DE4429925C1 - Electronic contactless position determination of EM photons or particles e.g. electrons - Google Patents
Electronic contactless position determination of EM photons or particles e.g. electronsInfo
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Abstract
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Bildsignal auskopplung bei positionsgebenden Hochvakuum-Detek toreinrichtungen für Quanten oder Teilchenstrahlung gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 sowie eine Detektoreinrichtung, die nach dem Verfahren arbeitet und die Merkmale gemäß dem Oberbegriff des Patentan spruchs 2 zur Grundlage hat.The invention relates to a method for image signal decoupling with position-providing high vacuum detec Gate devices for quantum or particle radiation according to the preamble of claim 1 and a Detector device that works according to the method and the features according to the preamble of the patent Proposition 2 has the basis.
Für den Nachweis einzelner UV- oder anderer elektro magnetischer Strahlungsquanten, Teilchen oder der gleichen, werden für unterschiedliche Anwendungen po sitionsgebende, elektronisch arbeitende Detektorsy steme benötigt. Um mit solchen Detektorsystemen ein zelne Strahlungsquanten mit hoher Effizienz nachweisen zu können, werden Vielkanal-Elektronen-Multiplier verwendet, die je nach Anwendung in spezielle hocheva kuierte Glaskörper eingebaut werden müssen. Um eine zweidimensionale Ortsbestimmung oder Positionierung des Photonennachweises zu erhalten, müssen bei den herkömmlichen Systemen (vgl. Fig. 5) komplexe, resi stive Anodenstrukturen 1 mit beispielsweise vier nach außen geführten Kontakten im Hochvakuum 7 mit eingebaut werden, die eine digitale ortsauflösende Bestimmung des Strahlungsnachweises ermöglichen. Das Montieren und Aufbringen der komplexen Anodenstruktur 1 im evaku ierten Glaskörper 6 mit dazu notwendigen Drahtdurchführungen für hochfrequente Signale bedeutet für die Detektorherstellung nicht nur große technische Schwie rigkeiten, sondern schließt auch die Möglichkeit aus, die Anodenstruktur 1 später einer veränderten Meßauf gabe individuell optimiert anpassen zu können. Bei den herkömmlichen Verfahren und Detektoreinrichtungen bilden die einzelnen Detektorkomponenten eine nicht mehr trennbare oder veränderbare Einheit.For the detection of individual UV or other electromagnetic radiation quanta, particles or the like, position-giving, electronically operating detector systems are required for different applications. In order to be able to detect a single radiation quantum with high efficiency with such detector systems, multi-channel electron multipliers are used which, depending on the application, have to be installed in special highly evacuated glass bodies. In order to obtain a two-dimensional location or positioning of the photon detection, in the conventional systems (cf. FIG. 5) complex, resistive anode structures 1 with, for example, four contacts led to the outside in high vacuum 7 must be installed, which digitally determine the radiation detection enable. The assembly and application of the complex anode structure 1 in the evacuated glass body 6 with the necessary wire feedthroughs for high-frequency signals means not only great technical difficulties for the detector manufacture, but also excludes the possibility of individually adapting the anode structure 1 to a changed measurement task later in an individually optimized manner can. In the conventional methods and detector devices, the individual detector components form a unit that can no longer be separated or changed.
Bei dem bekannten Detektorsystem gemäß Fig. 5 sind au ßer dem bereits erwähnten, evakuierten Glaskörper 6 und der schichtförmigen, resistiven Anodenstruktur 1 mit nachgeschalteter Elektronik mit Anschlüssen 13 für beispielsweise jeweils vier Vorverstärker, eine Elek tronenkonverterschicht 4 (UV-Quanten-Elektronen-Kon verterschicht), aufgebracht auf der Innenseite eines strahlungsdurchlässigen Decksubstrats 10, ein Chev ron-Plattensystem 3 als Ladungsvervielfacher mit her ausgeführten Hochspannungszuführungen 9 sowie die auf der vakuumseitigen Innenfläche des Gegensubstrats 11 aufgebrachte, resistive Anodenstruktur 1 vorhanden. Eine durch ein UV-Quant auf der Anodenstruktur 1 er zeugte lokale Ladungslawine ist mit Bezugshinweis 8 an gegeben. In the known detector system of FIG. 5 are au SSER the already mentioned, evacuated glass body 6 and the sheet-shaped resistive anode structure 1 with downstream electronics with terminals 13 for example, each of four pre-amplifier, a Elek tronenkonverterschicht 4 (UV-quantum-electron Kon verterschicht ), applied to the inside of a radiation-transmissive cover substrate 10 , a Chev ron plate system 3 as a charge multiplier with high-voltage leads 9 and the resistive anode structure 1 applied to the vacuum-side inner surface of the counter substrate 11 . A local charge avalanche generated by a UV quantum on the anode structure 1 is given with reference note 8 .
Ein dem Aufbau nach Fig. 5 prinzipiell ähnliches Detek torsystem ist in der Druckschrift DE 36 38 893 C2 be schrieben. Um einen großen dynamischen Zählratenbe reich zu erhalten, ist dort außerdem die Idee offen bart, die gleichzeitige Möglichkeit einer elektro nischen und einer optischen Auslesung vorzusehen. Bei der elektronischen Auslesung wird jedoch eine Anoden struktur verwendet, die im Vakuum montiert werden muß. Dies macht, wie oben erläutert, den Aufbau kompliziert und teuer. Die Anodenstruktur kann später nicht mehr verändert oder repariert werden, so daß auch dieses De tektorsystem mit den oben erläuterten, grundsätzlichen Problemen behaftet ist.A structure according to the Fig. 5 basically similar Detek door system is written in the document DE 36 38 893 C2 be. In order to obtain a large dynamic count rate range, the idea is also open there to provide the simultaneous possibility of an electronic and an optical reading. In the electronic reading, however, an anode structure is used, which must be installed in a vacuum. As explained above, this makes the structure complicated and expensive. The anode structure can no longer be changed or repaired later, so that this detector system is also afflicted with the basic problems explained above.
In der Druckschrift DE 37 04 716 C2 ist ein lediglich für hochenergetische Photonen geeigneter ortsempfindlich er Detektor offenbart, bei dem die bildgebende Viel drahtanode wiederum im Vakuum angeordnet ist. Entspre chendes gilt für den in der DE-Patentanmeldung gemäß DE 43 10 622 A1 beschriebenen Mikrobilderzeuger, mit dem sich ebenfalls nur höherenergetische Photonen nachwei sen lassen, der jedoch keine Elektronenverstärkung er laubt. Die ortsgebene Auslesung der Signale erfolgt di rekt über die Ladungssammlung der primären Ionisation, so daß das dort angewendete Verfahren zu einem wesent lich anderen Systemaufbau führt als bei Detektoren der hier in Rede stehenden Art.In the document DE 37 04 716 C2 is only for high energy photons more suitable location sensitive he reveals detector in which the imaging lot wire anode is in turn arranged in a vacuum. Correspond The same applies to that in the DE patent application according to DE 43 10 622 A1 described microimage generator, with the only higher-energy photons are detected sen, but he has no electron amplification leaves. The local readout of the signals takes place di rectifies the charge accumulation of the primary ionization, so that the procedure used there to an essential Lich different system structure leads to that of detectors Art in question here.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, bei Detektor einrichtungen der beschriebenen Art für Quanten oder Teilchenstrahlung eine technisch wesentlich einfache re und zuverlässigere elektronische Positionierung, d. h. ortsbezogene Bildsignalauskopplung ohne direkte elektrische Kontakte durch die Vakuum-Trennwand mit der Möglichkeit der Anpassung an veränderte Meßaufga ben zu schaffen.The invention is based, with detector devices of the type described for quantum or Particle radiation is technically essentially simple re and more reliable electronic positioning, d. H. location-based image signal extraction without direct electrical contacts through the vacuum partition the possibility of adapting to changed measuring tasks to create ben.
Die Erfindung ist bei einem Verfahren zur Bildsignal auskopplung bei positionsgebenden Hochvakuum-Detek toreinrichtungen für Quanten oder Teilchenstrahlung, die über eine Elektronen-Vervielfachereinrichtung als Elektronenlawine auf eine ortsauflösende Anodenstruk tur auftreffen, dadurch gekennzeichnet, daß die Elek tronenlawine innerhalb des Vakuums auf der Anodenseite der Detektoreinrichtung durch eine hochohmige, leiten de Dünnschicht kurzzeitig örtlich gesammelt bleibt und die gesammelte Ladung durch eine niederohmige, der hochohmigen Dünnschicht außerhalb des Vakuums gegenü berstehend angeordnete und für eine Ortsbestimmung ge eignet strukturierte Anodenschicht als Bildladung ka pazitiv durch eine Vakuum-Wand hindurch koppelnd aus gelesen wird. The invention is in a method for image signal decoupling with position-providing high vacuum detec gate devices for quantum or particle radiation, which via an electron multiplier device as Avalanche of electrons on a spatially resolving anode structure door impact, characterized in that the elec Avalanche of trons within the vacuum on the anode side the detector device through a high-impedance line de thin film remains locally collected for a short time and the collected charge by a low impedance, the high-resistance thin film outside the vacuum protruding and ge for a location structured anode layer is suitable as image charge ka capacitive coupling through a vacuum wall is read.
Während bei bisherigen Strahlungsquanten-Detektorein richtungen die ortsauflösende Anodenstruktur im Inne ren des Hochvakuums angeordnet ist mit einer Mehrzahl von vakuumdichten Stromdurchführungen für hochfre quente Signale für die nachgeschaltete Elektronik ohne nachträgliche Justier- oder Anpassungsmöglichkeit an unterschiedliche Meßaufgaben, beruht die Erfindung auf dem Gedanken, die Strahlungsquanteninduzierten La dungslawinen auf der dem Strahlungseintritt gegenüber liegenden Innenfläche des Gegensubstrats durch eine durchgängig einheitliche hochohmig leitende Schicht kurzzeitig ortsgebunden zu sammeln und dann durch die Vakuumwand (Substratschicht) hindurch kapazitiv auf eine niederohmige, strukturierte Anodenschicht außer halb des Vakuums zu koppeln.While in previous radiation quantum detectors the spatially resolving anode structure on the inside Ren of the high vacuum is arranged with a plurality of vacuum-tight feedthroughs for high fre quent signals for the downstream electronics without subsequent adjustment or adjustment option different measuring tasks, the invention is based on the thought that the radiation quantum-induced La Avalanche avalanches on the opposite of the radiation entry lying inner surface of the counter substrate by a Consistently uniform, high-resistance conductive layer collect locally for a short time and then through the Vacuum wall (substrate layer) capacitively through a low-resistance, structured anode layer except to couple half of the vacuum.
Eine positionsgebende Detektoreinrichtung für elek tromagnetische Strahlung oder Teilchenstrahlung, bei der innerhalb eines durch ein flächiges, strahlungs durchlässiges Decksubstrat und ein auf Abstand dazu ge haltenes Gegen-Substrat umgrenzten und hochevakuier ten Raums schichtartig aufeinanderfolgend auf der Strahlungseinfallseite eine plattenartige Elektronen- Vervielfacher-Anordnung und dieser auf Abstand gegenü berstehend eine Flächen-Anode vorhanden sind, ist er findungsgemäß dadurch gekennzeichnet, daß die Anode zur kapazitiven, positionsbezogenen Bildsignalausle sung als Schichtanordnung derart ausgebildet ist, daß auf der vakuumseitigen Innenfläche des Gegen-Substrats eine hochohmige Ladungssammelschicht und dieser auf der Außenfläche des Gegen-Substrats, also außerhalb des Vakuums gegenüberstehend eine für eine Ortsbestim mung geeignet strukturierte, niederohmige Anoden schicht vorhanden sind.A positioning detector device for elec tromagnetic radiation or particle radiation, at which within a through a flat, radiation permeable cover substrate and a spaced ge holding counter-substrate delimited and highly evacuated th room in layers on the Radiation incidence side a plate-like electron Multiplier arrangement and this at a distance A surface anode is present, it is according to the invention, characterized in that the anode for capacitive, position-related image signal readout solution is designed as a layer arrangement such that on the vacuum-side inner surface of the counter-substrate a high-resistance charge collection layer and this on the outer surface of the counter-substrate, ie outside the vacuum opposite one for a location suitably structured, low-resistance anodes layer are present.
Gegenüber herkömmlichen Detektoreinrichtungen für elektromagnetische Strahlungsquanten oder Teilchen strahlung bietet die Erfindung vor allem den Vorteil, daß vergleichsweise einfache, einheitliche Detektore lemente oder Baugruppen verwendet werden können, deren elektronische Positionsauslesung durch unterschiedli che Strukturierung der niederohmigen, außerhalb des Vakuums liegenden Anodenschicht an unterschiedliche Meßaufgaben individuell und optimiert angepaßt werden können. Ein weiterer wesentlicher Vorteil liegt darin, daß in das Vakuum keine elektrischen Durchführungen für hochfrequente Stromimpulse notwendig sind. Außerdem ergibt sich die Möglichkeit, die Verstärker- und Digi talisierungselektronik im Verbund mit der niederohmi gen Anodenstruktur als hochintegrierte Schaltung (z. B. in SMD Technologie, als Hybrid oder als ASIC) herzu stellen.Compared to conventional detector devices for electromagnetic radiation quanta or particles radiation the invention has the advantage above all that comparatively simple, uniform detectors elements or assemblies can be used whose electronic position reading through differ structuring of the low-impedance, outside the Vacuum lying anode layer on different Measurement tasks can be customized and optimized can. Another major advantage is that in the vacuum no electrical feedthroughs for high-frequency current pulses are necessary. also there is the possibility of the amplifier and digi Talization electronics in association with the Niederohmi anode structure as a highly integrated circuit (e.g. in SMD technology, as a hybrid or as ASIC) put.
Vorteilhaft ist es, die niederohmige, strukturierte Anodenschicht etwa in Form einer sogenannten Wedge & Strip-Anode (Keil- Streifen-Anode) auszubilden, wobei die Ladungs-Sammelbereiche oder -Sammelschienen für eine bildladungsanteilige Auslesung an wenigstens zwei, vorzugsweise an drei Randseiten der Anoden schicht jeweils im rechten Winkel zueinander stehend angeordnet sind. Es sind jedoch auch beliebige andere geeignete Strukturen anwendbar, wie z. B. eine Vernier- Anode, eine Spiralstruktur, eine Delay-Line-Technik oder ein Pixelsystem, das mittels eines CCDs digital ausgelesen wird. Weiterhin ist es notwendig oder zumin dest zweckmäßig, die inneren Widerstände von Ladungs sammelschicht einerseits und kapazitiv gekoppelter äu ßerer Anodenschicht und Folgeelektronik andererseits im Hinblick auf eine Optimierung der Ortsauflösung zu wählen unter gleichzeitiger Berücksichtigung des durch die Gegen-Substratschicht gegebenen Dielektrikums.It is advantageous to use the low-resistance, structured Anode layer in the form of a so-called wedge & Strip anode (wedge-strip anode), where the cargo collection areas or busbars for an image charge-based reading at least two, preferably on three edge sides of the anodes layer at right angles to each other are arranged. However, they are any other suitable structures applicable such. B. a vernier Anode, a spiral structure, a delay line technique or a pixel system that is digital using a CCD is read out. Furthermore, it is necessary or at least least expedient, the internal resistances of charge collecting layer on the one hand and capacitively coupled external outer anode layer and subsequent electronics on the other with a view to optimizing the spatial resolution choose taking into account the through the counter-substrate layer given dielectric.
Um Bildfehler im Randbereich der Detektoreinrichtung zu vermeiden, ist es zweckmäßig, die sensitive Fläche der äußeren, niederohmigen Anodenschicht über die Bildränder der vakuumseitigen Ladungssammelschicht hinausragen zu lassen.For image defects in the edge area of the detector device to avoid it is advisable to avoid the sensitive area the outer, low-resistance anode layer over the Image edges of the vacuum-side charge collection layer to protrude.
Die Erfindung wird nachfolgend unter Bezug auf die Zeichnungen an einem Ausführungsbeispiel näher erläutert.The invention will hereinafter with reference to the drawings on one Embodiment explained in more detail.
Es zeigen:Show it:
Fig. 1 die Prinzip-Schnittdarstellung einer De tektoreinrichtung mit positionsgebender Auslesung für elektromagnetische Strahlungsquanten bzw. Teilchen strahlung gemäß der Erfindung; Fig. 1 shows the principle sectional view of a detector device with position-reading for electromagnetic radiation quanta or particle radiation according to the invention;
Fig. 2 die Teilschnitt-Darstellung eines Ab schnitts des Gegen-Substrats der Detektoreinrichtung nach Fig. 1; Fig. 2 is a partial sectional view of a section from the counter-substrate of the detector device of Fig. 1;
Fig. 3 in schematischer Draufsicht-Darstellung einen Teilausschnitt einer Wedge & Strip-Anode, wie sie zur positionsgebenden Bildsignal-Auskopplung gemäß der Erfindung vorteilhaft verwendet werden kann; Fig. 3 shows a schematic plan view representation of a partial section of a Wedge & Strip-anode as they can be employed according to the position defining image signal outcoupling of the invention to advantage;
Fig. 4 ein Beispiel für ein Meßergebnis (unten) unter Verwendung eines Versuchsaufbaus (oben) mit ei nem erfindungsgemäßen Detektor mit kapazitiv gekoppel ter, positionsgebender Anodenstruktur; und Fig. 4 shows an example of a measurement result (below) using an experimental setup (above) with egg nem detector according to the invention with capacitively coupled, position-giving anode structure; and
Fig. 5 die schematische Schnittdarstellung einer herkömmlichen, positionsgebenden Detektoreinrichtung für elektromagnetische Strahlungsquanten oder Teil chenstrahlung. Fig. 5 is a schematic sectional view of a conventional position-providing detector device for electromagnetic radiation quanta or partial radiation.
Beim Detektorsystem nach Fig. 1 ist das Bildverstärker system, nämlich die Photoelektronen-Konverterschicht 4, das darunter liegende Chevron-Plattensystem 3 eines Vielkanal-Elektronen-Multipliers sowie die erfin dungsgemäße, hochohmige Anodenschicht 1 wie bisher in ein Hochvakuum 7 eingebaut. Anders als beim Stand der Technik jedoch ist die komplexe Anodenstruktur 2 zur elektronischen Positionsauslesung außerhalb des Vaku ums 7 auf der Rückseite des Detektors, d. h. beispiels weise auf der Rückseite des Gegen-Substrats 6 aufge bracht oder angeordnet. Die Übertragung der genauen Ortsinformation der Position eines einfallenden Strah lungsquants (UV-Quant) oder Teilchens erfolgt nach entsprechender Ladungsvervielfachung kapazitiv durch das vorzugsweise aus Glas bestehende Gegen-Substrat 6 des Bildverstärkersystems auf die außerhalb des Vaku ums sich befindende niederohmige Anodenstruktur 2. At the detector system of FIG. 1, the image intensifier system, namely the photoelectron converter layer 4, the underlying Chevron disk system 3 of a multi-channel electron multiplier as well as the OF INVENTION dung contemporary, high-resistance anode layer 1 as previously installed in a high vacuum. 7 In contrast to the prior art, however, the complex anode structure 2 for electronic position reading outside the vacuum is 7 on the back of the detector, that is to say, for example, placed on the back of the counter substrate 6 . The transfer of the exact location information of the position of an incident radiation quantum (UV quant) or particle takes place capacitively after corresponding charge multiplication through the preferably glass substrate 6 of the image intensifier system to the low-resistance anode structure 2 located outside the vacuum.
Diese kapazitive Übertragung ist möglich, weil die auf der Innenseite des Boden- oder Gegensubstrats 6, also im Vakuum ausgebildete Ladungssammelschicht als hoch ohmige (Anoden-)Schicht aufgebracht ist, auf der die von einem einzelnen Strahlungsquant oder Teilchen in duzierte Elektronenlawine 8 gesammelt wird und dort we gen des voraussetzungsgemäß hohen Schichtwiderstands (Mega-Ohmbereich) einige 10ns verharrt, wie die Fig. 2 verdeutlicht. Diese örtliche Ladungslawine 8 koppelt kapazitiv durch die Glasschicht des Gegen-Subtrats 6 hindurch und erzeugt auf bzw. in der gegenüberliegen den, niederohmigen Anodenstruktur 2 eine Bildladung. Die niederohmige Anodenstruktur 2 kann beispielsweise als Wedge & Strip-Anode mit drei Kontaktbereichen a, b und c ausgebildet sein. Die Struktur dieser Anode läßt sich auf vergleichsweise einfacher Weise an die jeweils geforderte Positionsauflösung anpassen. Die Anoden struktur 2 befindet sich dabei auf der Außenseite des Gegen-Substrats 6, d. h. in normaler Luftatmosphäre. Die genaue Position der Bildladung läßt sich dann über entsprechend angepaßte, schnelle ladungsempfindliche Vorverstärker und eine nicht dargestellte, prinzipiell bekannte Auswertelogik bestimmen. Die kapazitive Aus kopplung ermöglicht eine hohe Ortsauflösung, wenn die inneren Widerstände der beiden Anodenschichten 1, 2 op timal aufeinander angepaßt werden und die Anodenstruk tur 2 geometrisch entsprechend hochauflösend struktu riert ist. Außer einer Wedge & Strip-Anode, wie sie bei spielsweise in den Veröffentlichungen Lit[1] und [2] beschrieben ist, kommen auch andere ortsauflösende Anodenstrukturen im Rahmen der Erfindung in Frage, bei spielsweise eine Vernier-Anode, eine Anode in Spiral struktur, eine Delay-Line-Technik oder ein Pixelsy stem, das mittels eines CCDs digital ausgelesen wird.This capacitive transmission is possible because the charge collection layer formed on the inside of the bottom or counter substrate 6 , i.e. in a vacuum, is applied as a high-resistance (anode) layer, on which the quantity of electron radiation 8 induced by a single radiation quantum or particles is collected and there remains because of the high sheet resistance (mega-ohm range) a few 10ns, as shown in FIG. 2. This local charge avalanche 8 capacitively couples through the glass layer of the counter substrate 6 and generates an image charge on or in the opposite, low-resistance anode structure 2 . The low-resistance anode structure 2 can be designed, for example, as a wedge & strip anode with three contact areas a, b and c. The structure of this anode can be adapted in a comparatively simple manner to the position resolution required in each case. The anode structure 2 is located on the outside of the counter-substrate 6 , ie in a normal air atmosphere. The exact position of the image charge can then be determined using appropriately adapted, fast charge-sensitive preamplifiers and an evaluation logic, not shown, which is known in principle. The capacitive coupling enables a high spatial resolution if the internal resistances of the two anode layers 1 , 2 are optimally matched to one another and the anode structure 2 is structurally structured in accordance with high resolution. In addition to a wedge & strip anode, as described for example in the publications Lit [1] and [2], other spatially resolving anode structures are also possible within the scope of the invention, for example a vernier anode, an anode in a spiral structure , a delay line technology or a pixel system that is read digitally using a CCD.
Das Prinzip der kapazitiven, ortsbezogenen Signalaus kopplung für eine digitale Positionsauslesung läßt sich mit Bezug auf Fig. 2 wie folgt kurz beschreiben: Die in der Chevron-Platte 3 im Vakuum erzeugte lokale Ladungswolke 8 trifft auf die hochohmige Anodenschicht 1 auf, die beispielsweise eine Ge-Schicht mit einer Dicke von einigen 100nm sein kann und verharrt dort für einige 10ns. Während dieser Zeit baut sich durch kapa zitive Kopplung auf der anderen, außerhalb des Vakuums liegenden Seite des Gegen-Substrats 6 auf der niederoh migen Anodenstruktur 2 eine Bildladung auf. Je nach der Geometrie dieser niederohmigen Anodenstruktur 2, zum Beispiel als dreiteilige Wedge-Strip-Anode (vgl. Fig. 3) ist jeder Ort durch ein spezifisches Bildladungsver hältnis eindeutig bestimmt. Für eine niederohmige Ano denstruktur kann diese Bildladungsverteilung durch schnelle Elektronik-Komponenten bestimmt werden. Aus den Verhältnissen der Bildladungen Q1, Q2 und Q3 kann wiederum der Ort X, Y in der Bildebene präzise ermittelt werden gemäß folgenden Beziehungen:The principle of capacitive, location-based signal extraction for a digital position reading can be briefly described with reference to FIG. 2: The local charge cloud 8 generated in the chevron plate 3 in a vacuum strikes the high-resistance anode layer 1 , which, for example, has a Ge -Layer with a thickness of some 100nm can be and remains there for some 10ns. During this time, an image charge builds up on the low-resistance anode structure 2 by capacitive coupling on the other side of the counter-substrate 6 lying outside the vacuum. Depending on the geometry of this low-resistance anode structure 2 , for example as a three-part wedge-strip anode (see FIG. 3), each location is uniquely determined by a specific image charge ratio. For a low-impedance anode structure, this image charge distribution can be determined using fast electronic components. The position X, Y in the image plane can in turn be determined precisely from the relationships of the image charges Q1, Q2 and Q3 according to the following relationships:
Eine auf der Anodenstruktur 2 sich ausbildende Bildla dungswolke 20 ist in Fig. 3 durch einen schraffierten Bereich angedeutet.An image cloud 20 forming on the anode structure 2 is indicated in FIG. 3 by a hatched area.
Mit einer erfindungsgemäßen Detektoreinrichtung las sen sich Einzelereignisse mit sehr hoher ortsbezogener Zeitauflösung erfassen. Die örtliche Auflösung beträgt bei den zur Zeit in der Erprobung befindlichen Detekto ren etwa 1/250 der Detektorbreite oder bei Verwendung geeigneter Linsensysteme 0,5°.Read with a detector device according to the invention individual events with very high location-related Record time resolution. The local resolution is with the detectors currently being tested ren about 1/250 of the detector width or when in use suitable lens systems 0.5 °.
Fig. 4 zeigt einen Meßaufbau (oben) und Ergebnisse (un ten) zur Positionsbestimmung von einfallender Strah lung. Als Strahlungsquelle 22 wurde ein Alphateilchen strahlendes radioaktives Präparat verwendet. Bei die ser Anordnung entfällt das strahlungsdurchlässige Decksubstrat und die Photoelektronen-Konverter schicht, da die Alphateilchen direkt am Eintritt in die Chevron-Platte 3 Elektronen freisetzen können. Zwi schen der Strahlungsquelle 22 und der Chevron-Platte 3 ist eine Schattenmaske 21 aus 0,2 mm dicken Drähten an gebracht, deren Bild elektronisch erfaßt werden soll. Fig. 4 shows a measurement setup (above) and results (un th) for determining the position of incident radiation. An alpha particle radiating radioactive preparation was used as the radiation source 22 . With this arrangement, the radiation-transmissive cover substrate and the photoelectron converter layer are omitted, since the alpha particles can release 3 electrons directly at the entry into the chevron plate. Between the radiation source 22 and the chevron plate 3 , a shadow mask 21 is made of 0.2 mm thick wires, the image of which is to be recorded electronically.
Das untere Bild der Fig. 4 zeigt das über die Wedge & Stripstruktur der niederohmigen Anode 2 und die Folgee lektronik aufgenommene Schattenbild der senkrecht zu einander gespannten Drähte der Schattenmaske 2. Das bei diesen Messungen ermittelte Auflösungsvermögen lag bei unter 0,2 mm, bedingt durch die Wahl der Anodenstruk tur.The lower image of FIG. 4 shows the on Wedge & Strip structure of the anode 2 and the low-Folgee lectronic recorded silhouette of tensioned wires perpendicular to each of the shadow mask 2. The resolving power determined in these measurements was less than 0.2 mm, due to the choice of the anode structure.
Die besonderen Vorteile der Erfindung lassen sich wie folgt zusammenfassen:The particular advantages of the invention can be as summarize as follows:
- 1. Die erfindungsgemäße Art der Bildsignalauskopp lung benötigt im Vakuum nur eine einfache hochohmige Monoschicht mit einer einzigen durchgeführten Span nungskontaktierung. Es werden keine Durchführungen für hochfrequente Stromimpulse benötigt. Dies führt zu ei ner wesentlichen Vereinfachung der Herstellung des Va kuum-Bauteils.1. The type of image signal decoupling according to the invention in vacuum only needs a simple high-resistance Monolayer with a single chip carried out contacting. There are no bushings for high-frequency current pulses required. This leads to egg a significant simplification of the production of the Va vacuum component.
- 2. Im Vergleich zu herkömmlichen Detektoren dieser Art wird zwischen der Channel- oder Chevron-Platte 3 und der hochohmigen Anodenschicht 1 nur eine moderate Span nung von typischerweise 200 Volt benötigt, die einen einfacheren und zuverlässigeren Betrieb des Detektors ermöglicht. Damit wird die Dunkelentladungsrate des Detektorsystems merklich reduziert und eine Zerstörung der Anodenstruktur durch Spannungsüberschläge im De tektor praktisch ausgeschlossen.2. In comparison to conventional detectors of this type, only a moderate voltage of typically 200 volts is required between the channel or chevron plate 3 and the high-resistance anode layer 1 , which enables a simpler and more reliable operation of the detector. This noticeably reduces the dark discharge rate of the detector system and practically precludes destruction of the anode structure by voltage flashovers in the detector.
- 3. Die ortsauflösende, niederohmige Anodenstruktur 2 ist außerhalb des Vakuums 7 angeordnet und läßt sich den Anwenderwünschen entsprechend nahezu beliebig anpas sen und austauschen, so daß eine Anpassung an die Genau igkeit der Ortsbestimmung individuell in einem weiten Bereich an jedes Anwenderproblem möglich ist, zum Bei spiel eine relative Ortsauflösung von 1 bis 0,1%.3. The spatially resolving, low-impedance anode structure 2 is arranged outside the vacuum 7 and can be adapted and exchanged according to the user requirements almost arbitrarily, so that an adaptation to the accuracy of the location determination is possible individually in a wide range for each user problem, for play a relative spatial resolution of 1 to 0.1%.
- 4. Die Verstärker- und Digitalelektronik 5 läßt sich in moderner SMD- oder Hybrid-Technik direkt an der Ano denstruktur 2 außerhalb des Vakuums integriert anset zen, wodurch sich eine wesentlich bessere Auflösung so wie eine deutliche Vereinfachung der Elektronik mit entsprechenden Kosteneinsparungen ergibt. Die orts auflösende, niederohmige Anodenstruktur 2 läßt sich entweder auf einer getrennten Platte oder direkt auf die Außenseite der Vakuumtrennwände des Gegen-Sub strats 6 aufbringen.4. The amplifier and digital electronics 5 can be integrated in modern SMD or hybrid technology directly on the anode structure 2 outside the vacuum, resulting in a much better resolution and a significant simplification of the electronics with corresponding cost savings. The spatially resolving, low-resistance anode structure 2 can be applied either on a separate plate or directly to the outside of the vacuum partition walls of the counter-sub strate 6 .
- 5. Die Anodenstruktur 2 außerhalb des Vakuums 7 läßt sich mit größerer sensitiver Fläche anbringen als es der Chevron- oder Channel-Platte 3 entspricht. Dadurch können Bildfehler am Bildrand vermieden werden.5. The anode structure 2 outside the vacuum 7 can be attached with a larger sensitive area than corresponds to the chevron or channel plate 3 . This can avoid image errors at the edge of the image.
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|---|---|---|---|
| DE4429925A DE4429925C1 (en) | 1994-08-23 | 1994-08-23 | Electronic contactless position determination of EM photons or particles e.g. electrons |
| SG1995000846A SG33414A1 (en) | 1994-08-23 | 1995-07-12 | Method and detector device for electronic position-referred detection of radiation |
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| ZA957006A ZA957006B (en) | 1994-08-23 | 1995-08-22 | Method and detector device for electronic position-referred detection of rediation |
| EP95113181A EP0698910A2 (en) | 1994-08-23 | 1995-08-22 | Procedure and detecting device for the electronic spatial detection of radiation |
| KR1019950025952A KR960008331A (en) | 1994-08-23 | 1995-08-22 | Electronic location-related detection method and apparatus of radiation |
| JP7214839A JP2643915B2 (en) | 1994-08-23 | 1995-08-23 | Method and apparatus for position related detection of radiation |
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|---|---|---|---|
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
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|---|---|
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Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2754068A1 (en) * | 1996-10-02 | 1998-04-03 | Charpak Georges | GAS DETECTOR OF IONIZING RADIATION WITH VERY HIGH COUNTING RATES |
| DE10014311A1 (en) * | 2000-03-23 | 2001-10-04 | Siemens Ag | Radiation converter |
| WO2007050007A1 (en) * | 2005-10-26 | 2007-05-03 | Tetra Laval Holdings & Finance S.A. | Exposed conductor system and method for sensing an electron beam |
| US7368739B2 (en) | 2005-10-26 | 2008-05-06 | Tetra Laval Holdings & Finance S.A. | Multilayer detector and method for sensing an electron beam |
| DE102013104355A1 (en) * | 2013-04-29 | 2014-10-30 | Ketek Gmbh | Radiation detector and use of the radiation detector |
| DE102013109416A1 (en) | 2013-08-29 | 2015-03-05 | Roentdek-Handels Gmbh | particle detector |
| DE102014117682A1 (en) | 2014-12-02 | 2016-06-02 | Roentdek-Handels Gmbh | Detector system and strip anode |
| US9742312B2 (en) | 2013-05-14 | 2017-08-22 | Audi Ag | Apparatus and electrical assembly for converting a direct voltage into an alternating voltage |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6326654B1 (en) | 1999-02-05 | 2001-12-04 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Hybrid ultraviolet detector |
| DE10144435B4 (en) * | 2001-09-06 | 2005-03-24 | EuroPhoton GmbH Gesellschaft für optische Sensorik | Method for characterizing the properties of fluorescent samples, in particular living cells and tissues, in multi-well, in-vitro fluorescence assays, in DNA chips, devices for carrying out the method and their use |
| TWI342395B (en) * | 2002-12-20 | 2011-05-21 | Ibm | Method for producing a monolayer of molecules on a surface and biosensor with such a monolayer |
| JP4708117B2 (en) * | 2005-08-10 | 2011-06-22 | 浜松ホトニクス株式会社 | Photomultiplier tube |
| US7687759B2 (en) * | 2007-11-27 | 2010-03-30 | Itt Manufacturing Enterprises, Inc. | Slotted microchannel plate (MCP) |
| EP2202777A1 (en) | 2008-12-19 | 2010-06-30 | Leibniz-Institut für Neurobiologie | A time resolved measurement apparatus and a time sensitive detector with improved time measurement |
| EP2199830B1 (en) | 2008-12-19 | 2014-07-02 | Leibniz-Institut für Neurobiologie | A position resolved measurement apparatus and a method for acquiring space coordinates of a quantum beam incident thereon |
| GB2475063A (en) | 2009-11-04 | 2011-05-11 | Univ Leicester | Charge detector for photons or particles. |
| JP5645943B2 (en) | 2009-11-05 | 2014-12-24 | セルン − ヨーロピアン オーガナイゼーション フォー ニュークリア リサーチＣＥＲＮ − Ｅｕｒｏｐｅａｎ Ｏｒｇａｎｉｚａｔｉｏｎ ｆｏｒ Ｎｕｃｌｅａｒ Ｒｅｓｅａｒｃｈ | Readout device and avalanche particle detector |
| EP2562563A1 (en) * | 2011-08-26 | 2013-02-27 | CERN - European Organization For Nuclear Research | Detector-readout interface for an avalanche particle detector |
| GB201203561D0 (en) | 2012-02-29 | 2012-04-11 | Photek Ltd | Electron multiplying apparatus |
| JP2013254584A (en) * | 2012-06-05 | 2013-12-19 | Hoya Corp | Glass substrate for electronic amplification and method for producing the same |
| US9425030B2 (en) * | 2013-06-06 | 2016-08-23 | Burle Technologies, Inc. | Electrostatic suppression of ion feedback in a microchannel plate photomultiplier |
| GB2539506A (en) * | 2015-06-19 | 2016-12-21 | Photek Ltd | Detector |
| CN105070629B (en) * | 2015-08-19 | 2017-06-13 | 长春理工大学 | There is the microchannel photomultiplier of composite waveguide anode for space optical communication |
| US10265545B2 (en) | 2016-05-06 | 2019-04-23 | Radiation Detection and Imaging Technologies, LLC | Ionizing particle beam fluence and position detector array using Micromegas technology with multi-coordinate readout |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3704716C2 (en) * | 1987-02-14 | 1990-09-20 | Forschungszentrum Juelich Gmbh, 5170 Juelich, De | |
| DE3638893C2 (en) * | 1986-11-14 | 1991-04-11 | Max-Planck-Gesellschaft Zur Foerderung Der Wissenschaften Ev, 3400 Goettingen, De | |
| DE4310622A1 (en) * | 1992-04-01 | 1993-10-07 | Commissariat Energie Atomique | Device for micro-imaging using ionizing radiation |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4395636A (en) * | 1980-12-24 | 1983-07-26 | Regents Of The University Of California | Radiation imaging apparatus |
| US4703168A (en) * | 1985-07-22 | 1987-10-27 | Princeton Applied Research Corporation | Multiplexed wedge anode detector |
| GB2237142B (en) * | 1989-09-08 | 1994-07-06 | Univ London | Position detecting element |
| US5493111A (en) * | 1993-07-30 | 1996-02-20 | Litton Systems, Inc. | Photomultiplier having cascaded microchannel plates, and method for fabrication |
-
1994
- 1994-08-23 DE DE4429925A patent/DE4429925C1/en not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-07-14 AU AU25001/95A patent/AU2500195A/en not_active Abandoned
- 1995-08-07 IL IL11485695A patent/IL114856A/en not_active IP Right Cessation
- 1995-08-22 EP EP95113181A patent/EP0698910A2/en not_active Withdrawn
- 1995-08-22 ZA ZA957006A patent/ZA957006B/en unknown
- 1995-08-22 US US08/517,774 patent/US5686721A/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-08-23 JP JP7214839A patent/JP2643915B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3638893C2 (en) * | 1986-11-14 | 1991-04-11 | Max-Planck-Gesellschaft Zur Foerderung Der Wissenschaften Ev, 3400 Goettingen, De | |
| DE3704716C2 (en) * | 1987-02-14 | 1990-09-20 | Forschungszentrum Juelich Gmbh, 5170 Juelich, De | |
| DE4310622A1 (en) * | 1992-04-01 | 1993-10-07 | Commissariat Energie Atomique | Device for micro-imaging using ionizing radiation |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2754068A1 (en) * | 1996-10-02 | 1998-04-03 | Charpak Georges | GAS DETECTOR OF IONIZING RADIATION WITH VERY HIGH COUNTING RATES |
| WO1998014981A1 (en) * | 1996-10-02 | 1998-04-09 | Georges Charpak | Sensor with ionising radiation gas with high counting rate for a radioactive tracer |
| DE10014311A1 (en) * | 2000-03-23 | 2001-10-04 | Siemens Ag | Radiation converter |
| DE10014311C2 (en) * | 2000-03-23 | 2003-08-14 | Siemens Ag | radiation converter |
| US7375345B2 (en) | 2005-10-26 | 2008-05-20 | Tetra Laval Holdings & Finance S.A. | Exposed conductor system and method for sensing an electron beam |
| US7368739B2 (en) | 2005-10-26 | 2008-05-06 | Tetra Laval Holdings & Finance S.A. | Multilayer detector and method for sensing an electron beam |
| WO2007050007A1 (en) * | 2005-10-26 | 2007-05-03 | Tetra Laval Holdings & Finance S.A. | Exposed conductor system and method for sensing an electron beam |
| DE102013104355A1 (en) * | 2013-04-29 | 2014-10-30 | Ketek Gmbh | Radiation detector and use of the radiation detector |
| US9742312B2 (en) | 2013-05-14 | 2017-08-22 | Audi Ag | Apparatus and electrical assembly for converting a direct voltage into an alternating voltage |
| DE102013109416A1 (en) | 2013-08-29 | 2015-03-05 | Roentdek-Handels Gmbh | particle detector |
| DE102013109416B4 (en) * | 2013-08-29 | 2021-06-17 | Roentdek-Handels Gmbh | Particle detector |
| DE102014117682A1 (en) | 2014-12-02 | 2016-06-02 | Roentdek-Handels Gmbh | Detector system and strip anode |
| EP3029490A1 (en) | 2014-12-02 | 2016-06-08 | Roentdek Handels GmbH | Detector system with strip anode |
| DE102014117682B4 (en) * | 2014-12-02 | 2016-07-07 | Roentdek-Handels Gmbh | Detector system and strip anode |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| US5686721A (en) | 1997-11-11 |
| AU2500195A (en) | 1996-03-07 |
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| Beghini et al. | A compact parallel plate detector for heavy ion reaction studies |
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