DE4420862A1 - Non-destructive thickness measurement of semiconductor wafer - Google Patents

Non-destructive thickness measurement of semiconductor wafer

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Martin Dipl Ing Bleier
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    • G01B7/02—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring length, width or thickness
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Abstract

A method for the non-destructive testing of the thickness of a semiconductor wafer (100) whose first principal surface (102) is brought into contact with a similar and supporting silicon wafer (107) whose contacting surface has a nickel plated layer (106) of high magnetic permeability. The opposite surface (104) of the wafer (100) under test carries a flat pick-up coil (108) whose inductance varies inversely with its separation from the nickel layer (106) and is therefore a measure of the wafer (100) thickness. The coil (108) forms an element of an oscillator circuit whose frequency changes can be readily correlated with the wafer (100) thickness with considerable accuracy.

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum zerstörungsfreien Ermitteln der Dicke eines Wafers, insbe­ sondere bezieht sie sich auf ein Verfahren zum Ermitteln der verbliebenen Schichtdicke nach dem Dünnen von Halbleiter­ substraten mittels Schleif- und/oder Ätzprozessen. Dieses Verfahren ist insbesondere vorteilhaft anwendbar bei der präzisen Dünnung von bereits weitgehend fertigprozessierten Siliziumwafern.The present invention relates to a method for non-destructive determination of the thickness of a wafer, esp in particular, it relates to a method for determining the remaining layer thickness after thinning semiconductor substrates by means of grinding and / or etching processes. This The method is particularly advantageously applicable to the precise thinning of already largely finished Silicon wafers.

Bei der Entwicklung und Fertigung von hochintegrierten Schaltungen und Einzelbauelementen werden derzeitig Tech­ niken verwendet, die die bereits mit Bauelementen versehenen Siliziumscheiben bis auf eine Dicke von wenigen Mikrometern dünnen. Dies erfolgt aufgrund der Tatsache, daß die elek­ trisch relevanten Vorgänge der Halbleiterschaltungen typi­ scherweise in einem etwa 1 µm dicken, oberen Schichtbereich des Halbleiterkristalls ablaufen. Aus mechanischen Gründen ist es üblicherweise erforderlich, daß der Halbleiterkri­ stall einige 100 µm dick sein muß. Dies ist zum Beispiel zum Durchführen der verschiedenen Technologieprozesse notwendig, mit denen die Bauelemente hergestellt werden. Abgesehen von der mechanischen Trägerfunktion erweist sich das dicke Halb­ leitermaterial bezüglich seiner elektrischen, thermischen und geometrischen Eigenschaften als nachteilig. Insbesondere bei neuartigen Verfahren zur vertikalen Integration, aber auch bei sogenannten Chip-Transfer-Techniken sind Dicken des Halbleitermaterials von wenigen Mikrometern erforderlich oder zumindest vorteilhaft.In the development and manufacture of highly integrated Circuits and individual components are currently becoming tech Techniques used that the already provided with components Silicon wafers to a thickness of a few micrometers thin. This is due to the fact that the elec Typically relevant processes of the semiconductor circuits usually in an approximately 1 µm thick upper layer area of the semiconductor crystal. For mechanical reasons it is usually necessary that the semiconductor crystal stall must be a few 100 µm thick. For example, this is Implementation of the various technology processes necessary, with which the components are manufactured. Apart from the thick half proves to be the mechanical carrier function conductor material with regard to its electrical, thermal and geometric properties as disadvantageous. Especially with novel methods for vertical integration, however Thicknesses are also used in so-called chip transfer techniques Semiconductor material of a few micrometers required or at least advantageous.

Der zu dünnende Wafer weist im allgemeinen eine nicht aus­ reichende mechanische Stabilität auf. Zur Erhöhung der mechanischen Stabilität wird der zu dünnende Wafer, der so­ genannte Nutzwafer, auf einen Träger aufgeklebt. Der Träger sollte bezüglich seiner thermo-mechanischen Eigenschaften dem Nutzwafer so ähnlich wie möglich sein und wird im einfachsten und praktisch am häufigsten auftretenden Fall aus dem gleichen Material bestehen wie der Nutzwafer.The wafer to be thinned generally does not have one  sufficient mechanical stability. To increase the mechanical stability becomes the wafer to be thinned that way called useful wafers, glued to a carrier. The carrier should regarding its thermo-mechanical properties as useful as possible and will be in the simplest and practically the most common case consist of the same material as the useful wafer.

Nach der Herstellung dieser mechanischen Stabilität beginnt der Dünnungsprozeß, wobei üblicherweise eine Kombination eines naßchemischen Ätzprozesses und eines mechanischen Schleifens verwendet wird. Seit einigen Jahren wird auch das sogenannte "Chemical Mechanical Polishing" verwendet, d. h. eine Kombination der beiden oben genannten Dünnungsprozesse.After establishing this mechanical stability begins the thinning process, usually a combination a wet chemical etching process and a mechanical one Grinding is used. For some years now, too so-called "Chemical Mechanical Polishing" used, d. H. a combination of the two above-mentioned thinning processes.

Ein typischer Ablauf eines Dünnungsprozesses wird im Fol­ genden dargestellt:A typical sequence of a thinning process is described in fol shown:

  • - in einem ersten Schritt wird der Träger mit einem orga­ nischen Kleber, zum Beispiel Polymid, Epoxid, Phenyl-Lack, beschichtet.- In a first step, the carrier with an organization African glue, for example polymide, epoxy, phenyl lacquer, coated.
  • - In einem zweiten Schritt wird der Nutzwafer mit seiner Nutzseite auf eine Hauptoberfläche des Trägerwafers auf­ geklebt. Daraufhin erfolgt ein Aushärten des Klebers.- In a second step, the useful wafer with its Usage side on a main surface of the carrier wafer glued. The adhesive then cures.
  • - In einem dritten Schritt erfolgt ein naßchemisches Dünn­ ätzen von der der Nutzseite gegenüberliegenden Oberflä­ che des Nutzwafers auf eine Dicke von etwa 50 µm. Dieser Ätzprozeß ist schlecht reproduzierbar und weist über die Waferoberfläche eine Inhomogenität auf.- In a third step, wet chemical thinning takes place etch from the surface opposite the useful side surface of the useful wafer to a thickness of approximately 50 µm. This Etching process is difficult to reproduce and has the Wafer surface has an inhomogeneity.
  • - In einem fünften Schritt erfolgt ein chemisch unter­ stütztes Schleifen auf die erwünschte Restdicke von ty­ pischerweise 5 µm.- In a fifth step there is a chemical under based grinding to the desired residual thickness of ty typically 5 µm.

An diesen Dünnungsprozeß schließen sich weitere Prozesse an. Diese Prozesse schließen zum Beispiel das Fügen und Bonden des Nutzwafers auf eine Unterlage, zum Beispiel einen wei­ teren Wafer, der bereits Bauelemente enthält, das Durch­ kontaktieren, das Zersägen des Wafers, das Entfernen des Trägers ein.Further processes follow this thinning process. These processes include joining and bonding, for example  of the useful wafer on a support, for example a white tere wafer, which already contains components, the through contact, sawing the wafer, removing the Carrier.

Das Problem bei diesem Dünnungsprozeß besteht in der Ein­ haltung und der Bestimmung der Restdicke des Nutzwafers.The problem with this thinning process is the one maintenance and determination of the remaining thickness of the useful wafer.

Ausgehend von diesem Stand der Technik liegt der vorliegen­ den Erfindung die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum Er­ mitteln der Dicke eines Wafers zu schaffen, das lokal, das heißt ortsaufgelöst, hochgenau mit einer Auflösung, die bes­ ser als ein Mikrometer ist, und das zerstörungsfrei ist.Based on this state of the art, this is the case the invention has the object of a method for Er averaging the thickness of a wafer, the local, the means spatially resolved, highly accurate with a resolution that esp is more than a micrometer, and that is non-destructive.

Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren zum zerstörungsfreien Ermitteln der Dicke eines Wafers nach Anspruch 1 und An­ spruch 2 gelöst.This task is accomplished through a non-destructive process Determining the thickness of a wafer according to claim 1 and An saying 2 solved.

Die vorliegende Erfindung schafft ein Verfahren zum stö­ rungsfreien Ermitteln der Dicke eines Wafers mit folgenden Schritten:The present invention provides a method for interference the thickness of a wafer with the following Steps:

  • - Anordnen eines Bereichs mit hoher Permeabilität an einer ersten Hauptoberfläche des Wafers;- Placing a high permeability area on a first main surface of the wafer;
  • - Anordnen eines induktiven Bauelements benachbart zu einer der ersten Hauptoberfläche des Wafers gegenüber­ liegenden zweiten Hauptoberfläche des Wafers;- Arranging an inductive component adjacent to facing one of the first major surface of the wafer lying second main surface of the wafer;
  • - Erfassen der Induktivität des induktiven Bauelements; und- Detecting the inductance of the inductive component; and
  • - Berechnen der Dicke des Wafers aufgrund der erfaßten Induktivität.- Calculate the thickness of the wafer based on the detected Inductance.

Die vorliegende Erfindung schafft ferner ein Verfahren zum zerstörungsfreien Ermitteln der Dicke eines Wafers mit folgenden Schritten:The present invention further provides a method for non-destructive determination of the thickness of a wafer with following steps:

  • - Erzeugen eines Magnetfeldes in einem ersten Bereich an einer ersten Hauptoberfläche des Wafers;- Generate a magnetic field in a first area a first major surface of the wafer;
  • - Anordnen eines Magnetfeldsensors benachbart zu einer der ersten Hauptoberfläche gegenüberliegenden zweiten Haupt­ oberfläche des Wafers;- Arranging a magnetic field sensor adjacent to one of the first main surface opposite second main surface of the wafer;
  • - Erfassen der Magnetfeldstärke mittels des Magnetfeldsen­ sors; und- Detection of the magnetic field strength by means of the magnetic field sors; and
  • - Berechnen der Dicke des Wafers aufgrund der erfaßten Magnetfeldstärke.- Calculate the thickness of the wafer based on the detected Magnetic field strength.

Bevorzugte Weiterbildungen der vorliegenden Erfindung sind in den Unteransprüchen definiert.Preferred developments of the present invention are defined in the subclaims.

Die Erfindung beruht auf folgenden Erwägungen zu bekannten Verfahren zur störungsfreien Schichtdickenmessung, die zum Beispiel Ultraschall, IR-Ellipsometrie, und Widerstandsmes­ sungen einschließen.The invention is based on the following considerations of known ones Process for fault-free layer thickness measurement, which for Example ultrasound, IR ellipsometry, and resistance measurement include solutions.

Es kann das Problem auftreten, daß sich in dem zu messenden Substrat bereits elektrische Schaltungen befinden, die Metalle, verschieden dotierte Bereiche, aber auch Isolato­ ren, wie zum Beispiel SiO₂ enthalten. Die jeweilige Zusam­ mensetzung ist zumindest lokal nicht hinreichend bekannt. Aufgrund der unterschiedlichen Materialgrenzschichten und den damit verbundenen Reflexionen scheiden Ultraschallver­ fahren weitgehend aus. Die unterschiedliche Leitfähigkeit und Elektronendichte der unterschiedlichen Materialien führt dazu, daß auch elektrische Verfahren, die auf Dilektri­ zitätsmessungen, der Skineffekt-Eindringtiefe usw. beruhen, nicht anwendbar sind.There may be a problem in that to be measured Electrical circuits are already located on the substrate Metals, differently endowed areas, but also isolato ren, such as SiO₂ included. The respective together At least locally, the setting is not sufficiently known. Due to the different material boundary layers and the associated reflections are separated by ultrasound largely extend. The different conductivity and leads electron density of the different materials also that electrical procedures based on dilektri tity measurements, the skin effect penetration depth, etc., are not applicable.

Folglich scheiden alle Verfahren, die auf der Leitfähigkeit (kapazitiv, Widerstand; optisch (Ellipsometrie)) oder auf den mechanischen Eigenschaften (Ultraschall) beruhen, für eine zerstörungsfreie Ermittlung der Dicke des Wafers aus.Consequently, all procedures based on conductivity differ (capacitive, resistance; optical (ellipsometry)) or on the mechanical properties (ultrasound) are based on  a non-destructive determination of the thickness of the wafer.

Der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, daß Halblei­ terbauelemente im allgemeinen keine Schichten enthalten, die eine relative magnetische Permeabilität aufweisen, die sich wesentlich von Eins unterscheidet.The invention is based on the finding that halble terbauelemente generally do not contain layers that have a relative magnetic permeability that is differs significantly from one.

Anhand der beiliegenden Zeichnung, die eine Ausführung des erfindungsgemäßen Verfahrens zeigt, wird die Erfindung im Folgenden detaillierter beschrieben. Es zeigtUsing the attached drawing, which is an execution of the shows method according to the invention, the invention is in Described in more detail below. It shows

Fig. 1 einen Meßaufbau zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens. Fig. 1 shows a measurement setup for performing the method according to the invention.

Fig. 1 zeigt einen Wafer 100, der eine erste Hauptoberfläche 102 und eine dieser Hauptoberfläche 102 gegenüberliegende zweite Hauptoberfläche 104 aufweist. Fig. 1 illustrates a wafer 100 having a first major surface 102 and a surface 102 of the main opposing second major surface 104.

Der Wafer 100 ist mit seiner ersten Hauptoberfläche 102 auf einen Siliziumwafer 107 aufgebracht, dessen Oberfläche 106 vernickelt und somit ferromagnetisch beschichtet ist.The wafer 100 is applied with its first main surface 102 to a silicon wafer 107 , the surface 106 of which is nickel-plated and thus ferromagnetic coated.

Durch diese ferromagnetische Schicht 106 erfährt eine Ab­ tastspule 108, die auf der zweiten Hauptoberfläche 104 des Wafers 100 aufgelegt ist, eine Induktivitätserhöhung, die bei gegebener Geometrie im wesentlichen reziprok zum Abstand der Spule 108 zu der ferromagnetischen Schicht 106 ist.From this ferromagnetic layer 106 , a sensing coil 108 , which is placed on the second main surface 104 of the wafer 100 , experiences an increase in inductance which, given the geometry, is essentially reciprocal to the distance between the coil 108 and the ferromagnetic layer 106 .

Bei einer Ausführungsform ist die Spule 108 ein Bestandteil eines Schwingkreises, so daß eine Abstandsänderung hochgenau als Frequenzänderung erfaßt werden kann.In one embodiment, the coil 108 is part of an oscillating circuit, so that a change in distance can be detected with high precision as a change in frequency.

In Abweichung von dem oben beschriebenen Ausführungsbeispiel kann der Wafer 100 mittels eines Klebers auf einem Träger 106 aufgebracht werden, wobei in die Kleberschicht ein fer­ romagnetisches Pulver eingemischt wird. Solche feinkörnigen ferromagnetischen Pulver sind zum Beispiel aus der Technik der magnetischen Aufzeichnung bekannt. Befindet sich in der Kleberschicht ein derartiges ferromagnetisches Pulver mit bekannter Dichte und Permeabilität, so wird die Induktivität der angenäherten Spule 108 in berechenbarer Art erhöht. Die­ se vor allem bei kleinen Abständen sehr ausgeprägte Indukti­ vitätsänderung ist ein Maß für den Abstand zwischen der Spu­ le 108 und der ferromagnetischen Schicht.In deviation from the exemplary embodiment described above, the wafer 100 can be applied to a carrier 106 by means of an adhesive, a ferromagnetic powder being mixed into the adhesive layer. Such fine-grained ferromagnetic powders are known, for example, from the technique of magnetic recording. If there is such a ferromagnetic powder in the adhesive layer with a known density and permeability, the inductance of the approximated coil 108 is increased in a calculable manner. This very pronounced change in inductivity, especially at small distances, is a measure of the distance between the coil 108 and the ferromagnetic layer.

Bei einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfin­ dung wird wird eine vormagnetisierte Schicht anstelle der zuvor beschriebenen ferromagnetischen Schicht 106 verwendet. Dies ermöglicht die Erfassung des Abstandes der zweiten Hauptoberfläche 104 zu der vormagnetisierten Schicht durch Messung der abstandsabhängigen Magnetfeldstärke, und nicht durch eine abstandsabhängige Induktivitätserhöhung. Um diese Messung durchzuführen werden übliche Magnetfeldsensoren, zum Beispiel auf dem Hall-Effekt beruhende Bauelemente oder magnetfeldempfindliche MOS-Strukturen eingesetzt.In another embodiment of the present invention, a bias layer is used in place of the ferromagnetic layer 106 described above. This enables the distance between the second main surface 104 and the premagnetized layer to be determined by measuring the distance-dependent magnetic field strength, and not by a distance-dependent increase in inductance. Conventional magnetic field sensors, for example components based on the Hall effect or magnetic field-sensitive MOS structures, are used to carry out this measurement.

Da das oben beschriebene Meßverfahren zerstörungsfrei und auf elektrischer Basis arbeitet, kann eine oder mehrere Meßanordnungen in eine Poliermaschine mechanisch integriert werden. Hierdurch ist eine in-situ-Messung während des Ab­ tragevorgangs möglich. Insbesondere sind damit auch orts­ aufgelöste Messungen durchführbar, entweder durch die Kor­ relation zwischen der Schleifkörperbewegung und dem abzu­ tragenden Wafer oder durch eine verschiedene geometrische Anordnung mehrerer derartiger Dickenmeßanordnungen.Since the measuring method described above is non-destructive and works on an electrical basis, one or more Measuring arrangements mechanically integrated in a polishing machine become. This makes an in-situ measurement during the Ab wearing process possible. In particular, they are also local resolved measurements can be carried out, either by the Cor relation between the grinding wheel movement and the ab carrying wafer or by a different geometric Arrangement of several such thickness measuring arrangements.

Es wird darauf hingewiesen, daß das vorliegende erfindungs­ gemäße Verfahren nicht auf unbehandelte Wafer beschränkt ist. Das erfindungsgemäße Verfahren ist insbesondere anwend­ bar auf Wafer, auf deren erster Hauptoberfläche 102 bereits integrierte Schaltungen oder Einzelbauelemente fertigge­ stellt wurden.It is pointed out that the present method according to the invention is not restricted to untreated wafers. The method according to the invention is particularly applicable to wafers on whose first main surface 102 integrated circuits or individual components have already been produced.

Ferner kann anstelle des Siliziumwafers, auf den der Wafer 100 aufgebracht wird, ein Trägerwafer verwendet werden, der im wesentlichen aus Eisen besteht und mittels einer Klebe­ schicht mit dem zu messenden Wafer 100 verbunden ist.Furthermore, instead of the silicon wafer to which the wafer 100 is applied, a carrier wafer can be used, which essentially consists of iron and is connected to the wafer 100 to be measured by means of an adhesive layer.

Die in dem obigen Ausführungsbeispiel beschriebene Spule wird zweckmäßig als Flachspule ausgeführt. Da die Spulen­ abmessung vorteilhafterweise in der Größenordnung des zu messenden Abstands liegt, folgt für die Spule eine Abmessung im mm- bis µm-Bereich. Die Herstellung kann zum Beispiel durch aus der Halbleitertechnologie bekannte Aufdampf- und Strukturierungsprozesse derart erfolgen, daß eine oder mehrere Flachspulen auf einem Siliziumträger integriert sind, wobei die Peripherieelektronik (zum Beispiel Meßver­ stärker, Signalformer, Selbstdiagnosevorrichtungen) mit in­ tegriert werden.The coil described in the above embodiment is expediently designed as a flat coil. Because the coils dimension advantageously in the order of magnitude measuring distance, there follows a dimension for the coil in the mm to µm range. The production can for example by known from the semiconductor technology vapor deposition and Structuring processes take place in such a way that one or several flat coils integrated on a silicon carrier are, the peripheral electronics (for example, measuring ver stronger, waveformers, self-diagnosis devices) with in be tegrated.

Es ist offensichtlich, daß die ferromagnetische Schicht, die als Referenzschicht zur Messung des Abstandes der zweiten Hauptoberfläche des Wafers zu dieser Schicht dient, nicht zwangsläufig homogen über die gesamten Wafer aufgebracht sein muß. Abhängig von der Anwendung kann diese Schicht auch lateral strukturiert werden. Dadurch können magnetschicht­ freie Bereiche zur Eichung hergestellt werden, oder auch Re­ ferenzschichten, die an verschiedenen Stellen einen ver­ schiedenen Abstand zur zweiten Hauptoberfläche des Wafers haben. Letzteres kann dazu dienen, die Abstandsmessung in-situ zu eichen.It is obvious that the ferromagnetic layer that as a reference layer for measuring the distance of the second Main surface of the wafer is not used for this layer inevitably applied homogeneously over the entire wafer have to be. Depending on the application, this layer can also be structured laterally. This can create a magnetic layer free areas for calibration are produced, or also Re reference layers that ver distance from the second main surface of the wafer to have. The latter can be used to measure the distance in situ to calibrate.

Claims (12)

1. Verfahren zum zerstörungsfreien Ermitteln der Dicke eines Wafers (100), gekennzeichnet durch folgende Schritte:
  • - Anordnen eines Bereichs (106) mit hoher Permea­ bilität an einer ersten Hauptoberfläche (102) des Wafers (100);
  • - Anordnen eines induktiven Bauelements (108) be­ nachbart zu einer der ersten Hauptoberfläche (102) des Wafers (100) gegenüberliegenden zweiten Haupt­ oberfläche (104) des Wafers (100);
  • - Erfassen der Induktivität des induktiven Bauele­ ments (108); und
  • - Berechnen der Dicke des Wafers (100) aufgrund der erfaßten Induktivität.
1. A method for the non-destructive determination of the thickness of a wafer ( 100 ), characterized by the following steps:
  • - Arranging a region ( 106 ) with high permeability on a first main surface ( 102 ) of the wafer ( 100 );
  • - Arranging an inductive component ( 108 ) be adjacent to one of the first main surface ( 102 ) of the wafer ( 100 ) opposite the second main surface ( 104 ) of the wafer ( 100 );
  • - Detecting the inductance of the inductive component ( 108 ); and
  • - Calculate the thickness of the wafer ( 100 ) based on the detected inductance.
2. Verfahren zum zerstörungsfreien Ermitteln der Dicke eines Wafers (100), gekennzeichnet durch folgende Schritte:
  • - Erzeugen eines Magnetfeldes in einem ersten Bereich an einer ersten Hauptoberfläche (102) des Wafers (100);
  • - Anordnen eines Magnetfeldsensors benachbart zu einer der ersten Hauptoberfläche (102) des Wafers (100) gegenüberliegenden zweiten Hauptoberfläche (104) des Wafers (100);
  • - Erfassen der Magnetfeldstärke mittels des Magnet­ feldsensors; und
  • - Berechnen der Dicke des Wafers (100) aufgrund der erfaßten Magnetfeldstärke.
2. A method for the non-destructive determination of the thickness of a wafer ( 100 ), characterized by the following steps:
  • - generating a magnetic field in a first area on a first main surface ( 102 ) of the wafer ( 100 );
  • - arranging a magnetic field sensor adjacent to a second main surface ( 104 ) of the wafer ( 100 ) opposite the first main surface ( 102 ) of the wafer ( 100 );
  • - Detection of the magnetic field strength by means of the magnetic field sensor; and
  • - Calculate the thickness of the wafer ( 100 ) based on the detected magnetic field strength.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt des Anordnens eines Bereichs mit hoher Permeabilität das Anordnen eines ferroelektrischen Trägerwafers (106) an dem zu messenden Wafer (100) ein­ schließt, wobei der Trägerwafer (107) und der zu mes­ sende Wafer (100) mittels einer Kleberschicht mit kon­ stanter Dicke verbunden werden.3. The method according to claim 1 or claim 2, characterized in that the step of arranging a region with high permeability includes arranging a ferroelectric carrier wafer ( 106 ) on the wafer ( 100 ) to be measured, wherein the carrier wafer ( 107 ) and Wafer ( 100 ) to be measured are connected by means of an adhesive layer with constant thickness. 4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Trägerwafer (107) aus Eisen besteht.4. The method according to claim 3, characterized in that the carrier wafer ( 107 ) consists of iron. 5. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Trägerwafer (106) ein vernickelter Siliziumwa­ fer ist.5. The method according to claim 3, characterized in that the carrier wafer ( 106 ) is a nickel-plated silicon wa fer. 6. Verfahren nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt des Anordnens eines Bereichs mit hoher Permeabilität das Aufkleben eines Trägerwafers (106) auf den zu messenden Wafer mittels einer Kleberschicht mit konstanter Dicke umfaßt, wobei in die Kleberschicht ein ferromagnetisches Pulver eingebracht wird.6. The method according to claim 1 or claim 2, characterized in that the step of arranging a region with high permeability comprises adhering a carrier wafer ( 106 ) to the wafer to be measured by means of an adhesive layer of constant thickness, wherein a ferromagnetic powder in the adhesive layer is introduced. 7. Verfahren nach Anspruch 1 und nach einem der Ansprüche 3 bis 6 in Rückbeziehung auf Anspruch 1, dadurch ge­ kennzeichnet, daß das induktive Bauelement eine Spule (108) umfaßt. 7. The method according to claim 1 and according to one of claims 3 to 6 in relation to claim 1, characterized in that the inductive component comprises a coil ( 108 ). 8. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Spule (108) in einem Schwingkreis verschaltet ist.8. The method according to claim 8, characterized in that the coil ( 108 ) is connected in a resonant circuit. 9. Verfahren nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeich­ net, daß die Spule (108) als Flachspule gebildet ist, die auf einem Siliziumsubstrat zusammen mit einer Peri­ pherieelektronik integriert aufgebaut ist.9. The method according to claim 7 or 8, characterized in that the coil ( 108 ) is formed as a flat coil which is built on a silicon substrate together with a Peri electronics electronics integrated. 10. Verfahren nach Anspruch 2 und nach einem der Ansprüche 3 bis 6 in Rückbeziehung auf Anspruch 2, dadurch ge­ kennzeichnet, daß der Magnetfeldsensor ein Hall-Sensor ist.10. The method according to claim 2 and one of the claims 3 to 6 in relation to claim 2, characterized ge features that the magnetic field sensor is a Hall sensor. 11. Verfahren nach Anspruch 2 und nach einem der Ansprüche 3 bis 6 in Rückbeziehung auf Anspruch 2, dadurch ge­ kennzeichnet, daß der Magnetfeldsensor aus magnetfeldempfindlichen MOS-Strukturen aufgebaut ist.11. The method according to claim 2 and according to one of the claims 3 to 6 in relation to claim 2, characterized ge features that the magnetic field sensor from magnetic field sensitive MOS structures is built. 12. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, da­ durch gekennzeichnet, daß der Wafer (100) auf seiner ersten Hauptoberfläche (102) eine integrierte Schaltung und/oder integrierte Bauelemente aufweist.12. The method according to any one of the preceding claims, characterized in that the wafer ( 100 ) has an integrated circuit and / or integrated components on its first main surface ( 102 ).
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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DE6610646U (en) * 1967-09-01 1975-03-13 Siemens Ag DEVICE FOR MEASURING THICKNESS OF CONTINUOUS ROLLED MATERIAL.
DE4119903A1 (en) * 1991-06-17 1992-12-24 Helmut Fischer Gmbh & Co METHOD AND DEVICE FOR MEASURING THIN LAYERS

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