DE3706866A1 - Distributed feedback semiconductor laser - Google Patents

Distributed feedback semiconductor laser

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Abstract

The invention relates to a distributed feedback (DFB) semiconductor laser, one of whose electrodes consists of a very large number of contact segments. These segments are combined to form at least two groups so that adjacent contact segments can be driven (selected) by different currents. This results in a distributed feedback semiconductor laser which emits essentially single-frequency light and has a stable and wide tuning range.

Description

Die Erfindung betrifft einen DFB-Halbleiterlaser nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.The invention relates to a DFB semiconductor laser according to the Preamble of claim 1.

Die Abkürzung "DFB-Halbleiterlaser", die in der Fachlite­ ratur geläufig ist, steht für den englischen Ausdruck "distributed-feedback-Halbleiterlaser;. Dieser englisch­ sprachige Fachausdruck ist übersetzbar durch den deutschen Begriff "Halbleiterlaser mit verteilter (optischer) Rückkopplung".The abbreviation "DFB semiconductor laser," which is temperature familiar in the art Lite, stands for the English expression "d istributed- f eed b ack semiconductor laser ;. This English-language technical term is translatable by the German term" (optical) semiconductor laser with distributed Feedback ".

Für die optische Nachrichtenübertragung, insbesondere die Nachrichtenübertragung, die mit kohärentem Licht arbeitet, werden in derzeit zunehmendem Umfange Halbleiterlaser benötigt, die einerseits im wesentlichen einwelliges Licht aussenden und bei denen andererseits die Wellenlängen des emittierten Lichts innerhalb eines möglichst großen Be­ reiches, z. B. 20 nm, auf jeden beliebigen Wert abstimmbar ist.For optical communication, especially the Messaging that works with coherent light  semiconductor lasers are becoming increasingly popular needed, on the one hand essentially single-wave light emit and on the other hand the wavelengths of the emitted light within the largest possible Be rich, e.g. B. 20 nm, tunable to any value is.

Aus der Literatur, z. B. Y. Yoshikuni, K. Oe, G. Motosugi und T. Matsuoka, "Broad wavelength-tuning under single mode oscillation with a multi-electrode distributed feed­ back laser", Proc. 10th IEEE International Semiconductor Laser Conference, 14.-17. October 1986, Kanazawa, Japan, ist ein derartiger abstimmbarer DFB-Halbleiterlaser be­ kannt. Dieser DFB-Halbleiterlaser hat in axialer Richtung (Richtung des emittierten Lichts) eine Länge von ungefähr 200 µm für die laseraktive Zone. Der elektrische Stromfluß durch die laseraktive Zone wird erzeugt mit Hilfe eines ganzflächig aufgebrachten metallischen Substratkontaktes sowie zwei metallischen Kontaktsegmenten, die auf der Halbleiterschichtenfolge aufgebracht sind und die senk­ recht zur axialen Richtung galvanisch getrennt sind. Es ergeben sich also zwei Kontaktsegmente, die in axialer Richtung jeweils eine Länge von ungefähr 100 µm besitzen. Diese Kontaktsegmente sind mit zwei unterschiedlichen elektrischen Strömen I 1 und I 2 ansteuerbar. Durch eine Änderung des Verhältnisses I 1/I 2 ist eine Änderung der Verteilung der Dichte der Ladungsträger innerhalb des DFB-Halbleiterlasers möglich. Diese Änderung bewirkt in erwünschter Weise eine Änderung des Brechungsindexes des Halbleitermaterials und damit eine Änderung der Wellen­ länge des emittierten Lichts. Durch eine Änderung des Gesamtstromes Iges = I 1 + I 2 ist eine Änderung der opti­ schen Ausgangsleistung möglich.From the literature, e.g. BY Yoshikuni, K. Oe, G. Motosugi and T. Matsuoka, "Broad wavelength tuning under single mode oscillation with a multi-electrode distributed feed back laser", Proc. 10th IEEE International Semiconductor Laser Conference, 14th-17th October 1986, Kanazawa, Japan, such a tunable DFB semiconductor laser is known. This DFB semiconductor laser has a length of approximately 200 μm in the axial direction (direction of the emitted light) for the laser-active zone. The electrical current flow through the laser-active zone is generated with the aid of a metallic substrate contact applied over the entire surface and two metallic contact segments which are applied to the semiconductor layer sequence and which are galvanically separated perpendicular to the axial direction. This results in two contact segments, each of which has a length of approximately 100 μm in the axial direction. These contact segments can be controlled with two different electrical currents I 1 and I 2 . By changing the ratio I 1 / I 2, it is possible to change the distribution of the density of the charge carriers within the DFB semiconductor laser. This change desirably causes a change in the refractive index of the semiconductor material and thus a change in the wavelength of the emitted light. By changing the total current Iges = I 1 + I 2 , a change in the optical output power is possible.

Ein derartiger DFB-Halbleiterlaser besitzt in nachteiliger Weise relativ lange (ungefähr 100 µm) Kontaktsegmente, so daß zugehörige Einzellaser entstehen, die miteinander verkoppelt sind. Diese Verkopplung führt zu unerwünschten Instabilitäten, z. B. sporadischen Änderungen der Wellen­ länge und/oder Intensität, des emittierten Lichts. Es ist nun naheliegend, die effektive Länge der Einzellaser zu verkürzen. Diese Maßnahme führt zwar in vorteilhafter Weise zu einem großen und stabilen Abstimmbereich der Wellenlänge des emittierten Lichts, aber in nachteiliger Weise zu einem relativ breiten Emissionsspektrum.Such a DFB semiconductor laser has disadvantageous Way relatively long (about 100 microns) contact segments, so that associated individual lasers are created that work together are coupled. This coupling leads to undesirable Instabilities, e.g. B. sporadic changes in the waves length and / or intensity of the emitted light. It is now the effective length of the individual laser is too obvious shorten. This measure leads in an advantageous manner Way to a large and stable tuning range of the Wavelength of the emitted light, but in disadvantageous Way to a relatively broad emission spectrum.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen gattungs­ gemäßen DFB-Halbleiterlaser dahingehend zu verbessern, daß eine möglichst einwellige Lichtaussendung bei einem mög­ lichst großen Abstimmbereich oder (Licht-)Wellenlänge möglich ist.The invention has for its object a genus to improve DFB semiconductor lasers in that one possible single-wave light emission with one possible wide tuning range or (light) wavelength is possible.

Diese Aufgabe wird gelöst durch die im kennzeichnenden Teil des Patentanspruchs 1 angegebenen Merkmale. Vorteil­ hafte Ausgestaltungen und/oder Weiterbildungen sind den Unteransprüchen entnehmbar.This problem is solved by the in the characteristic Part of claim 1 specified features. Advantage sticky refinements and / or further training are the Removable subclaims.

Ein Vorteil der Erfindung besteht darin, daß es möglich ist, beide Lichtaustrittsflächen zu entspiegeln für das emittierte Licht. Ein derartiger DFB-Halbleiterlaser ist z. B. kostengünstig in eine elektro-optische Sendeanordnung einsetzbar, bei welcher das aus der ersten Austrittsfläche emittierte Licht in einen Lichtwellenleiter eingekoppelt wird und das aus der zweiten Austrittsfläche emittierte Licht einem Photodetektor, z. B. einer Photodiode, zuge­ führt wird, dessen elektrisches Ausgangssignal zur Rege­ lung der optischen Ausgangsleistung des DFB-Halbleierla­ sers verwendet wird. Bei einer derartigen Anordnung ent­ fällt vorteilhafterweise ein ansonsten benötigter Strah­ lenteiler, der verlustbehaftet ist sowie zusätzlich un­ wirtschaftliche Justiervorgänge erfordert.An advantage of the invention is that it is possible is to antireflect both light emission surfaces for the emitted light. Such a DFB semiconductor laser e.g. B. inexpensive in an electro-optical transmission arrangement can be used, in which the from the first exit surface emitted light coupled into an optical fiber  and that is emitted from the second exit surface Light a photodetector, e.g. B. a photodiode leads, the electrical output signal to the rain the optical output power of the DFB half-egg coating sers is used. With such an arrangement ent an otherwise required beam advantageously falls divider, which is lossy and additionally un economic adjustment operations required.

Die Erfindung beruht auf der Erkenntnis, daß es zweckmäßig ist, die Anzahl der Kontaktsegmente gegenüber den bisher bekannten Anordnungen deutlich zu erhöhen, derart, daß die axiale Länge LK der einzelnen Kontaktsegmente so kurz wird, daß sich mit der elektrooptischen Verstärkung g ein Produkt g · LK ergibt, das kleiner als eins ist, es gilt also die Formel g · LK < 1. Außerdem muß gleichzeitig die For­ mel k · LK < 1 erfüllt werden, wobei k den optischen Koppel­ koeffizienten des Beugungsgitters bezeichnet. Zur Erfül­ lung dieser Formeln müssen ungefähr fünf Kontaktsegmente vorhanden sein, vorzugsweise sollte jedoch deren Anzahl in einem Wertebereich zwischen zehn und dreißig liegen.The invention is based on the recognition that it is appropriate to increase the number of contact segments significantly compared to previously known arrangements, such that the axial length LK of the individual contact segments is so short that with the electro-optical gain g, a product g · LK results, which is less than one, so the formula g · LK <1 applies. In addition, the formula k · LK <1 must also be fulfilled, where k denotes the optical coupling coefficient of the diffraction grating. To meet these formulas, approximately five contact segments must be present, but their number should preferably be in a range between ten and thirty.

Die Erfindung wird im folgenden anhand eines Ausführungs­ beispiels näher erläutert unter Bezugnahme auf eine sche­ matische Zeichnung.The invention is based on an embodiment exemplified with reference to a cal matic drawing.

Die Figur zeigt ein Halbleitersubstrat 1, z. B. InP oder GaAs, auf dem eine Heterostruktur-Halbleiterschichtenfolge aufgebaut ist, die zumindest die laseraktive Zone 2, die z. B. 2 µm breit und 0,2 µm dick ist, enthält. The figure shows a semiconductor substrate 1 , e.g. B. InP or GaAs, on which a heterostructure semiconductor layer sequence is built, the at least the laser active zone 2 , the z. B. is 2 microns wide and 0.2 microns thick.

Diese ist substratseitig begrenzt durch ein optisches Beugungsgitter 3, das typisch für eine DFB-Halbleiterlaser ist. Die laseraktive Zone 2 ist lateral (senkrecht zur axialen Richtung) begrenzt durch Begrenzungshalbleiterbe­ reiche 4. Diese bewirken eine laterale Begrenzung des elektrischen Stromflusses sowie der lateralen Lichtaus­ breitung. An dem Substrat 1 ist ein ganzflächiger metalli­ scher Kontakt 5 angebracht, durch welchen der durch einen Pfeil dargestellte elektrische Gesamtstrom Iges = I 1 + I 2 fließen kann. Auf der Halbleiterschichtenfolge befinden sich zumindestens im Bereich der oberhalb der laseraktiven Zone 2 beispielsweise acht Kontaktsegmente 6, die in diesem Beispiel zu zwei Gruppen, zu jeweils vier Kontakt­ segmenten zusammengefaßt sind. Zu jeder Gruppe gehört jeweils eine kammartige Elektrodenanordnung 7, 8. Diese kammartigen Elektrodenanordnungen 7, 8 sind derart versetzt gegeneinander angeordnet, daß benachbarte Kontaktsegmente 6 zu verschiedenen Gruppen gehören. Die Elektrodenanord­ nungen 7, 8 bewirken, daß alle Kontaktsegmente einer Gruppe im wesentlichen auf das gleiche elektrische Poten­ tial legbar sind. Die Elektrodenanordnungen 7 bzw. 8 sind über Zuleitungen an elektrische Stromquellen anschließbar, so daß die elektrischen Ströme I 1 bzw. I 2 fließen können. Zweckmäßigerweise sind die Kontaktsegmente 6 in axialer Richtung alle gleich lang (Länge LK) und in der darge­ stellten Weise alternierend miteinander verbunden.This is delimited on the substrate side by an optical diffraction grating 3 , which is typical of a DFB semiconductor laser. The laser-active zone 2 is limited laterally (perpendicular to the axial direction) by boundary semiconductor regions 4 . These cause a lateral limitation of the electrical current flow and the lateral light spread. On the substrate 1 , a full-area metallic contact 5 is attached, through which the total electrical current Iges = I 1 + I 2 shown by an arrow can flow. On the semiconductor layer sequence there are at least in the region of, for example, eight contact segments 6 above the laser-active zone 2 , which in this example are combined into two groups, each with four contact segments. A comb-like electrode arrangement 7, 8 belongs to each group. These comb-like electrode arrangements 7, 8 are arranged offset from one another in such a way that adjacent contact segments 6 belong to different groups. The electrode arrangements 7, 8 have the effect that all the contact segments of a group can essentially be placed on the same electrical potential. The electrode arrangements 7 and 8 can be connected to electrical current sources via feed lines, so that the electrical currents I 1 and I 2 can flow. Advantageously, the contact segments 6 are all of the same length in the axial direction (length LK) and alternately connected in the manner shown Darge.

Die typische Verstärkung g in einem Halbleiterlaser liegt in einem Wertebereich von 50/cm bis 100/cm. Der Koppel­ koeffizient k, aufgrund des optischen Beugungsgitters 3, zwischen hin- und rücklaufender Laserwelle liegt ungefähr im gleichen Wertebereich. Daraus ergibt sich eine vor­ teilhafte Länge LK, die in einem Bereich von 10 µm bis 30 µm liegt. Die Funktionsweise des Lasers ist so zu verstehen, daß durch ein unterschiedliches Verhältnis zwischen den Strömen I 1 und I 2 unter den jeweiligen Kontaktsegmenten eine jeweils unterschiedliche Beeinflussung der Verstär­ kung bzw. der Brechzahl erfolgt. Insgesamt stellt sich unter den Kontaktsegmenten dann eine mittlere Gesamtver­ stärkung und eine mittlere Brechzahl ein, die jetzt durch unterschiedliche Verhältnisse der Ströme I 1 und I 2 weit­ gehend getrennt voneinander einstellbar sind. Die Größe der benötigten Verstärkung ist nur durch die Verluste des Laserresonatos vorgegeben, aber die Brechzahl bestimmt die Emissionswellenlänge des Lasers. Wenn nun durch Variation der Ströme I 1 und I 2 die Brechzahl variiert wird, wird auch die Emissionswellenlänge des Lasers geändert. Der Vorteil der hier beschriebenen Anordnung mit vielen Kon­ taktsegmenten besteht darin, daß auch relativ lange DFB- Laser auf diese Weise realisiert werden können, die dann auch geringe Linienbreiten besitzen, wie sie für die kohärente optische Nachrichtentechnik benötigt werden. Für einen derartigen Laser ist dann eine Gesamtlänge L von mindestens 500 µm vorzusehen, wobei 10 bis ca. 30 Kontakt­ segmente 6 Verwendung finden.The typical gain g in a semiconductor laser is in a range of 50 / cm to 100 / cm. The coupling coefficient k , due to the optical diffraction grating 3 , between the back and forth laser wave is approximately in the same range of values. This results in a length before LK , which is in a range of 10 microns to 30 microns. The mode of operation of the laser is to be understood in such a way that a different influencing of the amplification or refractive index takes place due to a different ratio between the currents I 1 and I 2 under the respective contact segments. Overall, there is a mean total gain and a mean refractive index under the contact segments, which can now be adjusted largely separately from one another by different ratios of the currents I 1 and I 2 . The size of the required amplification is only determined by the loss of the laser resonance, but the refractive index determines the emission wavelength of the laser. If the refractive index is varied by varying the currents I 1 and I 2 , the emission wavelength of the laser is also changed. The advantage of the arrangement described here with many contact segments is that relatively long DFB lasers can also be realized in this way, which then also have small line widths, as are required for the coherent optical communication technology. A total length L of at least 500 μm is then to be provided for such a laser, 10 to approx. 30 contact segments 6 being used.

Es ist bekannt, daß sich bei DFB-Lasern ein stabiler einwelliger Betrieb erreichen läßt, wenn in der Mitte zwischen den Austrittsflächen des Lasers eine π/2-Phasen­ anpassung vorgenommen wird, siehe z. B. S.L. McCall und P.M. Platzman, "An optimized π/2-distributed feedback laser", IEEE J. Quantum Electron., vol QE-21, S.1899-1904, Dezember 1985. Eine derartige Phasenanpassung läßt sich auch auf den hier beschriebenen Laser anwenden, so daß sich ein stabiler einwelliger Betrieb im gesamten Ansteuer­ bereich der Ströme I 1 und I 2 ergibt. Die Kristallendflä­ chen müssen dann jedoch entspiegelt sein in Abhängigkeit von dem Wellenlängenbereich des ausgesandten Lichts.It is known that a stable single-wave operation can be achieved with DFB lasers if a π / 2-phase adjustment is made in the middle between the exit surfaces of the laser, see e.g. BSL McCall and PM Platzman, "An optimized π / 2-distributed feedback laser", IEEE J. Quantum Electron., Vol QE-21, pp. 1899-1904, December 1985. Such a phase adjustment can also be applied to the laser described here apply so that there is stable single-shaft operation in the entire drive range of the currents I 1 and I 2 . However, the crystal end surfaces must then be anti-reflective, depending on the wavelength range of the emitted light.

Bei einer genügend kurzen Kontaktsegmentlänge LK erhält man damit einen stabilen einwelligen Laser, dessen Emis­ sionsfrequenz durch die Ströme I 1 und I 2 abstimmbar ist und der ebenfalls eine kleine Linienbreite z. B. 10-4 nm, aufweist. Auf diese Weise werden die oben beschriebenen Nachteile bekannter abstimmbarer Laserstrukturen vermie­ den. Bei derartigen DFB-Halbleiterlasern ist es zweckmäßig den Gesamtstrom Iges = I 1 + I 2 so zu wählen, daß die zugehörige Stromdichte in der laseraktiven Zone 2 in einem Wertebereich von ungefähr 10 A/mm2 bis ungefähr 40 A/mm2 liegt.With a sufficiently short contact segment length LK you get a stable single-wave laser whose emission frequency can be tuned by the currents I 1 and I 2 and which also has a small line width z. B. 10 -4 nm. In this way, the disadvantages of known tunable laser structures described above are avoided. In such DFB semiconductor lasers, it is expedient to choose the total current Iges = I 1 + I 2 so that the associated current density in the laser-active zone 2 is in a range from approximately 10 A / mm 2 to approximately 40 A / mm 2 .

Die Erfindung ist nicht auf das beschriebene Ausführungs­ beispiel beschränkt, sondern sinngemäß auf weitere anwend­ bar. Beispielsweise ist es möglich die Kontaktsegmente 6 mit Hilfe von elektrischen Verbindungsleitungen, z. B. sogenannten Bonddrähten, die in der Halbleitertechnologie derzeit üblich sind, zu verbinden. Außerdem ist es mög­ lich, die Kontaktsegmente 6 zu mehr als zwei Gruppen zusammenzufassen und jeder Gruppe einen getrennt steuer­ baren elektrischen Strom zuzuführen.The invention is not limited to the described embodiment example, but analogously applicable to other bar. For example, it is possible to use the contact segments 6 with the aid of electrical connecting lines, e.g. B. so-called bond wires, which are currently common in semiconductor technology to connect. In addition, it is possible to combine the contact segments 6 into more than two groups and to supply each group with a separately controllable electrical current.

Claims (10)

1. DFB-Halbleiterlaser, zumindest bestehend aus
  • - einem Substrat, auf dem eine Heterostruktur-Halblei­ terschichtenfolge aufgebracht ist, die zumindest eine optisch lateral begrenzte lichtemittierende Zone sowie ein optisches Beugungsgitter enthält zur Er­ zeugung einer verteilten optischen Rückkopplung
  • - einem metallischen Substratkontakt sowie
  • - einer metallischen Kontaktierung der Halbleiterschich­ tenfolge, wobei die Kontaktierung aus mehreren Kon­ taktsegmenten besteht, die elektrisch unabhängig ansteuerbar sind,
1. DFB semiconductor laser, at least consisting of
  • - A substrate on which a heterostructure semiconductor layer sequence is applied, which contains at least one optically laterally delimited light-emitting zone and an optical diffraction grating for generating a distributed optical feedback
  • - a metallic substrate contact as well
  • a metallic contacting of the semiconductor layer sequence, the contacting consisting of a plurality of contact segments which can be controlled electrically independently,
dadurch gekennzeichnet,
  • - daß die laseraktive Zone (2) in axialer Richtung länger als 200 µm ist,
  • - daß in axialer Richtung mindestens fünf Kontaktseg­ mente (6) vorhanden sind und
  • - daß die Kontaktsegmente (6) elektrisch zu mindestens zwei Gruppen zusammengeschaltet sind derart, daß die Kontaktsegmente (6) jeweils einer Gruppe auf im wesentlichen gleichen elektrischen Potential liegen und daß benachbarte Kontaktsegmente zu verschiedenen Gruppen gehören.
 characterized by
  • - that the laser-active zone ( 2 ) is longer than 200 µm in the axial direction,
  • - That in the axial direction at least five contact segments ( 6 ) are present and
  • - That the contact segments ( 6 ) are electrically connected to at least two groups such that the contact segments ( 6 ) each have a group at substantially the same electrical potential and that adjacent contact segments belong to different groups.
2. DFB-Halbleiterlaser nach Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, daß das mathematische Produkt aus Koppelkoeffi­ zient des Beugungsgitters (3) und axialer Länge (LK) mindestens eines Kontaktsegmentes (6) kleiner als eins ist.2. DFB semiconductor laser according to claim 1, characterized in that the mathematical product of Koppelkoeffi zient the diffraction grating ( 3 ) and axial length (LK) of at least one contact segment ( 6 ) is less than one. 3. DFB-Halbleiterlaser nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß alle Kontaktsegmente (6) im wesentlichen die gleiche axiale Länge (LK) besitzen.3. DFB semiconductor laser according to claim 1 or claim 2, characterized in that all contact segments ( 6 ) have substantially the same axial length (LK) . 4. DFB-Halbleiterlaser nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
  • - daß die Kontaktsegmente (6) zu zwei Gruppen zusammen­ gefaßt sind,
  • - daß die Kontaktsegmente (6) jweils eine Gruppe eine kammförmige Elektrode (7, 8) bilden und
  • - daß benachbarte Kontaktsegmente (6) zu unterschied­ lichen Gruppen gehören.
4. DFB semiconductor laser according to one of the preceding claims, characterized in that
  • - That the contact segments ( 6 ) are combined into two groups,
  • - That the contact segments ( 6 ) each form a group a comb-shaped electrode ( 7, 8 ) and
  • - That adjacent contact segments ( 6 ) belong to different groups.
5. DFB-Halbleiterlaser nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktsegmente (6) eine axiale Länge (LK) besitzen, die in einem Bereich zwischen 10 µm und 30 µm liegt. 5. DFB semiconductor laser according to one of the preceding claims, characterized in that the contact segments ( 6 ) have an axial length (LK) which is in a range between 10 microns and 30 microns. 6. DFB-Halbleiterlaser nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das optische Beu­ gungsgitter (3) derart ausgebildet ist, daß, bezüglich der axialen Gesamtlänge des Beugungsgitters (3), im wesent­ lichen in der Mitte des Beugungsgitters (3), eine optische π/2-Phasenanpassung des ausgesandten Lichts erfolgt.6. DFB semiconductor laser according to one of the preceding claims, characterized in that the optical diffraction grating ( 3 ) is designed such that, with respect to the total axial length of the diffraction grating ( 3 ), in the union union in the middle of the diffraction grating ( 3 ), an optical π / 2 phase adjustment of the emitted light takes place. 7. DFB-Halbleiterlaser nach Anspruch 6, dadurch gekenn­ zeichnet, daß mindestens eine der Lichtaustrittsflächen entspiegelt ist für das zu emittierende Licht.7. DFB semiconductor laser according to claim 6, characterized records that at least one of the light exit surfaces is anti-reflective for the light to be emitted. 8. DFB-Halbleiterlaser nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die laseraktive Zone (2) eine axiale Gesamtlänge besitzt, die größer als 500 µm ist, und daß mindestens zehn Kontaktsegmente (6), vorzugsweise jedoch dreißig Kontaktsegmente, vorhanden sind.8. DFB semiconductor laser according to one of the preceding claims, characterized in that the laser-active zone ( 2 ) has an overall axial length which is greater than 500 microns, and that at least ten contact segments ( 6 ), but preferably thirty contact segments, are present. 9. DFB-Halbleiterlaser nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß bei jedem Kontakt­ segment (6) das mathematische Produkt aus elektrischer Verstärkung und axialer Länge (LK) kleiner als 1 ist.9. DFB semiconductor laser according to one of the preceding claims, characterized in that for each contact segment ( 6 ) the mathematical product of electrical amplification and axial length (LK) is less than 1.
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