DE3641110A1 - Tuning circuit - Google Patents

Tuning circuit

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DE3641110A1 DE19863641110 DE3641110A DE3641110A1 DE 3641110 A1 DE3641110 A1 DE 3641110A1 DE 19863641110 DE19863641110 DE 19863641110 DE 3641110 A DE3641110 A DE 3641110A DE 3641110 A1 DE3641110 A1 DE 3641110A1
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Takeshi Ohkubo
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    • H03J—TUNING RESONANT CIRCUITS; SELECTING RESONANT CIRCUITS
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Abstract

A tuning circuit contains a resonant circuit (13) for selective tuning to a desired signal from the UHF band. The tuning circuit comprises an input connection (11) for receiving UHF-band signals, a first inductance (L1) which is connected with one end to the input connection (11) for receiving the UHF-band signals, a first variable capacitance (D2) which is connected between the other end of the first inductance (L1) and earth and, together with the first inductance (L1), forms a primary resonant circuit of the resonant circuit (13), a second inductance (L2) which is coupled to the first inductance (L1) with a given mutual inductance value (M), a second variable capacitance (D1) which is connected between one end of the second inductance (L2) and earth and, together with the second inductance (L2), forms a secondary resonant circuit of the resonant circuit (13), an output connection (16) which is connected to the resonant circuit (13) and outputs the desired signal, and a voltage source (14) which supplies the first and the second variable capacitance (D2, D1) with a tuning voltage (Vt) which controls the capacitance values of the first and the second variable capacitance (D2, D1). <IMAGE>

Description

Die Erfindung betrifft eine Abstimmschaltung, insbesondere eine Abstimmschaltung für UHF-Band-Fernsehsignale.The invention relates to a tuning circuit, in particular a tuning circuit for UHF band television signals.

Im allgemeinen werden in einer Abstimmschaltung für UHF- Band-Fernsehsignale die von einer Antenne empfangenen UHF- Signale über ein Filter auf einen HF-Verstärker gegeben. Fig. 1 zeigt ein Beispiel für eine herkömmliche Abstimm­ schaltung.In general, in a tuning circuit for UHF band television signals, the UHF signals received by an antenna are passed through a filter to an RF amplifier. Fig. 1 shows an example of a conventional tuning circuit.

Nach Fig. 1 empfängt ein Eingangsanschluß 11 Signale so­ wohl des VHF-Bandes als auch des UHF-Bandes von einer (nicht gezeigten) Antenne. Die VHF-Signale werden über ein Tiefpaßfilter (LPF) 12 einem (nicht dargestellten) VHF-Abstimmteil zugeführt. Das LPF 12 umfaßt hier als fünf­ te und sechste Induktivität L 5, L 6 bezeichnete Induktivi­ täten, die zwischen dem Eingangsanschluß 11 und dem VHF- Abstimmteil in Reihe geschaltet sind, sowie einen Konden­ sator C 9, der zwischen einem Verbindungsknoten der Induk­ tivitäten L 5, L 6 und Masse liegt. Die UHF-Signale werden über ein Hochpaßfilter (HPF) und einen im folgenden noch näher beschriebenen UHF-Band-Resonanzkreis 13 einem Doppel- Gate-MOSFET Q 1 zugeführt. Das HPF besteht aus einem Kon­ densator C 1 mit einer geringen Kapazität zwischen etwa 3 pF und 10 pF. Der Resonanzkreis 13 für die UHF-Band-Fre­ quenz wird gebildet durch eine doppel-abgestimmte Schal­ tung mit einer Gegeninduktivitäts-Kopplung von Induktivi­ täten. Der Primär-Kreis der doppel-abgestimmten Schaltung umfaßt eine Induktivität (Spule) L 1 sowie Kondensatoren C 2, C 3. Der Sekundär-Kreis der doppel-abgestimmten Schal­ tung umfaßt Induktivitäten L 2, L 3, L 4, einen Kondensator C 4 und eine Varaktordiode D 1. Die Spulen L 1 und L 2 sind derart gekoppelt, daß zwischen ihnen eine Gegeninduktivi­ tät M vorliegt. Die Spule L 1 ist mit einem Ende an den Kon­ densator C 1 und mit dem anderen Ende über den Kondensator C 3 an Masse angeschlossen. Die Induktivität L 2 ist mit einem Ende an das erste Gate des Doppel-Gate-MOSFETs Q 1 an­ geschlossen, und zwar über einen Kondensator C 7. Das ande­ re Ende der Induktivität L 2 liegt über die Spule L 3 und die Varaktordiode D 1 in Reihe auf Masse. Die Varaktordiode D 1 ist mit ihrer Kathode an die Spule L 3 und mit ihrer Anode an Masse geschaltet. Die Kathode der Varaktordiode D 1 empfängt außerdem über eine aus einer Spule L 4 und ei­ nem Widerstand R 1 bestehende Serienschaltung eine Abstimm­ spannung Vt. Der Verbindungsknoten zwischen der Spule L 4 und dem Widerstand R 1 ist über dem Kondensator C 4 auf Mas­ se geschaltet.According to Fig. 1, an input terminal 11 receives signals as well of the VHF band and the UHF band from an antenna (not shown). The VHF signals are fed via a low-pass filter (LPF) 12 to a VHF tuning part (not shown). The LPF 12 comprises here as the fifth and sixth inductors L 5 , L 6 designated inductances which are connected in series between the input terminal 11 and the VHF tuning part, and a capacitor C 9 which acts between a connecting node of the inductances L. 5 , L 6 and mass is. The UHF signals are fed to a double-gate MOSFET Q 1 via a high-pass filter (HPF) and a UHF band resonance circuit 13, which is described in more detail below. The HPF consists of a capacitor C 1 with a small capacitance between about 3 pF and 10 pF. The resonant circuit 13 for the UHF band frequency is formed by a double-tuned circuit device with a mutual inductance coupling of inductances. The primary circuit of the double-tuned circuit comprises an inductance (coil) L 1 and capacitors C 2 , C 3 . The secondary circuit of the double-tuned circuit device includes inductors L 2 , L 3 , L 4 , a capacitor C 4 and a varactor diode D 1 . The coils L 1 and L 2 are coupled such that a mutual inductance M is present between them. The coil L 1 is connected at one end to the capacitor C 1 and at the other end via the capacitor C 3 to ground. The inductor L 2 is connected at one end to the first gate of the double-gate MOSFET Q 1 , via a capacitor C 7 . The other end of the inductor L 2 is connected through the coil L 3 and the varactor diode D 1 in series to ground. The varactor diode D 1 is connected with its cathode to the coil L 3 and with its anode to ground. The cathode of the varactor diode D 1 also receives a tuning voltage Vt via a series circuit consisting of a coil L 4 and a resistor R 1 . The connection node between the coil L 4 and the resistor R 1 is connected via the capacitor C 4 to Mas se.

In dem Doppel-Gate-MOSFET Q 1 ist dessen zweites Gate über einen Kondensator C 6 auf Masse gelegt und über den Wider­ stand R 2 mit einem Anschluß 15 verbunden, über den es ein AGC-Signal (AGC = automatische Verstärkungsregelung) emp­ fängt. Der Source-Anschluß des Feldeffekttransistors Q 1 ist über einen Kondensator C 8 auf Masse geschaltet. Der Drain-Anschluß des Feldeffekttransistors Q 1 ist an einen Ausgangsanschluß 16 gekoppelt, der die verstärkten UHF- Signale abgibt.In the double-gate MOSFET Q 1 , its second gate is connected to ground via a capacitor C 6 and connected to a terminal 15 via the resistor R 2 , through which it receives an AGC signal (AGC = automatic gain control). The source connection of the field effect transistor Q 1 is connected to ground via a capacitor C 8 . The drain terminal of the field effect transistor Q 1 is coupled to an output terminal 16 , which outputs the amplified UHF signals.

Bei der in Fig. 1 dargestellten herkömmlichen Abstimmschal­ tung existiert eine verteilte Kapazität C 10 zwischen den Induktivitäten L 1 und L 2. Der UHF-Band-Resonanzkreis 13 läßt sich darstellen in Form des in Fig. 2 dargestellten Ersatzschaltbildes. Nach dem Ersatzschaltbild bilden die verteilte Kapazität C 10 und die Gegeninduktivität M einen Parallel-Resonanzkreis zwischen den Spulen L 1 und L 2.In the conventional tuning circuit shown in FIG. 1, there is a distributed capacitance C 10 between the inductors L 1 and L 2 . The UHF band resonance circuit 13 can be represented in the form of the equivalent circuit diagram shown in FIG. 2. According to the equivalent circuit diagram, the distributed capacitance C 10 and the mutual inductance M form a parallel resonance circuit between the coils L 1 and L 2 .

Fig. 3 zeigt das Durchlaßverhalten des UHF-Band-Resonanz­ kreises 13 für UHF-Signale. Die Durchlaßkennlinie für die UHF-Signale ändert sich nach Maßgabe der Abstimmspannung Vt. Die durchgezogene Linie Lo entspricht dem Durchlaßver­ halten des Resonanzkreises für den Fall, daß die Abstimm­ spannung Vt einen vorbestimmten niedrigen Wert Vt (L) hat. Das durch eine gestrichelte Linie Hi dargestellte Verhal­ ten gilt für den Fall, daß die Abstimmspannung Vt einen vorbestimmten hohen Wert Vt (H) hat. Der Verlauf der Linie Lo besitzt bei der Frequenz von etwa 500 MHz eine Spitze P 1 und bei den Frequenzen von etwa 420 MHz und 750 MHz ein Tal. Andererseits besitzt der Kennlinienverlauf Hi eine Spitze P 2 bei der Frequenz von etwa 750 MHz, und er besitzt Täler T 3, T 4 bei Frequenzen um etwa 550 MHz und 900 MHz. Die Frequenzen für die Spitzen und die Täler der Durchlaßkennlinie nehmen nach und nach zu, wenn die Ab­ stimmspannung Vt ansteigt. Das heißt: die Frequenzen bei T 1, P 1, T 2 bewegen sich zu den Frequenzen T 3, P 2, T 4 gemäß Fig. 3. Fig. 3 shows the transmission behavior of the UHF band resonance circuit 13 for UHF signals. The pass characteristic for the UHF signals changes in accordance with the tuning voltage Vt. The solid line Lo corresponds to the Durchlaßver hold the resonant circuit in the event that the tuning voltage Vt has a predetermined low value Vt (L) . The behavior represented by a dashed line Hi applies in the event that the tuning voltage Vt has a predetermined high value Vt (H) . The course of the line Lo has a peak P 1 at the frequency of approximately 500 MHz and a valley at the frequencies of approximately 420 MHz and 750 MHz. On the other hand, the characteristic curve Hi has a peak P 2 at the frequency of approximately 750 MHz and it has valleys T 3 , T 4 at frequencies around approximately 550 MHz and 900 MHz. The frequencies for the peaks and valleys of the forward characteristic curve gradually increase as the tuning voltage Vt rises. That means: the frequencies at T 1 , P 1 , T 2 move to the frequencies T 3 , P 2 , T 4 according to FIG. 3.

In der oben beschriebenen Schaltung werden die Tal-Frequen­ zen in den unteren Bereichen T 1, T 3 durch die Induktivität L 4, den Kondensator C 4 und den Kapazitätswert der Varak­ tordiode D 1 bei den jeweiligen Abstimmspannungen festge­ legt. Die Tal-Frequenzen der höher gelegenen Täler T 2, T 4 werden bestimmt durch die Gegeninduktivität M, die Induk­ tivität L 1 und den Kondensator C 3. Dabei variiert die Gegeninduktivität M in Abhängigkeit von der Abstimmspan­ nung Vt. Demzufolge wird die Selektivität des Signaldurch­ laßverhaltens des UHF-Band-Resonanzkreises von der Ab­ stimmspannung Vt beeinflußt. Beispielsweise verläuft die Linie Lo des Signaldurchlaßverhaltens bei niedriger Ab­ stimmspannung Vt (L) zwischen der Spitze P 1 und dem oberen Tal T 2 relativ flach. Außerdem ist auch der Signalverlauf Hi bei der hohen Abstimmspannung Vt (H) zwischen der un­ teren Tal-Position T 3 und der Spitze P 2 relativ flach.In the circuit described above, the valley frequencies in the lower regions T 1 , T 3 are determined by the inductance L 4 , the capacitor C 4 and the capacitance value of the varactor diode D 1 at the respective tuning voltages. The valley frequencies of the higher valleys T 2 , T 4 are determined by the mutual inductance M , the inductance L 1 and the capacitor C 3 . The mutual inductance M varies depending on the tuning voltage Vt. As a result, the selectivity of the signal through the behavior of the UHF band resonance circuit is influenced by the tuning voltage Vt. For example, the line Lo of the signal transmission behavior at low tuning voltage Vt (L) between the peak P 1 and the upper valley T 2 runs relatively flat. In addition, the waveform Hi at the high tuning voltage Vt (H) between the lower valley position T 3 and the peak P 2 is relatively flat.

Bekanntlich soll die Selektivität eines Resonanzkreises so ausgeprägt wie möglich sein. Die herkömmliche Abstimm­ schaltung ist aber insoweit unzureichend hinsichtlich der Selektivität, als sie das oben näher erläuterte Signal­ durchlaßverhalten aufweist. Die herkömmliche Abstimmschal­ tung vermag daher nicht in ausreichendem Maße die gewünsch­ ten Signale durchzulassen und die anderen Signale zu sper­ ren.As is known, the selectivity of a resonance circuit be as pronounced as possible. The conventional vote In this respect, the circuit is insufficient with regard to the  Selectivity than the signal explained in more detail above has transmission behavior. The conventional tuning scarf tion is therefore not sufficiently able to achieve the desired pass signals and block the other signals ren.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Abstimm­ schaltung mit ausgeprägter und scharfer Selektivität im Signaldurchlaßverhalten zu schaffen. Die Selektivität soll nicht durch die Abstimmspannung, welche die Resonanzfre­ quenz des Resonanzkreises festlegt, beeinflußt werden.The invention has for its object a vote circuit with pronounced and sharp selectivity in the To create signal transmission behavior. The selectivity should not by the tuning voltage, which the resonance fre sets the resonance circuit, be influenced.

Diese Aufgabe wird durch die im Anspruch 1 angegebene Er­ findung gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.This task is by the He specified in claim 1 finding solved. Advantageous developments of the invention are specified in the subclaims.

Im folgenden wird ein Ausführungsbeispiel der Erfindung an­ hand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigen:The following is an embodiment of the invention hand of the drawing explained in more detail. Show it:

Fig. 1 eine Schaltungsskizze einer herkömmlichen UHF-Abstimmschaltung, Fig. 1 is a circuit diagram of a conventional UHF tuning circuit,

Fig. 2 ein Ersatzschaltbild des in Fig. 1 gezeig­ ten UHF-Band-Resonanzkreises 13, Fig. 2 is an equivalent circuit diagram of the gezeig in Fig. 1 th UHF-band resonant circuit 13,

Fig. 3 eine graphische Darstellung des UHF-Signal­ durchlaßverhaltens des Resonanzkreises 13 nach Fig. 1, Fig. 3 is a graphical representation of the UHF signal durchlaßverhaltens of the resonant circuit 13 of FIG. 1,

Fig. 4 eine Schaltungsskizze einer Ausführungsform einer erfindungsgemäßen UHF-Abstimmschal­ tung, und Fig. 4 is a circuit diagram of an embodiment of a UHF tuning circuit according to the invention, and

Fig. 5 eine graphische Darstellung des UHF-Signal­ durchlaßverhaltens des Resonanzkreises 13 nach Fig. 4. Fig. 5 is a graphical representation of the UHF signal durchlaßverhaltens of the resonant circuit 13 in FIG. 4.

In den Fig. 4 und 5 sind gleiche und ähnliche Teile wie in den Fig. 1 bis 3 mit gleichen bzw. ähnlichen Bezugs­ zeichen versehen.In Figs. 4 and 5, the same and similar parts are given the signs in Figs. 1 to 3 with equal or similar reference like.

Nach Fig. 4, die eine Ausführungsform der erfindungsgemä­ ßen UHF-Abstimmschaltung zeigt, empfängt ein Eingangsan­ schluß 11 sowohl VHF-Band- als auch UHF-Band-Signale von einer (nicht gezeigten) Antenne. Die VHF-Signale werden über ein Tiefpaßfilter (TPF) 12 einem VHF-Abstimmteil zu­ geführt. Das TPF 12 besteht aus Spulen L 5, L 6, die in Se­ rie zwischen dem Eingangsanschluß 11 und dem VHF-Abstimm­ teil liegen, sowie einem Kondensator C 9, der zwischen ei­ nem Verbindungsknoten der Spulen L 5 und L 6 einerseits und Masse andererseits liegt. Die UHF-Signale werden über ein Hochpaßfilter (HPF) sowie einen UHF-Band-Resonanzkreis 13, der im folgenden näher erläutert wird, einem Doppel-Gate- MOSFET Q 1 zugeführt. Der HPF besteht aus einem Kondensator C 1 mit kleiner Kapazität zwischen etwa 3 pF und 10 pF. Der UHF-Band-Resonanzkreis 13 besteht aus einer doppel-abge­ stimmten Schaltung mit einer Gegeninduktivitäts-Kopplung von Spulen. Der Primär-Kreis der doppel-abgestimmten Schal­ tung besteht aus einer Induktivität L 1, einem Kondensator C 2 und einer Varaktordiode D 2. Der Sekundär-Kreis der Schaltung besteht aus Spulen L 2, L 3, L 4, einem Kondensator C 4 und einer Varaktordiode D 1. Die Spulen L 1 und L 2 sind miteinander so gekoppelt, daß zwischen ihnen eine Gegen­ induktivität M herrscht. Die Spule L 2 ist mit ihrem einen Ende an den Kondensator C 1 und mit ihrem anderen Ende über die Varaktordiode D 2 auf Masse geschaltet. Die Varaktor­ diode D 2 ist mit ihrer Kathode über einen Widerstand R 3 zum Empfangen einer Abstimmspannung Vt an einen Spannungsver­ sorgungsanschluß 17 geschaltet. Die Spule L 2 ist mit ihrem einen Ende über einen Kondensator C 7 an das erste Gate des Doppel-Gate-MOSFETs Q 1 angeschlossen, mit ihrem anderen Ende über die aus der Spule L 3 und der Varaktordiode D 1 bestehende Serienschaltung an Masse. Die Varaktordiode D 1 ist mit ihrer Kathode an die Spule L 3 und mit ihrer Anode an Masse angeschlossen. Die Kathode der Varaktordiode D 1 ist außerdem zum Empfangen der Abstimmspannung Vt über die Spule L 4 und den dazu in Reihe geschalteten Widerstand R 1 an einen Spannungszuführanschluß 14 angeschlossen. Der Verbindungsknoten zwischen der Spule L 4 und dem Widerstand R 1 liegt über den Kondensator C 4 auf Masse.According to Fig. 4, the SEN according to the invention of the UHF tuning circuit showing an embodiment of a circuit 11 receives Eingangsan both VHF band and UHF band signals from a (not shown) antenna. The VHF signals are fed to a VHF tuning section via a low-pass filter (TPF) 12 . The TPF 12 consists of coils L 5 , L 6 , which are in series between the input terminal 11 and the VHF tuning part, and a capacitor C 9 , on the one hand, and the ground between a connecting node of the coils L 5 and L 6 lies. The UHF signals are fed via a high-pass filter (HPF) and a UHF band resonance circuit 13 , which will be explained in more detail below, to a double-gate MOSFET Q 1 . The HPF consists of a capacitor C 1 with a small capacitance between approximately 3 pF and 10 pF. The UHF band resonant circuit 13 consists of a double-tuned circuit with a mutual inductance coupling of coils. The primary circuit of the double-tuned circuit device consists of an inductor L 1 , a capacitor C 2 and a varactor diode D 2 . The secondary circuit of the circuit consists of coils L 2 , L 3 , L 4 , a capacitor C 4 and a varactor diode D 1 . The coils L 1 and L 2 are coupled to each other so that there is a counter inductance M between them. The coil L 2 is connected at one end to the capacitor C 1 and at the other end via the varactor diode D 2 to ground. The varactor diode D 2 is connected with its cathode via a resistor R 3 for receiving a tuning voltage Vt to a voltage supply connection 17 . The coil L 2 is connected at its one end via a capacitor C 7 to the first gate of the double-gate MOSFET Q 1 , at its other end via the series circuit consisting of the coil L 3 and the varactor diode D 1 to ground. The varactor diode D 1 is connected with its cathode to the coil L 3 and with its anode to ground. The cathode of the varactor diode D 1 is also connected to a voltage supply connection 14 for receiving the tuning voltage Vt via the coil L 4 and the resistor R 1 connected in series therewith. The connection node between the coil L 4 and the resistor R 1 is connected to ground via the capacitor C 4 .

In dem Doppel-Gate-MOSFET Q 1 ist das zweite Gate über einen Kondensator C 6 auf Masse und über einen Widerstand R 2 an einen Anschluß 15 angeschlossen, über den ein AGC-Signal (Signal für automatische Verstärkungsregelung) empfangen wird. Der Source-Anschluß des FET Q 1 ist über einen Konden­ sator C 8 auf Masse gelegt. Der Drain-Anschluß des FET Q 1 ist an einen Ausgangsanschluß 16 gelegt, an welchen die verstärkten UHF-Signale ausgegeben werden.In the double-gate MOSFET Q 1 , the second gate is connected to ground via a capacitor C 6 and to a terminal 15 via a resistor R 2 , via which an AGC signal (signal for automatic gain control) is received. The source connection of the FET Q 1 is connected to ground via a capacitor C 8 . The drain terminal of the FET Q 1 is connected to an output terminal 16 , to which the amplified UHF signals are output.

Bei der in Fig. 4 gezeigten Ausführungsform der UHF-Ab­ stimmschaltung existiert zwischen den Induktivitäten L 1 und L 2 eine verteilte Kapazität C 10. Demgemäß sind die In­ duktivitäten L 1, L 2 miteinander über einen Parallelreso­ nanzkreis gekoppelt, der gebildet wird durch die Gegenin­ duktivität M und die verteilte Kapazität C 10. Außerdem wird durch die Induktivität L 4, den Kondensator C 4 und die Va­ raktordiode D 1 ein im niedrigen Frequenzbereich gelegenes Tal der Kennlinie erzeugt. Das höher gelegene Tal wird ge­ bildet durch die Induktivität L 1, die Varaktordiode D 2 und die Gegeninduktivität M. Die Kapazitätswerte der Va­ raktordioden D 1, D 2 ändern sich nach Maßgabe der Abstimm­ spannung Vt. Folglich ändert sich auch die Gegeninduktivi­ tät M in Abhängigkeit der Abstimmspannung Vt.In the embodiment of the UHF tuning circuit shown in FIG. 4, a distributed capacitance C 10 exists between the inductors L 1 and L 2 . Accordingly, the inductivities L 1 , L 2 are coupled to one another via a parallel resonance circuit which is formed by the counter-inductance M and the distributed capacitance C 1 0. In addition, the inductor L 4 , the capacitor C 4 and the Va raktordiode D 1 generates a valley of the characteristic curve located in the low frequency range. The higher valley is formed by the inductance L 1 , the varactor diode D 2 and the mutual inductance M. The capacitance values of the Va raktordioden D 1 , D 2 change according to the tuning voltage Vt. Consequently, the mutual inductance M also changes as a function of the tuning voltage Vt.

Fig. 5 zeigt das UHF-Signaldurchlaßverhalten des Resonanz­ kreises 13 nach Fig. 4. Die ausgezogene Linie Lo zeigt das Durchlaßverhalten für den Fall, daß die Abstimmspannung Vt einen vorbestimmten niedrigen Wert Vt (L) hat. Die ge­ strichelte Linie Hi zeigt das Durchlaßverhalten für den Fall, daß die Abstimmspannung einen vorbestimmten hohen Wert Vt (H) hat. Der Verlauf der Linie Lo besitzt eine Spitze P 1 bei einer Frequenz von etwa 500 MHz sowie Täler T 1, T 2 bei Frequenzen von etwa 400 MHz bzw. 600 MHz. Ande­ rerseits besitzt der Verlauf Hi eine Spitze P 2 bei einer Frequenz von etwa 750 MHz sowie Täler T 3, T 4 bei Frequen­ zen von etwa 700 MHz bzw. 860 MHz. Fig. 5 shows the UHF signal transmission behavior of the resonant circuit 13 of FIG. 4. The solid line Lo shows the transmission behavior in the event that the tuning voltage Vt has a predetermined low value Vt (L) . The dashed line Hi shows the forward behavior in the event that the tuning voltage has a predetermined high value Vt (H) . The course of the line Lo has a peak P 1 at a frequency of approximately 500 MHz and valleys T 1 , T 2 at frequencies of approximately 400 MHz and 600 MHz. On the other hand, the course Hi has a peak P 2 at a frequency of approximately 750 MHz and valleys T 3 , T 4 at frequencies of approximately 700 MHz and 860 MHz.

Auch hier steigen die Spitzen- und die Talfrequenzen der Durchlaßkennlinien nach und nach an, wenn die Abstimmspan­ nung Vt zunimmt. Die Spitze P 1 und die Täler T 1, T 2 bewe­ gen sich zur Spitze P 2 bzw. zu den Tälern T 3, T 4. Aller­ dings bewegen sich hier die Spitze und die Täler unter Bei­ behaltung einer äußerst stabilen gegenseitigen Frequenz­ beziehung, wie Fig. 5 zeigt. Außerdem zeigt die graphische Darstellung, daß bei jedem Wert der Abstimmspannung Vt ein sehr scharfer Kennlinienverlauf gegeben ist.Here, too, the peak and valley frequencies of the transmission characteristics gradually increase as the tuning voltage Vt increases. The peak P 1 and the valleys T 1 , T 2 move to the peak P 2 and the valleys T 3 , T 4 . However, the top and the valleys move here while maintaining an extremely stable mutual frequency relationship, as shown in FIG. 5. The graph also shows that there is a very sharp characteristic curve for each value of the tuning voltage Vt.

Daraus folgt, daß bei der erfindungsgemäßen UHF-Abstimm­ schaltung eine ausreichende Selektivität vorhanden ist, um unerwünschte Signale ausreichend stark zu sperren.It follows that in the UHF tuning according to the invention sufficient selectivity is available, to block unwanted signals sufficiently strong.

Claims (6)

1. Abstimmschaltung mit einem Resonanzkreis (13), der zur selektiven Abstimmung auf ein gewünschtes Signal aus dem UHF-Band dient, umfassend
einen Eingangsanschluß (11), der UHF-Band-Signale empfängt,
eine erste Induktivität (L 1), die mit ihrem einen Ende an den Eingangsanschluß (11) angeschlossen ist, um die UHF- Band-Signale zu empfangen,
eine Kapazität (D 2), die zwischen das andere Ende der er­ sten Induktivität (L 1) und Masse gelegt ist sowie zusammen mit der ersten Induktivität (L 1) einen Primär-Resonanzkreis des Resonanzkreises (13) bildet,
eine zweite Induktivität (L 2), die mit einem gegebenen Ge­ geninduktivitätswert (M) an die erste Induktivität (L 1) ge­ koppelt ist,
eine erste veränderliche Kapazität (D 1), die zwischen das eine Ende der zweiten Induktivität (L 2) und Masse geschal­ tet ist sowie zusammen mit der zweiten Induktivität (L 2) einen Sekundär-Resonanzkreis des Resonanzkreises (13) bil­ det,
einen Ausgangsanschluß (16), der an den Resonanzkreis (13) angeschlossen ist, um das gewünschte Signal abzugeben, und
eine Spannungsquelle (14), die die erste veränderliche Ka­ pazität (D 1) mit einer Abstimmspannung (Vt) versorgt, wel­ che den Kapazitätswert der ersten veränderlichen Kapazität (D 1) bestimmt, dadurch gekennzeichnet, daß die Kapazität des Primär-Resonanzkreises gebildet wird durch eine zweite veränderliche Kapazität (D 2), und daß die Spannungsquelle (14) die zweite veränderliche Kapazi­ tät (D 2) mit der Abstimmspannung (Vt) versorgt.1. tuning circuit with a resonant circuit ( 13 ), which is used for selective tuning to a desired signal from the UHF band, comprising
an input terminal ( 11 ) which receives UHF band signals,
a first inductor ( L 1 ) which has one end connected to the input terminal ( 11 ) in order to receive the UHF band signals,
a capacitance ( D 2 ) which is placed between the other end of the most inductor (L 1 ) and ground and, together with the first inductor ( L 1 ), forms a primary resonant circuit of the resonant circuit ( 13 ),
a second inductance ( L 2 ) which is coupled to the first inductance ( L 1 ) with a given gene inductance value (M) ,
a first variable capacitance ( D 1 ) which is switched between the one end of the second inductor ( L 2 ) and ground and together with the second inductor ( L 2 ) forms a secondary resonant circuit of the resonant circuit ( 13 ),
an output terminal ( 16 ) which is connected to the resonant circuit ( 13 ) in order to emit the desired signal, and
a voltage source ( 14 ) which supplies the first variable capacitance ( D 1 ) with a tuning voltage (Vt) which determines the capacitance value of the first variable capacitance ( D 1 ), characterized in that the capacitance of the primary resonant circuit is formed by a second variable capacitance ( D 2 ), and that the voltage source ( 14 ) supplies the second variable capacitance ( D 2 ) with the tuning voltage (Vt). 2. Abstimmschaltung nach Anspruch 1, bei der die verän­ derlichen Kapazitäten Varaktordioden (D 1, D 2) sind.2. Tuning circuit according to claim 1, in which the changeable capacitances are varactor diodes ( D 1 , D 2 ). 3. Abstimmschaltung nach Anspruch 2, gekenn­ zeichnet durch:
eine Verstärkereinrichtung (Q 1) zum Verstärken des von dem Resonanzkreis (13) kommenden gewünschten Signals,
einen ersten Kondensator (C 3), der zwischen den Resonanz­ kreis (13) und die Verstärkereinrichtung (Q 1) geschaltet ist,
eine dritte Induktivität (L 3), die zwischen die zweite In­ duktivität (L 2) und die erste Varaktordiode (D 1) geschal­ tet ist,
eine vierte Induktivität (L 4), die mit ihrem einen Ende an die erste Varaktordiode (D 1) und mit ihrem anderen Ende an die Spannungsquelle (14) angeschlossen ist, und
einen zweiten Kondensator (C 4), der zwischen das andere Ende der vierten Induktivität (L 4) und Masse geschaltet ist.3. tuning circuit according to claim 2, characterized by:
an amplifier device ( Q 1 ) for amplifying the desired signal coming from the resonance circuit ( 13 ),
a first capacitor ( C 3 ), which is connected between the resonant circuit ( 13 ) and the amplifier device ( Q 1 ),
a third inductance ( L 3 ) which is switched between the second inductance ( L 2 ) and the first varactor diode ( D 1 ),
a fourth inductor ( L 4 ) which is connected at one end to the first varactor diode ( D 1 ) and at the other end to the voltage source ( 14 ), and
a second capacitor ( C 4 ) connected between the other end of the fourth inductor ( L 4 ) and ground. 4. Abstimmschaltung nach Anspruch 3, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die Verstärkereinrichtung ein Feldeffekttransistor (Q 1) ist.4. Tuning circuit according to claim 3, characterized in that the amplifier device is a field effect transistor ( Q 1 ). 5. Abstimmschaltung nach Anspruch 4, dadurch ge­ kennzeichnet, daß der Feldeffekttransistor ein Doppel-Gate-MOSFET (Q 1) ist.5. Tuning circuit according to claim 4, characterized in that the field effect transistor is a double gate MOSFET ( Q 1 ). 6. Abstimmschaltung nach Anspruch 5, dadurch ge­ kennzeichnet, daß der Doppel-Gate-MOSFET (Q 1) ein erstes und ein zweites Gate, den Source-Anschluß und den Drain-Anschluß besitzt, daß das erste Gate an den er­ sten Kondensator (C 7) angeschlossen ist, daß das zweite Gate über einen Widerstand (R 2) an einen AGC-Signal-Ein­ gangsanschluß (15) und über einen dritten Kondensator (C 6) an Masse geschaltet ist, daß der Source-Anschluß über einen vierten Kondensator (C 8) an Masse gelegt ist, und daß der Drain-Anschluß mit dem Ausgangsanschluß (16) verbunden ist.6. Tuning circuit according to claim 5, characterized in that the double gate MOSFET ( Q 1 ) has a first and a second gate, the source connection and the drain connection, that the first gate to the most capacitor ( C 7 ) is connected that the second gate is connected via a resistor ( R 2 ) to an AGC signal input connection ( 15 ) and via a third capacitor ( C 6 ) to ground, that the source connection via a fourth Capacitor ( C 8 ) is connected to ground, and that the drain connection is connected to the output connection ( 16 ).
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