DE3920219A1 - Operating optical detector with active semiconductor detector layer - impinging radiation to be detected on side face under Brewster angle - Google Patents

Operating optical detector with active semiconductor detector layer - impinging radiation to be detected on side face under Brewster angle

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Abstract

The semiconductor detector layer and its contact surfaces are so arranged that the charge carriers, generated by light impingement, propagate orthogonally to the extension direction of the active layer. The radiation to be detected impinges on the side face of the detector layer under a Brewster angle. Pref. the active detector layer with a specified refraction index is adjacent to at least one semiconductor layer whose material has a lower refraction index. Typically counter-doped semiconductor layers are located adjacent to the active detector layer on either side. The detector layer may be metallised to form a Schottky contact. ADVANTAGE - Simple input coupling of radiation into detector vol.

Description

Optische Detektoren zur Detektion von elektromagneti­ scher Strahlung, beispielsweise von Licht, weisen die durch Strahlungsabsorption im Detektormaterial erzeugten Ladungsträgerpaare als elektrisches Signal nach. Um bei schnellen optischen Detektoren eine hochfrequente Detek­ tion zu ermöglichen, müssen die Laufwege für die erzeug­ ten Ladungsträgerpaare kurz sein, wodurch aber das Ab­ sorptionsvolumen der zu Ladungsträgererzeugung dienenden aktiven Schicht begrenzt wird. Ein schneller Detektor besitzt daher einen schlechten elektro-optischen Wir­ kungsgrad; auch andere Eigenschaften derartiger Detekto­ ren, wie die Empfindlichkeit und Ansprechzeit des Bau­ elementes, sind vergleichsweise schlecht.Optical detectors for the detection of electromagnetic sher radiation, for example from light, have the generated by radiation absorption in the detector material Charge carrier pairs as an electrical signal. To at fast optical detectors a high-frequency detector tion, the routes for the ten pairs of charge carriers be short, but this means that the Ab sorption volume of those used to generate charge carriers active layer is limited. A fast detector therefore has a bad electro-optical we degree of efficiency; also other properties of such detectors ren, such as the sensitivity and response time of the construction elementes, are comparatively bad.

Um eine hinreichende Absorptionslänge der zu detektier­ enden Strahlung in der aktiven Detektorschicht bei gleichzeitig kurzer Laufzeit der erzeugten Ladungsträger zu erreichen, muß die Strahlung senkrecht zur Absaugrich­ tung der erzeugten Elektronen und Löcher in die aktive Schicht einfallen, d.h. das Licht muß seitlich in das Detektorvolumen eingekoppelt werden. Die Einkopplung des Lichtes in die Detektionsebene ist jedoch kritisch und aufwendig. Hamdi und Valette, Journ. Appl. Phys. 51, 4739 (1980), verwenden beispielsweise eine aufwendige Anordnung mit Prisma und Wellenleiter.To detect a sufficient absorption length end radiation in the active detector layer at the same time a short running time of the generated charge carriers to achieve, the radiation must be perpendicular to the suction tion of the generated electrons and holes in the active Collapse, i.e. the light must enter the side Detector volume can be injected. The coupling of the However, light in the detection plane is critical and complex. Hamdi and Valette, Journ. Appl. Phys. 51, 4739 (1980), for example, use a complex one Arrangement with prism and waveguide.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die Einkopp­ lung der Strahlung in das Detektorvolumen einfacher zu gestalten.The invention is based, the Einkopp radiation to the detector volume easier to shape.

Dies wird für den Betrieb eines optischen Detektors nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 erfindungsgemäß dadurch erreicht, daß die zu detektierende Strahlung unter dem Brewsterwinkel auf die Seitenfläche der akti­ ven Detektorschicht auftrifft.This is considered for the operation of an optical detector the preamble of claim 1 according to the invention thereby achieved that the radiation to be detected at the Brewster angle on the side of the acti ven detector layer strikes.

Die zu detektierende Strahlung läuft nach der Einkopp­ lung in das Detektorvolumen im wesentlichen parallel zur Ausdehnungsrichtung der aktiven Schicht. Reflexions­ bzw. Brechungsverluste an den Grenzflächen der aktiven Schicht können bei geeigneter Wahl der Brechungsindices der aktiven Schicht und der diese umgebenden Schichten vermieden werden. Der Transport der in der aktiven Schicht erzeugten Ladungsträger erfolgt dagegen, bei entsprechender Potentialvorgabe an den Oberflächenkon­ takten bzw. Anschlußelektroden des Bauelements, senkrecht zur Richtung der zu detektierenden Strahlung. Damit kann ein komplizierter Einkoppel-Aufbau für die zu detektie­ rende Strahlung vermieden werden und dennoch gleichzei­ tig der Vorteil der günstigen Halbleiterstruktur, ver­ bunden mit kurzer Laufzeit der Ladungsträger, beibehal­ ten werden.The radiation to be detected runs after the coupling in the detector volume essentially parallel to Direction of expansion of the active layer. Reflection or refractive losses at the interfaces of the active ones Layer can be chosen with a suitable choice of refractive indices the active layer and the layers surrounding it be avoided. The transport of the in the active In contrast, layer-generated charge carriers occur at corresponding potential specification on the surface con clock or connecting electrodes of the component, vertically to the direction of the radiation to be detected. So that can a complicated coupling structure for the detection radiation are avoided and at the same time tig the advantage of the favorable semiconductor structure, ver tied with short term of the load carriers, retained be.

Die Seitenfläche des Detektors besitzt eine solche Nei­ gung gegenüber der Senkrechten, daß die volle Lichtlei­ stung der einfallenden Strahlung in die aktive Schicht eingekoppelt werden kann.The side surface of the detector has such a nei relative to the vertical that the full light line the incident radiation into the active layer can be coupled.

Die Ansprechzeit des Detektors wird durch diejenige Zeit bestimmt, die die Ladungsträger zum Durchlaufen der akti­ ven Schicht senkrecht zur Strahlrichtung benötigen. Das Absorptionsvolumen wird im wesentlichen durch die Breite der aktiven Schicht bestimmt, in der der einfallende Lichtstrahl ohne wesentliche Reflexions- oder Brechungs­ verluste verläuft.The response time of the detector is determined by that time determines which the charge carriers to go through the acti ven layer perpendicular to the beam direction. The Absorption volume is essentially determined by the width the active layer in which the incident  Light beam with no significant reflection or refraction losses runs.

Für den erfindungsgemäßen Betrieb des optischen Detek­ tors lassen sich somit kurze Antwortzeiten (kurze Träger­ laufzeit), verbunden mit einem hohen elektro-optischen Wirkungsgrad (großes Absorptionsvolumen) bei gleichzei­ tig einfacher Einkopplung der Strahlung in die aktive Detektorschicht, realisieren.For the operation of the optical detector according to the invention short response times (short carriers running time), combined with a high electro-optical Efficiency (large absorption volume) at the same time simple coupling of the radiation into the active one Realize detector layer.

Der Schichtaufbau des Detektors muß so gewählt werden, daß die aktive Schicht, in der die einfallende Strahlung absorbiert wird, einen hinreichend niedrigen Bandabstand im Verhältnis zur Quantenenergie der einfallenden Strah­ lung besitzt. Die aktive Schicht besteht daher beispiels­ weise im Falle eines 1,3 µm-Detektors aus Gallium-In­ dium-Arsenid der Komposition Ga0,47In0,53As oder aus Gallium-Arsenid im Falle eines kürzerwelligen Detektors (λ = 0,88 µm). Die sich an die aktive Schicht anschlie­ ßende(n) Halbleiterschicht(en) muß (müssen) aus einem Material mit höherem Bandabstand und damit geringeren Brechungsindex (optisch dünneres Material) bestehen. Bei Gallium-Arsenid kann dafür Gallium-Aluminium-Arsenid mit etwa 30% Aluminiumanteil oder im Falle von Gallium-In­ dium-Arsenid beispielsweise Indium-Phosphid verwendet werden.The layer structure of the detector must be chosen so that the active layer, in which the incident radiation is absorbed, has a sufficiently low band gap in relation to the quantum energy of the incident radiation. The active layer therefore consists, for example, in the case of a 1.3 μm detector made of gallium indium arsenide of the composition Ga 0.47 In 0.53 As or of gallium arsenide in the case of a shorter-wave detector (λ = 0.88 µm). The semiconductor layer (s) adjoining the active layer must (must) consist of a material with a higher band gap and thus a lower refractive index (optically thinner material). In the case of gallium arsenide, gallium aluminum arsenide with about 30% aluminum content can be used for this, or in the case of gallium indium arsenide, for example indium phosphide.

Die Erfindung soll nachstehend anhand von Ausführungs­ beispielen beschrieben werden.The invention is based on execution examples are described.

Dabei zeigen:Show:

Fig. 1 den Strahlengang der auf den Detektor einfal­ lenden Strahlung, Fig. 1 shows the beam path of the lumbar einfal radiation on the detector,

Fig. 2 den Aufbau eines Detektors als PIN-Diode, und Fig. 2 shows the construction of a detector as a PIN diode, and

Fig. 3 den Aufbau eines Detektors als Schottky-Diode. Fig. 3 shows the construction of a detector as a Schottky diode.

In der Fig. 1 ist der Strahlengang der auf die Seiten­ fläche des Detektors einfallenden Strahlung dargestellt. Die zu detektierende Strahlung 6 trifft unter dem Brew­ sterwinkel αB = arc tan n1 auf die um den Winkel αo ge­ genüber der Senkrechten geneigte Seitenfläche 10 des Detektors auf; dabei wird angenommen, daß der Brechungs­ index der Umgebung (Luft) no = 1 beträgt. Der Brechungs­ index n1 der aktiven Schicht 1 bestimmt damit den Ein­ fallswinkel αB der Strahlung 6; dieser beläuft sich bei­ spielsweise bei einer GaAs-Schicht 1 mit dem Brechungs­ index n1 = 3,6 auf αB = 72,6°. An der Grenzfläche zur Schicht 2 mit dem Brechungsindex n2, die aus einem op­ tisch dünneren Material (n2 < n1) als die aktive Schicht besteht, wird der Strahl totalreflektiert und entlang der Grenzfläche geführt, wenn die BedingungIn Fig. 1 the beam path of the radiation incident on the side surface of the detector is shown. The radiation 6 to be detected strikes at the Brewster angle α B = arc tan n 1 on the side surface 10 of the detector which is inclined by the angle α o with respect to the vertical; it is assumed that the refractive index of the environment (air) is n o = 1. The refractive index n 1 of the active layer 1 thus determines the angle of incidence α B of the radiation 6 ; in the case of a GaAs layer 1 with the refractive index n 1 = 3.6, this amounts to α B = 72.6 °. At the interface to layer 2 with the refractive index n 2 , which consists of an optically thinner material (n 2 <n 1 ) than the active layer, the beam is totally reflected and guided along the interface if the condition

erfüllt ist; bei einer GaAs-Schicht 1 mit n1 = 3,6 und einer GaAlAs-Schicht 2 mit n2 = 3,2 ergibt sich ein Winkel αg von 62,7°.is satisfied; with a GaAs layer 1 with n 1 = 3.6 and a GaAlAs layer 2 with n 2 = 3.2, an angle α g of 62.7 ° results.

Damit die volle Lichtleistung in die aktive Detektor­ schicht 1 eingekoppelt werden kann, muß der Neigungswin­ kel αo der Detektor-Seitenfläche 10 die Bedingung αo = αg-αB erfüllen; im obigen Beispiel des GaAs/GaAlAs- Systems beträgt der Neigungswinkel αo zur vollständigen Lichteinkopplung αo = -9,9°. Es ist allerdings möglich, eine Abschrägung der Seitenflächen zu vermeiden (αo = 0°), falls die Brechungsindices n1 und n2 gemäß der Beziehung n2 = n1×sin arc tan n1 gewählt werden; nach wie vor muß jedoch die Strahlung schräg unter dem Winkel αB auf die Seitenfläche eingekoppelt werden.So that the full light output can be coupled into the active detector layer 1 , the inclination angle α o of the detector side surface 10 must meet the condition α o = α g -α B ; In the above example of the GaAs / GaAlAs system, the angle of inclination α o for complete light coupling is α o = -9.9 °. However, it is possible to avoid chamfering the side surfaces (α o = 0 °) if the refractive indices n 1 and n 2 are chosen according to the relationship n 2 = n 1 × sin arc tan n 1 ; however, the radiation must still be coupled in at an angle α B onto the side surface.

Gemäß der Fig. 2 wird auf einem beispielsweise N⁺-do­ tierten Substrat 4 (Konzentration 1019 cm-3) eine erste Epitaxieschicht 3 gleichen Leitfähigkeitstyps mit einer Dicke von 3 µm aufgewachsen, gefolgt von einer nicht­ dotierten Schicht 1, die eine Dicke von weniger als 1 µm und eine Restdotierung von z.B. 3×1014 cm-3 besitzt. Auf diese nicht-dotierte Schicht 1 wird eine P-dotierte Schicht 2 mit beispielsweise einer Schichtdicke von 3 µm und einer Dotierung von 1017 cm-3 abgeschieden, auf die­ ser eine weitere Schicht 5, die eine Dicke von beispiels­ weise 0,5 µm und eine Dotierung von P = 1019 cm-3 be­ sitzt. Die Dicke des gesamten Detektors beträgt ca. 10 µm; die Seitenflächen der Diode sind um den Winkel αo (Mesawinkel) gegenüber der Senkrechten geneigt.According to FIG. 2 4 (concentration of 10 19 cm -3), a first epitaxial layer grown 3 same conductivity type having a thickness of 3 micrometers on a, for example, N⁺-do oriented substrate followed by an undoped layer 1 having a thickness of has less than 1 µm and a residual doping of, for example, 3 × 10 14 cm -3 . A P-doped layer 2 with, for example, a layer thickness of 3 μm and a doping of 10 17 cm -3 is deposited on this non-doped layer 1 , onto which a further layer 5 , which has a thickness of, for example, 0.5 μm and a doping of P = 10 19 cm -3 be sits. The thickness of the entire detector is approx. 10 µm; the side surfaces of the diode are inclined by the angle α o (mesa angle) with respect to the vertical.

In der Fig. 2 ist somit ein Detektor dargestellt, bei dem beiderseits des aktiven, nicht-dotierten Detektorbe­ reichs 1, Material unterschiedlicher Dotierung eingesetzt wird, so daß eine PIN-Mesa-Diodenstruktur 2, 1, 3 ent­ steht. Die Halbleiterschichten 4 (Dicke beispielsweise 5 µm) und 5 (Dicke beispielsweise 0,5 µm) dienen als Kontaktierungsschichten, an die ein Rückseitenkontakt 8 bzw. ein Oberseitenkontakt 9 zur externen Kontaktierung des Detektors angeschlossen ist. Der Oberseitenkontakt 9 kann dabei in Form einer Streifenleitung ausgebildet sein, mit der sich hohe Datenraten übertragen lassen. Fällt nun die zu detektierende Strahlung 6 unter dem Brewsterwinkel αB auf die Seitenfläche 10 des Detektors im Bereich der aktiven Schicht 1, die aus einem optisch dichteren Material als die beiden sie umgebenden Schich­ ten 2 und 3 besteht, wird der Strahl bei passender Wahl des Brechungsindex-Verhältnisses in der aktiven Schicht 1 geführt. Damit die Strahlung ausreichend in der akti­ ven Schicht 1 absorbiert wird, muß diese eine longitudi­ nale Ausdehnung von ca. 3 Absorptionslängen, beispiels­ weise 5 µm, besitzen. In FIG. 2, a detector thus is shown in which both sides of the active non-doped Detektorbe Reich 1, different doping material is used, so that a PIN mesa diode structure 2, 1, 3 is ent. The semiconductor layers 4 (thickness, for example 5 μm) and 5 (thickness, for example 0.5 μm) serve as contacting layers, to which a rear-side contact 8 and an upper-side contact 9 are connected for external contacting of the detector. The top contact 9 can be designed in the form of a strip line with which high data rates can be transmitted. If the radiation 6 to be detected now falls under the Brewster angle α B onto the side face 10 of the detector in the region of the active layer 1 , which consists of an optically denser material than the two layers 2 and 3 surrounding it, the beam is made with a suitable choice of Refractive index ratio performed in the active layer 1 . So that the radiation is adequately absorbed in the active layer 1 , it must have a longitudinal extension of approximately 3 absorption lengths, for example 5 µm.

Die Ansprechzeit des Detektors hängt von der Laufzeit der erzeugten Ladungsträgerpaare 7 in der aktiven Schicht 1 ab; da sich diese senkrecht zum eingekoppelten Licht­ strahl 6 bewegen, und damit die aktive Schicht 1 senk­ recht in Richtung zu den kontra-dotierten Schichten 2 und 3 durchlaufen, wird die Laufzeit durch die Dicke der aktiven Schicht 1 bestimmt. Ist diese beispielsweise 1 µm dick, ergibt sich bei einer Geschwindigkeit der La­ dungsträger von 107 cm/s eine Ansprechzeit von 10 ps. Bei einer Impuls-Beaufschlagung wird die Ansprechzeit in etwa um den Faktor 3 reduziert, so daß der Detektor für Pulslängen von ca. 3 ps geeignet ist.The response time of the detector depends on the transit time of the charge carrier pairs 7 generated in the active layer 1 ; since these move perpendicular to the injected light beam 6 , and thus pass through the active layer 1 perpendicular to the contra-doped layers 2 and 3 , the transit time is determined by the thickness of the active layer 1 . If this is 1 µm thick, for example, a response time of 10 ps results at a speed of the charge carriers of 10 7 cm / s. When a pulse is applied, the response time is reduced approximately by a factor of 3, so that the detector is suitable for pulse lengths of approximately 3 ps.

Um eine Strahlführung in der aktiven Schicht sicherzu­ stellen, müssen die Materialien der Halbleiterschichten einen unterschiedlichen Brechungsindex besitzen; bei­ spielsweise können Detektoren aus III-V-Verbindungs- Halbleitermaterial mit Hetero-Übergängen eingesetzt wer­ den.To ensure beam guidance in the active layer the materials of the semiconductor layers have a different refractive index; at for example, detectors made of III-V connection Semiconductor material with heterojunctions who used the.

Die aktive Schicht 1 besteht dann beispielsweise aus GaAs mit einem Brechungsindex von n1 = 3,6 und ist von GaAlAs-Schichten 2, 3 mit einem Brechungsindex von n2 = 3,2 umgeben. Das Wachstum der Schichten erfolgt dabei auf einem GaAs-Substrat 4, die Kontaktierungs­ schicht 5 besteht ebenfalls aus GaAs. Soll bei diesem Detektor der Mesa-Winkel αo 0° betragen, so muß für den Brechungsindex n2 der Schicht 2 die Bedingung n2 = n1×sin arc tan n1 = 0,96×n1 erfüllt werden, was durch passende Komposition der GaAlAs-Schicht 2 mit etwa 20% Al-Anteil erreichbar ist.The active layer 1 then consists, for example, of GaAs with a refractive index of n 1 = 3.6 and is surrounded by GaAlAs layers 2 , 3 with a refractive index of n 2 = 3.2. The growth of the layers takes place on a GaAs substrate 4 , the contacting layer 5 also consists of GaAs. If the mesa angle α o is 0 ° in this detector, the condition n 2 = n 1 × sin arc tan n 1 = 0.96 × n 1 must be met for the refractive index n 2 of the layer 2 , which can be achieved by suitable ones Composition of the GaAlAs layer 2 with about 20% Al content can be achieved.

Eine andere Möglichkeit wäre, daß die aktive Schicht 1 aus ternärem GaInAs besteht, die von quaternären Schich­ ten aus GaInAsP und/oder InP-Schichten umgeben ist, wo­ bei die Kontaktierungsschicht 5 aus GaAlAs besteht. Another possibility would be that the active layer 1 consists of ternary GaInAs, which is surrounded by quaternary layers of GaInAsP and / or InP layers, where the contacting layer 5 consists of GaAlAs.

Gemäß der Fig. 3 besitzt der Detektor statt der PIN- Struktur eine Schottky-Diodenstruktur.According to FIG. 3, the detector has, instead of the pin structure, a Schottky diode structure.

Auf dem beispielsweise hoch N⁺-dotierten Substrat 4 ist eine Pufferschicht 11 angeordnet, über der sich eine N-dotierte Schicht 12 mit dem Brechungsindex n2 befin­ det. Auf dieser ist die aktive Schicht 1 mit dem Bre­ chungsindex n1 abgeschieden (n1 < n2); die Absorptions­ schicht 1 besitzt nur eine sehr geringe Dotierungskon­ zentration von beispielsweise 1015 cm-3 und wird direkt von der Metallisierung des Schottky-Kontaktes 13 be­ deckt.A buffer layer 11 is arranged on the, for example, highly N⁺-doped substrate 4 , over which there is an N-doped layer 12 with the refractive index n 2 . The active layer 1 is deposited on this with the refractive index n 1 (n 1 <n 2 ); the absorption layer 1 has only a very low doping concentration of, for example, 10 15 cm -3 and is directly covered by the metallization of the Schottky contact 13 be.

Da die Schicht 12 mit dem Brechungsindex n2 optisch dün­ ner als die Absorptionsschicht 1 ist, d.h. n2 < n1, wird die einfallende Strahlung 6 bei passend gewähltem Ein­ fallswinkel αB und Brechungsindex-Verhältnis n2/n1 in der aktiven Schicht 1 geführt. Die Pufferschicht 11 ist von Vorteil, wenn die Strahlungseinkopplung in die akti­ ve Detektorschicht mit Hilfe einer Glasfaser vorgenommen wird.Since the layer 12 with the refractive index n 2 is optically thinner than the absorption layer 1 , ie n 2 <n 1 , the incident radiation 6 with a suitably chosen angle of incidence α B and refractive index ratio n 2 / n 1 in the active layer 1 led. The buffer layer 11 is advantageous if the radiation is coupled into the active detector layer using an optical fiber.

Claims (12)

1. Betrieb eines optischen Detektors mit einer aktiven Halbleiter-Detektorschicht (1), und mit Kontaktflächen (8, 9, 13), die so angeordnet sind, daß sich die durch den Lichteinfall erzeugten Ladungsträger (7) senkrecht zur Ausdehnungsrichtung der aktiven Schicht (1) bewegen, dadurch gekennzeichnet, daß die zu detektierende Strah­ lung (6) unter dem Brewsterwinkel (αB) auf die Seiten­ fläche (10) der aktiven Detektorschicht (1) auftrifft.1. Operation of an optical detector with an active semiconductor detector layer ( 1 ) and with contact surfaces ( 8 , 9 , 13 ) which are arranged so that the charge carriers ( 7 ) generated by the incidence of light are perpendicular to the direction of expansion of the active layer ( 1 ) move, characterized in that the radiation to be detected ( 6 ) at Brewster angle (α B ) strikes the side surface ( 10 ) of the active detector layer ( 1 ). 2. Optischer Detektor, geeignet für die Betriebsweise nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß an die ak­ tive Detektorschicht (1) mit dem Brechungsindex (n1) mindestens eine Halbleiterschicht (2, 3, 12) angrenzt, deren Material einen geringeren Brechungsindex (n2) als das Material der aktiven Schicht (1) besitzt (n2 < n1).2. Optical detector, suitable for the mode of operation according to claim 1, characterized in that at least one semiconductor layer ( 2 , 3 , 12 ) adjoins the active detector layer ( 1 ) with the refractive index (n 1 ), the material of which has a lower refractive index ( n 2 ) as the material of the active layer ( 1 ) has (n 2 <n 1 ). 3. Optischer Detektor nach Anspruch 2, dadurch gekenn­ zeichnet, daß an die aktive Detektorschicht (1) beidsei­ tig kontra-dotierte Halbleiterschichten (2, 3) angrenzen (Fig. 2).3. Optical detector according to claim 2, characterized in that adjoin the active detector layer ( 1 ) on both sides contra-doped semiconductor layers ( 2 , 3 ) ( Fig. 2). 4. Optischer Detektor nach Anspruch 2, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die aktive Detektorschicht (1) von einer Metallisierung bedeckt ist, die einen Schottky-Kontakt (13) bildet (Fig. 3). 4. Optical detector according to claim 2, characterized in that the active detector layer ( 1 ) is covered by a metallization which forms a Schottky contact ( 13 ) ( Fig. 3). 5. Optischer Detektor nach einem der Ansprüche 2, 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß die aktive Schicht (1) eine geringe Dotierungskonzentration von weniger als 1015 cm-3 und eine Schichtdicke von weniger als 1 µm besitzt.5. Optical detector according to one of claims 2, 3 or 4, characterized in that the active layer ( 1 ) has a low doping concentration of less than 10 15 cm -3 and a layer thickness of less than 1 µm. 6. Optischer Detektor nach einem der Ansprüche 2 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die aktive Schicht (1) ca. 5 µm breit ist.6. Optical detector according to one of claims 2 to 5, characterized in that the active layer ( 1 ) is approximately 5 microns wide. 7. Optischer Detektor nach einem der Ansprüche 2 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterschichten (1, 2, 3, 4, 5, 11, 12) des Detektors aus III-V-Verbindungs-Halb­ leitermaterial bestehen.7. Optical detector according to one of claims 2 to 6, characterized in that the semiconductor layers ( 1 , 2 , 3 , 4 , 5 , 11 , 12 ) of the detector consist of III-V compound semiconductor material. 8. Optischer Detektor nach Anspruch 7, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die aktive Schicht (1) aus einem Material besteht, dessen Bandabstand kleiner als die Quantenener­ gie der einfallenden Strahlung (6) ist.8. Optical detector according to claim 7, characterized in that the active layer ( 1 ) consists of a material whose band gap is smaller than the quantum energy of the incident radiation ( 6 ). 9. Optischer Detektor nach einem der Ansprüche 2 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die aktive Schicht (1) aus Gallium-Arsenid und die angrenzenden Schichten (2, 3 bzw. 12) aus Gallium-Aluminium-Arsenid bestehen.9. Optical detector according to one of claims 2 to 8, characterized in that the active layer ( 1 ) made of gallium arsenide and the adjacent layers ( 2 , 3 or 12 ) consist of gallium aluminum arsenide. 10. Optischer Detektor nach einem der Ansprüche 2 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die aktive Schicht (1) aus Gallium-Indium-Arsenid und die angrenzenden Schichten (2, 3 bzw. 12) aus Gallium-Indium-Arsenid-Phosphid oder Indium-Phosphid bestehen.10. Optical detector according to one of claims 2 to 8, characterized in that the active layer ( 1 ) made of gallium indium arsenide and the adjacent layers ( 2 , 3 or 12 ) made of gallium indium arsenide phosphide or indium -Phosphide exist. 11. Optischer Detektor nach einem der Ansprüche 2 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß der Neigungswinkel (αo) der Detektor-Seitenfläche (10) so gewählt wird, daß die gesamte einfallende Strahlung (6) in die aktive Schicht (1) eingekoppelt wird.11. Optical detector according to one of claims 2 to 10, characterized in that the angle of inclination (α o ) of the detector side surface ( 10 ) is selected so that the entire incident radiation ( 6 ) is coupled into the active layer ( 1 ) . 12. Optischer Detektor nach einem der Ansprüche 2 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß die einfallende Strah­ lung (6) mittels einer Glasfaser in die aktive Schicht (1) eingekoppelt wird.12. Optical detector according to one of claims 2 to 11, characterized in that the incident radiation ( 6 ) is coupled into the active layer ( 1 ) by means of a glass fiber.
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