DE4100548A1 - Deposition of diamond or carbide films onto refractory metal substrates by CVD - comprising two diamond or carbide deposition steps, with an intermediate metal deposition step to give complete coverage - Google Patents

Deposition of diamond or carbide films onto refractory metal substrates by CVD - comprising two diamond or carbide deposition steps, with an intermediate metal deposition step to give complete coverage

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DE4100548A1 DE19914100548 DE4100548A DE4100548A1 DE 4100548 A1 DE4100548 A1 DE 4100548A1 DE 19914100548 DE19914100548 DE 19914100548 DE 4100548 A DE4100548 A DE 4100548A DE 4100548 A1 DE4100548 A1 DE 4100548A1
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Abstract

Depositing polycrystalline films from a gas phase comprising carbon-contg. gases by CVD, where the crystallites to be deposited are deposited from the energetically activated gas phase at a pressure of 0.00005 to 1 bar on to a substrate heated to 350 to 1200 deg.C, comprises (1) a first film, which is not completely sealed and which consists of individual crystallites, is deposited on the substrate; (2) the intermediate spaces between the crystallites are filled with a metal layer; and (3) a second, completely closed layer of crystals is deposited on the crystallites of the first film which are surrounded by the metal layer. USE/ADVANTAGE - Used for the mfr. of both coated substrates and self-suporting shaped bodies, e.g., of diamond, carbides, etc. Two specific uses claimed are the improvement of the wear resistance of workpieces, and the surface colouration of workpieces. Better adhesion of the deposited films to the substrate, and provides colourless polycrystalline layers, e.g., of diamond, which take on the colouration of the substrate.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Abscheidung poly­ kristalliner Schichten aus einer Kohlenstoff-haltige Gase enthaltenden Gasphase mittels chemischer Gasphasenabschei­ dung (CVD), bei dem die abzuscheidenden Kristallite aus der energetisch aktivierten Gasphase bei einem Druck im Bereich von 10-5 bis 1 bar an einem, auf eine Temperatur im Bereich von 350 bis 1200°C aufgeheizten Substrat abge­ schieden werden.The invention relates to a method for the deposition of poly-crystalline layers from a gas phase containing carbon-containing gases by means of chemical vapor deposition (CVD), in which the crystallites to be separated from the energetically activated gas phase at a pressure in the range from 10 -5 to 1 bar , to a temperature in the range of 350 to 1200 ° C heated substrate separated.

Die Abscheidung von Mikrokristalliten aus der Gasphase mittels CVD wird für breite Anwendungsbereiche benutzt; für die Herstellung von freitragenden Formkörpern oder auch zur Ausbildung von Beschichtungen auf unterschiedlichsten Substraten.The deposition of microcrystallites from the gas phase CVD is used for a wide range of applications; For the production of self-supporting shaped bodies or for the formation of coatings on various Substrates.

Ganz allgemein ist für einen CVD-Prozeß charakteristisch, daß eine Mischung von Gasen bei einer relativ hohen Tempe­ ratur mit einer Substratoberfläche in Wechselwirkung tritt, unter Zersetzung mindestens eines am Gasgemisch beteilig­ ten Gases und Abscheidung eines Reaktionsproduktes in fester Phase an der Substratoberfläche. Der konventionelle CVD-Prozeß bedingt hohe Temperaturen, reaktive Gase und eine für die Durchführung eines solchen Verfahrens geeig­ nete Vorrichtung. Typische Prozeßparameter sind Tempera­ turen im Bereich von 450 bis zu 2500°C, Drucke im Bereich von 10-5 bis 1 bar und ein Prozeßgasgemisch aus mindestens einem reaktiven Gas und weiteren Gasen wie inerten, oxi­ dierenden oder reduzierenden Gasen. In general, it is characteristic of a CVD process that a mixture of gases interacts with a substrate surface at a relatively high temperature, with decomposition of at least one gas involved in the gas mixture and deposition of a reaction product in a solid phase on the substrate surface. The conventional CVD process requires high temperatures, reactive gases and a device suitable for carrying out such a process. Typical process parameters are temperatures in the range from 450 to 2500 ° C, pressures in the range from 10 -5 to 1 bar and a process gas mixture of at least one reactive gas and other gases such as inert, oxidizing or reducing gases.

Die Reaktionsprodukte (Kristallite) werden dementsprechend erhalten durchThe reaction products (crystallites) become accordingly received by

Pyrolyse (z. B.: CH₃SiCl₃ → SiC + 3 HCl) oder
Reduktion (z. B.: WF₆ + 3 H₂ → W + 6 HF) oder
Oxidation (z. B.: SiH₄ + O₂ → SiO₂ + 2 H₂) oder
Coreduktion (z. B.: 3 TiCl₄ + 4 BCl₃ + 12 H₂ → Ti₃B₄ + 24 HCl).Pyrolysis (e.g .: CH₃SiCl₃ → SiC + 3 HCl) or
Reduction (e.g. WF₆ + 3 H₂ → W + 6 HF) or
Oxidation (e.g .: SiH₄ + O₂ → SiO₂ + 2 H₂) or
Core reduction (e.g. 3 TiCl₄ + 4 BCl₃ + 12 H₂ → Ti₃B₄ + 24 HCl).

Die Aktivierung des Prozeßgasgemisches innerhalb des Reak­ tors erfolgt in einer Anregungszone (Gasphasenbereich mit maximalem Energieinhalt), die beispielsweise über ein Plasma, das durch Einkopplung von Mikrowellen- oder Hoch­ frequenz-Energie oder Energie aus einem elektrischen Gleichspannungsfeld, über einen durch Stromdurchgang be­ heizten Draht oder über eine Flamme erzeugt werden kann. In der Anregungszone werden die Gasphasenreaktionen stimu­ liert und eine Abscheidung der Reaktionsprodukte erfolgt anschließend auf dem vorzugsweise in einem Abstand zur An­ regungszone positionierten Substrat, das auf einem üb­ licherweise temperaturgeregelten Substrathalter angeordnet ist. Die Restgase werden mittels einer Vakuumpumpe aus dem Reaktor abgepumpt.The activation of the process gas mixture within the reac tors takes place in an excitation zone (gas phase area with maximum energy content), for example, over a Plasma created by coupling microwave or high frequency energy or energy from an electrical DC voltage field, be through a continuity of current heated wire or can be generated over a flame. The gas phase reactions are stimulated in the excitation zone liert and a separation of the reaction products takes place then on the preferably at a distance from the An substrate positioned on a surface Lichlich arranged temperature-controlled substrate holder is. The residual gases are removed by means of a vacuum pump Pumped down reactor.

Nach dem eingangs genannten Verfahren werden beispielswei­ se polykristalline Diamantschichten hergestellt, die vor­ zugsweise auf metallischen Substraten, wie Wolfram- oder Wolframcarbid/Kobalt-Substraten, abgeschieden werden.According to the method mentioned at the beginning, for example se polycrystalline diamond layers made before preferably on metallic substrates such as tungsten or Tungsten carbide / cobalt substrates.

Die Abscheidung von polykristallinen Diamantschichten aus der Gasphase mit praktisch akzeptablen Raten in der Größenordnung von 1 µm/h ist seit den Arbeiten von Matsumoto et al. (Jap. J. Appl. Phys. 21 (1982), Nr. 4, Seiten L 183 bis L 185) bekannt. The deposition of polycrystalline diamond layers the gas phase with practically acceptable rates in the The order of 1 µm / h has been around since Matsumoto et al. (Jap. J. Appl. Phys. 21 (1982), No. 4, Pages L 183 to L 185) known.  

Einer breiten Anwendung dieser Schichten, z. B. für Ver­ schleißreduzierung an mechanisch stark belasteten Werkzeu­ gen steht bisher als größtes Problem die mangelnde Haftung der Schichten auf ihren Substraten im Wege. Für eine der­ artige praktische Anwendung gerade von polykristallinen Diamantschichten wäre es darüberhinaus wünschenswert, Ver­ schleißbereiche frühzeitig erkennen zu können. Dies würde möglich sein, wenn sich die an sich transparenten Diamant­ schichten farblich deutlich von dem Substratmaterial un­ terscheiden würden.A wide application of these layers, e.g. B. for Ver wear reduction on mechanically heavily loaded tools The biggest problem so far is the lack of liability of the layers on their substrates in the way. For one of the like practical application of polycrystalline Diamond coatings would also be desirable, Ver to be able to recognize wear areas at an early stage. This would be possible if the diamond itself is transparent layers clearly in color from the substrate material would differentiate.

Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, das ein­ gangs genannte Verfahren so zu verbessern, daß nicht allein eine bessere Haftung der polykristallinen Schichten an ihren Substraten erreicht wird, sondern daß darüber hinaus farblose polykristalline Schichten, wie z. B. Diamantschichten, eine sich vom Substratmaterial abhebende Einfärbung erhalten.The invention is therefore based on the object gangs mentioned methods to improve so that not better adhesion of the polycrystalline layers alone is achieved on their substrates, but that above colorless polycrystalline layers, such as. B. Diamond layers, one that stands out from the substrate material Get color.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß auf dem Substrat in einem ersten Prozeßschritt eine erste, nicht vollständig geschlossene, aus einzelnen Kristalliten aufgebaute Schicht abgeschieden wird, daß die Zwischen­ räume zwischen den einzelnen Kristalliten in einem an­ schließenden Prozeßschritt mit einer Metallbeschichtung aufgefüllt werden und daß in einem weiteren Prozeßschritt eine zweite, nunmehr vollständig geschlossene Schicht aus Kristalliten auf den von der Matrix der Metallbeschichtung umgebenen Kristalliten der ersten Schicht abgeschieden wird.This object is achieved in that the substrate in a first process step, not completely closed, from individual crystallites built-up layer is deposited that the intermediate spaces between the individual crystallites in one closing process step with a metal coating be filled in and that in a further process step a second, now completely closed layer Crystallites on the matrix of the metal coating surrounding crystallites of the first layer are deposited becomes.

Nach einer bevorzugten Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens werden Carbid-Kristallite abgeschieden. According to a preferred development of the invention Process, carbide crystallites are deposited.  

Schichten, die aus Carbid-Kristalliten aufgebaut sind, sind nicht transparent, also optisch absorbierend. Hier spielt die Auswahl des Metalls für die Metallmatrix im Hinblick auf die farbliche Gestaltung der Schichten also eine untergeordnete Rolle und hat in erster Linie Bedeu­ tung für die Verbesserung der Haftung der Schicht am Sub­ strat, was durch die Ausbildung einer Carbid/Metall-Kompo­ sitschicht erreicht wird.Layers made up of carbide crystallites are not transparent, i.e. optically absorbing. Here plays the selection of the metal for the metal matrix in the With regard to the color design of the layers has a subordinate role and is primarily of importance device for improving the adhesion of the layer to the sub strat what by forming a carbide / metal compo sit layer is reached.

Nach einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung des erfin­ dungsgemäßen Verfahrens werden zum Aufbau der Schichten Diamant-Kristallite abgeschieden. Für transparente Schich­ ten, wie z. B. polykristalline Diamantschichten, ist es im Hinblick auf eine Einfärbung vorteilhaft, nach weiteren zweckmäßigen Ausgestaltungen des erfindungsgemäßen Verfah­ rens für die Metallmatrix Gold oder Kupfer einzusetzen. Auf diese Weise werden Diamant/Metall-Kompositschichten erreicht, die die Farbe des Metalls der Matrix zeigen und gleichzeitig die Verschleißfestigkeit von Diamant haben. Da diese Metalle eine feste Verbindung mit insbesondere metallischen Substraten eingehen, zeigen derartige Diamant/Metall-Kompositschichten eine verbesserte Haft­ festigkeit an ihren Substraten im Vergleich zu reinen polykristallinen Diamantschichten.According to a further advantageous embodiment of the inventions The inventive method are used to build up the layers Diamond crystallites deposited. For transparent layers ten such. B. polycrystalline diamond layers, it is in Advantageous in terms of coloring, after further expedient embodiments of the inventive method to use gold or copper for the metal matrix. In this way, diamond / metal composite layers achieved, which show the color of the metal of the matrix and at the same time have the wear resistance of diamond. Because these metals have a firm connection with in particular enter metallic substrates, show such Diamond / metal composite layers have improved adhesion strength on their substrates compared to pure polycrystalline diamond layers.

Nach einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung des erfin­ dungsgemäßen Verfahrens wird auf und zwischen den Kri­ stalliten der ersten Schicht eine zunächst in sich ge­ schlossene Metallbeschichtung angebracht, die in einem an­ schließenden Prozeßschritt soweit entfernt wird, daß die Metallbeschichtung nur noch zwischen den Kristalliten vor­ handen ist. Die zunächst in sich geschlossene Metallbe­ schichtung kann durch unterschiedliche, dem Fachmann ge­ läufige Maßnahmen teilweise, nämlich von den oberen Berei­ chen der Kristallite, entfernt werden. Dies kann z. B. durch einen kurzzeitigen Ätzprozeß erfolgen. According to a further advantageous embodiment of the inventions The inventive method is on and between the Kri First of all, the first layer is stable enclosed metal coating attached in one closing process step is removed so far that the Metal coating only between the crystallites is there. The initially self-contained metal barrel Layering can be done by different, the expert current measures partially, namely from the upper areas Chen the crystallites are removed. This can e.g. B. done by a brief etching process.  

Als besonders vorteilhaft hat es sich jedoch erwiesen, wenn die zunächst in sich geschlossene Metallbeschichtung von den oberen Bereichen der Kristallite der ersten Schicht durch einen Temperprozeß in reduzierender oder inerter Atmosphäre bei einer Temperatur im Bereich von 400 bis 1000°C entfernt wird.However, it has proven to be particularly advantageous if the initially self-contained metal coating from the top areas of the crystallites of the first Layer through a tempering process in reducing or inert atmosphere at a temperature in the range of 400 to 1000 ° C is removed.

Nach einer vorteilhaften weiteren Ausgestaltung des Ver­ fahrens gemäß der Erfindung wird die Metallbeschichtung mittels eines Kathodenzerstäubungsprozesses angebracht. Die für einen derartigen Prozeß geeigneten Parameter sind dem Fachmann wohl bekannt. Es ist jedoch auch möglich, die Metallbeschichtung durch andere geeignete Verfahren abzu­ scheiden, bei Anwendung z. B. eines elektrisch leitenden Substrates kann z. B. auch an eine galvanische Metall­ abscheidung gedacht werden. Es kann auch beispielsweise ein selektiver CVD-Prozeß angewendet werden.According to an advantageous further embodiment of the Ver driving according to the invention is the metal coating attached by means of a sputtering process. The parameters suitable for such a process are well known to the expert. However, it is also possible that Metal coating by other suitable methods divorce when using z. B. an electrically conductive Substrate can e.g. B. also on a galvanic metal deposition. It can also, for example a selective CVD process can be used.

Im folgenden wird die Erfindung anhand eines Ausführungs­ beispiels beschrieben und in ihrer Wirkungsweise erläu­ tert.The invention based on an embodiment described for example and explain their mode of action tert.

Ein Wolframsubstrat einer Dicke von 1 mm und eines Durch­ messers von 4 cm wird mit Diamantschleifkörnern eines Durchmessers von 1 bis 3 µm vorgeschliffen. Bei einem Druck von 50 mbar, einem Methan (0,5%) /Wasserstoff-Strom von 500 sccm und einer Substrattemperatur von 900°C wird in einem Mikrowellenplasma-Reaktor über eine Dauer von 4 h eine zu etwa zu 70% geschlossene Schicht aus Diamant-Kri­ stalliten eines Durchmessers im Bereich von 0,5 bis mehrere µm abgeschieden. Diese erste Schicht wird in einem Kathodenzerstäubungsprozeß unter Argonatmosphäre eines Drucks von 0,05 mbar bei einem Abstand zwischen Target und Substrat von 30 mm über eine Dauer von 12 min mit einer geschlossenen Goldschicht einer Dicke von etwa 200 nm vollständig bedeckt. A tungsten substrate 1 mm thick and through knife of 4 cm with diamond abrasive grains Diameter of 1 to 3 µm pre-ground. At a Pressure of 50 mbar, a methane (0.5%) / hydrogen stream of 500 sccm and a substrate temperature of 900 ° C in a microwave plasma reactor over a period of 4 h an approximately 70% closed layer of diamond crystal stallites with a diameter in the range from 0.5 to deposited several µm. This first layer is in one Cathode sputtering process under an argon atmosphere Pressure of 0.05 mbar at a distance between the target and Substrate of 30 mm over a period of 12 min with a closed gold layer with a thickness of about 200 nm completely covered.  

Durch einen anschließenden Temperprozeß einer Dauer von 30 min in einer Wasserstoffatmosphäre einer Temperatur von 850°C und eines Drucks von 30 mbar wird die zunächst ge­ schlossene Goldschicht von den oberen Bereichen der Kri­ stallite entfernt, derart, daß das Gold nur noch die Zwi­ schenräume zwischen den Kristalliten gleichmäßig ausfüllt, die Spitzen der Kristallite jedoch wieder freigibt. Auf den auf diese Weise freigelegten Diamant-Kristalliten wird unter den oben genannten Bedingungen bei einer Prozeßdauer von 9 h eine zweite, nunmehr geschlossene Schicht einer Dicke von etwa 3 µm aus Diamant-Kristalliten erzeugt. Mit dem beschriebenen Verfahren wurde eine Diamant/Metall-Kom­ positschicht hergestellt, die die typische gelbe Goldfarbe hat und im Rasterelektronenmikroskop eine geschlossene Oberfläche aus Diamant-Kristalliten aufweist. Derartige Schichten sind auch zum Beispiel für dekorative Zwecke gut geeignet.Through a subsequent annealing process with a duration of 30 min in a hydrogen atmosphere at a temperature of 850 ° C and a pressure of 30 mbar is initially ge closed gold layer from the top of the kri stallite removed, so that the gold only the twos fills spaces between the crystallites evenly, however releases the tips of the crystallites. On the diamond crystallites exposed in this way under the above conditions with a process duration from 9 h a second, now closed layer one A thickness of approximately 3 µm is produced from diamond crystallites. With a diamond / metal com Made of positive layer, which has the typical yellow gold color and has a closed one in the scanning electron microscope Has surface of diamond crystallites. Such Layers are also good for decorative purposes, for example suitable.

In diesem Beispiel wurde als Substratmaterial Wolfram ein­ gesetzt. Insbesondere für die Abscheidung von polykri­ stallinen Diamantschichten sind eine Vielzahl von anderen Metallen oder Metallverbindungen gut geeignet, zum Bei­ spiel alle Refraktärmetalle und ihre Verbindungen, wie beispielsweise Carbide; Silicium sowie Siliciumoxid und Siliciumnitrid.In this example, tungsten was used as the substrate material set. Especially for the separation of polycri stallinen diamond layers are a variety of others Metals or metal compounds well suited to the play all refractory metals and their compounds like for example carbides; Silicon and silicon oxide and Silicon nitride.

Für das Anbringen der Metallbeschichtung wurde für das Ausführungsbeispiel mit einem Kathodenzerstäubungsprozeß gearbeitet. Es ist jedoch möglich, auch andere Physical Vapour Deposition-Prozesse (PVD) einzusetzen. Es ist eben­ falls möglich, die Metallbeschichtung aus einer flüssigen Phase zu erreichen. Wenn beispielsweise ein elektrisch leitendes Substrat eingesetzt wird und ein selektiver Ab­ scheidungsprozeß gewünscht wird, kann ein galvanisches Verfahren angewendet werden.For the application of the metal coating was for the Embodiment with a sputtering process worked. However, it is possible to use other physical Use vapor deposition processes (PVD). It is just if possible, the metal coating from a liquid Phase. For example, if an electric conductive substrate is used and a selective Ab divorce process, a galvanic Procedures are applied.

Für die Abscheidung der Metallbeschichtung sind darüber hinaus auch Prozesse geeignet, die mittels chemischer Gas­ phasenabscheidung (CVD) arbeiten.For the deposition of the metal coating are above Processes that use chemical gas are also suitable phase separation (CVD) work.

Claims (18)

1. Verfahren zur Abscheidung polykristalliner Schichten aus einer Kohlenstoff-haltige Gase enthaltenden Gasphase mittels chemischer Gasphasenabscheidung (CVD), bei dem die abzuscheidenden Kristallite aus der energetisch aktivier­ ten Gasphase bei einem Druck im Bereich von 10-5 bis 1 bar an einem, auf eine Temperatur im Bereich von 350 bis 1200°C aufgeheizten Substrat abgeschieden werden, dadurch gekennzeichnet, daß auf dem Substrat in einem ersten Prozeßschritt eine erste, nicht vollständig geschlossene, aus einzelnen Kri­ stalliten aufgebaute Schicht abgeschieden wird, daß die Zwischenräume zwischen den einzelnen Kristalliten in einem anschließenden Prozeßschritt mit einer Metall­ beschichtung aufgefüllt werden und daß in einem weiteren Prozeßschritt eine zweite, nunmehr vollständig ge­ schlossene Schicht aus Kristalliten auf den von der Matrix der Metallbeschichtung umgebenen Kristalliten der ersten Schicht abgeschieden wird.1. A process for the deposition of polycrystalline layers from a gas phase containing carbon-containing gases by means of chemical vapor deposition (CVD), in which the crystallites to be separated from the energetically activated gas phase at a pressure in the range from 10 -5 to 1 bar at a, on a Temperature in the range of 350 to 1200 ° C heated substrate are deposited, characterized in that a first, not completely closed layer composed of individual crystallites is deposited on the substrate in a first process step, that the spaces between the individual crystallites in one subsequent process step are filled with a metal coating and that in a further process step a second, now completely closed layer of crystallites is deposited on the crystallites of the first layer surrounded by the matrix of the metal coating. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Kristallite Carbide abgeschieden werden.2. The method according to claim 1, characterized, that are deposited as crystallites carbides. 3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß Diamantkristallite abgeschieden werden. 3. The method according to claim 1, characterized, that diamond crystallites are deposited.   4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Diamantkristallite aus einer Wasserstoff- und < 50% eines Kohlenstoff-haltigen Gases enthaltenden Gasphase an dem Substrat abgeschieden werden.4. The method according to claim 3, characterized, that the diamond crystallites from a hydrogen and <50% a gas phase containing carbon-containing gas be deposited on the substrate. 5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß als Reaktionsgas Wasserstoff mit einem Zusatz von 0,5% eines Kohlenwasserstoffgases eingesetzt wird.5. The method according to claim 4, characterized, that as reaction gas hydrogen with an addition of 0.5% a hydrocarbon gas is used. 6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß als Kohlenwasserstoffgas Methylgruppen enthaltende Kohlenwasserstoffgase eingesetzt werden.6. The method according to claim 5, characterized, that as a hydrocarbon gas containing methyl groups Hydrocarbon gases are used. 7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß als Kohlenwasserstoffgas Methan eingesetzt wird.7. The method according to claim 6, characterized, that methane is used as the hydrocarbon gas. 8. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß auf und zwischen den Kristalliten der ersten Schicht eine zunächst in sich geschlossene Metallbeschichtung angebracht wird, die in einem anschließenden Prozeßschritt soweit entfernt wird, daß die Metallbeschichtung nur noch zwischen den Kristalliten vorhanden ist.8. The method according to at least one of claims 1 to 7, characterized, that on and between the crystallites of the first layer an initially self-contained metal coating is attached in a subsequent process step is removed so far that the metal coating only is present between the crystallites. 9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallbeschichtung von den oberen Bereichen der Kristallite durch einen Temperprozeß in reduzierender oder inerter Atmosphäre bei einer Temperatur im Bereich von 400 bis 1000°C entfernt wird. 9. The method according to claim 8, characterized, that the metal coating from the top of the Crystallites through a tempering process in reducing or inert atmosphere at a temperature in the range of 400 up to 1000 ° C is removed.   10. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallbeschichtung zwischen den Kristalliten der ersten Schicht mittels eines selektiven Abscheidungs­ verfahrens angebracht wird.10. The method according to at least one of claims 1 to 7, characterized, that the metal coating between the crystallites of the first layer by means of a selective deposition procedure is attached. 11. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß als Material für die Metallbeschichtung Gold gewählt wird.11. The method according to at least one of claims 1 until 10, characterized, that gold was chosen as the material for the metal coating becomes. 12. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß als Material für die Metallbeschichtung Kupfer gewählt wird.12. The method according to at least one of claims 1 to 10, characterized, that chosen as the material for the metal coating copper becomes. 13. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß als Material für die Metallbeschichtung Wolfram ge­ wählt wird.13. The method according to at least one of claims 1 to 10, characterized, that ge as a material for the metal coating is chosen. 14. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß als Substratmaterial Refraktärmetalle oder ihre Ver­ bindungen eingesetzt werden.14. The method according to at least one of claims 1 to 13, characterized, that as a substrate material, refractory metals or their ver bindings are used. 15. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß als Substratmaterial Wolfram eingesetzt wird. 15. The method according to claim 14, characterized, that tungsten is used as the substrate material.   16. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß als Substratmaterial Wolframcarbid/Kobalt eingesetzt wird.16. The method according to claim 14, characterized, that tungsten carbide / cobalt is used as the substrate material becomes. 17. Anwendung des Verfahrens gemäß den Ansprüchen 1 bis 16 zur Verbesserung der Oberflächenverschleißfestig­ keit von Werkstücken.17. Application of the method according to claims 1 to 16 to improve the surface wear resistance of workpieces. 18. Anwendung des Verfahrens gemäß den Ansprüchen 1 bis 16 zur Oberflächeneinfärbung von Werkstücken.18. Application of the method according to claims 1 up to 16 for surface coloring of workpieces.
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