DE3903432C1 - Method for fabricating a component containing a superconductor and a semiconductor - Google Patents

Method for fabricating a component containing a superconductor and a semiconductor

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Abstract

During the fabrication of components containing a superconductor and a semiconductor, chemical reactions between the superconductor and the semiconductor occur which may considerably impair the functionality of the end product. Such chemical reactions are avoided by the superconductor (2), after completion of all the necessary thermal treatments, being coated in its entirety or in part with a passivation layer (3). For the purpose of any electrical connections required, said passivation layer (3) is partially removed or reduced (5', 5''), after which the semiconductor (4) is deposited on this substrate thus prepared at temperatures which do not harm the superconductor. <IMAGE>

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Bauelementes mit einem Supraleiter und einem Halbleiter.The invention relates to a method for producing a component with a superconductor and a semiconductor.

Die Kombination eines Halbleiters mit einem Supraleiter dient beispielsweise zur Herstellung eines sogenannten Josephson-Übergangs oder einer Super- Schottky-Diode. Zur Herstellung derartiger Bauelemente wurde bisher von einem einkristallinen Halbleitersubstrat mit einer vorgegebenen Geometrie ausge­ gangen, auf das dann eine amorphe supraleitende Schicht, beispielsweise aus Blei, abgeschieden wurde. Hierbei handelt es sich um einen Tieftemperatur- Supraleiter, der nur bei der Temperatur des flüssigen Heliums zu betreiben ist (Phys. Letters, Band 25, 1974, Seiten 753-756, und IEEE Transactions on Electron Devices, Band ED-28, 1981, Seiten 1394-1397).The combination of a semiconductor with a superconductor is used, for example to produce a so-called Josephson junction or a super Schottky diode. Up to now, one has been used to produce such components monocrystalline semiconductor substrate with a predetermined geometry then an amorphous superconducting layer, for example Lead that was deposited. This is a low temperature Superconductor that only operate at the temperature of the liquid helium (Phys. Letters, Volume 25, 1974, pages 753-756, and IEEE Transactions on Electron Devices, volume ED-28, 1981, pages 1394-1397).

In jüngerer Zeit wurden die sogenannten Hochtemperatur-Supraleiter ent­ wickelt, die bereits bei der Temperatur des flüssigen Stickstoffs supra­ leitend sind. Die Hochtemperatur-Supraleiter sind Oxid-Keramiken, beispiels­ weise von der Art La-Ba-Cu-O oder Y-Ba-Cu-O. Bei der letztgenannten Ver­ bindung wurde auch erstmals nachgewiesen, daß die Supraleitung auf eine Temperatur oberhalb des Siedepunkts von Stickstoff gesteigert werden kann. Damit ergeben sich vollständig neue Anwendungsmöglichkeiten, da die Stick­ stoffkühlung wesentlich billiger und weniger aufwendig als die Kühlung mit flüssigen Helium ist. More recently, the so-called high-temperature superconductors have been removed wraps that supra already at the temperature of liquid nitrogen are leading. The high temperature superconductors are oxide ceramics, for example of the type La-Ba-Cu-O or Y-Ba-Cu-O. In the latter Ver bond was also demonstrated for the first time that superconductivity to a Temperature above the boiling point of nitrogen can be increased. This opens up completely new application possibilities, since the stick fabric cooling much cheaper and less expensive than cooling with liquid helium.  

Bei der Herstellung eines Bauelementes, das aus der Kombination eines Halbleiters mit einem Supraleiter besteht, tritt das Problem auf, daß es zu chemischen Reaktionen zwischen Supraleiter und Halbleiter kommen kann, die die Funktionstauglichkeit des Endprodukts erheblich beeinträchtigen können. Insbesondere bei der Verwendung eines Hochtemperatur-Supraleiters ergeben sich erhebliche Schwierigkeiten. Geht man in der bisher bekannten Weise vor, wird der Supraleiter auf eine Halbleiterunterlage abgeschieden. Ein Hoch­ temperatur-Supraleiter auf der Basis einer Oxidkeramik wird jedoch erst durch einen abschließenden Tempervorgang bei höherer Temperatur funktionsfähig, wobei die Temperung in der Regel in einer Sauerstoffatmosphäre stattfinden muß. Bei diesem Tempervorgang wandern dann z. B. unerwünschte Sauerstoff­ ionen an der Grenzfläche Supraleiter-Halbleiter in den Halbleiterbereich, was zu Defekten in dem Halbleiter und in dem Supraleiter führt. Der Supraleiter wird nämlich an der Grenzfläche an Sauerstoffionen verarmen, während in die Halbleiteroberfläche Sauerstoffionen eindringen, die die spätere Funktion des zu bildenden Bauelements beeinträchtigen oder sogar unmöglich machen.When producing a component that consists of the combination of a Semiconductor with a superconductor, the problem arises that it too chemical reactions between superconductor and semiconductor can occur can significantly affect the functionality of the end product. Especially when using a high temperature superconductor there are significant difficulties. If you proceed in the way known so far, the superconductor is deposited on a semiconductor substrate. A high Temperature superconductor based on an oxide ceramic, however, is only due to a final annealing process is functional at a higher temperature, the tempering usually take place in an oxygen atmosphere got to. In this tempering process z. B. unwanted oxygen ions at the superconductor-semiconductor interface in the semiconductor area what leads to defects in the semiconductor and in the superconductor. The superconductor will deplete at the interface of oxygen ions, while in the Semiconductor surface penetrate oxygen ions, which the later function of impair the component to be formed or even make it impossible.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Herstellung eines Bauelementes mit einem Halbleiter und einem Supraleiter verfügbar zu machen, bei dem chemische Reaktionen zwischen dem Supraleiter und dem Halbleiter vermieden werden.The invention has for its object a method for producing a To make available a component with a semiconductor and a superconductor, in the chemical reactions between the superconductor and the semiconductor be avoided.

Diese Aufgabe wird gemäß der Erfindung dadurch gelöst, daß zunächst der Supraleiter mit sämtlichen Behandlungen, welche hohe Temperaturen erforder­ lich machen, hergestellt wird, daß dann der Supraleiter vollständig oder teilweise mit einer Passivierungsschicht überzogen wird, daß die Passivierungs­ schicht für erforderliche elektrische Verbindungen partiell abgetragen oder reduziert wird und daß dem in dieser Weise vorbehandelten Substrat der Halbleiter bei für den Supraleiter unschädlichen Temperaturen abgeschieden wird.This object is achieved according to the invention in that the first Superconductor with all treatments that require high temperatures Lich, is made that then the superconductor completely or is partially coated with a passivation layer that the passivation layer partially removed for required electrical connections or is reduced and that the substrate pretreated in this way Semiconductors deposited at temperatures that are harmless to the superconductor becomes.

Das erfindungsgemäße Verfahren führt auch dann zu einem funktionstüchtigen Bauelement, wenn der Supraleiter von der Art ist, daß eine thermische Behandlung zu seiner Herstellung erforderlich ist, z. B. daß der Supraleiter ein Hochtemperatur-Supraleiter auf der Basis einer Oxidkeramik ist. Ein weiterer wesentlicher Vorteil der so hergestellten Bauelemente besteht darin, daß die auch bei tiefen Temperaturen - wenn auch langsamer - auftretenden chemischen Reaktionen verhindert werden, da die Passivierungsschicht so aufgetragen werden kann, daß sie den Supraleiter ganz oder teilweise vom Halbleiter trennt. Dadurch wird zusätzlich erreicht, daß die Bauelemente alterungsbeständig und unempfindlich gegen Temperaturerhöhungen sind.The method according to the invention then also leads to a functional one Component if the superconductor is of the type that a thermal Treatment for its preparation is required, e.g. B. that the superconductor is a high-temperature superconductor based on an oxide ceramic. A Another major advantage of the components produced in this way is that that they occur even at low temperatures - albeit more slowly chemical reactions can be prevented because of the passivation layer  can be applied that they completely or partially of the superconductor Semiconductor separates. This also ensures that the components are resistant to aging and insensitive to temperature increases.

Bei diesem Verfahren wird zunächst der Hochtemperatur-Supraleiter in bekannter Weise hergestellt, d. h. es wird ein Substrat durch Pressen, Tempern und/oder Sintern eines pulverförmigen Ausgangsmaterials aus Oxid- Keramik hergestellt oder der Supraleiter in entsprechender Weise auf einen Träger aufgebracht. Es werden auch sämtliche Behandlungen vorgenommen, welche hohe Temperaturen erfordern, wie Tempern und die Implantation der Sauer­ stoffionen. Der Sauerstoff wird in dem Supraleiter fixiert, indem die Passivierungsschicht den Supraleiter zumindest an allen den Stellen abdeckt, an denen nach Fertigstellung des Bauelements Luftkontakt vorhanden ist, vorzugsweise jedoch auch zwischen Supraleiter und Halbleiter. Nach der Herstellung des Supraleiters ist dann darauf zu achten, daß alle weiteren Verfahrensschritte bei geringer Temperatur erfolgen, so daß im wesentlichen aus der Oxid-Keramik kein Sauerstoff entweicht. Dazu dient zum einen die vorgesehene Passivierungsschicht, zum anderen die Tatsache, daß auf dem supraleitenden Substrat ein amorphes oder polykristallines Halbleitermaterial abgeschieden wird. Die Abscheidung derartiger Materialien erfolgt nämlich bei relativ geringen Temperaturen. Dabei ist entscheidend, daß die Temperaturen so niedrig gehalten werden, daß eine temperaturabhangige Schädigung des Supraleiters nicht mehr auftreten kann. Auf diese Weise ist sichergestellt, daß während der Herstellung des Bauelements weder ein Austritt des Sauer­ stoffs aus der Oxid-Keramik noch eine Verunreinigung der Halbleiteroberfläche mit Sauerstoff erfolgt.In this process, the high-temperature superconductor is first in manufactured in a known manner, d. H. it becomes a substrate by pressing, Annealing and / or sintering a powdery starting material made of oxide Manufactured ceramic or the superconductor in a corresponding manner Carrier applied. All treatments are also carried out high temperatures, such as tempering and implantation of the acid fabric ions. The oxygen is fixed in the superconductor by the Passivation layer covers the superconductor at least in all the places, where there is air contact after completion of the component, but preferably also between superconductor and semiconductor. After Production of the superconductor must then be ensured that all others Process steps take place at low temperature, so that essentially No oxygen escapes from the oxide ceramic. On the one hand, the provided passivation layer, on the other hand the fact that on the superconducting substrate is an amorphous or polycrystalline semiconductor material is deposited. Such materials are deposited at relatively low temperatures. It is crucial that the temperatures be kept so low that temperature-dependent damage to the Superconductor can no longer occur. This ensures that during the production of the component, neither an exit of the acid oxide ceramic still contaminates the semiconductor surface done with oxygen.

Weiterbildungen der Erfindung sind den Unteransprüchen zu entnehmen.Further developments of the invention can be found in the subclaims.

Das Wesen der Erfindung soll nachfolgend anhand eines Ausführungsbeispiels näher erläutert werden.The essence of the invention is intended to be explained below using an exemplary embodiment are explained in more detail.

Zunächst wird ein Substrat aus einer Oxid-Keramik hergestellt, die den Hochtemperatur-Supraleiter bildet. Dazu wird pulverförmiges Ausgangsmaterial in die vorbestimmte Form des Substrats gepreßt, anschließend unter Temperaturerhöhung und Druck gesintert, wobei der Preß- und Sintervorgang in einer Sauerstoffatmosphäre erfolgt. Hierbei handelt es sich um bekannte Verfahrensschritte, wozu beispielsweise auf T. Wolf et al.: "Preparation and characterization of isotropic and textured YBa2Cu3O7-x with high density and low residual resistivity", Physica, Bel. 153-155 1988 S. 351 f., North Holland Amsterdam, verwiesen wird.First, a substrate is made from an oxide ceramic that forms the high-temperature superconductor. For this purpose, powdered starting material is pressed into the predetermined shape of the substrate, then sintered while increasing the temperature and pressure, the pressing and sintering process taking place in an oxygen atmosphere. These are known process steps, for which, for example, on T. Wolf et al .: "Preparation and characterization of isotropic and textured YBa 2 Cu 3 O 7- x with high density and low residual resistivity", Physica, Bel. 153-155 1988 pp. 351 f., North Holland Amsterdam.

Das Substrat wird anschließend mit einer Passivierungsschicht überzogen. Für die Herstellung der Passivierungsschicht können SrTiO3, MgO, ZrO2 oder Si3N4 verwendet werden. Die Passivierungsschichten werden durch irgend eines der bekannten Dünnschichtverfahren aufgebracht, beispielsweise durch Sputtern oder CVD (Chemical Vapour Deposition).The substrate is then coated with a passivation layer. SrTiO 3 , MgO, ZrO 2 or Si 3 N 4 can be used to produce the passivation layer. The passivation layers are applied by any of the known thin film processes, for example by sputtering or CVD (Chemical Vapor Deposition).

Die Passivierungsschicht dient zur Vermeidung chemischer Reaktionen zwischen dem Supraleiter und dem Halbleiter.The passivation layer serves to avoid chemical reactions between the superconductor and the semiconductor.

Danach müssen die erforderlichen elektrischen Verbindungen zwischen dem Supraleiter und dem Halbleiter hergestellt werden.After that, the necessary electrical connections between the Superconductor and the semiconductor are manufactured.

Es gibt zwei Verfahren, eine Verbindung des Halbleiters mit dem Supraleiter zu erreichen:There are two methods of connecting the semiconductor to the superconductor to reach:

  • 1. Eine Verminderung der Dicke der Passivierungsschicht soweit, daß eine Durchtunnelung möglich wird. Dazu wird die Passivierungsschicht an den für eine elektrische Verbindung gewünschten Stellen so dünn gemacht, daß eine chemische Beeinflussung des Supraleiters durch den Halbleiter noch ausgeschlossen bleibt, daß aber eine Durchlässigkeit für Elektronen auftritt (Tunnel-Effekt).1. A reduction in the thickness of the passivation layer to the extent that a Tunneling becomes possible. For this purpose, the passivation layer on the for made an electrical connection desired places so thin that a chemical influence of the superconductor by the semiconductor remains excluded, but a permeability for electrons occurs (tunnel effect).

Der besondere Vorteil dieser Herstellung der elektrischen Verbindung mittels des Tunnel-Effekts besteht darin, daß die chemische Beeinflussung zwischen Halbleiter und Supraleiter völlig ausgeschlossen ist.The particular advantage of this electrical connection by means of the tunnel effect is that the chemical influence between semiconductor and superconductor is completely excluded.

  • 2. Ein Abätzen der Schicht so weit, daß eine unmittelbare Verbindung entsteht.2. An etching of the layer so far that a direct connection arises.

Die durch teilweises Entfernen bzw. Abtragen der Passivierungsschicht erzielten elektrischen Verbindungen werden im wesentlichen durch die Funktion des angestrebten, aus einem Halbleiter und einem Hochtemperatur-Supraleiter bestehenden Bauelementes bestimmt. That by partially removing or removing the passivation layer Electrical connections achieved are essentially by function of the desired, from a semiconductor and a high temperature superconductor existing component determined.  

Auf dem so vorbereiteten Substrat wird dann die Halbleiterschicht, die bevorzugt aus Silicium besteht, abgeschieden. Hierzu wird bevorzugt eine Methode gewählt, bei der das Substrat während der Abscheidung auf einer möglichst geringen Temperatur gehalten werden kann. Solche Methoden zur Herstellung einer Siliciumschicht sind aus folgenden Schriften bekannt:The semiconductor layer is then on the substrate prepared in this way preferably consists of silicon, deposited. For this purpose, one is preferred Method chosen in which the substrate is deposited on a temperature can be kept as low as possible. Such methods of The production of a silicon layer is known from the following documents:

Die Herstellung von mikrokristallinem Si:
G. Willeke et al.: Philosoph. Mag. B, Bd. 46, 1982, S. 177 f.
Die Herstellung von polykristallinem Si:
A. C. Adams in: VLSI-Technology, Mc Graw-Hill, New York, 1983, ed. by S. M. Sze, Seite 93 f.The production of microcrystalline Si:
G. Willeke et al .: Philosopher. Mag. B, Vol. 46, 1982, pp. 177 f.
The production of polycrystalline Si:
AC Adams in: VLSI-Technology, Mc Graw-Hill, New York, 1983, ed. By SM Sze, page 93 f.

Die Herstellung von a-Si (aus SiH4):
P. G. Le Comber and W. E. Spear, in: Amorphous Semiconductors, Springer- Verlag, Berlin, 1971, ed. by. M. H. Brodsky, Seite 251 f.The production of a-Si (from SiH 4 ):
PG Le Comber and WE Spear, in: Amorphous Semiconductors, Springer-Verlag, Berlin, 1971, ed. By. MH Brodsky, page 251 f.

Wie bereits erwähnt, ist unbedingt zu vermeiden, daß während der Beschich­ tung mit dem Halbleiter weder Sauerstoff an der Oberfläche des Supraleiters austritt noch Sauerstoff in die Oberfläche des Halbleiters eindiffundiert. Bevorzugt erfolgt daher die Abscheidung aus der Gasphase in einer ent­ sprechend geführten Gasentladung. Dazu wird in bekannter Weise beispielsweise ein Silan in einer Gasentladung, beispielsweise einer Glimmentladung, zersetzt, wobei sich dann das Silicium auf dem Substrat abscheidet. Die Substrattemperatur kann noch dadurch weiter erniedrigt werden, daß die Gasentladung mit einem Gasgemisch durchgeführt wird, bei dem der Wasserstoff im Überschuß vorhanden ist.As already mentioned, it is essential to avoid that during the coating device with the semiconductor neither oxygen on the surface of the superconductor leaking oxygen diffuses into the surface of the semiconductor. The separation from the gas phase is therefore preferably carried out in an ent speaking guided gas discharge. This is done in a known manner, for example a silane in a gas discharge, for example a glow discharge, decomposes, whereupon the silicon deposits on the substrate. The Substrate temperature can be reduced even further that the Gas discharge is carried out with a gas mixture in which the hydrogen is in excess.

In der Zeichnung ist ein nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestelltes Bauelement dargestellt. Es zeigenIn the drawing is a manufactured according to the inventive method Component shown. Show it

Fig. 1 das Bauelement in einem Schnitt durch alle vorhandenen Schichten und Fig. 1 shows the component in a section through all existing layers and

Fig. 2 ein Schnitt durch die Passivierungsschicht. Fig. 2 shows a section through the passivation layer.

Fig. 1 zeigt einen Träger 1, auf dem ein Supraleiter 2 aufgebracht ist. Der Supraleiter 2 ist durch eine Passivierungsschicht 3 abgedeckt, welche mittels Fenster 5 (Fig. 2) elektrisch durchbrochen ist. Diese Fenster 5 dienen der Kontaktierung des über der Passivierungsschicht 3 liegenden Halbleiters 4 und können als völlige Durchbrechungen 5′ der Passivierungsschicht 3 oder als den Tunnel-Effekt erlaubende Stellen verminderter Dicke 5′′ der Passivierungs­ schicht 3 ausgebildet sein (Fig. 1). Fig. 1 shows a carrier 1 on which a superconductor 2 is applied. The superconductor 2 is covered by a passivation layer 3 , which is electrically broken through by means of window 5 ( FIG. 2). These windows 5 are used for contacting the semiconductor 4 lying above the passivation layer 3 and can be formed as complete openings 5 'of the passivation layer 3 or as a tunnel effect allowing locations of reduced thickness 5 ''of the passivation layer 3 ( Fig. 1).

Claims (17)

1. Verfahren zur Herstellung eines Bauelementes mit einem Supraleiter und einem Halbleiter, dadurch gekennzeichnet, daß zunächst der Supraleiter mit sämtlichen Behandlungen, welche hohe Temperaturen erforderlich machen, hergestellt wird, daß dann der Supraleiter vollständig oder teilweise mit einer Passivierungsschicht überzogen wird, daß die Passivierungsschicht für erforderliche elektrische Verbindungen partiell abgetragen oder reduziert wird und daß dem in dieser Weise vorbehandelten Substrat der Halbleiter bei für den Supraleiter unschädlichen Temperaturen abgeschieden wird.1. A method for producing a component with a superconductor and a semiconductor, characterized in that first the superconductor is produced with all treatments that require high temperatures, that the superconductor is then completely or partially coated with a passivation layer, that the passivation layer is partially removed or reduced for required electrical connections and that the semiconductor pretreated in this way is deposited at temperatures that are harmless to the superconductor. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Supraleiter ein Hochtemperatur-Supraleiter in bekannter Weise durch Pressen, Sintern und/oder Tempern hergestellt wird.2. The method according to claim 1, characterized, that as a superconductor, a high-temperature superconductor in a known manner is produced by pressing, sintering and / or tempering. 3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das gesamte den Supraleiter bildende Substrat mit einer Passivie­ rungsschicht überzogen wird und daß anschließend die Passivierungs­ schicht an den Stellen abgeätzt wird, die mit dem noch aufzubringenden Halbleiter in Kontakt stehen sollen. 3. The method according to claim 1 or 2, characterized, that the entire substrate forming the superconductor with a passive layer is coated and that then the passivation layer is etched away at the points that still have to be applied Semiconductors should be in contact.   4. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Passivierungsschicht in einer solchen Dicke aufgebracht wird, daß sie den Supraleiter vom aufzubringenden Halbleiter isoliert, und daß an den Stellen, an denen eine elektrische Verbindung gewünscht wird, die Passivierungs­ schicht auf eine Dicke abgetragen wird, die eine Durchlässigkeit für Elektronen durch den Tunnel-Effekt erlaubt.4. The method according to claim 1 or 2, characterized, that the passivation layer is applied in such a thickness, that it isolates the superconductor from the semiconductor to be deposited, and that at the places where an electrical connection is desired, the passivation layer is removed to a thickness that is permeable to Electrons allowed by the tunnel effect. 5. Verfahren nach Anspruch 2, 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleitermaterial in amorpher oder mikrokristalliner Form abgeschieden wird.5. The method according to claim 2, 3 or 4, characterized, that the semiconductor material in amorphous or microcrystalline form is deposited. 6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß als Halbleitermaterial Silicium verwendet wird.6. The method according to claim 5, characterized, that silicon is used as the semiconductor material. 7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Silicium durch Kathodenzerstäuben abgeschieden wird.7. The method according to claim 6, characterized, that the silicon is deposited by sputtering. 8. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Silicium aus einer gasförmigen Siliciumverbindung, gegebenenfalls unter Zusatz eines Dotierungsstoffes, abgeschieden wird.8. The method according to claim 6, characterized, that the silicon from a gaseous silicon compound, optionally with the addition of a dopant. 9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß als Siliciumverbindung Silan verwendet wird.9. The method according to claim 8, characterized, that silane is used as the silicon compound. 10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Abscheidung unter Wasserstoffüberschuß erfolgt.10. The method according to claim 9, characterized, that the deposition takes place under an excess of hydrogen. 11. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Passivierungsschicht in einem Dünnschichtverfahren aufgebracht wird. 11. The method according to one or more of claims 1 to 10, characterized, that the passivation layer is applied in a thin film process becomes.   12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Aufbringung durch Sputtern erfolgt.12. The method according to claim 11, characterized, that the application is done by sputtering. 13. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Aufbringung durch CVD (Chemical Vapour Deposition) erfolgt.13. The method according to claim 11, characterized, that the application is carried out by CVD (Chemical Vapor Deposition). 14. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß als Passivierungsschicht SrTiO3 verwendet wird.14. The method according to one or more of claims 1 to 13, characterized in that SrTiO 3 is used as passivation layer. 15. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß als Passivierungsschicht MgO verwendet wird.15. The method according to one or more of claims 1 to 13, characterized, that MgO is used as the passivation layer. 16. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß als Passivierungsschicht ZrO2 verwendet wird.16. The method according to one or more of claims 1 to 13, characterized in that ZrO 2 is used as the passivation layer. 17. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß als Passivierungsschicht Si3N4 verwendet wird.17. The method according to one or more of claims 1 to 13, characterized in that Si 3 N 4 is used as the passivation layer.
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