DE4342640A1

DE4342640A1 - VCO circuitry with oscillation circuit

Info

Publication number: DE4342640A1
Application number: DE4342640A
Authority: DE
Inventors: Rudolf Dipl Ing Bock
Original assignee: Siemens AG
Current assignee: Siemens AG
Priority date: 1993-11-15
Filing date: 1993-12-14
Publication date: 1995-05-18

Abstract

The circuitry (0G) comprises the oscillator circuit (G), an active four-pole (VG) and a feedback (R). The oscillator circuit consists of a series connection of a capacitor and an inductance. The four-pole has an oscillator circuit transistor in an emitter circuit. The feedback consists of a capacitor and a parallel voltage divider. There is one element for adjusting the reference frequency of the oscillator circuit, which can be used for adjusting the working point of the oscillator circuit transistor such that its diffusion capacity is controlled to assume the desired value corresp. to the reference frequency. The element is pref. a thick film resistor of variable type. The oscillator circuit transistors may be of a bipolar type.

Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Schaltungsanordnung eines Oszillators gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1. Her kömmliche elektronische Schaltungsanordnungen zur Erzeugung eines periodischen, beispielsweise sinusförmigen Ausgangs signals, weisen ein frequenzbestimmendes Glied sowie ein mit diesem verbundenes Verstärkerelement mit einer Rückkoppelein heit auf. Das Verstärkerelement, ein Schwingkreistransistor, dient im wesentlichen dazu, Verluste der frequenzbestimmenden Glieder des Oszillatorschwingkreises auszugleichen. Das Verstärkerelement in Verbindung mit der Rückkoppeleinheit ist eine Regel- beziehungsweise Begrenzungseinrichtung, die die Konstanthaltung der Schwingungsamplitude des Ausgangssignals der Oszillatorschaltung ermöglicht. Eine Schwing kreisbedingung der Oszillatorschaltung ist dann gegeben, wenn bei einer bestimmten Frequenz, der Mitten- oder Referenzfre quenz des Schwingkreises, die Phase der oder des über die Rückkoppeleinheit an den Eingang des Verstärkerelementes rückgeführten Spannung oder Stroms genau mit der am Eingang des Verstärkerelements anliegenden Steuerspannung oder Steuerstromes in Phase liegt.The invention relates to a circuit arrangement of a Oscillators according to the preamble of claim 1. Her conventional electronic circuitry for generation a periodic, for example sinusoidal output signals, have a frequency-determining element and a this connected amplifier element with a feedback eats up. The amplifier element, a resonant circuit transistor, essentially serves to determine the frequency determining losses Compensate elements of the oscillator circuit. The Amplifier element in connection with the feedback unit a control or limiting device that Keeping the oscillation amplitude of the output signal constant the oscillator circuit enables. A swing Circular condition of the oscillator circuit is given if at a certain frequency, the center or reference fre frequency of the resonant circuit, the phase of the or of the Feedback unit to the input of the amplifier element returned voltage or current exactly with that at the input of the amplifier element applied control voltage or Control current is in phase.

Zum Ausgleich von Fertigungs- oder Herstellungstoleranzen der im frequenzbestimmenden Teil des Oszillatorschwingkreises verwendeten Bauteile sowie zur Erlangung einer exakten Abstimmung auf eine bestimmte Referenzfrequenz, kann bei spielsweise ein Kondensator mit veränderbarer Kapazität in den Oszillatorschwingkreis integriert werden.To compensate for manufacturing or manufacturing tolerances in the frequency-determining part of the oscillator circuit used components as well as to obtain an exact Tuning to a specific reference frequency can be done at for example a capacitor with variable capacitance in the oscillator circuit can be integrated.

Bei hochfrequent schwingenden Oszillatorschwingkreisen ist es von Nachteil, daß kapazitive wie auch induktive parasitäre Störeffekte eine exakte schaltungstechnische Bestimmung der Referenzfrequenz verhindern. Die parasitären Störeffekte können häufig erst durch Einfügung weiterer kapazitiver Bau elemente in die Oszillatorschaltung reduziert werden. Dies bringt jedoch den schaltungstechnischen Nachteil mit sich, daß eine Vielzahl von Bauteilen auf einen entsprechend größe ren Bauelementeträger integriert werden müssen und die hierzu benötigten Lötstützpunkte zu erneuten parasitären Störeffek ten führen.In the case of high-frequency oscillating oscillator circuits it is disadvantageous that capacitive as well as inductive parasitic Interference effects an exact determination of the circuitry Prevent reference frequency. The parasitic interference effects can often only by inserting additional capacitive construction elements in the oscillator circuit can be reduced. This however, has the disadvantage of circuitry, that a large number of components on a corresponding size Ren component carrier must be integrated and this required soldering points for renewed parasitic interference lead.

Darüber hinaus ist es bei der Fertigstellung von Oszillator schaltungen von Nachteil, daß beispielsweise kapazitive Bau elemente zur Schwingkreisabstimmung auf eine bestimmte Reso nanzfrequenz jeweils abgeglichen werden müssen.It is also in the process of completing the oscillator circuits disadvantageous that, for example, capacitive construction elements for tuning the resonant circuit to a specific resonance frequency must be adjusted in each case.

Bei herkömmlichen Abgleichmethoden bei Oszillatorschwing kreisen bedurfte es bisher zeitintensiver manuell durchzufüh render mechanischer Feinabstimmungen der in den Oszillator schwingkreis integrierten kapazitiven oder induktiven Bau elemente um eine gewünschte Referenzfrequenz zu erhalten.With conventional adjustment methods for oscillator oscillation circles have previously required time to be carried out manually render mechanical fine-tuning of the in the oscillator resonant circuit integrated capacitive or inductive construction elements to get a desired reference frequency.

Ein zusätzlicher auf die Referenzfrequenz des hochfrequent schwingenden Oszillatorschwingkreis einflußnehmender Störef fekt tritt bei thermischer Einwirkung auf die Schaltungsan ordnung auf. Insbesondere bei dem Schwingkreistransistor des Oszillatorschwingkreises verändert sich durch eine tempera turbedingte Drift des Arbeitspunktes sein Frequenzverhalten.An additional on the reference frequency of the high frequency oscillating oscillating circuit influencing interference ref fect occurs with thermal influence on the circuit order. Especially in the resonant circuit transistor of Oscillator circuit changes through a tempera door-related drift of the operating point its frequency behavior.

Neben umfangreichen Maßnahmen, die eine konstante Umweltbe dingung für die auf einen Bauelementeträger angeordneten Schaltungskomponenten einer Oszillatorschaltung erwirken, müssen für die aktiven Schaltungskomponenten, insbesondere für den Schwingkreistransistor, frequenzstabilisierende Schaltungsmaßnahmen ergriffen werden.In addition to extensive measures that ensure a constant environmental condition for those arranged on a component carrier Circuit components of an oscillator circuit, need for the active circuit components, in particular for the resonant circuit transistor, frequency stabilizing Circuit measures are taken.

Herkömmliche schaltungstechnische Maßnahmen zur Stabilisie rung des Frequenzverhaltens eines Schwingkreistransistors bei Temperatureinflüssen ist beispielsweise die Kompensation des Drifts seines Arbeitspunktes durch einen temperaturabhängigen Widerstand als Teil eines den Arbeitspunkt einstellenden Spannungsteilers an seiner Basis oder eine Integration einer Diode in den Basis/Emitterkreis. Zusätzliche den Arbeitspunkt einstellende Maßnahmen, die die Kollektorspannung oder den Kollektorstrom eines Schwingkreistransistors begrenzen, beziehungsweise regeln, können mittels einer Zenerdiode bewirkt werden.Conventional circuitry measures for stabilization tion of the frequency response of a resonant circuit transistor Temperature influences are, for example, the compensation of Drifts its working point by a temperature dependent Resistance as part of an operating point Voltage divider at its base or integrating one Diode in the base / emitter circuit. Additional the working point adjusting measures that the collector voltage or the Limit the collector current of a resonant circuit transistor, or regulate, using a Zener diode be effected.

Die aufgeführten Maßnahmen, insbesondere die zur Arbeits punktstabilisierung eines Schwingkreistransistors, dienen im wesentlichen dazu, das Ausgangssignalverhalten einer unter Umgebungstemperatur dimensionierten elektronischen Schaltung bei Abweichungen von dieser konstant zu halten.The measures listed, especially those related to work point stabilization of a resonant circuit transistor, serve in essential to the output signal behavior of a Ambient temperature sized electronic circuit to keep constant in the event of deviations from this.

Zur Frequenzstabilisierung innerhalb eines größeren Tempera turbereichs mußten bisher umfangreichere schaltungstechnische Maßnahmen durchgeführt werden. Diese schaltungstechnische Realisierung ist besonders schwierig, da eine Arbeits punktstabilisierung jeweils nur für einen begrenzten Tempera turbereich mit vertretbaren schaltungstechnischen Maßnahmen durchgeführt werden kann. Eine einen Temperaturgang über einen größeren Temperaturbereich kompensierende Schaltungs anordnung erfordert eine Kombination von einer Vielzahl von temperaturabhängigen Bauelementen mit negativen und positiven Temperaturkoeffizienten. Je nach Temperaturbereich müssen dann unterschiedliche Teile der "Kompensationsschaltung" den Temperaturgang des Arbeitspunktes des Schwingkreistransistors nachregeln. Zur Komplexität dieser Kompensationsschaltung müssen noch bei dessen Dimensionierung herstellungsbedingte Toleranzen der verwendeten Bauelemente berücksichtigt werden. Die herstellungsbedingten Toleranzen der verwendeten Bauele mente erschweren zudem eine serienmäßige Herstellung der Kompensationsschaltung.For frequency stabilization within a larger tempera previously had to be more extensive circuitry Measures are carried out. This circuitry Realization is particularly difficult as a job point stabilization only for a limited tempera door area with justifiable circuitry measures can be carried out. A temperature change over circuit compensating a larger temperature range arrangement requires a combination of a variety of temperature-dependent components with negative and positive Temperature coefficient. Depending on the temperature range then different parts of the "compensation circuit" Temperature response of the operating point of the resonant circuit transistor readjust. The complexity of this compensation circuit must still have manufacturing-related dimensions Tolerances of the components used are taken into account. The manufacturing tolerances of the components used elements also complicate the serial production of the Compensation circuit.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Schaltungsan ordnung für einen Oszillator anzugeben, bei dem die oben auf geführten Nachteile vermieden werden. The invention has for its object a circuit order for an oscillator in which the above on disadvantages are avoided.

Die Aufgabe wird durch die Merkmale des Patentanspruchs 1 ge löst.The task is ge by the features of claim 1 solves.

Die Erfindung bringt neben dem Vorteil, daß keine die Fre quenz des Oszillatorschwingkreises beeinflussenden einstell baren kapazitiven sowie induktiven Bauelemente benötigt wer den, den weiteren Vorteil mit sich, daß durch eine damit ver bundene Einsparung von Lötverbindungspunkten zwischen Leiter bahn und Bauelementen die insbesondere bei höheren Frequenzen einsetzenden parasitären kapazitiven sowie induktiven Stör effekte erheblich reduziert wurden.The invention has the advantage that no Fre setting of the oscillator circuit who need capacitive and inductive components the, the further advantage with it that ver tied saving of solder connection points between conductors track and components especially at higher frequencies onset of parasitic capacitive and inductive interference effects were significantly reduced.

Des weiteren bringt die Erfindung den Vorteil mit sich, daß die Schwingkreisfrequenz der Oszillatorschaltung durch geeig nete Wahl eines der arbeitspunktbestimmenden Widerstände des Schwingkreistransistors für eine bestimmte Referenzfrequenz eingestellt werden kann.Furthermore, the invention has the advantage that the resonant circuit frequency of the oscillator circuit by geeig nete choice of one of the resistors determining the operating point Oscillating circuit transistor for a specific reference frequency can be adjusted.

Eine Ausgestaltung der Erfindung ist, daß die Induktivitäten des frequenzbestimmenden Schwingkreises sowie die Induktivi täten eines Signal-Auskoppelkreises der Oszillatorschaltung in das Lay-Out der Schaltungsleiterbahnen integriert sind. Dies bringt den Vorteil mit sich, daß neben einer erheblichen Verminderung von parasitären Störeffekte eine erhöhte spek trale Reinheit, eines beispielsweisen sinusförmigen Ausgangs signals der Oszillatorschaltung erreicht wurde.One embodiment of the invention is that the inductors of the frequency-determining resonant circuit and the inductors would a signal decoupling circuit of the oscillator circuit are integrated in the layout of the circuit tracks. This has the advantage that in addition to a significant Reduction of parasitic interference effects increased spec central purity, for example a sinusoidal output signals of the oscillator circuit was reached.

Eine weitere Ausgestaltung der Erfindung ist, daß an der Basis des Schwingkreistransistors der Kollektor eines Transi stor angeordnet ist, wobei der Transistor vom gleichen Typ wie der Schwingkreistransistor ist. Dies bringt den Vorteil mit sich, daß die Referenzfrequenz der Oszillatorschaltung unabhängig von der Umgebungstemperatur stabil gehalten werden kann. Desweiteren bringt diese Ausgestaltung der Erfindung den Vorteil mit sich, daß sie leicht auf den Bauelemente träger der Oszillatorschaltung integriert werden und Bautei letoleranzen, beispielsweise die der Transistoren, unberück sichtigt bleiben können.Another embodiment of the invention is that on the The base of the resonant circuit transistor is the collector of a transi stor is arranged, the transistor of the same type how the resonant circuit transistor is. This has the advantage with itself that the reference frequency of the oscillator circuit be kept stable regardless of the ambient temperature can. Furthermore, this embodiment of the invention the advantage of being easy on the components Carrier of the oscillator circuit are integrated and component Let tolerances, for example those of the transistors, are not affected can remain visible.

Vorteilhafte Ausbildungen der Erfindung sind in den Unteran sprüchen angegeben.Advantageous embodiments of the invention are in the Unteran sayings.

Weitere Besonderheiten der Erfindung werden aus der nachfol genden näheren Erläuterung eines Ausführungsbeispiels anhand von Zeichnungen ersichtlich.Further special features of the invention will become apparent from the following ing closer explanation of an embodiment based on of drawings.

Dabei zeigen:Show:

Fig. 1 eine schematische Darstellung einer erfindungsgemäßen Oszillatorschaltung und Fig. 1 is a schematic representation of an oscillator circuit according to the invention and

Fig. 2 eine schaltungsgemäße Ausgestaltung des Oszillators. Fig. 2 shows a circuit configuration of the oscillator.

In Fig. 1 ist eine schematische Darstellung einer erfindungs gemäßen Ausführung einer Oszillatorschaltung OS dargestellt. Die einzelnen Komponenten S, R, UK, VE, VET, A, SV der Oszil latorschaltung OS sind: ein Schwingkreis S, eine Rückkoppel einheit R, eine Verstärkereinheit VE, eine temperaturbedingte Veränderung des Frequenzverhaltens des Schwingkreistransi stors kompensierende Schaltungseinheit VET, eine Spannungs versorgungseinheit SV, eine Auskoppeleinheit A sowie eine Schaltungseinheit UK zur Anpassung einer während des Abgleichvorganges an der Rückkoppeleinheit R anzulegenden Kontrollspannung.In Fig. 1, a schematic representation of an inventive design of an oscillator circuit OS is shown. The individual components S, R, UK, VE, VET, A, SV of the oscillator circuit OS are: an oscillating circuit S, a feedback unit R, an amplifier unit VE, a temperature-dependent change in the frequency behavior of the oscillating circuit transistor compensating circuit unit VET, a voltage supply unit SV, a decoupling unit A and a circuit unit UK for adapting a control voltage to be applied to the feedback unit R during the adjustment process.

Der Schwingkreis S ist aus einer Serienschaltung, bestehend aus einer Induktivität b sowie einer Kapazität C gebildet. Die Verstärkereinheit VE ist aus einem in Emitterschaltung betriebenen Bipolartransistor V1 sowie mit einer zur Einstel lung eines Arbeitspunktes nötigen widerstandsmäßigen Beschal tung versehen. Die Schaltungseinheit VET ist aus einem Tran sistor mit den dazugehörigen arbeitspunktbestimmenden Wider ständen gebildet. Der Transistor der Schaltungseinheit VET ist vom gleichen Typ wie der Schwingkreistransistor. The resonant circuit S consists of a series circuit formed from an inductance b and a capacitance C. The amplifier unit VE consists of an emitter circuit operated bipolar transistor V1 and with one for adjustment a working point necessary resistive sound tion. The VET circuit unit is made of one oil sistor with the associated counter determining the operating point stands formed. The transistor of the circuit unit VET is of the same type as the resonant circuit transistor.

Die Rückkoppeleinheit R, bestehend aus einer zu einer Serien schaltung von Widerständen sowie einer dazu parallelgeschal teten Kapazität, wirkt in dieser Ausführungsform als Strom rückkopplung (siehe Fig. 2). Das Ausgangssignal der Schal tungsanordnung UK liegt an einem der in der Rückkoppeleinheit R in Serie geschalteten Widerständen. Mit Hilfe der Aus koppeleinheit A wird die Periode des Ausgangssignals der Schaltungseinheit VE an nachfolgende Schaltungseinheiten an gepaßt. Wie in der Beschreibungseinleitung bereits ausge führt, ist die Schwingkreisbedingung dann erfüllt, wenn das Ausgangssignal des Verstärkerelementes VE auf dessen Eingang in Phase zurückgekoppelt wird. Eine einmal angestoßene Schwingkreisschaltung des Oszillators schwingt dann in einer dem Oszillatorschwingkreis eigenen Resonanzfrequenz fo.The feedback unit R, consisting of a series circuit of resistors and a capacitance connected in parallel, acts in this embodiment as a current feedback (see Fig. 2). The output signal of the circuit arrangement UK is due to one of the resistors connected in series in the feedback unit R. With the aid of the coupling unit A, the period of the output signal of the circuit unit VE is adapted to subsequent circuit units. As already out in the introduction, the resonant circuit condition is fulfilled when the output signal of the amplifier element VE is fed back in phase to its input. Once the oscillator circuit of the oscillator has been triggered, it then oscillates in a resonance frequency fo which is specific to the oscillator circuit.

In Fig. 2 ist ein schaltungsmäßiger Aufbau der Oszillator schaltung OS abgebildet. In den einzelnen Schaltungseinheiten sind die für die Funktionsfähigkeit der Oszillatorschaltung OS wesentlichen Schaltungskomponenten in das Verstärkerele ment VE, der Schaltungseinheit VET, dem Schwingkreis S, der Rückkoppeleinheit R, der Schaltungseinheit UK, der Stromver sorgungseinheit SV sowie der Auskoppeleinheit A eingefügt.In Fig. 2 a circuit structure of the oscillator circuit OS is shown. In the individual circuit units, the circuit components essential for the functionality of the oscillator circuit OS are inserted into the amplifier element VE, the circuit unit VET, the resonant circuit S, the feedback unit R, the circuit unit UK, the power supply unit SV and the decoupling unit A.

Der Arbeitspunkt des Schwingkreistransistor VI der Verstär kereinheit VE wird durch den veränderbaren Widerstand R5 sowie durch einen Spannungsteilers mit den Widerständen R3, R7 am Emitterausgang des Schwingkreistransistors V1 bestimmt. Die Einstellung der die Kompensation der temperaturbedingten Drift des Arbeitspunktes des Schwingkreistransistors V1 bewirkenden Schaltungseinheit VET erfolgt in folgenden Schritten:
In einem ersten Schritt wird mit Hilfe des Basiswiderstandes R5 sowie einer Kontrollspannung Uk der Arbeitspunkt des Schwingkreistransistors V1 und dadurch eine Referenzfrequenz fo der Oszillatorschaltung OS bei Umgebungstemperatur einge stellt. Eine konstante Referenzfrequenz von beispielsweise 700 MHz wird dann erreicht wenn bei steigender Umgebungstem peratur die Basisspannung an dem Schwingkreistransistor V1 entsprechend reduziert wird. In einem zweiten Schritt wird bei einer sich verändernden Umgebungstemperatur ein Ausgangs signalverhalten durch geeignete Wahl von arbeitspunktbestim menden Widerständen des Transistors Tr in der Art ermittelt, daß die Kollektorspannung des Transistors Tr der notwendigen Basisspannung des Schwingkreistransistors V1 entspricht.The operating point of the resonant circuit transistor VI of the amplifier unit VE is determined by the variable resistor R5 and by a voltage divider with the resistors R3, R7 at the emitter output of the resonant circuit transistor V1. The setting of the circuit unit VET which effects the compensation of the temperature-related drift of the operating point of the resonant circuit transistor V1 takes place in the following steps:
In a first step, the operating point of the resonant circuit transistor V1 and thereby a reference frequency fo of the oscillator circuit OS is set at ambient temperature with the aid of the base resistor R5 and a control voltage Uk. A constant reference frequency of, for example, 700 MHz is achieved when the base voltage at the resonant circuit transistor V1 is reduced accordingly as the ambient temperature rises. In a second step, an output signal behavior is determined at a changing ambient temperature by a suitable choice of working point determining resistances of the transistor Tr in such a way that the collector voltage of the transistor Tr corresponds to the necessary base voltage of the resonant circuit transistor V1.

Die der Verstärkereinheit VE nachgeschalteten Auskoppelein heit A ist in die Schaltungseinheiten AK zur Anpassung des Ausgangssignals des Schwingkreistransistors V1, einem Ober wellenfilter OF sowie in einer Pegelanpaßeinheit PW unter gliedert. Das Schwingkreisverhalten der Oszillatorschaltung OS wird durch den Serienschwingkreis S und der zu diesem parallelliegenden Serienschaltung, bestehend aus der Kapazi tät C3 im Rückkoppelzweig R und einer dem Schwingkreistransi stor V1, einem Bipolartransistor, zugeordneten Diffusionska pazität bestimmt. Durch Variation eines an der Basis angeord neten Widerstandes, beispielsweise R5, kann der Arbeitspunkt und damit die Größe der Diffusionskapazität des Bipolartran sistors V1 bestimmt werden. Mit der Änderung der Diffusions kapazität des Bipolartransistors V1 ändert sich auch die Referenzfrequenz fo der Oszillatorschaltung OS.The coupling downstream of the amplifier unit VE Unit A is in the circuit units AK to adapt the Output signal of the resonant circuit transistor V1, an upper wave filter OF and in a level adjustment unit PW below structure. The resonant circuit behavior of the oscillator circuit OS becomes through the series resonant circuit S and this parallel series connection, consisting of the capaci act C3 in the feedback branch R and one in the resonant circuit transi stor V1, a bipolar transistor, associated Diffusionska capacity determined. By varying one arranged at the base Neten resistance, for example R5, the operating point and thus the size of the diffusion capacity of the bipolar oil sistors V1 can be determined. With the change in diffusion capacitance of the bipolar transistor V1 also changes Reference frequency fo of the oscillator circuit OS.

Die erfindungsgemäße Oszillatorschaltung eignet sich in besonderer Weise als spannungsgesteuerter Oszillator (VCO) beispielsweise für eine PLL-Schaltung. Die Referenzfrequenz ist dann die Mittenfrequenz des spannungsgesteuerten Oszilla tors, um die die tatsächliche Frequenz nach Maßgabe der VCO- Steuerspannung regelbar ist. Die Oszillatorschaltung OS ist je nach Größe der induktiven sowie kapazitiven Bauelemente des Schwingkreises in einem Frequenzbereich ab 300 MHz bis über 1 GHz betreibbar. Die Referenzfrequenz fo der Oszilla torschaltung OS kann beispielsweise einen Temperaturbereich von -40 bis über 100 Grad C konstant gehalten werden.The oscillator circuit according to the invention is suitable in special way as a voltage controlled oscillator (VCO) for example for a PLL circuit. The reference frequency is then the center frequency of the voltage controlled Oszilla the actual frequency according to the VCO Control voltage is adjustable. The oscillator circuit is OS depending on the size of the inductive and capacitive components of the resonant circuit in a frequency range from 300 MHz to Operable over 1 GHz. The reference frequency fo of the oszilla Gate circuit OS can, for example, a temperature range be kept constant from -40 to over 100 degrees C.

Claims

1. oscillator circuit (OS), in particular a voltage-controlled oscillator circuit, with an oscillating circuit (S), an active four-pole (VE) and a feedback unit (R), the oscillating circuit (S) consisting of a series circuit consisting of a capacitance (C10) and an inductor (L4), the active four-pole (VE) is formed from a resonant circuit transistor (V1) operated in an emitter circuit and the feedback unit (R) is formed from at least one capacitor (C3) and a voltage divider (R3, R7) connected in parallel with it, characterized in that an element (R5) for setting the reference frequency (fo) of the oscillator circuit is provided, with which the operating point of the oscillating circuit transistor (V1) can be set in such a way that the diffusion capacitance of the oscillating circuit transistor (V1) to one of the desired reference fre the corresponding value is controlled.

2. Circuit arrangement according to claim 1, characterized, that the element (R5) is a resistor.

3. Circuit arrangement according to claim 1, characterized, that the element (R5) is a thick film resistor.

4. Circuit arrangement according to one of the preceding Expectations, characterized, that the element (R5) is changeable.

5. Circuit arrangement according to claim 1, characterized, that the resonant circuit transistor (V1) is a bipolar transistor is.

6. Circuit arrangement according to claim 1, characterized, that the inductors (L3, L4, L5) of the circuit of the Oscillator circuit (OS) through a stripline technology are integrated on a component carrier.

7. Circuit arrangement according to claim 1, characterized, that for power adjustment and for level adjustment of the off output signal of the active four-pole (VE) an emitter follower (V2) and a circuit unit (PW) for level adjustment are switched.

8. Circuit arrangement according to claim 7, characterized, that between circuit units (AK, PW) the power integrated as well as level adjustment a harmonic filter (OF) is.

9. Circuit arrangement according to claim 1, characterized, that a circuit unit (VET) for temperature compensation is provided which has a transistor (Tr) with an electrode of its controlled path (e.g. the collector gate) is connected to the resonant circuit transistor (V1) and whose operating point is determined in this way (by R1, R2, R32, R33) that the temperature-related potential change on this Electrode compensates for the temperature-related change the frequency response of the resonant circuit transistor (V1) be works.

10. Circuit arrangement according to claim 9, characterized, that the transistor (Tr) of the circuit unit (VET) for Tem temperature compensation of the same type as the oscillator circular transistor (V1) and is spatially arranged so that he is exposed to the same temperature fluctuations as this.

11. Circuit arrangement according to claim 9 or 10, characterized, that the the operating point of the transistor (Tr) of the circuit unit (VET) adjusting elements (R1, R2, R32, R33) Resistances are.

12. Circuit arrangement according to claim 9 or 10, characterized, that the the operating point of the transistor (Tr) of the circuit Unit (VET) adjusting elements (R1, R2, R32, R33) thick are film resistors.