DE3604971A1 - PHOTOSENSOR DEVICE WITH DARK CURRENT COMPENSATION - Google Patents
PHOTOSENSOR DEVICE WITH DARK CURRENT COMPENSATIONInfo
- Publication number
- DE3604971A1 DE3604971A1 DE19863604971 DE3604971A DE3604971A1 DE 3604971 A1 DE3604971 A1 DE 3604971A1 DE 19863604971 DE19863604971 DE 19863604971 DE 3604971 A DE3604971 A DE 3604971A DE 3604971 A1 DE3604971 A1 DE 3604971A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- photodiodes
- dark current
- photosensor device
- pair
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 3
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/10—Photometry, e.g. photographic exposure meter by comparison with reference light or electric value provisionally void
- G01J1/16—Photometry, e.g. photographic exposure meter by comparison with reference light or electric value provisionally void using electric radiation detectors
- G01J1/1626—Arrangements with two photodetectors, the signals of which are compared
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft ein Photosensoreinrichtung mit Dunkelstromkompensation, die mindestens ein Paar gleichartiger Sensorelemente aufweist.The invention relates to a photosensor device Dark current compensation, at least one pair has similar sensor elements.
Eine derartige Einrichtung ist aus der DE-OS 26 23 745 bekannt. Dort ist eine CCD-Videokamera beschrieben, welche als Sensorelemente ein Paar gleichartiger ladungsgekoppelter Elemente aufweist. Der Grund hierfür besteht darin, daß Dunkelstromeffekte soweit wie möglich eliminiert werden sollen. Eine zwischen dem Objektiv sowie den ladungsgekoppelten Elementen vor handene, schwenkbare Spiegelanordnung sorgt dafür, daß während der ersten Hälfte des Integrationsintervalles die Belichtung auf das eine, während der zweiten Hälfte auf das andere ladungsgekoppelte Element fällt. Eines der beiden Elemente ist während jeweils einer Hälfte des Integrationsintervalles unbelichtet. Beim Umschal ten der Belichtung zwischen den beiden Elementen nach Ablauf jeweils eines halben Integrationsintervalles werden gleichzeitig die bis dahin in den Elementen akumulierten Ladungen ausgetauscht, wozu eine spezielle Umschaltvorrichtung vorhanden sein muß. Am Ende des Integrationsintervalles werden die Ladungsmengen aus den Elementen abgezogen und durch Differenzbildung die Dunkelstromanteile eliminiert.Such a device is from DE-OS 26 23 745 known. A CCD video camera is described there, which as sensor elements are a pair of the same type Has charge-coupled elements. The reason for that is that dark current effects as far as possible to be eliminated. One between the Lens as well as the charge-coupled elements existing, swiveling mirror arrangement ensures that during the first half of the integration interval exposure to one during the second half falls on the other charge-coupled element. One of the two elements is half each of the integration interval unexposed. When switching over the exposure between the two elements Half an integration interval at the same time become those in the elements accumulated charges exchanged, for which a special Switching device must be available. At the end of Integration interval, the amount of charge subtracted from the elements and by forming the difference Dark current components eliminated.
Bei der bekannten Einrichtung werden als Sensorelemente ladungsgekoppelte Elemente (CCD-Elemente) verwendet, wobei das der Belichtungsintensität entsprechende Aus gangssignal jeweils erst am Ende eines Integrations intervalles zur Verfügung steht. Im übrigen ist die Einrichtung apparativ aufwendig, da sie über eine schwenkbare Spiegelanordnung sowie Umschaltvorrichtun gen verfügen muß. Schließlich steht das erwünschte Ausgangssignal erst nach Differenzbildung zur Verfügung.In the known device are used as sensor elements charge coupled elements (CCD elements) used, the off corresponding to the exposure intensity output signal only at the end of an integration interval is available. Otherwise, the Furnishing complex, since they have a pivoting mirror arrangement and Umschaltvorrichtun gene must have. After all, what is desired Output signal only after difference formation Available.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine Photosensoreinrichtung der eingangs genannten Art bereitzustellen, bei welcher das dunkelstromkompen sierte Ausgangssignal bei möglichst geringem apparati ven Aufwand möglichst schnell und direkt zur Verfügung steht.The invention is therefore based on the object Photosensor device of the type mentioned to provide, in which the dark current based output signal with the smallest possible apparatus effort as quickly and directly as possible stands.
Diese Aufgabe wird gemäß der Erfindung dadurch gelöst, daß Photodioden als Sensorelemente verwendet werden, die beiden Photodioden eines jeden Paares in Reihe und in Sperrichtung geschaltet zwischen den Polen einer Spannungsquelle liegen, jeweils eine der beiden Photo dioden (die Kompensationsdiode) ständig gegen Belich tung abgeschirmt ist und das dunkelstromkompensierte Ausgangssignal unmittelbar an einem Mittelabgriff zwischen den beiden Photodioden des jeweiligen Paares abnehmbar ist.According to the invention, this object is achieved by that photodiodes are used as sensor elements, the two photodiodes of each pair in series and switched in the reverse direction between the poles Voltage source, one of the two photos diodes (the compensation diode) constantly against Belich is shielded and the dark current compensated Output signal directly at a center tap between the two photodiodes of the respective pair is removable.
Durch Verwendung eines oder mehrerer derartiger Paare zweier gleichartiger Photodioden wird es möglich, das gewünschte, dunkelstromkompensierte Ausgangssignal ohne jede Zeitverzögerung direkt abzunehmen, und zwar an einem Mittelabgriff zwischen den beiden Photodioden. Es handelt sich hierbei um eine äußerst einfache und dennoch im Sinne der Lösung der Aufgabenstellung wirk same Anordnung. Weder ist es erforderlich, die Belich tung ständig zwischen den beiden Sensorelementen eines Paares wechseln zu lassen, noch sind komplizierte Um schaltvorrichtungen zum Ladungsaustausch erforderlich. By using one or more such pairs two identical photodiodes, it becomes possible desired dark current compensated output signal without to decrease every time delay directly on a center tap between the two photodiodes. It this is an extremely simple and nevertheless effective in the sense of solving the task same arrangement. Neither is it necessary to use the Belich tion constantly between the two sensor elements To have a couple change are still complicated order Switching devices required for charge exchange.
Dies hängt einmal damit zusammen, daß eines der Sensor elemente, nämlich die Kompensationsdiode, ständig gegen den Lichteinfall abgeschirmt ist, und zum anderen damit, daß anstelle von CCD-Elementen Photodioden verwendet werden.This is due to the fact that one of the sensors elements, namely the compensation diode, constantly against the light is shielded, and on the other so that instead of CCD elements, photodiodes be used.
Die Photosensoreinrichtung gemäß der Erfindung bzw. die dabei zu verwendenden Photodioden können auch in inte grierter Dünnschicht-Technik hergestellt werden, wobei auf einem Substrat eine Schichtenfolge, bestehend aus einer photoempfindlichen Schicht mit zu beiden Seiten angeordneten Elektrodenschichten, aufgebracht ist. Dabei ist die dem Lichteinfall ausgesetzte Elektroden schicht der jeweils abgeschirmten Kompensationsdiode als nicht transparente Metallschicht und die ent sprechende Elektrodenschicht der jeweils anderen Photo diode als transparente, leitende Oxidschicht oder als semitransparente Metallschicht ausgeführt. Eine der artige integrierte Dünnschichtstruktur kann mit her kömmlichen Techniken - beispielsweise Laserstrukturie rung, lithographische Verfahren - leicht hergestellt werden.The photosensor device according to the invention or the photodiodes to be used can also be produced using integrated thin-film technology, a layer sequence consisting of a photosensitive layer with electrode layers arranged on both sides being applied to a substrate. The exposed to light electrodes layer of the shielded compensation diode is designed as a non-transparent metal layer and the corresponding electrode layer of the other photo diode as a transparent, conductive oxide layer or as a semi-transparent metal layer. One of the integrated thin film-like structure can forth with conventional techniques - for example, Laserstrukturie tion, lithographic processes - are readily prepared.
Unter Umständen kann es erwünscht sein, das zwischen den einzelnen Photodioden eines Paares abzunehmende Ausgangssignal noch zu verstärken. Hierzu kann ein Operationsverstärker verwendet werden, dessen inver tierender Eingang mit dem Mittelabgriff zwischen den beiden Photodioden und dessen nicht invertierender Eingang mit dem Mittenpotential der Spannungsquelle verbunden ist.Under certain circumstances, it may be desirable to choose between the individual photodiodes of a pair Output signal to be amplified. For this, a Operational amplifiers are used, the invert animal entrance with the center tap between the two photodiodes and its non-inverting Input with the center potential of the voltage source connected is.
Im folgenden wird die Erfindung in Ausführungsbeispie len anhand der Abbildungen näher erläutert. Es zeigen in schematischer Weise: In the following the invention will be exemplified len explained in more detail using the illustrations. Show it in a schematic way:
Fig. 1 ein Schaltbild mit zwei Photodioden und einem Operationsverstärker, Fig. 1 is a circuit diagram of two photodiodes and an operational amplifier,
Fig. 2 eine integrierte Dünnschichtstruktur im Querschnitt. Fig. 2 shows an integrated thin-film structure in cross section.
In Fig. 1 sind Photodioden 1 und 2, als Sensor elementen-Paar dargestellt, welche in Reihe sowie in Sperrichtung geschaltet mit den Polen 3 und 4 einer Spannungsquelle ±U verbunden sind. Die Photodiode 1 stellt das zu belichtende Sensorelement, die Photodiode 2 die ständig gegen Belichtung abgeschirmte Kompen sationsdiode dar. Ein zwischen den Photodioden 1 und 2 gelegener Mittelabgriff 5 ist mit dem invertierenden Eingang 7 eines Operationsverstärkers 6 verbunden. Der nicht invertierende Eingang 8 dieses Operationsverstär kers 6 liegt bezüglich der Spannungsquelle (Pole 3, 4) auf Mittenpotential (Nullpotential zwischen +U und -U). Der Ausgang 15 des Operationsverstärkers 6 ist über einen ohmschen Widerstand R auf den invertierenden Eingang 7 rückgekoppelt. Das verstärkte, dunkelstrom kompensierte Ausgangssignal steht mit vernachlässig barer Verzögerung sofort am Ausgang 15 an. Da zwei gleichartige Photodioden 1 und 2 verwendet werden, fließt in beiden annähernd der gleiche Dunkelstrom I d . Ohne Belichtung liegt der Mittelabgriff 5 auf Nullpotential, ebenso wie die beiden Eingänge 7 und 8, des Operationsverstärkers 6. Dann ist auch die Ausgangsspannung U A =0, da die Eingangsdifferenz spannung U E zwischen den Eingängen 7 und 8 gleich Null ist und auch keine Eingangsströme über diese Eingänge fließen. Der ohmsche Widerstand R ist nicht belastet. Fällt ein Lichtsignal auf die Photodiode 1, so führt dies zu einem Signalstrom I s sowie zu einer Belastung des ohmschen Widerstandes R mit einem Strom I R =-I s . Als Ausgangsspannung ergibt sich dann U A =-RI s . Dieses dunkelstromkompensierte Ausgangssignal ist, abgesehen von durch seine Grenz frequenz bestimmten Laufzeitverzögerungen des Operationsverstärkers und des Diodenpaares, sofort am Ausgang abnehmbar.In Fig. 1, photodiodes 1 and 2 are shown as a pair of sensor elements, which are connected in series and in the reverse direction with the poles 3 and 4 of a voltage source ± U are connected. The photodiode 1 represents the sensor element to be exposed, the photodiode 2 is the compensation shield that is constantly shielded from exposure. A center tap 5 located between the photodiodes 1 and 2 is connected to the inverting input 7 of an operational amplifier 6 . The non-inverting input 8 of this operational amplifier 6 lies with respect to the voltage source (poles 3 , 4 ) at center potential (zero potential between + U and - U ). The output 15 of the operational amplifier 6 is fed back to the inverting input 7 via an ohmic resistor R. The amplified, dark current compensated output signal is immediately available at output 15 with a negligible delay. Since two identical photodiodes 1 and 2 are used, approximately the same dark current I d flows in both. Without exposure, the center tap 5 is at zero potential, as are the two inputs 7 and 8 of the operational amplifier 6 . Then the output voltage U A = 0, since the input difference voltage U E between inputs 7 and 8 is zero and no input currents flow through these inputs. The ohmic resistance R is not loaded. If a light signal falls on the photodiode 1 , this leads to a signal current I s and to a load of the ohmic resistor R with a current I R = - I s . The output voltage is then U A = - RI s . This dark current-compensated output signal, apart from the delay delays of the operational amplifier and the diode pair determined by its cut-off frequency, can be removed immediately at the output.
Fig. 2 zeigt im Querschnitt eine integrierte Dünn schichtstruktur, bei welcher auf einem Glassubstrat 10 zwei in Reihe geschaltete Photodioden 1 und 2 auf gebracht sind. Diese bestehen jeweils aus unmittelbar auf dem Substrat aufgebrachten Metall- oder transparen ten Oxidschichten 12 (beispielsweise ITO), den darüber abgeschiedenen eigentlichen photoempfindlichen Schich ten 11, welche beispielsweise aus amorphem Silizium bestehen und eine pin-Struktur aufweisen können, sowie dem Lichteinfall zugekehrten Elektrodenschichten 13 und 14, welche im Falle der abgeschirmten Kompensations diode 2 aus Metall, beispielsweise Aluminium, aus reichender Dicke und im Falle der das Lichtsignal auf nehmenden Photodiode 1 aus einem transparenten leiten den Oxid (beispielsweise ITO) oder aus einem semitrans parenten Metall bestehen. Hier liegt also eine Reihen schaltung zweier Photodioden 1 und 2 vor, wobei letztere als Kompensationsdiode vom Lichteinfall abgeschirmt ist und das Ausgangssignal an einem Mittel abgriff 17 abnehmbar ist. Fig. 2 shows in cross section an integrated thin layer structure, in which on a glass substrate 10 two series-connected photodiodes 1 and 2 are brought up. These each consist of metal or transparent oxide layers 12 (for example ITO) applied directly to the substrate, the actual photosensitive layers 11 deposited thereon, which consist for example of amorphous silicon and may have a pin structure, and electrode layers 13 facing the incidence of light and 14 , which in the case of the shielded compensation diode 2 made of metal, for example aluminum, of sufficient thickness and in the case of the light signal receiving photodiode 1 made of a transparent conducting oxide (for example ITO) or of a semitransparent metal. So here is a series circuit of two photodiodes 1 and 2 , the latter being shielded as a compensation diode from the incidence of light and the output signal at a center tap 17 is removable.
Claims (3)
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19863604971 DE3604971A1 (en) | 1986-02-17 | 1986-02-17 | PHOTOSENSOR DEVICE WITH DARK CURRENT COMPENSATION |
FR8701945A FR2594544A1 (en) | 1986-02-17 | 1987-02-16 | Device with photoelectric sensors with compensation for the dark current |
JP62032595A JPS62219581A (en) | 1986-02-17 | 1987-02-17 | Optoelectric device compensating dark current |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19863604971 DE3604971A1 (en) | 1986-02-17 | 1986-02-17 | PHOTOSENSOR DEVICE WITH DARK CURRENT COMPENSATION |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3604971A1 true DE3604971A1 (en) | 1987-08-20 |
Family
ID=6294271
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19863604971 Ceased DE3604971A1 (en) | 1986-02-17 | 1986-02-17 | PHOTOSENSOR DEVICE WITH DARK CURRENT COMPENSATION |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62219581A (en) |
DE (1) | DE3604971A1 (en) |
FR (1) | FR2594544A1 (en) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3705915A1 (en) * | 1987-02-25 | 1988-09-08 | Standard Elektrik Lorenz Ag | Circuit arrangement for forming the difference between two photoelectric currents |
DE3727825A1 (en) * | 1987-08-20 | 1989-03-02 | Siemens Ag | Series-connected thin-film solar module made from crystalline silicon |
DE3842279A1 (en) * | 1987-12-15 | 1989-06-29 | Fuji Electric Co Ltd | LIGHT INTENSITY DETECTOR CIRCUIT |
US5029277A (en) * | 1990-02-28 | 1991-07-02 | Motorola, Inc. | Optically compensated bipolar transistor |
DE4439759C1 (en) * | 1994-11-07 | 1996-02-01 | Siemens Ag | Photodiode array for X=ray computer tomography |
CN108829171A (en) * | 2018-07-24 | 2018-11-16 | 烽火通信科技股份有限公司 | A kind of device and method for eliminating monitor photo-diode dark current |
CN114245047A (en) * | 2021-12-21 | 2022-03-25 | 上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司 | Pixel unit and image sensor |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5063297A (en) * | 1989-06-08 | 1991-11-05 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Apparatus for detecting fluorescence of a luminescent material |
JP2671548B2 (en) * | 1990-03-06 | 1997-10-29 | 日本電気株式会社 | Infrared sensor |
JPH06196746A (en) * | 1992-12-25 | 1994-07-15 | Canon Inc | Photoelectric converter, driving circuit, semiconductor light emitting device driving circuit, storage device and sequential access memory |
EP1971129A1 (en) * | 2007-03-16 | 2008-09-17 | STMicroelectronics (Research & Development) Limited | Improvements in or relating to image sensors |
CN114497003A (en) * | 2022-01-21 | 2022-05-13 | Nano科技(北京)有限公司 | Surface incident photodiode structure with dark current self-compensation function |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3781119A (en) * | 1971-02-22 | 1973-12-25 | Asahi Kogaru Kogyo Kk | Dual light-measurement and compensation circuitry for cameras |
DE2331191A1 (en) * | 1972-06-24 | 1974-01-31 | Durst Ag | LIGHT MEASUREMENT METHOD AND DEVICE |
US4011016A (en) * | 1974-04-30 | 1977-03-08 | Martin Marietta Corporation | Semiconductor radiation wavelength detector |
DE2623745A1 (en) * | 1976-03-31 | 1977-10-06 | Elliott Brothers London Ltd | CIRCUIT ARRANGEMENT WITH A CHARGE-COUPLED ELEMENT |
DE3213086A1 (en) * | 1981-04-07 | 1982-11-25 | Minolta Camera K.K., Osaka | ELEMENT AND DEVICE FOR DETERMINING THE FOCUS ON OPTICAL DEVICES |
DE3233633A1 (en) * | 1981-09-11 | 1983-03-31 | Olympus Optical Co., Ltd., Tokyo | PHOTOMETER SWITCHING |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4567529A (en) * | 1983-10-26 | 1986-01-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Image sensor |
JPS6181086A (en) * | 1984-09-28 | 1986-04-24 | Fujitsu Ltd | Solid-state image pickup device |
JPS62161281A (en) * | 1986-01-10 | 1987-07-17 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device |
-
1986
- 1986-02-17 DE DE19863604971 patent/DE3604971A1/en not_active Ceased
-
1987
- 1987-02-16 FR FR8701945A patent/FR2594544A1/en not_active Withdrawn
- 1987-02-17 JP JP62032595A patent/JPS62219581A/en active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3781119A (en) * | 1971-02-22 | 1973-12-25 | Asahi Kogaru Kogyo Kk | Dual light-measurement and compensation circuitry for cameras |
DE2331191A1 (en) * | 1972-06-24 | 1974-01-31 | Durst Ag | LIGHT MEASUREMENT METHOD AND DEVICE |
US4011016A (en) * | 1974-04-30 | 1977-03-08 | Martin Marietta Corporation | Semiconductor radiation wavelength detector |
DE2623745A1 (en) * | 1976-03-31 | 1977-10-06 | Elliott Brothers London Ltd | CIRCUIT ARRANGEMENT WITH A CHARGE-COUPLED ELEMENT |
DE3213086A1 (en) * | 1981-04-07 | 1982-11-25 | Minolta Camera K.K., Osaka | ELEMENT AND DEVICE FOR DETERMINING THE FOCUS ON OPTICAL DEVICES |
DE3233633A1 (en) * | 1981-09-11 | 1983-03-31 | Olympus Optical Co., Ltd., Tokyo | PHOTOMETER SWITCHING |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3705915A1 (en) * | 1987-02-25 | 1988-09-08 | Standard Elektrik Lorenz Ag | Circuit arrangement for forming the difference between two photoelectric currents |
DE3727825A1 (en) * | 1987-08-20 | 1989-03-02 | Siemens Ag | Series-connected thin-film solar module made from crystalline silicon |
DE3842279A1 (en) * | 1987-12-15 | 1989-06-29 | Fuji Electric Co Ltd | LIGHT INTENSITY DETECTOR CIRCUIT |
US5029277A (en) * | 1990-02-28 | 1991-07-02 | Motorola, Inc. | Optically compensated bipolar transistor |
WO1991013459A1 (en) * | 1990-02-28 | 1991-09-05 | Motorola, Inc. | Optically compensated bipolar transistor |
DE4439759C1 (en) * | 1994-11-07 | 1996-02-01 | Siemens Ag | Photodiode array for X=ray computer tomography |
US5661293A (en) * | 1994-11-07 | 1997-08-26 | Siemens Aktiengesellschaft | Photodiode array with photodiode/extraction diode combinations with dark current thereof regulated to zero |
CN108829171A (en) * | 2018-07-24 | 2018-11-16 | 烽火通信科技股份有限公司 | A kind of device and method for eliminating monitor photo-diode dark current |
CN114245047A (en) * | 2021-12-21 | 2022-03-25 | 上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司 | Pixel unit and image sensor |
CN114245047B (en) * | 2021-12-21 | 2024-03-05 | 上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司 | Pixel unit and image sensor |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS62219581A (en) | 1987-09-26 |
FR2594544A1 (en) | 1987-08-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0878091B1 (en) | Colour image sensor for short-time exposure | |
DE2912884C2 (en) | ||
DE3604971A1 (en) | PHOTOSENSOR DEVICE WITH DARK CURRENT COMPENSATION | |
DE2606292C3 (en) | Solid-state optical image sensing device | |
DE2727156C2 (en) | ||
DE2354755A1 (en) | ADAPTED ANALOG FILTER | |
DE69501432T2 (en) | Method for manufacturing a solid-state image sensor | |
DE3425377C2 (en) | Pyroelectric detector | |
DE2813914C2 (en) | ||
DE3545376C2 (en) | ||
EP0008673B1 (en) | Colour picture scanning device and method | |
DE2558155B2 (en) | ||
DE3601658A1 (en) | CIRCUIT FOR READING AN OPTOELECTRONIC IMAGE SENSOR | |
DE3105910C2 (en) | ||
DE1572755A1 (en) | Photoelectric light meter for a photographic camera | |
EP0008672B1 (en) | Colour picture scanning device | |
DE2258218B2 (en) | Arrangement for measuring light for photographic purposes | |
DE3223840C2 (en) | Image sensor | |
DE2928253A1 (en) | ELECTRONIC ADDRESSING SYSTEM FOR READING MOSAIC MATRICES OPTOELECTRONIC ELEMENTS | |
DE1906201C3 (en) | Electric exposure indicator | |
CH623960A5 (en) | ||
DE2451352C3 (en) | Device for focusing an optical system | |
DE2458868A1 (en) | ARRANGEMENT FOR MEASURING THE FOCUSING STATE IN OPTICAL SYSTEMS, IN PARTICULAR IN PHOTOGRAPHICAL CAMERAS | |
DE3213086A1 (en) | ELEMENT AND DEVICE FOR DETERMINING THE FOCUS ON OPTICAL DEVICES | |
DE2930180C2 (en) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OM8 | Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law | ||
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8131 | Rejection |