DE4024780A1 - Ceramic membrane pressure sensor - has central membrane zone with stiffening region enclosed by inner strain zone and strengthening zone leading to frame section - Google Patents

Ceramic membrane pressure sensor - has central membrane zone with stiffening region enclosed by inner strain zone and strengthening zone leading to frame section

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DE4024780A1 DE19904024780 DE4024780A DE4024780A1 DE 4024780 A1 DE4024780 A1 DE 4024780A1 DE 19904024780 DE19904024780 DE 19904024780 DE 4024780 A DE4024780 A DE 4024780A DE 4024780 A1 DE4024780 A1 DE 4024780A1
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    • G01L9/0055Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements bonded on a diaphragm

Abstract

A pressure sensor has a ceramic sensor element with a central zone in the form of a membrane with a plane top side. The outer zones form a frame for the membrane. The top side of the membrane carries piezoresistive thick film resistances (21, 22). The membrane (15) has at least one thickened stiffening region (16) enclosed by a thinner strain region (18) and a strengthening region (17) in which it increases uniformly in thickness from the strain region towards the frame (11). ADVANTAGE - Has high resistance to overpressure and produces large useful signal.

Description

Stand der TechnikState of the art

Die Erfindung geht aus von einem Drucksensor nach der Gattung des Hauptanspruchs.The invention is based on a pressure sensor of the type of Main claim.

Es ist bekannt, als Sensorelement eines Drucksensors ein Formkera­ mikteil zu verwenden, das eine in einem Rahmen ausgebildete Membran aufweist. Die Membran hat plane Oberflächen und ist gleichmäßig dünn ausgebildet. Eine Oberseite der Membran dient als Grundsubstrat für rechteckige, piezoresistive Dickschicht-Meßwiderstände. Mit solchen Sensorelementen lassen sich im Verhältnis zum zu messenden Druck nur geringe Nutzsignale erzeugen. Gleichzeitig ist das Sensorelement nur bedingt belastbar und weist bei höheren Drücken ein kritisches Berstverhalten auf.It is known to use a molded ceramic as the sensor element of a pressure sensor to use mikteil, which is a membrane formed in a frame having. The membrane has flat surfaces and is evenly thin educated. An upper side of the membrane serves as the base substrate for rectangular, piezoresistive thick-film measuring resistors. With such Sensor elements can only be compared to the pressure to be measured generate low useful signals. At the same time, the sensor element is only conditionally resilient and has a critical pressure at higher pressures Bursting behavior.

Vorteile der ErfindungAdvantages of the invention

Der erfindungsgemäße Sensor mit den kennzeichnenden Merkmalen des Hauptanspruchs hat demgegenüber den Vorteil, daß das Sensorelement eine hohe Überdruckfestigkeit aufweist und gleichzeitig ein starkes Nutzsignal liefert. Dies wird durch eine Versteifungszone in der Membran des Sensorelements erreicht, die von einem Bereich maximaler Zugspannung umgeben ist. Verstärkt wird dieser Effekt noch dadurch, daß die Membran von dem Bereich maximaler Zugspannung ausgehend bis an den Rahmen heranreichend mit zunehmendem Radius dicker werdend ausgebildet ist. Dadurch wird die Zugspannung auf der Unter­ seite der Membran gleichmäßiger abgebaut, was die Berstfestigkeit wesentlich erhöht. Vorteilhaft ist außerdem, daß sich der Sensor durch variable Ausgestaltung des Sensorelements einfach für ver­ schiedene Meßbereiche auslegen läßt, indem die Bereiche maximaler Zug- bzw. Schubspannungen der Membran des Sensorelementes optimiert werden. Besonders günstig ist außerdem die Hybridintegrierbarkeit von Sensorelement und Auswerteschaltung.The sensor according to the invention with the characteristic features of The main claim has the advantage that the sensor element has a high overpressure resistance and at the same time a strong one Provides useful signal. This is due to a stiffening zone in the Membrane of the sensor element reached by an area of maximum Tension is surrounded. This effect is reinforced by that the membrane starts from the area of maximum tensile stress  up to the frame thicker with increasing radius being trained. This will pull the tension on the lower side of the membrane degraded more uniformly, which rupture strength significantly increased. It is also advantageous that the sensor by variable design of the sensor element easy for ver different measuring ranges can be designed by making the ranges maximum Tension and shear stresses of the membrane of the sensor element optimized will. Hybrid integration is also particularly favorable of sensor element and evaluation circuit.

Durch die in den Unteransprüchen aufgeführten Maßnahmen sind vor­ teilhafte Weiterbildungen des im Hauptanspruch angegebenen Sensors möglich. Die Empfindlichkeit des Sensors kann vorteilhaft dadurch erhöht werden, daß die Dickschichtwiderstände in den Bereichen maxi­ maler Zugspannung und maximaler Schubspannung auf der Membran des Sensorelementes angeordnet sind und zudem in der Form dieser Be­ reiche ausgestaltet sind. Bei dieser Anpassung der Meßwiderstände an die Geometrie der Zonen maximaler Dehnung bzw. Verkürzung können die Deformationen der Membran optimal in Nutzsignale umgesetzt werden. Als besonders günstig erweisen sich Sensorelemente mit einer runden oder ovalen Versteifungszone im Mittelbereich der Membran. Durch diese Versteifungszone wird der Bereich maximaler Zugspannung auf einen Kreisring bzw. ein Oval um die Versteifungszone verlagert. Vorteilhaft bei dieser Ausgestaltung des Sensorelementes ist es, die Dickschicht-Widerstände als Kreissegmente bzw. Ovalsegmente auszulegen und in dem Kreisringbereich bzw. Ovalbereich um die Versteifungszone, der dem Bereich maximaler Dehnung entspricht, anzuordnen. Außerdem ist es günstig, auch im Bereich der maximalen Schubspannung entsprechend ausgeführte Dickschichtwiderstände anzuordnen. Das Sensorelement kann aber auch vorteilhaft mit einer eckigen Versteifungszone ausgestattet sein, auf deren Geometrie die Ausgestaltung des Zugspannungsbereichs, der Verstärkungszone und der Dickschichtwiderstände abgestimmt ist. The measures listed in the subclaims provide for partial developments of the sensor specified in the main claim possible. The sensitivity of the sensor can be advantageous be increased that the thick-film resistances in the areas maxi painterly tensile stress and maximum shear stress on the membrane of the Sensor element are arranged and also in the form of this loading are richly designed. With this adjustment of the measuring resistors the geometry of the zones of maximum elongation or shortening can Deformations of the membrane can be optimally converted into useful signals. Sensor elements with a round turn out to be particularly favorable or oval stiffening zone in the central area of the membrane. By this stiffening zone becomes the area of maximum tensile stress moved a circular ring or oval around the stiffening zone. It is advantageous in this embodiment of the sensor element that Thick film resistors as circular segments or oval segments to design and in the circular ring area or oval area around the Stiffening zone corresponding to the area of maximum elongation, to arrange. It is also cheap, even in the maximum range Shear stress corresponding to thick film resistors to arrange. The sensor element can also be advantageous with a square stiffening zone, on whose geometry the Design of the tension area, the reinforcement zone and the Thick film resistors is matched.  

Zeichnungdrawing

Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in der Zeichnung darge­ stellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert. Es zeigenAn embodiment of the invention is shown in the drawing represents and explained in more detail in the following description. It demonstrate

Fig. 1 den Schnitt durch ein Sensorelement und Fig. 1 shows the section through a sensor element and

Fig. 2 die Aufsicht auf dieses Sensorelement. Fig. 2 shows the supervision of this sensor element.

Beschreibung der ErfindungDescription of the invention

In Fig. 1 ist mit 10 ein Sensorelement bezeichnet. Das Sensorele­ ment 10 ist üblicherweise ein Formkeramikteil kann aber auch ein an­ derer Keramikkörper sein. Aus dem Keramikkörper ist eine Membran 15 in einem Rahmen 11 ausgebildet. Eine Oberfläche 12 des Sensorele­ ments 10 ist plan. Auf der Unterseite der Membran 15 ist im Mittel­ bereich eine Versteifungszone 16 so ausgebildet, daß die Membran in diesem Bereich dicker ist, als in einem Zugspannungsbereich 18 rund um die Versteifungszone 16. An den Zugspannungsbereich 18 schließt sich eine Verstärkungszone 17 an, die bis an den Rahmen 11 reicht. Die Membran 15 ist in der Verstärkungszone 17 mit zunehmendem Abstand von dem Zugspannungsbereich 18 dicker werdend ausgebildet. Der Druckanschluß für das Sensorelement 10 erfolgt von unten und ist in Fig. 1 durch einen Pfeil gekennzeichnet. Auf der planen Ober­ fläche 12 der Membran 15 sind im Zugspannungsbereich 18 Dickschicht­ widerstände 22 und im Bereich der Verstärkungszone 17 Dickschicht­ widerstände 21 aufgebracht. Die Dickschichtwiderstände 22 dienen dazu, die bei einem Druckanschluß auftretenden Dehnungen im Zug­ spannungsbereich 18 zu erfassen, während mit den Dickschichtwider­ ständen 21 die Stauchung der Membran 15 im Schubspannungsbereich 17 erfaßt wird.In Fig. 1, 10 denotes a sensor element. The sensor element 10 is usually a molded ceramic part but can also be a ceramic body. A membrane 15 is formed from the ceramic body in a frame 11 . A surface 12 of the sensor element 10 is flat. On the underside of the membrane 15 , a stiffening zone 16 is formed in the central area so that the membrane is thicker in this area than in a tension area 18 around the stiffening zone 16 . A reinforcement zone 17 adjoins the tension area 18 and extends to the frame 11 . The membrane 15 is formed thicker in the reinforcement zone 17 with increasing distance from the tension area 18 . The pressure connection for the sensor element 10 takes place from below and is identified by an arrow in FIG. 1. On the flat upper surface 12 of the membrane 15 18 thick film resistors 22 are in the tension area and 17 thick film resistors 21 are applied in the region of the reinforcement zone. The thick-film resistors 22 are used to detect the stresses in the tension area 18 that occur during a pressure connection, while the thick-film resistors 21 are used to detect the compression of the membrane 15 in the shear stress area 17 .

In Fig. 2 ist die Oberseite 12 des Sensorelements 10 dargestellt. Sie dient als Grundsubstrat für die Dickschichtwiderstände 21, 22. Mit den gestrichelten Linien sind die Abgrenzungen der verschiedenen Bereiche: Rahmen 11, Verstärkungszone 17, Zugspannungsbereich 18 und Versteifungszone 16 des Sensorelements 10 angedeutet. Die Verstei­ fungszone 16 ist bei diesem Sensorelement 10 kreisrund ausgebildet kann aber auch oval oder eckig sein. Abgestimmt auf die Form der Versteifungszone 16 ist der Zugspannungsbereich 18 in diesem Bei­ spiel kreisringförmig. Im Zugspannungsbereich 18 der Oberfläche 12 sind zwei kreissegmentförmig ausgestaltete, der Form des Zug­ spannungsbereichs 18 angepaßte Dickschichtwiderstände 22 einander gegenüber angeordnet. Die Ausgestaltung der Dickschichtwiderstände als Segmente der Form des Zugspannungsbereichs 18 ermöglicht es, die Deformation der Membran 15 im Bereich maximaler Dehnung optimal in ein Nutzsignal umzusetzen. Auch die Dickschichtwiderstände 21 sind kreissegmentförmig aber im Bereich der Verstärkungszone 17 angeord­ net, wo die größte Schubspannung bei einer Druckeinwirkung auftritt. In diesem Beispiel sind sowohl im Bereich der Verstärkungszone 17, dem Schubspannungsbereich, als auch im Zugspannungsbereich 18 jeweils zwei Dickschichtwiderstände 21, 22 einander gegenüber angeordnet. Die Anzahl und die Anordnung der Widerstände in diesen Bereichen der Membran 15 können jedoch je nach Anwendung und Aus­ gestaltung des Sensorelements 10 gewählt werden. Durch die Ver­ steifungszone 16 in der Mitte der Membran 15 und die Ausgestaltung der Verstärkungszone 17 wird der Bereich maximaler Zugspannung auf den Zugspannungsbereich 18 verlagert. Die Verstärkung der Membran 15 im Außenbereich dient außerdem dazu, die Zugspannung auf der Unter­ seite der Membran 15 gleichmäßig abzubauen, um die Berstfestigkeit des Sensorelements 10 so groß wie möglich zu machen. Die erfindungs­ gemäße Ausgestaltung des Sensorelements ermöglicht eine präzise, pneumatische oder hydraulische Druckmessung bei gleichzeitiger hoher Überdruckfestigkeit des Sensorelements.In FIG. 2, the top 12 is shown of the sensor element 10. It serves as the basic substrate for the thick-film resistors 21 , 22 . The dashed lines indicate the boundaries of the different areas: frame 11 , reinforcement zone 17 , tension area 18 and stiffening zone 16 of sensor element 10 . The reinforcement zone 16 is circular in this sensor element 10 but can also be oval or angular. Matched to the shape of the stiffening zone 16 , the tensile stress region 18 is circular in this example. In the tensile stress region 18 of the surface 12 , two thick-film resistors 22 configured in the shape of a segment of a circle, adapted to the shape of the tensile stress region 18, are arranged opposite one another. The configuration of the thick-film resistors as segments of the shape of the tensile stress region 18 makes it possible to optimally convert the deformation of the membrane 15 into a useful signal in the region of maximum elongation. The thick-film resistors 21 are in the form of a segment of a circle but are arranged in the region of the reinforcement zone 17 , where the greatest shear stress occurs when pressure is applied. In this example, two thick-film resistors 21 , 22 are arranged opposite one another both in the region of the reinforcement zone 17 , the shear stress region, and in the tensile stress region 18 . The number and arrangement of the resistors in these areas of the membrane 15 can, however, be selected depending on the application and design of the sensor element 10 . By the stiffening zone 16 in the middle of the membrane 15 and the configuration of the reinforcement zone 17 , the area of maximum tension is shifted to the tension area 18 . The reinforcement of the membrane 15 in the outer region also serves to evenly reduce the tensile stress on the underside of the membrane 15 in order to make the bursting strength of the sensor element 10 as large as possible. The design of the sensor element according to the invention enables precise, pneumatic or hydraulic pressure measurement with a high overpressure strength of the sensor element.

Claims (5)

1. Drucksensor mit einem Keramik-Sensorelement, bei dem die Mittelzone als Membran ausgebildet ist, deren eine Oberseite plan ist, und bei dem die Außenzone einen Rahmen für die Membran bildet und mit auf die plane Oberfläche der Membran aufgebrachten piezo­ resistiven Dickschichtwiderständen, dadurch gekennzeichnet, daß die Membran (15) mindestens eine Versteifungszone (16) aufweist, in der die Membran (15) dicker ausgebildet ist als in einem Zugspannungs­ bereich (18) rund um die Versteifungszone (16) und daß die Membran (15) mindestens eine Verstärkungszone (17) aufweist, in der die Mem­ bran (15) vom Zugspannungsbereich (18) ausgehend in den Rahmen (11) mündend gleichmäßig dicker werdend ausgebildet ist.1. Pressure sensor with a ceramic sensor element in which the central zone is designed as a membrane, the top surface of which is planar, and in which the outer zone forms a frame for the membrane and with piezo-resistive thick-film resistors applied to the flat surface of the membrane, characterized in that in that the membrane (15) has at least one reinforcement zone (16), in which the membrane is made thicker (15) than in a tensile stress region (18) around the reinforcement zone (16) and that the membrane (15) at least one gain region ( 17 ), in which the membrane ( 15 ) from the tension area ( 18 ) starting in the frame ( 11 ) is formed evenly thicker. 2. Drucksensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß minde­ stens ein Dickschichtwiderstand (22) auf die plane Oberfläche (12) der Membran (15) im Zugspannungsbereich (18) aufgebracht ist.2. Pressure sensor according to claim 1, characterized in that at least one thick-film resistor ( 22 ) is applied to the flat surface ( 12 ) of the membrane ( 15 ) in the tension area ( 18 ). 3. Drucksensor nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens ein Dickschichtwiderstand (21) auf die plane Ober­ fläche (12) der Membran (15) im Bereich der Verstärkungszone (17), dem Schubspannungsbereich, aufgebracht ist. 3. Pressure sensor according to claim 1 or 2, characterized in that at least one thick-film resistor ( 21 ) on the flat upper surface ( 12 ) of the membrane ( 15 ) in the region of the reinforcement zone ( 17 ), the shear stress area, is applied. 4. Drucksensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Dickschichtwiderstände (21, 22) die Form von Segmenten des Zugspannungsbereichs (18) haben.4. Pressure sensor according to one of the preceding claims, characterized in that the thick-film resistors ( 21 , 22 ) have the shape of segments of the tension area ( 18 ). 5. Drucksensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Membran (15) in ihrem Mittelbereich eine runde, ovale oder eckige Versteifungszone (16) aufweist, die ent­ sprechend der Form der Versteifungszone (16) von einem kreisring­ förmigen, ovalen oder eckigen Zugspannungsbereich (18) umgeben ist, daß zwei Dickschichtwiderstände (22) gegenüber auf der planen Ober­ fläche (12) der Membran (15) im Zugspannungsbereich (18) angeordnet sind und daß zwei Dickschichtwiderstände (21) gegenüber auf der planen Oberfläche (12) der Membran (15) im Bereich der Verstärkungs­ zone (17) angeordnet sind.5. Pressure sensor according to one of the preceding claims, characterized in that the membrane ( 15 ) in its central region has a round, oval or angular stiffening zone ( 16 ) which accordingly the shape of the stiffening zone ( 16 ) from an annular, oval or angular tensile stress area ( 18 ) is surrounded by two thick-film resistors ( 22 ) opposite on the flat upper surface ( 12 ) of the membrane ( 15 ) in the tensile stress area ( 18 ) and that two thick-film resistors ( 21 ) opposite on the flat surface ( 12 ) the membrane ( 15 ) in the region of the reinforcement zone ( 17 ) are arranged.
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4215722A1 (en) * 1992-05-13 1993-11-25 Bosch Gmbh Robert Membrane used in sensors - comprising membrane stretched by elastic connection in frame of single crystalline silicon@
WO2000055589A1 (en) * 1999-03-01 2000-09-21 Sintef Sensor element
WO2004080885A2 (en) * 2003-03-11 2004-09-23 Robert Bosch Gmbh Membrane sensor
DE102005004603B3 (en) * 2005-02-01 2006-06-08 Siemens Ag Pressure sensor for use in automobile field, has membrane like support and dielectric layer arranged between support and thick film resistances, and between thick film conducting paths and support
WO2007073994A1 (en) 2005-12-22 2007-07-05 Robert Bosch Gmbh Micromechanical sensor element
DE102008000439A1 (en) * 2008-02-28 2009-09-10 Wika Alexander Wiegand Gmbh & Co. Kg Pressure transducer with a membrane
DE19824401B4 (en) * 1998-05-30 2009-11-19 Robert Bosch Gmbh Process for the preparation of a sensor membrane substrate
US20100251826A1 (en) * 2007-12-05 2010-10-07 Electronics And Telecommunications Research Institute Micro piezoresistive pressure sensor and manufacturing method thereof
US9851272B2 (en) 2015-02-06 2017-12-26 Viatran Corporation Pressure sensor diaphragm

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1226806B (en) * 1960-11-29 1966-10-13 Siemens Ag Load cell
US3325761A (en) * 1965-01-11 1967-06-13 Electro Optical Systems Inc Pressure transducer
US3335381A (en) * 1965-07-06 1967-08-08 Stratham Instr Inc Duplex flexure for force transducer
DE1473689B2 (en) * 1964-04-24 1973-10-31 Baldwin-Lima-Hamilton Corp., Philadelphia, Pa. (V.St.A.) Electrical pressure transducer
EP0321225A2 (en) * 1987-12-14 1989-06-21 Medex, Inc. Pressure transducer with conductive polymer bridge

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1226806B (en) * 1960-11-29 1966-10-13 Siemens Ag Load cell
DE1473689B2 (en) * 1964-04-24 1973-10-31 Baldwin-Lima-Hamilton Corp., Philadelphia, Pa. (V.St.A.) Electrical pressure transducer
US3325761A (en) * 1965-01-11 1967-06-13 Electro Optical Systems Inc Pressure transducer
US3335381A (en) * 1965-07-06 1967-08-08 Stratham Instr Inc Duplex flexure for force transducer
EP0321225A2 (en) * 1987-12-14 1989-06-21 Medex, Inc. Pressure transducer with conductive polymer bridge

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Sov. Inv. Ill. Week A45/20.12.1978, SU-R1, p. 7-8 SU-585-416 *
Technisches Messen 56(1989)6, S. 243-249 *

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4215722A1 (en) * 1992-05-13 1993-11-25 Bosch Gmbh Robert Membrane used in sensors - comprising membrane stretched by elastic connection in frame of single crystalline silicon@
DE19824401B4 (en) * 1998-05-30 2009-11-19 Robert Bosch Gmbh Process for the preparation of a sensor membrane substrate
WO2000055589A1 (en) * 1999-03-01 2000-09-21 Sintef Sensor element
US6595063B1 (en) 1999-03-01 2003-07-22 Sintef Sensor element especially for pressure sensors
US7279759B2 (en) 2003-03-11 2007-10-09 Robert Bosch Gmbh Membrane sensor
WO2004080885A2 (en) * 2003-03-11 2004-09-23 Robert Bosch Gmbh Membrane sensor
WO2004080885A3 (en) * 2003-03-11 2004-11-11 Bosch Gmbh Robert Membrane sensor
US7484421B2 (en) 2005-02-01 2009-02-03 Siemens Aktiengesellschaft Force sensor
DE102005004603B3 (en) * 2005-02-01 2006-06-08 Siemens Ag Pressure sensor for use in automobile field, has membrane like support and dielectric layer arranged between support and thick film resistances, and between thick film conducting paths and support
WO2007073994A1 (en) 2005-12-22 2007-07-05 Robert Bosch Gmbh Micromechanical sensor element
US7918136B2 (en) 2005-12-22 2011-04-05 Robert Bosch Gmbh Micromechanical sensor element
US20100251826A1 (en) * 2007-12-05 2010-10-07 Electronics And Telecommunications Research Institute Micro piezoresistive pressure sensor and manufacturing method thereof
US8261617B2 (en) * 2007-12-05 2012-09-11 Electronics And Telecomunications Research Institute Micro piezoresistive pressure sensor and manufacturing method thereof
DE102008000439A1 (en) * 2008-02-28 2009-09-10 Wika Alexander Wiegand Gmbh & Co. Kg Pressure transducer with a membrane
DE102008000439B4 (en) * 2008-02-28 2011-03-17 Wika Alexander Wiegand Gmbh & Co. Kg Pressure transducer with a membrane
US9851272B2 (en) 2015-02-06 2017-12-26 Viatran Corporation Pressure sensor diaphragm

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