DE3729333A1 - SURFACE WAVE CONDUCTOR - Google Patents
SURFACE WAVE CONDUCTORInfo
- Publication number
- DE3729333A1 DE3729333A1 DE19873729333 DE3729333A DE3729333A1 DE 3729333 A1 DE3729333 A1 DE 3729333A1 DE 19873729333 DE19873729333 DE 19873729333 DE 3729333 A DE3729333 A DE 3729333A DE 3729333 A1 DE3729333 A1 DE 3729333A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- thin
- epitaxial layer
- spiral conductor
- semiconducting
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 title claims description 48
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 51
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 21
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 claims description 21
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical group O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 6
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 6
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 claims description 3
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 34
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 9
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 229910014299 N-Si Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000001850 reproductive effect Effects 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02574—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of combined substrates, multilayered substrates, piezoelectrical layers on not-piezoelectrical substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/0296—Surface acoustic wave [SAW] devices having both acoustic and non-acoustic properties
- H03H9/02976—Surface acoustic wave [SAW] devices having both acoustic and non-acoustic properties with semiconductor devices
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft einen akustische Oberflächenwellen ausbildenden monolithischen Oberflächenwellen-Wendelleiter aus einer dünnen piezoelektrischen Schicht und einem Halbleiter, der im folgenden als SAW-Wendelleiter bezeichnet wird.The invention relates to surface acoustic waves forming monolithic surface wave spiral conductor a thin piezoelectric layer and a semiconductor, hereinafter referred to as the SAW spiral conductor.
In Fig. 14 und 15 der zugehörigen Zeichnung sind Querschnittsansichten von zwei verschiedenen bekannten monolithischen Wendelleitern mit einem Halbleitersubstrat 1 hoher Konzentration, einem Isolator 2, einer dünnen piezoelektrischen Schicht 3, Eingängen 4 und 4′, kammförmigen Elektroden 5 und 5′, einem Ausgang 6, einer Gegenelektrode 7, einer Steuerelektrode 8 und einer dünnen halbleitenden Epitaxialschicht 9 dargestellt.In Figs. 14 and 15 of the accompanying drawings are cross sectional views of two different known monolithic spiral conductors high with a semiconductor substrate 1 concentration, an insulator 2, a thin piezoelectric layer 3, inputs 4 and 4 ', comb-shaped electrodes 5 and 5', an output 6 , a counter electrode 7 , a control electrode 8 and a thin semiconducting epitaxial layer 9 .
Die in den Fig. 14 und 15 dargestellten Ausbildungen unterscheiden
sich im Halbleiteraufbau. In Fig. 14 dient als
Halbleiter ein massives Halbleitersubstrat, während bei der
in Fig. 15 dargestellten Ausbildung ein Substrat vorgesehen
ist, das durch epitaxiales Wachstum einer dünnen halbleitenden
Schicht auf einem Halbleitersubstrat mit hoher Konzentration,
d. h. einem Substrat mit hoher Störstellendichte
ausgebildet ist. Die verschiedenen Eigenschaften dieser Ausbildungen
sind in den folgenden Druckschriften wiedergegeben:
1. B. T. Khuri - Yakub and G. S. Kino "A Detailed Theory of the
Monolithic Zinc Oxide on Silicon Convolver", IEEE Trans.
Sonics Ultrason., Bd. SU - 24, No. 1, Januar 1977, Seite 34-
43,
2. J. K. Elliott, et al. "A Wideband SAW convolver utilizing
Sezawa waves in the metal - ZnO - SiO₂ - Si configuration",
Appl. Phys. Lett. 32, Mai 1978, Seite 515-516,
3. J. E. Bowers, et al. "Monolithic Sezawa wave Storage Correlators
and Convolvers", IEEE Proc. Ultrasonics Symposium,
1980, Seite 118-123,
4. S. Minagawa et al. "Efficient ZnO - SiO₂ - Si Sezawa
wave Convolver", IEEE Trans. Sonics Ultrason., Bd. SU - 32,
Nr. 5, September 1985, Seite 670-674.The configurations shown in FIGS. 14 and 15 differ in the semiconductor structure. In FIG. 14, a solid semiconductor substrate serves as the semiconductor, while in the embodiment shown in FIG. 15 a substrate is provided which is formed by epitaxial growth of a thin semiconducting layer on a semiconductor substrate with a high concentration, ie a substrate with a high impurity density. The various characteristics of this training are shown in the following publications:
1. BT Khuri - Yakub and GS Kino "A Detailed Theory of the Monolithic Zinc Oxide on Silicon Convolver", IEEE Trans. Sonics Ultrason., Vol. SU - 24, No. 1, January 1977, pages 34- 43,
2. JK Elliott, et al. "A wideband SAW convolver utilizing Sezawa waves in the metal - ZnO - SiO₂ - Si configuration", Appl. Phys. Lett. 32, May 1978, pages 515-516,
3. JE Bowers, et al. "Monolithic Sezawa wave Storage Correlators and Convolvers", IEEE Proc. Ultrasonics Symposium, 1980, pages 118-123,
4. S. Minagawa et al. "Efficient ZnO - SiO₂ - Si Sezawa wave Convolver", IEEE Trans. Sonics Ultrason., Vol. SU - 32, No. 5, September 1985, pages 670-674.
Die Druckschriften 1, 2 und 3 geben die Eigenschaften des in Fig. 14 dargestellten Wendelleiters wieder, während die Druckschrift 4 die Eigenschaften des in Fig. 15 dargestellten Wendelleiters beschreibt.The documents 1, 2 and 3 show the properties of the spiral conductor shown in FIG. 14, while the document 4 describes the properties of the spiral conductor shown in FIG. 15.
Aus einem Vergleich dieser Berichte ergibt sich, daß die in Fig. 15 dargestellte Ausbildung dazu neigt, einen höheren Wert als die in Fig. 14 dargestellte Ausbildung zu zeigen. Diesbezüglich ist die Verwendung eines Substrates mit einer dünnen Epitaxialschicht, wie es in Fig. 15 dargestellt ist, als Wendelleiter vorteilhafter. Es wurden jedoch bisher keine detaillierten theoretischen oder experimentiellen Untersuchungen vorgenommen. Es gibt daher keine Angaben über die günstigste Beschaffenheit einer derartigen Epitaxialschicht und es ist bisher kein Wendelleiter mit der günstigsten Ausbildung entwickelt worden.A comparison of these reports shows that the configuration shown in FIG. 15 tends to show a higher value than the configuration shown in FIG. 14. In this regard, the use of a substrate with a thin epitaxial layer, as shown in FIG. 15, is more advantageous as a spiral conductor. However, no detailed theoretical or experimental studies have yet been carried out. There is therefore no information on the most favorable nature of such an epitaxial layer and no spiral conductor with the most favorable design has been developed to date.
Durch die Erfindung soll daher ein SAW-Wendelleiter mit der günstigsten Ausbildung unter Berücksichtigung des Ergebnisses der detaillierten Analyse der Auswirkungen einer dünnen halbleitenden Epitaxialschicht geschaffen werden.The invention is therefore a SAW spiral conductor with the cheapest training considering the result the detailed analysis of the effects of a thin semiconducting Epitaxial layer are created.
Durch die Erfindung soll insbesondere ein Wendelleiter mit der günstigsten Beziehung zwischen der Stärke und der Störstellendichte der dünnen halbleitenden Epitaxialschicht bei der in Fig. 15 dargestellten Ausbildung geschaffen werden. In particular, the invention is intended to create a spiral conductor with the most favorable relationship between the thickness and the impurity density of the thin semiconducting epitaxial layer in the embodiment shown in FIG. 15.
Dazu umfaßt der erfindungsgemäße monolithische Wendelleiter ein hochkonzentriertes Halbleitersubstrat, eine dünne halbleitende Epitaxialschicht, die durch epitaxiales Wachstum auf einer Oberfläche des Halbleitersubstrates ausgebildet ist, einen Isolator, der auf der Epitaxialschicht vorgesehen ist, und eine dünne piezoelektrische Schicht, die auf dem Isolator vorgesehen ist, wobei die dünne halbleitende Epitaxialschicht eine Stärke L hat, die der folgenden Beziehung genügt:For this purpose, the monolithic spiral conductor according to the invention comprises a highly concentrated semiconductor substrate, a thin semiconducting epitaxial layer which is formed by epitaxial growth on a surface of the semiconductor substrate, an insulator which is provided on the epitaxial layer, and a thin piezoelectric layer which is provided on the insulator, wherein the thin semiconducting epitaxial layer has a thickness L that satisfies the following relationship:
W max < L W max + 2 µm W max < L W max + 2 µm
wobei W max die maximale Verarmungsbreite ist, die ausgedrückt wird als:where W max is the maximum depletion width, which is expressed as:
wobei N die Störstellendichte der dünnen Epitaxialschicht, n i die Eigenladungsträgerdichte der dünnen Epitaxialschicht, e s die Dielektrizitätskonstante der dünnen Epitaxialschicht, k die Boltzmann-Konstante, e die Elementarladung und T die absolute Temperatur bezeichnen.where N denotes the impurity density of the thin epitaxial layer, n i the intrinsic charge carrier density of the thin epitaxial layer, e s the dielectric constant of the thin epitaxial layer, k the Boltzmann constant, e the elementary charge and T the absolute temperature.
Vorzugsweise besteht der Halbleiter aus Silizium Si und liegt die Störstellendichte N in dem folgenden Bereich:The semiconductor preferably consists of silicon Si and the impurity density N is in the following range:
1×10¹³ cm-3 N 1×10¹⁶ cm-3 1 × 10¹³ cm -3 N 1 × 10¹⁶ cm -3
Wenn ein monolithischer SAW-Wendelleiter ein hochkonzentriertes Halbleitersubstrat, eine erste dünne halbleitende Schicht auf dem Substrat, eine zweite dünne halbleitende Schicht auf der ersten dünnen halbleitenden Schicht, einen Isolator auf der zweiten dünnen halbleitenden Schicht und eine dünne piezoelektrische Schicht umfaßt, dann sind die erste und die zweite halbleitende dünne Schicht halbleitende Epitaxialschichten vom entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp und liegt die Gesamtstärke der dünnen halbleitenden Epitaxialschichten im folgenden Bereich:If a monolithic SAW spiral conductor is a highly concentrated one Semiconductor substrate, a first thin semiconducting layer on the substrate, a second thin semiconducting layer the first thin semiconducting layer, an insulator the second thin semiconducting layer and a thin piezoelectric Layer, then the first and second semiconducting thin layer semiconducting epitaxial layers from opposite conductivity type and lies the overall strength the thin semiconducting epitaxial layers in the following area:
l₂ < L l₂ + W m + 2 µm l ₂ < L l ₂ + W m + 2 µm
wobei l₂ die Stärke der dünnen zweiten halbleitenden Schicht ist und W m ausgedrückt wird als:where l ₂ is the thickness of the thin second semiconducting layer and W m is expressed as:
wobei N₁ die Störstellendichte der ersten dünnen halbleitenden Schicht, n i die Eigenladungsträgerdichte der dünnen ersten halbleitenden Schicht, ε s die Dielektrizitätskonstante der ersten dünnen halbleitenden Schicht, k die Boltzmann-Konstante, e die Größe der Elementarladung und T die absolute Temperatur bezeichnen.where N ₁ the impurity density of the first thin semiconducting layer, n i the intrinsic charge density of the thin first semiconducting layer, ε s the dielectric constant of the first thin semiconducting layer, k the Boltzmann constant, e the size of the elementary charge and T the absolute temperature.
Vorzugsweise besteht der Halbleiter aus Silizium Si und liegt die Störstellendichte N₁ der dünnen Epitaxialschichten im folgenden Bereich:The semiconductor is preferably made of silicon Si and the impurity density N 1 of the thin epitaxial layers is in the following range:
1×10¹³ cm-3 N₁ 1×10¹⁶ cm-3 1 × 10¹³ cm -3 N ₁ 1 × 10¹⁶ cm -3
Der Halbleiter kann aus GaAs bestehen. Der Isolator kann im wesentlichen fehlen oder aus SiO₂ bestehen. Die dünne piezoelektrische Schicht besteht aus ZnO oder AlN und eine Sezawawelle ist als Fortpflanzungsart der akustischen Oberflächenwellen bevorzugt.The semiconductor can consist of GaAs. The insulator can essentially missing or consist of SiO₂. The thin piezoelectric Layer consists of ZnO or AlN and a Sezawawelle is a type of propagation of surface acoustic waves prefers.
Die Oberflächenorientierung des Si ist (110) bei einer Fortpflanzungsrichtung [100] der akustischen Oberflächenwellen. Die Oberflächenorientierung des Si kann auch (100) bei einer Fortpflanzungsrichtung [110] der akustischen Oberflächenwellen sein. The surface orientation of the Si is ( 110 ) with a direction of propagation [ 100 ] of the surface acoustic waves. The surface orientation of the Si can also be ( 100 ) with a direction of propagation [ 110 ] of the surface acoustic waves.
Fig. 1 zeigt in einer vergrößerten Ansicht die Ausbildung unterhalb der Steuerelektrode in Fig. 15. In Fig. 1 bezeichnen die gleichen Bezugszeichen wie in Fig. 15 identische oder entsprechende Bauteile. In Fig. 1 sind weiterhin ein Verarmungszonenende 10, das Ende der maximalen Verarmung 11, die Donatordichte in der dünnen Epitaxialschicht Nd, die Akzeptordichte der dünnen Epitaxialschicht Na, die Stärke der dünnen Epitaxialschicht L, die maximale Verarmungsbreite W max , die Verarmungsbreite W, die Stärke der dünnen piezoelektrischen Schicht h, die Frequenz einer akustischen Oberflächenwelle f, die Wellenlänge der akustischen Oberflächenwelle λ und die Vorspannung V B dargestellt. Bei dieser Ausbildung sind die Stärke L und die Störstellenkonzentration N der dünnen halbleitenden Epitaxialschicht in der folgenden Weise festgelegt. Fig. 1 shows an enlarged view of the design below the control electrode in Fig. 15. In Fig. 1, the same reference numerals as in Fig. 15 denote identical or corresponding components. In Fig. 1 may also be a depletion zone end 10, the end of the maximum depletion 11, the donor density in the thin epitaxial layer Nd, the acceptor density of the thin epitaxial layer Na, the strength of the thin epitaxial layer L, the maximum depletion width W max, the depletion width W Thickness of the thin piezoelectric layer h , the frequency of a surface acoustic wave f , the wavelength of the surface acoustic wave λ and the bias voltage V B are shown. With this configuration, the thickness L and the impurity concentration N of the thin semiconducting epitaxial layer are set in the following manner.
(A) Die Stärke L der dünnen halbleitenden Epitaxialschicht ist auf den folgenden Wert bezüglich der maximalen Verarmungsbreite W max bestimmt, die durch die Störstellendichte der dünnen Epitaxialschicht (Donatordichte bei einem N-Halbleiter und Akzeptordichte bei einem P-Halbleiter) gegeben ist.(A) The thickness L of the thin semiconducting epitaxial layer is determined to the following value with respect to the maximum depletion width W max , which is given by the impurity density of the thin epitaxial layer (donor density for an N-type semiconductor and acceptor density for a P-type semiconductor).
W max < L W max + 2 µm (1) W max < L W max + 2 µm (1)
wobei W max die maximale Verarmungsbreite bei Raumtemperatur (23°C) ist und die Werte L und W max in µm angegeben sind. W max läßt sich ausdrücken als:where W max is the maximum depletion range at room temperature (23 ° C) and the values L and W max are given in µm. W max can be expressed as:
wobei N die Störstellendichte der dünnen Epitaxialschicht ist, die gleich der Donatordichte Nd für den Fall, daß die Epitaxialschicht ein N-Halbleiter ist, oder gleich der Akzeptordichte Na für den Fall ist, daß die Epitaxialschicht ein P-Halbleiter ist. where N is the impurity density of the thin epitaxial layer, which is equal to the donor density Nd if the epitaxial layer is an N-semiconductor or the acceptor density Na if the epitaxial layer is a P-semiconductor.
T ist die absolute Temperatur: T is the absolute temperature:
T = 296 (K) (3) T = 296 (K) (3)
ni ist die Eigenladungsträgerdichte der halbleitenden Schicht, ε s ist die Dielektrizitätskonstante der halbleitenden Schicht, k ist die Boltzmann-Konstante und e ist die Elementarladung. ni is the intrinsic charge carrier density of the semiconducting layer, ε s is the dielectric constant of the semiconducting layer, k is the Boltzmann constant and e is the elementary charge.
Wenn insbesondere Silizium Si als Halbleiter verwandt wird, ist die Störstellendichte vorzugsweise zusätzlich zu der Bedingung für die Stärke der dünnen Epitaxialschicht in der folgenden Weise gewählt.If silicon Si in particular is used as a semiconductor, the impurity density is preferably in addition to that Condition for the thickness of the thin epitaxial layer in the chosen the following way.
(B) Wenn der Halbleiter aus Si besteht, ist die Stärke L der dünnen Epitaxialschicht so gewählt, daß sie dem Ausdruck (1) genügt und ist die Störstellendichte N aus dem folgenden Bereich gewählt:(B) If the semiconductor is made of Si, the thickness L of the thin epitaxial layer is selected so that it satisfies the expression (1) and the impurity density N is selected from the following range:
1×10¹³cm-3 N 1×10¹⁶cm-3 (4)1 × 10¹³cm -3 N 1 × 10¹⁶cm -3 (4)
Als Vergleich zeigt Fig. 2 die Beziehung zwischen der maximalen Verarmungsbreite W max von Si und der Störstellendichte Nd. In Fig. 2 ist N-leitendes Si dargestellt. Wenn jedoch P-leitendes Si verwandt wird, ergibt sich die identische Beziehung mit der Ausnahme, daß die Donatordichte durch die Akzeptordichte ersetzt ist. Aus Fig. 2 und dem Ausdruck (1) ergeben sich die folgenden bevorzugten Werte für die Stärke der dünnen Epitaxialschicht:For comparison, FIG. 2 shows the relationship between the maximum depletion width W max of Si and the impurity density Nd . In FIG. 2, N-type Si is shown. However, when P-type Si is used, the relationship is identical except that the donor density is replaced by the acceptor density. The following preferred values for the thickness of the thin epitaxial layer result from FIG. 2 and expression (1):
2,4 µm <L4,4 µm
wenn N=1×10¹⁴ cm-3
und 0,9 µm <L2,9 µm
wenn N=1×10¹⁵ cm-3.
2.4 µm < L 4.4 µm
if N = 1 × 10¹⁴ cm -3
and 0.9 µm < L 2.9 µm
if N = 1 × 10¹⁵ cm -3 .
Gemäß der Erfindung werden die Verhältnisse der dünnen Epitaxialschicht in Fig. 15, wie sie oben unter (A) und (B) beschrieben wurden, aus den folgenden Gründen gewählt:According to the invention, the ratios of the thin epitaxial layer in Fig. 15 as described in (A) and (B) above are chosen for the following reasons:
F T (Wendelleitungswirkungsgrad) des Wendelleiters läßt sich ausdrücken als: F T (spiral conductor efficiency) of the spiral conductor can be expressed as:
F T = 20 log γ₂ - 10 log R B - α Lg - 30 + L e (5) F T = 20 log γ ₂ - 10 log R B - α Lg - 30 + L e (5)
wobei γ₂ der nichtlineare Wirkungsgrad ist, R B der Ausgangswiderstand des Steuerteils des Wendelleiters bezeichnet, α der Fortpflanzungsverlust der akustischen Oberflächenwellen ist und Lg die Steuerelektrodenlänge bezeichnet. Le ist ein unabhängig von den Verhältnissen der dünnen Epitaxialschicht festliegender Ausdruck und Einflüssen des elektromechanischen Kopplungskoeffizienten, der Wandlerverluste, der Stärke und der Dielektrizitätskonstanten der dünnen piezoelektrischen Schicht, der Frequenz und Wellenlänge der akustischen Oberflächenwellen usw. ausgesetzt. Da Le von Einflüssen aus der Stärke der dünnen Epitaxialschicht unabhängig ist, fehlt der entsprechende Ausdruck oder die entsprechende Gleichung. F T (dBm) ist in der folgenden Weise bezüglich der beiden Eingänge Pi₁ und Pi₂ und des Ausgangs P₀ bestimmt:where γ ₂ is the nonlinear efficiency, R B denotes the output resistance of the control part of the spiral conductor, α is the propagation loss of the surface acoustic waves and Lg denotes the control electrode length. Le is exposed to a fixed expression regardless of the proportions of the thin epitaxial layer and influences of the electromechanical coupling coefficient, the transducer losses, the strength and the dielectric constant of the thin piezoelectric layer, the frequency and wavelength of the acoustic surface waves, etc. Since Le is independent of influences from the thickness of the thin epitaxial layer, the corresponding expression or equation is missing. F T (dBm) is determined in the following way with regard to the two inputs Pi ₁ and Pi ₂ and the output P ₀:
F T = P₀ - Pi₁ - Pi₂ (Pi₁, Pi₂ und P₀ in µm) F T = P ₀ - Pi ₁ - Pi ₂ (Pi ₁, Pi ₂ and P ₀ in µm)
Die nichtlineare Konstante γ₂ hat die folgende Beziehung zur Störstellendichte N der dünnen Epitaxialschicht, wenn sich die Halbleiteroberfläche des Wendelleiters in einem verarmten Zustand oder in einem invertierten Zustand befindet:The nonlinear constant γ ₂ has the following relation to the impurity density N of the thin epitaxial layer when the semiconductor surface of the spiral conductor is in an impoverished state or in an inverted state:
F T zeigt einen großen Wert, wenn sich die Halbleiteroberfläche in einem verarmten oder schwach-invertierten Zustand befindet. Es kann daher angenommen werden, daß der Ausdruck (6) bei der Aktivierung des Wendelleiters gültig ist. Der Ausdruck (6) ist jedoch nur dann gültig, wenn die Stärke L der dünnen Epitaxialschicht größer als die Verarmungsbreite W ist. Wenn L kleiner W, dann schließt sich das Verarmungsende an die Grenzfläche zwischen der dünnen Epitaxialschicht und dem hochkonzentrierten Halbleitersubstrat an (Durchschlag), was ersichtlich eine Schwingung des Verarmungsendes verhindert. In diesem Fall fällt die nichtlineare Konstante γ₂ schnell ab und kann diese Konstante durch den Ausdruck (6) nicht wiedergegeben werden. Auf einen Abfall von γ₂ fällt auch F T aufgrund der Beziehung des Ausdruckes (5) stark ab. Daher wird die folgende Beziehung für die Stärke der dünnen Epitaxialschicht benötigt: F T shows a large value when the semiconductor surface is in a depleted or weakly inverted state. It can therefore be assumed that expression (6) is valid when the spiral conductor is activated. However, expression ( 6 ) is only valid if the thickness L of the thin epitaxial layer is greater than the depletion width W. If L is less than W , then the depletion end connects to the interface between the thin epitaxial layer and the highly concentrated semiconductor substrate (breakdown), which obviously prevents oscillation of the depletion end. In this case, the non-linear constant γ ₂ drops rapidly and this constant cannot be represented by expression (6). On a decrease of γ ₂ also F T drops sharply due to the relationship of expression (5). Therefore, the following relationship is needed for the thickness of the thin epitaxial layer:
W < L (7) W < L (7)
Die Verarmungsbreite W ändert sich mit der an der Steuerelektrode liegenden Vorspannung V B , überschreitet jedoch nicht eine maximale Verarbeitungsbreite W max , die in Fig. 1 dargestellt ist. Der Ausdruck (7) ist daher praktisch nicht gültig, es sei denn, daß die Stärke L der dünnen Epitaxialschicht größer als die maximale Verarmungsbreite ist:The depletion width W changes with the bias voltage V B at the control electrode, but does not exceed a maximum processing width W max , which is shown in FIG. 1. The expression (7) is therefore practically not valid unless the thickness L of the thin epitaxial layer is greater than the maximum depletion width:
W max < L (8) W max < L (8)
Das ist einer der Gründe für die Festlegung der unteren Grenze des Ausdruckes (1).That is one of the reasons for setting the bottom Limit of expression (1).
Im folgenden wird erläutert, warum die obere Grenze für die Stärke L der dünnen Epitaxialschicht im Ausdruck (1) festgelegt ist.The following explains why the upper limit for the thickness L of the thin epitaxial layer is set in expression (1).
Wenn L dem Ausdruck (8) genügt, wird die nicht-lineare Konstante γ₂ durch den Ausdruck (6) ausgedrückt und wird diese Konstante γ₂ unabhängig von der Stärke L der dünnen Epitaxialschicht. Die Elemente, die F T -Einflüsse der Stärke L der dünnen Epitaxialschicht liefern, sind daher die Ausdrücke des Ausgangswiderstandes R B und des SAW-Fortpflanzungsverlustes im Ausdruck (5). Aus dem Ausdruck (5) ergeben sich die folgenden Beziehungen:If L satisfies the expression (8), the non-linear constant γ ₂ is expressed by the expression (6) and this constant γ ₂ becomes independent of the thickness L of the thin epitaxial layer. The elements that provide F T influences of the thickness L of the thin epitaxial layer are therefore the expressions of the output resistance R B and the SAW propagation loss in expression (5). The following relationships result from expression (5):
- (i) F T nimmt mit abnehmendem R B zu.(i) F T increases with decreasing R B.
- (ii) F T nimmt mit abnehmendem Fortpflanzungsverlust zu.(ii) F T increases with decreasing reproductive loss.
Bezüglich des obigen Ergebnisses (i) kann R B bei der Verwendung eines halbleitenden Epitaxialsubstrates, wie es in Fig. 15 dargestellt ist, stärker als bei der Verwendung eines massiven Halbleitersubstrates verringert werden, wie es in Fig. 14 dargestellt ist. Der Grund dafür besteht darin, daß der Widerstand des hochkonzentrierten Halbleitersubstrates unter der dünnen Epitaxialschicht außerordentlich klein ist. Diesbezüglich ist daher die Verwendung des Epitaxialsubstrates vorteilhafter als die Verwendung des massiven Substrates. Zu diesem Ergebnis kommen auch die Druckschriften 1) und 4). In der Praxis hat jedoch der Widerstand der dünnen Epitaxialschicht dann, wenn diese eine Stärke unter einem gegebenen Wert hat, nahezu keinen Einfluß auf F T . Die folgende Tabelle 1 zeigt die numerischen Werte von Δ F T , berechnet nach dem Ausdruck (5), wenn N-leitendes Si verwandt wird und die Stärke der dünnen Epitaxialschicht in der folgenden Weise gewählt wird:Regarding the above result (i), when using a semiconducting epitaxial substrate as shown in FIG. 15, R B can be reduced more than when using a solid semiconductor substrate as shown in FIG. 14. The reason for this is that the resistance of the highly concentrated semiconductor substrate under the thin epitaxial layer is extremely small. In this regard, the use of the epitaxial substrate is therefore more advantageous than the use of the solid substrate. This is also the result of publications 1) and 4). In practice, however, the resistance of the thin epitaxial layer, if it has a thickness below a given value, has almost no influence on F T. The following Table 1 shows the numerical values of Δ F T calculated according to expression (5) when N-type Si is used and the thickness of the thin epitaxial layer is selected in the following manner:
L = Wmax und L = Wmax + 2 µm L = Wmax and L = Wmax + 2 µm
In diesem Fall beträgt die Steuerelektrodenbreite 1 mm und die Steuerelektrodenlänge 20 mm und beträgt die Summe aus dem Widerstand des hochkonzentrierten halbleitenden Substrates, dem Widerstand einer festen Verbindungsleitung und dem Ohmschen Widerstand 1 Ω×Δ F T ergibt sich weiterhin aus der Berechnung der Einflüsse des Ausdruckes R B im Ausdruck (5). Wie es später beschrieben wird, zeigt sich jedoch, daß in der Praxis der Wert F T sich um einige dB oder mehr bei einer kleinen Änderung um etwa 2 µm in der Stärke der dünnen Epitaxialschicht ändert. Unter den Einflüssen der Stärke der dünnen Epitaxialschicht hat der Fortpflanzungsverlus α somit einen größeren Einfluß auf F T als R B .In this case, the control electrode width is 1 mm and the control electrode length is 20 mm and the sum of the resistance of the highly concentrated semiconducting substrate, the resistance of a fixed connecting line and the ohmic resistance 1 Ω × Δ F T also results from the calculation of the influences of the expression R B in expression (5). However, as will be described later, it turns out that in practice, the value F T changes by a few dB or more with a small change of about 2 µm in the thickness of the thin epitaxial layer. Under the influence of the thickness of the thin epitaxial layer, the propagation loss α thus has a greater influence on F T than R B.
Es wurde sorgfältig die Abhängigkeit des Fortpflanzungsverlustes α von der Stärke der dünnen Epitaxialschicht analysiert und es stellte sich heraus, daß der Einfluß der Abhängigkeit gegenüber F T bemerkenswert ist, und es wurden die gewünschten Bedingungen bezüglich der Stärke der dünnen Epitaxialschicht gefunden. Eine derartige Abhängigkeit des Fortpflanzungsverlustes von der Stärke der dünnen Epitaxialschicht war bisher nicht bekannt, so daß die Bedingung für die Stärke der dünnen Epitaxialschicht zum erstenmal auf der Grundlage dieser Abhängigkeit festgelegt wurde.The dependence of the propagation loss α on the thickness of the thin epitaxial layer was carefully analyzed and the influence of the dependence on F T was found to be remarkable and the desired conditions regarding the thickness of the thin epitaxial layer were found. Such a dependency of the loss of propagation on the thickness of the thin epitaxial layer was previously unknown, so that the condition for the thickness of the thin epitaxial layer was determined for the first time on the basis of this dependency.
Im folgenden werden anhand der zugehörigen Zeichnung besonders bevorzugte Ausführungsbeispiele der Erfindung näher beschrieben. Es zeigtThe following are special with the accompanying drawing preferred embodiments of the invention described in more detail. It shows
Fig. 1 eine schematische Schnittansicht eines monolithischen SAW-Wendelleiters, Fig. 1 is a schematic sectional view of a monolithic SAW helical conductor,
Fig. 2 in einer graphischen Darstellung die Beziehung zwischen der Donatordichte und der maximalen Verarmungsbreite, Fig. 2 is a graph showing the relationship between the donor density and the maximum depletion width,
Fig. 3 in einer graphischen Darstellung die Beziehung zwischen der maximalen Verarmungsbreite und dem Fortpflanzungsverlust, Fig. 3 is a graph showing the relationship between the maximum depletion width, and the propagation loss,
Fig. 4 bis 12 in graphischen Darstellungen die Kennlinien eines Ausführungsbeispiels des erfindungsgemäßen monolithischen SAW-Wendelleiters, FIGS. 4 to 12, the characteristics of an embodiment of the invention in monolithic graphs SAW helical conductor,
Fig. 13 eine Querschnittsansicht eines weiteren Ausführungsbeispiels des erfindungsgemäßen monolithischen SAW-Wendelleiters und Fig. 13 is a cross-sectional view of another embodiment of the monolithic SAW helical conductor according to the invention and
Fig. 14 und 15 in Querschnittsansichten zwei verschiedene bekannte monolithische Wendelleiter. FIGS. 14 and 15 different in cross-sectional views of two known monolithic helical conductor.
Fig. 3 zeigt ein Beispiel der Abhängigkeit des SAW-Fortpflanzungsverlustes von der Stärke der dünnen Epitaxialschicht, wobei sich die akustische Oberflächenwelle entlang eines Wendelleiters fortpflanzt, der einen ZnO/SiO₂/N-Si-Aufbau hat. Auf der Abszisse ist der Unterschied zwischen der Stärke der dünnen Epitaxialschicht und der maximalen Verarmungsbreite aufgetragen und auf der Ordinate ist der Fortpflanzungsverlust aufgetragen (dB/cm). Dieses Beispiel beruht auf den folgenden Verhältnissen: Frequenz der akustischen Oberflächenwelle f=215 MHz, Wellenlänge der akustischen Oberflächenwelle λ=24 µm, Stärke h der dünnen piezoelektrischen Schicht (ZnO)=5 µm, Fortpflanzungsart der akustischen Oberflächenwellen ist die Sezawa-Welle. Fig. 3 shows an example of the dependence of the SAW propagation loss on the thickness of the thin epitaxial layer, wherein the surface acoustic wave propagates along a spiral conductor, which has a ZnO / SiO₂ / N-Si structure. The difference between the thickness of the thin epitaxial layer and the maximum depletion width is plotted on the abscissa and the loss of reproduction is plotted on the ordinate (dB / cm). This example is based on the following relationships: frequency of the surface acoustic wave f = 215 MHz, wavelength of the surface acoustic wave λ = 24 µm, thickness h of the thin piezoelectric layer (ZnO) = 5 µm, type of propagation of the surface acoustic waves is the Sezawa wave.
Nd ist die Donatordichte. Der Fortpflanzungsverlust ist ein Wert, der einer an der Steuerelektrode liegenden Vorspannung V B zum Maximieren von F T entspricht. Wie es in der Zeichnung dargestellt ist, wird der Fortpflanzungsverlust nicht nur durch die Störstellendichte, sondern auch stark durch die Stärke der dünnen Epitaxialschicht beeinflußt. Der Fortpflanzungsverlust nimmt mit der Stärke der dünnen Epitaxialschicht zu und ändert sich manchmal um einige dB/cm oder mehr bei einer Änderung um ewa 2 µm in der Stärke der dünnen Epitaxialschicht. Im Vergleich mit dem Wert der Tabelle 1 ergibt sich, daß bezüglich der Änderungen von F T über die Stärke der dünnen Epitaxialschicht der Fortpflanzungsverlust einen deutlicheren Einfluß als der Ausgangswiderstand in diesem Bereich der Stärke der dünnen Epitaxialschicht hat. Nd is the donor density. The propagation loss is a value corresponding to a bias voltage V B across the control electrode to maximize F T. As shown in the drawing, the loss of reproduction is influenced not only by the impurity density, but also by the thickness of the thin epitaxial layer. The propagation loss increases with the thickness of the thin epitaxial layer and sometimes changes by several dB / cm or more with a change of approximately 2 µm in the thickness of the thin epitaxial layer. In comparison with the value in Table 1, it can be seen that with respect to the changes in F T over the thickness of the thin epitaxial layer, the loss of propagation has a more significant influence than the initial resistance in this area of the thickness of the thin epitaxial layer.
Unter sorgfältiger Berücksichtigung der oben genannten Einflüsse des Fortpflanzungsverlustes wurden in diesem Zusammenhang Änderungen von F T unter verschiedenen Bedingungen gemessen und wurden die besten Bedingungen für die dünne Epitaxialschicht erhalten. Die Ergebnisse sind graphisch in den Fig. 4 bis 12 dargestellt. Jede graphische Darstellung basiert auf einer ZnO/SiO₂/N-Si-Anordnung. In den graphischen Darstellungen bezeichnen f die Frequenz einer akustischen Oberflächenwelle, λ die Wellenlänge der akustischen Oberflächenwelle, h die Stärke der dünnen ZnO-Schicht, Nd die Donatordichte und Na die Akzeptordichte. Die Stärke der dünnen SiO₂- Schicht beträgt 0,1 µm.In this connection, changes in F T were measured under various conditions and the best conditions for the thin epitaxial layer were obtained by carefully considering the above-mentioned influences of reproductive loss. The results are shown graphically in FIGS. 4 to 12. Each graphic representation is based on a ZnO / SiO₂ / N-Si arrangement. In the graphs, f denotes the frequency of a surface acoustic wave, λ the wavelength of the surface acoustic wave, h the thickness of the thin ZnO layer, Nd the donor density and Na the acceptor density. The thickness of the thin SiO₂ layer is 0.1 µm.
Die Fig. 4 bis 12 zeigen die folgenden Beziehungen: Figs. 4 to 12 show the following relationships:
Fig. 4: Beziehung zwischen der Stärke der dünnen Epitaxialschicht und F T bei f=215 MHz, einer Sezawa-Welle, einem N-leitenden Halbleiter, einer Gatter- oder Steuerelektrodenlänge von 20 mm und einer Temperatur von 23°C. Fig. 4: Relationship between the thickness of the thin epitaxial layer and F T at f = 215 MHz, a Sezawa wave, an N-type semiconductor, a gate or control electrode length of 20 mm and a temperature of 23 ° C.
Fig. 5: Beziehung zwischen der Stärke der dünnen Epitaxialschicht und dem dynamischen Bereich bei f=215 MHz, einer Sezawa-Welle, einem N-leitenden Halbleiter, einer Gatter- oder Steuerelektrodenlänge von 23 nm und einer Temperatur von 23°C. Fig. 5: Relationship between the thickness of the thin epitaxial layer and the dynamic range at f = 215 MHz, a Sezawa wave, an N-type semiconductor, a gate or control electrode length of 23 nm and a temperature of 23 ° C.
Fig. 6: Beziehung zwischen der Stärke der dünnen Epitaxialschicht und F T bei f=100 MHz, einer Sezawa-Welle, einem N-leitenden Halbleiter, einer Gatter- oder Steuerelektrodenlänge von 20 mm und einer Temperatur von 23°C. Fig. 6: Relationship between the thickness of the thin epitaxial layer and F T at f = 100 MHz, a Sezawa wave, an N-type semiconductor, a gate or control electrode length of 20 mm and a temperature of 23 ° C.
Fig. 7: Beziehung zwischen der Stärke der dünnen Epitaxialschicht und F T bei f=400 MHz, einer Sezawa-Welle, einem N-leitenden Halbleiter, einer Gatter- oder Steuerelektrodenlänge von 20 mm und einer Temperatur von 23°C. Fig. 7: Relationship between the thickness of the thin epitaxial layer and F T at f = 400 MHz, a Sezawa wave, an N-type semiconductor, a gate or control electrode length of 20 mm and a temperature of 23 ° C.
Fig. 8: Die Beziehung zwischen der Stärke der dünnen Epitaxialschicht und F T bei f=215 MHz, einer Sezawa-Welle, einem N-leitenden Halbleiter, einer Gatter- oder Steuerelektrodenlänge von 20 mm und einer Temperatur von -20°C. Fig. 8: The relationship between the thickness of the thin epitaxial layer and F T at f = 215 MHz, a Sezawa wave, an N-type semiconductor, a gate or control electrode length of 20 mm and a temperature of -20 ° C.
Fig. 9: Die Beziehung zwischen der Stärke der dünnen Epitaxialschicht und F T bei f=215 MHz, einer Sezawa-Welle, einem N-leitenden Halbleiter, einer Gatter- oder Steuerelektrodenlänge von 20 mm und einer Temperatur von -80°C. Fig. 9: The relationship between the thickness of the thin epitaxial layer and F T at f = 215 MHz, a Sezawa wave, an N-type semiconductor, a gate or control electrode length of 20 mm and a temperature of -80 ° C.
Fig. 10: Die Beziehung zwischen der Stärke der dünnen Epitaxialschicht und F T bei f=215 MHz, einer Sezawa- Welle, einem N-leitenden Halbleiter, einer Gatter- oder Steuerelektrodenlänge von 40 mm und einer Temperatur von 23°C. Fig. 10: The relationship between the thickness of the thin epitaxial layer and F T at f = 215 MHz, a Sezawa wave, an N-type semiconductor, a gate or control electrode length of 40 mm and a temperature of 23 ° C.
Fig. 11: Die Beziehung zwischen der Stärke der dünnen Epitaxialschicht und F T bei f=200 MHz, einer Rayleigh- Welle, einem N-leitenden Halbleiter, einer Gatter- oder Steuerelektrodenlänge von 20 mm und einer Temperatur von 23°C. Fig. 11: The relationship between the thickness of the thin epitaxial layer and F T at f = 200 MHz, a Rayleigh wave, an N-type semiconductor, a gate or control electrode length of 20 mm and a temperature of 23 ° C.
Fig. 12: Die Beziehung zwischen der Stärke der dünnen Epitaxialschicht und F T bei f=215 MHz, einer Sezawa- Welle, einem P-leitenden Halbleiter, einer Gatter- oder Steuerelektrodenlänge von 20 mm und einer Temperatur von 23°C. Fig. 12: The relationship between the thickness of the thin epitaxial layer and F T at f = 215 MHz, a Sezawa wave, a P-type semiconductor, a gate or control electrode length of 20 mm and a temperature of 23 ° C.
In den graphischen Darstellungen ist auf der Abszisse der Unterschied zwischen der Stärke der dünnen Epitaxialschicht und der maximalen Verarmungsbreite bei Raumtemperatur von 23°C aufgetragen. Der Wert von F T entspricht einer an der Steuerelektrode liegenden Vorspannung zum Maximieren von F T . In the graphs, the difference between the thickness of the thin epitaxial layer and the maximum depletion width at room temperature of 23 ° C. is plotted on the abscissa. The value of F T corresponds to a bias voltage on the control electrode to maximize F T.
Aus den Fig. 4 und 12 ist erkennbar, daß F T merklich durch die Stärke der dünnen Epitaxialschicht beeinflußt wird und daß F T mit zunehmender Stärke der dünnen Epitaxialschicht abnimmt. Diesbezüglich ist eine qualitativ ähnliche Tendenz bei verschiedenen Frequenzen der akustischen Oberflächenwellen (Fig. 4, 6 und 7), bei verschiedenen Temperaturen (Fig. 4, 8 und 9), bei verschiedenen Gatter- oder Steuerelektrodenlängen (Fig. 4 und 10), bei verschiedenen Fortpflanzungsarten der akustischen Oberflächenwelle (Fig. 4 und 11) und bei verschiedenen Leitfähigkeitstypen des Halbleiters (Fig. 12) erkennbar. Quantitativ sind die Einflüsse der Stärke der dünnen Epitaxialschicht dann bemerkenswert, wenn das Gatter oder die Steuerelektrode lang ist.From FIGS. 4 and 12 it is seen that F T is markedly influenced by the thickness of the thin epitaxial layer and that F T decreases with increasing thickness of the thin epitaxial layer. In this regard, there is a qualitatively similar tendency at different frequencies of the surface acoustic waves ( Figs. 4, 6 and 7), at different temperatures ( Figs. 4, 8 and 9), at different gate or control electrode lengths ( Figs. 4 and 10) Different types of propagation of the surface acoustic wave ( Fig. 4 and 11) and different conductivity types of the semiconductor ( Fig. 12) can be seen. Quantitatively, the effects of the thickness of the thin epitaxial layer are remarkable when the gate or the control electrode is long.
Aus diesen Ergebnissen ergibt sich, daß die Stärke der dünnen Epitaxialschicht so klein wie möglich sein sollte, um F T zu vergrößern. Wie es in Fig. 5 dargestellt ist, fällt jedoch F T manchmal bei niedriger Temperatur schnell ab, wenn die Epitaxialschicht so dünn ist. Der Grund dafür besteht darin, daß die Verarmungsbreite dazu neigt, sich bei niedriger Temperatur weiter als bei normaler Temperatur auszudehnen und das Verarmungsende sich direkt an die Grenzfläche der dünnen Epitaxialschicht und des hochkonzentrierten Halbleiterbereiches anschließt (Durchbruch) und an einer Schwingung gehindert ist. Diese Einflußfaktoren stellen einen weiteren Grund dafür dar, warum die Bedingung des Ausdruckes (8) benötigt wird. Die dünne Epitaxialschicht muß daher um ein gewisses Maß dicker als die maximale Verarmungsbreite sein. Die Stärke der dünnen Epitaxialschicht muß darüber hinaus nicht zu einer großen Abnahme von F T einladen.It follows from these results that the thickness of the thin epitaxial layer should be as small as possible in order to increase F T. However, as shown in Fig. 5, F T sometimes drops rapidly at low temperature when the epitaxial layer is so thin. The reason for this is that the depletion width tends to expand further at low temperature than at normal temperature and the depletion end directly connects to the interface of the thin epitaxial layer and the highly concentrated semiconductor region (breakdown) and is prevented from vibrating. These influencing factors represent another reason why the condition of expression (8) is required. The thin epitaxial layer must therefore be somewhat thicker than the maximum depletion width. In addition, the thickness of the thin epitaxial layer need not invite a large decrease in F T.
Gemäß der Erfindung ist die geeignete Stärke L der dünnen Epitaxialschicht innerhalb eines Bereiches 2 µm über der maximalen Verarmungsbreite Wmax gewählt:According to the invention, the suitable thickness L of the thin epitaxial layer is selected within a range of 2 μm above the maximum depletion width Wmax :
L Wmax + 2 µm (9) L Wmax + 2 µm (9)
Der Grund dafür besteht darin, daß F T möglicherweise um 10 dB oder mehr unter den Maximalwert fällt, wenn L größer Wmax+2 µm ist, wie es in den Fig. 4 bis 12 dargestellt ist. Aus einem Vergleich der Fig. 8 und 9 ergibt sich bezüglich des Temperaturganges weiterhin, daß sich F T stark mit der Temperatur ändert, wenn L größer Wmax+2 µm ist. Auch in dieser Hinsicht ist die Bedingung des Ausdruckes (9) vernünftig. Aus Fig. 5 ist ersichtlich, daß diesbezüglich keine Schwierigkeit auftritt, da der dynamische Bereich einen praktisch ausreichenden Wert auch unter den Bedingungen des Ausdruckes (9) hat.The reason for this is that if L is larger than Wmax +2 µm, F T may drop 10 dB or more below the maximum value, as shown in Figs. 4 to 12. A comparison of FIGS. 8 and 9 also shows with respect to the temperature response that F T changes strongly with the temperature when L is greater than Wmax +2 μm. In this regard too, the condition of Expression (9) is reasonable. From Fig. 5 it can be seen that there is no difficulty in this regard, since the dynamic range has a practically sufficient value even under the conditions of expression (9).
Das ist ein Grund, warum der obere Grenzwert der Stärke L für die dünne Epitaxialschicht so festgelegt ist, wie es im Ausdruck (1) angegeben ist.This is one reason why the upper limit of the thickness L for the thin epitaxial layer is set as indicated in Expression (1).
Bezüglich der Einflüsse der Störstellendichte der dünnen Epitaxialschicht ergibt sich aus den Fig. 4 bis 12, daß F T mit abnehmender Störstellendichte innerhalb des Bereiches der Stärke der dünnen Epitaxialschicht gemäß Ausdruck (1) zunimmt. Was den dynamischen Bereich anbetrifft, so ergibt sich jedoch aus Fig. 5, daß dieser Bereich mit der Störstellendichte abnimmt. Wenn N <1×10¹³ cm-3 ist, dann wird der dynamische Bereich annähernd gleich 30 dB, was in der Praxis ausreicht.With regard to the influences of the impurity density of the thin epitaxial layer, it can be seen from FIGS. 4 to 12 that F T increases with decreasing impurity density within the range of the thickness of the thin epitaxial layer according to expression (1). With regard to the dynamic range, however, it can be seen from FIG. 5 that this range decreases with the impurity density. If N <1 × 10 13 cm -3 , the dynamic range becomes approximately 30 dB, which is sufficient in practice.
Andererseits fällt F T mit Zunahme von N ab und wird F T gleich etwa -60 dB oder weniger, wenn N< 1×10¹⁶ cm-3 ist. In Hinblick auf die Art der Anordnung der dünnen piezoelektrischen Schicht und des Halbleiters, von der zu erwarten ist, daß sie einen hohen F T -Wert zeigt, ist dieser Wert zu niedrig. Daher ist die Störstellendichte vorzugsweise innerhalb des folgenden Bereiches gewählt:On the other hand, F T falls as N increases and F T becomes about -60 dB or less when N <1 × 10¹⁶ cm -3 . In view of the arrangement of the thin piezoelectric layer and the semiconductor, which is expected to show a high F T value, this value is too low. The impurity density is therefore preferably selected within the following range:
1×10¹³ cm-3 N 1×10¹⁶ cm-3 1 × 10¹³ cm -3 N 1 × 10¹⁶ cm -3
Das ist ein Grund, warum die Störstellendichte so festgelegt ist, wie es im Ausdruck (4) angegeben ist.That is one reason why the impurity density is so determined is as indicated in expression (4).
Im obigen wurden die Bedingungen (A) und (B) für die dünne Epitaxialschicht gemäß der Erfindung erläutert.In the above, the conditions (A) and (B) for the thin Epitaxial layer according to the invention explained.
Im folgenden wird die Verwendung des Grundgedankens der Erfindung bei einem SAW-Wendelleiter beschrieben, der einen Aufbau mit einem halbleitenden Epitaxialsubstrat hat. Die Bedingungen für die dünne Epitaxialschicht für diesen Fall werden im folgenden beschrieben.The following is the use of the basic idea of the invention described for a SAW spiral conductor, which has a structure with a semiconducting epitaxial substrate. The conditions for the thin epitaxial layer for this case described below.
Wie es oben beschrieben wurde, bestimmen die Bedingungen (A) und (B) die Bedingungen für die Stärke der dünnen Epitaxialschicht bei einem Wendelleiter mit der in Fig. 15 dargestellten Ausbildung. Der in Fig. 15 dargestellte Wendelleiter kann zu einem Wendelleiter weiterentwickelt werden, der die in Fig. 13 dargestellte Ausbildung hat. Es hat sich herausgestellt, daß der Wendelleiter mit der in Fig. 13 dargestellten Ausbildung ohne Vorspannung arbeiten kann (japanische Patentanmeldung Nr. 60-202845) und daß diese Ausbildung bei ihrem praktischen Einsatz außerordentlich zweckmäßig ist.As described above, conditions (A) and (B) determine the conditions for the thickness of the thin epitaxial layer in a spiral conductor having the configuration shown in FIG. 15. The spiral conductor shown in FIG. 15 can be further developed into a spiral conductor which has the configuration shown in FIG. 13. It has been found that the spiral conductor with the design shown in FIG. 13 can work without pretensioning (Japanese Patent Application No. 60-202845) and that this design is extremely useful in its practical use.
Die dünne halbleitende Epitaxialschicht besteht aus einer ersten dünnen halbleitenden Epitaxialschicht 9-1 und einer zweiten dünnen halbleitenden Epitaxialschicht 9-2. Die erste dünne halbleitende Epitaxialschicht 9-1 ist ein Halbleiter vom gleichen Leitfähigkeitstyp wie dem des hochkonzentrierten halbleitenden Substrates 1, wohingegen die dünne zweite halbleitende Epitaxialschicht 9-2 ein Halbleiter vom entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp ist. Wenn die erste dünne halbleitende Epitaxialschicht 9-1 vom N-Leitfähigkeitstyp ist, dann ist die zweite dünne halbleitende Epitaxialschicht 9-2 vom P-Leitfähigkeitstyp. Wenn im Gegensatz dazu die erste dünne halbleitende Epitaxialschicht 9-1 vom P-Leitfähigkeitstyp ist, dann ist die zweite dünne halbleitende Epitaxialschicht 9-2 vom N-Leitfähigkeitstyp. Der Unterschied gegenüber der Ausbildung in Fig. 15 besteht darin, daß die zweite dünne halbleitende Epitaxialschicht 9-2 von einem anderen Leitfähigkeitstyp in der Epitaxialschicht vorgesehen ist. In den meisten Fällen wird die zweite dünne halbleitende Epitaxialschicht 9-2 durch Injizieren von Ionen ausgebildet und hat die Stärke an dem Teil einen Wert, der beträchtlich kleiner als der der Stärke der ersten dünnen halbleitenden Epitaxialschicht 9-1 ist. Weiterhin sind die Störstellendichte und die Stärke der zweiten dünnen halbleitenden Epitaxialschicht so gewählt, daß eine Verarmung des gesamten Teils der zweiten dünnen halbleitenden Epitaxialschicht 9-2 bewirkt wird, wenn die an der Steuerelektrode 8 liegende Vorspannung gleich Null ist. Es ist beabsichtigt, daß diese Ausbildung am besten bei einer Vorspannung gleich Null arbeitet. Diese Ausbildung kann daher so betrachtet werden, als würde während der Arbeit des Wendelleiters das Verarmungsende in der ersten dünnen halbleitenden Epitaxialschicht 9-1 liegen.The thin semiconductor epitaxial layer consists of a first thin semi-type epitaxial layer 9-1 and a second thin semi-type epitaxial layer 9 - 2. The first thin semiconductor epitaxial layer 9 - 1 is a semiconductor of the same conductivity type as that of the high-concentration semiconductor substrate 1, the thin second semiconducting epitaxial layer 9 whereas - 2, a semiconductor of the opposite conductivity type. When the first thin semiconductive epitaxial layer 9-1 from the N-type conductivity, then the second thin semiconductive epitaxial layer 9 - 2 P-conductivity type. In contrast, when the first thin semiconductive epitaxial layer 9-1 of the P-type conductivity, then the second thin semiconductive epitaxial layer 9-2 from the N-conductivity type. . The difference compared to the embodiment in Figure 15 is that the second thin semiconductive epitaxial layer 9 - 2 is provided by a different conductivity type in the epitaxial layer. In most cases, the second thin semiconductor epitaxial layer is 9 - formed by injecting ions 2 and has the thickness at the portion a value smaller than the considerably the strength of the first thin semiconductor epitaxial layer 9 - 1. Further, the impurity density and the thickness of the second thin semiconductor epitaxial layer are selected such that a depletion of the entire portion of the second thin semiconducting epitaxial layer 9 - 2 is effected when the bias voltage applied to the gate electrode 8 is zero. This design is intended to work best with zero bias. This configuration can therefore be viewed as if the depletion end in the first semi-conductive thin epitaxial layer 9 during the operation of the helical conductor - 1.
Wie es oben beschrieben wurde, ist F T hauptsächlich durch die nicht lineare Konstante γ₂ und den Fortpflanzungsverlust α bestimmt, und werden die Einflüsse der Stärke der dünnen Epitaxialschicht insbesondere durch den Fortpflanzungsverlust α wiedergegeben. Während der Arbeit eines Wendelleiters mit der in Fig. 13 dargestellten Ausbildung liegt andererseits das Verarmungsende in der ersten dünnen halbleitenden Epitaxialschicht 9-1, wie es oben beschrieben wurde. Die nichtlineare Konstante γ₂ ist durch die Störstellendichte N an der Stelle des Verarmungsendes bestimmt und wird durch den Ausdruck (6) wiedergegeben. Der Fortpflanzungsverlust der akustischen Oberflächenwellen ist weiterhin hauptsächlich durch den inneren Energieverlust im Halbleiter jenseits des Verarmungsendes, d. h. im Verarmungsbereich oder im schwach konvertierten Bereich bestimmt. Unter Berücksichtigung der oben genannten Einflußfaktoren kann daher angenommen werden, daß F T hauptsächlich durch die erste dünne halbleitende Epitaxialschicht 9-1 auch bei der in Fig. 13 dargestellten Ausbildung bestimmt ist, und daß die Abhängigkeit von F T von der Stärke der dünnen Epitaxialschicht gleichfalls durch die Störstellendichte der ersten dünnen halbleitenden Epitaxialschicht 9-1 und durch die Beziehung zwischen der Lage des Verarmungsendes darin und der Stärke der Epitaxialschicht bestimmt ist.As described above, F T is mainly determined by the non-linear constant γ ₂ and the propagation loss α , and the influences of the thickness of the thin epitaxial layer are reflected in particular by the propagation loss α . . During the work of a helical conductor with the training shown in Fig 13 on the other hand, the depletion end is located in the first thin semiconductor epitaxial layer 9-1, as described above. The non-linear constant γ ₂ is determined by the impurity density N at the point of depletion and is represented by expression (6). The propagation loss of the surface acoustic waves is further determined mainly by the internal energy loss in the semiconductor beyond the end of depletion, ie in the depletion region or in the weakly converted region. Considering the above-mentioned influencing factors can therefore be assumed that F T mainly through the first thin semiconductive epitaxial layer 9 - is determined 1 well at in Fig training illustrated 13, and that the dependence of F T of the thickness of the thin epitaxial layer also. is determined 1 and by the relationship between the position of the depletion end therein and the thickness of the epitaxial layer - by the impurity concentration of the first thin semiconductor epitaxial layer. 9
Es ist daher vernünftig, die Bedingungen für die Stärke der dünnen Epitaxialschicht relativ zur maximalen Verarmungsbreite über den gleichen Ausdruck (1) wie für die in Fig. 15 dargestellte Ausbildung festzulegen.It is therefore reasonable to determine the conditions for the thickness of the thin epitaxial layer relative to the maximum depletion width using the same expression (1) as for the configuration shown in FIG. 15.
Es sei jedoch darauf hingewiesen, daß die maximale Verarbeitungsbreite bei der in Fig. 13 dargestellten Ausbildung durch einen Ausdruck wiedergegeben wird, der sich von dem Ausdruck (2) unterscheidet, da im Gegensatz zu der in Fig. 15 dargestellten Ausbildung die zweite dünne halbleitende Epitaxialschicht 9-2 vorhanden ist. Wenn die zweite dünne halbleitende Epitaxialschicht 9-2 eine Stärke l₂ hat, liegt Wmax im folgenden Bereich:It should be noted, however, that the maximum processing width in the embodiment shown in Fig. 13 is represented by an expression different from the expression (2) because, unlike the embodiment shown in Fig. 15, the second thin semiconducting epitaxial layer 9 - 2 is present. When the second thin semiconductive epitaxial layer 9 - 2 a thickness l ₂ has Wmax is in the following range:
l₂ < Wmax l₂ + Wm (10) l ₂ < Wmax l ₂ + Wm (10)
wobei Wm die maximale Verarbeitungsbreite für den Fall ist, daß nur die erste dünne halbleitende Epitaxialschicht 9-1 vorhanden ist, und durch den folgenden Ausdruck wiedergegeben wird:where W is the maximum processing width in case that only the first thin semiconductive epitaxial layer 9-1 is present and is represented by the following expression:
wobei N₁ die Störstellendichte der ersten dünnen halbleitenden Epitaxialschicht 9-1 ist und die anderen Parameter identisch mit denen des Ausdrucks (2) sind.wherein the impurity concentration of N ₁ first thin semiconducting epitaxial layer 9 - 1 and the other parameters are identical to those of the expression (2).
Es ist daher vernünftig, die Bedingungen für die Stärke der dünnen Epitaxialschicht bei der in Fig. 13 dargestellten Ausbildung in der folgenden Weise festzulegen.It is therefore reasonable to set the conditions for the thickness of the thin epitaxial layer in the configuration shown in Fig. 13 in the following manner.
(C) Die Stärke L der dünnen Epitaxialschicht bei der in Fig. 13 dargestellten Ausbildung ist wie folgt bestimmt:(C) The thickness L of the thin epitaxial layer in the configuration shown in Fig. 13 is determined as follows:
l₂ < L l₂ + Wm + 2 µm (12) l ₂ < L l ₂ + Wm + 2 µm (12)
wobei l₂ die Stärke der zweiten dünnen halbleitenden Epitaxialschicht 9-2 ist und Wm durch den Ausdruck (11) wiedergegeben wird.wherein l ₂, the strength of the second thin semiconducting epitaxial layer 9 - 2, and Wm is given by the expression (11).
Da bei der in Fig. 13 dargestellten Ausbildung F T weiterhin hauptsächlich durch die erste dünne halbleitende Epitaxialschicht 9-1 bestimmt ist, ist es vernünftig, die Bedingungen für die Störstellendichte der dünnen Epitaxialschicht in derselben Weise wie im Ausdruck (4) festzulegen, wie es im folgenden angegeben wird.Further, since mainly through the first thin semiconductive epitaxial layer 9 in the embodiment shown in Figure 13 training F T -. Is determined 1, it is reasonable to define the conditions for the impurity concentration of the thin epitaxial layer in the same manner as in the expression (4) as is given below.
(D) Wenn Si als Leiter bei der in Fig. 13 dargestellten Ausbildung benutzt wird, wird die Stärke L der dünnen Epitaxialschicht so gewählt, daß sie dem Ausdruck (12) genügt, und wird die Störstellendichte N₁ der ersten dünnen halbleitenden Epitaxialschicht 9-1 aus dem folgenden Bereich gewählt:(D) When Si is used as a conductor in the configuration shown in Fig. 13, the thickness L of the thin epitaxial layer is selected to satisfy the expression (12) and the impurity density N 1 of the first thin semiconducting epitaxial layer 9 - 1 selected from the following range:
1×10¹³ cm-3 N₁ 1×10¹⁶ cm-3 (13)1 × 10¹³ cm -3 N ₁ 1 × 10¹⁶ cm -3 (13)
Die obigen Bedingungen (A), (B), (C) und (D) sind für die in den Fig. 15 und 13 dargestellten Ausbildungen vorgesehen. Unter den in den Fig. 13 und 15 dargestellten Ausbildungen ist auch eine Ausbildung möglich, die keinen Isolator 2 enthält. Da der Isolator 2 in den meisten Fällen sehr dünn ist, treten keine großen Änderungen weder in der Fortpflanzungsart der akustischen Oberflächenwellen noch im Potentialverlust in den Halbleiter beim Fehlen des Isolators 2 auf. Die Benutzung der Bedingungen (A), (B), (C) und (D) ist daher auch zweckmäßig beim Fehlen des Isolators 2 bei den in den Fig. 15 und 13 dargestellten Ausbildungen.The above conditions (A), (B), (C) and (D) are provided for the configurations shown in FIGS. 15 and 13. Among the designs shown in FIGS. 13 and 15, a design that does not contain an insulator 2 is also possible. Since the isolator 2 is very thin in most cases, no major changes occur either in the mode of propagation of the surface acoustic waves or in the potential loss in the semiconductor in the absence of the isolator 2 . The use of conditions (A), (B), (C) and (D) is therefore also expedient in the absence of the insulator 2 in the configurations shown in FIGS. 15 and 13.
Wie es oben beschrieben wurde, wird durch die Erfindung ein monolithischer SAW-Wendelleiter mit gutem Wirkungsgrad und gutem Temperaturgang geschaffen.As described above, by the invention monolithic SAW spiral conductor with good efficiency and good temperature response created.
Der erfindungsgemäße Wendelleiter kann nicht nur bei allen Vorrichtungen, die einen SAW-Wendelleiter verwenden, sondern auch bei anderen Vorrichtungen wie beispielsweise Korrelatoren, SSC-Kommunikationsvorrichtungen, Radarvorrichtungen, Videoverarbeitungsvorrichtungen, Fourier-Transformatoren usw. angewandt werden.The spiral ladder according to the invention can not only in all Devices that use a SAW spiral conductor, but also with other devices such as correlators, SSC communication devices, radar devices, Video processing devices, Fourier transformers etc. are applied.
Claims (18)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61207457A JPS6362281A (en) | 1986-09-02 | 1986-09-02 | Surface acoustic wave convolver |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3729333A1 true DE3729333A1 (en) | 1988-03-10 |
Family
ID=16540087
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19873729333 Withdrawn DE3729333A1 (en) | 1986-09-02 | 1987-09-02 | SURFACE WAVE CONDUCTOR |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4757226A (en) |
JP (1) | JPS6362281A (en) |
DE (1) | DE3729333A1 (en) |
FR (1) | FR2603423B1 (en) |
GB (1) | GB2196502B (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3910164A1 (en) * | 1989-03-29 | 1990-10-04 | Siemens Ag | ELECTROSTATIC CONVERTER FOR GENERATING ACOUSTIC SURFACE WAVES ON A NON-PIEZOELECTRIC SEMICONDUCTOR SUBSTRATE |
DE3922671A1 (en) * | 1989-07-10 | 1991-01-24 | Siemens Ag | Acousto-electronic device with surface wave arrangement - and IC on support, with layer structure with semiconductor crystal layer on another part of support |
DE102017112647A1 (en) * | 2017-06-08 | 2018-12-13 | RF360 Europe GmbH | Electrical component wafer |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4882715A (en) * | 1987-03-16 | 1989-11-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Surface acoustic wave convolver with dielectric film of high non-linear effect |
JPS63260313A (en) * | 1987-04-17 | 1988-10-27 | Clarion Co Ltd | Surface acoustic wave convolver |
US4967113A (en) * | 1988-03-24 | 1990-10-30 | Clarion Co., Ltd. | Surface-acoustic-wave convolver |
US4884001A (en) * | 1988-12-13 | 1989-11-28 | United Technologies Corporation | Monolithic electro-acoustic device having an acoustic charge transport device integrated with a transistor |
US4926083A (en) * | 1988-12-13 | 1990-05-15 | United Technologies Corporation | Optically modulated acoustic charge transport device |
US4980596A (en) * | 1988-12-13 | 1990-12-25 | United Technologies Corporation | Acoustic charge transport device having direct optical input |
JPH02170611A (en) * | 1988-12-22 | 1990-07-02 | Clarion Co Ltd | Surface acoustic wave device |
US5162690A (en) * | 1989-04-14 | 1992-11-10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device |
US5111100A (en) * | 1990-01-12 | 1992-05-05 | Clarion Co., Ltd. | Surface acoustic wave device and method for fabricating same |
US5091669A (en) * | 1990-05-31 | 1992-02-25 | Clarion Co., Ltd. | Surface acoustic wave convolver |
JPH04271611A (en) * | 1991-02-27 | 1992-09-28 | Clarion Co Ltd | Surface acoustic wave convolver device |
JPH04343514A (en) * | 1991-05-20 | 1992-11-30 | Clarion Co Ltd | Surface acoustic wave element |
US5440189A (en) * | 1991-09-30 | 1995-08-08 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Surface acoustic wave device |
JP4723207B2 (en) * | 2004-05-31 | 2011-07-13 | 信越化学工業株式会社 | Composite piezoelectric substrate |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3630985A1 (en) * | 1985-09-13 | 1987-03-26 | Clarion Co Ltd | SURFACE WAVE COMPONENT |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4101965A (en) * | 1976-05-27 | 1978-07-18 | Massachusetts Institute Of Technology | Surface acoustic wave devices for processing and storing signals |
US4471255A (en) * | 1978-10-05 | 1984-09-11 | Clarion Co., Ltd. | Surface acoustic wave parametric device |
US4354166A (en) * | 1980-10-23 | 1982-10-12 | United Technologies Corporation | Carrier concentration controlled surface acoustic wave resonator and oscillator |
JPS5964908A (en) * | 1982-10-05 | 1984-04-13 | Nobuo Mikoshiba | Surface acoustic wave element |
US4600853A (en) * | 1985-08-23 | 1986-07-15 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Saw-CTD serial to parallel imager and waveform recorder |
US4611140A (en) * | 1985-08-26 | 1986-09-09 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Saw-CTD parallel to serial imager |
-
1986
- 1986-09-02 JP JP61207457A patent/JPS6362281A/en active Pending
-
1987
- 1987-08-25 US US07/089,498 patent/US4757226A/en not_active Expired - Fee Related
- 1987-08-28 GB GB8720354A patent/GB2196502B/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-09-01 FR FR878712145A patent/FR2603423B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-09-02 DE DE19873729333 patent/DE3729333A1/en not_active Withdrawn
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3630985A1 (en) * | 1985-09-13 | 1987-03-26 | Clarion Co Ltd | SURFACE WAVE COMPONENT |
Non-Patent Citations (5)
Title |
---|
B.T. KHURI-YAKUB, G.S. KINO, A Detailed Theory of the Monolitic Zinc Oxide on Silicon Convolver", IEEE Trans. Sonics Ultra- sonics, Bd. SU-24, Nr. 1, Jan. 1977, S. 34-43 * |
I.E. Bowers, et.al. "Monolithic Sezawe wave Storage Correlators and Convolvers", IEEE Proc. Ultrasonics Symposium, 1980, S. 118-123 * |
J.K. ELLIOTT, et.al. "A Wideband SAW convolver utilizing sezawa waves in a metal-ZuO-SiO¶2¶-Si -configuration", App. Phys. Lett, Mai 1978, S. 515,516 * |
L.A. Coldren, "Effect of bias field in Zinc-Oxide-on-Silicon Acoustic Convolver", Applied Phys. Letters, Bd. 25, Nr. 9, 1. November 1974, S. 473-475 * |
S. Minagawa et al., Efficient ZnO - SiO¶2¶ - Si Sezawa wave Convolver",IEEE Trans. Sonics UltrasonUltrason., Bd. SU - 32, Nr. 5, September 1985, S. 670-674 * |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3910164A1 (en) * | 1989-03-29 | 1990-10-04 | Siemens Ag | ELECTROSTATIC CONVERTER FOR GENERATING ACOUSTIC SURFACE WAVES ON A NON-PIEZOELECTRIC SEMICONDUCTOR SUBSTRATE |
DE3922671A1 (en) * | 1989-07-10 | 1991-01-24 | Siemens Ag | Acousto-electronic device with surface wave arrangement - and IC on support, with layer structure with semiconductor crystal layer on another part of support |
DE102017112647A1 (en) * | 2017-06-08 | 2018-12-13 | RF360 Europe GmbH | Electrical component wafer |
DE102017112647B4 (en) * | 2017-06-08 | 2020-06-18 | RF360 Europe GmbH | Electrical component wafer and electrical component |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4757226A (en) | 1988-07-12 |
JPS6362281A (en) | 1988-03-18 |
FR2603423B1 (en) | 1991-03-22 |
GB8720354D0 (en) | 1987-10-07 |
GB2196502B (en) | 1990-06-06 |
GB2196502A (en) | 1988-04-27 |
FR2603423A1 (en) | 1988-03-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3729333A1 (en) | SURFACE WAVE CONDUCTOR | |
DE3136682C2 (en) | ||
DE2154904C3 (en) | Temperature compensated DC reference voltage source | |
DE69634949T2 (en) | DEVICE FOR ELASTIC SURFACE WAVES AND ELECTRONIC SWITCHING WITH SUCH A DEVICE | |
DE2439875C2 (en) | Semiconductor component with negative resistance characteristics | |
DE1273719B (en) | Transmission device for elastic waves | |
DE3005179A1 (en) | AOFW DELAY LINE WITH VARIABLE DELAY AND A MONOLITHIC, VOLTAGE-CONTROLLED OSCILLATOR PRODUCED WITH IT | |
DE1104032B (en) | Semiconductor arrangement with non-linear resistance characteristic and circuit arrangement using such a semiconductor arrangement | |
DE3301492C2 (en) | Microwave oscillator | |
EP0810724A2 (en) | Acousto-electronic component operating with surface acoustic waves | |
DE60029227T2 (en) | TRANSIT AMPLIFIER WITH REDUCED PARASITIC VIBRATIONS | |
DE1789152A1 (en) | SIGNAL TRANSMISSION CIRCUIT | |
DE2711460C2 (en) | Electroacoustic signal processing device | |
DE3630985A1 (en) | SURFACE WAVE COMPONENT | |
DE3526826C2 (en) | ||
DE2807918C3 (en) | Josephson interferometer | |
DE2027909A1 (en) | Semiconductor deformation measuring device with controllable sensitivity | |
DE3005590A1 (en) | OSCILLATOR CIRCUIT | |
DE3110127C2 (en) | ||
DE2936286B2 (en) | Broadband amplifier | |
DE3345045A1 (en) | AMPLIFIER | |
DE3030636A1 (en) | DEVICE FOR PROCESSING ACOUSTIC SURFACE WAVES | |
DE3909511A1 (en) | SURFACE SHAFT CONVERTER ARRANGEMENT | |
DE3923952A1 (en) | SURFACE WAVE COMPONENT | |
DE69734285T2 (en) | FUNCTIONING DEVICE WITH ACOUSTIC SURFACE WAVES |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8120 | Willingness to grant licences paragraph 23 | ||
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8125 | Change of the main classification |
Ipc: H03H 9/25 |
|
8136 | Disposal/non-payment of the fee for publication/grant |