DE4342827C2 - Plasmareaktionsvorrichtung - Google Patents

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Plasmareaktions­ vorrichtung, die eine gleichförmige Plasmaerzeugung über einer Hauptoberfläche eines Wafers erlaubt.

In der jüngeren Vergangenheit wurde bei der Herstellung einer Halbleitervorrichtung wie eines IC eine Behandlung wie Ätzen nach der Ausbildung einer Dünnschicht auf einem Halbleitersubstrat (im folgenden als ein Wafer bezeichnet) ausgeführt. Ein Beispiel einer solchen Wafer-Behandlungsvorrichtung ist eine Plasmareaktionsvor­ richtung, die ein durch Gasentladung erzeugtes Plasma verwendet, wie sie in der japanischen Patentoffenlegungsschrift Nr. 61-86942 beschrieben ist, auf deren Offenbarung die Beschreibung der Fig. 6 bis 8 basiert.

Fig. 6 ist eine Schnittansicht, die schematisch eine Plasmare­ aktionsvorrichtung zur Verwendung bei RIE (reaktives Ionenätzen) und ähnlichem zeigt.

Wie Fig. 6 zeigt, ist eine Kathode 3, die als eine planare Elek­ trode dient, an einer Bodenoberfläche, z. B., eines hohlen säulen­ formigen Reaktionsbehälters 1 über ein Isolationsmaterial 2 fi­ xiert. Eine Anode 4, die als die andere planare Elektrode dient, ist an einer Dachoberfläche des Reaktionsbehälters 1 fixiert. Die Kathode 3 und die Anode 4 sind in dem Reaktionsbehälter 1 einander gegenüberliegend vorgesehen, und ein Wafer 5 ist auf der Kathode 3 angeordnet.

Eine Mehrzahl von Gasauslässen 6a und Gasdurchgängen 6b sind auf bzw. in der Anode 4 ausgebildet. Der Gasdurchgang 6b ist mit einem Gaseinlaß 7 verbunden, der an der Dachoberfläche des Reaktionsbe­ hälters 1 ausgebildet ist, und dementsprechend wird Gas in den Re­ aktionsbehälter 1 durch den Gaseinlaß 7, den Gasdurchgang 6b und den Gasauslaß 6a eingeführt. Dann wird das Gas durch einen Auslaß 8, der an dem Boden des Reaktionsbehäl­ ters 1 ausgebildet ist, ausgelassen bzw. abgesaugt.

Währenddessen ist ein Ende einer Hochfrequenz-Stromversorgung 9 mit der Kathode 3 über eine Impedanz-Anpaßvorrichtung 10 verbun­ den. Das andere Ende der Hochfrequenz-Stromversorgung 9 ist mit Masse- verbunden, und dabei wird ein HF-elektrisches Feld (Vektor E) zwischen der Kathode 3 und der Anode 4 durch die Hochfrequenz- Stromversorgung 9 gebildet.

Ein Satz von magnetischen Spiegelfeld-Erzeugungsspulenpaaren 11a, 11b sind an einander gegenüberliegenden Positionen außerhalb des Reaktionsbehälters 1 vorgesehen. Bezüglich dieser magnetischen Spiegelfeld-Erzeugungsspulen 11a, 11b ist eine Mehrzahl von magne­ tischen Spiegelfeld-Erzeugungsspulen jeweils in einem gewissen Winkel relativ zu einer zentralen Achse des Reaktionsbehälters 1 vorgesehen, um die Rotation eines magnetischen Spiegelfeldes elek­ trisch zu steuern. Folglich werden die magnetischen Spiegelfeld- Erzeugungsspulen 11a, 11b in Drehung geschaltet und leitend ge­ macht, und derart wird das magnetische Spiegelfeld (Vektor B) in einer gewissen Richtung mit einer gewissen Periode rotiert. Derart wird eine Fehlverteilung oder ungleichmäßige Verteilung des Plas­ mas, die auf der Drift (im folgenden als "E × B Drift" bezeichnet) basiert, die von der Lorentzkraft des erzeugten Plasmas aufgrund einer orthogonalen Überlagerung des magnetischen Spiegelfeldes und des HF elektrischen Feldes herrührt, verhindert.

Bei Verwendung der Vorrichtung mit der oben beschriebenen Struktur wird, wenn eine Dünnschicht auf einem Wafer 5 ausgebildet wird oder ein Ätzen ausgeführt wird, nachdem das unnötige Gas in dem Reaktionsbehälter 1 durch den Auslaß 8 genügend abgesaugt ist, ein reaktives Gas in den Reaktionsbehälter durch den Gaseinlaß 7, den Gasdurchgang 6b und den Gasauslaß 6a eingebracht. Dann wird ein Teil des reaktiven Gases vom Auslaß 8 abgesaugt, wodurch der in­ terne Druck des Reaktionsbehälters 1 auf einem vorbestimmten Wert gehalten wird.

Als nächstes wird eine HF-Leistung mit 93,6MHz der Kathode 3 durch die Hochfrequenz-Stromversorgung 9 zugeführt. Derart wird ein ma­ gnetisches Spiegelfeld erzeugt, da die Spulen 11a, 11b leitend ge­ macht werden. Im Reaktionsbehälter 1 wird eine Magnetronentladung (Magnetfeldröhrenentladung) durch das zwischen der Kathode 3 und der Anode 4 erzeugte HF-elektrische Feld und durch das magnetische Spiegelfeld mit magnetischen Kraftlinien, die das HF-elektrische Feld orthogonal kreuzen, verursacht, wodurch ein hochdichtes Gas­ plasma erzeugt wird. Die Ausbildung der Dünnschicht oder das Ätzen wird auf der Oberfläche des Wafers 5 durch diese-Reaktion des hochdichten Gasplasmas ausgeführt.

Reaktives Gas, Druck und durch die Hochfrequenz-Stromversorgung 9 gelieferte Leistung, die hierbei verwendet werden, werden entspre­ chend zu den Typen der Waferverarbeitung ausgewählt. Die wie oben aufgebaute Plasmareaktionsvorrichtung weist die fol­ genden Probleme auf.

Im Fall der wie oben aufgebauten Plasmareaktionsvorrichtung wird eine Fehlverteilung des Plasmas aufgrund der Drift verhindert und die Plasmadichte wird gleichförmig gemacht durch Rotation des ma­ gnetischen Spiegelfeldes unter Verwendung einer Mehrzahl (zwei bis drei) von Sätzen von magnetischen Spiegelfeld-Erzeugungsspulen. Die Plasmadichte wird über einen langen Zeitraum gleichförmig ge­ macht, jedoch, wie Fig. 7 zeigt, ist die Plasmaverteilung an einem willkürlichen Zeitpunkt (siehe P in der Figur) nicht gleich­ förmig, so daß Verteilungen des Potentials des Wafers 5, wie in Fig. 8 da gestellt, vorhanden sind, wenn sie an einem entlang der Linie A′-A aus Fig. 7 genommenen Querschnitt betrachtet werden.

In Fig. 8 zeigt die Abszisse einen Abstand vom Zentrum des Wafers 5 und die Ordinate einen absoluten Wert des Potentials V, wobei die strichpunktierte Linie ein Potential des Wafers 5 darstellt, die durchgezogene Linie ein lokales Potential auf der Oberfläche des Wafers 5 darstellt, und X einen Meßpunkt bezeichnet. Wie aus der Fig. 8 zu sehen ist, wird das Potential V kleiner als das Po­ tential des Wafers 5, wo die Plasmadichte hoch ist, während es hö­ her als das Potential des Wafers 5 ist, wo die Plasmadichte nied­ rig ist. Der Grund dafür wird im folgenden beschrieben, wobei die folgende Beziehung gilt:

P = V·I

P: Leistungsdichte (W/cm²)
V: Spannung (V)
I: Stromdichte (A/cm²).

Genauer verringert sich, da P konstant gesetzt ist, das Potential V in umgekehrter Proportion zu dem Anstieg der Plasmadichte I, während die Spannung V in umgekehrter Proportion zur Verminderung der Plasmadichte ansteigt.

Darum wird, wenn zu einer willkürlichen Zeit eine Differenz zwi­ schen dem Potential des Wafers 5 und dem lokalen Potential auf der Oberfläche des Wafers 5 erzeugt wird, ein elektrisches Feld auf eine Halbleitervorrichtung, die auf der Oberfläche des Wafers 5 ausgebildet ist, angewendet bzw. einwirken gelassen, und als Folge wird eine Isolierschicht, speziell eine dünne Isolierschicht, be­ schädigt.

Aus Vaccuum Band 42, 1991, S. 35-37 ist eine Plasmareaktionsvorrichtung mit einer Vorrichtung zur Erzeugung eines elektrischen Feldes, die eine Kathode und eine um die Kathode derart angeordnete Anode aufweist, daß die Anode und die Kathode auf einer gemeinsamen Achse ausgerichtet sind, zur Erzeugung eines elektrischen Feldes zwischen der Anode und der Kathode, einer Vorrichtung zur Erzeugung eines magnetischen Feldes, die drei ringförmige Permanentmagnete und ein Eisenpolstück aufweist, wobei zwei der Magnete (Haupt- und Rückmagnet), deren Pole einander entgegengesetzt ausgerichtet sind und die das in den Hauptmagneten eingesetzte Polstück magnetisieren, auf der gemeinsamen Achse in der Kathode angeordnet sind, zur Erzeugung eines magnetischen Feldes entlang der gemeinsamen Achse der Anode und der Kathode und einem Substrathalter zum Anordnen eines Substrats senkrecht zu der gemeinsamen Achse der Anode und der Kathode bekannt.

Aus IBM Technical Disclosure Bulletin, Band 27, Nr. 11, 1985, S. 6796-6797 ist eine Plasmareaktionsvorrichtung (Sputtervorrichtung) mit einer Vorrichtung zur Erzeugung eines elektrischen Feldes, die eine zylindrischen Anode und eine stabförmige Kathode, deren zentrale Achse auf der zentralen Achse der zylindrischen Anode angeordnet ist, aufweist, zur Erzeugung eines elektrischen Feldes zwischen der stabförmigen Kathode und der zylindrischen Anode und einer Vorrichtung zur Erzeugung eines magnetischen Feldes, das eine Komponente B1 in der zu der Achse der zylindrischen Anode parallelen Richtung und eine Wechselkomponente in der zu der Achse der zylindrischen Anode senkrechten Schnittebene aufweist, wobei die Magnetfeldkomponente B2 durch einen Strom I entlang der Achse der Kathode erzeugt wird, da der Strom I ein Wechselstrom ist, bekannt.

Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Plasmareaktions­ vorrichtung anzugeben, die ein hochdichtes Plasma durch Magnetron­ entladung aufrechterhalten kann und eine ausgezeichnete Plasma­ gleichförmigkeit über eine Hauptoberfläche eines Wafers aufweist.

Diese Aufgabe wird gelöst durch eine Plasmareaktionsvorrichtung nach Anspruch 1.

Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen gekenn­ zeichnet.

Bei der Plasmaerzeugungsvorrichtung nach der Erfindung wird ein elektrisches Feld ra­ dial zwischen dem Reaktionsbehälter und der stabförmigen Elektrode erzeugt, ein magnetisches Feld wird orthogonal zu dem elektrischen Feld ausgebildet, und ein Wafer wird senkrecht zu dem magneti­ schen Feld angeordnet.

Dementsprechend liegt die Richtung der E × B Drift des Plasmas, das durch die Magnetronentladung erzeugt wird, auf einem willkür­ lichen Punkt auf dem Wafer in der tangentialen Richtung eines Kreises, dessen Mittelpunkt die stangenförmige Elektrode ist, und parallel zu der Waferoberfläche, wodurch die Fehlverteilung des Plasmas in der radialen Richtung des Wafers beschränkt ist, wo­ durch das Plasma über der Hauptoberfläche des Wafers gleichförmig gemacht wird.

Bei der Plasmareaktionsvorrichtung nach einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung erzeugt die Vorrichtung zur Erzeugung eines elektrischen Feldes ein elektri­ sches Wechselfeld durch Anlegen einer Wechselspannung zwischen den Reaktionsbehälter und die stabförmige Elektrode, und die Vorrich­ tung zur Erzeugung eines magnetischen Feldes erzeugt ein magneti­ sches Wechselfeld unter Verwendung einer Wechselstrom-Stromversor­ gung zum Einstellen einer Phasendifferenz zwischen dem elektri­ schen Wechselfeld und dem magnetischen Wechselfeld auf 0° oder 180°.

Bei der Plasmareaktionsvorrichtung kann die E × B Drift immer in einer gewissen Richtung gehalten werden, und die Energie von Ionen und Elektronen in dem Plasma kann erhöht werden, da die Phasendif­ ferenz zwischen dem elektrischen Wechselfeld und dem magnetischen Wechselfeld auf 0° oder 180° eingestellt ist.

Es folgt die Beschreibung von Ausführungsbeispielen anhand der Figuren von den Figuren zeigen:

Fig. 1 eine Schnittansicht einer Plasmareaktionsvorrichtung ent­ sprechend einer ersten Ausführungsform;

Fig. 2 eine Schnittansicht, die entlang der Linie X-X′ in Fig. 1 genommen ist;

Fig. 3 Potentiale eines Wafers und einer Waferoberfläche, wenn die Plasmareaktionsvorrichtung entsprechend der ersten Ausführungsform verwendet wird;

Fig. 4 eine Schnittansicht einer Plasmareaktionsvorrichtung ent­ sprechend einer zweiten Ausführungsform;

Fig. 5 eine schematische Ansicht, die ein Merkmal der Plasmare­ aktionsvorrichtung entsprechend der zweiten Ausführungs­ form zeigt;

Fig. 6 eine Schnittansicht einer Plasmareaktionsvorrichtung;

Fig. 7 eine Draufsicht, die Probleme der Plasmareaktionsvorrich­ tung aus Fig. 6 zeigt; und

Fig. 8 Potentiale eines Wafers und einer Waferoberfläche an einem Querschnitt, der entlang der Linie A′-A in Fig. 7 genommen ist.

Eine erste Ausführungsform wird beschrieben.

Fig. 1 ist eine Schnittansicht einer Plasmareaktionsvorrichtung entsprechend der Ausführungsform. Wie die Figur zeigt, weist die Plasmareaktionsvorrichtung einen zylindrischen Reaktionsbehälter 1 mit einem vorbestimmten Radius, der als eine erste Elektrode dient, auf. Eine stabförmige Elektrode 13, die als eine zweite Elektrode dient, ist auf der zentralen Achse des Reaktionsbehälters 1 zur Erzeugung eines elektrischen Feldes (E) radial zwischen der stabförmigen Elektrode 13 und dem Reakti­ onsbehälter mit der zentralen Achse vorgesehen. Ein Gaseinlaß 7 ist an der oberen Seite des Reaktionsbehälters 1 zum Einbringen eines reaktiven Gases vorgesehen.

Eine Solenoidspule 12 ist außerhalb des Reaktionsbehälters 1 zur Erzeugung eines magnetischen Feldes (B) parallel zu der Erstreckungsrichtung des Reaktionsbehälters 1 innerhalb der ersten Elektrode vorgesehen.

Ein Probentisch (Werkstücktisch) 3 ist auf einem Isoliermaterial 2 an dem niedrigeren Abschnitt des Reaktionsbehälters 1 vorgesehen, und ein Wafer 5 ist auf dem Probentisch 3 angeordnet. Ein Ende einer Hochfrequenz-Stromversorgung 9 ist mit dem Probentisch 3 über eine Impedanzanpaßvorrichtung 10 verbunden, und das andere Ende der Hochfrequenz-Stromversorgung 9 ist mit Masse verbunden. Ein Auslaß 8 ist an dem niedrigeren Abschnitt des Reakti­ onsbehälters 1 vorgesehen.

Wenn eine Dünnschicht auf dem Wafer 5 ausgebildet wird oder Ätzen ausgeführt wird, wird bei der Plasmareaktionsvorrichtung mit der obigen Struktur unnötiges Gas innerhalb des Reaktionsbehälters 1 ausreichend durch den Auslaß 8 ausgelassen bzw. abgesaugt. Dann wird reaktives Gas in den Reaktionsbehälter 1 durch den Gaseinlaß 7 eingebracht, und zur selben Zeit wird ein Teil desselben durch den Auslaß 8 abgeführt, um den internen Druck des Reaktionsbehäl­ ters 1 auf einem vorbestimmten Wert zu halten. Dann wird ein elek­ trisches Feld (E) zwischen den Elektroden durch Verbinden einer Gleichstrom-Stromversorgung 14 zwischen den Reaktionsbehälter 1 und die stabförmige Elektrode 13 erzeugt. Außerdem wird ein magne­ tisches Feld (B) parallel zu der Richtung der Erstreckung des Re­ aktionsbehälters 1 innerhalb des Reaktionsbehälters 1 durch die Solenoidspule 12 erzeugt.

Fig. 2 ist eine Schnittansicht, die entlang der Linie X-X′ in Fig. 1 genommen ist.

Wie die Figur zeigt, wird das radiale elektrische Feld E, das in der Figur durch Pfeile gezeigt ist, zwischen dem Reaktionsbehälter 1 und der stabförmigen Elektrode 13 erzeugt, wie die Spannung von der Gleichstrom-Stromversorgung 14 an die stabförmige Elektrode 13, die auf der zentralen Achse des Reaktionsbehälters 1 angeord­ net ist, angelegt wird.

Währenddessen wird das magnetische Feld B durch die Solenoidspule 12 in der Richtung senkrecht zu dem Querschnitt aus Fig. 2 er­ zeugt.

Dementsprechend sind das radiale elektrische Feld E und das magne­ tische Feld B mit der axialen Richtung senkrecht zueinander, so daß das reaktive Gas, das in den Reaktionsbehälter 1 durch den Gaseinlaß 7 eingebracht wird, durch die Magnetronentladung (Magnetfeldröhrenentladung) in Plasma umgewandelt wird.

Obwohl das hochdichte Plasma, das durch die Magnetronentladung er­ zeugt wird, in der Richtung von E × B driftet, liegt die Drift in der tangentialen Richtung, die durch einen Pfeil E × B in Fig. 2 gezeigt ist, auf einem Kreis dessen Mittelpunkt die stabförmige Elektrode ist. In anderen Worten, die Drift liegt offensichtlich in der Umfangsrichtung der stabförmigen Elektrode. Darum rotiert offensichtlich das zwischen der stabförmigen Elektrode 13 und dem Reaktionsbehälter 1 erzeugte Plasma gleichförmig in der Umfangsrichtung.

Dementsprechend verursacht das durch die Magnetronentladung er­ zeugte Plasma keine Fehlverteilung, so daß die Dichte des Plasmas auf dem Wafer 5 zu jeder Zeit gleichförmig ist.

Wie in Fig. 3 gezeigt ist, wird das Potential des Wafers und das Po­ tential auf der Waferoberfläche gleichförmig, so daß eine Diffe­ renz zwischen dem Waferpotential und dem lokalen Potential auf der Waferoberfläche nicht verursacht wird, wie das vorher der Fall war. Dadurch kann eine Beschädigung der Vorrichtung, die auf dem Wafer ausgebildet ist, verhindert werden.

In Fig. 3 bezeichnet die Abszisse den Abstand von dem Zentrum des Wafers 5, die Ordinate bezeichnet den absoluten Wert des Potenti­ als V, die strichpunktierte Linie bezeichnet ein Potential des Wa­ fers, und x bezeichnet ein Potential auf der Waferoberfläche an einem Potentialmeßpunkt.

Eine zweite Ausführungsform wird beschrieben. Fig. 4 ist eine longitudinale Schnittansicht der Plasmareaktionsvorrichtung ent­ sprechend dieser Ausführungsform.

Die vorliegende Ausführungsform unterscheidet sich von der Plasma­ reaktionsvorrichtung der oben beschriebenen ersten Ausführungs­ form, die in Fig. 1 gezeigt ist, dadurch, daß eine Wechselstrom- Stromversorgung 15 zwischen den Reaktionsbehälter und die stabför­ mige Elektrode verbunden ist, und eine Wechselstrom-Stromversor­ gung 16 mit der Solenoidspule 12 verbunden ist. Zusätzlich ist eine Quarzabdeckung 17 innerhalb des Reaktionsbehälters 1 und auf der Seitenwand der stabförmigen Elektrode zur Verhinderung einer von den Elektroden ausgehenden Metallverunreinigung vorgesehen. Die vorliegende Ausführungsform weist in den anderen Aspekten die­ selbe Struktur wie die Plasmareaktionsvorrichtung der ersten Ausführungsform auf.

Wenn die Plasmareaktionsvorrichtung der ersten Ausführungsform über einen langen Zeitraum benutzt wird, haften Reaktionsprodukte, die aus isolierenden Materialien bestehen, die von Produkten re­ sultieren, die ausgebildet werden, wenn das Substrat geätzt wird oder ein Polymer durch Rekombination von zerlegtem Gas hergestellt wird, an dem inneren Wandabschnitt der ersten Elektrode an, und als Folge werden der innere Wandabschnitt der ersten Elektrode 1 und die Seitenwand der zweiten Elektrode 13 mit den isolierenden Materialien bedeckt, wodurch die Verwendung des elektrischen Gleichfeldes verhindert wird. Die Plasmareaktionsvorrichtung entsprechend der zweiten Ausführungs­ form löst diese Probleme.

Bei der zweiten Ausführungsform wird ein elektrisches Wechselfeld (E) und ein magnetisches Wechselfeld (B) wie oben beschrie­ ben erzeugt. Derart wird, wie in Fig. 5 gezeigt, selbst falls iso­ lierende Materialien auf dem inneren Wandabschnitt des Reaktions­ behälter 1 und der Seitenwand der stabförmigen Elektrode 13 anhaf­ ten, wobei diese Materialien im wesentlichen Kondensatoren C1 bzw. C2 bilden und die Phase periodisch invertiert wird, ein Strom fortlaufend zugeführt, und das elektrische Wechselfeld und das magnetische Wechselfeld können ohne Unterbrechung erzeugt werden.

Falls die Frequenzen der Wechselstrom-Stromversorgung 15 und der Wechselstrom-Stromversorgung 16 miteinander gleichgemacht werden und die Phasendifferenz zwischen dem elektrischen Wechselfeld E und dem magnetischen Wechselfeld B auf 0° oder 180° eingestellt wird, kann die E × B Drift in einer bestimmten bzw. gewissen Rich­ tung fixiert werden. Als Folge kann ein hochdichtes Plasma erhal­ ten werden, da die Energie der Ionen und Elektronen in dem Plasma erhöht werden kann.

Bei der vorliegenden Ausführungsform tritt wie bei der ersten Aus­ führungsform eine Fehlverteilung des Plasmas nicht auf, wie in Fig. 3 gezeigt, so daß die Plasmadichte zu jeder Zeit gleichförmig ist, wodurch das Potential des Wafers und das Oberflächenpotential des Wafers gleichförmig werden.

Obwohl bei der vorliegenden Ausführungsform eine 13,56MHz Strom­ versorgung als Wechselstrom-Stromversorgungen 15 und 16 verwendet wurde, können jedwede Frequenzen, die in den Bereich von ungefähr 10kHz bis ungefähr 100MHz fallen, wobei Plasma im Druckbereich von 1 bis 1000mTorr erzeugt werden kann, das zum Ätzen verwendbar ist, verwendet werden.

Claims (3)

1. Plasmareaktionsvorrichtung mit einer Vorrichtung zur Erzeugung eines elektrischen Feldes (E), die einen zylindrischen Reaktionsbehälter (1) mit einem vorbestimmten Radius, der als eine erste Elektrode dient, und eine stabförmige Elektrode (13), die als eine zweite Elektrode dient und deren zen­ trale Achse auf einer zentralen Achse des Reaktionsbehälters (1) angeordnet ist, aufweist, zur Erzeugung eines radialen elektrischen Feldes (E) zwischen der stabförmigen Elektrode (13) und dem Reaktionsbe­ hälter (1) und
einer Vorrichtung zur Erzeugung eines magnetischen Feldes (B), die außerhalb des Reaktionsbehälter (1) angeordnet ist, zur Erzeugung eines magnetischen Feldes in dem Reaktionsbehälter (1) in der Richtung parallel zu der zentralen Achse des Reaktionsbehälters (1), wobei die Vorrichtung zur Erzeugung eines elektrischen Feldes (E) und die Vorrichtung zur Erzeugung eines magnetischen Feldes (B) derart angeordnet sind, daß ein Plasma, das koaxial zu der stabförmigen Elektrode (13) auf einer geschlossenen Bahn in Richtung von E×B driftet, zwischen dem zylindrischen Reaktionsbehälter (1) und der stabförmigen Elektrode (13) erzeugt wird,
sowie mit einer Waferanordnungsvorrichtung (3) zum Anordnen eines Wafers (5) senkrecht zu dem magnetischen Feld (B).

2. Plasmareaktionsvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet,
daß die Vorrichtung zur Erzeugung eines elektrischen Feldes (E) ein elektrisches Wechselfeld durch Anlegen einer Wechselspannung zwischen dem Reaktionsbehälter (1) und der stabförmigen Elektrode (13) erzeugt,
die Vorrichtung zur Erzeugung eines magnetischen Feldes (B) ein magnetisches Wechselfeld unter Verwendung einer Wechselstrom- Stromversorgung erzeugt, und
eine Phasendifferenz zwischen dem elektrischen Wechselfeld und dem magnetischen Wechselfeld auf 0° oder 180° eingestellt ist.

3. Plasmareaktionsvorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß eine Quarzabdeckung (17) innerhalb des Reaktionsbehälters (1) und auf der Seitenwand der stabför­ migen Elektrode (13) vorgesehen ist.