of the type considered here for control the location of undersize borders or defects in the Zone melting recrystallization grooves in the Form semiconductor film layer. By the present Invention has been recognized, however, that the groove arrangement in those to be treated by zone melt recrystallization Semiconductor layer beyond the control of the location of  Undersize and imperfections gives the possibility by etching the treated semiconductor layer Undersize limits and missing parts due to a very simple chen and no separate masking necessary Eliminate process step.

In einer Weiterbildung der vorliegenden Erfindung wird, nachdem die Unter-Korn-Grenzen im Halbleiterfilm entfernt sind, ein weiterer Halbleiterfilm auf dem Halbleiterfilm epitaktisch aufgewachsen. Somit wird ein Halbleitersubstrat mit einem über die Zwischenstufe eines Isolierfilmes auf dem Substratkörper gebildeten Halbleiter­ film hergestellt, welches eine hervorragende Kristallinität ohne Unter-Korn-Grenzen sowie eine Dicke von mehr als eini­ gen Mikrometern aufweist.In a development of the present invention, after the sub-grain boundaries are removed in the semiconductor film are another semiconductor film on the  Semiconductor film grew epitaxially. Thus a Semiconductor substrate with a via the intermediate one Insulating film semiconductor formed on the substrate body film made, which has an excellent crystallinity without lower grain limits and a thickness of more than one has micrometers.

Weitere Vorteile der vorliegenden Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf die Zeichnung.Other advantages of the present Invention result from the following description of Embodiments with reference to the drawing.

Es zeigen:Show it:

Fig. 1(a) bis 1(c) Schnittansichten zur Erläuterung von Verfahrensschritten zur Herstellung ei­ nes Halbleitersubstrates gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der vorlie­ genden Erfindung; Fig. 1 (a) to 1 (c) sectional views for explaining method steps for producing egg nes semiconductor substrate according to a first embodiment of the vorlie invention;

Fig. 2(a) und 2(b) eine Schnittansicht bzw. eine Drauf­ sicht zur Erläuterung einer inneren Struktur eines Halbleiterfilmes, an welchem in einem Verfahrensschritt im ersten Ausführungsbeispiel Zonen­ schmelz-Rekristallisierung durchgeführt wird; Fig. 2 (a) and 2 (b) is a sectional view and a plan view for explaining an inner structure of a semiconductor film, to which in a process step in the first embodiment zones melting recrystallization is performed;

Fig. 3 eine Schnittansicht zur Erläuterung ei­ ner Halbleitersubstratstruktur gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel; Fig. 3 is a sectional view for explaining ei ner semiconductor substrate structure according to a second embodiment;

Fig. 4(a) und 4(b) Schnittansichten zur Erläuterung von Verfahrensschritten zur Herstellung ei­ nes beispielhaften Halbleitersubstra­ tes, nach dem Stand der Technik; FIG. 4 (a) and 4 (b) are sectional views for explaining steps for producing egg nes exemplary Halbleitersubstra tes, according to the prior art;

Fig. 5(a) und 5(b) eine Schnittansicht bzw. eine Drauf­ sicht zur Erläuterung einer inneren Struktur eines Halbleiterfilmes, an welchem in einem Verfahrensschritt Zo­ nenschmelz-Rekristallisierung durchge­ führt wird; Figure 5 (a) and 5 (b) is a sectional view and a plan view for explaining an inner structure of a semiconductor film, to which in a process step Zo nenschmelz recrystallization Runaway leads is.

Fig. 6(a) und 6(b) Schnittansichten zur Erläuterung der Verfahrensschritte zur Herstellung ei­ nes Halbleitersubstrates; und Fig. 6 (a) and 6 (b) are sectional views for explaining the process steps for producing egg nes semiconductor substrate; and

Fig. 7(a) und 7(b) weitere Schnittansichten zur Erläute­ rung der Verfahrensschritte zur Her­ stellung eines Halbleitersubstrates. Fig. 7 (a) and 7 (b) further cross-sectional views for Erläute of procedures steps for Her position of a semiconductor substrate.

Ausführungsbeispiel 1Embodiment 1

Die Fig. 1(a) bis 1(c) zeigen Schnittansichten zur Erläute­ rung von Verfahrensschritten zur Herstellung eines Halblei­ tersubstrates gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. In den Figuren bezeichnen die glei­ chen Bezugszeichen wie in Fig. 4(a) gleiche oder entspre­ chende Bestandteile.The Fig. 1 (a) to 1 (c) are sectional views for Erläute tion of process steps for producing a semiconducting tersubstrates according to a first embodiment of the present invention. In the figures, the same reference numerals as in Fig. 4 (a) denote the same or corresponding components.

Es folgt eine Beschreibung der Verfahrensschritte unter Be­ zugnahme auf die Fig. 1. The method steps are described below with reference to FIG. 1.

Zuerst wird ein erster Isolierfilm 1 durch einen Siliziumoxidfilm mit einer Dicke von etwa 1 µm auf einem Substratkörper 10 gebil­ det, welches monokristallines Silizium auf­ weist. Ein Halbleiterfilm 2c aus amorphem Silizium oder po­ lykristallinem Silizium wird mit einer Dicke von etwa 0,5 bis 5 µm auf dem Isolierfilm 1 gebildet. Streifenförmige Rillen 2d mit 10 bis 20 µm Breite werden periodisch in In­ tervallen von etwa 100 bis 200 µm auf dem Halbleiterfilm 2c gebildet. Ein zweiter Isolierfilm 3 mit einem Siliziumoxidfilm und einem Siliziumnitridfilm, welche laminiert sind, wird mit einer Dicke von etwa 1 bis 3 µm auf dem Halbleiterfilm 2c gebildet. Auf diese Weise wird ein in Fig. 1(a) gezeigtes Halbleitersubstrat 200 erhalten.First, a first insulating film 1 is formed by a silicon oxide film with a thickness of approximately 1 μm on a substrate body 10 which has monocrystalline silicon. A semiconductor film 2 c of amorphous silicon or polycrystalline silicon is formed with a thickness of about 0.5 to 5 microns on the insulating film 1 . Strip-shaped grooves 2 d with 10 to 20 microns width are periodically formed at intervals of about 100 to 200 microns on the semiconductor film 2 c. A second insulating film 3 with a silicon oxide film and a silicon nitride film, which are laminated, is formed with a thickness of about 1 to 3 μm on the semiconductor film 2 c. In this way, a semiconductor substrate 200 shown in FIG. 1 (a) is obtained.

Als nächstes wird ein (nicht näher dargestelltes) Kohlen­ stoffstreifen-Heizelement oberhalb des Halbleitersubstrat­ materials 200 derart angeordnet, daß die Längsrichtung des Heizelementes senkrecht zu einer Streifenrichtung der streifenförmigen Rille 2d verläuft, und das Streifenheize­ lement wird über dem Halbleitersubstratmaterial 200 entlang einer Streifenrichtung der streifenförmigen Rille 2d von einem Ende des Halbleitermaterials 200 bis zum gegenüber­ liegenden Ende mit einer vorgeschriebenen Geschwindigkeit von 1 mm/s abgerastert. Hierdurch wird der Halbleiterfilm 2c zonenschmelz-rekristallisiert, wodurch der Durchmesser der Kristallkörner vergrößert und die elek­ trischen Eigenschaften wie etwa elektrische Leitfähigkeit verbessert werden. Es werden dünne Abschnitte des Halblei­ terfilmes 2c, auf welchen die streifenförmigen Rillen 2d gebildet sind, in einer kürzeren Zeit geschmolzen als dicke Abschnitte, auf welchen keine streifenförmige Rille 2d ge­ bildet ist. Als Ergebnis entsteht eine Temperaturverteilung in dem Halbleiterfilm 2c, durch welche Unter-Korn-Grenzen 4 an denjenigen Abschnitten des Halbleiterfilmes 2c gebildet werden, auf welchen streifenförmige Rillen 2d gebildet sind. Die Bildung der streifenförmigen Rillen 2d in Inter­ vallen von etwa 100 bis 200 µm hat hier den Grund, daß bei Bildung der streifenförmigen Rillen 2d in Intervallen von mehr als 200 µm Unter-Korn-Grenzen auch an den dicken Ab­ schnitten des Halbleiterfilmes 2c gebildet werden können, an welchen keine streifenförmigen Rillen 2d gebildet sind, d. h. Unter-Korn-Grenzen würden ungünstigerweise in unvor­ herbestimmbaren und unregelmäßigen Positionen bei der Zo­ nenschmelz-Rekristallisierung des Halbleiterfilmes 2 gebil­ det. Die Einstellung der Breite der streifenförmigen Rille 2d auf etwa 10 bis 20 µm hat den Grund, Unter-Korn-Grenzen mit guter Steuerbarkeit an Abschnitten des Halbleiterfilmes 2c zu erzeugen, auf welchen die streifenförmigen Rillen 2d gebildet sind, und wenn die Breite außerhalb dieses Berei­ ches liegt, können Unter-Korn-Grenzen ungünstigerweise auch an den dicken Abschnitten des Halbleiterfilmes 2 gebildet werden, an welchen keine streifenförmigen Rillen 2d gebil­ det sind.Next, a carbon strip heating element (not shown) is placed above the semiconductor substrate material 200 so that the longitudinal direction of the heating element is perpendicular to a strip direction of the strip-shaped groove 2 d, and the strip heating element is placed over the semiconductor substrate material 200 along a strip direction of the strip-shaped groove 2 d scanned from one end of the semiconductor material 200 to the opposite end at a prescribed speed of 1 mm / s. As a result, the semiconductor film 2 c is zone melt recrystallized, whereby the diameter of the crystal grains is increased and the elec trical properties such as electrical conductivity are improved. There are thin sections of the semiconductor film 2 c, on which the strip-shaped grooves 2 d are formed, melted in a shorter time than thick sections on which no strip-shaped groove 2 d is formed. The result is a temperature distribution in the semiconductor film 2 c, by means of which sub-grain boundaries 4 are formed on those sections of the semiconductor film 2 c on which strip-shaped grooves 2 d are formed. The formation of the stripe-shaped grooves 2 d in Inter vallen of about 100 to 200 microns has here the reason that d .mu.m when forming the stripe-shaped grooves 2 at intervals of more than 200 sub-grain boundaries also on the thicknesses of cut of the semiconductor film 2 c can be formed, on which no strip-shaped grooves 2 d are formed, ie lower grain boundaries would unfavorably be formed in unpredictable and irregular positions in the zener melt recrystallization of the semiconductor film 2 . The setting of the width of the strip-shaped groove 2 d to approximately 10 to 20 μm has the reason to produce lower grain limits with good controllability at sections of the semiconductor film 2 c on which the strip-shaped grooves 2 d are formed, and if the width lies outside of this area, lower grain boundaries can also be unfavorably formed on the thick sections of the semiconductor film 2 , on which no strip-shaped grooves 2 d are formed.

Die Fig. 2(a) und 2(b) zeigen eine Schnittansicht bzw. eine Draufsicht zur Erläuterung des Halbleitersubstratmaterials 200 nach den oben beschriebenen Verfahrensschritten sowie einen Zustand, in dem Unter-Korn-Grenzen 4 an Abschnitten des Halbleiterfilmes 2c entstanden sind, auf welchen die streifenförmigen Rillen 2d gebildet sind. Das Bezugszeichen 5 bezeichnet eine Fehlstelle.The Fig. 2 (a) and 2 (b) show a sectional view and a plan view for explaining the semiconductor substrate material 200 according to the above-described process steps, as well as a state in the sub-grain boundaries 4 at portions of the semiconductor film 2 have arisen c, on which the strip-shaped grooves 2 d are formed. The reference number 5 denotes a defect.

Als nächstes wird der Isolierfilm 3 mit Flußsäure in wäßri­ ger Lösung entfernt, worauf in Chloratmosphäre bei 1100°C die gesamte Oberfläche des Halbleiterfilmes 2c mit Wasser­ stoffchloridgas bis zu einer vorgeschriebenen Tiefe wegge­ ätzt wird, um den ersten Isolierfilm 1 an Abschnitten des Halblei­ terfilmes 2c, welche den Abschnitten der streifenförmigen Rillen entsprechen, freizulegen. Somit werden die Ab­ schnitte des Halbleiterfilmes 2c, auf welchen die streifen­ förmigen Rillen 2d gebildet sind, vollständig entfernt, was den Halbleiterfilm 2c ohne Unter-Korn-Grenzen 4 zum Ergeb­ nis hat. Next, the insulating film 3 is removed with hydrofluoric acid in aqueous solution, whereupon the entire surface of the semiconductor film 2 c is etched with hydrogen chloride gas to a prescribed depth in a chlorine atmosphere at 1100 ° C. to the first insulating film 1 at sections of the semiconductor film 2 c, which correspond to the sections of the strip-shaped grooves. Thus, the sections of the semiconductor film 2 c, on which the stripe-shaped grooves 2 d are formed, are completely removed, which has the semiconductor film 2 c without lower grain boundaries 4 as a result.

Bei den Verfahrensschritten zur Herstellung des Halbleiter­ substrates dieses Ausführungsbeispiels werden, nachdem der Halbleiterfilm 2c zonenschmelz-rekristallisiert ist, die in dem Halbleiterfilm 2c erzeugten Unter-Korn-Grenzen 4 nur durch Entfernen des Halbleiterfilmes 2c bis zu einer vorge­ schriebenen Tiefe von seiner Oberfläche an entfernt. Auf diese Weise kann ein Halbleitersubstrat mit einem über die Zwischenstufe eines Isolierfilmes auf dem Substratkörper gebildeten zonenschmelz-rekristallisierten Halbleiterfilm, in dem Halbleiterfilm-Unter-Korn-Grenzen sicher beseitigt sind, durch eine geringere Anzahl von Verfahrensschritten hergestellt werden.In the process steps for the production of the semiconductor substrate of this exemplary embodiment, after the semiconductor film 2 c is zone-melt recrystallized, the sub-grain boundaries 4 produced in the semiconductor film 2 c are only removed by removing the semiconductor film 2 c to a prescribed depth thereof Surface removed. In this way, a semiconductor substrate with a zone melt recrystallized semiconductor film formed on the substrate body via the intermediate stage of an insulating film and in which semiconductor film undersize limits are reliably eliminated can be produced by a smaller number of process steps.

Ausführungsbeispiel 2Embodiment 2

Fig. 3 zeigt eine Schnittansicht zur Erläuterung einer Halbleitersubstratstruktur gemäß einem zweiten Ausführungs­ beispiel. In der Figur bezeichnen die gleichen Bezugszei­ chen wie in den Fig. 1(a) bis 1(c) gleiche oder entspre­ chende Bestandteile. Fig. 3 shows a sectional view for explaining a semiconductor substrate structure according to a second embodiment example. In the figure, the same reference numerals as in Figs. 1 (a) to 1 (c) denote the same or corresponding components.

In einem Halbleitersubstrat dieses Ausführungsbeispiels wird, wie es in der Figur gezeigt ist, ein weiterer Halb­ leiterfilm 9 aus Silizium mit einer Dicke von etwa 5 bis 500 µm auf dem im ersten Ausführungsbeispiel hergestellten Halbleitersubstrat epitaktisch aufgewachsen, d. h. auf dem in Fig. 1c gezeigten Halbleitersubstratmaterial, welches von dem Isolierfilm 3 und Abschnitten des Halbleiterfilmes 2c unter den Rillen 2d befreit ist.In a semiconductor substrate of this exemplary embodiment, as shown in the figure, a further semiconductor film 9 made of silicon with a thickness of approximately 5 to 500 μm is grown epitaxially on the semiconductor substrate produced in the first exemplary embodiment, that is to say on the semiconductor substrate material shown in FIG. 1c , which is freed from the insulating film 3 and portions of the semiconductor film 2 c under the grooves 2 d.

Bei dem Halbleitersubstrat dieses Ausführungsbeispiels wird, da der Kristallkorndurchmesser im Halbleiterfilm 2c vergrößert ist, welcher zur Basis für den Halbleiterfilm 9 wird, und Unter-Korn-Grenzen aus dem Halbleiterfilm 2c ent­ fernt sind, der Halbleiterfilm 9 mit ausgezeichneter Kri­ stallinität ohne Unter-Korn-Grenzen gemäß der Kristallini­ tät des Halbleiterfilmes 2c aufgewachsen. In dem Halblei­ tersubstrat dieses Ausführungsbeispiels wird der Halblei­ terfilm 9 mit einer Dicke von etwa 50 bis 100 µm gebildet und kann wirksam als Halbleitersubstrat für eine Solarzelle verwendet werden.In the semiconductor substrate of this embodiment, since the crystal grain diameter in the semiconductor film 2 c is increased, which becomes the basis for the semiconductor film 9 , and sub-grain boundaries are removed from the semiconductor film 2 c, the semiconductor film 9 with excellent crystallinity without sub Grain boundaries grew according to the crystallinity of the semiconductor film 2 c. In the semiconductor substrate of this embodiment, the semiconductor film 9 is formed with a thickness of about 50 to 100 μm and can be effectively used as a semiconductor substrate for a solar cell.

Claims (2)

1. Verfahren zur Herstellung eins Halbleitersubstrats mit einem über einem Isolierfilm (1) auf einem Halbleiter­ substratkörper (10) gebildeten Halbleiterfilm (2c), welches die folgenden Schritte aufweist:
  • 1. [a] Vorbereiten des Halbleitersubstratkörpers (10) mit einer vorderen Oberfläche und einer zur vorderen Oberfläche gegenüberliegend angeordneten rückseitigen Oberfläche;
  • 2. [b] Bilden eines ersten Isolierfilms (1) und eines Halbleiterfilms (2c) auf dem Halbleitersubstratkörper (10) auf­ einanderfolgend in dieser Reihenfolge;
  • 3. [c] Bilden von streifenförmigen Rillen (2d) mit einer vorbestimmten Breite auf dem Halbleiterfilm (2c) periodisch mit vorbestimmten Intervallen;
  • 4. [d] Bilden eines zweiten Isolierfilms (3) auf dem Halbleiterfilm (2c); und
  • 5. [e] Durchführen einer Zonenschmelz-Rekristallisation des Halbleiterfilms (2c) in einer Streifenrichtung der streifenförmigen Rille (2d) ausgehend von einem Ende des Substrats bis zu einem dazu gegenüberliegenden Ende;
gekennzeichnet durch folgenden weiteren Verfahrensschritt:
  • 1. [f] Entfernen des zweiten Isolierfilms (3) und Wegät­ zen einer gesamten Oberfläche des ersten Halbleiterfilms (2c) bis zu einer vorbestimmten Tiefe, um Öffnungen an Po­ sitionen des ersten Halbleiterfilms (2c) in diesem zu bil­ den, an denen die streifenförmigen Rillen (2d) gebildet waren.
1. A method for producing a semiconductor substrate with a semiconductor film ( 2 c) formed over an insulating film ( 1 ) on a semiconductor substrate body ( 10 ), which comprises the following steps:
  • 1. [a] preparing the semiconductor substrate body ( 10 ) having a front surface and a rear surface arranged opposite to the front surface;
  • 2. [b] forming a first insulating film ( 1 ) and a semiconductor film ( 2 c) on the semiconductor substrate body ( 10 ) in succession in that order;
  • 3. [c] forming stripe-shaped grooves ( 2 d) with a predetermined width on the semiconductor film ( 2 c) periodically at predetermined intervals;
  • 4. [d] forming a second insulating film ( 3 ) on the semiconductor film ( 2 c); and
  • 5. [e] performing zone melt recrystallization of the semiconductor film ( 2 c) in a stripe direction of the stripe-shaped groove ( 2 d) starting from one end of the substrate to an opposite end;
characterized by the following further process step:
  • 1. [f] Removing the second insulating film ( 3 ) and Wegät zen an entire surface of the first semiconductor film ( 2 c) to a predetermined depth to form openings at positions of the first semiconductor film ( 2 c) in the, the which the strip-shaped grooves ( 2 d) were formed.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß es den weiteren Schritt des epitaktischen Aufwachsens eines weiteren Halbleiterfilms (9) auf die gesamte Oberfläche des Halbleitersubstrats aufweist.2. The method according to claim 1, characterized in that it has the further step of epitaxially growing a further semiconductor film ( 9 ) on the entire surface of the semiconductor substrate.
DE4447680A 1993-02-26 1994-02-10 Method of manufacturing a semiconductor substrate Expired - Fee Related DE4447680C2 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5037205A JPH06252073A (en) 1993-02-26 1993-02-26 Semiconductor substrate and its manufacturing method
DE4404257A DE4404257C2 (en) 1993-02-26 1994-02-10 Method of manufacturing a semiconductor substrate

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE4447680C2 true DE4447680C2 (en) 1999-08-26

Family

ID=25933711

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE4447663A Expired - Fee Related DE4447663C2 (en) 1993-02-26 1994-02-10 Semiconductor substrate prodn.
DE4447680A Expired - Fee Related DE4447680C2 (en) 1993-02-26 1994-02-10 Method of manufacturing a semiconductor substrate

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE4447663A Expired - Fee Related DE4447663C2 (en) 1993-02-26 1994-02-10 Semiconductor substrate prodn.

Country Status (1)

Country Link
DE (2) DE4447663C2 (en)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS627116A (en) * 1985-07-03 1987-01-14 Agency Of Ind Science & Technol Manufacture of soi single crystal

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4752590A (en) * 1986-08-20 1988-06-21 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Method of producing SOI devices

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS627116A (en) * 1985-07-03 1987-01-14 Agency Of Ind Science & Technol Manufacture of soi single crystal

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
US-Z.: J. Appl. Phys., Bd. 60, 1986, S. 1152-1160 *

Also Published As

Publication number Publication date
DE4447663C2 (en) 1999-02-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3249777C2 (en)
DE4019209C2 (en)
DE1933690C3 (en) Method for producing an at least regionally monocrystalline film on a substrate
DE3311635C2 (en)
DE4019219C2 (en)
DE3224604C2 (en)
DE3043913A1 (en) SEMICONDUCTOR ARRANGEMENT AND METHOD FOR THEIR PRODUCTION
DE2749607C3 (en) Semiconductor device and method for the production thereof
DE3603470A1 (en) METHOD FOR PRODUCING FIELD EFFECT COMPONENTS ON A SILICON SUBSTRATE
DE1564191B2 (en) METHOD FOR PRODUCING AN INTEGRATED SEMI-CONDUCTOR CIRCUIT WITH DIFFERENT CIRCUIT ELEMENTS, ELECTRICALLY INSULATED CIRCUIT ELEMENTS, EACH OTHER AND AGAINST A COMMON SILICONE SUBSTRATE
DE19634617A1 (en) Solar cell manufacture, preventing recombination of electrons at cell surface
DE2654945A1 (en) A PROCESS FOR THE PRODUCTION OF ESSENTIALLY SINGLE CRYSTALLINE STRIPS FOR USE IN THE PRODUCTION OF ELECTRONIC SOLID STATE ARRANGEMENTS, IN PARTICULAR IN THE PRODUCTION OF SOLAR CELLS
DE1814747C2 (en) Process for the production of field defect transistors
DE1965406A1 (en) Monolithic integrated circuits and methods of making them
DE4010889A1 (en) Manufacture of laser diode with heterostructure - using masking and etching processes to form layers
DE2738961A1 (en) METHOD FOR PRODUCING AN INTEGRATED SEMI-CONDUCTOR CIRCUIT WITH AIR INSULATION
DE2517252A1 (en) SEMICONDUCTOR ELEMENT
DE4112045A1 (en) Semiconductor component e.g. MOS LDD type transistor - has element separating insulating layer which surrounds active region at peripherally identical height on main substrate surface
DE2654946C2 (en)
DE2832153C2 (en) Process for manufacturing semiconductor devices
DE4447680C2 (en) Method of manufacturing a semiconductor substrate
DE3932277C2 (en)
DE4193392C2 (en) Method of manufacturing a solar cell using an epitaxial growth method
DE4404257C2 (en) Method of manufacturing a semiconductor substrate
DE3434552C2 (en)

Legal Events

Date Code Title Description
Q172 Divided out of (supplement):

Ref country code: DE

Ref document number: 4404257

8110 Request for examination paragraph 44
AC Divided out of

Ref country code: DE

Ref document number: 4404257

Format of ref document f/p: P

AC Divided out of

Ref country code: DE

Ref document number: 4404257

Format of ref document f/p: P

D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee