DE3606691A1 - Materials for multispectral camouflage in the visual, IR and micro/millimetre-wave range - Google Patents
Materials for multispectral camouflage in the visual, IR and micro/millimetre-wave rangeInfo
- Publication number
- DE3606691A1 DE3606691A1 DE19863606691 DE3606691A DE3606691A1 DE 3606691 A1 DE3606691 A1 DE 3606691A1 DE 19863606691 DE19863606691 DE 19863606691 DE 3606691 A DE3606691 A DE 3606691A DE 3606691 A1 DE3606691 A1 DE 3606691A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- camouflage
- materials according
- semiconducting
- range
- camouflage materials
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D5/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, characterised by their physical nature or the effects produced; Filling pastes
- C09D5/30—Camouflage paints
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C30/00—Coating with metallic material characterised only by the composition of the metallic material, i.e. not characterised by the coating process
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Aiming, Guidance, Guns With A Light Source, Armor, Camouflage, And Targets (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
Description
Die Erfindung bezieht sich auf Tarnmaterialien, z. B. in der Form von Oberflächenbeschichtungen, Matten, Platten, Anstrichstoffen usw. Neben konstruktiven Maßnahmen stellt der Einsatz solcher Tarnmaterialien eine wichtige Methode zur Tarnung militärischer Objekte dar. Diese Tarnmaterialien haben die Aufgabe, die sogenannte Signatur des Objektes möglichst weitgehend an den Hintergrund anzugleichen, um damit die Aufklärbarkeit des Objektes zu vermindern.The invention relates to camouflage materials, e.g. B. in the form of surface coatings, Mats, sheets, paints, etc. In addition to constructive The use of such camouflage materials represents an important measure Method of camouflaging military objects. These camouflage materials have the task of making the so-called signature of the object as extensive as possible to align with the background, so that the clarity of the Diminish object.
Im visuellen Bereich muß das Tarnmaterial dazu geeignete Farben und Farbhelligkeiten besitzen. Außerdem darf der Glanzgrad nur sehr geringe Werte annehmen. Diese Forderungen werden z. B. von verschiedenen, in der Bundesrepublik seit einigen Jahren verfügbaren Anstrichstoffen weitgehend erfüllt.In the visual area, the camouflage material must have suitable colors and color brightness have. In addition, the degree of gloss may only have very low values accept. These demands are e.g. B. of various, in the Federal Republic Paints that have been available for some years have largely been met.
Im thermischen Infrarotbereich (auch IR- oder Wärmebildbereich genannt) besteht die Aufgabe des Tarnmaterials darin, die Strahlungstemperatur des Objektes an die des Hintergrundes anzugleichen. Für militärische Anwendungen sind vor allem die "atmosphärischen Fenster" 3-5 µm und 8-14 µm von Bedeutung. I. a. sind militärische Objekte wärmer als ihr Hintergrund, so daß also das Tarnmaterial die Strahlungstemperatur vermindern muß. Dies läßt sich dadurch erreichen, daß das Emissionsvermögen ε des Tarnmaterials reduziert wird. Hierzu ist das Reflexionsvermögen ρ des Tarnmaterials zu steigern, wie der Zusammenhang ε + ρ = 1 (für nicht transparente Schichten) zeigt. In bewährter Weise läßt sich dies z. B. durch Beimischung geeigneter Metallpartikel (z. B. Aluminiumteilchen), die als lokale IR-Strahlungsspiegel fungieren, in einen Träger, wie z. B. Lacke, Kunstharze usw. erreichen (OS DE 31 18 256 A 1). Diese Tarnmaterialien können bei geeigneter Einfärbung auch zur Tarnung im visuellen Bereich dienen; bei höherer Konzentration der Metallpartikel besteht jedoch die Gefahr, daß der Glanzgrad ansteigt und die Farbe "vergraut". Die eingelagerten Metallpartikel bewirken im HF-Bereich ein Reflexionsvermögen des Tarnmaterials, das mit steigender Partikelkonzentration und Frequenz ansteigt und es für Tarnzwecke in diesem Spektralbereich unbrauchbar macht. In the thermal infrared range (also called IR or thermal imaging range) the task of the camouflage material is to adjust the radiation temperature of the object to that of the background. The "atmospheric windows" 3-5 µm and 8-14 µm are of particular importance for military applications. I. a. military objects are warmer than their background, so that the camouflage material must reduce the radiation temperature. This can be achieved by reducing the emissivity ε of the camouflage material. For this purpose, the reflectivity ρ of the camouflage material must be increased, as the relationship ε + ρ = 1 (for non-transparent layers) shows. In a proven manner, this can be done, for. B. by admixing suitable metal particles (z. B. aluminum particles), which act as local IR radiation mirror, in a carrier, such as. B. paints, synthetic resins, etc. (OS DE 31 18 256 A 1). With suitable coloring, these camouflage materials can also be used for camouflage in the visual area; at higher concentrations of the metal particles, however, there is a risk that the degree of gloss increases and the color "turns gray". The embedded metal particles cause a reflectivity of the camouflage material in the HF range, which increases with increasing particle concentration and frequency and makes it unusable for camouflage purposes in this spectral range.
Für den Bereich der Mikro- und Millimeterwellen (ca. 500 MHz bis 100 GHz) stehen ebenfalls Tarnmaterialien zur Verfügung. Um eine tarnende Wirkung in diesem Frequenzbereich zu erzielen, muß ein Tarnmaterial möglichst breitbandig Strahlung absorbieren und außerdem möglichst wenig reflektieren. Dies läßt sich - wie seit langem bekannt - durch Einlagerung geeigneter absorbierender Stoffe in eine "neutrale" Trägersubstanz erreichen. Als absorbierende Stoffe sind schon seit langem Graphit, Ferrite, Eisen u. a. in Verwendung (s. z. B. OS DE 35 18 335 A 1). Derartige Absorber ergeben z. T. sehr gute Tarnwirkungen im Mikro- und Millimeterwellenbereich. Durch geeignete Farbgebung und Oberflächengestaltung des Tarnmaterials kann die Tarnwirkung auch auf den visuellen Bereich ausgedehnt werden. Im Bereich des thermischen Infrarot sind diese Tarnmaterialien jedoch wirkungslos; sie weisen ein Emissionsvermögen von nahezu 1 auf.For the range of micro and millimeter waves (approx. 500 MHz to 100 GHz) camouflage materials are also available. A camouflage effect To achieve this frequency range, a camouflage material must be possible absorb broadband radiation and also reflect as little as possible. As can be seen for a long time, this can be done by storing more appropriately achieve absorbent substances in a "neutral" carrier substance. Graphite, ferrites, Iron and a. in use (see e.g. OS DE 35 18 335 A1). Such absorbers result in e.g. T. very good camouflage effects in the micro and millimeter wave range. Through suitable coloring and surface design of the Camouflage material can also extend the camouflage effect to the visual area will. In the area of thermal infrared, these are camouflage materials however ineffective; they have an emissivity of almost 1 on.
Bei einer Beschichtung des radarabsorbierenden Tarnmaterials mit einem IR-Tarnmaterial der oben beschriebenen Art, kann das Emissionsvermögen der Oberfläche abgesenkt werden. Die Tarnwirkung im Mikro- und Millimeterwellenbereich wird allerdings durch das hohe Reflexionsvermögen der IR- wirksamen Deckschicht vermindert, so daß die multispektrale Tarnwirkung unbefriedigend bleibt.When the radar-absorbing camouflage material is coated with a IR camouflage material of the type described above, the emissivity of the Surface can be lowered. The camouflage effect in the micro and millimeter wave range is, however, due to the high reflectivity of the IR effective top layer is reduced, so that the multispectral camouflage effect remains unsatisfactory.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein multispektral wirksames Tarnmaterial zu schaffen, d. h. ein Tarnmaterial, das gleichzeitig im visuellen, thermischen Infrarotbereich und dem Mikro-/Millimeterwellenbereich die verlangten Eigenschaften aufweist.The invention has for its object a multi-spectrally effective To create camouflage material, d. H. a camouflage material that at the same time visual, thermal infrared range and the micro / millimeter wave range has the required properties.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß als "Wirksubstanzen" spezielle halbleitende Materialien verwendet werden, die - ähnlich wie die o. g. Metallpartikel - in einen Träger (Lack, Paste, Kunststoff, Kunstharz . . .) eingelagert werden, der im IR- und Mikro- bzw. Millimeterwellenbereich möglichst transparent ist, jedoch die visuellen Eigenschaften der Mischung (Farbe, Helligkeit, Glanzgrad) aufgrund einer geeigneten Pigmentierung, Oberflächenrauhigkeit usw. bestimmt. This object is achieved in that as "active substances" special semiconducting materials are used, which - similar like the above Metal particles - in a carrier (paint, paste, plastic, Synthetic resin. . .) are stored in the IR and micro or millimeter wave range is as transparent as possible, but the visual properties the mixture (color, brightness, degree of gloss) due to a suitable Pigmentation, surface roughness etc. determined.
Die spektrale Reflexion und Absorption dieser halbleitenden Materialien ist in der Näherung der sog. Kontinuumstheorie von den Parametern Ladungsträgerdichte und Beweglichkeit der Ladungsträger abhängig. Diese können schon bei der Auswahl und Herstellung der Kristalle für die jeweilige Anwendung optimiert werden.The spectral reflection and absorption of these semiconducting materials is in the approximation of the so-called continuum theory of the charge carrier density parameters and mobility of the charge carriers. These can already in the selection and manufacture of the crystals for each Application can be optimized.
Das Reflexionsvermögen elektrisch leitender Stoffe ist dadurch gekennzeichnet,
daß bei der Eigenfrequenz des Elektronengases, der sog. Plasmafrequenz
(s. z. B. P. Grosse, "Freie Elektronen in Festkörpern", Springer-
Verlag 1979, S. 77)
N: Ladungsträgerdichte
e: Elektronenladung
ε 0: El. Feldkonstante 8,859 · 10-12 As/Vm
m: Masse eines ElektronsThe reflectivity of electrically conductive substances is characterized in that at the natural frequency of the electron gas, the so-called plasma frequency (see BP Grosse, "Free Electrons in Solids", Springer-Verlag 1979, p. 77) N : charge carrier density
e : electron charge
ε 0 : El. Field constant 8.859 · 10 -12 As / Vm
m : mass of an electron
ein Sprung von kleinem Reflexionsvermögen (für ω ≦λτ ω p) zu Werten bis über R ≦λτ 0,8 (für ω ≦ωτ l p) auftritt. Diese Plasmakante kann durch Dotierung des Halbleiters verschoben werden. Ein für Tarnzwecke geeigneter Halbleiter muß eine Plasmawellenlänge zwischen 1 und 3 µm aufweisen, so daß das Material in den atmospärischen Fenstern des IR bei 3-5 µm und 8-14 µm hochreflektierend wirkt.a jump from low reflectivity (for ω ≦ λτ ω p ) to values up to above R ≦ λτ 0.8 (for ω ≦ ωτ l p ) occurs. This plasma edge can be shifted by doping the semiconductor. A semiconductor suitable for camouflage purposes must have a plasma wavelength between 1 and 3 µm, so that the material in the atmospheric windows of the IR has a highly reflective effect at 3-5 µm and 8-14 µm.
In Fig. 1 ist als Beispiel für einen IR-reflektierenden Halbleiter mit den Parametern N = 1021 cm-3 und Stoßzeit τ = 2 · 10-14 s das spektrale Reflexionsvermögen von In2O3 angegeben (nach P. Grosse, "Freie Elektronen in Festkörpern", Springer-Verlag 1979, S. 127).In Fig. 1 is an example of an IR reflective semiconductor with the parameters N = 10 21 cm -3, and collision time τ = 2 · 10 -14 s indicates the spectral reflectance of In 2 O 3 (according to P. Grosse, "Free Electrons in solids ", Springer-Verlag 1979, p. 127).
Die Forderungen im Bereich der Radar- und Millimeterwellen an ein Tarnmaterial lauten: Kleine Reflexion und große Absorption. The demands in the area of radar and millimeter waves on a camouflage material read: Small reflection and large absorption.
Für dieses Spektralgebiet kann zur Berechnung dieser Größen bei elektrisch leitenden Stoffen die sogenannte Hagen-Rubens-Näherung herangezogen werden. Damit erhält man für den Reflexionsgrad σ 0: GleichstromleitfähigkeitFor this spectral region, the so-called Hagen-Rubens approximation can be used to calculate these quantities for electrically conductive substances. This gives you the reflectance σ 0 : DC conductivity
und für den Absorptionskoeffizienten je nach relativer Lage der Frequenz
zur sog. Stoßfrequenz der Ladungsträger - ihr Kehrwert kennzeichnet die
mittlere Zeit τ zwischen zwei Stößen -
bzw.
μ 0: magnetische Feldkonstante μ 0 = 1,257 · 10 -6 Vs/Am
ω τ : mittlere Stoßfrequenz der Ladungsträger
c 0: Lichtgeschwindigkeit im Vakuum
n: Brechzahl.and for the absorption coefficient depending on the relative position of the frequency to the so-called impact frequency of the charge carriers - their reciprocal characterizes the mean time τ between two impacts - respectively. μ 0 : magnetic field constant μ 0 = 1.257 · 10 -6 Vs / Am
ω τ : average impact frequency of the charge carriers
c 0 : speed of light in a vacuum
n : refractive index.
In Fig. 2 ist der durch Gl. (3) und (4) beschriebene spektrale Verlauf des Absorptionskoeffizienten dargestellt (nach P. Grosse, "Freie Elektronen in Festkörpern", Springer-Verlag 1979, S. 133). Man erkennt, daß die Absorption im Bereich ω ≈ ω τ maximal wird.In Fig. 2 the by Eq. (3) and (4) described spectral profile of the absorption coefficient (according to P. Grosse, "Free Electrons in Solids", Springer-Verlag 1979, p. 133). It can be seen that the absorption becomes maximum in the range ω ≈ ω τ .
Wie Gl. (2) zeigt, läßt sich durch geeignete Wahl der Gleichstromleitfähigkeit s 0, d. h. der Ladungsträgerdichte und der Beweglichkeit, der Reflexionsgrad vermindern. Für ein geringes Reflexionsvermögen (R ≈ 0) bei 100 GHz ist beispielsweise eine Gleichstromleitfähigkeit von 40 Ω-1 m-1 erforderlich. Dies bedingt für einen hochdotierten Halbleiter (Plasmakante im nahen IR) mit einer Ladungsträgerdichte von N = 1019 cm-3 eine Beweglichkeit von etwa 0,1 cm2/V · s bzw. eine Stoßfrequenz von etwa 1016 s-1. Daraus ergibt sich für das hier angenommene Halbleitermodell ein Verhältnis l/ω τ = 10-4 und eine Absorptionskonstante (nach Gl. (3)) von K = 80 cm-1.Like Eq. (2) shows, the reflectivity can be reduced by a suitable choice of the direct current conductivity s 0 , ie the charge carrier density and the mobility. For example, a low reflectivity ( R ≈ 0) at 100 GHz requires a DC conductivity of 40 Ω -1 m -1 . For a highly doped semiconductor (plasma edge in the near IR) with a charge carrier density of N = 10 19 cm -3, this requires a mobility of approximately 0.1 cm 2 / V · s or an impact frequency of approximately 10 16 s -1 . This results in a ratio l / ω τ = 10 -4 and an absorption constant (according to Eq. (3)) of K = 80 cm -1 for the semiconductor model assumed here.
Berücksichtigt man zusätzlich noch die Einflüsse des Kristallgitters auf die Materialparameter des Halbleiters, so kann erfindungsgemäß die Ladungsträgerdichte N noch zwischen 1018 und 1021 cm-3 und die Stoßfrequenz ω τ zwischen 1015 und 1018 s-1 variieren, ohne daß die gewünschten optischen bzw. HF-Eigenschaften wesentlich verändert werden, solange N/ω τ ≈ -103 s/cm-3 bleibt. Vorteilhaft sind Werte von N ≈ 1021 cm-3 und l τ ≈ 1018 s-1.If one also takes into account the influences of the crystal lattice on the material parameters of the semiconductor, then according to the invention the charge carrier density N can still vary between 10 18 and 10 21 cm -3 and the impact frequency ω τ between 10 15 and 10 18 s -1 without the desired optical or RF properties can be changed significantly as long as N / ω τ ≈ -10 3 s / cm -3 remains. Values of N ≈ 10 21 cm -3 and l τ ≈ 10 18 s -1 are advantageous.
Die halbleitenden Substanzen sind in Form kleiner Kristallite, Plättchen usw. oder auch zusammenhängende dünne Schichten aufzubringen. In diesem Falle ist im Mikro- und Millimeterwellenbereich die Schichtdicke der halbleitenden Substanzen klein gegen die Wellenlänge. Das Reflexions- und Absorptionsvermögen wird dann zusätzlich zu den o. g. Materialparametern auch von der Schichtdicke abhängig (Zeitschrift für Physik 91 (1934), Seiten 230 bis 252). Die Wahl der Schichtdicke (Kristallitgröße, Plättchendicke . . .) wird vorteilhaft als eine weitere Möglichkeit benutzt, gewünschte Werte von Reflexions- und Absorptionsvermögen zu erreichen.The semiconducting substances are in the form of small crystallites, platelets etc. or to apply coherent thin layers. In In this case, the layer thickness is in the micro and millimeter wave range of semiconducting substances small versus wavelength. The Reflectivity and absorbency is then added to the above. Material parameters also depend on the layer thickness (magazine for Physik 91 (1934), pages 230 to 252). The choice of layer thickness (crystallite size, Platelet thickness. . .) is advantageous as another Possibility used, desired values of reflectivity and absorbance to reach.
Eine Ausbildung der Erfindung besteht darin, den halbleitenden Kristall in zerkleinerter Form einem Trägermaterial (Lack, Paste, Harz, Kunststoff . . .) beizumischen und auf diese Weise multispektral tarnwirksame Anstrichstoffe, Platten, Formteile, Folien usw. herzustellen.An embodiment of the invention is the semiconducting crystal in shredded form a carrier material (lacquer, paste, resin, plastic . . .) admix and in this way multispectral camouflaging To produce paints, plates, moldings, foils, etc.
Die halbleitenden Materialien sollten in einer Konzentration von 10 bis 90 Vol.% dem Trägermaterial beigemischt werden. Sie können die Form von Stäbchen, Quadern oder Plättchen, vorteilhaft Plättchen, haben und sollten Teilchengrößen von 5 bis 1000 µm aufweisen. Die Gefahr eines Anstieges des Glanzgrades und der Vergrauung besteht bei Verwendung der halbleitenden Substanzen mit den erfindungsgemäßen Eigenschaften nicht, da diese im visuellen Bereich weitgehend durchsichtig sind. The semiconducting materials should be in a concentration of 10 to 90 vol.% Are added to the carrier material. You can change the shape of Chopsticks, cuboids or platelets, advantageously platelets, should and should have Have particle sizes of 5 to 1000 microns. The danger of an increase the degree of gloss and graying exists when using the not semiconducting substances with the properties according to the invention, because these are largely transparent in the visual area.
Anstelle der halbleitenden Materialien werden, nach einem weiteren Gedanken der Erfindung, auch Halbmetalle und/oder halbmetallische Legierungen, welche die für Halbleiter geforderten Materialkennwerte besitzen, verwendet.Instead of the semiconducting materials, after another thought the invention, also semimetals and / or semimetallic alloys, which have the material properties required for semiconductors, used.
Die multispektrale Tarnwirkung wird, in weiterer Ausbildung der Erfindung, noch verbessert, wenn das Tarnmaterial zwei- oder mehrschichtig ausgelegt wird. Es lassen sich damit spezielle Anforderungen in einzelnen Frequenzbereichen besonders gut erfüllen.The multispectral camouflage effect, in a further development of the invention, still improved if the camouflage material has two or more layers is interpreted. It can be used to specify special requirements Fulfill frequency ranges particularly well.
Bei einem Schichtaufbau der Tarnmaterialien wird erfindungsgemäß die äußerste Schicht auf Tarnwirksamkeit im visuellen und IR-Bereich optimiert, während die unteren Schichten auf optimale HF-Tarnwirkung ausgelegt sind. Ein derartiger Schichtaufbau ist möglich, weil die auf optimale visuelle und IR-Wirkung ausgelegte Schicht erfindungsgemäß im HF-Bereich ein geringes Reflexionsvermögen besitzt. Die Materialparameter der HF-wirksamen Schichten werden erfindungsgemäß so gewählt, daß die Ladungsträgerdichten N zwischen 1013 cm-3 und 1015 cm-3 und die Stoßfrequenzen ω τ zwischen 1011 s-1 und 1013 s-1 liegen. Die Reihenfolge der HF- wirksamen Schichten muß so aufgebaut sein, daß die Ladungsträgerdichte N von außen nach innen zunimmt und somit die innerste Schicht auf die höchste zu absorbierende Frequenz optimiert ist.In the case of a layer structure of the camouflage materials, the outermost layer is optimized according to the invention for camouflage effectiveness in the visual and IR range, while the lower layers are designed for optimal HF camouflage effect. Such a layer structure is possible because, according to the invention, the layer designed for optimum visual and IR effect has a low reflectivity in the HF range. According to the invention, the material parameters of the HF-active layers are selected such that the charge carrier densities N are between 10 13 cm -3 and 10 15 cm -3 and the impact frequencies ω τ are between 10 11 s -1 and 10 13 s -1 . The order of the HF-active layers must be constructed in such a way that the charge carrier density N increases from the outside inwards and the innermost layer is thus optimized for the highest frequency to be absorbed.
Da die Tarnwirkung im visuellen und IR-Bereich durch die äußerste Schicht bereits erreicht ist, können die Ladungsträgerdichte N, die Stoßfrequenz ω t und die Größe N/ω τ ausschließlich mit dem Ziel hoher Absorption und geringer Reflexion in den verschiedenen HF-Bereichen gewählt werden. Auf diese Weise werden in den für die militärische Aufklärung relevanten Bereichen besonders gute Tarnwirkungen erreicht. Für eine 10 GHz-Absorberschicht sind beispielsweise Werte von N ≈ 1013 cm und l τ ≈ 1011 s-1 für eine 100 GHz-Absorberschicht von N ≈ 1015 cm-3 und ω t ≈ 1013 s-1 vorteilhaft. Since the camouflage effect in the visual and IR range has already been achieved by the outermost layer, the charge carrier density N , the impact frequency ω t and the size N / ω τ can only be selected with the aim of high absorption and low reflection in the different RF ranges . In this way, particularly good camouflage effects are achieved in the areas relevant for military reconnaissance. For a 10 GHz absorber layer values of N ≈ 10 cm and 13 l τ ≈ are, for example, 10 11 s -1 advantageous for a 100 GHz absorber layer of N ≈ 10 15 cm -3 and ω t ≈ 10 13 s -1.
Vereinfachend können die auf verschiedene HF-Bereiche optimierten halbleitenden Materialien nach der Zerkleinerung gemischt und als breitbandig wirkende Schicht aufgebracht werden.To simplify matters, the semiconducting ones optimized for different HF ranges can be used Materials mixed after crushing and as broadband acting layer can be applied.
Anstelle einer Einbettung in Trägermaterialien werden in Abwandlung der Erfindung die oben spezifizierten halbleitenden bzw. halbmetallischen Materialien auch durch ein Aufdampfverfahren in einer oder mehreren Schichten direkt die zu tarnenden Oberflächen aufgebracht.Instead of embedding in carrier materials, the Invention the semiconducting or semi-metallic specified above Materials also by vapor deposition in one or more Layers applied directly to the surfaces to be camouflaged.
Claims (9)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19863606691 DE3606691A1 (en) | 1986-02-28 | 1986-02-28 | Materials for multispectral camouflage in the visual, IR and micro/millimetre-wave range |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19863606691 DE3606691A1 (en) | 1986-02-28 | 1986-02-28 | Materials for multispectral camouflage in the visual, IR and micro/millimetre-wave range |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE3606691A1 true DE3606691A1 (en) | 1987-09-03 |
Family
ID=6295252
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19863606691 Withdrawn DE3606691A1 (en) | 1986-02-28 | 1986-02-28 | Materials for multispectral camouflage in the visual, IR and micro/millimetre-wave range |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE3606691A1 (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995032251A1 (en) * | 1994-05-25 | 1995-11-30 | Gerd Hugo | Coating substance with low emissivity in the heat radiation range |
| WO2003064543A1 (en) * | 2002-01-30 | 2003-08-07 | Qinetiq Limited | Dark coatings |
| CN109772664A (en) * | 2017-11-14 | 2019-05-21 | 洛阳尖端技术研究院 | Visible light and the double camouflage color materials of thermal infrared and preparation method thereof |
-
1986
- 1986-02-28 DE DE19863606691 patent/DE3606691A1/en not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995032251A1 (en) * | 1994-05-25 | 1995-11-30 | Gerd Hugo | Coating substance with low emissivity in the heat radiation range |
| WO2003064543A1 (en) * | 2002-01-30 | 2003-08-07 | Qinetiq Limited | Dark coatings |
| CN109772664A (en) * | 2017-11-14 | 2019-05-21 | 洛阳尖端技术研究院 | Visible light and the double camouflage color materials of thermal infrared and preparation method thereof |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE102017203105B4 (en) | Glazing unit, process for their preparation and their use | |
| DE2702079C2 (en) | Sun absorbers | |
| DE69533047T2 (en) | LIGHT-ABSORBING ANTI-REFLECTOR | |
| DE602005002614T2 (en) | Microwave absorber material | |
| DE3901345C2 (en) | Absorbent coating, process for its production and coating obtained with the aid of this coating | |
| DE2727562A1 (en) | METHOD FOR IMPROVING THE RESPONSE TIME OF A DISPLAY DEVICE WITH A NEMATIC LIQUID CRYSTAL COMPOSITION WITH DRILLING | |
| DE2533364A1 (en) | COATED DISC | |
| DE112004000337T5 (en) | Encapsulated nanoparticles for the absorption of electromagnetic energy | |
| EP3289408A1 (en) | Optical switching layer for use in an optical switching element | |
| DE112004000328T5 (en) | Encapsulated nanoparticles for the absorption of electromagnetic energy in the ultraviolet range | |
| Arasu et al. | Effect of annealing temperature on structural and optical parameters of sol–gel routed molybdenum oxide thin film | |
| DE60007877T2 (en) | Low frequency electromagnetic absorption surface | |
| Thirumavalavan et al. | Investigation on structural, optical, morphological and electrical properties of lead sulphide (PbS) thin films | |
| EP0065207B1 (en) | Use of pigmented coating compounds with reduced emission capability in the spectral range of the heat radiation for camouflage purposes | |
| EP0797634B1 (en) | Coating substance with low emissivity in the heat radiation range | |
| Milichko et al. | Anomalous optical nonlinearity of dielectric nanodispersions | |
| DE3606691A1 (en) | Materials for multispectral camouflage in the visual, IR and micro/millimetre-wave range | |
| Borkar et al. | Novel optically active lead-free relaxor ferroelectric (Ba0. 6Bi0. 2Li0. 2) TiO3 | |
| DE60110316T2 (en) | Heat control method and apparatus | |
| Hutchins | Spectrally selective solar absorber coatings | |
| EP0246342B1 (en) | Coating materials with a reduced emissivity in the spectral range of the heat radiation | |
| DE102015120433A1 (en) | Decorative coating | |
| El Sayed | Opto-structural and surface properties of silkworm-like nickel oxide thin films | |
| DE3329264C2 (en) | ||
| Kayani et al. | Role of co-doping on structural, optical and magnetic properties of nano-crystalline ZnO thin films |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 8141 | Disposal/no request for examination |