DE4238555A1 - Integrated module including power semiconductor switches with control circuit - has control circuits for power transistor circuit integrated in single module including cooling vanes - Google Patents

Integrated module including power semiconductor switches with control circuit - has control circuits for power transistor circuit integrated in single module including cooling vanes

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DE4238555A1 DE19924238555 DE4238555A DE4238555A1 DE 4238555 A1 DE4238555 A1 DE 4238555A1 DE 19924238555 DE19924238555 DE 19924238555 DE 4238555 A DE4238555 A DE 4238555A DE 4238555 A1 DE4238555 A1 DE 4238555A1
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Abstract

The module includes two power semiconductor devices (2,3) arranged on respective cooling vanes (1), which are electrically connected to the collectors. The cooling vanes form switchable load connections. The emitters of PNP transistors (2) are connected together by a metal strip (5) which forms the pulse connection terminal (6). The emitters of NPN transistors (3) are connected together by a metal strip (7) which forms the negative terminal (d) of the module. A switching and control device (4) is integrated in one of the semiconductor devices in the respective cooling vane, and the control terminal (12) forms the control terminal of the module. The switching and control device of one component is connected via a bridge (10) to the control layer of the semiconductor device of the other component. USE - For electronically commutated EG or DC motors, also for interfaces for computers or digital circuits.

Description

Die Erfindung bezieht sich auf integrierte Schaltkreise, die Leistungshalbleiter beinhalten.The invention relates to integrated circuits, which include power semiconductors.

Schaltkreise, die auf Leistung ausgerichtet sind, werden bislang mit einzelnen montierten Halbleitern aufgebaut, oder die Halbleiter sind als Modul zusammengefaßt.Circuits that are geared towards performance hitherto built with individual assembled semiconductors, or the semiconductors are combined as a module.

Nachteilig hierbei ist es, daß die einzelnen Halbleiter einen großen Platzbedarf benötigen und aufwendig in der Montage sind, und bei Halbleiter-Modulen die Steuerung der Halbleiter dem Modul zugeordnet werden muß.The disadvantage here is that the individual semiconductors require a large amount of space and is complex in the Are assembly, and control for semiconductor modules the semiconductor must be assigned to the module.

Zum Stand der Technik zeigt die DE 33 03 103 ein Modul, das zwei steuerbare Halbleiterkörper 5, 6 beinhaltet, die thermisch mit der Bodenplatte 1 in Verbindung stehen, und den Halbleiterkörpern 5, 6 sind lichtemittierende Dioden 10, 11 zugeordnet, die in bekannter Weise die Halbleiterkörper 5, 6 ansteuern.DE 33 03 103 shows a module which contains two controllable semiconductor bodies 5 , 6 which are thermally connected to the base plate 1 , and the semiconductor bodies 5 , 6 are assigned light-emitting diodes 10 , 11 which are known in the art control the semiconductor bodies 5 , 6 .

In der DE 16 14 445 wird ein steuerbares Halbleiter-Gleich­ richter-Bauelement für Wechselstrom dargestellt, bei dem das Gehäuse der beiden Halbleiterkristalle 1, 11 aus zwei Metallteilen 4, 44 und einem Isolator 5 besteht. Die thermische Brücke wird durch die Metallteile 6, 66 gebildet, die einen sehr großen Querschnitt und eine sehr gute ther­ mische Leitfähigkeit aufweisen.DE 16 14 445 shows a controllable semiconductor rectifier component for alternating current, in which the housing of the two semiconductor crystals 1 , 11 consists of two metal parts 4 , 44 and an insulator 5 . The thermal bridge is formed by the metal parts 6 , 66 , which have a very large cross section and a very good thermal conductivity.

Die US-PS 35 32 942 offenbart ein druckzusammengesetztes Halbleiterbauelementgehäuse mit drei Anschlüssen, in welchem an einer metallischen Scheibe 30 an jeder Seite ein Halbleiterkörper 16, 17 angeordnet ist, und die Scheibe 30 dient als Mittelabgriff, wobei die Stromanschlüsse 10, 11 aus massiven Metall bestehen, und gleichzeitig als Kühl­ körper dienen. The US-PS 35 32 942 discloses a pressure-assembled semiconductor component housing with three connections, in which a semiconductor body 16 , 17 is arranged on a metallic disc 30 on each side, and the disc 30 serves as a center tap, the power connections 10 , 11 made of solid metal exist, and at the same time serve as a heat sink.

Aufgabe der Erfindung ist es, einen integrierten Schalt­ kreis für Leistungshalbleiter zu schaffen, bei dem die Leistungshalbleiter inklusiv Ansteuerung der Leistungs­ halbleiter in einem Bausatz ( Modul) zusammengefaßt sind, womit über Lastanschlüsse Ströme wechselseitig geschaltet werden können.The object of the invention is an integrated circuit to create a circuit for power semiconductors in which the Power semiconductors including control of the power semiconductors are combined in a kit (module), with which currents are switched alternately via load connections can be.

Diese Aufgabe wird bei einer gattungsgemäßen Einrichtung durch die kennzeichnenden Merkmale des Hauptanspruchs ge­ löst. Vorteilhafte Ausgestaltungen ergeben sich aus den Unteransprüchen.This task is carried out in a generic facility by the characterizing features of the main claim ge solves. Advantageous configurations result from the Subclaims.

Die erfindungsgemäßen Lösungen haben die Vorteile, daß Leistungshalbleiter mit der dazugehörenden Steuerein­ richtung in einem Bausatz (Modul) als integrierte Schal­ tung angeordnet sind, womit eine Spule wechselseitig be­ trieben werden kann. Ein derartiger Bausatz ist besonders platzsparend und montagefreundlich. Er kommt vorteilhaft bei elektronisch kommutierten EG und DC Motoren, sowie als Zwischenglied für Computer oder andere digitale Schaltungen, als auch für Netzumpolung zur Anwendung.The solutions according to the invention have the advantages that Power semiconductors with the associated tax Direction in a kit (module) as an integrated scarf device are arranged, with which a coil alternately be can be driven. Such a kit is special space-saving and easy to assemble. It comes in handy with electronically commutated EG and DC motors, as well as an intermediary for computers or other digital Circuits, as well as for polarity reversal of the application

Die Erfindung wird nachstehend anhand der Zeichnung an Ausführungsbeispielen näher erläutert.The invention is based on the drawing Exemplary embodiments explained in more detail.

Dabei zeigt:It shows:

Fig. 1 bis 1f Ansichten des Bausatzes mit inte­ grierten Leistungshalbieitern (ILHS), Fig. 1 to 1f views of the kit with inte grated Leistungshalbieitern (ILHS)

Fig. 2 einen Schnitt des ILHS′s entsprechend der Schnittlinie A der Fig. 1a in schematischer Darstellung, und Fig. 2a die Ansicht D der Fig. 2, und Fig. 2b eine Ansicht nach der Fig. 2a in alternativer Ausführung, Fig. 2 shows a section of the ILHS's corresponding to section line A of Fig. 1a in a schematic representation, and Fig. 2a the view D of FIG. 2, and Fig. 2b is a view of FIG. 2a in an alternative embodiment,

Fig. 2c bis 2f Anordnung der Kristalle der Leistungs­ halbleiter auf der Kühlfahne, Fig. 2c to 2f arrangement of the crystals of the power semiconductors on the cooling fin,

Fig. 3 eine Schaltungsanordnung der Verschaltung der PNP und NPN Transistoren des ILHS′s, Fig. 3 shows a circuit arrangement of the interconnection of the PNP and NPN transistors of the ILHS's,

Fig. 4 einen Schnitt des ILHS′s nach der Fig. 2 in schematischer Darstellung. Fig. 4 shows a section of the ILHS according to Fig. 2 in a schematic representation.

Die Fig. 1 bis 1f zeigen Anrichten vom Baustein, worin Leistungshalbleiter angeordnet und zu integrierten Schalt­ kreisen zusammengeschaltet sind (ILHS). Figs. 1 to 1f show serving the block, wherein the power semiconductor circuits and arranged to integrated circuit are interconnected (ILHS).

Fig. 2 zeigt einen Schnitt in schematischer Darstellung den ILHS an der Schnittlinie A der Fig. 1a. An der Kühl­ fahne 1 ist von beiden Seiten ein Halbleiterkörper ange­ ordnet. Der eine Halbleiterkörper an der einen Seite ist zu einem PNP Transistor 2 gefertigt, und der andere Halb­ leiterkörper an der anderen Seite zu einem NPN Transistor 3. Im Halbleiterkörper des NPN Transistors 3 ist ein weiterer Transistor 4 eingearbeitet, der zum Schalten und steuern der Leistungstransistoren 2 und 3 dient. Die angeordneten Transistoren an einer Kühlfahne bilden jeweils einen Bau­ stein. Fig. 2 shows a section in a schematic representation of the ILHS on the section line A of Fig. 1a. On the cooling flag 1 , a semiconductor body is arranged from both sides. One semiconductor body on one side is made into a PNP transistor 2 , and the other semiconductor body on the other side is made into an NPN transistor 3 . A further transistor 4 is incorporated in the semiconductor body of the NPN transistor 3 and is used to switch and control the power transistors 2 and 3 . The transistors arranged on a cooling lug each form a building stone.

Der ILHS soll zum wechselseitigen Schalten und Steuern von elektrischen Strömen dienen. Für diese Aufgabe sind daher mindestens vier Transistoren erforderlich, wie in Fig. 2 dargestellt, sie bilden zusammen zwei Bausteine, und stellen eine Steuereinheit dar, die wie folgt verschaltet ist:
Der Emitter der PNP Transistoren ist durch einen Metall­ streifen 5 miteinander verbunden, und der Metallstreifen 5 wird als Anschlußlasche 6 aus dem ILHS hinausgeführt, Fig. 1. Diese Anschlußlasche 6 bildet den plusseitigen Anschluß des ILHS′s. The ILHS is intended for the mutual switching and control of electrical currents. For this task, therefore, at least four transistors are required, as shown in FIG. 2, together they form two modules and constitute a control unit which is connected as follows:
The emitter of the PNP transistors is connected to one another by a metal strip 5 , and the metal strip 5 is led out of the ILHS as a connecting lug 6 , FIG. 1. This connecting lug 6 forms the plus-side connection of the ILHS.

Der Emitter der NPN Transistoren ist durch einen weiteren Metallstreifen 7 miteinander verbunden, und er wird als Anschlußlasche 8 aus dem ILHS hinausgeführt, wobei diese Anschlußlasche d den minusseitigen Anschluß des ILHS′s bildet, Fig. 1. Der Kollektor des jeweiligen NPN und PNP Transistors ist leitend mit der Kühlfahne 1 verbunden. Die Kühlfahne führt aus dem TLHS hinaus und bildet jeweils den Lastanschluß 9 des ILHS′s, Fig. 1 bis 1e.The emitter of the NPN transistors is connected to one another by a further metal strip 7 , and it is led out of the ILHS as a connecting lug 8 , this connecting lug d forming the negative-side connection of the ILHS, FIG. 1. The collector of the respective NPN and PNP transistor is conductively connected to the cooling vane 1 . The cooling vane leads out of the TLHS and forms the load connection 9 of the ILHS, Fig. 1 to 1e.

Die Basis dem PNP Transistors 2 des einen Bausteins ist durch eine Brücke 10 mit dem Kollektor des Schalt- und Steuertransistors 4 des anderen Bausteins verbunden, und der Emitter des Schalt- und Steuertransistors 4 ist durch eine Brücke 11 mit der Basis des NPN Transistors 3 leitend verbunden.The base of the PNP transistor 2 of one component is connected by a bridge 10 to the collector of the switching and control transistor 4 of the other component, and the emitter of the switching and control transistor 4 is conductive by a bridge 11 to the base of the NPN transistor 3 connected.

Der Basisanschluß 12 des Schalt- und Steuertransistors ist jeweils als Steueranschluß 13 aus dem ILHS hinausgeführt, Fig. 1. Die Basis des PNP Transistors 2 kann auch über die Brücke 10 mit einer im NPN Transistor 3 integrierten N- dotierten Widerstandsschicht 17 verbunden sein, wobei der Steueranschluß 13 des ILHS′s dann zum Basisanschluß 12′ des NPN Transistors 3 führt. Um die Schaltverlustleistung gering zu halten, können die Leistungstransistoren 2, 3 vorzugsweise als Darlingtons ausgelegt sein, wobei der Schalt- und Steuertransistor 4 als einfacher Verstärkertransistor ausgelegt sein muß.The base terminal 12 of the switching and control transistor is in each case led out of the ILHS as a control terminal 13 , FIG. 1. The base of the PNP transistor 2 can also be connected via the bridge 10 to an N-doped resistance layer 17 integrated in the NPN transistor 3 , whereby the control terminal 13 of the ILHS then leads to the base terminal 12 'of the NPN transistor 3 . In order to keep the switching power loss low, the power transistors 2 , 3 can preferably be designed as Darlingtons, the switching and control transistor 4 having to be designed as a simple amplifier transistor.

Fig. 3 zeigt eine Schaltungsanordnung des ILHS′s gemäß der Fig. 2, und sie beinhaltet eine Steuereinheit. Die PNP Tran­ sistoren 2 liegen mit dem Emitter in einer Parallelschaltung am plusseitigen Anschluß 6 und sind durch den Metallstreifen 5, Fig. 2, miteinander verbunden. Die NPN Transistoren 3 liegen mit dem Emitter in einer Parallelschaltung am minus­ seitigen Anschluß 8 und sind durch den Metallstreifen 7, Fig. 2, miteinander verbunden. Der Kollektor des PNP und des NPN Transistors eines jeweiligen Bausteins sind leitend durch die Brücke 14 miteinander verbunden, wobei die Brücke 14 die Kühlfahne 1 darstellt, Fig. 2, und jeweils den Lastan­ schluß 9 des ILHS′s bildet, Fig. 1. Zwischen der Basis des PNP Transistors des einen Bausteins und der Basis des NPN Transistors des anderen Bausteins einer Steuer­ einheit ist ein Schalt- und Steuertransistor 4 geschaltet, und die Basis des Schalt- und Steuertransistors führt zum Steueranschluß 13 des ILHS′s, Fig. 1. Werden nun die Schalt- und Steuertransistoren 4 der Steuer­ einheit über die Steueranschlüsse 13 abwechselnd aufge­ steuert, so liegt an den zwei Lastanschlüssen 9 eine Wechselspannung an, wobei die Nennlast über die Schalt- und Steuertransistoren reguliert werden kann. Nach der Fig. 2 ist der Schalt- und Steuertransistor 4 im NPN Leistungstransistor integriert. Die Fig. 4 zeigt, daß der Schalt- und Steuertransistor 4 auch jeweils im PNP Transistor integriert sein kann. Um die Leistungstransistoren vor induktiven Lasten zu schützen, können vorteilhaft Schutzdioden 15 integriert werden, die jeweils über eine Brücke 16 leitend mit dem entsprechenden Metallstreifen 5 oder 7 des plus- bzw. minusseitigen Anschlusses verbunden sind. Fig. 3 shows a circuit arrangement of the ILHS according to Fig. 2, and it includes a control unit. The PNP transistors 2 are connected to the emitter in a parallel circuit on the plus-side connection 6 and are connected to one another by the metal strip 5 , FIG. 2. The NPN transistors 3 are connected to the emitter in a parallel connection at the minus side connection 8 and are connected to one another by the metal strip 7 , FIG. 2. The collector of the PNP and the NPN transistor of a respective component are conductively connected to one another by the bridge 14 , the bridge 14 representing the cooling vane 1 , FIG. 2, and in each case forming the load connection 9 of the ILHS, FIG. 1. Between the base of the PNP transistor of one component and the base of the NPN transistor of the other component of a control unit, a switching and control transistor 4 is connected, and the base of the switching and control transistor leads to the control terminal 13 of the ILHS, Fig. 1st If the switching and control transistors 4 of the control unit are alternately controlled via the control connections 13, an alternating voltage is present at the two load connections 9 , the nominal load being able to be regulated via the switching and control transistors. According to FIG. 2, the switching and control transistor 4 is integrated in the NPN power transistor. FIG. 4 shows that the switch and control transistor 4 can also be integrated in the PNP transistor, respectively. In order to protect the power transistors from inductive loads, protective diodes 15 can advantageously be integrated, each of which is conductively connected via a bridge 16 to the corresponding metal strip 5 or 7 of the plus or minus side connection.

Fig. 2a zeigt die Ansicht D der Fig. 2 nach der Fig. 1 und 1a, bei der zwei Steuereinheiten angeordnet sind. Nach dieser Anordnung liegen sich die Bausteine einer Steuereinheit gegenüber. Fig. 2b und Fig. 1d, 1e zeigen, daß die Bausteine der Steuereinheiten auch neben­ einander angeordnet sein können. Soll ein DC Motor elektronisch kommutiert werden, und der Läuferschritt, bei jeweiliger vollen Ausnutzung der Wicklungen, 90° betragen, so sind hierfür zwei Steuerein­ heiten erforderlich, Fig. 1, 1a. Zum Betreiben einer Spule im Wechselbetrieb oder zur Netzumpolung ist ledig­ lich eine Steuereinheit erforderlich. FIG. 2a shows the view D of FIG. 2 according to FIGS. 1 and 1a, in which two control units are arranged. According to this arrangement, the building blocks of a control unit face each other. Fig. 2b and Fig. 1d, 1e show that the building blocks of the control units can also be arranged side by side. If a DC motor is to be commutated electronically and the rotor step is 90 ° when the windings are fully utilized, two control units are required for this, FIGS . 1, 1a. Only one control unit is required to operate a coil in alternating operation or to change the polarity of the network.

Fig. 2 zeigt die Anordnung der Leistungstransistoren an beiden Seiten der Kühlfahnen 1. Es kann vorteilhaft sein, die Leistungstransistoren nur an einer Seite der Kühl­ fahnen anzuordnen, wie in den Fig. 2c bis 2f sinnbild­ lich durch die Anordnung der Halbleiterkörper 18 und 19 dargestellt (ILHS, Fig. 1c und 1e). Die zwei Halb­ leiterkörper eines Bausteins können nebeneinander Fig. 2e und 2f, oder hintereinander Fig. 2c und 2d an der Kühl­ fahne angeordnet sein. Fig. 2 shows the arrangement of power transistors on both sides of the cooling fins. 1 It may be advantageous to arrange the power transistors only on one side of the cooling lugs, as symbolically illustrated in FIGS . 2c to 2f by the arrangement of the semiconductor bodies 18 and 19 (ILHS, FIGS . 1c and 1e). The two semiconductor bodies of a module can be arranged side by side Fig. 2e and 2f, or one behind the other Fig. 2c and 2d on the cooling flag.

Die Hinausführung der Kühlfahnen 1 als Lastanschlüsse 9 ist ein kostengünstiges Herstellungsverfahren des ILHS′s, und ein derartiges Modul kommt zum Beispiel besonders vor­ teilhaft bei elektronisch kommutierten EC und DC Motoren mit niedriger Betriebsspannung zur Anwendung. Für Hochvolt-Anwendungen ist es vorteilhaft die Lastan­ schlüsse 9 separat aus dem ILHS hinaus zuführen, wobei die Kühlfahnen 1 auf eine Bodenplatte mit einer sehr guten thermischen Leitfähigkeit angeordnet sein können, indem die Kühlfahnen 1 gegeneinander und zu dem zugeordneten Kühlkörper isoliert sind, hierbei sind die Leistungshalb­ leiter vorzugsweise nebeneinander an der Kühlfahne ange­ ordnet. Fig. 1f zeigt eine entsprechende Ansicht eines solchen ILHS′s.The design of the cooling lugs 1 as load connections 9 is an inexpensive manufacturing process of the ILHS, and such a module is used, for example, particularly advantageously in the case of electronically commutated EC and DC motors with a low operating voltage. For high-voltage applications, it is advantageous to supply the load connections 9 separately from the ILHS, the cooling vanes 1 being able to be arranged on a base plate with very good thermal conductivity, in that the cooling vanes 1 are insulated from one another and from the associated heat sink the power semiconductors are preferably arranged side by side on the cooling vane. Fig. 1f shows a corresponding view of such an ILHS.

Bis zu einer bestimmten Leistung können die Kühlfahnen 1 direkt als Lastanschlüsse 9 aus dem ILHS geführt werden, wobei der ILHS ein Plastikgehäuse ohne Kühlkörper aufweist.Up to a certain output, the cooling vanes 1 can be led directly from the ILHS as load connections 9 , the ILHS having a plastic housing without a heat sink.

Die Leistungshalbleiter können anstatt aus bipolaren PNP und NPN Leistungstransistoren nur aus bipolaren NPN Leis­ tungstransistoren bestehen, indem sie entsprechend ihres strukturellen Aufbaus sinngemäß nach den dargestellten Figuren verschaltet werden. Außerdem können die Leistungs­ halbleiter Insulated Gate Bipolar Transistoren MOSFETS, Thyristoren, Triacs oder Dioden darstellen. The power semiconductors can instead of bipolar PNP and NPN power transistors only from bipolar NPN Leis Tungsten transistors exist by their structural structure analogous to that shown Figures are interconnected. In addition, the performance semiconductor insulated gate bipolar transistors MOSFETS, Represent thyristors, triacs or diodes.  

Soll der ILHS für universielle Anwendung vorgesehen sein, so werden die Brücken 10 getrennt und als sepa­ rate Steueranschlüsse 20, Fig. 4 aus dem ILHS geführt.If the ILHS is to be provided for universal use, the bridges 10 are separated and routed out of the ILHS as separate control connections 20 , FIG. 4.

Zwischen den Steueranschlüssen 20 kann zum Beispiel der Schalt- und Steuertransistor 4 separat angeordnet sein, entsprechend nach der Fig. 3, oder die Leistungs­ transistoren können einzeln betrieben werden.For example, the switching and control transistor 4 can be arranged separately between the control connections 20 , corresponding to FIG. 3, or the power transistors can be operated individually.

Claims (10)

1. Integrierte Schaltkreise mit Leistungshalbleitern und Steuerkreisen als Bausatz / Modul (ILHS):
zum wechselseitigen Betrieb einer Spule oder Netzum­ polung, dadurch gekennzeichnet,
daß jeweils zwei Leistungshalbleiter (2, 3) an einer Kühlfahne (1) angeordnet, die mit dem Kollektor leitend über die Kühlfahne (1) verbunden sind, wobei die Kühl­ fahnen die zueinander wechselseitig schaltbaren Lastan­ schlüsse (9) des ILHS′s bilden,
daß jeweils der Emitter der PNP Transistoren (2) durch einen Metallstreifen (5) leitend miteinander verbunden sind, welcher als plusseitige Anschlußlasche (6) aus dem ILHS hinausführt,
daß jeweils der Emitter der NPN Transistoren (3) durch einen Metallstreifen (7) miteinander verbunden sind, welcher als minusseitige Anschlußlasche (d) aus dem ILHS hinausführt,
daß ein Schalt- und Steuerhalbleiter (4) in einem der Leistungshalbleiter einer jeweiligen Kühlfahne integriert ist, und der Steueranschluß (12) der Schalt- und Steuer­ halbleiter (4) bilden die Steueranschlüsse (13) des ILHS′s,
daß der in dem Leistungshalbleiter integrierte Schalt- und Steuerhalbleiter (4) des einen Bausteins leitend über eine Brücke (10) jeweils mit der Ansteuerschicht des anderen Leistungshalbleiters des anderen Bausteins einer Steuereinheit leitend verbunden ist. 1. Integrated circuits with power semiconductors and control circuits as a kit / module (ILHS):
for mutual operation of a coil or polarity reversal, characterized in that
that two power semiconductors (2, 3) arranged on a cooling vane (1) which are connected to the collector of conductive through the cooling vane (1), wherein the cooling fins each other mutually switchable Lastan connections (9) of ILHS's form,
that in each case the emitter of the PNP transistors ( 2 ) is conductively connected to one another by a metal strip ( 5 ) which leads out of the ILHS as a plus-side connection tab ( 6 ),
that in each case the emitter of the NPN transistors ( 3 ) are connected to one another by a metal strip ( 7 ) which leads out of the ILHS as a negative-side connection tab (d),
that a switching and control semiconductor (4) in one of the power semiconductor is integrated a respective cooling-fin, and the control terminal (12) of the semiconductor switch and control (4) constitute the control terminals (13) of ILHS's,
that the switching and control semiconductor ( 4 ) integrated in the power semiconductor of the one module is conductively connected to the control layer of the other power semiconductor of the other module of a control unit via a bridge ( 10 ). 2. Integrierte Schaltkreise nach dem Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die an einer Kühlfahne (1) angeordneten Halbleiter einen Baustein und zwei miteinander verschalteten Bausteine eine Steuereinheit des ILHS′s bilden, und die Bausteine einer Steuereinheit liegen sich gegen­ über oder sie sind nebeneinander angeordnet, wobei der ILHS eine Steuereinheit oder mehrere Steuereinheiten beinhaltet.2. Integrated circuits according to Claim 1, characterized in that the semiconductors arranged on a cooling vane ( 1 ) form a module and two interconnected modules form a control unit of the ILHS, and the modules of a control unit lie opposite one another or they are next to one another arranged, the ILHS containing one control unit or several control units. 3. Integrierte Schaltkreise nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß an den Kühlfahnen (1) jeweils der eine Leistungshalb­ leiter an der einen Seite und der andere Leistungshalb­ leiter an der anderen Seite angeordnet ist.3. Integrated circuits according to claims 1 and 2, characterized in that on the cooling lugs ( 1 ) each have a power semiconductor on one side and the other power semiconductor is arranged on the other side. 4. integrierte Schaltkreise nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Leistungshalbleiter nur an einer Seite hinter­ einander oder nebeneinander an der Kühlfahne angeordnet sind.4. integrated circuits according to claims 1 to 3, characterized, that the power semiconductors behind only on one side arranged side by side or side by side on the cooling vane are. 5. Integrierte Schaltkreise nach den Ansprüchen 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Basis des PNP Transistors (2) leitend über die Brücke (10) mit einer im NPN Transistor (3) integrierten N-dotierten Widerstandsschicht (17) verbunden ist, wobei der Steueranschluß (13) des ILHS′s dann zum Basisanschluß (12) des NPN Transistors (3) führt.5. Integrated circuits according to claims 1 to 4, characterized in that the base of the PNP transistor ( 2 ) is conductively connected via the bridge ( 10 ) with an NPN transistor ( 3 ) integrated N-doped resistance layer ( 17 ), wherein the control connection ( 13 ) of the ILHS then leads to the base connection ( 12 ) of the NPN transistor ( 3 ). 6. Integrierte Schaltkreise nach den Ansprüchen 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Brücken (10) unterteilt sind, und jeweils als Steuer­ anschlüsse (20) aus dem ILHS hinausführen. 6. Integrated circuits according to claims 1 to 4, characterized in that the bridges ( 10 ) are divided, and each lead as control connections ( 20 ) from the ILHS. 7. Integrierte Schaltkreise nach den Ansprüchen 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Lastanschlüsse (9) separat aus dem ILHS hinausge­ führt sind, wobei die Kühlfahnen (10) auf einer Boden­ platte angeordnet und gegeneinander zur Bodenplatte isoliert sind.7. Integrated circuits according to claims 1 to 4, characterized in that the load connections ( 9 ) are separately from the ILHS leads, the cooling vanes ( 10 ) arranged on a base plate and isolated from each other to the base plate. 8. Integrierte Schaltkreise nach den Ansprüchen 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Kühlfahnen (1) direkt als Lastanschlüsse (9) aus dem ILHS geführt sind, wobei der ILHS ein Plastikgehäuse besitzt, welches keine Kühlkörper bzw. keine Kühlkörper­ anschlüsse aufweist.8. Integrated circuits according to claims 1 to 7, characterized in that the cooling lugs ( 1 ) are guided directly as load connections ( 9 ) from the ILHS, the ILHS having a plastic housing which has no heat sink or no heat sink connections. 9. Integrierte Schaltkreise nach den Ansprüchen 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß jeweils in den Leistungshalbleitern eine Schutzdiode (15) integriert ist, die jeweils über eine Brücke (16) leitend mit dem entsprechenden Metallstreifen ( 5 oder 6) des plus- bzw. minusseitigen Anschlusses verbunden sind.9. Integrated circuits according to claims 1 to 8, characterized in that in each case in the power semiconductors, a protective diode ( 15 ) is integrated, each conductive via a bridge ( 16 ) with the corresponding metal strip (5 or 6) of the plus or minus side connection are connected. 10. Integrierte Schaltkreise nach den Ansprüchen 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Leistungshalbleiter anstatt aus PNP und NPN Leistungstransistoren nur aus NPN Leistungstransis­ toren bestehen, indem die NPN Leistungstransistoren entsprechend ihres strukturellen Aufbaus sinngemäß verschaltet werden.10. Integrated circuits according to claims 1 to 9, characterized, that the power semiconductors instead of PNP and NPN Power transistors made of NPN power transistors only gates exist by using the NPN power transistors according to their structural structure can be connected.
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CN105810726A (en) * 2014-12-30 2016-07-27 展讯通信（上海）有限公司 Semiconductor triode

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