DE3832761A1 - Production of orientated layers of the high-temperature superconductor Tl-Ba-Ca-Cu oxide - Google Patents

Production of orientated layers of the high-temperature superconductor Tl-Ba-Ca-Cu oxide

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Abstract

Process for producing an optimally crystal-oriented superconductor layer (2) by further heating (14) of the material of the (not yet crystallised) layer (2) up to or above the melting point TS. On cooling (15) in the direct region of the melting point, crystal-oriented crystallisation commences. <IMAGE>

Description

Bekannt sind aus Natur, Vol. 332, (1988), No. 6163, S. 420 bis 422 und aus einem Preprint mehrere Phasen eines keramischen Hochtemperatursupraleiters des Systems Tlm-Ba2-Ca n 1Cu n -Oxid mit n =1, 2, 3, 4 und m =1 oder 2 sowie mit Variationen der Stöchiometrie, insbesondere hinsichtlich des Verhältnisses Ba-Ca.Are known from Nature, Vol. 332, (1988), No. 6163, p. 420 to 422 and from a preprint several phases of a ceramic high-temperature superconductor of the system Tl m -Ba 2 -Ca n 1 Cu n -Oxide with n = 1, 2, 3, 4 and m = 1 or 2 and with variations stoichiometry, especially with respect to the Ba-Ca ratio.

Für die technische Verwendung supraleitender Schichten ist eine Orientierung der in den Schichten enthaltenen Kristallite nach bestimmten kristallographischen Richtungen von Bedeutung. Orientierte Schichten stellen in ihren physikalischen Eigen­ schaften einen Schritt in Richtung Einkristall dar, zeigen also z.T. die Anisotropie des entsprechenden Einkristalls, sind aber i.a. wesentlich leichter herzustellen als Einkristalle.One is for the technical use of superconducting layers Orientation of the crystallites contained in the layers certain crystallographic directions of importance. Oriented layers have their own physical properties represent a step in the direction of the single crystal, so show partly the anisotropy of the corresponding single crystal, however i.a. much easier to manufacture than single crystals.

Bei supraleitenden Schichten aus Y-Ba-Cu-Oxid, Bi-Sr-Ca- Cu-Oxid und Tl-Ba-Ca-Cu-Oxid versucht man durch eine Orientie­ rung bzw. Textur der Kristallite insbesondere eine hohe kritische Stromflußdichte in der Schicht zu ermöglichen.For superconducting layers made of Y-Ba-Cu oxide, Bi-Sr-Ca Cu oxide and Tl-Ba-Ca-Cu oxide are tried by an orientation tion or texture of the crystallites in particular a high to allow critical current density in the layer.

Die Herstellung supraleitender Schichten erfolgt gemäß dem Stand der Technik nach vielen verschiedenen Verfahren, wie z.B. durch Sputtern oder Verdampfen der den Supraleiter bildenden Elemente. Dabei erhält man eine vorgegebene Kristallstruktur des Supraleiters entweder durch ein dem Aufbringen der Schicht nachfolgendes Tempern oder durch Heizen des Substrats direkt beim Aufbringen der Schicht. Die Art, in der die Elemente bei diesem Verfahren auf das Substrat aufgebracht werden, führt zu einer relativ homogenen Mischung der Elemente, so daß eine Durchmischung nicht notwendig ist, wie sie bei der Herstellung z.B. eingangs genannten keramischen Materials durch mehrmaliges Umsetzen und Mahlen erfolgt. Nach vorgenannten Verfahren der Schichtherstellung erzeugte Schichten weisen, abhängig vom Substrat und von eventuell vorhandenen Zwischenschichten (zur Vermeidung von Reaktionen zwischen Supraleiter und Substrat) nicht immer die gewünschte bzw. notwendige Textur auf.The superconducting layers are produced in accordance with the State of the art according to many different processes, e.g. by sputtering or evaporating the superconductor Elements. This gives you a predetermined crystal structure of the superconductor either by applying the layer subsequent annealing or by heating the substrate directly when applying the layer. The way in which the elements this method applied to the substrate leads to a relatively homogeneous mixture of the elements, so that a Mixing is not necessary, as in the production e.g. ceramic material mentioned above by repeated Transfer and grinding takes place. According to the aforementioned process of  Layers produced layers have, depending on Substrate and of any intermediate layers (for Avoidance of reactions between superconductor and substrate) does not always have the desired or necessary texture.

Dicke supraleitende Schichten können z.B. durch Siebdruck­ verfahren unter Verwendung einer Paste aus den Rohmaterialien oder aus einem vorreagierten Pulver und einem Bindemittel her­ gestellt werden. Auch hier erfolgt die Herstellung der vorge­ gebenen Phase in einer zusammenhängenden Schicht durch nach­ folgendes Tempern. Geht man hier von einer bloßen Mischung der Rohmaterialien aus, so ist es problematisch, die notwendige Homogenität der Schicht zu erreichen. Zur Verwendung eines vor­ reagierten Pulvers ist dagegen das bereits erwähnte mehrmalige Umsetzen und Mahlen nötig. Es liegt in der Natur dieser Her­ stellungsmethode des Sinterns, daß diese Dickschichten nicht texturiert sind, da nur ein Zusammenbacken der statistisch orientierten Kristallite beim Sintern erfolgt.Thick superconducting layers can e.g. by screen printing process using a paste from the raw materials or from a pre-reacted powder and a binder be put. Here too, the pre-production takes place given phase in a coherent layer following annealing. Assuming here a mere mixture of the Raw materials, so it is problematic to find the necessary To achieve homogeneity of the layer. To use a before reacted powder, on the other hand, is the repeated one already mentioned Relocation and grinding necessary. It is in the nature of this her Positioning method of sintering that these thick layers are not are textured, since only a caking of the statistical oriented crystallites during sintering.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist, die Herstellungsbe­ dingung für Schichten mit wie oben angegebenen Zusammen­ setzungen supraleitenden Materials anzugeben, wobei diese Schichten reproduzierbar vorgegebene Textur und Struktur haben.The object of the present invention is the manufacturing condition for layers with a combination as given above Specify settlements of superconducting material, this Layers have reproducible predetermined texture and structure.

Diese Aufgabe wird mit den Maßnahmen des Patentanspruchs 1 ge­ löst.This task is ge with the measures of claim 1 solves.

Der Erfindung lagen unter anderem folgende Erkenntnisse zugrunde. Mit Hilfe der Hochtemperatur-Röntgenbeugung konnte die erfindungswesentliche Feststellung gemacht werden, daß unter bestimmten, noch zu erörternden Umständen Tallium 1 oder 2- Barium-Kalzium-Kupfer-Oxid direkt aus den Rohmaterialien in nur einem Arbeitsgang als bereits praktisch perfekt orientierte Schicht hergestellt werden kann. Dabei ist ein erfindungsge­ mäßes Aufschmelzen der in der Rohstoffmischung der bereits auf­ gebrachten Schicht enthaltenen Materialien von wesentlicher Be­ deutung. In dem erfindungsgemäß vorgesehenen schmelzflüssigen Zustand findet der Stofftransport der Rohmaterialien wesentlich schneller statt, als beispielsweise beim Umsetzen des kerami­ schen Materials. Mit der Erfindung erreicht man somit eine optimale Durchmischung der Rohmaterial-Bestandteile bzw. -elemente schon nach sehr kurzer Zeit, typischerweise bereits in Sekunden bis Minuten.The following findings were among others for the invention underlying. With the help of high temperature X-ray diffraction the determination essential to the invention be made that Tallium 1 or 2- under certain circumstances to be discussed Barium calcium copper oxide straight from the raw materials in only one work step as already practically perfectly oriented Layer can be made. Here is a fiction moderate melting of the already in the raw material mixture brought layer contained materials of essential loading interpretation. In the molten liquid provided according to the invention  The condition of the material transport of the raw materials is essential faster than, for example, when moving the kerami material. With the invention one thus achieves optimal mixing of the raw material components or elements after a very short time, typically already in seconds to minutes.

Aus der erfindungsgemäß vorgesehenen Schmelze kristallisieren bei Temperaturen im Bereich der Kristallisationstemperatur plättchenförmige Kristallite der jeweils vorgegebenen supra­ leitenden Phase. Wie die mittels der Röntgenbeugung vorge­ nommene Beobachtung des Kristallisationsvorganges ergab, "schwimmen" diese bereits gebildeten einkristallinen Plättchen mit ihrer kristallographischen c-Achse senkrecht zur Oberfläche des Substrats bzw. der Schmelze ausgerichtet in der noch vor­ handenen Schmelze. Dieses Verhalten wurde sogar bei einem solchen Substrat aus Zirkonoxid festgestellt, das keine be­ sondere Oberflächenbehandlung erfahren hatte.Crystallize from the melt provided according to the invention at temperatures in the range of the crystallization temperature platelet-shaped crystallites of the given supra leading phase. Like that pre-selected by means of X-ray diffraction observation of the crystallization process, these monocrystalline platelets which have already been formed "float" with its crystallographic c-axis perpendicular to the surface of the substrate or the melt still aligned in the front existing melt. This behavior was even observed in one such substrate made of zirconia found that no be had experienced special surface treatment.

Beim dann weiteren Abkühlen bleibt diese erfindungsgemäß er­ reichte perfekte Orientierung der wachsenden Kristallite (001-Textur) erhalten.When it cools down further, it remains according to the invention enough perfect orientation of the growing crystallites (001 texture) obtained.

Von Bedeutung für ein Ausbleiben einer Veränderung der ur­ sprünglichen Einwaage bzw. Stöchiometrie, und zwar insbesondere im Zeitraum, in dem die Kristallisation aus der Schmelze ab­ läuft, ist die Vermeidung von Reaktionen der Schmelze mit dem Material des Substrats. Diese Bedingung läßt sich hinreichend erfüllen, wenn die Bedingungen des erfindungsgemäß vorgesehenen Verfahrensschrittes, des vorübergehenden Erreichens des Schmelz­ zustandes für nur kurze Zeit aufrechterhalten werden. Probleme ergeben sich damit nicht, denn, wie schon oben gezeigt, erfolgt die Homogenisierung im schmelzflüssigen Zustand innerhalb kürzester Zeit.Of importance for a failure to change the original original weight or stoichiometry, in particular in the period in which the crystallization starts from the melt is running, avoiding reactions of the melt with the Material of the substrate. This condition can be sufficiently met meet if the conditions of the invention Process step, the temporary reaching of the enamel state can be maintained for only a short time. Problems do not arise because, as already shown above, takes place the homogenization in the molten state within shortest time.

Nachfolgend wird ein Ausführungsbeispiel zur Erfindung mit seinen Varianten beschrieben. Dieses Verfahren umfaßt die folgenden Verfahrensschritte: An exemplary embodiment of the invention is described below described its variants. This procedure includes the following process steps:  

1. Eine der Stöchiometrie entsprechend vorgegebene Mischung entweder der Rohmaterialien oder der Bestandteilselemente wird auf ein zur Beschichtung vorgesehenes Substrat auf­ gebracht. Dies erfolgt z.B. durch Siebdrucken oder durch Aufschlämmen der Karbonate, Oxyde und dgl.. Für das Auf­ bringen kann auch von vorreagiertem Pulver ausgegangen werden. Für dünne Schichten wendet man zweckmäßigerweise Sputtern oder Verdampfen der Bestandteile bzw. Elemente an.1. A mixture specified according to the stoichiometry either raw materials or constituent elements is applied to a substrate provided for coating brought. This is done e.g. by screen printing or by Slurrying the carbonates, oxides and the like can also start from pre-reacted powder will. It is advisable to use for thin layers Sputtering or evaporation of the components or elements.

2. Das Substrat wird auf Kristallisationstemperaturen der vorgegebenen Phase aufgeheizt. Das Aufheizen kann z.B. nach dem Stand der Technik mittels Beheizung erfolgen oder es kann auch Energie-, insbesondere Laser-Bestrahlung hierfür vorgesehen sein. Bei Tl-Ba-Ca-Cu-Oxid liegen solche Tempera­ turen je nach der gewünschten Phase bzw. Struktur in einem Temperaturbereich T l , der vorzugsweise zwischen 860 und 910°C liegt. Es ist dies der Hauptbereich des bekannten und zu einem Anteil des auch bei der Erfindung vorgesehenen Kristallisationsprozesses.2. The substrate is heated to crystallization temperatures of the given phase. Heating can take place, for example, according to the prior art by means of heating, or energy, in particular laser, radiation can also be provided for this purpose. With Tl-Ba-Ca-Cu oxide, such temperatures are, depending on the desired phase or structure, in a temperature range T l , which is preferably between 860 and 910 ° C. This is the main area of the known and part of the crystallization process also provided in the invention.

3. Als erfindungsgemäßer Schritt wird mittels eines Licht­ blitzes (rapid optical annealing), mittels Anwendung von Laserstrahlung, mittels wie bei dem oben angegebenem indirekten Heizen des Materials der Schicht oder dgl., diese Schicht weiter bzw. zusätzlich auf Temperaturen oberhalb der Schmelztemperatur T S aufgeheizt. Bei dieser erfindungsgemäßen Maßnahme kann gemäß einer Variante die Schmelztemperatur des Materials der Schicht sogar für beschränkte Zeit wesentlich (T max) überschritten werden. An sich kann dieses erfindungs­ gemäß vorgesehene zusätzliche Aufheizen auch langzeitig z.B. länger als für Sekunden bzw. Minuten ausgeführt werden, (vor allem von Bedeutung bei indirektem Heizen) nämlich dann, wenn eine Reaktion der Schmelze mit dem Substrat ausgeschlossen ist. Man wird möglichst kurzzeitiges weiteres bzw. zusätzliches Aufheizen bevorzugen.3. As a step according to the invention, this layer is further or additionally heated to temperatures above the melting temperature T S by means of a flash of light (rapid optical annealing), by using laser radiation, by means of the indirect heating of the layer or the like specified above heated up. With this measure according to the invention, according to one variant, the melting temperature of the material of the layer can be substantially exceeded (T max ) even for a limited time. As such, this additional heating provided according to the invention can also be carried out for a long time, for example longer than for seconds or minutes (especially important for indirect heating), namely when a reaction of the melt with the substrate is excluded. One will prefer further or additional heating as short as possible.

Dieses gegenüber dem Stand der Technik vorgesehene weitere zusätzliche Aufheizen kann auch Bestandteil, d.h. die End­ phase, eines einheitlichen Aufheizvorganges sein, der dann, abweichend vom Stand der Technik, erfindungsgemäß bis zur Schmelztemperatur T S der Schicht oder noch etwas höher geführt wird.This additional heating provided over the prior art can also be part, ie the end phase, of a uniform heating process which, in contrast to the prior art, is then carried out according to the invention up to the melting temperature T S of the layer or a little higher.

4. Nach diesem gegenüber dem Stand der Technik zusätzlichen Aufheizen läßt man das Substrat auf die in Punkt 2 angegebene Kristallisationstemperatur abkühlen. Es kann von wesentlichem Vorteil sein, eine Haltezeit von 0,5 bis 3 min bei Erreichen der oberen Kristallisationstemperatur einzu­ halten. Entsprechend üblichem Kristallwachsen ist unter Kristallisationstemperatur ein Temperaturbereich T l zu ver­ stehen, in dem einerseits bereits Kristallisation erfolgt, andererseits aber die Temperatur noch hoch genug ist, daß sauberes Kristallwachstum abläuft.4. After this additional heating compared to the prior art, the substrate is allowed to cool to the crystallization temperature specified in point 2. It can be of considerable advantage to adhere to a holding time of 0.5 to 3 minutes when the upper crystallization temperature is reached. Corresponding to conventional crystal growth, a temperature range T l is to be understood under crystallization temperature, in which crystallization has already taken place on the one hand, but on the other hand the temperature is still high enough that clean crystal growth takes place.

Der an sich nach dem Stand der Technik ablaufende Verfah­ rensschritt dieses Punktes 4 unterscheidet sich aber erfin­ dungsgemäß in den Details des Kristallwachstums. Erfindungs­ gemäß geht hier das Kristallwachstum von im Verfahrens­ schritt 3 erzeugten zahlreichen, bereits perfekt orientier­ ten Keimkristallen aus, so daß das insgesamte Kristallwachs­ tum hohe Perfektion der Ausrichtung aufweist. Dies bei der Erfindung selbst dann, wenn im Verfahrensschritt des Punktes 4 weniger sorgfältig gearbeitet werden sollte, als dies für Verfahren nach dem Stand der Technik üblich und vorge­ schrieben ist.The proceeding per se according to the state of the art However, step 4 of this point differs appropriately in the details of crystal growth. Invention according to the crystal growth here in the process step 3 produced numerous, already perfectly orientated ten seed crystals, so that the total crystal wax tum shows a high level of alignment perfection. This with the Invention even if in the process step of the point 4 should be worked less carefully than for Methods according to the prior art common and pre is written.

5. Vorzugsweise nach kurzer Haltezeit im Bereich der Kristallisa­ tionstemperaturen T l wird das Substrat mit der entsprechend der Erfindung hochqualitativen Kristallorientierung auf Raumtemperatur abgekühlt.5. Preferably after a short holding time in the range of crystallization temperatures T l , the substrate is cooled to room temperature with the high-quality crystal orientation according to the invention.

Die Erfindung läßt sich insbesondere auch dazu verwenden, in der Schicht aus dem an sich supraleitenden Material Leiter­ bahnen mit der erfindungsgemäß optimalen Kristallorientierung zu erzeugen. Diese Leiterbahnen haben dann die eigentliche supraleitende Eigenschaft. Die Leiterbahnen werden z.B. in der Weise hergestellt, daß nur in den diesen Leiterbahnen ent­ sprechenden Flächenanteilen der Schicht die erfindungsgemäß zu erzielende optimale Kristallorientierung erreicht ist, nämlich indem man die Schicht nur in diesen Flächenanteilen mit dem zusätzlichen Aufheizen beaufschlagt. Vorteilhafter ist es aber, das Aufheizen gemäß den Verfahrensschritten 2 und 3 auf die Flächenanteile der Leiterbahnen zu begrenzen. Damit ent­ stehen ebenfalls die supraleitenden Bahnen mit optimaler Kristallorientierung. Zusätzlich bietet sich hier aber die Möglichkeit, restliche, für die Leiterbahnen und dgl. nicht benötigte Anteile der Schicht, z.B. durch Abwachsen, wieder zu entfernen.The invention can also be used in particular in the layer of the superconducting material conductor orbits with the optimal crystal orientation according to the invention to create. These conductor tracks then have the actual one  superconducting property. The conductor tracks are e.g. in the Made in such a way that only in these traces speaking areas of the layer according to the invention optimal crystal orientation to be achieved is reached, namely by using the layer only in these areas the additional heating. It is more advantageous however, the heating according to process steps 2 and 3 limit the area of the conductor tracks. With that ent are also the superconducting tracks with optimal Crystal orientation. In addition, here is the Possibility of remaining, for the conductor tracks and the like not required portions of the layer, e.g. by waxing up again remove.

Weitere Erläuterungen gehen aus den nachfolgend beschriebenen Figuren hervor.Further explanations can be found in the following Figures.

Die Fig. 1 zeigt in einer perspektivischen Ansicht mit 1 bezeichnet ein Substrat, auf dem sich eine Schicht 2 aus dem Tallium-Barium-Kalzium-Kupfer-Oxid befindet. Mit 3 ist eine Heizung für das Substrat 1 bezeichnet. Gemäß einer Ausführungs­ form der Erfindung wird mittels dieser Heizung 3 die Schicht 2 auf Temperaturen des mit T l bezeichneten Temperaturbereichs aufgeheizt, wobei diese Temperaturen im Temperaturbereich T l der Kristallisation des Materials der Schicht 2 liegen. Mit 4 ist dann Strahlung von Lichtblitzen oder eines Lasers be­ zeichnet. Diese Strahlung 4 dient zum erfindungsgemäßen zusätzlichen weiteren Aufheizen auf Temperaturen, die wenigstens den Schmelzpunkt T S erreichen, insbesondere aber übersteigen. Mit 40 ist ein gemäß der obenerwähnten Anwendung erzeugtes Leiterbahnstück in der Schicht 2 bezeichnet. Fig. 1 shows in a perspective view with 1 denotes a substrate on which a layer 2 of the thallium-barium-calcium-copper-oxide is located. 3 with a heater for the substrate 1 is designated. According to one embodiment of the invention, form by means of this heater 3, the layer 2 on temperatures of the temperature range denoted by T L is heated, these temperatures in the temperature range T l of the crystallization of the material of the layer 2 are. With 4 radiation from flashes of light or a laser is then characterized. This radiation 4 is used for additional heating according to the invention to temperatures which at least reach the melting point T S , but in particular exceed it. 40 designates a conductor track piece produced according to the above-mentioned application in layer 2 .

Gemäß einer anderen Ausführungsform der Erfindung kann das Aufheizen wenigstens im wesentlichen auch allein durch die Energiestrahlung 4 erfolgen.According to another embodiment of the invention, the heating can also take place at least essentially solely by means of the energy radiation 4 .

Fig. 2 zeigt ein Temperatur-(T)-Zeit-(t)-Diagramm. Die gestrichelt eingetragenen Kurvenzüge 11 und 12 sind Aufheizung und Abkühlung nach dem Stand der Technik mit 13 ist die Kristallisation nach dem Stand der Technik bezeichnet. Die Kristallisation erfolgt in dem mit T l bezeichneten Temperatur­ bereich. Fig. 2 shows a temperature (T) -time (t) diagram. The curves 11 and 12 shown in dashed lines are heating and cooling according to the prior art, with 13 the crystallization according to the prior art. The crystallization takes place in the temperature range designated T l .

Mit der ausgezogenen Kurve 14 ist auf die erfindungsgemäß vor­ gesehene zusätzliche Aufheizung auf dem Stand der Technik gegenüber höhere Temperaturen bis wenigstens zum Schmelzpunkt T S oder bis zu noch höhereren Temperaturen T max oberhalb des Schmelzpunktes hingewiesen. Das Aufheizen gemäß den Anteilen 11 und 14 kann auch erfindungsgemäß ein einziger durchlaufender Aufheizprozeß, z.B. allein mittels Laserstrahlung, sein.The solid curve 14 indicates the additional heating according to the prior art seen in the prior art compared to higher temperatures up to at least the melting point T S or up to even higher temperatures T max above the melting point. The heating according to the parts 11 and 14 can also be a single continuous heating process according to the invention, for example by means of laser radiation alone.

Mit 15 ist der Temperaturabfall von der Temperatur T max bzw. der Temperatur T S bis in den Bereich der Temperaturen T l bezeichnet. Während dieses Temperaturabfalls erfolgt das erfindungsgemäße erste Auskristallisieren mit der der Erfin­ dung gemäßen Orientierung der gerade gebildeten Kristallite in der ansonsten noch im wesentlichen schmelzflüssigen Schicht 2. Der als Weiterbildung der Erfindung vorgesehene flache Tempe­ raturabfall 16 im Bereich der Kristallisationstemperaturen T l begünstigt das vollständige Auskristallisieren der dann erfindungsgemäß optimal kristallorientierten Schicht 2. Mit 17 ist der Abkühlungsprozeß bezeichnet, der der bekannten Ab­ kühlung 12 entspricht.The temperature drop from the temperature T max or the temperature T S to the range of the temperatures T 1 is denoted by 15 . During this drop in temperature, the first crystallization according to the invention takes place with the orientation of the just formed crystallites in accordance with the invention in the otherwise essentially molten layer 2 . The flat temperature drop 16 provided as a further development of the invention in the region of the crystallization temperatures T 1 favors the complete crystallization of the layer 2 which is optimally crystal-oriented according to the invention. With 17 the cooling process is designated, which corresponds to the known cooling from 12 .

Wie aus der Fig. 2 ersichtlich, setzt die Erfindung beim Zeit­ punkt t =a ein, nämlich wo erfindungsgemäß entgegen der Praxis des Standes der Technik noch weiteres Aufheizen bis zum Schmelzpunkt T S oder vorzugsweise bis über den Schmelzpunkt durchgeführt wird.As can be seen from Fig. 2, the invention sets at time t = a, namely, where according to the invention, contrary to the practice of the prior art still further heating is carried out up to the melting point T m or, preferably, to above the melting point.

Claims (11)

1. Verfahren zur Herstellung von Kristall-orientierten supra­ leitenden Schichten aus Hochtemperatur-Supraleitermaterial des Systems TlmBa2Ca n -1Cu n O y mit n = 1, 2, 3, 4 und mit m = 1 oder 2 und Variationen der Stöchiometrie, wobei zunächst auf einem Substrat (1) im Ergebnis eine Schicht aus dem vorgegebenen Material erzeugt wird und diese Schicht (2) auf entsprechend der vorgegebenen Phase innerhalb eines Bereiches liegenden Kristalltemperaturen bis zur erfolgten Kristallisation der Schicht gehalten und schließlich wieder abgekühlt wird, gekennzeichnet dadurch, daß zumindest Anteile (40) dieser Schicht (2) zusätzlich vorübergehend bis in die Schmelzphase gebracht (14, 15) werden.1. Process for the production of crystal-oriented superconducting layers from high-temperature superconductor material of the system Tl m Ba 2 Ca n -1 Cu n O y with n = 1, 2, 3, 4 and with m = 1 or 2 and variations of the stoichiometry, first being formed on a substrate (1) as a result a layer of the predetermined material and this layer (2) is held on corresponding to the predetermined phase within a range lying crystal temperatures until the actual crystallization of the layer, and finally cooled down, characterized in that at least portions ( 40 ) of this layer ( 2 ) are additionally brought ( 14, 15 ) temporarily into the melting phase. 2. Verfahren nach Anspruch 1, gekennzeichnet dadurch, daß das Aufheizen bis in die Schmelzphase ein einziger durch­ laufender Aufheizprozeß ist.2. The method according to claim 1, characterized by that the heating up to the melting phase is a single one ongoing heating process is. 3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, gekennzeichnet dadurch, daß die Schmelzphase mittels Aufheizen durch Lichtblitze (4) erreicht wird.3. The method according to claim 1 or 2, characterized in that the melting phase is achieved by means of heating by flashes of light ( 4 ). 4. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, gekennzeichnet dadurch, daß die Schmelzphase mittels Aufheizen durch Laserstrahlung (4) erreicht wird.4. The method according to claim 1 or 2, characterized in that the melting phase is achieved by heating by laser radiation ( 4 ). 5. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, gekennzeichnet dadurch, daß die Schmelzphase mittels Aufheizen durch indirekte Heizwärme (3) erreicht wird.5. The method according to claim 1 or 2, characterized in that the melting phase is achieved by heating by indirect heating ( 3 ). 6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, gekennzeichnet dadurch, daß nach dem Wiederabkühlen dieser zusätzlichen Aufheizung in die Schmelzphase eine Haltezeit (16) von 0,5 bis 3 min für das Kristallisieren der Schicht eingelegt wird.6. The method according to any one of claims 1 to 5, characterized in that after cooling this additional heating in the melting phase, a holding time ( 16 ) of 0.5 to 3 min is inserted for the crystallization of the layer. 7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, gekennzeichnet dadurch, daß eine Kristallisationstemperatur (T l) in einem Bereich bei Temperaturen zwischen 860 und 910°C gewählt wird.7. The method according to any one of claims 1 to 6, characterized in that a crystallization temperature ( T l ) is selected in a range at temperatures between 860 and 910 ° C. 8. Anwendung eines Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 7, zur Herstellung von Leiterbahnen (40) oder dergl. in einer wie angegebenen Schicht (2), wobei die Aufheizung (14) bis in die Schmelzphase (T S ) nur in den vorgegebenen Leiterbahnen entsprechenden Flächenanteilen der Schicht vorgenommen wird.8. Application of a method according to one of claims 1 to 7, for the production of conductor tracks ( 40 ) or the like. In a layer ( 2 ) as specified, the heating ( 14 ) into the melting phase ( T S ) only in the predetermined Conductors corresponding area parts of the layer is made. 9. Anwendung nach Anspruch 8, gekennzeichnet dadurch, daß nur die Flächenanteile (40) der Leiterbahnen und dergl. der Schicht (2) aufgeheizt werden.9. Application according to claim 8, characterized in that only the surface portions ( 40 ) of the conductor tracks and the like. The layer ( 2 ) are heated. 10. Anwendung nach Anspruch 8 oder 9, gekennzeichnet dadurch , daß für Leiterbahnen oder dergl. nicht erforderliches Material der Schicht (2) wieder entfernt wird.10. Use according to claim 8 or 9, characterized in that material not required for conductor tracks or the like. The layer ( 2 ) is removed again. 11. Anwendung nach Anspruch 10, gekennzeichnet dadurch, daß das Entfernen durch Abwaschen erfolgt.11. Application according to claim 10, characterized by that the removal is done by washing.
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