DE4220877C2

DE4220877C2 - Methods for non-volatile, erasable and programmable memory devices

Info

Publication number: DE4220877C2
Application number: DE19924220877
Authority: DE
Inventors: Klaus Dr Pfeiffer
Original assignee: Siemens AG
Current assignee: Siemens AG
Priority date: 1992-06-25
Filing date: 1992-06-25
Publication date: 1999-05-20
Anticipated expiration: 2012-06-26
Also published as: DE4220877A1

Description

Für prozessorgesteuerte, insbesondere nachrichtentechnische Einrichtungen, deren Daten- und/oder Programmspeichereinrich tungen bei laufendem Betrieb lösch- und wiederbeschreibbar sein sollen, sind seit geraumer Zeit nichtflüchtige, elek trisch löschbare und anwenderprogrammierbare Speicherelemente - in der Fachwelt als Flash-EPROM's (Flash Erasable Programmable Read Only Memory) - verfügbar. Bei derartigen Speicherelementen darf eine vom Hersteller angegebene maxima le Anzahl von Lösch- bzw. Wiederbeschreibungszyklen nicht überschritten werden. Da jedoch in vielen nachrichtentechni schen Einrichtungen die Anzahl von Lösch- bzw. Wiederbe schreibungszyklen häufig nicht vorhersehbar ist, bleibt der Anwendungsbereich derartiger Speicherelemente erheblich ein geschränkt.For processor-controlled, especially communications technology Facilities, their data and / or program storage facilities can be erased and rewritten during operation are supposed to be non-volatile, elec tric erasable and user programmable memory elements - in the professional world as Flash EPROMs (Flash Erasable Programmable Read Only Memory) - available. With such Storage elements may have a maxima specified by the manufacturer le Number of erase or rewrite cycles not be crossed, be exceeded, be passed. However, in many communications technology facilities the number of extinguishing or re-use writing cycles is often not predictable, the Area of application of such memory elements considerably limited.

Aus der Druckschrift DE 35 17 087 A1 sind zwar Maßnahmen be kannt, die es erlauben, die maximale Anzahl von Lösch- bzw. Wiederbeschreibungsvorgängen an einem solchen Speicherbau stein zu erhöhen, doch sind darin keine Maßnahmen für den Fall vorgesehen, daß die vergrößerte Maximalanzahl von Lösch- bzw. Wiederbeschreibungsvorgängen überschritten wird. Aus den Druckschriften JP 4-141897 A und JP 4-32099 A ist weiter bekannt, die Anzahl der Wiederbeschreibungsvorgänge eines solchen Speicherbausteins in einem Zähler abzuspei chern und bei Überschreiten eines vorgegebenen Grenzwertes ein elektrisches bzw. akustisches Warnsignal auszugeben. Da bei bleibt allerdings das Problem, auf ein solches Signal in einer Weise zu reagieren, die einen möglichst unterbrechungs armen Betrieb einer mit einem solchen Speicherbaustein be stückten Einrichtung, z. B. einer kontinuierlich betriebenen Kommunikationseinrichtung, ermöglicht. Measures are indeed from the document DE 35 17 087 A1 knows that allow the maximum number of deletion or Rewriting operations on such a memory building stone, but there are no measures for the Provided that the increased maximum number of delete or rewriting processes is exceeded. From JP 4-141897 A and JP 4-32099 A further known the number of rewrites to save such a memory chip in a counter and if a specified limit value is exceeded to issue an electrical or acoustic warning signal. There However, the problem remains with such a signal to respond in a way that is as disruptive as possible poor operation with such a memory chip pieced facility, e.g. B. a continuously operated Communication facility, enables.

Nichtflüchtige, lösch- bzw. wiederbeschreibbare Speicherbau steine sind beispielsweise aus dem "Memory Components Hand book" der Firma Intel, 1988, Kapitel 5, (Flash-Erasable Pro grammable Read Only Memories), Seiten 1 bis 20, bekannt. Neben Flash-EPROM's sind als nichtflüchtige, lösch- bzw. wie derbeschreibbare Speicherelemente auch sogenannte EEPROM's (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory) ge bräuchlich, die beispielsweise aus der Patentschrift US 5095461 bekannt sind.Non-volatile, erasable or rewritable memory construction stones are, for example, from the "Memory Components Hand book "from Intel, 1988, Chapter 5, (Flash-Erasable Pro grammable Read Only Memories), pages 1 to 20. In addition to flash EPROMs are as non-volatile, erasable or how the writable memory elements also so-called EEPROMs (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory) ge customary, for example from the US patent 5095461 are known.

Die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe besteht darin, den Anwendungsbereich nichtflüchtiger, elektrisch löschbarer und wiederprogrammierbarer Schreib-/Lesespeicherelemente (Flash- EPROM's), insbesondere in nachrichtentechnischen Einrichtun gen, zu erweitern.The object underlying the invention is that Area of application of non-volatile, electrically erasable and re-programmable read / write memory elements (flash EPROMs), especially in telecommunications equipment gene to expand.

Die Aufgabe wird ausgehend von den bekann ten Speicherelementen gemäß Oberbegriff des Patentanspruchs 1 durch dessen kennzeichnende Merkmale gelöst.The task is known from the th memory elements according to the preamble of claim 1 solved by its characteristic features.

Ein wesentlicher Aspekt des erfindungsgemäßen Verfahrens für Speicherelemente ist darin zu sehen, daß bei jedem Lösch- bzw. Programmierzyklus eine diesen Lösch- bzw. Programmierzy klus repräsentierende Zyklusinformation erfaßt und in nicht flüchtigen Speichermitteln gespeichert wird. Des weiteren sind Mittel zum Erkennen der erfaßten oder noch verbleibenden Anzahl von Lösch- bzw. Programmierzyklen vorgesehen. Die ge speicherten Zyklusinformationen werden durch eine Erkennungs routine erfaßt. Bei einer vorgegebenen Anzahl von erfaßten Lösch- bzw. Programmierzyklen wird im Sinne eines Wechsels des betreffenden Speicherelementes eine Erkennungsinformation gebildet und an eine Visualisierungsroutine übermittelt. Die Visualisierungsroutine ist dabei im Sinne der selbsttätigen Visualisierung der Erkennungsinformation bei der nächsten Wartungsaktion in einer Wartungsroutine integriert. Durch die Visualisierung der Erkennungsinformation wird z. B. dem War tungspersonal angezeigt, daß die vorgegebene Anzahl von Lösch- bzw. Programmierzyklen für die angegebenen Speicher elemente erreicht ist und diese im Rahmen der aktuellen War tungsaktion auszutauschen sind.An essential aspect of the method according to the invention for Storage elements can be seen in the fact that with every deletion or programming cycle a delete or programming cycle klus representing cycle information and not in volatile memory is stored. Furthermore are means of recognizing the detected or remaining Number of erase or programming cycles provided. The ge Cycle information is saved by a recognition routine recorded. With a predetermined number of detected Erase or programming cycles are in the sense of a change recognition information of the relevant memory element formed and transmitted to a visualization routine. The Visualization routine is in the sense of automatic Visualization of the recognition information at the next one Maintenance action integrated in a maintenance routine. Through the Visualization of the recognition information is e.g. B. the War tion personnel indicated that the specified number of Erase or programming cycles for the specified memory elements is reached and this within the scope of the current war action must be exchanged.

Gemäß einer vorteilhaften Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens entspricht die vorgegebene Anzahl von Lösch- bzw. Programmierzyklen einer nicht überschreitbaren, maximalen An zahl oder einer noch verbleibenden, vorgegebenen Anzahl von Lösch- bzw. Programmierzyklen. Dies bedeutet, daß eine Erken nungsinformation gebildet wird, wenn die maximale, nicht überschreitbare Anzahl von Lösch- bzw. Programmierzyklen er reicht wird oder eine bestimmte Anzahl von Lösch- bzw. Pro grammierzyklen noch zur Verfügung stehen. Durch eine gebilde te Erkennungsinformation sind unterschiedlichste Reaktionen einleitbar. Besonders vorteilhaft werden durch die gebildete Erkennungsinformation weitere Lösch/Programmierzyklen an ein im Prozessorsystem angeordnetes, weiteres Speicherelement ge steuert. Dieses weitere Speicherelement ist als Ersatz- Speicherelement, z. B. ein Ersatz-Speicherbaustein, angeord net. Alternativ dazu können durch die Erkennungsinformation weitere Lösch/Programmierzyklen an einen in der Kommunikati onseinrichtung angeordneten nichtflüchtigen peripheren Spei cher - z. B. an ein Plattenlaufwerk - gesteuert werden (An spruch 2). Ein im Rahmen einer Wartungsaktion ausgetauschtes Speicherelement stellt für das bis dahin genutzte Speichere lement das Ersatz-Speicherelement dar oder übernimmt im Falle der Umsteuerung der Lösch/Programmierzyklen auf einen peri pheren Speicher die ursprüngliche Speicherfunktion. Die Um steuerung der Lösch- bzw. Programmierzyklen zum peripheren Speicher auf das ausgetauschte Speicherelement wird durch ei ne betriebstechnische Eingabe bewirkt.According to an advantageous development of the invention Procedure corresponds to the specified number of deletion or Programming cycles of a maximum limit that cannot be exceeded number or a remaining, predetermined number of Erase or programming cycles. This means an orken voltage information is formed when the maximum, not exceedable number of erase or programming cycles is enough or a certain number of delete or pro gramming cycles are still available. Through an entity Detection information is a wide variety of reactions introductory. Be particularly advantageous by the formed Detection information on further erase / programming cycles arranged in the processor system, further memory element ge controls. This additional storage element is a replacement Storage element, e.g. B. a replacement memory chip is arranged net. Alternatively, through the recognition information further erase / programming cycles to one in the communicati onseinrichtung arranged non-volatile peripheral Spei cher - e.g. B. to a disk drive - are controlled (An saying 2). A replaced as part of a maintenance campaign Storage element provides for the storage used up to that point element represents the replacement storage element or takes over in the event the reversal of the delete / programming cycles to a peri the original memory function. The order control of the erase or programming cycles to the peripheral Memory on the replaced memory element is by ei ne operational input causes.

Die vorgegebene Anzahl von Lösch- bzw. Programmierzyklen ist vorteilhafterweise derart bemessen, daß die Anzahl der noch verbleibenden Lösch- bzw. Programmierzyklen auf das vorgese hene Wartungsintervall abgestimmt ist (Anspruch 3). The specified number of erase or programming cycles is advantageously dimensioned such that the number of still remaining deletion or programming cycles on the previous hene maintenance interval is coordinated (claim 3).

Die Zyklusinformation ist durch die einen Lösch- bzw. Pro grammierzyklus bewirkende Steuerinformation repräsentiert oder wird aus der Steuerinformation abgeleitet oder wird bei einem Lösch- bzw. Programmierzyklus gebildet (Anspruch 4). Die Steuerinformation ist beispielsweise durch einen elektri schen Impuls mit vorgegebenem Pegel auf einer hierfür vorge sehenen Steuerleitung repräsentiert oder stellt einen pro grammtechnischen Befehl dar. Die Zyklusinformation kann auch während oder nach einem, d. h. bei einem Lösch- /Programmierzyklus innerhalb eines programmtechnischen Ab laufs gebildet werden.The cycle information is by a delete or pro represents the control cycle effecting the programming cycle or is derived from the tax information or is at an erase or programming cycle formed (claim 4). The control information is, for example, by an electri rule pulse with a predetermined level on a pre-specified control line represents or provides a pro technical command. The cycle information can also during or after a, d. H. with a delete / Programming cycle within a program-technical Ab are continuously formed.

Die Zyklusinformation wird entweder in einem Teilbereich des Speicherelementes, in dem aktuell ein Lösch- bzw. Program mierzyklus durchgeführt wurde oder in einem weiteren nicht flüchtigen Speicherelement gespeichert (Anspruch 5).The cycle information is either in a partial area of the Memory element in which a delete or program lubrication cycle was carried out or not in another volatile memory element stored (claim 5).

Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung des erfin dungsgemäßen Verfahrens verändert jede erfaßte Zyklusinforma tion den Zählerstand eines im Speicherelement integrierten oder in einem weiteren nichtflüchtigen Speicherelement ange ordneten Zählers um einen einen Schreib- bzw. Programmierzy klus anzeigenden Zählwert (Anspruch 6). Hierbei kann von ei nem minimalen Zählwert, z. B. "0", oder von einem maximalen Zählwert, z. B. Anzahl der nicht zu überschreitenden Lösch- bzw. Programmierzyklen, jeweils ein Zählwert, z. B. "1", ad diert oder subtrahiert werden.According to a further advantageous embodiment of the inventions The method according to the invention changes every recorded cycle information tion the counter reading of an integrated in the memory element or in another non-volatile memory element ordered counter by a write or programming cycle count indicating count (claim 6). Here, from egg nem minimum count, e.g. B. "0", or of a maximum Count value, e.g. B. Number of deletions not to be exceeded or programming cycles, each a count, z. B. "1", ad dated or subtracted.

Bei nichtflüchtigen, sektorselektiv elektrisch löschbaren, programmierbaren Speicherelementen ist jeder Lösch- bzw. Pro grammierzyklus jedes Sektors zu erfassen. Durch diese Maßnah me wird erreicht, daß bei Erreichen der nicht überschreitba ren, maximalen Anzahl von Lösch- bzw. Programmierzyklen in einem Sektor die Erkennungsinformation gebildet und bei der nächsten Wartungsaktion visualisiert wird.In the case of non-volatile, sector-selectively electrically erasable, Programmable memory elements is every erase or pro programming cycle of each sector. Through this measure me is achieved that when the not exceeded ba maximum number of erase or programming cycles in the recognition information is formed in a sector and in the next maintenance action is visualized.

Im folgenden wird das erfindungsgemäße Verfahren anhand zwei er zeichnerischer Darstellung erläutert.In the following, the method according to the invention is based on two he explains the graphic representation.

Dabei zeigtIt shows

Fig. 1 in einem Blockschaltbild ein Prozessorsystem zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens, und Fig. 1 is a block diagram of a processor system for implementing the method according to the invention, and

Fig. 2 anhand eines Ablaufdiagrammes ein Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Verfahrens. Fig. 2 based on a flowchart an embodiment of the method according to the invention.

Fig. 1 zeigt ein Prozessorsystem MS, bei dem ein Mikropro zessor MP, ein Arbeitsspeicher AS, eine Ein-/Ausgabeein richtung EAE sowie ein erstes und zweites nichtflüchtiges Speicherelement SP1, SP2 über ein durch Daten-, Adreß- und Steuerleitungen gebildetes lokales Bussystem LB verbunden sind. An die Ein-/Ausgabeeinrichtung EAE ist eine periphe re Speichereinrichtung PSP angeschlossen. Das Prozessorsy stem MS ist beispielsweise durch Komponenten des Mikropro zessorsystems SAB80386 der Firma Intel realisiert. Der Ar beitsspeicher AS ist bekannterweise durch RAM-(Random Access Memory)- und ROM-(Read Only Memory)-Speicherelemente bzw. Speicherbausteine realisiert. Der Arbeitsspeicher AS ist in Abhängigkeit von der Applikation zu dimensionieren. Das erste und zweite Speicherelement SP1, SP2 kann Teil des Arbeitsspeichers AS oder eine allgemeine Datenbasis für das Prozessorsystem MS darstellen. In diesen beiden Spei cherelementen SP1, SP2 werden Daten hinterlegt, z. B. Pro gramme oder Datenbasis eines Vermittlungssystems, die auch bei Ausfall der Versorgungsspannung nicht gelöscht werden dürfen. Die beiden Speicherelemente SP1, SP2 sind somit durch nichtflüchtige Speicherelemente realisiert. Da die hinterlegten Programme bzw. eine Datenbasis bei Änderungen von Funktionsabläufen bzw. von Konfigurationen eines Ver mittlungssystems zu ändern sind, muß das erste und zweite Speicherelement SP1, SP2 lösch- bzw. programmierbar sein, ohne daß das jeweilige Speicherelement SP1, SP2 aus dem Prozessorsystem MS, d. h. der Hardware-Schaltung, entnom men werden muß. Hierfür sind seit geraumer Zeit die in der Fachwelt als Flash-EPROM's bekannten nichtflüchtigen, lösch- bzw. programmierbaren Speicherelemente bzw. Spei cherbausteine verfügbar. Aufgrund der für eine Löschung bzw. Programmierung von Daten erforderlichen geringen Spannung, z. B. 12 V, können diese Speicherelemente bzw. -bausteine SP1, SP2 in der Schaltung belassen werden. Das erste und zweite Speicherelement bzw. der erste und zweite Speicherbaustein SP1, SP2 ist beispielsweise durch einen Flash-EPROM 57F64 der Firma Intel realisierbar. Im ersten und zweiten Speicherelement SP1, SP2 ist jeweils eine Spei chermatrix SM1, SM2 einschließlich der nicht dargestellten Ein-/Ausgangsschaltungen angeordnet. Zusätzlich ist im er sten und zweiten Speicherelement SP1, SP2 ein Zähler Z1, Z2 einschließlich eines nichtflüchtigen Zählerspeichers ZS1, ZS2 vorgesehen. Die beiden Zählerspeicher ZS1, ZS2 sind als nichtflüchtige, jedoch nicht löschbare Speicher bereiche innerhalb des ersten und zweiten Speicherelements SP1, SP2 realisiert. Alternativ, d. h. anstelle der beiden Zähler Z1, Z2, kann in der peripheren Speichereinrichtung PSP, z. B. ein Floppy-Disk-Laufwerk, ein Zähler Z1 ein schließlich eines Zählerspeichers ZS - strichliert darge stellt - realisiert werden. Fig. 1 shows a processor system MS in which a microprocessor MP, a working memory AS, an input / output device EAE and a first and second non-volatile memory element SP1, SP2 via a local bus system LB formed by data, address and control lines are connected. A peripheral storage device PSP is connected to the input / output device EAE. The MS processor system is implemented, for example, by components of the SAB80386 microprocessor system from Intel. The working memory AS is known to be implemented by RAM (Random Access Memory) and ROM (Read Only Memory) memory elements or memory modules. The main memory AS must be dimensioned depending on the application. The first and second memory elements SP1, SP2 can be part of the main memory AS or a general database for the processor system MS. In these two storage elements SP1, SP2 data are stored, for. B. Pro programs or database of a switching system, which may not be deleted even if the supply voltage fails. The two memory elements SP1, SP2 are thus implemented by non-volatile memory elements. Since the stored programs or a database are to be changed in the event of changes to functional sequences or configurations of a switching system, the first and second memory elements SP1, SP2 must be erasable or programmable without the respective memory element SP1, SP2 being removed from the processor system MS, ie the hardware circuit, must be taken from the men. For some time now, the non-volatile, erasable or programmable memory elements or memory modules known in the art as flash EPROMs have been available for this purpose. Due to the low voltage required for deleting or programming data, e.g. B. 12 V, these memory elements or modules SP1, SP2 can be left in the circuit. The first and second memory element or the first and second memory chip SP1, SP2 can be implemented, for example, by a flash EPROM 57F64 from Intel. A memory matrix SM1, SM2 including the input / output circuits (not shown) is arranged in each of the first and second memory elements SP1, SP2. In addition, a counter Z1, Z2 including a non-volatile counter memory ZS1, ZS2 is provided in the first and second memory elements SP1, SP2. The two counter memories ZS1, ZS2 are implemented as non-volatile but non-erasable memory areas within the first and second memory elements SP1, SP2. Alternatively, ie instead of the two counters Z1, Z2, in the peripheral memory device PSP, for. B. a floppy disk drive, a counter Z1 and finally a counter memory ZS - dashed lines represents Darge - are realized.

Für das Ausführungsbeispiel sei zunächst angenommen, daß die maximale zulässige Anzahl von Lösch- bzw. Programmier zyklen für das erste Speicherelement SP1 noch nicht er reicht ist. In diesem Falle wird das zweite Speicherele ment SP2 nicht durch den Mikroprozessor MP angesteuert, sondern steht als Ersatz-Speicherelement SP2 zur Verfü gung, sofern die Anzahl der maximal zulässigen Lösch- bzw. Programmierzyklen für das erste Speicherelement SP1 er reicht bzw. überschritten wird.For the exemplary embodiment it is initially assumed that the maximum permissible number of deletion or programming cycles for the first storage element SP1 not yet is enough. In this case, the second storage element ment SP2 not controlled by the microprocessor MP, but is available as a replacement storage element SP2 if the number of the maximum permitted deletion or Programming cycles for the first memory element SP1 is sufficient or exceeded.

Nach einer Einleitung eines Lösch- bzw. Programmierzyklus durch den Mikroprozessor MP werden an die Steuerleitungen - nicht dargestellt - zwischen dem Mikroprozessor MP und dem ersten Speicherelement SP1 mit Hilfe des Mikroprozes sors MP Steuerinformationen si, z. B. eine Steuerspannung bzw. eine Programmierspannung, für die Dauer des Lösch- bzw. Programmierzyklus geführt. Eine dieser Spannungen, d. h. Steuerinformationen si, kann direkt an den Zähler Z1 des ersten Speicherelements SP1 gesteuert werden, wodurch der aktuelle, im Zählerspeicher ZS1 hinterlegte Zählerstand um "1" erhöht und anschließend wieder als aktueller Zähler stand im Zählerspeicher ZS1 gespeichert wird. Das Zählen des Zählers Z1 kann auch durch eine von den angelegten Spannungen abgeleitete programmtechnische Steuerinforma tion si bewirkt werden. Hierbei wird durch den Mikropro zessor MP bei einem Lösch- bzw. Programmierzyklus eine Steuerinformation si gebildet und über den lokalen Bus LB an den Zähler Z1 des ersten Speicherelementes SP1 gesteu ert. Nach jedem Zählvorgang wird mit Hilfe einer Erken nungsroutine ER - siehe Fig. 2 - der aktuell ermittelte Zählerstand aus dem Zählerspeicher ZS1 gelesen und mit einem Zählerstand verglichen, der der maximal zulässigen Anzahl von Lösch- bzw. Programmierzyklen entspricht. Wird dieser Wert erreicht oder überschritten, so werden die folgenden Lösch-/Programmierzyklen nicht mehr an das er ste, sondern an das zweite Speicherelement SP2 gesteuert. Gleichzeitig wird - wie in Fig. 2 anhand eines Ablaufdia gramms erläutert - eine Meldung ei - entspricht der Er kennungsinformation - an eine Wartungsroutine übermittelt, die dem Wartungspersonal anzeigt, daß die Anzahl der ma ximalen Lösch- bzw. Programmierzyklen für das erste Spei cherelement SP1 überschritten ist. Aufgrund dieser Anzeige wird bei der nächsten Wartungsaktion das erste Speicher element SP1 gewechselt. Analog hierzu wird bei Erreichen bzw. Überschreiten der vorgegebenen Anzahl von Lösch- bzw. Programmierzyklen des zweiten Speicherelements SP2 dieses erkannt und die weiteren Lösch-/Programmierzyklen an das erste, gewechselte Speicherelement SP1 gesteuert.After an erase or programming cycle has been initiated by the microprocessor MP, control information (not shown) between the microprocessor MP and the first memory element SP1 with the aid of the microprocessor MP control information si, eg. B. a control voltage or a programming voltage for the duration of the erase or programming cycle. One of these voltages, ie control information si, can be controlled directly to the counter Z1 of the first memory element SP1, whereby the current counter reading stored in the counter memory ZS1 increases by "1" and is then stored again in the counter memory ZS1 as the current counter. The counting of the counter Z1 can also be effected by a program-related control information si derived from the applied voltages. In this case, control information si is formed by the microprocessor MP during an erase or programming cycle and is controlled via the local bus LB to the counter Z1 of the first memory element SP1. After each counting process, an identification routine ER is used - see FIG. 2 - The currently determined meter reading is read from the meter memory ZS1 and compared with a meter reading that corresponds to the maximum permissible number of erase or programming cycles. If this value is reached or exceeded, the following erase / programming cycles are no longer controlled to the first one, but to the second memory element SP2. At the same time - as explained in FIG. 2 with the aid of a sequence diagram - a message egg - corresponds to the identification information - it is transmitted to a maintenance routine which indicates to the maintenance personnel that the number of the maximum deletion or programming cycles for the first storage element SP1 is exceeded. On the basis of this display, the first storage element SP1 is changed during the next maintenance action. Analogously to this, when the predetermined number of erase or programming cycles of the second memory element SP2 is reached or exceeded, the second memory element SP2 is recognized and the further erase / programming cycles are controlled to the first, changed memory element SP1.

Alternativ kann, wie bereits erläutert, ein Zähler Z ein schließlich eines Zählerspeichers ZS in der peripheren Speichereinrichtung PSP angeordnet sein. Hierbei wird ebenfalls die Anzahl der Lösch-/Programmierzyklen gezählt und im Zählerspeicher ZS hinterlegt. Wird die vorgegebene Anzahl erreicht bzw. überschritten, so werden die folgen den Lösch- bzw. Programmierzyklen durch den Mikroprozessor MP an einen noch freien Speicherbereich der peripheren Speichereinrichtung PSP gesteuert und ebenfalls eine Mel dung an die Wartungsroutine im Sinne eines Wechsels des ersten Speicherelements SP1 übermittelt. Bei dieser Alter native ist das zweite Speicherelement SP2 nicht erforder lich. Auch kann eine Meldung ei an die Wartungsroutine bereits bei einer Anzahl von erfaßten Lösch- bzw. Pro grammierzyklen gegeben werden, die weit unter der maximal zulässigen Anzahl liegt. Die Differenz zwischen der maxi mal zulässigen Anzahl und der aktuell ermittelten Anzahl ist so zu bemessen, daß die Anzahl der noch verbleibenden Lösch- bzw. Programmierzyklen bis zum Ende des Wartungs intervalls nicht überschritten wird. Zwar kann hierbei die maximal zulässige Anzahl von Lösch- bzw. Programmierzyklen gegebenenfalls nicht vollständig genutzt werden, jedoch wird der Einsatz eines zweiten Speicherelementes SP2 ver mieden.Alternatively, as already explained, a counter Z can be used finally a counter memory ZS in the peripheral Storage device PSP may be arranged. Here will also counted the number of erase / programming cycles and stored in the counter memory ZS. Will be the default Number reached or exceeded, so will follow the erase or programming cycles by the microprocessor MP to a still free memory area of the peripheral Storage device PSP controlled and also a Mel to the maintenance routine in the sense of changing the first memory element SP1 transmitted. At this age the second storage element SP2 is not required native Lich. A message can also be sent to the maintenance routine already with a number of recorded delete or pro programming cycles are given that are well below the maximum permissible number. The difference between the maxi times the permissible number and the currently determined number is to be dimensioned such that the number of remaining Deletion or programming cycles until the end of maintenance intervals is not exceeded. Although this can maximum permissible number of erase or programming cycles may not be fully used, however the use of a second memory element SP2 is ver avoided.

Durch das erfindungsgemäße Verfahren können die bekannten nichtflüchtigen, elektrisch lösch- bzw. programmierbaren Speicherelemente SP1, SP2 - Flash-EPROM's - für weitere, bisher nicht mögliche Einsatzfälle - z. B. als Datenbasis in einer vermittlungstechnischen Einrichtung - eingesetzt werden.The known process can be achieved by the process according to the invention non-volatile, electrically erasable or programmable Storage elements SP1, SP2 - Flash EPROMs - for others, previously not possible applications - e.g. B. as a database in a switching technology facility - used become.

Claims

1. A method for non-volatile, electrically erasable and programmable, in a processor system of a communication device arranged storage elements in which a predetermined number of erasure or programming cycles controlled by control information must not be exceeded and in which each erase or Programming cycle, a cycle information representing this erase or programming cycle is recorded and stored in non-volatile memory means, and means for recognizing the detected number of erase or programming cycles are provided, characterized in that for a predetermined number of erasure cycles detected or programming cycles in the sense of a change of this non-volatile electrically erasable and programmable memory (SP1), recognition information (ei) is formed and transmitted to a visualization routine, and that the visualization routine in the sense of the automatic visualization of the recognition information (ei) is integrated in a maintenance routine for the next maintenance action.

2. The method according to claim 1, characterized, that the predetermined number by a maximum, not Exceedable number of erase or programming cycles right is presented, whereby after forming a recognition information mation (ei) further erase or programming cycles to an im Processor system (MS) arranged, another non-volatile, electrically erasable or programmable memory element (SP2) or to another non-volatile in which Communication device arranged memory (PSP) ge be controlled.

3. The method according to any one of the preceding claims, characterized, that the specified, recorded number of delete or program Mierzyycle is determined so that the number of ver permanent deletion or programming cycles to the intended Maintenance interval is coordinated.

4. The method according to any one of the preceding claims, characterized, that the cycle information (si) by the one delete or Represent control cycle causing the programming cycle (si) is or is derived from this or at one Erase or programming cycle is formed.

5. The method according to any one of the preceding claims, characterized, that a cycle information (si) in a partial area of the non-volatile memory element (SP1) or in a wide one non-volatile memory (SP2, PSP) is saved.

6. The method according to any one of the preceding claims, characterized, that through each recorded cycle information (si) the counter reading one integrated in the storage element or in another non-volatile memory arranged counter (Z, Z2) one indicating an erase or programming cycle Count value is changed.