DE3806050A1

DE3806050A1 - Liquid-crystal display device

Info

Publication number: DE3806050A1
Application number: DE19883806050
Authority: DE
Inventors: Wilhelm Dipl Phys Dr Senske; Karl-Heinrich Dipl Phys Greeb
Original assignee: Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Current assignee: Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Priority date: 1987-05-14
Filing date: 1988-02-26
Publication date: 1988-12-01
Also published as: DE3806050C2

Abstract

A liquid-crystal display device has a multiplicity of picture elements (pixels) (201) which have in each case one assigned field-effect transistor, the gate contacts being arranged on a substrate and the drain and source contacts being arranged on an insulation layer which covers the gate contacts. In order to prevent failing picture elements, (201) electrically conducting light protection layers (light occlusion layers (210) of the field-effect transistors are connected to one another in rows in an electrically conducting manner inside a passivation layer (209) by means of a common contact track (211), and each contact track (211) is guided as an electrical connection out of the passivation layer (209) so that each light protection layer (210) forms the gate contact of a further field-effect transistor from the semiconductor layer (204), the source contact (207), and the drain contact (208) by means of the passivation layer (209). <IMAGE>

Description

Die Erfindung betrifft eine Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung mit einer Vielzahl von auf einem lichtdurchlässigen und isolierenden Substrat matrix förmig angeordneten Bildpunkten mit jeweils einem zugeordneten ersten Feld effekttransistor, dessen Drain-Kontakt mit dem Bildpunkt in elektrisch leitender Verbindung steht, während die Gate-Kontakte und die Source-Kon takte der Feldeffekttransistoren zeilen- bzw. spaltenförmig durch Kontakt bahnen miteinander verbunden sind, wobei die Gate-Kontakte auf dem Sub strat und die Drain- und Source-Kontakte auf einer die Gate-Kontakte be deckenden Isolationsschicht angeordnet sind, und mit einer die Feldeffekt transistoren und die Bildpunkte überziehenden Passivierungsschicht, in die für jeden Feldeffekttransistor eine Lichtschutzschicht für den zwischen dem Drain-Kontakt und dem Source-Kontakt liegenden Bereich der Halbleiter schicht eingebettet ist.The invention relates to a liquid crystal display device with a Variety of matrix on a translucent and insulating substrate pixels arranged in a shape, each with an assigned first field effect transistor, whose drain contact with the pixel in electrical conductive connection, while the gate contacts and the source Kon clock the field effect transistors in rows or columns by contact tracks are interconnected, with the gate contacts on the sub strat and the drain and source contacts on one the gate contacts covering insulation layer are arranged, and with a the field effect transistors and the passivation layer covering the pixels, into which for each field effect transistor a light protection layer for the between the Drain contact and the source contact area of the semiconductor layer is embedded.

Eine derartige Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung ist aus "Applied Physics", 1981, Seiten 357 bis 362, bekannt. Bei dieser Ausbildung einer Flüssig kristall-Anzeigevorrichtung erfolgt die Steuerung jedes Bildpunktes durch einen dem Bildpunkt zugeordneten Feldeffekttransistor, der in Dünnfilmtech nik ausgebildet ist. Die Bildpunkte mit ihren zugeordneten Feldeffekttran sistoren sind rasterförmig angeordnet, wobei die Gate-Kontakte der in einer Zeile angeordneten Feldeffekttransistoren miteinander verbunden sind und für jede Zeile ein Anschluß herausgeführt ist, während die Source-Kon takte der Feldeffekttransistoren spaltenförmig zusammengefaßt und verbunden sind und jeweils der elektrische Anschluß einer Spalte herausgeführt wird. Die Steuerung der Bildpunkte erfolgt über aus einer logischen Schaltung stammende Signale, die den zeilen- und spaltenförmig herausgeführten An schlüssen der Gate- und Source-Kontakte zugeführt werden.Such a liquid crystal display device is from "Applied Physics", 1981, pages 357 to 362. With this formation of a liquid crystal display device is controlled by each pixel by a field effect transistor assigned to the pixel, which in thin-film technology nik is trained. The pixels with their assigned field effect oil Sistors are arranged in a grid, the gate contacts of the in field effect transistors arranged in a row are connected to one another and a connection is led out for each line, while the source con clocks of the field effect transistors are combined and connected in columns are and the electrical connection of a column is led out. The pixels are controlled via a logic circuit originating signals, which lead to the line and column out conclusions of the gate and source contacts are supplied.

Der bekannte Aufbau und seine Herstellung des aus Bildpunkten und Feld effekttransistoren bestehenden Systemteils einer Flüssigkristall-Anzeige vorrichtung soll anhand von Fig. 1 näher erläutert werden. In der Figur sind verschiedene Herstellungsstadien jeweils in Draufsicht und im Quer schnitt zu sehen. Gemäß Fig. 1 A wird von einem isolierenden, transparen ten Substrat 100, das z. B. aus Glas bestehen kann, ausgegangen. Auf dem Substrat 100 befindet sich eine Vielzahl von rasterförmig aufgebrachten Bildpunkten 101, die das Punktraster für die spätere Anzeige bilden. In Fig. 1 sind jeweils nur ein Bildpunkt und der ihm zugeordnete Feldeffekt transistor dargestellt. Die weiteren Bildpunkte bzw. Transistoren sind in der gleichen Weise aufgebaut. Der Bildpunkt 101 ist als transparente Elek trodenschicht, z. B. aus Indium-Zinnoxid, gebildet.The known structure and its production of the system part consisting of pixels and field effect transistors of a liquid crystal display device will be explained in more detail with reference to FIG. 1. In the figure, different stages of manufacture can be seen in plan view and in cross section. 1A is of an insulating, transparen th substrate 100 , the z. B. can be made of glass. A multiplicity of pixels 101 , which are applied in the form of a grid and form the point grid for later display, are located on the substrate 100 . In Fig. 1 only one pixel and the associated field effect transistor are shown. The other pixels or transistors are constructed in the same way. The pixel 101 is as a transparent electrode layer, for. B. made of indium tin oxide.

In den nächsten Herstellungsschritten wird im wesentlichen der Transistor in seinem Aufbau strukturiert. Dazu wird gemäß Fig. 1B zunächst der Gate-Kontakt 102 auf dem Substrat aufgebracht, wobei gleichzeitig auch die elektrischen Verbindungen zu den benachbarten Gate-Kontakten der in einer Reihe liegenden Feldeffekttransistoren gebildet werden. Als Kontaktma terial kann Chrom, Aluminium oder Nickel Verwendung finden. Anschließend werden sämtliche Bildpunkte und Kontakte mit einer geschlossenen Isolier schicht 103 aus Siliciumoxid oder Siliciumnitrit bedeckt. Diese Isolier schicht dient u. a. zur Trennung der Gate-Kontakte und der noch aufzubrin genden Source- und Drain-Kontakte bzw. deren Verbindungen. Anschließend wird die aktive Halbleiterschicht 104 aus amorphem Silicium und über diese eine Kontaktschicht 105 aus stark mit Phosphor dotiertem Silicium ge bildet. Die Bildung der Siliciumschichten erfolgt in bekannter Weise durch die Zersetzung von Silan mittels einer Glimmentladung, wobei die für die Zusammensetzung der Schichten notwendigen Gase beigemengt werden (Fig. 1C). In the next manufacturing steps, the structure of the transistor is essentially structured. For this purpose, according to FIG. 1B is first applied to the gate contact 102 on the substrate, at the same time also the electrical connections to the adjacent gate contacts of the field effect transistors located in a row are formed. Chromium, aluminum or nickel can be used as contact material. Then all pixels and contacts are covered with a closed insulating layer 103 made of silicon oxide or silicon nitride. This insulating layer serves, among other things, to separate the gate contacts and the source and drain contacts or their connections still to be applied. The active semiconductor layer 104 is then made of amorphous silicon and forms a contact layer 105 made of silicon heavily doped with phosphorus. The silicon layers are formed in a known manner by the decomposition of silane by means of a glow discharge, the gases necessary for the composition of the layers being added ( FIG. 1C).

Da der Bildpunkt 101 mit dem Drain-Kontakt 108 zu verbinden ist, muß in den Isolator 103 zunächst ein Kontaktloch 106 geätzt werden (Fig. 1D). Nach dem Beschichten der gesamten Anordnung mit einer Metallschicht werden die Source- und Drain-Kontakte 107, 108 durch weitere lithographische Pro zesse hergestellt, wobei gleichzeitig der Drain-Kontakt 108 des Feldef fekttransistors an den Bildpunkt 101 angeschlossen wird. Als Materialien für diese Kontaktierung dienen im allgemeinen Aluminium, Chrom oder Nickel chrom. Bevor die gesamte Matrix zu einer fertigen Flüssigkristall-Anzeige vorrichtung komplettiert wird, werden die Feldeffekttransistoren und die Bildpunkte durch eine Passivierungsschicht 109 gegen Umwelteinflüsse ge schützt (Fig. 1F). Da der Halbleiter 104 fotoempfindlich sein kann, muß ferner eine Lichtschutzschicht vorgesehen werden. Die Lichtschutz schicht 110 ist in der Passivierungsschicht 109 eingebettet und deckt den freiliegenden Bereich der Halbleiterschicht 104 zwischen dem Source-Kon takt 107 und dem Drain-Kontakt 108 ab. Zur Herstellung der Lichtschutz schichten wird von der Dicke her zunächst nur ein Teil der Passivierungs schicht gebildet, die anschließend mit einer Metallschicht überzogen wird. Diese Metallbeschichtung wird anschließend derart strukturiert, daß der Kanalbereich zwischen dem Source-Kontakt 107 und dem Drain-Kontakt 108 ab gedeckt wird. Anschließend wird die Passivierungsschicht verstärkt, wobei die Lichtschutzschichten 110 als Einbettungen in der Passivierungs schicht 109 entstehen.Since the pixel 101 is to be connected to the drain contact 108 , a contact hole 106 must first be etched into the insulator 103 ( FIG. 1D). After coating the entire arrangement with a metal layer, the source and drain contacts 107 , 108 are produced by further lithographic processes, with the drain contact 108 of the field effect transistor being connected to the pixel 101 at the same time. Aluminum, chromium or nickel are generally used as materials for this contacting. Before the entire matrix is completed to a finished liquid crystal display device, the field effect transistors and the pixels are protected by a passivation layer 109 against environmental influences ( FIG. 1F). Since the semiconductor 104 can be photosensitive, a light protection layer must also be provided. The light protection layer 110 is embedded in the passivation layer 109 and covers the exposed area of the semiconductor layer 104 between the source contact 107 and the drain contact 108 . To produce the light protection layers, only a portion of the passivation layer is initially formed from the thickness, which is then coated with a metal layer. This metal coating is then structured in such a way that the channel region between the source contact 107 and the drain contact 108 is covered. The passivation layer is then reinforced, the light protection layers 110 being formed as embeddings in the passivation layer 109 .

Die beschriebene Matrix für eine Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung hat mehrere Nachteile. So fällt ein Bildpunkt für die Anzeige vollständig aus, wenn der zugeordnete Feldeffekttransistor fehlerhaft arbeitet, wobei keine Möglichkeit für die Reparatur oder einen Austausch des fehlerhaften Feld effekttransistors besteht. Wesentlich schwerwiegender ist der Fall, daß eine Gate-Kontaktbahn unterbrochen wird oder sogar ein Kurzschluß zwischen den Gate-Kontaktbahnen und den Source-Kontaktbahnen auftritt, und zwar an ihren Kreuzungspunkten, wo sie lediglich durch die Isolationsschicht 103 voneinander getrennt sind. Bei einem derartigen Defekt fällt eine voll ständige Zeile in der Matrix aus, ohne daß auch hier die Möglichkeit einer nachträglichen Nachbesserung besteht.The matrix described for a liquid crystal display device has several disadvantages. Thus, a pixel for the display fails completely if the assigned field effect transistor is working incorrectly, with no possibility for the repair or replacement of the faulty field effect transistor. Much more serious is the case where a gate contact path is interrupted or even a short circuit occurs between the gate contact paths and the source contact paths, specifically at their crossing points, where they are only separated from one another by the insulation layer 103 . In the event of such a defect, a complete line in the matrix fails without the possibility of subsequent improvement.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zu grunde, die eingangs definierte Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung derart weiterzubilden, daß der Ausfall von Bildpunkten oder sogar Bildpunktzeilen weitgehend verhindert wird.The invention is based on the object reasons, the liquid crystal display device defined in the beginning to further develop that the failure of pixels or even pixel lines is largely prevented.

Diese Aufgabe wird gemäß der Erfindung dadurch gelöst, daß die elektrisch leitenden Lichtschutzschichten der ersten Feldeffekttransistoren zeilen förmig elektrisch leitend über eine gemeinsame Kontaktbahn innerhalb der Passivierungsschicht untereinander verbunden sind und daß jede Kontaktbahn als elektrischer Anschluß aus der Passivierungsschicht herausgeführt ist, so daß jede Lichtschutzschicht über die Passivierungsschicht den Gate-Kon takt eines zweiten Feldeffekttransistors auf der Halbleiterschicht, dem Source-Kontakt und dem Drain-Kontakt des ersten Feldeffekttransistors bildet.This object is achieved according to the invention in that the electrical conductive light protection layers of the first field effect transistors shaped electrically conductive via a common contact path within the Passivation layer are interconnected and that each contact path is led out of the passivation layer as an electrical connection, so that each light protection layer over the passivation layer the gate con clock of a second field effect transistor on the semiconductor layer, the Source contact and the drain contact of the first field effect transistor forms.

Auf diese Weise wird eine Redundanz in den Feldeffekttransistoren und den Gate-Kontaktbahnen erzeugt. Fällt einer der beiden Transistoren als Schal ter durch einen Defekt aus, kann der Bildpunkt durch den zweiten Tran sistor noch angesteuert werden. Die Anzeige wird zwar dadurch einge schränkt, die Anzeigevorrichtung fällt jedoch nicht völlig aus. Auch bei einer Unterbrechung in einer Gate-Kontaktbahn oder einem Kurzschluß an den Kreuzungspunkten zwischen den Gate-Kontaktbahnen und den Source-Kontakt bahnen bleibt eine Gate-Kontaktbahn funktionsfähig und gewährleistet die Ansteuerung des Feldeffekttransistors. Da der zweite Feldeffekttransistor durch Teile des ersten Feldeffekttransistors gebildet wird, werden für den Aufbau gemäß der Erfindung auch keine zusätzlichen Substratflächen be nötigt. Auch die Redundanz in den Gate-Kontaktbahnen benötigt keine zu sätzliche Fläche, da die Gate-Kontaktbahnen für die ersten und zweiten Feldeffekttransistoren übereinander, jedoch durch eine Isolationsschicht voneinander getrennt, verlaufen.In this way there is redundancy in the field effect transistors and the Gate contact traces generated. If one of the two transistors falls as a scarf ter from a defect, the pixel through the second Tran sistor can still be controlled. The ad is thereby turned on limits, but the display device does not fail completely. Also at an interruption in a gate contact path or a short circuit to the Crossing points between the gate contact tracks and the source contact a gate contact path remains functional and ensures that Control of the field effect transistor. Because the second field effect transistor is formed by parts of the first field effect transistor, for the Structure according to the invention also be no additional substrate areas compelled. The redundancy in the gate contact tracks also does not require any additional area since the gate contact tracks for the first and second Field effect transistors one above the other, but through an insulation layer separated from each other, run.

Die erfindungsgemäße Ausführung ergibt noch weitere Vorteile. Ohne einen einzigen weiteren Maskenschritt entstehen zwei Transistoren, wobei der Gate-Kontakt jedes Transistors gleichzeitig als Lichtschutzschicht wirkt. Durch diese zwei Transistoren wird der Strom, der über diesen Schalter zur Aufladung des Bildpunktelementes 201 fließt, mindestens doppelt so hoch. Das bedeutet, ohne Vergrößerung des Transistors können wesentlich kürzere Schaltzeiten zur Aufladung des Bildpunktelementes angewendet werden. Dieser Vorzug ist insbesondere bei hoch auflösenden Anzeigevorrichtungen von großer Bedeutung. Gerade bei derartigen Anzeigen kann durch die erfin dungsgemäßen Maßnahmen die Transistorfläche sehr klein gehalten werden, so daß ein Maximum an Bildpunktfläche zur Verfügung steht, die Helligkeit des Displays somit sehr hoch ist.The embodiment according to the invention gives further advantages. Without a single additional mask step, two transistors are created, with the gate contact of each transistor simultaneously acting as a light protection layer. These two transistors make the current that flows through this switch for charging the pixel element 201 at least twice as high. This means that significantly shorter switching times can be used to charge the pixel element without enlarging the transistor. This advantage is particularly important in the case of high-resolution display devices. Especially with such displays, the transistor area can be kept very small by the measures according to the invention, so that a maximum of pixel area is available, the brightness of the display is therefore very high.

Das Wesen der Erfindung soll anhand der in den Zeichnungen dargestellten Ausführungsbeispielen näher erläutert werden, wobei sich auch noch weitere Vorteile ergeben.The essence of the invention is based on that shown in the drawings Embodiments are explained in more detail, with others Advantages.

Es zeigen:Show it:

Fig. 1 den Aufbau einer bekannten Transistor-Bildpunktmatrix; Fig. 1 shows the structure of a known transistor-pixel matrix;

Fig. 2 eine Transistor-Bildpunktmatrix gemäß der Erfindung; Fig. 2 is a transistor-pixel matrix according to the invention;

Fig. 3 die schematische Darstellung eines Verlaufs der Gate-Kontaktbahnen für die ersten und zweiten Feldeffekttransistoren einer Bildpunkt zeile und Fig. 3 is a schematic representation of a course of the gate contact tracks for the first and second field effect transistors of a pixel line and

Fig. 4 eine weitere Ausführungsform einer Transistorbildpunktmatrix gemäß der Erfindung. Fig. 4 shows a further embodiment of a transistor pixel matrix according to the invention.

In den Figuren sind gleiche Teile mit den gleichen Endziffern der Bezugs zeichen versehen.In the figures, the same parts with the same end digits are the reference characters.

Für die Ausführungsform gemäß Fig. 2 wird zunächst so verfahren, wie es anhand der Fig. 1A bis 1E dargestellt und erläutert wurde. Es wird dann zunächst auch die Passivierungsschicht 209 mit einer gegenüber ihrer endgültigen Dicke verminderten Stärke aufgetragen. Das Herstellungsver fahren wird nun mit einer Maske fortgesetzt, die nicht nur die Lichtschutz schichten 210, sondern auch die zugehörigen Kontaktbahnen 211 erzeugt. In vorteilhafter Weise verwendet man dafür die gleiche Maske, wie sie zur Herstellung der Gate-Kontakte und der Gate-Kontaktbahnen 202 auf dem Sub strat verwendet wurde. In Fig. 2 sind der Deutlichkeit halber jedoch die Kontaktbahnen 211 etwas breiter dargestellt als die gestrichelt einge zeichneten Kontaktbahnen 202. Durch die Anordnung der Gate-Kontakt bahnen 211 entstehen redundante Transistoren und redundante Gate-Kontakt bahnen. Der erste Transistor wird aus dem Gate-Kontakt 202, dem Isola tor 203, der Halbleiterschicht 204, dem Source-Kontakt 207 und dem Drain- Kontakt 208 gebildet, wobei die Source- und Drain-Kontakte durch die Isola tionsschicht 203 von den Gate-Kontakten bzw. -Kontaktbahnen getrennt sind. Der zweite Transistor wird ebenfalls aus der Halbleiterschicht 204, dem Source-Kontakt 207 und dem Drain-Kontakt 208 gebildet, wobei jetzt die Lichtschutzschicht 211 als Gate-Kontakt in Funktion tritt und die Passi vierungsschicht 209 gleichzeitig als Gate-Isolator und als Isolations schicht zwischen den Gate-Kontakten, bzw. -Kontaktbahnen 211 und den Source- und Drain-Kontakten dient.For the embodiment according to FIG. 2, the first procedure is as illustrated and explained with reference to FIGS. 1A to 1E. The passivation layer 209 is then also initially applied with a thickness which is reduced compared to its final thickness. The manufacturing process is now continued with a mask that not only generates the light protection layers 210 , but also the associated contact tracks 211 . Advantageously, the same mask is used for this, as was used to produce the gate contacts and the gate contact tracks 202 on the substrate. In FIG. 2, however, for the sake of clarity, the contact tracks 211 are shown somewhat wider than the contact tracks 202 shown in broken lines. The arrangement of the gate contact tracks 211 results in redundant transistors and redundant gate contact tracks. The first transistor is formed from the gate contact 202 , the insulator 203 , the semiconductor layer 204 , the source contact 207 and the drain contact 208 , the source and drain contacts through the insulation layer 203 from the gate Contacts or contact tracks are separated. The second transistor is also formed from the semiconductor layer 204 , the source contact 207 and the drain contact 208 , with the light protection layer 211 now functioning as a gate contact and the passivation layer 209 acting simultaneously as a gate insulator and as an insulation layer between serves the gate contacts or contact tracks 211 and the source and drain contacts.

Nach dem Aufbringen und Strukturieren der Lichtschutzschichten 211 und ihrer zugehörigen Kontaktbahnen wird die Passivierungsschicht 209 ver stärkt, wobei die redundante Gate-Struktur als Einbettung in der Passivie rungsschicht 209 erscheint.After the application and structuring of the light protection layers 211 and their associated contact tracks, the passivation layer 209 is reinforced, the redundant gate structure appearing as an embedding in the passivation layer 209 .

Bei dem Ausführungsbeispiel nach Fig. 2 sind die Gate-Kontaktbahnen 202 und 211 auf der gleichen Seite der Matrix herausgeführt. In Fig. 3 ist schematisch für eine Bildpunktzeile der Fall dargestellt, daß die Gate-Kon taktbahnen 202, die auf dem Substrat 200 angeordnet sind, nach links her ausgeführt werden, während die Gate-Kontaktbahnen 211 der zweiten Tran sistoren auf der rechten Seite der Matrix herausgeführt sind. Mit dieser Ausführungsform ist eine getrennte Ansteuerung der unteren und oberen Transistoren möglich, falls eines der beiden Bauelemente oder eine der Kon taktbahnen ausfällt. Für die Herstellung der Ausführungsform gemäß Fig. 3 kann für die Gate-Kontaktbahnen 211 eine Maskenform verwendet werden, die durch Spiegelung der Maskenform für die Gate-Kontakte 202 entsteht. In the exemplary embodiment according to FIG. 2, the gate contact tracks 202 and 211 are led out on the same side of the matrix. In Fig. 3 is schematically shown for a pixel row, the case that the gate contact tracks 202 , which are arranged on the substrate 200 , are carried out to the left, while the gate contact tracks 211 of the second transistors on the right side of the Matrix are brought out. With this embodiment, a separate control of the lower and upper transistors is possible if one of the two components or one of the contact paths fails. For the manufacture of the embodiment according to FIG. 3, a mask shape can be used for the gate contact tracks 211 , which is created by mirroring the mask shape for the gate contacts 202 .

Bei der Ausführungsform nach Fig. 4 sind die Gate-Kontaktbahnen 202 und 211 auf zwei gegenüberliegende Seiten eines Bildpunktes 201 bzw. der ent sprechenden Bildpunktzeile angeordnet. Dadurch wird vermieden, daß es zu Kurzschlüssen zwischen den Kontaktbahnen 202 und 211 kommen kann. Die Kon taktbahnen werden getrennt aus der Matrix herausgeführt und sind damit un abhängig voneinander ansteuerbar.In the embodiment according to FIG. 4, the gate contact tracks 202 and 211 are arranged on two opposite sides of a pixel 201 or the corresponding pixel row. This prevents short circuits between the contact tracks 202 and 211 from occurring. The contact paths are routed separately from the matrix and can therefore be controlled independently of one another.

Claims

1. Liquid crystal display device with a plurality of pixels arranged on a transparent and insulating substrate in the form of a matrix, each with an assigned first field effect transistor, the drain contact of which is in electrically conductive connection with the pixel, while the gate contacts and the source Contacts of the field effect transistors are connected to one another in rows or columns by contact tracks, the gate contacts on the substrate and the drain and source contacts being arranged on an insulation layer covering the gate contacts, and with one covering the field effect transistors and the pixels Passivation layer, in which a light protection layer for the field between the drain contact and the source contact is embedded for each field effect transistor, characterized in that the electrically conductive light protection layers ( 210 ) of the first field effect transistors line nform electrically connected via a common contact path ( 211 ) within the passivation layer ( 209 ) and that each contact path ( 211 ) is led out as an electrical connection from the passivation layer ( 209 ), so that each light protection layer ( 210 ) layer over the passivation ( 209 ) forms the gate contact of a second field effect transistor from the semiconductor layer ( 204 ), the source contact ( 207 ) and the drain contact ( 208 ).

2. Liquid crystal display device according to claim 1, characterized in that the gate contact tracks ( 211 ) of the second field effect transistors run over the gate contact tracks ( 202 ) of the first field effect transistors.

3. Liquid crystal display device according to claim 2, characterized in that the electrical connections of the gate contact tracks ( 202 , 211 ) are led out on the same side of the matrix.

4. Liquid crystal display device according to claim 2, characterized in that the electrical connections of the gate contact tracks ( 202 ) of the first field effect transistors and the gate contact tracks ( 211 ) of the second field effect transistors are led out on opposite sides of the matrix.

5. Liquid crystal display device according to claim 1, characterized in that the gate contact path ( 202 ) of the first field effect transistors and the gate contact path ( 211 ) of the second field effect transistors of a pixel line on opposite sides of the pixels forming the pixel line ( 201 ).

6. Liquid crystal display device according to one of claims 1 to 5, characterized in that the gate contacts and the gate contact track ( 202 , 211 ) consist of the same metals.

7. A liquid crystal display device according to claim 6, characterized, that the metal is chrome, aluminum, molybdenum, tantalum, nickel chrome or Is nickel.

8. Liquid crystal display device according to one of claims 1 to 7, characterized in that the insulation layer ( 203 ) and passivation layer ( 209 ) consist of SiO ₂ , Si ₃ N ₄ or Ta ₂ O ₅ .