DE4444681A1 - Keramik-Substrat sowie Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents
Keramik-Substrat sowie Verfahren zu seiner HerstellungInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sieh auf ein Keramik-Substrat gemäß Oberbegriff Patentanspruch 1
sowie auf ein Verfahren gemäß Oberbegriff Patentanspruch 13.
Keramik-Substrate für elektrische Schaltkreise oder Baugruppen, insbesondere für Leistungs-
Schaltkreise oder Baugruppen sind in den unterschiedlichsten Ausführungen bekannt. Bekannt
ist hierbei insbesondere auch, die zum Herstellen von Leiterbahnen, Anschlüssen usw. benötigte
Metallisierung auf einer Aluminiumoxid-Keramik mit Hilfe des sogenannten "DCB-
Verfahrens" (Direct-Copper-Bond-Technology) herzustellen, und zwar unter Verwendung von
die Metallisierung bildenden, an ihren Oberflächen oxidierten Kupferfolien. Die
Kupferoxidschicht dieser Folien bildet ein Eutektikum mit einer Schmelztemperatur unter der
Schmelztemperatur des Kupfers, so daß durch Auflegen der Folien auf die Keramik und durch
Erhitzen sämtlicher Schichten diese miteinander verbunden werden können, und zwar durch
Aufschmelzen des Kupfers im wesentlichen nur im Bereich der Oxidschicht.
Vielfach wird insbesondere auch bei Leistungsschaltkreisen die Verwendung einer
Aluminiumnitrid-Keramik anstelle ein Aluminiumoxid-Keramik angestrebt, und zwar wegen
der im Vergleich zur Aluminiumoxid-Keramik höheren Wärmeleitfähigkeit der
Aluminiumnitrid-Keramik.
Grundsätzlich nachteilig ist hier aber, daß der übliche und bewährte DCB-Prozeß bei
Aluminiumnitrid-Keramiken nicht ohne weiteres anwendbar ist.
Es wurde daher bereits vorgeschlagen, auf die Schicht aus der Aluminiumnitird-Keramik
zunächst eine Schicht aus Aluminiumoxid aufzubringen, und zwar derart, daß diese Zwischen-
oder Hilfsschicht, die ein Aufbringen der Metallisierung bzw. der Kupferschicht mit Hilfe des
DCB-Prozesses ermöglichen soll, an ihrer freiliegenden Oberfläche noch eine die Haftung
verbessernde Rauhigkeit aufweist (DE-OS 35 34 886).
Weiterhin wurde vorgeschlagen, auf ein Ausgangssubstrat oder einen Trägerkörper aus
Aluminiumnitrid eine Aluminiumoxydschicht aufzubringen, und zwar insbesondere durch
Flammspritzen eines Aluminiumoxydpulvers oder aber im Siebdruckverfahren (DE-OS 38 44
264).
Nachteilig ist bei allen diesen bekannten Verfahren, daß trotz des Aufbringens der
Zwischenschicht aus Aluminiumoxid eine einwandfreie, homogene und keine Fehlstellen
aufweisende flächige Verbindung zwischen der Schicht aus der Aluminiumnitrid-Keramik und
der Metallisierung im DCB-Prozeß nicht erreicht wird, es vielmehr zu zahlreichen Fehlstellen
kommt, d. h. zu Bereichen, an denen eine Verbindung nicht zustandegekommen ist oder aber
sich die Metallisierung durch Blasenbildung von der Keramik abgehoben hat.
Aufgabe der Erfindung ist es, ein Keramiksubstrat sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung
aufzuzeigen, welches die vorgenannten Nachteile vermeidet und es ermöglicht, eine
Metallisierung auf eine Aluminiumnitrid-Keramik großflächig ohne Fehlstellen aufzubringen.
Zur Lösung dieser Aufgabe ist ein Substrat entsprechend dem kennzeichnenden Teil des
Patentanspruches 1 und ein Verfahren entsprechend dem kennzeichnenden Teil des
Patentanspruches 13 ausgebildet.
Die Besonderheit der Erfindung besteht darin, daß die auf die Aluminiumnitrid-Keramik
aufgebrachte Hilfsschicht zumindest in einer Teilschicht einen Anteil an einem Zusatz enthält,
der von einem Oxid wenigstens eines Stoffes der Gruppe Silizium, Mangan, Titan, Zirkon,
Hafnium oder Yttrium gebildet ist. Vorzugsweise wird als Zusatz ein Siliziumoxid verwendet.
Durch diesen Anteil an dem Zusatz, beispielsweise Siliziumoxid, ergibt sich in überraschender
Weise eine erhebliche Verdichtung der Hilfsschicht, so daß eine für die Fehlstellen und die
Blasenbildung beim Stand der Technik verantwortliche Diffusion von Sauerstoff durch die
Hilfsschicht wirksam vermieden ist. Nach einer der Erfindung zugrundeliegenden Erkenntnis ist
die erhöhte Dichtigkeit darauf zurückzuführen, daß sich die Temperaturänderungen, die ein
Substrat bei den üblichen Verfahren unvermeidbar erfährt, durch den Anteil an dem Zusatz
nicht zu Rissen oder dergl. Undichtigkeiten in der Zwischen- oder Hilfsschicht führen können.
Hierdurch ist ein Sauerstoffdurchtritt durch diese Hilfsschicht und damit insbesondere beim
DCB-Prozeß auch die die Fehlstellen und Blasen verursachende Reaktion des Aluminiumnitrids
mit dem Sauerstoff des Kupferoxids der verwendeten Kupferfolien wirksam vermieden.
Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche.
Die Erfindung wird in Folgenden anhand der Fig. 1-5, die jeweils in vereinfachter
Darstellung und im Schnitt verschiedene mögliche Ausführungsformen des erfindungsgemäßen
Substrates wiedergeben, näher erläutert.
In den Figuren ist 1 ein Ausgangssubstrat oder eine Schicht aus einer Aluminium-Nitrid-
Keramik (AlN).
Bei der für die Fig. 1 angenommenen Ausführungsformen soll dieses Ausgangssubstrat 1
beidseitig mit Hilfe des dem Fachmann bekannten DCB-Verfahrens jeweils mit einer
Metallisierung, d. h. mit einer dünnen Kupferschicht oder -folie 2 versehen werden, wobei jede
Kupferfolie 2 an beiden Oberflächenseiten jeweils oxidiert ist, d. h. aus einen Kern 3 aus Kupfer
(Cu) und aus einer dünnen Oxidschicht 4 (Cu₂O/CuO) an beiden Oberflächenseiten besteht.
Der Kern 3 besitzt dabei eine wesentlich größere Dicke als jede der beiden Oxidschichten 4.
Um die Kupferschichten 2 mit Hilfe des DCB-Prozesses einwandfrei mit dem Ausgangssubstrat
1 verbinden zu können, weist dieses bei der in der Fig. 1 wiedergegebenen Ausführungsform
zusätzlich zu dem Kern 5 aus der Aluminiumnitrit-Keramik (AlN) an beiden Oberflächenseiten
eine Schicht 6 auf, die aus Aluminiumoxid (Al₂O₃) besteht und die einen geringen Anteil an
Siliziumoxid (SiO₂) enthält, und zwar in der Größenordnung zwischen 0,1-40 Mol %. Die
Dicke der Schichten 6 ist wesentlich kleiner als die Dicke des Kernes 5 und liegt jeweils in der
Größenordnung zwischen 0,5 und 4 Micrometer.
Es hat sich gezeigt, daß erst durch den Anteil an Siliziumoxid in der Zwischenschicht 6 eine
homogene Verbindung des Ausgangssubstrates 1 mit den Kupferschichten 2 mit Hilfe des
DCB-Prozesses möglich ist, d. h. insbesondere eine ganzflächige Verbindung ohne Fehlstellen,
d. h. ohne Bereiche, an denen die Verbindung zwischen der jeweiligen Kupferschicht 2 und dem
Ausgangssubstrates 1 nicht zustandegekommen oder durch Blasenbildung gestört ist.
Wie vorstehend bereits ausgeführt wurde, ist dies nach der der Erfindung zugrundeliegenden
Erkenntnis nur dann erreichbar, wenn die für die Durchführung des DCB-Prozesses
grundsätzlich notwendigen Zwischenschichten 6 aus Aluminiumoxid-Keramik (Al₂O₃) den
vorstehend genannten Anteil an Siliziumoxid aufweisen, da sich in den üblichen
Verfahrensschritten erhebliche Temperaturänderungen des Ausgangssubstrates insbesondere
auch nach dem Aufbringen der Zwischenschichten 6 und während des DCB-Prozesses nicht
vermeiden lassen. Diese Temperaturschwankungen führen nach der der Erfindung
zugrundliegenden Erkenntnis beim Fehlen von Siliziumoxid in den Zwischenschichten 6 dort
zu Rissen oder Undichtigkeiten mit der Folge, daß im Bereich solcher Undichtigkeiten das
Aluminium-Nitrid des Kernes 5 direkt mit dem Kupferoxid der Oxidschichten 4 reagiert, ohne
daß es zu der gewünschten Verbindung zwischen dem Ausgangssubstrat 1 und den
Kupferschichten kommt, vielmehr Stickstoff freigesetzt wird mit der Folge einer Blasenbildung
zwischen der jeweiligen Kupferschicht 2 und dem Ausgangssubstrat, und zwar entsprechend
der nachfolgenden Reaktionsgleichung:
2AlN+3Cu₂O --- Al₂O₃+Cu+N₂.
Durch den in die Zwischenschichten 6 eingelagerten Anteil an Siliziumoxid wird in
überraschender Weise eine Verdichtung der Zwischenschichten 6 in der Form erreicht, daß
derartige Undichtigkeiten oder Risse bei den im Verfahren unvermeidlichen
Temperaturunterschieden in den Zwischenschichten 6 und die hiermit verbundenen Nachteile
nicht auftreten.
Mit Zwischenschichten 6, die ausschließlich aus Siliziumoxid bestehen läßt sich der mit der
Erfindung angestrebte Effekt (großflächige, homogene Verbindung des Ausgangssubstrates 1
mit den Kupferschichten 2 ohne Fehlstellen und Blasen) selbstverständlich ebenfalls nicht
erreichen, d. h. es kommt wesentlich auf die vorstehend angegebene Konzentration des
Siliziumoxides in der aus Al₂O₃ bestehenden Zwischenschicht 6 an.
Da die Dicke der Zwischenschichten 6 in der Größenordnung zwischen 0,5 und 4 Micrometer
liegt, sind diese Zwischenschichten zwar für eine zuverlässige Verbindung des
Ausgangssubstrates mit den Kupferschichten 2 ausreichend, der besondere Vorteil des
Aluminiumnitrits, nämlich die im Vergleich zur Aluminiumoxid-Keramik wesentlich
verbesserte Wärmeleitfähigkeit, wird insgesamt aber nicht beeinträchtigt.
Das Ausgangssubstrat kann beispielsweise so hergestellt werden, daß auf dem Kern 5 aus AlN
beidseitig jeweils eine sehr dünne Schicht aus einem siliziumhaltigen Material aufgebracht wird
und danach dieser Kern 5 bei einer Temperatur im Bereich zwischen etwa 800-1300°C,
vorzugsweise bei einer Temperatur von 1200°C, in oxidierender Atmosphäre behandelt wird.
Im einzelnen erfolgt die Herstellung des Ausgangssubstrates beispielsweise nach folgenden
Verfahren:
- - Schleifen einer den Kern 5 bildenden Platte oder Scheibe aus AlN auf die gewünschte Dicke, und zwar unter Verwendung herkömmlicher, dem Fachmann bekannter mechanischer Verfahren;
- - Reinigen des Kernes 5 in 10%iger Schwefelsäure (H₂SO₄) im Ultraschall-Bad;
- - Mehrfaches Spülen des Kernes 5 in deionisiertem Wasser;
- - Trockenen des Kernes 5 bei 100°C;
- - Aufdampfen von Si im Hochvakuum bis zu einer Schichtdicke von etwa 0,03 Micrometer auf beide Oberflächenseiten;
- - Behandeln des beschichteten Kernes 6 über eine Zeitdauer von etwa 65 Minuten in einer Atmosphäre, die O₂ und N₂ in einem Volumenanteil von 80 Volumenprozent O₂ und 20 Volumeprozent N₂ enthält bei 1200°C und
- - anschließendes Abkühlen.
Mit diesen vorgenannten Verfahren erhält man das Ausgangssubstrat 1 mit dem Kern 5 aus
AlN und den dichten Zwischenschichten 6 aus Al₂O₃ und SiO₂. Das Verhältnis von Al₂O₃ zu
SiO₂ läßt sich durch die Schichtdicke des zuvor aufgebrachten Si in Kombination mit der
Brenntemperatur und Brenndauer variieren. Das Verhältnis läßt sich darüber hinaus auch durch
gemeinsames Aufdampfen von Al und Si im Hochvakuum in Verbindung mit der
Nachbrennzeit und/oder -Temperatur einstellen.
Eine zusätzliche Variente besteht im wechselweisen Aufbringen dünner Schichten aus Al und
Si im Hochvakuum, so daß zunächst eine laminatähnliche Struktur entsteht. Durch geringfügige
Sauerstoffanteile lassen sich durch den Nachbrennschritt Aluminiumoxid-Schichten mit SiO₂
erzeugen (CVD-Verfahren).
Die Fig. 2 zeigt ein Ausgangssubstrat 1a, welches sich von dem Ausgangssubstrat der Fig. 1
dadurch unterscheidet, daß die dortigen Zwischenschichten 6a zusätzlich zu den unmittelbar an
den Kern 5 anschließenden Schichten 7 aus Al₂O₃ mit dem Anteil an SiO₂ noch eine weitere auf
jede dieser Schichten 7 aufgebrachte Schicht 7′ aufweisen, die ausschließlich aus
Aluminiumoxid-Keramik (Al₂O₃) besteht. Dieses in der Fig. 2 wiedergegebene
Ausgangssubstrat 1a läßt sich mit den einem Fachmann geläufigen Techniken erreichen,
beispielsweise durch zusätzliches Aufbringen oder Aufspritzen der Schichten 7′ im Plasma.
Fig. 3 zeigt ein Ausgangssubstrat 1b, welches sich von dem Ausgangssubstrat der Fig. 1
dadurch unterscheidet, daß beim Ausgangssubstrat 1b in den dortigen Zwischenschichten 6b
das Siliziumoxid in kleinen Clustern, die einen Durchmesser kleiner als 0,01 Micrometer
aufweisen, im Aluminiumoxid gleichmäßig verteilt vorgesehen sind.
Fig. 4 zeigt im Schnitt ein Substrat, welches beispielsweise aus dem Ausgangssubstrat 1 unter
Verwendung der beiden Kupferschichten 2 hergestellt ist. Dementsprechend besitzt dieses
Substrat den Kern 5 aus Al N, der beidseitig mit jeweils einer Zwischenschicht 6 versehen ist,
auf der dann an beiden Oberflächenseiten des Substrates 1c eine Metallisierung 8 mit Hilfe des
DCB-Prozesses großflächig aufgebracht ist.
Die Fig. 5 zeigt schließlich ein Substrat 1d, welches sich von dem Substrat 1c im wesentlichen
nur dadurch unterscheidet, daß die für die Herstellung der Metallisierung 8 verwendeten
Kupferfolien an ihren Oberflächenseiten eine besonders sauerstoffreiche Kupferphase, d. h. eine
Oxyidschicht mit besonders großer Dicke, beispielsweise mit einer Dicke von mindestens 3
Micrometer aufwiesen, so daß zwischen der Zwischenschicht 6 und jeder Kupferschicht 8 noch
eine Schicht 9 vorhanden ist, die Kupfer und Kupferoxid (Cu + Cu₂O) enthält.
Die Erfindung wurde voranstehend an Ausführungsbeispielen beschrieben. Es versteht sich, daß
zahlreiche Änderungen sowie Abwandlungen möglich sind, ohne daß dadurch der der
Erfindung zugrundeliegende Erfindungsgedanke verlassen wird. So ist es unter Verwendung der
vorbeschriebenen Technik insbesondere möglich, Substrate herzustellen, die nur an einer Seite
der Aluminiumnitrid-Keramik eine Metallisierung aufweisen und/oder solche Substrate
herzustellen, die eine Vielzahl von Metallschichten mit dazwischenliegenden Keramikschichten
besitzen, von denen zumindest ein Teil dann von der mit den Zwischenschichten 6 oder 6b
versehenen Aluminiumnitrid-Keramik gebildet ist weiterhin können auch andere Oxide,
beispielsweise ein Oxid eines Metalls der vierten Nebengruppe (Ti, Zr, Hf) des periodischen
Systems und/oder Yttriumoxid oder Kombinationen dieser Oxide als Zusatz verwendet werden.
Bezugszeichenliste
1 Ausgangssubstrat
2 Kupferfolie oder Kupferschicht
3 Kern
4 Oxidschicht
5 Kern
6 Zwischenschicht
7 Zwischenschicht
8 Metallisierung
9 Kupfer-Kupferoxid-Schicht
2 Kupferfolie oder Kupferschicht
3 Kern
4 Oxidschicht
5 Kern
6 Zwischenschicht
7 Zwischenschicht
8 Metallisierung
9 Kupfer-Kupferoxid-Schicht
Claims (19)
1. Substrat mit wenigstens einer Schicht (5) aus Aluminiumnitrid (AlN), die an wenigstens
einer Oberflächenseite mit einer Zwischen- oder Hilfsschicht (6, 6b) versehen ist, die
Aluminiumoxid (Al₂O₃) enthält und eine Dicke im Bereich von etwa 0,5-10 Micrometer
aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß in der Zwischenschicht (6, 6a, 6b) als Zusatz 0,1-
40 Mol % wenigstens eines Oxids der nachfolgenden Gruppe enthalten sind:
Siliziumoxid (SiO₂)
Oxid eines Metalls der 4. Nebengruppe des periodischen Systems
Mangan-oxid
Yttriumoxid (Y₂O₃).
Siliziumoxid (SiO₂)
Oxid eines Metalls der 4. Nebengruppe des periodischen Systems
Mangan-oxid
Yttriumoxid (Y₂O₃).
2. Substrat nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Zwischenschicht wenigstens
zwei den Zusatz bildende Oxide in Kombination enthält.
3. Substrat nach Anspruch 1 oder 2, daß das Oxid des Metalls der 4. Nebengruppe des
periodischen Systems ein Oxid von Titan (Ti), Zirkon (Zr) und/oder Hafnium (Hf) ist.
4. Substrat nach einem der Ansprüche 1-3, dadurch gekennzeichnet, daß der Zusatz in dem
an die Schicht (5) aus Aluminiumnitrid anschließenden Bereich (6) der Zwischenschicht
(6a) angereichert ist.
5. Substrat nach einem der Ansprüche 1-4, dadurch gekennzeichnet, daß die Zwischenschicht
(6a) aus einer an die Schicht aus Aluminiumnitrid unmittelbar anschließenden ersten
Schicht aus Aluminiumoxid, die den Zusatz enthält, sowie aus einer daran anschließenden
zweiten Aluminium-Oxid-Schicht (7′) besteht, die keinen Anteil oder im wesentlichen
keinen Anteil an dem Zusatz enthält.
6. Substrat nach einem der Ansprüche 1-5, dadurch gekennzeichnet, daß die Konzentration
an Zusatz in der Zwischenschicht (6a) mit zunehmendem Abstand von der Schicht (5) aus
Aluminiumnitrid abnimmt.
7. Substrat nach einem der Ansprüche 1-6, dadurch gekennzeichnet, daß der Anteil an Zusatz
in der Zwischenschicht (6b) in Cluster gleichmäßig verteilt vorgesehen ist, wobei die
Cluster vorzugsweise einen Durchmesser kleiner als etwa 0,01 Micrometer aufweisen.
8. Substrat nach einem der Ansprüche 1-7, dadurch gekennzeichnet, daß der Anteil an dem
den Zusatz bildenden Siliziumoxid im Aluminiumoxid als Mullit vorliegt.
9. Substrat nach einem der Ansprüche 1-8, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht (5) aus
Aluminiumnitrid wenigstens einseitig über die dortige Zwischenschicht (6, 6a, 6b) mit einer
Kupferschicht oder Metallisierung (8), vorzugsweise mit einer 0,1-0,8 mm dicken
Kupferschicht flächig verbunden ist.
10. Substrat nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Kupferschicht (8) über eine
sauerstoffreiche Kupferphase (9), vorzugsweise über eine sauerstoffreiche Kupferphase mit
einer Dicke von mindestens 3 Micrometer mit der einen Seite der Schicht (5) aus
Aluminiumnitrid bzw. mit der dortigen Zwischenschicht (6, 6a, 6b) verbunden ist.
11. Substrat nach einem der Ansprüche 1-10, dadurch gekennzeichnet, daß die wenigstens
eine Schicht (5) aus Aluminiumnitrid etwa 0,5-6% Y₁O₃, CaO oder ein anderes
Bindemittel enthält.
12. Substrat nach einem der Ansprüche 1-11, dadurch gekennzeichnet, daß die wenigstens
eine Kupferschicht (8) auf die wenigstens eine Seite der wenigstens eine Schicht (5) aus
Aluminiumnitrid bzw. auf die dortige Zwischenschicht (6, 6a, 6b) im DCB-Prozeß
aufgebracht ist.
13. Verfahren zum Herstellen eines Substrates mit wenigstens einer Schicht (5) aus
Aluminiumnitrid-Keramik, bei dem (Verfahren) auf wenigstens eine Seite dieser Schicht
(5) eine Hilfs- oder Zwischenschicht (6, 6a, 6b) aus Aluminiumoxid aufgebracht wird,
dadurch gekennzeichnet, daß das Aufbringen der Zwischenschicht (6, 6a, 6b) unter
Verwendung wenigstens eines Stoffs der Gruppe
Silizium (Si),
Metall der 4. Nebengruppe des periodischen Systems
Mangan-Oxid und/oder
Yttrium (Y)
derart erfolgt, daß die Zwischenschicht zumindest in einem Teil ihrer Dicke einen Anteil an einem Zusatz von etwa 0,1-40 Mol % aus einem Oxid wenigstens eines der vorgenannten Stoffe enthält.
Silizium (Si),
Metall der 4. Nebengruppe des periodischen Systems
Mangan-Oxid und/oder
Yttrium (Y)
derart erfolgt, daß die Zwischenschicht zumindest in einem Teil ihrer Dicke einen Anteil an einem Zusatz von etwa 0,1-40 Mol % aus einem Oxid wenigstens eines der vorgenannten Stoffe enthält.
14. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß die Zwischenschicht wenigstens
zwei den Zusatz bildende Oxide in Kombination enthält.
15. Verfahren nach Anspruch 13 oder 14, daß das Oxid des Metalls der 4. Nebengruppe des
periodischen Systems ein Oxid von Titan (Ti), Zirkon (Zr) und/oder Hafnium (Hf) ist.
16. Verfahren nach einem der Ansprüche 13-15, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht (5)
aus Aluminiumnitrid zunächst an wenigstens einer Oberflächenseite mit einer 0,02-1,0
Micrometer dicken, etwa 5 bis 100 Atomprozent, vorzugsweise etwa 25 Atomprozent
Zusatz enthaltenen Schicht versehen und anschließend bei einer Temperatur zwischen etwa
800-1300°C in einer sauerstoffhaltigen Atmosphäre solange behandelt wird, bis sich die
Zwischenschicht mit der gewünschten Dicke gebildet hat.
17. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß die Behandlung in der
sauerstoffhaltigen Atmosphäre solange erfolgt, bis sich für die jeweilige Zwischenschicht
(6, 6a, 6b) eine Schichtdicke von etwa 0,5-10 Micrometer eingestellt hat.
18. Verfahren nach einem der Ansprüche 13-17, dadurch gekennzeichnet, daß nach dem
Herstellen der wenigstens einen Zwischenschicht (6, 6a, 6b) auf dieser eine Metallschicht
(8) unter Verwendung einer oxidierten Metall- oder Kupferfolie sowie des DCB-Prozesses
flächig befestigt wird.
19. Verfahren nach einem der Ansprüche 13-18, dadurch gekennzeichnet, daß die wenigstens
eine Schicht (5) aus Aluminiumoxid-Keramik beidseitig mit jeweils einer Zwischenschicht
(6, 6a, 6b) versehen wird, und daß auf beiden Zwischenschichten jeweils unter Verwendung
des DCB-Prozesses eine Metall- oder Kupferschicht aufgebracht wird.
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