DE3612695A1

DE3612695A1 - Semiconductor laser diode having a qualitatively improved resonator mirror surface

Info

Publication number: DE3612695A1
Application number: DE19863612695
Authority: DE
Inventors: Heinz Dipl Ing Westermeier
Original assignee: Siemens AG
Current assignee: Siemens AG
Priority date: 1986-04-15
Filing date: 1986-04-15
Publication date: 1987-10-22

Abstract

A semiconductor laser diode having a mirrored reflective resonator end surface (6, 61), whose flatness is improved, of the laser-active zone (5) as a result of expansion (35, 112, 214) of the laser structure (4, 12, 204), which is in the form of stripes. <IMAGE>

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf Halbleiter- Laserdioden nach dem Oberbegriff des Patentanspruches 1.The present invention relates to semiconductor Laser diodes according to the preamble of patent claim 1.

Aus dem Stand der Technik sind Halbleiter-Laserdioden be kannt. Im wesentlichen bestehen sie aus einem Halbleiter körper mit zwei oder ggf. mehr Elektroden bzw. Anschlüssen für die Stromzuführung zum Zweck der Verstärkung und/oder Erzeugung von Laserstrahlung. Wie dies für Laser bekannt ist, verläuft die verstärkte bzw. erzeugte Laser strahlung in einem optischen Resonator. Der optische Re sonator ist durch einander gegenüberliegende Endflächen bestimmt, die ein mehr oder weniger großes spiegelndes Reflexionsvermögen haben. Bei einer Halbleiter-Laser diode liegt dieser optische Resonator in dem Halbleiter körper der Diode und es sind entsprechende, den optischen Resonator begrenzende Endflächen am oder im Halbleiter körper erzeugt bzw. vorhanden. Ein häufiger Fall ist der, daß eine Stirnfläche oder zwei einander gegenüberliegende Stirnflächen des Halbleiterkörpers als eine bzw. als die beiden spiegelnd reflektierenden Endflächen des Resonators benutzt werden. Wegen des sehr hohen Brechungsindex- Sprunges von Halbleitermaterial gegenüber Luft hat eine solche Stirnfläche des Halbleiterkörpers bereits relativ hohes Reflexionsvermögen. Nicht selten werden aber auch zusätzliche Verspiegelungen auf einer derartigen Stirn fläche des Halbleiterkörpers vorgesehen, z.B. Mehrschich ten-, dielektrische Spiegel bzw. metallische Spiegel flächen, die gegenüber dem Material des Halbleiterkörpers (durch eine isolierende Schicht) elektrisch isoliert auf gebracht sind.Semiconductor laser diodes are known from the prior art knows. They essentially consist of a semiconductor body with two or possibly more electrodes or connections for power supply for the purpose of reinforcement and / or generation of laser radiation. Like this for lasers is known, the amplified or generated laser runs radiation in an optical resonator. The optical re sonator is by opposite end faces determined which is a more or less large specular Have reflectivity. With a semiconductor laser diode, this optical resonator lies in the semiconductor body of the diode and there are corresponding, the optical End faces limiting the resonator on or in the semiconductor body generated or present. A common case is that one end face or two facing each other End faces of the semiconductor body as one or as the two specularly reflecting end faces of the resonator to be used. Because of the very high refractive index There is a jump in semiconductor material from air such end face of the semiconductor body already relatively high reflectivity. But not infrequently too additional mirroring on such a forehead surface of the semiconductor body is provided, e.g. Multi-layer ten-, dielectric mirrors or metallic mirrors areas that face the material of the semiconductor body (through an insulating layer) electrically insulated are brought.

Seit mindestens mehr als einem Jahrzehnt ist es üblich, in der voranstehend beschriebenen Weise zu verfahren bzw. derartige Laserdioden herzustellen. Es wurden Typen solcher Laserdioden entwickelt, die als Oxidstreifen- Laser (US-PS 41 21 179), als MCRW-Laser (US-PS 43 52 187 bzw. "Frequenz" Bd. 34 (1980), S. 343-346) als burried hetero-Laser (DE-OS 34 35 307) und dgl. bekannt sind. Gemeinsam ist diesen Halbleiter-Laserdioden, daß für eine jeweilige Laserdiode der Strom von der einen Elektrode her begrenzt auf den Bereich eines schmalen, länglichen Streifens in die eigentliche laseraktive Zone des Halb leiterkörpers injiziert wird. Dieser längliche Streifen ergibt sich für einen Oxidstreifen-Laser aufgrund einer streifenförmigen Aussparung in der elektrisch isolierenden Schicht, die sich unter der betreffenden Elektrode des Halbleiterkörpers befindet. Für den MCRW-Laser ergibt sich diese Form aus der Streifenform des Laser-Steges des Halbleiterkörpers, wobei außerhalb des Bereichs dieses Lasersteges bekanntermaßen, z.B. durch Schottky-Kontakt, hochohmiger Übergang zwischen der betreffenden Elektrode und dem Halbleiterkörper vorliegt. Diese Einzelheiten sind hinlänglich bekannt und bedürfen keiner noch weiteren Erläuterung.For at least a decade, it has been common to proceed in the manner described above or to produce such laser diodes. There were guys developed such laser diodes as oxide strip Laser (US-PS 41 21 179), as MCRW laser (US-PS 43 52 187 or "Frequency" Vol. 34 (1980), pp. 343-346) as burried hetero-laser (DE-OS 34 35 307) and the like are known. Common to these semiconductor laser diodes is that for a each laser diode the current from one electrode limited to the area of a narrow, elongated Strip into the actual laser active zone of the half conductor body is injected. This elongated streak results for an oxide stripe laser due to a strip-shaped recess in the electrically insulating Layer that is under the relevant electrode of the Semiconductor body is located. For the MCRW laser this results this shape from the strip shape of the laser web of Semiconductor body, being outside the range of this Laser web is known to e.g. through Schottky contact, high-resistance transition between the relevant electrode and the semiconductor body is present. These details are well known and do not need any more Explanation.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, trotz des bereits erreichten hohen Entwicklungsstandes weitere Ver besserungen an derartigen Laserdioden zu erzielen.The object of the present invention is, despite the further development already achieved To achieve improvements on such laser diodes.

Diese Aufgabe wird für eine Halbleiter-Laserdiode mit den Merkmalen des Patentanspruches 1 gelöst und weitere Aus gestaltungen und Weiterbildungen gehen aus den Unteran sprüchen hervor. This task is for a semiconductor laser diode with the Features of claim 1 solved and more Designs and further training go from the Unteran sayings.

Der vorliegenden Erfindung liegt die Feststellung zugrunde, daß geometrische Störungen im spiegelnden Ver halten von spiegelnd reflektierenden Halbleiterflächen auftreten, die entweder selbst als spiegelnder Reflektor für den optischen Resonator benutzt werden oder die die materialmäßige Grundlage für einen solchen Spiegel bilden. Es konnte herausgefunden werden, daß solche Flächen des Halbleiterkörpers insbesondere bei Oxidstreifen-Laser dioden und MCRW-Laserdioden Profilungleichförmigkeiten haben, die zwar kaum zu erkennen sind, jedoch erhebliche Störungen verursachen.The present invention is based on the finding based on the fact that geometric disturbances in the reflective ver keep from specularly reflecting semiconductor surfaces occur either as a specular reflector be used for the optical resonator or die Form the material basis for such a mirror. It was found that such areas of the Semiconductor body in particular with oxide stripe lasers Diodes and MCRW laser diodes profile irregularities have, which are hardly recognizable, but considerable Cause interference.

Es ist bekannt, daß solche als Spiegelflächen der Laser dioden verwendeten Flächen eines Halbleiterkörpers durch Spaltbruch, durch Naßätzen, durch Trockenätzen, insbeson dere Ionenätzen, und dgl. hergestellt werden. Bei diesen Herstellungsverfahren wird das anisotrope Verhalten des Halbleiterkörpers gegenüber Brechkräften und/oder Ätz angriff dazu ausgenutzt, der Kristallperfektion des Halb leiterkörpers entsprechend qualitativ hochwertige Flächen größter Ebenheit zu erzeugen.It is known that such as mirror surfaces of the laser Diodes used surfaces of a semiconductor body Gap fracture, by wet etching, by dry etching, in particular whose ion etching, and the like. Are produced. With these Manufacturing process becomes the anisotropic behavior of the semiconductor body against refractive powers and / or etching attack exploited the crystal perfection of the half conductor body corresponding to high quality surfaces to produce the greatest flatness.

Es wurde aber festgestellt, daß diese erwartete Ebenheit doch nicht vorliegt, sondern daß eine derartige Fläche des Halbleiterkörpers Unebenheiten aufweist. Diese sind nach weislich auf das Zusammentreffen verschiedener Materialien (insbesondere beim Oxidstreifenlaser) und/oder eine solche Struktur (insbesondere beim MCRW bzw. bei der mushroom (Pilz-)Laserdiode bzw. beim Mesastreifen-Laser) zurückzu führen, die eine jedoch andere Oberfläche des Halbleiter körpers aufweist. Dabei handelt es sich um die, im wesent lichen senkrecht zur gewünschten Spiegeloberfläche des Halb leiterkörpers angrenzende Oberfläche des Halbleiterkör pers, nämlich um diejenige Oberfläche auf der sich die eine Elektrode befindet. So konnte eine Störungen verur sachende Formabweichung in der Ebenheit der Spiegelfläche bei einem Oxidstreifen-Laser in den Bereichen des Materialübergangs vom Oxid zum Halbleiter festgestellt werden. Entsprechendes wurde beim MCRW-Laser für die Bereiche der Seitenflanken des Wellenführungssteges, der z.B. eine Höhe von 1,5 µm hat, festgestellt. Bei den bekannten Halbleiterlasern durchschneidet die erwähnte spiegelnd reflektierende, für den optischen Resonator als Spiegel genutzte Halbleiterfläche auch diese Bereiche der Strompfad-Maskierung eines Oxidstreifen-Lasers, BH-Lasers bzw. des Wellenführungssteges eines MCRW-Lasers.However, it was found that this expected flatness but does not exist, but that such an area of the Semiconductor body has bumps. These are after indicates the meeting of different materials (especially with the oxide stripe laser) and / or such Structure (especially at the MCRW or at the mushroom (Mushroom) laser diode or mesa stripe laser) back lead to a different surface of the semiconductor has body. These are, in essence Lichen perpendicular to the desired mirror surface of the half conductor body adjacent surface of the semiconductor body pers, namely the surface on which the there is an electrode. This could cause interference relevant form deviation in the flatness of the mirror surface with an oxide stripe laser in the areas of Material transition from oxide to semiconductor determined will. The same was done with the MCRW laser for the Areas of the side flanks of the shaft guide web, the e.g. has a height of 1.5 µm. Both known semiconductor lasers cut through the mentioned specularly reflective, for the optical resonator as Semiconductor surface also uses these areas of the mirror Current path masking of an oxide stripe laser, BH laser or the wave guide web of an MCRW laser.

Auf der Basis dieser Erkenntnisse liegt die Erfindung in dem Prinzip, in (jeweils) demjenigen Bereich, in dem der Bereich des optischen Resonators und der Bereich der vorge sehenen spiegelnd reflektierenden Fläche des Halbleiter körpers zusammenfallen bzw. sich überdecken, die (von der betreffenden Elektrode bedeckte) Oberfläche des Halb leiterkörpers von derartigen Inhomogenitäten und Strukturen freizuhalten, so daß die für die Laserstrah lung genutzte Zone der spiegelnden Reflektorfläche des Halbleiterkörpers keine solche Inhomogenitäten bzw. Struk turen am Halbleiterkörper umfaßt bzw. berührt. Erfindungs gemäß ist vorgesehen, derartige Materialinhomogenität und Formstruktur auf bzw. in der betreffenden Oberfläche der Laserdiode schon in ca. 5 bis 10 µm Abstand von der die Laserstrahlung reflektierenden Zone der (senkrecht zu dieser Oberfläche orientierten) spiegelnd reflektierenden Fläche (Bruchfläche oder Ätzfläche) entfernt zu halten. In dieser Laserstrahlung reflektierenden Zone sind dann keine wie zuvor festgestellte Unebenheiten mehr vorliegend. Die Form der Resonatorendbereiche ist damit erfindungsge mäß so gestaltet, daß die Material- und/oder Geometrie- Inhomogenitäten des bzw. am Halbleiterkörper nicht bis in den Bereich dieser Zone hineinwirken, so daß die Herstellung der dort als Spiegel dienenden Flächen, z.B. durch Bruch und/oder Ätzen, tatsächlich zu Spiegeln führt, die frei von derartigen störenden Unebenheiten sind.The invention is based on these findings the principle, in (each) the area in which the Area of the optical resonator and the area of the pre see specularly reflecting surface of the semiconductor body collapse or overlap each other (from the relevant electrode covered) surface of the half conductor body of such inhomogeneities and Keep structures free, so that for the laser beam used zone of the reflecting surface of the reflector Semiconductor body no such inhomogeneities or structure covered or touched structures on the semiconductor body. Invention according to, such material inhomogeneity is provided and shape structure on or in the surface in question the laser diode at a distance of approx. 5 to 10 µm from the the zone reflecting the laser radiation (perpendicular to this surface oriented) specularly reflective Keep surface (fractured or etched surface) away. Then in this laser radiation reflecting zone there are no more bumps as previously determined. The shape of the resonator end regions is thus fiction designed in such a way that the material and / or geometry Inhomogeneities of or on the semiconductor body not up to affect the area of this zone so that the manufacture the surfaces serving as mirrors, e.g. breakthrough and / or etching, actually leading to mirrors that are free of such annoying bumps.

Weitere Erläuterungen der Erfindung gehen aus der nach folgenden Beschreibung zu den Figuren hervor.Further explanations of the invention follow from the following description of the figures.

Die Fig. 1 zeigt eine bekannte Ausführungsform eines Oxidstreifen-Lasers. Fig. 1 shows a known embodiment of an oxide strip laser.

Die Fig. 2 zeigt eine bekannte Ausführungsform eines MCRW-Lasers mit dem markanten Lasersteg. Fig. 2 shows a known embodiment of a MCRW laser with the striking laser ridge.

Fig. 3 zeigt eine Ausführungsform des Prinzips der Erfindung an einer Laserdiode des Typs der Fig. 1. FIG. 3 shows an embodiment of the principle of the invention on a laser diode of the type of FIG. 1.

Fig. 4 zeigt eine Ausführungsform des Prinzips der Erfindung an einer Laserdiode des Typs der Fig. 2. FIG. 4 shows an embodiment of the principle of the invention on a laser diode of the type of FIG. 2.

Fig. 5 zeigt eine Ausführungsform des Prinzips der Erfindung an einer Laserdiode des Typs einer B.H.- Laserdiode. Fig. 5 shows an embodiment of the principle of the invention on a laser diode of the type BH laser diode.

Fig. 6 zeigt eine Ausführung der Erfindung zu einer Spiegelfläche, die in die Oberfläche des Halbleiterkörpers eingefügt ist. Fig. 6 shows an embodiment of the invention to a mirror surface, which is inserted into the surface of the semiconductor body.

Fig. 7 zeigt Hinweise auf die Herstellung jeweils einer Vielzahl erfindungsgemäß ausgeführter Laserdioden. Fig. 7 shows evidence of the production of each of a plurality according to the invention executed laser diodes.

In den Fig. 1 und 2 ist mit 1 bzw. 11 der Halbleiter körper einer bekannten Laserdiode bezeichnet. Der Halb leiterkörper 11 weist gegenüber dem Körper 1 den für eine MCRW-Laserdiode markanten Steg 12 auf. Mit 2 ₁ und 2 ₂ sind die beiden Anteile der Oxidschicht des bekannten Oxid streifen-Lasers bezeichnet. Zwischen diesen beiden Anteilen liegt der von der Oxidschicht freie Spalt, in dem die ansonsten oberhalb der Oxidschicht 2 ₁, 2 ₂ befindliche Elektrodenschicht 3 mit entsprechender Einsenkung 4 direkt mit gutem ohm′schen Kontakt auf dem Material des Halblei terkörpers 1 aufliegt. Parallel diesem Spaltbereich 4 erstreckt sich im Halbleiterkörper der Laserdiodenstreifen. Mit 5 ist die sich im Halbleiterkörper ergebende laser aktive Zone bezeichnet, in der Laserstrahlung auftritt und von der in den Figuren nur die jeweilige Austrittszone in der Stirnfläche 6 des Halbleiterkörpers 1, 11 dargestellt ist.In Figs. 1 and 2 is designated a body of a known laser diode 1 and 11 of the semiconductors. The semi-conductor body 11 has, compared to the body 1, the web 12 which is striking for an MCRW laser diode. With 2 ₁ and 2 ₂ , the two portions of the oxide layer of the known oxide stripe laser are designated. Between these two portions of the oxide layer of the free gap, in which the otherwise rests above the oxide layer 2 _1, 2 ₂ electrode layer located 3 with a corresponding recess 4 directly with good ohmic contact to the material of the semiconducting terkörpers 1. The laser diode strip extends parallel to this gap region 4 in the semiconductor body. 5 denotes the laser-active zone resulting in the semiconductor body, in which laser radiation occurs and of which only the respective exit zone in the end face 6 of the semiconductor body 1 , 11 is shown in the figures.

Die Elektrode 13 der Ausführungsform nach Fig. 2 er streckt sich auf der Oberfläche des Halbleiterkörpers 11 und insbesondere über dessen Steg 12 hinweg. Im wesent lichen beschränkt auf den Bereich der Dachfläche des Steges 12 liegt niederohmiger Kontakt zwischen der Elektrode 13 und dem Material des Halbleiterkörpers 11 vor, so daß sich wieder eine Streifenform (gegeben durch die Form des Steges 12) ergibt, die zu der laseraktiven Zone 5 führt.The electrode 13 of the embodiment according to FIG. 2 extends on the surface of the semiconductor body 11 and in particular over its web 12 . In wesent union limited to the area of the roof surface of the web 12 is low-resistance contact between the electrode 13 and the material of the semiconductor body 11 , so that there is again a strip shape (given by the shape of the web 12 ), which leads to the laser-active zone 5th leads.

Im Zusammenhang mit der Erfindung wurde festgestellt, daß die mit der Erfindung zu behebenden Störungen ausgehen von der jeweiligen gemeinsamen Kante zwischen dem Streifenbe reich 4 auf dem Halbleiterkörper 1 und dem Oxidschichtan teil 2 ₁ bzw. 2 ₂. Für die Ausführungsform nach Fig. 2 sind dies die Kanten, in denen der Steg 12 in den übrigen Halb leiterkörper 11 übergeht.In connection with the invention it has been found that the out with the invention, be eliminated the noise from the respective common edge between the rich Streifenbe 4 on the semiconductor body 1 and the part 2 Oxidschichtan ₁ or 2. ₂ For the embodiment according to FIG. 2, these are the edges in which the web 12 merges into the remaining semiconductor body 11 .

Mit 6 sind die Stirnflächen des Halbleiterkörpers 1, 11 bezeichnet, die spiegelnd reflektierend wirksam sind und die jeweilige Spiegelfläche des optischen Resonators der Laserdiode bilden. The end faces of the semiconductor body 1 , 11 are designated by 6 , which have a specularly reflective effect and form the respective mirror surface of the optical resonator of the laser diode.

Fig. 3 zeigt wieder den Halbleiterkörper 1 der Laserdiode des Typs eines Oxidstreifen-Lasers. Mit 32 ₁ und 32 ₂ sind die beiden Anteile der Oxidschicht 32 bezeichnet, die den Anteilen 2 ₁ und 2 ₂ der Fig. 1 entsprechen. Die der Elek trode 3 entsprechende Elektrode der Laserdiode nach Fig. 3 ist mit 33 bezeichnet. Aus der Figur ersichtlich ist, daß in dem Bereich 35 der streifenförmige Spalt 4 zwischen den Anteilen 32 ₁ und 32 ₂ im Bereich bzw. nahe der Stirn fläche 6 des Halbleiterkörpers 1 aufgeweitet ist. Statt einer solchen rechteckig geformten Aufweitung kann eine solche Aufweitung auch zur reflektierenden Stirnfläche 6 hin zunehmend (strich-punktiert dargestellt) aufgeweitet sein. Auf jeden Fall ergibt sich bei einer erfindungsge mäßen Ausführungsform nach Fig. 3 eine mit einer Breite a bemessene Zone, die frei von mit der Erfindung behobenen Störungen ist, die sich auf die Ebenheit der als spiegeln de Reflektorfläche benutzten Stirnfläche 6 des Halbleiter körpers 1 auswirken könnte. Die in die laseraktive Zone 5 in den Halbleiterkörper 1 zurückreflektierte Laserstrah lung ist frei von solchen Reflexions-Störungen. Mit d ist die in Richtung des streifenförmigen Spaltes 4 gemessene Tiefe d dieser Aufweitung 35 bezeichnet. FIG. 3 again shows the semiconductor body 1 of the laser diode of the type of an oxide strip laser. 32 ₁ and 32 ₂ denote the two portions of the oxide layer 32 which correspond to the portions 2 ₁ and 2 ₂ of FIG. 1. The electrode 3 corresponding to the electrode of the laser diode according to FIG. 3 is designated by 33 . From the figure it can be seen that in the area 35 of the strip-shaped gap 4 between the portions 32 ₁ and 32 ₂ in the area or near the end face 6 of the semiconductor body 1 is expanded. Instead of such a rectangularly shaped widening, such a widening can also be increasingly widened towards the reflecting end face 6 (shown in dash-dotted lines). In any case, in an embodiment according to the invention according to FIG. 3 there is a zone dimensioned with a width a which is free from interferences fixed with the invention and which have an effect on the flatness of the end face 6 of the semiconductor body 1 used as a reflecting de reflector surface could. The laser radiation reflected back into the laser-active zone 5 in the semiconductor body 1 is free of such reflection disturbances. D denotes the depth d of this widening 35 , measured in the direction of the strip-shaped gap 4 .

Fig. 4 zeigt eine Ausführungsform der Erfindung an einer MCRW-Laserdiode. Wie aus der Figur ersichtlich, ist der Steg 12 im Bereich 112 bzw. nahe der Stirnfläche 6 des Halb leiterkörpers 11 ebenfalls auf das Maß a erweitert, wo bei auch hier diese Erweiterung nicht notwendigerweise in der dargestellten rechteckigen Form (sondern auch wie strichpunktiert angedeutet) ausgeführt sein kann. Auch bei der Ausführungsform nach Fig. 4 ist die spiegelnd reflek tierende Stirnfläche 6 des Halbleiterkörpers 11 wenigstens im Bereich der laseraktiven Zone 5 eben und die Rück reflexion der Laserstrahlung frei von den mit der Erfin dung behobenen Störungen. Mit 44 ist die Elektrode be zeichnet. Fig. 4 shows an embodiment of the invention at a MCRW laser diode. As can be seen from the figure, the web 12 in the region 112 or near the end face 6 of the semiconductor body 11 is likewise widened to the dimension a , where here too this widening is not necessarily in the rectangular shape shown (but also as indicated by dash-dotted lines) can be executed. Also in the embodiment according to FIG. 4, the specular reflectors animal end face 6 of the semiconductor body 11 at least in the region of the laser-active region 5 flat and the back reflection of the laser radiation free from the manure with the OF INVENTION resolved disorders. With 44 the electrode is marked.

Fig. 5 zeigt (zu einem Anteil) eine Ausführungsform mit einer B.H.-Laserdiode z.B. nach der DE-OS 34 35 307 (84 P1 779). Mit 151 sind die nachträglichen seitlichen Auf wachsungen bezeichnet, zwischen denen sich der eigentliche laseraktive Bereich 251 mit der üblichen Doppelhetero struktur befindet. Der unterhalb der abdeckenden Elektrode 54 sich in Längsrichtung der Diode erstreckende Verlauf dieses laseraktiven Bereiches ist mit gestrichelten Linien (da verdeckt) angegeben. Wesentlich ist wiederum die im Bereich der Stirnfläche 6 gegenüber dem Streifen 204 vorliegende laterale Erweiterung 214, die vergleichbar ist mit den Bereichen 35 und 112. Fig. 5 shows (in part) an embodiment with a BH laser diode, for example according to DE-OS 34 35 307 (84 P1 779). 151 denotes the subsequent lateral growths, between which the actual laser-active region 251 with the usual double heterostructure is located. The course of this laser-active region, which extends below the covering electrode 54 in the longitudinal direction of the diode, is indicated by dashed lines (since it is hidden). The lateral widening 214 present in the area of the end face 6 with respect to the strip 204 is again essential, which is comparable to the areas 35 and 112 .

Aus der EU-OS 01 49 042 (84 P 1017) sind Laseranordnungen mit gekoppelten Laserdioden bekannt. Einzelne solcher Laserdioden haben, wie in dieser Druckschrift beschrieben und in deren Figuren dargestellt, spiegeld reflektierende Flächen, die (anstelle einer Außenfläche des Halbleiter körpers) in die Oberfläche des Halbleiterkörpers einge fügt sind. Es sind dazu dort in die Oberfläche des Halb leiterkörpers Gruben eingebracht, die eine ebene Spiegel fläche für den jeweiligen Laserresonator haben. Solche Gruben sind z.B. durch Ätzen hergestellt.Laser arrangements are from EU-OS 01 49 042 (84 P 1017) known with coupled laser diodes. Individual ones Laser diodes have, as described in this document and shown in their figures, specularly reflective Areas that (instead of an outer surface of the semiconductor body) into the surface of the semiconductor body adds. It is there in the surface of the half ladder body pits that have a flat mirror have space for the respective laser resonator. Such Pits are e.g. made by etching.

Auch derartige in den Halbleiterkörper eingefügte, spiegelnd reflektierende Flächen können wie oben erörterte Störungen infolge von Inhomogenitäten und Strukturen der Oberfläche des Halbleiterkörpers haben, die mit der Erfindung (wie zu den anderen Ausführungsformen beschrieben) vorteilhaft eliminiert werden.Even those that are inserted into the semiconductor body, reflecting reflective surfaces can interfere as discussed above due to surface inhomogeneities and structures of the semiconductor body, which with the invention (how to described the other embodiments) advantageous be eliminated.

Fig. 6 zeigt einen Ausschnitt eines Halbleiterkörpers mit einer spiegelnd reflektierenden Fläche 61, die sich in dem Halbleitermaterial (in einer Grube 62 desselben) befindet. Die übrigen Einzelheiten entsprechen bei dem Beispiel der Fig. 6 den Einzelheiten der Fig. 4, und zwar insbesonde re hinsichtlich der Aufweitung 112. Das Prinzip der Aus führungsform der Fig. 6 kann aber auch bei Laserdioden des Prinzips der Fig. 2 und 5 (dann mit den entspre chenden Aufweitungen 35 bzw. 214) realisiert sein. Parallel zu dem Steg 12 b verläuft ein weiterer Steg 12 b. Der Steg 12 a gehört zu der einen und der Steg 12 b zu der anderen der beiden miteinander wellenoptisch verkoppelten Laser dioden. Bezüglich dieser Verkopplung bzw. der Anordnung miteinander verkoppelter Laserdioden sei im übrigen auf die schon genannte EU-OS 01 49 042 hingewiesen. FIG. 6 shows a section of a semiconductor body with a specularly reflecting surface 61 which is located in the semiconductor material (in a pit 62 of the same). The remaining details in the example of FIG. 6 correspond to the details of FIG. 4, in particular with regard to the expansion 112 . The principle of the embodiment of FIG. 6 can also be realized with laser diodes of the principle of FIGS. 2 and 5 (then with the corresponding widenings 35 and 214, respectively). B parallel to the web 12 extends a further web 12 b. The web 12 a belongs to one and the web 12 b to the other of the two wave-optically coupled laser diodes. With regard to this coupling or the arrangement of laser diodes coupled to one another, reference is made to the aforementioned EU-OS 01 49 042.

Fig. 7 zeigt lediglich als Schema Hinweise auf das Her stellungsverfahren einer Vielzahl von Laserdioden D ₁, D ₂, D ₃ . . . , die aus einem Wafer 70 z.B. durch Zerbrechen des Wafers hergestellt sind und die eine jede wenigstens eine nach der vorliegenden Erfindung ausgeführte spiegelnde Reflektorfläche haben. Das Brechen des Wafers führt zu prinzipiell sehr ebenen Flächen des jeweiligen Halblei terkörpers, nämlich zu solchen Flächen, wie sie zu den vorangehenden Figuren mit 6 bezeichnet sind. Fig. 7 shows only a schematic of the manufacturing process of a plurality of laser diodes D ₁ , D ₂ , D ₃ . . . that are made from a wafer 70, for example by breaking the wafer, and each have at least one specular reflector surface made in accordance with the present invention. The breaking of the wafer leads in principle to very flat surfaces of the respective semiconductor body, namely to such surfaces as are designated by 6 in the preceding figures.

Die Bereiche 71 sind so ausgeführt, wie dies in jeweils einer der Fig. 3 bis 5 dargestellt ist. Aus diesem Grunde sind gemäß der Erfindung die entlang den Bruch linien 72 entstandenen Bruchflächen 6 der Halbleiterkör per im Bereich der jeweiligen laseraktiven Zone 5 (siehe hierzu die Fig. 3 bis 5) frei von Störungen, die durch die Erfindung eliminiert sind.The areas 71 are designed as shown in each of FIGS. 3 to 5. For this reason, according to the invention, the fracture surfaces 6 of the semiconductor bodies formed along the fracture lines 72 in the region of the respective laser-active zone 5 (see FIGS. 3 to 5 in this regard) are free of disturbances which are eliminated by the invention.

Claims

1. Semiconductor laser diode with a semiconductor body with electrodes and with at least one stripe-shaped structure (oxide stripe structure, laser bridge structure, Burried hetero (BH) structure and the like.) Through which a stripe-shaped optical resonator or a stripe-shaped laser-active zone are determined in the semiconductor body, such an optical resonator being provided with at least one specularly reflecting surface, characterized in that the strip-shaped structure ( 4 , 12 , 204 ) in the region of the laser-active zone ( 5 ) and the specularly reflecting surface ( 6 , 61 ) has an expansion ( 35 , 112 , 214 ).

2. Laser diode according to claim 1, characterized in that the width of this expansion ( 35 , 112 , 214 ) in the plane of the specularly reflecting surface ( 6 , 61 ) is 5 to 10 µm and the depth d of this expansion in the direction the strip-like structure ( 4 , 12 , 204 ) is 5 to 10 µm.

3. Laser diode according to claim 1 or 2, characterized in that this widening ( 35 , 112 , 214 ) is rectangular.

4. Laser diode according to claim 1 or 2, characterized in that this widening ( 35 , 112 , 214 ) to the specularly reflecting surface ( 6 , 61 ) increasingly widened (dash-dotted line).

5. Laser diode according to one of claims 1 to 4, characterized in that the specularly reflecting surface ( 61 ) is a portion of a pit ( 62 ) located in the semiconductor surface ( Fig. 6).

6. Laser diode of the type of an oxide strip laser ( Fig. 1, Fig. 3) according to one of claims 1 to 5, characterized in that the widening ( 35 ) a corresponding broadening of the gap-forming structure ( 4 ) between the oxide strips ( 32nd ₁ , 32 ₂ ).

7. Laser diode of the type of an MCRW laser diode ( Fig. 2, 4) according to any one of claims 1 to 5, characterized in that the widening ( 112 ) is a corresponding widening of the laser web ( 12 ) forming the strip-like structure.

8. Laser diode of the type of a BH laser ( Fig. 5) according to one of claims 1 to 5, characterized in that the widening is a corresponding broadening of the stripe structure ( 204 ) compared to the lateral growths ( 151 ) ( Fig. 5) .