DE3714812A1 - Carrier (support, substrate) for accommodating two laser diodes, and a method for producing an arrangement having two coupled laser diodes on the carrier - Google Patents

Carrier (support, substrate) for accommodating two laser diodes, and a method for producing an arrangement having two coupled laser diodes on the carrier

Info

Publication number
DE3714812A1
DE3714812A1 DE19873714812 DE3714812A DE3714812A1 DE 3714812 A1 DE3714812 A1 DE 3714812A1 DE 19873714812 DE19873714812 DE 19873714812 DE 3714812 A DE3714812 A DE 3714812A DE 3714812 A1 DE3714812 A1 DE 3714812A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
carrier
legs
angle
laser diodes
chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE19873714812
Other languages
German (de)
Inventor
Guenter Ing Grad Kristen
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DE19873714812 priority Critical patent/DE3714812A1/en
Publication of DE3714812A1 publication Critical patent/DE3714812A1/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/1021—Coupled cavities
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
    • H01S5/02325—Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
    • H01S5/02326—Arrangements for relative positioning of laser diodes and optical components, e.g. grooves in the mount to fix optical fibres or lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • H01S5/4031—Edge-emitting structures

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

In order to produce an arrangement having two coupled laser diodes, especially a cleaved-coupled-cavity arrangement (C<3> arrangement), a carrier (1) is specified which contains two limbs (2), which run at an angle (13) with respect to one another, and a connecting part (3) having a planar surface (4) at right angles to the angle bisector (14) of the angle (13) between the limbs (2). A chip is aligned with the planar surface (4) and is mounted on the carrier (1). The chip, which has previously been scratched, is broken into two laser diodes (11) by reducing the angle (13) between the limbs (2). The distance between the laser diodes (11) is adjusted by optimising the properties of the laser radiation, since the resonator mirrors (8) are freely accessible during the production process. <IMAGE>

Description

Die Erfindung betrifft einen Träger zur Aufnahme zweier Laser­ dioden und ein Verfahren zur Herstellung einer Anordnung mit zwei gekoppelten Laserdioden auf dem Träger.The invention relates to a carrier for holding two lasers diodes and a method for producing an arrangement with two coupled laser diodes on the carrier.

Eine Möglichkeit, eine Laserdiode, die in nur einer longitudi­ nalen Mode schwingt, zu realisieren, besteht darin, zwei Laser­ dioden unterschiedlicher optischer Weglänge zu koppeln (siehe z. B. IEEE Spectrum, Dezember 1983, Seite 38 bis 45, Electronics Letters, April 1984, Vol. 20 Nr. 8 Seite 350 bis 351, IEEE Journal of Quantum Electronics, Vol. QE-20, Nr. 4, April 1984, Seite 374 bis 384). In gekoppelten Laserdioden können sich nur solche Schwingungsmoden ausbilden, die in beiden Laser­ dioden und in dem Resonator, der aus dem Luftspalt zwischen den beiden Laserdioden und dem jeweils dem Luftspalt zugewandten Spiegel jede Laserdiode gebildet wird, Eigenschwingungen ent­ sprechen. Die Laserdiode mit der optisch kürzeren Weglänge wird als Frequenzmodulator verwendet.One way to get a laser diode in just one longitudinal nals fashion vibrates, realizing consists of two lasers to couple diodes with different optical path lengths (see e.g. B. IEEE Spectrum, December 1983, pages 38-45, Electronics Letters, April 1984, Vol. 20 No. 8 pages 350 to 351, IEEE Journal of Quantum Electronics, Vol. QE-20, No. 4, April 1984, Pages 374 to 384). Coupled laser diodes can only form those vibration modes that are in both lasers diodes and in the resonator emerging from the air gap between the two laser diodes and the one facing the air gap Mirror each laser diode is formed, ent natural vibrations speak. The laser diode with the optically shorter path length is used as a frequency modulator.

Es ist bekannt, daß bei Laserdioden zwei gegenüberliegende End­ flächen als planparallele Spiegel nach Art eines Fabry-Perot- Interferometers ausgebildet sind (siehe z.B. G. Winstel, C. Weyrich, Optoelektronik I, Springer Verlag, Berlin, Heidelberg, New York, 1980, Seite 184). Als Spiegel wirken bereits natür­ liche Spaltflächen des verwendeten Kristalls. Daher ist es möglich, aus einer Laserdiode durch Spalten entlang einer Kristallfläche, die parallel zu den planparallelen Spiegeln verläuft, zwei Laserdioden zu machen. Nach diesem Prinzip werden die sogenannten cleaved-coupled-cavity-Anordnungen (C3-Anordnungen) hergestellt. Eine C3-Anordnung besteht aus zwei elektrisch getrennten, gekoppelten Laserdioden. It is known that in laser diodes two opposite end faces are designed as plane-parallel mirrors in the manner of a Fabry-Perot interferometer (see, for example, G. Winstel, C. Weyrich, Optoelectronics I, Springer Verlag, Berlin, Heidelberg, New York, 1980, Page 184). Natural gap surfaces of the crystal used already act as mirrors. It is therefore possible to make two laser diodes from one laser diode by splitting along a crystal surface that runs parallel to the plane-parallel mirrors. The so-called cleaved-coupled-cavity arrangements (C 3 arrangements) are produced according to this principle. A C 3 arrangement consists of two electrically separated, coupled laser diodes.

Diese Anordnungen sind von besonderem Interesse, da in ihnen, in gewissen Grenzen, die Wellenlänge der emittierten Strahlung durchstimmbar ist (siehe z.B. IEEE Journal of Quantum Electronics, Vol. QE-20, Nr. 4, April 1984, Seite 374 bis 384). Der Brechungsindex der aktiven Schicht ist abhängig von der La­ dungsträgerdichte. Daher ist die optische Weglänge eines La­ serresonators über die Ladungsträgerinjektion einstellbar. Auf diese Weise läßt sich daher die Wellenlänge das emittierten La­ serlichts in dem Maße durchstimmen, in dem der Brechungsindex der aktiven Schicht veränderlich ist.These arrangements are of particular interest because, within certain limits, the wavelength of the emitted radiation can be tuned (see e.g. IEEE Journal of Quantum Electronics, Vol. QE-20, No. 4, April 1984, pages 374 to 384). The refractive index of the active layer depends on the La manure density. Hence the optical path length of a La serresonators adjustable via the charge carrier injection. On this way, the wavelength of the emitted La tune to the extent that the refractive index the active layer is changeable.

Ferner ist bekannt (siehe z.B. Electronics Letters, Vol. 20, Nr. 8, April 1984, Seite 350 ff.), daß sich bestimmte Eigen­ schaften der Anordnung durch Optimierung der Spaltbreite zwi­ schen den Laserdioden verbessern lassen. Beispielsweise hängen der Schwellenstrom und der differentielle Wirkungsgrad der An­ ordnung bei optimaler Unterdrückung unerwünschter Moden vom Abstand der beiden Laserdioden ab.It is also known (see e.g. Electronics Letters, Vol. 20, No. 8, April 1984, page 350 ff.) That certain Eigen the arrangement by optimizing the gap width between let the laser diodes improve. For example, hang the threshold current and the differential efficiency of the An order with optimal suppression of unwanted modes from Distance between the two laser diodes.

Laserdioden werden bekanntlich (siehe z.B. G. Winstel, C. Wey­ rich, Optoelektronik I, Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg, New York, 1980, Seite 224) als Schichtaufbau auf einem Substrat hergestellt. Bei der Laserstrahlungszeugung entsteht Wärme in der aktiven Schicht, die sich an der dem Substrat abgewandten Seite des Schichtaufbaus befindet. Es ist daher zweckmäßig, eine Wärmesenke an der dem Substrat abgewandten Seite des Schichtaufbaus anzubringen. Da die laseraktive Zone sehr nah an der dem Substrat abgewandten Seite des Schichtaufbaus liegt, ist es erforderlich, die Wärmesenke kantenfluchtend auf die Laserdiode zu montieren, um eine Abschattung der Laserstrahlung durch die Wärmesenke zu vermeiden.Laser diodes are well known (see e.g. G. Winstel, C. Wey rich, Optoelectronics I, Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg, New York, 1980, page 224) as a layer structure on a substrate produced. Heat is generated in the laser radiation generation the active layer facing away from the substrate Side of the layer structure. It is therefore advisable a heat sink on the side facing away from the substrate Layer structure to attach. Because the laser active zone is very close lies on the side of the layer structure facing away from the substrate, it is necessary to flush the heat sink on the Mount laser diode to shade the laser radiation to avoid through the heat sink.

Es ist bekannt, C3-Anordnungen herzustellen, indem ein Chip, der durch Brechen an einer vorher angeritzten Stelle in zwei Laserdioden geteilt werden kann, auf eine dünne Metallfolie montiert wird (Electronics Letters, April 1984, Vol. 20, Nr. 8, Seite 350 ff., IEEE Journal of Quantum Electronics, Vol. QE-22, Nr. 4, April 1984, Seite 374 bis 384). Durch Verbiegen der Me­ tallfolie wird der Chip an einer vorgeritzten Stelle in zwei Laserdioden gebrochen und soweit auseinander gebogen, daß die beiden Laserdioden den Sollabstand voneinander haben. Die Me­ tallfolie wird in dieser Stellung auf einen Träger montiert, der als Wärmesenke zur Wärmeabfuhr dient. Durch die Montage der Metallfolie wird der Verkippungswinkel fixiert. Vor der Montage muß die Metallfolie mindestens bis an einen Spiegel heran entfernt werden, um eine Abschattung der Laserstrahlung durch die Folie auszuschließen. Der freigelegte Spiegel muß zur Trägerkante sehr sorgfältig justiert werden, um auch hier eine Abschattung der Laserstrahlung zu vermeiden.It is known to produce C 3 arrangements by mounting a chip, which can be split into two laser diodes by breaking at a previously scored location, on a thin metal foil (Electronics Letters, April 1984, Vol. 20, No. 8, Pages 350 ff., IEEE Journal of Quantum Electronics, Vol. QE-22, No. 4, April 1984, pages 374 to 384). By bending the metal foil, the chip is broken at a pre-scored location in two laser diodes and bent apart so far that the two laser diodes have the desired distance from one another. The metal foil is mounted in this position on a support that serves as a heat sink for heat dissipation. The tilt angle is fixed by installing the metal foil. Before assembly, the metal foil must be removed at least up to a mirror in order to prevent the laser radiation from being shadowed by the foil. The exposed mirror must be adjusted very carefully to the edge of the support in order to avoid shadowing of the laser radiation.

Die Anordnung auf dem Träger so zu justieren, daß der Laser­ spiegel, aus dem die Strahlung austritt, mit einer Trägerkante fluchtet, birgt die Gefahr einer Dejustage, weil der Verkip­ pungswinkel dabei erst danach, bei der Montage, fixiert wird.Adjust the arrangement on the support so that the laser mirror from which the radiation emerges with a support edge is in danger of misalignment because of the tilt angle is only fixed afterwards during assembly.

Das Entfernen der Metallfolie bis an einen Spiegel heran, muß sehr sorgfältig und vorsichtig geschehen, um Berührungen und Verletzungen des Spiegels zu vermeiden.The removal of the metal foil up to a mirror must done very carefully and carefully to touch and Avoid injuries to the mirror.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Träger und ein verbessertes Verfahren zur Montage zweier gekoppelter Laserdioden auf dem Träger anzugeben.The invention has for its object a carrier and an improved method for assembling two coupled Specify laser diodes on the carrier.

Die Aufgabe wird mit einem Träger nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1 erfindungsgemäß gelöst, wie diese im kennzeichnenden Teil des Anspruchs 1 angegeben ist.The task is carried out with a carrier according to the generic term of Claim 1 solved according to the invention, as in the characterizing Part of claim 1 is specified.

Die Aufgabe wird weiterhin durch ein Verfahren zur Herstellung einer Anordnung mit zwei gekoppelten Laserdioden auf dem Träger gelöst, wie dies im kennzeichnenden Teil des Anspruchs 5 be­ schrieben wird.The task continues through a manufacturing process an arrangement with two coupled laser diodes on the carrier solved as be in the characterizing part of claim 5 is written.

Der Träger hat den Vorteil, daß bei der Herstellung einer An­ ordnung mit zwei gekoppelten Laserdioden die Montage des Chips auf die dünne Metallfolie überflüssig wird und daß so die Zahl der Verfahrensschritte reduziert wird. The carrier has the advantage that when producing an order with two coupled laser diodes the assembly of the chip on the thin metal foil becomes superfluous and so that the number the process steps are reduced.  

Weitere Ausgestaltungen der Erfindung gehen aus den Unteran­ sprüchen hervor.Further embodiments of the invention can be found in the subordinate sayings.

Ein Ausführungsbeispiel ist in den Fig. 1 bis 4 dargestellt und wird im folgenden näher erläutert.An embodiment is shown in FIGS. 1 to 4 and is explained in more detail below.

Fig. 1 zeigt einen Träger. Fig. 1 shows a carrier.

Fig. 2 bis Fig. 4 stellt den Ablauf des Verfahrens zur Her­ stellung einer Anordnung mit zwei gekoppelten Laserdioden auf dem Träger dar. Fig. 2 to Fig. 4 shows the sequence of the method for the manufacture of an arrangement with two coupled laser diodes on the carrier.

In Fig. 2 wird ein Chip auf den Träger gelegt.In Fig. 2, a chip is placed on the carrier.

Fig. 3 stellt den auf den Träger montierten Chip mit dem Träger dar. Fig. 3 shows the chip mounted on the carrier with the carrier.

Fig. 4 stellt die endgültige Anordnung dar nach dem Brechen des Chips in zwei Laserdioden. Fig. 4 shows the final arrangement after breaking the chip in two laser diodes.

Der Träger 1 enthält zwei Schenkel 2, die unter einem Winkel 13 aufeinander zulaufen. Die Schenkel 2 sind durch ein Verbin­ dungsteil 3 miteinander verbunden. Das Verbindungsteil 3 befindet sich an der Seite des Trägers 1, an der die Schenkel 2 aufeinander stoßen. Das Verbindungsteil 3 trägt eine plane Fläche 4, die senkrecht zur Winkelhalbierenden 14 des Winkels 13, den die Schenkel 2 miteinander einschließen, liegt. Das Ver­ bindungsteil 3 ist in Richtung der Winkelhalbierenden 14 des Winkels 13, den die Schenkel 2 miteinander einschließen, z. B. 50 bis 100 µm dick. Die Schenkel 2 haben in der Richtung, in der sie aufeinander zulaufen, eine Länge von z. B. ungefähr 3 mm. Die Schenkel 2 schließen miteinander einen Winkel 13 von z. B. 5 Grad ein. Der Träger 1 besteht aus Metall. In Anwendungs­ fällen, in denen es auf eine gute Wärmeableitung über den Trä­ ger 1 ankommt, ist es günstig, diesen z. B. aus Kupfer zu ferti­ gen (Fig. 1).The carrier 1 contains two legs 2 , which converge at an angle 13 . The legs 2 are connected by a connec tion part 3 . The connecting part 3 is located on the side of the carrier 1 on which the legs 2 meet. The connecting part 3 carries a flat surface 4 which is perpendicular to the bisector 14 of the angle 13 which the legs 2 enclose with one another. The United connecting part 3 is in the direction of the bisector 14 of the angle 13 which the legs 2 enclose with each other, for. B. 50 to 100 microns thick. The legs 2 have in the direction in which they converge, a length of z. B. about 3 mm. The legs 2 close together an angle 13 of z. B. 5 degrees. The carrier 1 is made of metal. In application cases in which good heat dissipation via the carrier 1 is important, it is advantageous to use this z. B. from copper to ferti gene ( Fig. 1).

In Fig. 2 ist dargestellt, wie ein Chip 5 auf den Träger 1 gelegt wird. Der Chip 5 ist so aufgebaut, daß er durch Brechen entlang einer Ritzspur 6 in zwei Laserdioden geteilt werden kann. Insbesondere trägt der Chip 5 an zwei gegenüberliegenden Flächen Resonatorspiegel 8. Die Ritzspur 6 ist so angebracht, daß der Chip 5 durch Brechen an der Ritzspur 6 entlang einer Kristallfläche gespalten wird, die parallel zu den Resonatorspiegeln 8 liegt. Der Chip 5 wird so auf die plane Fläche 4 des Trägers 1 gelegt, daß der eine Resonatorspiegel 8 mit einer Anschlagkante 7 des Trägers 1 fluchtet. Der Chip 5 wird mit der dem Substrat abgewandten Seite des Schichtauf­ baus auf die plane Fläche 4 des Trägers 1 aufgebracht. Daher ist es wichtig, daß der Resonatorspiegel 8 und die Anschlag­ kante 7 genau fluchten, damit eine Abschattung der durch den Resonatorspiegel 8 austretenden Laserstrahlung durch die Anschlagkante 7 vermieden wird. In dieser Position wird der Chip 5 fest auf den Träger 1 montiert, z. B. durch Anlegieren. (Fig. 3). FIG. 2 shows how a chip 5 is placed on the carrier 1 . The chip 5 is constructed in such a way that it can be divided into two laser diodes by breaking along a scratch track 6 . In particular, the chip 5 carries resonator mirrors 8 on two opposite surfaces. The scratch track 6 is attached in such a way that the chip 5 is split by breaking on the scratch track 6 along a crystal surface which is parallel to the resonator mirrors 8 . The chip 5 is placed on the flat surface 4 of the carrier 1 such that the one resonator mirror 8 is aligned with a stop edge 7 of the carrier 1 . The chip 5 is applied with the side of the layer structure facing away from the substrate onto the flat surface 4 of the carrier 1 . Therefore, it is important that the resonator 8 and the stop edge 7 exactly in alignment so that a shading of the exiting through the resonator 8 Laser radiation is prevented by the abutment edge. 7 In this position, the chip 5 is firmly mounted on the carrier 1 , for. B. by alloying. ( Fig. 3).

In Fig. 4 ist die fertige Anordnung dargestellt. Der Winkel 13 zwischen den Schenkeln 2 wird verkleinert. Dadurch biegt sich die plane Fläche 4 des Trägers 1 entlang einer Biegelinie 9 durch. Der mit der planen Fläche 4 fest verbundene Chip 5 wird entlang der Ritzspur 6 in zwei Laserdioden 11 gebrochen. Die Laserdioden 11 sind durch das Verfahren so zueinander positio­ niert, daß eine gute Kopplung gewährleistet ist. Durch Ver­ ändern des Winkels 13 zwischen den Schenkeln 2 kann der Abstand zwischen den durch das Zerbrechen des Chips 4 neu entstandenen Resonatorspiegeln 12 genau eingestellt werden. Um die Ab­ sorptionsverluste zwischen den einzelnen Laserdioden 11 gering zu halten, sollte der Abstand der neu entstandenen Resonator­ spiegel 12 voneinander nicht größer als ca. 5 µm sein. In diesem Ausführungsbeispiel entspricht dieser Grenzwert einer Verkleinerung des Winkels 13 um ca. 5 Grad. Da die Resonator­ spiegel 8 während des Herstellvorgangs frei zugänglich sind, ist eine optimale Einstellung des Abstands der neu entstandenen Resonatorspiegel 12 durch Optimierung der Eigenschaften der Laserstrahlung möglich.The finished arrangement is shown in FIG . The angle 13 between the legs 2 is reduced. As a result, the flat surface 4 of the carrier 1 bends along a bending line 9 . The chip 5 firmly connected to the flat surface 4 is broken along the scratch track 6 in two laser diodes 11 . The laser diodes 11 are positio ned to each other by the method that a good coupling is ensured. By changing the angle 13 between the legs 2 , the distance between the newly created by breaking the chip 4 resonator mirrors 12 can be adjusted. In order to keep the absorption losses from the individual laser diodes 11 low, the distance between the newly formed resonator mirrors 12 should not be greater than approximately 5 μm. In this exemplary embodiment, this limit value corresponds to a reduction in the angle 13 by approximately 5 degrees. Since the resonator mirrors 8 are freely accessible during the manufacturing process, an optimal adjustment of the distance of the newly created resonator mirrors 12 is possible by optimizing the properties of the laser radiation.

Für das Verfahren ist es günstig, wenn die Dicke des Ver­ bindungsteils 3 in Richtung der Winkelhalbierenden 14 des Winkels 13, der von den beiden Schenkeln 2 gebildet wird, mög­ lichst gering ist. Ferner ist es günstig, wenn die Ritzspur 6 oberhalb der Biegelinie 9 liegt.For the method it is advantageous if the thickness of the connecting part 3 in the direction of the bisector 14 of the angle 13 , which is formed by the two legs 2 , is as small as possible. It is also advantageous if the scratch track 6 lies above the bending line 9 .

Die Schenkel 2 werden in der Sollposition fest miteinander ver­ bunden. Diese Verbindung wird dadurch realisiert, daß der Winkel 13 zwischen den beiden Schenkeln 2 mit einem Bindemittel 10 aufgefüllt wird. Als Bindemittel 10 wird z. B. ein Klebstoff oder Lot verwendet.The legs 2 are firmly connected to each other in the set position. This connection is realized in that the angle 13 between the two legs 2 is filled with a binder 10 . As a binder 10 z. B. uses an adhesive or solder.

Die beiden Laserdioden 11 sind elektrisch getrennt. Durch unterschiedliche Ladungsträgerinjektion kann ihre optische Weg­ länge eingestellt werden.The two laser diodes 11 are electrically separated. Their optical path length can be adjusted by different charge carrier injection.

Die bei der Laserstrahlungserzeugung entstehende Wärme wird über den Träger 1 abgeführt.The heat generated during the generation of laser radiation is dissipated via the carrier 1 .

Claims (10)

1. Träger zur Aufnahme zweier Laserdioden, dadurch ge­ kennzeichnet, daß zwei Schenkel (2) vorgesehen sind, die unter einem Winkel (13) aufeinander zu laufen, daß die Schenkel (2) miteinander durch ein Verbindungsteil (3) ver­ bunden sind und daß auf der den einzelnen Schenkeln (2) abge­ wandten Seite des Verbindungsteils (3) das Verbindungsteil (3) eine plane Fläche (4) senkrecht zur Winkelhalbierenden (14) des Winkels (13), der von den Schenkeln (2) gebildet wird, hat.1. Carrier for receiving two laser diodes, characterized in that two legs ( 2 ) are provided which run towards each other at an angle ( 13 ), that the legs ( 2 ) are connected to one another by a connecting part ( 3 ) and that on the individual legs ( 2 ) facing away from the connecting part ( 3 ) the connecting part ( 3 ) has a flat surface ( 4 ) perpendicular to the bisector ( 14 ) of the angle ( 13 ) formed by the legs ( 2 ) . 2. Träger nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich­ net, daß sich das Verbindungsteil (3) am Scheitel des Winkels (13) befindet, den die Schenkel (2) miteinander bilden.2. Carrier according to claim 1, characterized in that the connecting part ( 3 ) is located at the apex of the angle ( 13 ) which the legs ( 2 ) form together. 3. Träger nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekenn­ zeichnet, daß der Träger (1) aus einem Material mit guter Wärmeleitfähigkeit ist.3. Carrier according to claim 1 or 2, characterized in that the carrier ( 1 ) is made of a material with good thermal conductivity. 4. Träger nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die Schenkel (2) einen Winkel (13) von höchstens 5 Grad bilden.4. Carrier according to one of claims 1 to 3, characterized in that the legs ( 2 ) form an angle ( 13 ) of at most 5 degrees. 5. Träger nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch ge­ kennzeichnet, daß das Verbindungsteil (3) in Richtung der Winkelhalbierenden (14) des Winkels (13), der von den beiden Schenkeln (2) gebildet wird, eine Dicke zwischen 50 und 100 µm hat.5. Carrier according to one of claims 1 to 4, characterized in that the connecting part ( 3 ) in the direction of the bisector ( 14 ) of the angle ( 13 ), which is formed by the two legs ( 2 ), a thickness between 50 and 100 µm. 6. Verfahren zur Herstellung einer Anordnung mit zwei ge­ koppelten Laserdioden auf dem Träger nach einem der Ansprüche 1 bis 5, gekennzeichnet durch folgende Schritte:
  • a) ein Chip (5), der wie eine Laserdiode aufgebaut ist, der an zwei gegenüber liegenden planparallelen Flächen Resonatorspie­ gel (8) hat und der durch Spalten in zwei Laserdioden (11) ge­ teilt werden kann, wird entlang einer Kristallebene, die paral­ lel zu den Flächen der Resonatorspiegel (8) verläuft, mit einer Ritzspur (6) versehen,
  • b) der Chip (5) wird auf die plane Fläche (4) des Verbin­ dungsteils (3) so aufgelegt und ausgerichtet, daß der eine Resonatorspiegel (8) mit einer Anschlagkante (7) der planen Fläche (4) fluchtet, die parallel zu der Linie verläuft, an der die Schenkel (2) aufeinander treffen,
  • c) der Chip (5) wird auf dem Träger (1) in dieser Position befestigt,
  • d) im folgenden Schritt wird der Winkel (13), den die Schenkel (2) des Trägers (1) einschließen, verkleinert, dadurch wird die plane Fläche (4) gekrümmt und der darauf montierte Chip (5) entlang der Ritzspur (6) gebrochen,
  • e) durch Variation des Winkels (13), den die Schenkel (2) des Trägers (1) miteinander einschließen, wird der Sollabstand der beiden Laserdioden (11) eingestellt,
  • f) in dieser Position werden die beiden Schenkel (2) fest miteinander verbunden.
6. A method for producing an arrangement with two coupled laser diodes on the carrier according to one of claims 1 to 5, characterized by the following steps:
  • a) a chip ( 5 ), which is constructed like a laser diode, the resonator mirror ( 8 ) on two opposite plane-parallel surfaces and which can be divided by splitting into two laser diodes ( 11 ) is along a crystal plane, which is parallel lel runs to the surfaces of the resonator mirrors ( 8 ), provided with a scratch mark ( 6 ),
  • b) the chip ( 5 ) is placed on the flat surface ( 4 ) of the connec tion part ( 3 ) and aligned so that the one resonator mirror ( 8 ) with a stop edge ( 7 ) of the flat surface ( 4 ) is aligned, which is parallel to runs along the line where the legs ( 2 ) meet,
  • c) the chip ( 5 ) is attached to the carrier ( 1 ) in this position,
  • d) in the following step, the angle ( 13 ), which the legs ( 2 ) of the carrier ( 1 ) enclose, is reduced, as a result of which the flat surface ( 4 ) is curved and the chip ( 5 ) mounted thereon along the scratch track ( 6 ) Broken,
  • e) by varying the angle ( 13 ) which the legs ( 2 ) of the carrier ( 1 ) enclose with one another, the desired distance between the two laser diodes ( 11 ) is set,
  • f) in this position the two legs ( 2 ) are firmly connected.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekenn­ zeichnet, daß der Chip (5) so angeritzt wird, daß nach dem Befestigen des Chips (5) auf dem Träger (1) die Ritz­ spur (6) oberhalb des Scheitels des Winkels (13), der von den beiden Schenkeln (2) gebildet wird, verläuft.7. The method according to claim 6, characterized in that the chip ( 5 ) is scored so that after fixing the chip ( 5 ) on the carrier ( 1 ), the scratch track ( 6 ) above the apex of the angle ( 13 ) , which is formed by the two legs ( 2 ), runs. 8. Verfahren nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekenn­ zeichnet, daß der Chip (5) auf dem Träger (1) durch Anlegieren befestigt wird.8. The method according to claim 6 or 7, characterized in that the chip ( 5 ) on the carrier ( 1 ) is fixed by alloying. 9. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Schenkel (2) durch eine Klebung miteinander fest verbunden werden.9. The method according to any one of claims 6 to 8, characterized in that the two legs ( 2 ) are firmly connected to each other by an adhesive. 10. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Schenkel (2) durch eine Lötung fest miteinander verbunden werden.10. The method according to any one of claims 6 to 8, characterized in that the two legs ( 2 ) are firmly connected to one another by soldering.
DE19873714812 1987-05-04 1987-05-04 Carrier (support, substrate) for accommodating two laser diodes, and a method for producing an arrangement having two coupled laser diodes on the carrier Withdrawn DE3714812A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19873714812 DE3714812A1 (en) 1987-05-04 1987-05-04 Carrier (support, substrate) for accommodating two laser diodes, and a method for producing an arrangement having two coupled laser diodes on the carrier

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19873714812 DE3714812A1 (en) 1987-05-04 1987-05-04 Carrier (support, substrate) for accommodating two laser diodes, and a method for producing an arrangement having two coupled laser diodes on the carrier

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE3714812A1 true DE3714812A1 (en) 1988-11-17

Family

ID=6326804

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19873714812 Withdrawn DE3714812A1 (en) 1987-05-04 1987-05-04 Carrier (support, substrate) for accommodating two laser diodes, and a method for producing an arrangement having two coupled laser diodes on the carrier

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE3714812A1 (en)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3336867A1 (en) * 1983-10-11 1985-04-25 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Mounting for at least one semiconductor component
GB2165694A (en) * 1984-10-16 1986-04-16 Sony Corp Semiconductor laser devices

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3336867A1 (en) * 1983-10-11 1985-04-25 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Mounting for at least one semiconductor component
GB2165694A (en) * 1984-10-16 1986-04-16 Sony Corp Semiconductor laser devices

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
GB-Z: Elekctronics Letter, Vol.20, Nr.8, 1984, S.350-351 *
US-Z: IEEE J. Quant.Electron., Vol. QE-20,Nr.4, 1984, S.374-384 *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69932105T2 (en) Method of packaging a subcarrier assembly
DE69018956T2 (en) Monolithic laser diode array and process for its manufacture.
DE69221458T2 (en) Kit for a laser diode block
DE69326136T2 (en) Semiconductor laser device
DE3788546T2 (en) Semiconductor laser module.
EP1744415B1 (en) Housing for a diode laser device and diode laser device
DE10065624C2 (en) Coupling arrangement for optically coupling an optical waveguide to an electro-optical or opto-electrical semiconductor converter
EP0766354B1 (en) Laser diode construction element with heat sink
DE69906177T2 (en) Laser diode module
EP1088378B1 (en) Housing arrangement for a laser module
DE69005382T2 (en) Heat dissipation device for components of the type SMD for mounting on circuit boards.
DE19861162A1 (en) Process for producing a printed circuit board and printed circuit board
DE102005033709A1 (en) Light emitting module
DE60120020T2 (en) Module with integrated optical waveguide devices and their manufacturing method
DE2937050C2 (en)
EP0124029A2 (en) Well-coolable modular circuit carrying an electrical component
DE112011103477T5 (en) Semiconductor laser device
EP0214464A1 (en) Casing for an optoelectronic circuit module
DE1514055A1 (en) Cooling device with at least two cooling plates running parallel to one another, especially for injection lasers
EP0766355A1 (en) Method of mounting a semiconductor laser device
DE112021007591T5 (en) Semiconductor laser light source device
WO2024037890A1 (en) Radiation-emitting device and method for producing a radiation-emitting device
EP2220731A1 (en) Semiconductor laser device
DE3714812A1 (en) Carrier (support, substrate) for accommodating two laser diodes, and a method for producing an arrangement having two coupled laser diodes on the carrier
DE19910164C2 (en) Electro-optical module

Legal Events

Date Code Title Description
OM8 Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law
8139 Disposal/non-payment of the annual fee