DE4140905A1

DE4140905A1 - Transmitter with controller for controlling switches - has charging capacitor and switching transistor conductive after reaching predetermined threshold current at control terminal

Info

Publication number: DE4140905A1
Application number: DE19914140905
Authority: DE
Inventors: Ingo Dipl Ing Reichelt
Original assignee: Philips Patentverwaltung GmbH
Current assignee: Philips Intellectual Property and Standards GmbH
Priority date: 1991-12-12
Filing date: 1991-12-12
Publication date: 1993-06-17

Abstract

The transmitter has a controller (11) that supplies t least selected pulses, and controls two switching devices (3,10), including transistors, arranged between two terminal leads (1,2). The transmitter also includes a charging capacitor (14) connected to the emitter terminal of the second switching device transistor (10). A switching transistor (19) is arranged between a terminal lead (2) and the charging capacitor terminal (14) distal from the emitter terminal of the second switch transistor. The switching transistor is conductive after reaching a predetermined threshold current at the emitter terminal. USE/ADVANTAGE - E.g. for connection between transformer and telephone. Determines when transmitter is busy without delay.

Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Übertragungsvorrich tung mit einer Steuervorrichtung, die wenigstens zur Zu führung von Wählimpulsen und zur Steuerung von zwei zwi schen zwei Anschlußleitungen angeordneten, Transistoren enthaltenen Schaltvorrichtungen vorgesehen ist, und mit einem an den Steueranschluß des Transistors der zweiten Schaltvorrichtung angeschlossenen Speicherkondensator.The invention relates to a transmission device device with a control device, at least for the Zu guidance of dialing impulses and for the control of two two arranged two leads, transistors contained switching devices is provided, and with one to the control terminal of the transistor of the second Switching device connected storage capacitor.

Aus der EP-A2-03 71 558 ist eine solche Übertragungsvor richtung bekannt, bei der parallel zur Übertragungsrich tung zwischen zwei Anschlußleitungen eine Serienschaltung aus zwei Schaltvorrichtungen liegt. An eine Anschlußlei tung ist noch ein Entkoppelkondensator zur Abblockung von Gleichstrom angeschlossen. An den anderen Anschluß des Entkoppelkondensators ist ein Transformator gelegt, an dessen Primäranschlüssen beispielsweise ein Endgerät be stehend aus einer Gabelschaltung, einem Verstärker und einem Telefon angeschlossen ist. Die sekundärseitigen Anschlüsse des Transformators sind über die Übertragungsvorrichtung mit einer Vermittlungsstelle gekoppelt.Such a transmission is known from EP-A2-03 71 558 direction known, in parallel to the transfer direction tion between two connecting lines a series connection consists of two switching devices. To a connection point device is still a decoupling capacitor for blocking DC connected. To the other connection of the Decoupling capacitor is connected to a transformer whose primary connections, for example, be a terminal consisting of a hybrid circuit, an amplifier and connected to a phone. The secondary side Connections of the transformer are via the transmission device coupled with a switching center.

Die Steuervorrichtung, die aus einem Optokoppler besteht, liefert Schleifenschluß- und Wählimpulse an die Schaltvor richtungen. Die erste Schaltvorrichtung enthält einen MOS- Feldeffekttransistor und die zweite Schaltvorrichtung einen Bipolartransistor. Der Bipolartransistor ist mit einem Spannungsteiler und einem Speicherkondensator gekop pelt. Der Verbindungspunkt der beiden Widerstände des Spannungsteilers ist mit einem Anschluß des Speicherkon densators und der Basis des Bipolartransistors verbunden. Der dem Verbindungspunkt abgewandte Anschluß eines Wider standes des Spannungsteilers ist an die Steuereinrichtung angeschlossen. Der Kollektor des Bipolartransistors ist mit einer Anschlußleitung und dessen Emitter mit dem Drain-Anschluß des MOS-Feldeffekttransistors der ersten Schaltvorrichtung verbunden. Mit dem Gate-Anschluß dieses MOS-Feldeffekttransistors ist ein weiterer mit der Steuer einrichtung verbundener Spannungsteiler und mit dem Sour ce-Anschluß eine Anschlußleitung gekoppelt.The control device, which consists of an optocoupler, delivers loop closing and dialing impulses to the switching devices directions. The first switching device contains a MOS Field effect transistor and the second switching device a bipolar transistor. The bipolar transistor is with Kopop a voltage divider and a storage capacitor pelt. The junction of the two resistors of the Voltage divider is with a connection of the storage con connected to the capacitor and the base of the bipolar transistor. The connection of a counter facing away from the connection point state of the voltage divider is to the control device connected. The collector of the bipolar transistor is with a connecting line and its emitter with the Drain connection of the MOS field-effect transistor of the first Switching device connected. With the gate connector this MOS field effect transistor is another with the control device connected voltage divider and with the Sour ce connection coupled to a connecting line.

Bei einem Wählimpuls werden der MOS-Feldeffekttransistor und der Bipolartransistor nach einer Aufladezeit des Spei cherkondensators gleichstrommäßig durchlässig. Durch die Aufladezeit des Speicherkondensators wird der Bipolartran sistor verzögernd leitend. Bedingt durch diese Verzögerung kann die Vermittlungsstelle häufig nicht rechtzeitig fest stellen, daß das der Übertragungsvorrichtung zugeordnete Endgerät im Belegtzustand ist. Die Impedanz der Übertragungsvorrichtung wird nach dem Einschalten während der Aufladezeit des Speicherkondensators geringer.In the case of a dial pulse, the MOS field effect transistor and the bipolar transistor after a charging time of the memory cherkondensator permeable to direct current. Through the The charging time of the storage capacitor becomes the bipolar trans sistor delayed conductive. Due to this delay the agency can often not determine in time make sure that that assigned to the transmission device Terminal is in the busy state. The impedance of the transmission device is switched on during the Charging time of the storage capacitor less.

Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine Über tragungsvorrichtung zu schaffen, die einen Belegtzustand rechtzeitig weitergibt.The invention is therefore based on the object of an over to create a carrying device that is in a busy state passes on in time.

Diese Aufgabe wird bei einer Übertragungsvorrichtung der eingangs genannten Art dadurch gelöst, daß ein Schalttransistor zwischen dem dem Steueranschluß des Transistors der zweiten Schaltvorrichtung abgewandten Anschluß des Speicherkondensators und einer Anschlußlei tung angeordnet ist und daß der Schalttransistor zum Leitendwerden nach Erreichen eines bestimmten Schwellenstromes am Steueranschluß vor gesehen ist.This task is carried out in a transmission device solved at the outset, that a switching transistor between the the control terminal of the transistor facing away from the second switching device Connection of the storage capacitor and a connecting line device is arranged and that the switching transistor to become conductive after reaching a certain threshold current at the control connection is seen.

Durch den Schalttransistor wird der Speicherkondensator nicht sofort aufgeladen, weil über diesen durch den ge sperrten Schalttransistor im Einschaltmoment kein Strom fließen kann. Erst wenn ein bestimmter Schwellenstrom am Steueranschluß des Schalttransistors erreicht ist, wird dieser leitend und damit kann ein Strom über den Speicher kondensator fließen. Der Speicherkondensator wird dann aufgeladen. Über den Transistor der zweiten Schaltvorrich tung kann durch das verzögerte Einschalten des Speicher kondensators im Einschaltmoment ein genügend hoher Strom fließen, so daß die Vermittlungsstelle den Belegtzustand erkennen kann. Hierbei ist die Impedanz der Übertragungs- Vorrichtung zuerst gering. Wenn sich der Speicherkondensa tor auflädt, steigt die Impedanz der Übertragungsvorrich tung.Through the switching transistor, the storage capacitor not immediately charged, because the ge blocked switching transistor no current at switch-on can flow. Only when a certain threshold current on Control connection of the switching transistor is reached this is conductive and thus a current can flow through the memory condenser flow. The storage capacitor will then charged. Via the transistor of the second switching device the delayed switch-on of the memory capacitor a sufficiently high current when it is switched on flow so that the exchange is busy can recognize. Here is the impedance of the transmission Device small at first. If the storage condenser gate charges, the impedance of the transmission device increases tung.

Nach der Hinzuschaltung des Speicherkondensators schwingt sich der Strom am Steueranschluß des Schalttransistors auf einen stationären Wert ein. Der Speicherkondensator ge währleistet noch eine hohe Wechselstromimpedanz der Über tragungsvorrichtung im eingeschwungenen Zustand.After the storage capacitor is switched on, it oscillates the current at the control connection of the switching transistor a stationary value. The storage capacitor ge ensures a high AC impedance of the over Carrying device in the steady state.

Die Steuervorrichtung, die beispielsweise ein Optokoppler sein kann, erhält an ihren Eingängen von einem Schleifen schluß- und Wählimpulsgeber Impulse, die über wenigstens einen Ausgang an die Transistoren der beiden Schaltvor richtungen weitergeleitet werden. Daher ist die Steuervor richtung jeweils mit dem Steueranschluß eines Transistors der beiden Schaltvorrichtungen gekoppelt.The control device, for example an optocoupler can get from their loops by grinding final and dial pulse generator pulses that at least an output to the transistors of the two switching devices directions are forwarded. Hence the tax prep direction with the control terminal of a transistor of the two switching devices coupled.

Die beiden Schaltvorrichtungen können auf zwei Arten zu sammengeschaltet sein. Bei der ersten Variante, die aus der EP-A2-03 71 558 bekannt ist, sind die Drain-Source- Strecke des MOS-Feldeffekttransistors der ersten Schalt- Vorrichtung und die Kollektor-Emitter-Strecke des Bipolar transistors der zweiten Schaltvorrichtung in Serie ge schaltet und ist die Serienschaltung zwischen den beiden Anschlußleitungen eingefügt. Hierbei ist die Basis des als Bipolartransistors ausgebildeten Schalttransistors über einen Spannungsteiler mit dem Source-Anschluß eines in der ersten Schaltvorrichtung enthaltenen MOS-Feldeffekttransi stors gekoppelt. Der Schalttransistor wird leitend, wenn am Ausgang des Spannungsteilers, der zwischen dem Emitter des Transistors der zweiten Schaltvorrichtung und der Basis des Schalttransistors angeordnet ist, eine bestimmte Schellenspannung vorliegt.The two switching devices can be used in two ways be interconnected. In the first variant, which consists of EP-A2-03 71 558 is known, the drain-source Route of the MOS field-effect transistor of the first switching Device and the collector-emitter path of the bipolar transistor of the second switching device in series ge switches and is the series connection between the two Connection lines inserted. Here is the basis of the as Bipolar transistor trained switching transistor a voltage divider with the source terminal one in the first switching device contained MOS field effect transi coupled coupled. The switching transistor becomes conductive when at the output of the voltage divider that is between the emitter of the transistor of the second switching device and the Base of the switching transistor is arranged a certain There is a clamp voltage.

Bei der zweiten Variante ist der Source-Anschluß des MOS- Feldeffekttransistors der ersten Schaltvorrichtung mit einer Anschlußleitung und dessen Drain-Anschluß mit dem Kollektor des Bipolartransistors der zweiten Schaltvor richtung gekoppelt, dessen Emitter mit der anderen An schlußleitung gekoppelt ist. An den gemeinsamen Anschluß der beiden Schaltvorrichtungen ist ein Entkoppelkondensa tor angeschlossen, der den von der Vermittlungsstelle gelieferten Gleichstrom abblockt. Im gesperrten Zustand des Transistors der ersten Schaltvorrichtung fließt kein Strom von der Vermittlungsstelle zum Entkoppelkondensator. Dadurch kann sich der Entkoppelkondensator nicht aufladen und keine Verzerrung des von der Vermittlungsstelle gelie ferten Stromes nach dem Ausschalten der beiden Schaltvor richtungen verursachen.In the second variant, the source connection of the MOS Field effect transistor of the first switching device with a connecting line and its drain connection with the Collector of the bipolar transistor of the second circuit direction coupled, the emitter with the other An final line is coupled. To the common connection of the two switching devices is a decoupling condenser gate connected to that of the exchange blocks the direct current supplied. In the locked state of the transistor of the first switching device does not flow Current from the exchange to the decoupling capacitor. This prevents the decoupling capacitor from charging and no distortion of what is given by the exchange current after switching off the two switching devices cause directions.

Bei dieser zweiten Variante ist die Basis des als Bipolar transistors ausgebildeten Schalttransistors über einen Spannungsteiler mit dem Emitter eines in der zweiten Schaltvorrichtung enthaltenen Bipolartransistors gekop pelt. Der Schalttransistor wird leitend, wenn am Ausgang des Spannungsteilers, der zwischen dem Source-Anschluß des Transistors der ersten Schaltvorrichtung und der Basis des Schalttransistors angeordnet ist, ein bestimmter Schwel lenstrom fließt. In this second variant, the basis is the bipolar transistor-formed switching transistor via a Voltage divider with the emitter one in the second Switching device included bipolar transistor pelt. The switching transistor becomes conductive when at the output of the voltage divider, which is between the source terminal of the Transistor of the first switching device and the base of the Switching transistor is arranged, a certain smolder current flows.

Nach dem Einschalten weist die Übertragungsvorrichtung durch das sofortige Durchschalten des Bipolartransistors der zweiten Schaltvorrichtung eine geringe Impedanz auf. Damit die Impedanz der Übertragungsvorrichtung nicht so fort wieder größer wird, ist zwischen Basis und Emitter des ersten Schalttransistors ein Kondensator eingefügt. Dieser bewirkt bis zu seinem Aufladen und einem Durch schalten des ersten Schalttransistors, daß die Übertra gungsvorrichtung von der Vermittlungsstelle die Impedanz nach dem Einschaltvorgang aufweist.After switching on, the transmission device points by switching the bipolar transistor on immediately the second switching device has a low impedance. So that the impedance of the transmission device is not so continues to grow between the base and emitter a capacitor is inserted into the first switching transistor. This causes until it is charged and through switch the first switching transistor that the transfer device from the switching center the impedance after switching on.

Verwendet werden kann die Übertragungsvorrichtung in einem Übertragungssystem zur Übertragung von Signalen zwischen einer Vermittlungsstelle und einem Endgerät. Die Übertra gungsvorrichtung liefert die Wählimpulse des Endgerätes zur Vermittlungsstelle und überträgt Wechselsignale zwi schen dem Endgerät und der Vermittlungsstelle. Ein Endge rät besteht beispielsweise aus einer Gabelschaltung, einem Verstärker und einem Telefon.The transmission device can be used in one Transmission system for the transmission of signals between an exchange and a terminal. The transfer The device provides the dialing pulses from the terminal to the exchange and transmits alternating signals between between the terminal and the exchange. An endge advises, for example, consists of a hybrid, a Amplifier and a phone.

Zwei Ausführungsbeispiele einer Übertragungsvorrichtung werden nachstehend anhand der Fig. 1 und 2 näher erläu tert.Two embodiments of a transmission device are explained below with reference to FIGS . 1 and 2.

Die in der Fig. 1 dargestellte Übertragungsvorrichtung ist über zwei Anschlußleitungen 1 und 2 mit einer Vermitt lungsstelle einer Telekommunikationsanlage gekoppelt. Über einen N-Kanal-MOS-Feldeffekttransistor 3 und einen Entkop pelkondensator 4 ist die Anschlußleitung 1 mit einem An schluß einer Sekundärseite eines Transformators 5 verbun den. Der andere sekundärseitige Anschluß des Transforma tors 5 ist an die Anschlußleitung 2 gelegt. Primärseitig ist der Transformator 5 beispielsweise mit einem Endgerät verbunden, das eine Gabelschaltung, einen Verstärker und ein Telefon oder auch ein Modem enthält. Der MOS-Feldef fekttransistor 3 ist Bestandteil einer ersten Schaltvor richtung. Der Source-Anschluß des Transistors 3 ist mit der Anschlußleitung 1, einem Widerstand 6 und mit einer Anode einer Zenerdiode 7 verbunden. Der Gate-Anschluß bildet einen gemeinsamen Knoten mit der Kathode der Zener diode 7 und einem Widerstand 8. Der Drain-Anschluß des Transistors 3 ist an den Entkoppelkondensator 4, an die Anode einer weiteren Zenerdiode 9 und an den Kollektor eines PNP-Bipolartransistors 10 angeschlossen, der Be standteil einer zweiten Schaltvorrichtung ist.The transmission device shown in Fig. 1 is coupled via two connecting lines 1 and 2 with a switching center of a telecommunications system. Via an N-channel MOS field-effect transistor 3 and a decoupling capacitor 4 , the connecting line 1 is connected to an on circuit of a secondary side of a transformer 5 . The other secondary connection of the transformer 5 is connected to the connecting line 2 . On the primary side, the transformer 5 is connected, for example, to a terminal device which contains a hybrid circuit, an amplifier and a telephone or a modem. The MOS field effect transistor 3 is part of a first Schaltvor direction. The source connection of the transistor 3 is connected to the connection line 1 , a resistor 6 and to an anode of a Zener diode 7 . The gate connection forms a common node with the cathode of the Zener diode 7 and a resistor 8 . The drain of transistor 3 is connected to the decoupling capacitor 4 , to the anode of a further Zener diode 9 and to the collector of a PNP bipolar transistor 10 , which is part of a second switching device.

Der andere Anschluß des Widerstandes 6 und der andere Anschluß des Widerstandes 8 sind mit einem Ausgang einer Steuervorrichtung 11 verbunden, die eingangsseitig mit einem Schleifenschluß- und Wählimpulsgeber gekoppelt ist. Die Steuervorrichtung 11 ist ein aus einer Leuchtdiode 12 und einem Fototransistor 13 bestehender Optokoppler. Die Leuchtdiode 12 ist mit dem Schleifenschluß- und Wählim pulsgeber verbunden. Der Emitter des Fototransistors 13 ist mit dem Widerstand 6 und dem Widerstand 8 verbunden. Der Kollektor des Fototransistors 13 weist eine Verbindung zu einem Speicherkondensator 14, einem Widerstand 15, der Kathode der Zenerdiode 9 und der Basis des Transistors 10 auf.The other connection of the resistor 6 and the other connection of the resistor 8 are connected to an output of a control device 11 , which is coupled on the input side to a loop closing and selection pulse generator. The control device 11 is an optocoupler consisting of a light-emitting diode 12 and a phototransistor 13 . The light emitting diode 12 is connected to the loop closing and dialing pulse generator. The emitter of the phototransistor 13 is connected to the resistor 6 and the resistor 8 . The collector of the phototransistor 13 has a connection to a storage capacitor 14 , a resistor 15 , the cathode of the Zener diode 9 and the base of the transistor 10 .

Mit dem Emitter des Transistors 10 sind noch zwei Wider stände 16 und 17 verbunden. Der andere Anschluß des Wider standes 16 ist an die Anschlußleitung 2 und der andere Anschluß des Widerstandes 17 an einen Kondensator 18 und die Basis eines ersten Schalttransistors 19 (PNP-Bipolar transistor) gelegt. Der Kollektor des ersten Schalttransi stors 19 ist mit den anderen Anschlüssen des Speicherkon densators 14 und des Widerstandes 15 verbunden. Der Emit ter und der andere Anschluß des Kondensators 18 sind an die Anschlußleitung 2 gelegt. With the emitter of transistor 10 , two opposites 16 and 17 are still connected. The other connection of the opposing stand 16 is connected to the connecting line 2 and the other connection of the resistor 17 to a capacitor 18 and the base of a first switching transistor 19 (PNP bipolar transistor). The collector of the first Schalttransi stors 19 is connected to the other terminals of the storage capacitor 14 and the resistor 15 . The Emit ter and the other connection of the capacitor 18 are connected to the connecting line 2 .

Ein vom Schleifenschluß- und Wählimpulsgeber erzeugter und der Leuchtdiode 12 zugeführter Impuls macht den Fototran sistor 13 leitend, der daraufhin den MOS-Feldeffekttransi stor 3 der ersten Schaltvorrichtung leitend schaltet. Ebenso wird der Bipolartransistor 10 gleichstrommäßig lei tend geschaltet. Daher kann ein Gleichstrom von der Ver mittlungsstelle über die Anschlußleitung 1 und die beiden Transistoren 3 und 10 zur Anschlußleitung 2 fließen. Beim Ausschalten, d. h., wenn der Impuls beendet ist, werden die Transistoren 3 und 10 stromlos und der Entkoppelkondensa tor 4 von der Anschlußleitung 1 abgetrennt. Hierdurch kann der Entkoppelkondensator 4 keine Verzerrungen im von der Vermittlungsstelle gelieferten Strom erzeugen, da er nicht von einem Gleichstrom der Vermittlungsstelle aufgeladen wird.A generated by the loop closing and dial pulse generator and the light emitting diode 12 pulse makes the Fototran sistor 13 conductive, which then turns the MOS field effect transistor 3 of the first switching device conductive. Likewise, the bipolar transistor 10 is switched in direct current direction. Therefore, a direct current can flow from the United Exchange via the connecting line 1 and the two transistors 3 and 10 to the connecting line 2 . When switching off, that is, when the pulse has ended, the transistors 3 and 10 are de-energized and the decoupling capacitor 4 is disconnected from the connecting line 1 . As a result, the decoupling capacitor 4 can not produce any distortions in the current supplied by the exchange, since it is not charged by a direct current from the exchange.

Zur Erläuterung der Funktionsweise des Schaltungsteiles aus den Widerständen 15, 16 und 17, dem Speicherkondensa tor 14, dem Kondensator 18, dem ersten Schalttransistor 19 und dem Transistor 10 wird zuerst vorausgesetzt, daß der Kondensator 18 nicht in der Schaltung vorhanden ist. Wenn ein bestimmter Schwellenstrom durch den Widerstand 16 fließt, wird der erste Schalttransistor leitend und ein gemeinsamer Anschluß von Speicherkondensator 14 und Wider stand 15 liegen am Potential der Anschlußleitung 2. Der Speicherkondensator 14 wird aufgeladen und die Schaltung geht in einen stationären Zustand.To explain the operation of the circuit part from the resistors 15 , 16 and 17 , the storage capacitor 14 , the capacitor 18 , the first switching transistor 19 and the transistor 10 , it is first assumed that the capacitor 18 is not present in the circuit. If a certain threshold current flows through the resistor 16 , the first switching transistor becomes conductive and a common connection of the storage capacitor 14 and the counter 15 were at the potential of the connecting line 2 . The storage capacitor 14 is charged and the circuit goes into a steady state.

Nach der Zuführung des Impulses wird nach Überschreiten eines Schwellenstromes, der durch den Widerstand 16 fließt, der Schalttransistor 19 eingeschaltet. Dadurch liegt das Potential der Anschlußleitung 2 am Speicherkon densator 14. Der Speicherkondensator 14 wird dann auf einen stationären Wert aufgeladen. Durch dieses Schaltungsteil ist die Übertragungsvorrichtung im Ein schaltmoment niederohmig, da Speicherkondensator 14 und Widerstand 15 abgeschaltet sind. Die Vermittlungsstelle kann aufgrund der Niederohmigkeit im Einschaltmoment einen Belegtzustand eines mit dem Transformator gekoppelten Endgerätes sicher detektieren.After the supply of the pulse, the switching transistor 19 is switched on after exceeding a threshold current flowing through the resistor 16 . As a result, the potential of the connecting line 2 on the storage capacitor 14 is present . The storage capacitor 14 is then charged to a stationary value. Through this circuit part, the transmission device in a switching torque is low, since storage capacitor 14 and resistor 15 are switched off. The switching center can reliably detect an occupied state of a terminal device coupled to the transformer due to the low impedance when it is switched on.

Durch den Kondensator 18 wird erreicht, daß der durch den Widerstand 16 fließende Strom eine längere Zeit auf dem Einschaltpegel bleibt und somit einen niederohmigen Zu stand der Übertragungsvorrichtung über einen längeren Zeitraum ermöglicht. Nachdem der Kondensator 18 aufgeladen ist, wird der erste Schalttransistor 19 leitend und die Kombination aus Widerstand 15 und Speicherkondensator 14 wird hinzugeschaltet.Through the capacitor 18 it is achieved that the current flowing through the resistor 16 remains at the switch-on level for a longer time and thus enables a low-resistance state of the transmission device over a longer period of time. After the capacitor 18 is charged, the first switching transistor 19 becomes conductive and the combination of resistor 15 and storage capacitor 14 is switched on.

Der Speicherkondensator 14 gewährleistet eine hohe Wech selstromimpedanz der Übertragungsvorrichtung im einge schwungenen Zustand.The storage capacitor 14 ensures a high AC impedance of the transmission device in the steady state.

Der Bipolartransistor 10 sollte vom Niederspannungstyp sein, wodurch eine hohe Stromverstärkung ermöglicht wird. Bei einer hohen Stromverstärkung kann der Widerstand 8 hochohmiger gewählt werden. Durch den höheren Widerstands wert des Widerstandes 8 weist die Übertragungsvorrichtung eine höhere Impedanz auf und kann somit die Signale, wel che von dem Endgerät über den Transformator geliefert werden, weniger beeinflussen. Die beiden Zenerdioden 7 und 9 haben eine Schutzfunktion (Spannungsbegrenzung). Zusätz lich wird über die Zenerdiode 9 während des Einschwingvor ganges ein Strom zur Aufladung des Kondensators 14 gelie fert, so daß hierdurch eine Beschleunigung des Aufladevor ganges bewirkt wird.The bipolar transistor 10 should be of the low voltage type, which enables high current gain. With a high current gain, the resistor 8 can be chosen to have a higher resistance. Due to the higher resistance value of the resistor 8 , the transmission device has a higher impedance and can therefore influence the signals which are supplied by the terminal via the transformer less. The two Zener diodes 7 and 9 have a protective function (voltage limitation). In addition, a current for charging the capacitor 14 is produced via the Zener diode 9 during the Einschwingvor gear, so that this causes an acceleration of the charging process.

Die in der Fig. 2 dargestellte Übertragungsvorrichtung ist über zwei Anschlußleitungen 21 und 22 mit einer Ver mittlungsstelle gekoppelt. An die Anschlußleitung 21 ist über einen Kondensator 23 ein Transformator 24 angeschlos sen, an dessen Primärseite (die den Anschlußleitungen 21 und 22 abgewandte Seite) ein Endgerät anschließbar ist. An die Anschlußleitung 21 ist ein Anschluß einer Steuervor richtung 25 angeschlossen. Die Steuervorrichtung 25 ist mit einem Schleifenschluß- und Wählimpulsgeber verbunden und besteht aus einer Leuchtdiode 28 und einem Fototran sistor 29. An den Schleifenschluß- und Wählimpulsgeber ist die Leuchtdiode 28 angeschlossen.The transmission device shown in FIG. 2 is coupled via two connecting lines 21 and 22 to a switching center. A transformer 24 is connected to the connecting line 21 via a capacitor 23 , and a terminal can be connected to its primary side (the side facing away from the connecting lines 21 and 22 ). To the connecting line 21 , a connection of a Steuerervor device 25 is connected. The control device 25 is connected to a loop closing and dial pulse generator and consists of a light-emitting diode 28 and a Fototran sistor 29th The light-emitting diode 28 is connected to the loop closing and dialing pulse generator.

Der Kollektor des Fototransistors 29 ist mit der Anschluß leitung 21 und der Emitter des Fototransistors 29 ist mit einem Widerstand 30 und mit einem Widerstand 31 verbunden, der Bestandteil eines Spannungsteilers mit einem weiteren Widerstand 32 ist. Eine Verbindung ist noch zwischen dem anderen Anschluß des Widerstandes 32 und der Anschlußlei tung 22 vorhanden. Der andere Anschluß des Widerstandes 30 ist mit einem Widerstand 33 verbunden, der Bestandteil eines weiteren Spannungsteilers aus den Widerständen 30 und 33 ist.The collector of the phototransistor 29 is connected to the connection line 21 and the emitter of the phototransistor 29 is connected to a resistor 30 and to a resistor 31 which is part of a voltage divider with a further resistor 32 . A connection is still present between the other terminal of the resistor 32 and the device 22 . The other connection of the resistor 30 is connected to a resistor 33 , which is part of a further voltage divider comprising the resistors 30 and 33 .

Der gemeinsame Knoten der Widerstände 31 und 32 ist an den Gate-Anschluß eines N-Kanal-MOS-Feldeffekttransistors 26 einer ersten Schaltvorrichtung angeschlossen. Der Source- Anschluß des MOS-Feldeffekttransistors 26 ist an den An schluß eines Widerstandes 34 gelegt, der andererseits mit der Anschlußleitung 22 verbunden ist. Der Drain-Anschluß des MOS-Feldeffekttransistors 26 weist mit dem Emitter eines NPN-Bipolartransistors 27 einer zweiten Schaltvor richtung eine Verbindung auf. Der Kollektor des Transi stors 27 ist an die Anschlußleitung 21 gelegt. Mit der Basis des Transistors 27 ist der gemeinsame Anschluß der Widerstände 30 und 33 und ein zum Widerstand 33 parallel angeordneter Speicherkondensator 35 verbunden. The common node of the resistors 31 and 32 is connected to the gate terminal of an N-channel MOS field-effect transistor 26 of a first switching device. The source terminal of the MOS field-effect transistor 26 is connected to the circuit at a resistor 34 , which on the other hand is connected to the connecting line 22 . The drain terminal of the MOS field effect transistor 26 has a connection to the emitter of an NPN bipolar transistor 27 of a second Schaltvor direction. The collector of the Transi stors 27 is placed on the connecting line 21 . The common connection of resistors 30 and 33 and a storage capacitor 35 arranged in parallel with resistor 33 are connected to the base of transistor 27 .

Des weiteren weist die Übertragungsvorrichtung noch einen als Schalttransistor 36 verwendeten NPN-Bipolartransistor auf, dessen Emitter mit der Anschlußleitung 22 und dessen Basis mit einem Kondensator 37 und einem Widerstand 38 verbunden ist. Der Kollektor des Schalttransistors 36 ist über die Parallelschaltung aus Widerstand 33 und Speicher kondensator 35 mit der Basis des Transistors 27 gekoppelt. Der nicht mit der Basis des Schalttransistors 36 verbunde ne Anschluß des Kondensators 37 ist an die Anschlußleitung 22 gelegt. Die Widerstände 34 und 38 bilden einen Span nungsteiler, deren gemeinsamer Anschluß mit dem Source- Anschluß des Transistors 26 verbunden ist.Furthermore, the transmission device also has an NPN bipolar transistor used as a switching transistor 36 , the emitter of which is connected to the connecting line 22 and the base of which is connected to a capacitor 37 and a resistor 38 . The collector of the switching transistor 36 is coupled to the base of the transistor 27 via the parallel circuit of resistor 33 and storage capacitor 35 . The not connected to the base of the switching transistor 36 ne connection of the capacitor 37 is connected to the connecting line 22 . The resistors 34 and 38 form a voltage divider, the common terminal of which is connected to the source terminal of the transistor 26 .

Sobald ein vom Schleifenschluß- und Wählimpulsgeber er zeugtes und der Steuervorrichtung 25 zugeführter Impuls mittels der Leuchtdiode 28 den Fototransistor 29 leitend macht, liegt das Potential der Anschlußleitung 21, das gleich dem Potential am Kollektor des Transistors 27 ist, unmittelbar an den beiden Spannungsteilern aus den Wider ständen 30 und 33 sowie 31 und 32. Über den Widerstand 31 ist der Gate-Anschluß des Transistors 26 mit dem Potential der Anschlußleitung 21 verbunden, so daß dieser gleich strommäßig durchschaltet. Der Transistor 27 wird ebenfalls sofort gleichstrommäßig leitend, da die Parallelschaltung aus Widerstand 33 und Kondensator 35 im Einschaltmoment durch den Schalttransistor 36 abgeschaltet ist. Es fließt folglich im Einschaltmoment ein von der Vermittlungsstelle gelieferter Gleichstrom über die beiden Transistoren 26 und 28, bei der die Vermittlungsstelle den Belegtzustand sofort erkennt. Der Schalttransistor 36 wird bei diesem Ausführungsbeispiel leitend, wenn nach Erreichen eines durch den Widerstand 34 fließenden Schwellenstromes der Kondensator 37 genügend aufgeladen ist. Die Übertragungs vorrichtung weist im Einschaltmoment eine geringe Impedanz auf, die sich mit der Aufladung des Speicherkondensators 25 vergrößert. Der Speicherkondensator sichert eine hohe Wechselstromimpedanz der Übertragungsvorrichtung im sta tionären Zustand.As soon as a generated by the loop closing and dialing pulse generator and the control device 25 supplied pulse by means of the light-emitting diode 28 makes the phototransistor 29 conductive, the potential of the connecting line 21 , which is equal to the potential at the collector of the transistor 27 , lies directly at the two voltage dividers Resists 30 and 33 and 31 and 32 . Via the resistor 31 , the gate connection of the transistor 26 is connected to the potential of the connecting line 21 , so that the latter switches through in terms of current. The transistor 27 also immediately becomes direct current-conducting, since the parallel circuit comprising the resistor 33 and the capacitor 35 is switched off by the switching transistor 36 at the moment of switching on. Consequently, a direct current supplied by the switching center flows via the two transistors 26 and 28 at the moment of switching on, in which the switching center immediately recognizes the occupied state. In this exemplary embodiment, the switching transistor 36 becomes conductive when the capacitor 37 is sufficiently charged after reaching a threshold current flowing through the resistor 34 . The transmission device has a low impedance at switch-on, which increases with the charging of the storage capacitor 25 . The storage capacitor ensures a high AC impedance of the transmission device in the stationary state.

Claims

1. Transmission device with a control device, which is provided at least for supplying dialing pulses and for controlling two switching devices arranged between two connecting lines, containing transistors, and with a storage capacitor connected to the control connection of the transistor of the second switching device, characterized in that
that a switching transistor between the control terminal of the transistor of the second switching device facing terminal of the storage capacitor and a Anschlusslei device is arranged and
that the switching transistor for becoming conductive is seen before reaching a certain threshold current at the control connection.

2. Transmission device according to claim 1, characterized, that the control device each with the control connection a transistor of the two switching devices coupled is.

3. Transmission device according to claim 1 or 2, characterized, that the base of the bipolar transistor Switching transistor via a voltage divider with the Source connection of one in the first switching device contained MOS field effect transistor is coupled.

4. Transmission device according to claim 1 or 2, characterized, that the base of the bipolar transistor Switching transistor via a voltage divider with the Emitter one contained in the second switching device Bipolar transistor is coupled.

5. Transmission device according to claim 3, characterized in
that the drain-source path of the MOS field-effect transistor of the first switching device and the collector-emitter path of the bipolar transistor of the second switching device are connected in series and
that the series connection between the two connecting lines is inserted.

6. Transmission device according to claim 4, characterized, that the source terminal of the MOS field effect transistor first switching device with a connecting line and its drain connection with the collector of the bipolar transistor Stors of the second switching device is coupled, the Emitter is coupled to the other connecting line.

7. Transmission device according to one of the claims 3 to 6, characterized in that between the base and emitter of the switching transistor Capacitor is inserted.

8. Use of a transmission device according to one of the preceding claims in a transmission system for Transmission of signals between an exchange and a terminal.