DE4005813A1 - Load current monitor for electronically switched load - compares voltage drop across series measuring resistance with voltage drop across reference resistance - Google Patents
Load current monitor for electronically switched load - compares voltage drop across series measuring resistance with voltage drop across reference resistanceInfo
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Abstract
Description
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Überwachung des Laststromes eines elektronisch geschalteten Verbrauchers nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 (DE-OS 20 37 498).The invention relates to a device for monitoring the Load current of an electronically switched consumer the preamble of claim 1 (DE-OS 20 37 498).
Die bekannte Einrichtung offenbart einen Kurzschlußschutz für ein elektronisches Steuergerät, bei welchem der Verbraucher über eine bistabile Kippstufe mit Spannung versorgt wird. Diese Kippstufe wird mit kurzen Impulsen ein- und ausgeschaltet. Kurzschlüsse am Verbraucher und Überlastungen des im Steuerge rät befindlichen Schalttransistors werden dadurch verhindert, daß der Spannungsabfall an einem Meßwiderstand mit einer vorge gebenen Sollwertspannung verglichen wird und bei überschreiten derselben die Ansteuerung des Schalttransistors zurückgenommen wird.The known device discloses short-circuit protection for an electronic control unit in which the consumer is supplied with voltage via a bistable flip-flop. This flip-flop is switched on and off with short pulses. Short circuits at the consumer and overloads in the control area advised switching transistor are prevented that the voltage drop across a measuring resistor with a pre given setpoint voltage is compared and if exceeded the same the control of the switching transistor withdrawn becomes.
Gegenüber Störungen im Versorgungsnetz, insbesondere gegenüber Einschaltspannungsspitzen in Bordnetzen von Fahrzeugen, ist eine derartige Einrichtung sehr empfindlich.In relation to disruptions in the supply network, in particular in relation to Inrush voltage peaks in vehicle electrical systems such a device very sensitive.
Es ist deshalb Aufgabe der Erfindung, eine Vorrichtung zur Über wachung des Laststromes ohne empfindliche Kippstufe zu schaffen, welche einfach aufgebaut und in integrierter Schaltungstechnik herstellbar ist.It is therefore an object of the invention to provide a device for monitoring of the load current without creating a sensitive multivibrator, which are simply constructed and in integrated circuit technology can be produced.
Diese Aufgabe wird durch die im Kennzeichen des Anspruchs 1 ge nannten Merkmale gelöst.This object is achieved by the ge in the characterizing part of claim 1 mentioned characteristics solved.
Die Erfindung wird anhand der Zeichnung näher erläutert:The invention is explained in more detail with reference to the drawing:
Zwischen dem Pluspol +U und dem Minuspol -U einer Spannungsquel le liegt eine Reihenschaltung aus einem Meßwiderstand RS, der Laststrecke eines Schalttransistors TS, der als MOS-Feldeffekt transistor ausgebildet ist, und einem Verbraucher L, der als Erregerwicklung eines Relais dargestellt ist. Dabei liegt der Meßwiderstand RS zwischen dem Pluspol +U und dem Drain des Schalttransistors TS und liegt der Verbraucher L zwischen dem Minuspol -U und der Source des Schalttransistors TS. Von einer Steuerschaltung ST wird das Gate G des Schalttransistors TS an gesteuert, d. h., der Schalttransistor ein- und ausgeschaltet.Between the positive pole + U and the negative pole -U of a voltage source le is a series connection of a measuring resistor RS, the Load path of a switching transistor TS, which acts as a MOS field effect transistor is formed, and a consumer L, which as Excitation winding of a relay is shown. Here lies the Measuring resistor RS between the positive pole + U and the drain of the Switching transistor TS and the consumer L is between the Minus pole -U and the source of the switching transistor TS. From one Control circuit ST turns on the gate G of the switching transistor TS controlled, d. that is, the switching transistor is turned on and off.
Zwischen den beiden Polen der Spannungsquelle - also parallel zum Laststromkreis des Verbraucher L - liegt eine Reihenschal tung aus drei Widerständen R1, R2 und R3. Parallel zum mittle ren Widerstand R2 liegt die Kollektor-Emitter-Strecke eines zweiten Transistors T1, dessen Basis und Kollektor miteinander verbunden sind.Between the two poles of the voltage source - that is, parallel to the load circuit of the consumer L - is a series circuit consisting of three resistors R 1 , R 2 and R 3 . The collector-emitter path of a second transistor T 1 , whose base and collector are connected to one another, lies parallel to the middle resistor R 2 .
Zur Spannungsstabilisierung ist parallel zu den Widerständen R1 und R2 eine Zenerdiode D geschaltet.A Zener diode D is connected in parallel with the resistors R 1 and R 2 for voltage stabilization.
Mit der Basis des zweiten Transistors T1 ist die Basis eines dritten Transistors T2 verbunden, dessen Emitter mit dem Drain des Schalttransistors TS verbunden ist. Der Kollektor des drit ten Transistors T2 ist über einen aus zwei Widerständen R4 und R5 bestehenden Spannungsteiler mit dem Minuspol -U der Span nungsquelle verbunden. Die beiden Transistoren T1 und T2 sind pnp-Transistoren und bilden eine Stromspiegelschaltung.The base of a third transistor T 2 is connected to the base of the second transistor T 1 , the emitter of which is connected to the drain of the switching transistor TS. The collector of the third transistor T 2 is connected via a voltage divider consisting of two resistors R 4 and R 5 to the negative pole -U of the voltage source. The two transistors T 1 and T 2 are pnp transistors and form a current mirror circuit.
Der Verbindungspunkt zwischen den beiden Widerständen R4 und R5 ist mit der Basis eines vierten Transistors T3 verbunden, dessen Kollektor über einen Widerstand R6 mit dem Pluspol +U der Spannungsquelle oder einer anderen Versorgungsspannung ver bunden ist, während der Emitter mit dem Minuspol der Spannungs quelle verbunden ist. Der Kollektor des vierten Transistors T3 bildet zugleich den Ausgang der Überwachungsvorrichtung, an welchem ein Ausgangssignal A abgreifbar ist. The connection point between the two resistors R 4 and R 5 is connected to the base of a fourth transistor T 3 , the collector of which is connected via a resistor R 6 to the positive pole + U of the voltage source or another supply voltage, while the emitter is connected to the negative pole the voltage source is connected. The collector of the fourth transistor T 3 also forms the output of the monitoring device, at which an output signal A can be tapped.
Dieser Ausgang kann, was in der Zeichnung strichliert darge stellt ist, mit der Basis eines weiteren Transistors T4 ver bunden sein, dessen Kollektor mit dem Gate G des Schalttran sistors TS und dessen Emitter mit dem Minuspol -U verbunden ist.This output can, what is shown in dashed lines in the drawing, be connected to the base of a further transistor T 4 , the collector of which is connected to the gate G of the switching transistor TS and whose emitter is connected to the negative pole -U.
Ist die beschriebene Vorrichtung bei ausgeschaltetem Schalttran sistor TS mit der Spannungsquelle verbunden, so liegt die gesam te Spannung an der Drain-Source-Strecke des Schalttransistors TS und durch den Verbraucher L fließt kein Strom; er ist abge schaltet.Is the device described with the Schalttran switched off sistor TS connected to the voltage source, the total lies te voltage on the drain-source path of the switching transistor TS and no current flows through the consumer L; he's gone switches.
Ist der Steuertransistor TS durch Anlegen einer entsprechenden Steuerspannung an das Gate G geöffnet, so fließt ein Laststrom IDS vom Pluspol +U über den Meßwiderstand RS, die Drain-Source- Strecke des Schalttransistors TS und den Verbraucher L zum Mi nuspol -U.Is the control transistor TS by applying a corresponding one Control voltage to gate G opened, a load current flows IDS from the positive pole + U via the measuring resistor RS, the drain-source Route of the switching transistor TS and the consumer L to Mi nut pole -U.
Entsprechend der Größe des Laststromes IDS fällt an Meßwider stand RS eine zum Laststrom proportionale Spannung ab.Depending on the size of the load current IDS, there is a measuring resistor RS had a voltage proportional to the load current.
Dieser Spannungsabfall am Meßwiderstand RS wird mit dem Span nungsabfall am Widerstand R1 verglichen. Der Spannungsabfall am Widerstand R1 und die Basis-Emitter-Spannung des zweiten Tran sistors T1 sind vom Laststrom IDS unabhängig und mittels der Zenerdiode D konstant. Der Spannungsabfall am Meßwiderstand RS und die Basis-Emitter-Spannung des dritten Transistors T2 hinge gen sind vom Laststrom IDS abhängig. Mit steigendem Laststrom steigt der Spannungsabfall am Meßwiderstand und sinkt die Ba sis-Emitter-Spannung am Transistor T2.This voltage drop across the measuring resistor RS is compared with the voltage drop across the resistor R 1 . The voltage drop across resistor R 1 and the base-emitter voltage of the second transistor T 1 are independent of the load current IDS and constant by means of the Zener diode D. The voltage drop across the measuring resistor RS and the base-emitter voltage of the third transistor T 2 depend on the load current IDS. With increasing load current, the voltage drop across the measuring resistor increases and the base-emitter voltage at transistor T 2 drops.
Solange der Laststrom IDS unterhalb eines bestimmten Wertes bleibt, ist der Spannungsabfall am Meßwiderstand RS gering und die Basis-Emitter-Spannung am Transistor T2 ausreichend, so daß Transistor T2 geöffnet ist und vom Meßwiderstand RS durch ihn und über den Spannungsteiler aus den Widerständen R4 und R5 ein Strom zum Minuspol -U fließt. Dieser Strom bewirkt eine ausrei chend große Basis-Emitter-Spannung am vierten Transistor T3, so daß dieser geöffnet ist und das Ausgangssignal A ein Null- Signal ist.As long as the load current IDS remains below a certain value, the voltage drop across the measuring resistor RS is small and the base-emitter voltage at transistor T 2 is sufficient so that transistor T 2 is open and from the measuring resistor RS through it and via the voltage divider from the resistors R 4 and R 5 a current flows to the negative pole -U. This current causes a sufficiently large base-emitter voltage at the fourth transistor T 3 , so that it is open and the output signal A is a zero signal.
Steigt der Laststrom IDS, so vergrößert sich der Spannungsab fall am Meßwiderstand RS. Dadurch wird die Basis-Emitter-Span nung am dritten Transistor T2 kleiner, bis sie bei steigendem Laststrom IDS zum Durchsteuern des Transistors T2 zu gering wird und dieser in den nichtleitenden Zustand schaltet. Damit wird die Basis-Emitter-Spannung des vierten Transistors T3 zu Null und dieser geht ebenfalls in den nichtleitenden Zustand über, wodurch das Ausgangssignal A auf einen durch die Span nungsquelle vorgegebenen Wert hochspringt. Das Ausgangssignal A zeigt damit an, daß der Laststrom IDS einen vorgegebenen Wert überschritten hat. Dieses Ausgangssignal A kann damit zur Steue rung oder Regelung weiterer, nicht genannter Einrichtung ver wendet werden.If the load current IDS increases, the voltage drop across the measuring resistor RS increases. As a result, the base-emitter voltage on the third transistor T 2 becomes smaller until it becomes too small to control the transistor T 2 when the load current IDS rises, and this switches to the non-conductive state. So that the base-emitter voltage of the fourth transistor T 3 to zero and this also changes to the non-conductive state, whereby the output signal A jumps to a predetermined value by the voltage source. The output signal A thus indicates that the load current IDS has exceeded a predetermined value. This output signal A can thus be used to control or regulate further, not mentioned, equipment.
Das Ausgangssignal A kann aber auch, wie bereits erwähnt und in der Zeichnung strichliert dargestellt, zur Steuerung des Last stromes IDS selbst herangezogen werden.The output signal A can also, as already mentioned and in shown in dashed lines to control the load current IDS can be used.
Erscheint ein Ausgangssignal A an der Basis des Transistors T4, so wird dieser je nach nicht dargestellter Beschaltung durchge steuert, so daß das Gate G des Schalttransistors TS ganz oder teilweise entladen wird. Dadurch erhöht sich der Drain-Source- Widerstand des Schalttransistors TS so, daß der Laststrom IDS verringert wird, bis der vorgegebene Wert wieder unterschritten ist.If an output signal A appears at the base of the transistor T 4 , this is controlled depending on the circuitry not shown, so that the gate G of the switching transistor TS is completely or partially discharged. As a result, the drain-source resistance of the switching transistor TS increases so that the load current IDS is reduced until the value falls below the predetermined value again.
Je nach Anwendungszweck kann die Vorrichtung im Rahmen der Er findung auch mit gegeneinander vertauschten Polen der Spannungs quelle und mit Komplementärtypen der dargestellten Transistoren aufgebaut werden, ohne daß sich die prinzipielle Wirkungsweise dadurch verändert.Depending on the application, the device can be used as part of the Er even with poles of tension exchanged for each other source and with complementary types of the transistors shown be built up without changing the principle of operation changed by that.
Claims (2)
- - daß der Schalttransistor (TS) ein MOS-Feldeffekt-Transistor ist,
- - daß parallel zur Spannungsquelle eine Reihenschaltung aus einem mittleren und zwei peripheren Widerständen (R1, R2, R3) liegt,
- - daß parallel zu dem mittleren Widerstand (R2) die Kollektor- Emitter-Strecke eines zweiten Transistors (T1) liegt, dessen Kollektor mit dessen Basis verbunden ist,
- - daß ein dritter Transistor (T2) vorgesehen ist, dessen Basis mit der Basis des zweiten Transistors verbunden ist und des sen Kollektor-Emitter-Strecke einerseits direkt mit dem Ver bindungspunkt zwischen Meßwiderstand (RS) und Schalttransi stor (TS) und andererseits über einen Spannungsteiler (R4, R5) mit einem Pol (-U) der Spannungsquelle verbunden ist,
- - daß ein vierter Transistor (T3) vorgesehen ist, dessen Basis mit dem Abgriff des Spannungsteilers (R4, R5) verbunden ist und der bei Überschreiten eines vorgegebenen Spannungsabfalls am Meßwiderstand (RS) ein Ausgangssignal (A) abgibt.
- - That the switching transistor (TS) is a MOS field-effect transistor,
- - that a series circuit comprising a central and two peripheral resistors (R 1 , R 2 , R 3 ) is connected in parallel with the voltage source,
- - That the collector-emitter path of a second transistor (T 1 ) is located parallel to the mean resistance (R 2 ), the collector of which is connected to the base thereof,
- - That a third transistor (T 2 ) is provided, the base of which is connected to the base of the second transistor and of the collector-emitter path, on the one hand, directly to the connecting point between the measuring resistor (RS) and the switching transistor (TS) and on the other hand a voltage divider (R 4 , R 5 ) is connected to a pole (-U) of the voltage source,
- - That a fourth transistor (T 3 ) is provided, the base of which is connected to the tap of the voltage divider (R 4 , R 5 ) and which outputs an output signal (A) when a predetermined voltage drop across the measuring resistor (RS) is exceeded.
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|---|---|
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Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0600751A2 (en) * | 1992-12-04 | 1994-06-08 | Texas Instruments Incorporated | Solid state power controller |
| DE4338714A1 (en) * | 1993-11-12 | 1995-05-18 | Bosch Gmbh Robert | Circuit arrangement for current measurement via a switching transistor |
| US5497072A (en) * | 1992-12-04 | 1996-03-05 | Texas Instruments Incorporated | Solid state power controller with power switch protection apparatus |
| EP0700158A1 (en) * | 1994-08-31 | 1996-03-06 | STMicroelectronics S.r.l. | Protection circuit against current overloads for electronic power devices |
| DE19623442A1 (en) * | 1996-06-12 | 1998-01-02 | Telefunken Microelectron | Device for determining the current flowing in an inductor |
| DE19713981A1 (en) * | 1997-04-04 | 1998-10-15 | Siemens Ag | Device for supplying an analog and a digital signal to a computing unit and device for regulating the current flow through a consumer |
| DE19844465A1 (en) * | 1998-09-28 | 2000-04-13 | Siemens Ag | Current measuring circuit arrangement |
| US6125024A (en) * | 1993-06-03 | 2000-09-26 | Texas Instruments Incorporated | Externally programmable solid state power controller with power switch protection apparatus and method for making |
| DE10103920A1 (en) * | 2001-01-30 | 2002-08-22 | Infineon Technologies Ag | Circuit arrangement with a load transistor and a current measuring arrangement |
| DE10243571B4 (en) * | 2002-09-19 | 2006-04-20 | Infineon Technologies Ag | Circuit arrangement for short circuiting a MOSFET switch |
| DE102010028804A1 (en) * | 2010-05-10 | 2011-11-10 | Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Circuit and method for operating a light unit and lamp with such a circuit |
| CN102570412A (en) * | 2011-12-29 | 2012-07-11 | 航天时代电子技术股份有限公司 | DC solid-state power controller |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2037498A1 (en) * | 1970-07-29 | 1972-02-03 | Kiepe Bahn Elektrik Gmbh | Short-circuit protection for an electronic control unit |
-
1990
- 1990-02-23 DE DE19904005813 patent/DE4005813C2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0600751A3 (en) * | 1992-12-04 | 1994-10-12 | Texas Instruments Inc | Solid state power controller. |
| US5497072A (en) * | 1992-12-04 | 1996-03-05 | Texas Instruments Incorporated | Solid state power controller with power switch protection apparatus |
| EP0600751A2 (en) * | 1992-12-04 | 1994-06-08 | Texas Instruments Incorporated | Solid state power controller |
| US6125024A (en) * | 1993-06-03 | 2000-09-26 | Texas Instruments Incorporated | Externally programmable solid state power controller with power switch protection apparatus and method for making |
| DE4338714C2 (en) * | 1993-11-12 | 2000-06-21 | Bosch Gmbh Robert | Circuit arrangement for current measurement via a switching transistor |
| DE4338714A1 (en) * | 1993-11-12 | 1995-05-18 | Bosch Gmbh Robert | Circuit arrangement for current measurement via a switching transistor |
| EP0700158A1 (en) * | 1994-08-31 | 1996-03-06 | STMicroelectronics S.r.l. | Protection circuit against current overloads for electronic power devices |
| DE19623442A1 (en) * | 1996-06-12 | 1998-01-02 | Telefunken Microelectron | Device for determining the current flowing in an inductor |
| DE19713981A1 (en) * | 1997-04-04 | 1998-10-15 | Siemens Ag | Device for supplying an analog and a digital signal to a computing unit and device for regulating the current flow through a consumer |
| US6204693B1 (en) | 1997-04-04 | 2001-03-20 | Siemens Aktiengesellschaft | Apparatus for regulating the flow of current through a load |
| DE19844465A1 (en) * | 1998-09-28 | 2000-04-13 | Siemens Ag | Current measuring circuit arrangement |
| DE10103920A1 (en) * | 2001-01-30 | 2002-08-22 | Infineon Technologies Ag | Circuit arrangement with a load transistor and a current measuring arrangement |
| US6661249B2 (en) | 2001-01-30 | 2003-12-09 | Infineon Technologies Ag | Circuit configuration with a load transistor and a current measuring configuration |
| DE10243571B4 (en) * | 2002-09-19 | 2006-04-20 | Infineon Technologies Ag | Circuit arrangement for short circuiting a MOSFET switch |
| DE102010028804A1 (en) * | 2010-05-10 | 2011-11-10 | Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Circuit and method for operating a light unit and lamp with such a circuit |
| WO2011141206A3 (en) * | 2010-05-10 | 2012-04-26 | Osram Ag | Circuit and method for operating an led lighting unit, and luminaire having such a circuit |
| DE102010028804B4 (en) * | 2010-05-10 | 2013-03-14 | Osram Ag | Circuit and method for operating a light unit and lamp with such a circuit |
| CN102570412A (en) * | 2011-12-29 | 2012-07-11 | 航天时代电子技术股份有限公司 | DC solid-state power controller |
| CN102570412B (en) * | 2011-12-29 | 2014-11-05 | 航天时代电子技术股份有限公司 | DC solid-state power controller |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE4005813C2 (en) | 2002-01-10 |
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