DE4240568C2 - Semiconductive charging electrode - Google Patents

Semiconductive charging electrode

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Description

Die Erfindung betrifft eine halbleitfähige Aufladeelektrode zur Aufladung von fluidisierten Pulverteilchen im Tauch­ becken einer Plastpulverbeschichtungsanlage.The invention relates to a semi-conductive charging electrode for charging fluidized powder particles in immersion basin of a plastic powder coating system.

Die elektrostatische Aufladung der Teilchen in der Wirbel­ schicht wird bei gattungsgemäßen Vorrichtungen durch bekannte halbleitfähige Aufladeelektroden realisiert, die in der Wirbelschicht angeordnet sind (DD-WP 2 42 353).The electrostatic charge of the particles in the vortex layer is through in generic devices known semi-conductive charging electrodes realized that are arranged in the fluidized bed (DD-WP 2 42 353).

Die bekannten technischen Lösungen zum elektrostatischen Aufladen der Teilchen haben den Nachteil, daß beim Einsatz von Hochspannung keine gleichmäßige Aufladung in Abhängigkeit von der Eintauchtiefe der Elektrode im Tauch­ becken erreicht wird. Als Folge weisen die beschichteten Werkstücke einen unterschiedlich starken Schichtdicken­ auftrag auf ihrer Oberfläche auf.The well-known technical solutions for electrostatic Charging the particles have the disadvantage that when in use of high voltage no uniform charging in Depends on the immersion depth of the electrode in the immersion basin is reached. As a result, the coated Workpieces with different thicknesses order on your surface.

Ein weiteres technologisches Problem derartiger Plast­ pulverbeschichtungsanlagen betrifft die hohe Explosions­ gefährdung der Anlage durch die Verwirbelung des Pulver- Luft-Gemisches im Tauchbecken. Kommt es unter diesen Bedingungen zu einem Abrißfunken oder einem Funken­ überschlag zwischen Elektrode und Werkstück, so ist in der Regel mit einer Verpuffung des Gemisches zu rechnen.Another technological problem of such plast powder coating equipment affects the high explosions Danger to the system due to the swirling of the powder Air mixture in the plunge pool. It comes under this Conditions for a stall spark or a spark rollover between the electrode and the workpiece, so in the As a rule, the mixture is expected to detonate.

Ein weiterer Nachteil besteht darin, daß die bekannten. halbleitfähigen Zuleitungen zu den Aufladeelektroden zu hochohmig sind und den Aufladestrom stark begrenzen.Another disadvantage is that the known. semi-conductive leads to the charging electrodes are high impedance and strongly limit the charging current.

In der Literatur werden eine Reihe von Lösungen beschrieben, bei denen mehrschichtige Aufladeelektroden Verwendung finden. Die Kombination unterschiedlicher Schichtwerkstoffe dient dabei allerdings andersgearteten Aufgabenstellungen. In the literature there are a number of solutions described in which multilayer charging electrodes Find use. The combination of different However, layered materials serve different types Tasks.  

In der DE-OS 29 02 494 wird eine integrierte Halbleiter­ schaltung vorgestellt, die ein hochohmiges Widerstands­ element enthält. Neben der andersgearteten Aufgabe unter­ scheidet sich die technische Lösung in mehreren Merkmalen. Zum einen werden leitfähige Schichten aus Silicium oder Metall verwandt, die eine mittlere Schichtdicke von 20 nm bis 200 nm aufweisen.In DE-OS 29 02 494 an integrated semiconductor circuit presented, which has a high resistance element contains. In addition to the different type of task under the technical solution differs in several characteristics. On the one hand, conductive layers made of silicon or Metal related, which has an average layer thickness of 20 nm up to 200 nm.

Derartige Schichtdicken sind für den Einsatz in Tauch­ beschichtungsanlagen völlig unzureichend. Zum anderen werden bei dieser Schaltungsanordnung Übergangswiderstände im Bereich von 500 Ohm bis 2000 Ohm realisiert, so daß diese Werkstoffkombination zu den normalen elektrischen Leitern zu zählen ist.Such layer thicknesses are for use in diving coating systems completely inadequate. On the other hand with this circuit arrangement there are contact resistances realized in the range from 500 ohms to 2000 ohms, so that this combination of materials to the normal electrical To count ladders.

Die DE-OS 30 34 747 lehrt eine extrudierbare, leitfähige Polymermischung, die gekennzeichnet ist durch die spezifische Verwendung von Ruß als leitfähiger Komponente. Dabei liegt die Aufgabe zugrunde, ein Gemisch zu entwickeln, daß einen spezifischen elektrischen Widerstand von 5·10¹ bis 10³ Ohm·cm aufweist. Aufgrund dieses inneren Widerstandes stellt die erfindungsgemäße Polymermischung gleichfalls einen klassischen elektrischen Leiter dar.DE-OS 30 34 747 teaches an extrudable, conductive Polymer mixture, which is characterized by the specific use of carbon black as a conductive component. The task is based on a mixture develop that specific electrical resistance from 5 · 10¹ to 10³ Ohm · cm. Because of this inner The polymer mixture according to the invention provides resistance also represents a classic electrical conductor.

In der DE-OS 40 24 268 wird ein elektrisch leitfähiges Kunststoffelement beschrieben, deren spezifischer elek­ trischer Widerstand in weiten Grenzen einstellbar ist. Die nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellten Kunst­ stoffolien finden Verwendung als Heizelement, z. B. zur Beheizung von flächigen Gebilden, wie Matten, Außenspiegel bei Kraftfahrzeugen, Scheiben- und Scheinwerferwaschanlagen und als elektronische Bauelemente.In DE-OS 40 24 268 an electrically conductive Plastic element described, the specific elec tric resistance is adjustable within wide limits. The art produced by the method according to the invention Fabric films are used as a heating element, e.g. B. for Heating of flat structures, such as mats, exterior mirrors in motor vehicles, windshield and headlight washer systems and as electronic components.

Ein Widerstandselement mit hoher Durchbruchsspannung wird in der DE-OS 30 21 042 dargestellt. Die zugrunde liegende Aufgabe dieser Schrift ist jedoch ein Widerstandselement zu entwickeln, das speziell in integrierten Schaltungen zur Kompensation der Wirkung parasitärer MOS-Transistoren Ver­ wendung findet.A resistance element with a high breakdown voltage is used shown in DE-OS 30 21 042. The underlying The task of this document is, however, a resistance element develop that specifically in integrated circuits for Compensation for the effect of parasitic MOS transistors Ver turns.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine halbleitfähige Elek­ trode zu schaffen, die eine gleichmäßige Pulverbeschichtung der zu bearbeitenden Werkstücke ermöglicht.The invention has for its object a semi-conductive elec trode to create an even powder coating to the machining workpieces.

Zugleich soll die Gefahr einer Verpuffung explosiver Pulver-Luft- Gemische beseitigt werden.At the same time, the risk of an explosion of explosive powder-air Mixtures are eliminated.

Diese Aufgabe wird durch die Maßnahmen des Anspruchs 1 gelöst.This object is achieved by the measures of claim 1.

Mit dieser innovativen halbleitfähigen Aufladeelektrode ist es möglich, ein Werkstück auf der gesamten Werkstückoberfläche mit einer gleichverteilten Pulverbeschichtung zu versehen.With this innovative semi-conductive charging electrode it is possible to one workpiece on the entire workpiece surface with one to provide evenly distributed powder coating.

Ein weiterer Vorteil besteht in der Verwendung einfacher, homogener Aufladeelektroden.Another advantage is the use of simple, homogeneous Charging electrodes.

In einer vorzugsweisen Ausgestaltung der Erfindung nimmt bei kon­ stanter Elektrodenbreite die Wanddicke der elektrostatisch halbleitfä­ higen Aufladeelektrode vom Anschlußkontakt der Hochspannungszu­ leitung zum jeweils tiefsten Punkt der Elektrode im Tauchbecken linear zu.In a preferred embodiment of the invention, con constant electrode width the wall thickness of the electrostatically semiconducting charging electrode from the high voltage connection contact Cable to the lowest point of the electrode in the plunge pool linear to.

Nach einer anderen Lösung wird eine plattenförmige, elektrostatisch halbleitfähige Aufladeelektrode mit konstantem Querschnitt und glei­ cher Wanddicke auf der, dem zu beschichtenden Werkstück abge­ wandten Seite, vollflächig elektrisch leitend mit einer elektrostatisch leitfähigen Elektrode verbunden. Mittels der erfindungsgemäßen Elek­ trode wird der Strom über das elektrostatisch leitfähige Material an alle Stellen der elektrostatisch halbleitfähigen Aufladeelektrode herange­ führt und ihr Widerstand auf 10⁸ Ohm·cm gesenkt.Another solution becomes a plate-shaped, electrostatic semi-conductive charging electrode with constant cross-section and the same cher wall thickness on the, the workpiece to be coated turned side, full-surface electrically conductive with an electrostatic conductive electrode connected. By means of the elec The current is trode to everyone via the electrostatically conductive material Place the electrostatically semiconducting charging electrode leads and their resistance reduced to 10⁸ Ohm · cm.

Damit wird in gleicher Weise eine gleichmäßige Verteilung elektri­ scher Ladungsträger auf der Oberfläche der Aufladeelektrode erzeugt. So that a uniform distribution is electri in the same way shear charge carriers generated on the surface of the charging electrode.  

In einer gleichfalls bevorzugten Ausgestaltungsform besitzt die elektrostatisch halbleitfähige Aufladeelektrode einen spezifischen elektrischen Widerstand von ρ = 10⁸ Ohm·cm und ist mit einem elektrostatisch leitfähigen Material mit ρ = 10⁶ Ohm·cm parallel geschaltet. In einer anderen vorteilhaften Anordnung sind beide Elektroden vollflächig verklebt. In einer weiteren, bevorzugten Ausgestaltung ist das elektrostatisch leitfähige Material streifenförmig an den Rändern und diagonal auf der Oberfläche der elektro­ statisch halbleitfähigen Aufladeelektrode geklebt. Die elektrostatisch halbleitfähige Aufladeelektrode ist dabei immer der Wirbelschicht im Tauchbecken zugewandt.In a likewise preferred embodiment the electrostatically semi-conductive charging electrode specific electrical resistance of ρ = 10⁸ Ohm · cm and is made with an electrostatically conductive material ρ = 10⁶ Ohmcm connected in parallel. In another advantageous arrangement, both electrodes are full-surface glued. In a further preferred embodiment the electrostatically conductive material in strips the edges and diagonally on the surface of the electro Static semi-conductive charging electrode glued. The Electrostatic semi-conductive charging electrode is included always facing the fluidized bed in the plunge pool.

Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den beigefügten Zeichnungen dargestellt und werden im folgenden näher beschrieben.Embodiments of the invention are in the accompanying Drawings are shown and are described in more detail below described.

Es zeigenShow it

Fig. 1 eine elektrostatisch halbleitfähige Auflade­ elektrode mit linear zunehmender Wanddicke, Fig. 1 is an electrostatically semi-conductive charging electrode linearly increasing wall thickness,

Fig. 2 eine elektrostatisch halbleitfähige Auflade­ elektrode, zusammengeklebt mit einem elektro­ statisch leitfähigen Material, Fig. 2 is a semi-conductive electrostatically charging electrode, glued together with an electrostatically conductive material,

Fig. 3 eine elektrostatisch halbleitfähige Zuleitung, Fig. 3 is an electrostatically semi-conductive lead,

Fig. 4 das Tauchbecken einer Pulverbeschichtungsanlage. Fig. 4 shows the plunge pool of a powder coating system.

In Fig. 1 ist eine elektrostatisch halbleitfähige Aufladeelektrode (4) mit linear zunehmender Wanddicke (10) dargestellt. Die elektrostatisch halbleitfähige Zuleitung (1) ist oben angedeutet. In Fig. 1 an electrostatically semi-conductive charging electrode (4) is shown with a linearly increasing wall thickness (10). The electrostatically semiconductive supply line ( 1 ) is indicated above.

In Fig. 2 ist die elektrostatisch halbleitfähige Auflade­ elektrode (4) mit einem elektrostatisch leitfähigen Material (5) vollflächig zusammengeklebt.In Fig. 2, the electrostatically semiconductive charging electrode ( 4 ) with an electrostatically conductive material ( 5 ) is glued together over the entire surface.

In Fig. 3 ist eine mögliche Ausführungsform der elektro­ statisch halbleitfähigen Zuleitung wiedergegeben. Mehrere einzelne, elektrostatisch halbleitfähige Zuleitungen (1) mit einem spezifischen elektrischen Widerstand von jeweils 10⁸ Ohm·cm sind durch Klebstoff (2) elastisch verbunden.In Fig. 3 shows a possible embodiment of the electrostatically semi-conductive lead is shown. Several individual, electrostatically semiconductive supply lines ( 1 ) with a specific electrical resistance of 10⁸ ohm · cm are elastically connected by adhesive ( 2 ).

Die vom Hochspannungsgenerator kommende leitfähige Zu­ leitung (3) und die elektrostatisch halbleitfähige Auflade­ elektrode (4) sind jeweils an den Enden der elektrostatisch halbleitfähigen Zuleitung (1) angebracht.The coming from the high voltage generator to lead ( 3 ) and the electrostatically semiconductive charging electrode ( 4 ) are each attached to the ends of the electrostatically semiconductive feed line ( 1 ).

Insbesondere bei der Verwendung langer, elektrostatisch halbleitfähiger Zuleitungen zu den Aufladeelektroden wird durch diese Anordnung der spezifische elektrische Wider­ stand auf 10⁸ Ohm·cm begrenzt und somit ein ausreichender Aufladestrom von 100 µA bei einer Aufladespannung von größer +10 kV ermöglicht.Especially when using long, electrostatic semi-conductive leads to the charging electrodes through this arrangement the specific electrical contr was limited to 10⁸ Ohm · cm and thus a sufficient Charging current of 100 µA with a charging voltage of greater than +10 kV.

In Fig. 4 ist schematisiert das Tauchbecken einer Pulver­ beschichtungsanlage dargestellt.In Fig. 4 the plunge pool of a powder coating system is shown schematically.

Über eine, am Boden des Tauchbeckens (14) angeordnete Zuführeinrichtung (15) wird Luft eingeblasen, die durch den Anströmboden (8) in die Wirbelschicht (12) gelangt und die Fluidisierung des Pulvers bewirkt. Das zu beschichtende Werkstück (13) ist vollständig in der Wirbelschicht (12) eingetaucht. Die halbleitende Aufladeelektrode (4) ist an der Innenwand des Tauchbeckens (14) unterhalb der Wirbel­ schichtoberfläche (7) und oberhalb des Anströmbodens (8) angeordnet. Das Tauchbecken (14) weist eine gasdichte Abdeckung (11) auf.Air is blown in via a feed device ( 15 ) arranged at the bottom of the immersion tank ( 14 ), which reaches the fluidized bed ( 12 ) through the inflow floor ( 8 ) and causes the fluidization of the powder. The workpiece ( 13 ) to be coated is completely immersed in the fluidized bed ( 12 ). The semiconducting charging electrode ( 4 ) is arranged on the inner wall of the immersion tank ( 14 ) below the fluidized bed surface ( 7 ) and above the inflow floor ( 8 ). The plunge pool ( 14 ) has a gas-tight cover ( 11 ).

Claims (8)

1. Halbleitfähige Aufladeelektrode zur Anwendung in der Wirbelschicht einer elektrostatischen Tauchbeschichtungsanlage, wobei die horizon­ tale Querschnittsfläche (9) einer vertikal angeordneten homogenen, elektrostatisch halbleitfähigen Aufladeelektrode (4) vom Anschluß an dem einen Ende einer elektrostatisch halbleitfähigen, mit dem anderen Ende mittels einer leitfähigen Zuleitung (3) mit einem Hochspannungs­ generator verbundenen Zuleitung (1) an der Wirbelschichtoberfläche (7) zum Anströmboden des Tauchbeckens (8) hin zunimmt und der spezifische elektrische Widerstand der elektrostatisch halbleitfähigen Aufladeelektrode (4) und der elektrostatisch halbleitfähigen Zuleitung (1) 10⁶ Ohm·cm < ρ 10¹⁰Ohm·cm ist.1. Semiconductor charging electrode for use in the fluidized bed of an electrostatic dip coating system, the horizontal cross-sectional area ( 9 ) of a vertically arranged homogeneous, electrostatically semiconducting charging electrode ( 4 ) from the connection at one end of an electrostatically semiconducting, with the other end by means of a conductive feed line ( 3 ) with a high-voltage generator connected supply line ( 1 ) on the fluidized bed surface ( 7 ) to the inflow floor of the immersion pool ( 8 ) increases and the specific electrical resistance of the electrostatically semiconducting charging electrode ( 4 ) and the electrostatically semiconducting supply line ( 1 ) 10⁶ ohms cm <ρ 10¹⁰Ohm · cm. 2. Halbleitfähige Aufladeelektrode nach Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, daß der spezifische elektrische Widerstand der elektrostatisch halbleitfähigen Zuleitung (1) und der elektrostatisch halbleitfähigen Aufladeelektrode (4) ρ = 10⁸ Ohm·cm ist.2. Semiconductor charging electrode according to claim 1, characterized in that the specific electrical resistance of the electrostatically semiconducting feed line ( 1 ) and the electrostatically semiconducting charging electrode ( 4 ) ρ = 10⁸ ohm · cm. 3. Halbleitfähige Aufladeelektrode nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß bei konstanter Elektrodenbreite die Wandstärke (10) der elektrostatisch halbleitfähigen Aufladeelektrode (4) vom Anschluß der elektrostatisch halbleitfähigen Zuleitung (1) an der Wir­ belschichtoberfläche (7) zum Anströmboden des Tauchbeckens (8) zunimmt.3. Semiconductor charging electrode according to claim 1 or 2, characterized in that with a constant electrode width, the wall thickness ( 10 ) of the electrostatically semiconducting charging electrode ( 4 ) from the connection of the electrostatically semiconducting supply line ( 1 ) to the wirbelschichtfläche ( 7 ) to the inflow floor of the plunge pool ( 8 ) increases. 4. Halbleitfähige Aufladeelektrode nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß bei konstanter Elektrodenbreite die Wandstärke (10) der elektrostatisch halbleitfähigen Aufladeelektrode (4) vom Anschluß der elektrostatisch halbleitfähigen Zuleitung (1) an der Wirbelschichtoberfläche (7) zum Anströmboden des Tauchbeckens (8) linear, treppenförmig, quadratisch, parabelförmig, hyperbelartig, expo­ nentiell oder wellenförmig zunimmt. 4. Semiconductor charging electrode according to one of claims 1 to 3, characterized in that with a constant electrode width, the wall thickness ( 10 ) of the electrostatically semiconducting charging electrode ( 4 ) from the connection of the electrostatically semiconducting supply line ( 1 ) on the fluidized bed surface ( 7 ) to the inflow floor of the plunge pool ( 8 ) increases linearly, step-like, square, parabolic, hyperbolic, exponential or wavy. 5. Halbleitfähige Aufladeelektrode, dadurch gekennzeichnet, daß eine elektrostatisch halbleitfähige Aufladeelektrode (4) mit dem spezifischen elektrischen Widerstand 10⁶Ohm·cm < ρ 10¹⁰ Ohm·cm auf der, von der Wirbelschicht abgewandten Seite der Aufladeelektrode (4) voll­ flächig oder partiell, elektrisch leitend mit einer elektrostatisch leitfähi­ gen, mit einem Hochspannungsgenerator verbundenen Schicht (5) mit einem spezifischen elektrischen Widerstand von 10⁵ Ohm·cm < ρ 10⁶ Ohm·cm verbunden ist.5. Semiconductor charging electrode, characterized in that an electrostatically semiconducting charging electrode ( 4 ) with the specific electrical resistance 10⁶Ohm · cm <ρ 10¹⁰ Ohm · cm on the side facing away from the fluidized bed of the charging electrode ( 4 ) over a full area or partially, electrically conductive with an electrostatically conductive, connected to a high-voltage generator layer ( 5 ) with a specific electrical resistance of 10⁵ ohm · cm <ρ 10⁶ ohm · cm. 6. Halbleitfähige Aufladeelektrode nach Anspruch 5, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die elektrostatisch halbleitfähige Aufladeelektrode (4) einen spezifischen elektrischen Widerstand von ρ = 10⁸ Ohm·cm und die elektrostatisch leitfähige Schicht (5) einen spezifischen elektrischen Widerstand von ρ = 10⁶ Ohm·cm aufweist.6. A semiconductor charging electrode according to claim 5, characterized in that the electrostatically semiconducting charging electrode ( 4 ) has a specific electrical resistance of ρ = 10⁸ ohm · cm and the electrostatically conductive layer ( 5 ) has a specific electrical resistance of ρ = 10⁶ ohm · cm having. 7. Halbleitfähige Aufladeelektrode nach einem der Ansprüche 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, daß die elektrostatisch leitfähige Schicht (5) streifenförmig auf der Oberfläche der Aufladeelektrode (4) angeordnet ist.7. Semiconductive charging electrode according to one of claims 5 or 6, characterized in that the electrostatically conductive layer ( 5 ) is arranged in strips on the surface of the charging electrode ( 4 ). 8. Halbleitfähige Aufladeelektrode nach Anspruch 7, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die streifenförmige, elektrostatisch leitfähige Schicht (5) an den Rändern und/oder diagonal auf der Oberfläche der Aufladeelek­ trode (4) aufgebracht ist.8. A semiconductor charging electrode according to claim 7, characterized in that the strip-shaped, electrostatically conductive layer ( 5 ) is applied to the edges and / or diagonally on the surface of the charging electrode ( 4 ).
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2720959B1 (en) * 1994-06-08 1999-03-26 Atochem Elf Sa Electrostatic fluidized bath with semiconductor electrode for coating substrates with powders, usable powders and substrates coated with such powders.
CN109530171B (en) * 2018-11-12 2020-09-29 山东星宇手套有限公司 Particle spraying mechanism

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2418604A1 (en) * 1973-04-19 1974-12-12 Atlas Copco Ab ELECTROSTATIC SPRAY GUN
DE2816850A1 (en) * 1978-04-18 1979-10-31 Mueller Ernst & Co ELECTROSTATIC POWDER SPRAY GUN
DD232595A3 (en) * 1984-02-08 1986-02-05 Verkehrswesen Hochschule DEVICE FOR ELECTROKINETIC CHARGING OF POWDER-FUSED SUBSTANCES
DD242353B5 (en) * 1985-11-05 1996-09-19 Atochem Elf Sa Device for the electrostatic coating of objects in a dip tank
DD251510A1 (en) * 1986-07-29 1987-11-18 Verkehrswesen Hochschule DEVICE FOR ELECTROSTATIC COATING OF WORKPIECES
JPS644272A (en) * 1987-06-24 1989-01-09 Hideo Nagasaka Electrostatic powder coating device

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