DE4222272C2 - Semiconductor wafer washer and washing process - Google Patents
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Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung zum Waschen eines Festkörper-Plättchens bzw. Chips, wie z. B. ein Glassubstrat oder ein Scheibensubstrat und im speziellen eines Halbleiter-Wafers gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1, sowie auf ein Halbleiter-Wafer-Waschverfahren.The present invention relates to a device for washing a solid-state plate or chips, such as. B. a glass substrate or a disc substrate and in special of a semiconductor wafer according to the preamble of claim 1, as well as a semiconductor wafer washing process.
Fig. 4 ist eine Draufsicht einer Vorstufe der erfindungsgemäßen Ausführung einer Halbleiter-Wafer-Waschvorrichtung, und Fig. 5 ist eine Schnittansicht dieser Halbleiter-Wafer-Waschvorrichtung. Bezugnehmend auf die Fig. 4 und 5 weist die Waschvorrichtung eine Eisherstellungseinheit 1 zum Herstellen kleiner gefrorener Partikel, eine Flüssigstickstoff- Versorgungsleitung 2 zum Kühlen, eine Sprühdüse 3 zum feinen Sprühen von Reinwasser, Wafer-Haltearme 6, einen Halbleiter- Wafer 7, einen Bewegungsmechanismus 8 zum Bewegen der Halbleiter-Wafer 7, einen Waschbehälter 9, eine Strahldüse 10 zum Strahlen bzw. Hochdrucksprühen von Reinwasser und eine Reinwasser-Versorgungsleitung 11 auf. Fig. 4 is a plan view of a preliminary stage of the embodiment of a semiconductor wafer washing device according to the present invention, and Fig. 5 is a sectional view of this semiconductor wafer washing device. Referring to FIGS. 4 and 5, the washing device comprises a ice manufacturing unit 1 for making small frozen particles, a liquid nitrogen supply line 2 for cooling, a spray nozzle 3 for fine spray of pure water, the wafer holding arms 6, a semiconductor wafer 7, a moving mechanism 8 for moving the semiconductor wafers 7 , a washing container 9 , a blasting nozzle 10 for blasting or high-pressure spraying of pure water and a pure water supply line 11 .
Nachfolgend wird die Betriebsweise dieser Halbleiter-Wafer-Waschvorrichtung beschrieben. Flüssigstickstoff wird über die Flüssigstickstoff- Versorgungsleitung 2 in die von einem Wärmeisolationsmaterial umgebene Eisherstellungseinheit 1 zugeführt und verdampft, wodurch das Innere der Eisherstellungseinheit 1 gekühlt wird. Nachdem das Innere der Eisherstellungseinheit 1 hinreichend gekühlt ist, wird Reinwasser über die Sprühdüse 3 fein, bzw. fein zerstäubt eingesprüht, wobei feine, gefrorene Partikel 4 erhalten werden. Die feinen, gefrorenen Partikel 4 werden über eine Strahldüse 5 unter hohem Druck durch ein einen Gasstrahl verwendendes Ejektorsystem in den Waschbehälter 9 gestrahlt. Durch das Strahlen der feinen, gefrorenen Partikel 4 auf den von den Haltearmen 6 gehaltenen Wafer 7 wird die Oberfläche des Wafers 7 gewaschen. Dabei wird der Halbleiter-Wafer 7 durch den Bewegungsmechanismus 8 bezüglich der Strahldüse 5 bewegt, um die ganze Oberfläche des Halbleiter-Wafers 7 mittels feiner, gefrorener Partikel 4 aus der am Waschbehälter 9 befestigten Strahldüse 5 zu waschen. Weiterhin wird ein Wiederanhaften von Schmutz an den Wafer 7 verhindert, indem über die Reinwasser- Versorgungsleitung 11 zugeführtes Reinwasser aus der Strahldüse 10 auf den Wafer 7 gestrahlt wird, wobei die vordere und hintere Oberfläche des Wafers 7 mit einem Wasserfilm überzogen wird.The operation of this semiconductor wafer washing device is described below. Liquid nitrogen is supplied via the liquid nitrogen supply line 2 into the ice-making unit 1 surrounded by a heat insulation material and evaporated, as a result of which the interior of the ice-making unit 1 is cooled. After the interior of the ice-making unit 1 has cooled sufficiently, pure water is sprayed in finely or finely atomized via the spray nozzle 3 , fine, frozen particles 4 being obtained. The fine frozen particles 4 are irradiated with a jet nozzle 5-use under high pressure by a gas jet ejector system in the washing tank. 9 The surface of the wafer 7 is washed by the blasting of the fine, frozen particles 4 onto the wafer 7 held by the holding arms 6 . The semiconductor wafer 7 is moved by the movement mechanism 8 with respect to the jet nozzle 5 in order to wash the entire surface of the semiconductor wafer 7 by means of fine, frozen particles 4 from the jet nozzle 5 attached to the washing container 9 . Furthermore, dirt is prevented from re-adhering to the wafer 7 by spraying pure water supplied via the pure water supply line 11 from the jet nozzle 10 onto the wafer 7 , the front and rear surfaces of the wafer 7 being coated with a water film.
Da die Reinwasser Strahldüse 10 am Waschbehälter 9 befestigt ist, während der Halbleiter-Wafer 7 durch den Bewegungsmechanismus 8 bewegt wird, werden in der Halbleiter- Wafer-Waschvorrichtung mit dem obigen Aufbau einige Teile der Vorder- und Rückseite des Wafers 7 nicht mit einem Wasserfilm überzogen, wobei das Reinwasser ungleichmäßig über die Oberfläche des Wafers 7 fließt. Das hat zur Folge, daß sich Schmutz wieder an den Wafer 7 anhaftet. Andererseits ist es notwendig eine Vielzahl von Reinwasser Strahldüsen am Waschbehälter 9 entlang der Bewegungsebene des Wafers zu montieren, um die Vorder- und Rückseite des Wafers während der Bewegung des Wafers durch den Bewegungsmechanismus 8 immer mit einem Wasserfilm zu bedecken und es ist notwendig viele Reinwasser Strahldüsen und viel Reinwasser einzusetzen um die Vorder- und Rückseite des Wafers mit einem fehlerfreien Wasserfilm zu bedecken. Since the pure water jet nozzle 10 is fixed to the washing tank 9 while the semiconductor wafer 7 is being moved by the moving mechanism 8 , in the semiconductor wafer washing device having the above construction, some parts of the front and back of the wafer 7 are not covered with a water film coated, the pure water flowing unevenly over the surface of the wafer 7 . As a result, dirt adheres to the wafer 7 again. On the other hand, it is necessary to mount a plurality of pure water jet nozzles on the washing tank 9 along the movement plane of the wafer in order to always cover the front and back of the wafer with a water film during the movement of the wafer by the movement mechanism 8, and many pure water jet nozzles are necessary and use lots of pure water to cover the front and back of the wafer with a flawless water film.
Aus der JP 3-8 326 (A) ist eine Halbleiter-Wafer-Waschvorrichtung bekannt, die eine Strahldüse zum Strahlen feiner gefrorener Partikel aufweist, eine Reinwasserdüse zum Überziehen der zu reinigenden Seite des Halbleiter-Wafers mit einem Wasserfilm und einen Behälter, in den der Halbleiter-Wafer, die Reinwasserdüse sowie die Strahldüse hineinragt. Im Waschbetrieb wird die Strahldüse in einer hin- und hergehenden Bewegung bewegt, um den Halbleiter-Wafer reinigen zu können. Der Halbleiter-Wafer bleibt dabei unbewegt. Ebenso bewegt sich die Reinwasserdüse nicht.JP 3-8 326 (A) is a semiconductor wafer washing device known that a blasting nozzle for blasting has fine frozen particles, a pure water nozzle for Coating the side of the semiconductor wafer to be cleaned with a water film and a container into which the semiconductor wafer, the pure water nozzle and the jet nozzle protrude. in the Washing operation is the jet nozzle in a back and forth Movement moves to to be able to clean the semiconductor wafer. The semiconductor wafer remains unmoved. The pure water nozzle also moves Not.
Ferner ist aus der JP 3-142 929 (A) eine Halbleiter-Wafer-Waschvorrichtung und ein Verfahren zur Reinigung eines Halbleiter-Wafers bekannt, bei dem der gesamte Halbleiter-Wafer nacheinander in mehrere mit Reinigungsflüssigkeit gefüllte Reinigungsbecken getaucht wird. Während des Versetzens von einem Tauchbecken zum nächsten Tauchbecken wird der Halbleiter-Wafer vollständig mit einem Reinwasser-Film überzogen, so daß keine der beiden zu bearbeitenden Seiten des Halbleiter-Wafers mit Luft in Berührung kommen kann.Furthermore, JP 3-142 929 (A) is a semiconductor wafer washing device and a method of cleaning a Semiconductor wafers known, in which the entire semiconductor wafer successively in several filled with cleaning liquid Cleaning basin is dipped. While moving one The semiconductor wafer becomes the next plunge pool completely covered with a pure water film so that none of the two sides of the semiconductor wafer to be processed Air can come into contact.
Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Halbleiter-Wafer-Waschvorrichtung und ein Verfahren zur Reinigung eines Halbleiter-Wafers zu schaffen, so daß neben einer vollständigen Reinigung die Ausschußproduktion erheblich reduziert werden kann.It is an object of the present invention to provide a semiconductor wafer washing device and a method of cleaning a To create semiconductor wafers, so that in addition to a full Cleaning the scrap production can be significantly reduced can.
Diese Aufgabe wird mit der Halbleiter-Wafer-Waschvorrichtung gemäß Anspruch 1 sowie mit dem Halbleiter-Wafer-Waschverfahren gemäß Anspruch 2 gelöst.This task is accomplished with the semiconductor wafer washer according to claim 1 and with the semiconductor wafer washing method solved according to claim 2.
Es hat sich nämlich herausgestellt, daß die Ausschußrate erheblich reduziert werden kann, wenn beide Seiten des Halbleiter-Wafers mit einem Reinwasserfilm überzogen werden, selbst wenn nur eine davon später bearbeitet wird. It has been found that the reject rate can be significantly reduced if both sides of the Semiconductor wafers are coated with a pure water film, even if only one of them is edited later.
Die erfindungsgemäße Reinwasser Strahldüse strahlt Reinwasser in einer bezüglich des Wafers bestimmten Position auf den Wafer, so daß die Vorder- und Rückseite des Wafers immer mit einem gleichmäßigen Wasserfilm bedeckt und die Anhaftung von Schmutz auf dem Wafer verhindert wird, selbst wenn der Wafer durch einen Bewegungsmechanismus bewegt wird.The pure water jet nozzle emits pure water in a specific position on the wafer Wafer so that the front and back of the wafer always with covered with an even film of water and the adhesion of Dirt on the wafer is prevented even if the wafer is moved by a movement mechanism.
Unter Bezugnahme auf die Fig. 1 bis 3 wird ein bevorzugtes, erfindungsgemäßes Ausführungsbeispiel beschrieben. In den Fig. 1 bis 3 sind mit den Bezugsnummern 1 bis 11 bezeichnete Komponenten gleich oder entsprechend zu den in den Fig. 4 und 5 dargestellten Komponenten, wobei ihre Wirkungsweise ebenfalls die gleiche ist.A preferred exemplary embodiment according to the invention is described with reference to FIGS. 1 to 3. In FIGS . 1 to 3, components identified by reference numbers 1 to 11 are the same or corresponding to the components shown in FIGS . 4 and 5, and their mode of operation is also the same.
Fig. 1 ist eine schematische Draufsicht auf die Halbleiter- Wafer-Waschvorrichtung entsprechend einem erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiel; Fig. 1 is a schematic plan view of the semiconductor wafer washing apparatus according to an embodiment of the invention;
Fig. 2 ist eine schematische Schnittansicht der Halbleiter- Wafer-Waschvorrichtung; Fig. 2 is a schematic sectional view of the semiconductor wafer washing device;
Fig. 3 ist eine perspektivische Ansicht von Wafer- Haltearmen in der Halbleiter-Wafer-Waschvorrichtung; Fig. 3 is a perspective view of wafer retaining arms in the semiconductor wafer washing device;
Fig. 4 ist eine schematische Draufsicht auf eine Vorstufe der erfindungsgemäßen Halbleiter-Wafer-Waschvorrichtung; und Fig. 4 is a schematic plan view of a precursor of the inventive semiconductor wafer washing device; and
Fig. 5 ist eine schematische Schnittansicht der Halbleiter-Wafer-Waschvorrichtung aus Fig. 4. FIG. 5 is a schematic sectional view of the semiconductor wafer washing device of FIG. 4.
Eine Halbleiter-Wafer-Waschvorrichtung ist mit einer Strahldüse 5 zum Strahlen von feinen gefrorenen Partikeln 4 in einen Waschbehälter 9 ausgestattet, welche in einer herkömmlichen Eisherstellungseinheit 1 durch Abkühlen von Reinwasser aus einer Reinwasser-Sprühdüse 3 mittels Flüssigstickstoff aus einer Flüssigstickstoff- Versorgungsleitung 2 gebildet werden. Die Strahldüse 5 ist an dem Waschbehälter 9 befestigt, so daß sich ein Strahl 4a aus feinen, gefrorenen Partikeln 4 nicht bewegt. Ein Halbleiter- Wafer 7 ist an Wafer-Haltearmen 6 an einem Abschnitt angebracht, auf den der Strahl 4a aus feinen gefrorenen Partikeln 4 aus der Strahldüse 5 gerichtet ist.A semiconductor wafer washing device is equipped with a blasting nozzle 5 for blasting fine frozen particles 4 into a washing container 9 , which are formed in a conventional ice-making unit 1 by cooling pure water from a pure water spray nozzle 3 by means of liquid nitrogen from a liquid nitrogen supply line 2 . The jet nozzle 5 is attached to the washing tank 9 , so that a jet 4 a of fine, frozen particles 4 does not move. A semiconductor wafer 7 is attached to wafer holding arms 6 at a section onto which the jet 4 a of fine frozen particles 4 from the jet nozzle 5 is directed.
Die Wafer-Haltearme 6 sind, wie in Fig. 3 dargestellt, als ein Paar stabiler L-förmiger Bauteile ausgebildet, von denen jedes für sich an seinem vorderen Ende einen Wafer- Halteabschnitt 6a aufweist und die bewegbar durch eine Bewegungseinrichtung 8 an deren anderem Ende gelagert sind. Die Wafer-Halteabschnitte 6a der Wafer-Haltearme 6 erstrecken sich in den Waschbehälter 9, wobei der Wafer 7 dem Strahl 4a aus der Strahldüse 5 ausgesetzt ist und durch ihn gewaschen wird. Die Bewegungseinrichtung 8 ist eine bekannte Ausführung einer Einrichtung, die auf ein nicht dargestelltes Bauteil außerhalb des Waschbehälters 9 montiert ist, wobei sie den Halbleiter-Wafer 7 bezüglich der Strahldüse 5 unter Verwendung der Haltearme 6 bewegt, so daß die ganze Oberfläche des Halbleiter-Wafers 7, die einen relativ großen Bereich aufweist, durch den von der Strahldüse 5 ausgehenden Strahl 4a mit den relativ feinen, gefrorenen Partikel 4 überstrichen und gewaschen wird.The wafer holding arms 6 are, as shown in Fig. 3, formed as a pair of stable L-shaped components, each of which has a wafer holding section 6 a at its front end and which can be moved by a movement device 8 on the other End stored. The wafer holding sections 6 a of the wafer holding arms 6 extend into the washing container 9 , the wafer 7 being exposed to the jet 4 a from the jet nozzle 5 and being washed by it. The moving device 8 is a known embodiment of a device which is mounted on a component, not shown, outside the washing container 9 , wherein it moves the semiconductor wafer 7 with respect to the jet nozzle 5 using the holding arms 6 , so that the entire surface of the semiconductor wafer 7 , which has a relatively large area through which the jet 4 a emerging from the jet nozzle 5 is coated with the relatively fine, frozen particles 4 and washed.
Erfindungsgemäß weist die Halbleiter-Wafer Waschvorrichtung an den Haltearmen 6 angeordnete Reinwasser Strahldüsen 14 auf, die sich zusammen mit dem Halbleiter-Wafer 7 bewegen und einen Wasserfilm ausbilden, um das Anhaften von Schmutz auf der Fläche 7a des zu waschenden Halbleiter-Wafers 7 zu verhindern. Das dargestellte Ausführungsbeispiel weist zwei Reinwasserdüsen 14 auf, die jeweils von den getrennten Wafer- Haltearmen 6 über steife Rohre 15 aufgenommen werden, wobei die Rohre 15 zum Zuführen von Reinwasser mit flexiblen Schläuchen 16 verbunden sind. Da die Schläuche 16 flexibel sind, behindern sie nicht die Bewegung der Wafer-Haltearme 6, um den Halbleiter-Wafer 7 bezüglich der Strahldüse 5 durch die Bewegungseinrichtung 8 zu bewegen oder den Halbleiter-Wafer 7 aufzunehmen und loszumachen.According to the invention, the semiconductor wafer washing device has pure water jet nozzles 14 arranged on the holding arms 6 , which move together with the semiconductor wafer 7 and form a water film to prevent dirt from adhering to the surface 7 a of the semiconductor wafer 7 to be washed prevent. The exemplary embodiment shown has two pure water nozzles 14 , each of which is received by the separate wafer holding arms 6 via rigid pipes 15 , the pipes 15 being connected to flexible hoses 16 for supplying pure water. Since the tubes 16 are flexible, they do not hinder the movement of the wafer holding arms 6 in order to move the semiconductor wafer 7 with respect to the jet nozzle 5 by the movement device 8 or to pick up and release the semiconductor wafer 7 .
Wenn der Halbleiter-Wafer 7 in der erfindungsgemäßen Halbleiter-Wafer-Waschvorrichtung von den Wafer- Haltearmen 6 im Waschbehälter 9 gehalten wird und Reinwasser über die Reinwasser-Strahldüsen 14 auf die gewaschenen Flächen 7a der Halbleiter-Wafer 7 gestrahlt wird, bildet sich ein Wasserfilm auf dem Halbleiter-Wafer 7 aus um die Adhäsion von Schmutz auf dem Halbleiter-Wafer 7 zu verhindern. Der Halbleiter-Wafer 7 kann gewaschen werden, indem die feinen gefrorenen Partikel 4 auf die zu waschenden Flächen 7a des Halbleiter-Wafers 7 über die Strahldüse 5 von oben auf den Wasserfilm gestrahlt werden. Da nun durch die Bewegungseinrichtung 8 die relative Lage des Halbleiter-Wafers 7 bezüglich der Strahldüse 5 verändert wird und die ganze Oberfläche des Halbleiter Wafers 7 gewaschen wird und da die relative Lage der Reinwasser- Strahldüse 14 bezüglich des Halbleiter-Wafers 7 immer fest ist, ist es möglich, stabile schmutzfeste Wasserfilme auf der gewaschenen Fläche 7a aufrecht zu erhalten und Schmutz von der Anhaftung an dem Halbleiter-Wafer 7 abzuhalten.When the semiconductor wafer 7 in the semiconductor wafer washing device according to the invention is held by the wafer holding arms 6 in the washing container 9 and pure water is blasted onto the washed surfaces 7 a of the semiconductor wafer 7 via the pure water jet nozzles 14 , is formed Water film on the semiconductor wafer 7 from to prevent the adhesion of dirt on the semiconductor wafer 7 . The semiconductor wafer 7 can be washed by the fine frozen particles 4 are irradiated to the surfaces to be washed, 7 a of the semiconductor wafer 7 through the nozzle 5 from the top of the water film. Since the relative position of the semiconductor wafer 7 with respect to the jet nozzle 5 is now changed by the movement device 8 and the entire surface of the semiconductor wafer 7 is washed and since the relative position of the pure water jet nozzle 14 with respect to the semiconductor wafer 7 is always fixed, it is possible to maintain stable dirt-resistant water films on the washed surface 7 a and to prevent dirt from adhering to the semiconductor wafer 7 .
Da erfindungsgemäß, wie oben beschrieben, die Reinwasser- Strahldüsen Reinwasser auf den Wafer aus einer festen Postition bezüglich des Wafers strahlen können, selbst wenn der Wafer bewegt wird, ist es möglich immer die ganze Oberfläche des Wafers mit einem gleichmäßigen Wasserfilm zu bedecken und so das Anhaften von Schmutz zu verhindern. Da weiterhin die verwendete Menge Reinwasser auf ein Minimum begrenzt werden kann, werden die Kosten bezüglich der Vorrichtung reduziert. According to the invention, as described above, the pure water Pure water jets on the wafer from a solid Position on the wafer can shine even if the wafer is moved, it is always possible to move the whole Surface of the wafer with an even film of water cover and prevent dirt from adhering. There continue to keep the amount of pure water used to a minimum can be limited, the cost related to the Device reduced.
Es wird eine Halbleiter-Wafer-Waschvorrichtung bereitgestellt, die die Vorder- und Rückseite eines Halbleiter-Wafers unter Verwendung einer Minimalmenge von Reinwasser immer mit einem gleichmäßigen Wasserfilm bedecken kann und die Wiederanhaftung von Schmutz an den Wafer verhindern kann, selbst wenn der Wafer durch eine Bewegungseinrichtung bewegt wird. In der Halbleiter-Wafer- Waschvorrichtung ist eine Reinwasserdüse am Wafer-Haltearm montiert. Wenn der Wafer-Haltearm einen Halbleiter-Wafer hält, sind der Wafer und die Reinwasserdüse immer in einem festen Bezug zueinander positioniert.It becomes a semiconductor wafer washer provided that the front and back of a Semiconductor wafers using a minimum amount of Always cover pure water with an even film of water can and the reattachment of dirt to the wafer can prevent, even if the wafer by a Movement device is moved. In the semiconductor wafer Washing device is a pure water nozzle on the wafer holding arm assembled. If the wafer holding arm is a semiconductor wafer holds, the wafer and the pure water nozzle are always in one fixed relation to each other.
Claims (3)
- - einen Wafer-Haltearm (6) zum Halten eines Halbleiter-Wafers (7),
- - eine Strahldüse (5) zum Strahlen von feinen gefrorenen Partikeln (4) auf eine Seite (7a) des Halbleiter-Wafers (7),
- - eine Reinwasserdüse (14),
- - einen Behälter (9) in den der Wafer-Haltearm (6) mit dem Halbleiter-Wafer (7), die Strahldüse (5) und die Reinwasserdüse (14) hineinragen,
- a wafer holding arm ( 6 ) for holding a semiconductor wafer ( 7 ),
- - A blasting nozzle ( 5 ) for blasting fine frozen particles ( 4 ) on one side ( 7 a) of the semiconductor wafer ( 7 ),
- - a pure water nozzle ( 14 ),
- a container ( 9 ) into which the wafer holding arm ( 6 ) with the semiconductor wafer ( 7 ), the jet nozzle ( 5 ) and the pure water nozzle ( 14 ) protrude,
- - Halten eines Halbleiter-Wafers (7) mittels eines Wafer-Haltearms (6),
- - Ausbilden eines Wasserfilms zur Verhinderung der Adhäsion von Schmutz, indem Reinwasser aus einem Paar in der Nähe des oberen Abschnitts des Halbleiter-Wafers (7) befindlichen Reinwasser Strahldüsen (14) auf beide Oberflächenseiten des Halbleiter-Wafers (7) gestrahlt wird,
- - Waschen der gesamten Oberfläche einer Seite (7a) des von den Wafer-Haltearmen (6) gehaltenen Halbleiter-Wafers (7) in einem Behälter (9) mittels aus einer in einer fixierten Position befindlichen Strahldüse (5) gestrahlter, feiner, gefrorener Partikel (4), indem die gefrorenen Partikel (4) auf die zu waschende Oberfläche des Halbleiter-Wafers (7) gestrahlt werden, während der Wasserfilm durch Beibehalten einer bestimmten, relativen Position der Reinwasser Strahldüsen (14) bezüglich des Halbleiter-Wafers (7) auf beiden Seiten aufrechterhalten und der den Halbleiter-Wafer (7) haltende Wafer-Haltearm (6) bezüglich der Strahldüse (5) bewegt wird.
- Holding a semiconductor wafer ( 7 ) by means of a wafer holding arm ( 6 ),
- - Forming a water film to prevent the adhesion of dirt by blasting pure water from a pair of pure water jet nozzles ( 14 ) located near the upper section of the semiconductor wafer ( 7 ) onto both surface sides of the semiconductor wafer ( 7 ),
- - Washing the entire surface of one side ( 7 a) of the semiconductor wafers ( 7 ) held by the wafer holding arms ( 6 ) in a container ( 9 ) by means of a fine, frozen jet blasted from a jet nozzle ( 5 ) located in a fixed position Particles ( 4 ) in that the frozen particles ( 4 ) are blasted onto the surface of the semiconductor wafer ( 7 ) to be washed, while the water film by maintaining a certain, relative position of the pure water jet nozzles ( 14 ) with respect to the semiconductor wafer ( 7 ) maintained on both sides and the wafer holding arm ( 6 ) holding the semiconductor wafer ( 7 ) is moved with respect to the jet nozzle ( 5 ).
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
| 8125 | Change of the main classification |
Ipc: H01L 21/304 |
|
| D2 | Grant after examination | ||
| 8364 | No opposition during term of opposition | ||
| 8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |